Chương 1

MẠCH KHUẾCH ĐẠI NHIỀU TẦNG

Tương ứng với chương 14 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
8/15/2020 1
 Nội dung chương 1

1.1. Sơ đồ, chức năng, đặc điểm của các tầng

1.2. Sơ đồ tương đương một chiều của mạch khuếch đại nhiều tầng
1.3. Sơ đồ tương đương xoay chiều của mạch khuếch đại nhiều tầng
1.4 Tính toán hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch
1.5.Tính toán hệ số khuếch đại dòng điện và công suất toàn mạch
1.6. Tính trở kháng ra của toàn mạch
1.7. Tính toán điều kiện khuếch đại tuyến tính của toàn mạch
1.8. Các phương pháp làm tăng hệ số KĐ điện áp

Tương ứng với chương 14 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
8/15/2020 2
 Nội dung chương 1

1.9. Mạch khuếch đại nối trực tiếp: Mạch Darlington

1.10.Nguyên tắc tính toán tụ liên lạc và tụ thoát tín hiệu xoay chiều
1.11.Tính toán tụ trong mạch khuếch đại E chung và S chung
1.12.Tính toán tụ trong mạch khuếch đại C chung và D chung
1.13.Tính toán tụ trong mạch khuếch đại B chung và G chung

8/15/2020 3
1.1. Sơ đồ, chức năng, đặc điểm của các tầng
 1.1. Chức năng, đặc điểm của các tầng
➢ MOSFET M1 hoạt động ở chế độ S chung cung cấp một trở kháng vào lớn
và hệ số khuếch đại điện áp trung bình.
➢ BJT Q2 hoạt động ở chế độ E chung, tầng thứ 2, cung cấp hệ số khuếch đại
điện áp lớn.
➢ BJT Q3, mạch chế độ C chung cung cấp trở kháng ra thấp và có hệ số
khuếch đại dòng lớn.
➢ Các điện trở phân cực được thay thế bằng R =R R R =R R
B2 1 2 B3 3 4
➢ Trở kháng vào và trở kháng ra của mạch khuếch đại được ghép với nhau
thông qua tụ C1, C3, C5 và C6.
➢ Tụ lọc C2 và C4 được dùng để tăng hệ số khuếch đại điện áp cực đại của hai
mạch khuếch đại đảo.
➢ Tụ liên lạc nội tầng C3 và C5 truyền tín hiệu ac giữa các mạch khuếch đại
và ngăn cách tín hiệu DC làm ảnh hưởng đến điểm tĩnh của transistors.
 1.2. Sơ đồ tương đương một chiều
của mạch khuếch đại nhiều tầng

Sơ đồ tương đương một chiều của mạch khuếch đại nhiều tầng
1.3. Sơ đồ tương đương xoay chiều
của mạch khuếch đại nhiều tầng

R = R // R
I1 D1 B2 R = R // R
I2 C2 B3

Sơ đồ tương đương đối với tín hiệu nhỏ. Bỏ tất cả ro

Bảng giá trị các thông số
v
1

R = R // R
I1 D1 B2

R =R R =R r
L1 I1 in 2 I1 2

v
A = 2 = −g R =?
vt1 v m1 L1
1
v
1

R = R // R
I2 C2 B3

 
R =R R =R r +(  +1 )R 
L2 I2 in3 I2 3

 o3 L3 
v
A = 3 = −g R =?
vt 2 v m2 L2
2
v
1

R =R R
L3 E3 L

vo Rg
A = = m3 L3 =?
vt3 v 1+ g R
3 m3 L3
 v
1

R = R // R R = R // R v
I1 D1 B2 I2 C2 B3 A = 2 = −g R =?
vt1 v m1 L1
R =R R =R r 1
L1 I1 in 2 I1 2 v
R =R R

=R r +(  +1 )R 
 A = 3 = −g R =?
L2 I2 in3 I2  3 o3 L3  vt 2 v m2 L2
2
R =R R v o g m3R L3
L3 E3 L
A = = =?
vt3 v 1+ g R
3 m3 L3
R = R =1MΩ R
in G  Av = A A A in =?
vt3 vt 2 vt1 R + R
I in
 1.4. Tính toán hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch

R =R R =
L2 I 2 in3
R r + (  +1)R  = 3.54kΩ
I 2   3 o3 L3
v
Avt 2 = 3 = − g m2 RL2
v2
R = 620Ω 17.2kΩ = 598Ω = −62.8mS 3.54kΩ = -222
I1
vo ( o3 +1) RL3
R = 4.7kΩ 51.8kΩ = 4.31kΩ Avt3 = = = 0.950
I2
v3 r 3 + ( o3 +1) RL3
R = 3.3kΩ 250Ω = 232Ω
I3
R = R R = 598 r =598Ω 2390Ω = 478Ω R = R =1MΩ
in G
L1 I1 in2 2
v2 Rin
Avt1 = = − g m1RL1 = −0.01S 478Ω = -4.78  Av = Avt3 Avt 2 Avt1 R + R = +998
v1 I in
 1.5.Tính toán trở kháng ra

v
Rth3 = x = RI 2 RCE
out = RI 2 ro2 = ?
ix

vx vx
i x = i r + ie = +
Để tìm trở kháng ra của mạch 3300 Rout3
khuếch đại, test voltage được đặt vx
vào đầu ra của mạch khuếch đại. Rout = =?
ix
 1.5.Tính toán trở kháng ra

vx
R = = R RCE =R r
th3 i I 2 out I 2 o2
x
= 4310Ω 54200Ω = 3990Ω vx vx
i x = i r + ie = +
3300 Rout3
Để tìm trở kháng ra của mạch
 Rth3 
khuếch đại, test voltage được đặtR vx  1
= = 3300 Rout3  3300  + 
vào đầu ra của mạch khuếch đại. out i x

g
m3  o3 + 1 

 1 3990 
 3300  + 
= 62.4
 0.0796S 80 
1.6. Tính toán hệ số khuếch đại dòng điện và công suất

Dòng điện ở ngõ vào :

vi
ii = =?
RI + Rin
Và dòng ở ngõ ra:

vo Av vi
io = = =?
250 250
i
Ai = o = ?
ii

P v i
AP = o = o o = Av Ai = ?
Ps vi ii
1.6. Tính toán hệ số khuếch đại dòng điện và công suất

Dòng điện ở ngõ vào :

v
i = i = 9.9010− 7 v
i R +R i
I in
Và dòng ở ngõ ra:

vo Av v 998v
io = = i= s = 3.99v
s
250 250 250

io 3.99v
A= = i = 4.03106
i i
9.90 10−7v
i i
Po v o io
A = = = Av A = 998 4.03106 = 4.02 109
P P i
s v i ii
 1.7. Tính toán điều kiện khuếch đại tuyến tính của
toàn mạch

v
1

➢Đối với tầng thứ nhất:

R +R R +R
v = v gs I G  0.2( V −V ) I G
i R GS TN R
G G
= 0.2( −1+ 2 )1.01= 0.202V
 1.7. Tính toán điều kiện khuếch đại tuyến tính của
toàn mạch

v
1

➢Đối với tầng thứ hai:

v = v = A v  5mV
be2 2 v1 1
5mV 0.005 1.05mV
v  = = 1.05mV → v  = 1.06mV
1 A 4.78 i 0.990
v1
 1.7. Tính toán điều kiện khuếch đại tuyến tính của
toàn mạch

v
1

➢Đối với tầng thứ ba:

v A A (0.990vs )
v  3 = v1 v2 i
be3 1+ g R 1+ g R
m3 L3 m3 L3
1+ g R
v  5mV → v  m3 L3 0.005 = 92.7μV
be3 i A A (0.990)
v1 v2
 1.7. Tính toán điều kiện khuếch đại tuyến tính của
toàn mạch
0.2(−1+ 2)
➢ Đối với tầng thứ v  0.2(V −V ) → v  = 0.202V
1 GS TN i 0.990
nhất,
v = v = A v  5mV
be2 2 v1 1
➢ Đối với tầng thứ v 
5mV 0.005
= = 1.05mV → v 
1.05mV
= 1.06mV
hai, 1 A 4.78 i 0.990
v1
v A A (0.990vs )
v  3 = v1 v2
➢ Đối với tầng thứ ba, be3 1+ g R 1+ g R
m3 L3 m3 L3
1+ g R
v  5mV → v  m3 L3 0.005 = 92.7μV
be3 i A A (0.990)
v1 v2
v  min(202mV,1.06mV,92.7μV) = 92.7μV
i
➢ Toàn mạch,
vo  Av (92.7μV) = 998(92.7μV) = 92.5mV
 1.12. Mạch khuếch đại nối trực tiếp:
Mạch Darlington

 
−1
r ' = y
   2 r

 11 
 o1  2

y 0
12
gm' = y  g /2
21 m2
Mạch Darlington hoạt động tương tự
như một BJT, nhưng có hệ số khuếch  
−1
ro' = y




 (2 / 3)r
đại dòng điện bằng tích 2 hệ số  22  o2
khuếch đại của 2 BJT thành phần.
y
Phân tích mạch DC: với F1, F2 >>1, o ' = 21  
y o1 o2
I =I +I   I 11 v = 0
C C1 C2 F1 F2 B 2
VBE của BJT tương đương = 2 điện áp v
 '= 2   /3
VBE thành phần . f v f2
1 i =0
2
 1.12. Mạch Darlington npn

8/15/2020 23
 1.13. Mạch Darlington pnp

8/15/2020 24
1.14. Mạch khuếch đại chế độ AB
 TÍNH TOÁN TỤ LIÊN LẠC VÀ TỤ
THOÁT TÍN HIỆU XOAY CHIỀU

8/15/2020 26
 1.13.Nguyên tắc tính toán tụ liên lạc
và tụ thoát tín hiệu xoay chiều

➢ Vì trở kháng của tụ tỉ lệ nghịch với tần số, nên trong khoảng tần số thấp
trở kháng của tụ tăng lên làm điện áp xoay chiều tổn hao trên tụ tăng
lên, do đó điện áp xoay chiều đưa vào mạch giảm đi.
➢ Để tính chọn các tụ, ta sử dụng phương pháp thời hằng ngắn mạch.
Nghĩa là khi tín toán giá trị một tụ thì nối tắt tất cả các tụ còn lại
➢ Nguyên tắc tính chọn tụ là giá trị trở kháng của tụ (tại tần số nhỏ nhất
trong băng thông) phải nhỏ hơn nhiều so với giá trị trở kháng tổng
(thông thường ta chọn nhỏ hơn hoặc bằng 1/10)

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 27

7/1/03 McGraw-Hill
 Mạch khuếch đại E chung có Re và S chung có Rs

Sơ đồ mạch khuếch đại E chung Sơ đồ mạch khuếch đại S chung

có RE có RS

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 28

7/1/03 McGraw-Hill
28
 1.14.Tính toán tụ trong mạch khuếch đại E
chung và S chung
Xét C1: cho vi=0 và cho tất cả
các tụ khác nối tắt
Nguyên tắc chọn C1 là trở kháng
của tụ C1 nhỏ hơn rất nhiều so
với trở kháng (RI+Rin) để tổn hao
trên C1 không đáng kể.
1
 R1 + Rin
C1
1 10
C1   C1 
 (RI + Rin )  (RI + Rin )

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 29

7/1/03 McGraw-Hill
 1.14.Tính toán tụ trong mạch khuếch đại E
chung và S chung
Đối với mạch C-E,
R = R RiB
Đối với mạch C-S, in B

R = R RiG
in G

C1 được chọn thỏa mãn điều kiện:

1 10
C1   C1 
 (RI + Rin )  (RI + Rin )

 được chọn bằng: = min

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 30

7/1/03 McGraw-Hill
 1.14.Tính toán tụ trong mạch khuếch đại E
chung và S chung
C3 Đối với mạch C-E,
Rout = RC RiC
Đối với mạch C-S
Rout = R D RiD

C3 C3 được chọn thỏa mãn điều kiện:

1 10
C3   C3 
(
 R3 + Rout) (
 R3 + Rout )
 được chọn bằng: = min

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 31

7/1/03 McGraw-Hill
 1.14.Tính toán tụ trong mạch khuếch đại E
chung và S chung
Trường hợp xác định C2, ta nối tắt các tụ
C1 và C3

1
C2 C2 
  
  1  
  R4  RE + 
  g m  
  

1
C2 
  
  1  
  R4  RS + 
  g m  
  
C2

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 32

7/1/03 McGraw-Hill
Nhắc lại các thông số mạch khuếch đại dùng
BIT
Nhắc lại các thông số mạch khuếch đại dùng
FET
 Ví dụ tính toán tụ trong
mạch KĐ E chung và S chung
Bài toán: Tính chọn các tụ liên lạc và tụ thoát xoay chiều C1, C2 và C3?.
Số liệu cho: f = 1000Hz, tất cả giá trị điện trở của mạch như dưới đây

I = 0.245mA;V = 3.39V ;V = 75V

C CE A
g m = 40IC = 40x0.245mA= 9.8mS
o 100
r = = =10.2K
g m 9.8mS

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design

7/1/03 McGraw-Hill
 Ví dụ tính toán tụ trong mạch
KĐ E chung và S chung

Rin = RB RiB = ?
1
C1  = ? → C1 = ?
 (RI + Rin )
1
C2  =?
  R4 (RE + (1/ g m ))
 
 
→ C2 = ?
1
C3  = ? → C3 = ?
(
 R3 + Rout )
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 36
7/1/03 McGraw-Hill
 Ví dụ tính toán tụ trong mạch
KĐ E chung và S chung

R = R RiB = 78.1kΩ
in 1 B
C  = 1.99nF→ C = 0.02F
1   R + R  1

 I in 
1
C2  = 67.2nF
  R4 (RE + (1/ g m ))
 
→ C2 = 0.68F
1
C3  = 1.31nF → C3 = 0.015F
(
 R3 + Rout )

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 37

7/1/03 McGraw-Hill
 Ví dụ tính toán tụ trong mạch
KĐ E chung và S chung
Bài toán: Tính chọn các tụ liên lạc và tụ thoát xoay chiều C1, C2 và C3?.
Số liệu cho: f = 1000Hz, tất cả giá trị điện trở của mạch như dưới đây
gm=0.491mS

gm=0.491mS

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 38

7/1/03 McGraw-Hill
 Ví dụ tính toán tụ trong mạch
KĐ E chung và S chung
Bài toán: Tính chọn các tụ liên lạc và tụ thoát xoay chiều C1, C2 và C3?.
Số liệu cho: f = 1000Hz, tất cả giá trị điện trở của mạch như dưới đây

R = R = 892kΩ
in G
1
C  =178pF→ C =1800pF
1   R + R  1

 I in 
1
C2  = 55.3nF


( )
  R6 RS + (1/ g m ) 


→ C2 = 0.56F
1
C3  = 1.31nF → C3 = 0.015F
(
 R3 + Rout )

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 39

7/1/03 McGraw-Hill
 1.15.Tính toán tụ trong mạch khuếch đại
C chung và D chung
Đối với mạch C-C,
R = R RiB
in B
Đối với mạch C-D,

R = R RiG
in G

C1 được tính chọn như sau:

1
C 
1   R + R 

 I in 

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 40

7/1/03 McGraw-Hill
 1.15.Tính toán tụ trong mạch khuếch đại C
chung và D chung
Đối với mạch C-C,
C3
Rout = R6 RiE
Đối với mạch C-D,
Rout = R6 RiS

C3
C3 được tính chọn như sau:
1
C3 
(
 R3 + Rout )

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 41

7/1/03 McGraw-Hill
Ví dụ tính toán tụ trong mạch KĐ C chung và
D chung
Bài toán: Tính chọn các tụ liên lạc và tụ thoát xoay chiều C1, C2 và C3?.
Số liệu cho: f = 1000Hz, tất cả giá trị điện trở của mạch như dưới đây

Đối với mạch C-C: Đối với mạch C-D:

R = R = 892kΩ
R = R RiB = 95.5kΩ in G
in B Rout = R6 RiS = 1.74k
Rout = R6 RiE = 120 1
1 C  = 89pF
C  = 816pF 1   R + R 

1   R + R 

 I in 
 I in  → C = 1000pF
→ C = 8200pF 1
1 1
1 C3  = 782pF
C3 
(
 R3 + Rout
= 795pF
) (
 R3 + Rout )
→ C3 = 8200pF → C3 = 8200pF

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 42

7/1/03 McGraw-Hill
 1.16.Tính toán tụ trong mạch KĐ B chung và
G chung
Đối với mạch C-B,
Rin = R6 RiE

Đối với mạch C-G,

Rin = R6 RiS

C1 được tính chọn như sau:

1
C 
1   R + R 

 I in 

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 43

7/1/03 McGraw-Hill
 1.16.Tính toán tụ trong mạch KĐ B chung và
G chung
Đối với mạch C-B,
C3
Rout = RC RiC

Đối với mạch C-G,

Rout = RD RiD
C3

C3 được tính chọn như sau:

1
C3 
(
 R3 + Rout )

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 44

7/1/03 McGraw-Hill
 1.16.Tính toán tụ trong mạch KĐ B chung và
G chung
Khi tính chọn C2 ta nối tắt các tụ C1 và
C3

C2

eq = R1 R2 r + ( o +1)(R6 RI )

 
RCB

eq = R1 R2
RCG

1
C 
2  RCB
eq
,CG

C2

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 45

7/1/03 McGraw-Hill
Ví dụ Tính toán tụ trong mạch KĐ B chung và
G chung
Bài toán: Tính chọn các tụ liên lạc và tụ thoát xoay chiều C1, C2 và C3?.
Số liệu cho: f = 1000Hz, tất cả giá trị điện trở của mạch như trong hình

Đối với mạch KĐ C-B:

Rin = R6 RiE = 13kΩ 102Ω =100Ω
Rout = RC RiC = 22kΩ 3.93MΩ =21.9kΩ
1
C  = 75.8nF→ C = 0.82F
1   R + R  1
 
 I in1
C2  = 2.38nF = 0.027F


  R1 R2 r + ( o +1)(R6 RI ) 




1
C3  = 1.31nF → C3 = 0.015F
(
 R3 + Rout )
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 46
7/1/03 McGraw-Hill
Ví dụ Tính toán tụ trong mạch KĐ B chung và
G chung

Đối với mạch KĐ C-G:

Rin = R6 RiS = 12kΩ 2.04kΩ =1.74kΩ

Rout = RD RiD = 22kΩ 410kΩ =20.9kΩ

1
C  = 42.6nF→ C = 0.42F
1   R + R  1
 
 I in 
1
C  = 178pF = 1800pF
2  
  R R 
 1 2
1
C3  = 1.31nF → C3 = 0.015F
(
 R3 + Rout )
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design Chap 14 - 47
7/1/03 McGraw-Hill
 Kết thúc chương 1

8/15/2020 48