磷化銦

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磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份
的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。
製備
磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備[5]。
用途
磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化
銦因為有直接带隙，適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷為基礎的光電元
件中的磊晶基板。
化學
在面心立方（闪锌矿）晶體結構的化合物中，磷化銦有最長壽命的光學声子[6]。
參考資料
1. Template:Citation book
2. Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide
measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993,
12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
3. Basic Parameters of InP. [2015-09-12]. （原始内容存档于2015-09-24）.
4. Template:Citation book
5. Indium Phosphide at HSDB. [2020-09-15]. （原始内容存档于 ）
2016-01-06 .
6. Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under
pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013].
doi:10.1016/j.physb.2011.03.073.

外部連結
Extensive site on the physical properties of indium phosphide (http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/
Semicond/InP/index.html) （页面存档备份 (https://web.archive.org/web/20160601082034/htt
p://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP/index.html) ，存于互联网档案馆） (Ioffe institute)
InP conference series (http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentCon.jsp?punumber=3525) （页
面存档备份 (https://web.archive.org/web/20070923081702/http://ieeexplore.ieee.org/xpl/Rec
entCon.jsp?punumber=3525) ，存于互联网档案馆） at IEEE
Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help
Break 600 Gigahertz Speed Barrier (http://www.azom.co
磷化銦
m/news.aspx?newsID=2888) （页面存档备份 (https://we
b.archive.org/web/20150923181353/http://www.azom.co
m/news.aspx?newsID=2888) ，存于互联网档案馆）
(2005 news)

别名 Indium(III) phosphide

识别
CAS 号 22398-80-7
PubChem 31170
ChemSpider 28914
SMILES
[In]#P
InChI
1/In.P/rInP/c1-2
InChIKey GPXJNWSHGFTCBW-
HIYQQWJCAF

性质
化学式 InP

摩尔质量 145.792 g·mol⁻¹

外观 黑色立方晶體
密度 4.81 g/cm 3（固體
時）
熔点 1062 °C（ 1335 K）
溶解性 微溶於酸[1]
能隙 1.344(300 K，直接帶
隙) eV
电子迁移率 5400 cm 2/(V·s) (300
K)
熱導率 0.68 W/(cm·K) (300
K)
折光度n D 3.1 ( 紅外線 );
3.55 (632.8 nm) [2]
结构
 晶体结构 閃鋅礦結構
晶格常数 a = 5.8687 Å [3]
配位几何 四面體
热力学
ΔfHm⦵298K -88.7 kJ/mol

S⦵298K 59.8 J/(mol·K)

热容 45.4 J/(mol·K) [4]

危险性
MSDS External MSDS (htt
p://www.espimetals.c
om/msds's/indiumpho
sphide.pdf)
欧盟编号 未列出
主要危害 有毒，會水解為磷化
氢
相关物质
其他阴离子 氮化銦
砷化銦
銻化銦
其他阳离子 磷化鋁
磷化鎵
相关化学品 磷化銦鎵
磷化鋁鎵銦
砷銻磷化鎵銦
若非注明，所有数据均出自标准状态
（25 ℃，100 kPa）下。
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