CÁC PHƯƠNG PHÁP

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC

VẬT LIỆU VÔ CƠ
Chương trình Đại học hệ Chính quy

TS. Nguyễn Ngọc Trí Huỳnh

nnthuynh@hcmut.edu.vn

02/2023
Tuần 8
Buổi 6
 ❑ Zirconia lập phương tâm mặt rất giống kim cương.
❑ Nhưng loại đá quý tổng hợp này mềm hơn và nhẹ hơn với các cạnh tròn
hơn hoặc mịn hơn, đồng thời dễ bị hao mòn hơn.

❑ Do sự tương đồng về mặt quang học của nó với kim cương, thường khó
phân biệt được bằng mắt thường. Kim cương giá cả phải chăng vẫn đắt hơn
zirconia khoảng 100 lần mỗi carat.
❑ Với XRF, chỉ mất vài giây để phân biệt.

❑ Kim cương là carbon nguyên chất, vì vậy không nhìn thấy được đối với XRF.
Carbon nằm ngoài phạm vi phát hiện của XRF.
❑ Dù không thể trực tiếp phát hiện thành phần của kim cương, nhưng sự có
mặt và không có Zr có thể được sử dụng để phân biệt hàng giả.
ND = undetectable
https://www.olympus-ims.com/en/insight/shining-like-a-diamond-or-rhinestone-identifying-precious-gems-with-xrf-analyzers/
 Ngọc trai thật
Hàm lượng CaCO3 rất cao

LE = light elements
https://www.olympus-ims.com/en/insight/shining-like-a-diamond-or-rhinestone-identifying-precious-gems-with-xrf-analyzers/
 Dương tính

❑ Các phép đo XRF định lượng và phản ứng chuỗi polymerase

phiên mã ngược định lượng (qRT-PCR) xác định số lượng bản
sao của virus → các mẫu cho điểm âm tính có thể chứa tới
100PFU (tương đương 10000 bản sao RNA/xét nghiệm).

Âm tính giả

C = control, T = test
Koller, Garrit, et al. "More than the eye can see: shedding new light on sars-cov-2 lateral flow device-based immunoassays." ACS applied materials & interfaces 13.22 (2021): 25694-25700.
Tiwari, M. K., et al. "Non-destructive surface characterization of float glass: X-ray reflectivity and grazing
incidence X-ray fluorescence analysis." Journal of non-crystalline solids 351.27-29 (2005): 2341-2347.
 Tóm tắt buổi học trước
❑ Có khả năng phân tích định tính và định lượng là
thế mạnh của XRD.

❑ Các ứng dụng của XRD ngày căng trở nên quan
trọng trong các ngành công nghiệp silicat, đặc biệt
là xi-măng Portland.

❑ Phần mềm là công cụ hỗ trợ đắc lực trong phân

tích phổ XRD. Tuy nhiên, kiến thức, kinh nghiệm
vẫn không thể thay thế.
 Các chủ đề chính 1
T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18

Phương pháp huỳnh quang tia X

Tuần
8 3.1. Nguyên tắc phân tích
3.2. Định tính bằng huỳnh quang tia X
3.3. Định lượng bằng huỳnh quang tia X
3.4. Một số lưu ý
 Phương pháp huỳnh quang tia X 2
3.1 3.2 3.3 3.4
Xem lại về nguồn tạo tia
Nguyên tắc phân tích X…

❑…

Xem lại về tương tác của điện tử,

sóng điện từ với vật liệu…

https://www.youtube.com/watch?v=1-ga0qzRtfs
 Phương pháp huỳnh quang tia X XRF là phát xạ đặc trưng 3
của các nguyên tố khi bị
3.1 3.2 3.3 3.4 kích thích bởi tia X sơ cấp,
tia gamma mềm hay các
hạt mang điện có năng
Nguyên tắc phân tích lượng thích hợp.

❑…

Được sử dụng rộng rãi trong phân

tích hóa học, phân tích thành phần
nguyên tố, đặc biệt ứng dụng nhiều
trong khảo sát kim loại; thủy tinh;
gốm sứ và vật liệu xây dựng, cũng
như nghiên cứu địa chất; khoa học
khảo cổ và nghệ thuật.

https://www.youtube.com/watch?v=93bTw8Xcc8M&t=44s
 Phương pháp huỳnh quang tia X Cảm biến CCD (Charge
Coupled Device-linh kiện
4
tích điện kép) là cảm
4.1 4.2 4.3 4.4 biến chuyển đổi hình
ảnh quang học sang tín
Nguyên tắc phân tích hiệu điện trong các máy
thu nhận hình ảnh.
❑ Nguyên lý

Ống chuẩn trực

Chùm tia X Cảm biến CCD mảng diện hai
chiều dùng trong camera video,
webcam, máy ảnh, kính nhìn đêm
(Night vision),... Cảm biến CCD
dòng đơn dùng trong máy fax,
Gá chứa scan, máy đo quang phổ.
mẫu
Cảm biến CCD
Ống phát tia X
 Phương pháp huỳnh quang tia X 5
Đế tiến hành phân
4.1 4.2 4.3 4.4 tích cần xác định
năng lượng và cường
Nguyên tắc phân tích độ của các tia X đặc
trưng của mẫu.
❑ Nguyên lý

❑ Phương pháp đo phân dải năng lượng của tia X sử dụng

detector bán dẫn Si vận hành đơn giản, kết quả chính xác và
một detector có thể đo đồng thời nhiều tia X đặc trưng cho
nhiều nguyên tố.
Thực tế, có thể đo độ phân giải
bước sóng (wavelength
❑ Vì vậy, phương pháp đo phân dải năng lượng được sử dụng dispersive-WD) hay đo độ phân
giải năng lượng (energy
rất phổ biến. dispersive-ED) của tia X.
 Phương pháp huỳnh quang tia X 6
Trường hợp sử
dụng các chùm hạt
4.1 4.2 4.3 4.4 mang điện để kích
thích nguyên tố phát
Nguyên tắc phân tích tia X đặc trưng,…

❑ Nguyên lý
❑ Năng lượng tia X đặc trưng cho lớp K của các nguyên tố trải
rộng từ vài keV đến khoảng 100keV, còn các tia X đặc trưng
của lớp L thì cực đại ở khoảng 20keV.
❑ Trong ứng dụng thực tế phân tích nguyên tố thường đo các …đặc biệt là sử
dụng chùm proton
tia X có năng lượng từ vài keV tới vài chục keV. còn gọi là phương
pháp PIXE (Proton
❑ Đối với nhiều nguyên tố thì các tia X lớp K luôn là sự lựa chọn Induced X-ray
Emission).
đầu tiên.
❑ Để kích thích các nguyên tố phát ra tia X đặc trưng có thể sử
dụng tia X, tia gamma mềm, các hạt mang điện hoặc các
chùm ion.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Ngày nay, các máy
gia tốc sinerotron
7
(Synchrotron) còn
4.1 4.2 4.3 4.4 cung cấp một nguồn
photon mới, đó là
Nguyên tắc phân tích bức xạ sinerotron
với mật độ thông
❑ Nguyên lý lượng rất lớn,…

❑ Phương pháp phân tích huỳnh quang tia X đã được triển khai
rộng rãi trong nhiều lĩnh vực nghiên cứu và ứng dụng vì nó có
độ nhạy và độ chính xác cao, có khả năng phân tích đồng thời
nhiều nguyên tố và mẫu phân tích không bị phá hủy.
…có thể sử dụng như
một nguồn kích thích
❑ Nhờ tốc độ nhanh nên phương pháp phân tích huỳnh quang tia tia X siêu mạnh và
cho độ nhạy phân tích
X còn có thế ứng dụng để kiểm tra hoặc điều chỉnh các quá cao hơn nhiều so với
sử dụng các nguồn
trình nghiên cứu và sản xuất. kích thích tia X khác.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Như đã đề cập trong
Chương 2 về các tương tác
8
của sóng điện từ và điện tử
4.1 4.2 4.3 4.4 với vật liệu, tia X có thể bị
nguyên tử hấp thụ và
Nguyên tắc phân tích chuyển toàn bộ năng lượng
của nó cho một điện tử lớp
❑ Vai trò trong cùng.

❑ Mẫu được đặt dưới chùm photon năng lượng cao do ống tia X
tạo ra. Nếu tia X sơ cấp có đủ năng lượng, các điện tử sẽ bị
đẩy ra khỏi lớp vỏ bên trong và tạo ra các lỗ trống (hole).
❑ Những lỗ trống như vậy tạo ra một nguyên tử không ổn định và Phân tích phổ huỳnh quang tia X
khi nguyên tử trở lại trạng thái ổn định của nó, các điện tử từ (X-ray fluorescence - XRF) là một
phương pháp không phá hủy
các lớp vỏ bên ngoài chuyển sang các lớp vỏ bên trong. được sử dụng rộng rãi để xác
định thành phần nguyên tố của
❑ Trong quá trình này, một tia X đặc trưng được phát ra với năng vật liệu.

lượng bằng hiệu giữa hai năng lượng liên kết của các lớp vỏ
nguyên tử tương ứng.
❑ Mỗi phần tử chứa một bộ mức năng lượng duy nhất, mỗi phần
tử tạo ra tia X với một bộ năng lượng duy nhất.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Bức xạ tia X thứ cấp tạo ra 9
từ mẫu bao gồm các bước
sóng khác nhau có nguồn
4.1 4.2 4.3 4.4 gốc từ các nguyên tố khác
nhau có trong mẫu.
Nguyên tắc phân tích
❑ Vai trò
❑ Hai loại phổ kế XRF chính là huỳnh quang tia X tán sắc theo
bước sóng và huỳnh quang tia X phân tán năng lượng.
❑ Trong phép đo phổ XRF tán sắc theo bước sóng (Wavelength-
Dispersive XRF - WDXRF), mẫu được chiếu xạ trong buồng Bức xạ thứ cấp được dẫn qua
chân không bởi các tia X sơ cấp của nguồn tia X. một ống chuẩn trực chỉ cho phép
các tia X có phương truyền song
❑ Trong WDXRF, sự quay của tinh thể giúp nó có thể phát hiện ra song đi qua. Các tia X đến tinh
thể Bragg nơi chúng bị phản xạ
các tia X có bước sóng khác nhau. theo định luật Bragg.

❑ Bức xạ được chọn bởi gương phản xạ Bragg đi qua ống chuẩn
trực thứ hai trước khi nó đến máy dò. Tín hiệu có thể được
chuyển đổi thành phổ, hoặc nếu chỉ một số yếu tố được quan
tâm, cường độ của các bước sóng thích hợp sẽ được ghi lại.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Bức xạ tia X thứ cấp tạo ra 10
từ mẫu bao gồm các bước
sóng khác nhau có nguồn
4.1 4.2 4.3 4.4 gốc từ các nguyên tố khác
nhau có trong mẫu.
Nguyên tắc phân tích
❑ Vai trò

Bức xạ thứ cấp được dẫn qua

một ống chuẩn trực chỉ cho phép
các tia X có phương truyền song
song đi qua. Các tia X đến tinh
thể Bragg nơi chúng bị phản xạ
theo định luật Bragg.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Sự phát triển của máy 11
dò bán dẫn đã cho
4.1 4.2 4.3 4.4 phép phát triển các
dụng cụ mà không
cần sự phân tán trước
Nguyên tắc phân tích bằng cách sử dụng
gương phản xạ
❑ Vai trò Bragg: các photon tia
X đi vào máy dò
(chẳng hạn như
❑ Thiết bị XRF phân tán năng lượng (Energy-dispersive XRF- lithium-silicon) tạo ra
một tín hiệu có thể
EDXRF) đã được phát triển rất mạnh mẽ và cho phép sản xuất phát hiện được.
dạng thiết bị phân tích di động.

❑ Trong khi XRF tán sắc theo bước sóng đo bước sóng, EDXRF
đo năng lượng của bức xạ huỳnh quang. Tín hiệu được tạo ra trong
phương pháp này yếu và phải
được khuếch đại.
❑ Trong khi độ phân giải phổ thu được trong EDXRF kém hơn so
với WDXRF, EDXRF có lợi thế là thiết bị đo đơn giản hơn và ít
tốn kém hơn.
 Phương pháp huỳnh quang tia X 12
Việc đơn giản hóa công cụ
4.1 4.2 4.3 4.4 có nghĩa là các thiết bị cầm
tay có thể được phát triển.
Nguyên tắc phân tích
❑ Vai trò

❑ Máy đo phổ XRF hiển vi cũng đã được phát triển, cho phép
kiểm tra một vùng rất nhỏ của bề mặt mẫu.

❑ Điều này cho phép nghiên cứu sự phân bố của các phần tử
Với các thiết bị tiêu chuẩn, ống tia
trong mẫu vật liệu. X được sử dụng làm nguồn phát,
các thiết bị cầm tay có thể sử
dụng nguồn đồng vị phóng xạ để
❑ Các thiết bị này cũng có thể tạo ra độ phân giải 70-100µm. cho phép kiểm tra nhanh các mẫu
vật liệu.

❑ Sự phát triển gần đây của đồng tiêu µ-XRF (micro XRF) cho
phép thực hiện xác định độ sâu.
 Phương pháp huỳnh quang tia X 13
Việc đơn giản hóa công cụ
4.1 4.2 4.3 4.4 có nghĩa là các thiết bị cầm
tay có thể được phát triển.
Nguyên tắc phân tích
❑ Chuẩn bị mẫu

Với các thiết bị tiêu chuẩn, ống tia

X được sử dụng làm nguồn phát,
các thiết bị cầm tay có thể sử
dụng nguồn đồng vị phóng xạ để
cho phép kiểm tra nhanh các mẫu
vật liệu.

https://www.youtube.com/watch?v=pOjpXUnFZY8
 Phương pháp huỳnh quang tia X Ví dụ, muốn có tia X
14
CuK a (8,04keV) thì
4.1 4.2 4.3 4.4 điện thế kích thích của
ống phát tia X phải đạt
Định tính bằng huỳnh quang tia X giá trị 24kV trở lên.

❑ Nguyên tắc
➢ Mỗi một nguyên tố trong bảng tuần hoàn các nguyên tố (trừ H
và He) đều có các tia X đặc trưng của chúng. Để nhận được
bức xạ tia X cần thiết, điện thế kích thích (bức xạ tới) cần lớn
gấp ba lần trở lên so với năng lượng phát xạ tia X.
➢ Phân tích định tính phát hiện sự tồn tại của các nguyên tố hóa Trong trường hợp
phân tích định tính
học trong mẫu phân tích. không có mẫu
chuẩn.
➢ Dưới sự kích thích của bức xạ tia X đủ mạnh, các nguyên tử
trong mẫu đều hấp thụ tia X sơ cấp, kết quả là bức xạ ra tia X
đặc trưng của các nguyên tố có trong mẫu. Do vậy, trên phổ
huỳnh quang tia X sẽ hiện ra tất cả các đỉnh đặc trưng của
các nguyên tố.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Tuy nhiên, trong
15
nhiều trường họp
4.1 4.2 4.3 4.4 mẫu chứa cả các
nguyên tố nặng và
Định tính bằng huỳnh quang tia X nhẹ,…

❑ Nguyên tắc
➢ Mỗi một nguyên tố trong bảng tuần hoàn các nguyên tố (trừ H
và He) đều có các tia X đặc trưng của chúng. Để nhận được
bức xạ tia X cần thiết, điện thế kích thích (bức xạ tới) cần lớn
gấp ba lần trở lên so với năng lượng phát xạ tia X.
…đòi hỏi phải sử
dụng hai hay nhiều
➢ Phân tích định tính phát hiện sự tồn tại của các nguyên tố hóa lần nguồn tia X kích
học trong mẫu phân tích. thích với cường độ
khác nhau để tránh
hiện tượng không
➢ Dưới sự kích thích của bức xạ tia X đủ mạnh, các nguyên tử phát hiện ra các
nguyên tố nhẹ do dập
trong mẫu đều hấp thụ tia X sơ cấp, kết quả là bức xạ ra tia X tắt huỳnh quang tia X.
đặc trưng của các nguyên tố có trong mẫu. Do vậy, trên phổ
huỳnh quang tia X sẽ hiện ra tất cả các đỉnh đặc trưng của
các nguyên tố.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Ví dụ, nghiên cứu
µ-XRF mẫu kính La
16
Mã đã định lượng
4.1 4.2 4.3 4.4 các nguyên tố chính
và vi lượng. Thủy
Định tính bằng huỳnh quang tia X tinh La Mã có thành
phần 66-72% silicon
❑ Thuỷ tinh dioxide, 16-18% oxit
natri và 7-8% canxi
oxit.
➢ XRF hiệu quả để xác định thành phần hoá của thủy tinh, đặc
biệt là sản phẩm thuỷ tinh có niên đại lâu năm,… và cung cấp
thông tin về nguyên liệu cũng như công nghệ sản xuất.
Thành phần nguyên
➢ Khả năng phân tích “dấu vết” của XRF giúp phân loại kính. tố chính được dùng
để xác nhận các sản
phẩm này là của
➢ Những yếu tố này liên quan đến màu sắc của thủy tinh và người La Mã, xác
định nguyên tố vi
đồng, thiếc, và chì có thể bắt nguồn từ các vụn đồng được lượng cung cấp
thêm vào thủy tinh để tạo ra màu xanh lá cây với antimon thông tin cụ thể hơn.

được thêm vào để tạo độ trong suốt.

 Phương pháp huỳnh quang tia X Trong nghiên cứu
này, phân tích cụm
17
được thực hiện đối
4.1 4.2 4.3 4.4 với dữ liệu XRF của
các mẫu thủy tinh La
Định tính bằng huỳnh quang tia X Mã và các mẫu có
thể được phân loại
❑ Thuỷ tinh thành một trong hai
nhóm.

➢ Có thể nghiên cứu sự ăn mòn thủy tinh bằng kỹ thuật XRF.

➢ Phân tích nguyên tố của các lớp ăn mòn có thể cung cấp hiểu
biết tốt hơn về cơ chế ăn mòn bằng cách định lượng sự di
Có sự khác biệt
chuyển của các phần tử. đáng kể trong các
nhóm về nồng độ
trung bình của đồng,
thiếc, chì và
antimon.
 Phương pháp huỳnh quang tia X 18
Có thể lấy một lượng
4.1 4.2 4.3 4.4 nhỏ mẫu để xác định
độ phá hủy chính xác
Định tính bằng huỳnh quang tia X hơn bằng cách sử
dụng WDXRF.

❑ Gốm sứ

❑ Gốm sứ có tính chất liên hệ mật thiết với các đặc tính của đất
sét hoặc nhiệt độ nung, nên XRF có thể được sử dụng để xác
định các yếu tố đặc trưng trong gốm sứ có xuất xứ đã biết và
chưa biết.

❑ Các phương pháp thống kê đa biến như (Principal Ngoài ra, có thể áp
Component Analysis – PCA) thường được sử dụng để giải dụng cách tiếp cận
không phá hủy bằng
thích dữ liệu. EDXRF.
 Phương pháp huỳnh quang tia X
4.1 4.2
Định tính bằng huỳnh quang tia X
❑ Gốm sứ
➢ Hàm lượng của các nguyên tố
titan, mangan, sắt, coban,
niken, đồng, kẽm, gali, chì,
rubidi, stronti, yttrium và
zirconium được xác định trên
bề mặt của các mẫu sứ.
➢ Khi đồ giả đã được sửa đổi có
chủ ý để tạo ra phổ EDXRF
tương tự như phổ của đồ sứ
nguyên bản.
Sử dụng EDXRF
nghiên cứu đồ sứ
19
màu xanh và trắng
4.3 4.4 của Trung Quốc thời
Minh và so sánh với
đồ sứ giả hiện đại.
Sự giống nhau về
dạng của hổ chứng
tỏ rằng có thể khá
khó xác định niên đại
của một đồ sứ chỉ
từ một nghiên cứu
định tính.
Tuy nhiên, phân
tích định lượng
bằng cách sử dụng
PCA đã chứng minh
rằng đồ sứ giả
không thể thuộc vào
bất kỳ cụm đồ vật
nào của nhà Minh.
Vì vậy, sẽ đáng tin
cậy hơn nếu xem
xét tất cả các yếu tố
cùng nhau khi
nghiên cứu xuất xứ
của gốm sứ.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Ví dụ, nghiên cứu về
hồng ngọc tự nhiên
20
và tổng hợp cho thấy
4.1 4.2 4.3 4.4 rằng dạng tự nhiên
chứa kali, titan,
Định tính bằng huỳnh quang tia X crom, sắt, đồng,
kẽm, stronti và bari
❑ Khoáng vật trong khi dạng tổng
hợp chứa crom,
niken, đồng và kẽm.
➢ EDXRF cung cấp một kỹ thuật không phá hủy nhanh và nhạy
để xác định đặc tính của đá quý.
➢ Thiết bị XRF di động cung là một kỹ thuật không phá hủy để mô
tả đặc tính của đá quý. Sắt được quan sát
thấy đối với tất cả các
viên hồng ngọc tự
➢ Nghiên cứu về đá đỏ trong đồ trang sức Hy Lạp được thực hiện nhiên từ các quốc gia
bằng XRF, cũng như PIXE, để xác định nguồn gốc địa lý. khác nhau đã được
nghiên cứu, và các
viên hồng ngọc tổng
➢ Đá được công nhận là ngọc hồng lựu khi xác định các nguyên hợp không chứa sắt.

tố vi lượng, như crom và yttri (có thể được sử dụng để phân loại
granit đỏ thành các loại khác nhau).
 Phương pháp huỳnh quang tia X Ví dụ, đối với huỳnh quang
tia X (WD-XRF, ED-XRF)
21
thì chùm tia kích thích là
4.1 4.2 4.3 4.4 tia X, còn đối với SEM-
EDX và SEM -W DS thì tia
Định lượng bằng huỳnh quang tia X kích thích là chùm tia
điện tử.
❑ Nguyên tắc

❑ Phân tích định lượng thành phần nguyên tố trong mẫu rắn
bằng XRF thuộc nhóm phân tích hiện đại, đòi hỏi các kiến
thức vật lý và hóa học.
Các phân tích XRF như
❑ Các nhóm phân tích nêu trên có những điểm chung về bức xạ SEM/EDX, SEM/WDS, WDXRF,
tia X đặc trưng phát ra từ mẫu, nhưng có những điểm riêng ED-XRF hay máy ED-XRF xách
tay đều có chương trình riêng
phụ thuộc vào chùm tia kích thích. cho phân tích định lượng kèm bộ
“mẫu chuẩn” cho các phương
pháp phân tích tương ứng.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Chương trình hiệu
chỉnh ba tác nhân
22
này gọi chung là
4.1 4.2 4.3 4.4 ZAF. Các tác nhân
này tác động lên
Định lượng bằng huỳnh quang tia X mầu khác nhau khi
sử dụng nguồn bức
❑ Nguyên tắc xạ kích thích khác
nhau, thí dụ kích
thích bằng chùm tia
❑ Với hai trường họp WD-XRF và ED-XRF, chùm tia X kích điện tử (như EDX)
hay bức xạ tia X.
thích có cường độ Iex nào đó chiếu lên mẫu, từ mẫu phát ra
các bức xạ tia X đặc trưng của các nguyên tố “i” với cường độ
Ii (1, 2, 3, ...) chịu ảnh hưởng bởi ba tác nhân quan trọng phải
Đó là vì điện tử và tia X có khả
kể đến khi phân tích định lượng, đó là: năng xuyên sâu vào trong mầu
khác nhau, do đó chúng ta cần
phải có chương trình ZAF riêng
➢ Tác nhân số nguvên tử (Z). cho từng trường họp XRF hay
EDX.

➢ Tác nhân hấp thụ (A).

➢ Tác nhân huỳnh quang (F).

 Phương pháp huỳnh quang tia X 23
Chiều sâu xuyên qua bề
4.1 4.2 4.3 4.4 mặt mẫu là yếu tố quan
trọng ảnh hướng lên các
Định lượng bằng huỳnh quang tia X yếu tố trên.

❑ Nguyên tắc

❑ Hiệu ứng Z trong XRF.

➢ Nhìn chung, trong phân tích XRF, ảnh hưởng của thành phần
nguyên tố hóa học (có nguyên tử số Z) ảnh hưởng rất lớn lên
cường độ huỳnh quang (li) của nguyên tố cần phân tích.
Độ xuyên sâu càng lớn thì ảnh
hưởng càng mạnh đến hấp thụ
➢ Các hiệu ứng này sinh ra do sự khác biệt trong cả hấp thụ lần và huỳnh quang.

huỳnh quang của bức xạ kích thích và bức xạ thứ cấp.

 Phương pháp huỳnh quang tia X 24
Điều này phụ thuộc sự
4.1 4.2 4.3 4.4 dập tắt hay tăng cường
hệ số hấp thụ khối lượng.
Định lượng bằng huỳnh quang tia X
❑ Nguyên tắc

❑ Hiệu ứng hấp thụ (A) trong XRF.

➢ Bất kỳ nguyên tố nào có trong mẫu cũng có thể hấp thụ hay
tán xạ cường độ huỳnh quang của nguyên tố cần phân tích.
Sự giảm mạnh cường độ huỳnh
quang của nguyên tố phân tích
➢ Hiệu ứng này xảy ra khi thay đổi thành phần hóa học làm sẽ nhận được khi hàm lượng của
các nguyên tố xung quanh (có
thay đối hệ số hấp thụ cả bức xạ kích thích (sơ cấp) và bức nguyên tử số nhỏ hơn) trở nên
lớn hơn hàm lượng nguyên tố
xạ huỳnh quang (thứ cấp) của nguyên tố cần phân tích. phân tích.

➢ Hiệu ứng hấp thụ có thể làm tăng hay giảm cường độ bức xạ
tia X huỳnh quang của nguyên tô phân tích.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Cơ chế của hiệu ứng tăng 25
cường liên quan đến tái
4.1 4.2 4.3 4.4 chuyển dời năng lượng
bức xạ sơ cấp dưới dạng
bức xạ thứ cấp (huỳnh
Định lượng bằng huỳnh quang tia X quang) của các nguyên tố
trung gian.
❑ Nguyên tắc

❑ Hiệu ứng F trong XRF- hiệu ứng huỳnh quang tăng cường.

➢ Tia X đặc trưng của một nguyên tố kích thích nguyên tố khác
trong cùng một mẫu làm tăng tín hiệu huỳnh quang của
Năng lượng bức xạ thứ cấp này
nguyên tố bị kích thích. lớn hơn một chút so với bờ hấp
thụ của nguyên tố phân tích. Do
đó, nguyên tố phân tích bị kích
➢ Hiệu ứng này liên quan đến kích thích bổ sung của nguyên tử thích mạnh lên hơn so với
trường họp chỉ bị kích thích bởi
thuộc nguyên tố phân tích bởi bức xạ huỳnh quang của các bức xạ sơ cấp.
nguyên tố trọng chất nền.

➢ Trong trường họp này có thể gây ra hiện tượng kết họp (giao
thoa sóng tia X).
 Phương pháp huỳnh quang tia X Trong đó Ii là cường độ
huỳnh quang của nguyên
26
tố phân tích, Ic là cường
4.1 4.2 4.3 4.4 độ huỳnh quang của
nguyên tố mẫu chuẩn,
Định lượng bằng huỳnh quang tia X KZAF là hệ số hiệu
chỉnh ZAF.
❑ Nguyên tắc

❑ Trong phân tích định lượng XRF, để có được giá trị hàm
lượng các neuyên tố cần phải có các mẫu chuẩn, mẫu tinh
khiết hoặc hợp chất đã được biết chính xác sự phụ thuộc của
cường độ tia X huỳnh quang và hàm lượng (hàm lượng Hệ số KZAF càng
nguyên tử) của nguyên tố này. chính xác bao nhiêu
thì kết quả phân tích
thành phần hóa học
❑ Khi đó hàm lượng của một nguyên tố i nào đó (Ci) sẽ được trong mầu bằng
phương pháp XRF
xác định bới tỷ số: càng chính xác bấy
Ii nhiêu.

Ci = k ZAF
IC
 Phương pháp huỳnh quang tia X Để có kết quá tính KZAF 27
một cách chính xác đòi
4.1 4.2 4.3 4.4 hỏi các bộ mẫu chuẩn…

Định lượng bằng huỳnh quang tia X

❑ Nguyên tắc

❑ Việc thiết lập hệ số KZAF đòi hỏi các dừ liệu thực nghiệm và
chương trình tính toán rất lớn.

❑ Vì vậy, khi mua thiết bị phân tích huỳnh quang XRF bao giờ
…khác nhau cho các
cũng cần mua cả phần mềm phân tích định lượng, trong đó loại mầu phân tích
có hệ số hiệu chỉnh ZAF. khác nhau, hợp kim
hai, ba hoặc nhiều
thành phần đến hợp
❑ Giá trị chi phí cho phần mềm chiếm tỷ trọng đến hơn 1/3 giá chất.

thành của thiết bị.

 Phương pháp huỳnh quang tia X Phương pháp hợp nhất
(fusion bead) tạo ra các
28
mẫu đồng nhất và thích
4.1 4.2 4.3 4.4 hợp để phân tích bằng
phương pháp tham số cơ
Định lượng bằng huỳnh quang tia X bản (Fundamental
Parameter - FP) trong
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng XRF.

❑ Trong quá trình nung chảy, tất cả các nguyên tố không phải
oxit trong mẫu đều bị oxy hóa và xảy ra hiện tượng “tăng khi
nung” (Gain On Ignition - GOI).
❑ Các nguyên tố dễ bay hơi như cacbon không còn lại trong Đối với phương pháp nung chảy
này, chất trợ nung (chất chảy)
mẫu do kết quả của phản ứng tổng hợp. chảy đóng vai trò quan trọng
trong việc hòa tan vật liệu tạo
mẫu đĩa thủy tinh (glass bead) để
❑ Quá trình này được gọi là “mất khi nung” (Loss On Ignition - đưa vào máy phân tích.
LOI).
❑ Để có được kết quả phân tích đáng tin cậy, các thay đổi trọng
lượng do LOI và GOI phải cần được phản ánh chính xác
trong tính toán.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Phương pháp nhất là một
phương pháp hiệu quả để
29
loại bỏ tính không đồng
4.1 4.2 4.3 4.4 nhất trong mẫu bột như ảnh
hưởng khoáng và kích
Định lượng bằng huỳnh quang tia X thước hạt,…

❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng

❑ Tất cả các nguyên tố trong mẫu đều bị oxy hóa ở dạng hạt
hợp nhất.

❑ Các hợp chất và hàm lượng dưới dạng oxit phải được sử
dụng trong tính toán định lượng.
…có thể gây ra sai số phân
tích trong XRF.
❑ Tổng hàm lượng được chuyển đổi dưới dạng oxit vượt quá
100% và sự tăng khối lượng do quá trình oxy hóa được coi
là GOI.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Nói chung, phương pháp
hiệu chuẩn theo kinh
30
nghiệm với các hiệu chỉnh
4.1 4.2 4.3 4.4 sử dụng hệ số ảnh hưởng
được sử dụng cho phương
Định lượng bằng huỳnh quang tia X pháp hợp nhất (ISO9516-1:
2003E).
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng
❑ Khối lượng do phản ứng tổng hợp bao gồm LOI, GOI và
chất oxy hóa được minh họa như sau.

Trong trường hợp này, có thể thu

được các hệ số hiệu chỉnh hiệu
quả bằng phương pháp FP.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Hàm lượng của các
nguyên tố dễ bay hơi như
31
carbon trong các hợp kim
4.1 4.2 4.3 4.4 sắt được coi là LOI và
được hiệu chỉnh trong
Định lượng bằng huỳnh quang tia X phương pháp FP.

❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng
❑ Các nguyên tố dễ bay hơi như cacbon không tồn tại trong hạt
hợp nhất sau nung.

❑ Hàm lượng dưới dạng

thành phần oxit trong hạt Hàm lượng quy đổi
dưới dạng thành
nung chảy thu được với tỷ phần oxit trong hạt
nung chảy được sử
lệ khối lượng của chất oxy dụng trong tính toán
cường độ lý thuyết
hóa còn lại và khối lượng trong phương pháp
trợ dung vào mẫu. FP.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Hàm lượng mà tại đó 32
cường độ đo được và
4.1 4.2 4.3 4.4 cường độ lý thuyết khớp
nhau…
Định lượng bằng huỳnh quang tia X
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng
❑ Hàm lượng dựa trên mẫu gốc ban đầu được sử dụng để định
lượng.

❑ Khối lượng của mỗi thành

phần thay đổi bởi quá trình
oxy hóa do kết quả của
quá trình nung chảy. …được thu được
lặp đi lặp lại trong
quy trình này.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Trong trường hợp Fe,
lượng Fe2O3 tăng theo
33
hệ số từ 1,429 đến
4.1 4.2 4.3 4.4 35,7%. Carbon bị bay
hơi và không ở lại
Định lượng bằng huỳnh quang tia X trong hạt hợp nhất và
được coi là LOI. Tăng
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng khối lượng do quá
trình oxy hóa được coi
là GOI và coi là LOI
❑ Xét ví dụ Fe, Mn và Si bị oxi hóa. âm. Tổng hàm lượng
quy đổi dưới dạng oxit
vượt quá 100% trong
các mẫu không phải
oxit, lên đến 134%.

Sự khác biệt giữa

100% và tổng %
dưới dạng oxit là
tổng LOI và GOI.
Do đó, việc chuẩn
hóa tổng nồng độ
đến 100% không
nên được đưa vào
tính toán hàm
lượng.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Wi: là hàm lượng dựa
trên mẫu (gốc). Ci: là
34
nồng độ dựa trên hạt
4.1 4.2 4.3 4.4 (sau nung chảy). Ba
phương trình trên đây
Định lượng bằng huỳnh quang tia X là nồng độ của thành
phần mẫu Ci, chất trợ
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng dung CF và chất oxy
hóa còn lại CX. RX: là
tỷ lệ khối lượng của
❑ Cường độ lý thuyết của tia X huỳnh quang được tính toán cho chất oxy hóa còn lại
trong hạt hợp nhất với
các hàm lượng nhất định dựa trên hạt hợp nhất. mẫu. RF: là tỷ lệ khối
lượng của chất trợ
dung với mẫu.
❑ Hàm lượng dựa trên hạt dưới dạng oxit được sử dụng trong
tính toán cường độ lý thuyết. Điều quan trọng là

Wtoång =  Wi
Wtổng là tổng của
 Wi tất cả các nồng độ
 Ci = i  LOI oxit không bao gồm

 Wtoång + R X + R F LOI. Ngoài ra,

những thay đổi về
 khối lượng mẫu như
 RF
 FC = LOI, GOI và chất

 Wtoång + R X + R F oxy hóa trong quá

trình phản ứng tổng
 RX
hợp cũng phải được
C W = xem xét khi tính
toán nồng độ.
 Wtoång + R X + R F
 Phương pháp huỳnh quang tia X 35
4.1 4.2 4.3 4.4
Sự thay đổi khối lượng
Định lượng bằng huỳnh quang tia X của chất oxy hóa cũng
được xem xét.
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng
❑ Xét ví dụ minh hoạ cụ thể sau đây cho thấy những thay đổi
của khối lượng thành phần trong quá trình nung chảy, có thể
gây ra sai số phân tích.
Khi natri nitrat được
thêm vào làm chất
oxy hóa, natri nitrat
(X) bị phân hủy
trong quá trình phản
ứng tổng hợp và
natri oxit (X’) còn lại
ở trong hạt sau
nung trong khi oxit
nitơ bay hơi.
 Phương pháp huỳnh quang tia X S: là mẫu. B: là hạt hợp nhất
sau nung. F: là chất trợ 36
dung. X: là chất oxy hóa. S':
4.1 4.2 4.3 4.4 là mẫu còn lại trong hạt. F':
là chất chảy trong hạt hợp
Định lượng bằng huỳnh quang tia X nhất sau nung. X': là chất
oxy hóa bị phân hủy trong
hạt hợp nhất sau nung.
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng
gS: là GOI mẫu. lS:
là LOI mẫu. lF: là
❑ Từ X có thể thu được X’ vì đã biết phản ứng phân huỷ của lượng bay hơi. lX:
là thành phần bay
chất oxy hoá trong quá trình phản ứng tổng hợp. hơi trong chất oxy
hóa. L: đại diện cho
tổng LOI và GOI.
❑ Khối lượng hạt hợp nhất được tính như sau.
Khi GOI mẫu trong

B = F+S+ X −L quá trình nung chảy

lớn hơn LOI, L mang
giá trị âm. Để đơn
giản, chất oxy hóa bị
phân hủy X’ được
biểu thị là X. Từ đó,
X là chất oxy hóa bị
phân hủy còn lại ở
hạt hợp nhất sau
nung. Khối lượng của
chất oxy hóa phân
hủy được tính từ khối
lượng ban đầu trước
khi nung chảy.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Ii: là cường độ tia X của
vạch nguyên tố của chất
37
phân tích i.
4.1 4.2 4.3 4.4 W1… Wn: là phần khối
lượng của mỗi thành phần
Định lượng bằng huỳnh quang tia X trong hạt hợp nhất.

❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng
❑ Cường độ tia X huỳnh quang của nguyên tố i có thể được mô
tả bằng cách sử dụng phần khối lượng trong hạt sau nung
chảy bằng phương trình đơn giản sau.
WF: là phần khối
k i Wi
Ii = lượng của chất trợ
dung trong hạt hợp
1W1 + ... +  n Wn +  F WF +  X WX nhất. WX: là phần
khối lượng của
thành phần chất oxy
hóa còn lại trong hạt
hợp nhất sau nung
chảy.
 Phương pháp huỳnh quang tia X μ1… μn: là hệ số hấp thụ
của từng thành phần đối
38
với dòng nguyên tố.
4.1 4.2 4.3 4.4 μF: là hệ số hấp thụ của
thông lượng đối với dòng
Định lượng bằng huỳnh quang tia X nguyên tố.

❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng
❑ Các phần khối lượng Wi, WF và WX trong hạt được mô tả
bằng cách sử dụng hàm lượng trong mẫu (Ci), chất trợ dung
và khối lượng tác nhân oxy hóa (bị phân hủy) như được thể
hiện trong các phương trình sau đây tương ứng.
μX: là hệ số hấp
S  Ci S  Ci thụ của thành phần
Wi = = chất oxy hóa còn
B S+ F+ X −L lại trong hạt nung
chảy.
ki: là hằng số.
F F
WF = =
B S+ F+ X −L
X X
WX = =
B S+ F+ X −L
 Phương pháp huỳnh quang tia X Có thể bỏ qua sự
bay hơi của chất trợ 39
dung, khối lượng
4.1 4.2 4.3 4.4 chất trợ dung trong
hạt nung chảy F
Định lượng bằng huỳnh quang tia X bằng với khối lượng
chất trợ dung khối
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng lượng F0.

❑ Khi đó, có thể được sắp xếp lại để thay thế cho các phương
trình như sau.
k i  Ci
Ii =
F X
1C1 + ... +  n Cn +  F +  X
S S Khi đó ta có “mô
hình trọng lượng
❑ Trong trường hợp này, khối lượng chất trợ dung còn lại trong chất trợ dung”. Tỷ lệ
X/S là tỷ lệ chất oxi
hạt F’ là không xác định (F≠F’) và sau đó F trong hạt được mô hóa và F/S là tỷ lệ
chất trợ dung theo
tả bằng phương trình sau. khối lượng.

F = B−S− X + L
 Phương pháp huỳnh quang tia X Có một trường
40
hợp không thể bỏ
4.1 4.2 4.3 4.4 qua sự bay hơi
chất trợ dung…
Định lượng bằng huỳnh quang tia X
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng
❑ Khi đó:

k i  Ci
Ii =
B  X
1C1 + ... +  n Cn +  FCL +  F  − 1 + (  X −  F )
S  S
…trong quá trình
nung chảy.
❑ Đây là "mô hình khối lượng hạt nung chảy".
❑ Trong mô hình này, LOI được đưa vào phương trình với hệ số
hấp thụ của chất trợ dung và tỷ lệ thông lượng được mô tả là
(B/S-1).
 Phương pháp huỳnh quang tia X 41
4.1 4.2 4.3 4.4
Trong đó: bi: là hằng
Định lượng bằng huỳnh quang tia X số.

❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng
❑ Thành phần của LOI được thêm vào phương trình để tổng
hàm lượng của các thành phần trở thành 100%.
❑ Hàm lượng và hệ số hấp thụ của LOI lần lượt là C0 và µ0.
❑ Trên thực tế, LOI không được chứa trong các hạt hợp nhất, Phương pháp hiệu
chỉnh hạt hợp nhất
khi đó µ0 bằng không. tiên tiến được thiết
lập như một phương

 F X pháp hiệu chỉnh phổ

Ci = bi Ii  0C0 + 1C1 + ... +  n Cn +  F +  X  quát cho LOI/GOI.

 S S
n
 Ci = 1
i =0
 Phương pháp huỳnh quang tia X Hai mô hình hiệu
chỉnh, mô hình khối
42
lượng chất trợ dung
4.1 4.2 4.3 4.4 và mô hình khối
lượng hạt hợp nhất
Định lượng bằng huỳnh quang tia X sau nung, được áp
dụng trong phương
❑ Hiệu chỉnh mất khi nung, tăng khi nung trong định lượng pháp hiệu chỉnh đã
được xác minh bằng
phương trình cường
❑ Phương pháp hiệu chỉnh bao gồm hiệu chỉnh sự thay đổi khối độ tia X.

lượng chất oxy hóa.

❑ Phương pháp này có thể được áp dụng cho nhiều loại quặng,
khoáng như các mẫu tinh quặng sunfua, chứa hàm lượng
Hệ số alpha trong
GOI cao, và cả các mẫu có LOI lớn. các mô hình hiệu
chỉnh có thể được
ước tính gần đúng
❑ Thực nghiệm cũng chỉ ra rằng phương pháp hiệu chỉnh để bằng cách sử dụng
hệ số hấp thụ.
phân tích hạt nung chảy có tính linh hoạt cao để phân tích các
mẫu bột cũng như quặng khác nhau.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Ví dụ về các kiểu gốm khác 43
nhau từ các cuộc khai quật
4.1 4.2 4.3 4.4 vùng Orvieto và phổ XRF
tương ứng.

Các ứng dụng cụ thể

Kiểm tra phổ cho
❑ Vật liệu gốm sứ thấy sự giống
nhau giữa các
nguyên tố được
❑ Sản phẩm gốm tìm thấy trong các
tương tự về kiểu loại này, chỉ khác
nhau về cường độ
dáng, nguồn peak.

nguyên liệu và
Lưu ý rằng peak
khu vực địa lý có Stronti (Sr) Kb và
khả năng thể hiện Zirconium (Zr) Ka
chồng lên nhau ở
hành phần nguyên khoảng 15,7KeV. Vì có
mối liên hệ trực tiếp
tố tương tự trong giữa các thành phần
nguyên tố và nguồn
cấu trúc. gốc hay địa điểm sản
xuất, phương pháp
phân tích phổ XRF có
thể cung cấp những
bằng chứng có giá trị.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Ví dụ, dữ liệu XRF được thu
thập cho các loại gốm sứ
44
không có lớp kim loại khác
4.1 4.2 4.3 4.4 nhau được tìm thấy tại địa
điểm khai quật Poggio
Các ứng dụng cụ thể Civitate ở Murlo, Ý.

❑ Vật liệu gốm sứ Một số mảnh gốm

không bản địa được
xác định bằng mắt
❑ Nghiên cứu gồm tập hợp thường là “Carae” (NL-
C); những mảnh khác
dữ liệu nhỏ, nhưng kết là “Populonia” (NL-P),
nhóm thứ ba không
quả thu được rất ý nghĩa được phân loại (NL).

và có thể hướng tới một Biểu đồ điểm PCA cho

nghiên cứu lớn hơn, sâu thấy dữ liệu NL-P được
nhóm lại về phía phải
rộng hơn cụ thể về của biểu đồ. Do đó,
khác biệt về mặt hóa
nguồn gốc gốm sứ. học với phần còn lại.
Một số dữ liệu NL
được nhóm lại cùng
với dữ liệu NL-C về
phía giữa, cho thấy hai
nhóm giống nhau về
mặt hóa học. Một cụm
dữ liệu NL khác tách
biệt với tất cả các dữ
liệu về phía trên cùng
của biểu đồ.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Ví dụ một chiếc bình cổ có
chứa một loại bột màu đỏ bên
45
trong được phát hiện ở Cavitá
4.1 4.2 4.3 4.4 254 vào năm 2014. Khi kiểm
tra kỹ hơn, một lớp men màu
Các ứng dụng cụ thể vàng dường như đã được bôi
lên bên trong chiếc bình.

❑ Vật liệu gốm sứ

❑ Thay đổi nhiệt độ Phổ XRF của
khu vực tráng
nung có thể tạo ra men này cho
thấy rõ lượng
các hiệu ứng khác chì cao.

nhau về màu sắc

Men chứa chì được
do quá trình oxy người La Mã sử dụng
phổ biến từ Thế kỷ 1,
hóa. vì vậy việc xác định sự
hiện diện của nó trong
lớp men màu vàng của
❑ Sản xuất đồ gốm chiếc bình này không có
gì ngạc nhiên. Gốm cổ
có liên quan rất thường được trang trí
nhiều đến xã hội bằng hồ (huyền phù đất
sét-nước) và sơn. Hồ đất
và kinh tế của các sét thường có cùng
nguồn gốc được làm
dân tộc đã sản “mỏng” bằng nước và
“đắp” lên mặt ngoài
xuất ra chúng. của gốm.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Phương pháp chính
để kiểm soát chất 46
lượng (QC) đối với
4.1 4.2 4.3 4.4 sản xuất xi-măng là
phân tích phổ XRF vì
Các ứng dụng cụ thể nó có thể cung cấp
phân tích nhanh
❑ Vật liệu xi-măng Portland chóng và chính xác
trong sản xuất xi-
măng bằng cách sử
❑ Các thiết bị chính là máy phân tích WDXRF có thể được tự dụng các phương
pháp theo thời gian
động hóa để đạt năng suất cao nhất. thực để đảm bảo kết
quả 24/7.
❑ Đổi mới trong EDXRF dẫn đến các thiết bị nhỏ gọn hơn với
khả năng đo các nguyên tố nhẹ, chẳng hạn như Na2O và Ngành công nghiệp sản xuất xi-
MgO ➔ dẫn đến cải thiện chất lượng. măng đã sớm áp dụng XRF và
bây giờ nó phụ thuộc gần như
❑ Phân tích XRF được sử dụng ở một số giai đoạn của quá hoàn toàn vào XRF để kiểm soát
sản xuất, kết hợp với XRD.
trình phân tích xi-măng như:
➢ Đánh giá nguyên liệu tại mỏ.
➢ Đánh giá các sản phẩm trung gian (clinker, thạch cao, đá vôi).
➢ Chất lượng thành phẩm (xi-măng) theo các tiêu chuẩn.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Các mẫu xi-măng 47
hoặc nguyên liệu thô
4.1 4.2 4.3 4.4 có thể được chuẩn bị
ở dạng hạt thủy tinh
nung chảy hoặc
Các ứng dụng cụ thể truyền thống hơn dưới
dạng viên bột ép. Các
❑ Vật liệu xi-măng Portland hạt được tạo ra bằng
cách nung nóng mẫu
❑ Máy phân tích XRF thường đo hàm lượng của MgO, Al2O3, cùng với chất trợ
dung, thường là liti
SiO2, SO3, K2O, CaO và Fe2O3 trong vật liệu xi-măng để đánh tetra borat, ở khoảng
1100°C.
giá chất lượng và cũng được sử dụng để giám sát việc bổ
sung sunfat vào thạch cao.
Phương pháp này có ưu điểm là
❑ Thông thường, mẫu bột có thể được phân tích trực tiếp với mẫu trở thành vật liệu đồng nhất,
cho phép phân tích tia X chính
rất ít hoặc không cần chuẩn bị thêm mẫu. xác hơn vì không có ảnh hưởng
của hạt hoặc các nhiễu khác đối
❑ Viên nén được tạo ra bằng cách nghiền mịn mẫu và nén bột với XRF.

tạo thành với chất kết dính trơ để tạo thành viên.
❑ Chuẩn bị viên nén để phân tích XRF mẫu xi-măng nhanh hơn
và dễ dàng hơn so với chuẩn bị hạt thủy tinh.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Nếu mẫu chống lại 48
sự nén, nó có thể
4.1 được giữ bên trong
4.2 4.3 4.4 khuôn bằng cách sử
dụng cốc XRF đậy
Các ứng dụng cụ thể một đầu mở của
khuôn, để một mặt lộ
❑ Vật liệu xi-măng Portland ra để phân tích XRF.

❑ Viên được chuẩn bị bằng cách sử dụng khuôn mẫu hình trụ.

❑ Khuôn được đổ đầy mẫu bột, sau đó được nén để tạo viên.

❑ Tuy nhiên, do tác động của các hạt khi sử dụng mẫu dạng Nhiều nhà nghiên cứu ưu tiên
phương pháp hạt thủy tinh để
viên có thể làm cho việc tính toán các quá trình phát huỳnh phân tích xi-măng mới vì nó dễ
dàng hơn trong việc tạo ra các
quang và hấp thụ tia X trong mẫu trở nên phức tạp hơn và tiêu chuẩn hiệu chuẩn có thể
tham khảo được.
dễ bị mất độ chính xác.
 Phương pháp huỳnh quang tia X Kỹ thuật trên cũng 49
có thể xác định
4.1 4.2 4.3 4.4 được những chất
này khi ngón tay bị
phủ bởi mỹ phẩm,
Các ứng dụng cụ thể đất, nước bọt hoặc
kem chống nắng –
❑ Pháp y là những chất ô
nhiễm làm mất sự
chính xác của
❑ Khi sử dụng một chùm tia X mỏng để rọi sáng các dấu vân phương pháp điều
tra tội phạm truyền
tay, kỹ thuật có tên gọi huỳnh quang vi tia X (μXRF), các thống.
nguyên tố như natri, kali, clo có mặt trong mồ hôi người sẽ
hấp thụ tia X và phát ra ánh sáng, hay "huỳnh quang", ở dạng Phương pháp có thể thu dấu
tần số thấp. vân tay trên những chất liệu khác
nhau, như giấy, gồ, da thuộc,
nhựa và thậm chí trên da người.
❑ Kỹ thuật này nhằm phát hiện ra muối trong mồ hôi người, Nó cũng có ích trong việc nhận
dạng vân tay trẻ em, là đối tượng
vốn tạo nên đường viền của dấu vân tay. có ít dầu trên da.

❑ Nếu dấu vân tay lưu lại đủ lượng muối, máy sẽ nhận dạng
được nó mà không cần can thiệp vào mẫu.
 Phương pháp huỳnh quang tia X 50
4.1 4.2 4.3 4.4
Hạn chế của nó là đôi
Các ứng dụng cụ thể khi lượng vật liệu có
thể phát hiện được
❑ Pháp y quá nhỏ.

❑ Ngoài ra, các chuyên gia còn có thể thu được nhiều thông tin
từ vân tay; chẳng hạn, mẫu thức ăn cuối cùng của nghi phạm.

❑ Đây là một công cụ mới của các nhà điều tra pháp y cho phép
họ phát hiện dẩn vân tay bằng phương pháp không phá huỷ, Các tia X không nhận ra những
mà theo kỹ thuật truyền thống có thể bị bỏ qua. nguyên tố nhẹ hơn (và phổ biến
hơn) như cacbon, nitơ và oxy.
 51
TÓM TẮT NỘI DUNG CHÍNH
❑ Cùng với XRD, XRF là một trong những
phương pháp phân tích hiện đại phổ biến
trong hầu hết các ngành công nghiệp.

❑ Phương pháp XRF có thể định tính và định

lượng thành phần hoá.

❑ Trong công nghiệp xi-măng XRF được kết

hợp cùng XRD là một ví dụ điển hình cho
việc sử dụng bổ sung hai phương pháp để
cho kết quả về thành phần hoá và thành
phần pha.
 Bằng cách tiếp cận phù hợp,
chính vật liệu sẽ kể cho chúng ta nghe
những câu chuyện thú vị của chúng
Hãy theo đuổi sự ưu tú,
thành công sẽ theo đuổi bạn