Professional Documents
Culture Documents
Si Intrinsic&doped
Si Intrinsic&doped
Si (Πυρίτιο)
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
T=0
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
T>0 t=t0
Si Si Si Si Si Si
e
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
T>0 t=t1
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
T>0 t=t2
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
T>0 t=t3
Πόση θερμική ενέργεια χρειάζεται για να «φύγει» ένα ηλεκτρόνιο σθένους από την θέση του;
Απάντηση: Εg: Ενεργειακό χάσμα ανάμεσα στη ζώνη σθένους και στη ζώνη αγωγιμότητας
Εg Πυριτίου (Si) : 1.12 eV = 1.12∙φορτίο ηλεκτρονίου ∙ 1Volt = 1.12 ∙1.6∙10-19 Joules)
n =αριθμός ελευθέρων ηλεκτρονίων/cm3 , p =αριθμός οπών/cm3
Αριθμός ελευθέρων ηλεκτρονίων = αριθμός οπών
O αριθμός των ελευθέρων ηλεκτρονίων – οπών εξαρτάται από την θερμοκρασία και το
Eg −
1 Eg
n = p = n = 5.2 10 e
3
15 2 2 kT
i
Για το Si στους 27οC δηλ 300οΚ (το kT/qe = 25.8 mV, αρα κΤ=25.8 x 10-3 eV):
1.12
−0.5
n = p = n = 5.2 10 300 e
3
15 2 ( 25.8 )10 −3
i
= 10,119 10 / cm 10 / cm 9 3 10 3
Επίσης: n p = n 2
i
Για το διαμάντι, δηλαδή τον άνθρακα σε μορφή διαμαντιού Εg= 5.46 eV ,
οπότε στους 27οC δηλ 300οΚ
5.45
−0.5
n = p = n = 5.2 10 300 e
3
15 2 ( 25.8 )10 −3
i
= 3.65 10 − 27
/ cm 3
n = p = n = 5.2 10 300 e
3
15 2 ( 25.8 )10 −3
i
= 6.2028 10 / cm 13 3
Si Si P Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
e e
Si P Si Si P Si
T=0
Si Si Si Si Si Si
e e
Si Si P+ Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
e e
Si P+ Si Si P+ Si
T>0 t=t0
Si Si Si Si Si Si
e
e
Si Si P Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
e e
Si P+ Si Si P+ Si
T>0 t=t1
Si Si Si Si Si Si
Si Si P+ Si Si Si
e
Si Si Si Si Si Si
e
e
Si P+ Si Si P+ Si
T>0 t=t2
Si Si Si Si Si Si
Si Si P+ Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si P+ Si Si P+ Si
T>0 t=t3
ΝΟΘΕΥΣΗ (DOPING)
ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ ΤΥΠΟΥ p
Si Si Si Si Si Si
Si Si Β Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Β Si Si Β Si
T=0
Si Si Si Si Si Si
Si Si Β Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Β Si Si Β Si
T>0 t=t0
Si Si Si Si Si Si
Si Si Β- Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Β- Si Si Β- Si
T>0 t=t1
Si Si Si Si Si Si
Si Si Β- Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Β- Si Si Β- Si
T>0 t=t2
Si Si Si Si Si Si
Si Si Β- Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Β- Si Si Β- Si
Si
T>0 t=t3
n=1015 /cm3 «ελαφρή» νόθευση Ο τύπος ισχύει:
Δηλαδή στο πυρίτιο χωρίς νόθευση n=p=1010 /cm3, άρα ni 2= 1020 /cm3
Στο πυρίτιο με νόθευση n=1018 /cm3 η συγκέντρωση των οπών p =(1020 / 1018)cm3
Δηλαδή 100 εκατομμύρια φορές (8 τάξεις μεγέθους) μικρότερη απ’ όσο στο
ανόθευτο πυρίτιο.
Αυτό συμβαίνει γιατί κάποια από τα πολύ περισσότερα ηλεκτρόνια που δίνει το
πεντασθενές στοιχείο «επανασυνδέονται» με τις οπές που παράγονται λόγω
θερμικής διέγερσης με αποτέλεσμα να πέφτει ο αριθμός τους κάτω από το
κανονικό
Ημιαγωγός χωρίς νόθευση: 1010 ηλεκτρόνια ή οπές σε ένα κυβικό εκατοστό
Ημιαγωγός με «ελαφριά» νόθευση έχει 1015 ηλεκτρόνια ή οπές επιπλέον εξαιτίας
του πεντασθενούς στοιχείου. ‘Αρα σε κάθε 100 χιλιάδες ηλεκτρόνια (οπές)
εξαιτίας της νόθευσης προστίθεται και ένα ηλεκτρόνιο (οπή) του πυριτίου΄.
Κίνηση των φορτίων
Διάχυση
Διάχυση και ολίσθηση