You are on page 1of 76

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA TP.

HCM

PIN MẶT TRỜI

PGS.TS. NGUYỄN THẾ BẢO 1


TẾ BÀO QUANG ĐIỆN

Tabs
Valence electrons

Grid lines
TẾ BÀO QUANG ĐIỆN: MẶT CẮT

• Negative
• Positive
TẾ BÀO QUANG ĐIỆN: THÀNH PHẦN

• Mặt trước (dải kết nối và các đường dẫn)


– Tập trung dòng điện tạo ra bởi tế bào – cực âm
– Vật liệu làm dải liên kết thường là đồng phủ thiếc
– Dải kết nối rộng gây tổn thất lớn; nhỏ thì tạo trở lực lớn
• Lớp chống phản chiếu (dày ~150 nm) nm = 10-3m= 10-6mm

– Chống silic bị phản chiếu ~1/3 ánh sáng (giảm phản chiếu
xuống dưới 5% - kết cấu nhằm giảm tổn thất <2%) Oxit silic
thường được dùng làm vật liệu phủ.
• Cấu tạo
– Pyramids hay cones, được khắc hóa chất lên trên bề mặt
TẾ BÀO QUANG ĐIỆN: THÀNH PHẦN

• Lớp silic loại n (dày ~300nm = 0,3m)


– Silic được trộn với Photpho nhằm tạo điện cực âm cho tế bào
quang điện
• Mối nối p-n
– Nơi lớp silic n và p type gặp nhau
– Đôi khi gọi là vùng suy giảm (depletion zone)
• Lớp silic loại p (dày 250,000 nm = 250 m= 0,25mm)
– Silic được trộn với Boron nhằm tạo điện cực dương cho tế bào
quang điện
• Mặt đáy
– Mang điện tích dương
NGUYÊN TỬ SILIC

Valence electrons
CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ SILIC
CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ SILIC
Tinh thể Silic
THÊM VÀO CÁC NGUYÊN TỐ TẠO ĐIỆN TÍCH

• Vật liệu silic tinh khiết ổn định nên các electrone chỉ chuyển
động đến các lỗ trống kế cận
• Việc pha vào các vật liệu khác vào silic giúp tạo nên mạng điện
tích trong vật liệu - gọi là quá trình pha trộn (doping)
• Những chất pha trộn thông dụng:
– Boron
• 3 điện tử lớp ngoài cùng – tạo điện tích dương
• Pha trộn1 Boron cho 10,000,000 silic
– Phosphor
• 5 điện tử lớp ngoài cùng – tạo điện tích âm
• Pha trộn1 Phosphor cho 1,000 silic
THÊM VÀO CÁC NGUYÊN TỐ TẠO ĐIỆN TÍCH

Boron doping Phosphorus doping


THÊM VÀO CÁC NGUYÊN TỐ TẠO ĐIỆN TÍCH

Boron doping Phosphorus doping


CẤU TRÚC CÁC LỚP n & p
CẤU TRÚC CÁC LỚP n & p
NGƯỠNG NĂNG LƯỢNG
• Là năng lượng cần thiết để bức các electron lớp ngoài cùng
– Photons với mức năng lượng tương đương năng lượng
vượt ngưỡng sẽ giải phóng các electron
– Photons với mức năng lượng cao hơn năng lượng vượt
ngưỡng sẽ giải phóng các electron và tạo nhiệt
– Photons với mức năng lượng thấp hơn năng lượng vượt
ngưỡng sẽ chỉ đi qua vật liệu hay làm nóng vật liệu chút
ít
• Đo lường bằng electron Volts (eV)
– Là năng lượng tăng bởi 1 electron khi nó đi qua vùng
điện thế 1 volt trong môi trường chân không
• Xác định điện thế hở mạch của tế bào quang điện
– NL vượt ngưỡng cao = điện áp cao
NĂNG LƯỢNG PHOTON

Wavelength 10-9 10-8 10-7 10-6 10-5 10-4


(m)

Frequency
(Hz) 1017 1016 1015 1014 1013 1012

Photon Energy
(eV) 103 102 101 100 10-1 10-2
NGƯỠNG NĂNG LƯỢNG

Vật liệu Năng lượng


vượt ngưỡng
(eV)
25ºC
Silic tinh thể 1.12

Silic vô định hình 1.75

Cadmium Telluride 1.44

Gallium Arsenide 1.43


ĐIỀU KIỆN TIÊU CHUẨN CỦA PIN MẶT TRỜI

Nhiệt độ 25ºC

Bức xạ 1000 W/m2

Khí đoàn AM1.5


ĐIỀU KIỆN TIÊU CHUẨN CỦA PIN MẶT TRỜI
HIỆU SUẤT PIN MẶT TRỜI

h = efficiency
Pout = Power out (W)
Pout VI Pin = Power in (W)
h= = V = Voltage (V)
Pin Gt A
I = Current (A)
Gt = Irradiance on the surface (W)
A = Cell area (m2)
CÁC THÔNG SỐ PIN MẶT TRỜI

• Công suất đỉnh (Pmax)


• Điện áp hở mạch (Voc)
• Điện áp công suất cực đại (Vmp)
• Dòng ngắn mạch (Isc)
• Dòng công suất cực đại (Imp)
ĐỒ THỊ IV
ĐỒ THỊ IV: HỆ SỐ LẮP ĐẦY

Pmax FF = Fill factor


FF =
Voc I sc Pmax = Maximum power out (W)
Voc = Open circuit Voltage(V)
Ics = Short circuit current (A)
ĐỒ THỊ IV: HỆ SỐ LẮP ĐẦY

FF = 0.75

FF = 0.45
ĐỒ THỊ IV: ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ
ĐỒ THỊ IV: ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ

• Công suất đầu ra của pin giảm khi nhiệt độ tăng


• Điện áp giảm ~ 0.0023V per ºC
• Dòng điện tăng (nhưng chỉ chút ít – có thể bỏ
qua)
ĐỒ THỊ IV: ẢNH HƯỞNG BỨC XẠ
ĐỒ THỊ IV: ẢNH HƯỞNG BỨC XẠ

• Công suất ngỏ ra tăng khi bức xạ tăng


• Điện áp tăng chút ít và có thể bỏ qua
• Dòng điện tăng đáng kể tỉ lệ với sự gia tăng của
bức xạ
CÁC HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI

Cell Module Array


TẾ BÀO QUANG ĐIỆN MẮC SONG SONG

A
Voltage from A to B = 0.5V
Current through A = B = 3A

B
A
Voltage from A to B = 0.5V
Current through A = B = 6A

B
A
Voltage from A to B = 0.5V
Current through A = B = 9A

B
TẾ BÀO QUANG ĐIỆN MẮC SONG SONG
TẾ BÀO QUANG ĐIỆN MẮC NỐI TIẾP

A B
Voltage from A to B = 0.5V
Current through A = B = 3A

A B Voltage from A to B = 1.0V


Current through A = B = 3A

A B Voltage from A to B = 1.5V


Current through A = B = 3A
TẾ BÀO QUANG ĐIỆN MẮC NỐI TIẾP
QUÁ TRÌNH SẢN XUẤT PIN MẶT TRỜI

• Tạo tinh thể


– Czochralski
– Float zone
– Ingot casting
• Cưa (mất khoảng 20% tinh thể)
• Pha trộn (Doping)
• Phủ và tạo liên kết
CẤU TẠO PIN MẶT TRỜI
CẤU TẠO PIN MẶT TRỜI

• Electrical resistivity = điện trở


• Light transmission = ánh sáng xuyên qua
• Heat conduction = dẫn nhiệt
• Thermal expansion = giản nở nhiệt
• Durability = độ bền
• Weight = khối lượng
• Cost = giá thành
LOẠI TẾ BÀO ĐƠN TINH THỂ SILIC
• Sản phẩm thương mại hóa. Các công ty sản xuất: BP
Solar, Siemens Solar Industries, University of New South
Wales
• Quy trình chính là Czochralski và Float zone
• Chiếm thị trường pin mặt trời chính (>60%)
• Là loại pin hiệu suất cao nhất (và đắt nhất) trên thị tường

Độ dày 200 – 300m

NL vượt ngưỡng 1.12 eV

Hiệu suất phòng thí nghiệm 24%


LOẠI TẾ BÀO ĐƠN TINH THỂ SILIC
LOẠI TẾ BÀO ĐA TINH THỂ SILIC
• Đã được thương mại hóa. Các hang sản xuất gồm: Kyocera,
Solarex (hiện nay là BP Solarex)
• Phương pháp sản xuất là ingot casting
• Đã chiếm 1 tỉ trọng lớn trên thị trường (>30%)
• Rẻ hơn (và hiệu suất cũng thấp hơn) loại tế bào đơn tinh thể–
các electrons và lỗ trống có thể tái kết hợp tại các cạnh tinh
thể.

Độ dày 200 – 300m

NL vượt ngưỡng 1.12 eV

Hiệu suất phòng thí nghiệm 17.8%


LOẠI TẾ BÀO ĐA TINH THỂ SILIC
LOẠI TẾ BÀO SILIC VÔ ĐỊNH HÌNH
• Sản phẩm được thương mại hóa.
• Chiếm 1 thị trường pin MT đáng kể (~4%) nhờ các ứng dụng trong
đồng hồ và máy tính
• Không có cấu trúc tinh thể nhưng hudro làm giảm sự tái kết hợp
• Khả năng hấp thụ cao (gấp 40 lần loại đơn tinh thể)
• Có cấu trúc p-i-n
• Rẻ nhưng quá trình sản xuất chậm

Độ dày 1-2m
NL vượt ngưỡng 1.75 eV
Hiệu suất phòng thí nghiệm Tế bào đạt 13%, nhưng các
tấm pin ổn định chỉ đạt 7-9%
do hiệu suất giảm trong tháng
đầu tiên
LOẠI TẾ BÀO SILIC VÔ ĐỊNH HÌNH
LOẠI TẾ BÀO SILIC VÔ ĐỊNH HÌNH
LOẠI TẾ BÀO ĐA TINH THỂ MÀNG MỎNG

• Quá trình sản xuất rẻ và linh động


– Chuỗi của hơi lắng đọng – không tạo tinh thể
– Có thể áp dụng lên các bề mặt rẻ tiền
– Có thể áp dụng lên bề mặt có hình dạng bất kỳ
• Dễ dàng chuyển từ mô hình phòng thí nghiệm ra sản xuất
• Khuynh hướng sử dụng dị liên kết “hetero-junctions” thay
vì thêm vào các phụ gia để tạo các lớp điện tích trái dấu.
Lớp trên cùng có mức NL vượt ngưỡng rất rộng (>2.8eV)
nên nó trong suốt.
• Dùng 1 lớp mỏng vật liệu oxit dẫn điện trong suốt, ví dụ
như oxit titan, thay vì tạo các mạch dẫn điện
LOẠI TẾ BÀO ĐA TINH THỂ MÀNG MỎNG
LOẠI TẾ BÀO ĐA TINH THỂ MÀNG MỎNG
LOẠI TẾ BÀO ĐA TINH THỂ MÀNG MỎNG
LOẠI TẾ BÀO ĐA TINH THỂ MÀNG MỎNG
Copper Indium Diselenide (DIS)
• Sản phẩm đã thương mại hóa. Các công ty sản xuất :
Energy PV, International Solar Electric Technologies,
Martin Marietta, Seimens Solar Industries, Solarex
• Không bị vấn đề giảm hiệu suất
• Khả năng hấp thụ rất cao (99%)

Bề dày 1-2m

NL vượt ngưỡng 1.0 eV

Hiệu suất phòng thí nghiệm 17.1% cho tế bào


nhưng 11% cho
modules
LOẠI TẾ BÀO ĐA TINH THỂ MÀNG MỎNG
Cadmium Telluride (CdTe)
• Sản phẩm đã thương mại hóa. Các công ty SX: BP Solar, Golden
Photon Inc., Matusushita
• NL vượt ngưỡng tốt
• Lớp p có trở lưc lớn – có khuynh hướng chuyển vào lớp giữa
trong cấu trúc n-i-p với lớp p phía sau (như t/h zinc telluride
(ZnTe)

Bề dày 1-2m

NL vượt ngưỡng 1.44 eV

Hiệu suất phòng thí nghiệm 15.8% cho tế bào 10.5%


nhưng modules
LOẠI TẾ BÀO ĐA TINH THỂ MÀNG MỎNG
Gallium arsenide (GaAs)
• Gallium là sản phẩm tạo ra từ việc nung chảy các kim loại khác,
như nhôm và thiếc – vì vậy hiếm hơn vàng
• Hấp thu rất tốt với NL vượt ngưỡng tối ưu
• Không nhạy nhiệt và bị phá hủy bởi bức xạ
• Nếu được sản xuất tốt có thể kiểm soát việc tạo thành lỗ trống và
electron, từ đó hiệu suất có thể đạt ngưỡng lý thuyết.
• Rất đặt tiền nên chỉ dùng trong các ứng dụng đặc biệt như vệ tinh
hay bộ thu tập trung
Bề dày 1-2m

NL vượt ngưỡng 1.43 eV


Hiệu suất phòng thí 25.1% cho tế bào nhưng
nghiệm 20% cho sản phẩm thương mại
TẾ BÀO ĐA LIÊN KẾT

• Tạo bởi nhiều tố bào với các mức NL vượt ngưỡng khác
nhau – NL cao phía trên và NL thấp phía dưới
• Photons không được hấp thụ bởi lớp bên trên sẽ xuyên
xuống các lớp dưới
• Hiệu suất phòng thí nghiệm có thể đạt >35% (dùng
gallium arsenide)
• Silic vô định hình có thể dùng cho tế bào quang điện lớp
trên và copper indium diselenide dùng cho tế bào lớp dưới
TẾ BÀO ĐA LIÊN KẾT
TẾ BÀO ĐA LIÊN KẾT
TẾ BÀO LOẠI TẬP TRUNG

• Hiệu suất cao (nhưng đắt tiền), dùng trong các ứng dụng
ánh sáng tập trung
• Diện tích của tế bào được giảm nhỏ nhờ bức xạ tập trung
• Thông thường dùng các bộ thu tập trung dạng parabol
• Cần nghiêng (tracking) theo bức xạ mặt trời
TẾ BÀO LOẠI TẬP TRUNG
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN

• Hệ thống dùng độc lập hay nối lưới?


• Dùng điện áp AC hay DC?
• Dùng hệ thống vào ban đêm?
• Các hệ thống điện mặt trời:
– Hệ thống điện hòa lưới (On Grid)
– Hệ thống điện độc lập lưới (Off Grid)
– Hệ thống điện tương tác lưới (Hybrid)
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN

• Các tấm Pin mặt trời sẽ tạo ra dòng điện một chiều DC. Sau đó,
thiết bị Inverter sẽ chuyển đổi dòng điện một chiều DC thành dòng
điện xoay chiều AC dùng trong sinh hoạt và sản xuất. Nguồn điện
AC từ điện năng lượng mặt trời sẽ được kết nối với tủ điện chính
của khu vực, cung cấp điện song song với lưới điện quốc gia..
• Nếu điện năng lượng mặt trời thấp hơn điện sinh hoạt: Tải sẽ ưu
tiên sử dụng điện năng lượng mặt trời sau đó mới sử dụng điện từ
lưới điện quốc gia.
• Nếu điện năng lượng mặt trời bằng điện sinh hoạt: hộ sử dụng sẽ
không phải trả bất cứ chi phí tiền điện nào.
• Nếu điện năng lượng mặt trời lớn hơn điện sinh hoạt: hộ sử dụng
sẽ bán điện ngược lại cho EVN, tạo thu nhập thụ động lên đến 30%
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN

• Nếu điện năng lượng mặt trời không hoạt động hoặc trường hợp
mất điện: Do buổi tối điện năng lượng mặt trời không hoạt động,
điện sản xuất hầu như bằng 0, tải sẽ lấy điện từ lưới điện. Khi lưới
điện bị mất điện, Inverter sẽ nhanh chóng ngắt kết nối với lưới
điện. Điều này đảm bảo hệ thống điện và bảo vệ an toàn cho nhân
viên sửa chữa.
• Điện năng lượng mặt trời On Grid giúp tiết kiệm tối đa chi phí tiền
điện, chi phí lắp đặt thấp nhất trong 3 hệ thống vì không sử dụng hệ
thống lưu trữ.Thời gian hoàn vốn ngắn nhất. Khi điện sản xuất
không đủ, Inverter có thể lấy điện từ lưới điện quốc gia. Bảo trì
nhanh, gọn và dễ dàng. Tuy nhiên vì không có hệ thống lưu trữ, nên
khi lưới điện quốc gia bị mất điện, hệ thống On Grid cũng sẽ ngưng
hoạt động.
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN
• Đây là hệ thống điện năng lượng mặt trời độc lập lưới (OFF Grid)
là hệ thống tạo ra nguồn điện và lưu trữ để cung cấp điện cho các
tải mà không cần nối với lưới điện quốc gia.
• Các tấm pin năng lượng mặt trời sẽ chuyển đổi bức xạ mặt trời
thành dòng điện một chiều (DC). Sau đó dòng điện DC sẽ được
nạp vào hệ thống lưu trữ (ắc quy) thông qua bộ điều khiển sạc.
Cuối cùng Inverter sẽ chuyển đổi dòng điện DC thành dòng điện
xoay chiều AC phục vụ cho các hoạt động sinh hoạt, sản xuất.
• Cấu tạo của hệ thống điện năng lượng mặt trời độc lập lưới bao
gồm: tấm pin năng lượng mặt trời, hệ thống lưu trữ (Ắc Quy), Bộ
điều khiển sạc, Bộ chuyển đổi điện áp DC – AC (Inverter). Điện
năng lượng mặt trời Off Gird phù hợp với những nơi không có điện
lưới, điện chập chờn, thường xuyên mất điện.
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN
• Điện năng lượng mặt trời độc lập lưới (Off Grid) giúp tự chủ nguồn
điện, không phụ thuộc vào lưới điện. Vì vậy khi nguồn điện từ lưới
bị mất hay không ổn định thì nguồn điện cũng sẽ không bị ảnh
hưởng. Hệ thống dễ dàng di chuyển và lắp đặt, không bị vướng mắc
vì không kết nối với điện lưới. Không cần phải trả tiền điện và góp
phần bảo vệ môi trường.

• Bởi vì cấu tạo của hệ thống có thêm hệ thống lưu trữ, vì thế giá
thành của hệ thống Off Grid sẽ cao hơn so với hệ thống On Gird và
bị giới hạn về tải tiêu thụ. Không những vậy, đối với nhiều ngày
trời nhiều mây, nguồn lưu trữ năng lượng sẽ bị hạn chế và có thể bị
hết điện. Đồng nghĩa với việc sẽ có nguy cơ không đủ năng lượng
cung cấp nếu khâu thiết kế không tính toán kỹ lưỡng.
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN
• Điện năng lượng mặt trời tương tác lưới (Hybrid) là giải pháp sử
dụng hệ thống lưu trữ (Ắc quy) vừa hòa lưới điện quốc gia để duy
trì nguồn điện liên tục 24/7 cho các thiết bị quan trọng phải có điện
liên tục. Hệ thống sẽ ưu tiên sử dụng năng lượng mặt trời chuyển
hóa thành điện xoay chiều (AC) dùng trong sinh hoạt, đồng thời sạc
cho ắc quy. Nếu điện năng lượng mặt trời dư sẽ đẩy lên lưới điện,
và ngược lại tải sẽ lấy điện từ lưới điện quốc gia. Trường hợp cúp
điện, hệ thống sẽ sử dụng nguồn điện trong ắc quy để cung cấp cho
các thiết bị điện.
• Hybrid bao gồm: Tấm pin năng lượng mặt trời, bộ biến tần lai
(hybrid Inverter), bộ chuyển mạch, hệ thống lưu trữ (Ắc quy). Điện
năng lượng mặt trời Hybrid được xem là giá cao nhất vì kết hợp cả
On grid và Off Grid.
HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI: LỰA CHỌN

• Điện năng lượng mặt trời Hybrid cho phép lưu trữ phần điện năng
dư thừa vào ban ngày (Ưu tiên lữu trữ, sau đó mới đến hòa lưới).
Có thể sử dụng vào buổi tối và thời gian lưới điện quốc gia mất
điện. Đảm bảo cung cấp điện liên tục 24/7. Hệ thống cũng giúp kéo
dài tuổi thọ của ắc quy, giảm chi phí bảo trì, thay thế.

• Tuy nhiên, vì có Ắc quy nên giá thành cao nhất trong 3 hệ thống.
Thời gian hoàn vốn dài hơn, cài đặt phức tạp và chi phí cài đặt ban
đầu cao. Tuổi thọ pin chỉ từ 7 – 15 năm, nguồn điện dự phòng có
thể giới hạn số lượng thiết bị bạn có thể chạy cùng 1 lúc.
HỆ THỐNG TÍCH TRỮ
• Vì sao?
– NL không có vào buổi tối và không ổn định từ giờ này
qua giờ khác trong ngày
– Công suất đỉnh có thể lớn hơn công suất của hệ thống
• Tăng độ tin cậy sẽ làm tăng giá thành hệ thống
• Thường sử dụng bình accu axit chì
– Hiệu suất accu khoảng 75-80%
• Đang phát triển
– Bánh xe tích NL (Flywheels)
– Pin nhiên liệu (Fuel cells)
– Tụ điện công suất lớn (Super capacitors)
CÁC THÀNH PHẦN HỆ PIN MẶT TRỜI

• Hệ thống pin MT
• Bộ điều áp và ổn dòng
• Tích trữ: Accu, Flywheel
• Hệ thống phân phối điện DC
• Bộ chuyển đổi điện (?)
• Hệ thống phân phối điện AC
• Hệ thống nối lưới điện
• Máy phát điện dự phòng
THIẾT BỊ CHUYỂN ĐỔI TRONG HỆ PIN

• Chuyển đổi điện từ dạng này qua dạng khác


– Chuyển đổi điện áp
• Bộ chuyển đổi DC-DC (converter)
– Chuyển đổi DC-AC
• Inverter
• Tối đa hóa công suất pin mặt trời
– Điều chỉnh công suất đỉnh (Peak power tracker)
– Khử tải dư (Dump load)
HỆ ĐIỀU CHỈNH CÔNG SUẤT ĐỈNH
HỆ PIN MẶT TRỜI KHÔNG NỐI LƯỚI

• Hệ thống đơn giản


– Sự phức tạp của hệ thống sẽ làm giảm độ tin cậy và gia
tăng chi phí vận hành và bảo dưỡng.
• Nắm chắc 99% khả năng của hệ thống
– Để đạt trên 99% khả năng của bất kỳ hệ thống năng
lượng nào thường rất đắt tiền
• Nắm vững thông suốt khi ước lượng tải của hệ thống
– Hệ số an toàn 25% sẽ gây tốn kém rất nhiều tiền bạc
• Kiểm tra nguồn năng lượng
– Sai sót trong ước tính nguồn bức xạ mặt trời có thể gây
sai số lớn cho hệ thống.
HỆ PIN MẶT TRỜI KHÔNG NỐI LƯỚI

• Cẩn thận từng mối nối vì hệ thống tồn tại đến 30 năm
• An toàn
• Tuân thủ các quy định an toàn điện và xây dựng.
• Bảo dưỡng định kỳ
• Dùng phương pháp chi phí vòng đời (Life Cycle Cost -
LCC) để so sánh chi phí hệ thống pin mặt trời với các hệ
thống khác
– LCC thể hiện đầy đủ toàn bộ chi phí đầu tư và vận hành,
bảo dưỡng… của hệ thống.
HỆ PIN MẶT TRỜI KHÔNG NỐI LƯỚI

• Lưới điện sẽ đóng vai trò như hệ thống tích trữ năng lượng
(không cần hệ thống accu)
– Bán điện dư cho lưới (với giá sỉ)
– Hệ thống đồng hồ đo điện
• Điện phải được cung cấp cho lưới với tần số điện đúng và
đồng pha với lưới điện
HỆ PIN MẶT TRỜI NỐI LƯỚI
CÁC ỨNG DỤNG KHÁC CỦA PIN MẶT TRỜI

• Đồng hồ và máy tính


– Công suất và điện áp thấp – có thể dùng ánh sáng
nhân tạo
• Satellites
– Các nghiên cứu tập trung cho các ứng dụng
không gian
• Các thiết bị độc lập
– Đèn đường, tín hiệu giao thông, xe lửa (ở khu
vực xa)
– Không cần các đường dây điện
ỨNG DỤNG THẮP SÁNG
ỨNG DỤNG BƠM NƯỚC

You might also like