ĐỀ CƯƠNG ÔN TẬP

ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT 20211

1. Cho sơ đồ chỉnh lưu thyristor một pha hai nửa chu kỳ có thông số như sau:
- Điện áp sơ cấp : AC220 V – 50 Hz
- Tỷ số biến áp : 2:1:1
- Điện cảm tải : 10 mH
- Điện trở tải : 0.1 Ω
Hãy:
a) Vẽ sơ đồ mạch lực
b) Bỏ qua điện áp rơi trên các Thyristor và sụt áp do trùng dẫn, tính góc mở cần thiết để điện áp
trung bình trên tải là DC90 V
c) Tính toán dòng điện trung bình qua các van Thyristor và dòng điện hiệu dụng qua các cuộn
dây máy biến áp với góc mở tính được ở câu b)
d) Vẽ đồ thị dạng sóng dòng áp trên tải, dòng áp qua các van Thyristor với góc mở tính được ở
câu b)

2. Cho sơ đồ chỉnh lưu cầu diode một pha có thông số như sau:
- Điện áp xoay chiều đầu vào: AC220 V – 50 Hz
- Điện cảm tải: 5 mH
- Điện trở tải: 100 mΩ
- Điện cảm phía đầu vào: 100 𝜇H
Hãy:
a) Vẽ sơ đồ mạch lực
b) Tính dòng điện trung bình và dòng điện hiệu dụng qua các diode.
c) Giả thiết diode có điện áp bắt đầu phân cực thuận bằng 0.5 V, điện trở tương đương 25 mΩ.
Tính tổn hao dẫn trên mỗi diode.
d) Giả thiết nhiệt độ môi trường là 25oC; các diode được làm mát tự nhiên bằng tản nhiệt nhôm
không có gió cưỡng bức; nhiệt trở Rjc của diode là 0.5 K/W. Tính nhiệt trở cần thiết của tản
nhiệt để nhiệt độ trên thân diode không quá 60oC.
e) Vẽ đồ thị dạng sóng dòng áp trên tải và dòng áp qua các van

3. Cho sơ đồ chỉnh lưu tia diode ba pha có thông số như sau:

- Điện áp dây xoay chiều đầu vào: AC380 V – 50 Hz
- Tỷ số biến áp: 2:1
- Điện trở tải: 0.5 Ω
- Điện cảm phia đầu vào: 300 𝜇H

Hãy:
 a) Vẽ sơ đồ mạch lực
b) Vẽ đồ thị dạng sóng dòng áp qua các van và dòng áp trên tải
c) Tính điện áp trung bình trên tải và công suất biểu kiến máy biến áp
d) Giả thiết máy biến áp có điện trở cuộn dây sơ cấp bằng 0.4 Ω, điện trở cuộn dây thứ cấp bằng
0.1 Ω. Tính tổn hao đồng của máy biến áp.
e) Giả thiết diode có điện áp bắt đầu phân cực thuận bằng 0.5 V, điện trở tương đương 25 mΩ.
Tính tổn hao dẫn trên mỗi diode
f) Giả thiết nhiệt độ môi trường là 25oC; các diode được làm mát tự nhiên bằng tản nhiệt nhôm
không có gió cưỡng bức; nhiệt trở Rjc của diode là 0.5 K/W. Tính nhiệt trở cần thiết của tản
nhiệt để nhiệt độ trên thân diode không quá 70oC.

4. Cho sơ đồ chỉnh lưu cầu diode ba pha có thông số như sau:

- Điện áp dây xoay chiều đầu vào: AC380 V – 50 Hz
- Điện trở tải: 5Ω
- Điện cảm đường dây đầu vào: 500 𝜇H
Hãy:
a) Vẽ sơ đồ mạch lực
b) Vẽ đồ thị dạng sóng dòng áp qua các van và dòng áp trên tải
c) Tính điện áp trung bình trên tải và công suất biểu kiến máy biến áp
d) Giả thiết diode có điện áp bắt đầu phân cực thuận bằng 0.5 V, điện trở tương đương 25 mΩ.
Tính tổn hao dẫn trên mỗi diode.
e) Giả thiết các diode được làm mát tự nhiên bằng tản nhiệt nhôm không có gió cưỡng bức; nhiệt
trở Rjc của diode là 0.5 K/W. Tính nhiệt trở cần thiết của tản nhiệt để độ tăng nhiệt trên thân
diode không quá 60oC.

5. Cho sơ đồ chỉnh lưu cầu thyristor ba pha có thông số như sau:

- Điện áp dây xoay chiều đầu vào: AC380 V – 50 Hz
- Điện trở tải: 2.25 Ω
- Điện cảm tải: 10 mH
- Điện cảm đường dây đầu vào: 300 𝜇H
Hãy:
a) Vẽ sơ đồ mạch lực
b) Bỏ qua điện áp rơi trên các thyrsitor, tính góc mở cần thiết để điện áp trung bình trên tải là
DC450 V.
c) Vẽ đồ thị dạng sóng dòng áp qua các van và dòng áp trên tải
d) Tính điện áp trung bình trên tải và công suất biểu kiến máy biến áp

6. Cho sơ đồ biến đổi hạ áp sử dụng MOSFET có thông số như sau:

- Điện áp vào: DC400 V
- Điện áp ra: DC300 V
- Tần số chuyển mạch: 50 kHz
 - Công suất: 10 kW
- Hiệu suất: 95%
Hãy:
a) Tính giá trị mạch lọc đầu ra sau cho độ đập mạch dòng điện không quá 33% và độ đập mạch
điện áp không quá 1%
b) Vẽ sơ đồ mạch lực và các đồ thị dòng áp trên các van bán dẫn
c) Giả thiết MOSFET có điện trở khi dẫn bằng 50 mΩ; tính tổn hao dẫn của MOSFET
d) Giả thiết diode có điện áp bắt đầu phân cực thuận bằng 0.5 V, điện trở tương đương 50 mΩ;
tính tổn hao dẫn của diode;
e) Tính điện trở tải bé nhất mà tại đó dòng điện bị gián đoạn
f) Giả thiết điện trở DC của cuộn cảm lọc bằng 50 mΩ; điện trở tại tần số đóng cắt bằng 500 mΩ.
Tính tổn hao đồng trên cuộn cảm.
g) Giả thiết tổn hao đóng cắt của MOSFET và diode bằng tổn hao dẫn của chúng; cả hai được
gắn trên cùng một tấm tản nhiệt có nhiệt trở bằng 0.66 K/W; MOSFET, diode có nhiệt trở Rjc
bằng nhau và bằng 0.5 K/W; MOSFET, diode được cách điện với tản nhiệt bằng một lớp vật
liệu cách điện có nhiệt trở 0.125 K/W. Tính độ tăng nhiệt trên MOSFET và diode.

7. Cho sơ đồ biến đổi tăng áp sử dụng MOSFET có thông số như sau:

- Điện áp vào: DC300 V
- Điện áp ra: DC400 V
- Tần số chuyển mạch: 50 kHz
- Công suất: 10 kW
- Hiệu suất: 95%
Hãy:
a) Tính giá trị mạch lọc đầu ra sau cho độ đập mạch dòng điện không quá 33% và độ đập mạch
điện áp không quá 1%
b) Vẽ sơ đồ mạch lực và các đồ thị dòng áp trên các van bán dẫn
c) Giả thiết MOSFET có điện trở khi dẫn bằng 50 mΩ; tính tổn hao dẫn của MOSFET
d) Giả thiết diode có điện áp bắt đầu phân cực thuận bằng 0.5 V, điện trở tương đương 50 mΩ;
tính tổn hao dẫn của diode;
e) Tính điện trở tải bé nhất mà tại đó dòng điện bị gián đoạn
f) Giả thiết điện trở DC của cuộn cảm lọc bằng 50 mΩ; điện trở tại tần số đóng cắt bằng 500 mΩ.
Tính tổn hao đồng trên cuộn cảm.
g) Giả thiết tổn hao đóng cắt của MOSFET và diode bằng tổn hao dẫn của chúng; cả hai được
gắn trên cùng một tấm tản nhiệt có nhiệt trở bằng 0.66 K/W; MOSFET, diode có nhiệt trở Rjc
bằng nhau và bằng 0.5 K/W; MOSFET, diode được cách điện với tản nhiệt bằng một lớp vật
liệu cách điện có nhiệt trở 0.125 K/W. Tính độ tăng nhiệt trên MOSFET và diode.

8. Cho sơ đồ biến đổi Buck-Boost sử dụng MOSFET có thông số như sau:

- Điện áp vào: 300 V
- Điện áp ra: -300 V
 - Tần số chuyển mạch: 50 kHz
- Công suất: 10 kW
- Hiệu suất: 95%
Hãy:
a) Tính giá trị mạch lọc đầu ra sau cho độ đập mạch dòng điện không quá 33% và độ đập mạch
điện áp không quá 1%
b) Vẽ sơ đồ mạch lực và các đồ thị dòng áp trên các van bán dẫn
c) Giả thiết MOSFET có điện trở khi dẫn bằng 50 mΩ; tính tổn hao dẫn của MOSFET
d) Giả thiết diode có điện áp bắt đầu phân cực thuận bằng 0.5 V, điện trở tương đương 50 mΩ;
tính tổn hao dẫn của diode;
e) Tính điện trở tải bé nhất mà tại đó dòng điện bị gián đoạn
f) Giả thiết điện trở DC của cuộn cảm lọc bằng 50 mΩ; điện trở tại tần số đóng cắt bằng 500 mΩ.
Tính tổn hao đồng trên cuộn cảm.
g) Giả thiết tổn hao đóng cắt của MOSFET và diode bằng tổn hao dẫn của chúng; cả hai được
gắn trên cùng một tấm tản nhiệt có nhiệt trở bằng 0.66 K/W; MOSFET và diode có nhiệt trở
Rjc bằng nhau và bằng 0.5 K/W; MOSFET, diode được cách điện với tản nhiệt bằng một lớp
vật liệu cách điện có nhiệt trở 0.125 K/W. Tính độ tăng nhiệt trên MOSFET và diode.

9. Cho sơ đồ nghịch lưu độc lập 1 pha sử dụng IGBT có thông số như sau:
- Điện áp một chiều đầu vào: DC400 V
- Điện áp xoay chiều đầu ra: AC220 V – 50Hz
- Điện trở tải: 1Ω
- Điện cảm tải: 1.5 mH
- Điều chế SPWM lưỡng cực
Hãy:
a) Bỏ qua điện áp rơi trên các vanb án dẫn; tính giá trị điện cảm và tụ lọc cần thiết để độ đập
mạch dòng điện không quá 33%, độ đập mạch điện áp không quá 1%
b) Tính hệ số điều chế
c) Tính dòng điện trung bình và dòng điện hiệu dụng qua các van IGBT và các diode
d) Giả thiết các van IGBT có điện áp 𝑉𝐶𝐸0 bằng 1.65 V, điện trở tương đương 𝑅𝐶𝐸 bằng 56 mΩ;
các diode có điện áp phân cực thuận bằng 0.5 V; điện trở tương đương 50 mΩ. Tính tổn hao
dẫn trên mỗi IGBT và diode.
e) Giả thiết tổn hao đóng cắt của IGBT và diode bằng tổn hao dẫn của chúng; cả hai được gắn
trên cùng một tấm tản nhiệt có nhiệt trở bằng 0.66 K/W; IGBT và diode có nhiệt trở Rjc bằng
nhau và bằng 0.5 K/W; IGBT, diode được cách điện với tản nhiệt bằng một lớp vật liệu cách
điện có nhiệt trở 0.125 K/W. Tính độ tăng nhiệt trên IGBT và diode.

10. Cho sơ đồ nghịch lưu độc lập 1 pha sử dụng IGBT có thông số như sau:
- Điện áp một chiều đầu vào: DC400 V
- Điện áp xoay chiều đầu ra: AC220 V – 50Hz
- Điện trở tải: 1Ω
 - Điện cảm tải: 1.5 mH
- Điều chế SPWM đơn cực
Hãy:
a) Bỏ qua điện áp rơi trên các vanb án dẫn; tính giá trị điện cảm và tụ lọc cần thiết để độ đập
mạch dòng điện không quá 33%, độ đập mạch điện áp không quá 1%
b) Tính hệ số điều chế
c) Tính dòng điện trung bình và dòng điện hiệu dụng qua các van IGBT và các diode
d) Giả thiết các van IGBT có điện áp 𝑉𝐶𝐸0 bằng 1.65 V, điện trở tương đương 𝑅𝐶𝐸 bằng 56 mΩ;
các diode có điện áp phân cực thuận bằng 0.5 V; điện trở tương đương 50 mΩ. Tính tổn hao
dẫn trên mỗi IGBT và diode.
e) Giả thiết tổn hao đóng cắt của IGBT và diode bằng tổn hao dẫn của chúng; cả hai được gắn
trên cùng một tấm tản nhiệt có nhiệt trở bằng 0.66 K/W; IGBT và diode có nhiệt trở Rjc bằng
nhau và bằng 0.5 K/W; IGBT, diode được cách điện với tản nhiệt bằng một lớp vật liệu cách
điện có nhiệt trở 0.125 K/W. Tính độ tăng nhiệt trên IGBT và diode.