Chương 4

MẠCH
m KHUẾCH ĐẠI
w CÔNG SUẤT

4.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT

Nhiệm vụ của tầng khuếch đại công suất là đưa ra tằi một công suất đủ
lớn theo yêu cầu, có thể từ vài chục mW đến hàng trăm hay hàng ngàn w .
Hệ số khuếch đại công suất đóng vai trò quan trọng, còn hệ số khuếch đại
điện áp chỉ là thứ yếu.
- Tầng công suất có thể làm việc ở các chế độ khác nhau; chế độ A, AB,
B hay chế độ c , nhưng để khuếch đại các tín hiệu điều hòa thường sử dụng
hơn cả là chế độ A và AB (hay còn gọi là chế độ B|).
- Đây là tầng khuếch đại tín hiệu lớn nên buộc phải làm việc ở đoạn
cong của đặc tuyến transistor nên sẽ gây méo phi tuyến.
- Tầng công suất có thể mắc theo sơ đồ đofn hay sơ đồ đẩy kéo, có thể
dùng nguồn cấp điện đơn cực hay nguồn đối xứng có điểm giữa trung hòa.
- Hiệu suất của tầng công suất quyết định hiệu suất của máy khuếch
đại; việc nâng cao hiệu suất ngoài ý nghĩa tiết kiệm năng lượng còn làm
giảm công suất tiêu tán trên vỏ transistor dưới dạng nhiệt.
- Các tầng khuếch đại công
suất được phân ra: tầng đcfn, tầng
đẩy kéo, tầng có biến áp ra, tầng
không biến áp ra...
* T ầ n g côìig su ấ t m ắc đơn tải
điện tr ỏ (hình 4-1)
Hình 4-1. Tầng công suất mắc đơn tải điện trỏ

Để khuếch đại các dao động điều hòa tầng chỉ làm việc ỏ chế độ A,
trong đó transistor làm việc trong cả hai nửa chu kỳ tín hiệu.

105
 Công suất ra p = = Is 2^ = -Hsm-
" 2 2 2R„

Trong đó U,„ = U c B „ = |v à I „ = I„

p_. , = H - k = i Ễ . = i l ,E
ramax 2 2 2^° 4 *

Công suất tiêu thụ từ nguồn

Po = Ico E

Hiệu suất cực đại khi p„ -> p,ra max

n = i ỉ= -|. 100% = 25%

4I„E
Thực tế hiệu suất còn thấp hơn.
Điện trở tải xoay chiều tối ưu được xác định:

■^Ct.ư
h. 2K
ư u điểm: tín hiệu ít bị méo
Nhược điểm: công suất ra nhỏ, hiệu suất thấp.
* Tầngcôngsuất mắc đơncó biếnáp ra(hình4-2)
Biến áp ra có chức năng ngăn một chiều, dẫn tín hiệu xoay chiều ra tải
Rị đồng thcri phối hợp trở kháng.
Điều kiện phối hợp trở kháng

Rra = R( = R(
_
Trong đó n =
w hệ số biến áp;
W2
R„ - điện ừở ra của tầng khuếch đại;
R, - điện trở tải;
R, - điện trở tải quy về sơ cấp biến áp.

Từ đó suy ra n= R.
i R.

106
 Nếu biến áp ra là lý tưỏng thì điện trở tải xoay chiều ở mạch ra
u_ U
Ira - Ico

a) Hinh 4-2. Tầng công suất mắc đớn, có biến áp ra b)

- Công suất ra cực đại

ramax 2 2 ■ “

- Công suất tiêu thụ từ nguồn:

Po = U,„.I^ = I,„E
- Hiệu suất cực đại:
• • •

1 E.I
= ^100% = 50%
Po 2 E.I
Trong thực tế biến áp luôn có tổn hao và tồn tại điện áp dư Udu nên hiệu
suất còn nhỏ hơn.
Khi làm việc với tải tối ưu biên độ điện áp cực đại Uca™, bằng 2E YÌ tải
mang tính điện kháng nên xuất hiện sức điện động cảm ứng trong cuộn sơ
cấp biến áp.
* T ầ n g công su ấ t m ắ c theo sơ đ ồ đẩy kéo có biến áp ra (hình 4-3)
BAị là biến áp đảo pha;
BAị là biến áp ra.
Tầng có thể làm việc ở chế độ A hay chế độ B nhưng thường là chế độ
AB với dòng tĩnh I,.o« (1 0 100) ^A.

107
 +E
ỉ« .

r r"T T ~V i
:u - v ịv - ^ ^
uy
L
BAI T,
Ba2

a)

Hình 4-3. Sơ đồ công suất (a) và đặc tuyến ra (b)

Điện trở tải của mỗi transistor (1/2 cuộn sơ cấp là W | vòng) được xác định,
R w,
R’, = n'.R, Suy ra n = n = -^
R w.
- Công suất ra cực đại một nhánh

p _ il r ; _ I.. UcB. ■_ I.n E

ni max 2 2 2

Dòng điện trung bình trong một chu kỳ của một nhánh (1 transistor)
1 I ...
I ĩ n

Dòng tiêu thụ từ nguồn E (cả hai nhánh); = 2.—

n
- Công suất tiêu thụ từ nguồn E:

Po = I„ .E = -I,„ E
n
Hiệu suất cực đại của tầng
p ĩ F.
Imax

71

= -100%=78,5%
4

108
 Thực tế biến áp có tổn hao và ưcEm < E nên hiệu suất thấp hơn.
Công suất tiêu tán trên colectơ của một transistor dưới dạng nhiệt.
P _ p I I

Suy ra pcmax = -_2

^ P wO,4Pr;iniax
n
Kết luận:
- ở chế độ B hay AB khi Uy = 0 tầng không tiêu thụ năng lượng.
- Ngắn mạch tải và hở mạch tải khi có tín hiệu vào đều rất nguy hiểm
cho transistor.
* Tầỉìg công su ấ t đẩy kéo m ắc nối tiếp không hiển áp ra (hình 4-4)

1
R,
R. ị ị »í
c,
•• I11I ' 1
u.
JL R.: ; R,

Hình 4-4

Để mắc tải trực tiếp không qua biến áp phải dùng nguồn đối xứng ±E có
điểm giữa trung hoà, các cực + và -E không được nối với vỏ máy. Transistor
T|, Tt là hai nhánh của tầng công suất, dùng hai transistor khác loại dẫn
điện, đều mắc theo sơ đồ tải emitơ nên không khuếch đại được điện áp. Tầng
T, là tầng kích công suất và khuếch đại điện áp, tải xoay chiều là Rj; D| và
D, làm nhiệm vụ tạo thiên áp và ổn định nhiệt cho T| và T,.
Tầng thường làm việc ở chế độ AB. Các tính toán của tầng này giống
như đã xét ở trên.
* T ầ n g công su ấ t m ắc theo sơ đ ồ đẩy kéo íỉùng tụ p h á n cách c¡>
Trong trường hợp không có nguồn đối xứng mà chỉ có nguồn đơn cực,
muốn mắc tải trực tiếp, không qua biến áp thì phải dùng tụ phân cách Cp
mắc nối tiếp với tải.
Tụ Cp có hai chức năng: ngàn thành phần dòng một chiều qua R, và làm
nguồn thứ cấp cho T2 khi T| tắt. Tụ Cp sẽ phóng, nạp qua T|, T-, và R,.

109
 Tầng Tj và các linh kiện hợp thành giống như sơ đồ dùng nguồn đối xứng.

4.2. PHẨN BÀI TẬP CÓ LỜI GIÀI

(1 ^ Bài tập 4-1. Cho mạch khuếch đại công suất như hình 4-5 a
Biết: E =12V
Rc = 20Q
R, = 2kQ
U be = 0,5V; p = 50
Dòng điện vào có biên độ Iv = I b = 5mA.
a) Xác định điểm làm việc tĩnh 0 và
đường tải một chiều, xoay chiều. Hình 4-5a

b) Xác định dòng Ic ứng với ly = 5mA.

Bài giải

a) Dòng tĩnh Ibo được xác định I,(m

ị A)
E -U e,o 1 2 -0 ,5
_____
= 5,75mA Ạ ^R=R~
R, 2.10' 1\ 287,5
Dòng tĩnh colectơ
....V Ỵ
/
V/ ..... x,„ ^
6,25 U„(V)
Icx) = PIbo = 50.5,75 = 287,5mA
- Điện ap U (^ = 12-IqqRc =
12 - 287,5. lOMO = 12 - 5,75 = 6,25V
Hình 4-5b
Điểm làm việc tĩnh o có toạ độ
o (6.25V; 287,5mA).
- Để vẽ đường tải một chiều và xoay G h iều (ở đây = R_ = Rc) cẫn xác
định thêm một điểm nữa ngoài điểm o . Biết phương trình đường tải
U,, = E -IcR c
Cho Ic = 0 u „ = UcE = E = 12V. Nối điểm o với điểm 12V trên trục
hoành ta được đường tải một chiều.
Trong trường hợp này vì R = R. nên đường tải một chiều và xoay chiều
trùng với nhau.

110
 b) Khi dòng điện vào Ig biến thiên 5mA thì dòng điện ra sẽ biến thiên

a) Hiệu suất của tầng.

b) Công suất tiêu tán trên colectơ của transistor.

Bài giải
a) Để xác định hiệu suất, cần xác định công suất ra tải và công suất tiêu thụ.
_ ("250
- Công suất ra p = ^ R = .20 = 0,625W
2 2
- Công suất tiêu thụ từ nguồn
Po = E.I,„ = 12.287,5.10' = 3,45W

Hiệu suất TỊ = ^ ^ 1 0 0 % = 18,1 %

' 3,45
b) Công suất tiêu tán trên colectơ transistor

Pc = Po - Pra = 3,45 - 0,625 = 2,825W

( Q ) Bài tập 4-3. Đề lặp lại bài 4-1.

Nếu giảm biên độ dòng tín hiệu vào còn 3mA
Hãy xác định:
a) Công suất ra.
b) Hiêu suất của tầng.
c) Công suất tiêu tán trên colectơ.
d) Cho nhận xét.

Bài giải

a) Xác định công suất ra

- Dòng điện ra = I g .p = 3.50 = 150mA
Í15010"^y
- Công suất ra = -^ R . = ^ ^ 20 = 0,225W

111
 - Công suất tiêu thụ, không đổi
P„= L,,n= 12. 2 8 7 ,5 .1 0 ' = 3 ,45 w

b) líiệu suàì của tầnạ

p . . 0 225
n= 100% = - - - 100% - 6,52%
K 3,45
c) Công suâì tiêu tán trên colectơ P(.
= p„ - = 3,45 - 0,225 = 3,225W

d) Nhận xét:
- Còns suất tiêu thụ từ nguồn là cố định, không phụ thuộcvào mức lín
hiệu vào, vl tầng làm việc ở chế độ A.
- Biên độ tín hiệu vào giảm thì hiệu suất giảm và công suất tiêu tán P(~
tãng lên.

( 1 ^ Bài tập 4-4. Cho mạch khuếch đại công suất có biến áp ra như hình 4-2.
Biết dòng điện tĩnh l|i„ = 3iĩiA; ß = 20; H = 12V; Un|,,) = 0.6V, biên độ
dòntỉ diện vào ỉ|j,„ “ 4mA.

Sụt áp trên R,v : ƯR,.; = 1V; R, = 8Q; n = =4 .

a) Xác định điện trở R| và R,.

b) Xác định diêm làrn việc tĩnh, đường tải một chiều và xoay chiểu.
c) Xác dinh dòng í^„, và điện áp u^,„.

Bài giải
a) Xác định trị số điện trở R| và R,
- u,„ = u,,; + U,„,o = 1.0 + 0,6 = 1 ,6 V

U,, - I,.R, R, - =% - V- s o n
' l, 4I„„ 4 . 5 . 1 0 '

- U |^ | = ( I ị , + I ị ị q ) R ị = E - U ị^2

l, + I„, 51., 5.5.10 ‘

12
 b) Xác định điểm làm việc tĩnh
Nếu coi biến áp là lý tưởng thì Ư C E O = E = 12V
Ico “ ßlßo —20.50 = lOOmA
Toạ độ điểm làm việc tĩnh o (12V; lOOmA)

Điện trở tải quy về sơ cấp biến áp

R’, = n-R, = 4 l8 = 1 2 8 n
Từ điểm trên trục hoành có điện áp Uc£0 = 12V công thêm một đoạn
điện áp bằng = 100.10'll28 á = 12,8 V, được điểm B kẻ đường thẳng
qua B và o ta được đường tải xoay chiễu.
Từ đồ thị xác định, ứng với dòng Ißn, biến thiên ±4mA.
U c e . « = 22V
U c E . i n = U a . = 3 V

Icmax= 180 mA
Icmin = 2,0 tĩìA.
1 8 0 -2
Biên độ dòng cực đại I = 89mA

Biên độ điện áp ra cực đại

ICEmax ^CEmìn 2 2 -3
U = 9,5V

8- 250BTKTĐIỆNTỪ-A 113
( í ^ Bàì tập 4-5. Đề lặp lại bài 4-4
a) Xác định công suất ra tải.
b) Xác định công suất tiêu thụ.
c) Xác định hiệu suất của tầng.
d) Công suất tiêu tán trên transistor.

Bàỉ giải
a) Điện áp hiệu dụng trên cuộn sơ cấp biến áp:
TI I —ĩ 79 —'ĩ
I =-ĩ^ = = 6,74 V
72 2 yÍ2 iS
- Giá trị hiệu đụng điện áp bên thứ cấp biến áp tức là trên tải R,:

U ,= U ™ Ị = Ì A 7 4 = 1.685V

- Công suất ra tải:

p „ = ^ = ílì^ = 0 ,3 5 5 W
” R. 8
b) Công suất tiêu thụ từ nguồn:
Po = E.I,„ = 12V.100.10' = 1,2W
c) Hiệu suất của tầng:
p ___ 0 355
T1= -^100% = = 29,58%
Po 1,2 ’
d) Công suất tiêu tán ữên vỏ transistor Pc
Pc = Po - Pra = 1,2 - 0,355 = 0,845W

Bài tập 4-6. Đề lặp lại bài 4-4. Nhưng giảm điện trò tải xuống còn
4 0 . Hãy xác định công suất ra, hiệu suất và công suất tiêu tán Pc-

Bài giải
a) Nếu Rị = 4Q, thì R’, = n^.R, = 4^.4 = 64Q, toạ độ điểm B trên trục
hoành bây giờ là 12V + 100.10164 = 18,4V. Từ đồ thị (hình 4-6) ứng với
Ib„ = ±4mA so với Igo ta xác định được

8 - 250BTKTOIỆNTỬ - B
 U„„., = U ce„„= 18V
ư.„ì„ = ư c h „ m = U,„ = 3V
Icmin = 2mA
Q _=180m A
Biên độ điện áp ra không méo
n - UcB.a.-UcB.n_ 1 8 -3
CEm 2 2

- Điện áp hiệu dụng bên sơ cấp biến áp

Ư ™ . = ^ = ^ = 5,32V
n/2 >/2
- Điện áp hiệu dụng bên thứ cấp biến áp
1 5 32
U ,= U „ ^ .- = ^ = 1,33V
' ""*4 4

- Công suất ra

P , = ^ = Í!4 ẽ )! = o,442W
" R 4
Công suất tiêu thụ
Po = I,„.E = 100.10M 2 = 1,2W
p 0 442
b) Hiệu suất TI = ^ .1 0 0 % = ^ ^ ^ .100% = 36,83%
Po 1,2
c)Công suất tiêu tán
Pc = Po-p„ = 1,2-0,442 = 0,758 w
Kết luận: Khi điện trở tải giảm công suất ra tăng lên.

( 1 ^ Bài tập 4-7. Cho tầng khuếch đại công suất (KĐCS) mắc đcfn làm việc
ở chế độ A như hình 4-7.
Hãy xác định công suất ra (P„) hiệu suất của tầng (ĩi) với biên độ dòng
20
bazơ Ib„ = lOmA; p = 25; Ic(B) = ^ = — = ÌOOOmA
20

Ecc = ưce(A) = 20V ; U be = 0,7 V

115
 " E 20V

20Q

o +Ic
T(Si)

a)

Hình 4-7

Bài giải

Tọa độ điểm Q được xác định theo phưcttig trình đưcmg tải một chiều (R_)

R, 1.10'

= ß.Ibo = 25.19,3mA = 0,48 A

Uceo = Ecc - IcoRc = 20 - 0,48. 20 = 10,4V

- Toạ độ hai điểm A và B trên trục hoành và trục tung tưofng ứng sẽ là:
20V và lOOOmA.
- Biên độ dòng ra (dòng colectơ) sẽ là:

Icm = Ibm- ß = lOmA.25 = 250mA

p = Í 2 5 0 ] 0 2 ¿ 20 = 0,625w
m 2 ^ 2

P o = E c c - I c o = 2 0 . 0 , 4 8 = 9 , 6 W

^ = ^ 1 0 0 % = ^ ^ 1 0 0 = 6 , 5 %

Po 9 ,6

( l ^ Bài tập 4-8. Cho tầng khuếch đại công suất ghép biến áp như hìnầ 4-8.

116
 Hãy xác định công suất ra trên tải.
E lO V
ựĩTĩA)
l
w,5 ^ÍR. 8fì 400ị- ĩ4 m A
R. 12mA

l_ = 2 2 5 m A lOmA
8m A
2oa-
AIc 6m A
u. l^.^ị„=25mA 1001-, 4m A

^ ^ — H--2mA-ỉj^
5 10 15 po 25 UJV)
X Uc.„,„=18.3V

b)
a)
Hình 4-8

w 3
Với các số liệu cho thêm: Ibo = 6mA; I(^ = 4mA; n = — = —= 3
W2 1

Bài giải
Dựng đưòng tải một chiều R_ như trên hình 4-8b, ta có được: = lOV
I,,= 140mA
Điện trở tải phản ánh từ thứ cấp về sơ cấp của biến áp là: R’, = n^.R, =
3 \s = 7 2 0
Biên độ dòng colectơ được xác định:

I =Ễí£- = i® =i39m A
R ’, 72
Toạ độ điểm B’ trên trục tung sẽ là:
rc..x = Ico + I c . = 140+ 139 = 279mA
Nối điểm Q và B’ ta sẽ được đường tải xoay chiều R. cắt trục hoành tại
điểm có ư ,, = 20V đó là điểm A ’.
Trên hình 4-8b vổi biên độ dòng = 4mA đường tải R„ cắt các đường
đặc tuyến ra tưomg ứng với = I|„ + Ibn, = 6 + 4 = lOmA
và Ib„i„ = Ib„ - ĩb„ = 6 - 4 = 2mA
r

Khi đó ta có các ‘giá trị điện áp u „ và Ic tương ứng

117
 U„„i„=l,7V Ui„ = 25mA
u _ = 18,3V u , = 255mA
như trên hình vẽ 4-8b.
Công suất ra sẽ là:

p _ ^^cemax ^cemìn ^^^ciTiax ^cmin^

8

( 1 8 , 3 - 1 , 7 ) ( 2 5 5 . 1 Q - ^ - 2 5 . 1 0 - ^ ) p

8
(15^ Bài tập 4-9. Cho tầng khuếch đại công suất như hình 4-8 dựa trên kết
quả bài tập 4-8.
Hãy xác định Pq; Pc và t|.

Bài giải
p„= = 10V.140.10' = 1,4 w
p”= Po- p„= 1,4 - 0,477 = 0,92w
p __ 0 477
11 = - ^ 100% = 100% = 34,1%
Po
( í i ặ Bài tập 4-10. Cho bộ KĐCS làm việc ở chế độ B với = 20V,
^ R, = 16Q, E„ = 30V.
Hãy xác định Pq, Pr¡„ "n.
Bài giải
Với biên độ điện áp ra 20V và tải 16Q ta túứi được biên độ dòng tải sẽ là:

I,m= U = ^ = ^ = U 5A .
lo
Dòng tiêu thụ trung bình là:

I.b = % = - = r ( U 5 ) = 0,796A
71 71

Công suất tiêu thụ từ nguồn cung cấp sẽ là

Po = Ecc.I,b = 30.0,796 = 23,9 w
Công suất ra tải là
Ui (2 0 f
" 2R. 2.16

118
 Hiệu suất của tầng là:

TI = ^ 100% = — 100% = 52,3%

Po 23,9

(l6^ Bài tập 4-11. Cho bộ KĐCS dùng transistor làm việc ở chế độ B mắc đẩy
kéo như hình 4-9 (giả thiết
transistor lý tưởng). Hãy xác định
công suất tiêu tán Pc trên mỗi
ù-ansistor, p„, Po và Ĩ Ị . Với Uv
hiệu dụng (rms) là 12V = ưvnro-

Bài giải
Biên độ điện áp vào là:
u.,„ = >/2.U_ = n/2.12V = 17V
vm vrms

Với tầng KĐCS lý tưởng ta coi

đúng bằng (không có tổn hao trên tiếp giáp bazơ-emitơ).

Công suất ra sẽ !à:

17^
pra ^ = 36,125W
2R. 2.4
Biên độ dòng tải là;
U _ 17
I.™ = l.n,= - ^ = J = 4.25A

Dòng trung bình được tính

71
Công suất tiêu thụ từ nguồn cung cấp là:
p,b = = 25.2,71 = 67,75W
Công suất tiêu tán trên mỗi transistor là
67,75-36,125
= 15,8W

119
 Hiệu suất ĩ] là:

^ 100% = 1 0 0 % = 5 3 ,3 %
tb 67,75
162) Bài tập 4-12. Cho tầng KĐCS +E,, 24V

làm việc ở chế độ A như hình

4-10. Hãy xác định dòng tĩnh I(.o
và công suất tiêu thụ từ nguồn
cung cấp Po-

Bài giải

Ị —
Ecc ________
Ecc______
" R _+R _ R ,+ R ,+ R ,

E = 24 W E 24
= — = — —— = 1,454A
2R^+R^ 2.8+ 0,5
~ X r r ^
R ,ị t« 'jR ,8 n
( ở đ â y R _ = R ,; R - = R , + R ,)

ư
ĨI-. í Po = = 24.1,454= 34,896w
(16^ Bài tập 4-13. Cho tầng KĐCS
nKư hình 4-11. Hãy xác định hệ số
biến áp n với p„= 9w?
Hình 4-11
Bài giải
U:
= 9 W , từ đó ta xác định được biên độ điện áp ra trên tải ư,„
2R,

U,„.=VP„.2R, = 7 ^ = 12 V

Với giải thiết r, = (biến áp có cuộn sơ cấp lý tưởng) nên biên độ

điện áp ra phản ánh về sơ cấp u đúng bằng u „0 và bằng E„.

ư ,„ = U„„ = E,, = 24V

u .„ 12

120
( í ^ Bài tập 4-14. Qio tầng KĐCS làm việc ở chế độ A như hình 4-11 (xenn bài
tập 4-13). Hãy xác định công suất tiêu tán trên colectơQỦa transistor T.

Bài giải

E E 24
Ico =
R. + R_ R ',+0 n^R, 2\8

Po = E,Ao = 24.0,75 = 18W

Vậy p, = Po - p„ = 18 - 9 = 9 W

( l ^ Bài tập 4-15. Cho mạch khuếch đại công suất như hình 4-12. Biết hai
transistor là lý tưởng = 0, I^„¡„ = o, E = 20V. Biến áp ra là lý tưởng,
hệ số biến áp n = 2.
R, = 8Q; R2= lOOQ.
a) Xác định trị số điện trở R|
để tầng làm việc ở chế độ AB
YT /\ Â\ r
VƠI U beo = 0 .4 V .

b) Tính dòng điện cực đại qua

Hinh 4-12
transistor.
c) Tính hiệu suất của tầng.
d) Công suất tiêu tán trên colectơ.

Bài giải
a) Thiên áp ƯBEO được xác định theo biểu thức:

Suy ra R, = - R, = - ĩ 00 = 4,9kfì
UBEO ^ 0 4^
Biến áp lý tưởng nên UgEo = E = 20V và dòng tĩnh 1^0 = ( )mA
b) Dòng colectơ cực đại
E E 20 ,^
= ^T—= , - - = = 1,25A
R ’, n".R, 2-.8

121
 - Công suất ra cực đại
__ CEm ’ cmax __ 20.1,25
= 12,5W

- Công suất tiêu thụ từ nguồn

P„=E.L = E .- .I „ = 2 0 — .1,25 = ]5,92W
" 71 3,14
c) Hiệu suất cực đại của tầng:

Tln,.,x = — .100% = - ^ . 1 0 0 % = 78,5%

p„ 15,92
d) Công suất tiêu tán:
= p„ - = 15,92 - 12,5 = 3,42 w
Bài tập 4-16. Đề lặp lại bài 4-15. Nếu giả thiết tầng làm việc ở chế độ
A với thiên áp U g E o = 1,2V. Hãy xác định điện trở R|.

Bài giải
ở chế độ A cả haí transistor T| và T2 làm việc đồng thời, thiên áp đặt
vàoT, vàT^là 1,2V
R.
U b e o = 1 , 2 V = .E
R, +Rj

Suy ra R, = l,566kQ
U beo 1,2

(1^ Bài tập 4-17. Cho tầng

khuếch đại cồng suất như hình
4-13. Hai transistor T| và T2 có
= 0,5V; I„, = ImA. Tầng
làm việc ở chế độ AB. Công
suất ,ra p,„ = 25 W; điện trở tải
R, = 8Q.
a) Xác định dòng điện cực đại
qua transistor.
b) Điện áp nguồn cần thiết.

122
 Bài giải

a) Từ biểu thức = — R, (ữong đó là biên độ dòng điện ra một nháiih)

2P '2.25
Suy ra I,^, - I, = 2,5A

b) Từ biểu thức (U,^ là biên độ điện áp ra cực đại)

2R,
Điện áp U,,, = u,.„ + U,, = ^P„.2R, + ư ,, = V2 5 .2.8 + 0,5 = 20,5V

Điện áp nguồn E = 2(ựP,,„.2R, + ) = 2 ( 7 2 5 .2.8 + 0 , 5 ) = 41V

E ± 20,5V.

(1^ Bài tập 4-18. Qio mạch khuếch đại công suất như hình 4-14. Biết R, = 8Q;
p„, = 5 w. Hệ số khuếch đại T, và % p = 50
U^I„ = 0,5 V; Tầng làm việc ở chế độ B| có ƯBg()| U BE02 = 0,2V

a) Tính dòng cực đại qua transistor.

b) Điện áp U c e o -
c) Điện áp nguồn cung cấp.

d) Công suất ra cực đại.

Bài giải

a) Từ biểu thức p,^, = -^ .R ,

Suy ra dòng cực đại =

V R. 8

b) Điện áp Uceo = ^/2P,,,R. + = ^ /Ĩ 5 I + 0,5 = 9,44V

c) Điện áp nguồn cung cấp

E=2( ^ 2 1 ^ + ) = 2+ 0 , 5 ) = 18,88 V

123
 d) Công suất ra cực đại ---- L- = 5W
rama* 2 .R^ 2.8

(1 ^ Bài tập 4-19. Đề lặp lại bài 4-18. Nếu biết dòng colectơ của transistor T,
Icx)3 == 1.5Iboi = l, 5 Ig02 (Ibom Ibo-> dòng tĩnh bazơ của transistor Tị và Tj)
a) Hãy xác định điện trở Rj và điện trờ nhiệt R,.
b) Xác định công suất tiêu thụ.
c) Xác định hiệu suất của tầng.

Bài giải

- Dòng tĩnh qua transistor Tj

leo, = 1,5I„ = 1 , 5 ^ = 1 , 3 - ! ^ = 33,5mA

Pmin

a) Điện trở Rj được xác định

ÌE
2 T
= I
= ^O T = 'ỉ'ì e i n -3 = 281,8«
Ic o ,
*co Ic o . 2 I „ , 2.33,5.10'
- Điện trở nhiệt Rt
2U 2.0,2
R = .- ...■.EỌ. = = 1 ,9 Q 1 2 fì
^ Ico3 33,5.10“^
b) Công suất tiêu thụ từ nguồn

p. = -l„ ,..U c B 0 = r ^ l . ' 8 . 9 , 4 4 = 7,095W

K J ,1 4

c) Hiệu suất cực đại của tầng

p 4 99
X] = l i ì = -Z1ĨZ_. 100% = 70,33%
Po 7,095

( l ^ Bài tập 4-20. Đề bài lặp lại bài 4-18. Nếu thay bằng hai điốt giống
nhau mắc nối tiếp thuận chiều. Giả sử dòng qua Tj bằng 1,2 Igoi, Ibo->-
Hãy chọn hai điốt; dòng qua 3 điện trở Rj. T ,

124
 Bài giải

a) Xác định dòng qua Tj

Ia> 5 = 1 . 2 1 « , , = 1 . 2 - ! ^ = 1 . 2 ^ = 2 6 .8 m A

b) Điện trở R.,;

U F. Q 44
R = - 5 - = _ Z l Í!!_ = 352,20
I„, I„, 26,8.10-’
c) Điện trở thuận của hai điốt

=■
f e o i K|£BEỌil. = _ _ M _ = 14,920
Ieo3
C03 26,8.10
Chọn hai điốt hoàn toàn giống nhau có điện trở thuận
14 Q2
R d . = R d2 = - ^ = 7 , 4 6 0 .

( l ^ Bài tập 4-21. Cho mạch khuếch đại công suất như hình 4 - 1 3 . Biết
E=±25V
R, = 4 Q
Giả sử điện áp vào có giá trị hiệu dụng là lOV.
a) Tính công suất ra tải.
b) Tính công suất tiêu thụ từ nguồn.
c) Tính hiệu suất của tầng.
d) Tính công suất tiêu tán trên mỗi transistor.

Bài giải

a) Giá trị biên độ của điện áp vào

U .„ = '/2 U .,„ = ^ y 2 .I 0 = 1 4 ,lV

T| và T, mắc theo sơ đồ tải emitơ nên điện áp ra coi như bằng điện áp vào
U .< P )= 1 4 ,1 V

Công suất ra tải

125
 Ị C ^ ( H Ị ) 1 ,2 4 ,8 5 W
™ 2R, 2.4
Biên độ dòng điện tải

I = ^ ‘<p> = = 3 525A

b) Xác định công suất tiêu thụ từ nguồn

- Dòng trung bình I,b trong cả chu kỳ

Công suất tiêu thụ

Po = I,b.E = 2,245.25 = 56,125 w

c) Hiệu suất của tầng
p 24 85
ri = ^ 100% = 100% = 44,17%
p„ 56,25

d) Công suất tiêu tán trên colectơ của mỗi transistor

p _ p.-p„ _ 56.125-24.85 _
2 2
( l ^ Bài tập 4’22. Một tầng khuếch dại khi chưa cố hồi tiếp âm có hệ số
khuếch đại điện áp k(dB) = 40dB, và điện áp vào Uy = lOOmV. Để tăng
độ ổn định và giảm méo, đưa vào mạch hồi tiếp âm điện áp có hệ số
hồi tiếp k(,t = —^ .
^ 200
a) Tính hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp.
b) Điện áp ra khi chưa có hồi tiếp và khi có hổi tiếp.
c) Điện áp hồi tiếp.

Bài giải

ạ) Hệ số khuếch đại khi chưa có hồi tiếp kjB = 40 đB. Suy ra K = 100
- Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp âm:

126
 = 100 ^
' + K-K. , + iooJ-
200
b) Điện áp ra khi chưa có hồi tiếp
u „ = K.ưv = 66,6.100.10-' = 6,66V
c) Điện áp hồi tiếp

u» = K^-U„ = ¿ 10= 0,05V = 50mV

Bài tập 4-23. Một tầng khuếch đại công suất sau khi lắp ráp đo được
tnéo phi tuyến là 6%.
Để giảm méo phi tuyến xuống còn 1% người ta mắc vào một mạch hồi
tiếp âm.
a) Hãy tính độ sâu hồi tiếp.
b) Tính hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp. Nếu giả thiết khi chưa có hồi
ũếp ưv = 0,5 V thì u„ = lOV.

Bài giải
a) Tính độ sâu hồi tiếp g

Từ biểu tììức y ' = ----------- , frong đó Ỵ. méo phi tuyêh khi chưa có hồi tiếp

y’: méo phi tuyến sau khicóhồi tiếp âm.

_____ Y 6
Suy ra đô sâu hồi tiếp g =1+ KKị,, = -L = —= 6
y' 1
K.Kh, = 6-l = 5
5

Đã biết K = ^ = — = 20 lần
0,5

K „ = — = 0,25
20
b) Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp

127
 K
K' = = ^ = 3,33
1+ K.K ht 6

( í ^ Bài tập 4-24. Cho mạch khuếch đại

dùng J-FET có hồi tiếp như hình 4-15.
Biết: R, = 120kQ
R2 = 30kQ
R3 = 20kQ
Rd = 20kfì
mA
HỖdẫncủaPET g „ = 5

a) Tính hệ số khuếch đại khi chưa có

hồi tiếp âm.
b) Tính độ sâu hồi tiếp g và Kị,,.
c) Tính hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp K’. ,

Bài giải
Đây là mạch hồi tiếp âm, khi chưa tính đến hồi tiếp {hở R| và R,)
a) Hệ số khuếch đại
K = g„,.R. trong đó R_ là tải xoay chiều

Ri+Rp 20 + 20

K = 5. l 0l l0 " = 50
b) Hệ số hồi tiếp Kh,
30
R| +R j (120+30) 5
1
Độ sâu hồi tiếp g = 1 + K.Kh, = 1+ 50 - = 11

c) Hệ số khuếch đại khi có hổi tiếp âm

K
K' = . # = 4,545
l + K.K ht 11

128
( l ^ Bài tập 4-25. Để giảm méo phi tuyến cho tầng khuếch đại công suất từ
5% xuống còn 1% người ta đưa vào mạch hồi tiếp âm qua phân áp Rj,
R,. Biết khi chưa có hồi tiếp
K = 20dB .H ãyxácđịnhtrịsỐ R ,vàR 2. -----

Bài giải
- K(dB) = 20dB. Suy ra K = 10
a) Xác định hệ số hồi tiếp K|,1

Biết y' = Hình 4-16

1 + K.K,,
/\
1
y -1 I _ 4
Kh.=
K I y ’ / " 1 0 íU- - > '; " 1 0
b) Điện trở phân áp hồi tiếp

Rạ -4
K h. =
R, + R 2 10
giải ra; Rị = 1,5R2
Nếu----------------------
^ chọn = 20kQ- thì R| = 30kQ.
---'I ---

( 1 ^ Bài tập 4-26. Mạch khuểch đại thuật toán không đảo như hình 4-17.
Biết hệ số khuếch đại của bản thân bộ
KĐTT Ko = 10“; R n = IMQ; R, = 20kí2
a)Tính hệ số hồi tiếpKh,.
b) Tinh hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp.

Bài giải
a) Hệ số hồi tiếp

Kht. = ^ = ^ = 4 = 0.02
RN 1.10" 50
b) Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp âm K’
1f)4
K' = ----- ^ — - = ----- --------- = 49,75
1 + K„.K„ l + 10^0,02

9- 250BTKTĐỈỆNTỪ-A 129