2023/12/13 上午10:43 什麼是SOA（Safety Operation Area）失效 | MOSFET的失效機制 －前言－ | TechWeb

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Si功率元件｜評估篇 下載資料

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Operation Area）失效 2023.03.29
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重點 Si功率元件
・SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工 基礎篇
作區”。 評估篇
・需要在SOA範圍內使用MOSFET等產品。
・有五個SOA的制約要素，不滿足其中任何一個要素的要 ・ 逆變電路中切換元件
求都有可能會造成失效。 反向恢復特性的重要
性 －前言－
・ MOSFET的失效機制
－前言－
什麼是SOA（Safety Operation Area）？ 什麼是SOA（Safety
Operation Area）失
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區”。要 效
什麼是雪崩崩潰失效
想安全使用MOSFET，就需要在SOA範圍內使用MOSFET，超 什麼是dV/dt失效
過這個範圍就有可能造成損壞。在SOA範圍之外工作時造成的 MOSFET的失效機制
損壞稱為“SOA失效”。例如，SJ MOSFET（Super Junction
—總結—
・ 相移全橋電路的功率
MOSFET）R6024KNX的SOA如下所示： 轉換效率提升 —前言
—
・ Si二極體用的散熱性
能出色的小型封裝
“PMDE”評估 前言
・ 什麼是雙脈衝測試？
產品介紹
FAQ
https://techweb.rohm.com.tw/product/power-device/si/si-evaluation/10339/ 1/4
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SJ MOSFET R6024KNX的SOA

SOA由縱軸上的汲極電流ID和橫軸上的源-汲極電壓VDS來表
示。也就是說，VDS、ID及它們的乘積（功率損耗PD）、以及

二次擊穿區決定了MOSFET的安全工作範圍。另外，外加功率
的脈衝寬度PW也是決定SOA的重要因素。SOA劃分為圖中所示
的（1）～（5）個區域。

SOA的區域劃分、限制以及與失效之間的關係
下面介紹一下圖中的區域（1）～（5）。

■區域（1）：汲極電流I D 受MOSFET的導通電阻
R DS(ON) 限制的區域
是指即使外加的VDS小於絕對最大額定值，ID也會受到RDS(ON)
限制的區域。根據歐姆定律I=V/R，ID只能流到紅線位置。
※圖中的區域是VGS＝10V時的範例

■區域（2）：由外加脈衝時汲極電流的絕對最大額定
值 I DP 決定的區域

（2）的綠線是規格書中規定的IDP的絕對最大額定值。當然，
絕對最大額定值是絕對不能超過的，因此當IDP超過該值時是無

法使用的。如果在超過該值的範圍（電流值）使用，由於超出
了保證的工作範圍，因此可能會造成損壞。

■區域（3）：熱限制區域
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這是由MOSFET的額定損耗PD決定的區域。受外加功率的脈衝

寬度PW和暫態熱阻的限制。只要在該範圍內，Tj通常不會超過

絕對最大額定值TjMAX，因此可以安全使用。但是請注意，該線
會因環境溫度、MOSFET的實際安裝條件和散熱條件等因素而
異。此外，作為開關使用MOSFET時，可能會瞬間被外加高電
壓和大電流，因此即使在開關的暫態狀態下也必須注意不要超
過區域（3）的限制。

■區域（4）：二次擊穿區域
當在外加高電壓的狀態下流過電流時，元件內部的局部可能會
流過大電流並造成損壞，這稱為“二次擊穿”。這條線是用來防止
造成二次擊穿狀態的限制線。與區域（3）的熱限制區域一樣，
二次擊穿區域也受環境溫度等因素的影響。

■區域（5）：由MOSFET源-汲極電壓的絕對最大額定
值 V DSS 決定的區域

這是規格書中規定的受VDSS限制的區域，如果超過這個區域，
就可能發生擊穿並造成損壞。需要注意的是，由返馳電壓和寄
生電感引起的電壓變化，可能會瞬間超過該限制。

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・什麼是雪崩崩潰失效
・什麼是dV/dt失效

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・MOSFET的失效機制 —總結—

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汲極電流絕對最大額定值IDP 二次擊穿 額定損耗PD dV/dt失效

MOSFET失效 MOSFET失效機制 SOA失效 雪崩崩潰失效
源-汲極電壓絕對最大額定值VDSS safety-operation-area soa

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