Chương 5 :

CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN – DIODE BÁN DẪN

5.1 CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN :(semi-conductor)

1) Đặc tính của chất bán dẫn :

a/ Điện trở suất :
Hai chất bán dẫn thông dụng là chất Silicium và chất Germanium có điện trở suất là
:
 Si = 1014 mm2/m và :  Ge = 8,9 . 1012 mm2/m
Trị số điện trở suất này rất lớn so với chất dẫn điện như đồng ( Cu = 0,017 mm2/m)
nhưng lại rất nhỏ so với chất cách điện như thủy tinh ( = 1018 mm2/m) .
b/ Ảnh hưởng của nhiệt độ:
Điện trở của chất bán dẫn thay đổi rất lớn theo nhiệt độ, khi nhiệt độ tăng thì điện
trở bán dẫn giảm xuống, ở khoảng nhiệt độ càng cao thì mức điện trở giảm càng lớn .
Nhờ vào tính chất này người ta chế tạo ra các điện trở có trị số thay đổi theo nhiệt
độ gọi là điện trở nhiệt (thermistor) .
b/ Ảnh hưởng của ánh sáng:
Điện trở của chất bán dẫn khi đặt trong vỏ kín không có ánh sáng chiếu vào có trị số
rất lớn. Khi chiếu ánh sáng vào chất bán dẫn thì điện trở giảm xuống, độ chiếu sáng
càng mạnh thì mức điện trở giảm càng lớn .
Nhờ vào tính chất này người ta chế tạo ra các điện trở có trị số thay đổi theo ánh
sáng gọi là điện trở quang (photo resistor)
d/ Ảnh hưởng của độ tinh khiết:
Một khối bán dẫn tinh khiết có điện trở rất lớn nhưng nếu pha thêm vào một tỉ lệ
thấp các chất thích hợp thì điện trở của chất bán dẫn giảm xuống rõ rệt. Tỉ lệ pha càng
cao thì điện trở càng giảm nhỏ. Nhờ vào tính chất này người ta chế ra các linh kiện bán
dẫn như diode, transistor …

2) Cấu tạo nguyên tử của chất bán dẫn :

Xét cấu tạo nguyên tử của chất Silicium và chất Germanium. Chất Si có 14 điện
trở bao quanh nhân và các điện tử này xếp lên trên 3 tầng (hình 5.1). Chất Ge có 32
điện tử bao quanh nhân và các điện tử này xếp trên 4 tầng (hình 5.1)

Hai chất Si và Ge có đặc điểm chung là số điện tử trên tầng ngoài cùng bằng nhau là
4 điện tử (hoá trị 4) .
Khi xét sự liên kết giữa các nguyên tử người ta chỉ xét tầng ngoài cùng.

51
 Trong khối bán dẫn tinh khiết các nguyên tử gần nhau sẽ liên kết nhau theo kiểu
cộng hóa trị. Bốn điện tử của mỗi nguyên tử sẽ nối với bốn điện tử của nguyên tử chung
quanh tạo thành bốn mối nối làm cho các điện tử được liên kết chặt chẽ với nhau, sự
liên kết này làm cho các điện tử khó tách rời khỏi nguyên tử để trở thành điện tử tự do.
Như vậy, chất bán dẫn tinh khiết có điện trở rất lớn, coi như không dẫn điện (hình 5.2)
.
2) Hạt dẫn của bán dẫn loại i :
Chất bán dẫn thuần khiết (còn gọi là bán dẫn loại i) không dẫn điện ở nhiệt độ bình
thường, ở nhiệt độ cao hơn, một số è hóa trị nhận thêm năng lượng sẽ thoát khỏi mối
kiên kết với các nguyên tử, trở thành è tự do và sẵn sàng di chuyển có hướng khi có tác
động của điện trường (dẫn điện) . Khi è tự do xuất hiện, tại mối liên kết mà è vừa thoát
khỏi sẽ thiếu mất một điện tích âm – q ( q = 1,6 x 10-19 C), nghĩa là dư ra một điện tích
dương +q, ta gọi đó là lổ trống (hole) .
Như vậy, có hai loại điện tích là electron và lổ trống xuất hiện trong bán dẫn loại
i,khi bán dẫn này được cung cấp năng lượng, cả hai đều là hai loại hạt mang điện nên
được gọi là hạt dẫn .

3) Chất bán dẫn loại N : (negative : âm)

Nếu pha vào chất bán dẫn Si tinh khiết một lượng rất ít các chất có cấu tạo nguyên
tử với 5 điện tử ở ngoài cùng (hoá trị 5) như chất Phosphor (N =15) . Các nguyên tử
của chất Phosphor có 5 điện tử thì 4 điện tử sẽ liên kết với 4 điện tử của 4 nguyên tử Si
khác nhau, còn lại một điện tử thừa ra không liên kết với các điện tử của chất bán dẫn
sẽ dễ trở thành điện tử tự do như ở hình 5.2(b) .
Như vậy, khi pha thêm một nguyên tử Phosphor sẽ có một điện tử tự do, pha thêm
càng nhiều nguyên tử Phosphor thì sẽ có càng nhiều điện tử tự do, chất bán dẫn có điện
tử tự do được gọi là chất bán dẫn loại N (loại âm) .

4) Chất bán dẫn loại P : (Positive: dương)

Nếu pha vào chất bán dẫn Si tinh khiết một lượng rất ít các chất có cấu tạo nguyên
tử với 3 điện tử ở tầng ngoài cùng (hóa trị 3) như chất Bore (N = 5) . Các nguyên tử của
chất Bore có 3 điện tử nên khi liên kết với 4 điện tử của 4 nguyên tử Si khác nhau sẽ có
một mối nối thiếu một điện tử, chỗ thiếu điện tử này gọi là lỗ trống, lỗ trống của mối
nối thiếu điện tử sẽ dễ dàng nhận một điện tử tự do (hình 5.4)

52
 Như vậy, khi pha thêm một nguyên tử chất Bore sẽ có một lỗ trống, pha thêm càng
nhiều nguyên tử chất Bore sẽ có càng nhiều lỗ trống, chất bán dẫn có lỗ trống được gọi
là chất bán dẫn loại P (loại dương) .
Chất bán dẫn loại N còn gọi là chất bán dẫn loại âm, chất bán dẫn loại P còn gọi là
chất bán dẫn loại dương. Tuy nhiên, nói như thế không có nghĩa là chất bán dẫn N hay
P mang điện tích âm hay dương mà cả hai loại này ở trạng thái bình thường đều trung
hòa về điện. Gọi là chất bán dẫn âm hay dương là ý nói khả năng cho ra điện tử tự do
của chất N hay là khả năng nhận điện tử tự do của chất P.

5.2 DIODE BÁN DẪN :

1) Cấu tạo :
Khi trong một tinh thể bán dẫn Si hay Ge được pha chế để tạo thành vùng bán dẫn
loại N và vùng bán dẫn loại P thì trong tinh thể bán dẫn hình thành mối nối P-N ở mối
nối P-N có sự nhạy cảm đối với các tác động của điện, quang, nhiệt.
Trong vùng bán dẫn loại P có nhiều lỗ trống, trong vùng bán dẫn loại N có nhiều
điện tử thừa, khi hai vùng này tiếp xúc nhau sẽ có một số điện tử vùng N qua mối nối
và tái hợp với lỗ trống của vùng P .
Khi chất bán dẫn đang trung hòa về điện mà vùng bán dẫn N bị mất điện tử thì vùng
bán dẫn N gần mối nối trở thành có điện tích dương (ion dương), vùng bán dẫn P nhận
thêm điện tử thì vùng bán dẫn P gần mối nối trở thành có điện tích âm. (ion âm). Hiện
tượng này tiếp diễn tới khi điện tích âm của vùng P đủ lớn đẩy điện tử không cho điện
tử từ vùng N sang P nữa, sự chênh lệch điện tử ở hai bên mối nối như trên được gọi là
hàng rào điện thế.
Diode bán dẫn có cấu tạo và ký hiệu như hình 5.3 :

2) Nguyên lý hoạt động của Diode :

a) Phân cực ngược diode :

Dùng nguồn DC VS nối cực âm vaò chân P, cực dương vào chân N của diode như ở
hình 5-4 (a), lúc này điện tích âm của nguồn sẽ hút lỗ trống của vùng P và điện tích
dương của nguồn sẽ hút điện tử của vùng N làm cho lỗ trống và điện tử hai bên mối
nối càng xa nhau hơn nên hiện tượng tái hợp giữa điện tử và lỗ trống càng khó khăn.
Tuy nhiên, trường hợp này vẫn có một dòng điện rất nhỏ đi qua diode từ vùng N sang
vùng P gọi là dòng điện rỉ trị số khoảng nA . Hiện tượng này được giải thích là do trong
chất P cũng có một số ít điện tử và trong chất N cũng có một số ít lỗ trống gọi là hạt tải
thiểu số, những hạt tải thiểu số này sẽ sinh ra hiện tượng tái hợp và tạo thành dòng điện
rỉ .

53
 Dòng điện rỉ còn gọi là dòng điện bảo hòa nghịch I S(saturate : bão hoà). Do dòng
điện rỉ có trị số rất nhỏ nên trong nhiều trường hợp người ta coi như diode không dẫn
điện khi được phân cực ngược.
b/ Phân cực thuận diode :
Dùng nguồn điện DC VS nối cực dương của nguồn vào chân P và cực âm của nguồn
vào chân N của diode như ở hình 5-4(b) .

Lúc đó điện tích dương của nguồn sẽ đẩy lỗ trống trong vùng P và điện tích âm của
nguồn sẽ đẩy điện tử trong vùng N làm cho điện tử và lỗ trống lại gần mối nối hơn và
khi lực đẩy tĩnh điện đủ lớn thì điện tử từ N sẽ sang mối nối qua P và tái hợp với lỗ
trống.
Khi vùng N mất điện tử trở thành mang điện tích dương thì vùng N sẽ kéo điện tích
âm từ cực âm của nguồn lên thế chỗ, khi vùng P nhận điện tử trở thành mang điện tích
âm thì cực dương của nguồn sẽ kéo điện tích âm từ vùng P về. như vậy, sẽ có một dòng
điện tử chạy liên tục từ cực âm của nguồn qua diode từ N sang P về cực dương của
nguồn, nói cách khác, có dòng điện đi qua diode theo chiều từ P sang N .

3) Đặc tính kỹ thuật:

Lập mạch thí nghiệm như hình vẻ sau :

a. Phân cực thuận:

+ Tăng nguồn DC thay đổi VS lên từ từ cho đến khi VD = V, lúc này bắt đầu có dòng
điện qua diode. Hiệu thế V được gọi là hiệu thế ngưỡng của diode và có trị số tùy loại
bán dẫn chế tạo diode .
- Với bán dẫn Si : V = 0,4 v  0,5 v VD max = 0,8 v  0,9 v
- Với bán dẫn Ge : V = 0,1 v  0,15 v VD max = 0,4 v  0,5 v
(VD max = hiệu thế rơi trên diode cực đại, tùy loại vật liệu làm chất bán dẫn)

54
 + Sau khi qua khỏi điện thế V, dòng điện qua diode sẽ tăng theo hàm số mủ :

 qKVTD 
I D  I S e  1 (1)
 
Với:
q = - 1,6 x 10 -19 Coulomb .
VD : điện thế rơi trên diode .
K : hằng số Boltzmann = 1,38 x 10 –23 joule / oK .
T : nhiệt độ tuyệt đối tính ở 25o C = 25 + 273 = 298o K
IS : dòng điện rỉ bảo hòa .
Thay số:
qVD VD  26VmV
D

   I D  I S e  1 ( 2)
KT 26mV  
Vì phân cực thuận:
VD VD VD

e 26 mV
 1 e 26 mV
 ID  IS e 26 mV

Khi dẫn điện, ID đốt nóng diode theo công thức : PD = VD . ID . Vì vậy, ta có một
thông số quan trọng là dòng điện thuận cực đại (IF max), nếu diode có dòng ID > IF max 
diode sẽ bị hỏng do quá nhiệt .
b. Phân cực nghịch:
+ Khi phân cực nghịch VD < 0 nên :
 VD
26 mV
e  1  I D  I S
Vì vậy : chỉ có dòng rỉ bảo hòa rất nhỏ đi qua.
+ Tăng VS lên theo trị số âm sao cho VD đến mức cao hơn điện áp nghịch (reverse)
cực đại (VRmạx) lúc này dòng điện sẽ tăng lên rất cao làm hỏng diode do quá nhiệt . Vì
vậy, ta còn gọi VR mạx là điện áp ngược đánh thủng diode, như đặc tuyến diode được
trình bày sau:

4) Điện trở diode :

a) Điện trở một chiều:
Điện trở một chiều ở một điểm làm việc của diode theo
định nghĩa là tỉ số giữa hiệu thế và dòng điện qua diode .
VD
RD 
ID
55
 Trên đặc tuyến V-A của diode ở trạng thái phân cực thuận,
những điểm làm việc trên đặc tuyến càng cao thì điện trở
càng nhỏ vì điện thế VD thay đổi rất ít nhưng dòng điện ID
thay đổi rất lớn .

b) Điện trở động : (hay điện trở xoay chiều)

Khi có sự biến thiên điện thế và dòng điện quanh điểm làm việc của diode, ta có
thể tính điện trở động theo công thức :

VD

Với : ID =IS e 26 mV
dV
rd  D
dI D

VD
VD dV 26mV
 Ln I D  Ln e 26 mV
  VD  26 mV Ln I D  D 
26 mV dI D ID
Hay :

26 mV
rD 
ID

5) Hình dáng, cách thử diode :

a) Hình dáng: có 3 loại chính sau :
- Diode đơn :

- Diode đôi :

- Diode cầu :(bridge)

56
 b. Cách thử diode :

Bảng đo điện trở thuận và nghịch của diode :

Loại diode : R thuận : R nghịch :

Si Vài K 
Ge Vài trăm  Vài trăm k

Trong phép đo thử diode, ta có các trường hợp sau :

- Điện trở thuận và nghịch cách xa nhau như bảng  diode tốt .
- Điện trở thuận và nghịch = 0   diode nối tắt .
- Điện trở thuận và nghịch =    diode bị đứt (hở mạch) .

5-3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE :

1) Mạch nắn điện bán kỳ :

Lập mạch thí nghiệm như hình 5-6, biến thế T là máy giảm thế từ nguồn xoay chiều
v1 xuống trị số v2 thích hợp, RL là điện trở tải (load) .
- Ở bán kỳ dương : D phân cực thuận  có dòng IL qua RL và cho ra điện thế trên
tải : Vout = RL.IL  V2 .
- Ở bán kỳ âm : D phân cực nghịch  không có dòng qua RL Vout = 0 .
Vậy : dòng IL qua tải và hiệu thế ngỏ ra chỉ có ở bán kỳ dương nên mạch điện này
được gọi là mạch nắn điện bán kỳ .

57
 2) Mạch nắn điện toàn kỳ :

Biến thế sử dụng trong mạch nắn điện này là biến thế ra đầu giữa, ở cuộn dây thứ
cấp có 3 đầu ra : A, O, B . O là đầu ra giữa chia thứ cấp thành 2 cuộn dây bằng nhau,
khi O nối xuống điểm 0 v (ground- nối đất), thì : VAO và VBO đảo pha nhau.
- Khi VAO ở bán kỳ dương  DA dẫn, lúc này VBO ở bán kỳ < o  DB ngưng dẫn
và có dòng IL qua tải .
- Khi VAO ở bán kỳ < 0  DA ngưng dẫn, lúc này VBO ở bán kỳ > o  DB dẫn và
có dòng IL qua tải .
- Vì vậy, trong cả 2 bán kỳ > 0 và < 0 : DA và DB luân phiên dẫn cho ra trên tải những
bán kỳ dương Vout liên tục với : Vout = IL.. RL ~ V2 .(H 5-7)

Chú ý :
- Khi diode ngưng dẫn, diode sẽ chịu hiệu thế ngược = 2 V2.
- Nếu ngõ ra có tụ lọc : Vout  V2  2 (V2 là trị hiệu dụng của dòng xoay chiều v2 ),
trị số RL càng nhỏ , nghĩa là dòng tải IL càng lớn hiệu thế DC ở ngỏ ra sẽ bị gợn sóng
(ripple) như đã khảo sát ở bài tụ điện .

3)Mạch nắn cầu :

- Khi V2 ở bán kỳ > 0  D2 , D4 dẫn (phân cực thuận); D1, D3 ngưng dẫn (phân cực
nghịch, chịu hiệu thế ngược VR = V2)  dòng IL qua tải, cho hiệu thế ra Vout = RL. IL
~ V2
- Khi V2 ở bán kỳ < 0  D1, D3 dẫn (phân cực thuận); D2, D4 phân cực nghịch ngưng
dẫn (chịu VR = V2)  dòng IL qua tải, Vout = IL.RL ~ V2 .
- Kết luận: ở cả 2 bán kỳ > 0 và < 0 : Vout luôn xuất hiện ~ V2 như ở H 5-2 .

58
 So sánh giữa mạch toàn sóng và mạch nắn cầu :
Cả hai mạch đều cho ra hiệu thế ở dạng sóng toàn kỳ như nhau . Nhưng :
- Mạch toàn sóng : dùng ít diode, VR cao và máy biến thế sử dụng là loại ra đầu giữa
nên số vòng thứ cấp phải quấn gấp đôi số vòng so với biến thế dùng cho mạch nắn cầu
.
- Mạch nắn cầu : dùng nhiều diode, VR thấp .

5.4 CÁC LOẠI DIODE KHÁC :

1) Diode Zenner :

a) Ký hiệu và cấu tạo :

- Diode Zenner có ký hiệu như ở H 5-9 .
- Pha với nhiều tạp chất nên có VR max thấp gọi là hiệu thế Zenner VZ :
VZ = 3  30v DC
- Làm bằng vật liệu chịu nhiệt cao, nên khi dòng điện tăng cao Zenner vẫn làm việc
được .
b) Tính chất và đặc tuyến:

- Ở chế độ phân cực thuận, zenner có đặc tính như diode thường .
- Làm việc ở chế độ phân cực nghịch.
- Khi hiệu thế qua zenner VZ = VR max, ta gọi hiệu thế này là hiệu thế ổn định của
zenner, khi VD = VZ, dòng điện tăng lên cao nhưng VZ vẫn không đổi, người ta lợi dụng
tính chất này của zenner để làm mạch ổn áp .
- Điểm làm việc Q thường được chọn trong khoảng AB trên đặc tuyến V-A của
zenner (đoạn phân cực nghịch) sao cho :
I1  Ingược danh định  Imax = Pmax / VZ
Với : Pmax = VZ . Imax = công suất tiêu tán cho phép
Nếu công suất tiêu tán của zenner lớn hơn Pmax hay dòng qua zenner lớn hơn dòng
cực đại cho phép thì zenner sẽ cháy vì quá nhiệt .
c) Ứng dụng: Mạch ổn áp

59
 Ví dụ:
Cho diode zenner 1N758 có các thông số:
Loại: Si, Pmax = 0,3 watt ; VZ = 10V; Ingược danh định = 20 mA được dùng cho mạch
ỏn áp nhu hình trên với : R1 = 300 , RL = 1,2 K , dòng qua zenner lúc VZ ổn định :
I1 = 10 mA . Tính VS ? để: VL = Vout = 10 v .
Với diode này Ingược danh định là 20 mA, và :
IZ min = I1 = dòng qua DZ lúc VZ ổn định = 10 mA.
Pmax 0,3
I Z max    30mA
VZ 10
V 10
Dòng qua tải : IL  Z   8 mA . Vậy :
RL 1200
Imin = IL + IZ min = 8 + 10 = 18 mA . Và: Imax = IL + IZ max = 8 + 30 = 38 mA
Tầm của hiệu thế vào:
VS min = Imin x R1 + VZ = 0,018 x 300 + 10 = 15,4v
VS max = Imax x R1 + VZ = 0,038 x 300 + 10 = 21,4v
Vậy hiệu thế nguồn biến thiên : VS = 15,4  21,4 volt .
Nhận xét :
Với mạch ổn áp zenner, nguồn thay đổi VS = (1,5  2)VZ là hợp lý nhất. Nếu lớn
hơn diode sẽ dễ bị hỏng do quá nhiệt .
2) Diode quang : (photo diode)
- Có cấu tạo như diode thường nhưng vỏ bọc cách điện có một phấn là kính hay thủy
tinh để nhận ánh sáng chiếu vào mối nối P-N .
- Làm việc theo chế độ phân cực nghịch, khi có ánh sáng chiếu vào mối nối phân
cực nghịch này sẽ phát sinh hạt tải thiểu số làm dòng điện tăng nhanh tỷ lệ thuận theo
cường độ chiếu sáng .
- Thường dùng trong mạch báo động cháy, điều khiển ánh sáng …

Tình trạng : R nghịch : R thuận :

Che tối  Rất lớn
Chiếu sáng 10  100 K Vài trăm 

60
3) Diode phát quang LED : (light emitting diode)
- Làm bằng bán dẫn Gali (N=31) Asen (N=33) : Ga-As, khi có dòng điện đi qua thì
phát ra ánh sáng, lợi dụng tính chất này người ta chế tạo ra LED có màu khác nhau :
đỏ, vàng, xanh…
- Phân cực thuận với hiệu thế cao hơn diode thường nhưng phân cực nghịch với hiệu
thế không cao .
- Thường được dùng trong các mạch báo hiệu, chỉ thị …

LED : Đỏ Vàng Xanh lá

Vthuận : 1,4  1,8 v 2  2,5 v 2  2,8 v
ID : 5  20 mA (thường chọn 10 mA)

Ví dụ :
Cho mạch như ở hình trên, với : V S= 12 V, led màu xanh được chọn ID = 10 mA,
VD = 2V . Tính toán R và công suất của điện trở này ?
12  2
R  1K  P  10  0,01  0,1 watt  PR  2  0,1  0,2 watt
10mA
Chọn : PR = 1/4 watt .
4)Diode tách sóng :

- Làm việc ở chế độ phân cực thuận với tần số cao,thường được chế tạo bởi bán dẫn
Ge
- Mối nối P-N có diện tích tiếp xúc nhỏ để giảm điện dung ký sinh ở tần số cao
- Dòng điện chịu đựng nhỏ (vài chục mA), điện thế ngược cực đại nhỏ (vài chục
volt)

61
 5)Diode biến dung : (varicap)
Là loại diode có điện dung ký sinh thay đổi theo điện thế phân cực, có ký hiệu và
nguyên lý làm việc dựa trên nguyên tắc sau :

Như ta đã biết khi phân cực nghịch hay phân cực thuận với VD < V, hai bên mối nối
P-N luôn có hàng rào điện thế, khoảng này như một lớp cách điện đóng vai trò điện môi
giữa hai nhóm điện tích trái dấu, nên sẽ hình thành tụ điện ký sinh CD, được tính theo
công thức :

 : hằng số điện môi

S S : tiết diện mối nối P-N
CD   
d d : bề dày hàng rào điện thế thay đổi theo điện thế V D

Khi diode được phân cực thuận, lổ trống và điện tử bị đẩy về phía mối nối P-N làm
thu hẹp bề dày hàng rào điện thế d nên điện dung CD tăng lên . Ngược lại, khi diode
phân cực nghịch lổ trống và điện tử bị kéo ra xa mối nối làm tăng bề dày d nên C D bị
giảm xuống .
Điều kiện phân cực :
- VS < V : Nếu VS  V , diode sẽ dẫn điện  không còn tính chất của tụ .
- VS  VR max : nếu VS  VR max , diode sẽ bị chọc thủng  tụ bị hư .

62


63