„Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych”

Wykład 12 (02.06.2021)

Tomasz Kazimierczuk

Zakład Fizyki Ciała Stałego

Instytut Fizyki Doświadczalnej
Wydział Fizyki
Uniwersytet Warszawski

Na podstawie materiałów prof. M. Baja

 Fale sprężyste w ośrodkach ciągłych

• Dla różnych kryształów otrzymane wzory będą się różniły; dla kryształu
kubicznego otrzymuje się:

 2u x  2u x   2u x  2u x    2u y  2u z 
 2  C11 2  C44  2  2   C12  C44    

t x  y z   xy xz 
 2u y  2u y   2u y  2u y    2u x  2u z 
  C11  C44  2  2   C12  C44    
t y  
 x z   xy yz 
2 2

 2u z  2u z   2u z  2u z    2u x  2u y 
 2  C11 2  C44  2  2   C12  C44    
t z  xz yz 
 x y   

są to klasyczne równania falowe

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 2

 Fale sprężyste w ośrodkach ciągłych
   i ( kx t )
• Fale rozchodzące się w kierunku [100]: u (r , t )  u0 e


 ux
2
 2u x C11
 2  C11 2 – fala podłużna poruszająca się z prędkością v|| 
t x 
 2u y  2u y 
 2  C44 2 
t x – 2 zdegenerowane fale poprzeczne poruszające się z

 2u z  2u z  prędkością
 2  C44 2 
t x
C44
v   v||

prędkość fal poprzecznych jest mniejsza

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 3

 Fale sprężyste w ośrodkach ciągłych
 kx ky 
   i   t 
• Fale rozchodzące się w kierunku [110]: u (r , t )  u0 e  2 2 

 – fala podłużna poruszająca się z

 2u x  2u x  2u x  2u y  C11  C12  2C44
 2  C11 2  C44 2  C12  C44   prędkością v|| 
t x y xy  2
 
 uy
2
 uy
2
 uy
2
 ux
2
 oraz fala poprzeczna u0 || [1 1 0]
  C11  C44  C12  C44   poruszająca się z prędkością
t 2 y 2 x 2 xy 
 2u z   2u z  2u z  C11  C12
 2  C44  2  2  v1 
t 2
 x y 

fala poprzeczna u0 || [001] poruszająca
Wyznaczenie 3 prędkości fal się z prędkością
rozchodzących się w kierunku C44
v2  
[110] umożliwia wyznaczenie 
wszystkich współczynników Cij

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 4

 Fale sprężyste w ośrodkach ciągłych

Ch. Kittel, „Wstęp do fizyki ciała stałego”

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 5

 Fale sprężyste w ośrodkach ciągłych

• Dla każdego kierunku rozchodzenia się fali (wersora propagacji) istnieją 3

rodzaje fal – 1 „podłużna” i 2 „poprzeczne” z klasycznymi (liniowymi)
relacjami dyspersyjnymi

• W ogólności wszystkie te fale mają różne prędkości

• Czasami fale poprzeczne są zdegenerowane (tzn. mają te same prędkości, a

więc i takie same relacje dyspersyjne)

• Dla dowolnego kierunku propagacji fale nie są ani ściśle podłużne, ani
ściśle poprzeczne

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 6

 FONONY

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 7

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
Przypomnienie – ruch jednowymiarowego, nieskończonego łańcucha
złożonego na przemian z
C C
różnych mas:

stała siłowa
 (q) gałąź drgań
optycznych

gałąź drgań
akustycznych
q Ch. Kittel, „Wstęp do fizyki ciała stałego”

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 8

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
1. Przy omawianiu przybliżenia Borna-Oppenheimera doszliśmy do wniosku,
że ruch jonów/jąder atomowych odbywa się w efektywnym potencjale:
  
 U eff ( R)  Eel ( R)  G( R)
k k

k
gdzie E (R) jest
el  adiabatycznym
   wkładem elektronów w energię ruchu
jonów/jąder, a R  ( R1 , R2 , R3 ,....) jest zbiorem wektorów położeń
wszystkich jonów/jąder

2. Drgania sieci krystalicznej – drgania układu dyskretnego o 3rN stopniach

swobody, gdzie r – liczba atomów bazy (liczba atomów w najmniejszej
komórce elementarnej), N – liczba komórek elementarnych kryształu

3. Nowe oznaczenia, wprowadzające explicite:


• numerowanie komórek elementarnych n  (n1 , n2 , n3 ) ni  1, 2, 3,.... Ni

 1 N2 N3  N, gdzie położenie komórki dane jest wektorem:

N
  
Rn  n1a1  n2a2  n3a3
• numerowanie atomów w bazie α = 1, 2, … r

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 9

 Drgania sieci krystalicznej, fonony

• wychylenia atomów z położeń równowagi: un oznacza wychylenie z położenia
równowagi atomu a znajdującego się w komórce elementarnej numerowanej

wektorem n
 k 
4. U
Zmieniając oznaczenie energii eff (R ) (kolizja z un ) i rozwijając na szereg
z dokładnością do członów kwadratowych w wychyleniach (przybliżenie
harmoniczne) otrzymujemy:
     1  2
U eff ( R)  ( R)  ( R0  R)  ( R0 )  
k
un ium  j  ...
2 n i xn i xm  j
m j
gdzie i oraz j oznaczają składowe kartezjańskie odpowiednich wektorów
 2 
m j
5. „Stałe siłowe”:   n i muszą być niezmiennicze względem
xn i xm  j
operacji translacji sieciowych i operacji grupy punktowej kryształu
  
  m j

n i  (mn) j
0 i
zależą tylko od względnego
położenia komórek

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 10

 Drgania sieci krystalicznej, fonony

6. Równanie ruchu atomu a z komórki elementarnej n :

M  un i    m j

n i  um  j  0

m j
gdzie siły pochodzą od oddziaływań ze wszystkimi pozostałymi atomami.
Należy zwrócić uwagę, że przeważnie w tym równaniu wystarczy się ograniczyć
do stałych siłowych związanych z oddziaływaniem z bliskimi sąsiadami

7. Rozwiązania, zależnego wyłącznie od położenia danej komórki elementarnej,

poszukujemy w postaci fal płaskich:

1  i ( qR n t )
un i  u i (q )  e
M
   
gdzie Rn  n1a1  n2a2  n3a3

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 11

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
8. Podstawienie powyższej postaci do równania ruchu daje:
 
 u (q )  0
   
   u i (q )    
1 
 
2
n i  e m n )
m j iq ( R R
 m M  M   j
gdzie:
 j
 
 j 
1    


m M M 
m j
 n i  e

iq ( R m  R n )
 D i (q )
 
m j
 
(mn) j
jest tzw. macierzą dynamiczną. Nie zależy ona od n, ponieważ n i  0 i


9.

Dla danego q (wektora falowego) otrzymujemy 3r jednorodnych równań:
  j  
   u i (q )   D i (q ) u j (q )  0
2

 j
które mają niezerowe rozwiązanie, jeśli:


Det D (q )   2 Iˆ  0
 j
i  

 (q ) 3r różnych
rozwiązań

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 12

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
10. Powyższa procedura oznacza przejście do współrzędnych normalnych, dzięki
czemu wyjściowy układ 3rN jednowymiarowych, sprzężonych oscylatorów
harmonicznych opisujących ruch poszczególnych atomów staje się układem
3rN niezależnych jednowymiarowych oscylatorów harmonicznych
opisujących ruchy kolektywne


Dla każdego q otrzymujemy 3r niezależnych drgań normalnych (modów
własnych) w postaci fal. Mamy więc 3r relacji dyspersyjnych dla różnych
rodzajów fal.


11. Wektor falowy q należy
do 1 SB:

Ch. Kittel, „Wstęp do fizyki ciała stałego”

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 13

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
Fonony
1. 3rN drgań normalnych  3rN jednowymiarowych oscylatorów
harmonicznych

2. kwantowanie oscylatorów  oscylatory „numerowane” numerem gałęzi s


(jest ich 3r) oraz wektorem falowym q :
Eosc  n  ½ s (q )


sq

3. kwant wzbudzenia danego oscylatora nazywamy fononem (kwazicząstka).


Stan kwantowy fononu opisują liczby kwantowe s i q. Dowolnie dużo
fononów może obsadzać ten sam stan kwantowy (bo dany oscylator może
być w dowolnie wysokim stanie kwantowym)  fonon jest bozonem:

E  s (q )

sq – energia fononu

q – kwazipęd fononu

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 14

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
4. w równowadze z termostatem o temperaturze T obsadzenie stanu
fononowego (średnia liczba fononów w danym stanie fononowym):
1  kT  w wysokich temperaturach liczba
nsq (T )  
s ( q )
 
T    T
 s (q ) 
 fononów jest proporcjonalna do
e kT
1 temperatury

5. gęstość stanów fononowych w przestrzeni wektora q (patrz gęstość stanów
elektronowych!) jest stała i wynosi (3D):
 1
 (q ) 
2 3
6. w krysztale z bazą składającą się z r atomów mamy 3 gałęzie fononów
akustycznych, dla których ω(q=0) = 0 (1 „podłużnych” LA i 2
„poprzecznych” TA) oraz 3r-3 gałęzi fononów optycznych, dla których
ω(q=0)  0 (r-1 „podłużnych” LO i 2r-2 „poprzecznych” TO)

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 15

 Drgania sieci krystalicznej, fonony

7. fonony akustyczne w q  0 odpowiadają drganiom wszystkich r atomów bazy
w zgodnych fazach (brak momentu dipolowego związanego z drganiami); w
przypadku fononów optycznych, jeśli atomy bazy nie są jednakowe, takie
momenty dipolowe się pojawiają – możliwe sprzężenie z falą
elektromagnetyczną: dla kryształów jonowych silna absorpcja dla częstości
odpowiadających fononom optycznym (Reststrahlen)

8. w ogólności (dla dowolnego q ) ani gałęzie „poprzeczne” ani „podłużne” nie
odpowiadają ściśle drganiom poprzecznym i podłużnym (patrz fale sprężyste
w ośrodkach ciągłych!)

9. w przybliżeniu harmonicznym fonony są kwazicząstkami całkowicie ze

sobą nieoddziałującymi

10. wyjście poza przybliżenie harmoniczne pozwala np. zrozumieć :

• skąd się bierze rozszerzalność termiczna
• dlaczego (fononowe) przewodnictwo cieplne jest skończone…

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 16

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
Aluminium, r = 1 (tylko fonony akustyczne)

1 THz  4 meV tak jak to było przewidziane przez model ośrodka ciągłego

R. Stedman, G. Nilsson, Physical Review 145, 492 (1966)

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 17

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
Krzem Si, r = 2 LO  TO

1 THz  4 meV

J. Kulda et al., Physical Review B 50, 13347 (1994)

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 18

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
GaAs, r = 2
LO  TO

8 cm-1  1 meV

P. Giannozzi et al., Physical Review B 43, 7231 (1991)

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 19

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
NaCl, r = 2

LO  TO

G. Raunio et al., Physical Review 178, 1496 (1969)

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 20

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
GaN (wurcyt), r = 4

8 cm-1  1 meV

T. Ruf et al., Physical Review Letters 86, 906 (2001)

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 21

 Drgania sieci krystalicznej, fonony
Relacja Lyddane’a–Sachsa–Tellera

 (0)  LO
2 gdzie ε(0) i ε() są niskoczęstościową i
 2 wysokoczęstościową stałą dielektryczną
 () TO

Jedna z „dynamicznych” definicji ładunku efektywnego –

efektywny, poprzeczny ładunek Borna:

 0
e  TO
*
 (0)   () gdzie µ jest masą zredukowaną, a N –
koncentracją drgających par atomów
N

Czym bardziej spolaryzowane wiązanie pomiędzy

atomami, tym większa różnica pomiędzy  LO i TO

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 22

 POJEMNOŚĆ CIEPLNA SIECI
KRYSTALICZNEJ

2020-04-07 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 23

Pojemność cieplna sieci krystalicznej
• Doświadczalna obserwacja – w wysokich temperaturach molowe ciepło przy
stałej objętości CV=3R. Jest to zgodne z modelem klasycznym i zasadą
ekwipartycji energii – prawo Dulonga-Petita (~3NA jednowymiarowych
oscylatorów na mol, na każdy wypada średnio kT energii  molowa
pojemność cieplna 3RT). Jednak w niskich temperaturach T 0 w
niemetalach CV ~T3 (a prawo Dulonga-Petita przewiduje CV=const)

• Wkład fononów do energii wewnętrznej (na jednostkę objętości, bo  (q )
jest liczone na jednostkę objętości):
 
U (T )    s (q) nsq (T )  (q)d3q
 gdzie s numeruje gałęzie fononów
s 1SB
• Znajomość relacji dyspersyjnych dla wszystkich gałęzi fononowych pozwala
znaleźć fononowy wkład do U(T) i ciepło przy stałej objętości liczone na
jednostkę objętości:
 U 
CV   
 T V

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 24

Pojemność cieplna sieci krystalicznej
• Dwa proste analityczne modele fononowego wkładu do pojemności cieplnej
sieci krystalicznej:

1. Model Einsteina: zbiór 3N oscylatorów kwantowych, wszystkie o jednakowej

energii 0 (model w przybliżeniu słuszny dla fononów optycznych dla

których  (q )  const )
1
U (T )  3N  0  n(T )  3N  0  0
e kT  1
jeśli wziąć N=NA , to molowe ciepło:
x 2e x 0
CV  3R    3R gdzie x
e x
1 
2 x 0
(T  )
kT

w ten sposób odtwarzamy prawo Dulonga-Petita, ale w niskich

temperaturach otrzymuje się zależność szybszą niż doświadczalna !

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 25

Pojemność cieplna sieci krystalicznej
2. Model Debye’a: fonony akustyczne z uproszczoną (liniową) dyspersją:
TA  uT q (2 gałęzie)
 LA  u L q (1 gałąź)

• gęstość stanów na jednostkę częstości, na jednostkę objętości, na jedną

(i-tą) gałąź:
 1 2
1 i
 (i )di  q (qi )d3qi  4 q
2
dq  di
2 3 i i
2 ui
2 3

• wszystkie 3 gałęzie (zakładając degenerację obu gałęzi poprzecznych):

 2  2 1  3 2 1
 ( )  2   3  3   2  3
2  uT uL  2 u

u jest pewną średnią prędkością

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 26

Pojemność cieplna sieci krystalicznej
• Założenie sferycznej symetrii relacji dyspersyjnych zmusza do ograniczenia
się do obszaru   max , tak aby całkowita liczba (koncentracja) stanów
fononowych wyniosła 3N:  max
1 max
3
3N  
0
 ( )d 
2 2

u3

stąd: max  3 6 2 N  u
max 3 u
oraz definicja temperatury Debye’a:   6 2 N 
k k

• Wkład fononów do energii wewnętrznej (na jednostkę objętości):

max max
 3 3
U (T )      ( )  n(, T ) d  2  3  
d
2 u
0 0
e kT
1

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 27

Pojemność cieplna sieci krystalicznej

• Zamiana zmiennych: x 
kT
4 /T 3 /T
3   kT  3
x 3 4  k  x3
U (T )  2  3    
2 u    
0
e 1
x
dx 
2 2
 T   
 u 

0
e 1
x
dx

u
i wreszcie, wykorzystując związek:   6 N 
3 2

k
otrzymujemy:
4 /T wkład fononów
T  T  x3
U    9 Nk    
 

0
e 1
x
dx (akustycznych) do
energii wewnętrznej
wg. modelu Debye’a

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 28

Pojemność cieplna sieci krystalicznej
a) niskie temperatury T << ϴ:

T  
4 4
T  T 
3 4
x
U    9 Nk      x dx  9 Nk     T4
    0 e 1    15


CV  T 3 zgodnie z doświadczeniem

b) wysokie temperatury T >> ϴ:

wtedy w całym obszarze całkowania x << 1 i:
/T
 T  1 
4 4 3
T  T  x3
U    9 Nk    
 

0
1 x 1
dx  9 Nk        3NkT
   3 T 

CV  3R prawo Dulonga-Petita, jeśli

obliczymy U dla NA oscylatorów

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 29

Pojemność cieplna sieci krystalicznej

diament, linia – model Einsteina

stały argon, linia – model Debye’a
Ch. Kittel, „Wstęp do fizyki ciała stałego”

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 30

Pojemność cieplna sieci krystalicznej

Wikipedia

Uwaga na skale! Model Debye’a działa też w wysokich temperaturach

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 8 31

 TRANSPORT - WSTĘP

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 12 32

 Transport – siły zewnętrzne
• Rozproszenia elastyczne – np. na potencjałach domieszek i defektów
• Rozproszenia nieelastyczne – np. na fononach (lub innych kwazicząstkach).
W przybliżeniu często traktuje się rozpraszanie na fononach akustycznych
jako elastyczne (bo energie fononów akustycznych są niewielkie). Nawet
rozpraszanie na fononach optycznych często opisuje się przy założeniu, że
rozproszenia są w przybliżeniu elastyczne (w odpowiednio wysokich
temperaturach, w których kT  0 ).

Rozpraszanie elektron-elektron
– też nieelastyczne, możliwe tylko dla
elektronów z okolicy poziomu Fermiego,
istotne z punktu widzenia procesów
relaksacji
  fazyfunkcji 
falowej
k1  k2  k3  k4  G
E1  E2  E3  E4
H. Ibach, H. Lüth, Solid-State Physics

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 12 33

 Transport – skale długości i czasu
Skale długości i czasu w transporcie

1. Punkt wyjścia – potencjał ściśle periodyczny. Rozwiązania blochowskie –

stany własne hamiltonianu jednoelektronowego  stany odpowiadają ściśle
określonej energii ΔE = 0 i „żyją” nieskończenie długo  q  , gdzie
E   q   i droga swobodna jest nieskończona
2. Czas kwantowy τq, średnia droga swobodna lq
Każde rozpraszanie prowadzi do tego, że czas życia w danym stanie
kwantowym  q (tzw. „czas kwantowy”) jest skończony r(E)

i poszerzenie ΔE  0. Średnia droga swobodna: lq = vFτq

E
Przykład: oscylacje Shubnikova-de Haasa w 2DEG
r(E)

En  n  ½  c gęstość stanów bez rozproszeń

z rozproszeniami
E

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 12 34

 Transport – skale długości i czasu
Gęstość stanów oscyluje w funkcji energii. Amplituda oscylacji zależy od pola
B (bo separacja pików gęstości stanów, c jest proporcjonalna do B), ale i
od  q ! W funkcji pola magnetycznego oscyluje gęstość stanów na poziomie
Fermiego, co przekłada się na oscylacje magnetooporu (efekt Shubnikova-de
Haasa):
      2EF  2 2 kT
4  exp     cos     gdzie 
0 sinh       c
 c q   c 

GaAs/AlGaAs
w niskiej temperaturze T  0

1
sinh 

A. Renfer, University of Basel, 2009

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 12 35

 Transport – skale długości i czasu
2DHG w Si/Si0,87Ge0,13/Si


τq  2 ps, ΔE  0,3 meV
T.E. Whall et al., Applied Physics Letters, 64, 357 (1994)

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 12 36

 Transport – skale długości i czasu
3. Czas transportowy (czas relaksacji pędowej) τtr, średnia droga swobodna ltr
W makroskopowych przepływach elektronów (np. prąd elektryczny) liczy się
nie sam fakt rozproszenia, ale jak w rozproszeniu zmienia się pęd (wektor
falowy). Niskokątowe rozproszenia mają mniejszy wpływ na relaksację pędu
niż wysokokątowe (rozproszenia elektron-elektron nie dają wkładu do τtr !):
1
  P( )d gdzie ϴ – kąt (elastycznego) rozproszenia
q
1 przeważnie τtr > τq
 tr 
 P( )(1  cos  )d

e tr
Ruchliwość:  Przykład: GaAs, m*  0,067 m0 , EF = 10 meV,
m* vF  2,3105 m/s
1. T = 300 K, materiał objętościowy: m  4000 cm2/Vs, ttr  0,15 ps,
τtrvF  ltr  35 nm
2. T = 1 K, 2DEG: m  107 cm2/Vs, τtr  400 ps, τtrvF  ltr  90 mm

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 12 37

 Transport – skale długości i czasu
4. Czas relaksacji fazy (czas koherencji fazowej) τφ , długość relaksacji fazy
(długość koherencji fazowej) lφ
Rozproszenia mogą prowadzić do przypadkowych zmian fazy funkcji falowej
elektronu, a więc zaniku jej spójności fazowej, co z kolei uniemożliwia
efektywną interferencję. Spójność fazową niszczą rozproszenia nieelastyczne.
W relaksacji fazy nie biorą udziału „sztywne rozpraszacze”, a tylko
„fluktuujące” (rozpraszanie na fononach, rozpraszanie elektron-elektron,
rozpraszanie na domieszkach z „wewnętrznymi stopniami swobody”)

Przykład 1 – efekt Aharonova-Bohma

• Elektron poruszający się z punktu
 1 do punktu
  2 po pewnej drodze P, na której
nie znika potencjał wektorowy A (  A  B ) doznaje przesunięcia fazowego:
e   P 2
P 
 P
 A  dr S
1 2 1 Q

09.06.2021 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 12 38