Chuong 3-Nhieu Xa Tia X (9-2022-DH)

10/5/2022
Chương 3
Nhiễu xạ tia X
CÁC NỘI DUNG CHÍNH
❖ Giới thiệu tia X
❖ Định luật Bragg (Bragg’s law)
❖ Các phương pháp phân tích bột

(powder difraction)
❖ Phương pháp định danh các pha tinh
thể
1
10/5/2022
CÁC NỘI DUNG CHÍNH
❖ Phương pháp xác định cấu trúc tinh thể

và thông số ô mạng của các tinh thể đơn
giản
❖ Hướng dẫn sử dụng các phần mềm
thông dụng trong nghiên cứu tia X.
KHÁI NIỆM TIA X
❖ Tia X là loại sóng điện từ có bước sóng ngắn.
❖ Bước sóng: 10 nm – 1 pm (10-12m)
❖ Năng lượng: 200eV – 1MeV
❖ Bước sóng của tia X sử dụng trong phân tích cấu
trúc: khoảng 1Å (0.1nm).
2
10/5/2022
KHÁI NIỆM TIA X (tt)
William Rontgen đã tìm ra tia X vào năm 1895

và tìm được các tính chất của tia X :
✓ Tia X truyền theo đường thẳng.
✓ Tia X bị hấp thụ theo tỷ lệ hàm mũ theo khối lượng
của chất hấp thụ.
✓ Có khả năng xuyên qua 1 số tấm chắn thông
thường, làm đen phim ảnh.
✓ Khả năng gây hiện tượng phát quang (phổ huỳnh
quang tia X).
✓ Gây sự ion hóa chất khí….
5
➢ Tia X phát ra từ các ống phát là các bức xạ liên

tục gồm nhiều bước sóng khác nhau do các điện
tử mất năng lượng trong các va chạm với các
nguyên tử anode.
➢ Mỗi electron mất năng lượng theo các cách khác

nhau nên phổ tia X thu được là liên tục.
3
10/5/2022
Bước sóng  của tia X đặc trưng cho từng kim loại
làm anode được xác định bởi định luật Moseley:
1/  = R(Z-1)(1-1/n2)
➢ : bước sóng;
➢ R = 109678 cm-1, hằng số Rydberg;
➢ Z: số hiệu nguyên tử;
➢ n là một số nguyên, n = 2, 3 đối với vạch K và K
tương ứng
7
4
10/5/2022
Lượng bức xạ và các khái niệm
❖Khi làm việc ở nơi phân tích tia X:

✓ Nhận thức về sự nguy hiểm tiềm tàng liên quan đến sự tiếp
xúc liên tục hoặc cấp tính với bức xạ tia X.
✓ Cần phải hiểu biết các nguy cơ và tuân thủ nghiêm ngặt
các quy định để bảo vệ người vận hành thiết bị phân tích
tia X và nhân viên làm việc gần nguồn phát ra tia X.
❖ Khả năng một photon sẽ hoàn toàn xuyên qua một môi
trường phụ thuộc vào rất nhiều yếu tố:
✓ Năng lượng của tia X
✓ Độ dày của môi trường.
❖ Năng lượng của quá trình bức xạ ion hóa khi tương tác với
vật chất có thể dẫn đến việc phá vỡ các liên kết hóa học.
❖ Nếu chiếu xạ vào mô sống, có thể làm thay đổi cấu trúc
hoặc chức năng của tế bào.
10
10
5
10/5/2022
❖ Khi liều lượng hấp thụ tăng lên, các khả năng xảy ra ung
thư hoặc ảnh hưởng di truyền cũng tăng.
❖ Tuy nhiên, khi liều lượng hấp thụ cao, thì thời điểm đó
cũng không chắc chắn rằng ung thư hoặc gây tổn hại di
truyền sẽ xảy ra.
❖ Không có bất kỳ ngưỡng nào mà dưới nó là chắc chắn
rằng một tác động bất lợi không thể xảy ra.
❖ Chú ý: chùm tia X (phân tích cấu trúc) thường được sử
dụng với cường độ rất cao.
11
11
Ảnh hưởng sinh học
❖ Tiếp xúc với bức xạ không chỉ từ các chùm tia chính mà
còn từ các tia phân tán (hoặc nhiễu xạ) và bức xạ thứ cấp
từ mẫu hoặc các vật liệu cách ly.
❖ Thường được gọi là tia X mềm và nó dễ dàng bị cách ly
(~mm chì).
❖ Tia X đặc biệt nguy hiểm vì chúng được hấp thụ ngay cả
bởi các mô mềm.
12
12
6
10/5/2022
Ảnh hưởng sinh học
❖Tiếp xúc dài hạn với mức độ tương đối thấp:

✓ Có khả năng bắt đầu gây ung thư
✓ Hoặc gây tổn hại di truyền.
❖Tiếp xúc ngắn hạn với mức độ tương đối cao (tiếp xúc
cấp tính), có khả năng như:
✓ Ban đỏ
✓ Rụng tóc
✓ Loét
✓ Ung thư.
13
13
Các yêu cầu về an toàn
❖Yêu cầu đối với thiết bị

✓ Thiết bị ngắt tia: làm cho chùm tia phải dừng lại
✓ Lá chắn: cổng vào của nguồn được trang bị một lá chắn mà
không thể được mở ra trừ khi một ống chuẩn trực hoặc khớp nối
đã được kết nối với đầu ống .
✓ Hệ thống khoá liên động bảo vệ: Mỗi ống tia X được trang bị
với một khoá liên động tắt ống nếu ống được lấy ra từ các khung bảo
vệ.
✓ Vỏ bọc cách ly:

✓ Đèn cảnh báo: X-RAY ON
✓ Ghi nhãn: 14
14
7
10/5/2022
Các yêu cầu về an toàn

❖Yêu cầu đối với sự hoạt động, vận hành
✓ Tuân thủ các quy định về an toàn
✓ KHÔNG bỏ qua thiết bị an toàn
✓ KHÔNG thay đổi thành phần hệ thống
✓ Máy phát hiện phóng xạ cho nhân viên
✓ Đào tạo về các vấn đề liên quan đến bức xạ và vận
hành thiết bị.
15
15
16
16
8
10/5/2022
Ống phát tia X
Các bộ phận chính phát tia X:

➢ Ống phát: Anode (và cathode) đặt trong ống
thạch anh, áp suất (10-6- 10-7 mmHg).
➢ Cathode K (Vonfram) phát ra chùm điện tử
khi được đốt nóng.
➢ Anode (Vonfram, Cu, Ni, Mo, Cr). Điện thế áp
đặt vào anode cao (từ vài chục đến 100kV).
17
17
Ống phát tia X
18
18
9
10/5/2022
NGUỒN TẠO RA TIA X
Nguyên tắc chung: Tia X được tạo ra trong ống tia

X, là quá trình bắn phá của một chùm tia electron
(được tạo ra bởi dòng điện 30-45kV, thậm chí
100kV) vào bia kim loại (ví dụ bằng Cu).
Beam of electrons Target X-rays
19
19
Chùm tia điện tử từ cathode được gia tốc do điện áp

lớn ở cathode sẽ bay về phía anode với vận tốc lớn.
Khi các điện tử có động năng lớn va đập vào anode:
✓ Phần lớn biến thành nhiệt năng.
✓ Hầu hết năng lượng của electron bị hấp thụ bởi kim loại
và <1% năng lượng tia electron phát ra tia X.
20
20
10
10/5/2022
✓Phổ của tia X là phổ liên tục.
✓Cường độ của vạch đặc trưng phụ thuộc vào thế

tăng tốc và cường độ dòng của ống phát.
2121
21
❖ Chùm tia X sinh ra thoát ra

ngoài qua các “cửa sổ” bằng
beryllium.
❖ Chiều dày của Be làm cửa sổ

có kích thước ~0,25mm.
❖ Be cho phép tia X đi qua, đồng

thời chịu được áp suất có độ
chân không khoảng 10-7
mmHg.
22
22
11
10/5/2022
SỰ HÌNH THÀNH TIA X
Chùm electron của tia tới có

năng lượng lớn làm bật 1
electron của lớp K (1s). Kết
quả là làm nguyên tử của Cu
(Copper target) bị kích thích
và tạo 1 lổ trống.
23
23
❖ Khi lỗ trống ở lớp K (1s) được điền đầy bởi một electron ở
lớp L, M, … thì thu được dãy vạch K, K,…
❖ Ví dụ: (đối với kim loại Cu)
K =0.15418 nm
K =0.13922 nm
24
24
12
10/5/2022
❖ Các vạch L, L xuất hiện là do sự chuyển dịch electron

từ lớp M (n=3), N(n=4) về lớp L (n=2)
❖ Bức xạ của tia K mạnh hơn K, L .
❖ Trong nghiên cứu nhiễu xạ tia X thường sử dụng tia K

của kim loại Cu. Vạch K có năng lượng lớn, không bị
hấp thụ bởi vật liệu nghiên cứu, độ đơn sắc cao.
25
25
SỰ HÌNH THÀNH TIA X TỪ ANOD ĐỒNG
❖Bức xạ K là bức xạ kép:

K1=0.154051 nm, K2=0.154433
nm.
❖Trong nhiều trường hợp đặc biệt,

bức xạ yếu K2 có thể loại bỏ. Tuy
nhiên, hầu hết các máy phân tích
tia X không tách rời 2 tia bức xạ
này.
26
26
13
10/5/2022
Các đặc trưng của VL làm Anode
Nguyên Z K1 (nm) K2 (nm) K Ngưỡng

tố V
Cr 24 0,229361 0,228970 0,208487 5950
Fe 26 0,193736 0,193998 0,193604 7100
Co 27 0,179026 0,179285 0,178897 7700
Ni 28 0,1662 0,1658 0,1500 8300
Cu 29 0,154051 0,154433 0,13922 9000
Mo 42 0,071073 0,071359 0,070930 20000
Ag 47 0,0564 0,0559 0,0497 25600
27
27
TIA X ĐƠN SẮC
❖ Trong phương pháp phân tích nhiễu xạ tia X người ta

chỉ sử dụng các bức xạ đơn sắc.
❖ Sử dụng vạch Kα và lọc loại bỏ các vạch khác, đặc biệt là
vạch Kβ bằng cách cho chùm tia X sinh ra từ nguồn phát
đi qua một lá kim loại mỏng có biên hấp thụ thích hợp để
hấp thụ bức xạ K và cho bức xạ K đi qua
Ví dụ: Ni sẽ hấp thu vạch Kβ của đối cathod bằng đồng, Nb
hấp thụ vạch Kβ của molybden…
Thường sử dụng tia K của của các kim loại đồng
(Cu) và kính lọc là Niken kim loại để lọc tia K.
28
28
14
10/5/2022
BỘ LỌC TIA  TƯƠNG ỨNG VỚI CÁC ANODE
29
29
30
30
15
10/5/2022
ĐỊNH LUẬT BRAGG
❖ Định luật Vulf-Bragg được đưa ra năm 1913 thể hiện mối
liên hệ giữa bước sóng tia X và khoảng cách giữa mặt
phẳng nguyên tử.
❖ Tia nhiễu xạ được coi là “tia phản xạ”
❖ Giả thiết rằng mỗi mặt phẳng nguyên tử phản xạ sóng

tới như gương phản xạ và mặt phẳng nguyên tử được
coi là “mặt phản xạ”.
31
31
1 1’
2 2’
Giả thiết hai tia tới đơn
sắc, song song và cùng
A
A’ pha với bước sóng , cùng
B B’
góc tới .
Giả sử có hai mặt phẳng song song AA’ và BB’ có cùng chỉ số
Miller h, k, l, và khoảng cách giữa các mặt phẳng nguyên tử
dhkl.
Hai tia 1 và 2 bị tán xạ bởi nguyên tử O, P cho 2 tia phản xạ
song song 1’ và 2’, có cùng góc  so với mặt phẳng A, B.
32
32
16
10/5/2022
✓ Điều kiện nhiễu

xạ: n = 2dsin
➢  là bước sóng tia

tới.
➢ d là khoảng cách giữa
các mặt phẳng phản xạ.
➢  là góc phản xạ.
➢ n là bậc phản xạ.
33
33
34 34
34
17
10/5/2022
Trong hầu hết các trường hợp, bậc phản xạ thứ nhất (n = 1) được
sử dụng, và định luật Bragg được viết:
= 2dsin
35
35
Chương 3
Nhiễu xạ tia X
(tiếp theo)
36
36
18
10/5/2022
37
37
CƯỜNG ĐỘ NHIỄU XẠ
❖ Cường độ nhiễu xạ:

2  1 + cos 2  − 2 M
2
I = F p 2 e
 sin  cos 
2  1 + cos 2 
2
Công thức gần đúng: I = F p 2  (4.19)
Trong đó:  sin  cos 
I: Cường độ
F: yếu tố cấu trúc
p: hệ số nhân (multiplicity factor)
: góc nhiễu xạ
e-2M: hệ số nhiệt độ
38
38
19
10/5/2022
h2 + k2 + l2 SC FCC BCC
1 100
2 110 110
3 111 111
4 200 200 200
5 210
6 211 211
7
8 220 220 220
9 300, 221
10 310 310
11 311 311
12 222 222 222
13 320
14 321 321
15
16 400 400 400
17 410, 322
18 411, 330 411, 330
39
19 331 331
39
Các lưu ý
⚫ Với cấu trúc BCC, với 2 mặt phẳng đầu tiên {110}
và {200}.
Sin 2 A (12 + 12 + 0 2 )
Tỷ lệ: = = 0.5
Sin  B2
(2 + 0 + 0 )
2 2 2
⚫ Với cấu trúc FCC, với 2 mặt phẳng đầu tiên {111}
and {200} planes
Sin 2 A (12 + 12 + 12 )
Tỷ lệ: = = 0.75
Sin  B
2
(2 + 0 + 0 )
2 2 2
40 40
40
20
10/5/2022
Các lưu ý
Cấu trúc?
Phân tích tinh thể
Sin 2 A Sin 2 A
= 0.75 = 0.5
Sin 2 B Sin 2 B
FCC BCC
41 41
41
42
42
21
10/5/2022
PHƯƠNG PHÁP BỘT

(POWDER DIFFRACTION)
❖ Phương pháp bột được sử dụng hầu hết trong

nghiên cứu nhiễu xạ. Mặc dù tên gọi là phương pháp
bột, nhưng mẫu ở dạng tinh thể thì hoàn toàn có thể
sử dụng cho phương pháp bột.
❖ Vì bột gồm vô số vi tinh thể định hướng hỗn loạn cho

nên khi chiếu một tia đơn sắc vào mẫu đa tinh thể,
luôn có thể tìm được có những mặt (hkl) (với d(hkl)
tương ứng) nằm ở vị trí thích hợp, thoã mãn điều
kiện Vulf-Bargg 2dhklsin=n và cho tia nhiễu xạ.
43
43
Nguyên tắc của phương pháp bột:

➢ Sử dụng tia X đơn sắc
➢ Mẫu: ở dạng bột hoặc ở dạng viên nén.
44
44
22
10/5/2022
Một vài kỹ thuật quan trọng cần lưu ý:

❖ Mẫu bột cần được nghiền mịn đến kích thước khoảng
1– 10 m ( tốt nhất là nên cho qua rây).
❖ Nếu mẫu ở dạng viên (khối) cần phải mài nhẵn trước
khi phân tích cấu trúc.
❖ Trường hợp mẫu dạng phiến, sợi, cần lưu ý cách
chuẩn bị mẫu (cho vào khuôn đo) để thu được đầy đủ
các peak nhiễu xạ.
45
45
Hai phương pháp thu kết quả nhiễu xạ tia X từ

phương pháp bột:
➢ Phương pháp Debye-Sherrer.
➢ Phương pháp nhiễu xạ kế.
46
46
23
10/5/2022
Phương pháp CHỤP FILM

Debye - Scherrer
✓ Thiết bị: Phim được lót sát vào
thành trong của một hộp kim loại
hình trụ - gọi là camera. Camera
có bán kính xác định.
✓ Mẫu được đặt trên một giá đỡ
nằm ở trục trung tâm của
camera.
✓ Kết quả: trên phim có những
cung tròn đối xứng qua vết trung
tâm.
✓ Yêu cầu của phương pháp là
vạch nhiễu xạ phải mảnh, có độ
đen đều, nền phim phải sáng để
đọc được các vạch yếu.
47
47

Debye - Scherrer
✓ Phim sau khi rửa được trải Sample
phẳng.
✓ Đo khoảng cách tương đối
giữa các vạch, tính góc phản
xạ, từ đó xác định được các
đặc trưng của tinh thể nghiên
cứu.
Phim
48
48
24
10/5/2022

Debye - Scherrer
✓ Đôi khi người ta đặt một tấm

phim phẳng phía trước hoặc
sau mẫu để hứng các chùm tia
nhiễu xạ.
✓ Trên phim là các vết tròn đồng
tâm.
✓ Cách này có hiệu quả đối với các nhiễu xạ có góc  nhỏ hoặc gần 180o
49
49

Debye - Scherrer
πS1
θ=
2W
Hoặc
π  S2 
θ= 1 − 
2 W
50
50
25
10/5/2022

Debye - Scherrer
Phương pháp xác định:
▪Từ những kết quả ghi nhận được trên phim ảnh, có thể
xác định cấu trúc và thông số mạng của vật liệu:
▪Xác định khoảng cách S1 từ một vạch nhiễu xạ đến tâm
của lỗ đen (tạo bởi chùm tia tới).
▪Đối với chùm tia phản chiếu (nghĩa là khi 2θ > 90°) ta có
thể dùng các khoảng cách S2.
51
51

Debye - Scherrer
❖ Khoảng cách S1 tương ứng với góc nhiễu xạ 2θ. Góc

giữa chùm tia nhiễu xạ và chùm tia tới luôn luôn là 2θ.
❖ Khoảng cách W giữa các chấm đen trên phim ứng với
góc nhiễu xạ θ
 θ có thể được tính như sau:
π  S1 π S
θ= hoặc θ= (1 − 2 )
2W 2 W
52
52
26
10/5/2022

Debye - Scherrer
Theo định luật Bragg nλ = 2dsinθ và khoảng cách d giữa
các mặt trong cùng một họ mặt phẳng hkl được cho bởi
công thức:
a 2
d hkl = và sin  =
2
(h 2 + k 2 + l 2 )
h + k2 + l2
2 2
4a
Từ các kết quả đo S1 → θ →sin2θ tương ứng (lập bảng).
Từ đó tìm hằng số ô mạng a và chọn cấu trúc vật liệu.
Ví dụ: Giả sử cấu trúc của vật liệu (ví dụ SC, BCC, FCC…) để
tính các giá trị (h2+k2+l2).
Có thể đo được cường độ tương đối của một vết bằng cách so sánh độ
đen của nó (I) với độ đen của vết có cường độ mạnh nhất (Io) trên phim.
Cường độ tương đối của một vết được tính bằng: I/Io
53
53

Debye - Scherrer
Ví dụ:
Một vật liệu có cấu trúc lập phương được phân tích X-ray
bằng cách chụp phim Debey, kết quả S1 (mm) có giá trị
như sau: 17, 19.5, 28, 33, 34.5, 40, 43.5, 45.
Cho biết bán kính buồng Debey là 57.35mm, tia X có bước
sóng =0.71069Å.
Xác định:
Cấu trúc lập phương của vật liệu.
Thông số mạng a (Å) của vật liệu.
54
54
27
10/5/2022

Debye - Scherrer
λ 0.71069 Ao R 57.35 mm
W 180.5378 mm
S1 17 19.5 28 33 34.5 40 43.5 45
θ
sinθ
sin2θ aTB
SC 1 2 3 4 5 6 8 9
d
a2
BCC 2 4 6 8 10 12 14 16
d
a2
FCC 3 4 8 11 12 16 19 20
d
a2
55
55

Debye - Scherrer
λ 0.71069 Ao R 57.35 mm
W 180.5378 mm
S1 17 19.5 28 33 34.5 40 43.5 45
22.4329
θ 8.4746795 9.720956 13.9583 16.45085 17.19861 19.94042 21.68521
8
Θ (rad) 0.147 0.169 0.241 0.283 0.296 0.341 0.370 0.382
sin2θ 0.02 0.03 0.06 0.08 0.09 0.12 0.14 0.15 aTB
SC 1 2 3 4 5 6 8 9
f 46.043 70.150 51.559 49.876 57.189 51.586 58.593 61.804
a2 5.814 8.858 6.510 6.298 7.221 6.514 7.398 7.804
BCC 2 4 6 8 10 12 14 16
K 92.087 140.300 103.119 99.753 114.377 103.172 102.537 109.874
a2 11.628 17.716 13.021 12.596 14.442 13.028 12.947 13.874
FCC 3 4 8 11 12 16 19 20
d 138.130 140.300 137.492 137.160 137.253 137.563 139.157 137.343
a2 17.442 17.716 17.361 17.319 17.331 17.370 17.571 17.342
STT 1 2 3 4 5 6 7 8 56
56
28
10/5/2022
DIFRACTOMETER
ewfref
Máy đo nhiễu xạ tia X D8 Bruker.

57
57
DIFRACTOMETER
Cấu tạo của máy đếm nhiễu xạ bột gồm có những bộ phận
chính sau đây:
Ống phát tia X
Bộ lọc đơn sắc: Thường dùng đơn tinh thể để đơn sắc
hoá chùm tia (chùm tia chỉ còn một bước sóng duy nhất, ví
dụ K).
Giá để mẫu: gồm curvet để chứa mẫu bột hoặc mẫu khối
mỏng (viên dẹp). Giá để mẫu cùng với mẫu có thể quay
quanh vị trí để các hệ mặt đều rơi vào góc nhiễu xạ.
58
58
29
10/5/2022
DIFRACTOMETER
Ống đếm: dùng để ghi cường độ tia nhiễu xạ dựa trên

nguyên lý ion hoá chất khí chứa trong ống đếm bởi chùm
tia X nhiễu xạ.
Ống đếm quay từ góc 0o (vị trí của chùm tia xuyên qua)
đến 180o để ghi lại tất cả các nhiễu xạ từ mẫu (nhiễu xạ từ
các họ (hkl)) dưói dạng phổ.
59
59
DIFRACTOMETER
Ống đếm được kết B

C
nối với giá đựng ống đếm
mẫu bằng một hệ Máy phóng tia X

thống cơ khí chính 
xác và chuyển động Giá đỡ
trên cung tròn ABC. A
Góc 2 được đo Vòng giác kế
chính xác.
60
60
30
10/5/2022
DIFRACTOMETER
Ống đếm quay từ

góc 0o 180o, khi
đó tất cả các 
nhiễu xạ từ mẫu
được ghi lại dưới
dạng phổ.
61
61
DIFRACTOMETER
✓Giản đồ nhiễu xạ tia X bao gồm các peak có

cường độ khác nhau. Mỗi peak tương ứng với
một phản xạ của họ mặt (hkl).
✓Hai yếu tố chính quyết định đến hình dạng của
giản đồ nhiễu xạ tia X:
(a) Kích thước và hình dạng của ô mạng đơn vị
(unit cell)
(b) Số nguyên tử và vị trí các nguyên tử trong ô
đơn vị.
62
62
31
10/5/2022
Các Thông Tin Cung Cấp Từ

PHỔ TIA X
Vị trí các peak phổ

❖Vị trí các peak cung cấp các thông tin về hình dạng
và kích thước ô mạng.
Cường độ các peak phổ:

Có thể tính mật độ electron bên trong ô mạng, tức là xác
định được vị trí của các nguyên tử trong ô mạng.
❖ Dựa vào vị trí các peak và cường độ, có thể xác

định tên của khoáng chất, hợp chất…dựa trên các
phổ chuẩn JCPDS.
63
63
Các Thông Tin Cung Cấp Từ

PHỔ TIA X
Hình dạng và bề rộng peak

❖Bề rộng và hình dạng các peak có thể cung cấp
thông tin về sự sai lệch so với tinh thể hoàn hảo (sai
khuyết trong tinh thể)
❖Ngoài ra, từ các thông tin về bề rộng và cường độ
các peak có thể xác định kích thước tinh thể.
64
64
32
10/5/2022
Ví dụ:
PHỔ NHIỄU XẠ TIA X của NaCl
65
65
Các Ứng Dụng Của Phương Pháp

BỘT NHIỄU XẠ TIA X
✓ Xác định tên của vật liệu (tinh thể).

✓ Xác định cấu trúc tinh thể.
✓ Xác định kích thước tinh thể.
✓ Nghiên cứu sự biến đổi cấu trúc của vật liệu theo
nhiệt độ.
✓ Kiểm tra thành phần pha.
✓ Mức độ tinh thê hóa
66
66
33
10/5/2022
PHỔ CHUẨN-JCPDS CARD
❖ Sử dụng file phổ chuẩn về nhiễu xạ bột (được thu thập từ

các tài liệu tham khảo và phản biện bởi ủy ban liên hiệp
phổ nhiễu xạ tiêu chuẩn của Mỹ (Joint Committee on
Powder Diffraction Standards, USA) gọi tắt là JCPDS file.
JCPDS là công cụ để nghiên cứu về cấu trúc vật liệu.
❖ Ví dụ về file JCPDS ở trong hình 4-1 (B D Cullity, Elements
of X-ray Diffraction), sẽ hiểu rõ hơn về cấu tạo của file này.
❖ Phiên bản cũ của file JCPDS là dạng tấm bìa / sách.
67
67
68
68
34
10/5/2022
❖ Ngày nay, file JCPDS được lưu trữ ở dạng file

mềm.
❖ Lưu ý:
✓ Vị trí của peak phổ và cường độ là thông tin rất quan
trọng.
✓ Vị trí của peak phổ có thể mô tả ở giá trị 2 hoặc d (d-
spacing), trong đó d cho nhiều thông tin liên quan đến cấu
trúc tinh thể .
✓ Cần thận trọng khi sử dụng giá trị  để chuyển đổi giữa 2
và d.
69
69
Chất lượng:
: tốt o: độ tin cậy thấp
c: tính toán i: khá tin cậy
70
70
35
10/5/2022
71
71
PHÂN TÍCH PHA ĐỊNH TÍNH
❖ Nguyên tắc cơ bản:

✓Liệt kê tất cả các giá trị d và I của các vạch nhiễu xạ
thu được từ kết quả phân tích.
✓Sắp xếp theo chiều giảm dần giá trị d.
✓So sánh số liệu thực tế của mẫu với cơ sở dữ liệu có
sẵn.
72
72
36
10/5/2022
❖ Phương pháp Hanawalt:

✓ Chọn 3 vạch có cường độ cao nhất (d1- I1 =100%,
d2- vạch lớn thứ 2, d3-vạch lớn thứ 3).
✓ So sánh 3 vạch cao nhất (d-I) với các vạch trong
ngân hàng dữ liệu để xác định được thông tin
ban đầu về pha tinh thể của mẫu:
▪ Khi tìm được d1-I1, tìm đến giá trị gần nhất đối với d2-
I2 ( ~0.01 Å), tương tự đối với vạch thứ 3 (d3-I3).
73
73
❖ Phương pháp Hanawalt:

✓ Xác định sơ bộ pha tinh thể và số của tấm bìa
tương ứng.
✓ So sánh tất cả các peak trong dữ liệu thực
nghiệm và trong tấm bìa để xác định chính xác
pha tinh thể.
✓ Đối với vật liệu đa pha, pha thứ 2 thực hiện
tương tự như pha thứ nhất sau khi khi đã loại bỏ
các vạch của pha thứ nhất.
74
74
37
10/5/2022
VÍ DỤ 1-PHÂN TÍCH PHA
Ví dụ 1:
Bảng 14-1. Số liệu thực nghiệm (d và I/I1)
75
75
Bảng 14-1- Bìa dữ liệu nhiễu xạ tiêu chuẩn của ASTM dành
cho molybdenum carbide (molypdem carbua) (nguồn từ ASTM).
76 76
76
38
10/5/2022
Từ bảng 14.1:
✓Các giá trị của d1, d2 và d3 của chất chưa biết lần lượt là
2.27, 1.50 và 1.34.
✓Độ lớn của các vạch lớn nhất rơi vào khoảng từ 2.29 
2.25 (giá trị d1).
✓Giá trị d2 :1.49  1.51.
✓Giá trị d3 :1.33  1.35.
✓So sánh với bảng 14.2 → Pha cần tìm là Mo2C.
77
77
78
78
39
10/5/2022
Lưu ý:
Để xác định được pha tinh thể một cách nhanh chóng
và chính xác, cần:
❖ Xác định nguồn gốc hình thành mẫu (nguyên liệu,
điều kiện điều chế, thành phần hóa…)
❖ Dự đoán các pha tinh thể có thể tồn tại.
❖ Ghép các phổ cần phân tích với các phổ chuẩn đã
dự đoán (sử dụng origin lab 8.0 software để ghép
phổ).
❖ So sánh với các phổ chuẩn để xác định pha tinh
thể.
79
79
-Các pha có cùng

thành phần hóa
học có thể có các
kiểu nhiễu xạ khác
nhau.
- Sử dụng vị trí và
cường độ tương
đối của các peak để
khớp dữ liệu thực
nghiệm với các
mẫu tham chiếu
trong cơ sở dữ liệu
80
80
40
10/5/2022
Giản đồ nhiễu xạ của một hỗn hợp là tổng của các nhiễu xạ từ
các pha thành phần
81
81
Không thể đoán hàm lượng các pha

tinh thể dựa trên tỷ lệ cường độ tương
đối của các đỉnh nhiễu xạ
Với pp hiệu chuẩn thích hợp, có thể tính

toán hàm lượng của mỗi pha hiện diện
trong mẫu
82
82
41
10/5/2022
Giản đồ nhiễu xạ của hỗn hợp 50% KL TiO2 và 50% KL

Al2O3 •
Peak của TiO2 cao hơn vì TiO2 làm nhiễu xạ tia X hiệu quả
hơn 83
83
VÍ DỤ
Nghiên cứu
sự hình thành
pha MgAl2O4
(từ phản ứng
giữa hai pha
rắn Al2O3 và
MgO).
84
84
42
10/5/2022
Hướng dẫn sử dụng phần mềm “Origin lab 8.0”.
85
85
luong acid nhieu len -> cho

nhieu tap chat + cho nhieu
danh vo dinh hinh hon.
trong qua trinh nung luong acid

bay hoi -> con thieu -> du
Ce02
86
86
43
10/5/2022
XÁC ĐỊNH KÍCH THƯỚC TINH THỂ
Một số hiệu ứng có thể làm thay đổi bề rộng của peak
nhiễu xạ, đó là: kích thước tinh thể, sự xen phủ của các
pic gần nhau…
Nhiễu xạ tia X theo phương pháp bột chỉ xác định kích
thước tinh thể, không xác định được kích thước hạt
1 hạt = một tinh thể 1 hạt = năm tinh thể nhỏ
87
87
88
88
44
10/5/2022
Hướng dẫn sử dụng phần mềm “Origin lab 8.0”

để xác định crystalize size.
89
89
XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC TINH THỂ
Số thứ tự 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
LPĐG H2 +K2+ L2 1 2 3 4 5 6 8 9 10 11
(SC) HKL 100 110 111 200 210 211 220 300 310 311
221
LPTK H2 + K2 + L2 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
(BCC) HKL 110 200 211 220 310 222 321 400 411 420
330
LPTM H2 + K2 + L2 3 4 8 11 12 16 19 20 24 27
(FCC) HKL 111 200 220 311 222 400 331 420 422 333
511
90
90
45

Chuong 3-Nhieu Xa Tia X (9-2022-DH)

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chuong 3-Nhieu Xa Tia X (9-2022-DH)

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

10/5/2022

CÁC NỘI DUNG CHÍNH

❖ Giới thiệu tia X

❖ Định luật Bragg (Bragg’s law)

❖ Các phương pháp phân tích bột

CÁC NỘI DUNG CHÍNH

❖ Phương pháp xác định cấu trúc tinh thể

KHÁI NIỆM TIA X

❖ Tia X là loại sóng điện từ có bước sóng ngắn.

❖ Bước sóng: 10 nm – 1 pm (10-12m)

❖ Năng lượng: 200eV – 1MeV

❖ Bước sóng của tia X sử dụng trong phân tích cấu

trúc: khoảng 1Å (0.1nm).

KHÁI NIỆM TIA X (tt)

William Rontgen đã tìm ra tia X vào năm 1895

KHÁI NIỆM TIA X (tt)

➢ Tia X phát ra từ các ống phát là các bức xạ liên

➢ Mỗi electron mất năng lượng theo các cách khác

KHÁI NIỆM TIA X (tt)

Lượng bức xạ và các khái niệm

❖Khi làm việc ở nơi phân tích tia X:

Lượng bức xạ và các khái niệm

✓ Độ dày của môi trường.

Lượng bức xạ và các khái niệm

Ảnh hưởng sinh học

Ảnh hưởng sinh học

❖Tiếp xúc dài hạn với mức độ tương đối thấp:

Các yêu cầu về an toàn

❖Yêu cầu đối với thiết bị

✓ Vỏ bọc cách ly:

Các yêu cầu về an toàn

Ống phát tia X

Các bộ phận chính phát tia X:

Ống phát tia X

NGUỒN TẠO RA TIA X

Nguyên tắc chung: Tia X được tạo ra trong ống tia

Beam of electrons Target X-rays

NGUỒN TẠO RA TIA X

Chùm tia điện tử từ cathode được gia tốc do điện áp

✓ Phần lớn biến thành nhiệt năng.

NGUỒN TẠO RA TIA X

✓Phổ của tia X là phổ liên tục.

✓Cường độ của vạch đặc trưng phụ thuộc vào thế

NGUỒN TẠO RA TIA X

❖ Chùm tia X sinh ra thoát ra

❖ Chiều dày của Be làm cửa sổ

❖ Be cho phép tia X đi qua, đồng

SỰ HÌNH THÀNH TIA X

Chùm electron của tia tới có

SỰ HÌNH THÀNH TIA X

SỰ HÌNH THÀNH TIA X

❖ Các vạch L, L xuất hiện là do sự chuyển dịch electron

❖ Bức xạ của tia K mạnh hơn K, L .

❖ Trong nghiên cứu nhiễu xạ tia X thường sử dụng tia K

SỰ HÌNH THÀNH TIA X TỪ ANOD ĐỒNG

❖Bức xạ K là bức xạ kép:

❖Trong nhiều trường hợp đặc biệt,

Các đặc trưng của VL làm Anode

Nguyên Z K1 (nm) K2 (nm) K Ngưỡng

Fe 26 0,193736 0,193998 0,193604 7100

Co 27 0,179026 0,179285 0,178897 7700

Ni 28 0,1662 0,1658 0,1500 8300

Cu 29 0,154051 0,154433 0,13922 9000

Mo 42 0,071073 0,071359 0,070930 20000