References:

1. ELECTRONIC DEVICES, 9th edition, Thomas L. Floyd, Prentice Hall

2. Semiconductor Physics And Devices, 3rd ed. - J. Neamen
3. Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, 8th
Edition, Prentice Hall

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
To know what diode is

To understand the diode characteristics

To understand parameters of diodes

To understand some common applications

of diodes

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
33
CONTENT

1. What is a diode? Fabrication process

2. How does diode bias work?  Diode with bias
voltage
3. Diode characteristics
4. Parameters of diode
5. Diode models
6. Examples

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
34
 A semiconductor diode is a p-n junction and formed when an
n-type material is fused together with a p-type material.
It allows the current to flow in one direction only and has two
electrodes called anode or plate and cathode

Diode Diode circuit symbol Examples

Anode
SiO2

p-doped Si

n-doped Si
Cathode

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
35
 Anode

Cathode

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
36
Forward bias (Phân cực thuận)

Forward bias is the

condition that allows
current through the p-
n junction

This external bias voltage is designated as Vbias.The bias voltage Vbias,

must be greater than the barrier potential; bias must be greater than
0.3V for germanium or 0.7V for silicon diodes.

In the forward bias, the negative side of Vbias is connected to the n

region of the diode and the positive side is connected to the p region.

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
37
Forward bias (Phân cực thuận)
Tiếp giáp p-n được phân cực thuận khi đặt một điện áp một
chiều có cực dương nối vào bán dẫn p và cực âm nối vào bán
dẫn n
Điện áp phân cực (Vbias) phải lớn hơn hàng rào thế năng. Điện
trường ngoài hướng từ p sang n, làm các electron ở bán dẫn n
tiến tới tiếp giáp p-n, đây là hiện tượng “phun” hạt dẫn vào vùng
nghèo, làm điện trở vùng nghèo giảm xuống nhanh chóng

Điện trường ngoài làm tăng dòng khuếch tán và giảm dòng trôi
Điện trường ngoài làm giảm độ rộng vùng nghèo, làm giảm điện
trường tiếp xúc và làm giảm hàng rào thế năng

Khi tiếp giáp p-n được phân cực thuận, có dòng phân cực
thuận.
Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử
University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
38
 Reverse bias (Phân cực ngược)

Reverse bias is the

condition that essentially
prevents current through
the diode

The positive side of Vbias is connected to the n region of the diode

and the negative side is connected to the p region.

The depletion region is shown much wider than in forward bias or

equilibrium.

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
39
 Reverse bias (Phân cực ngược)

Tiếp giáp p-n được phân cực ngược khi đặt một điện áp một
chiều có cực dương vào bán dẫn n và cực âm vào bán dẫn p

Điện trường ngoài hướng từ n sang p làm cho các hạt dẫn điện đa
số (electron ở bán dẫn n, lỗ trống ở bán dẫn p) càng rời xa tiếp
giáp p-n, làm cho độ rộng của vùng nghèo tăng lên, điện trở của
vùng nghèo cũng tăng lên nhanh chóng

Điện trường ngoài làm giảm dòng khuếch tán và tăng dòng trôi
(dòng trôi rất nhỏ so với dòng khuếch tán)

Khi tiếp giáp p-n được phân cực ngược, chỉ có dòng điện ngược
(rất nhỏ) qua tiếp giáp p-n.

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
40
 If the external reversebias voltage is increased to a value
called the breakdown voltage, the reverse current will
drastically increase.

The high reverse-bias voltage imparts energy to the free

minority electrons so that as they speed through the p region,
they collide with atoms with enough energy to knock valence
electrons out of orbit and into the conduction band. The
newly created conduction electrons have high energy, and
repeat the process, they quickly multiply. They have high
energy to move though pn junction, and not combine with
holes. The multiplication of conduction electrons just
discussed is known as the avalanche effect.

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
41
Dòng điện ngược là dòng dịch chuyển có hướng của hạt
mang điện thiểu số (electron trong bán dẫn p, lỗ trống trong
bán dẫn n) dưới tác dụng của điện trường ngoài

Dòng điện ngược rất nhỏ (cỡ vài μA) và nhanh chóng bão hoà
khi tăng điện áp phân cực ngược

Nếu tiếp tục tăng điện áp phân cực ngược đến một mức nào
đó tiếp giáp p-n bị đánh thủng, dòng ngược tăng đột biến 
hiệu ứng đánh thủng thác lũ (avalanche effect)

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
42
 p-type Si n-type Si
Thermal voltage
Anode Cathode

Build-in voltage
(Điện áp lớp tiếp giáp)

Normally, Vo = 0.6 V– 0.9 V

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
43
Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử
University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
44
 I-V characteristics

I-V characteristic curve is the

relationship between current
through the diode and the
voltage applied to the terminals
of the diode

(1) Forward bias region: v>0

(2) Reverse bias region: v<0
(3) Breakdown region: v< -VZK

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
45
 I-V characteristics
Đặc tuyến V-A của Điốt bán dẫn chia thành ba phần rõ rệt.
Vùng phân cực thuận: Khi 0<U<Uthuận (<0,7V), dòng thuận
gần như không có. Khi U≥Uthuận, dòng thuận tăng nhanh
Vùng phân cực ngược: Khi U<0, dòng ngược bão hòa rất nhỏ
(cỡ vài chục nA đến vài μA)
Vùng đánh thủng: Dòng điện ngược tăng đột biến khi điện áp
phân cực ngược đạt đến điện áp đánh thủng
Từ đặc tuyến V-A ta thấy Điốt là linh kiện chỉ dẫn điện theo một
chiều khi nó được phân cực thuận. Người ta còn nói Điốt có tính
chất như một Khóa điện

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
46
I-V characteristics
I-V characteristics for different semiconductors

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
47
I-V characteristics
- Temperature dependence

Điện áp trên diode giảm 2mV khi nhiệt độ tăng 1oC

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU 48 Electronic Devices
 I-V characteristics
The current through the diode, I:

 V  
I = I s exp  − 1
  VT  
Thermal voltage

Saturation current

SqD p p N SqDn nP
Is = +
Lp Ln
Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử
University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
49
 SqD p p N SqDn nP
Is = +
Lp Ln

S: tiết diện tiếp giáp p-n

Dp;Dn: hệ số khuếch tán của lỗ trống, electron
pN: nồng độ lỗ trống khuếch tán từ p sang n
nP: nồng độ electron khuếch tán từ n sang p
LP: độ dài khuếch tán của lỗ trống
LN: độ dài khuếch tán của electron
V: điện áp phân cực thuận
VT: thế nhiệt

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
50
Parameters of diode Vài
M

DC or static resistance
When the diode is forward-
biased  forward resistance
is small

When the diode is reverse-

biased  reverse resistance is
large

Forward Res. Reverse Res.

Si diode ~Ω ~ kΩ
Ge diode ~Ω ~MΩ

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
51
Parameters of diode

AC or Dynamic Resistance
It is the resistance of p-n junction when working with variable
voltage or the instantaneous resistance of junction

∆U AK dU AK
ri = =
∆I dI

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
52
Parameters of diode
Capacitance of Diodes: The capacitance of the space charge
layer is in equilibrium or when polarized in reverse.

Maximum reverse voltage : The maximum reverse voltage

where the diodes can work normally,

Maximal current: The maximum forward current that the

diode operates well

Working temperature range: It is the temperature range where

the diodes can work well. For Si Diodes from -60 to 150oC;
Ge diodes are -60 to 85oC

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
53
The Ideal Diode Mode: it ideally acts like a switch

When the diode is forward-biased  acts like a closed (on)

switch.

When the diode is reverse-biased  acts like an open (off)

switch

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
54
The Practical Diode Model: Ideal model + the barrier potential

When the diode is forward-biased  source (equal barrier

potential) and a closed (on) switch.

When the diode is reverse-biased  an open (off) switch

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
55
 The Complete Diode Model: includes the barrier potential, the
small forward dynamic resistance ( ́ ) and the large internal
reverse resistance ( ́ ).
When the diode is forward-biased  source (equal barrier
potential); a closed (on) switch and dynamic resistance ( ́ ) .
When the diode is reverse-biased  an open (off) switch and
reverse resistance ( ́ )

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
56
When diodes operate at high frequencies AC source, the
influence of diffused capacitor (Cd) diffused capacitor and p-n
junction capacitors (Cj) must be taken into account

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
57
Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử
University of Engineering and Technology - VNU Phạm Đình Tuân Electronic Devices
58
1. Hãy phân biệt chất cách điện, chất bán dẫn, chất dẫn điện. Cho
ví dụ.
2. Bán dẫn thuần là gì?
3. Bán dẫn tạp chất là gì? Có mấy loại? Kể tên và nêu đặc trưng
của nó.
4. Hãy giải thích cơ chế dẫn điện của chất dẫn điện, chất cách
điện, chất bán dẫn, bán dẫn loại N, bán dẫn loại P
5. Nêu hiểu biết về chuyển tiếp p-n
6. Nêu nguyên lý hoạt động của diode?
7. Nêu hiểu biết về đường đặc tuyến von-ampe của diode?

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
59
 Forward dynamic resistance r’d = 10 Ω

Determine:
 Forward voltage
 Forward current
 Voltage across the limiting
resistor
For (a) Ideal model
(b) Practical model
(c) Complete model

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
60
How to know the diode can work well by multimeter using
diode mode and resistance mode

Diode mode Resistance mode

+ +

- -

Faculty of Electronics and Telecommunication Linh kiện Điện tử

University of Engineering and Technology - VNU Electronic Devices
61