Professional Documents
Culture Documents
BÀI TẬP NHÓM 2
Giáo viên hướng dẫn: Ths. Hoàng Quang Huy
Sinh viên thực hiện: Đặng Ngọc Thiện - 20203590
Đặng Nhật Quang - 20203755
Mã lớp: 133291
HÀ NỘI – 2022
CHƯƠNG 3: Transistor FET (Field Effect
Transistor)
3.1. JFET
a.Mạch mô phỏng
b. Đặc tuyến ra
Hình : Đặc tuyến ra D-MOSFET
c.Đặc tuyến truyền đạt
b.Đặc tuyến ra
Hình : Đặc tuyến ra E-MOSFET
c.Đặc tuyến truyền đạt
Sử dụng : LM258AN
Nguồn xoay chiều 5cos(100πt)
2 nguồn 1 chiều 20V
1 điện trở 3kΩ, 1 điện trở 1kΩ
Sử dụng : LM258AN
Nguồn xoay chiều 5cos(100πt)
2 nguồn 1 chiều 20V
1 điện trở 3kΩ, 1 điện trở 1kΩ
𝑈𝑟=∑(𝑅𝑖/𝑅𝑓)*𝑈𝑣𝑖
- Với các giá trị Rf=2kΩ, Rf=4kΩ, R2=2kΩ, các tín hiệu áp vào là: Uv1 – 2V,
Sin 50Hz và Uv2 – 10V, sin 50Hz, Ur sẽ là tín hiệu sin 14V ngược pha với các
tín hiệu vào.
Hình : Grapher mạch cộng đảo
4.4 Mạch cộng không đảo
Sử dụng : LM258AN
Nguồn xoay chiều 5cos(100πt)
2 nguồn 1 chiều 25V
1 điện trở 3kΩ, 1 điện trở 2kΩ, 1 điện trở 1kΩ
Hình : Grapher của mạch cộng không đảo
4.5 Mạch trừ
𝑈𝑟=−1/𝑅𝐶∫𝑈𝑣 𝑑𝑡+𝐶
· Ngay lúc đóng mạch Ur là nguồn một chiều 10V và C có điện trở một chiều
lớn vô cùng nên mạch là khuếch đại vòng lặp hở Ur=18.5V
· Trong nửa chu kỳ dương của Uv (0.2s) theo công thức tích phân Ur giảm
tuyến tính từ 18.5V xuống -1.5V.
· Trong nửa chu kỳ âm (0.2s tiếp theo) Ur tăng tuyến tính từ -1.5V đến 18.5V.
- Vậy Ur là xung tam giác chu kỳ 0.4s , cực đại ở 18.5V và cực tiểu ở -1.5V
5. IC số
5.1 Biểu diễn phép logic dưới bảng trạng thái
Xét phép logic: 𝑋=𝐴̅𝐵+𝐵𝐴̅
Bảng chân lý:
A B X
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
Hình : Mô phỏng mạch logic
A B C D X
0 0 0 0 0
0 0 0 1 0
0 0 1 0 1
0 1 0 0 0
0 0 1 1 1
0 1 0 1 0
0 1 1 0 1
0 1 1 1 1
1 0 0 0 1
1 0 0 1 1
1 0 1 0 0
1 0 1 1 0
1 1 0 0 1
1 1 0 1 1
1 1 1 0 0
1 1 1 1 0
Chuyển sang bìa Karnaugh:
AB
00 01 11 10
CD
00 0 0 1 1
01 0 0 1 1
11 1 1 0 0
10 1 1 0 0
A B F
1 1 0
1 0 1
0 1 1
0 0 1
Hình : Mô phỏng mạch NAND