CHƯƠNG 4

TRANSISTOR LƯỠNG CỰC

(BJT: BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)

4.1 GIỚI THIỆU

Linh kiện chỉnh lưu có điều khiển được giới thiệu trong chương 3 là
linh kiện đầu tiên có tính chất điều khiển: dòng cực cổng xác định các
thông số để vẽ đường đặc tính I – V. Tuy nhiên, phạm vi điều khiển này
có giới hạn. Trong các ví dụ ta khảo sát, dòng cực cổng xác định thời
điểm tại đó SCR chuyển sang thái on. Một khi SCR đang ở trạng thái on,
tính chất của nó không còn liên quan đến độ lớn của dòng cực cổng nữa,
và việc loại bỏ hoàn toàn dòng cực cổng không làm cho SCR trở về trạng
thái off.
Bây giờ ta quay sang một linh kiện có tính chất điều khiển rộng hơn,
đó là transistor. Tương tự như SCR, transistor cho phép người dùng điều
khiển một dòng điện lớn đi qua linh kiện bằng một tín hiệu dòng điện
điều khiển nhỏ hơn. Nhưng với transistor, ta có quan hệ điều khiển tỉ lệ;
tức là, trị số dòng điện đi qua linh kiện tỉ lệ với tín hiệu dòng điện điều
khiển. Điều này cho phép linh kiện khuyếch đại tín hiệu, đây là tính chất
cơ bản đối với tất cả các loại thiết bị truyền thông.
Transistor có hai loại chính: transistor lưỡng cực (BJT) và transitor
hiệu ứng trường (FET). Chương này sẽ bao gồm lý thuyết cơ sở của BJT
và đồng thời giới thiệu một số khái niệm thông dụng đối với mạch
khuyếch đại transistor. Còn transistor FET được đề cập trong chương 5.

4.2 LÝ THUYẾT CƠ SỞ CỦA BJT

Transistor lưỡng cực có thể được coi như một miếng bánh mì kẹp thịt
gồm loại n và loại p. Lẽ tất nhiên, có hai cách để tạo ra bánh mì loại này:
một miếng bán dẫn p kẹp giữa hai miếng bán dẫn n (được đặt tên là
transistor npn), hay một miếng bán dẫn n kẹp giữa hai miếng bán dẫn p
(được đặt tên là transistor pnp). Ký hiệu của hai transistor này được trình
bày trong hình 4.1. Ở đây ta sẽ tập trung tìm hiểu transistor npn, sự hình
thành transistor pnp cũng tương tự ngoại trừ cực tính và chiều dòng điện
bị đảo ngược.

Hình 4.1 Các ký hiệu của transistor npn (trái) và pnp (phải)

95
 Cấu trúc dải năng lượng đối với transistor npn được trình bày trong
hình 4.2. Sự dịch chuyển tương tự về đặc tính các mức năng lượng của
diode p-n được thấy tại đây. Mặc dù transistor trông có vẻ đối xứng, thực
tế không phải như vậy: như ta sẽ thấy bên dưới, hai bán dẫn p được kích
tạp khác nhau.
Bây giờ ta đưa các điện áp bên ngoài vào hai mối nối. Mặc dù để làm
điều này có nhiều cách khác nhau, một trường hợp rất phổ biến và có ý
nghĩa được trình bày trong hình 4.3. Như được chỉ rõ trong hình, mối nối
p-n tận cùng bên trái được phân cực thuận và , mối nối p-n tận cùng bên
phải được phân cực ngược bằng điện áp khá lớn. Ba phần của transistor
được đánh dấu như sau: cực E (emitter), cực B (base) và cực C
(collector).

Dải dẫn điện

Dải cấm

Dải hóa trị

Hình 4.2 Transistor npn chưa được phân cực

Hình 4.3 Transistor npn được phân cực làm việc ở miền tích cực
Hoạt động của transistor được phân cực theo cách này có thể được mô tả
như sau:
1 Vì mối nối BE được phân cực thuận, các điện tử sẽ tạo ra dòng tổng di
chuyển từ cực E sang cực B. Để tạo điều kiện thuận lợi cho điều này, cực

96
E được kích tạp với mật độ cao để cho có nhiều điện tử trong dải dẫn
điện.
2 Vì mối nối BC được phân cực ngược, có rất ít dòng điện tử từ cực C đi
vào trong cực B.
3 Các điện tử di chuyển từ cực E chịu một trong hai qui luật.
a) Chúng tái hợp với một lỗ trống trong cực B bán dẫn loại p. Trong
trường hợp này, một điện tử phải rời khỏi cực B để duy trì điện tích trung
hòa. Nếu dòng điện tử này ra khỏi cực B bị ngắt, cực B sẽ nhanh chóng
tích điện âm và ngăn dòng điện tử từ cực E.
b) Chúng đi qua cực B và vào trong cực C, dẫn tới dòng điện đi ra
khỏi cực C. Để hậu thuẫn cho điều này, cực B được kích tạp với mật độ
thấp (để giảm bớt sự tập trung các lỗ trống có khả năng tái hợp) và được
chế tạo rất mỏng. Miền cực C cũng được kích tạp với mật độ thấp, tương
phản với cực E. Điều này làm tăng bề rộng miền hiếm giữa cực B và cực
C và dẫn tới kết quả bán dẫn loại p của cực B mỏng hơn.
4 Chuyển đổi hình ảnh dòng điện tử sang việc xem xét dòng điện, ta thấy
rằng
Ie = Ic + Ib (4.1)
Thông thường Ib << Ie , Ic (4.2)
Một điểm cần lưu ý của linh kiện là dòng cực B điều khiển dòng
điện tử từ cực E tới cực C, và việc điều khiển dòng tương đối lớn này chỉ
yêu cầu dòng cực B nhỏ hơn nhiều. Liên hệ ký hiệu trong hình 4.1, ta
thấy rằng mũi tên trên cực E chỉ chiều dòng điện cực E; đối với transistor
npn, dòng cực E đi ra khỏi transistor. Dòng cực B và dòng cực C có
khuynh hướng ngược với dòng cực E; do đó, đối với transistor npn,
những dòng điện này đi vào trong transistor. Chiều dòng điện ngược lại
áp dụng cho transistor pnp.
Hai thông số không có đơn vị đặc trưng cho mối quan hệ giữa các
dòng điện là  và . Thông số  là một số nhỏ hơn 1 biến dòng cực E
thành dòng cực C, do đó
Ic =  Ie (4.3)

Và ghép với phương trình (4.1),

Ib = (1 - ) Ic (4.4)
Để ý rằng  < 1, nhưng thông thường  gần bằng 1. Cách thứ hai để tạo
thông số cho transistor là  , ở đây

(4.5)

Thông thường  >> 1

97
Ta có thể tạo ra các đường cong đặc tính I – V khác nhau cho transistor,
nhưng một trong những đường đặc tính hữu ích nhất là đồ thị quan hệ
giữa dòng điện cực C (Ic) với điện áp giữa cực C và cực E (Vce). Một
đường cong khác được tạo ra ứng với mỗi giá trị dòng cực B (Ib), vì vậy
trong thực tế một họ đường cong I – V được vẽ trong hình 4.4. Trong
phần giữa của đồ thị, dòng cực C gần như tỉ lệ với dòng cực B. Phần này
được gọi là miền làm việc tuyến tính và tương ứng với sơ đồ phân cực
trong hình 4.3 và được mô tả trong các phương trình (4.3), (4.4) và (4.5).
Ở bên trái của đồ thị, tất cả các đường đặc tính ứng với các dòng cực B
khác nhau một cách gần đúng đều hội tụ thành cùng một dòng cực C, vì
vậy tính chất tỉ lệ không còn được duy trì. Phần này được gọi là miền bão
hòa và xảy ra khi mối nối BC không còn được phân cực ngược và một số
điện tử từ cực C có thể chạy vào trong cực B, do đó làm giảm dòng Ic.
Khi dòng cực B gần bằng zero (vì mối nối BE không còn phân cực
thuận), dòng cực C cũng giảm về zero. Miền ngắt này nằm ở phía dưới
cùng của đồ thị. Cũng giống như phấn lớn các linh kiện khác, transistor
có công suất định mức lớn nhất P bằng tích lớn nhất của Vce và Ic. Một
đồ thị tiêu biểu của Icmax = P / Vce theo Vce được biểu diễn bằng đường
đứt đoạn trong hình 4.4. Transistor phải làm việc ở bên trái của đường
này để tránh bốc cháy.

Hình 4.4 Đường đặc tính I –V tiêu biểu của transistor lưỡng cực biểu
diễn dòng Ic theo điện áp Vce với dòng Ib là một tham số. Đường đứt đoạn
trình bày đường giới hạn công suất.
98
4.3 ỨNG DỤNG DC VÀ NGẮT DẪN
Một ứng dụng của transistor là cung cấp mạch điều khiển dòng điện ở
chế độ DC hay ngắt dẫn (on – off). Một ví dụ minh họa đơn giản cho ứng
dụng này được trình bày trong hình 4.5. Ở đây Vcc là tên gọi của điện áp
nguồn không đổi và V1 là điện áp điều khiển có chức năng điều khiển
dòng điện qua điện trở Rc. Cả hai điện áp này được đo so với mass.
Có hai mạch vòng ta phải phân tích để tìm hiểu mạch này. Mạch vòng
thứ nhất bắt đầu bằng điện áp V1 và tiếp tục qua điện trở Rb và qua mối
nối BE để cho ra phương trình V1 – IbRb – Vbe = 0 , ở đây Vbe là điện áp
mối nối BE. Giải phương trình này để tìm Ib , ta có

(4.6)
Vấn đề ở đây là Ib là một hàm phức tạp của Vbe , vì vậy một lần nữa ta
có một phương trình siêu việt. Ta sẽ coi tính chất của mối nối BE tương
đương với mối nối của diode. Bây giờ ta trở lại cơ sở của một cách giải
quen thuộc, và phương pháp giải bằng đồ thị của phương trình (4.6) được
minh họa trong hình 4.6. Khi điện áp V1 tăng, dòng điện cực B cũng tăng
theo. Cũng giống như với diode, ta thường xấp xỉ Vbe ≈ 0,6V khi diode
phân cực thuận.

Hình 4.5 Mạch ngắt dẫn transistor

Bây giờ ta trở lại mạch vòng thứ hai trong hình 4.5. Bắt đầu đi từ
điện áp nguồn, ta có phương trình Vcc – IcRc – Vce = 0 , ở đây Vce là điện
áp đo từ cực C tới cực E của transistor. Giải phương trình này để tìm Ic ,
ta có

(4.7)

Một lần nữa ta đối diện với phương trình siêu việt vì Ic là một hàm
phức tạp của Vce. Cách giải bằng đồ thị trong trường hợp này được trình
bày trong hình 4.7. Phân tích phương trình (4.7) ta thấy giao điểm của
trục y với đường thẳng tải là Vcc / Rc và giao điểm với trục x là Vcc.
Nghiệm số của phương trình (4.7) được xác định bằng giao điểm của
đường tải với đường cong đặc tính của transistor. Nhưng ta sẽ dùng

99
đường cong đặc tính nào trong số họ đường cong này? Điều này phụ
thuộc vào giá trị của dòng điện cực B, và do đó phụ thuộc vào đáp số đối
với phần mạch điều khiển của bài toán.

Hình 4.6 Giải bằng đồ thị đối với mạch vòng điều khiển của mạch ngắt
dẫn transistor.

Hình 4.7 Giải bằng đồ thị đối với mạch vòng nguồn của mạch ngắt dẫn
transistor.
Ta hãy xét điều gì sẽ xảy ra nếu điện áp V1 chuyển đổi giữa giá trị
zero và một giá trị dương khá lớn nào đó. Khi V1 = 0, phân tích đồ thị
của hình 4.6 ta có Ib = 0. Rồi hình 4.7 cho ta đáp số Ic = 0 và Vce = Vcc .
Mặt khác khi V1 dương, một trị số dòng cực B nào đó sẽ chạy. Nếu ta
chọn V1 và Rb sao cho dòng Ib đủ lớn, lúc đó nghiệm số sẽ nằm trên mép
bên trái của hình 4.7, tức là, transistor sẽ bão hòa. Dòng điện Ic bây giờ
khá lớn và Vce khá nhỏ. Do đó, mạch điện này cho phép ta điều khiển on
– off dựa trên dòng điện qua Rc bằng cách chuyển đổi điện áp điều khiển
V1. Ngoài ra, nếu ta lấy điện áp cực C làm ngõ ra, ta có được một mạch

100
đảo áp: một ngõ vào thấp cho ngõ ra cao, và ngược lại. Đây là mạch
cổng đảo trong kỹ thuật số.
4.4 MẠCH KHUYẾCH ĐẠI
Như đã ghi chú bên trên, một ứng dụng quan trọng của transistor là
khuyếch đại tín hiệu AC. Nếu ta đưa một tín hiệu hình sin vào mạch điện
của hình 4.5 và lấy ngõ ra từ cực C so với mass, có phải ta sẽ có một tín
hiệu được khuyếch đại không? Ta có thể trả lời câu hỏi này, ít nhất một
cách định tính, bằng cách theo dõi trình tự tương tự như đã dùng bên
trên. Ta biết rằng khi V1 = 0, điện áp tại cực C so với mass Vce sẽ là Vcc.
Khi V1 bắt đầu trở nên dương, dòng cực B sẽ tăng và Vce sẽ giảm. Với
điều kiện ta giới hạn dòng Ib sao cho vẫn còn làm việc ở miền tuyến tính,
Vce sẽ theo quĩ đạo của V1 và ta sẽ có một tín hiệu hình sin (mặc dù là
mạch đảo – xem hình 4.8). Nhưng khi V1 đi qua zero và trở nên âm, ta có
vấn đề xảy ra. Dòng cực B không thể âm (nhớ rằng mối nối BE giống
như một diode), vì vậy nó duy trì giá trị zero khi V1 âm, và điều đó có
nghĩa rằng Vce vẫn ở giá trị Vcc . Do đó, ta có dạng sóng bị xén được
minh họa trong hình 4.8. Điều này hầu như không khuyếch đại trung thực
tín hiệu ngõ vào.

Hình 4.8 Ngõ ra bị xén có được khi ta đưa một sóng sin vào mạch ngắt
dẫn
Vấn đề bắt nguồn ở chỗ mạch không có khả năng điều khiển tín hiệu
ngõ vào âm. Một cách để khắc phục điều này là thêm một giá trị bù
không đổi trong tín hiệu ngõ vào, như được trình bày trong hình 4.9. Ta
cân chỉnh giá trị bù này sao cho tại thời điểm bắt đầu của tín hiệu sóng
sin, Vce ở chính giữa miền làm việc tuyến tính. Bây giờ khi điện áp ngõ
vào dao động qua một chu kỳ, dòng cực B sẽ di chuyển bên trên và bên
dưới một giá trị không đổi nhưng sẽ không bao giờ trở nên âm (ít nhất là
nếu ta giữ biên độ sóng sin ngõ vào đủ nhỏ). Do đó, Vce sẽ di chuyển bên
dưới và bên trên một giá trị không đổi nhưng sẽ không xén như trước
đây, vì vậy ngõ ra là sóng sin bù không bị đảo. Mặc dù phần trình bày
này chưa được rõ ràng, ngõ ra thực sự được khuyếch đại như ta sẽ thấy.

101
Hình 4.9 Thêm một giá trị không đổi trong tín hiệu ngõ vào loại bỏ được
xén tín hiệu
Bây giờ ta có một giải pháp, nhưng không phải là một giải pháp thực
tế. Phần lớn tín hiệu truyền thông, ví dụ, không gắn liền với một mức giá
trị bù nào đó nhưng biến thiên xung quanh giá trị zero. Thay vì yêu cầu
tín hiệu ngõ vào phải có giá trị bù này, việc biến đổi mạch điện để điều
khiển tín hiệu biến thiên xung quanh giá trị zero trở nên có ý nghĩa hơn,
và đây là nhiệm vụ kế tiếp cần phải làm. Ta cũng cần quyết định xem
những đại lượng nào cần thiết để xác định tính chất của một mạch
khuyếch đại và khai triển các phương pháp để tính toán những đại lượng
này.
4.4.1 MẠCH PHÂN CỰC DC ĐA NĂNG
Nhiệm vụ đầu tiên là xây dựng một mạch điện sẽ duy trì transistor
làm việc ở chính giữa miền hoạt động tuyến tính. Mạch này được gọi là
mạch phân cực DC đa năng vì nó sẽ được dùng trong tất cả các mạch
khuyếch đại ta khảo sát và vì nó xác định điều kiện làm việc DC hay
không đổi. Về sau, ta sẽ thêm một tín hiệu AC cho mạch này để tạo ra
một mạch khuyếch đại.
Hình 4.10 trình bày một mạch phân cực DC đa năng. Nguồn được
cung cấp bằng điện áp Vcc, trong khi đó R1 và R2 hình thành một mạch
phân áp. Các điện trở cực C và cực E, Rc và Re , khép kín mạch.
Một lý do nữa ta gọi mạch này là đa năng vì các mạch phân cực khác
đều bắt nguồn từ mạch này bằng cách điều chỉnh một giá trị điện trở hoặc
bằng zero (nếu nó được thay thế bằng một dây dẫn trong mạch tương
đương) hoặc bằng vô cùng (∞) (nếu nó bỏ trống trong mạch tương
đương). Các biểu thức ta tìm ra bên dưới vẫn có thể được dùng với các
giá trị điều chỉnh khác cần hiệu chỉnh cho phù hợp.
Để đơn giản hóa việc phân tích, nửa bên trái của mạch được thay thế
bằng mạch tương đương Thevenin, như được chỉ ra trong hình 4.11. Sau
đó mạch ban đầu đươc vẽ lại như trong hình 4.12. Ta muốn có được các
102
phương trình để tính toán Ic , Ib và Vce ; ba đại lượng này xác định được
điểm làm việc của transistor (cũng còn gọi là điểm tĩnh hay điểm Q).

Hình 4.10 Mạch phân cực DC vạn năng

Hình 4.11 Mạch tương đương Thevenin đối với nửa bên trái của mạch
phân cực DC vạn năng

Hình 4.12 Mạch vẽ lại của mạch phân cực DC vạn năng
Áp dụng định luật KVL vào phần bên trái của hình 4.12, ta có phương
trình
(4.8)
Trong khi đó phần bên phải, ta có phương trình
(4.9)
Ta cũng để ý rằng Ie = Ic + Ib (biểu thức này luôn luôn đúng) và
(4.10)

103
(biểu thức này đúng đối với miền tuyến tính tại đó ta muốn transistor làm
việc). Ghép các phương trình này, ta có Ie = ( + 1)Ib và dùng kết quả này
trong phương trình (4.8), ta được

(4.11)

Tương tự, phương trình (4.9) cho ta

(4.12)
Do đó, nếu ta biết được bốn giá trị điện trở của mạch,  , điện áp nguồn
Vcc, và giá trị xấp xỉ Vbe, ta có thể xác định được điểm làm việc từ các
phương trình (4.110 , (4.12) và (4.10). Ta cũng có thể gom lại các
phương trình thành dạng tiện lợi hơn để dùng nếu ta biết điểm làm việc ta
mong muốn và tìm kiếm các giá trị điện trở thích hợp:

(4.13)

Và

(4.14)
Vì ta có hai phương trình và bốn điện trở chưa biết, không có tìm được
nghiệm số duy nhất đối với bài toán phân cực DC. Như ta sẽ thấy sau
này, các thông số khác của mạch khuyế ch đại sẽ ngăn cản việc chọn lựa
các giá trị điện trở. Còn bây giờ, ta để ý rằng một trình tự thuận lợi khi
bắt đẩu là chọn R1 = R2 = 10K và sau đó dùng phương trình (4.13) để
giải tìm Re và phương trình (4.14) để giải tìm Rc .
4.4.2 MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG HỘP ĐEN CỦA MẠCH KHUYẾCH
ĐẠI
Trước khi đi vào phân tích mạch khuyếch đại, ta nên bàn về các khái
niệm ta muốn biết về mạch khuyếch đại. Như ta sẽ thấy, mạch khuyếch
đại tương đương trong hình 4.13 sẽ cho phép ta sử dụng mạch khuyếch
đại có hiệu quả nếu ta biết các đại lượng sau đây.
1 Độ lợi áp vòng hở, αOL. Một cách tổng quát, độ lợi áp,α, bằng Vout /Vin,
nhưng điều này sẽ phụ thuộc vào giá trị của điện trở tải và các đại lượng
khác. Ta có thể có được một thông số chỉ phụ thuộc vào mạch khuyếch
đại nếu ta định nghĩa

(4.15)

104
ở đây Vout (RL = ∞) là điện áp ngõ ra ứng với điện trở tải là vô cùng. Một
điện trở tải vô cùng giống như không có gì được nối tới các đầu ngõ ra;
do đó, ta có thuật ngữ “vòng hở” (open loop).

Hình 4.13 Mạch tương đương hộp đen của mạch khuyếch đại
2 Độ lợi dòng g = Iout / Iin. Thông số này ít thông dụng vì Iout phụ thuộc
vào giá trị của RL.
3 Tổng trở ngõ vào Zin = Vin / Iin .
4 Tổng trở ngõ ra Zout :

(4.16)
ở đây Iout (RL = 0) là dòng điện ngõ ra ứng với điện trở tải bằng zero.
Người học có thể xác minh rằng các định nghĩa này đều phù hợp với
mạch tương đương của hình 4.13. Ví dụ, nếu không có gì được nối tới
ngõ ra mạch khuyếch đại (tương đương với RL = ∞), lúc đó không có
dòng điện chạy và sẽ không có sụt áp trên Zout. Do đó điện áp ngõ ra
bằng với điện áp nguồn, αOLVin. Điều này tương thích với phương trình
(4.15).
Lấy một ví dụ khác dùng mạch tương đương hộp đen này, hãy xét
một bài toán sau đây. Giả sử mạch khuyếch đại có độ lợi áp vòng hở
bằng 50, tổng trở ngõ vào 100Ω và tổng trở ngõ ra 10Ω. Mạch khuyếch
đại được cung cấp bằng một máy phát sóng sin có tổng trở ngõ ra 50Ω và
biên độ điện áp vòng hở bằng 0,1 Vrms. Tìm độ lợi công suất bằng decibel
khi một tải 8 Ω được nối tới ngõ ra mạch khuyếch đại. Ở đây độ lợi công
suất được định nghĩa là tỉ số giữa công suất trên tải với công suất vào
mạch khuyếch đại.
Bước đầu tiên là vẽ mạch điện tương ứng với tình huống được mô tả
trong bài toán như được trình bày trong hình 4.14.Dùng định lý
Thevenin, máy phát tín hiệu được vẽ tương đương như một nguồn áp
mắc nối tiếp với một điện trở. Đề bài cho biên độ vòng hở của máy phát
này, có nghĩa là điện áp ở ngõ ra máy phát khi không nối với linh kiện
nào; vì không có dòng điện trong trường hợp này, không có sụt áp trên
tổng trở ngõ ra Rs, vì vậy điện áp ngõ ra phải bằng với nguồn áp AC. Ta
cũng đánh dấu các điện áp ngõ vào và ngõ ra của mạch khuyếch đại, Vin
và Vout tương ứng. Các thông số còn lại của mạch đang vẽ được bổ sung
tiếp theo dựa vào hình 4.13 và phần giả thiết của bài toán.

105
Hình 4.14 Một ví dụ sử dụng mạch tương đương hộp đen
Công suất ngõ vào mạch khuyếch đại là Vin2 / Zin, ở đây Vin là biên độ
hiệu dụng. Vì mạch ngõ vào hình thành một cầu phân áp, ta có

(4.17)
Do đó công suất ngõ vào là Pin = Vin2 / Zin = 44,9W. Tương tự, mạch
ngõ ra có

(4.18)

Vì vậy công suất ngõ ra là Pout = Vout2 / RL = 0,28W. Do đó, độ lợi công
suất là Pout / Pin = 6171 hay, bằng decibel, 10 log(Pout / Pin) = 37,9dB.
4.4.3 MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG AC CỦA TRANSISTOR LƯỠNG
CỰC
Mạch tương đương hộp đen của mạch khuyếch đại ở đoạn trên thật sự trở
nên hữu ích, nhiệm vụ kế tiếp là tìm ra phương pháp để tính toán các
thông số hộp đen như αOL , g , Zin , và Zout . Trước khi đi vào chi tiết, ta
hãy ôn lại phương pháp tính toán. Ta biết rằng, để tránh xén sóng, ta cần
phải cho transistor hoạt động ở miền tuyến tính, và ta đã nghĩ ra mạch
phân cực DC vạn năng có thể thực hiện điều này. Bây giờ ta muốn thêm
một tín hiệu AC vào mạch này để transistor sau đó sẽ khuyếch đại (ta sẽ
xem phần thêm vào này được làm như thế nào trong đoạn kế tiếp). Điều
quan tâm lúc này là vẽ mạch tương đương của transistor đáp ứng với sự
biến thiên của tín hiệu AC xung quanh điểm làm việc DC. Trong phần
tiếp theo sau, điều quan trọng cần lưu ý là ta chỉ giái quyết phần đáp ứng
tín hiệu AC của transistor, còn phần DC của bài toán ta đã làm xong khi
xác định điểm làm việc. Để nhấn mạnh điều này, ta dùng chữ cái viết
thường đối với dòng điện và điện áp AC.

Hình 4.15 Mạch tương đương AC của mối nối BE

106
 Đầu tiên ta xét mối nối BE của transistor. Ta giả sử dòng cực B là
hàm của điện áp mối nối BE, ib (vbe) . Vì ta đang quan tâm đến sự biến
thiên xung quanh điểm làm việc DC, ta khai triển chuỗi Taylor hàm này
xung quanh điện áp DC mối nối BE là VbeDC như sau

(4.19)
Hiệu số giữa dòng điện tổng (hay điện áp) và thành phần DC của dòng
điện (hay điện áp) là thành phần AC của dòng điện (hay điện áp). Nếu
thành phần AC này khá nhỏ, ta có thể bỏ bớt chuỗi số sau số hạng tuyến
tính, và phương trình (4.19) thành

(4.20)
ở đây ta đã giới thiệu ký hiệu chữ thường đối với thành phần AC của tín
hiệu. Cuối cùng, ta định nghĩa

(4.21)
để cho phương trình (4.20) có thể được viết thành
(4.22)
Ta đã gom phương trình (4.22) ở dạng này để cho việc giải thích sẽ trở
nên rõ ràng: đáp ứng AC hay tín hiệu nhỏ của transistor có thể được vẽ
tương đương bằng một điện trở có giá trị cho bởi phương trình (4.21)
được nối giữa cực B và cực E. Điều này được biểu diễn trong hình 4.15.
Để ý rằng nếu ta coi mối nối BE như một diode, ta có thể tính toán
phương trình (4.21) một cách rõ ràng. Trong trường hợp này

(4.23)
Vì vậy

(4.24)
ở đây, trong quan hệ cuối cùng này, ta đã dùng giả thiết là đối với bất kỳ
điện áp có ý nghĩa nào, số hạng mũ trong phương trình (4.23) giữ trị số
lớn đáng kể. Vì ta quan tâm đến việc tính toán đạo hàm tại điểm làm việc
DC (Vbe ≈ 0,6V), giá trị gần đúng này là hợp lý. Do đó

(4.25)
Dùng nhiệt độ phòng đối với T, ta có

(4.26)
Kế tiếp ta cố gắng vẽ mạch tương đương phần cực C và cực E của
transistor. Trong trường hợp này, dòng cực C là một hàm hai biến gồm

107
dòng cực B và điện áp giữa cực C và cực E, Ic (Ib , Vce), vì vậy yêu cầu
phải khai triển hai lần chuỗi Taylor xung quanh điểm làm việc DC

(4.27)
Giới thiệu các đại lượng AC như phần trên và lưu ý rằng Ic = βIb đối với
miền làm việc tuyến tính, ta có

(4.28)
ở đây

(4.29)
Và β trong phương trình (4.28) được xác định tại điểm làm việc. Mạch
tương đương của phương trình (4.28) được trình bày trong hình 4.16.
Một nguồn dòng có giá trị βib mắc song song với điện trở rout. Một điện
áp vce được đưa vào hai đầu nối sẽ sinh ra dòng điện vce / rout qua điện trở
được ghép với nguồn dòng, cho ta dòng cực C được biểu diễn bằng
phương trình (4.28)
Đặt cả hai phần mạch tương đương AC cùng với nhau cho ta kết quả
như trong hình 4.17. Phần bên trái của hình vẽ trình bày các kết quả của
các hình 4.15 và 4.16 được nối với nhau tại cực E. Mạch này được vẽ lại
ở dạng rút gọn được minh họa ở bên phải.

Hình 4.16 Mạch tương đương AC ứng với cực C và cực E

Hình 4.17 Mạch tương đương AC của transistor

Trước khi tiếp tục, ta để ý rằng có nhiều mạch tương đương của
transistor dược sử dụng. Một trong các mạch này là mạch tương đương
thông số h được trình bày trong hình 4.18. Ngoài một số tên gọi thay đổi
(được tóm tắt trong bảng 4.1), mạch tương đương này thêm một nguồn
áp hrevce vào mối nối BE. Việc thêm vào này nhìn nhận rằng mối nối BE
không phải là một diode độc lập, nhưng là một phần tử của tranistor, và

108
tính chất của mối nối BE sẽ phụ thuộc vào điện áp trên mối nối CE. Cần
lưu ý rằng có sự nhầm lẫn về tên gọi các thông số của transistor. Các
thuật ngữ điện trở ngõ vào (input resistance), điện trở ngõ ra (output
resistance), và độ lợi dòng (current gain) ở đây đều nhắm vào transistor.
Ta cũng dùng những thuật ngữ tương tự này cho mạch khuyếch đại. May
mắn thay, các ký hiệu được dùng cho trường hợp mạch khuyếch đại thì
khác (rbe , rout , và β so với Zin , Zout ,và g).

Hình 4.18 Mạch tương đương thông số h của transistor

Bảng 4.1 Bảng so sánh các mạch tương đương AC của transistor
4.4.4 ỨNG DỤNG MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG AC: MẠCH
KHUYẾCH ĐẠI CỰC E CHUNG
Bây giờ ta dùng mạch tương đương AC vào việc tính toán bốn thông
số mạch khuyế ch đại như α, g, Zin , và Zout . Ta sẽ làm điều này đối với
ba dạng mạch khuyếch đại khác nhau. Mạch thứ nhất là mạch khuyếch
đại cực E chung được trình bày trong hình 4.19.

Hình 4.19 Mạch khuyếch đại cực E chung

Vì đây là dạng mạch khuyếch đại đầu tiên, một số nhận xét đi theo thứ
tự. Để ý rằng phần giữa của mạch này là mạch phân cực DC vạn năng,
như ta đã học, xác định điểm làm việc DC cho mạch. Bây giờ ta thêm

109
một tín hiệu AC vin vào đầu nối, được ghép với cực B của transistor qua
tụ C1. Trong mạch này, ta lấy điện áp ngõ ra từ cực C của transistor, ghép
cực này qua tụ C2. Một điện trở RL tượng trưng tải được kể đến ở ngõ ra.
Các tụ ghép C1 và C2 bảo đảm rằng điểm làm việc DC sẽ không bị ảnh
hưởng đối với vin và vout.
Phân tích AC mạch khuyế ch đại có thể được chia ra thành các bước
như sau. Tiếp theo đó ta vẽ lại mạch điện.
1 Nối tắt các tụ ghép C1 và C2 và nguồn áp DC được nối mass. Ở đây
một cách gần đúng điện dung tụ ghép khá lớn để cho dung kháng có thể
bỏ qua. Tương tự, bộ nguồn thường có điện dung khá lớn so với mass, vì
vậy tín hiệu AC qua nguồn bị nối mass.
2 Chèn mạch tương đương AC của transistor vào và đơn giản mạch càng
nhiều càng tốt. Một điều quan trọng là cần theo dõi các đại lượng khác
nhau được liệt kê trong vẽ lại. Những đại lượng này bao gồm vin, vout, iin,
iout , ib , và vị trí cực B, cực C và cực E của transistor.
3 Tính α, g, Zin , và Zout bằng cách viết biểu thức vin, vout, iin, iout theo ib .
Áp dụng bước 1 cho mạch khuyếch đại cực E chung, ta có được một
mạch được vẽ lại như hình 4.20. Các tụ điện được thay thế bằng đường
nối thẳng và các điện trở R1 và Rc , ban đầu nối với nguồn Vcc, còn bây
giờ được nối mass. Cần chú ý đánh dấu cho đúng vin và vout trong mạch
vẽ lại.

Hình 4.20 Mạch khuyếch đại cực E chung sau khi qua bước 1
Áp dụng bước 2, ta có được mạch điện được vẽ lại trong hình 4.21 và
4.22. Ta đã chèn vào mạch tương đương của hình 4.17, cẩn thận đánh
dấu mọi thứ khi tiến hành. Để có được mạch đơn giản trong hình 4.22, ta
thay thế R1 và R2 ghép song song thành RB và Rc và RL ghép song song
thành RL/ . Cuối cùng, ta để ý rout tiêu biểu khá lớn, và một cách gần
đúng, có thể bỏ qua, vì vậy ta loại nó ra khỏi mạch.
Bây giờ ta sẵn sàng áp dụng bước 3. Thủ thuật ở đây là biểu diễn
các đại lượng theo ib, rồi sau đó cuối cùng sẽ khử nó. Ví dụ, điện áp ngõ
ra bằng -βib RL/ vì dòng điện từ nguồn dòng phải đi qua RL/ . Dấu trừ
phản ảnh sự kiện là do chiều dòng điện, ta có một điện áp rơi. Để có
được điện áp ngõ vào vin , ta cộng điện áp trên rbe vào điện áp trên Rc , ta
có vin = ibrbe + (ib +βib)Rc . Do đó, độ lợi áp là
110
 (4.30)

Hình 4.21 Mạch khuyế ch đại cực E chung sau khi chèn mạch tương
đương của transistor

Hình 4.22 Mạch khuyế ch đại cực E chung sau khi đơn giản
Để ý rằng trong kết quả cuối cùng ib đã khử bỏ, và ta còn lại một kết
quả chỉ phụ thuộc các thông số mạch ta biết như rbe , β , và các giá trị
điện trở.
Kế tiếp quay trở lạithông số độ lợi dòng, ta cần biểu thức để tính iout
và iin. Lưu ý rằng iout là dòng điện qua điện trở tải RL, không phải RL/ (so
sánh với hình 4.21). Vì ta có rồi một biểu thức để tính vout , dễ dàng ta
thấy rằng iout = vout / RL . Để tính iin , chú ý hình 4.22 ta có iin = i2 + ib và
i2 = vin / RB . Một lần nữa, ta có thể dùng biểu thức có được trước đây để
tính vin để hoàn thành biểu thức sau đây:

(4.31)
Cuối cùng ta tính tổng trở ngõ vào và tổng trở ngõ ra, bằng cách dùng
Zin = vin / iin và phương trình (4.16). Một lần nữa, ta có thể dùng các biểu
thức để tính vin , vout , iin và iout , ta có được kết quả sau

(4.32)
Và
111
 (4.33)
Ta sẽ xem xét ý nghĩa các kết quả này khi đem so sánh ba mạch
khuyếch đại ở phần cuối. Bây giờ ta lưu ý một lần nữa rằng những kết
quả của ta chỉ phụ thuộc vào các thông số mạch đã biết, vì vậy về nguyên
tắc ta có thể điều chỉnh các giá trị để tương thích với các yêu cầu của
mạch.
4.4.5 MẠCH KHUYẾCH ĐẠI CỰC C CHUNG
Dạng mạch khuyế ch đại kế tiếp dược gọi là mạch khuyếch đại cực C
chung như trình bày trong hình 4.23. Trong trường hợp này ngõ ra được
lấy ra từ cực E của transistor, và điện trở cực C được bỏ đi. Các công
thức tính điểm làm việc DC vẫn còn hiệu lực, nhưng ta phải đặt Rc = 0.
Tiếp theo sau các bước trong công thức phân tích, từ mạch này ta có
được các dạng mạch được biểu diễn trong các hình 4.24 và 4.25. Như
phần trước, ta đã ghép R1 và R2 thành RB, Rc và RL thành RL/ , và bỏ qua
rout .
Độ lợi áp α được tính như sau

(4.34)

Hình 4.23 Mạch khuyếch đại cực C chung

Hình 4.24 Mạch khuyếch đại cực C chung sau khi qua bước 1

112
Hình 4.25 Mạch khuyế ch đại cực C chung sau khi chèn mạch tương
đương transistor rồi đơn giản.
Độ lợi dòng g và các tổng trở Zin và Zout được để lại cho phần bài tập,
dưới đây là kết quả tính toán

(4.35)

(4.36)

Và Zout = Rc (4.37)
4.4.6 MẠCH KHUYẾCH ĐẠI CỰC B CHUNG
Dạng mạch khuyếch đại cuối cùng là mạch khuyếch đại cực B chung
được trình bày trong hình 4.26. Ở đây điện áp ngõ vào được nối tới cực
E, ngõ ra lấy từ cực C, và thêm một tụ điện nối cực B xuống mass. Một
lần nữa để ý rằng phần chính giữa của mạch này là mạch phân cực DC
chung cho tất cả ba mạch khuyếch đại.

Hình 4.26 Mạch khuyếch đại cực B chung

Các bước phân tích cho ta các dạng mạch tương đương được trình bày
trong các hình 4.27 và 4.28. Vì tụ CB nối tắt cực B của trabsistor xuống
mass, các điện trở R1 và R2 đều bỏ ra trong sơ đồ cuối cùng. Ta cũng

113
ghép Rc và RL thành RL/ và trong hình 4.28 ta vẽ lại mạch này lần cuối để
tính toán rõ ràng hơn.

Hình 4.27 Mạch khuyếch đại cực B chung sau khi qua bước 1

Hình 4.28 Mạch khuyếch đại cực B chung sau khi chèn vào mạch tương
đương transistor rồi đơn giản. Hai dạng mạch đều tương đương nhưng
dạng mạch bên phải tính toán dễ dàng hơn.
Các chi tiết tính toán được để lại trong phần bài tập. Ta có kết quả như
sau

(4.38)

(4.39)

(4.40)
Và Zout = Rc (4.41)
Những kết quả đối với ba mạch khuyế ch đại transistor được tóm tắt
trong bảng 4.2. Một số kết quả khá phức tạp và khó giải thích, vì vậy ta
cũng đã trình bày giới hạn của những công thức này đối với trường hợp ở
đó rbe đủ nhỏ có thể bỏ qua và RB khá lớn giữ trị số lớn đáng kể khi so
sánh với các số hạng khác. Nên ghi nhớ rằng β có giá trị đặc trưng rất
lớn, ta có thể xem rằng, trong trường hợp giới hạn, mạch khuyếch đại cực
E chung có thể tạo ra độ lợi áp và dòng có trị số từ trung bình đến cao và
tổng trở ngõ vào cao. Mặt khác mạch khuyếch đại cực C chung có độ lợi
áp gần bằng 1, vì vậy rõ ràng đây không phải là sự chọn lựa độ lợi áp
mong muốn. Mạch này có khả năng tạo ra độ lợi dòng từ trị số trung bình
đến cao, tổng trở ngõ vào từ trị số trung bình đến cao, và tổng trở ngõ ra
thấp. Hai đặc điểm sau của mạch này là ưu điểm vì ta cho phép mạch này

114
hoạt động như một tầng đệm giữa một nguồn tổng trở cao và một tải tổng
trở thấp. Nếu một nguồn như thế được nối trực tiếp vào tải, điện áp trên
tải sẽ giảm đáng kể do tác động của cầu phân thế và công suất truyền cho
tải sẽ nhỏ. Ta có thể làm giảm tác động này bằng cách dùng mạch
khuyếch đại này giữa nguồn và tải.
Mạch khuyếch đại cực B chung có thể tạo ra độ lợi áp rất cao vì β lớn
và rbe nhỏ. Ngược lại, độ lợi dòng luôn nhỏ hơn 1 và tổng trở ngõ vào rất
thấp. Vì những đặc điểm này thường không mong muốn, mạch này chỉ
được dùng khi ta muốn có độ lợi áp cao.
4.4.7 CÁC TÍNH CHẤT KHÁC CỦA MẠCH KHUYẾCH ĐẠI
TRANSISTOR
Trong khi cho tới đây ta đã coi độ lợi mạch khuyếch đại là một hằng số,
thực ra nó là một hàm của tần số tín hiệu ngõ vào. Một nguồn phụ thuộc
tần số này là các tụ điện trong mạch khuyếch đại. Nhớ lại rằng trong
phép tính đại số ta đã giả sử những tụ này có điện dung lớn đến nỗi ta có
thể bỏ qua dung kháng Zc = 1/(jωC). Tuy nhiên nếu ta làm ω đủ nhỏ,
dung kháng này sẽ trở nên lớn và do đó độ lợi mạch khuyếch đại giảm.
Tương tự có một sự suy giảm độ lợi mạch khuyếch đại ở tần số cao.
Tác động này là do các tụ ghép vì đối với tần số cao , tổng trở xấp xỉ
bằng zero là hợp lý. Thay vào đó, sự suy giảm này là do các điện dung ký
sinh (stray capacitances) ở trong mạch. Một cách tổng quát, có điện dung
hình thành giữa hai dây dẫn bất kỳ. Điều này có nghĩa là các dây dẫn nối
với các linh kiện và các chân linh kiện có một điện dung nhỏ giữa chúng.
Thông thường điện dung này khá nhỏ có thể bỏ qua (giống như ta bỏ qua
điện trở của dây dẫn), nhưng khi tần số tín hiệu tăng lên, dung kháng do
những điện dung ký sinh này trở nên đủ nhỏ để tạo ra sự khác biệt về độ
lợi. Cũng có điện dung ký sinh ở các mối nối chất bán dẫn, sự tách rời
điện tích là kết quả của sự dịch chuyển mức năng lương làm cho mối nối
giống như một tụ điện với điện tích dương ở một bên của mối nối và điện
tích âm ở phía bên kia. Hậu quả của tất cả điện dung ký sinh này là
những tín hiệu tần số cao của mạch khuyếch đại có một tổng trở thấp so
với mass, và điều này làm giảm độ lợi mạch khuyếch đại ở tần số cao.
Những tác động này thường được tóm tắt bằng cách đưa ra đáp tuyến
tần số của mạch khuyếch đại. Các thông số đặc trưng có liên quan đến
đặc tính này được liệt kê trong hình 4.29. Độ lợi áp được vẽ theo tần số
trên đồ thị có đơn vị trên hai trục tính theo logarit thập phân. Trị số độ lợi
không đổi đối với các tần số ở chính giữa được gọi là độ lợi dải giữa
(midband gain). Sự suy giảm độ lợi tại các tần số thấp và cao được gọi là
hệ số suy giảm (roll off) độ lợi. Vì độ lợi giảm liên tục, ta chọn mức suy
giảm 3dB so với độ lợi dải giữa để định nghĩa tần số cắt thấp (low
frequency cutoff) và tần số cắt cao (high frequency cutoff) và băng
thông (bandwidth). Trong bảng tra cứu thông số kỹ thuật của mạch
115
116
khuyếch đại, những đại lượng này thường được cho trong một bảng thay
vì trên đồ thị như ta đã làm.

Hình 4.29 Ví dụ về đương cong đáp ứng tần số của mạch khuyếch đại
Cuối cùng, ta để ý tác dụng điện dung tương tự làm xuất hiện sự dịch
pha (phase shift) phụ thuộc tần số giữa tín hiệu ngõ vào và tín hiệu ngõ
ra. Tính chất này trở nên quen thuộc ngay từ phần đầu về mạch RC ở đó
ngõ ra có góc pha phụ thuộc ω. Điều tương tự xảy ra trong bất kỳ mạch
nào có điện dung (hay điện cảm) vì trở kháng của những linh kiện này là
số hạng ảo.
4.4.8 SỰ MÉO DẠNG (DISTORTION)
Một cách lý tưởng, tín hiệu được khuyếch đại sẽ lớn hơn tín hiệu ngõ
vào, nhưng trong thực tế luôn luôn có sự méo dạng nào đó của tín hiệu.
Ta đã thấy một ví dụ khá rõ ràng về trường hợp này trong hình 4.8, ở đó
ngõ ra sóng sin bị xén khi tín hiệu ngõ vào trở nên âm. Ta giải quyết vấn
đề này bằng cách đặt điểm làm việc DC ở giữa miền tuyến tính tại đó
quan hệ giữa dòng điện cực B và cực C gần như tuyến tính. Tuy nhiên,
nó không hoàn toàn tuyến tính, và tính phi tuyến dần trở nên tệ hơn khi
tín hiệu vào trong cực B tăng. Cuối cùng, ngõ ra sẽ hiển thị dấu hiệu xén
ở một đỉnh hay ở cả hai đỉnh khi transistor đi vào vùng bão hòa hay vùng
ngắt. Loại méo dạng này gọi là méo dạng sóng hài vì phân tích chuỗi
Fourier tín hiệu ngõ ra bị méo dạng sẽ chứa đựng những tần số là bội số
nguyên tần số của ngõ vào sóng sin ban đầu không méo dạng.
4.4.9 HỒI TIẾP
Ta có thể có được một sự biến đổi có ích và thú vị về đặc tính mạch
khuyếch đại bằng cách thêm phần hồi tiếp vào trong mạch. Điều này
được thực hiện bằng cách lấy một hệ số β nhỏ hơn 1 của điện áp ngõ ra
và cộng nó vào điện áp ngõ vào. Về nguyên lý, điều này được trình bày
trong hình 4.30 tại đó ta đã biến đổi mạch tương đương hộp đen phổ biến
của mạch khuyếch đại để thêm phần mạch hồi tiếp. Ta tưởng tượng mạch
điện trong hộp đánh dấu β làm nhiệm vụ hồi tiếp, và ta giả sử hộp này có

117
tổng trở đủ lớn ở phía bên phải để nó không làm ảnh hưởng đến dòng
điện hay điện áp ngõ ra.

Hình 4.30 Mạch khuyếch đại hộp đen có hồi tiếp điện áp
Ta có thể biểu diễn như sau
vout = αv1 - iout rout (4.42)
đối với mạch ngõ ra. Ở phía ngõ vào, ta có
vin = v1 – βvout (4.43)
khử v1 từ hai phương trình này ta có
vout = αvin + αβvout - iout rout (4.44)
và giải ra để tìm vout , ta được

(4.45)
Bây giờ ta để ý rằng phương trình (4.45) có dạng tương tự như phương
trình (4.42). Điều này có nghĩa là mạch mới này, bao gồm cả phần hồi
tiếp, có thể được xem như một mạch khuyếch đại mới có độ lợi áp α/ và
điện trở ngõ ra rout/ được biến đổi theo biểu thức sau

(4.46)

Và (4.47)
Lập luận tương tự có thể được thực hiện để chứng tỏ rằng điện trở ngõ
vào của mạch khuyếch đại mới cũng thay đổi. Áp dụng định luật KVL
đối với ngõ ra, ta có:
vout = iout RL = v1 – iout rout (4.48)
Giải phương trình này để tìm iout , ta được

(4.49)
Phương trình mạch vòng ngõ vào cho ta

(4.50)
Sắp xếp lại, ta có:

118
 (4.51)
Cuối cùng, ta thay v1 = iin rin vào phương trình (4.51) và lưu ý rằng
điện trở ngõ vào mới rin’ bằng vin / rin . Do đó,

(4.52)
Các phương trình (4.46), (4.47), và (4.52) chứng tỏ độ lợi áp, điện trở
ngõ ra, và điện trở ngõ vào của mạch khuyếch đại được biến đổi khi thêm
mạch hồi tiếp. Quá trình rút gọn thành công thức đã được xây dựng một
cách tổng quát, vì vậy bây giờ ta xét các trường hợp đặc biệt. Đầu tiên để
ý rằng nếu  = 1 , độ lợi biến đổi ’ → ∞, vì vậy ngay cả khi điện áp
ngõ vào nhỏ nhất cũng sẽ được khuyếch đại cho tới khi mạch điện đạt tới
giá trị giới hạn. Đây là cơ sở của mạch dao động sẽ khảo sát chi tiết sau
này.
Một giới hạn đặc biệt thú vị của các biểu thức tổng quát này là trường
hợp khi  khá lớn và âm. Trong trường hợp này, ta có:

(4.53)
Vì vậy độ lợi áp biến đổi ’ trong giới hạn này chỉ phụ thuộc vào hệ số
hồi tiếp  và không phụ thuộc vào độ lợi áp ban đầu . Một cách tương
tự,

(4.54)

Và (4.55)
ở đây các giới hạn cuối cùng vẫn giữ nguyên với trường hợp -  → ∞ .
Những đặc tính này khá lý thú. Điện trở ngõ vào cao, vì vậy ta không
cần quan tâm đến việc điện áp nguồn bị tiêu thụ bởi tác dụng cầu phân
áp. Một ưu điểm tương tự đạt được đối với ngõ ra vì điện trở ngõ ra thấp.
Cuối cùng, độ lợi áp được xác định bằng một thông số duy nhất, hệ số
hồi tiếp , tương phản với các biểu thức khá phức tại để tính độ lợi áp
trong bảng 4.2. Đánh giá đầy đủ các đặc tính của mạch khuyếch đại có
loại hồi tiếp này dẫn tới việc hình thành mạch khuyếch đại thuật toán sẽ
được học trong chương 6.

119
BÀI TẬP
1 Dùng các đặc tính của transistor trong hình 4.31, tìm  đối với vài giá
trị của Ib khi Vce = 6V. Lập lại bài toán đối với vài giá trị của Vce khi Ib =
30A. Chứng minh rằng  không phải là hằng số trong miền hoạt động
tuyến tính.
2 Xác định điểm làm việc của mạch phân cực DC vạn năng của transistor
khi Vcc = 15V, R1 = 10K, R2 = 2,2K, Rc = 680, và Re = 100. Giả
sử  = 200 và Vbe = 0,72V.
3 Thiết kế một mạch sẽ xác định một điểm làm việc hợp lý đối với một
transistor có đặc tính trong hình 4.31. Giả sử công suất định mức của
transistor là 25mW.
4 Để có được điểm làm việc như trong bài toán trên, xác định các thông
số của mạch tương đương AC như sau rbe ,  ,và rout .
5 Xây dựng các biểu thức tính độ lợi dòng g và tổng trở ngõ vào Zin đối
với mạch khuyếch đại cực C chung.
6 Xây dựng các biểu thức tính độ lợi áp , độ lợi dòng g và tổng trở ngõ
vào Zin đối với mạch khuyếch đại cực B chung.
7 Nếu mạch điện của bài toán 2 có dạng là mạch khuyếch đại cực E
chung, tính độ lợi áp và độ lợi dòng. Giả sử điện trở tải là 1K.
8 Thiết kế một mạch khuyế ch đại transistor có  ≈ 1 và g ≈ 100. Xác
định tất cả các giá trị của linh kiện được dùng. Giả sử transistor có đặc
tính trong hình 4.31. Có thể tùy chọn giá trị điện trở tải.

Hình 4.31 Đặc tuyến I-V của transistor đối với các bài toán 1,3,4, và 8.
9 Giả sử một mạch khuyế ch đại có độ lợi áp vòng hở bằng 20, tổng trở
ngõ vào bằng 100, và tổng trở ngõ ra bằng 50. Mạch khuyế ch đại
được cung cấp bằng một máy phát sóng sin có tổng trở ngõ ra 50 và

120
biên độ vòng hở bằng 0,1Vpp. Tìm điện áp trên tải 200 được nối tới ngõ
ra mạch khuyếch đại.

121