112Equation Chapter 2 Section 1BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

KHOA: ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

CHUYÊN NGÀNH ĐIỆN CÔNG NGHIỆP

ĐỀ TÀI:

NGHIÊN CỨU BỘ NGHỊCH LƯU 1 PHA TĂNG/GIẢM ÁP

VỚI KHẢ NĂNG TRIỆT TIÊU ĐIỆN ÁP COMMON – MODE

GVHD: TS. Đỗ Đức Trí

SVTH:

Nguyễn Hải Đăng MSSV: 19142293

Trần Văn Ninh MSSV: 19142355

TP. HCM, ngà y __ thá ng 6 nă m 2023

 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

KHOA: ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

CHUYÊN NGÀNH ĐIỆN CÔNG NGHIỆP

ĐỀ TÀI:

NGHIÊN CỨU BỘ NGHỊCH LƯU 1 PHA TĂNG/GIẢM ÁP

VỚI KHẢ NĂNG TRIỆT TIÊU ĐIỆN ÁP COMMON – MODE

GVHD: TS. Đỗ Đức Trí

SVTH:

Nguyễn Hải Đăng MSSV: 19142293

Trần Văn Ninh MSSV: 19142355

TP. HCM, ngà y __ thá ng 6 nă m 2023

 CỘ NG HÒ A XÃ HỘ I CHỦ NGHĨA VIỆ T NAM
Độ c lậ p – Tự do – Hạ nh phú c
----o0o----

ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP.HCM

KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN: ĐIỆN CÔNG NGHIỆP
BẢNG NHẬN XÉT VÀ ĐÁNH GIÁ CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN

I. TÓM TẮT NỘI DUNG CHÍNH

....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
II.MÔ TẢ ĐỀ TÀI
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
II.1. Tính cần thiết
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
II.2. Bài toán đặt ra (Nội dung cần giải quyết)
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
II.3. Kỹ thuật – Phương pháp sử dụng để giải quyết vấn đề
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
II.4. Kết quả đạt được
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................

....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................

Tp. HCM, ngà y.....thá ng…..nă m 2023 Tp. HCM, ngà y…..thá ng…..nă m 2023
Nhó m sinh viên Giá o viên hướ ng dẫ n
 ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP.HCM
KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN: ĐIỆN CÔNG NGHIỆP
BẢNG NHẬN XÉT VÀ ĐÁNH GIÁ CỦA GIÁO VIÊN PHẢN BIỆN
I. Tiêu chí và điểm đánh giá
Grade Điểm
Criteria Very đánh
Poor Adequate Very Good Ideal
Poor giá
Mục 1: 0-2 3-5 6-7 8-9 10
Mức độ Thự c hiện Vấ n đề vừ a
Vấ n đề
thời sự Quá dễ đượ c sứ c/Cầ n Vấ n đề rấ t khó /Cầ n
khó /Cầ n nhiều
của đề tài, thự c nhưng phả i dà nh nhiều kiến thứ c tổ ng hợ p
kiến thứ c tổ ng
độ khó của hiện thự c tế thờ i gian đã họ c
hợ p đã họ c
đề tài khô ng cầ n nghiên cứ u
Mục 2: 0-2 3-5 6-7 8-9 10  
Tính ứng
Khô ng Thỉnh
dụng của Có ứ ng Thự c tế bên Thự c tế bên ngoài đang
có ứ ng thoả ng có
đề tài vào dụ ng ngoà i đang cầ n rấ t cầ n và cấ p thiết
dụ ng ứ ng dụ ng
thực tiễn  
0-2 3-5 6-7 8-9 10  
Mục 3:
Có
Tính đúng
phương
đắn của đề Có phương
phá p Phương phá p
tài, phá p Phương pháp nghiên cứ u
Khô ng nghiên nghiên cứ u rõ
phương nghiên cứ u, rõ rà ng, khoa họ c, phù
hợ p lý cứ u, rà ng, định
pháp định hướ ng hợ p vớ i đề tà i, sáng tạ o
nhưng hướ ng đú ng
nghiên đú ng
chưa rõ
cứu hợp lý
rà ng  
0-6 7-15 16-21 22-27 28-30  
Mục 4: Giải Giả i pháp rõ
Giả i phá p rõ rà ng, có quy
pháp & Giả i pháp rõ rà ng, có quy
trình thự c hiện thi
công nghệ, rà ng, có thi trình thự c
Khô ng Giả i phá p cô ng/mô phỏ ng vậ n
thi cô ng mô hiện thi
có sơ sà i hà nh đượ c, kết quả mô
công/mô hình/mô cô ng/mô
phỏ ng/vậ n hà nh tố t,
phỏng phỏ ng phỏ ng vậ n
sáng tạ o
hà nh đượ c  
0-8 9-20 21-28 29-36 37-40  
Nộ i
Mục 5: Bá o cá o Có đầ y đủ cấ u trú c nộ i
dung
Xem đĩa đơn giả n, dung, trình bà y hợ p lý,
khô ng Có đầ y đủ cấ u
CD trình chưa đầ y Có đủ cấ u khoa họ c, logic, rõ rà ng,
phù trú c nộ i dung,
bày báo đủ cấ u trú c, nộ i dễ hiểu, đú ng quy định
hợ p trình bà y hợ p
cáo nội trú c, nộ i dung về trình bà y luậ n vă n,
vớ i lý, khoa họ c
dung LV dung như khô ng có lỗ i chính tả ,
mụ c
đã đề ra sáng tạ o
tiêu  
Điểm tổng kết (quy đổi
về thang 10)  
II. Các vấn đề cần làm rõ
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
III. Các nội dung cần bổ sung hiệu chỉnh
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................
IV. Ý kiến kết luận: Đồng ý hay không đồng ý cho bảo vệ
....................................................................................................................................................................................
....................................................................................................................................................................................

Tp. HCM, ngà y….thá ng….nă m 2023

Giả ng viên phả n biện

 LỜI CẢM ƠN
Nhó m nghiên cứ u xin gử i lờ i cả m ơn tớ i toà n thể cá c thầ y, cô khoa Điện -
Điện tử trườ ng Đạ i họ c Sư phạ m kỹ thuậ t TP. HCM đã giả ng dạ y, hướ ng dẫ n tậ n
tình trong suố t quá trình họ c để chú ng em có đượ c kiến thứ c, kỹ năng và tư duy
trong họ c tậ p và định hướ ng cho cô ng việc sau này.

Nhó m nghiên cứ u xin gử i lờ i cả m ơn sâ u sắ c đến thầ y (TS) Đỗ Đứ c Trí đã

tậ n tình hướ ng dẫ n, giú p đỡ , hỗ trợ cơ sở vậ t chấ t và phò ng thí nghiệm, tạ o mọ i
điều kiện tố t nhấ t cho việc thự c hiện đồ á n. Bên cạ nh đó nhó m cũ ng muố n gử i
lờ i cả m ơn châ n thà nh đến thầ y (ThS) Trầ n Vĩnh Thanh đã hỗ trợ về mặ t kiến
thứ c cũ ng như trự c tiếp đồ ng hà nh cù ng chú ng em trong quá trình thự c hiện đồ
á n này.

Do kiến thứ c và kinh nghiệm cò n nhiều hạ n chế nên đồ á n này khô ng trá nh
khỏ i nhữ ng sai só t. Nhó m kính mong nhậ n đượ c sự nhậ n xét, đó ng gó p ý kiến
củ a quý thầ y, cô .

Chú ng em xin châ n thà nh cả m ơn.

I
 LỜI CAM ĐOAN

Nhó m nghiên cứ u xin cam đoan đề tà i “Nghiên cứ u bộ nghịch lưu 1 pha

tă ng/giả m á p vớ i khả nă ng triệt tiêu điện á p Common – mode” là củ a nhó m tự
xâ y dự ng, nghiên cứ u và thự c hiện dướ i sự hướ ng dẫ n củ a Thầ y (TS) Đỗ Đứ c
Trí, khô ng có sự sao chép từ cá c cô ng trình nghiên cứ u khá c, mọ i số liệu và kết
quả thự c nghiệm là trung thự c. Mọ i số liệu và tà i liệu đượ c sử dụ ng, trích dẫ n
đều đượ c ghi rõ rà ng và đầ y đủ ở mụ c “Tà i liệu tham khả o”.

Nhó m sẽ hoà n toà n chịu trá ch nhiệm nếu có vấ n đề xả y ra.

Nhó m nghiên cứ u

Nguyễn Hả i Đă ng Trầ n Vă n Ninh

II
 TÓM TẮT

Đồ án đề xuất một sự kết hợp mới giữa mạch biến đổi DC-DC truyền thống
và mạch nghịch lưu cầu H đã được đưa ra trong mạch nghịch lưu chung điểm trung
tính (Common-ground). Mục tiêu của đề xuất này là tăng điện áp đầu ra. Tuy nhiên,
cấu trúc này vẫn có một số nhược điểm như hệ số điều chế thấp dẫn đến việc điện
áp cao lên các linh kiện và hiệu suất chuyển đổi năng lượng thấp.

Trong đề tài này, đã đề xuất một cấu hình mới cho mạch nghịch lưu chung
điểm trung tính (Common-ground). Được gọi là mạch nghịch lưu 1 pha tăng/giảm
áp với khả năng triệt tiêu điện áp Common-mode (1P-CG-BBI), cấu hình này giúp
khắc phục các nhược điểm của các bộ biến đổi chung điểm trung tính (Common-
ground) truyền thống. Bộ biến đổi 1P-CG-BBI sử dụng nhiều hơn một khóa bán dẫn
và một diode so với cấu hình Common-ground truyền thống. Ngoài ra, đồ án còn
giới thiệu một giải thuật PWM để điều khiển hoạt động DC-DC và DC-AC.

Với cấu hình này, bộ biến đổi 1P-CG-BBI hoạt động như một mạch tăng
hoặc giảm áp DC-DC thông thường ở bán kì dương và như một mạch tăng/giảm áp
DC-DC thông thường ở bán kì âm. Giải thuật PWM phù hợp cho phép hai hoạt
động DC-DC và DC-AC hoạt động mà không ảnh hưởng lẫn nhau. Do đó, hệ số
điều chế có thể được cải thiện đáng kể so với các cấu hình Common-ground hiện
có. Đồng thời, cải thiện này giúp giảm điện áp đặt lên các linh kiện và tăng hiệu
suất chuyển đổi năng lượng.

Để kiểm chứng tính ứng dụng của bộ biến đổi 1P-CG-BBI, đồ án đã thực
hiện mô phỏng bằng phần mềm PSIM. Ngoài ra, nhóm nghiên cứu đã xây dựng một
mô hình thực nghiệm để kiểm tra hiệu năng của bộ biến đổi 1P-CG-BBI.

III
 MỤC LỤC

LỜ I CẢ M ƠN...................................................................................................................................... I
LỜ I CAM ĐOAN............................................................................................................................... II
TÓ M TẮ T.......................................................................................................................................... III
MỤ C LỤ C.......................................................................................................................................... IV
DANH MỤ C BẢ NG BIỂ U............................................................................................................. VI
DANH MỤ C HÌNH Ả NH.............................................................................................................VII
DANH MỤ C TỪ VIẾ T TẮ T..........................................................................................................IX
CHƯƠNG 1 TỔ NG QUAN............................................................................................................. 1
1.1. Đặ t vấ n đề............................................................................................................................ 1
1.2. Mụ c tiêu củ a đề tà i............................................................................................................5
1.3. Phương phá p nghiên cứ u..............................................................................................5
CHƯƠNG 2 MẠ CH NGHỊCH LƯU MỘ T PHA TĂ NG/GIẢ M Á P VỚ I KHẢ NĂ NG
TRIỆ T TIÊ U ĐIỆ N Á P COMMON – MODE..............................................................................7
2.1. Cấ u hình 1P-CG-BBI.........................................................................................................7
2.2. Nguyên lý hoạ t độ ng........................................................................................................7
2.3. Giả i thuậ t điều khiển.....................................................................................................10
CHƯƠNG 3 THIẾ T KẾ VÀ LẮ P ĐẶ T MÔ HÌNH THỰ C NGHIỆ M.................................14
3.1. Thiết kế sơ đồ nguyên lí và vẽ PCB.........................................................................14
3.1.1. Thiết kế sơ đồ nguyên lí......................................................................................14
3.1.2. Thiết kế PCB.............................................................................................................18
3.2. Lắ p đặ t mô hình thự c nghiệm...................................................................................23
3.2.1. Lắ p đặ t nguồ n đầ u và o DC cấ p cho mạ ch cô ng suấ t................................23
3.2.2. Lắ p đặ t mạ ch điều khiển sử dụ ng card DSP TMS32F28335 cho mạ ch
cô ng suấ t................................................................................................................................25
3.2.3. Lắ p đặ t nguồ n DC cho mạ ch điều khiển và cá c cả m biến đo dò ng điện
................................................................................................................................................... 26
3.2.4. Lắ p đặ t mô hình thự c nghiệm hoà n chỉnh...................................................27
CHƯƠNG 4 SO SÁ NH VỚ I CẤ U HÌNH HIỆ N CÓ ................................................................30
4.1. Số lượ ng thiết bị..............................................................................................................30

IV
 4.2. Điện á p stress trên cá c linh kiện..............................................................................31
CHƯƠNG 5 MÔ PHỎ NG VÀ THỰ C NGHIỆ M......................................................................32
5.1. Kết quả mô phỏ ng vớ i phầ n mềm PSIM................................................................32
5.2. Kết quả thự c nghiệm.....................................................................................................36
CHƯƠNG 6 KẾ T LUẬ T VÀ HƯỚ NG PHÁ T TRIỂ N...........................................................41
6.1. Kết luậ n.............................................................................................................................. 41
6.2. Nhữ ng vấn đề cò n tồ n đọ ng.......................................................................................41
6.3. Hướ ng phá t triển............................................................................................................41
TÀ I LIỆ U THAM KHẢ O...............................................................................................................43
PHỤ LỤ C.......................................................................................................................................... 45

V
 DANH MỤC BẢNG BIỂU
Bả ng 2.1 Trạ ng thá i đó ng/ngắ t củ a cá c khó a.....................................................................7
Bả ng 3.1. Danh mụ c linh kiện đượ c sử dụ ng....................................................................17
Bả ng 4.1. So sá nh cấ u hình 1P-CG-BBI vớ i cấ u hình trong [7] và [8].....................28
Bả ng 5.1. Thô ng số linh kiện ở mô phỏ ng và thự c nghiệm.........................................30
Bả ng 5.2. So sá nh kết quả mô phỏ ng và thự c nghiệm..................................................34

VI
 DANH MỤC HÌNH ẢNH
Hình 1.1. Cấ u hình H5-D..............................................................................................................3
Hình 1.2. Cấ u hình H6...................................................................................................................3
Hình 1.3. Cấ u hình HERIC........................................................................................................... 4
Hình 1.4. Cấ u hình Common-ground......................................................................................4
Hình 2.1. Cấ u hình 1P-CG-BBI...................................................................................................7
Hình 2.2. Cá c trạ ng thá i hoạ t độ ng củ a cấ u hình ở bá n kì dương củ a điện á p đầ u
ra VAB (a)-(d) và bá n kì â m củ a điện á p đầ u ra VAB (e)-(f)..............................................8
Hình 2.3. Giả i thuậ t điều khiển củ a cấ u hình 1P-CG-BBI.............................................11
Hình 3.1. Sơ đồ nguyên lí củ a cấ u hình 1P-CG-BBI........................................................14
Hình 3.2. Khố i tă ng/giả m á p...................................................................................................15
Hình 3.3. Cá c tụ lọ c nguồ n và tụ lọ c tín hiệu.....................................................................15
Hình 3.4. Khố i nghịch lưu.........................................................................................................16
Hình 3.5. Bố trí linh kiện trên PCB........................................................................................18
Hình 3.6. Đi dâ y mặ t trên PCB................................................................................................19
Hình 3.7. Đi dâ y mặ t dướ i PCB...............................................................................................19
Hình 3.8. Phủ đồ ng hai mặ t trên dướ i PCB cho cá c đườ ng dâ y cô ng suấ t...........20
Hình 3.9. Hai mặ t trên/dướ i củ a PCB mô phò ng............................................................21
Hình 3.10. Mô phỏ ng bố trí linh kiện trên PCB mặ t trên.............................................21
Hình 3.11. Mô phỏ ng bố trí linh kiện trên PCB mặ t dướ i............................................22
Hình 3.12. Mặ t trên và dướ i củ a PCB thự c tế...................................................................22
Hình 3.13. PCB sau khi đượ c hà n linh kiện và trụ đỡ ...................................................23
Hình 3.14. Sơ đồ nguồ n DC cấ p cho mạ ch cô ng suấ t.....................................................23
Hình 3.15. Mô hình nguồ n AC.................................................................................................24
Hình 3.16. Bộ chỉnh lưu cầ u 3 pha đượ c kết nố i vớ i nguồ n AC................................24
Hình 3.17. Card DSP TMS32F28335....................................................................................25
Hình 3.18. Module Gate Driver và MORNSUN G1215S-1W........................................25
Hình 3.19. DSP kết nố i vớ i Module Gate Driver..............................................................26
Hình 3.20. Cả m biến do dò ng..................................................................................................26
Hình 3.21. Bộ nguồ n 12VDC, 5VDC và CB nguồ n mạ ch cô ng suấ t...........................27
Hình 3.22. Module tả i trở 48 Ω..............................................................................................27
Hình 3.23. Mô hình thự c nghiệm hoà n chỉnh (Tổ ng quan)........................................28
Hình 3.24. Mô hình thự c nghiệm (Mạ ch cô ng suấ t và mạ ch điều khiển)..............28
Hình 3.25. Oscilloscope Tektronix........................................................................................29
Hình 4.1. So sá nh điện á p đặ t trên cá c linh kiện. (a) Độ lợ i điện á p và điện á p
stress trên tụ điện và (b) Độ lợ i điện á p và điện á p stress trên khó a....................31
Hình 5.1. Từ trên xuố ng dướ i (a) Điện á p tụ điện VCB và điện á p đầ u và o Vin (Vdc),
dò ng điện đầ u và o Idc, dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p đầ u ra VR, dò ng điện đầ u
ra IR, (b) điện á p diode VD1, điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a

VII
S3 VS3, điện á p khó a S4 VS4, điện á p khó a S5 VS5 và (c) dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện
á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3.................................................34
Hình 5.2. Từ trên xuố ng dướ i (a) Điện á p tụ điện VCB và điện á p đầ u và o Vin (Vdc),
dò ng điện đầ u và o Idc, dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p đầ u ra VR, dò ng điện đầ u
ra IR, (b) điện á p diode VD1, điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a
S3 VS3, điện á p khó a S4 VS4, điện á p khó a S5 VS5, (c) dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p
khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3 ở bá n kì dương và (d) dò ng
điện cuộ n dâ y ILB, điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3 ở
bá n kì â m......................................................................................................................................... 35
Hình 5.3. Mô hình thự c nghiệm.............................................................................................36
Hình 5.4. Kết quả thự c nghiệm ở mứ c điện á p đầ u và o 200 V, từ trên xuố ng
dướ i (a) điện á p đầ u và o Vdc và điện á p tụ điện VCB, dò ng điện cuộ n dâ y ILB, (b)
điện á p đầ u ra VAB, dò ng điện đầ u ra IR, (c) điện á p diode VD1, điện á p khó a S1 VS1,
điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3, (d) điện á p khó a S4 VS4, điện á p khó a S5
VS5, điện á p khó a S6 VS6, (e) dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p khó a S1 VS1, điện á p
khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3 và (f) THD củ a điện á p đầ u ra VAB...........................38
Hình 5.5. Kết quả thự c nghiệm ở mứ c điện á p đầ u và o 100 V, từ trên xuố ng
dướ i (a) điện á p đầ u và o Vdc và điện á p tụ điện VCB, dò ng điện cuộ n dâ y ILB, (b)
điện á p đầ u ra VAB, dò ng điện đầ u ra IR, (c) điện á p diode VD1, điện á p khó a S1 VS1,
điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3, (d) điện á p khó a S4 VS4, điện á p khó a S5
VS5, điện á p khó a S6 VS6, (e) dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p khó a S1 VS1, điện á p
khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3 ở bá n kì dương và (f) dò ng điện cuộ n dâ y ILB,
điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3 ở bá n kì â m..............39
Hình 5.6. THD củ a điện á p đầ u ra VAB ở mứ c điện á p đầ u và o Vdc = 100 V............40

VIII
 DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT

1P-CG-BBI 1 Phase Common-ground Buck-Boost Inverter

Vdc Điện á p mộ t chiều đầ u và o
VLB Điện á p trên cuộ n dâ y
VCB Điện á p trên tụ điện CB
VAB Điện á p xoay chiều đầ u ra
ILB Dò ng điện qua cuộ n dâ y
ICB Dò ng điện qua tụ điện
IR Dò ng điện qua tả i
Idc Dò ng điện nguồ n đầ u và o
TS Chu kỳ chuyển mạ ch
M Hệ số điều chế
Gó c pha
G Độ lợ i điện á p
B Hệ số tă ng á p

IX
 CHƯƠNG 1
TỔNG QUAN

1.1. Đặt vấn đề

Hiện nay, vấn đề nó ng lên toà n cầ u là mộ t trong nhữ ng thá ch thứ c lớ n nhấ t
mà con ngườ i đang đố i mặ t. Trá i Đấ t đang trả i qua quá trình gia tă ng nhiệt độ
vớ i tố c độ chưa từ ng thấ y trong lịch sử . Nguyên nhâ n chính củ a hiện tượ ng này
là do sự sử dụ ng rộ ng rã i cá c nguồ n nă ng lượ ng hó a thạ ch như than, dầ u và khí
đố t, tạ o ra khí carbon dioxide (CO2) và nitơ oxit (NO) - nhữ ng khí nhà kính
mạ nh mẽ đang bao trù m và gó p phầ n là m tă ng nhiệt độ Trá i Đấ t. Trá i ngượ c
vớ i nă ng lượ ng hó a thạ ch, nă ng lượ ng tá i tạ o gầ n như khô ng thả i ra khí nhà
kính hoặ c cá c chấ t gâ y ô nhiễm khô ng khí. Điều này có nghĩa là sử dụ ng nă ng
lượ ng tá i tạ o sẽ giú p giả m thiểu nguy cơ gâ y hiệu ứ ng nhà kính và ô nhiễm
khô ng khí. Đồ ng thờ i, việc tà i nguyên hó a thạ ch dầ n cạ n kiệt cà ng tạ o thêm
độ ng lự c cho việc chuyển đổ i sang sử dụ ng nă ng lượ ng tá i tạ o trong tương lai.

Sử dụ ng nă ng lượ ng tá i tạ o là mộ t xu hướ ng quan trọ ng trong việc tiến tớ i

mộ t tương lai bền vữ ng và giả m thiểu tá c độ ng tiêu cự c củ a con ngườ i lên mô i
trườ ng. Á p dụ ng cá c nguồ n năng lượ ng tá i tạ o khô ng chỉ giú p giả m thiểu biến
đổ i khí hậ u toà n cầ u mà cò n tạ o ra mộ t mô i trườ ng sạ ch hơn và là nh mạ nh cho
tương lai củ a chú ng ta.

Trong cá c hệ thố ng nă ng lượ ng tá i tạ o từ mặ t trờ i, mộ t phầ n khô ng thể

thiếu là bộ nghịch lưu. Hiện nay, cá c nghiên cứ u đang tậ p trung và o tố i ưu hó a
bộ nghịch lưu để chuyển đổ i nă ng lượ ng từ dạ ng DC sang AC vớ i hiệu suấ t cao,
đồ ng thờ i giả m chi phí sả n xuấ t và tă ng tính ổ n định củ a hệ thố ng. Mụ c tiêu là
tìm ra cá ch tố i ưu nhấ t để á p dụ ng bộ nghịch lưu trong cá c ứ ng dụ ng nă ng
lượ ng tá i tạ o. Điều nà y đồ ng nghĩa vớ i việc tă ng khả nă ng tậ n dụ ng và chuyển
đổ i năng lượ ng từ nguồ n mặ t trờ i mộ t cá ch hiệu quả và đá ng tin cậ y.

Thô ng thườ ng, cá c tấ m nă ng lượ ng mặ t trờ i (tấ m PV) đượ c kết nố i nố i tiếp
nhau để cung cấ p nguồ n điện mộ t chiều (DC) đủ lớ n cho bộ nghịch lưu. Mộ t
má y biến á p tầ n số thấ p thườ ng đượ c sử dụ ng để cá ch ly và chuyển đổ i nguồ n

1
điện từ bộ nghịch lưu nố i lướ i điện. Tuy nhiên, việc sử dụ ng má y biến á p tầ n số
thấ p có nhượ c điểm là là m tă ng chi phí và kích thướ c hệ thố ng, đồ ng thờ i giả m
hiệu suấ t chuyển đổ i. Hơn nữ a, bộ nghịch lưu truyền thố ng chỉ hoạ t độ ng như
mộ t bộ chuyển đổ i giả m điện á p, vớ i biên độ điện á p đỉnh đầ u ra luô n nhỏ hơn
biên độ điện á p đỉnh đầ u và o từ nguồ n DC. Trong mộ t số trườ ng hợ p, như khi
có bó ng che hoặ c mộ t số tấ m PV bị lỗ i, biên độ nguồ n điện DC đầ u và o sẽ giả m
đá ng kể, khô ng đủ để hò a lướ i điện. Khi xả y ra tình huố ng này, bộ nghịch lưu
phả i ngừ ng hoạ t độ ng. Để giả i quyết vấn đề nà y, mộ t bộ tă ng DC-DC thườ ng
đượ c lắ p đặ t trướ c bộ nghịch lưu để tă ng biên độ điện á p đầ u và o. Điều này
giú p hệ thố ng linh hoạ t hơn vớ i nhiều dả i điện á p đầ u và o. Thêm và o đó , mộ t
má y biến á p tầ n số cao thườ ng đượ c tích hợ p và o bộ chuyển đổ i DC-DC để cá ch
ly nguồ n điện. Tuy nhiên, bộ chuyển đổ i DC-DC kết hợ p vớ i má y biến á p tầ n số
cao có tính phứ c tạ p trong quá trình điều khiển và là m giả m hiệu suấ t chuyển
đổ i.

Vì vậ y, việc nghiên cứ u và phá t triển cá c giả i phá p cả i tiến cho bộ nghịch

lưu là rấ t quan trọ ng để giả m thiểu chi phí, kích thướ c hệ thố ng và tă ng hiệu
suấ t chuyển đổ i. Điều này đồ ng thờ i cũ ng tạ o điều kiện linh hoạ t hơn trong việc
sử dụ ng nguồ n nă ng lượ ng mặ t trờ i và tă ng tính ổ n định củ a hệ thố ng năng
lượ ng tá i tạ o.

Cấ u trú c bộ nghịch lưu khô ng sử dụ ng má y biến á p đã đượ c đề xuấ t như

mộ t giả i phá p hiệu quả thay thế để giả m chi phí, kích thướ c hệ thố ng và độ
phứ c tạ p củ a quá trình điều khiển, đồ ng thờ i cả i thiện hiệu suấ t chuyển đổ i so
vớ i cấ u trú c bộ nghịch lưu sử dụ ng má y biến á p tầ n số thấ p/cao như đã đề cậ p.
Bộ nghịch lưu cầ u H mộ t pha thô ng thườ ng đượ c sử dụ ng như mộ t lự a chọ n tố t
cho cá c ứ ng dụ ng như PV/fuel cells vì chi phí sả n xuấ t thấ p, quá trình điều
khiển đơn giả n, điện á p đầ u ra chấ t lượ ng cao và hiệu suấ t chuyển đổ i tố i ưu.
Tuy nhiên, cấ u hình bộ nghịch lưu cầ u H mộ t pha tạ o ra điện á p common-mode
(CMV) vớ i tố c độ biến thiên điện á p cao (dv/dt). Kết quả là dò ng rò chạ y qua tụ
kí sinh giữ a PV/fuel cells và trung tính tả i. Hiệu ứ ng nà y gâ y ra hiện tượ ng
nhiễu điện từ (Electromagnetic Interference - EMI), là m biến dạ ng dò ng điện

2
đầ u ra và ả nh hưở ng đến sự ổ n định củ a hệ thố ng. Vì vậ y, để giả m thiểu hiện
tượ ng nhiễu điện từ (EMI) và đả m bả o ổ n định củ a hệ thố ng, cầ n có cá c biện
phá p phù hợ p. Cấ u trú c bộ nghịch lưu khô ng sử dụ ng má y biến á p và sử dụ ng
cá c cô ng nghệ và linh kiện khá c như bộ tá ch mạ ch, tụ kính và bộ điều khiển
tương thích điện từ (EMC) có thể đượ c á p dụ ng để giả m tá c độ ng củ a CMV và
EMI. Điều nà y đồ ng thờ i cũ ng cả i thiện chấ t lượ ng và độ tin cậ y củ a hệ thố ng
năng lượ ng tá i tạ o.

Nhiều cấ u hình đã đượ c đề xuấ t nhằ m giả m hoặ c thậ m chí triệt tiêu biên độ
dò ng rò . Trong nghiên cứ u [1] và [2], cấ u trú c bộ nghịch lưu H5-D đã đượ c giớ i
thiệu, như đượ c minh họ a trong hình 1.1, bằ ng cá ch thêm mộ t diode nố i đấ t
và o cấ u hình H5 thô ng thườ ng, cấ u hình [1] giả m biên độ dò ng rò bằ ng cá ch
là m CMV thà nh hằ ng số , cụ thể biên độ dò ng rò trong cấ u hình H5-D giả m cò n
60 mA so vớ i cấ u hình H5 vớ i biên độ dò ng rò là 200 mA.

Hình 1.1. Cấ u hình H5-D

3
 Hình 1.2. Cấ u hình H6
Mộ t cấ u hình khá c là bộ nghịch lưu H6 [3], như đượ c thể hiện ở hình 1.2,
bằ ng cá ch thêm và o hai khó a và o cấ u hình cầ u H để giả m biên độ dò ng rò , cụ
thể, cấ u hình trong [3] giả m biên độ dò ng rò từ 15.48 mA xuố ng cò n 8.06 mA so
vớ i cấ u hình H6 thô ng thườ ng. Tuy cả hai cấ u hình nó i trên đều giả m đượ c biên
độ dò ng rò nhưng đồ ng thờ i giả m hiệu suấ t chuyển đổ i do có thêm khó a. Trong
[4], cấ u hình bộ nghịch lưu HERIC, như đượ c thể hiện ở hình 1.3, đã đượ c giớ i
thiệu để giả m biên độ dò ng rò mà khô ng là m giả m hiệu suấ t chuyển đổ i. Mặ c dù
cá c cấ u hình bộ nghịch lưu H5, H6 và HERIC có biên độ dò ng rò nhỏ hơn so vớ i
cấ u hình bộ nghịch lưu cầ u H nhưng tổ ng biên độ trong toà n chu kì vẫ n cao vì
khô ng đượ c loạ i bỏ hoà n toà n.

Hình 1.3. Cấ u hình HERIC

Cấ u hình bộ nghịch lưu common-ground (CG) đượ c coi là khô ng có dò ng rò .
Cấ u trú c này tạ o ra mộ t điện á p common-mode hằ ng số để loạ i bỏ hoà n toà n
dò ng rò . Cấ u hình bộ nghịch lưu bá n cầ u là mộ t trong nhữ ng cấ u hình bộ nghịch
lưu common-ground (CG) phổ biến nhấ t. Trong cấ u trú c bộ nghịch lưu bá n cầ u,

4
điện á p common-mode chỉ bằ ng mộ t nử a củ a điện á p DC-link. Tuy nhiên, cấ u
hình nà y có điện á p tụ thấ p khi độ lợ i điện á p khô ng vượ t quá 0,5. Cấ u trú c tụ
chuyển đổ i (SC) là mộ t giả i phá p cho cấ u trú c bộ nghịch lưu common-ground
bở i khả năng tă ng điện á p DC-link và biên độ cũ ng như số bậ c điện á p đầ u ra.

Hình 1.4. Cấ u hình Common-ground

Mặ c dù cấ u trú c bộ nghịch lưu common-ground (CG) có thể loạ i bỏ dò ng rò ,
nhưng nó chỉ hoạ t độ ng như mộ t bộ giả m á p DC-AC, khô ng phù hợ p vớ i cá c hệ
thố ng PV có dả i biên độ điện á p DC đầ u và o rộ ng. Cấ u trú c bộ nghịch lưu semi-
ZSI (bộ nghịch lưu nử a nguồ n Z) kết hợ p vớ i mạ ch tă ng á p DC-DC thô ng
thườ ng tạ o thà nh mộ t cấ u trú c có khả nă ng tă ng/giả m biên độ điện á p đầ u ra.
Sự kết hợ p giữ a mạ ch tă ng á p DC-DC và cấ u trú c bộ nghịch lưu cầ u H đã tạ o ra
cấ u trú c bộ nghịch lưu CG vớ i khả nă ng tă ng/giả m biên độ điện á p. Giả i thuậ t
điều chế PWM đượ c giớ i thiệu trong [5] tạ o ra dò ng liên tụ c trên cuộ n dâ y để
giả m dò ng chạ y qua cá c thiết bị bá n dẫ n so vớ i [6]. Trong cấ u trú c này, độ rộ ng
xung điều chế D củ a hoạ t độ ng DC-DC luô n lớ n hơn hệ số điều chế M củ a hoạ t
độ ng DC-AC. Kết quả là điện á p DC-link củ a bộ nghịch lưu tă ng lên đến mứ c cao
và đượ c á p dụ ng trong cá c cấ u trú c có độ lợ i điện á p thấ p. Điều nà y dẫ n đến kết
luậ n rằ ng cấ u trú c nà y có điện á p tụ thấ p. Nhữ ng cấ u trú c bộ nghịch lưu CG
tă ng/giả m á p đã đượ c đề cậ p ở trên có hệ số điều chế M bị giớ i hạ n. Tương tự
vớ i cấ u hình và giả i thuậ t đượ c nhắ c đến trong [5].

1.2. Mục tiêu của đề tài

Mụ c tiêu đồ á n nà y tạ o ra bộ nghịch lưu mộ t pha common-ground có khả
năng:
5
  Tăng/giảm áp điện áp đầu ra.

 Cải thiện được hệ số điều chế M.

Nguyên lý hoạ t độ ng củ a cấ u hình đượ c đề cậ p trong đồ á n nà y. Đồ ng thờ i

kết quả nghiên cứ u, mô phỏ ng và thự c nghiệm cũ ng sẽ đượ c đề cậ p.

Đồ á n giớ i thiệu cấ u hình 1P-CG-BBI sử dụ ng mộ t nguồ n điện mộ t chiều

đầ u và o Vdc, mộ t cuộ n dâ y LB, hai tụ điện Cdc và CB, mộ t diode D1, sá u khó a
chuyển mạ ch S1 – S6 và sử dụ ng phương phá p điều chế độ rộ ng xung Sine -
PWM để điều khiển cá c linh kiện. Trong đó , Card DSP TMS320 F28355 đượ c
lậ p trình để tạ o xung đầ u ra cho mạ ch kích hoạ t độ ng.

1.3. Phương pháp nghiên cứu

Phương phá p nghiên cứ u chính củ a đề tà i dự a trên nhữ ng yếu tố sau:

 Nghiên cứu lý thuyết dựa trên các bài báo khoa học đã công bố.
 Có tính kế thừa những phần cứng đã thiết kế từ các công trình nghiên cứu
trước đó và từ đó tiếp tục đào sâu nghiên cứu để đạt được những tính năng
mong muốn.
 Tham khảo tài liệu về các phần mềm và vi điều khiển liên quan.
 Dựa vào lý thuyết tiến hành mô phỏng bằng phần mềm và xây dựng mô hình
thí nghiệm thực tế.
 Ghi nhận kết quả thực nghiệm và đưa ra đánh giá, và đề xuất các điều chỉnh.

6
 CHƯƠNG 2
MẠCH NGHỊCH LƯU MỘT PHA TĂNG/GIẢM ÁP VỚI KHẢ NĂNG
TRIỆT TIÊU ĐIỆN ÁP COMMON – MODE

2.1. Cấu hình 1P-CG-BBI

Hình 2.5. Cấ u hình 1P-CG-BBI

Bảng 2.1 Trạng thái đóng/ngắt của các khóa
Switch Diod
Chế độ e VAB
S1 S2 S3 S4 S5 S6 D1
1 On Off On On On Off Off +VCB
Boost
2 On On Off On On Off Off +VCB
VAB ≥ 0
3 On On Off On On Off Off +VCB
Buck
4 Off On Off On On Off On +VCB
5 On On On Off Off On Off -VCB
VAB < 0 Buck - Boost
6 Off On On Off Off On On -VCB

Cấ u hình 1P-CG-BBI đượ c biểu diễn ở hình 2.1, cấ u hình nà y bao gồ m mạ ch

Buck-Boost DC-DC và mạ ch nghịch lưu cầ u H. Hoạ t độ ng tă ng/giả m á p đượ c
điều khiển thô ng qua cá c khó a từ S1 – S4, diode D1, cuộ n dâ y LB và tụ điện CB.
Trong khi đó , hoạ t độ ng DC-AC đượ c vậ n hà nh thô ng qua cá c khó a S2 – S6. Có
thể thấ y rằ ng, nguồ n DC đầ u và o và nguồ n AC đầ u ra có cù ng điểm trung tính.
Vì vậ y, CMV đượ c loạ i bỏ hoà n toà n trong cấ u hình nà y.

2.2. Nguyên lý hoạt động

Nguyên lý hoạ t độ ng củ a cấ u hình 1P-CG-BBI đề xuấ t đượ c phâ n tích ở bá n
kì dương và bá n kì â m củ a điện á p đầ u ra VAB. Hoạ t độ ng DC-AC đượ c vậ n hà nh

7
thô ng qua cá c khó a S2 – S6. Trạ ng thá i hoạ t độ ng củ a khó a S1 – S6 trong hoạ t
độ ng DC-AC đượ c biểu diễn ở bả ng 2.1.

(a) Chế độ 1 (b) Chế độ 2

(c) Chế độ 3 (d) Chế độ 4

(e) Chế độ 5 (f) Chế độ 6

Hình 2.6. Cá c trạ ng thá i hoạ t độ ng củ a cấ u hình ở bá n kì dương củ a điện á p
đầ u ra VAB (a)-(d) và bá n kì â m củ a điện á p đầ u ra VAB (e)-(f)
Trong bá n kì dương củ a điện á p VAB, bộ nghịch lưu tạ o ra điện á p bằ ng điện
á p tụ điện +VCB tạ i đầ u ra. Mứ c điện á p +VCB đượ c tạ o ra khi kích đó ng khó a S4
và S5, như đượ c thể hiện trong hình 2.2(a) - 2.2(d).

Hoạ t độ ng DC-DC đượ c vậ n hà nh bằ ng cá ch sử dụ ng cá c khó a S1 – S4. Ở bá n

kì dương củ a điện á p VAB, chế độ 1 và 2, khó a S1 và S4 luô n đượ c kích đó ng, như
đượ c thể hiện trong hình 2.2(a) và 2.2(b), điều này dẫ n tớ i diode D1 phâ n cự c
ngượ c. Lú c bấ y giờ , mạ ch DC-DC hoạ t độ ng như mộ t mạ ch tă ng á p thô ng
thườ ng. Trong chế độ 1, như đượ c thể hiện trong hình 2.2(a), khoá S3 đượ c kích
đó ng và khó a S2 đượ c kích ngắ t, cuộ n dâ y LB đượ c nạ p bở i nguồ n DC đầ u và o.

8
Dò ng củ a cuộ n dâ y tă ng tuyến tính, tụ điện CB xả nă ng lượ ng cho mạ ch nghịch
lưu, dẫ n tớ i điện á p tụ điện CB giả m. Lú c này, điện á p cuộ n dâ y LB và dò ng trên
tụ điện CB đượ c tính như sau:

222\* MERGEFORMAT (.)

Trong chế độ 2, như đượ c thể hiện trong hình 2.2(b), khó a S2 đượ c kích
đó ng và khó a S3 đượ c kích ngắ t, cuộ n dâ y LB xả nă ng lượ ng qua tụ điện CB và
phía nghịch lưu. Điều nà y dẫ n tớ i dò ng qua cuộ n LB giả m trong khi dò ng qua tụ
CB tă ng. Lú c này, điện á p cuộ n LB và dò ng trên tụ CB đượ c tính như sau:

323\* MERGEFORMAT (.)

Ở bá n kì dương củ a điện á p VAB, chế độ 3 và 4, khó a S2 luô n đượ c kích đó ng,

như đượ c thể hiện trong hình 2.2(c) và 2.2(d). Lú c bấ y giờ , mạ ch DC-DC hoạ t
độ ng như mộ t mạ ch giả m á p thô ng thườ ng. Trong chế độ 3, như đượ c thể hiện
trong hình 2.2(c), khó a S1 đượ c kích đó ng, diode D1 phâ n cự c ngượ c, nguồ n DC
đầ u và o nạ p cho cuộ n dâ y LB và tụ điện CB. Điều nà y dẫ n tớ i dò ng qua cuộ n dâ y
LB và dò ng qua tụ điện CB tă ng. Lú c nà y, điện á p cuộ n LB và dò ng trên tụ CB đượ c
tính như sau:

424\* MERGEFORMAT (.)

Trong chế độ 4, như đượ c thể hiện trong hình 2.2(d), khó a S1 đượ c kích
ngắ t, diode D1 phâ n cự c thuậ n. Lú c nà y, cuộ n dâ y LB xả nă ng lượ ng qua tụ điện
CB và phía nghịch lưu. Điều này dẫ n tớ i dò ng qua cuộ n LB giả m trong khi dò ng
qua tụ CB tă ng. Lú c nà y, điện á p cuộ n LB và dò ng trên tụ CB đượ c tính như sau:

9
 525\* MERGEFORMAT (.)

Trong bá n kì â m củ a điện á p VAB, bộ nghịch lưu tạ o ra điện á p bằ ng -VCB tạ i

đầ u ra. Mứ c điện á p -VCB đượ c tạ o ra khi kích đó ng cá c khó a S2, S3 và S6, như
đượ c thể hiện trong hình 2.2(e) – 2.2(f).

Ở bá n kì â m củ a điện á p đầ u ra VAB, chế độ 5 và 6, khó a S2 và S3 luô n đượ c

kích đó ng, như đượ c thể hiện trong hình 2.2(e) và 2.2(f), điều nà y là m cự c â m
cuộ n dâ y LB luô n kết nố i vớ i cự c dương tụ điện CB. Mạ ch DC-DC lú c nà y hoạ t
độ ng như mộ t mạ ch tă ng/giả m á p thô ng thườ ng.

Trong chế độ 5, như đượ c thể hiện trong hình 2.2(e), khó a S1 đượ c kích
đó ng, diode D1 phâ n cự c ngượ c, cuộ n dâ y LB đượ c nạ p bở i nguồ n điện á p Vdc
đầ u và o trong khi tụ điện CB xả nă ng lượ ng cho tả i. Dò ng qua cuộ n dâ y LB tă ng
và điện á p qua tụ điện CB giả m. Lú c nà y, điện á p cuộ n dâ y LB và dò ng trên tụ
điện CB đượ c tính như cô ng thứ c (2.1).

Trong chế độ 6, như đượ c thể hiện trong hình 2.2(f), khó a S1 đượ c kích
ngắ t, diode D1 phâ n cự c thuậ n, cự c dương củ a cuộ n dâ y đượ c nố i vớ i cự c â m
củ a tụ điện. Cuộ n dâ y LB lú c này nạ p nă ng lượ ng cho tụ điện CB và xả nă ng
lượ ng cho phía nghịch lưu. Điều nà y là m dò ng trên cuộ n dâ y LB giả m và điện á p
trên tụ điện CB tă ng. Cô ng thứ c tính điện á p cuộ n LB và dò ng trên tụ CB đượ c tính
như sau:

626\* MERGEFORMAT (.)

2.3. Giải thuật điều khiển

Tín hiệu điều khiển củ a cá c khó a S1 – S6 đượ c biểu diễn ở hình 2.3. Tín hiệu
tham chiếu d1(t) và d3(t) đượ c so sá nh vớ i só ng tam giá c có tầ n số cao Vtri để tạ o
ra tín hiệu đó ng/ngắ t cho cá c khó a S1 và S3. Khó a S1 đượ c kích đó ng khi tín hiệu

10
d1(t) lớ n hơn Vtri, và ngượ c lạ i. Khó a S3 đượ c kích đó ng khi tín hiệu d3(t) lớ n hơn
Vtri, và ngượ c lạ i.

Có thể thấ y ở bá n kì â m củ a điện á p VAB, mạ ch DC-DC củ a cấ u hình hoạ t

độ ng như mộ t mạ ch tă ng/giả m á p thô ng thườ ng. Lú c nà y, khó a S4 và S5 luô n
đượ c kích ngắ t, cá c khó a S2, S3 và S6 luô n đượ c kích đó ng. Điện á p củ a tụ điện
VCB đượ c tính như sau:

727\* MERGEFORMAT (.)

Vớ i d1(t) là độ rộ ng xung củ a khó a S1.

11
 Hình 2.7. Giả i thuậ t điều khiển củ a cấ u hình 1P-CG-BBI
Só ng hà i bậ c mộ t mong muố n củ a điện á p đầ u ra đượ c xá c định bở i hệ số
điều chế, M, đượ c tính như sau:

828\* MERGEFORMAT (.)

Vớ i là gó c pha củ a điện á p đầ u ra; f là tầ n số điện á p đầ u ra.

12
 là giá trị đỉnh củ a điện á p đầ u ra ở tầ n số cơ bả n.

Thay (2.7) và o (2.6), giá trị tứ c thờ i củ a d1(t) trong bá n kì â m củ a điện á p

đầ u ra VAB đượ c tính như sau:

vớ i 929\*
MERGEFORMAT (.)

Trong bá n kì dương củ a điện á p đầ u ra VAB, cấ u hình 1P-CG-BBI đề xuấ t có

hai chế độ hoạ t độ ng là chế độ Buck và chế độ Boost. Trong chế độ Buck, khó a
S3 và S6 luô n đượ c kích ngắ t, cá c khó a S2, S4 và S5 luô n đượ c kích đó ng. Điện á p
củ a tụ điện VCB đượ c tính như sau:

10210\* MERGEFORMAT (.)

Vớ i d1(t) là độ rộ ng xung củ a khó a S1.

Trong chế độ Boost, khó a S2 và S6 luô n đượ c kích ngắ t, cá c khó a S1, S4 và S5
luô n đượ c kích đó ng. Điện á p củ a tụ điện VCB đượ c tính như sau:

11211\* MERGEFORMAT (.)

Vớ i d3(t) là độ rộ ng xung củ a khó a S1.

Thay (2.7) và o (2.9), giá trị tứ c thờ i củ a d1(t) trong bá n kì dương đượ c tính
như sau:

vớ i 12212\*
MERGEFORMAT (.)

Thay (2.7) và o (2.10), giá trị tứ c thờ i củ a d3(t) trong bá n kì dương đượ c tính
như sau:

vớ i 13213\*
MERGEFORMAT (.)
13
Độ lợi điện áp, G, của bộ nghịch lưu được định nghĩa như sau:

14214\* MERGEFORMAT (.)

Vớ i là giá trị đỉnh củ a điện á p đầ u ra ở tầ n số cơ bả n.

14
 CHƯƠNG 3
THIẾT KẾ VÀ LẮP ĐẶT MÔ HÌNH THỰC NGHIỆM

3.1. Thiết kế sơ đồ nguyên lí và vẽ PCB

3.1.1. Thiết kế sơ đồ nguyên lí
Sơ đồ nguyên lí mô hình mạ ch nghịch lưu tă ng/giả m á p vớ i khả nă ng triệt
tiêu CMV (1P-CG-BBI) đượ c thiết kế bằ ng phầ n mềm Altium Designer (v21.3.2)

Hình 3.8. Sơ đồ nguyên lí củ a cấ u hình 1P-CG-BBI

Khố i tă ng/giả m á p sẽ bao gồ m cá c khó a S1 – S4, cuộ n cả m LB tụ điện CB và
diode D1, bên cạ nh đó là cá c tụ lọ c nguồ n và lọ c tín hiệu, khố i này hoạ t độ ng
như mộ t bộ chuyển đổ i DC – DC.

15
 Hình 3.9. Khố i tă ng/giả m á p

Hình 3.10. Cá c tụ lọ c nguồ n và tụ lọ c tín hiệu

Khố i nghịch lưu cầ u H sẽ gồ m cá c khó a từ S2 – S6. Ba khó a S2 – S4 sẽ đượ c
dù ng chung cho cả hai quá trình DC-DC và DC-AC.

16
Hình 3.11. Khố i nghịch lưu

17
 Bảng 3.2. Danh mục linh kiện được sử dụng

Thư viện
Linh kiện Model Thư viện PCB Package
Schematic

Khó a
C3M0075120
S1 và S3

Khó a S4 FGL40N150D TO247-3

Khó a
S2, S5 FGL40N120AND
và S6

Diode D1 DSEI60 - 12A TO247-2

Cuộ n dâ y LB 30 mm

Header Gate
Driver XH2.54-2P 2.54 mm
(H1 – H6)

Header
KF1000-2P
Input và 10 mm
10mm
Output

Điện trở
20KΩ giả m
nhiễu tín 10 mm
hiệu
(R1 – R6)

18
 Tụ lọ c
nguồ n đầ u
12 mm
và o
C1

CBB22
Tụ CB 30 mm
106J 400V

CBB22
Tụ lọ c 0,1µF 12mm
630V 104J

3.1.2. Thiết kế PCB

Trong giao diện thiết kế PCB củ a phầ n mềm Altium Designer, cá c linh kiện
đượ c sắ p xếp bố trí trên mộ t bả ng mạ ch in có kích thướ c 145 x 121 mm.

Hình 3.12. Bố trí linh kiện trên PCB

19
 Cá c tụ lọ c 0,1µF và điện trở 20kΩ đượ c bố trí gầ n cá c khó a từ S1 – S6 để lọ c
nhiễu tín hiệu điều khiển từ Gate Driver trong quá trình mạ ch hoạ t độ ng.

PCB đượ c đi dâ y hai mặ t trên và dướ i

Hình 3.13. Đi dâ y mặ t trên PCB

20
 Hình 3.14. Đi dâ y mặ t dướ i PCB
Sau khi đi dâ y hai mặ t, PCB đượ c phủ đồ ng cho cá c đườ ng dâ y chính, mả ng
đồ ng đượ c phủ sẽ có độ rộ ng tố i thiểu 10mm vớ i nhữ ng đườ ng dâ y cô ng suấ t,
khoả ng cá ch giữ a hai mả ng đồ ng cù ng mộ t lớ p sẽ từ 1.5 - 2 mm, bên cạ nh đó
lớ p phủ đồ ng khô ng đượ c quá gầ n phầ n header kết nố i vớ i Gate Driver.

Đố i vớ i nhữ ng đườ ng dâ y ở gầ n cá c cạ nh củ a PCB có sự tá ch biệt giữ a hai

lớ p, thự c hiện việc phủ đồ ng song song cả hai lớ p vớ i độ rộ ng mả ng đồ ng tố i
thiểu mỗ i lớ p giả m lạ i phâ n nử a để tố i ưu diện tích PCB.

21
 Hình 3.15. Phủ đồ ng hai mặ t trên dướ i PCB cho cá c đườ ng dâ y cô ng suấ t

PCB khi hoà n thà nh việc phủ đồ ng đượ c quan sá t dướ i dạ ng PCB 3D sau
khi đượ c bổ sung hình ả nh 3D củ a cá c linh kiện để xem trướ c hình ả nh thự c tế
mộ t cá ch trự c quan, qua đó có thể quyết định chỉnh sử a cá ch bố trí linh kiện
hoặ c lự a chọ n mà u sắ c PCB phù hợ p để chuẩ n bị gử i cho bên gia cô ng.

22
 Hình 3.16. Hai mặ t trên/dướ i củ a PCB mô phò ng

Hình 3.17. Mô phỏ ng bố trí linh kiện trên PCB mặ t trên

23
 Hình 3.18. Mô phỏ ng bố trí linh kiện trên PCB mặ t dướ i
Sau khi hoà n thà nh cá c bướ c xem xét và chỉnh sử a (nếu cầ n thiết), lưu lạ i
file PCB và gử i cho bên gia cô ng để cho ra mạ ch in thà nh phẩ m.

Hình 3.19. Mặ t trên và dướ i củ a PCB thự c tế

Cá c linh kiện trong bả ng 3.1 sẽ đượ c hà n lên PCB (kèm thêm tả n nhiệt cho
cá c khó a và diode) để cho ra mạ ch cô ng suấ t hoà n chỉnh, 4 gó c củ a PCB đượ c
gắ n thêm 4 trụ đồ ng hoặ c vít châ n đỡ để PCB vữ ng chã i, thuậ n tiện cho quá
trình chạ y thự c nghiệm và lấ y kết quả .

24
 Hình 3.20. PCB sau khi đượ c hà n linh kiện và trụ đỡ
3.2. Lắp đặt mô hình thực nghiệm
3.2.1. Lắp đặt nguồn đầu vào DC cấp cho mạch công suất
Nguồ n đầ u và o DC đượ c tạ o ra bằ ng sự kết hợ p giữ a nguồ n AC thô ng qua
Variac và bộ chỉnh lưu cầ u 3 pha theo sơ đồ hình 3.14 bên dướ i, từ đó giá trị
củ a nguồ n đầ u và o DC có thể điều chỉnh đượ c bằ ng cá ch vặ n nú m điều chỉnh
củ a Variac

Hình 3.21. Sơ đồ nguồ n DC cấ p cho mạ ch cô ng suấ t

Biến á p cá ch li đượ c kết nố i vớ i Variac vớ i vai trò cá ch li nguồ n, kết quả cho
ra nguồ n AC chấ t lượ ng tố t hơn để đưa và o mạ ch chỉnh lưu cầ u 3 pha.

25
 Hình 3.22. Mô hình nguồ n AC
Nguồ n AC từ biến á p cá ch li sẽ đượ c đi và o bộ chỉnh lưu cầ u 3 pha để cho ra
điện á p Vdc cấ p cho mạ nh cô ng suấ t qua Header Input, đồ ng thờ i mộ t đồ ng hồ
VOM cũ ng sẽ đượ c mắ c song song vớ i nguồ n đầ u và o để thuậ n tiện cho việc
theo dõ i giá trị Vdc.

Hình 3.23. Bộ chỉnh lưu cầ u 3 pha đượ c kết nố i vớ i nguồ n AC

26
3.2.2. Lắp đặt mạch điều khiển sử dụng card DSP TMS32F28335 cho mạch
công suất.

Việc tạ o xung điều khiển đó ng ngắ t cho cá c khó a sẽ đượ c thiết lậ p bằ ng cá ch

lậ p trình cho card DSP TMS320F28335 và kết nố i đầ u ra tín hiệu cho mạ ch
Gate Driver bằ ng cá c dâ y bus.

Hình 3.24. Card DSP TMS320 F28335

Gate Driver điều khiển cho cá c khoá bằ ng cá ch sử dụ ng IC cá ch ly quang

TLP250. Phầ n sơ cấ p củ a IC TLP250 nhậ n tín hiệu điều khiển cá c khoá từ DSP
và chuyển đổ i tín hiệu nà y thà nh tín hiệu quang để truyền qua cá ch ly quang.
Phầ n thứ cấ p củ a IC TLP250 nhậ n tín hiệu quang và đưa ra tín hiệu điện để kết
hợ p vớ i phầ n thứ cấ p củ a MORNSUN G1215S-1W. MORNSUN G1215S-1W là
mộ t bộ chuyển đổ i DC-DC có khả năng cá ch ly cao, có đầ u và o 12VDC lấ y từ
nguồ n 12VDC và đầ u ra là nguồ n đô i 0, +15 hoặ c 0, -15V. Hai giá trị điện á p nà y
đượ c kết vớ i đến châ n G và châ n E củ a IGBT và châ n G hoặ c châ n S củ a MOSFET
để đó ng/ngắ t cá c khó a theo tín hiệu điều khiển từ DSP.

27
 Hình 3.25. Module Gate Driver và MORNSUN G1215S-1W
Theo giả i thuậ t điều khiển đượ c sử dụ ng, đầ u ra tín hiệu củ a DSP đượ c chọ n
sẽ là (0)-(2)-(4)-(6)-(8)-(9), tương ứ ng vớ i cá c khó a S1 – S6, GND củ a DSP cũ ng
sẽ đượ c nố i vớ i GND củ a Gate Driver. Trên Module Gate Driver sử dụ ng cá c đầ u
ra O1 - O6 kết nố i tương ứ ng vớ i cá c khó a từ S1 – S6 trên mạ ch cô ng suấ t bằ ng cá c
dâ y bus XH2.54.

Hình 3.26. DSP kết nố i vớ i Module Gate Driver

3.2.3. Lắp đặt nguồn DC cho mạch điều khiển và các cảm biến đo dòng
điện

Cả m biến đo dò ng điện sẽ đượ c mắ c nố i tiếp và o cuộ n dâ y để do dò ng điện

ILB.

28
 Hình 3.27. Cả m biến do dò ng

Module Gate Driver đượ c cấ p nguồ n 12VDC cò n DSP sẽ sử dụ ng nguồ n

5VDC.

Hình 3.28. Bộ nguồ n 12VDC, 5VDC và CB nguồ n mạ ch cô ng suấ t

3.2.4. Lắp đặt mô hình thực nghiệm hoàn chỉnh

Tả i đầ u ra củ a cấ u hình sẽ sử dụ ng module tả i trở và mắ c nố i tiếp 3 điện trở

giá trị 16 Ω.

29
 Hình 3.29. Module tả i trở 48 Ω

Hình 3.30. Mô hình thự c nghiệm hoà n chỉnh (Tổ ng quan)

30
 Hình 3.31. Mô hình thự c nghiệm (Mạ ch cô ng suấ t và mạ ch điều khiển)
Kết quả thự c nghiệm củ a mô hình 1P – CG – BBI sẽ đượ c quan sá t và lưu lạ i
bằ ng oscilloscope Tektronix.

Hình 3.32. Oscilloscope Tektronix

31
 CHƯƠNG 4
SO SÁNH VỚI CẤU HÌNH HIỆN CÓ
Ưu điểm chính củ a cấ u hình 1P-CG-BBI đượ c đề xuấ t là giả m đượ c điện á p
đặ t lên cá c linh kiện. Để là m nổ i bậ t ưu điểm nà y, nhó m nghiên cứ u đã so sá nh
cấ u hình 1P-CG-BBI vớ i hai cấ u hình trong [7] và [8]. Bả ng so sá nh giữ a cấ u
hình 1P-CG-BBI và hai cấ u hình trong [7] và [8] đượ c thể hiện trong bả ng 4.1.

Bảng 4.3. So sánh cấu hình 1P-CG-BBI với cấu hình trong [7] và [8]

Cấ u hình trong Cấ u hình 1P-CG-

Cấ u hình trong [8]
[7] BBI
D và M D≥M D ≥ 2M -1 D≥M
d1(t) = 1/(1 -
Hệ số tă ng á p, B 1/(1-D) 1/(1-D)
d3(t))
Độ lợ i điện á p, G MB MB MB
VCB/Vdc B B cho C1; B/2 cho C2 B
B cho S1 – S5; B + 1 cho S1;
VS/Vdc B
B/2 cho S6, S7; B cho S2 – S6;
B + 1 cho S1;
VD/Vdc NA NA
B cho S2 – S6;
Số lượ ng cuộ n
1 1 1
dâ y
1
(Khô ng tính tụ
Số lượ ng tụ điện 1 2
điện lọ c nguồ n
đầ u và o Cdc)
Số lượ ng khó a 5 7 6
Số lượ ng diode 1 0 1
Khả năng loạ i bỏ
Có Có Có
dò ng rò

4.1. Số lượng thiết bị

Như đượ c thố ng kê ở bả ng 4.1, tấ t cả cá c cấ u hình đều sử dụ ng mộ t cuộ n
dâ y. Nhưng khi so sá nh số lượ ng tụ điện, cấ u hình ở [8] yêu cầ u hai tụ điện để
tạ o ra điện á p xoay chiều ở đầ u ra, trong khi cấ u hình 1P-CG-BBI đề xuấ t và cấ u
hình trong [7] chỉ cầ n mộ t tụ điện. Ở cá c cấ u hình đượ c so sá nh và cấ u hình 1P-
CG-BBI, điểm trung tính củ a điện á p đầ u ra đượ c kết nố i vớ i điện á p đầ u và o,

32
điều này là m CMV là hằng số trong suố t chu kì hoạ t độ ng. Kết quả là dò ng rò
đượ c loạ i bỏ gầ n như hoà n toà n.

Cấ u hình 1P-CG-BBI đượ c đề xuấ t có ít hơn mộ t khó a so vớ i cấ u hình trong

[8]. Mặ c dù cấ u hình 1P-CG-BBI sử dụ ng nhiều hơn mộ t khó a so vớ i cấ u hình
trong [7], tuy nhiên, điều này vẫ n khô ng gâ y ả nh hưở ng tớ i cấ u hình đượ c đề
xuấ t vớ i khả nă ng tă ng hệ số điều chế lên tớ i rấ t cao mà khô ng hề bị giớ i hạ n.
Kết quả là điện á p đặ t lên trên cá c linh kiện sẽ giả m xuố ng mộ t cá ch đá ng kể.
Chi tiết điện á p đặ t lên cá c linh kiện đượ c thể hiện trong hình 4.1 và đượ c giả i
thích ở phầ n kế.

Hình 4.33. So sá nh điện á p đặ t trên cá c linh kiện. (a) Độ lợ i điện á p và điện

á p stress trên tụ điện và (b) Độ lợ i điện á p và điện á p stress trên khó a.
4.2. Điện áp stress trên các linh kiện
Điện á p stress trên tụ điện và cá c thiết bị bá n dẫ n khá c đượ c trình bà y
trong phầ n này. Ở cấ u hình trong [8], hệ số điều chế M đượ c điều chỉnh tớ i
1
(1+ D), ở cấ u hình trong [7], hệ số điều chế M đượ c điều chỉnh tớ i giá trị D.
2

Như đượ c thể hiện trong hình 4.1, có thể thấ y đượ c điện á p stress trên tụ
điện củ a cấ u hình 1P-CG-BBI là thấ p nhấ t. Điện á p stress củ a hầ u hết cá c khó a
trong [8] bằ ng vớ i điện á p tụ điện C1, cho nên, điện á p tụ điện C1 cao hơn dẫ n
tớ i việc điện á p stress trên cá c khó a củ a cấ u hình trong [8] cao hơn cấ u hình

33
1P-CG-BBI, như đượ c thể hiện ở hình 4.1(b). Cấ u hình trong [7] sử dụ ng hệ số
điều chế nhỏ nhấ t nhưng vẫ n có điện á p stress lớ n nhấ t trên khó a lớ n nhấ t.

34
 CHƯƠNG 5
MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM

5.1. Kết quả mô phỏng với phần mềm PSIM

Bảng 5.4. Thông số linh kiện ở mô phỏng và thực nghiệm

Thông số/Thành phần Giá trị

Nguồn đầu vào Vdc 100 V – 200 V
Nguồn đầu ra hiệu dụng VO,RMS 110 VRMS
Tần số chuyển mạch fS 10 kHz
Tần số đầu ra fO 50 Hz
Cuộn dây đầu vào LB 3 mH
Tụ điện CB 10 µF
Tụ điện lọc nguồn đầu
Cdc 1000 µF
vào
Tải trở R 48 Ω

Cấ u hình 1P-CG-BBI đề xuấ t đượ c mô phỏ ng bằ ng chương trình PSIM. Cá c

thô ng số sử dụ ng cho việc mô phỏ ng đượ c trình bà y ở bả ng 5.1. Cá c chế độ tă ng
và giả m á p đượ c xem xét trong phầ n này.

Ở chế độ giả m á p, mộ t nguồ n đầ u và o 200-VDC đượ c sử dụ ng. Điện á p trên

tụ CB bằ ng trị tuyệt đố i điện á p đầ u ra mong muố n là ¿ 156 sin ⁡(θ)∨¿ - V, như
đượ c thể hiện trong hình 5.1(a). Giá trị hiệu dụ ng củ a điện á p đầ u ra VR là 110
VRMS. Vớ i tả i 48 Ω, dò ng điện trên tả i là 2.295 ARMS. Ở bá n kì dương, độ gợ n củ a
dò ng điện qua cuộ n dâ y ∆ILB là 1.25 A, khó a S3 đượ c kích đó ng, như đượ c thể
hiện trong hình 5.1(a) và 5.1(b). Trong bá n kì â m, khó a S2 và S3 đều đượ c kích
ngắ t, độ gợ n củ a dò ng điện qua cuộ n dâ y ∆ILB là 2.9 A.
Trong hai khoả ng thờ i gian này, khó a S3 đượ c kích đó ng/ngắ t liên tụ c trong
khi khó a S1 đượ c kích đó ng/ngắ t ở tầ n số 10 kHz. Khi khó a S1 đượ c kích đó ng,
dò ng điện qua cuộ n dâ y ILB tă ng lên, và ngượ c lạ i. Giá trị trung bình củ a dò ng
điện qua cuộ n dâ y ILB là 2.72 A. Điện á p đặ t tố i đa lên khó a S1 và diode D1 là 356
V, trong khi cá c khó a khá c có điện á p đặ t là 156 V, như đượ c thể hiện trong
hình 5.1(b). Trong bá n kì dương, diode D1 luô n phâ n cự c ngượ c, điều nà y là m

35
điện á p đặ t trên diode D1 lú c nà y bằ ng điện á p đầ u và o Vdc, như đượ c thể hiện
trong hình 5.1(b). Khó a S3 đượ c kích đó ng/ngắ t liên tụ c trong chế độ giả m á p.
Cá c khó a S5 – S6 đượ c kích đó ng/ngắ t ở tầ n số pha là 50 Hz, trong khi cá c khó a
khá c đượ c kích đó ng/ngắ t ở tầ n số chuyển mạ ch là 10 kHz.

Để kiểm tra khả năng củ a cấ u hình ở chế độ tă ng á p, nguồ n điện á p đầ u và o

Vdc đượ c chỉnh ở mứ c 100 V. Kết quả mô phỏ ng cho chế độ tă ng á p đượ c biểu
diễn ở hình 5.2. Kết quả đạ t đượ c là điện á p trên tụ VCB đượ c tă ng tớ i 156 V từ
100 V điện á p đầ u và o, như đượ c thể hiện trong hình 5.2(a). Giá trị hiệu dụ ng
củ a điện á p đầ u ra và dò ng điện đầ u ra lầ n lượ t là 110 VRMS và 2.295 ARMS. Giá trị
trung bình củ a dò ng điện trên cuộ n dâ y ILB là 3.66 A. Dạ ng só ng phó ng đạ i củ a
dò ng điện qua cuộ n dâ y ILB và điện á p qua cá c khó a từ S1 – S3 trong bá n kì
dương và bá n kì â m đượ c thể hiện lầ n lượ t trong hình 5.2(c) và 5.2(d).

Độ gợ n củ a dò ng điện qua cuộ n dâ y ∆ILB trong bá n kì dương và bá n kì â m

lầ n lượ t là 1.21 A và 1.98 A. Điện á p đặ t trên khó a S1 và diode D1 là 256 V, là
tổ ng củ a điện á p nguồ n đầ u và o Vdc và điện á p trên tụ điện CB. Điện á p đặ t trên
cá c khó a từ S2 – S6 bằ ng điện á p trên tụ điện CB là 156 V. Cá c khó a S5 – S6 đượ c
kích đó ng/ngắ t ở tầ n số pha là 50 Hz, trong khi cá c khó a khá c đượ c kích
đó ng/ngắ t ở tầ n số chuyển mạ ch là 10 kHz.

36
 (a) (b)

(c)
Hình 5.34. Từ trên xuố ng dướ i (a) Điện á p tụ điện VCB và điện á p đầ u và o Vin
(Vdc), dò ng điện đầ u và o Idc, dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p đầ u ra VR, dò ng điện
đầ u ra IR, (b) điện á p diode VD1, điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p

37
khó a S3 VS3, điện á p khó a S4 VS4, điện á p khó a S5 VS5 và (c) dò ng điện cuộ n dâ y ILB,
điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3.

(a) (b)

(c) (d)
Hình 5.35. Từ trên xuố ng dướ i (a) Điện á p tụ điện VCB và điện á p đầ u và o Vin
(Vdc), dò ng điện đầ u và o Idc, dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p đầ u ra VR, dò ng điện
đầ u ra IR, (b) điện á p diode VD1, điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p

38
khó a S3 VS3, điện á p khó a S4 VS4, điện á p khó a S5 VS5, (c) dò ng điện cuộ n dâ y ILB,
điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3 ở bá n kì dương và
(d) dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a
S3 VS3 ở bá n kì â m.
5.2. Kết quả thực nghiệm

Hình 5.36. Mô hình thự c nghiệm

Mô hình thự c nghiệm đã đượ c phá t triển để xá c minh hoạ t độ ng củ a cấ u
hình 1P-CG-BBI, như đượ c trình bà y ở hình 5.3. Nguyên mẫ u sử dụ ng vi điều
khiển DSP TMS320 F28335, IGBT FGL40N120AND cho khó a S2, S5 và S6, IGBT
FGL40N150D cho khó a S4 , MOSFET C3M0075120 cho khó a S1, S3 và diode
DSEI60 - 12A là diode D1. Nhữ ng IGBT và MOSFET sử dụ ng cho cá c khó a đượ c
điều khiển bở i IC cá ch ly TLP250. Nguồ n điện á p đầ u và o Vdc đượ c chỉnh lầ n
lượ t ở 100-V và 200-V để tạ o ra điện á p đầ u ra 110-V RMS. Điện á p tụ điện VCB đo
đượ c là 156-V. Tó m tắ t kết quả mô phỏ ng và thự c nghiệm đượ c thố ng kê ở
bả ng 5.2.

39
 Bảng 5.5. So sánh kết quả mô phỏng và thực nghiệm
Vdc = 100-V Vdc = 200-V
Thực Thực
Mô phỏng Mô phỏng
nghiệm nghiệm
VCB 156-V 152-V 156-V 154-V
VR 110-VRMS 101-VRMS 110-VRMS 105-VRMS
IR 2.295-ARMS 1.99-ARMS 2.295-ARMS 2.04-ARMS
THDVAB 5.34% 8.12% 2.87% 4.85%

Kết quả thự c nghiệm ở mứ c điện á p đầ u và o Vdc = 200 V đượ c thể hiện ở
hình 5.4(a)-(f). Điện á p tụ điện VCB đo đượ c là 154V. Ở bá n kì dương, độ gợ n
điện á p ∆ILB là 1.76 A, ở bá n kì â m là 2.88 A, như đượ c thể hiện trong hình
5.4(a). Giá trị trung bình củ a dò ng điện trên cuộ n dâ y ILB là 2.72 A, như đượ c
thể hiện trong hình 5.4(e). Giá trị hiệu dụ ng củ a điện á p đầ u ra và dò ng điện
đầ u ra lầ n lượ t là 105 VRMS và 2.04 ARMS. Điện á p đặ t trên khó a S1 và diode D1 đo
đượ c gầ n xấ p xỉ 356V, là tổ ng củ a điện á p đầ u và o Vdc và điện á p tụ điện VCB,
như đượ c thể hiện trong hình 5.4(c). Trong khi đó điện á p đặ t trên cá c khó a
khá c chỉ bằ ng điện á p tụ điện bằ ng xấ p xỉ 156V, như đượ c thể hiện trong hình
5.4(c) và 5.4(d). Tổ ng méo hà i củ a điện á p đầ u ra VAB đo đượ c là 4.85% như
hình 5.4(f).

Trong trườ ng hợ p điện á p đầ u và o Vdc = 100 V, điện á p tụ điện VCB đượ c tă ng

tớ i 156 V từ 100 V nguồ n đầ u và o Vdc, như đượ c thể hiện trong hình 5.5(a). Kết
quả đạ t đượ c là 101VRMS và 1.99 ARMS lầ n lượ t ở điện á p đầ u ra và dò ng điện đầ u
ra, như đượ c thể hiện trong hình 5.5(b). Giá trị trung bình củ a dò ng điện cuộ n
dâ y ILB là 3.69 A, như đượ c thể hiện trong hình 5.5(e). Độ gợ n điện á p ∆ILB ở bá n
kì dương và bá n kì â m lầ n lượ t là 1.32 A và 2.11 A, như đượ c thể hiện ở hình
5.5(a). Điện á p đặ t trên khó a S1 và diode D1 xấ p xỉ 256V.

Ở bá n kì dương, điện á p đặ t trên diode D1 chỉ đạ t 100-V điện á p đầ u và o,

như đượ c thể hiện trong hình 5.5(c). Điện á p đặ t trên cá c khó a khá c chỉ xấ p xỉ
bằ ng điện á p tụ điện 156V, như đượ c thể hiện trong hình 5.5(c) và 5.5(d). Tổ ng
méo hà i củ a điện á p đầ u ra VAB đo đượ c là 8.12%, như đượ c thể hiện trong hình
5.6. Kết quả thự c nghiệm cho thấ y điện á p trên tụ điện VCB và điện á p đầ u ra VAB

40
nhỏ hơn kết quả mô phỏ ng. Điều này là bở i tụ điện kí sinh đượ c bỏ qua trong
mô phỏ ng. Tổ ng méo hà i (THD) củ a điện á p đầ u ra lớ n hơn mô phỏ ng bở i độ
nhiễu, cuộ n dâ y và tụ điện củ a nguyên mẫ u thự c nghiệm.

(a) (b)

(c) (d)

(e) (f)

41
Hình 5.37. Kết quả thự c nghiệm ở mứ c điện á p đầ u và o 200 V, từ trên xuố ng
dướ i (a) điện á p đầ u và o Vdc và điện á p tụ điện VCB, dò ng điện cuộ n dâ y ILB, (b)
điện á p đầ u ra VAB, dò ng điện đầ u ra IR, (c) điện á p diode VD1, điện á p khó a S1 VS1,
điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3, (d) điện á p khó a S4 VS4, điện á p khó a S5
VS5, điện á p khó a S6 VS6, (e) dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p khó a S1 VS1, điện á p
khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3 và (f) THD củ a điện á p đầ u ra VAB.

(a) (b)

(c) (d)

(e) (f)
Hình 5.38. Kết quả thự c nghiệm ở mứ c điện á p đầ u và o 100 V, từ trên xuố ng
42
dướ i (a) điện á p đầ u và o Vdc và điện á p tụ điện VCB, dò ng điện cuộ n dâ y ILB, (b)
điện á p đầ u ra VAB, dò ng điện đầ u ra IR, (c) điện á p diode VD1, điện á p khó a S1
VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3, (d) điện á p khó a S4 VS4, điện á p
khó a S5 VS5, điện á p khó a S6 VS6, (e) dò ng điện cuộ n dâ y ILB, điện á p khó a S1 VS1,
điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3 ở bá n kì dương và (f) dò ng điện cuộ n
dâ y ILB, điện á p khó a S1 VS1, điện á p khó a S2 VS2, điện á p khó a S3 VS3 ở bá n kì â m

43
Hình 5.39. THD củ a điện á p đầ u ra VAB ở mứ c điện á p đầ u và o Vdc = 100 V.

44
 CHƯƠNG 6
KẾT LUẬT VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN

6.1. Kết luận

Đồ á n này trình bà y mộ t cấ u hình nghịch lưu khô ng má y biến á p mớ i là 1P-
CG-BBI, vớ i khả năng tă ng/giả m điện á p đầ u ra. Mạ ch có hai chế độ hoạ t độ ng
là DC-DC và DC-AC. Vớ i giả i thuậ t đượ c đề xuấ t trong đồ á n, cấ u hình 1P-CG-
BBI có thể vậ n hà nh đồ ng thờ i hai hoạ t độ ng DC-DC và DC-AC mà khô ng ả nh
hưở ng lẫ n nhau. Do đó , cấ u hình đượ c đề xuấ t có thể tă ng hệ số điều chế M mộ t
cá ch đá ng kể so vớ i cá c cấ u hình nghịch lưu common-ground trướ c đó . Kết quả
theo sau là điện á p đặ t trên tụ điện và cá c thiết bị bá n dẫ n giả m xuố ng. Nhữ ng
kết quả mô phỏ ng và thự c nghiệm đã xá c minh đượ c hoạ t độ ng củ a cấ u hình
đượ c đề xuấ t.

Ở độ lợ i điện á p G = 1.55 như đượ c thí nghiệm ở đồ á n, điện á p stress củ a

cấ u hình 1P-CG-BBI thấ p hơn điện á p stress củ a cấ u hình trong [8] 33.33% ở cả
tụ điện và khó a. Tương tự , điện á p stress củ a cấ u hình đượ c đề xuấ t thấ p hơn
điện á p stress củ a cấ u hình trong [7] 66.67% ở cả tụ điện và khó a.

Vớ i nhữ ng kết quả và cá c phâ n tích đượ c nêu trên, đồ á n đã trình bà y đượ c
tính cấ p thiết củ a việc sử dụ ng bộ nghịch lưu đã đượ c cả i tiến, ứ ng dụ ng và o sự
phá t triển củ a xu hướ ng nă ng lượ ng hiện tạ i và trong tương lai. Đồ á n này đã
chứ ng minh cá c cô ng thứ c liên quan, ưu và nhượ c điểm củ a cấ u hình 1P-CG-BBI
đượ c đề xuấ t, chứ ng minh đượ c tính ưu việt củ a cấ u hình đượ c đề xuấ t hơn
hẳ n cá c hình đã có hiện nay.

6.2. Những vấn đề còn tồn đọng

- Cò n hiện tượ ng méo điện á p ở điểm giao ngưỡ ng khô ng (Zero-crossing point).

- PCB thiết kế chưa tố i ưu về mặ t kích thướ c và chưa đượ c tích hợ p Gate Driver,
DSP.

- Mạ ch chưa đượ c thiết kế mạ ch lọ c nhiễu EMI.

- Cô ng suấ t hoạ t độ ng củ a mạ ch cò n thấ p.

45
6.3. Hướng phát triển

- Xâ y dự ng mô hình vớ i cô ng suấ t lớ n hơn.

- Phá t triển cấ u hình ba pha dự a trên cấ u hình đã trình bà y trong đồ á n nà y.

- Giả i quyết vấn đề méo điện á p ở điểm giao ngưỡ ng khô ng (Zero-crossing
point).

- Phá t triển giả i thuậ t điều khiển để giả m độ gợ n dò ng điện cuộ n dâ y.

- Tố i ưu PCB củ a cấ u hình.

- Xâ y dự ng hồ i tiếp để đả m bả o tính ổ n định củ a đầ u ra AC.

- Nghiên cứ u thiết kế bộ lọ c nhiễu EMI cho bộ nghịch lưu.

- Thiết kế hệ thố ng nố i lướ i điện cho cấ u hình.

46
 TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] H. Li, Y. Zeng, B. Zhang, T. Q. Zheng, R. Hao and Z. Yang, "An Improved H5
Topology With Low Common-Mode Current for Transformerless PV Grid-
Connected Inverter," IEEE Trans. Power Electron., vol. 34, no. 2, pp. 1254-1265,
Feb. 2019.

[2] B. Fazlali1, and E. Adib, “Quasi-resonant DC-link H5 PV inverter,” IET Power

Electron., vol. 10, no. 10, pp. 1214–1222, 2017.

[3]K. S. Kumar, A. Kirubakaran and N. Subrahmanyam, "Bidirectional

Clamping-Based H5, HERIC, and H6 Transformerless Inverter Topologies With
Reactive Power Capability," IEEE Trans. Ind. Appl., vol. 56, no. 5, pp. 5119-
5128, Sept.-Oct. 2020.

[4] Z. Tang et al., "Hybrid UP-PWM Scheme for HERIC Inverter to Improve
Power Quality and Efficiency," IEEE Trans. Power Electron., vol. 34, no. 5, pp.
4292-4303, May 2019.

[5]H. Tian, M. Chen, G. Liang and X. Xiao, "A Single-Phase Transformerless

Common-Ground Type PV Inverter With Active Power Decoupling," IEEE
Trans. Ind. Electron.s, 2022.

[6]X. Hu, P. Ma, B. Gao and M. Zhang, "An Integrated Step-Up Inverter Without
Transformer and Leakage Current for Grid-Connected Photovoltaic System,"
IEEE Trans. Power Electron., vol. 34, no. 10, pp. 9814-9827, Oct. 2019.

[7] S. S. Lee, Y. P. Siwakoti, C. S. Lim and K. -B. Lee, “An Improved PWM
Technique to Achieve Continuous Input Current in CommonGround
Transformerless Boost Inverter,” IEEE Trans. Circuits Syst. II:Exp. Briefs, vol.
67, no. 12, pp. 3133-3136, Dec. 2020.

[8] S. S. Lee, Y. Yang and Y. P. Siwakoti, “A Novel Single-Stage Five Level

Common-Ground-Boost-Type Active Neutral-Point-Clamped (5L-CGBT-ANPC)
Inverter,” IEEE Trans. Power Electron., vol. 36, no. 6, pp. 6192-6196, Jun. 2021.

[9] ] X. Hu, P. Ma, B. Gao, and M. Zhang, “An Integrated Step-Up Inverter
Without Transformer and Leakage Current for Grid-Connected Photovoltaic
System,” IEEE Trans. Power Electron., vol. 34, no. 10, pp. 9814–9827, 2019.

[10] M. N. H. Khan et al., “A Common Grounded Type Dual-Mode FiveLevel

Transformerless Inverter for Photovoltaic Applications,” IEEE Trans. Ind.
Electron., vol. 68, no. 10, pp. 9742-9754, Oct. 2021.

47
[11] R. Barzegarkhoo, S. S. Lee, S. A. Khan, Y. P. Siwakoti and D. D. -C. Lu, “A
Novel Generalized Common-Ground Switched-Capacitor Multilevel Inverter
Suitable for Transformerless Grid-Connected Applications,” IEEE Trans. Power
Electron., vol. 36, no. 9, pp. 10293- 10306, Sept. 2021.

48
PHỤ LỤC

49