Chương 2: Diode

2.1 Khái niệm

 Diode
o Là một linh kiện bán dẫn được tạo thành bằng cách đặt 2 lớp vật
liệu bán dẫn loại p và loại n tiếp giáp với nhau.

o Ký hiệu:

 Nồng độ hạt dẫn đa số

o Bán dẫn loại n:
 electron là hạt dẫn đa số
 lỗ trống là hạt dẫn thiểu số
 o Bán dẫn loại p:
 lỗ trống là hạt dẫn đa số
 electron là hạt dẫn thiểu số

 Bán dẫn thuần ( tinh khiết )

o Có mật độ electron tự do bằng với mật độ lỗ trống
 Bán dẫn loại n
o Là loại bán dẫn được hình thành khi thêm vào tạp chất có 5
electron hoá trị trên nền Si Bán dẫn loại p
o Ví dụ: 1 nguyên tử Sb liên kết với 4 nguyên tử Si xung quanh
dẫn đến thừa 1 electron hoá trị, tạo thành 1 electron ( nguyên tử
cho ) .

 Bán dẫn loại p :

o Là loại bán dẫn được hình thành khi thêm vào tạp chất có 3
electron hoá trị trên nền Si.
o 1 nguyên tử tạp chất liên kết với 4 nguyên tử Si xung quanh dẫn
đến thiếu 1 electron hoá trị, tạo thành 1 lỗ trống ( nguyên tử
nhận ) .
 Lớp tiếp giáp p-n
o Hai khối bán dẫn p-n tiếp xúc nhau
o Do chênh lệch nồng độ → hiện tượng khuếch tán của các hạt
dẫn đa số:
 Electron ở bên n nhiều hơn → Điện tử e có xu hướng
khuếch tán từ n → p
 Lỗ trống ở bên p nhiều hơn → Lỗ trống có xu hướng
khuếch tán từ p → n
 Khuếch tán tới khi nào cân bằng.
 Lớp tiếp giáp p-n cân bằng nhiệt
o Trên đường khuếch tán, các điện tích trái dấu sẽ tái hợp với
nhau (trung hòa điện tích)
→ nồng độ hạt dẫn giảm xuống rất thấp trong vùng ở hai bên
ranh giới, không còn tạo ra dòng điện.
o Tại vùng đó, bên p hầu như chỉ còn ion nhận tích điện âm ( e ) ,
bên n hầu như chỉ còn ion cho tích điện dương ( hole ).
→ Vùng nghèo ( nghèo nồng độ hạt dẫn )

 Lớp tiếp giáp pn phân cực ngược

o Đặt một điện áp (+) VR vào đầu n của lớp tiếp giáp pn
 o ở trạng thái cân bằng, lớp tiếp giáp ở đầu n chưa hole ( + ) , p
chưa electron ( - )
→ lại cho lỗ trống tiếp tục tập trung vào n, e vào p
→ vùng nghèo được mở rộng ( nồng độ hạt dẫn càng thấp)
→ dòng điện chạy giữa 2 lớp chuyển tiếp pn còn nhỏ hơn nữa,
nhanh chóng đạt trạng thái bão hòa.

 Lớp tiếp giáp pn phân cực thuận

o Đặt một điện áp (+) VD vào đầu p của lớp tiếp giáp pn
 o Hàng rào điện thế giảm
→ hạt dẫn đa số tràn qua hàng rào sang miền đối diện
→ tình trạng thiếu hạt dẫn trong vùng nghèo được giảm bớt
→ bề dày vùng nghèo thu hẹp
→ điện trở giảm
→ dòng điện tăng nhanh theo điện áp.
2.2 Đặc tính Volt-Ampere
 Điện áp rơi trên điốt và dòng điện qua điốt có dạng:
i D =I S [e
( )−1]
vD
nV T

 Trong đó:
o is : dòng bão hoà phân cực ngược, (10−18 → 10−12A )
o V T = 0.026V ở nhiệt độ phòng (điện áp nhiệt)
o n : hệ số lý tưởng, 1 ≤ 𝑛 ≤ 2

 Điện áp đánh thủng diode

o Khi tăng dần điện áp nược đặt trên 2 đầu diode
→ đến 1 giá trị nào đố thì sẽ xảy ra hiện tượng dòng điện
ngược tăng nhanh theo hệ số mũ
→ khi quá lớn sẽ đánh thủng diode.
o Tùy theo mức độ tạp chất cao / thấp → điện áp đánh thủng sẽ
khác nhau
 Lượng tạp chất thấp → Điện áp đánh thủng lớn
 Lượng tạp chất cao → Điện áp đánh thủng nhỏ hơn.