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MOSFET規格相關的術語集 - 所謂電晶體-分類與特徵 - TechWeb
MOSFET規格相關的術語集 - 所謂電晶體-分類與特徵 - TechWeb
Si功率元件|基礎篇 下載資料
MOSFET規格相關的術語集 2020.06.24
可充分發揮 矽 功率
元件特性的應用實
例
這是Rohm研討會的公開
重點 講義。
・參數名稱、術語以及符號可能會因製造商不同而略有不 協助機器節能、提昇效率與
時俱進的矽功率元件。二極
同。 體、MOSFET的基礎到選擇
・與條件設置相關的定義也存在一些差異。 方法、最先進的元件特性及
應用範例。
・解決方法是通過確認規格書中給出的測量條件等來瞭解
具體的內容。 下載
之前介紹了MOSFET的特長和特性。不僅MOSFET的規格書,
Si功率元件
一般規格書(技術規格書)中都會記載電氣規格(spec),其
中包括參數名稱和保證值等。對於MOSFET來說也有很多參 基礎篇
數,在此前的文章中已經提到了一些參數,在這裡進行了匯
・ 前言
總,作為一覽表列出。
・ 所謂電晶體-分類與
特徵
需要注意的是,參數名稱、術語以及符號可能因製造商不同而 所謂MOSFET-寄生
略有不同。另外,關於與條件設定相關的定義也存在一些差
電容及其溫度特性
所謂MOSFET-開關
異。這些情況需要透過確認規格書中給出的測量條件等來理解 特性及其溫度特性
具體的內容。 所謂MOSFET-閾 值 、
ID-VGS特性及溫度特
性
●絕對最大額定值
超接合面MOSFET
高耐壓超接合面
MOSFET的種類與特
參數術語 符 號 定義與說明 長
所謂MOSFET-高速
汲極-源極間 VDSS 在閘極-源極間短路的狀態下,能夠外加給汲極-源極間的 trr SJ-MOSFET :
電壓 最大電壓值。 PrestoMOS ™
可充分發揮 矽功率元件特性的應用實例
汲極電流(直 ID 在指定條件下,可以在汲極-源極間形成的通道中連續流過的 同時具備MOSFET和
流) 最大直流電流值。 IGBT優勢的Hybrid
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2023/12/15 下午3:09 MOSFET規格相關的術語集 | 所謂電晶體-分類與特徵 | TechWeb
●電氣特性
參數術語 符號 定義與說明
汲極-源極擊 V(BR)DSS 在閘極-源極間短路的狀態下,寄生二極體引起擊
穿電壓 穿、電流開始在汲極-源極間流動的電壓。
汲極-源極擊 ⊿V(BR)DSS/
穿電壓溫度係 ⊿Tj 汲極-源極間擊穿電壓的溫度係數。
數
汲極關斷電流 IDSS 在指定條件下,在閘極-源極間短路的狀態下,汲極
-源極間流過的洩漏電流。
閘極漏電流 IGSS 在指定條件下,在汲極-源極間短路的狀態下,閘極
-源極間流過的洩漏電流。
閘極閾值電壓 VGS(th) 汲極電流開始在MOSFET中流動的閘極-源極間電
壓。
閘極閾值電壓 ⊿VGS(th)/
溫度係數 ⊿Tj 閾值電壓的溫度係數。
汲極-源極間 RDS(on) 在MOSFET導通期間汲極-源極間的電阻值。
導通電阻
閘極電阻 RG MOSFET的內部閘極電阻值。
正向傳輸導納 |Yfs| 閘極-源極間電壓變化1V時的汲極電流變化率。
輸入電容 Ciss 在使汲極-源極間交流短路的狀態下,在閘極-源極
間測得的寄生電容值。
輸出電容 Coss 間測得的寄生電容 可充分發揮
值。
矽功率元件特性的應用實例
在使閘極-源極間交流短路的狀態下,在汲極-源極
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2023/12/15 下午3:09 MOSFET規格相關的術語集 | 所謂電晶體-分類與特徵 | TechWeb
汲極-源極間電壓VDS從0V上升到汲極-源極間電壓絕
有效電容(能 Co(er) 對最大額定值VDSS的80%期間積蓄的能量與Coss等效
量換算)
的固定電容值。
汲極-源極間電壓VDS從0V上升到汲極-源極間電壓絕
有效電容(時 Co(tr) 對最大額定值VDSS的80%期間的充電時間與Coss等效
間換算)
的固定電容值。
導通延遲時間 td(on) 閘極-源極間電壓上升到設定電壓的10%後,到汲極
-源極間電壓下降到設定電壓的90%之間的時間。
上升時間 tr 汲極-源極間電壓從設定電壓的90%下降到10%所需
要的時間。
關斷延遲時間 td(off) 閘極-源極間電壓下降到設定電壓的90%後,到汲極
-源極間電壓上升到設定電壓的10%之間的時間。
下降時間 tf 汲極-源極間電壓從設定電壓的10%上升到90%所需
要的時間。
●閘極電荷量特性
參數術語 符號 定義與說明
閘極總電荷 Qg 使MOSFET的閘極電壓從0V上升到指定電壓所需要的閘極電
量 荷量。
閘極-源極 Qgs 使MOSFET的閘極電壓從0V上升到閘極穩定電壓所需要的閘
間電荷量 極-源極間電容中積蓄的電荷量。
閘極-汲極 Qgd MOSFET的汲極-源極間電壓VDS從電源電壓下降至導通電壓
間電荷量 所需要的閘極-汲極間電容中積蓄的電荷量。
閘極穩定電 V(plateau) 切換時,米勒電容開始充放電的閘極電壓值。
壓
●內部二極體特性
參數術語 符
號 定義與說明
源極電流(直 Is 在指定條件下,可以在內部二極體中連續流過的最大直流電
流) 流值。
源極電流(脈 Isp 可以在內部二極體中流過的最大脈衝電流值。
衝)
正向電壓 VSD 正向電流流過內部二極體時的電壓降。
反向恢復時間 trr 在指定的測量條件下,內部二極體的反向恢復電流消失所需
要的時間。
反向恢復電荷 Qrr 在指定的測量條件下,內部二極體的反向恢復電流消失所需
量 要的電荷量。
反向恢復峰值 Irrm 在指定的測量條件下,內部二極體反向恢復工作時的峰值電
電流 流值。
可充分發揮矽功率元件特性的應用實例
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2023/12/15 下午3:09 MOSFET規格相關的術語集 | 所謂電晶體-分類與特徵 | TechWeb
【下載資料】可充分發揮矽功率元件特性的應用
實例
這是Rohm研討會的公開講義。
協助機器節能、提昇效率與時俱進的矽功率元件。二極體、
MOSFET的基礎到選擇方法、最先進的元件特性及應用範例。
下載
「MOSFET規格相關的術語集」相關文一覽
・所謂電晶體-分類與特徵
・所謂MOSFET-寄生電容及其溫度特性
・所謂MOSFET-開關特性及其溫度特性
・所謂MOSFET-閾值、ID-VGS特性及溫度特性
・超接合面MOSFET
・高耐壓超接合面MOSFET的種類與特長
・所謂MOSFET-高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
・同時具備MOSFET和IGBT優勢的Hybrid MOS
・MOSFET的熱阻和額定損耗:可背面散熱的封裝
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關 政
・傳 鍵 策
送 知 -服
函 識 務
數 ・直 條
接 款
洽
詢
工
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