Professional Documents
Culture Documents
Tương ứng với chương 14 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
01/02/2024 1
Nội dung chương 3
Tương ứng với chương 14 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
01/02/2024 2
Nội dung chương 3
01/02/2024 3
3.1. Sơ đồ, chức năng, đặc điểm của các tầng
3.1. Chức năng, đặc điểm của các tầng
MOSFET M1 hoạt động ở chế độ S chung cung cấp một trở kháng vào lớn
và hệ số khuếch đại điện áp trung bình.
BJT Q2 hoạt động ở chế độ E chung, tầng thứ 2, cung cấp hệ số khuếch đại
điện áp lớn.
BJT Q3, mạch chế độ C chung cung cấp trở kháng ra thấp và có hệ số
khuếch đại dòng lớn.
R R R R R R
Các điện trở phân cực được thay thế bằng B2 1 2 B3 3 4
Trở kháng vào và trở kháng ra của mạch khuếch đại được ghép với nhau
thông qua tụ C1, C3, C5 và C6.
Tụ lọc C2 và C4 được dùng để tăng hệ số khuếch đại điện áp cực đại của
hai mạch khuếch đại đảo.
Tụ liên lạc nội tầng C3 và C5 truyền tín hiệu ac giữa các mạch khuếch đại
và ngăn cách tín hiệu DC làm ảnh hưởng đến điểm tĩnh của transistors.
3.2. Sơ đồ tương đương một chiều
của mạch khuếch đại nhiều tầng
Sơ đồ tương đương một chiều của mạch khuếch đại nhiều tầng
3.3. Sơ đồ tương đương xoay chiều
của mạch khuếch đại nhiều tầng
R R // R
I1 D1 B2 R R // R
I2 C2 B3
Sơ đồ tương đương đối với tín hiệu nhỏ. Để đơn giản có thể bỏ tất cả ro vì ro>>
Bảng giá trị các thông số
v
1
R R // R
I1 D1 B2
R R R R r
L1 I1 in2 I1 2
v
A 2 g R ?
vt1 v m1 L1
1
v
1
R R // R
I2 C2 B3
R R R R r ( 1 )R
L2 I2 in3 I2 3
o3 L3
v
A 3 g R ?
vt2 v m2 L2
2
v
1
R R R
L3 E3 L
vo Rg
A m3 L3 ?
vt3 v 1 g R
3 m3 L3
v
1
R R // R R R // R v
I1 D1 B2 I2 C2 B3 2 g R ?
A
vt1 v m1 L1
R R R R r 1
L1 I1 in2 I1 2 v
R R R
R r ( 1 )R
A 3 g R ?
L2 I2 in3 I2 3 o3 L3 vt2 v m2 L2
2
R R R v o g m3R L3
L3 E3 L
A ?
vt3 v 1 g R
3 m3 L3
R R 1MΩ R
in G Av A A A in ?
vt3 vt2 vt1 R R
I in
3.4. Tính toán hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch
R R R
L2 I 2 in3
R r ( 1)R 3.54kΩ
I 2 3 o3 L3
v3
Avt 2 g m2 RL2
v2
R 620Ω 17.2kΩ 598Ω 62.8mS 3.54kΩ -222
I1
vo ( o3 1) RL3
R 4.7kΩ 51.8kΩ 4.31kΩ Avt3 0.950
I2
v3 r 3 ( o3 1) RL3
R 3.3kΩ 250Ω 232Ω
I3
R R R 598 r 598Ω 2390Ω 478Ω R R 1MΩ
in G
L1 I1 in2 2
v2 Rin
Avt1 g m1RL1 0.01S 478Ω -4.78 Av Avt3 Avt 2 Avt1 R R 998
v1 I in
3.5.Tính toán trở kháng ra
v
Rth3 x RI 2 R CE
out RI 2 ro2 ?
ix
vx vx
i x i r ie
Để tìm trở kháng ra của mạch 3300 Rout3
khuếch đại, test voltage được đặt vx
vào đầu ra của mạch khuếch đại. Rout ?
ix
3.5.Tính toán trở kháng ra
vx
R R RCE R r
th3 i I 2 out I 2 o2
x
4310Ω 54200Ω 3990Ω vx vx
i x i r ie
3300 Rout3
Để tìm trở kháng ra của mạch
R
khuếch đại, test voltage được đặtR v x 3300 R 1 th3
3300
vào đầu ra của mạch khuếch đại. out i x out3
g
m3 o3 1
1 3990
3300
62.4
0.0796S 80
3.6. Tính toán hệ số khuếch đại dòng điện và công suất
vo Av vi
io ?
250 250
i
Ai o ?
ii
P v i
AP o o o Av Ai ?
Ps vi ii
3.6. Tính toán hệ số khuếch đại dòng điện và công suất
vo Av v 998v
io i s 3.99v
s
250 250 250
io 3.99v
A i 4.03106
i i
9 .90 107v
i i
Po v o io
A Av A 998 4.03106 4.02109
P P i
s v i ii
3.7. Tính toán điều kiện khuếch đại tuyến tính của
toàn mạch
v
1
v
1
v v A v 5mV
be2 2 v1 1
5mV 0.005 1.05mV
v 1.05mV v 1.06mV
1 A 4.78 i 0.990
v1
3.7. Tính toán điều kiện khuếch đại tuyến tính của
toàn mạch
v
1
v A A (0.990vs )
v 3 v1 v2 i
be3 1 g R 1 g R
m3 L3 m3 L3
1 g R
v 5mV v m3 L3 0.005 92.7μV
be3 i A A (0.990)
v1 v2
3.7. Tính toán điều kiện khuếch đại tuyến tính của
toàn mạch
0.2(1 2)
Đối với tầng thứ v 0.2(V V ) v 0.202V
1 GS TN i 0.990
nhất,
v v A v 5mV
be2 2 v1 1
Đối với tầng thứ 5mV 0.005 1.05mV
v 1.05mV v 1.06mV
hai, 1 A 4.78 i 0.990
v1
v A A (0.990vs )
v 3 v1 v2
Đối với tầng thứ ba, be3 1 g R 1 g R
m3 L3 m3 L3
1 g R
v 5mV v m3 L3 0.005 92.7μV
be3 i A A (0.990)
v1 v2
v min(202mV,1.06mV, 92.7μV) 92.7μV
Toàn mạch, i
vo Av (92.7μV) 998(92.7μV) 92.5mV
3.8. Mạch khuếch đại nối trực tiếp:
Mạch Darlington
1
r ' y
2 r
11
o1 2
y 0
12
gm ' y g /2
21 m2
Mạch Darlington hoạt động tương tự
như một BJT, nhưng có hệ số khuếch
1
ro' y
(2 / 3)r
đại dòng điện bằng tích 2 hệ số
22
o2
khuếch đại của 2 BJT thành phần.
y
Phân tích mạch DC: với bF1, bF2 >>1, o' 21
y o1 o2
I I I I 11 v 0
C C1 C2 F1 F2 B 2
VBE của BJT tương đương = 2 điện áp v
' 2 /3
VBE thành phần . f v f2
1 i 0
2
3.8. Mạch Darlington npn
01/02/2024 23
3.9. Mạch Darlington pnp
01/02/2024 24
3.10. Mạch khuếch đại chế độ AB
TÍNH TOÁN TỤ LIÊN LẠC VÀ TỤ
THOÁT TÍN HIỆU XOAY CHIỀU
01/02/2024 26
3.11.Nguyên tắc tính toán tụ liên lạc
và tụ thoát tín hiệu xoay chiều
Vì trở kháng của tụ tỉ lệ nghịch với tần số, nên trong khoảng tần số
thấp trở kháng của tụ tăng lên làm điện áp xoay chiều tổn hao trên tụ
tăng lên, do đó điện áp xoay chiều đưa vào mạch giảm đi.
Để tính chọn các tụ, ta sử dụng phương pháp thời hằng ngắn mạch.
Nghĩa là khi tín toán giá trị một tụ thì nối tắt tất cả các tụ còn lại
Nguyên tắc tính chọn tụ là giá trị trở kháng của tụ (tại tần số nhỏ nhất
trong băng thông) phải nhỏ hơn nhiều so với giá trị trở kháng tổng
(thông thường ta chọn nhỏ hơn hoặc bằng 1/10)
R R RiG
in G
1 10
C1 C1
RI Rin RI Rin
1 10
C3 C3
R3 Rout
R3 Rout
w được chọn bằng: = min
1
C2 C2
1
R4 RE
g m
1
C2
1
R4 RS
g m
C2
Rin RB RiB ?
1
C1 ? C1 ?
RI Rin
1
C2 ?
R4 RE (1/ g m )
C2 ?
1
C3 ? C3 ?
R3 Rout
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 36
7/1/03 McGraw-Hill
Ví dụ tính toán tụ trong mạch
KĐ E chung và S chung
R R RiB 78.1kΩ
in 1 B
C 1.99nF C 0.02F
1 R R 1
I in
1
C2 67.2nF
R4 RE (1/ g m )
C2 0.68F
1
C3 1.31nF C3 0.015F
R3 Rout
gm=0.491mS
R R 892kΩ
in G
1
C 178pF C 1800pF
1 R R 1
I in
1
C2 55.3nF
R6 RS (1/ g m )
C2 0.56F
1
C3 1.31nF C3 0.015F
R3 Rout
R R RiG
in G
1
C
1 R R
I in
C3
C3 được tính chọn như sau:
1
C3
R3 Rout
R R 892kΩ
R R RiB 95.5kΩ in G
in B Rout R6 RiS 1.74k
Rout R6 RiE 120 1
1 C 89pF
C 816pF 1 R R
1 R R
I in
I in C 1000pF
C 8200pF 1
1 1
1 C3 782pF
C3
R3 Rout 795pF
R3 Rout
C3 8200pF C3 8200pF
Rin R6 RiS
Rout RD RiD
C3
C2
RCB
eq R1 R2 r ( o 1)( R6 RI )
RCG
eq R1 R2
1
C
2 RCB ,CG
eq
C2
01/02/2024 48