Professional Documents
Culture Documents
Analysis Characterization Equipments
Analysis Characterization Equipments
رووشﻫﺎ و دﺳﺘﮕ
ﭘﺎﻳﻴﺰ 13389
ب
ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﻄﺎﻟﺐ
ﺻﻔﺤﻪ ﻋﻨﻮان
ﻓﺼﻞ اول
2 ﻣﻘﺪﻣﻪ
4 -2-1ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮاد ﺑﺮ اﺳﺎس ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻮرد اﻧﺪازهﮔﻴﺮي
ﻓﺼﻞ دوم
10 ﻣﻘﺪﻣﻪ
ج
11 -1-2ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ)(AFM
ح
98 - 11 -2ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ)(XRF
109 -12 -2ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ) XPS ) (ESCAو (UPS
خ
144 ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ HPLC
د
ﻓﺼﻞ اول
و
ﺗﻌﻴﻴﻦﻣﺸﺨﺼﺎت
ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮاد
ﻣﻘﺪﻣﻪ:
ﭘﻴﺸﺮﻓﺖﻫﺎي اﺧﻴﺮ در ﻓﻨﺎوريﻧﺎﻧﻮ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ در زﻣﻴﻨﻪ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﻛﻨﺘﺮل ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي
ﻣﻨﻔﺮد در ﻣﻘﻴﺎس ﻧﺎﻧﻮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﮔﺴﺘﺮش ﻓﺰاﻳﻨﺪه اﺑﺰارﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮاد و ﺳﺎﺧﺖ و ﻓﻦآوري
آﻧﻬﺎ ﺑﺮاي ﭘﻴﺸﺮﻓﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮ در ﻋﻠﻢ و ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﻣﻬﻢ و اﺳﺎﺳﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .اﻳﻦ اﺑﺰارﻫﺎ ﭼﺸﻢﻫﺎ را ﺑﺮاي دﻳﺪن و
اﻧﮕﺸﺖﻫﺎ را ﺑﺮاي ﻛﻨﺘﺮل ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎ ﺗﻮاﻧﺎ ﻣﻲﺳﺎزﻧﺪ .ﺑﺎ اﻳﻦ ﺗﻮﺻﻴﻒ اﺣﺴﺎس ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ در آﻳﻨﺪهاي ﻧﺰدﻳﻚ
ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﻧﻴﺎز ﻣﺤﻘﻘﺎن و ﭘﮋوﻫﺸﮕﺮان اﻳﻦ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد ﻛﻪ آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎهﻫﺎي ﺑﺎ وﺳﺎﺋﻞ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و اﺑﺰارﻫﺎي
ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺨﺘﻠﻒ در اﺧﺘﻴﺎر داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ ﺗﺎ ﺑﺘﻮاﻧﻨﺪ ﺑﻪ اﻛﺘﺸﺎف و ﺗﺤﻠﻴﻞﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ در زﻣﻴﻨﻪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ از ﺟﻤﻠﻪ
ﺷﻴﻤﻲ ،ﻓﻴﺰﻳﻚ ،زﻳﺴﺖﺷﻨﺎﺳﻲ و ﻣﻮاد و ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي آﻧﻬﺎ دﺳﺖ ﭘﻴﺪا ﻛﻨﻨﺪ.
در ﻋﻠﻮم ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ و ﭘﺰﺷﻜﻲ ،ﻣﻮﺿﻮع اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت از اﻫﻤﻴﺖ ﻛﻠﻴﺪي
ﺑﺮﺧﻮردار اﺳﺖ ﺑﻪ ﻃﻮري ﻛﻪ وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ و ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﻮاد ،ﺑﻪ ﻣﻮاد اوﻟﻴﻪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ
رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﺑﻪ دﺳﺖ آﻣﺪه از ﻓﺮاﻳﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد .ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ
ﻣﻮاد اوﻟﻴﻪ ،ﺑﺪﻳﻬﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﻮع و ﻣﻘﺪار ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲﻫﺎ ،ﺷﻜﻞ و ﺗﻮزﻳﻊ اﻧﺪازه ذرات ،ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮرﻳﻦ و ﻣﺎﻧﻨﺪ آن
در ﻣﺎﻫﻴﺖ و ﻣﺮﻏﻮﺑﻴﺖ ﻣﺤﺼﻮل اﺛﺮ دارﻧﺪ .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻫﺮ ﭼﻪ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻗﻮيﺗﺮي
در اﺧﺘﻴﺎر ﺑﺎﺷﺪ ،ﻛﻨﺘﺮل ﻣﻮاد اوﻟﻴﻪ ﺑﺎ دﻗﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد .در ﺿﻤﻦ ﺑﺮاي ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎ ،ﻧﻴﺎز
ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﻪ اﺑﺰارﻫﺎي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و آﻧﺎﻟﻴﺰ وﺟﻮد دارد .در رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻣﻮاد ،ﺑﺎﻳﺪ ﻧﻮع ﻓﺎزﻫﺎ،
ﺷﻜﻞ ،اﻧﺪازه ،ﻣﻘﺪار و ﺗﻮزﻳﻊ آﻧﻬﺎ را ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﺮد .در اداﻣﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻫﻤﻴﺖ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎ و روشﻫﺎي
اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺑﻪ ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي اﻳﻦ روشﻫﺎ ﭘﺮداﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد و در اﻧﺘﻬﺎي ﻓﺼﻞ ﻧﻴﺰ ﻣﺨﺘﺼﺮي در
راﺑﻄﻪ ﺑﺎ اﻫﻤﻴﺖ ﺗﺠﻬﻴﺰات ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﺑﺤﺚ ﻣﻲﺷﻮد.
2
ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ اول
-1-1-1روشﻫﺎي ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ
ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روشﻫﺎي ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﺗﺼﺎوﻳﺮي ﺑﺎ ﺑﺰرﮔﻨﻤﺎﻳﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻ از ﻣﺎده ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ .ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ
ﺗﺼﺎوﻳﺮ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻛﻤﺘﺮﻳﻦ ﻗﺪرت ﺗﻤﺮﻛﺰ اﺷﻌﻪ ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از
ﭘﺮاش ﻳﻜﻲ از ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ در ﺣﻴﻦ
ﻋﺒﻮر از ﻳﻚ روزﻧﻪ و ﻳﺎ ﻟﺒﻪ ﻣﻨﺤﺮف ﺷﻮد .ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ اﺑﻌﺎد روزﻧﻪ ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻃﻮل ﻣﻮج اﺷﻌﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ
اﺛﺮات ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ .ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ ،اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ و ﻳﺎ ﻧﻮﺗﺮونﻫﺎ و اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد
آﻧﻬﺎ ﺑﺎ ﻣﺎده ﻣﻲﺗﻮان اﺑﻌﺎد ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ ﻣﻮاد را اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻛﺮد .اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ و ﻧﻮﺗﺮونﻫﺎ ﻧﻴﺰ ﺧﻮاص ﻣﻮﺟﻲ دارﻧﺪ
ﻛﻪ ﻃﻮل ﻣﻮج آن ﺑﻪ اﻧﺮژي آﻧﻬﺎ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد .ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ ﻫﺮ ﻛﺪام از اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﺘﻔﺎوﺗﻲ دارﻧﺪ
ﻣﺜﻼ ﻋﻤﻖ ﻧﻔﻮذ اﻳﻦ ﺳﻪ روش در ﻣﺎده ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ زﻳﺮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﻧﻮﺗﺮون از اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ ﺑﻴﺸﺘﺮ و اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ از
اﺳﺘﻔﺎده از ﺟﺬب ،ﻧﺸﺮ و ﻳﺎ ﭘﺮاش اﻣﻮاج اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﺗﻮﺳﻂ اﺗﻢﻫﺎ و ﻳﺎ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ را ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﮔﻮﻳﻨﺪ.
ﺑﺮﺧﻮرد ﻳﻚ ﺗﺎﺑﺶ ﺑﺎ ﻣﺎده ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﻬﺖ ﺗﺎﺑﺶ و ﻳﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﺳﻄﻮح اﻧﺮژي اﺗﻢﻫﺎ و ﻳﺎ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ
ﺷﻮد ،اﻧﺘﻘﺎل از ﺗﺮاز ﺑﺎﻻي اﻧﺮژي ﺑﻪ ﺗﺮاز ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ ،ﻧﺸﺮ و اﻧﺘﻘﺎل از ﺗﺮاز ﭘﺎﻳﻴﻦ اﻧﺮژي ﺑﻪ ﺗﺮاز ﺑﺎﻻﺗﺮ ،ﺟﺬب ﻧﺎﻣﻴﺪه
ﻣﻲﺷﻮد .ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﻬﺖ ﺗﺎﺑﺶ در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ ﻣﺎده ﻧﻴﺰ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﭘﺮاش ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻲﺷﻮد ،اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺷﺎﻣﻞ ،XPS
روشﻫﺎي ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ از ﺗﻔﺎوت ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮم ﺑﻪ ﺑﺎر اﺗﻢﻫﺎ و ﻳﺎ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ .ﻋﻤﻠﻜﺮد
3
ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ اول
-5-1-1روشﻫﺎي ﺟﺪاﺳﺎزي
در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺣﺎوي ﭼﻨﺪ ﺟﺰ ﻧﺎﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ ،اﺑﺘﺪا ﺑﺎﻳﺪ از ﻫﻢ ﺟﺪا ﺷﺪه و ﺳﭙﺲ اﺟﺰا ﺗﻮﺳﻂ روشﻫﺎي
آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد .ﺟﺪاﺳﺎزي ﺑﺮاﺳﺎس ﺗﻔﺎوت در ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ و ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد .ﺑﻪ
ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺎده ،ﭼﮕﺎﻟﻲ و اﻧﺪازه از ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده و ﺣﻼﻟﻴﺖ ﻧﻘﻄﻪ ﺟﻮش و ﻓﺸﺎر
ﺑﺨﺎر از ﺧﻮاص ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﺟﺪاﺳﺎزي ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺷﺎﻣﻞ HPLCو GCﻣﻲﺑﺎﺷﺪ.
ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺑﺮ ﻃﺒﻖ ﺧﺎﺻﻴﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻓﺮاﻳﻨﺪ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻧﻬﺎﻳﻲ ﻣﺸﺎﻫﺪه
ﻣﻲﺷﻮد .در ﺟﺪول 1ﻓﻬﺮﺳﺘﻲ از ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ اﻳﻦ ﺧﺎﺻﻴﺖﻫﺎ ،و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻧﺎم روشﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻣﺒﺘﻨﻲ ﺑﺮ اﻳﻦ ﺧﺎﺻﻴﺖﻫﺎ
ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد .ﺗﺎ ﺣﺪود ﺳﺎل 1920ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﻫﻤﻪ روشﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﺒﺘﻨﻲ ﺑﺮ دو ﺧﺎﺻﻴﺖ ذﻛﺮ ﺷﺪه در
اول ﻓﻬﺮﺳﺖ ﺟﺪول 1ﻳﻌﻨﻲ ﺟﺮم و ﺣﺠﻢ ﺑﻮدﻧﺪ از اﻳﻦ رو ﺑﻪ روشﻫﺎي وزﻧﻲ و ﺣﺠﻤﻲ روشﻫﺎي ﻛﻼﺳﻴﻚ
ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﺪ .ﺑﻪ ﺑﻘﻴﻪ ﻓﻬﺮﺳﺖ ﺟﺪول 1روشﻫﺎي دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ اﻃﻼق ﻣﻲﺷﻮد .ﻋﻼوه ﺑﺮﺑﺤﺚ ﺗﺎرﻳﺨﻲ
ﻓﻮق ،ﺟﻨﺒﻪﻫﺎي دﻳﮕﺮي ﻧﻴﺰ روشﻫﺎي دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ را از روشﻫﺎي ﻛﻼﺳﻴﻚ ﻣﺘﻤﺎﻳﺰ ﻣﻲﺳﺎزﻧﺪ] 2و.[3
4
ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ اول
ﺟﺪول -1ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ ﻣﻮرد اﻧﺪازهﮔﻴﺮي
ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ )اﺷﻌﻪ،UV،Xﻣﺮﺋﻲ ،(IR،رﻧﮓ ﺳﻨﺠﻲ ،ﺟﺬب اﺗﻤﻲ، ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ 3
ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻧﺸﺮي)اﺷﻌﻪ ،UV ،Xﻣﺮﺋﻲ( ،ﻧﻮرﺳﻨﺠﻲﺷﻌﻠﻪاي ،ﻓﻠﻮﺋﻮرﺳﺎﻧﺲ ﻧﺸﺮ ﺗﺎﺑﺶ 4
ﻗﻄﺒﺶﺳﻨﺠﻲ ،ﭘﺎﺷﻨﺪﮔﻲ ﭼﺮﺧﺶ ﻧﻮري و دو رﻧﮓ ﻧﻤﺎﻳﻲ دوراﻧﻲ ﭼﺮﺧﺶ ﺗﺎﺑﺶ 8
5
ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ اول
ﻫﻤﺎﻧﻄﻮري ﻛﻪ در ﺑﺨﺶ ﻗﺒﻞ دﻳﺪه ﺷﺪ ،ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪيﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻧﻲ ﺑﺮاي روشﻫﺎي
ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد ﭘﻴﺸﻨﻬﺎد ﺷﻮد ،وﻟﻲ ﺳﺎدهﺗﺮﻳﻦ و ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒﻮلﺗﺮﻳﻦ آﻧﻬﺎ ،ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي ﻣﺎﻫﻴﺖ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و ﻳﺎ آﻧﺎﻟﻴﺰ اﺳﺖ
اﮔﺮ ﻫﺪف از ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ،ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎﺷﺪ ،در اﺻﻄﻼح ﺑﻪ اﻳﻦ روش آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي
ﮔﻮﻳﻨﺪ .در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ،ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮ ﺑﺪون ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮرﻳﻦ آن ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد .اﻳﻦ ﻧﻮع ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ را ﻛﻪ از
ﻧﻈﺮ ﺗﺎرﻳﺨﻲ ﻗﺪﻳﻤﻲﺗﺮﻳﻦ روش اﺳﺖ ،آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻧﻴﺰ ﻣﻲﮔﻮﻳﻨﺪ .روش دﻳﮕﺮ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ،ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻮع ﻓﺎزﻫﺎﺳﺖ
ﻛﻪ ﺑﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻓﺎزي ﻣﺸﻬﻮر اﺳﺖ .در اﻳﻦ روش ،ﻧﻮع ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮرﻳﻦ ﻳﺎ ﻛﺎﻧﻲﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺎده ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد.
ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺑﻪ ﻛﻤﻚ اﻳﻦ روش ،ﻧﻮع ﻣﻮاد ﻣﻌﺪﻧﻲ ﻣﻮﺟﻮد در ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺧﺎك رس ﻣﺼﺮﻓﻲ در ﺻﻨﺎﻳﻊ
ﺳﺮاﻣﻴﻚ ،ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻛﻮارﺗﺰ ) ،(SiO2ﻛﺎﺋﻮﻟﻴﻨﻴﺖ ) ، (Al2O3 2SiO2 2H2Oﺗﺎﻟﻚ ) (3MgO 4SiO2 H2Oو ﻣﺎﻧﻨﺪ
آﻧﻬﺎ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ .ﺣﺎل آﻧﻜﻪ ،در روش آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي ،ﻓﻘﻂ ﻣﻘﺪار ﺳﻴﻠﻴﺴﻴﻢ ) ،(Siآﻟﻮﻣﻴﻨﻴﻢ ) ،(Alﻣﻨﻴﺰﻳﻢ
) (Mgو ﺷﺎﻳﺪ اﻛﺴﻴﮋن و ﻫﻴﺪروژن ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺷﻮﻧﺪ و ارزﻳﺎﺑﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮرﻳﻦ ﻣﺎده ،ﺑﻪ ﮔﻤﺎن و ﭘﻴﺶﺑﻴﻨﻲ
آزﻣﺎﻳﺶ ﻛﻨﻨﺪه واﺑﺴﺘﻪ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ .در ﺷﻜﻞ 1دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي ﻛﻠﻲ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد.
در اﻳﻦ ﺷﻜﻞ ،ﮔﺮوه دﻳﮕﺮي از روشﻫﺎي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد ،ﺗﺤﺖ ﻋﻨﻮان آﻧﺎﻟﻴﺰ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري ﻣﻌﺮﻓﻲ ﺷﺪهاﻧﺪ.
ﻣﻨﻈﻮر از آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻳﺎ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري ،ﻫﻤﺎن ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ اﺳﺖ .در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ،ﺷﻜﻞ ،اﻧﺪازه و
ﺗﻮزﻳﻊ ﻓﺎزﻫﺎ ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ داﺷﺖ ﻛﻪ در وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﻧﻪ ﺗﻨﻬﺎ ﻧﻮع ﻓﺎزﻫﺎ ،ﺑﻠﻜﻪ ﺷﻜﻞ،
اﻧﺪازه و ﺗﻮزﻳﻊ آﻧﻬﺎ ﻧﻴﺰ اﺛﺮ ﮔﺬار ﻫﺴﺘﻨﺪ .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﻳﻦ وﻳﮋﮔﻲﻫﺎ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ و ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر
ارزﻳﺎﺑﻲ رﻓﺘﺎر ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺿﺮوري اﺳﺖ .در ﺣﻘﻴﻘﺖ ،ﺗﻮﺳﻌﻪ داﻧﺶ و آﮔﺎﻫﻲ در ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﺎﻫﻴﺖ ﻣﻮاد ،در ﭼﻨﺪ دﻫﻪ
6
ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ اول
اﺧﻴﺮ ،ﺑﻪ ﻣﻘﺪار زﻳﺎدي در ﮔﺮوه آﻧﺎﻟﻴﺰ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﻮده اﺳﺖ .ﺑﻪ وﻳﮋه ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻛﺎﻣﭙﻮزﻳﺖﻫﺎ ،ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﻮاد
ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﺟﺪﻳﺪ ،ﺑﺪون ﺑﻬﺮهﮔﻴﺮي از روشﻫﺎي ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ اﻣﻜﺎن ﻧﺪاﺷﺖ.
ﺗﻤﺎم روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد ،در ﻳﻜﻲ از اﻳﻦ ﺳﻪ ﮔﺮوه ﻗﺮار ﻣﻲ ﮔﻴﺮد .ﺑﺎ اﻳﻦ ﺣﺎل دو ﻧﻮع آﻧﺎﻟﻴﺰ
دﻳﮕﺮ ﻧﻴﺰ وﺟﻮد دارد ﻛﻪ ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ اﻫﻤﻴﺖ ﻛﺎرﺑﺮدي و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮﺧﻲ ﺗﻔﺎوتﻫﺎ ،ﺑﺎﻳﺪ آﻧﻬﺎ را از اﻳﻦ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ
ﺟﺪا و ﺑﻪ ﮔﻮﻧﻪاي ﻣﺴﺘﻘﻞ ﻣﻄﺮح ﻛﺮد .اﻳﻦ دو ﻧﻮع ،ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ و آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺮارﺗﻲ .ﺑﺤﺚ ﺳﻄﺢ در
ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻧﻮﻳﻦ ﻣﻮاد ﺟﺎﻳﮕﺎه وﻳﮋهاي ﻳﺎﻓﺘﻪ اﺳﺖ .در اﺻﻞ ،ﺳﻄﺢ ﻣﻮاد ﺟﺎﻣﺪ ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ارﺗﺒﺎط ﺑﺎ ﻣﺤﻴﻂ اﻃﺮاف،
وﺿﻌﻴﺖ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻳﻜﺴﺎﻧﻲ ﺑﺎ ﺣﺠﻢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻧﺪارد .از ﻃﺮف دﻳﮕﺮ در ﺑﺴﻴﺎري از ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ ،ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻧﻘﺶ
ﻣﻬﻤﺘﺮي را ﺑﺎزي ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ،در ﻛﺎﺗﺎﻟﻴﺰورﻫﺎ ﻳﺎ آﺳﺘﺮﻫﺎي ﺿﺪ ﺧﻮردﮔﻲ ،واﻛﻨﺶ ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻋﻮاﻣﻞ
ﻣﺤﻴﻄﻲ ،ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﻨﻨﺪه اﺳﺖ .ﻧﻜﺘﻪ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻪ دﻳﮕﺮ ،آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ در ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﺑﺪﻧﻪ ﺗﻔﺎوت دارد.
ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺎ ﺗﻌﻴﻴﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻛﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﻧﻤﻲﺗﻮان در ﻣﻮرد آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ ﻗﻀﺎوت ﻛﺮد .ﮔﺮوه دﻳﮕﺮي از
روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ،ﺑﺎ ﻧﺎم آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺮارﺗﻲ ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان روشﻫﺎي ﻛﻤﻜﻲ در ﺧﺪﻣﺖ
ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻓﺎزي ﻋﻤﻞ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ اﻳﻦ روشﻫﺎ ،اﻃﻼﻋﺎت ﺑﺴﻴﺎر ﻣﻔﻴﺪي از رﻓﺘﺎر ﺣﺮارﺗﻲ ﻣﻮاد در اﺧﺘﻴﺎر ﭘﮋوﻫﺸﮕﺮان
ﻣﻲﮔﺬارﻧﺪ .از اﻳﻦ رو ،ﻧﻪ ﺗﻨﻬﺎ ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ آﻧﻬﺎ ،ﺑﻠﻜﻪ در ﻃﺮاﺣﻲﻫﺎي ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻧﻴﺰ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .اﻳﻦ
ﮔﺮوه ،در ﻳﻚ ﺷﺎﺧﻪ ﻣﺴﺘﻘﻞ در دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺷﻨﺎﺧﺖ ﻗﺮار دارﻧﺪ .آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺮارﺗﻲ در ﻛﻠﻴﻪ رﺷﺘﻪﻫﺎي
ﻣﻮاد و ﺑﻪ وﻳﮋه در رﺷﺘﻪ ﺳﺮاﻣﻴﻚ ﻛﺎرﺑﺮد دارد و اﻫﻤﻴﺖ آن ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺳﺎﺧﺖ ﻣﻮاد ﺟﺪﻳﺪ ،روزاﻓﺰون اﺳﺖ .در
ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﭘﻴﺪاﺳﺖ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ،ﺑﻪ ﭘﻨﺞ ﺷﺎﺧﻪ اﺻﻠﻲ ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﺷﺪهاﻧﺪ .آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ ،ﺑﻪ دﻟﻴﻞ
ﻣﺎﻫﻴﺖ ﻋﻨﺼﺮي ﺑﻮدن ،در ﻛﻨﺎر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ ،در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺮارﺗﻲ ﻛﻪ روش ﺗﻜﻤﻴﻠﻲ ﺟﻬﺖ
ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺑﻪ ﺷﻤﺎر ﻣﻲرود ،در اﻧﺘﻬﺎ و ﺑﻌﺪ از آﻧﺎﻟﻴﺰ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري ﻗﺮار دارد .ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ ﻛﺮد ﻛﻪ اﻳﻦ ﭘﻨﺞ ﺷﺎﺧﻪ،
اﺻﻠﻲﺗﺮﻳﻦ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ را ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻋﻠﻢ ﻣﻮاد )ﺑﻪ وﻳﮋه ﺳﺮاﻣﻴﻚ و ﻣﺘﺎﻟﻮرژي( ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ.
در ﺑﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ .ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﻳﮕﺮ ،ﺑﺎ اﻳﻦ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ ﻣﻲﺗﻮان اﻃﻼﻋﺎت ﻛﺎﻣﻠﻲ در ﻣﻮرد ﻣﻮاد ﻓﻠﺰي ،ﺳﺮاﻣﻴﻜﻲ،
ﻣﻌﺪﻧﻲ و آﻟﻲ ﺑﻪ دﺳﺖ آورد .ﺑﺪﻳﻬﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ روشﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن دﻳﮕﺮي ﻧﻴﺰ وﺟﻮد دارﻧﺪ ﻛﻪ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي
7
ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ اول
ﻣﺮاﺟﻊ
-1ﻣﻐﺮﺑﻲ ،ﺷﺎﻫﻮردي ،ﺳﻤﺖ و ﺳﻮي ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ،ﭘﺎﻳﻴﺰ ،1383ﭼﺎپ اول ،ص344
-2ﻣﻌﺼﻮﻣﻲ ﻋﻠﻲ ،ﺷﻴﻤﻲ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ،داﻧﺸﮕﺎه آزاد اﺳﻼﻣﻲ واﺣﺪ ﺗﻬﺮان ﺷﻤﺎل ،ﭼﺎپ اول ،1374ص 544
-3آزاد و ﻫﻤﻜﺎران ،اﺻﻮل ﺗﺠﺰﻳﺔ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ،ﺟﻠﺪ اول ﻣﺮﻛﺰ ﻧﺸﺮ داﻧﺸﮕﺎﻫﻲ ،ﭼﺎپ ﭼﻬﺎرم ،1374ص 456
-4ﮔﻠﺴﺘﺎﻧﻲ ﻓﺮد و ﻫﻤﻜﺎران ،روش ﻫﺎي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻮاد ،داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻢ و ﺻﻨﻌﺖ ،1383 ،ص361
8
ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﻘﺪﻣﻪ
در اﻳﻦ ﻓﺼﻞ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻫﻤﻴﺖ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﻮاد آﻟﻲ
و ﻣﻌﺪﻧﻲ ،ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ و ﻏﻴﺮه ﻛﻪ ﻧﻘﺶ ﻣﻬﻤﻲ را در ﭘﻴﺸﺒﺮد ﻋﻠﻮم ﻣﺨﺘﻠﻒ زﻳﺴﺘﻲ،
ﺷﻴﻤﻲ و ﻓﻴﺰﻳﻚ ﺑﺎزي ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﺑﻪ ﻣﻌﺮﻓﻲ ﺑﺮﺧﻲ از روش ﻫﺎي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي از ﺟﻤﻠﻪ ،STM ،AFM
،NMR ،FTIR ،SIMS ،XPS ،XRF ،XRD ،RBS ،FIB ،AES ،TEM ،ESEM ،SEM ،SNOM
MS ،HPLC ،RAMANو GCﭘﺮداﺧﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد .ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ و ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﻫﺎي آﻧﻬﺎ ﻣﻄﺮح ﻣﻲ ﺷﻮد و در
ﻧﻬﺎﻳﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻛﺸﻮر در زﻣﻴﻨﻪ اﻳﻦ ﺗﺠﻬﻴﺰات ﻧﻴﺰ ﻛﻪ در آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻫﺎي ﻋﻀﻮ ﺷﺒﻜﻪ
10
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﻴﻜﺮﺳﻜﻮپ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ ﻳﺎ 1 AFMدﺳﺘﮕﺎﻫﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮاص و ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻄﺤﻲ ﻣـﻮاد در
اﺑﻌﺎد ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺑﻜﺎر ﻣﻲ رود .اﻧﻌﻄﺎف ﭘﺬﻳﺮي ،ﺳﻴﮕﻨﺎﻟﻬﺎي ﺑـﺎﻟﻘﻮة ﻣﺘﻌـﺪد ،و اﻣﻜـﺎن ﻋﻤﻠﻜـﺮد دﺳـﺘﮕﺎه در ﻣـﺪﻫﺎي
ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺤﻘﻘﻴﻦ را در ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻄﻮح ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن ،ﺗﺤﺖ ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺤﻴﻄـﻲ ﻣﺘﻔـﺎوت ﺗﻮاﻧﻤﻨـﺪ ﺳـﺎﺧﺘﻪ اﺳـﺖ .اﻳـﻦ
دﺳﺘﮕﺎه اﻣﻜﺎن ﻋﻤﻠﻜﺮد در ﻣﺤﻴﻂ ﺧﻼء ،ﻫﻮا ،و ﻣﺎﻳﻊ را دارد .ﺑﺮ ﺧﻼف اﻛﺜﺮ روﺷﻬﺎي ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮاص ﺳﻄﻮح،
در اﻳﻦ روش ﻏﺎﻟﺒﺎً ﻣﺤﺪودﻳﺖ اﺳﺎﺳﻲ ﺑﺮ روي ﻧﻮع ﺳـﻄﺢ و ﻣﺤـﻴﻂ آن وﺟـﻮد ﻧـﺪارد .ﺑـﺎ اﻳـﻦ دﺳـﺘﮕﺎه اﻣﻜـﺎن
ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻄﻮح رﺳﺎﻧﺎ ﻳﺎ ﻋﺎﻳﻖ ،ﻧﺮم ﻳﺎ ﺳﺨﺖ ،ﻣﻨﺴﺠﻢ ﻳﺎ ﭘﻮدري ،ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳـﻚ و آﻟـﻲ ﻳـﺎ ﻏﻴـﺮ آﻟـﻲ وﺟـﻮد دارد .
ﺧﻮاص ﻗﺎﺑﻞ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﺑﺎ اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻮرﻓﻮﻟﻮژي ﻫﻨﺪﺳﻲ ،ﺗﻮزﻳﻊ ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ ،اﺻـﻄﻜﺎك ،ﻧﺎﺧﺎﻟـﺼﻲ
ﺳﻄﺤﻲ ،ﺟﻨﺲ ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ،ﻛﺸﺴﺎﻧﻲ ،ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ،ﺑﺰرﮔﻲ ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ،ﺗﻮزﻳﻊ ﺑﺎرﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ
ﺳﻄﺤﻲ ،و ﻗﻄﺒﺶ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ .در ﻋﻤﻞ از اﻳﻦ ﻗﺎﺑﻠﻴﺘﻬﺎ ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳـﻲ ﺧـﻮردﮔﻲ ،ﺗﻤﻴـﺰي،
ﻧﺤﻮه ﻋﻤﻠﻜﺮدAFM
1
-Atomic Force Microscope
11
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﺻﻮل ﻛﻠﻲ ﻛﺎر AFMﺑﺪﻳﻦ ﺻﻮرت اﺳﺖ ﻛﻪ ﻳﻚ ﺳﻮزن 2ﺑﺴﻴﺎر ﺗﻴﺰ و ﻇﺮﻳـﻒ ﺑـﻪ ﻧـﻮك ﻳـﻚ ﺷـﻲء ﺑـﺎ
ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ارﺗﺠﺎع ﺑﻪ ﻧﺎم ﺗﻴﺮك 3وﺻﻞ ﺷﺪه و ﺳﺮ دﻳﮕﺮ ﺗﻴﺮك ﺑﻪ ﻳﻚ ﺑﺎزوي ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﻣﺘـﺼﻞ ﺷـﺪه اﺳـﺖ .
ﭘﺸﺖ ﻟﺮزاﻧﻚ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻻﻳﻪ ﻧﺎزك از ﻓﻠﺰ ،ﺑﺮاي ﺑﻬﺒﻮد اﻧﻌﻜﺎس ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﻟﻴﺰر از آن ،روﻛﺶ ﺷﺪه اﺳـﺖ .اﻧﻌﻜـﺎس
ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﻟﻴﺰر ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر آﮔﺎﻫﻲ از ﺟﻬﺘﮕﻴﺮي ﺗﻴﺮك در ﻓﻀﺎ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ .ﺑﺎ اﻋﻤﺎل اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﻪ ﭘﻴﺰو
اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ 4در راﺳﺘﺎﻫﺎي y ، xو Zﻣﺤﻞ اﺗﺼﺎل ﺗﻴﺮك ﺑﻪ ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ را ﻣﻲ ﺗﻮان ﺑـﻪ ﻫـﺮ ﻧﻘﻄـﺔ دﻟﺨـﻮاه از
2
- Tip
3
- Cantilever
-4ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻬﺎ ﻧﻮﻋﻲ ﺳﺮاﻣﻴﻚ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﻪ دو ﺳﺮ آن ﻃﻮل آن از ﻣﺮﺗﺒﺔ ﻳﻚ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ .از اﻳﻦ ﻣﻮاد
ﺑﺮاي ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻴﻬﺎي ﺑﺴﻴﺎر دﻗﻴﻖ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد.
12
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
از ﻃﺮﻓﻲ ﺑﻪ ﻫﻨﮕﺎم ﻣﺠﺎورت ﺳﻮزن ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﻧﻴﺮوﻳﻲ ﺑﻪ ﺳﻮزن وارد ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﺰرﮔﻲ و ﺟﻬﺖ آن
واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﻧﻮك ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ وﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻧﻮع ﺳﻄﺢ اﺳﺖ) .ﺷﻜﻞ(2
ﻧﻴﺮوي ﻧﺎﺷﻲ از ﺳﻄﺢ ﺑﺎﻋﺚ ﺧﻢ ﺷﺪن ﺗﻴﺮك ﻣﻲ ﺷﻮد و ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر در ﺻﻔﺤﺔ ﻋﻤﻮد ﺑـﺮ اﻓـﻖ ﺟﺎﺑﺠـﺎ ﻣـﻲ
ﺷﻮد .در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺑﺎ آﮔﺎﻫﻲ از ﻣﻴﺰان ﺧﻤﻴﺪﮔﻲ ﺗﻴـﺮك ﺗﻮﺳـﻂ دﻳﻮدﻫـﺎي ﻧـﻮري و از ﻃﺮﻓـﻲ ﻣﻌﻠـﻮم ﺑـﻮدن ﻣﻜـﺎن
اﻧﺘﻬﺎﻳﻲ ﺗﻴﺮك ،ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﻓﻀﺎﻳﻲ ﺳﻮزن ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲ ﺷﻮد .از ﺳﻮي دﻳﮕﺮ ﻣﻴﺰان ﺧﻤﻴﺪﮔﻲ ﺗﻴﺮك ﺑﻴـﺎﻧﮕﺮ ﻓﺎﺻـﻠﻪ
ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﺸﺨﺺ ﺑﻮدن ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﻓﻀﺎﻳﻲ ﺳﻮزن ،ﻣﻮﻗﻌﻴـﺖ ﻓـﻀﺎﻳﻲ ﺳـﻄﺢ ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣـﻲ
ﺷﻮد.
5
ﺑــﺎ ﺗﻐﻴﻴــﺮ ﭘﻴﻮﺳــﺘﺔ اﺧــﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫــﺎي اﻋﻤــﺎل ﺷــﺪه ﺑــﻪ ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳــﻚ ،ﺳــﻮزن ﺳــﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧــﻪ را ﺟــﺎروب
ﻣﻲ ﻛﻨﺪ و ﺑﺎ ﻣﻜﺎﻧﻴﺰم ﻳﺎد ﺷﺪه ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﺗﻚ ﺗﻚ ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ ﻣﻌﻴﻦ ﻣﻲ ﺷﻮد و ﻧﺘﻴﺠﻪ در ﻧﻤﺎﻳﺸﮕﺮ ﻳﻚ ﻛـﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ
ﺑﺼﻮرت ﻳﻚ ﺳﻄﺢ ﺳﻪ ﺑﻌﺪي رﺳﻢ ﻣﻲ ﺷﻮد.در ﺷﻜﻞ ﻫﺎي 5 ،4 ،3و 6ﻋﻜﺲ ﻫﺎي ﺳﻪ ﺑﻌـﺪي ﺟـﺎﻟﺒﻲ ﺑﻌﻨـﻮان
5
-Scanning
13
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺷﻜﻞ -4ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﻮاري DNAﺗﻮﺳﻂ . AFM ﺷﻜﻞ -3ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ و ﺳﻪ ﺑﻌﺪي از ﻛﺮوﻣﻮزوﻣﻬﺎي اﻧﺴﺎﻧﻲ
ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻪ ﻛﻪ ﻗﻄﺮ 2 nm DNAاﺳﺖ ﺗﻮﺳﻂ . AFM
ﺷﻜﻞ - 5ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﻨﺪﺳﻪ ﺳﻪ ﺑﻌﺪي ﺳﻄﺢ ﻗﺴﻤﺘﻲ از ﻳﻚ ﻣﺪار ﻣﺠﺘﻤﻊ) (ICرا ﻧﺸﺎن ﻣﻲ دﻫﺪ ﻛﻪ ﺗﻮﺳﻂ .AFMﺗﻬﻴﻪ ﺷﺪه
14
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺷﻜﻞ -6ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﻨﺪﺳﻪ ﺳﻪ ﺑﻌﺪي واﺣﺪﻫﺎي ﺣﺎﻓﻈﻪ CDﺗﻬﻴﻪ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ) .AFMﻫﺮواﺣﺪاﻓﻘﻲ ﻧﻤﻮدار 250ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ودرﺟﻪ
ﻋﻤﻮدي 75ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ (
ﻧﻜﺘﻪ اي ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺑﻬﺘﺮﻳﻦ دﻗﺖ در ﻧﺘﺎﻳﺞ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﺑﻪ آن ﺗﻮﺟﻪ ﻛﻨﻴﻢ اﻳﻦ اﺳـﺖ ﻛـﻪ
ﺑﺎﻳﺪ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺟﺎروب ﺳﻄﺤﻲ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳـﻄﺢ در ﻣﺤـﺪودة ﻣﻨﺎﺳـﺒﻲ ﺑـﺎﻗﻲ ﺑﻤﺎﻧـﺪ .ﭼـﺮا ﻛـﻪ از ﻳـﻚ
ﻃﺮف ﻓﺎﺻﻠﺔ زﻳﺎد )در اﻳﻦ ﻧﻮاﺣﻲ ﻧﻴﺮوي ﺟﺎذﺑﻪ اﺳﺖ( ﻣﻮﺟـﺐ ﻛـﻢ ﺷـﺪن ﻣﻴـﺰان اﻧﺤـﺮاف ﻟﺮزاﻧـﻚ و ﻛـﺎﻫﺶ
ﻧﺴﺒﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻮﻟﻔﺔ Zﻣﻜﺎن ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﺷﻮد .از ﻃﺮف دﻳﮕـﺮ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺑـﺴﻴﺎر ﻧﺰدﻳـﻚ ﻣﻮﺟـﺐ
وارد ﺷﺪن ﻧﻴﺮوي زﻳﺎد ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﻪ ﻋﻼوه ﺑﺮ آﺳﻴﺐ زدن ﺑﻪ ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺳـﻄﺢ و ﺳـﻮزن ﻣﻮﺟـﺐ ﻛـﺎﻫﺶ
درﺟﺔ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ .ﺑﻌﻨﻮان ﻣﺜﺎل در ﻣﺪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ) AFMﻧﻴﺮوي ﺑﻴﻦ ﺳـﻮزن و ﺳـﻄﺢ داﻓﻌـﻪ اﺳـﺖ( ﺑـﺮاي
-9
ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪن ﺑﻬﺘﺮﻳﻦ ﻧﺘﺎﻳﺞ ،ﻓﺎﺻﻠﻪ در ﺣﺪود ﭼﻨﺪ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﻪ ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪاي ﺑﻪ ﺑﺰرﮔﻲ N
10ﺗﻮﺳﻂ ﺳﻮزن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ وارد ﺷﻮد .ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪن ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳـﻮزن از ﺳـﻄﺢ ﺣـﻴﻦ روﺑـﺶ ﺳـﻄﺤﻲ ،ﺑﻄـﻮر
ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ در ﻗﺒﻞ اﺷﺎره ﺷﺪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﺗﻴﺮك ) ﻣﻴﺰان و ﻧﺤﻮة ﺧﻤﻴﺪﮔﻲ ﺗﻴﺮك( ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ آﺷﻜﺎر
15
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
r
ﺳﺎز اﻧﻌﻜﺎس ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر از ﭘﺸﺖ آن ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد ) اﮔﺮ ﺑﺮدار θﺑﻴﺎﻧﮕﺮ زاوﻳﺔ ﺑﻴﻦ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴـﺰر ﻓـﺮودي و
r
ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه ﺑﺎﺷﺪ آﻧﮕﺎه ﺟﻬﺘﮕﻴﺮي ﺗﻴﺮك 2θﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد( .ﻣﻴﺰان ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻜﺎن ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴـﺰر ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴـﺪه ﺑﻮﺳـﻴﻠﺔ ﻳـﻚ
دﻳﻮد ﻧﻮري6ﭼﻬﺎرﻣﻨﻄﻘﻪ اي ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد .در ﺣﺎﻟﺖ ﻋﺎدي ﻛﻪ ﻟﺮزاﻧﻚ ﻫﻴﭻ اﻧﺤﺮاﻓﻲ ﻧـﺪارد )ﺗﺤـﺖ ﻧﻴـﺮوي
ﻣﻨﺤﺮف ﻛﻨﻨﺪهاي ﻧﻴﺴﺖ( ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه در ﻣﺮﻛﺰ دﻳﻮد ﻧﻮري ﻗﺮار دارد ﺑﮕﻮﻧﻪ اي ﻛﻪ ﺑـﻪ ﻣﻴـﺰ ان ﻣـﺴﺎوي ﻫـﺮ
ﺧﻢ ﺷﺪن ﺗﻴﺮك ،ﻛﻪ ﺑﺮاﺛﺮ ﻧﻴﺮوي ﺳﻄﺢ ﺑﻪ ﺳﻮزن ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ ،ﺑﺎﻋﺚ ﺟﺎﺑﺠـﺎﻳﻲ ﺑﺎرﻳﻜـﺔ ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴـﺪه در ﺻـﻔﺤﺔ
ﻋﻤﻮد ﺑﺮ اﻓﻖ )و در ﺑﺮدارﻧﺪة ﺗﻴﺮك( و ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﺴﺒﺖ ﭘﻮﺷﺶ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر در ﻧﻴﻤﺔ ﺑﺎﻻﻳﻲ و ﭘﺎﻳﻴﻨﻲ دﻳﻮد ﻧﻮري ﻣـﻲ
ﺷﻮد .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﭘﻴﭽﺶ7ﺗﻴﺮك ﺣﻮل ﻣﺤﻮر آن ،ﻛﻪ ﺑﻮاﺳﻄﺔ ﻧﻴﺮوي ﻋﻤﻮد ﺑﺮ ﺳﻮزن اﺳﺖ ،ﺑﺎﻋـﺚ ﺟﺎﺑﺠـﺎﻳﻲ اﻓﻘـﻲ
ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه و ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﺴﺒﺖ ﭘﻮﺷﺶ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر در ﻧﻴﻤﺔﺳﻤﺖ راﺳﺖ و ﺳﻤﺖ ﭼﭗ ﻣﻲ ﺷﻮد) .ﺷﻜﻞ(8
r r
ﺷﻜﻞ - 8ﺧﻤﻴﺪﮔﻲ αﺗﻴﺮك ﻣﻮﺟﺐ ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ 2α ﺷﻜﻞ - 7در ﺑﻴﺎن ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﻋﻤﻮدي واﻓﻘﻲ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه ﺑﻪ
از ﻃﺮﻓﻲ دﻳﻮد ﻧﻮري اﻳﻦ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ را دارد ﻛﻪ ﺷﺪت ﻧﻮر ﻟﻴﺰر را در ﻫـﺮ ﻛـﺪام از ﻧـﻮاﺣﻲ ﭼﻬﺎرﮔﺎﻧـﻪ اﻧـﺪازه
ﮔﻴــﺮي ﻛﻨــﺪ )اﻳــﻦ دﻳﻮدﻫــﺎ از ﻣــﻮادي ﺳــﺎﺧﺘﻪ ﺷــﺪه اﻧــﺪ ﻛــﻪ ﻧــﻮر ﻓــﺮودي را ﺑــﻪ ﺟﺮﻳــﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜــﻲ ﺗﺒــﺪﻳﻞ
6
-Photodiode
7
-Twisting
16
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣــﻲ ﻛﻨﻨــﺪ( در اﻳﻨــﺼﻮرت از روي ﻧــﺴﺒﺖ ﭘﻮﺷــﺶ ﻧــﻮاﺣﻲ ﭼﻬﺎرﮔﺎﻧــﻪ ﺑــﺎ ﻣﺤﺎﺳــﺒﺎت ﺳــﺎدة ﻫﻨﺪﺳــﺔ ﺗﺤﻠﻴﻠــﻲ
ﻣﻲ ﺗﻮان ﻣﻴﺰان اﻧﺤﺮاف اﻓﻘﻲ و ﻋﻤﻮد ﺑﺮ اﻓﻖ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد.
ﻗﺎﺑــﻞ ﺗﻮﺟــﻪ اﻳﻨﻜــﻪ ﻣﺎﻫﻴــﺖ روش ﺑﻜــﺎر ﮔﺮﻓﺘــﻪ ﺷــﺪه ﺑــﺮاي ﺗﻌﻴــﻴﻦ ﺗﻐﻴﻴــﺮ ﺟﻬــﺖﮔﻴــﺮي ﺗﻴــﺮك اﻳﺠــﺎب
ﻣﻲ ﻛﻨﺪ ﻛﻪ ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه ﺑﺮ روي دﻳﻮد ﻧﻮري ﺣﺪود 2000ﺑﺮاﺑﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﺧﻤﻴـﺪﮔﻲ ﻟﺮزاﻧـﻚ
ﺑﺎﺷﺪ و ﻫﻤﻴﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲ AFMدر آﺷﻜﺎر ﺳﺎزي ﺧﻤﻴﺪﮔﻲﻫﺎﻳﻲ ﺑـﻪ ﺑﺰرﮔـﻲ ﻳـﻚ آﻧﮕـﺴﺘﺮوم ﺗﻴـﺮك
ﻣﻲ ﺷﻮد.
ﻫﻨﺪﺳﺔ ﺗﻴﺮك
راﻳﺞ ﺗﺮﻳﻦ ﺗﻴﺮﻛﻬﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از ﺑﺎزو ﻣﺜﻠﺜﻲ و ﺗﺨﺘـﻪ ﮔﻮﻧـﻪ).ﺷـﻜﻞ 9و (10ﻣﻌﻤـﻮﻻً از ﺗﻴـﺮك
ﺑﺎزو ﻣﺜﻠﺜﻲ ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﭘﻴﭽﺶ ﻣﺤﻮري 8ﺗﻴﺮك ﻧﺎﻣﻄﻠﻮب ﺑﺎﺷﺪ ) ﺑﻪ ﻋﻨـﻮان ﻣﺜـﺎل وﻗﺘـﻲ در ﻣـﺪ
ﺗﻤﺎﺳﻲ در ﺻﺪد ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻮر ﻓﻮﻟﻮژي ﺳﻄﺢ ﻫﺴﺘﻴﻢ( .در زﻳﺮ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺗﻴﺮكﻫﺎي ﺳـﺎﺧﺘﻪ ﺷـﺪه ﺗﻮﺳـﻂ
ﺷﺮﻛﺖ ﻣﻴﻜﺮوﻣﺎﺳﻚ ،9ﻳﻜﻲ از ﺳﺎزﻧﺪﮔﺎن ﺗﻮاﻧﺎي ﺳﻮزن و ﺗﻴﺮك در دﻧﻴﺎ اراﺋﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد
8
- twisting
9
- MikroMasch
17
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺳﻮزنﻫﺎ
ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﺪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده AFMو ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻮرد اﻧـﺪازهﮔﻴـﺮي از ﺳـﻮزﻧﻬﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔـﻲ اﺳـﺘﻔﺎده ﻣـﻲﺷـﻮد.
زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﻓﺮاﻳﻨﺪ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﺴﺘﻠﺰم وارد ﻛﺮدن ﻧﻴﺮوﻫﺎﻳﻲ ﻓﻮق اﻟﻌﺎده زﻳﺎد از ﺟﺎﻧﺐ ﺳﻮزن ﺑـﻪ ﺳـﻄﺢ ﺑﺎﺷـﺪ از
ﺳﻮزﻧﻬﺎي اﻟﻤﺎﺳﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺳﻮزﻧﻬﺎي ﺑﺎ روﻛـﺶﻫـﺎي اﻟﻤﺎﺳـﮕﻮﻧﻪ ) (DLCﺑـﺮاي اﻳـﻦ ﻣﻨﻈـﻮر
10
ﻳـﺎ 11SSRMﺑـﺎ ﻧﻴﺮوﻫـﺎﻳﻲ ﺑـﻪ ﺑﺰرﮔـﻲ N ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ .ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل در اﻳﺠﺎد ﻧﺎﻧﻮ ﺧﺮاﺷـﻬﺎ
18
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
10 −5ﺳﺮو ﻛﺎر دارﻳﻢ )اﻳﻦ در ﺣﺎﻟﻴﺴﺖ ﻛﻪ در ﻣﺪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻧﻴﺮوي وارد ﺑﺮ ﺳـﻄﺢ 10 −9 Nﻣـﻲ ﺑﺎﺷـﺪ( و ﺑﺎﻳـﺪ از
ازروﻛﺶﻫﺎﻳﻲ ﻧﻈﻴﺮ Cr - Auو Ptﺑﺮاي ﻣﺤﺎﻓﻈﺖ ﺳﻮزن در ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﺮاﻳﻂ ﺧﺸﻦ ﻣﺤﻴﻄﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد.
ﺑﺮاي ﺟﻠﻮﮔﻴﺮي از ﺗﺠﻤﻊ ﺑﺎرﻫﺎ )ﻳﺎ ﻳﻮﻧﻬﺎ( در ﺳﻄﺢ ﺳﻮزن ﺧﺼﻮﺻﺎً در 12EFMاز روﻛﺶﻫﺎي رﺳﺎﻧﺎﻳﻲ ﻧﻈﻴـﺮ
در اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺧﻮاص ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ از ﺳﻮزنﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ روﻛﺶ ﻣﻮاد ﻓﺮو ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻣﺎﻧﻨـﺪ Ni ،Fe
ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻮزن ﻛﻪ ﻧﻮع ﻛﺎراﻳﻲ ﺳﻮزن و ﻣﻴﺰان دﻗـﺖ ﻧﺘـﺎﻳﺞ ﺑﺪﺳـﺖ آﻣـﺪه را ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣـﻲﻛﻨﻨـﺪ
ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از ﺷﻜﻞ ،ﺑﻠﻨﺪي ،ﻧﺎزﻛﻲ )زاوﻳﻪ راس ﻫﺮم ﻓﺮﺿﻲ ﻣﻨﻄﺒﻖ ﺑﺮ ﻧﻮاﺣﻲ ﻧﻮك( ،ﺗﻴـﺰي )ﺷـﻌﺎع داﻳـﺮه ﻓﺮﺿـﻲ
ﻣﻨﻄﺒﻖ ﺑﺮ ﻧﻮك(.
ﺷﻜﻞ -11اﻧﻮاع ﺷﻜﻞ ﻫﺎي ﺳﻮزن ﺷﺎﻣﻞ ﻧﻮك ﺗﺨﺖ ،ﻧﻮك ﻛﺮوي ،ﻧﻮك Tﺷﻜﻞ و ﻧﻮك ﺗﻴﺰ
ﺳﻮزنﻫﺎي Tﺷﻜﻞ ﺑﺮاي ﻧﻘﺸﻪ ﺑﺮداري و آﺷﻜﺎر ﺳﺎزي ﻓﺮورﻓﺘﮕـﻲﻫـﺎي ﻣﻮﺟـﻮد در ﺑﺨـﺶﻫـﺎي دﻳـﻮاره
10
- nano Scratching
11
- Scanning Spreading Resistance Microscopy
12
- Flectrostatic Farce Microscopy
13
- doped
19
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲ رود .اﻳﻦ در ﺣﺎﻟﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺳﻮزنﻫﺎي ﻧﻮك ﺗﻴﺰ اﻳﻦ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ را ﻧﺪارﻧﺪ )ﺷﻜﻞ.(13
از ﺳﻮزنﻫﺎي ﻧﻮك ﺗﺨﺖ ﻫﻢ ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ اﺻﻄﻜﺎك ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ اﺳـﺘﻔﺎده ﻣـﻲﺷـﻮد .ﭼـﺮا ﻛـﻪ
آﻧﭽﻪ در ﻋﻤﻞ ﺑﻪ ﺻﻮرت اﺻﻄﻜﺎك ﻧﻤﺎﻳﺎن ﻣﻲﺷﻮد رﻓﺘﺎر ﺟﻤﻌﻲ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ از اﺗﻢ ﻫﺎي ﺳـﻄﺢ اﺳـﺖ و ﻧـﻪ ﻳـﻚ
ﺳﻮزﻧﻬﺎي ﻛﺮوي ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺳﻄﺢ ﺗﻤﺎس ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرﮔﻲ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ دارﻧﺪ ﻧﻴﺮوي وارد ﺑـﺮ
واﺣﺪ ﺳﻄﺢ ﺑﺴﻴﺎر ﻧﺎﭼﻴﺰي ﺑﻪ ﺳﻄﺢ وارد ﻣﻲﻛﻨﺪ،در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر ﻧـﺮم و ﺣـﺴﺎس ﺑـﺎ اﻳـﻦ روش ﻗﺎﺑـﻞ
ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﻨﺪ .در ﻋﻴﻦ ﺣﺎل ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺑﺮﻫﻤﻜﻨﺶ ﻣﻮﺛﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ وﺳﻴﻌﻲ از ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻧﻘﺎط ﻣﺘﻌﺪدي از اﻳﻦ ﺳﻮزﻧﻬﺎ
درﺟﻪ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻧﻬﺎﻳﻲ اﻓﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ.ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ وﻗﺘـﻲ درﺟـﻪ ﺗﻔﻜﻴـﻚ ﺧﻴﻠـﻲ ﺑـﺎﻻ ﺑـﺮاي ﻣﺤﻘﻘـﻴﻦ ﺿـﺮوري
ﻧﻴﺴﺖ اﻳﻦ ﺳﻮزﻧﻬﺎ وﺳﻴﻠﻪ اﻳﺪه آﻟﻲ ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ از ﺳﻄﻮح ﻧﺮم و ﺣـﺴﺎس ،ﺑـﺪون ﻧﻴـﺎز ﺑـﻪ اﻳﺠـﺎد ﺷـﺮاﻳﻂ
ﻣﺤﻴﻄﻲ وﻳﮋه )اﻳﺰوﻟﻪ ﻛﺮدن ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي،ﻛﺎﻟﻴﺒﺮاﺳﻴﻮﻧﻬﺎي دﻗﻴﻖ( ،ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﺑﻌﻨﻮان
ﻣﺜﺎل اﻳﻦ ﺳﻮزﻧﻬﺎ ﻛﺎرﺑﺮد وﺳﻴﻌﻲ در ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﻧﻮاع ﺳﻄﻮح ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ ﻳﺎﻓﺘﻪاﻧﺪ.
20
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺷﻜﻞ 14ﺑﻪ ﻃﻮر ﻧﻤﺎدﻳﻦ ﺑﺰرﮔﻲ و ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻧﻴﺮوي ﺑﻴﻦ ﺳـﻮزن و ﺳـﻄﺢ را در ﻓﻮاﺻـﻞ ﻣﺨﺘﻠـﻒ ﺳـﻮزن از
ﺳﻄﺢ ﻧﺸﺎن ﻣﻲ دﻫﺪ .ﺟﻬﺖ ﻓﻠﺶﻫﺎ ﻧﺸﺎن دﻫﻨﺪه ﻧﺰدﻳﻚ ﺷﺪن)رﻓﺖ( ﻳﺎ دور ﺷﺪن )ﺑﺮﮔﺸﺖ( ﺳﻮزن ﻧـﺴﺒﺖ ﺑـﻪ
ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ
ﺷﻜﻞ -13ﺳﻤﺖ ﭼﭗ :ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻧﻤﺎدﻳﻦ ﺑﺰرﮔﻲ و ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻧﻴﺮوي ﺑﻴﻦ ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ در ﻓﻮاﺻﻞ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ
ﺳﻤﺖ راﺳﺖ :اﻧﺤﺮاف ﺗﻴﺮك ﺣﻴﻦ رﻓﺖ و ﺑﺮﮔﺸﺖ در ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻓﺎﺻﻠﻪ از ﺳﻄﺢ )ﻧﻴﺮوي ﺟﺎذﺑﻪ ﻳﺎ داﻓﻌﻪ(
ﻫﺪف از ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮدن ﻣﻨﺤﻨﻲ ﻧﻴﺮو ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﻪ اﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ (1 :ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣﺸﺨـﺼﺎت ﻣﺨﺘﻠـﻒ ﺳـﻄﺢ
ﻣﺪ ﻧﻈﺮ ﺑﺎﺷﺪ (2 .ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺑﻬﻴﻨﻪ روﺑﺸﮕﺮ از ﺳﻄﺢ)ﻛﻪ ﻛﻤﺘـﺮﻳﻦ ﻧﻴـﺮو از ﺟﺎﻧـﺐ ﺳـﻮزن ﺑـﻪ ﺳـﻄﺢ وارد ﻣـﻲ ﺷـﻮد(
ﻣﻄﻠﻮب ﺑﺎﺷﺪ .ﭼﺮا ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺣﻴﻦ ﻓﺮاﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺳﻄﺢ ﺗﻮﺳﻂ ﺳﻮزن ﻛﻤﺘﺮﻳﻦ آﺳﻴﺐ ﺑﻪ ﺳـﻄﺢ ﺑﺮﺳـﺪ ﺗـﺎ ﺑﻴـﺸﺘﺮﻳﻦ
ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﻋﻤﻞ ﻛﻨﻨﺪه ﺑـﻴﻦ ﺳـﻮزن و ﺳـﻄﺢ ﺷـﺎﻣﻞ ﻧﻴﺮوﻫـﺎي ﺑﻠﻨـﺪ ﺑـﺮد و ﻛﻮﺗـﺎه ﺑـﺮد ﻣـﻲﺑﺎﺷـﻨﺪ .ﻧﻴﺮوﻫـﺎي
واﻧﺪرواﻟﺲ ،اﻟﻜﺘﺮواﺳﺘﺎﺗﻴﻚ ،ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺟﺰء ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﺑﻠﻨﺪ ﺑﺮد ﻫﺴﺘﻨﺪ .در اﻳﻦ ﻣﻴﺎن ﻧﻴﺮوي واﻧﺪرواﻟﺲ در ﺗﻤﺎم
21
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
آزﻣﺎﻳﺶﻫﺎ وﺟﻮد دارد .ﻧﻴﺮوي واﻧﺪرواﻟﺲ ﻋﺒﺎرت از ﺑﺮ ﻫـﻢ ﻛـﻨﺶ ﺟﺎذﺑـﻪ دو ﻗﻄﺒـﻲﻫـﺎي اﻟﻘـﺎﻳﻲ اﺳـﺖ و ﺑـﻪ
ﺻﻮرت r −6ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﻛﻮﺗﺎه ﺑﺮد ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ ،ﻛﺸﺴﺎﻧﻲ ﻧﻴﺮوي ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ )ﻧﺎﺷﻲ از ﻋﺪم
ﺷﻜﻞ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﺧﻮاص ﺳﻄﺢ )ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ ،اﻟﻜﺘﺮواﺳﺘﺎﺗﻴﻜﻲ ،ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ،
ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ( و ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺤﻴﻄﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﺧﻼ ،ﻫﻮا ،ﻣﺎﻳﻊ PH ،ﻣﺎﻳﻊ( و ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ ﺳﻮزن )ﺗﻴﺰي ،ﺷﻜﻞ،
ﺟﻨﺲ( و ﺗﻴﺮك )ﺷﻜﻞ ،ﺻﻠﺒﻴﺖ( ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﻣﻌﻤﻮﻻ ًﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ ﺳﻮزن و ﺗﻴﺮك در ﻛﺎﻟﻴﺒﺮاﺳـﻴﻮن اوﻟﻴـﻪ
دﺳﺘﮕﺎه AFMﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد .در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﺤﻠﻴﻞ و ﺑﺮرﺳـﻲ ﻧﻤـﻮدار ﻧﻴـﺮو ﺑـﺮ ﺣـﺴﺐ ﻓﺎﺻـﻠﻪ ﺳـﻮزن از ﺳـﻄﺢ،
ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻄﺢ و ﻣﺤﻴﻂ آﻧﺮا آﺷﻜﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﻣﻨﻈﻮر از ﺗﺤﻠﻴﻞ و ﺑﺮرﺳﻲ ﻧﻤﻮدار اﺑﺘـﺪا ﻣـﺸﺨﺺ ﻛـﺮدن ﻧﻘـﺎط
اﻛــﺴﺘﺮﻣﻢ ،ﭘــﺮش)ﻳﺎاﻓــﺖ ﻧﺎﮔﻬــﺎﻧﻲ( ،ﺷﻜــﺴﺘﮕﻲ و ﺗﻴــﺰي ،ﻧﻴــﺮوي ﺻــﻔﺮ ،ﺷــﻴﺐ ﻣﻨﺤﻨــﻲ در ﻧــﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠــﻒ،
ﻫﻴﺴﺘﺮزﻳﺲ )ﻣﻴﺰان ﺗﻔﺎوت ﻣﻨﺤﻨﻲ ﻧﺰدﻳﻚ ﺷﺪن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻣﻨﺤﻨﻲ دور ﺷﺪن( ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﺳﭙﺲ ﻫﺮ ﻛـﺪام از اﻳـﻦ
ﺑــﺮ ﺣــﺴﺐ ﻧﺎﺣﻴــﺔ ﻋﻤﻠﻜــﺮد ﺳــﻮزن ،ﻣــﺪﻫﺎي AFMﺑــﻪ ﺳــﻪ دﺳــﺘﺔ ﻛﻠــﻲ ﺗﻤﺎﺳــﻲ) 14ﺗﻘﺮﻳﺒـﺎً ﻧﺰدﻳﻜﺘــﺮ از 5
آﻧﮕﺴﺘﺮوم( ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ) 15ﺑﻴﻦ 4آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗـﺎ 30آﻧﮕـﺴﺘﺮوم( و ﻏﻴـﺮ ﺗﻤﺎﺳـﻲ) 16ﺑـﻴﻦ 30ﺗـﺎ 150آﻧﮕـﺴﺘﺮوم(
14
Contact Mode
15
Semicontact Mode
16
Noncontact Mode
22
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ و ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻫﺮ ﻛﺪام ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ارﺗﻌﺎش ﻳﺎ ﻋـﺪم ارﺗﻌـﺎش ﺗﻴـﺮك ﺑـﻪ دو دﺳـﺘﺔ A.Cو
D.C.ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ .در ﻧﺎﺣﻴﺔ ﻏﻴﺮ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻧﺎ ﭼﻴﺰ ﺑﻮدن ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﻧﻴـﺮو ﻣﻌﻤـﻮﻻً ﻓﻘـﻂ از ﻣـﺪ A.C
اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ .ﻻزم ﺑﻪ ذﻛﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺗﻨﻈﻴﻢ ﺑﻬﻴﻨﺔ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي AFMدر ﻫﺮ ﻣـﺪ ،اﺑﺘـﺪا در ﻳـﻚ ﻣﻜـﺎن
ﻧﻤﻮدار ﻧﻴﺮو ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﻪ از ﺳﻄﺢ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻣﻲ ﺷﻮد و ﺑﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ اﻳـﻦ ﻧﻤـﻮدار ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫـﺎ اﻧﺘﺨـﺎب ﻣـﻲ
ﺷﻮﻧﺪ .اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺴﻴﺎري از دﺳﺘﮕﺎﻫﻬﺎي AFMﺑﻄﻮر ﺧﻮدﻛﺎر اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲ ﻛﻨﻨﺪ .در اداﻣﻪ ﻫﺮ ﻛـﺪام از
اﻳﻦ دﺳﺘﻪ ﻫﺎ را ﺑﺎ ﺗﻔﺼﻴﻞ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲ ﻛﻨﻴﻢ و اﻧﻮاع آﻧﻬﺎ را ﺑﻪ اﺟﻤﺎل ﻣﻌﺮﻓﻲ ﻣﻲ ﻛﻨﻴﻢ.
ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ
ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ اي " ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺗﻤﺎس" ﻣﻲ ﮔﻮﻳﻨﺪ ﻛـﻪ ﻧﻴـﺮوي ﺑـﻴﻦ ﺳـﻮزن و ﺳـﻄﺢ داﻓﻌـﻪ ﺑﺎﺷـﺪ .در
ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ ﻣﺪﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻧﻴﺮوي وارد ﺷﺪه ﺑﻪ ﺳﻄﺢ در ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ ﺑﺰرﮔﺘـﺮ اﺳـﺖ .از ﻃﺮﻓـﻲ ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ ﺗﻤـﺎس
ﭘﻴﻮﺳﺘﺔ ﺳﻮزن ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﻧﻴﺮوﻫﺎي اﺻﻄﻜﺎك ﻗﺎﺑـﻞ ﺗـﻮﺟﻬﻲ )ﻋـﻼوه ﺑـﺮ ﻧﻴـﺮوي ﻋﻤـﻮدي( ﺑـﻪ
ﺳﻄﺢ و ﺳﻮزن وارد ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﻪ ﻣﻮﺟﺐ آﺳﻴﺐ دﻳﺪﮔﻲ ﺳﻄﻮح ﺣﺴﺎس و ﻛﻨﺪ ﺷﺪن ﺳﻮزن ﻣﻲﮔﺮدد.
23
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ ﺳﻄﻮح ﺣﺴﺎس و ﻧﺮم ﺑﺎ ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ اﻧﺪازه ﮔﻴـﺮي را ﻛـﺎﻫﺶ ﻣـﻲ
دﻫﺪ و ﺑﻌﻀﺎً ﺑﺎﻋﺚ ﺑﺮوز ﺧﻄﺎي ﺳﻴﺴﺘﻤﺎﺗﻴﻚ در ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻣﻲ ﺷﻮد .در ﻋﻴﻦ ﺣﺎل ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴـﻚ و دﻗـﺖ
اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺑﺎ AFMﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻄﻮح ﺳﺨﺖ ﺑﺎ ﺳﻮزﻧﻬﺎي ﻧﺎزك و ﻓﻮق ﺗﻴـﺰ و ﺳـﺨﺖ در ﻣـﺪ ﺗﻤﺎﺳـﻲ
ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ.
در اﻳﻦ ﻣﺪ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﻧﻴﺮوي ﺳﻮزن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ )ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ( ﺗﻮﺳﻂ ﻣـﺪار ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﺛﺎﺑـﺖ
ﻧﮕﻪ داﺷﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد .در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ،ﻣﺴﻴﺮ ﻃﻲ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﭘﻴـﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳـﻚ ﺑـﺎ ﻣـﺴﻴﺮ ﺳـﻮزن و ﺑـﺎ
ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳﻄﺢ ﻳﻜﺴﺎن ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ و ﻧﻤﻮدار ﺳﻄﺢ ﺑﺎ دﻗﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻﻳﻲ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣـﻲ ﺷـﻮد .در واﻗـﻊ در ﻫـﺮ ﮔـﺎم
روﺑﺶ ،آﻧﻘﺪر ﻣﺪار ﻛﻨﺘﺮﻟﻲ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﻪ ﭘﻴﺰو ﻓﺮﻣﺎن ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع ﻣﻲ دﻫﺪ ﺗﺎ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺳـﻮزن از ﺳـﻄﺢ ﻣـﻮرد ﻧﻈـﺮ
ﻳﻜﻲ از ﻣﺴﺎﺋﻞ ﻧﺎﻣﻄﻠﻮب اﻳﻦ روش ﻣﺪت زﻣﺎن زﻳﺎد روﺑﺶ ﻛﺎﻣﻞ ﺳﻄﺢ اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ در ﻫﺮ ﮔـﺎم روﺑـﺶ
ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺑﺎر ﺑﻪ ﭘﻴﺰوﻓﺮﻣﺎن ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع ﻣﻲ دﻫﺪ ﺗﺎ اﻳﻨﻜﻪ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳـﻄﺢ ﺑـﻪ ﺑـﺎزه ﻣـﻮرد ﻧﻈـﺮ
24
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﺮﺳﺪ.
از ﻃﺮﻓﻲ ﻫﺮ ﭼﻪ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﻋﺮﺿﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﻻزم ﺑﺎﺷﺪ ﮔﺎمﻫﺎي روﺑﺶ ﻛﻮﭼﻜﺘﺮي ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳـﺖ و
ﺑﻪ ﺗﻨﺎﺳﺐ ﺳﺮﻋﺖ روﺑﺶ ﻛﻤﺘﺮ ﻣﻲ ﺷﻮد .ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس ﻃﺮاﺣﻲ ﺑﻬﻴﻨﺔ ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ اﻫﻤﻴﺖ ﭘﻴﺪا ﻣـﻲﻛﻨـﺪ .ﺑـﺮاي
رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﺳﺮﻋﺖﻫﺎي ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒﻮل ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺎﻳﺪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺗﻜﺮار ﺣﺪود 10 KHzداﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ.
از ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ ﻣﺰﻳﺖﻫﺎي اﻳﻦ روش ﻳﻜﻲ دﻗﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻮﭘـﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳـﻄﻮح ﺳـﺨﺖ اﺳـﺖ .دﻳﮕـﺮ
اﻳﻨﻜﻪ ﺣﻴﻦ روﺑﺶ ﺳـﻄﺢ ،ﻋـﻼوه ﺑـﺮ ﻣـﺸﺨﺺ ﺷـﺪن ﺗﻮﭘـﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳـﻲ ،ﻛﻤﻴـﺎت دﻳﮕـﺮي از ﺳـﻄﺢ ،ﻣﺎﻧﻨـﺪ
اﺻﻄﻜﺎك ،ﺗﻮزﻳﻊ ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ و ، ....ﺑﻄﻮر ﻫﻤﺰﻣﺎن ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ .ﻳﻜﻲ از ﻣﺤـﺪودﻳﺘﻬﺎي اﻳـﻦ روش
در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻄﻮح ﻧﺮم اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺣﻴﻦ روﺑﺶ ﺗﻮﺳﻂ ﺳﻮزن ،ﺑﺪﻟﻴﻞ ﻟﺰوم ﺗﻤـﺎس آن ﺑـﺎ
ﺳﻄﺢ ،ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ و در ﻧﺘﻴﺠﻪ دﻗﺖ و ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻛﺎﻫﺶ ﭘﻴﺪا ﻣﻲ ﻛﻨﺪ.
در اﻳﻦ ﻣﺪ ارﺗﻔﺎع ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻤﻲﻛﻨـﺪ و ﺣﺮﻛـﺖ آن در ﻳـﻚ ﺳـﻄﺢ ﻛـﺎﻣﻼً
اﻓﻘﻲ ﺻﻮرت ﻣﻲ ﮔﻴﺮد .در ﻧﺘﻴﺠﻪ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﭘﻴﺰو از ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ،ﻧﻴﺮوﻳﻲ ﺑﻪ ﺳﻮزن وارد ﻣـﻲ
ﺷﻮد .ﺑﺎ ﺛﺒﺖ اﻧﺤﺮاﻓﺎت ﻟﺮزاﻧﻚ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻧﻤﻮدار ﻧﻴﺮوي وارد ﺑـﺮ ﺳـﻮزن ﺣـﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨـﺪ روﺑـﺶ
ﻣﻲ ﺷﻮد و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﺎﺑﻌﻴﺖ ﻧﻴﺮوي وارد ﺑﺮ ﺳﻮزن از ﻓﺎﺻﻠﺔ آن ﺗﺎ ﺳﻄﺢ ،اﺧـﺘﻼف ارﺗﻔـﺎع ﻧﻘـﺎط ﻣﺸﺨﺺ
ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ از ارﺗﻔﺎع ﭘﻴﺰو ﻣﻌﻠﻮم ﻣﻲ ﺷﻮد ،ﻛﻪ ﻫﻤﺎن ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ .ﺳﺮﻋﺖ روﺑﺶ ﺳـﻄﺤﻲ در
اﻳﻦ روش ﺑﺴﻴﺎر زﻳﺎد اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﻛﻨﺘﺮل ارﺗﻔﺎع وﺟﻮد ﻧﺪارد ﺗﺎ ﺳﻴﻜﻞ ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮﻋﺖ روﺑـﺶ را
ﻛﻨﺪ ﻛﻨﺪ )ﺗﻨﻬﺎ ﻋﺎﻣﻞ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﻨﻨﺪه ﺳﺮﻋﺖ روﺑﺶ ﺳﺮﻋﺖ ﻋﻜﺲ اﻟﻌﻤﻞ ﻟﺮزاﻧﻚ در ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﻬﺘﮕﻴـﺮي اﺳـﺖ ﻛـﻪ
ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﺟﺪي اﻳﻦ روش اﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻓﻘﻂ ﺳﻄﻮح ﻧﺴﺒﺘﺎً ﻫﻤﻮار را ﻣـﻲ ﺗﻮاﻧـﺪ ﺑﺮرﺳـﻲ ﻛﻨـﺪ .از ﻃﺮﻓـﻲ
25
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﺪﻟﻴﻞ ﻋﺪم ﻛﻨﺘﺮل ارﺗﻔﺎع ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺳﻮزن در ﻧﻘﺎﻃﻲ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻓﺸﺎر وارد ﻛﻨﺪ ﻛﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻧﺮم در اﻳﻦ
ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﻗﺒﻼً ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺑﻴﻦ ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺗﻤﺎﺳﻲ و ﻏﻴﺮ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﺑﻌﻼوة ﺑﺨﺶ ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺗﻤﺎﺳﻲ
)ﺣﺪود 4آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗﺎ 30آﻧﮕﺴﺘﺮوم( " ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ" ﮔﻮﻳﻨﺪ .از ﻣﺪ ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ در ادﺑﻴﺎت ﻓﻌﻠـﻲ ﻧـﺎﻧﻮ ﺑـﺎ
واژه ﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﻧﺎم ﺑﺮده ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛـﻪ ﻫﻤﮕـﻲ ﻳـﻚ ﻣﻌﻨـﻲ دارﻧـﺪ .اﻳـﻦ واژﮔـﺎن ﻋﺒﺎرﺗﻨـﺪ از Semicontact
Intermitent Contact Mode ،Modeو .Tapping Modeﺷﺎﻳﺎن ذﻛﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ،اﻧﺪﻛﻲ ﺑﺎ
ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻫﻤﭙﻮﺷﺎﻧﻲ دارد .ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﺣﺪاﻛﺜﺮ از ﻣـﺪﻫﺎي ﻣﺘﻨـﺎوب )(A.C.
ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﻧﺎﺣﻴﺔ ﻧﻮﺳﺎﻧﺎت ﺗﻴﺮك ﺑﻪ ﮔﻮﻧﻪاي اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻫﻢ ﻧﻔﻮذ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ و در ﻫـﺮ
دورة ﺗﻨﺎوب ﻳﻜﺒﺎر ﺳﻄﺢ را ﻟﻤﺲ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ )ﺗﺤﺖ ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد( .ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ ارﺗﻔـﺎع ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳـﻚ
ﺗﻴﺮك در ﺣﺎل ﻧﻮﺳﺎن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﺰدﻳﻚ ﻣﻲ ﺷﻮد .در اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ داﻣﻨـﻪ اش ﻛـﺎﻫﺶ ﻣـﻲ ﻳﺎﺑـﺪ و از روي اﻧـﺪازة
26
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﺧﺘﻼف ﻓﺎز ارﺗﻌﺎﺷﺎت ﺗﻴﺮك ﺑﺎ ﻣﻨﺒﻊ اﻟﻘﺎ ﻛﻨﻨﺪة ارﺗﻌﺎش واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﺸﺨـﺼﺎت ﻣﻜـﺎﻧﻴﻜﻲ ﺳـﻄﺢ ،از ﻗﺒﻴـﻞ
ﻣﺪول ﻳﺎﻧﮓ و ﺳﺨﺘﻲ اﺳﺖ .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺎ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي اﺧﺘﻼف ﻓﺎز ،ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻌﻠﻮم ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ .
ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺛﺎﺑﺖ ﺷﺪه اﺳﺖ ﻛﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺗﺸﺪﻳﺪ ﺗﻴﺮك در ﺣﺎل ارﺗﻌﺎش ﺑﺮ اﺛﺮ ﺣﺮﻛﺖ در ﮔﺮادﻳﺎن ﻧﻴﺮو ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣـﻲ
ﻛﻨﺪ .در ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺗﺸﺪﻳﺪ ،ﻣﺎ را از ﺟﺰﺋﻴﺎت ﻧﻤﻮدار ﻧﻴﺮو ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺳـﻮزن از
ﺑﺮ ﺧﻼف روش ﻏﻴﺮﺗﻤﺎﺳﻲ ﻛﻪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻧﻴﺮو ﺑﺪﻟﻴﻞ دوري از ﺳﻄﺢ ﻛﻮﭼﻚ اﺳﺖ و ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﻛﺎﻫﺶ دﻗـﺖ
اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻣﻲ ﺷﻮد ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻧﻴﺮو در روش ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ .دﻗﺖ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻣﺪﻫﺎي ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ
ﺑﺎ دﻗﻴﻘﺘﺮﻳﻦ روشﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ ﺑﺮاﺑﺮي ﻣﻲ ﻛﻨﺪ ،در ﻋﻴﻦ ﺣﺎل ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﺎﻫﻴﺖ اﻳﻦ روش ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﻋﺮﺿﻲ ،ﻛـﻪ
ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ آﺳﻴﺐ را ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ در ﻣﺪ ﺗﻤﺎﺳﻲ وارد ﻣﻲ ﻛﻨﺪ ،وﺟﻮد ﻧﺪارد .ﻫﻤﭽﻨـﻴﻦ ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ ﻣـﺪت زﻣـﺎن ﺑـﺴﻴﺎر
ﻛﻤﺘﺮي ﻛﻪ ﺳﻮزن در ﺗﻤﺎس ﻣﺆﺛﺮ ﺑﺎ ﺳﻄﺢ اﺳﺖ ) ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪ وارد ﻣﻲ ﻛﻨﺪ( ﻓﺸﺎر ﻣﺆﺛﺮ ﺳﻮزن در اﻳﻦ
روش از ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻛﻤﺘﺮ اﺳـﺖ .ﻫﻤﭽﻨـﻴﻦ ﺑـﺎ اﺳـﺘﻔﺎده از اﻟﻘﺎﮔﺮﻫـﺎي ﻏﻴﺮﻣﻜـﺎﻧﻴﻜﻲ ،ﻣﺎﻧﻨـﺪ اﻋﻤـﺎل ﻣﻴـﺪان
ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺘﻨﺎوب ﺑﻪ ﺗﻴﺮﻛﻲ ﻛﻪ ﻳﻚ ﻻﻳﺔ ﻓﺮو ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ در ﭘﺸﺖآن ﻻﻳﻪ ﻧﺸﺎﻧﻲ ﺷﺪه اﺳﺖ ،ﻧـﻮﻳﺰ ﺑـﺴﻴﺎر ﻛﻤﺘـﺮ
ﻣﻲ ﺷﻮد و در ﻧﺘﻴﺠﻪ "ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ" اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲ ﻳﺎﺑﺪ .در ﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺑـﺎ داﻣﻨـﻪﻫـﺎﻳﻲ ﻛـﻮﭼﻜﺘﺮ از ﻗﺒـﻞ ﻣـﻲ ﺗـﻮان
ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒﻮﻟﻲ ﺑﺪﺳﺖ آورد .اﺳﺘﻔﺎده از داﻣﻨﻪ ﻫﺎي ﻛﻤﺘﺮ ﺑﻪ ﻣﻌﻨﻲ ﻛﺎﻫﺶ ﻧﻴﺮوي ﻋﻤﻮدي ﺳـﻮزن ﺑـﻪ ﺳـﻄﺢ
اﺳﺖ .ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس اﻣﻜﺎن ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ ﺳﻄﻮح ﻧﺮم و ﺣﺴﺎس ﺑﺎ دﻗﺖﻫﺎي ﺑﺎﻻ ﻣﻴﺴﺮ ﻣﻲ ﺷﻮد در ﺣﺎﻟﻴﻜـﻪ اﻳـﻦ ﻣـﺴﺎﻟﻪ
اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ روش در ﻣﺤﻴﻂ ﻣﺎﻳﻊ ﻧﻴﺰ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ .ﭼﺮا ﻛﻪ اوﻻً ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﻣﻮﻳﻴﻦ ﺣـﺬف ﻣـﻲ ﺷـﻮﻧﺪ ﻛـﻪ
ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻀﻌﻴﻒ ﺷﺪﻳﺪ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ و ﺛﺎﻧﻴﺎً در ﻣﺤﻴﻂ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ PHو ﻏﻠﻈﺖ ﻳﻮﻧﻬـﺎ
27
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
و ...ﻣﻲ ﺗﻮاﻧﻴﻢ ﺷﺮاﻳﻄﻲ را اﻳﺠﺎد ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ ﻧﻴﺮوي ﺳﻮزن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﺑﻪ ﻛﻤﻴﻨﻪ ﻣﻘﺪار ﺧﻮد ﺑﺮﺳﺪ .ﻧﺘﻴﺠـﻪ اﻳـﻦ ﻣـﺴﺎﻟﻪ
ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﮔﻔﺘﻴﻢ ﺗﻐﻴﻴﺮ داﻣﻨﺔ ارﺗﻌﺎﺷﺎت ،ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ارﺗﻌﺎﺷﺎت آزاد ،واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺑﺰرﮔﻲ ﻧﻴـﺮوي ﻣـﺆﺛﺮ ﻋﻤـﻞ
ﻛﻨﻨﺪه ﺑﺮ ﻟﺮزاﻧﻚ )ﻣﻴﺎﻧﮕﻴﻦ زﻣﺎﻧﻲ ﻧﻴﺮو در ﻳﻚ ﮔﺎم روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ( ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ .و ﺑـﻪ ﺟـﻨﺲ ﺳـﻄﺢ در آن ﻧﻘﻄـﻪ
ﭼﻨﺪان واﺑﺴﺘﻪ ﻧﻴﺴﺖ از ﻃﺮﻓﻲ ﺑﺎ ﺗﻘﺮﻳﺐ ﺑﺴﻴﺎر ﺧﻮﺑﻲ ،ﺑﺰرﮔﻲ اﻳﻦ ﻧﻴﺮوي ﻣﺆﺛﺮ ﺑﺎ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﻣـﺆﺛﺮ ﻟﺮزاﻧـﻚ از ﺳـﻄﺢ
ﺗﻨﺎﻇﺮ ﻳﻚ ﺑﻪ ﻳﻚ دارد .در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪن اﻧﺪازة داﻣﻨﻪ در ﺧﻼل روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ دﻟﻴﻞ ﺑﺮ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪن ﻓﺎﺻـﻠﺔ
ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ از ﺳﻄﺢ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑـﺶ ﺳـﻄﺤﻲ اﺳـﺖ .در ﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺑـﺎ ﺛﺒـﺖ ﻣـﺴﻴﺮ ﻃـﻲ ﺷـﺪه ﺗﻮﺳـﻂ ﭘﻴـﺰو
اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ ﻣﺪار ﻛﻨﺘﺮﻟﻲ ،ﻣﻴﺘﻮان ﻫﻨﺪﺳﺔ ﺳﻄﺢ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد .ﻣﺰﻳﺖ اﻳﻦ روش ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲ ﺗﻬﻴﺔ ﻧﻘـﺸﻪﻫـﺎﻳﻲ ﺑـﺎ
ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﺑﺎﻻ از ﺳﻄﻮح ﻧﺮم و آﺳﻴﺐ ﭘﺬﻳﺮ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ .ﻧﻘﻄﻪ ﺿﻌﻒ اﻳﻦ روش ﻣﺪت زﻣﺎن ﻃـﻮﻻﻧﻲ روﺑـﺶ
ﻛﺎﻣﻞ ﺳﻄﺢ اﺳﺖ ،ﭼﺮا ﻛﻪ ارﺗﻔﺎع ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ ،ﭼﻨﺪﻳﻦ ﻣﺮﺗﺒﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻣﺪار ﻛﻨﺘﺮل ﻓﻴـﺪﺑﻚ
ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ )ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺛﺎﺑﺖ ﻧﮕﻪ داﺷﺘﻦ داﻣﻨﻪ ﻧﻮﺳﺎن( .ﻫﺮ ﭼﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع در ﮔﺎم ﺟﺪﻳﺪ ﺷﺪﻳﺪﺗﺮ ﺑﺎﺷﺪ )ﻣﺎﻧﻨﺪ
ﭘﻠﻪﻫﺎ( دﻓﻌﺎت ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲ ﻳﺎﺑﺪ درﻧﺘﻴﺠﻪ ﻫﺮ ﭼﻪ ﺗﻌـﺪاد ﭘـﺴﺘﻲ ﺑﻠﻨـﺪﻳﻬﺎي ﺳـﻄﺢ ﺑﻴـﺸﺘﺮ و ﺷـﻴﺐ آﻧﻬـﺎ
ﺷﺪﻳﺪﺗﺮ ﺑﺎﺷﺪ)ﻣﺎﻧﻨﺪ ﭘﻠﻪﻫﺎ( ﻣﺪت زﻣﺎن ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز ﺑﺮاي روﺑﺶ ﻛﺎﻣﻞ ﺳﻄﺢ ﺑﻪ ﻣﺮاﺗﺐ ﻃﻮﻻﻧﻲﺗﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد .اﻟﺒﺘﻪ
ﺑﺎ ﺻﺮف ﻧﻈﺮ ﻛﺮدن از ﭘﺎره اي از اﻃﻼﻋﺎت ﺳﻄﺤﻲ ﻣﻲﺗﻮان ،ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒـﻮﻟﻲ ،ﻧﻘـﺸﻪ ﭘـﺴﺘﻲ ﺑﻠﻨـﺪيﻫـﺎي
ﻣﻬﻢ و ﺑﺰرگ ﺳﻄﺢ را ﺑﺎ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﺑﺎﻻﻳﻲ ﻣﻌﻴﻦ ﻛﺮد .روش ﺑﻜﺎر رﻓﺘﻪ را ﻣﺪ » ﺧﻄﺎي ﺷـﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳـﻲ « ﻣـﻲ
در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ ،واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ ) ﻣﺜﻼً ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ و ﻣﺪول ﻳﺎﻧﮓ ﺳﻄﺢ( ﻧﻤﻮدار ﻧﻴـﺮو ﺑـﺮ ﺣـﺴﺐ
28
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻓﺎﺻﻠﻪ ﭘﻴﺰو از ﺳﻄﺢ ﻣﺘﻔﺎوت اﺳﺖ .در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ارﺗﻌﺎﺷﺎت ﭘﻴـﺰو ﻧـﺴﺒﺖ ﺑـﻪ ارﺗﻌﺎﺷـﺎت ﺗﻴـﺮك اﺧـﺘﻼف ﻓـﺎز
ﺧﻮاﻫﻨﺪ داﺷﺖ ﻛﻪ ﺑﺰرﮔﻲ آن ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ در آن ﻧﻘﻄﻪ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ از ﻧﻘﺸﺔ اﺧﺘﻼف ﻓـﺎز در ﻧﻘـﺎط
ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ﺑﻌﻨﻮان ﻋﺎﻣﻠﻲ ﺑﺮاي ﺗﻤﺎﻳﺰ ﺟﻨﺲ ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد.
ﺷﻜﻞ -17ﺗﻔﺎوت اﺧﺘﻼف ﻓﺎز ﭘﻴﺰو ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻟﺮزاﻧﻚ در ﻧﻘﺎط ﺑﺎ ﺟﻨﺲ ﻣﺘﻔﺎوت ﺳﻄﺢ
ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ از اﻳﻦ ﻧﻘﺸﻪ ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي و ﺑﻬﺒﻮد ﺳﺎﻳﺮ ﻧﻘﺸﻪ ﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ از ﻗﺒﻴـﻞ ﻧﻘـﺸﻪ ﻧﻴـﺮوي
ﻋﺮﺿﻲ و اﺻﻄﻜﺎك ،ﺗﻮزﻳﻊ ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ،و در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ اﻧﻮاع ﻣـﺪﻫﺎي ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣﺸﺨـﺼﺎت ﻣﻜـﺎﻧﻴﻜﻲ
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﮔﻔﺘﻴﻢ دﻗﺖ ﺑﺎﻻ ،ﻋﺪم ﻣﺤﺪودﻳﺖ در ﺑﺮرﺳﻲ اﻏﻠﺐ ﺳﻄﻮح در ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺤﻴﻄﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ،ﻋـﺪم
ﻧﻴﺎز ﺑﻪ آﻣﺎده ﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ در اﻏﻠﺐ ﻣﻮارد ،ﺳـﺮﻋﺖ ﺑـﺎﻻي اﻧـﺪازه ﮔﻴـﺮي ،ﺗﻬﻴـﺔ ﺗـﺼﺎوﻳﺮ ﺳـﻪ ﺑﻌـﺪي و ﺗﻮاﻧـﺎﻳﻲ
ﺑﺮرﺳﻲ اﻧﻮاع ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ ﻣﻮﺟﺐ ﺗﻮﺟﻪ وﻳﮋه و رو ﺑﻪ رﺷﺪ ﺑـﻪ AFMدر ﺣـﻮزه ﻫـﺎي ﻣﺨﺘﻠـﻒ ﺗﻜﻨﻮﻟـﻮژي
ﻛﺎرﺑﺮدي اﻋﻢ از اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ ،ﻫﻮا ﻓﻀﺎ ،ﺧﻮدروﺳﺎزي ،ﻋﻠـﻢ ﻣـﻮاد ،ﺑﻴﻮﻟـﻮژي ،ارﺗﺒﺎﻃـﺎت از راه دور ،اﻧـﺮژي ،
29
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﻄﻮر ﻛﻠﻲ دﻟﻴﻞ اﺳﺘﻔﺎده از AFMدر ﺣﻮزه ﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از:
ﻣﻨﻈﻮر ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژﻳﺴﺘﻬﺎ از در ﭘﻴﺶ ﮔﺮﻓﺘﻦ اﻳﻦ اﻫﺪاف آﮔـﺎﻫﻲ از اﺻـﻮل ﺑﻬﻴﻨـﻪ ﺳـﺎزي روﺷـﻬﺎي ﺳـﺎﺧﺖ و
ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي اﻳﻦ روﺷﻬﺎ ،اﻓﺰاﻳﺶ ﻛﺎرآﻳﻲ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ و زﻳﺎد ﺗﺮ ﺷﺪن ﻃﻮل ﻋﻤﺮ ادوات اﺳﺖ.
در اداﻣﻪ اﻳﻦ ﺑﺨﺶ ﻣﺜﺎﻟﻬﺎﻳﻲ از ﻛﺎرﺑﺮد AFMدر ﺣﻮزه ﻫﺎي ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي ذﻛﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﻴﻢ.
در اﺻﻄﻼح ﺑﻪ ﻋﻠﻢ ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ ﻓﺮآﻳﻨـﺪﻫﺎي اﺻـﻄﻜﺎﻛﻲ و ﺳـﻄﻮح ﺗﺤـﺖ اﺻـﻄﻜﺎك » ﺗﺮﻳﺒﻮﻟـﻮژي« 17ﮔﻔﺘـﻪ
ﻣﻲ ﺷﻮد ،اﻳﻦ ﻋﻠﻢ ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ ﻧﻴﺮوي اﺻﻄﻜﺎك ) ﻋﻠﻢ ﻓﻴﺰﻳﻚ( ،ﺧﻮردﮔﻲ ) ﻋﻠﻢ ﻣﻮاد( و رواﻧﺴﺎزﻫﺎ ) 18ﻋﻠﻢ
ﺷﻴﻤﻲ( ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ.
ﺟﺎﻟﺐ ﺗﻮﺟﻪ اﻳﻨﻜﻪ AFMدر ﻫﺮ ﺳﻪ اﻳﻦ ﺑﺨﺸﻬﺎ اﻳﻔﺎي ﻧﻘﺶ ﻣـﻲ ﻛﻨـﺪ وﻣﻄﺎﻟﻌـﻪ ﺳـﻄﺢ را ﺑـﺎ دﻗـﺖ ﻧـﺎﻧﻮﻣﺘﺮ
ﻣﻤﻜﻦ ﻣﻲ ﺳﺎزد .ﻧﺤﻮة اﺳﺘﻔﺎده از AFMدر ﺑﺨﺸﻬﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ اﻳﻦ ﻋﻠﻢ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از :ﺗﻮﻟﻴـﺪ ﻧﻴـﺮوي اﺻـﻄﻜﺎك و
ﺗﻬﻴﺔ ﻧﻘﺸﻪ اﺻﻄﻜﺎك در ﻧﻘـﺎط ﻣﺨﺘﻠـﻒ) ﺑﺮرﺳـﻲ اﺻـﻄﻜﺎك( ،ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣﻮرﻓﻮﻟـﻮژي و ﻧﻘـﺸﻪ ﻫﻨﺪﺳـﻪ وﺧـﻮاص
ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺤﻲ )ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮردﮔﻲ( ،و ﺑﺮرﺳﻲ ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ و ﻟﺰﺟﺖ ﻻﻳﻪ ﻫﺎي روان ﻛﻨﻨﺪه ﻣﻮﺟـﻮد در ﺳـﻄﺢ )
17
Tribology
18
Lubricant's
30
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﻨﺤﺼﺮ ﺑﻪ ﻓﺮد AFMﻛﻪ در ﺑﺎﻻ ذﻛﺮ ﺷﺪ ﻣﻮﺟﺐ اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ روش ،ﺑﺮاي ﭘﻴﺸﺒﺮد ﻣﻘﺎﺻﺪ
ﻣﺨﺘﻠﻒ در ﻣﺘﺎﻟﻮرژي و ﺧﻮردﮔﻲ ﺷﺪه اﺳﺖ .ﺑﺮرﺳﻲ آﻟﻴﺎژﻫﺎ ،ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﻓﺎز ﺑﻠﻮري ﻣـﻮاد ،روﻛـﺸﻬﺎي ﻣﺤـﺎﻓﻆ
ﻓﻠﺰي ،ﺳﻄﻮح ﺗﺤـﺖ ﺷـﺮاﻳﻂ ﻣﺤﻴﻄـﻲ ﺳـﺨﺖ ) ﺣـﺮارت ﺑـﺎﻻ ،ﻣـﻮاد ﺷـﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺧﻮرﻧـﺪه ،اﺻـﻄﻜﺎك زﻳـﺎد( و
ﻏﺸﺎﻫﺎ و ﻓﻴﻠﺘﺮﻫﺎ
»ﻏﺸﺎ« ﺑﻪ ﻻﻳﻪ ﻫﺎي ﻧﺎزﻛﻲ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ ﻛﻪ ﻣﺨﻠﻮﻃﻲ از ﻣﻮاد را ،ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ ﻋﺒﻮردﻫﻲ اﻧﺘﺨﺎﺑﻲ ﻳﻜﻲ از آﻧﻬﺎ،
از ﻫﻢ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ .ﻋﻮاﻣﻞ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﺘﻔﺎوت اﺳﺖ .ﻣﺜﻼً ﺗﻔﺎوت اﻧﺪازه در ﺟﺪا ﺳـﺎزي ذرات ﺟﺎﻣـﺪ ﻣﻌﻠـﻖ
در ﺳﻴﺎل ،ﺗﻔﺎوت ﺣـﻞ ﺷـﺪن در ﻏـﺸﺎ در ﺟﺪاﺳـﺎزي ﮔـﺎز اﻛـﺴﻴﮋن از ﻧﻴﺘـﺮوژن ،ﺗﻔـﺎوت ﺑـﺎر اﻟﻜﺘﺮﻳﻜـﻲ در
ﺟﺪاﺳﺎزي وﻳﺮوﺳﻬﺎ و ﺑﺎﻛﺘﺮﻳﻬﺎ از آب ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎﻳﻲ از اﻳﻦ ﻋﻮاﻣﻞ ﻫﺴﺘﻨﺪ .ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ AFMﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﺘﺨﻠﺨﻞ ،ﻋﻤـﻖ
ﺳﻮراخﻫﺎ و ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ ﻏﺸﺎﻫﺎ و ﻓﻴﻠﺘﺮﻫﺎي ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷـﺪه ﻳـﺎ در ﺣـﺎل اﺳـﺘﻔﺎده را در اﺑﻌـﺎد ﻧـﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻣـﻲﺗـﻮان
ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮد .ﻧﻬﺎﻳﺘﺎً ﻧﺘﺎﻳﺞ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه در ﺗﻨﻈﻴﻢ ﺑﻬﻴﻨﺔ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺳﺎﺧﺖ ﻏﺸﺎ و ﻓﻬﻢ ﻧﺤـﻮة ﻋﻤﻠﻜـﺮد و ﺗﺤـﻮل
ﻏﺸﺎ ) ﺑﺮاي ﺳﺎﺧﺖ ﻏﺸﺎﻫﺎي ﻛﺎرآﻣﺪﺗﺮ ﻣﺒﺘﻨﻲ ﺑﺮ ﻣﻜﺎﻧﻴﺰمﻫﺎي درك ﺷﺪه( و اﻓﺰاﻳﺶ ﻃﻮل ﻋﻤﺮ آن ﺑﻜﺎر ﮔﺮﻓﺘـﻪ
ﻣﻲ ﺷﻮد ) ﭼﺮا ﻛﻪ ﺑﺎ ﮔﺬﺷﺖ زﻣﺎن ﻣﻮاد ﺑﺮ ﺟﺎي ﻣﺎﻧـﺪه در ﺳـﻮراخﻫـﺎي ﻏـﺸﺎء ﺑﺎﻋـﺚ از ﺑـﻴﻦ رﻓـﺘﻦ ﺧﺎﺻـﻴﺖ
ﺟﺪاﻛﻨﻨﺪﮔﻲ آن ﻣﻲﺷﻮد(.
ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﺑﻌﺎد ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮي واﺣﺪﻫﺎي ﺣﺎﻓﻈﻪ AFMوﺳﻴﻠﻪاي اﻳﺪهآل ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﺔ ﻧﻘﺸﻪ ﺳﻪ ﺑﻌﺪي از ﺳﺎﺧﺘﺎر و
ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳﻄﺤﻲ واﺣﺪﻫﺎي ﺣﺎﻓﻈﻪ ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲ ﺷﻮد .ﭼﺮا ﻛﻪ ﺗﻬﻴﺔ ﺗﺼﺎوﻳﺮي ﺑﺎ اﻳﻦ دﻗﺖ ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ روشﻫـﺎي
31
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
دﻳﮕﺮ ﺑﻪ ﺳﺎدﮔﻲ ﻣﻤﻜﻦ ﻧﻴﺴﺖ .ﻃﻮل ،ﻋﺮض ،ارﺗﻔﺎع ،ﺷﻴﺐ و ﻫﻤﮕﻨﻲ ﻫﺮ ﻛﺪام از واﺣـﺪﻫﺎي ﺣﺎﻓﻈـﻪ ﺑـﺎ دﻗـﺖ
ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲ ﺷﻮد و ﻧﻘﺼﻬﺎي ﺳﺎﺧﺘﺎري آﺷﻜﺎر ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ .ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس ﻣﻲ ﺗﻮان از ﻣﻴﺰان ﻣﻄﻠﻮﺑﻴﺖ روش-
ﻫﺎي ﺳﺎﺧﺖ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻧﺤﻮة ﺗﺤﻮل ﺳﻠﻮﻟﻬﺎي ﺣﺎﻓﻈﻪ ﺑﻪ ﻣﺮور زﻣﺎن ﺑﺮ اﺛﺮ ﺗﻤـﺎس ﺑـﺎ ﻫـﺪ آﮔـﺎه ﺷـﺪ .در ﻧﻬﺎﻳـﺖ
اﻣﻜﺎن ﺑﻬﻴﻨﻪ ﺳﺎزي ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﭘﻮﻟﻴﺶ ﺳﻄﺤﻲ و ﻧﺤﻮة اﺳﺘﻔﺎده ﺑﻬﻴﻨﻪ از رواﻧﺴﺎزﻫﺎ ،در ﻓﺮآﻳﻨـﺪ ﺗﻤـﺎس ﻫـﺪ ﺑـﺎ واﺣـﺪ
در ﺟﺪاول ﺻﻔﺤﻪ ﺑﻌﺪ روش AFMﺑﺎ ﺳﺎﻳﺮ روﺷﻬﺎي ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻄﻮح ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﮔﺮدﻳﺪه اﺳﺖ
32
ﻧﻮع دﺳﺘﮕﺎه
SEM TEM STM AFM
ﻣﻮرد ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ
آﻧﮕﺴﺘﺮوم )در ﻧﻮع ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﺑﺎﻻ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ) ﺑﺮرﺳﻲ ﭼﻴﺪﻣﺎن اﺗﻤﻲ ﺳﻄﻮح ﺑﻮﺳـﻴﻠﺔ ﺳـﻮزﻧﻬﺎي ﻓـﻮق
ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ دﻗﺖ
(HRTEM ﺗﻴﺰ و ﺑﺴﻴﺎر ﺳﺨﺖ(
ﻧﻴــﺎز ﺑــﻪ ﭼﻨــﺪﻳﻦ ﻫﻔﺘــﻪ زﻣــﺎن ﺑــﺮاي -در ﺣﺎﻟﺖ ﻋﺎدي ﻧﻤﻮﻧﻪ آﻣﺎده ﺳﺎزي ﻧﻤﻲ ﺧﻮاﻫﺪ
-ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺳﺎﻋﺖ ﺑﺮاي رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﺧـﻼء ﺑـﺎﻻ ﻧﺎزﻛﺴﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ دارد. ﺳﺮﻋﺖ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و
-ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ ﭘﻮدرﻫﺎ و ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎي ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ ﺑﺎﻳﺪ ﻓﺮآﻳﻨـﺪ ﺗﺜﺒﻴـﺖ
-ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺳﺎﻋﺖ ﺑﺮاي رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﺧﻼء ﺑﺎﻻ ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ.
ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ -ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﺧﻼء ﺑﺴﻴﺎر ﺑـﺎﻻ ،ﺣـﺪاﻗﻞ زﻣـﺎن اﻳﻦ ﻣﻮاد ﺑﻪ زﻳﺮ ﻻﻳﻪ ﺻﻮرت ﮔﻴﺮد. آﻣﺎده ﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ
-ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ زﻳﺎد ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻪ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺳـﻮزن از ﺳـﻄﺢ ] ﺑﻴـﺸﺘﺮ از %90 اﻣﻜﺎن ﺑﺮرﺳﻲ ذرات وﻣـﻮادي ﻛـﻪ در ﺧـﻼء ﺗـﺼﻌﻴﺪ ﻣـﻲ ﺷـﻮﻧﺪ ﻳـﺎ
-ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻪ ﺑﻌﺪي ﺳﻮراخﻫﺎي ﻋﻤﻴﻖ ﺳـﻄﺢ
ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﮔﺬرﻧﺪه از ﺳﻮزن )ﺳﻴﮕﻨﺎل( از ﺗﻚ ﻣﻠﻜﻮل ﻧﻮك ذرات ﻣﻌﻠﻖ درﻣﺎﻳﻊ(
ﻫﻢ ﻗﺎﺑﻞ ﺑﺮرﺳﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ. ﺗﻮاﻧﻤﻨـــــﺪي و
ﺳﻮزن و ﻧﺰدﻳﻜﺘﺮﻳﻦ ﻧﻘﻄﺔ ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﮔـﺬرد ﻛـﻪ ﺑﺎﻋـﺚ ﻧـﺎﭼﻴﺰ ﺑـﻮدن
-ﺑﺮرﺳــﻲ ﺟــﻨﺲ ﻧﻘــﺎط ﻣﺨﺘﻠــﻒ ﺳــﻄﺢ و -ﺗﺼﺎوﻳﺮ را ﺑﺼﻮرت ﺳﻪ ﺑﻌﺪي ﺗﻬﻴﻪ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ ﻣﺰﻳﺖ
ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻘﻴﺔ ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ و ﻛﻢ ﺷﺪن ﺗﺪاﺧﻞ اﻃﻼﻋـﺎت ﻧﺎﺷـﻲ از ﺑﻘﻴـﺔ
ﺗﻮزﻳﻊ ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ. -ﺑﺮرﺳﻲ ﺟـﻨﺲ ﻧﻘـﺎط ﻣﺨﺘﻠـﻒ ﺳـﻄﺢ و ﺗﻮزﻳـﻊ ﺧـﻮاص ﺳـﻄﺤﻲ
ﻧﻘﺎط ﻣﻲ ﺷﻮد .اﻳﻦ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﺑﻪ اﻓﺰاﻳﺶ دﻗـﺖ ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺳـﻮزن از
ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ.
ﺳﻄﺢ ﻣﻲ اﻧﺠﺎﻣﺪ[.
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
35
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﻘﺪﻣﻪ
ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ روﺑﺸﻲ ﺗﻮﻧﻠﻲ) 19(STMدﺳﺘﮕﺎﻫﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﺑﺮﺧﻲ از ﺧﻮاص
ﺳﻄﻮح ﻣﻮاد رﺳﺎﻧﺎ ،ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ ﻛﻪ ﺗﺎ ﺣﺪي رﺳﺎﻧﺎ ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺎزك ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ ﻛﻪ روي زﻳﺮﻻﻳﻪ
رﺳﺎﻧﺎ ﻻﻳﻪﻧﺸﺎﻧﻲ ﺷﺪهاﻧﺪ ،در ﺣﺪ اﺑﻌﺎد زﻳﺮ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ،ﺑﻜﺎر ﻣﻲرود.
ﻣﺒﻨﺎي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻫﻨﺪﺳﻪ و ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ در اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﺑﺮ اﻳﻦ واﻗﻌﻴﺖ اﺳﺘﻮار اﺳﺖ ﻛﻪ ﻫﺮﮔﺎه ﻓﺎﺻﻠﺔ
ﻳﻚ ﺳﻮزن ﺗﻴﺰ رﺳﺎﻧﺎ از ﻳﻚ ﺳﻄﺢ رﺳﺎﻧﺎ ﺣﺪود ﭼﻨﺪ آﻧﮕﺴﺘﺮوم 20ﺑﺎﺷﺪ ) ﻣﺘﺼﻞ ﻧﺸﻮﻧﺪ( و اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژي ﺑﻪ
ﺑﺰرﮔﻲ ﺣﺪود ﭼﻨﺪ ده ﻣﻴﻠﻲ وﻟﺖ ﺑﻪ آن اﻋﻤﺎل ﺷﻮد ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺣﺪود ﭼﻨﺪ ﻧﺎﻧﻮآﻣﭙﺮ ﺑﻴﻦ ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ
ﺑﺮﻗﺮار ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﻪ اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه در اﺻﻄﻼح »ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻞ زﻧﻲ« 21ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد .اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ﺗﻨﻬﺎ در ﺳﺎﻳﺔ ﻣﻜﺎﻧﻴﻚ
ﻛﻮاﻧﺘﻤﻲ روي ﻣﻲدﻫﺪ ﭼﺮا ﻛﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ در اﻧﺘﻘﺎل از ﺳﻮزن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ و ﺑﺮﻋﻜﺲ از ﻧﺎﺣﻴﻪاي ﻣﻲﮔﺬرﻧﺪ ﻛﻪ
اﻧﺮژي ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮون از اﻧﺮژي ﻛﻞ آن ﺑﺰرﮔﺘﺮ اﺳﺖ )ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺑﻴﻦ ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ( .ﻣﻘﺪار ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ
ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ ،ﺷﻜﻞ و ﺟﻨﺲ ﺳﻮزن ،ﻫﻨﺪﺳﻪ و ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ ،و اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ﺳﻮزن وﺳﻄﺢ
ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .در دﺳﺘﮕﺎه STMاﻳﻦ ﺳﻮزن ﺗﻴﺰ رﺳﺎﻧﺎ ﺑﻪ ﺑﺎزوﻫﺎي ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻣﺘﺼﻞ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ آﻧﻬﺎ ﺳﻮزن ﺑﻪ
ﻫﺮ ﻧﻘﻄﺔ دﻟﺨﻮاه از ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻓﺎﺻﻠﺔ دﻟﺨﻮاه از آن ﻧﻘﻄﻪ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﺷﻮد و اﻣﻜﺎن ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮاص آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ
ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﺷﻮد .در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاص ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ از STMﺑﻪ دو ﺻﻮرت ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ و ﻏﻴﺮﻣﺴﺘﻘﻴﻢ اﺳﺘﻔﺎده
ﻣﻲﺷﻮد .در واﻗﻊ در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاﺻﻲ ﻛﻪ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﺎً از روي ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ
و اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه اﺳﺘﻨﺘﺎج ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ از STMﺑﺼﻮرت ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ .ﺧﻮاﺻﻲ از ﺳﻄﺢ
19
-Scanning Tunneling Microscopy
21
- Tunneling Current
36
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﻪ ﺑﻄﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺗﻮﺳﻂ STMﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ ،ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ
ﺳﻄﺢ ،ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ،ﺗﺮازﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ،ﺣﻮزهﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ
ﺳﻄﻮح و ﻣﻐﻨﺎﻃﺶ آﻧﻬﺎ.
در دﺳﺘﺔ دﻳﮕﺮي از روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ ،از ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺮاي ﺗﺤﺮﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي ﻳﻚ
ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻄﻮر ﻣﻮﻗﺖ ﺑﺮﺧﻲ از ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ
ﻛﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد اﻳﻦ ﺳﻄﻮح ﺗﻮﺳﻂ روش ﻫﺎي دﻳﮕﺮ اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ) ﻣﺎﻧﻨﺪ اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ راﻣﺎن،
ﻟﻮﻣﻴﻨﺴﺎﻧﺲ( ﻗﺎﺑﻞ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺷﻮﻧﺪ .ﺑﻌﻨﻮان ﻣﺜﺎل آﺷﻜﺎر ﺳﺎزي اﻧﺮژي ﻓﻮﺗﻮنﻫﺎي ﻟﻮﻣﻴﻨﺴﺎﻧﺲ )ﻓﻮﺗﻮﻧﻬﺎﻳﻲ ﻛﻪ در
ﺑﺎزﮔﺸﺖ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي ﺗﺤﺮﻳﻚ ﺷﺪه ﺑﺮ اﺛﺮ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﻪ ﺗﺮازﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻨﺘﺮ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ( ﺑﻌﻨﻮان اﺛﺮ اﻧﮕﺸﺖ
ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮد .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻮﺿﻌﻲ ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﻚ ﻣﻴﻠﻴﻮن
ﺑﺮاﺑﺮي ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ راﻣﺎن ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﺎ اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ راﻣﺎن آﺷﻜﺎرﺳﺎزي ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ
ﻣﻤﻜﻦ ﻣﻲﺷﻮد .در ﺑﺨﺶﻫﺎي ﺑﻌﺪي ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ و ﻏﻴﺮﻣﺴﺘﻘﻴﻢ STMدر ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ و ﺗﻌﻴﻴﻦ
ﺧﻮاص ﺳﻄﻮح ﺑﺎ ﺗﻔﺼﻴﻞ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﻴﺎن ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ.
ﺷﻜﻞ روﺑﺮور ﺑﻄﻮر ﻧﻤﺎدﻳﻦ اﺟﺰاي اﺻﻠﻲ دﺳﺘﮕﺎه STMرا ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ.
37
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﺻﻮل ﻛﻠﻲ ﻛﺎر STMﺑﺪﻳﻦ ﺻﻮرت اﺳﺖ ﻛﻪ ﻳﻚ ﺳﻮزن 22ﺑﺴﻴﺎر ﻇﺮﻳﻒ و ﻧﻮك ﺗﻴﺰ رﺳﺎﻧﺎ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺑﺎزوي
ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ .ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻣﻜﺎن ﺳﻮزن ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل
∧ ∧ ∧
اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﻪ ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ) 23ﻫﺎ( در راﺳﺘﺎﻫﺎي z, y, xﺳﻮزن را ﺑﻪ ﻫﺮ ﻧﻘﻄﺔ دﻟﺨﻮاه از ﻓﻀﺎي
ﺳﻪ ﺑﻌﺪي ،ﺑﺎ دﻗﺖ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ،ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻛﺮد .ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﺔ ﻧﻘﺸﻪ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻳﻚ ﻧﺎﺣﻴﻪ از ﺳﻄﺢ ﺳﻮزن ﺑﻪ
ﺑﺎﻻي ﺗﻚ ﺗﻚ ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﺷﻮد )ﺑﻪ اﻳﻦﻛﺎر در اﺻﻄﻼح »روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ« 24ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد( .در
اﻳﻦﺣﺎﻟﺖ در ﻳﻚ ارﺗﻔﺎع ﻣﻌﻴﻦ اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ﺧﺎﺻﻲ ﺑﻴﻦ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﺳﻮزن رﺳﺎﻧﺎ اﻋﻤﺎل ﻣﻲﺷﻮد و ﺟﺮﻳﺎن
اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺗﻮﻧﻠﻲ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﻲﺷﻮد .واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﺪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده STMاﻳﻨﻜﺎر ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ در ارﺗﻔﺎعﻫﺎي
ﻣﺘﻌﺪد و ﺑﺎ اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﺘﻌﺪد ﺗﻜﺮار ﺷﻮد .ﺑﺮاي ﺗﻨﻈﻴﻢ ارﺗﻔﺎع از ﻳﻚ ﻣﺪار ﻓﻴﺰﻳﻚ ﻛﻨﺘﺮﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ
اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد و در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ ﻓﺮﻣﺎن ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع ﺗﻮﺳﻂ اﻳﻦ ﻣﺪار ﺑﻪ دﻓﻌﺎت ﺻﺎدر ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ
ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﻗﺒﻼً ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ .اﻧﺪازة اﻳﻦ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ ،ﻫﻨﺪﺳﺔ ﺳﻄﺢ ،ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ و
اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺮرﺳﻲ اﻧﺪازة ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺎ ﺑﻪ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﺳﻄﺢ و ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از
22
- Tip
- 23ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻬﺎ ﻧﻮﻋﻲ ﺳﺮاﻣﻴﻚ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﻪ دو ﺳﺮ آﻧﻬﺎ ﻃﻮﻟﺸﺎن از ﻣﺮﺗﺒﺔ ﻳﻚ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ .از اﻳﻦ ﻣﻮاد
ﺑﺮاي ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻴﻬﺎي ﺑﺴﻴﺎر دﻗﻴﻖ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد.
24
- Scanning
38
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
در ﺑﺨﺶ ﺑﻌﺪي ﺟﺰﺋﻴﺎت ﻋﻤﻠﻜﺮد STMدر ﻣﺪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ و ﻣﻨﻄﻖ ﻛﺴﺐ اﻃﻼﻋﺎت از ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻄﺢ
در دﻣﺎﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ و در وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ارﺗﺒﺎط ﺑﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ و ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻮزن و ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺑﻴﻦ آﻧﻬﺎ
ﺑﺼﻮرت ) IT=F(V)× exp(-2kzﻣﻲﺑﺎﺷﺪﻛﻪ zارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ k ،ﺛﺎﺑﺖ ﻧﻤﺎﻳﻲ ﺗﺎﺑﻌﻲ از »ﺗﺎﺑﻊ
ﻛﺎر« 25ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ و Fﺗﺎﺑﻌﻲ از ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي ﺳﻄﺢ اﺳﺖ.
ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس ﺑﺎ ﺛﺎﺑﺖ ﻗﺮار دادن ﺑﺮﺧﻲ از اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ اﻣﻜﺎن ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻘﺪار ﻳﺎ ﻧﺤﻮة ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي
دﻳﮕﺮ ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل در وﻟﺘﺎژ ﺛﺎﺑﺖ ﺑﺎ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ در ارﺗﻔﺎعﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ kﺗﻌﻴﻴﻦ
ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﻌﻨﻮان ﻣﺜﺎل دﻳﮕﺮ ﺣﺎﻟﺘﻲ را در ﻧﻈﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻳﻢ ﻛﻪ ﺟﻨﺲ و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ در ﻧﻘﺎط
ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻳﻜﺴﺎن (LDOS)26اﺳﺖ.ﻳﻌﻨﻲ kو ﺗﺎﺑﻊ Fدر ﺗﻤﺎم ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ ﻳﻜﻲ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد .در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﺛﺎﺑﺖ
ﻣﺎﻧﺪن ﺟﺮﻳﺎن ،ﺛﺎﺑﺖ ﺑﻮدن ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ را ﺗﻀﻤﻴﻦ ﻣﻲﻛﻨﺪ و در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻌﻠﻮم
ﻣﻲﺷﻮد.
ﻣﺜﺎل دﻳﮕﺮ ﺣﺎﻟﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ درﺻﺪد ﻛﺴﺐ اﻃﻼع از ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي ﻳﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ
در ﻳﻚ ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ ﺑﺎﺷﻴﻢ .در ﺣﺎﻟﺖ اﺧﻴﺮ ﺑﺎ ﺛﺎﺑﺖ ﻛﺮدن ﻣﻜﺎن ﺳﻮزن ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ و ﺑﺮرﺳﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات
ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ از ﺗﺎﺑﻊ Fآﮔﺎه ﻣﻲﺷﻮﻳﻢ .ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ Fﺧﻮد ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي و
LDOSاﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ اﺳﺖ ،آﮔﺎﻫﻲ از Fﻣﻌﺎدل آﺷﻜﺎرﺳﺎزي ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي و LDOSاﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎﺳﺖ.
در اداﻣﻪ ﺟﺰﺋﻴﺎت ﻋﻤﻠﻜﺮد STMدر ﻣﺪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ و ﻣﻨﻄﻖ ﻛﺴﺐ اﻃﻼﻋﺎت از ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻄﺢ در ﻣﺪ
25
- Work Function
26
- Local Density Of States
39
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
در ﺻﻮرﺗﻲﻛﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ ]و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ[ در ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺎﺷﺪ اﻳﻦ
روش ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﻣﻄﻤﺌﻨﻲ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻮاد ،ﺑﺎ دﻗﺖ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ،ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮد .در اﻳﻦ
روش در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ ﺑﻪ اﻧﺪازهاي ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار
ﻣﻌﻴﻦ ﺑﺮﺳﺪ .از ﻃﺮﻓﻲ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻓﺮض ﻳﻜﺴﺎن ﺑﻮدن ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ )و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎ( در ﻧﻘﺎط
ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﺪار ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺗﻨﻬﺎ ﺗﺎﺑﻌﻲ از ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺗﺤﺖ اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ،
ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ ،ﺛﺎﺑﺖ ﺑﻮدن ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﻪ ﻣﻌﻨﻲ ﺛﺎﺑﺖ ﺑﻮدن ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .در
ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺑﺎ ﺛﺒﺖ ﻣﺴﻴﺮ ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ از ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻄﻠﻊ ﻣﻲﺷﻮﻳﻢ.
در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ درﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ﻳﻜﺴﺎن ﻧﺒﺎﺷﺪ ﻳﺎ از
ﻳﻜﺴﺎن ﺑﻮدن آﻧﻬﺎ اﻃﻤﻴﻨﺎن ﻧﺪاﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ ،روش اﺧﻴﺮ ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻣﻄﻤﺌﻨﻲ را ﺑﺪﺳﺖ ﻧﺨﻮاﻫﺪ داد .در زﻳﺮ ﺗﺼﺎوﻳﺮ
ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺗﻮﺳﻂ STMاز ﺳﺎﺧﺘﺎر اﺗﻤﻲ ﻳﻚ ﻧﺎﻧﻮﺗﻴﻮب و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺳﻄﺢ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن را ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲ ﻛﻨﻴﺪ.
ﺷﻜﻞ ( 4ﺳﺎﺧﺘﺎر اﺗﻤﻲ ﺳﻄﺢ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺗﻮﺳﻂ . STM ﺷﻜﻞ ( 3ﺳﺎﺧﺘﺎر اﺗﻤﻲ ﻳﻚ ﻧﺎﻧﻮﺗﻴﻮب ﺗﻚ ﺟﺪاره ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺗﻮﺳﻂ STM
40
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﻳﻦ ﻣﺪ روش ﺳﺮﻳﻌﻲ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .در اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ﺛﺎﺑﺖ ارﺗﺒﺎط
ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ ﻣﻄﺎﺑﻖ راﺑﻄﻪ ) IT ~ exp (-2kzﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ zﻧﺸﺎﻧﮕﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ
ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ و 27kﺛﺎﺑﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ و ﺟﻨﺲ و ﺷﻜﻞ ﺳﻮزن ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد .در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺑﺎ آﮔﺎﻫﻲ
از اﻧﺪازة ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﻋﻠﻲاﻻﺻﻮل ﻣﻲﺗﻮاﻧﻴﻢ از ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ آﮔﺎه ﺷﻮﻳﻢ.
ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻄﺎﻟﺐ ﺑﺎﻻ اﮔﺮ ارﺗﻔﺎع ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ اﻓﻖ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺛﺎﺑﺖ ﺑﺎﺷﺪ در ﻧﻘﺎط
ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ﺗﻮﻧﻠﻲ ﻣﻘﺪار ﻣﺘﻔﺎوﺗﻲ ﺧﻮاﻫﺪ داﺷﺖ .در ﻧﺘﻴﺠﻪ از روي راﺑﻄﺔ ﺑﺎﻻ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ در
ﻧﻘﺎط ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻣﻌﻨﻲ ﻣﻌﻠﻮم ﺷﺪن ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻪ ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .
ﻣﺰﻳﺖ ﻣﺪ»ارﺗﻔﺎع ﺛﺎﺑﺖ« ﺑﻪ ﻣﺪ» ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ« ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻي ﻓﺮآﻳﻨﺪ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ ﺑﺮﺧﻼف
ﻣﺪ»ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ« ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻧﻘﺸﻲ در ﻛﻨﺘﺮل ارﺗﻔﺎع اﻳﻔﺎ ﻧﻤﻲﻛﻨﺪ ودر ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﺄﺧﻴﺮ زﻣﺎﻧﻲ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺳﻴﻜﻠﻬﺎي
ﻣﺘﻌﺪد ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ وﺟﻮد ﻧﺨﻮاﻫﺪ داﺷﺖ .ﻣﺤﺪودﻳﺖ اﻳﻦ ﻣﺪ ﻟﺰوم ﻫﻤﻮاري ﺑﺎﻻي ﺳﻄﺢ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ و
اﻃﻤﻴﻨﺎن از اﻳﻦ ﻣﺴﺄﻟﻪ اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪن ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻣﻨﺎﺳﺐ .ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ،ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ
ﺑﺎﻳﺪ در ﻣﺤﺪودة ﭼﻨﺪ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺑﺎﻗﻲ ﺑﻤﺎﻧﺪ .از ﻃﺮﻓﻲ در ﺻﻮرت ﻧﺎﻫﻤﻮاري زﻳﺎد ﺳﻄﺢ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ
≈ ﻛﻪ meﺟﺮم اﻟﻜﺘﺮوم Ut ،ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻮزن و Usﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ. 2me (us + ut ) / h k (1
41
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ در ﺑﺨﺶ ﻗﺒﻞ ﮔﻔﺘﻴﻢ در اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ﺛﺎﺑﺖ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺑﻄﻮر ﻧﻤﺎﻳﻲ اﻓﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ.
)) (IT ~ exp(-2kzﻛﻪ ارﺗﺒﺎط ﺛﺎﺑﺖ اﻓﺖ kﺑﺎ ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ وﺳﻮزن ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﺑﺼﻮرت:
ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ Us , Utﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ و meو hﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺟﺮم اﻟﻜﺘﺮون و ﺛﺎﺑﺖ ﭘﻼﻧﻚ
اﮔﺮ ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻮزن Utﻣﻌﻠﻮم ﺑﺎﺷﺪ آﻧﮕﺎه ﺑﺎ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺳﻤﺖ راﺳﺖ راﺑﻄﺔ ﺑﺎﻻ ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ Usﻣﻌﻠﻮم
ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﺮاي اﻳﻦﻛﺎر در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ در دو ﻧﻘﻄﻪ ﺑﺎ ارﺗﻔﺎع ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ ﻫﻢ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ Itاﻧﺪازه
ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد.
ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ راﺑﻄﺔ Iراﺑﻄﻪاي ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ اﺳﺖ وﻋﻤﻼً در ﺑﺴﻴﺎري ﻣﻮاد ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ Usﺑﺪﺳﺖ
آﻣﺪه از اﻳﻦ روش اﻧﺪﻛﻲ ﺑﺰرﮔﺘﺮ از ﻣﻘﺪار واﻗﻌﻲ اﺳﺖ ،ﺑﺎ وﺟﻮد اﻳﻦ ﻧﺘﺎﻳﺞ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه اﻃﻼﻋﺎت ﻛﻴﻔﻲ
در اﻳﻦ ﻣﺪ ﻣﻜﺎن و ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن در ﻳﻚ ﻧﻘﻄﻪ از ﻓﻀﺎ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﻲﺷﻮد و ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻤﻲﻛﻨﺪ .ﺳﭙﺲ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ دادن
اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ،ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ را اﻧﺪازه ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ .در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﺎﺑﻊ ( IT ∝ F(V)) Fﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد .ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ
در ﻣﻘﺪﻣﺔ اﻳﻦ ﻓﺼﻞ اﺷﺎره ﺷﺪ Fﺗﺎﺑﻌﻲ از ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ ) (LDOSدر آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ اﺳﺖ
.درﻧﺘﻴﺠﻪ اﺻﻮﻻً LDOSاز Fﻗﺎﺑﻞ اﺳﺘﻨﺘﺎج اﺳﺖ .ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛﻪ ﺗﺤﺖ ﺷﺮاﻳﻄﻲ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي
در ﻧﺰدﻳﻜﻲ اﻧﺮژي ﻓﺮﻣﻲ ) ﺑﺎ اﻧﺮژي ﻛﻤﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻳﺎ ﻛﻤﻲ ﻛﻤﺘﺮ( از راﺑﻄﺔ ذﻳﻞ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ.
dIT df
∝ )DOS( Ef – eV ∝
dV dV
42
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺪ ﺳﻨﺠﺶ ﻧﻘﺸﺔ "ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي ارﺗﻌﺎﺷﻲ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ" در ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ
ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﻗﺒﻞ در اﻳﻦ ﻣﺪ ﻣﻜﺎن وارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن در ﻳﻚ ﻧﻘﻄﻪ از ﻓﻀﺎ ﺛﺎﺑـﺖ ﻣـﻲﺷـﻮد و ﺗﻐﻴﻴـﺮ ﻧﻤـﻲﻛﻨـﺪ.
ﺳﭙﺲ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ دادن اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ،ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣـﻲﺷـﻮد .درﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺗـﺎﺑﻊ (It ∝ F(V)) Fﻣـﺸﺨﺺ
ﻣﻲﺷﻮد ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ در ﻣﻘﺪﻣﻪ اﻳﻦ ﻓﺼﻞ ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ Fﺗﺎﺑﻌﻲ از ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬـﺎ در آن ﻧﻘﻄـﻪ از ﺳـﻄﺢ
اﺳﺖ .در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻋﻠﻲ اﻻﺻﻮل ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ از Fﻗﺎﺑﻞ اﺳﺘﻨﺘﺎج اﺳﺖ .ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛـﻪ ﺗﺮازﻫـﺎي
ﺟﺎذب اﻧـﺮژي ﺟﺮﻳـﺎن اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬـﺎي ﺗـﻮﻧﻠﻲ ) ﺑﺮﺧـﻮرد ﻏﻴـﺮ اﻻﺳـﺘﻴﻚ( ﻣﻨﺠـﺮ ﺑـﻪ ﺑـﺮوز ﭘﻴـﻚ ﻫـﺎﻳﻲ در ﻣﻨﺤﻨـﻲ
d 2 IT
ﻣﻲﺷﻮد ،وﻟﺘﺎژﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﭘﻴﻚ ﻫﺎ در آﻧﻬﺎ ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ﺑﻴﺎﻧﮕﺮ ﺑﺰرﮔﻲ ﺗﺮازﻫـﺎي ﺟـﺎذب اﻧـﺮژي ) (V
dV 2
ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ(
در ﻣﻴﺎن ﺗﺮازﻫﺎي ﺟﺎذب اﻧﺮژي ﺗﺮازﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﻲ در ﻣﺤﺪودة اﻧﺮژﻳﻬﺎي ﺑﺮرﺳﻲ ﺷﺪه ﻗﺮار
43
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺷﻜﻞ( 7ﻧﻤﻮدار ﻣﺸﺘﻖ دوم ﺟﺮﻳﺎن ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ وﻟﺘﺎژ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ ﺑﺮاي ﺳﻪ ﻧﻘﻄﻪ ﺳﻄﺤﻲ B،AوC
)ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ دﻳﺪه ﻣﻲ ﺷﻮد در ﻣﺎده Aﭘﻴﻜﻬﺎي ﺗﺮازﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت C-Hدﻳﺪه ﻧﻤﻲ ﺷﻮد(.
44
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﺳﺎس ﻛﺎر دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻧﻮري ﻣﻴﺪان ﻧﺰدﻳﻚ روﺑﺸﻲ 28در ﺳﺎل 1972ﺗﻮﺳﻂ Ashو
Nichollsﻛﺸﻒ ﺷﺪ .وﻟﻲ اوﻟﻴﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻧﻮري ﻣﻴﺪان ﻧﺰدﻳﻚ روﺑﺸﻲ در ﺳﺎل 1991ﺗﻮﺳﻂ
Betzingﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪ .اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه در ﺣﻘﻴﻘﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﺷﺒﻴﻪ دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ) (AFMﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ
ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي ﻧﻮري.
دﺳﺘﮕﺎه SNOMﺗﺼﻮﻳﺮ ﺑﺴﻴﺎر ﺧﻮﺑﻲ از ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻋﻤﻮدي ﺧﻮﺑﻲ ﺑﻪ ﻣﺎ ﻣﻲدﻫﺪ.
ﺗﻔﺎوت دﺳﺘﮕﺎه AFMو SNOMدر ﭘﺮوب آﻧﻬﺎ ﺑﺮاي روﺑﺶ ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﻧﻮك دﺳﺘﮕﺎه AFMاز ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن
ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ .در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ ﻧﻮك دﺳﺘﮕﺎه SNOMاز ﻳﻚ ﻓﻴﺒﺮ ﻧﻮري ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ .ﺑﺮ ﺧﻼف دﺳﺘﮕﺎه
AFMﻧﻮك دﺳﺘﮕﺎه SNOMﻋﻼوه ﺑﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳﻄﺢ ﺑﺮاي روﺷﻦ ﻛﺮدن ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود .در
ﺷﻜﻞ ) (1ﭘﺮوب دﺳﺘﮕﺎه AFMو SNOMﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺷﺪهاﻧﺪ.
ﺑﺮ ﺧﻼف دﺳﺘﮕﺎه ،AFMدﺳﺘﮕﺎه SNOMﻓﻘﻂ در ﺣﺎﻟﺖ ﻏﻴﺮﺗﻤﺎﺳﻲ ﻛﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ .در SNOMﻓﺎﺻﻠﻪ ﺑﻴﻦ
ﻧﻮك ﭘﺮوب ﺗﺎﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ ﻣﻴﺰان ﻣﻴﺮاﻳﻲ ﻧﻮﺳﺎن ﭘﺮوب اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﻲﺷﻮد.
ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه SNOMدر ﺷﻜﻞ ) (2ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ .ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻓﻴﺒﺮ ﻧﻮري ،ﻧﻮر ﺗﺎﺑﻴﺪه
ﻣﻲﺷﻮد .ﻧﻮر ﺑﺎزﮔﺸﺖ ﺷﺪه از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻓﻴﺒﺮ دﻳﮕﺮ ﺟﻤﻊ ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻲﺗﻮان
ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﺑﺎزﺗﺎب و ﻳﺎ ﻓﺘﻮﻟﻮﻣﻴﻨﺴﺎﻧﺲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ را ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺪﺳﺖ آورد .ﻳﻚ ﻛﺎرﺑﺮد دﻳﮕﺮ
دﺳﺘﮕﺎه SNOMاﻧﺪازهﮔﻴﺮي اﻧﺘﺸﺎر ﻧﻮر از ﻛﺮﻳﺴﺘﺎلﻫﺎي ﻓﺘﻮﻧﻴﻚ و ﻳﺎ ﻫﺪاﻳﺖ اﻣﻮاج در ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﻟﻴﺰري
ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ].[1
28
Scanning Near Field Optical Microscopy
45
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
46
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ][2
ﻣﺮاﺟﻊ
1- www.twinson.com.cn/downloads/smtz/dme/snom/snom.pdf
2- www.lot-oriel.com/pdf_uk/all/wit_ratliver.pdf
47
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
29
-4-2ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ )(SEM
در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ ) (SEMﻧﻴﺰ ﻣﺎﻧﻨﺪ ،TEMﻳﻚ ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲﺗﺎﺑﺪ.
اﺟﺰاء اﺻﻠﻲ و ﺣﺎﻟﺖ ﻛﺎري ﻳﻚ SEMﺳﺎده در ﺷﻜﻞ 2-5ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ.
29
-Scaninig Electron microscopy
48
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﻨﺒﻊ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ )ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ( ﻣﻌﻤﻮﻻً از ﻧﻮع اﻧﺘﺸﺎر ﺗﺮﻣﻮﻳﻮﻧﻴﻜﻲ ﻓﻴﻼﻣﺎن ﻳﺎ رﺷﺘﻪ ﺗﻨﮕﺴﺘﻨﻲ اﺳﺖ اﻣﺎ
اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻨﺎﺑﻊ ﮔﺴﻴﻞ ﻣﻴﺪان ﺑﺮاي ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻﺗﺮ ،اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎﻓﺘﻪ اﺳﺖ ﻣﻌﻤﻮﻻً اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﺑﻴﻦ 1-30KeV
ﺷﺘﺎب داده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﺳﭙﺲ دو ﻳﺎ ﺳﻪ ﻋﺪﺳﻲ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰﻛﻨﻨﺪه ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ را ﻛﻮﭼﻚ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ،ﺗﺎ ﺣﺪي ﻛﻪ در
اﺳﺘﻔﺎدهﻫﺎي ﻋﻤﻮﻣﻲ
)ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ(
-2در ﺻﻮرت ﺗﺠﻬﻴﺰ ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز back Scatteredﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎ ﻗﺎدر ﺑﻪ اﻧﺠﺎم اﻣﻮر زﻳﺮ ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺑﻮد:
(aﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﺮزداﻧﻪ ،در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﺣﻜﺎﻛﻲ ﻧﺸﺪه (b ،ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺣﻮزهﻫﺎ ) (domainsدر ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ،
ﻓﺎز دوم روي ﺳﻄﻮح ﺣﻜﺎﻛﻲﻧﺸﺪه )در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ ﻓﺎز دوم ،ﻣﺘﻔﺎوت از زﻣﻴﻨﻪ ﺑﺎﺷﺪ(.
-3ﺑﺎ اﺻﻼح ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻣﻲﺗﻮان از آن ﺑﺮاي ﻛﻨﺘﺮل ﻛﻴﻔﻴﺖ و ﺑﺮرﺳﻲ ﻋﻴﻮب ﻗﻄﻌﺎت ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي
اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد.
ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ از ﻛﺎرﺑﺮد
-2ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻘﺎﻃﻊ ﺷﻜﺴﺖ و ﺳﻄﻮح ﺣﻜﺎﻛﻲ ﻋﻤﻴﻖ ،ﻛﻪ ﻣﺴﺘﻠﺰم ﻋﻤﻖ ﻣﻴﺪاﻧﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرﮔﺘﺮ از ﺣﺪ
-3ارزﻳﺎﺑﻲ ﺟﻬﺖ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻮﮔﺮاﻓﻲ اﺟﺮاﻳﻲ ﻧﻈﻴﺮ داﻧﻪﻫﺎ ،ﻓﺎزﻫﺎي رﺳﻮﺑﻲ و دﻧﺪرﻳﺖﻫﺎ ﺑﺮ روي ﺳﻄﻮح
49
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
-4ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ اﺟﺰاﻳﻲ ﺑﻪ ﻛﻮﭼﻜﻲ ﭼﻨﺪﻣﻴﻜﺮون روي ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ ،ﺑﺮاي ﻣﺜﺎل ،آﺧﺎلﻫﺎ،
-5ارزﻳﺎﺑﻲ ﮔﺮادﻳﺎن ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ روي ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ در ﻓﺎﺻﻠﻪاي ﺑﻪ ﻛﻮﭼﻜﻲ 1 µm
-6ﺑﺮرﺳﻲ ﻗﻄﻌﺎت ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻜﺴﺖ ،ﻛﻨﺘﺮل ﻋﻤﻠﻜﺮد و ﺗﺄﻳﻴﺪ ﻃﺮاﺣﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ
ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ
اﻧﺪازه :ﻣﺤﺪودﻳﺖ اﻧﺪازه ﺗﻮﺳﻂ ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ ﻣﻮﺟﻮد ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد.
ﻣﻌﻤﻮﻻً ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﺑﻪ ﺑﺰرﮔﻲ 15ﺗﺎ 20ﺳﺎﻧﺘﻴﻤﺘﺮ را ﻣﻲﺗﻮان در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻗﺮار داد وﻟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي 4ﺗﺎ 8
آﻣﺎدهﺳﺎزي :ﻣﻮاد ﻏﻴﺮﻫﺎدي ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺑﺎ ﻻﻳﻪ ﻧﺎزﻛﻲ از ﻛﺮﺑﻦ ،ﻃﻼ ﻳﺎ آﻟﻴﺎژ ﻃﻼ ﭘﻮﺷﺶ داده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﺑﺎﻳﺪ
ﺑﻴﻦ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﭘﺎﻳﻪ اﺗﺼﺎل اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﺮﻗﺮار ﺷﻮد و ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ رﻳﺰ ﻧﻈﻴﺮ ﭘﻮدرﻫﺎ ﺑﺎﻳﺪ روي ﻳﻚ ﻓﻴﻠﻢ ﻫﺎدي ﻧﻈﻴﺮ
رﻧﮓ آﻟﻮﻣﻴﻨﻴﻮم ﭘﺨﺶ ﺷﺪه و ﻛﺎﻣﻼً ﺧﺸﻚ ﺷﻮﻧﺪ .ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ ﺑﺎﻳﺪ ﻋﺎري از ﻣﺎﻳﻌﺎﺗﻲ ﺑﺎ ﻓﺸﺎر ﺑﺨﺎر ﺑﺎﻻ ﻧﻈﻴﺮ آب،
ﻫﺮ ﮔﺎه اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ اﻧﺮژي ﺑﺎﻻ ﺑﻪ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺟﺎﻣﺪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻛﻨﻨﺪ ،ﻣﻮﺟﺐ ﺗﻮﻟﻴﺪ اﺷﻌﻪ Xﻣﺸﺨﺼﻪ
ﺑﻪ ﻫﻨﮕﺎم ﺑﺤﺚ در ﻣﻮرد ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺗﺼﻮﻳﺮ در SEMو TEMاﻳﻦ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي xﺗﺎ ﺣﺪ زﻳﺎدي ﻧﺎدﻳﺪه ﮔﺮﻓﺘﻪ
ﻣﻲﺷﻮد .اﮔﺮ ﭼﻪ ،ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر از ﺣﺠﻢ ﻋﻈﻴﻤﻲ از اﻃﻼﻋﺎت ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻣﻲﺷﻮد ﺑﺎ اﻳﻦ ﺣﺎل داﻧﺸﻤﻨﺪان در دﻫﻪ
50
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
1950ﻣﺘﻮﺟﻪ اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺷﺪﻧﺪ و از آن زﻣﺎن ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻪ ﻃﻮر ﻓﺰاﻳﻨﺪهاي ﺑﺮاي
ﻣﻴﻜﺮوآﻧﺎﻟﻴﺰ) (microanalysisاﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﻋﺒﺎرت ﻣﻴﻜﺮوآﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻣﻌﻨﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺮ
روي ﻣﻘﺪار ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﻳﺎ در ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮارد ﺑﺮ روي ﻗﺴﻤﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺰرﮔﺘﺮ،
ﺻﻮرت ﮔﻴﺮد .از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﺑﺎ روشﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ و ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻧﻤﻲﺗﻮان اﻳﻦ ﻛﺎر را اﻧﺠﺎم داد،
ﻣﻴﻜﺮوآﻧﺎﻟﻴﺰ در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻪ ﺻﻮرت اﺑﺰار ﻣﻬﻤﻲ ﺑﺮاي ﺗﺸﺨﻴﺺ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت اﻧﻮاع ﻣﻮاد ﺟﺎﻣﺪ
درآﻣﺪه اﺳﺖ.
اﺻﻮﻻً دو ﭼﻴﺰ را ﻣﻲﺗﻮان از ﻃﻴﻒ ﭘﺮﺗﻮ xﻣﻨﺘﺸﺮ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﻫﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻤﻮد .اﻧﺪزهﮔﻴﺮي ﻃﻮل ﻣﻮج
)ﻳﺎ اﻧﺮژي( ﻫﺮ ﭘﺮﺗﻮ xﻣﺸﺨﺼﻪ ﻣﻨﺘﺸﺮ ﺷﺪه اﻣﻜﺎن ﺗﺸﺨﻴﺺ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺣﺎﺿﺮ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻳﺎ اﻧﺠﺎم آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ را ﻣﻴﺴﺮ
ﻣﻲﺳﺎزد .اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺗﻌﺪاد ﻫﺮ ﻧﻮع ﭘﺮﺗﻮ xﻣﻨﺘﺸﺮ ﺷﺪه در ﻫﺮ ﺛﺎﻧﻴﻪ ،ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻘﺪار ﺣﻀﻮر ﻋﻨﺼﺮ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻳﺎ اﻧﺠﺎم
آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤﻲ را اﻣﻜﺎنﭘﺬﻳﺮ ﻣﻲ ﺳﺎزد ﺷﺮاﻳﻂ ﻻزم ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪ و دﺳﺘﮕﺎه ﺟﻬﺖ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤﻲ ﺑﻪ ﮔﻮﻧﻪاي اﺳﺖ ﻛﻪ
ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎ
-1ﻛﻴﻔﻴﺖ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺳﻄﻮح ﺗﺨﺖ ،ﻧﻈﻴﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﭘﻮﻟﻴﺶ و ﺣﻜﺎﻛﻲ ﻣﺘﺎﻟﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺷﺪهاﻧﺪ ،ﻣﻌﻤﻮﻻً در
-2ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺣﻜﺎﻛﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﻬﺘﺮ از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻮري اﺳﺖ ،وﻟﻲ ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ
ﻣﺮاﺟﻊ
١
- E D Specht, A Goyal, D F Lee, F A List, D M Kroeger, M Paranthaman, R K Williams
and D K Christen, Supercond. Sci. Technol. 11 (1998) 945–949.
٢- http://mse.iastate.edu/microscopy/chamber.html
51
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
داﻧﺸﮕﺎه ﺳﻤﻨﺎن
ﻋﻀﻮ XL30 / TMP 1
آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﻬﺮان
ﻋﻀﻮ HHS-2R 3
ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﺑﻴﻮﺷﻴﻤﻲ و ﺑﻴﻮﻓﻴﺰﻳﻚ
52
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
53
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
HV 3.5nm
JEOL ژاﭘﻦ JSM-5510LV 5
LV 4.5nm
HV 3.5nm
JEOL ژاﭘﻦ JSM-6060LV 6
LV 4.0nm
HV 3.0nm
JEOL ژاﭘﻦ JSM-6380LV 7
LV 4.0nm
HV 3.0nm
JEOL ژاﭘﻦ JSM-6480LV 8
LV 4.0nm
1.0nm JSM-6700F
JEOL ژاﭘﻦ 9
2.2nm (1kV)
1.0nm (15kV)
1.5nm (1kV) JEOL ژاﭘﻦ 10
JSM-7401F
0.8nm (30k STEM)
0.6nm (5kV)
1.0nm (1kV)
JEOL ژاﭘﻦ JSM-7700F 11
1.0nm (15kV)
0.7nm (1kV) GB mode
1.0nm
JEOL ژاﭘﻦ JSM-7700F 12
2.2nm (1kV)
54
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎي روش ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺑﺎ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ ) (SEMﺑﻪ ﺧﻮﺑﻲ ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪهاﻧﺪ ﺑﻪ
ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺣﺘﻲ در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ داراي ﭘﻮﺷﺶ ﺑﺎ ﻫﺪاﻳﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﺎﻻ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺮ روي ﺳﻄﻮح ﺷﻜﺴﺖ ﻳﺎ در
ﻣﻮاد ﻣﺘﺨﻠﺨﻞ و ﻓﻮمﻫﺎ ﺗﺠﻤﻊ ﺑﺎر ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد .اﻳﻦ ﺗﺠﻤﻊ ﺑﺎر ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﻛﻴﻔﻴﺖ ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري
ﺷﻮد .ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ ،ﭘﺴﻤﺎﻧﺪﻫﺎي آﻟﻲ اﻧﻮاع ﭼﺴﺐﻫﺎ و ﺑﺎﻳﻨﺪرﻫﺎ ﻣﺜﻞ روﻏﻦ ،ﻣﻮاد رواﻧﺴﺎز و دﻳﮕﺮ ﻣﻮاد اﻓﺰودﻧﻲ
ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ در ﺧﻸ ﺑﺎﻻ ﺗﺒﺨﻴﺮ ﺷﺪه و ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺑﺎ ﻣﺸﻜﻞ ﻣﻮاﺟﻪ ﻧﻤﺎﻳﺪ .در اﻳﻦ ﻣﻮارد ﻣﻲﺗﻮان از
ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ ﻧﻴﺰ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺗﻤﺎﻣﻲ اﻧﻮاع ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ داراي ﻳﻚ ﻣﻨﻄﻘﻪ ﺧﻸ
ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﻴﺪ و ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﻛﺮدن ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﻫﻤﻴﺸﻪ در ﻓﺸﺎر ﻛﻤﺘﺮ از 10-9paﻗﺮار دارد .ﺑﻪﻋﻼوه
ﻳﻚ ﻣﻨﻄﻘﻪ ﺑﺎ ﻓﺸﺎر ﺑﺎﻻ )ﺑﻴﺶ از (60kpaﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ ﻛﻪ اﻟﺒﺘﻪ اﻳﻦ دو ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ ﻧﺤﻮ ﻣﻄﻠﻮب و ﺗﻮﺳﻂ
ﻳﻚ ﺗﻜﻨﻴﻚ وﻳﮋه از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻣﺠﺰا ﮔﺮدﻧﺪ .اﻳﻦ ﻛﺎر ﻳﺎ ﺗﻮﺳﻂ ﻓﻴﻠﻢﻫﺎي ﭘﻨﺠﺮه ﻋﺒﻮر اﻟﻜﺘﺮون 31و ﻳﺎ ﺗﻮﺳﻂ
درﻳﭽﻪﻫﺎي ﻛﻮﭼﻚ ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﮔﺎز 32ﻓﺸﺎر اﻧﺠﺎم ﻣﻲﭘﺬﻳﺮد .در ESEMﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺑﻬﺮهﮔﻴﺮي از وﻟﺘﺎژﻫﺎي
30
-Environmental Scaninig Electron Microscopy
31
-electron ion window film
32
- pressure-limiting aperture, PLA
55
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺷﺘﺎبدﻫﻨﺪه ﺑﺴﻴﺎر ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ ،ﻓﻘﻂ درﻳﭽﻪ ﻫﺎي ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﺑﻪ ﻛﺎر ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد .ﺷﻜﻞ 1ﺑﻪ ﺳﺎدهﺗﺮﻳﻦ ﺑﻴﺎن،
اﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻛﺎري را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ .ﺣﺪاﻗﻞ دو درﻳﭽﻪ ﺑﺮاي ﻣﺤﺪودﻛﺮدن ﻣﺆﺛﺮ ﻓﺸﺎر اﻳﺠﺎد ﺷﺪه در ﺳﺘﻮن
اﻟﻜﺘﺮون اﭘﺘﻴﻜﻲ ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﺟﺮﻳﺎن ﮔﺎز از ﻣﻴﺎن اوﻟﻴﻦ درﻳﭽﻪ ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﻓﺸﺎر ESEMاز ﻃﺮﻳﻖ
ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ از ﻟﻮﻟﻪﻫﺎ و ﭘﻤﭗﻫﺎ ﺑﻪ ﺑﻴﺮون ﭘﻤﭗ ﻣﻲﺷﻮد و ﻓﻘﻂ ﺑﺨﺶ ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﮔﺎز از ﻃﺮﻳﻖ دوﻣﻴﻦ درﻳﭽﻪ
ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﻓﺸﺎر ) (PLA1ﻧﺸﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﺑﻘﻴﻪ ﭘﻤﭗﻫﺎ و ﺳﻮﭘﺎپﻫﺎي ﻧﺸﺎنداده ﺷﺪه ﺑﺮاي ﻧﮕﻪداﺷﺘﻦ ﻓﺸﺎر
ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز در ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮاي ﺗﺴﻬﻴﻞ اﻧﺘﻘﺎل ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ داﺧﻞ و ﺧﺎرج از ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﻪ ﻛﺎر ﮔﺮﻓﺘﻪ
ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ.
ﺷﻜﻞ - 1ﺷﻜﻞ ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﺳﺎده ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﺎ دو ﭘﻤـﭗ = PLA1 .اوﻟـﻴﻦ درﻳﭽـﻪ ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨـﺪه = PLA2 ،دوﻣـﻴﻦ درﻳﭽـﻪ
ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨــﺪه =RP(rotary pump) ،ﭘﻤــﭗ روﺗــﺎري =DP (diffusion pump) ،ﭘﻤــﭗ دﻳﻔﻮزﻳــﻮﻧﻲ =TMP ،ﭘﻤــﭗ
ﺗﻮرﺑﻮﻣﻮﻟﻜﻮﻻر = LN2 ،ﺗﻠﻪ ﻧﻴﺘﺮوژن ﻣﺎﻳﻊ = N(nitrogen trap) ،ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺗﻌﻮﻳﺾ ﻧﻤﻮﻧﻪ= V1, V2, G(airlock) ،ﺳﻮﭘﺎپﻫﺎ
اﮔﺮ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻧﺸﺎنداده ﺷﺪه در ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﺎﻻ ﺑﻪ درﺳﺘﻲ اﻧﺘﺨﺎب ﺷﻮﻧﺪ ،ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ از دو
56
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺳﺘﻮن و از ﻣﻴﺎن ﻫﺮ دو درﻳﭽﻪ ﺑﺎ ﺣﺪاﻗﻞ اﻓﺖ ﻋﺒﻮر ﻛﻨﺪ اﻣﺎ ﭘﺲ از واردﺷﺪن ﺑﻪ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺎ
ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﺎ ﻳﻚ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻣﺸﺨﺺ در داﺧﻞ ﮔﺎز ،ﻳﻚ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﺷﺪه ﻣﻨﺎﺳﺐ
وﺟﻮد دارد و اﮔﺮ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻣﺤﺪوده ﻣﻨﺘﻘﻞ ﺷﻮد ﻳﺎ در اﻳﻦ ﻣﻨﻄﻘﻪ وﺟﻮد داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ ،ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﻮرد
ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻗﺮار ﮔﻴﺮد .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻲﺗﻮان آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻨﺎﺳﺒﻲ ﻃﺮاﺣﻲ ﻧﻤﻮد و در ﺟﺎي ﺻﺤﻴﺢ ﻗﺮار داد ﺗﺎ ﺑﺘﻮان
ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﭘﺪﻳﺪآﻣﺪه را درﻳﺎﻓﺖ ﻛﺮد .ﺷﻜﻞ 2ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ،آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻢ آﺷﻜﺎرﺳﺎز را ﻧﺸﺎن
ﻣﻲدﻫﺪ .ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ از PLA1ﺗﻌﻴﻴﻦﻛﻨﻨﺪه ﻣﻘﺪار ﻧﺴﺒﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي درﻳﺎﻓﺖﺷﺪه ﻧﻈﻴﺮ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺑﺮﮔﺸﺘﻲ و
ﺷﻜﻞ - 2ﻧﻤﻮﻧﻪاي از ﻳﻚ آﺷﻜﺎرﺳﺎز در . ESEMﻗﻄﺮهﻫﺎي آب در ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﻌﻴﻦ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ آزﻣﺎﻳﺸﻲ را ﺣﻴﻦ ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ
57
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﮔﺎزي ) (GEDاﻟﻜﺘﺮون ﺗﻮﺳﻂ Danilatosدر 1983اراﺋﻪ ﮔﺮدﻳﺪه اﺳﺖ و ﻧﻬﺎﻳﺘﺎً ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ
ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﻛﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ در ﺷﻜﻞ 3ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ،ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ از ﺧﻼل ﻳﻚ روزﻧﻪ ﻳﺎ
ﺳﻮراخ در آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺑﺎ ﺑﺎر ﻣﺜﺒﺖ وارد ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲﮔﺮدد ،ﺳﭙﺲ از ﻣﻴﺎن ﮔﺎز ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﺪ ﺗﺎ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ
ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮﺳﺪ.
ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ وارد ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻣﻲﺷﻮد دو ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ روي دﻫﺪ:
-2ﭘﺮﺗﻮ ﻗﺒﻞ از رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز و ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﻳﻮﻧﻴﺰهﺷﺪه ﺑﺮﺧﻮرد ﻛﺮده ،ﻣﺘﻔﺮق
ﻣﻲﺷﻮد.
اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺑﺮﮔﺸﺘﻲ و ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ) (SE/BSEﺗﺤﺖ ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻣﻴﺪان ﭼﻨﺪ ﺻﺪ وﻟﺘﻲ ،33ﺗﻮﺳﻂ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺟﺬب
ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .در ﻃﻮل ﻣﺴﻴﺮ ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﭘﺮاﻧﺮژي SE/BSEﺑﺎ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز ﺑﺮﺧﻮرد
33
- high voltage field
58
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
34
ﺷﻜﻞ -3ﻧﻤﺎﻳﺶ ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﺗﻌﺎﻣﻞ اﻟﻜﺘﺮون -ﮔﺎز و آﺷﻜﺎرﺳﺎز اﻟﻜﺘﺮون ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﮔﺎزي
ﺗﻜﺮار ﻓﺮآﻳﻨﺪ "ﺷﺘﺎب -ﺑﺮﺧﻮرد -ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻴﻮن" ،ﻳﻚ آﺑﺸﺎر ﺗﻘﻮﻳﺖﺷﺪه ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﭘﺪﻳﺪ
ﻣﻲآورد .آﺷﻜﺎرﺳﺎز ،ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﺗﻘﻮﻳﺖﺷﺪه را ﺟﻤﻊآوري ﻛﺮده و ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺑﺎزﺳﺎزي ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ.
ﻫﻤﺰﻣﺎن ﺑﺎ آﺑﺸﺎر ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻴﻮن ﻳﻮنﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ ،ﻳﻚ ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪ از آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻛﻪ ﺑﺎر ﻣﺜﺒﺖ دارد ،و ﻳﻚ ﻧﻴﺮوي
ﺟﺎذﺑﻪ از ﺑﺎرﻫﺎي اﺿﺎﻓﻲ ﻣﻨﻔﻲ ﻛﻪ ﺑﺮ روي ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺠﻤﻊ ﻧﻤﻮدهاﻧﺪ ،درﻳﺎﻓﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ .اﻳﻦ ﻳﻮنﻫﺎي
ﺑﺎردارﺷﺪه ﻣﺜﺒﺖ دوﺑﺎره ﺑﺎ ﺑﺎرﻫﺎي اﺿﺎﻓﻲ ﺗﺮﻛﻴﺐﺷﺪه و از ﺑﺎردارﺷﺪن ﺳﻄﺢ ﺟﻠﻮﮔﻴﺮي ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ )ﺷﻜﻞ.( 4
وﺿﻮح ﺗﺼﻮﻳﺮ در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي روﺑﺸﻲ SEMﺑﻪ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ آن ﺗﻤﺮﻛﺰ اﺷﻌﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ در ﻛﻮﭼﻜﺘﺮﻳﻦ
ﻧﻘﻄﻪ ﻣﻤﻜﻦ ﺑﺮ روي ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد .در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻣﺤﻴﻄﻲ ESEMﺑﻴﻦ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮ
و اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﭘﺮﺗﻮ ﺑﺮﺧﻮردﻫﺎﻳﻲ روي ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﭘﺨﺶ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﻲﮔﺮدد .ﮔﺮﭼﻪ اﻳﻦ ﺗﻌﺎﻣﻞﻫﺎي ﮔﺎز-
ﭘﺮﺗﻮ در ﺗﻤﺎﻣﻲ ﻣﺴﻴﺮ ﺳﺘﻮن روي ﻣﻲدﻫﺪ ،وﻟﻲ اﻛﺜﺮﻳﺖ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ از داﺧﻞ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ
ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﺪ ،ﻣﺘﻔﺮق ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .اﻓﺰاﻳﺶ ﻓﺸﺎر ﻣﺤﻔﻈﻪ ،ﻣﻘﺪار ﻓﺎﺻﻠﻪ ﭘﻮﻳﺶ آزاد را ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ
34
- gaseous secondary electron detection
59
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﻳﺠﺎد ﻳﻚ داﻣﻨﻪ وﺳﻴﻊ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ،35ﺷﺪه و ﺑﻘﻴﻪ ﭘﺮﺗﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺘﻔﺮقﻧﺸﺪه را ﻣﺤﺎﺻﺮه ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ .اﻳﻦ داﻣﻨﻪ
)ﺷﻜﻞ (4ﺑﺮ روي ﻣﻴﺰان ﺗﻤﺮﻛﺰ ﻗﺎﺑﻞ دﺳﺘﺮﺳﻲ ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻣﻲﮔﺬارد .ﻧﺮمﻛﺮدن ﻟﺒﻪﻫﺎي ﺗﻴﺰ ) ،(Softeningﻣﻘﺪار
ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻔﻴﺪ ﭘﺮﺗﻮ را ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲدﻫﺪ و اﺣﺘﻤﺎﻻً ﺑﺮ روي ﺗﺤﻘﻴﻖﻫﺎي ﻛﻤﻲ و ﻛﻴﻔﻲ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻴﻜﺮوآﻧﺎﻟﻴﺰ ﭘﺮﺗﻮ
Xﻣﺆﺛﺮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ.
ﺷﻜﻞ- 4داﻣﻨﻪ ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮون اوﻟﻴﻪ ﻛﻪ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﻔﺮق ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻣﻲﺷﻮد.
ﺷﺎﻳﺎن ذﻛﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻘﺪار ﭘﺮﺗﻮ ﺗﻔﺮقﻳﺎﻓﺘﻪ ،ﺗﺎﺑﻊ ﻓﺎﺻﻠﻪ آﺧﺮﻳﻦ PLAﺗﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﺗﺮﻛﻴﺐ ﮔﺎز ﺣﺎﺿﺮ ،ﻓﺸﺎر
ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از دو ﭘﻴﺸﺮﻓﺖ ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژﻳﻜﻲ ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﺧﻼء ﺑﺎﻻ ﺟﻬﺖ
ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎزي را ﻣﻴﺴﺮ ﺳﺎﺧﺘﻪ اﺳﺖ .اول ،اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﻤﭗ ﺧﻼء ﻛﻪ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺧﻼء ﭘﺎﻳﻴﻦ )ﻛﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ
در آن ﻗﺮار دارد( را از ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻛﻪ در ﺧﻼء ﺑﺎﻻ ﻛﺎر ﻣﻲ ﻛﻨﺪ ،ﺟﺪا ﻣﻲﺳﺎزد .ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﻛﻪ
35
- electron skirt
60
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ ،اﻳﻦ ﻛﺎر ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از درﻳﭽﻪﻫﺎي ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﻓﺸﺎر اﻧﺠﺎم ﻣﻲﮔﻴﺮد .دوم اﺧﺘﺮاع آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎي
ﻣﺰاﻳﺎ
ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ ،ﻋﻤﻮﻣﺎً وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي اﺳﺎﺳﻲ SEMﻧﻈﻴﺮ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ،ﻋﻤﻖ ﺗﻤﺮﻛﺰ،
ﺗﻨﻮع ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ و ﭘﺮدازش ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ را ﺣﻔﻆ ﻛﺮده اﺳﺖ .ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻨﻜﻪ در ESEMﻧﻴﺎزي ﺑﻪ ﻫﺎديﻛﺮدن
ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﺻﺮفﻧﻈﺮ از ﻣﻘﺪار وﻟﺘﺎژ ﺷﺘﺎبدﻫﻨﺪه( ﻧﻴﺴﺖ ESEM .اﻣﻜﺎن اﻳﺠﺎد ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﺰرﻳﻖ ﻣﺎﻳﻊ را ﻧﻴﺰ ﻓﺮاﻫﻢ
ﻛﺮده اﺳﺖ .ﻣﺸﺎﻫﺪه دﻳﻨﺎﻣﻴﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﮔﺎز -ﻣﺎﻳﻊ -ﺟﺎﻣﺪ در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ اﻣﻜﺎنﭘﺬﻳﺮ اﺳﺖ.
ﻧﻜﺘﻪ دﻳﮕﺮ در ،ESEMﻛﻮﺗﺎهﻛﺮدن زﻣﺎن ﭘﻤﭗﻛﺮدن )60ﺗﺎ 90ﺛﺎﻧﻴﻪ( و ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺰرﮔﺘﺮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﺑﻪ
دﻟﻴﻞ ﻋﺪم ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺑﻪ ﻧﻮر ﻣﻲ ﺗﻮان روزﻧﻪ دﻳﺪ در آﻧﻬﺎ ﺗﻌﺒﻴﻪ ﻧﻤﻮد .اﻳﻦ درﻳﭽﻪﻫﺎي دﻳﺪ ﺑﻪ ﻃﻮر ﭼﺸﻤﮕﻴﺮي
ﻗﺮاردادن ﻧﻤﻮﻧﻪ را در ﺟﺎي ﺧﻮد ﺗﺴﻬﻴﻞ ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎزي ﺳﺮﻳﻊﺗﺮ و راﺣﺖﺗﺮ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﮔﻴﺮد.
ﻣﺤﺪودﻳﺖ دﻳﮕﺮي ﻧﻴﺰ در ﻛﺎرﺑﺮد ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ ﻣﺘﺪاول روي ﻣﻲدﻫﺪ.
37
اﻧﺠﺎم ﻣﻲﮔﻴﺮد .اﻳﻦ آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎ در آﺷﻜﺎرﺳﺎزي اﻟﻜﺘﺮون ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ SEﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎيE-T
ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ ﺑﺎﻻي 10،000ﺗﺎ 12،000وﻟﺖ ﻛﺎر ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ .در ﻣﺤﻔﻈﻪاي ﻛﻪ ﻓﺸﺎر از 10-2paﺗﺠﺎوز ﻧﻤﺎﻳﺪ،
ﺷﻜﺴﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ رخ داده و آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎ را ﻏﻴﺮ ﻛﺎرآﻣﺪ ﻣﻲﺳﺎزد .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ از آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎي E-Tﻓﻘﻂ در
36
- gaseous secondary electron detectors, GSED
37
- Evehart-Thornley
61
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﻫﺎ
ﻳﻚ ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز 38ﺑﻪ داﺧﻞ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ وارد ﻣﻲﮔﺮدد ﻛﻪ ﻣﺤﻴﻂ ﭘﺮﻓﺸﺎر را ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﺳﺎزد .اﻧﺘﺨﺎب
ﻧﻮع ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز اﺑﺘﺪا ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻼﺣﻈﺎت و ﺗﺠﺮﺑﻴﺎت ﻋﻤﻠﻲ از ﻗﺒﻴﻞ ﻫﺰﻳﻨﻪ ،ﺳﻤﻲﺑﻮدن ،ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ اﺷﺘﻌﺎل و
واﻛﻨﺶدﻫﻨﺪﮔﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﺤﺪود ﻣﻲﮔﺮدد .ﻣﺘﺪاولﺗﺮﻳﻦ ﮔﺎز ﻣﺼﺮﻓﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻴﻮن آﺳﺎن و
دردﺳﺘﺮسﺑﻮدن ،ﺑﺨﺎر آب اﺳﺖ .ﮔﺎزﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻣﺎﻧﻨﺪ ، CO2 ، Ar ، N2و ﮔﺎزﻫﺎي ﺗﺮﻛﻴﺒﻲ ﻧﻈﻴﺮ ﻫﻮا ﻧﻴﺰ ﻣﻤﻜﻦ
ﻣﺮاﺟﻊ
-٢ﻣﺮﻋﺸﻲ ،ﻛﺎوﻳﺎﻧﻲ ،ﺳﺮﭘﻮﻟﻜﻲ و ذواﻟﻔﻘﺎري .اﺻﻮل و ﻛﺎرﺑﺮد ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻬﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ و روﺷﻬﺎي ﻧﻮﻳﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰ اﺑﺰار ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ
3- http://www.utoronto.ca/forest/termite
38
-imaging gass
62
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺧﻮاص ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﻪ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازة آﻧﻬﺎ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد و از اﻳﻦرو ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﭘﻴﺮاﻣﻮن ﺷﻜﻞ ،اﻧﺪازه و
آراﻳﺶ ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري از ﻧﻈﺮ ﻓﻬﻢ ﭘﺪﻳﺪهﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد و درﻧﻬﺎﻳﺖ اﺳﺘﻔﺎده از آﻧﻬﺎ در ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ
ﺿﺮوري اﺳﺖ .روشﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازة ذرات ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود ﻛﻪ ازﺟﻤﻠﺔ آﻧﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ
ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ ) ،(AFMﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﻧﻮري ﻋﺒﻮري ،ﭘﺮاش اﺷﻌﺔ Xو ﻣﺎﻧﻨﺪ آن اﺷﺎره ﻛﺮد .ﺑﺮﺧﻲ
از اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازة ذرات را ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻧﻤﻲدﻫﻨﺪ .ﺑﺮاي ﻣﺜﺎل در ﭘﺮاش اﺷﻌﺔ Xاﻧﺪازة
0.9λ
=D
β cosθ
ﻛﻪ راﺑﻄﺔ ﻓﻮق ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻧﺪازة ﻧﺎﻧﻮذرات دﻗﻴﻖ ﻧﻴﺴﺖ و در اﻧﺪازهﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ داراي ﺧﻄﺎي ﻗﺎﺑﻞ
ﻣﻼﺣﻈﻪاي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻣﻘﺎدﻳﺮ واﻗﻌﻲ اﺳﺖ .اﻳﻦ روش ﺑﺮاي ﻧﺎﻧﻮذرات ﻏﻴﺮﺑﻠﻮري ﻧﻴﺰ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻧﻴﺴﺖ .از ﻃﻴﻒ ﻧﻮري
ﻋﺒﻮري ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﻧﻴﺰ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻧﺪازة ذرات اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد ﻛﻪ روش اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻗﻄﺮ
ذرات ﭘﻴﭽﻴﺪه ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ و ﺑﺮاي ﺑﺮﺧﻲ از ﻣﻮاد ﻗﺎﺑﻞ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻴﺴﺖ .ﺑﺎﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻄﺎﻟﺐ ﻓﻮق اﺳﺘﻔﺎده از روﺷﻲ ﺑﺮاي
ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻧﺪازه و ﺷﻜﻞ ذرات ﺑﺎدﻗﺖ ﻣﻨﺎﺳﺐ در ﺣﻮزه ﭘﮋوﻫﺶﻫﺎي ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﺴﻴﺎر ﻣﻬﻢ و ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز
ﺟﺪي اﺳﺖ.
در ﭘﮋوﻫﺶﻫﺎي ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺧﻮاص ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري ﻳﻜﻲ از ﻣﻬﻢﺗﺮﻳﻦ و
ﭘﺮﻛﺎرﺑﺮدﺗﺮﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎﻳﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد .در اﻏﻠﺐ ﻣﻄﺎﻟﻌﺎت اﻧﺠﺎمﺷﺪه روي ﺧﻮاص
63
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻧﺪازه و ﺷﻜﻞ آﻧﻬﺎ از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ .اﻳﻦ
روش اﻧﺪازه و ﺷﻜﻞ ذرات را ﺑﺎ دﻗﺖ ﺣﺪود ﭼﻨﺪ دﻫﻢ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻣﺎده و دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻮرد
اﺳﺘﻔﺎده ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد .اﻣﺮوزه در ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮاص ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻋﺒﻮر اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺎ وﺿﻮح
ﺑﺎﻻ ) (High-Resolutionاﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازة ذرات ﺑﻪ وﺳﻴﻠﺔ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ
اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﺮاش اﻟﻜﺘﺮون و ﺳﺎﻳﺮ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﺑﺮﺧﻮرد اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺎ ﻣﺎده ﺑﺮﺧﻲ
وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮري و ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎي را ﻧﻴﺰ ﻣﻲ ﺗﻮان ﺑﺪﺳﺖ آورد.
ﺑﺮﺧﻲ از روشﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي ﻣﻮاد
ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از:
ﭘﺮاش اﻟﻜﺘﺮون
ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري Z-Contrast
ﺑﺮﺧﻮرد اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺎ ﻣﺎده ﺷﺎﻣﻞ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ از ﻣﻬﻢﺗﺮﻳﻦ آﻧﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ
ﺑﺮﺧﻮرد و ﺗﻮﻟﻴﺪ اﻟﻜﺘﺮون ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﭘﺲﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ و ﭘﻴﺶﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﺗﻮﻟﻴﺪ اﺷﻌﺔ Xو اﻟﻜﺘﺮون اوژه اﺷﺎره
64
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺮد .ﺑﺎﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻫﺮﻳﻚ از اﻳﻦ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎ دادهﻫﺎﻳﻲ را در ﻣﻮرد ﺷﻜﻞ
و اﻧﺪازه ،ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﺎده ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲدﻫﺪ .اﺑﺘﺪا ﻧﺤﻮة اﻧﺪرﻛﻨﺶ اﻟﻜﺘﺮون -ﻣﺎده و
ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري را ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﺮده و ﺳﭙﺲ ﺑﻪ ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده
ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻪ روشﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ از ﻣﻬﻢﺗﺮﻳﻦ آﻧﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﮔﺴﻴﻞ ﺗﺮﻣﻮﻳﻮﻧﻴﻚ
) ( Thermoionic Emissionو ﮔﺴﻴﻞ ﻣﻴﺪاﻧﻲ اﺷﺎره ﻛﺮد .ﺑﺮاي ﮔﺴﻴﻞ ﺗﺮﻣﻮﻳﻮﻧﻴﻚ ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﻌﻤﻮل از ﻳﻚ
اﻟﻤﺎن داغ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﻛﻪ ﺗﺎ دﻣﺎي ﺣﺪود 2800درﺟﻪ ﻛﻠﻮﻳﻦ ﮔﺮم ﻣﻲﺷﻮد .ﺟﻨﺲ اﻟﻤﺎن اﻏﻠﺐ از ﺗﻨﮕﺴﺘﻦ
ﻳﺎ LaB6اﺳﺖ .ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ اﻟﻤﺎن را ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺷﺒﻜﻪﻫﺎي ﺷﺘﺎبدﻫﻨﺪه در ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻨﻔﻲ ﻧﮕﻪ ﻣﻲدارﻧﺪ و
اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺗﻮﻟﻴﺪﺷﺪه در اﺛﺮ ﭘﺪﻳﺪه ﺗﺮﻣﻮﻳﻮﻧﻴﻚ در ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺑﺎﻻ ﺷﺘﺎب ﮔﺮﻓﺘﻪ و اﻧﺮژي ﺑﺎﻻﻳﻲ ﻛﺴﺐ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ.
65
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
در روش ﮔﺴﻴﻞ ﻣﻴﺪاﻧﻲ از ﭘﺪﻳﺪه ﺗﻮﻧﻞزﻧﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻣﻴﺪان ﺑﺎﻻ در ﺳﻄﺢ ﻓﻠﺰ
و ﻛﺎﻫﺶ ﺳﺪ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮون ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺗﻮﻧﻞ زده و از ﺳﻄﺢ ﻓﻠﺰ ﺧﺎرج ﺷﻮد .در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﻣﻲﺗﻮان ﺷﺎر
ﺑﺰرﮔﻲ از اﻟﻜﺘﺮون اﻳﺠﺎد ﻛﺮد .ﻣﻘﺪار ﺑﺎر اﻳﺠﺎدﺷﺪه در اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ﺑﻪ ﻣﻴﺪان اﻋﻤﺎلﺷﺪه ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد .ﺑﺮاي
ﺑﺪﺳﺖآوردن ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻻ ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﻳﺪ از ﻓﻠﺰي ﺑﺎ ﻧﻮك ﺑﺴﻴﺎر ﺗﻴﺰ اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد و ﺑﺮاي ﺟﻠﻮﮔﻴﺮي از
اﻛﺴﻴﺪﺷﺪن ﺧﻼء ﺧﻴﻠﻲ ﺑﺎﻻ ﻧﻴﺰ ) (Ultra High Vacuumﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ .در ﻫﺮ دو ﺣﺎﻟﺖ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي
اﻳﺠﺎدﺷﺪه را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )ﻛﻪ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻋﺪﺳﻲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد(
در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺎ ﻣﺎده ﭘﺪﻳﺪهﻫﺎي ﻣﺘﻨﻮﻋﻲ روي ﻣﻲدﻫﺪ )ﺷﻜﻞ (3ﻛﻪ اﻧﻮاع ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲﻫﺎ
ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﻏﻴﺮاﻻﺳﺘﻴﻚ ﻛﻪ اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺨﺸﻲ از اﻧﺮژي ﺧﻮد را از دﺳﺖ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻮارد زﻳﺮ
اﺳﺖ:
ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ ﺑﺎر آزاد ﺳﻄﺤﻲ در ﻓﻠﺰات ﻛﻪ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﭘﻼﺳﻤﻮﻧﻲ ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد.
ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﺪار داﺧﻠﻲ ﻣﺎده ﻛﻪ در ﺗﻮﻟﻴﺪ اﺷﻌﻪ Xﻣﺸﺨﺼﻪ ﻣﺎده ﻧﻘﺶ دارد.
ﺟﺬب :در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ اﻟﻜﺘﺮون در ﺑﺮﺧﻮردﻫﺎي ﭘﻲ در ﭘﻲ ﺗﻤﺎم اﻧﺮژي ﺧﻮد را ﺑﻪ ﻣﺎده ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ.
66
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺎ ﻣﺎده اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﻫﺮﭼﻨﺪ ﺗﻔﻜﻴﻚ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي
اوﻟﻴﻪ ﻛﻢاﻧﺮژي و اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻋﻤﻼً دﺷﻮار اﺳﺖ .ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي
ﭘﺲﭘﺮاﻛﻨﺪهﺷﺪه ﻧﻴﺰ وﺟﻮد دارﻧﺪ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ از آﻧﻬﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ
در ﺑﺮﺧﻮرد اوﻟﻴﻪ ﺑﺎ ﻣﺎده ﻣﻮﺟﺐ ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺗﺮازﻫﺎي داﺧﻠﻲ ﻣﺎده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي
ﺗﻮﻟﻴﺪ اﻟﻜﺘﺮون اوژه و ﺗﻮﻟﻴﺪ اﺷﻌﻪ Xﻛﻪ ﺑﺎ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻫﺮﻛﺪام از آﻧﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺮﺧﻲ از وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي ﻣﺎده
را ﺑﺪﺳﺖ آورد .در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﺗﺮاز ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﻪﺷﺪه ﺗﺮاز ﺧﺎرﺟﻲ اﺗﻢ ﺑﺎﺷﺪ ،اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺎ ﮔﺴﻴﻞ ﻓﻮﺗﻮن ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ
67
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺣﺎﻟﺖ ﭘﺎﻳﻪ ﺑﺮﮔﺮدد .ﺷﻜﻞ ) (4ﺷﻤﺎﻳﻲ از ﺳﺎزو ﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد
.ﺷﻜﻞ ) (4ﺷﻤﺎﻳﻲ از ﺳﺎزو ﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد اﻟﻜﺘﺮون
ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري در ﺣﺎﻟﺖﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ
ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ
در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري وﺿﻮح ﺑﺎﻻ ،ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺣﺎﻟﺖﻫﺎي ﻓﻮق از ﻣﺪﻫﺎي دﻳﮕﺮي ﻧﻴﺰ ﺑﺮاي
68
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺴﻴﺮ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎ در ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ در ﺷﻜﻞ ) (7آورده ﺷﺪه اﺳﺖ .ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد ،از
ﺗﻤﺎم ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻋﺒﻮري ﺑﺮاي اﻳﺠﺎد ﺗﺼﻮﻳﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ .در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﻧﻤﻲﺗﻮان ﺗﺼﻮﻳﺮي ﺑﺎ وﺿﻮح ﺑﺎﻻ از
در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻴﺪان روﺷﻦ ) (Bright-Fieldﺗﻨﻬﺎ از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﭘﺮاﺷﻴﺪهﻧﺸﺪه ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد.
ﺷﻜﻞ ) (8ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻴﺪان روﺷﻦ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ.
در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﭘﺮاﺷﻴﺪه در ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺗﺼﻮﻳﺮ دﺧﺎﻟﺘﻲ ﻧﺪارﻧﺪ و درﻧﻬﺎﻳﺖ وﺿﻮح ﺗﺼﻮﻳﺮ اﻓﺰاﻳﺶ
ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ .ﺷﻜﻞ ) (9ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻴﺪان ﺗﺎرﻳﻚ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ .در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻨﻬﺎ
ﺑﺨﺸﻲ از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﭘﺮاﺷﻴﺪه ﺷﺪه از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ .در ﺣﺎﻟﺖ
ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻴﺪان ﺗﺎرﻳﻚ اﻏﻠﺐ از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻧﺸﺎنداده ﺷﺪه در ﺷﻜﻞ ) (9اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﺮﺧﻲ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎ
در آن ﺣﺬف ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روشﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازه ذرات ﻣﻲﺗﻮان
69
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
درﻣﻮرد ﻧﺎﺑﺠﺎﻳﻲﻫﺎ و ﻋﻴﻮب ﺷﺒﻜﻪ ﻧﻴﺰ دادهﻫﺎﻳﻲ ﺑﺪﺳﺖ آورد .در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي TEM/STEMاز روش
ﺑﺮرﺳﻲ ﻫﻢزﻣﺎن ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري و اﻧﻮاع دﻳﮕﺮ آﻧﺎﻟﻴﺰﻫﺎي ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺘﻔﺎده
ﻣﻲﺷﻮد.
70
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺮاﺟﻊ
1. www.matter.org.uk
2. B. Fultz and J.M. Howe, Transmission Electron Microscopy and Electron Diffraction
of Materials, Springer, 2001.
71
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﻬﺮان
ﻋﻀﻮ Hu-12A 7
ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﺑﻴﻮﺷﻴﻤﻲ و ﺑﻴﻮﻓﻴﺰﻳﻚ
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ
رزرو Zeiss900 8
داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ
72
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه 39ﻳﻚ روش آﻧﺎﻟﻴﺰ اﺳﺘﺎﻧﺪارد در ﻓﻴﺰﻳﻚ ﺳﻄﺢ و ﻓﺼﻞ ﻣﺸﺘﺮكﻫـﺎ اﺳـﺖ .ﺗﻤﻴـﺰ
ﺑﻮدن ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﺔ ﻣﻮرد ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ و ﺧﻼء ﻓﻮق ﺑﺎﻻ 40از ﺿﺮورﻳﺎت اﻳـﻦ روش ﻣـﻲ ﺑﺎﺷـﺪ .ﺧـﻼء ﻓـﻮق ﺑـﺎﻻ از اﻳـﻦ
ﺟﻬﺖ ﺿﺮورت دارد ﻛﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ در ﻣﺤﻴﻂ آزﻣﺎﻳﺶ ﺑﺎ ذرات ﻛﻤﺘﺮي ﺑﺮﺧﻮرد داﺷـﺘﻪ ﺑﺎﺷـﻨﺪ و ﻋـﻼوه ﺑـﺮ اﻳـﻦ
آﻟﻮدﮔﻲﻫﺎي ﻣﺤﻴﻂ ﻛﻤﺘﺮ ﺟﺬب ﺳﻄﺢ ﻣﻮرد ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺷﻮﻧﺪ .ﺳﺎﻳﺮ زﻣﻴﻨﻪﻫﺎي ﻣﻬـﻢ اﺳـﺘﻔﺎده از اﻳـﻦ روش ﻋﺒـﺎرت
اﺳﺖ از ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ روﻧﺪ رﺷﺪ ﻻﻳﻪ و ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺳﻄﺢ )ﺗﺤﻠﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ( و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ آﻧـﺎﻟﻴﺰ در راﺳـﺘﺎي ﻋﻤـﻖ
ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ .در ﻣﻮرد آﺧﺮ ﻻزم اﺳﺖ ﻫﺮ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﻃﻴـﻒﺳـﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘـﺮون اوژه ﺑـﺎ اﺳـﭙﺎﺗﺮﻧﻴﮓ ﻣﺘـﻮاﻟﻲ ﻧﻤﻮﻧـﻪ
ﻫﻤﺮاه ﺷﻮد].[4
در ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ AESﺗﺤﺮﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﺗﻮﺳﻂ ﺑﺎرﻳﻜﻪاي از اﻟﻜﺘﺮونﻫـﺎي ﻓـﺮودي ﻛـﻪ از ﻳـﻚ
ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻴﺮون ﻣﻲآﻳﻨﺪ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد .در ﻧﺘﻴﺠﺔ ﻓﺮآﻳﻨﺪ اوژه ،اﻟﻜﺘـﺮونﻫـﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳـﻪاي ﺑـﺎ ﺗﻮزﻳـﻊ اﻧـﺮژي
ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺗﻴﺰ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﻨﺪ .اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ از ﻟﺤﺎظ اﻧﺮژي ﺗﻮﺳﻂ ﺗﺤﻠﻴﻠﮕﺮﻫﺎي اﺳﺘﺎﻧﺪاردي آﺷﻜﺎرﺳـﺎزي
ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﻳﻜﻲ از اﻳﻦ ﺗﺤﻠﻴﻞﮔﺮﻫﺎ ،ﺗﺤﻠﻴﻞﮔﺮ آﻳﻨﻪاي اﺳﺘﻮاﻧﻪاي 41اﺳﺖ ﻛﻪ در اﻛﺜﺮ ﻣـﻮارد ﺑـﻪ ﻛـﺎر ﻣـﻲرود .ﺑـﻪ
دﻟﻴﻞ ﻣﺤﺪودﻳﺖ درﻋﻤﻖ ﻓﺮار اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي اوژه ،اﻳﻦ روش ،ﻳﻚ روش آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺴﺎس ﺑﻪ ﺳﻄﺢ اﺳﺖ .ﺑـﻪ ﻋﻨـﻮان
ﻣﺜﺎل ﻣﺸﺎﻫﺪة اﻟﻜﺘﺮون اوژهاي ﺑﺎ اﻧﺮژي 1000eVﺑﻪ ﻣﻌﻨﻲ ﻣﺸﺎﻫﺪة ﻋﻤﻘﻲ ﺑﻪ ﻃﻮل 15A oاﺳﺖ.
39
- Auegr Electron Spectroscopy (AES).
40
- Ultra High Vacuum (UHV).
41
- Cylindrical Mirror Analyzer (CMA).
73
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
درﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﺗﻮﺳﻂ AESﻣﻲ ﺗﻮان ﻋﻤﻘﻲ در ﺣﺪود 10-30A oرا ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻛـﺮد .اﺻـﻮل ﻓﺮآﻳﻨـﺪ اوژه در
ﺷﻜﻞ ) (2ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ .ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮون ﻓﺮودي اوﻟﻴﻪ ﻛﻪ اﻧﺮژي ﺑﻴﻦ 2-5keVدارد ﺑﺎ ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳـﻴﻮن ﺗـﺮاز
ﻫﺴﺘﻪاي ) kﻳﺎ (Lو ﺑﻴﺮون اﻧﺪاﺧﺘﻦ ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون ،ﻳﻚ ﺣﻔـﺮه در آن ﺗـﺮاز اﻳﺠـﺎد ﻣـﻲﻛﻨـﺪ .اﻟﻜﺘـﺮون ﻓـﺮودي و
اﻟﻜﺘﺮون ﺗﺮاز ﻫﺴﺘﻪاي ،اﺗﻢ را ﺑﺎ اﻧﺮژي ﻧﺎﻣﻌﻠﻮﻣﻲ ﺗﺮك ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ .در ﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺳـﺎﺧﺘﺎر اﻟﻜﺘﺮوﻧـﻲ اﺗـﻢ ﻳـﻮﻧﻴﺰه ﺷـﺪه
ﺑﺎزآراﻳﻲ ﻣﻲﺷﻮد و در اﻳﻦ ﺑﺎزآراﻳﻲ ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون از ﺗﺮازﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ اﻧﺮژي ﺑﺎﻻﺗﺮ اﻳﻦ ﺣﻔـﺮه را ﭘـﺮ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ .اﻳـﻦ
ﮔﺬار ﺑﺎ ﻣﻘﺪاري اﻧﺮژي ﻫﻤﺮاه اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ دو ﺻﻮرت ﭘﺪﻳﺪار ﺷﻮد .ﻳـﺎ ﻳـﻚ ﻓﻮﺗـﻮن Xﺗـﺎﺑﺶ ﻛﻨـﺪ ﻳـﺎ
اﻳﻨﻜﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﻲ ﺑﻪ ﻳﻜﻲ از اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ اﻧﺘﻘﺎل ﻳﺎﻳﺪ .اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮون ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ در ﻫﻤﺎن ﺗﺮاز اﻧـﺮژي ﻳـﺎ
ﺗﺮاز اﻧﺮژي ﺑﺎﻻﺗﺮي ﺑﺎﺷﺪ .در ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮون اﻧﺮژي ﻛﺎﻣﻼً ﻣﺸﺨﺼﻲ ﻣﻮﺳﻮم ﺑﻪ اﻧﺮژي اوژه دارد.
ﺷﻜﻞ -2ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﭘﺮﺗﻮ xو اﻟﻜﺘﺮون اوژه از ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻮن ﺗﺮاز ﻫﺴﺘﻪ اي اﺗﻢ و ﺑﺎزآراﻳﻲ ﻣﺠﺪد آن
از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮون ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﺎً ﺑـﻪ اﺧـﺘﻼف ﺗﺮازﻫـﺎي اﻧـﺮژي ﻫـﺴﺘﻪاي اﺗـﻢ ﺑـﺴﺘﮕﻲ دارد ﺑـﻪ
اﻧﺪازهﮔﻴﺮي اﻧﺮژي اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺮاي ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮدن ﻧﻮع اﺗﻢ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود .اﻧﺮژي اﻟﻜﺘـﺮون اوژه ﺑـﻪ ﺻـﻮرت
74
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﻪ در آن ﺣﻔﺮة اوﻟﻴﻪ در ﺗﺮاز Kاﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد ،ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون از ﺗﺮاز L 1اﻳﻦ ﺣﻔﺮه را ﭘﺮﻣﻲﻛﻨﺪ و اﻟﻜﺘﺮون
ﺗﺮاز L 2ﺑﻪ ﺻﻮرت اﻟﻜﺘﺮون اوژه از ﺳﻄﺢ ﺧﺎرج ﻣﻲﺷـﻮد .در ﻓﺮآﻳﻨـﺪ اوژه ﻫﻤـﻮاره دو ﺣﻔـﺮه ﻧﻬـﺎﻳﻲ ﺑـﺮ ﺟـﺎي
ﻣﻲﻣﺎﻧﻨﺪ ،وﻗﺘﻲ اﺗﻢ در ﻳﻚ ﺟﺎﻣﺪ ﻗﺮار داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ ،اﻳﻦ دو ﺣﻔﺮه ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ در ﻧﻮار ﻇﺮﻓﻴﺖ اﻳﺠﺎد ﺷﻮﻧﺪ].[4
در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﺷﺪت ﻛﻪ در ﻓﺮاﻳﻨﺪ اوژه ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ وﺿﻌﻴﺘﻲ اﺳـﺖ ﻛـﻪ دو ﺣﻔـﺮه
ﻧﻬﺎﻳﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪاي ﺑﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻟﺖ در ﻧﻮار ﻇﺮﻓﻴﺖ ﺑﻮﺟﻮد آﻣﺪه ﺑﺎﺷﻨﺪ.
ﺑﺮاي ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮي ﺑﺎ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ ﺧﺎص ﻳﻜﻲ از ﮔﺬارﻫﺎي اوژه ﺑﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ اﺣﺘﻤﺎل ﺑﻪ وﻗﻮع ﻣـﻲﭘﻴﻮﻧـﺪد ﻳـﺎ ﺑـﻪ
ﻋﺒﺎرﺗﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﺷﺪت ﺧﺮوﺟﻲ را دارد .ﺑﺮ ﻫﻤﻴﻦ اﺳـﺎس در اﻳـﻦ روش ﻫـﺮ ﻋﻨـﺼﺮ ﻳـﻚ اﻧـﺮژي اوژة اﺻـﻠﻲ و
اﻧﺮژيﻫﺎي اوژه ﻓﺮﻋﻲ دارد ﻛﻪ ﻫﻤﮕـﻲ ﻣﺎﻧﻨـﺪ اﺛـﺮ اﻧﮕـﺸﺖ ﺑـﻪ ﺷﻨﺎﺳـﺎﻳﻲ اﺗـﻢ ﻛﻤـﻚ ﻣـﻲﻛﻨﻨـﺪ .در ﺷـﻜﻞ )(3
اﻧﺮژيﻫﺎي اﺻﻠﻲ اوژه ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ ﻣﺸﺨﺺ ﺷﺪهاﻧﺪ .ﻧﻘﺎط ﭘﺮرﻧﮓ اﻧﺮژيﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ اﺣﺘﻤﺎل ﻫﺴﺘﻨﺪ.
ﺗﺠﻬﻴﺰات اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه ﺑﻪ ﻃﻮر ﺷـﻤﺎﺗﻴﻚ در ﺷـﻜﻞ ) (4ﻧـﺸﺎن داده ﺷـﺪهاﻧـﺪ .اﻳـﻦ
ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺷﺎﻣﻞ ﻳﻚ ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧـﻲ ﺑـﺎ اﻧـﺮژي 2-5kevرا ﺗﻮﻟﻴـﺪ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ .ﻳـﻚ
ﺗﺤﻠﻴﻞﮔﺮ آﻳﻨﻪاي اﺳﺘﻮاﻧﻪاي ﺑﺮاي ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮدن اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ و ﺗﻌـﺪاد آﻧﻬـﺎ ) ﻛـﻪ ﻣﻌـﺮف ﻏﻠﻈـﺖ ﻋﻨـﺼﺮ
ﻣــﻮرد ﻧﻈــﺮ اﺳــﺖ( ﺑــﻪ ﻛــﺎر ﻣــﻲرود .اﻳــﻦ ﺗﻔﻨــﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧــﻲ ﻣﻌﻤــﻮﻻً ﺑــﻪ ﺻــﻮرت ﻫــﻢﻣﺤــﻮر ﺑــﺎ CMAﻧــﺼﺐ
75
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﻲﺷﻮد..اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻳﻚ زﻣﻴﻨﺔ ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺑﺰرگ دارﻧﺪ و اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي اوژه ﺑـﻪ ﺻـﻮرت ﻗﻠـﻪﻫـﺎي ﻧـﻪﭼﻨـﺪان
ﺑﺰرﮔﻲ روي اﻳﻦ ﻃﻴﻒ زﻣﻴﻨﻪ ﻗﺮار دارﻧﺪ .ﻳﻚ ﭼﻨﻴﻦ ﻃﻴﻔﻲ در ﺷﻜﻞ) (5ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﺑﺮاي ﺑﺎرزﺗﺮ ﺷـﺪن
ﺷﻜﻞ -5زﻣﻴﻨﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ و ﻗﻠﻪ ﻫﺎي اوژه ﻛﻪ روي اﻳﻦ زﻣﻴﻨﻪ ﻗﺮار دارﻧﺪ
76
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
ﻳﻚ ﻃﻴﻒ اﻟﻜﺘﺮون اوژه اﻃﻼﻋﺎت ﻣﺘﻨﻮﻋﻲ در ﻣﻮرد ﺳﻄﺢ ﻻﻳﻪ ﻣﻮرد ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲ دﻫـﺪ .اﻣـﺎ اوﻟـﻴﻦ
اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﻣﻲ ﺗﻮان ﺑﻪ دﺳﺖ آورد ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮ و ﻏﻠﻈﺖ ﻧﺴﺒﻲ آن ﻋﻨﺼﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻣﻨﻈـﻮر ﻣﻮﻗﻌﻴـﺖ ﻗﻠـﻪ
اﺻﻠﻲ ) ﻗﻠﻪ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻣﺤﺘﻤﻞ ﺗﺮﻳﻦ ﮔﺬار اﻟﻜﺘﺮون اوژه( و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻗﻠﻪ ﻫﺎي ﻓﺮﻋﻲ آن ﻋﻨﺼﺮ را ﺑﺎﻳـﺪ ﺷﻨﺎﺳـﺎﻳﻲ
ﻛﺮد و ﺳﭙﺲ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻗﻠﻪ ﺗﺎ ﻗﻠﻪ در ﭘﻴﻚ اﺻﻠﻲ را در راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮد در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﻏﻠﻈﺖ ﻧﺴﺒﻲ اﻳﻦ ﻋﻨﺼﺮ
I A
∞
I
C A = A
× 100 %
Ii
∑
i ∞I i
ﻛﻪ در آن I Aﻓﺎﺻﻠﻪ ﻗﻠﻪ ﺗﺎ ﻗﻠﻪ ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ اﺳـﺖ و ∞ I Aﺿـﺮﻳﺐ ﺣـﺴﺎﺳﻴﺖ آن ﻋﻨـﺼﺮ و ﻫﻤﭽﻨـﻴﻦ
ﺟﻤﻊ در ﻣﺨﺮج ﻛﺴﺮ روي ﺗﻤﺎم ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻣﻮﺟﻮد در ﻃﻴﻒ ﺻﻮرت ﻣﻲ ﭘﺬﻳﺮد .ﺿﺮاﻳﺐ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻋﻨـﺼﺮ و
ﻧﻴﺰ ﺑـﻪ اﻧـﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬـﺎي ﻓـﺮودي ﺑـﺴﺘﮕﻲ دارد و ﻣﻌﻤـﻮﻻً ﺑـﺮاي اﻧﺮژﻳﻬـﺎي 3،5و 10 KeVوﺟـﻮد دارﻧـﺪ .در
77
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر اﻧﺠﺎم ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻋﻤﻖ 42ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ ،ﻣﻲﺗﻮان ﻳﻚ ﺗﻔﻨﮓ ﻳﻮﻧﻲ اﺳﭙﺎﺗﺮﻛﻨﻨﺪه در ﻣﺠـﺎورت CMAﻧـﺼﺐ
ﻛﺮد و ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﻫﻢزﻣﺎن ﺑﺎ اﺳﭙﺎﺗﺮﻧﻴﮓ از ﺳﻄﺢ آﻧﺎﻟﻴﺰ اوژه ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻋﻤﻞ آﻳﺪ .ﺑﺎ ﺛﺒﺖ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻗﻠﻪ ﺗﺎ ﻗﻠﻪ ﭘﻴﻚ ﻫﺮ
ﻋﻨﺼﺮ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ زﻣﺎن ) ﻳﺎ ﺗﺒﺪﻳﻞ زﻣﺎن اﺳﭙﺎﺗﺮﻳﻨﮓ ﺑﻪ ﻋﻤﻖ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ در دﺳﺖ داﺷﺘﻦ ﺳـﺮﻋﺖ اﺳـﭙﺎﺗﺮﻳﻨﮓ( رﻓﺘـﺎر
ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻋﻤﻖ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲ ﺷﻮد .از ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه ﻣﻲﺗﻮان اﻟﮕﻮي ﺗﻮزﻳﻊ اﺗﻤﻬﺎ در ﺳﻄﺢ
ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﻨﻈﻮر ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻓﺮودي در ﻣﺮاﺣﻞ ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺟﺎروب ﻣﻲﻛﻨـﺪ و در ﻫـﺮ ﻣﺮﺣﻠـﻪ ﻧﻘﻄـﺔ
ﺧﺎﺻﻲ را از ﻟﺤﺎظ ﻧﻮع و ﻏﻠﻈﺖ ﻋﻨﺼﺮ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﻧﻤﻮﻧﻪ ﭼﻨﻴﻦ ﺗﺼﻮﻳﺮي در ﺷﻜﻞ ) (9ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪهاﻧﺪ.
ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎ
ﻋﻠﻴﺮﻏﻢ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻي اﻳﻦ روش ﺑﻪ ﭼﻨﺪ ﻻﻳﻪ ،ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ UHVﺑﺮاي اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ ﻧﻮع
ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺑﺎﻋﺚ ﺷﺪه اﺳﺖ ﺗﺎ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي آن ﺑﻪ ﺑﺮﺧﻲ آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎهﻫﺎ ﻣﺤﺪود ﺷﻮد .زﻳﺮا ﺗﺠﻬﻴﺰات
ﮔﺮانﻗﻴﻤﺘﻲ ﺑﺮاي ﭼﻴﺪﻣﺎن آن ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ .ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ ،اﻳﻦ روش ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺗﺎ ﺑﻴﺶ از ﻋﻤﻖ nm
30ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻛﻨﺪ در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ روشﻫﺎﻳﻲ ﻣﺎﻧﻨﺪ XPSو XRDﻋﻤﻖ ﺑﻴﺸﺘﺮي را آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ].[5
42
- depth profiling
78
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
Cu-Ag-Sn-Bi و ﻧﻘﺎط ﺗﺤﻠﻴﻞ اوژه )ﭘﺎﻳﻴﻦ( ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري اوژه از ﺗﺮﻛﻴﺐSEM ﺑﺎﻻ( ﺗﺼﻮﻳﺮ-9ﺷﻜﻞ
ﻣﺮاﺟﻊ
1-http://www.jeoleuro.com.
2-http://www.cea.com
3 -http://www.siu.edu
4-Seah and et.al "Practical surface analysis" john wiley and sons, 1975.
79
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎي ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﻳﻮﻧﻲ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺗﺠﺎري در ﺣﺪود 10ﺳﺎل اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .در اﺑﺘﺪا
ﻛﺎرﺑﺮد آﻧﻬﺎ ﻓﻘﻂ در ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي ﺑﻮده اﺳﺖ .اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺷﺒﻴﻪ دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ
روﺑﺸﻲ ﻋﻤﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ ﺑﺎ اﻳﻦ ﺗﻔﺎوت ﻛﻪ در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي FIBﺑﻪ ﺟﺎي اﺷﻌﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ از اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي ﮔﺎﻟﻴﻢ
اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد.
دﺳﺘﮕﺎه FIBدر ﺟﺮﻳﺎﻧﻬﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي ﮔﺎﻟﻴﻢ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري و در ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ﺑﺎﻻي ﻳﻮنﻫﺎي
ﮔﺎﻟﻴﻢ ﺑﺮاي اﻫﺪاف ﺑﺨﺼﻮﺻﻲ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻣﺎﺷﻴﻦﻛﺎري و ﻳﺎ ﭘﺎﺷﺶ اﺗﻤﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ )(1
+
ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي Gaﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﻣﻘﺪاري از اﺗﻢﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ را ﺑﻪ ﺻﻮرت
ﻳﻮنﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ ﻳﺎ ﻣﻨﻔﻲ و ﻳﺎ ﺑﻪ ﺻﻮرت اﺗﻢﻫﺎي ﺧﻨﺜﻲ از ﺳﻄﺢ ﺧﺎرج ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ از ﺑﺮﺧﻮرد اﺷﻌﻪ ﻳﻮﻧﻬﺎي
از ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﻧﺎﺷﻲ از ﻳﻮنﻫﺎي ﺧﺎرج ﺷﺪه از ﺳﻄﺢ و ﻳﺎ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺑﺮداري اﺳﺘﻔﺎده
ﻣﻲﺷﻮد .در ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ ﻣﻘﺪار ﻛﻤﻲ از ﻣﺎده از ﺳﻄﺢ ﺧﺎرج و ﻛﻨﺪه ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻲﺗﻮان ﺗﺼﺎوﻳﺮي
ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭼﻨﺪ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺑﺪﺳﺖ آورد .در ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ﺑﺎﻻﺗﺮ ﻧﻴﺰ ﻣﻘﺪار زﻳﺎدي از ﺳﻄﺢ ﻛﻨﺪه ﻣﻲﺷﻮد و
80
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ از ﻳﻚ ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻛﻢ اﻧﺮژي ﺑﺮاي ﺧﻨﺜﻲﺳﺎزي اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ
ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ را ﺑﺪون ﭘﻮﺷﺶدﻫﻲ و رﺳﺎﻧﺎ ﻛﺮدن ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري و ﻳﺎ ﻣﺎﺷﻴﻦﻛﺎري ﻛﺮد.
81
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻗﺎﺑﻞ ذﻛﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي SEMﭘﻮﺷﺶدﻫﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز
ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﻋﻼوه ﺑﺮ اﺷﻌﻪ ﻳﻮﻧﻲ اوﻟﻴﻪ ،ﻣﻲﺗﻮان از اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻧﻴﺰ ﺑﺮ روي ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد .اﻳﻦ ﮔﺎزﻫﺎ
ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺑﺎ اﺷﻌﻪ ﮔﺎﻟﻴﻢ اوﻟﻴﻪ واﻛﻨﺶ داده و ﺑﻪ ﻋﻨﻮان اچ ﻛﻨﻨﺪه اﻧﺘﺨﺎﺑﻲ ﺳﻄﺢ ﺑﻪ ﻛﺎر روﻧﺪ و ﻳﺎ ﺑﺮاي
رﺳﻮبدﻫﻲ ﻣﻮاد رﺳﺎﻧﺎ و ﻳﺎ ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ ﺗﻮﺳﻂ اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي اوﻟﻴﻪ ﺑﻪ ﻛﺎر روﻧﺪ.
ﺗﺎ ﺑﻪ اﻣﺮوز ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﻛﺎرﺑﺮد دﺳﺘﮕﺎه FIBدر ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي ﺑﻮده اﺳﺖ .ﺑﺮﺧﻲ از اﻳﻦ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ
از :آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻴﻮب ،ﺑﻬﺴﺎزي ﻣﺪار ،ﺗﻌﻤﻴﺮ ﻣﺎﺳﻚﻫﺎ و آﻣﺎده ﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي .TEM
اﻣﺮوزه FIBﻫﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻﻳﻲ دارﻧﺪ و ﻣﻲﺗﻮان از آﻧﻬﺎ ﺑﺮاي ﻣﺎﺷﻴﻦﻛﺎري ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ ﺑﻪ ﺻﻮرت درﺟﺎ
اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮده و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ در ﺣﻴﻦ ﻣﺎﺷﻴﻨﻜﺎري از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻛﺮد .ﻋﻼوه ﺑﺮ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي FIBدر
ﻧﻴﻤﻪﻫﺎديﻫﺎ اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه در ﻋﻠﻢ ﻣﻮاد ﻧﻴﺰ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر زﻳﺎدي دارد .از ﻗﺒﻴﻞ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي رﺷﺪ ﺗﺮك ،ﺗﻐﻴﻴﺮ
-2رﺳﻮبدﻫﻲ ﻓﻠﺰات
82
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺮاﺟﻊ
1- http://www.fibics.com
2- http://www.iisb.fraunhofer.de/
83
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
84
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﺻﻮل ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ
اﻳﻦ روش راﻳﺞ ﻣﺸﺨﺼﻪﺳﺎزي ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺎزك ،ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻳﻮﻧﻲ ﺳﺒﻚ و ﭘﺮاﻧﺮژي ) ﭼﻨﺪ ﺻـﺪ
ﻣﮕﺎ اﻟﻜﺘﺮون وﻟﺖ( اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد .ﭼﻨﻴﻦ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎﻳﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﻫﺰاران آﻧﮕﺴﺘﺮم ﻳﺎ ﺣﺘﻲ ﭼﻨﺪ ﻣﻴﻜﺮون ﺑﻪ ﻋﻤﻖ ﻻﻳﻪ
و ﻳﺎ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻻﻳﻪ /زﻳﺮﻻﻳﻪ ﻧﻔﻮذ ﻛﻨﻨﺪ .اﻳﻦ ﭘﺮﺗﻮﻫـﺎ ﺑﺎﻋـﺚ ﻛﻨـﺪوﭘﺎش ﺟﺰﻳـﻲ اﺗـﻢﻫـﺎي ﺳـﻄﺢ ﺷـﺪه و در ﻋـﻮض
ﻳﻮﻧﻬﺎي ﻓﺮودي اﻧﺮژي ﺧﻮد را از ﻃﺮﻳﻖ ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻴﻮن و ﺗﺤﺮﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي اﺗﻤﻬﺎي ﻫﺪف از دﺳﺖ ﻣﻲدﻫﻨﺪ .اﻳﻦ
ﺑﺮﺧﻮردﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ آﻧﻘﺪر زﻳﺎد اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﮔﻔﺖ اﻓﺖ اﻧـﺮژي ﺣﺎﺻـﻠﻪ ﻫﻤـﻮاره ﺑـﺎ ﻋﻤـﻖ ﻣـﺎده ﻣﻨﺎﺳـﺐ
اﺳﺖ .از ﺗﺤﻠﻴﻞ اﻓﺖ اﻧﺮژي ﻳﻮن ﻫﺎي ﺑﺎزﮔﺸﺘﻲ ﻣﻲﺗﻮان اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ راﺟﻊ ﺑﻪ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﻳﻪ و ﻧﻮع ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﻪ دﺳـﺖ
آورد.
از ﻗﺪﻳﻢ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﺣﺎﺻﻞ از داﻓﻌﻪ ﻛﻮﻟﻨﻲ ﺑﻴﻦ ﻳﻮﻧﻬﺎ و ﻫﺴﺘﻪ را در ﻓﻴﺰﻳﻚ ﻫﺴﺘﻪاي ﺑﺎ ﻧﺎم ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ
راﺗﺮﻓﻮرد ﻣﻲﺷﻨﺎﺧﺘﻨﺪ .دﻟﻴﻞ آﻧﻜﻪ اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ﺗﺎ اﻳﻦ ﺣﺪ در ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻻﻳﻪﻫﺎ )ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺎزك و ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮي( ﻣﻮﻓﻘﻴﺖ
آﻣﻴﺰ ﺑﻮده آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ اﻻﺳﺘﻴﻚ )ﻛﺸﺴﺎن( در ﺟﺴﻢ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻛﻼﺳﻴﻚ ﻋﻤﻠﻲ اﺳﺖ و ﻫﻤﻴﻦ اﻣﺮ
ﺑﺎﻋﺚ ﺷﺪه ﺗﺎ RBSﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻜﻲ از روﺷﻬﺎي ﺗﺤﻠﻴﻠﻲ آﺳﺎن و ﻗﺎﺑﻞ ﻓﻬﻢ درآﻳﺪ.
در ﺷﻜﻞ 1ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﻛﻠﻲ RBSﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ .ﻳﻮﻧﻬﺎي ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﺜﻼً 4N+،2C+،4He+ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ
85
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺷﺘﺎﺑﺪﻫﻨﺪه واﻧﺪوﮔﺮاف 43و ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻻ ﺷﺘﺎب داده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﭘﺲ از ورود ﺑﻪ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺧﻼء ﺑﺼﻮرت ﻣﻮازي
درآﻣﺪه و ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ و در ﻧﻬﺎﻳﺖ ﭘﺪﻳﺪه اﻧﺘﺨﺎب ﺟﺮم ﻳﻮﻧﻲ 44ﺻﻮرت ﻣﻲﭘﺬﻳﺮد .ﻳﻮﻧﻬﺎي ﺑﺎزﭘﺮاﻛﻨﺪه ﻫﻢ
ﺑﺮاﺳﺎس اﻧﺮژي ﺧﻮد ﺗﻮﺳﻂ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻮرد ﺗﺠﺰﻳﻪ و ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ .اﻳﻦ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻗﺎدر اﺳﺖ ﻳﻮﻧﻬﺎﻳﻲ
ﺗﺎ اﻧﺮژي 15KeVرا از ﻫﻢ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻧﻤﺎﻳﺪ .ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ و ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭼﻨﻴﻦ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ﭘﺎﻟﺴﻬﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ
ﺗﻘﻮﻳﺖ ﺷﺪه و ﺑﺮﺣﺴﺐ اﻧﺮژي ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ آﻧﺎﻟﻴﺰور در ﭼﻨﺪ ﻛﺎﻧﺎل ذﺧﻴﺮه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ﻛﻪ در ﻧﻬﺎﻳﺖ ﻃﻴﻒ RBSرا
ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻣﻲدﻫﺪ .در ﺷﻜﻞ) (2ﻧﻴﺰ ﺗﺼﻮر ﺷﺘﺎﺑﺪﻫﻨﺪه ﻳﻮﻧﻲ و اﺑﺰارﻫﺎي RBSﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ.
1-Van de Graaff
86
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
در ﻃﻴﻒ RBSﺳﻄﺢ زﻳﺮ ﻗﻠﻪ ﻃﻴﻔﻲ ،ﻧﺸﺎندﻫﻨﺪه ﺗﻌﺪاد اﺗﻤﻬﺎي ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻋﻨـﺼﺮ داده ﺷـﺪه و در ﻧﺎﺣﻴـﻪ ﻳـﺎ
ﻻﻳﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ اﺳﺖ .ارﺗﻔﺎع ﻗﻠﻪ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﺎ ً ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ ﻏﻠﻈﺖ اﺗﻤﻲ اﺳﺖ و اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴـﺐ ﺑﺪﺳـﺖ
ﻣﻲآﻳﻨﺪ از درﺟﻪ دﻗﺖ ﺑﺎﻻﻳﻲ ﺑﺮﺧﻮردار ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺑﻮد و در ﻧﺘﻴﺠﻪ RBSرا ﻣﻲﺗﻮان راﻫﻲ ﺑـﺮاي ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﺿـﺨﺎﻣﺖ
ﻻﻳﻪ داﻧﺴﺖ .در ﺷـﻜﻞ) (3ﻃﻴـﻒ RBSﻣﺮﺑـﻮط ﺑـﻪ PdCu/Siﻧـﺸﺎن داده ﺷـﺪه اﺳـﺖ .رﻧـﮓ آﺑـﻲ ﻣﺮﺑـﻮط ﺑـﻪ
ﺷﺒﻴﻪﺳﺎزي راﻳﺎﻧﻪاي اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ورودي ﺑﺮﻧﺎﻣﻪ از ﺟﻤﻠﻪ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﺎزﺳﺎزي ﺷﺪه اﺳﺖ.
در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﺑﺎ دﻗﺖ %5ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻌﻴﻴﻦ اﺳﺖ ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﻨﻈـﻮر ﻣﻌﻤـﻮﻻًَ ﻃﻴـﻒ ﺑﺪﺳـﺖ آﻣـﺪه را ﺑـﻪ
ﻛﻤﻚ ﻧﺮماﻓﺰارﻫﺎي راﻳﺎﻧﻪاي ﺑﺎزﺳﺎزي ﻣﻲ ﻛﻨﻨﺪ و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻫﺮ ﻛﺪام از ﻣﻮاد ﻗﺎﺑـﻞ ﺗﻌﻴـﻴﻦ
اﺳﺖ.
87
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﺻﻮﻻ ﺗﻤﺎﻣﻲ ﻋﻨﺎﺻﺮ و اﻳﺰوﺗﻮپﻫﺎي ﮔﺮوه Liو ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﺎﻻﻳﻲ آن در ﺟﺪول ﺗﻨﺎوﺑﻲ را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي
4
آﺷﻜﺎر ﻧﻤﻮد .آﻧﭽﻪ ﻣﻬﻢ اﺳﺖ روﺷﻦ ﻛﺮدن وﺿﻌﻴﺖ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻣﺠﺎور اﺳﺖ ﻛﻪ آن ﻫﻢ در ﻧﻬﺎﻳﺖ He+ ﻳﻮﻧﻲ
ﺑﺴﺘﮕﻲ ﺑﻪ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ آﺷﻜﺎر ﺳﺎز دارد .ﺑﻄﻮرﻛﻠﻲ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻳﻮﻧﻲ 4He+ﻛﻪ اﻧﺮژي 2MeV
در RBS دارﻧﺪ ﺗﻨﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان اﻳﺰوﺗﻮﭘﻬﺎﻳﻲ ﺑﺎ ∆ M =1آﻧﻬﻢ ﺑﺎ ﺟﺮم اﺗﻤﻲ ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﻛﻤﺘﺮ از 40ﺟﺪا ﻧﻤﻮد .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ
از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻳﻮﻧﻲ ﻣﮕﺎ اﻟﻜﺘﺮون وﻟﺘﻲ ) (MeVرا ﺗﻨﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺮ ﻧﻘﺎﻃﻲ ﺑﻪ ﻗﻄﺮ ﻳﻚ ﻣﻴﻠﻴﻤﺘﺮ و ﻧﻈﻴـﺮ
آن ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﻛﺮد RBSﺳﻄﺢ زﻳﺎدي را ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﻨﺪ .ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺗﻔﻜﻴـﻚ ﻋﻤﻘـﻲ اﻳـﻦ روش در ﺣـﺪ20
ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ اﺳﺖ اﻣﺎ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ آراﻳﺶ ﻫﻨﺪﺳﻲ آﺷﻜﺎرﺳﺎزي آن را ﻣﻲﺗـﻮان ﺑﺎﻧـﺪازه 2ﻧـﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻛـﺎﻫﺶ داد .اﺳـﺘﻔﺎده از
RBSﺑﻄﻮر ﺿﻤﻨﻲ ﺑﻴﺎﻧﮕﺮ ﻣﺴﻄﺢ ﺑﻮدن ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﻻﻳﻪ زﻳﺮﻳﻦ اﺳﺖ وﺳﻄﻮح ﻫﻤﻮار ،ﻗﻠﻪﻫﺎي RBS
ﭘﻬﻦﺗﺮي ﻫﻢ دارﻧﺪ.
88
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻋﻤﻘﻲ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﺑﺮرﺳﻲ آن ﭘﺮداﺧﺖ ﺑﻪ ﻣﻮاردي از ﻗﺒﻴﻞ ﻧﻮع ﭘﺮﺗـﻮ ﻳـﻮﻧﻲ ﺑﻜـﺎر رﻓﺘـﻪ ،اﻧـﺮژي
ﻋﻠﻴﺮﻏﻢ ﺗﻤﺎم ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺑﻴﺎن ﺷﺪ RBSروﺷﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻫﺮ ﺟﺎ ﻣﻤﻜﻦ ﺑﺎﺷﺪ اﺳﺘﻔﺎده از آن ﺗﺮﺟﻴﺢ
دارد و ﻋﻠﺖ اﺻﻠﻲ اﻳﻦ اﻣﺮ ﻫﻢ آن اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ ﻳﻚ روش ﻛﻤﻲ اﺳﺖ و ﺑـﻪ اﺳـﺘﺎﻧﺪاردﻫﺎي ﻣﺮﺑـﻮط ﺑـﻪ ﻋﻨﺎﺻـﺮ
ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻧﻴﺎزي ﻧﺪارد ﺿﻤﻦ آﻧﻜﻪ ﺑﻄﻮر ﻫﻤﺰﻣﺎن اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ از ﺿﺨﺎﻣﺖ و ﻋﻤﻖ ﻻﻳﻪ ﺑﻪ ﻣﺎ ﻣﻲدﻫﺪ.
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي RBS
-4ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻣﻮاد ﻣﺮﻛﺐ)ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻓﺎز ،ﻻﻳﻪﻫﺎي آﻟﻴﺎژي ،اﻛﺴﻴﺪﻫﺎ ،ﺳﺮاﻣﻴﻜﻬﺎ و ﻏﻴﺮه(.
ﻣﺮاﺟﻊ
١-Milton Ohring, The Materials Science of Thin Films , Academic Press, New York, 1992.
٢-http://www.ae.gatech.edu/labs/windtunl/expaero/nrwake.html
٣-http://etigo.nagaokaut.ac.jp/english/machine/rbs.htm
٤- www.masatest.com
89
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
45
-10-2ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ )(XRD
ﻧﺎﺣﻴﻪ ﭘﺮﺗﻮ xدر ﻃﻴﻒ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ در ﻣﺤﺪوده ﺑﻴﻦ ﭘﺮﺗﻮ γو ﭘﺮﺗﻮ ﻓﺮاﺑﻨﻔﺶ ﻗﺮار دارد .ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻳـﻦ
ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻃﻴﻔﻲ ﻣﻲﺗﻮان اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ در ﺧﺼﻮص ﺳﺎﺧﺘﺎر ،ﺟﻨﺲ ﻣﺎده و ﻧﻴﺰ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﺪﺳﺖ آورد .از اﻳـﻦ
اﮔﺮ ﻳﻚ دﺳﺘﻪ اﻟﻜﺘﺮون ﺳﺮﻳﻊ و ﭘﺮاﻧﺮژي ﺑﻪ ﻳﻚ ﻫﺪف ﻓﻠﺰي در ﻳﻚ ﻟﻮﻟﻪ ﺗﺨﻠﻴﻪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻛﻨﺪ .اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ
در اﻳﻦ ﺑﺮﺧﻮرد ﺳﺮﻋﺖ ﺧﻮد را از دﺳﺖ داده و ﻗﺴﻤﺘﻲ از اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﻲ آﻧﻬﺎ ﺑﻪ ﭘﺮﺗﻮ xﺗﺒﺪﻳﻞ ﻣﻲﮔﺮدد .ﭘﺮﺗﻮ
ﺣﺎﺻﻞ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﻲﺷﻮد داراي ﺣﺪاﻗﻞ ﻃﻮل ﻣﻮج و ﻳﺎ ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ اﺳﺖ
ﻛﻪ ﺑﻪ ﺣﺪاﻛﺜﺮ اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻮده و از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﭘﻴﺮوي ﻣﻲﻛﻨﺪ:
hc 12400
λ min = = Ao
Ve V
ﻛﻪ در آن Vوﻟﺘﺎژ ﺳﺮﻋﺖ دﻫﻨﺪه در ﻃﻮل ﻟﻮﻟﻪ e ،ﺑﺎر اﻟﻜﺘﺮون h ،ﺛﺎﺑﺖ ﭘﻼﻧﻚ υ ،ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ و Cﺳـﺮﻋﺖ
ﻧﻮر اﺳﺖ .ﻃﻮل ﻣﻮج ﻣﺎﮔﺰﻳﻤﻢ در ﻃﻴﻒ ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ 1/5ﺑﺮاﺑﺮ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻣﻴﻨﻴﻤﻢ اﺳﺖ و ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ ﺑﺮ ﺣـﺴﺐ A o
ﻫﺴﺘﻨﺪ] .[2
1-X-Ray Diffraction
90
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻲﺗﻮان اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ را ﺑﻪ ﺣﺪي رﺳﺎﻧﺪ ﻛﻪ ﻗﺎدر ﺑﺎﺷﺪ ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون از ﺗﺮاز اﻧـﺮژي k
اﺗﻢ ﻫﺪف ﺧﺎرج ﻛﻨﺪ .در ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻟﻜﺘﺮون ﺗﺮاز Lﺟﺎي ﺧﺎﻟﻲ اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮون را ﭘﺮ ﻣﻲﻛﻨـﺪ و ﻳـﻚ ﻓﻮﺗـﻮن ﭘﺮﺗـﻮ x
ﺧﺎرج ﻣﻲﮔﺮدد .ﺑﺪﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﻃﻴﻒ ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﭘﺮﺗﻮ xﺷﺎﻣﻞ ﻳﻚ ﺧﻂ ﻃﻴﻔﻲ ﻳﺎ ﺧﻂ وﻳـﮋه ﻋﻨـﺼﺮ ﻣﺮﺑﻮﻃـﻪ ﺧﻮاﻫـﺪ
ﺑﻮد ﻛﻪ آن را k αﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ .اﻧﺮژي اﻳﻦ ﺧﻂ وﻳﮋه ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻌﺎدﻟﻪ زﻳﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﮔﺮدد:
E κα = E L -E κ
ﺳﺎﻳﺮ ﺟﻬﺶﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ از ﺗﺮازﻫـﺎي ﺑـﺎﻻﺗﺮ ،ﻣﺎﻧﻨـﺪ ﺟﻬـﺶ ، M → Kﻣﻮﺟـﺐ ﭘﻴـﺪاﻳﺶ ﺧـﻂ ﻃﻴﻔـﻲ
ﺑﺎ روش ﭘﺮاش ﭘﺮﺗﻮ xﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ را ﻣـﻲﺗـﻮان ﺟـﺪا ﺳـﺎﺧﺘﻪ و اﻧـﺪازهﮔﻴـﺮي ﻧﻤـﻮد .ﭼـﻮن ﻃـﻮل
ﻣﻮجﻫﺎي ﭘﺮﺗﻮ xﺑﺎ ﻓﻮاﺻﻞ ﺑﻴﻦ اﺗﻢﻫﺎ در ﻣﻮاد ﺑﻠﻮري ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ،ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻮاد ﺑﻠﻮري ﺑـﺮاي ﭘﺮﺗـﻮ xﻣـﻲﺗﻮاﻧﻨـﺪ
ﻧﻘﺶ ﺗﻮري ﭘﺮاش را اﻳﻔﺎ ﻛﻨﻨﺪ .در ﺷﻜﻞ 1ﺑﺨﺸﻲ از ﺗﺎﺑﺶ ﭘﺮﺗﻮ xﺑﻪ ﺳـﻄﺢ ﺑﻠـﻮر ﺗﻮﺳـﻂ اﺗـﻢﻫـﺎي اوﻟـﻴﻦ ﻻﻳـﻪ
ﭘﺨﺶ ﺷﺪه اﺳﺖ و ﻗﺴﻤﺖ دﻳﮕﺮ آن ﺗﻮﺳﻂ ﻻﻳﻪ دوم ﭘﺨﺶ ﻣﻲﮔﺮدد و اﻟﻲ آﺧـﺮ .ﻃﺒـﻖ راﺑﻄـﻪ ﺑـﺮاگ 46ﭘﺪﻳـﺪه
ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ و ﭘﺨﺶ ﺗﺪاﺧﻞ ﺳﺎزﻧﺪه ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ ﺑﻪ ﺷﺮح زﻳﺮ ﺑﻴﺎن ﻣﻲﺷﻮد:
AB+BC=n λ
راﺑﻄﻪ اﺻﻠﻲ ﺑﺮاگ ﮔﻮﻳﺎي اﻳﻦ ﻣﻄﻠﺐ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﭘﺮﺗﻮ ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ ﺷﺪه از دو ﺳﻄﺢ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﻠﻮرﻫﺎ زﻣﺎﻧﻲ
46
- Bragg
91
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ اﺧﺘﻼف دو ﻣﺴﻴﺮ ﺑﺮاي دو ﺗﺎﺑﺶ ﻧﻮراﻧﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻀﺮب ﻛﺎﻣﻠﻲ از ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﺎﺷﺪ].[4
-1از ﺗﻚ ﺑﻠﻮرﻫﺎي ﺑﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﻨﺪﺳﻲ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺗﻜﻔﺎم ﺳﺎز در ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞﻫﺎي ﭘﺮﺗﻮ x
ﭘﺮﺗﻮ از ﺻﺎﻓﻲ Fو ﻣﻮازي ﻛﻨﻨﺪه Cﺑﺮاي ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ xوارد ﻣﻲﺷﻮد .ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺮﻛﺰي ﻣﻨﺤﺮف ﻧﺸﺪه از داﺧﻞ ﺳـﻮراخ Eﻛـﻪ
در ﻓﻴﻠﻢ Pﺗﻌﺒﻴﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ﺧﺎرج ﻣﻲﺷﻮد .ﭘﺮﺗﻮ ﭘﺮاﺷﻴﺪه ﺑﺮ روي ﻓﻴﻠﻢ در ﻧﻘﺎط d 1و d 2و ﻏﻴﺮه اﺛﺮ ﻣﻲﮔﺬارد.
92
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
-2ﻃﺮح ﭘﺮاش اﻳﺠﺎد ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﺟﺴﻢ ﺑﻠﻮري ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ آن ﺟﺴﻢ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود.
-3در ﺑﻠﻮرﺷﻨﺎﺳﻲ ،ﻃﺮحﻫﺎي ﺣﺎﺻﻞ از ﺗﻌﺪاد زﻳﺎدي اﺗﻢ در ﺟﻬﺖﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠـﻒ ،ﻣـﻲﺗﻮاﻧـﺪ ﺟﺰﺋﻴـﺎت ﻃـﺮح
ﺳﺎﺧﺘﻤﺎﻧﻲ اﺗﻢﻫﺎ در ﺑﻠﻮر را ﻧﺸﺎن دﻫﺪ و ﺑﻨـﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣـﻲﺗـﻮان اﻃﻼﻋـﺎت دﻗﻴﻘـﻲ در ﻣـﻮرد ﺷـﻜﻞ ﺳـﺎﺧﺘﻤﺎﻧﻲ
ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه ﭘﺮاش ﻛﻪ ﺑﺎ ﺷﺒﻜﻪ ﭘﺮاش ﺑﻠﻮري ﺑﺎ ﻓﻮاﺻﻞ ﻣﺸﺨﺺ و ﻣﻌﻠﻮم ﻛﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﺗﺤﺖ ﻋﻨﻮان
ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﭘﺮﺗﻮ xﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد ،دﻗﻴﻘﺎً ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺷﺒﻜﻪاي ﻧﻮرﻣﺮﺋﻲ اﺳﺖ .ﻏﺎﻟﺒﺎً ،ﺑﺮاي ﭘﻮﺷﺶ ﺗﻤﺎم ﻧﺎﺣﻴﻪ
ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻲ ،ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺗﺠﺰﻳﻪﮔﺮ ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ و ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺘﻮان آﻧﻬﺎ را ﺑﺎ دﻗﺖ ﻓﺮاوان ﺑﺮ ﭘﺎﻳﻪاي ﺳﻮار و
ﺗﻌﻮﻳﺾ ﻧﻤﻮد .ﻣﺆﺛﺮ ﺑﻮدن ﻳﻚ ﺑﻠﻮر در ﺟﺪا ﻛﺮدن ﺗﺎﺑﺶﻫﺎي ﻋﻨﺎﺻﺮ ،ﺗﻮﺳﻂ ﻧﻤﻮدار ﭘﺮاش ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﮔﺮدد
)ﺷﻜﻞ .(3اﻳﻦ ﻧﻤﻮدار از ﺗﺮﺳﻴﻢ زاوﻳﻪ اﻧﺤﺮاف ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺷﺪه روي زاوﻳﻪ ﻳﺎب 47ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ Zﻋﻨﺼﺮ
47
- Goniometer
93
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
در ﻣﻮاد ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ ،ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ ﺗﻔﺮق اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﺻﻔﺤﺎت ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ.
ﻣﻔﻴﺪﺗﺮﻳﻦ اﻟﮕﻮ ﺑﺮاي اﺳﺘﻔﺎده از روش XRDﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﻧﺪازه داﻧﻪ ،اﺳﺘﻔﺎده از ﻋﺮض ﭘﻴﻚ ﻣﺎﻛﺰﻳﻤﻢ در
ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ در ﻧﺼﻒ ارﺗﻔﺎع ﺑﻪ ﺗﻌﺪاد ﺻﻔﺤﺎت اﻧﻌﻜﺎسدﻫﻨﺪه ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد .ﻓﺮﻣﻮل ﺷﺮر ،48اﻧﺪازه
داﻧﻪ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ را ﺑﺮﺣﺴﺐ ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ ﺗﻔﺮق اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ در ﻧﺼﻒ ارﺗﻔﺎع و ﺳﺎﻳﺮ ﺷﺮاﻳﻂ ﺗﻔﺮق ﻣﻲدﻫﺪ.
0 .9 λ
=D
Bp
در اﻳﻦ راﺑﻄﻪ D ،اﻧﺪازه داﻧﻪ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ λ ،ﻃﻮل ﻣﻮج اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ و Bpﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ ﻣﺎﻛﺰﻳﻤﻢ در ﻧﺼﻒ ارﺗﻔﺎع
آن اﺳﺖ.
ﻗﺎﺑﻞ ذﻛﺮ اﺳﺖ ﺑﺮاي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي دﻗﻴﻖ اﻧﺪازه داﻧﻪﻫﺎ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ آﻧﺎﻟﻴﺰ ،XRDﺑﺎﻳﺪ اﺛﺮ ﻛﺮﻧﺶ
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
48
- Scherrer
94
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
-4ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﺎﺧﺘﺎري ﺷﺎﻣﻞ :ﭘﺎراﻣﺘﺮﺷﺒﻜﻪ ،اﻧﺪازه و ﺷﻜﻞ داﻧﻪ ،ﻛﺮﻧﺶ ،ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻓﺎز و ﺗﻨﺶ داﺧﻠﻲ
-5در روش XRDﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از راﺑﻄﻪ ﺷﺮر ﻣﻲﺗﻮان در ﺷﺮاﻳﻂ ﺧﺎص اﻧﺪازه داﻧﻪﻫﺎي ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮي را ﺗﻌﻴﻴﻦ
ﻛﺮد.
ﻣﺮاﺟﻊ
-7دﻛﺘﺮ ﻋﻠﻲ ﻣﻌﺼﻮﻣﻲ ،ﺷﻴﻤﻲ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ،داﻧﺸﮕﺎه آزاد اﺳﻼﻣﻲ ﺗﻬﺮان ﺷﻤﺎل. 1374 ،
-8دﻛﺘﺮﭘﺮوﻳﺰﻣﺮﻋﺸﻲ ،ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻬﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ و روﺷﻬﺎي ﻧﻮﻳﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰاﺑﺰارﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ دﻧﻴﺎي ﻧﺎﻧﻮ ،داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻢ
و ﺻﻨﻌﺖ اﻳﺮان. 1383 ،
95
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
داﻧﺸﮕﺎه ﻛﺎﺷﺎن
ﻋﻀﻮ X Pert Prompd 8
آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ
96
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﻬﺮان
رزرو - 12
ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻣﺘﺎﻟﻮرژي و ﻣﻮاد
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ
رزرو D-500 14
داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ
97
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
روش ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﭘﺮﺗﻮ (XRF) Xﻳﺎ ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﻳﻜﻲ از روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي اﺳﺖ ﻛﻪ اﻣﺮوزه
از آن ﺑﻪ ﻃﻮر وﺳﻴﻌﻲ در ﺻﻨﻌﺖ و ﻣﺮاﻛﺰ ﭘﮋوﻫﺸﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .اﻳﻦ روش ،ﺑﻪ وﻳﮋه ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ﺳﺮﻋﺖ زﻳﺎد در
ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮي ،ﺑﺮاي ﺑﺮﺧﻲ از ﺻﻨﺎﻳﻊ ،ﺿﺮوري اﺳﺖ .در اﻳﻦ روش ،ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺗﺎﺑﻴﺪه و ﺑﺎ
ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﻦ اﺗﻢﻫﺎ ﺑﺎﻋﺚ ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﺎ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻳﺎ اﻧﺮژي ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ،
اﺳﺎس ﻛﺎر
ﭘﺮﺗﻮ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺪﻳﺪ آوردﻧﺪه ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲﺗﺎﺑﺪ و در اﺛﺮ ﺑﻤﺒﺎران ،اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در
ﻣﺪارﻫﺎي داﺧﻠﻲ اﺗﻢ ﺧﺎرج ﺷﺪه و ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻨﻲ اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ از ﻣﺪارﻫﺎي ﺑﺎﻻﻳﻲ ،ﺳﺒﺐ ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ
)ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ( ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ .اﺳﺎس اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ،ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺣﺎﻟﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﺗﻮﺳﻂ اﻟﻜﺘﺮون ﺑﻤﺒﺎران ﻣﻲﺷﺪ.
ﺷﻜﻞ 1اﺟﺰاي ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ .ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻛﻪ در
ﺣﻘﻴﻘﺖ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل اﺳﺖ ﭘﺲ از ﻋﺒﻮر از ﺟﻤﻊ ﻛﻨﻨﺪه )ﻛﻠﻴﻤﺎﺗﻮر( ،ﺑﻪ
98
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺟﻤﻊ ﻛﻨﻨﺪه داراي ﭼﻨﺪ ورﻗﻪ ﻣﻮازي اﺳﺖ ﻛﻪ وﻇﻴﻔﻪ ﺟﻤﻊ ﻛﺮدن و ﻣﻮازي ﻧﻤﻮدن ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ را ﺑﺮ ﻋﻬﺪه دارد.
ﻫﺪف از ﻗﺮار دادن ﭼﻨﻴﻦ ﻗﺴﻤﺘﻲ در ﻣﺴﻴﺮ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ،ﻣﺠﺒﻮر ﻧﻤﻮدن آن ﺑﻪ ﺣﺮﻛﺖ ﻣﻮازي و ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ زاوﻳﻪ
ﻣﺸﺨﺺ ﺑﻪ ﺑﻠﻮر ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﭘﺮﺗﻮ ﺑﺮﺧﻮرد ﻛﻨﻨﺪه ﺑﻪ ﺑﻠﻮر ،ﮔﺴﺘﺮدهاي از ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎﺳﺖ ،ﻛﻪ ﻫﺮ ﻛﺪام ﺑﻪ ﻳﻚ
ﻋﻨﺼﺮ ﺗﻌﻠﻖ دارد .اﮔﺮ اﻳﻦ ﮔﺴﺘﺮه ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﻪ داﺧﻞ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻓﺮﺳﺘﺎده ﺷﻮد ،ﻧﻤﻲﺗﻮان ﺷﺪت ﻫﺮ ﻳﻚ از
ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد .ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﺑﺎﻳﺪ آﻧﻬﺎ را ﭘﻴﺶ از ارﺳﺎل ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ،ﺗﻮﺳﻂ ﻗﺴﻤﺘﻲ ،ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل
ﻳﻚ ﺑﻠﻮر ،ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻛﺮد .ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه ،ﻃﺒﻖ راﺑﻄﻪ ﺑﺮاگ ﺑﺎﻋﺚ ﭘﺮاش ﻫﺮ ﻳﻚ از ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ در زاوﻳﻪ
وﻳﮋهاي ﻣﻲﺷﻮد و ﭘﺲ از ﭘﺮاﺷﻴﺪن ،آﻧﻬﺎ را ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲﻓﺮﺳﺘﺪ .ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺑﺎﻳﺪ در ﺑﺮاﺑﺮ ﺗﺎﺑﺶ ﭘﺮﺗﻮ
اﻳﻜﺲ ﺑﭽﺮﺧﺪ و زاوﻳﻪﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻧﻲ را اﺧﺘﻴﺎر ﻛﻨﺪ .از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺑﺎ ﻳﻚ زواﻳﻪ وﻳﮋه و ﺑﺎ ﻓﺎﺻﻠﻪ
ﺻﻔﺤﺎت ﻣﻌﻴﻦ ،درﺑﺮاﺑﺮ ﺗﺎﺑﺶ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﻗﺮار دارد ،ﻃﺒﻖ راﺑﻄﻪ ﺑﺮاگ در ﻫﺮ زاوﻳﻪ ﻳﻚ ﻃﻮر ﻣﻮج وﻳﮋه ﻛﻪ در
اﻳﻦ راﺑﻄﻪ ﺻﺪق ﻛﻨﺪ را اﻧﺘﺨﺎب ﻣﻲﻛﻨﺪ و آن ﻃﻮل ﻣﻮج را ﺑﻪ ﻃﺮف آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺑﺎزﺗﺎب ﻣﻲدﻫﺪ .ﺑﺎ ﭘﺮاش ﻳﻚ
ﻃﻮل ﻣﻮج ،ﺑﻘﻴﻪ ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻳﻦ راﺑﻄﻪ ﺳﺎزﮔﺎري ﻧﺪارﻧﺪ در ﻓﻀﺎي اﻃﺮاف ﺑﻠﻮر ﭘﺨﺶ ﺷﺪه و از ﺑﻴﻦ
ﻣﻲروﻧﺪ .ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﭘﺲ از ﭘﺮاش و ﻋﺒﻮر از ﺟﻤﻊ ﻛﻨﻨﺪه ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ،ﺑﻪ داﺧﻞ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲرود .آﺷﻜﺎرﺳﺎز و
ﺟﻤﻊ ﻛﻨﻨﺪه ﺑﺮ روي ﻳﻚ داﻳﺮه ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﺑﻠﻮر در ﻣﺮﻛﺰ آن ﻗﺮار دارد .در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ زاوﻳﻪ ﺑﻴﻦ ﭘﺮﺗﻮاﻳﻜﺲ اوﻟﻴﻪ و
99
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﻠﻮر θﺑﺎﺷﺪ ،زاوﻳﻪ ﺑﻴﻦ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ و ﭘﺮﺗﻮ اوﻟﻴﻪ 2 θ ،ﺑﻮده و ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺘﻲ دو ﺑﺮاﺑﺮ
ﺳﺮﻋﺖ ﭼﺮﺧﺶ ﺑﻠﻮر ﺑﭽﺮﺧﺪ .وﻇﻴﻔﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ،ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﺪت ﭘﺮﺗﻮ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ورودي و ارﺳﺎل آن ﺑﻪ ﻗﺴﻤﺖ ﺛﺒﺖ
ﻛﻨﻨﺪه اﺳﺖ.
در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ،XRFاز ﻟﻮﻟﻪﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻧﻲ اﺳﺘﻔﺎه ﻣﻲﺷﻮد .ﺗﻔﺎوت آﻧﻬﺎ در ﺗﻮان اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه در
ﻟﻮﻟﻪ ،ﻣﺤﻞ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻦ ﭘﻨﺠﺮه ﺑﺮﻟﻴﻮﻣﻲ و ﻧﻮع ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺧﻨﻚﻛﻨﻨﺪه ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﭘﻨﺠﺮه ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ در دﻳﻮاره
ﻛﻨﺎري و ﻳﺎ در اﻧﺘﻬﺎي ﻟﻮﻟﻪ ﻗﺮار داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ .در اﻳﻦ ﻧﻮع ﻟﻮﻟﻪ ،آﻧﺪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻚ ﻻﻳﻪ ﻧﺎزك ﺑﺮ روي ﭘﻨﺠﺮه
ﺑﺮﻟﻴﻮﻣﻲ ﻗﺮار دارد .ﻧﻤﻮﻧﻪاي از اﻳﻦ ﻟﻮﻟﻪ در ﺷﻜﻞ 2ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد .ﺟﻨﺲ آﻧﺪ در دﺳﺘﮕﺎه XRFﺑﻪ ﻃﻮر
ﻣﻌﻤﻮل ﻓﻠﺰ ﻛﺮم ،ﻣﻮﻟﻴﺒﺪن ،رﻧﻴﻢ ﻳﺎ ﺗﻨﮕﺴﺘﻦ اﺳﺖ .وﻇﻴﻔﻪ ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ،ﭘﺪﻳﺪ آوردن ﭘﺮﺗﻮي ﺑﺎ ﺷﺪت زﻳﺎد
ﺑﺮاي ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ ﻫﻤﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل اﺳﺖ .ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﻳﮕﺮ ،ﻃﻴﻒ ﭘﺮﺗﻮ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻟﻮﻟﻪ،
ﺑﺎﻳﺪ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻛﻤﺘﺮي از ﻟﺒﻪ ﺟﺬب ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ.
ﺷﻜﻞ -2ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺪﻳﺪ آورﻧﺪه ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ از ﻧﻮع ﭘﻨﺠﺮه در اﻧﺘﻬﺎ
100
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﻠﻮر ﻓﻠﻮرﻳﺪ ﺳﺪﻳﻢ ) (NiFﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﻛﺎرﺑﺮد را در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي XRFدارد .اﻳﻦ ﺑﻠﻮر را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ ﺻﻔﺤﻪﻫﺎي
) (320و ) (200اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد .اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﭘﺘﺎﺳﻴﻢ ﺗﺎ اوراﻧﻴﻮم ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود .از ﺑﻠﻮر
ژرﻣﺎﻧﻴﻮم ﻧﻴﺰ ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻓﺴﻔﺮ ﺗﺎ ﻛﻠﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ .ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﻨﻈﻮر ﺻﻔﺤﻪﻫﺎي ) (111اﻳﻦ
ﺑﻠﻮر ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪاﻧﺪ .ﻣﻮاد دﻳﮕﺮي ﻛﻪ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه ،در دﺳﺘﮕﺎه XRFاﺳﺘﻔﺎه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ،ﺑﺮﺧﻲ از
ﺗﺮﻛﻴﺐﻫﺎي ﭘﻠﻴﻤﺮي ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﻪ وﻳﮋه ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﺒﻚ ﻣﻔﻴﺪﺗﺮ ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ .اﻣﺮوزه در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي
،XRFﺑﺮاي ﭘﺮﻫﻴﺰ از ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﻳﻲ ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﺑﻠﻮرﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه ،آﻧﻬﺎ را ﺑﺮ روي ﻳﻚ ﻣﻨﺸﻮر ﭼﻨﺪ وﺟﻬﻲ ﻣﻄﺎﺑﻖ
ﺷﻜﻞ 3ﺳﻮار ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ و ﺑﺪﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺑﺎ ﭼﺮﺧﺎﻧﺪن ﻣﻨﺸﻮر ،ﺑﻠﻮر ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺑﻪ راﺣﺘﻲ در ﺑﺮاﺑﺮ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﻗﺮار
ﻣﻲﮔﻴﺮد.
ﺷﻜﻞ -3ﻧﻤﺎﻳﺶ دﺳﺘﮕﺎه XRFداراي ﻣﻨﺸﻮر ﭼﺮﺧﺎن ﺑﺮاي ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه
-3ﺳﺎﺧﺖ ﻧﻤﻮﻧﻪ
ﻧﻤﻮﻧﻪ در اﻳﻦ روش ﺑﻪ ﺷﻜﻞ اﺳﺘﻮاﻧﻪاي ﺑﺎ ﻗﻄﺮ ﺣﺪود 3cmو ﺿﺨﺎﻣﺖ 0/5mmﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .اﻳﻦ ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﻳﻚ ﺟﺎ
ﻧﻤﻮﻧﻪاي ﻓﻠﺰي ﻗﺮار داده ﻣﻲﺷﻮد و ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ از زﻳﺮ ﺑﻪ آن ﻣﻲﺗﺎﺑﺪ ،ﻳﻚ ﺗﻌﻮﻳﺾ ﻛﻨﻨﺪه ﺧﻮدﻛﺎر ،ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ را
ﺑﺮداﺷﺘﻪ و در ﺟﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪاي ﻗﺮار ﻣﻲدﻫﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﺑﺮاي ﺗﻌﻮﻳﺾ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،اﺣﺘﻴﺎﺟﻲ ﺑﻪ ﺧﺎﻣﻮش ﻛﺮدن دﺳﺘﮕﺎه
101
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻧﻴﺴﺖ .اﮔﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﭘﻮدر ﺑﺎﺷﺪ ،ﻣﻲﺗﻮان آن را ﺑﺎ ﻳﻚ ﭼﺴﺐ آﻟﻲ ﻣﺨﻠﻮط ﻛﺮد و ﺑﻪ ﺷﻜﻞ
ﺻﻔﺤﻪ ،ﻓﺸﺮده ﻧﻤﻮد .راه ﻣﻨﺎﺳﺐﺗﺮ ،ذوب ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﺑﻮراﻛﺲ و ﺗﻬﻴﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺑﻪ روش ذوب و
رﻳﺨﺘﻪﮔﺮي در ﻳﻚ ﻗﺎﻟﺐ ﭘﻼﺗﻴﻨﻲ اﺳﺖ .دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ﻛﻪ در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود ﺑﻪ ﻓﻴﻮژن ﻣﻌﺮوف اﺳﺖ.
ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل در روش XRFﺑﺎﻳﺪ ﻫﻤﮕﻦ ﺑﺎﺷﺪ و ﻻﻳﻪﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ آن ﺑﺎ داﺧﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻳﻜﺴﺎﻧﻲ داﺷﺘﻪ
ﺑﺎﺷﺪ .ﭘﺲ از ﻓﺸﺮدن ﭘﻮدر ،اﻣﻜﺎن دارد ﻛﻪ ﺑﺮﺧﻲ از ﻋﻨﺼﺮﻫﺎ ،درﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺣﻀﻮر ﺑﻴﺸﺘﺮي ﭘﻴﺪا ﻛﻨﻨﺪ ﻛﻪ ﺳﺒﺐ
ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن اﺷﺘﺒﺎه در ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮي ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ .ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺑﻪ روش ذوب و رﻳﺨﺘﻪﮔﺮي ﺗﻬﻴﻪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ،
دو اﻣﺘﻴﺎر ﻣﻬﻢ دارﻧﺪ .ﻳﻜﻲ اﻳﻦ ﻛﻪ ﻫﻤﮕﻦ ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻣﺸﻜﻞ ﺟﺪاﻳﺶ ﺗﺮﻛﻴﺐ در آﻧﻬﺎ وﺟﻮد ﻧﺪارد .دوم آن ﻛﻪ ﺑﻪ
ﺧﺎﻃﺮ ﻧﺪاﺷﺘﻦ ﺗﺨﻠﺨﻞ )ﺑﺮ ﺧﻼف ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻓﺸﺮده ﺷﺪه( ﺑﺎزده ﺗﺄﺛﻴﺮ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ و ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن ﭘﺮﺗﻮ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ
ﻣﻲﺷﻮد .در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻓﺸﺮده ﺷﺪه ،ﻣﻘﺪاري از ﭘﺮﺗﻮ اوﻟﻴﻪ ﺗﺎﺑﻴﺪه ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،از روي ذرات ﭘﻮدر ،ﭘﺮاﻛﻨﺪه ﻣﻲﺷﻮد
و ﻫﺪر ﻣﻲرود.
-4آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎ
در دﺳﺘﮕﺎه XRFاز آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﮔﺎزي و آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺗﻬﻴﻴﺠﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .اﻟﺒﺘﻪ اﺳﺘﻔﺎده از آﺷﻜﺎﺳﺎز ﺑﺎ
ﺟﺮﻳﺎن ﮔﺎز ،ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ اﺳﺖ زﻳﺮا در اﻳﻦ ﻧﻮع آﺷﻜﺎرﺳﺎز ،وﺟﻮد ﭘﻨﺠﺮه ﺑﺮﻟﻴﻮﻣﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﻧﺎزك ،ﻣﻜﺎن
آﺷﻜﺎرﺳﺎزي ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﺑﻠﻨﺪ را ﭘﺪﻳﺪ ﻣﻲآورد .در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﭘﻴﺸﺮﻓﺘﻪ اﻣﺮوزي ،ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ دو ﻧﻮع
آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي
ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺳﺮﭼﺸﻤﻪ ﮔﺮﻓﺘﻪ از ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺪﻳﺪ آورﻧﺪه آن ،ﭘﺲ از ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﻣﺸﺨﺼﻪ
ﻋﻨﺼﺮﻫﺎﻳﻲ را ﻛﻪ در آن وﺟﻮد دارد ﭘﺪﻳﺪ ﻣﻲآورد و اﻳﻦ ﭘﺮﺗﻮ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه ،ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي
ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻫﺮ ﻳﻚ از ﻋﻨﺼﺮﻫﺎ را ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ ،ﭘﺲ از ﭘﺮاش از ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه ،ﺑﻪ
102
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲرﺳﺪ .ﭘﺮﺗﻮ )ﻣﺸﺨﺼﻪاي( ﻛﻪ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺳﺮﭼﺸﻤﻪ ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ ،در ﻣﺴﻴﺮ ﺣﺮﻛﺖ ﺧﻮد ﺗﻮﺳﻂ
اﺟﺰاي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن ﺟﺬب ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ،ﺑﺨﺸﻲ از آن ﺗﻮﺳﻂ اﺗﻢﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﺑﺨﺸﻲ ﻧﻴﺰ ﻣﻤﻜﻦ
اﺳﺖ ﺗﻮﺳﻂ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه ﺟﺬب ﺷﻮد .در ﭘﺎﻳﺎن ،ﻣﻘﺪاري از ﭘﺮﺗﻮ ﻧﻴﺰ ﺗﻮﺳﻂ درﻳﭽﻪ ورودي آﺷﻜﺎرﺳﺎز
ﺟﺬب ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ .ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻣﺤﻮﻃﻪ ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﻧﻴﺰ ﻣﻘﺪاري از ﭘﺮﺗﻮ ،ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﻫﻮا ﺟﺬب
ﺷﻮد .اﻳﻦ ﺟﺬبﻫﺎي ﭘﻲ در ﭘﻲ ،ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﺒﻚ را ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ آﻧﻬﺎ ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﻠﻨﺪ دارد ﺑﺎ
ﻣﺸﻜﻞ روﺑﺮو ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﺟﺬب ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ،ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ ﺗﻮان ﺳﻮم ﻃﻮل ﻣﻮج آن اﺳﺖ .اﮔﺮ ﭘﺮﺗﻮي ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﻠﻨﺪ
داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺷﺪت ﻫﻢ ﺟﺬب ﺷﺪه اﺳﺖ ،ﭘﺮﺗﻮ ﺿﻌﻴﻔﻲ ﺑﻪ داﺧﻞ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲرﺳﺪ .ﺑﺎ
ﺧﺮوج ﻫﻮا از ﻓﻀﺎي ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ،اﺳﺘﻔﺎده از ﺑﻠﻮرﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻣﻴﺰان ﺟﺬب آﻧﻬﺎ ﻛﻢ اﺳﺖ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﻪ ﻛﻤﻚ
آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ در آﻧﻬﺎ ﭘﻨﺠﺮه ﻧﺎزك ﺑﺮﻟﻴﻮﻣﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود ،اﻣﺮوزه ﺑﻪ ﻛﻤﻚ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي XRFﻣﻲﺗﻮان
ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺗﺎ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ 5را ﻧﻴﺰ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﺮد .ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل ،زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﺒﻚﺗﺮ از ﻓﻠﻮﺋﻮر ﻣﻮرد
ﻧﻈﺮ اﺳﺖ ،ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ ﻛﺮد ﻛﻪ ﺷﺮاﻳﻂ ﻛﺎري ﻻزم ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪه ﺑﺎﺷﺪ .آﻧﭽﻪ دﺳﺘﮕﺎه ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻃﻴﻒ رﺳﻢ ﻣﻲﻛﻨﺪ،
ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺷﺪت ﺑﺮ ﺣﺴﺐ زاوﻳﻪ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻃﻴﻔﻲ ﺷﺒﻴﻪ اﻟﮕﻮي ﺷﻜﻞ 4ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .در اﻳﻦ اﻟﮕﻮ ،ﭘﻴﻚﻫﺎ ﺑﻪ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي
ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻌﻠﻖ دارد .ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﻌﻤﻮل ﺑﺮاي ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮ ،ﭘﻴﻚ K αو K βو
ﺑﺮاي ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﻨﮕﻴﻦ ﺣﺘﻲ L αدر اﻟﮕﻮ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد .وﻗﺘﻲ ﻛﻪ ﻫﺪف ،آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ اﺳﺖ ،ﻃﻮل
ﻣﻮجﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺳﺒﺐ ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن ﭘﻴﻜﻲ در اﻟﮕﻮ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ،ﺑﻪ ﻛﻤﻚ راﺑﻄﻪ 2dsin θ = λﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ.
ﻣﻘﺪار ،dﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه و ﻣﻌﻠﻮم اﺳﺖ .زواﻳﻪ θﻫﻢ در آزﻣﺎﻳﺶ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد ،ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﻣﻲﺗﻮان
103
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺷﻜﻞ -4اﻟﮕﻮي XRFﻓﻮﻻد ﺿﺪ زﻧﮓ داراي 19/4درﺻﺪ ﻛﺮوم 9/5 ،درﺻﺪ ﻧﻴﻜﻞ 1/5،درﺻﺪ ﻣﻮﻟﻴﺒﺪن،
1/4درﺻﺪ ﺗﻨﮕﺴﺘﻦ و 1درﺻﺪ ﻣﻨﮕﻨﺰ
ﺑﺎ ﻣﺮاﺟﻌﻪ ﺑﻪ ﺟﺪوﻟﻲ ﻛﻪ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﻤﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎ در آن وﺟﻮد دارد ،ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد.
زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺑﺎﺷﺪ ،ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﺷﺪت اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪه ﺑﺮاي ﻳﻚ ﻃﻮل ﻣﻮج و
ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ آن ﺑﺎ ﺷﺪت درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه از ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺘﺎﻧﺪارد )ﺷﺎﻫﺪ( ،ﻣﻲﺗﻮان درﺻﺪ آن ﻋﻨﺼﺮ را در ﻧﻤﻮﻧﻪ
ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮد .ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﻨﻈﻮر ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﻛﻪ درﺻﺪ ﻣﺸﺨﺼﻲ از ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ را
دارﻧﺪ ،ﻳﻚ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﻛﺎﻟﻴﺒﺮاﺳﻴﻮن رﺳﻢ ﻛﺮد و ﺳﭙﺲ ﺑﺎ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪت ﭘﺮﺗﻮ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل و ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ آن ﺑﺎ
اﻳﻦ ﻣﻨﺤﻨﻲ ،ﻣﻘﺪار آن ﻋﻨﺼﺮ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد .ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ ﺷﻮد ﻛﻪ اﺛﺮ زﻣﻴﻨﻪ )ﺑﻘﻴﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ(
ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ در ﻛﺎﻫﺶ و ﻳﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﺼﻨﻮﻋﻲ ﺷﺪت ﭘﺮﺗﻮ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪه ﺑﺴﻴﺎر اﺛﺮﮔﺬار ﺑﺎﺷﺪ و ﻧﺘﻴﺠﻪ اﺷﺘﺒﺎه ﭘﺪﻳﺪ
آورد .ﺑﻪ دﻟﻴﻞ اﻫﻤﻴﺖ ،اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺗﻮﺿﻴﺢ ﺑﻴﺸﺘﺮي داده ﻣﻲﺷﻮد .ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪاي ﻛﻪ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺳﺮﭼﺸﻤﻪ
ﻣﻲﮔﻴﺮد ،ﻫﻨﮕﺎم ﺧﺮوج از آن ،ﺑﺎ دﻳﮕﺮ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ،ﭘﺮﺗﻮ در ﻣﺴﻴﺮ
ﺣﺮﻛﺖ ﺧﻮد از داﺧﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ ﺑﻴﺮون ،ﺗﻮﺳﻂ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي دﻳﮕﺮي ﺟﺬب ﻣﻲﺷﻮد .ﻃﺒﻴﻌﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ ﭘﺮﺗﻮ در
ﻣﺴﻴﺮ ﺧﺮوج از ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﺗﻮﺳﻂ ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮي ﻛﻪ ﻟﺒﻪ ﺟﺬب ﺑﺰرﮔﺘﺮي از ﻃﻮل ﻣﻮج آن داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ ،ﺟﺬب ﺧﻮاﻫﺪ
ﺷﺪ .وﻗﺘﻲ ﻛﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﻨﮕﻴﻦ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺣﻀﻮر دارﻧﺪ ،ﻣﻘﺪار اﻳﻦ ﺟﺬب ﺷﺪﻳﺪﺗﺮ اﺳﺖ .ﺑﺮ ﺧﻼف ﭘﺪﻳﺪه
104
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺟﺬب ،ﺷﺪت ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺼﻨﻮﻋﻲ ﺗﻮﺳﻂ دﻳﮕﺮ رﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در زﻣﻴﻨﻪ اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎﺑﺪ.
اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ وﻗﺘﻲ ﭘﺪﻳﺪ ﻣﻲآﻳﺪ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻣﺮﺑﻮط ﻋﻨﺼﺮ ،ﻃﻮل ﻣﻮج ﻛﻤﺘﺮي از ﻟﺒﻪ ﺟﺬب ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ
داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺎﻋﺚ ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ اﻳﻦ ﻋﻨﺼﺮ ﺷﻮد .ﺑﺪﻳﻬﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ ،اﻓﺰون ﺑﺮ
ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ واﻗﻌﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﺎﺷﻲ از ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ اﺑﺘﺪاﻳﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ و ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﺷﺪت در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ
زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ آن ﻋﻨﺼﺮ وﺟﻮد ﻧﺪاﺷﺘﻪ اﺳﺖ ﮔﺮدد .ﺑﻪ اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه در اﺻﻄﻼح ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﮔﻮﻳﻨﺪ .ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ
ﺗﻮﺿﻴﺤﺎت ،ﺷﺪت درﻳﺎﻓﺘﻲ ﺗﻮﺳﻂ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ،ﺑﻪ دﻟﻴﻞ وﺟﻮد ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در زﻣﻴﻨﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺤﺼﻴﺢ ﺷﻮد.
اﻳﻦ ﺗﺼﺤﻴﺢ ﺑﻪ ZAFﻣﻌﺮوف اﺳﺖ Z ،ﻋﺪد اﺗﻤﻲ A ،ﻣﻴﺰان ﺟﺬب و Fاﺛﺮﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .اﻣﺮوزه
ﻧﺮماﻓﺰارﻫﺎي راﻳﺎﻧﻪاي اﻳﻦ ﺗﺼﺤﻴﺢ را اﻧﺠﺎم ﻣﻲدﻫﻨﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ،ﻣﺎﻧﻨﺪ ﮔﺬﺷﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪﻫﺎي ﭘﻴﭽﻴﺪه و
ﻃﺎﻗﺖﻓﺮﺳﺎ ﻧﻴﺎزي ﻧﻴﺴﺖ .ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ ﻛﺮد ﻛﻪ ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ دﻗﺖ آزﻣﺎﻳﺶ ،ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﺷﺎﻫﺪ را ﻛﻪ
زﻣﻴﻨﻪ ﻳﻜﺴﺎﻧﻲ ﺑﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل دارﻧﺪ و ﻣﻘﺪار ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ در آﻧﻬﺎ در ﺣﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺑﺎﺷﺪ ،ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮد.
در روش ،XRFآﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد را ﻣﻲ ﺗﻮان در ﺣﺪ ppmاﻧﺠﺎم داد .اﻟﺒﺘﻪ اﻳﻦ ﺣﺪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﺮاي روش
WDSو ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻏﻴﺮ ﺳﺒﻚ )از ﻋﺪد اﺗﻤﻲ 9ﺑﻪ ﺑﺎﻻ( واﻗﻌﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﺑﺮاي ﭼﻨﻴﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰي ﺣﺪود ﻳﻚ دﻫﻢ
دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي XRFاز ﻧﻮع ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻃﻮل ﻣﻮج ) (WDSﻳﺎ ﺗﻔﻜﻴﻚ اﻧﺮژي) (EDSﻫﺴﺘﻨﺪ .در ﻧﻮع WDSﻣﺎﻧﻨﺪ
آﻧﭽﻪ ﻛﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺗﻮﺿﻴﺢ داده ﺷﺪ ،ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ،ﭘﻴﺶ از ورود ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ،ﺗﻮﺳﻂ
ﻳﻚ ﺑﻠﻮر ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﻲﺷﻮد .در ﻧﻮع EDSﭘﺮﺗﻮ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﺑﺪون آن ﻛﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه،
ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺷﻮد وارد آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲﮔﺮدد .ﻧﻤﺎﻳﺶ اﺟﺰاي دﺳﺘﮕﺎه EDSدر ﺷﻜﻞ 5دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد .در اﻳﻦ
دﺳﺘﮕﺎه ،آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻧﻴﻢرﺳﺎﻧﺎ از ﻧﻮع ) Si(Liوﺟﻮد دارد .اﻳﻦ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﻣﺪار اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ
105
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﻮﺟﻮد ،اﻧﺮژي ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ورودي راﺑﻪ ﺻﻮرت ﻫﻤﺰﻣﺎن ﻣﺸﺨﺺ ﻛﻨﺪ .ﻣﺪاري ﻛﻪ ﻫﻤﺮاه آﺷﻜﺎرﺳﺎز
ﻧﻴﻢرﺳﺎﻧﺎﺳﺖ ،ﺑﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه ﭼﻨﺪ ﻛﺎﻧﺎﻟﻪ ) (MCAﻣﻌﺮوف اﺳﺖ و اﻧﺮژي ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن را
در ﻃﻴﻒ ورودي ﺑﻪ ﻗﺴﻤﺖ ﺷﻤﺎرﺷﮕﺮ ،ﺗﻔﻜﻴﻚ و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﻛﻨﺪ MCAﻳﻚ ﻣﺪار اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﭘﻴﭽﻴﺪه ﺑﻮده
ﻛﻪ ﻛﺎﻧﺎلﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻧﻲ ﺑﺮاي درﻳﺎﻓﺖ اﻧﺮژيﻫﺎي ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺷﺪه در آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻧﻴﻢرﺳﺎﻧﺎ دارد .ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ،
ﺳﺮﻋﺖ آﻧﺎﻟﻴﺰ در دﺳﺘﮕﺎه EDSﺑﺴﻴﺎر ﺑﻴﺸﺘﺮ از دﺳﺘﮕﺎه WDSﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﻻزم ﺑﻪ ﻳﺎدآوري اﺳﺖ ﻛﻪ در دﺳﺘﮕﺎه
،WDSﭼﺮﺧﺶ ﺑﻠﻮر ﺑﺮاي درﻳﺎﻓﺖ ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن ،ﺑﻪ زﻣﺎن ﻃﻮﻻﻧﻲ ﻧﻴﺎز دارد .در ﻣﺠﻤﻮع ،آﻧﺎﻟﻴﺰ
ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ در دﺳﺘﮕﺎه EDSاز زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺎﺑﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ ﭘﺎﻳﺎن ﻛﺎر ،ﺣﺪود 5دﻗﻴﻘﻪ ﻃﻮل
ﻣﻲﻛﺸﺪ .در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻧﻮع آﻧﺎﻟﻴﺰ در دﺳﺘﮕﺎه ،WDSﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺑﻴﻦ 30-60دﻗﻴﻘﻪ وﻗﺖ ﻻزم داﺷﺘﻪ
ﺑﺎﺷﺪ .وﻟﻲ ﻣﺸﻜﻞ EDSدر درﺟﻪ اول ،ﻧﻴﺎز آن ﺑﻪ ﺧﻨﻚ ﺷﺪن آﺷﻜﺎرﺳﺎز و ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﭘﺎﻳﻴﻦ ،در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ
WDSاﺳﺖ.
ﺷﻜﻞ -5ﻧﻤﺎﻳﺶ دﺳﺘﮕﺎه ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﭘﺮﺗﻮ ( XRF) Xاز ﻧﻮع ﺗﻔﻜﻴﻚ اﻧﺮژي ) (EDS
از ﻧﻈﺮ روش ﻛﺎر ﻧﻴﺰ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي XRFﺑﻪ روشﻫﺎي ﻫﻤﺰﻣﺎن و ﻏﻴﺮ ﻫﻤﺰﻣﺎن دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .در روش
ﻫﻤﺰﻣﺎن ﻛﻪ ﺑﻪ ﻃﻮر ﻋﻤﺪه در ﺑﺨﺶ ﺻﻨﻌﺖ ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ اﺳﺖ ،ﺑﺎ ﻗﺮار دادن ﭼﻨﺪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز و ﺑﻠﻮر در اﻃﺮاف
ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺪﻳﺪ آورﻧﺪه ﭘﺮﺗﻮاﻳﻜﺲ و ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻫﺮ ﺑﻠﻮر ﺑﺮاي ﻳﻚ ﻃﻮل ﻣﻮج وﻳﮋه )ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﻳﮕﺮ ﻳﻚ ﻋﻨﺼﺮ وﻳﮋه(
ﻣﻲﺗﻮان آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻫﻤﺰﻣﺎن اﻧﺠﺎم داد .در ﺷﻜﻞ 6ﻧﻤﻮﻧﻪاي از اﻳﻦ ﻧﻮع دﺳﺘﮕﺎه XRFدﻳﺪه
106
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﻲﺷﻮد .وﻗﺘﻲ ﻛﻪ از دﺳﺘﮕﺎه EDSاﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد ،روش ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ،ﻫﻤﺰﻣﺎن ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮد .روش ﻏﻴﺮ
روش XRFدر ﺑﺴﻴﺎري از ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ ،ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻲﺗﺮ ﺷﺪه اﺳﺖ .اﻳﻦ ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻨﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ
ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻ و دﻗﺖ زﻳﺎد در آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻮاد ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .روشﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺳﻨﺘﻲ ،ﺑﺴﻴﺎر وﻗﺖﮔﻴﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﻪ
ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲ ﺷﺨﺺ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه واﺑﺴﺘﻪاﻧﺪ .اﻣﺎ در روش XRFدر ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ اﻧﺠﺎم
ﻣﻲﮔﻴﺮد ،اﻳﻦ واﺑﺴﺘﮕﻲ ﻧﻴﺰ ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ اﺳﺖ .ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي XRFاز ﻧﻈﺮ ﺳﺮﻣﺎﻳﻪﮔﺬاري اﺑﺘﺪاﻳﻲ ،ﻫﺰﻳﻨﻪ
ﺑﺎﻻﻳﻲ ﻧﻴﺎز دارﻧﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﻫﻤﻪ ﻣﺮاﻛﺰ ﺻﻨﻌﺘﻲ و آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ ﺗﻮان ﺧﺮﻳﺪ آن را ﻧﺪارﻧﺪ .ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﻛﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ
اﺷﺎره ﺷﺪ ،ﻛﺎرﺑﺮد اﺻﻠﻲ دﺳﺘﮕﺎه XRFدر ﺻﻨﺎﻳﻌﻲ ﻣﺎﻧﺪ ﻓﻮﻻد و ﺳﻴﻤﺎن اﺳﺖ .در اﻳﻦ ﺻﻨﺎﻳﻊ ،ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻘﺪار
ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ،در ﮔﺴﺘﺮده ﻛﻮﭼﻚ و ﻣﺸﺨﺼﻲ اﺳﺖ و دوم آن ﻛﻪ ﻧﻴﺎزﻣﻨﺪ ﺳﺮﻋﺖ زﻳﺎد آﻧﺎﻟﻴﺰ
ﺑﺮاي ﺗﺼﻤﻴﻢﮔﻴﺮي در ﺗﻨﻈﻴﻢ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻫﺴﺘﻨﺪ .ﻣﺤﺪود ﺑﻮدن ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل و ﮔﺴﺘﺮه ﺗﻐﻴﻴﺮ
آﻧﻬﺎ ،اﻣﻜﺎن اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻨﺤﻨﻲﻫﺎي ﻛﺎﻟﻴﺒﺮاﺳﻴﻮن را ﺑﺎ اﻃﻤﻴﻨﺎن ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲآورد .ﺑﺪﻳﻬﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در اﻳﻦ ﻧﻮع
107
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺻﻨﺎﻳﻊ ،دﺳﺘﮕﺎه ﻫﻤﺰﻣﺎن ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ ﺑﺎﺷﺪ .در ﻣﺮاﻛﺰ ﭘﮋوﻫﺸﻲ ﻧﻴﺰ دﺳﺘﮕﺎه XRFﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻛﻤﻚ زﻳﺎدي
ﺑﻨﻤﺎﻳﺪ .در اﻳﻦ ﻧﻮع ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ ،دﺳﺘﮕﺎه EDSﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ﺗﻮان ﺗﺸﺨﻴﺺ ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل،
ﺑﺎي ﺷﺮوع ﻛﺎر آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ،ﺑﺴﻴﺎر ﻣﻔﻴﺪ اﺳﺖ .اﻟﺒﺘﻪ دﺳﺘﮕﺎه WDSﻧﻴﺰ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﮔﻴﺮد،
وﻟﻲ از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﭘﮋوﻫﺸﻲ ،داراي ﺗﻨﻮع ﻋﻨﺼﺮي زﻳﺎد ﻫﺴﺘﻨﺪ ،ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﺎ اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻤﻜﻦ
اﺳﺖ ﺑﺎ ﻧﺪﻳﺪه ﮔﺮﻓﺘﻦ ﻳﻚ ﻳﺎ ﭼﻨﺪ ﻋﻨﺼﺮ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﻤﺮاه ﺑﺎﺷﺪ .ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل ،ﺑﺮاي اﻧﺠﺎم ﻛﺎرﻫﺎي ﭘﮋوﻫﺸﻲ،
اﺳﺘﻔﺎده از دﺳﺘﮕﺎه ،XRFﭼﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت EDSو ﭼﻪ ،WDSﺑﺮاي اﻧﺠﺎم آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ ﻛﻪ اﺣﺘﻴﺎج ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي
ﻣﺮﺟﻊ:
-1ﮔﻠﺴﺘﺎﻧﻲ ﻓﺮد و ﻫﻤﻜﺎران ،1383 ،روش ﻫﺎي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻮاد 361 ،ﺻﻔﺤﻪ
108
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻏﺎﻟﺒﺎً از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي Xﺗﻜﺮﻧﮓ ﻳﺎ ﻧﻮر ﻣﺎوراي ﺑﻨﻔﺶ ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﺞ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﻛﻪ اﻧﺮژي آﻧﻬﺎ ﺣﺎوي اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ
درﺑﺎره اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي درون اﺗﻢ ،ﻣﻨﺸﺎ آﻧﻬﺎ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ درﺑﺎره ﻃﺒﻴﻌﺖ اﺗﻢﻫﺎي ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺖ ،اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .اﻳﻦ
روشﻫﺎي ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮون ،ﺑﻪ ﻧﺎم آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺷﻌﻪ ،(XPS) X
ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮون ﻣﺎوراي ﺑﻨﻔﺸﻲ ) (UPSو ﻳﺎ ﻛﻼً ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ )(ESCA
ﻧﻴﺰ ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﻓﻘﻂ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ از ﻧﺰدﻳﻜﻲ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻓﺮار ﻛﻨﻨﺪ ،اﻃﻼﻋﺎت
ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﻓﻘﻂ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﭼﻨﺪ ﻻﻳﻪ اﺗﻤﻲ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺖ .ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ اﻧﺮژيﻫﺎي
ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﭘﻴﻮﻧﺪ اﺗﻤﻲ ﻛﻪ از آن ﺳﺎﻃﻊ ﺷﺪهاﻧﺪ ،ﺣﺴﺎس ﻫﺴﺘﻨﺪ .ﺑﺮاي ﻣﺜﺎل آﻫﻦ ﻓﻠﺰي از آﻫﻦ در
ﺑﻪ ﻃﻮر ﻛﻠﻲ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﺪار داﺧﻠﻲ داراي اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻣﻌﺎدل اﻧﺮژي ﻓﻮﺗﻮنﻫﺎي ﻣﺤﺪوده ﭘﺮﺗﻮ X
ﻫﺴﺘﻨﺪ .وﻗﺘﻲ ﻳﻚ ﻣﺎده ﺟﺎﻣﺪ ،ﻓﻮﺗﻮﻧﻲ ﺑﺎ اﻧﺮژي اﺗﺼﺎل ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون ﺟﺬب ﻣﻲﻛﻨﺪ ،ﻳﻚ ﻓﻮﺗﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻨﺘﺸﺮ
ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﻲ آن ﺑﺎ اﻧﺮژي ﻓﻮﺗﻮن راﺑﻄﻪ دارد .اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﺪار داﺧﻠﻲ ﻣﺸﺎرﻛﺘﻲ در اﺗﺼﺎل ﻧﺪارﻧﺪ
و اﻧﺮژي آﻧﻬﺎ ﻣﺸﺨﺼﻪ اﺗﻤﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ از آن ﻣﻨﺘﺸﺮ ﺷﺪهاﻧﺪ .اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﺪار داﺧﻠﻲ ﺑﻪ ﻣﺤﻴﻂ اﺗﻢ
ﺑﺴﺘﮕﻲ ﻧﺪارد .ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺷﻌﻪ Xﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﻣﻔﻴﺪ اﺳﺖ.از اﻳﻦ رو ﻧﻪ
ﺗﻨﻬﺎ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻲﻛﻨﺪ ﺑﻠﻜﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻛﻤﻲ اﻧﺠﺎم ﻣﻲدﻫﺪ .ﺗﻮﺳﻌﻪ
ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺷﻌﻪ Xﺗﺎ ﺣﺪ زﻳﺎدي ﻣﺪﻳﻮن Siegbahnو ﻫﻤﻜﺎراﻧﺶ ﻣﻲ
49
- Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
109
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﺎﺷﺪ Siegbahn .در ﺳﺎل 1981ﺟﺎﻳﺰه ﻧﻮﺑﻞ را ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ دﻟﻴﻞ درﻳﺎﻓﺖ ﻧﻤﻮد.
وﻗﺘﻲ ﻛﻪ اﻧﺮژيﻫﺎي ﻣﺪارﻫﺎي داﺧﻠﻲ ﺑﻪ ﺻﻮرت دﻗﻴﻖﺗﺮي ﺑﺮرﺳﻲ ﺷﺪﻧﺪ ﻣﺸﺨﺺ ﺷﺪ ﻛﻪ ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲﻫﺎي
) (Shiftﻛﻮﭼﻚ وﻟﻲ ﻏﻴﺮﻗﺎﺑﻞ ﺗﺸﺨﻴﺺ اﺗﻔﺎق ﻣﻲاﻓﺘﺪ .اﻳﻦ ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﻫﺎ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ
) (Chemical Shiftﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ،ﺑﻪ ﻣﺤﻴﻂ ﭘﻴﻮﻧﺪي اﻃﺮاف اﺗﻢ و ﺧﺼﻮﺻﺎً ﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ اﻛﺴﻴﺪاﺳﻴﻮن اﺗﻢ
ﺑﺴﺘﮕﻲ دارﻧﺪ .ﺑﺮاي ﻓﻬﻤﻴﺪن ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺑﺎﻳﺪ اﺑﺘﺪا ارﺗﺒﺎط ﺑﻴﻦ اﻧﺮژي ﻓﻮﺗﻮن ،ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ واﻧﺮژي
در اﻳﻨﺠﺎ E Xاﻧﺮژي ﺳﻨﻴﺘﻴﻚ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺳﺖ و اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻣﻴﺰان ﺗﺮاز ﺧﻼء ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺮﺟﻊ داده
ﺷﺪه اﺳﺖ .از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ آﺳﺎﻧﻲ ﺳﻄﻮح ﺗﻤﻴﺰ ﻃﻼ را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻜﺮار ﺗﻬﻴﻪ و ﻧﮕﻬﺪاري ﻧﻤﻮد،
ﻣﻌﻤﻮﻻً ﭘﻴﻚﻫﺎي اﻧﺘﺸﺎر ﻓﻮﺗﻮن ﻃﻼ را ﺑﻪ ﻋﻨﻮان اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﺑﺮاي ﻛﺎﻟﻴﺒﺮه ﻛﺮدن ﻣﻘﻴﺎس اﻧﺮژي اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ.
اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون ﻣﻌﺎدل اﺧﺘﻼف اﻧﺮژي ﺣﺎﻟﺖ اوﻟﻴﻪ و ﺣﺎﻟﺖ ﻧﻬﺎﻳﻲ اﺗﻢ اﺳﺖ .ﻳﻌﻨﻲ اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي
در اﻳﻦ ﺟﺎ ) E F (n-1اﻧﺮژي ﺣﺎﻟﺖ ﻧﻬﺎﻳﻲ اﺳﺖ و ) E i (nاﻧﺮژي ﺣﺎﻟﺖ اوﻟﻴﻪ اﺳﺖ .اﮔﺮ آراﻳﺶ ﻣﺠﺪد ﺗﻤﺎم
اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي درﮔﻴﺮ ﻧﺒﻮد ،اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻣﻌﺎدل ﻣﻨﻔﻲ اﻧﺮژي ارﺑﻴﺘﺎل ﺣﺎﻟﺖ اوﻟﻴﻪ اﻟﻜﺘﺮون -E kﺑﻮد .اﻳﻦ ﺗﻘﺮﻳﺐ
ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺗﺌﻮري Koopmansﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه و ﺑﺎ راﺑﻄﺔ E B (K) = - E kﻧﺸﺎن داده ﻣﻲﺷﻮد .در اﻳﻨﺠﺎ اﻧﺮژي
ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺷﻌﻪ Xﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ و ﺣﺎﻟﺖ ﭘﻴﻮﻧﺪ در ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺰدﻳﻚ ﻳﻚ
ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﻛﺎﻣﻼً ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ وﻟﻲ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺟﺎﻧﺒﻲ ﺧﻮﺑﻲ ﻧﺪارد زﻳﺮا ﭘﺮﺗﻮ Xﺗﻬﻴﻴﺞ ﻛﻨﻨﺪه ﻣﻨﻄﻘﻪ
وﺳﻴﻌﻲ را ﻣﻲﭘﻮﺷﺎﻧﺪ و ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ راﺣﺘﻲ ﻓﻮﻛﻮس ﺷﻮد .ﺷﻜﻞ 1ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي اﺻﻠﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر داﺧﻠﻲ دﺳﺘﮕﺎه
ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ].[1-6
110
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
-4آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ ﺑﻪ ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ ﻛﻪ اﺟﺘﻨﺎب از اﺛﺮات ﻣﺨﺮب ﻧﺎﺷﻲ از ﺗﻜﻨﻴﻚﻫﺎي
-5ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺣﺎﻟﺘﻬﺎي اﻛﺴﻴﺪاﺳﻴﻮن اﺗﻤﻬﺎي ﻓﻠﺰي در ﻻﻳﻪ ﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ اﻛﺴﻴﺪ ﻓﻠﺰي
ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ
ﺷﻜﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ :ﺟﺎﻣﺪﻫﺎ )ﻓﻠﺰﻫﺎ ،ﺷﻴﺸﻪﻫﺎ ،ﻧﻴﻤﻪﻫﺎديﻫﺎ ،ﺳﺮاﻣﻴﻚﻫﺎي ﺑﺎ ﻓﺸﺎر ﺑﺨﺎر ﭘﺎﺋﻴﻦ(
111
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
آﻣﺎدهﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ :ﺑﺎﻳﺪ ﻋﺎري از اﺛﺮ اﻧﮕﺸﺖ ،روﻏﻦ ﻳﺎ آﻟﻮدﮔﻲ ﺳﻄﺤﻲ دﻳﮕﺮ ﺑﺎﺷﺪ
ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎ
-1ﺟﻤﻊآوري داده ،ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ ﻛﻨﺪ اﺳﺖ ،وﻟﻲ اﮔﺮ ﻧﻴﺎزي ﺑﻪ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻ
-4ﺷﺎرژ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻋﺎﻳﻖ ﻣﺸﻜﻞ اﻳﺠﺎد ﻛﻨﺪ .ﺑﺮﺧﻲ از اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎ ﺑﻪ اﺑﺰارﻫﺎي
آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤﻲ از ﻳﻚ ﺗﺎ ﭼﻨﺪ ﺳﺎﻋﺖ و ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ اﻃﻼﻋﺎت ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ،وﻗﺖ ﻣﻲﮔﻴﺮد ].[10
112
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺮاﺟﻊ
2-Goodhew, P. J., Humphreys, F. J. "Electron and Analysis" Taylor and Francis (2000).
4-Bunshah, R. F. editor "Techniques of Metals Research" Vol. 2, Techniques for the Direct
Observation of Structure and Imperfections, Interscience Publishers (1969).
7-Vickerman, J. C. Editor "Surface Analaysis, The Principal Techniques" John Wiley &
Sons (1997).
9-Amelinckx, S., van Dyck, D., van Landuyt, J. and van Tenderloo, G. (eds) Handbook of
Microscopy. Weinheim: VCH (1997).
113
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
)Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ
)Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ
114
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
50
-13-2ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ )(SIMS
روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰي ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي ﻳﻮن ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺣـﺴﺎﺳﻴﺖ و ﻗﺎﺑﻠﻴـﺖ آﻧﻬـﺎ ﺑـﺮاي آﺷـﻜﺎر ﻛـﺮدن ﺗﻐﻴﻴـﺮات ﺗﺮﻛﻴـﺐ
ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ در ﻋﻤﻖ ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﭘﺮوﻓﻴﻞ ﻋﻤﻖ( ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣـﻲروﻧـﺪ .در روش ﻃﻴـﻒﻧﮕـﺎري ﺟﺮﻣـﻲ ﻳـﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳـﻪ )(SIMS
ﭘﺮﺗﻮي از ﻳﻮنﻫﺎي اوﻟﻴﻪ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺗﺎ ﻗﻄﺮ ﺣﺪود 20ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﺷـﻮد ،ﻧﻤﻮﻧـﻪ را روﺑـﺶ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ و ﺑـﺮاي
ﺑﻴﺮون اﻧﺪاﺧﺘﻦ ﻳﻮنﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود .ﺟﺮم ﻳﻮنﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻃﻴﻒﻧﮕﺎر ﺟﺮﻣﻲ ﺗﻌﻴﻴﻦ
ﻣﻲﺷﻮد .اﻳﻦ ﺗﻜﻨﻴﻚ ﻣﺨﺮب اﺳﺖ و ﻻﻳﺔ اﺗﻢﻫﺎي ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮداﺷﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد .در ﺟﺮﻳﺎنﻫـﺎي ﭘـﺎﻳﻴﻦ
از ﭘﺮﺗﻮ ﻳﻮﻧﻲ اوﻟﻴﻪ ،اﻳﻦ اﺗﻔﺎق ﺑﻪ آﻫﺴﺘﮕﻲ رخ ﻣﻲدﻫﺪ و اﻳﻦ ﺗﻜﻨﻴﻚ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان Static SIMSﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣـﻲﺷـﻮد.
در ﻣﻮارد ﺑﻬﻴﻨﻪ ،ﺣﺘﻲ 0/1درﺻﺪ ﻳﻚ ﺗﻚ ﻻﻳﻪ از ﻣﺎده را ﻫﻢ ﻣﻲﺗﻮان آﺷﻜﺎر ﻛﺮد .اﮔـﺮ از ﺟﺮﻳـﺎنﻫـﺎي ﺑﻴـﺸﺘﺮ
ﭘﺮﺗﻮ ﻳﻮﻧﻲ اوﻟﻴﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد ،ﻣﺎده ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﺮداﺷﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد و ﻫﺮ ﻻﻳـﻪ در ﺣـﻴﻦ ﺑﺮداﺷـﺘﻪ ﺷـﺪن آﻧـﺎﻟﻴﺰ
ﻣﻲﺷﻮد ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻲﺗﻮان ﭘﺮوﻓﻴﻞ ﻋﻤﻘﻲ را ﺑﻪ دﺳـﺖ آورد .اﻳـﻦ ﺗﻜﻨﻴـﻚ ﺑـﻪ ﻋﻨـﻮان Dynamic SIMSﺷـﻨﺎﺧﺘﻪ
ﻣﻲﺷﻮد .ﺗﺠﻬﻴﺰات ﻣﺪرن ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻜﻲ ﺗﺎ ﺣـﺪود 1ﻧـﺎﻧﻮﻣﺘﺮ دارﻧـﺪ و ﺑﻨـﺎﺑﺮاﻳﻦ
ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﻧﻘﺸﻪﻫﺎي ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷـﻴﻤﻴﺎﻳﻲ را ﻧﻤـﺎﻳﺶ دﻫﻨـﺪ ﻛـﻪ ﻣـﺸﺎﺑﻪ ﻧﻘـﺸﻪﻫـﺎي ﭘﺮﺗـﻮ Xﻣـﻲﺑﺎﺷـﺪ .اﻳـﻦ ﻧﻘـﺸﻪﻫـﺎ
Imagingﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﺗﻤﺎم روشﻫﺎي ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ دو ﻣﺰﻳﺖ ﻋﻤـﺪه دارﻧـﺪ .ﻣﺰﻳـﺖ اول
ﻣﺤﺪوده ﻋﻨﺎﺻﺮ اﺳﺖ؛ از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻫﻤﻪ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺣﺴﺎس اﺳﺖ .ﺗﻤـﺎم اﻳﺰوﺗـﻮپﻫـﺎ و
ﺣﺘﻲ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺳﺒﻚ از ﻫﻴﺪروژن ﺗﺎ اﻛﺴﻴﮋن را ﻣﻲﺗﻮان آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﺮد و ﻧﻘﺸﻪ آﻧﻬﺎ را ﺗﻬﻴﻪ ﻛﺮد .ﻣﺰﻳﺖ دوم ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ
50
- Secondary Ion Mass Spectrometry
115
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﺳﺖ ،ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻣﻌﻤﻮﻻً ﻗﺎدر ﺑﻪ آﺷﻜﺎر ﻛﺮدن ﻏﻠﻈﺖﻫﺎﻳﻲ در ﺣﺪ ﻳـﻚ ﻗـﺴﻤﺖ در ﻳـﻚ
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
-1آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻋﻤﻘﻲ در ﺣﺪود 5ﺗﺎ 10ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ
-4ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻻﻳﻪﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ آﻟﻲ ﻳﺎ ﻏﻴﺮآﻟﻲ ﺑﺮ روي ﻓﻠﺰات ،ﺷﻴـﺸﻪﻫـﺎ ،ﺳـﺮاﻣﻴﻚﻫـﺎ ،ﻻﻳـﻪﻫـﺎي ﻧـﺎزك ﻳـﺎ
ﭘﻮدرﻫﺎ
-5ﺗﻬﻴﻪ ﭘﺮوﻓﻴﻞ ﻋﻤﻘﻲ ﻻﻳﻪﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ اﻛـﺴﻴﺪ ،ﻻﻳـﻪﻫـﺎي ﻧـﺎزك ﺧـﻮردﮔﻲ ،ﻻﻳـﻪﻫـﺎي ﻧـﺎزك ﺣـﻞ ﺷـﺪه
-6ﭘﺮوﻓﻴﻞﻋﻤﻘﻲ ﻏﻠﻈﺘﻲ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻛﻢ ﻋﻨﺎﺻﺮ ذوب ﺷﺪه ) ( ≤ 1000 PPm) (dopantsﻛﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻧﻔﻮذي
116
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
-7ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻏﻠﻈﺖ ﻫﻴﺪروژن و ﭘﺮوﻓﻴﻞﻫﺎي ﻋﻤﻘﻲ در آﻟﻴﺎژﻫﺎي ﻓﻠﺰي ﺗﺮد ﺷﺪه ) (embrittledﻻﻳﻪﻫـﺎي ﻧـﺎزك
-11ﺗﻮزﻳﻊ ﻓﻠﺰي در ﻣﻮاد ﻣﻌﺪﻧﻲ زﻣﻴﻦ ﺷﻨﺎﺳﻲ ،ﺳﺮاﻣﻴﻚﻫﺎي ﭼﻨﺪ ﻓﺎزي و ﻓﻠﺰﻫﺎ
-12ﺗﻮزﻳﻊ ﻓﺎز ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻧﺎﺷﻲ از ﺟﺪاﻳﺶ ﻣﺮزداﻧﻪﻫﺎ ،اﻛﺴﻴﺪاﺳﻴﻮن داﺧﻠﻲ ﻳﺎ رﺳﻮب ][4
ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ
ﺷﻜﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ :ﺟﺎﻣﺪﻫﺎي ﺑﻠﻮري ،ﺟﺎﻣﺪﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺳﻄﻮح ﺑﻬﺒﻮد ﻳﺎﻓﺘﻪ ﻳﺎ زﻳﺮﺳﺎﺧﺖﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧـﺎزك
ﻳﺎ ﭘﻮﺷﺶ ﺑﺮ روي ﺧﻮد دارﻧﺪ )ﺳﻄﻮح ﺗﺨﺖ و ﺻﺎف ﻣﻄﻠـﻮب ﻫـﺴﺘﻨﺪ( .ﭘﻮدرﻫـﺎ ﺑﺎﻳـﺪ در ﻳـﻚ ورق ﻓﻠـﺰي ﻧـﺮم
آﻣﺎدهﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ :ﺑﺮاي ﺳﻄﺢ ﻳﺎ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻤﻘﻲ ﻧﻴﺎزي ﺑﻪآﻣﺎدهﺳﺎزي ﻧﻴﺴﺖ .ﺑﺮاي ﻣﻴﻜﺮوﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﺎ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑـﺎ
ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎ
آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ و ﻛﻤﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﺳﻴﻊ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ آﺷﻜﺎرﺳﺎزي از ﻋﻨـﺼﺮي ﺑـﻪ ﻋﻨـﺼﺮ دﻳﮕـﺮ و از زﻣﻴﻨـﻪ
117
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ً ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ و ﻏﻴﺮه( از ﻃﺮاﺣﻲ دﺳﺘﮕﺎه و ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ﻫﺮ آﻧـﺎﻟﻴﺰ ﺷـﺪﻳﺪا، ﺻﺤﺖ،ﻛﻴﻔﻴﺖ آﻧﺎﻟﻴﺰ )دﻗﺖ
ﻣﺮاﺟﻊ
118
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
TOF-SIMS Physical
آﻣﺮﻳﻜﺎ Electronics TRIFT 111 2
Cameca
آﻣﺮﻳﻜﺎ IMS6F 3
119
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﺑﺮ اﺳﺎس ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ و ﺑﺮرﺳﻲ ﺟﻬﺶﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ و ﻳﻮنﻫﺎي ﭼﻨﺪ
اﺗﻤﻲ ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد .اﻳﻦ روش ﺑﻪ ﻋﻨﻮان روﺷﻲ ﭘﺮﻗﺪرت و ﺗﻮﺳﻌﻪ ﻳﺎﻓﺘﻪ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي
ﮔﻮﻧﻪﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﺋﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ اﻳﻦ روش ﻋﻤﺪﺗﺎً ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود ،زﻳﺮا
ﻃﻴﻒﻫﺎي اﻳﻦ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﻣﻌﻤﻮﻻً ﭘﻴﭽﻴﺪه ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﺗﻌﺪاد زﻳﺎدي ﭘﻴﻚﻫﺎي ﻣﺎﻛﺴﻴﻤﻢ و ﻣﻴﻨﻴﻤﻢ دارﻧﺪ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ
ﺗﺌﻮري
در ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ دو ﻧﻮع ارﺗﻌﺎش وﺟﻮد دارد ﻛﻪ اﺻﻄﻼﺣﺎً ارﺗﻌﺎشﻫﺎي ﻛﺸﺸﻲ و ﺧﻤﺸﻲ ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ.
ارﺗﻌﺎش ﻛﺸﺸﻲ ﺑﻪ دو ﺻﻮرت ﻣﺘﻘﺎرن و ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﻣﻲﺷﻮد .ﻫﺮ ﮔﺎه ﻳﻚ ﻧﻴﻢ ﻣﺘﻨﺎوب ﻛﺸﺸﻲ ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن
رخ دﻫﺪ ،ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ در ﻳﻚ ﺟﻬﺖ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ و در ﻧﻴﻢ ﺗﻨﺎوب دﻳﮕﺮ ،ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ در ﺟﻬﺖ
ﻣﺨﺎﻟﻒ ﺟﺎﺑﻪﺟﺎ ﻣﻲﮔﺮدد .ﺑﺪﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ ﺑﺎ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﻮﻟﻜﻮل ،ﻧﻮﺳﺎن ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ ).اﻳﻦ
ﻧﻮﺳﺎن ﺑﺎﻋﺚ ارﺗﻘﺎي ﻣﻮﻟﻜﻮل ﺑﻪ ﻧﻮار ﺟﺬﺑﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﻣﻲﮔﺮدد و ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻋﻠﺖ آن را ﻓﻌﺎل ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ
ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ( .در ﺣﺎﻟﺖ ارﺗﻌﺎش ﻛﺸﺸﻲ ﻣﺘﻘﺎرن ،دو اﺗﻢ در ﻳﻚ ﻧﻴﻢ ﺗﻨﺎوب ارﺗﻌﺎﺷﻲ ،در ﺟﻬﺎت ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺣﺮﻛﺖ
ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﻛﻪ در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻬﺎﻳﻲ در ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ ﻣﻮﻟﻜﻮل ﺑﻪ وﺟﻮد ﻧﻤﻲآﻳﺪ و ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻋﻠﺖ آن را
ﻏﻴﺮﻓﻌﺎل ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ .در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ،ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﻓﻮاﺻﻞ درون ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ ،ﺑﺮ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﻗﻄﺒﻲ ﺷﺪن ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎ
اﺛﺮ ﻣﻲﮔﺬارد .ﻟﺬا در ﻗﻄﺒﺶ ﭘﺬﻳﺮي ﻣﻮﻟﻜﻮل ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻲﺷﻮد و اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن
120
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﺮﻫﻢﻛﻨﺶ ﺗﺎﺑﺶ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻐﻴﻴﺮ اﻧﺮژي ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﭘﻴﻮﻧﺪ در ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي آن ﻣـﻲﺷـﻮد
و روش ﻣﻨﺎﺳﺒﻲ ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﮔﺮوهﻫﺎي ﻋﺎﻣﻠﻲ و ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ اﺳـﺖ .ﺷـﺮط ﺟـﺬب اﻧـﺮژي ﻣـﺎدون ﻗﺮﻣـﺰ
ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻮﻟﻜﻮل اﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ در ﺣﻴﻦ ارﺗﻌﺎش ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻤﺎﻳـﺪ .در ﻃﻴـﻒ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ ﻧﺎﺣﻴـﻪ
ﺑﻴﻦ 0/8 -400 µmﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ اﺳﺖ وﻟﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪاﻳﻲ ﻛﻪ ﺟﻬﺖ ﺗﺠﺰﻳـﻪ ﺷـﻴﻤﻴﺎﺋﻲ ﻣـﻮرد اﺳـﺘﻔﺎده
52
ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﺎﻻﺗﺮ از 50 µmرا ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ دور ،51ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﻴﻦ 0/8-2/5 µmﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﻧﺰدﻳﻚ
و ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﻴﻦ 8-25 µmرا ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺛﺮ اﻧﮕﺸﺖ 53ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ .ﻫﺮ ﺟﺴﻢ در اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﻣﺨﺼﻮص ﺑﻪ ﺧﻮد
ﻧﻤﻮدار ﺟﻌﺒﻪاي از اﺟﺰاي اﺻﻠﻲ ﻣﻮﺟﻮد در ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﻧﻮرﺳﻨﺠﻲ ﻗﺮﻣﺰ در ﺷﻜﻞ ) (2ﻧﻤﺎﻳﺶ داده ﺷﺪه
اﺳﺖ.
51
-Far in frared
52
-Near in frared
53
-Finger print
121
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺗﺠﺰﻳﻪ ﻛﻴﻔﻲ
ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﻴﻔﻲ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ،ﻧﻮع ﮔﺮوهﻫﺎي ﻋﺎﻣﻠﻲ و ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي آن،
ﻃﻴﻒ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﻧﻤﻮﻧﻪ را رﺳﻢ ﻧﻤﻮده و ﺑﺎ ﻣﺮاﺟﻌﻪ ﺑﻪ ﺟﺪاول ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﻛﻪ ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ارﺗﻌﺎش ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ و
ﻳﺎ ﻃﻴﻒ IRاﺟﺴﺎم را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﻨﺪ ،ﻃﻮل ﻣﻮج ﻳﺎ ﻋﺪد ﻣﻮج ﮔﺮوهﻫﺎ و ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎ را ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ.
در ﻃﻴﻒ ﻧﻮرﺳﻨﺠﻲ ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ،IRﻃﻴﻒ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺮﺋﻲ ﺗﺎ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﮔﺴﺘﺮده ﻣﻲﺷﻮد.
ﺳﭙﺲ ﺑﺨﺶ ﻛﻮﭼﻜﻲ از آن ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻳﺎ ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز رﺳﻴﺪه و ﺛﺒﺖ ﻣﻲﺷﻮد .در اﻳﻦ
ﺣﺎﻟﺖ ﻃﻴﻒ ﺑﻪ دﺳﺖ آﻣﺪه ،در ﻣﺤﺪودة ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻳﺎ ﻃﻮل ﻣﻮج ﺛﺒﺖ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ .وﻳﮋﮔﻲ FT-IRاﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ
ﺗﻤﺎم ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻃﻴﻔﻲ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ در ﻳﻚ زﻣﺎن ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺎﺑﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد .در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ در روشﻫﺎي
ﭘﺎﺷﻨﺪه ﺗﻨﻬﺎ ﺑﺨﺶ ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ در ﻳﻚ زﻣﺎن ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲرﺳﻨﺪ .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺳﺮﻋﺖ ،ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ و
ﻧﺴﺒﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ در روش ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ ﺑﺮﺗﺮي ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻼﺣﻈﻪاي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ روش ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ IRدارد ].[2
122
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
ﺑﺮﺧﻲ اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان از ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ) (FT-IRﺑﺪﺳﺖ آورد ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻮارد
ذﻳﻞ اﺳﺖ:
ﺷﻨﺎﺳﺎﺋﻲ ﻛﻴﻔﻲ و ﻛﻤﻲ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ﺣﺎوي ﻧﺎﻧﻮذرات ،ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻮع ﮔﺮوه ﻋﺎﻣﻠﻲ و ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در
ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻬﺎي آن .ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ ﻳﻮن ﻫﻴﺪروژن ﻓﺴﻔﺎت در ﻫﻴﺪروﻛﺴﻲ آﭘﺎﺗﻴﺖ ﻛﻪ در اﻋﻀﺎء
ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﺮﺧﻲ داروﻫﺎي ﺣﺎوي ﻧﺎﻧﻮ ذرات ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲ ﮔﻴﺮد[3] .
ﻣﺮاﺟﻊ
123
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ
رزرو TENSOR27 2
داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ
124
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﺮﺧﻲ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ،ﻣﺎﻧﻨﺪ اﻟﻜﺘﺮون ﺑﻪ دور ﻣﺤﻮر ﺧﻮد ﺣﺮﻛﺖ ﭼﺮﺧﺸﻲ دارﻧﺪ .در ﺣﻀﻮر ﻳﻚ ﻣﻴﺪان آﻫﻨﺮﺑﺎﻳﻲ
ﺧﺎرﺟﻲ ،ﻳﻚ ﻫﺴﺘﻪ در ﺣﺎل ﭼﺮﺧﺶ ﺗﻨﻬﺎ ﺗﻌﺪاد ﻣﻌﺪودي ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﭘﺎﻳﺪار دارد .رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ
ﻫﺴﺘﻪ ) (NMRﻫﻨﮕﺎﻣﻲ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻳﻚ ﻫﺴﺘﻪ اﺳﭙﻴﻦدار ﺑﺎ ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار ﻛﺎﻓﻲ،
در ﺣﻀﻮر ﻳﻚ ﻣﻴﺪان آﻫﻨﺮﺑﺎﻳﻲ از ﻳﻚ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﺑﺎ اﻧﺮژي ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﺑﺎ اﻧﺮژي ﺑﺎﻻﺗﺮ
ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﻪ ﺷﻮد .ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ ﺷﺎﻣﻞ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﻴﺰان اﻧﺮژي ﻻزم ﺑﺮاي ﺗﻐﻴﻴﺮ
ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي اﺳﭙﻴﻦدار از ﻳﻚ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﭘﺎﻳﺪار ﺑﻪ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﻧﺎﭘﺎﻳﺪارﺗﺮ در ﻳﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﺳﺖ .از
آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي اﺳﭙﻴﻦدار در ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﻬﺖ ﻣﻲدﻫﻨﺪ ،ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ
ﻣﺘﻔﺎوﺗﻲ از ﺗﺎﺑﺶ ﺟﺬﺑﻲ ﺑﺮاي ﻋﻮض ﻛﺮدن ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي اﺳﭙﻴﻦدار ﻧﻴﺎز ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ .ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻛﻪ در آن
ﺟﺬب ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد ﺑﺮاي ﺗﺠﺰﻳﻪ و ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮده ﻣﻲﺷﻮد ].[1
رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪاي ﺑﺮاي اوﻟﻴﻦ ﺑﺎر در ﺳﺎل 1946ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻞ ﺗﻮﺳﻂ ﻓﻠﻴﻜﺲ ﺑﻠﻮخ از داﻧﺸﮕﺎه
اﺳﺘﺎﻧﻔﻮرد و ادوارد ﭘﺎرﺳﻞ از داﻧﺸﮕﺎه ﻫﺎروارد ﻛﺸﻒ ﺷﺪ .آﻧﻬﺎ ﺗﻮاﻧﺴﺘﻨﺪ ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ را ﻛﻪ
در ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻧﺘﻘﺎل ﺗﺮاز اﻧﺮژي ﻫﺴﺘﻪ در ﻳﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻗﻮي ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد را ﻧﺸﺎن دﻫﻨﺪ .اﻳﻦ دو
ﻓﻴﺰﻳﻜﺪان در ﺳﺎل 1952ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ﻛﺎرﺷﺎن ﻣﻮﻓﻖ ﺑﻪ درﻳﺎﻓﺖ ﺟﺎﻳﺰة ﻧﻮﺑﻞ ﺷﺪﻧﺪ .در ﭘﻨﺞ ﺳﺎﻟﺔ اول ﭘﺲ از ﻛﺸﻒ
روش رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ ﺷﻴﻤﻴﺪانﻫﺎ درﻳﺎﻓﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﻣﺤﻴﻂ ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ اﺟﺴﺎم ﺑﺮ ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ ﺗﻮﺳﻂ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ
54
-Nuclear Magnetic Resonance
125
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
در ﺣﻀﻮر ﻳﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﺛﺮ ﻣﻲﮔﺬارد و اﻳﻦ اﺛﺮ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﻤﺎن ﻣﻮﻟﻜﻮل ارﺗﺒﺎط داده ﺷﻮد .از آن
ﭘﺲ رﺷﺪ روش ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺗﺸﺪﻳﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪ اﻧﻔﺠﺎرآﻣﻴﺰ ﺑﻮده اﺳﺖ و اﻳﻦ روش اﺛﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﻲ در
ﺗﻮﺳﻌﺔ ﺷﻴﻤﻲ آﻟﻲ ،ﺷﻴﻤﻲ ﻣﻌﺪﻧﻲ و ﺑﻴﻮﺷﻴﻤﻲ داﺷﺘﻪ اﺳﺖ ] .[2در ﺳﺎل 1999ﻳﻚ ﺗﻴﻢ ﻓﻴﺰﻳﻜﺪان ﻛﺎﻧﺎداﻳﻲ ﻣﻮﻓﻖ
ﺑﻪ ﺗﻮﺳﻌﻪ ﻳﻚ روش ﺟﺪﻳﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪاي Betaﺷﺪﻧﺪ ﻛﻪ اﻳﻦ روش ﻗﺎدر ﺑﻪ
ﻧﺸﺎن دادن ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻻﻳﻪ ﻫﺎ و ﺳﻄﻮح ﺑﺴﻴﺎر ﻧﺎزك ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ از روش ﻫﺎي
اﻧﺪازه ﺣﺮﻛﺖ زاوﻳﻪاي اﺳﭙﻴﻦ در ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﺗﻮﺳﻂ ﻋﺪد ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ اﺳﭙﻴﻦ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد.
ﻋﺪدﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ اﺳﭙﻴﻦ ﻫﺴﺘﻪ ﻫﺮ ﻋﺪد ﺻﺤﻴﺢ ﻳﺎ ﻧﻴﻤﻪ ﺻﺤﻴﺤﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﺷﺪ .در ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﻳﻲ ﻣﺎﻧﺪ 16 Oو 12 Cﻛﻪ
ﻓﺎﻗﺪ اﺳﭙﻴﻦ ﻫﺴﺘﻨﺪ ،ﻋﺪد ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ اﺳﭙﻴﻦ ﻫﺴﺘﻪ ﺻﻔﺮ اﺳﺖ .ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺑﺪون اﺳﭙﻴﻦاﻧﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ اﻧﺪازه
ﺣﺮﻛﺖ زاوﻳﻪاي اﺳﭙﻴﻦ ﻧﺪارﻧﺪ ،ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺗﻮﺳﻂ ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ NMRآﺷﻜﺎر ﺷﻮﻧﺪ .ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي اﺳﭙﻴﻦداري ﻛﻪ
1
ﻫﺴﺘﻨﺪ .ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ از اﻳﻦ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﺷﺎﻣﻞ ،3H ،19F ،13C ﺗﻮزﻳﻊ ﺑﺎر ﻛﺮوي دارﻧﺪ ،داراي ﻋﺪد ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ اﺳﭙﻴﻦ
2
1
و ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ .ﺑﺮاي آن ﻛﻪ ﻳﻚ ﻫﺴﺘﻪ در و 1Hﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ داراي ﻋﺪد ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ 31
P، N
15
2
ﻣﻴﺪان آﻫﻨﺮﺑﺎﻳﻲ ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ را ﺑﻪ ﻣﻘﺪار زﻳﺎد ﺟﺬب ﻛﻨﺪ ﺑﺎﻳﺪ در ﻧﻤﻮﻧﻪ از ﻓﺮاواﻧﻲ ﺑﺎﻻﻳﻲ ﺑﺮﺧﻮدار
ﺑﺎﺷﺪ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺎﻳﺪ ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ) ( µﻧﺴﺒﺘﺎً ﺑﺰرگ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ .ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻫﺮ دو ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻮرد
ﻣﻲﺷﻮد .اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺳﺎﻳﺮ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ اﻏﻠﺐ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روشﻫﺎي اﻓﺰاﻳﺶ ﻋﻼﻣﺖ ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻃﻴﻒ ،اﻧﺠﺎم
ﻣﻲ ﺷﻮد .ﻣﻌﻤﻮﻻً از ﻣﻴﺎن ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﻓﺮاواﻧﻲ ﻧﺴﺒﻲ ﭘﺎﻳﻴﻦ ﻛﻪ رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﻨﺪ، 13 C ،
ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ ﺷﻴﻤﻴﺪانﻫﺎ ﻗﺮار دارد .روش رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪاي ﻫﻴﺪورژن ) ( 1 Hﻛﻪ 17
O ، 15 N
ﺑﻴﺸﺘﺮ از دﻳﮕﺮ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد داراي ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﺣﺪود µ =2/7927اﺳﺖ ﺑﺮاي
126
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
1
،اﺧﺘﻼف اﻧﺮژي ﺑﻴﻦ دو ﺳﻄﺢ اﺳﭙﻴﻦ در ﻳﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ داده ﺷﺪه ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ اﺳﭙﻴﻦﻫﺎي ﻫﺴﺘﻪاي
2
ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ آن ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد .ﺑﺮاي دﻳﮕﺮ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺗﺸﺪﻳﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪاي ﻣﻮرد
اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺑﺮاي 31 P ، 19 Fو 13 Cﺑﺮاﺑﺮ 1/1305 2/6873و 0/7022
ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ].[4
در اﻛﺜﺮ ﻣﻮارد ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﺗﺸﺪﻳﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪاي ﻏﻴﺮﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ ﻣﺜﻞ 13 Cو ﻏﻴﺮه در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ
ﺑﺎ 1 HNMRﻛﻤﺘﺮ اﺳﺖ .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ در ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ،ﻓﺮاواﻧﻲ ﻃﺒﻴﻌﻲ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻏﻴﺮﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ ﺑﻪ
ﻣﻴﺰان ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻼﺣﻈﻪاي ﻛﻤﺘﺮ از ﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ اﺳﺖ .اﻳﻦ ﻋﺎﻣﻞ ﺳﺒﺐ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻃﻴﻒﻫﺎي NMRﻫﺴﺘﻪﻫﺎي
ﻏﻴﺮﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ ،ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﻧﺴﺒﺘﺎً ﭘﺎﻳﻴﻨﻲ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ .ﭘﻴﻚﻫﺎي اﻳﻦ ﻃﻴﻒﻫﺎ ﻛﻮﭼﻚ ﻫﺴﺘﻨﺪ و اﻏﻠﺐ اﮔﺮ از
دﺳﺘﮕﺎه ﻳﻜﺴﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﺑﺮاي NMRﻫﺴﺘﻪﻫﺎي ﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ) (PMRﺑﻪ ﻛﺎر رﻓﺘﻪ ،اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد ،ﻃﻴﻒ آﻧﻬﺎ را ﻧﻤﻲﺗﻮان
ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮد .ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺑﻮدن ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ در اﻳﻦ ﻣﻮارد ،ﺑﻴﺸﺘﺮ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﻃﺮاﺣﻲ ﺷﺪه ﺑﺮاي ﺛﺒﺖ
ﻃﻴﻒﻫﺎي NMRﻫﺴﺘﻪﻫﺎي ﻏﻴﺮﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ از ﭼﻨﺪ ﭘﻴﻤﺎﻳﺶ ﻫﻤﺮاه ﺑﺎ ﺗﻜﻨﻴﻚ ﻣﻴﺎﻧﮕﻴﻦ ﮔﻴﺮي از ﻋﻼﻣﺖ اﺳﺘﻔﺎده
ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ .ﻣﺘﺪاولﺗﺮﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎ ﺑﺮاي اﺳﺘﺨﺮاج ﭘﻴﻚﻫﺎي ﻃﻴﻔﻲ از ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ .دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي
ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﻪ ﻃﻴﻒﻫﺎي PMRﻣﺤﻠﻮلﻫﺎي رﻗﻴﻖ و ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﭘﻴﭽﻴﺪه ،ﻣﺎﻧﻨﺪ ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦﻫﺎ ،ﻛﻪ در
آﻧﻬﺎ ﻣﻘﺪار ﻳﻚ ﭘﺮوﺗﻮن وﻳﮋه در ﻣﻮﻟﻜﻮل اﻧﺪك اﺳﺖ ،ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲروﻧﺪ ،ﺗﻔﺎوت ﻃﻴﻒﻫﺎي PMRو ﺳﺎﻳﺮ
ﻃﻴﻒﻫﺎي NMRدر ﻣﺤﺪوده ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ اﺳﺖ .ﻣﺤﺪوده ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﻳﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺑﺮاي PMRدر اﻛﺜﺮ
ﻣﻮارد 10PPMاﺳﺖ .در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻫﺴﺘﻪ 13 Cﺟﺎﺑﻪﺟﺎﻳﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺗﺎ ﺣﺪود 200 PPMاﺳﺖ اﻳﻦ ﻣﻘﺪار
در روشﻫﺎي NMRﻣﻌﻤﻮﻻً واﺣﺪﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﺑﻪ ﺻﻮرت زﻣﺎن )ﺛﺎﻧﻴﻪ( ،زاوﻳﻪ )درﺟﻪ ﻳﺎ رادﻳﺎن(،
درﺟﻪ ﺣﺮارت )ﻛﻠﻮﻳﻦ( ،ﻗﺪرت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )ﺗﺴﻼ ،(T ،اﻧﺮژي )ژول( ،ارﺗﻌﺎش )دور ﺑﺮ ﺛﺎﻧﻴﻪ( و ﻗﺪرت
127
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﺟﺰاء ﻣﻬﻢ ﻳﻚ ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ NMRدر ﺷﻜﻞ ) (1ﺑﻪ ﻃﻮر ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﺗﻮﺿﻴﺢ ﻣﺨﺘﺼﺮي
(1آﻫﻨﺮﺑﺎ:
در ﻃﻴﻒﺳﻨﺞﻫﺎي ﺗﺠﺎري NMRﻫﻢ آﻫﻨﺮﺑﺎﻫﺎي داﺋﻢ و ﻫﻢ آﻫﻨﺮﺑﺎﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﺎ اﺑﻌﺎد ﺑﺰرگ
ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ .ﻧﻮﻋﺎً ﻣﻴﺪاﻧﻲ در ﺣﺪود 14000ﮔﻮس ﺑﻴﻦ ﻗﻄﻌﺎت ﻗﻄﺐﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻛﻪ ﻗﻄﺮي
ﺑﺮاﺑﺮ 12اﻳﻨﭻ ﻳﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮ دارﻧﺪ ،ﺑﺮﻗﺮار ﻣﻲﺷﻮد .ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻛﺎرﻛﺮدي آﻫﻨﺮﺑﺎ ﺑﻪ ﺧﺼﻮص ﺑﺮاي ﻛﺎرﻫﺎي ﺑﺎ ﺗﻔﻜﻴﻚ
128
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﺎﻻ ،ﺣﺴﺎس و ﭘﺮاﻫﻤﻴﺖ اﺳﺖ .ﻣﻴﺪان اﻳﺠﺎد ﺷﺪه ﺑﺎﻳﺪ در ﻣﺤﻮﻃﺔ ﺣﻀﻮر ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﺗﺎ ﻳﻚ ﻗﺴﻤﺖ در 108ﻫﻤﮕﻦ
ﺑﺎﺷﺪ و ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ درﺟﺔ ﻣﺸﺎﺑﻬﻲ در زﻣﺎنﻫﺎي ﻛﻮﺗﺎه ﭘﺎﻳﺪار ﺑﻤﺎﻧﺪ .ﺑﺮاي داﺷﺘﻦ ﭼﻨﻴﻦ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎﺗﻲ ،ﺑﻪ اﺑﺰارﺳﺎزي
ﺗﻜﺎﻣﻞ ﻳﺎﻓﺘﻪاي ﻛﻪ ﻣﺠﻬﺰ ﺑﻪ اﺑﺰار ﭘﺲ ﺧﻮر ﺟﻬﺖ ﺗﺼﺤﻴﺢ در اﻓﺖ و ﺧﻴﺰ اﺳﺖ ،ﻧﻴﺎز ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ.
اﺳﺘﻘﺮار ﻳﻚ ﺟﻔﺖ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻣﻮازي ﺑﺎ ﺳﻄﻮح ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ،ﺗﻨﺎوب ﻣﻴﺪان اﻋﻤﺎل ﺷﺪه در ﻳﻚ
ﮔﺴﺘﺮة ﻛﻮﭼﻚ را اﻣﻜﺎنﭘﺬﻳﺮ ﻣﻲﺳﺎزد .ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻳﻚ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ از ﻣﻴﺎن اﻳﻦ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎ ،ﻣﻴﺪان ﻣﺆﺛﺮ را
ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺪون از دﺳﺖ دادن ﻫﻤﮕﻨﻲ ﻣﻴﺪان ،ﺗﺎ ﭼﻨﺪ ﺻﺪﻣﻴﻠﻲ ﮔﻮس ﺗﻐﻴﻴﺮ داد.
ﻣﻌﻤﻮﻻً ﻗﺪرت ﻣﻴﺪان ﺑﻪ ﻃﻮر ﺧﻮدﻛﺎر و ﺑﻪ ﻃﻮر ﺧﻄﻲ ﺑﺎ زﻣﺎن ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ و اﻳﻦ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺑﺎ ﺣﺮﻛﺖ ﻛﺎﻏﺬ
ﺛﺒﺎت ﻫﻤﺰﻣﺎن اﺳﺖ .ﺑﺮاي ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه 60ﻣﮕﺎﻫﺮﺗﺰي ،ﮔﺴﺘﺮة ﭘﻴﻤﺎﻳﺶ ﻣﻴﺪان ﺑﺮاﺑﺮ 1000ﻫﺮﺗﺰ )235
ﻋﻼﻣﺖ ﺣﺎﺻﻞ از ﻳﻚ ﻧﻮﺳﺎﻧﮕﺮ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ رادﻳﻮﻳﻲ )ﻓﺮﺳﺘﻨﺪه( ﺑﻪ داﺧﻞ ﻳﻚ زوج ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﻲ ﻛﻪ ﻋﻤﻮد ﺑﺮ
ﻣﺴﻴﺮ ﻣﻴﺪان ﻧﺼﺐ ﺷﺪهاﻧﺪ .ﺧﻮراﻧﺪه ﻣﻲﺷﻮد و در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻳﻚ ﭘﺮﺗﻮ ﺗﺎﺑﺶ ﻗﻄﺒﻴﺪة ﻣﺴﻄﺢ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ.
ﻣﻌﻤﻮﻻً از ﻳﻚ ﻧﻮﺳﺎﻧﮕﺮ ﺛﺎﺑﺖ دﻗﻴﻘﺎً 60ﻣﮕﺎﻫﺮﺗﺰي اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺮاي ﻛﺎر ﺑﺎ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻ ،ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ
ﺣﺪود ﻳﻚ ﻗﺴﻤﺖ در 10 8ﺛﺎﺑﺖ ﺑﺎﺷﺪ .ﺗﻮان ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ ﻣﻨﺒﻊ ﻛﻤﺘﺮ از وات اﺳﺖ و ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ ﺷﺎﻳﺪ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار ﻳﻚ
ﻋﻼﻣﺖ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ رادﻳﻮﻳﻲ اﻳﺠﺎد ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي در ﺣﺎل رزوﻧﺎﻧﺲ ،ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﻲ ﻛﻪ ﻇﺮف
129
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻧﻤﻮﻧﻪ را اﺣﺎﻃﻪ ﻛﺮده اﺳﺖ و ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻋﻤﻮد ﺑﺮ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﻣﻨﺒﻊ ﻗﺮار دارد ،آﺷﻜﺎر ﻣﻲﺷﻮد .ﻋﻼﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ
ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺷﺪه در ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎ ﻛﻮﭼﻚ اﺳﺖ و ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ ﺿﺮﻳﺒﻲ ﺑﺮاﺑﺮ 10 5ﻳﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﮔﺮدد ﺗﺎ ﺑﺘﻮاﻧﺪ ﺛﺒﺖ ﺷﻮد.
ﺳﻠﻮل ﻣﺘﺪاول ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪ در NMRﻣﺮﻛﺐ از ﻳﻚ ﻟﻮﻟﻪ ﺷﻴﺸﻪاي ﺑﻪ ﻗﻄﺮ 5ﻣﻴﻠﻲﻣﺘﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺣﺪود 0/4
ﻣﻴﻠﻲﻣﺘﺮ از ﻣﺎﻳﻊ در آن ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد .ﻟﻮﻟﻪﻫﺎي ﻛﻮﭼﻜﺘﺮ ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺣﺠﻢ ﻛﻤﺘﺮ ﻧﻴﺰ در دﺳﺘﺮس اﺳﺖ][2
.
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
130
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
-6روش ﻫﺎي NMRﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﻗﺎدر ﺑﻪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﺎﻧﻮﻳﻲ ﻳﺎ ﭘﺪﻳﺪه ﻫﺎي ﻫﻤﺮاه ﺑﺎ
ﺟﺪاﺳﺎزي ﺑﺎ درﺟﻪ ﺧﻠﻮص در ﻣﻘﻴﺎس ﻧﺎﻧﻮ ﻧﻴﺴﺘﻨﺪ .زﻳﺮا ﻛﻪ اﻧﺪازه ﻫﺎي ﻧﺎﻧﻮﻳﻲ ﻧﻴﺎز ﺑﻪ 1018اﺳﭙﻴﻦ
ﻫﺴﺘﻪاي ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻫﺎي ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻼﺣﻈﻪ دارد از اﻳﻦ رو روشﻫﺎي رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ
اي Betaﻛﻪ ﺑﻌﺪاً ﺗﻮﺳﻌﻪ ﭘﻴﺪا ﻛﺮده ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻫﺎي درﻳﺎﻓﺘﻲ آن ﺑﺴﻴﺎر ﺣﺴﺎس و در ﺣﺪود 10ﺑﺮاﺑﺮ
روش ﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ اﺳﺖ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻻﻳﻪﻫﺎ و ﺳﻄﻮح ﺑﺴﻴﺎر
-7اراﻳﻪ اﻃﻼﻋﺎت ﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﺎ دﻗﺖ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ از ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﭘﻴﭽﻴﺪه ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ ﻣﺎﻧﻨﺪ وﻳﺮوسﻫﺎ ].[7
ﻣﺮاﺟﻊ
-1ﻣﻌﺼﻮﻣﻲ ﻋﻠﻲ ،ﺷﻴﻤﻲ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ،داﻧﺸﮕﺎه آزاد اﺳﻼﻣﻲ واﺣﺪ ﺗﻬﺮان ﺷﻤﺎل ،ﭼﺎپ اول ،1374ص 544
-2آزاد و ﻫﻤﻜﺎران ،اﺻﻮل ﺗﺠﺰﻳﺔ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ،ﺟﻠﺪ اول ﻣﺮﻛﺰ ﻧﺸﺮ داﻧﺸﮕﺎﻫﻲ ،ﭼﺎپ ﭼﻬﺎرم ،1374ص 456
3-ww.triumf.info/public/repository/Hb/Hb200309.pdf "The Basis of Nanotechnology
Development at TRIUMF: How Application Begin ", Canada's Nanotechnology Laratory
For Particle And nuclear Physics
4-www.Cem.msu.edu/~reusch/virtual.tekd/Spectrpy/nmr/nmr1.ntm-
5-http://www.cis.rit.edu/htbooks /nmr/inside.htm the Basic of NMR
6- the application of nuelear magnetic resonance to the Study of cellular phjsioligg" ,
1984, American Physiological Soeiety,
-7ﻣﻐﺮﺑﻲ ،ﺷﺎﻫﻮردي ،ﺳﻤﺖ و ﺳﻮي ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ،ﭘﺎﻳﻴﺰ ،1383ﭼﺎپ اول ،ص344
131
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ
رزرو Avance 400MHZ 7
آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ
132
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦ ﻫﺎي ﺑﺰرﮔﺘﺮ از 10ﺗﺎ 15ﻛﻴﻠﻮ داﻟﺘﻮن Brukerآﻟﻤﺎن Avance 600 MHZ 2
ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﺮوﺗﻴﻴﻦ ﻫﺎي ﺑﺰرﮔﺘﺮ از 20ﺗﺎ 25ﻛﻴﻠﻮ داﻟﺘﻮن Brukerآﻟﻤﺎن Avance 800 MHZ 4
133
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺑﺮﻫﻢﻛﻨﺶ ﻧﻮر ﺑﺎ ﻣﺎده در ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ ﻗﺮﻣﺰ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ دو ﺻﻮرت ﺟﺬب و ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ اﻧﺠﺎم ﮔﻴﺮد .اﻳﻦ دو
ﭘﺪﻳﺪه اﺳﺎس ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺑﻪ دو روش ﻃﻴﻒ ﻧﻮرﺳﻨﺠﻲ ﺟﺬﺑﻲ زﻳﺮﻗﺮﻣﺰ و ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ راﻣﺎن
ﭘﺪﻳﺪه ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ راﻣﺎن ،داراي ﻋﻼﻣﺖ ﺿﻌﻴﻔﻲ اﺳﺖ .ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ دﻟﻴﻞ ﺗﺎ ﺳﺎل 1982اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻧﺸﺪه
ﺑﻮد .اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺧﺎﻃﺮ ﻧﺸﺎن ﻧﻤﻮد ﻛﻪ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺳﺎل ﻗﺒﻞ از ﻛﺸﻒ ﭘﺪﻳﺪه راﻣﺎن ،ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﻧﻮر ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﺟﺎﻣﺪات،
ﻣﺎﻳﻌﺎت و ﮔﺎزﻫﺎي ﺷﻔﺎف ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺑﻮد .ﭼﻨﺪ ﻣﺎه ﭘﺲ از ﻛﺸﻒ راﻣﺎن ،ﻓﻴﺰﻳﻜﺪاﻧﺎن روﺳﻲ ﺑﻪ
ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻞ در زﻣﻴﻨﻪ وﺟﻮد اﻳﻦ اﺛﺮ در ﺑﻠﻮرﻫﺎ ﺑﻪ ﻧﺘﺎﻳﺞ ﺟﺎﻟﺒﻲ دﺳﺖ ﻳﺎﻓﺘﻨﺪ و اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه را ﺑﻪ ﺟﺎي اﺛﺮ راﻣﺎن،
در ﺳﺎﻟﻴﺎن اﺧﻴﺮ ﭘﻴﺸﺮﻓﺖ ﺗﻜﻨﻴﻚﻫﺎي ﻟﻴﺰري ﻣﻮﺟﺐ ﺑﺮرﺳﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮ در ﻣﻮرد اﺛﺮ راﻣﺎن و ﻛﺸﻒ ﺗﻌﺪادي از
ﭘﺪﻳﺪهﻫﺎي ﻣﺮﺗﺒﻂ ﺑﻪ آن ﺷﺪه اﺳﺖ .ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲﻫﺎي ﻟﻴﺰر از ﺟﻤﻠﻪ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﺗﺸﺪﻳﺪ ،ﺗﻤﺮﻛﺰ و اﻫﻤﻴﺖ اﻳﻦ
ﺧﻮاص در راﺑﻄﻪ ﺑﺎ ﭘﺪﻳﺪه راﻣﺎن ،ﻟﻴﺰر ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﻨﺒﻊ ﻣﻨﺎﺳﺒﻲ ﺑﺮاي ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن ﺑﻪ ﺷﻤﺎر ﻣﻲرود .در اﻳﻦ
روش ﻋﻤﻮﻣﺎً از ﻟﻴﺰرﻫﺎي آرﮔﻮن و ﻛﺮﻳﭙﺘﻮن اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد) .ﭼﻮن ﻣﻮج ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﺑﺎﻻﻳﻲ دارﻧﺪ( .اﻟﺒﺘﻪ اﻏﻠﺐ
ﻃﺮح ﺳﺎدهاي از ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﺑﻴﻦ ﻟﻴﺰري راﻣﺎن در ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ].[1
134
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻧﻮر ﺗﻜﻔﺎم ﻟﻴﺰر He-Neﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﻴﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﻫﺪف آزﻣﺎﻳﺶ ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﻋﺪﺳﻲ L 1ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ و ﻳﺎ ﺑﺎز
ﻣﻲﺷﻮد .ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﺳﻠﻲ ﻗﺮار دارد ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ از ﺷﻔﺎﻓﻴﺖ ﻣﻨﺎﺳﺒﻲ ﺑﺮﺧﻮردار ﺑﺎﺷﺪ .ﺗﺎﺑﺶ ﭘﺲ از ﻋﺒﻮر از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ
آﻳﻴﻨﻪ ﻣﻘﻌﺮ M 1ﺑﺮﺧﻮرد و ﭘﺮﺗﻮﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﻧﻴﺎﻓﺘﻪاﻧﺪ دوﺑﺎره ﺑﻪ ﺳﻮي ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎز ﻣﻲﮔﺮدﻧﺪ .ﺑﺪﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ
ﻣﻴﺎن ﮔﺬري ﻧﻮري اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ .ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﭘﺮاﻛﻨﺪه ﺷﺪه در ﺟﻬﺖﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻋﺪﺳﻲ ﻫﻤﮕﺮا ) 2
(Lﻛﻪ در ﻳﻚ ﻃﺮف ﺳﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻌﺒﻴﻪ ﮔﺮدﻳﺪه ،ﺟﻤﻊآوري ﻣﻲﺷﻮد .از ﺳﻮي دﻳﮕﺮ ﻳﻚ آﻳﻴﻨﻪ ﻣﻘﻌﺮ ) (M 2ﺑﺮاي
اﻓﺰاﻳﺶ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﭘﺮاﻛﻨﺪه ﺷﺪه در ﺳﻤﺖ ﻣﻘﺎﺑﻞ دﺳﺘﮕﺎه ﻗﺮار دارد .ﻗﻄﺒﺶ ﭘﺮﺗﻮ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻋﺪﺳﻲ ﺗﻮﺳﻂ
ﻗﻄﺒﺶ ﺳﻨﺞ ) (Pﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد .در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ اﻳﻦ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺻﻮرت ﻧﭙﺬﻳﺮد ،ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﺎ
وارد ﺗﻜﻔﺎمﺳﺎز ﭘﻴﻤﺎﻳﺸﻲ ﻣﻲﺷﻮد و ﺳﭙﺲ ﺑﻪ ﻳﻚ آﺷﻜﺎر ﺳﺎز ) (PMﻫﺪاﻳﺖ ﻣﻲﮔﺮدد .از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ
راﻣﺎن ﺷﺪت ﺿﻌﻴﻔﻲ دارد ﻟﺬا از ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪه اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ) (Aاﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .ﻧﻬﺎﻳﺘﺎً ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﺛﺒﺎت
) (CRﺗﻐﻴﻴﺮات ﺷﺪت ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺛﺒﺖ ﻣﻲﮔﺮدد .اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺮاي ﻛﻨﺘﺮل ﻛﻞ ﺳﻴﺴﺘﻢ،اؤ ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه
135
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ ﺑﺎ اﻳﻦ روش ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي
ﭼﺮﺧﺸﻲ و ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﻮﻟﻜﻮل ،ارزﻳﺎﺑﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ و ﺣﺘﻲ ﺗﻘﺎرن ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ اﻣﻜﺎن ﭘﺬﻳﺮ اﺳﺖ .در ﺑﺮﺧﻲ ﻣﻮارد ﻛﻪ
اﻣﻜﺎن ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ وﺟﻮد ﻧﺪارد ،ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ ﺗﻜﻴﻪ ﺑﺮ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺛﺒﺖ ﺷﺪه ،ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻦ اﺗﻢﻫﺎ در
ﻳﻚ ﻣﻮﻟﻜﻮل را ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﺮد .اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ و راﻣﺎن ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ ،ﺑﺴﻴﺎر
ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻫﺴﺘﻨﺪ .ﺑﻪ ﺗﺎزﮔﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﻴﭽﻴﺪه ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي زﻳﺴﺘﻲ ﺑﺎ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﺪه اﺳﺖ .ﻃﻴﻒ
راﻣﺎن اﻃﻼﻋﺎت ﺑﺎ ارزﺷﻲ را ﻧﻴﺰ در زﻣﻴﻨﻪ ﻓﻴﺰﻳﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﺟﺎﻣﺪ اراﺋﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﭼﻮن ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن را ﻣﻲﺗﻮان
ﺑﻪ راﺣﺘﻲ ﺑﺮاي ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ اﺟﺰاء و ﮔﺮوهﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﺋﻲ در ﻣﺤﻴﻂ آب ﺑﻪ ﻛﺎرﺑﺮده اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ ﺗﻜﻨﻴﻚ در ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ
-4ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ راﻣﺎن ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ذرات ﻧﺎﻧﻮﻣﻘﻴﺎس ﺑﺮﺧﻲ از ﻣﻠﻜﻮﻟﻬﺎي آﻟﻲ ] [4و ﻧﺎﻧﻮ
ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻬﺎي [5] DNAو ﻧﺎﻧﻮ ﺗﻴﻮپ ﻛﺮﺑﻦ ] [6ﻣﻲ ﺗﻮان اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد.
-5ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻗﻄﺮ ﻛﺮﺑﻦ ] [7و ﻛﺎﻳﺮاﻟﻴﺘﻪ ﻛﺮﺑﻦ ]) [8ﻛﺮﺑﻦ ﻛﺎﻳﺮال ،ﻛﺮﺑﻨﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﭼﻬﺎر ﮔﺮوه اﺗﻢ ﻣﺘﺼﻞ
ﺑﻪ آن ﻣﺘﻔﺎوت ﺑﺎﺷﺪ( و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻗﻄﺮ ﻧﺎﻧﻮ ذرات ﻣﻌﺪﻧﻲ ] [8ﻣﻲ ﺗﻮان از ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ راﻣﺎن اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد.
136
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺮاﺟﻊ
3- Hallen H.D. Ayars E.J. Jahncke C.L., "The effects of probe boundary conditions and
propagation on nano-Raman spectroscopy", Journal of Microscopy, vol. 210, no. 3,
pp. 252-254(3), 2003.
5- N. Hayazawa, Y. Inouye, Z. Sekkat, and S. Kawata, J. Chem. Phys., 117, 1296 2002.
8- Tomoya Ohno, Daisuke Suzuki, and Hisao Suzuki Size Effect for Barium Titanate
Nano-particles, KONA, No.22, 2004.
137
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
138
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﺗﺴﻮت ،ﮔﻴﺎه ﺷﻨﺎس روﺳﻲ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻛﺎﺷﻒ ﭘﺪﻳﺪه ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ .او در اواﺧﺮ ﻗﺮن
ﻧﻮزدﻫﻢ ﺑﺮاي ﺟﺪاﺳﺎزي رﻧﮕﺪاﻧﻪﻫﺎي ﺑﺮگ ﺳﺒﺰ از ﻳﻚ ﺳﺘﻮن ﭘﺮﺷﺪه ﺑﺎ ﻛﻠﺴﻴﻢ ﻛﺮﺑﻨﺎت اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد .ﭘﺲ از
او ،داﻧﺸﻤﻨﺪان زﻳﺎدي در ﺗﻮﺳﻌﻪ ﺗﺌﻮري و روش ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻧﻘﺶ داﺷﺘﻪاﻧﺪ .از ﺟﻤﻠﻪ ﻣﺎرﺗﻴﻦ و ﺳﻴﻨﺞ ﻛﻪ ﺑﻪ
ﻋﻠﺖ ﺗﻮﺻﻴﻒ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺗﻘﺴﻴﻤﻲ ﻣﻮﻓﻖ ﺑﻪ اﺧﺬ ﺟﺎﻳﺰه ﻧﻮﺑﻞ در ﺳﺎل 1952ﺷﺪﻧﺪ .در ﻫﻤﺎن ﺳﺎل ﻣﺎرﺗﻴﻦ ﺑﻪ
ﻫﻤﺮاه ﺟﻴﻤﺰ روش ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز -ﻣﺎﻳﻊ را ﻣﻌﺮﻓﻲ ﻧﻤﻮد .ﺗﻼشﻫﺎ و ﻛﻮﺷﺶﻫﺎي اﻳﻦ داﻧﺸﻤﻨﺪان ﺑﺎﻋﺚ
ﮔﺮدﻳﺪ ﺗﺎ اﻣﺮوزه اﻳﻦ روش ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻳﻜﻲ از ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ روشﻫﺎي ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ در ﺗﻤﺎﻣﻲ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎي ﺷﻴﻤﻲ و
واژه ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ اﻣﺮوزه ﺑﻪ دﺳﺘﻪاي از روشﻫﺎ اﻃﻼق ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ در آﻧﻬﺎ ﺟﺪاﺳﺎزي اﺟﺰاء ﻣﻮﺟﻮد در
ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺨﻠﻮط ،ﺑﺮ اﺳﺎس ﺗﻤﺎﻳﻞ ﻧﺴﺒﻲ ﻫﺮ ﺟﺰء ﺑﻪ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻫﻨﮕﺎم ﻋﺒﻮر ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك از روي و ﻳﺎ درون ﻓﺎز
ﺳﺎﻛﻦ اﺳﺖ .ﮔﻮﻧﻪاي ﻛﻪ ﺗﻤﺎﻳﻞ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﻪ ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك دارد ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺣﺮﻛﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﺑﺎﻟﻌﻜﺲ
ﮔﻮﻧﻪاي ﻛﻪ ﺑﻪ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﺗﻤﺎﻳﻞ ﺑﻴﺸﺘﺮي دارد ،ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﻛﻤﺘﺮي در ﻃﻮل ﺳﺘﻮن ﺣﺮﻛﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ.
ﺑﻪ ﻋﻠﺖ آن ﻛﻪ ﻣﻮاد ﺑﺎ درﺟﺎت ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن ﺑﻪ ﻓﺎزﻫﺎي ﺳﺎﻛﻦ ﺗﻤﺎﻳﻞ دارﻧﺪ ،ﻣﻲﺗﻮان از اﻳﻦ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﺟﻬﺖ
ﺟﺪاﺳﺎزي آﻧﻬﺎ از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد .زﻣﺎن ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز ﺑﺮاي ﺣﺮﻛﺖ ﻫﺮ ﺟﺰء در ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻣﺸﺨﺺ را ﻣﻲﺗﻮان
ﺑﺮاي ﺗﺠﺰﻳﻪﻫﺎي ﻛﻴﻔﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮد .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻣﻘﺪار اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪه ﺑﺮاي ﻫﺮ ﺟﺰء ﺟﺪا ﺷﺪه ﻧﻴﺰ ﺟﻬﺖ ﺗﺠﺰﻳﻪ
139
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻃﺒﻴﻌﺖ ﻓﺎزﻫﺎي ﺳﺎﻛﻦ و ﻣﺘﺤﺮك ﺑﻪ دﺳﺘﻪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﺮﺧﻲ
ﮔﻮﻧﻪﻫﺎي آﻟﻲ ﻣﺘﺼﻞ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﺟﺎﻣﺪ ﻣﺎﻳﻊ ﻓﻮق ﺑﺤﺮاﻧﻲ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻓﻮق ﺑﺤﺮان
ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻣﺎﻳﻊ ﻳﻜﻲ از اﻧﻮاع ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك در آن ﻣﺎﻳﻊ اﺳﺖ .ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ
ﮔﺎزي ﻧﻴﺰ روش دﻳﮕﺮي اﺳﺖ ﻛﻪ در آن ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك ﮔﺎز اﺳﺖ .اﮔﺮ ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك ﮔﺎز و ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎﺷﺪ،
روش را ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز -ﻣﺎﻳﻊ ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ .روشﻫﺎي ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز -ﺟﺎﻣﺪ ،ﻣﺎﻳﻊ -ﻣﺎﻳﻊ و ﻣﺎﻳﻊ -ﺟﺎﻣﺪ
ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮام ،55ﻧﻤﻮداري از ﭘﺎﺳﺦ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺑﺮ ﺣﺴﺐ زﻣﺎن ،ﺣﺠﻢ ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك ﻳﺎ ﻓﺎﺻﻠﻪ اﺳﺖ.
55
- Chromatogram
140
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
اﻃﻼﻋﺎت ﻣﻔﻴﺪي ﻧﻈﻴﺮ ﻣﻴﺰان ﭘﻴﭽﻴﺪﮔﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﺗﻌﺪاد اﺟﺰاء ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ،ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻛﻴﻔﻲ اﺟﺰاي ﻧﻤﻮﻧﻪ،
درك ﻛﻤﻲ از درﺻﺪ ﮔﻮﻧﻪﻫﺎ ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎي ﻛﺎراﻳﻲ ﺳﺘﻮن ،ﺑﻪ ﺳﺎدﮔﻲ از ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮام ﻗﺎﺑﻞ
ﺣﺼﻮل ﻫﺴﺘﻨﺪ.
در HPLCاﻏﻠﺐ از ﺳﺘﻮنﻫﺎي ﭘﺮ ﺷﺪه ﺑﺎ ذرات رﻳﺰ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻋﻠﺖ ﺳﻄﺢ
ﺑﻴﺸﺘﺮي از ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ در ﺳﺘﻮن در ﻣﻌﺮض اﺟﺰاء ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد و در ﻧﺘﻴﺠﻪ راﻧﺪﻣﺎن ﺟﺪاﺳﺎزي در اﻳﻦ
در ﺳﻴﺴﺘﻢ HPLCﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﺳﻮزن ﻣﺨﺼﻮص وارد ﭘﻴﺶ ﺳﺘﻮن ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﻣﻲﺷﻮد .ﻫﻢ زﻣﺎن از ﻳﻚ
ﺣﻼل ﻣﺨﺼﻮص ﺟﻬﺖ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﺪن ﺑﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .ﺳﭙﺲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ ﺣﻼل ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﺪه و
وارد ﺳﺘﻮن ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﻣﻲﺷﻮد و ﺑﺮ اﺳﺎس ﻣﻴﺰان ﻗﻄﺒﻴﺖ ﺣﻼل و ﺗﺮﻛﻴﺐ از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﺪا ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻧﻤﻮﻧﻪ
ﺑﺮ اﺳﺎس زﻣﺎن ﺑﺎزداري از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .ﺷﻜﻞ زﻳﺮ اﺟﺰاي ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ HPLCرا ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ
].[1
141
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ در. ﺧﺎﻟﺺﺳﺎزي و ﺷﻨﺎﺳﺎﺋﻲ ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦﻫﺎ و ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ﺑﻮﻳﮋه ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت داروﺋﻲ، ﺟﺪاﺳﺎزي-1
.[2] ﺑﺮﺧﻲ از آزﻣﺎﻳﺶﻫﺎي ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻏﻠﻈﺖ داروﻫﺎ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد
[2] آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﻫﻀﻢ ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦ،(در ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﭘﺮوﺗﻮﻣﻴﻚ )ﺗﺤﻘﻴﻘﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﺑﺮروي ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦﻫﺎ اﻧﺠﺎم ﻣﻲ ﺷﻮد-2
ﻣﺮاﺟﻊ
4- Martin Vollmer. Edgar Nagele, Patric Horth, "Different Proteome Analysis: Two-
Dimensional Nano-LC/MS of E. Coil Proteome Grown on Different Carbon Sources", J.
Bimolecular Techniques, 14, 128-135, 2003.
142
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
600E9510
ﻋﻀﻮ ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻔﺖ 7
LC-9A
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ
رزرو - 10
آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ
143
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
Knauer
Knauer K-2500 1
England
Cecil series 1100 2
England
Unicam ATi unicam 3
Knauer
Knauer Klool 4
144
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﮔﺎزي ﺑﺎردار را ﺑﺮ اﺳﺎس ﺟﺮم آﻧﻬﺎ دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي
ﻣﻲﻛﻨﺪ .اﻳﻦ روش ارﺗﺒﺎط واﻗﻌﻲ ﺑﺎ ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﻧﻮري ﻧﺪارد وﻟﻲ ﻧﺎم ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ ﺑﺮاي اﻳﻦ روشﻫﺎ
اﻧﺘﺨﺎب ﺷﺪه اﺳﺖ ،زﻳﺮا دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي اوﻟﻴﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻋﻜﺲ ﻣﻲﻛﺮدﻧﺪ ﻛﻪ ﺷﺒﻴﻪ ﺑﻪ ﻃﻴﻒ ﺧﻄﻲ ﺑﻮد.
ﻓﺮآﻳﻨﺪ دﺳﺘﮕﺎه
در داﺧﻞ دﺳﺘﮕﺎه ﺧﻼﺋﻲ ﺑﻪ ﻣﻴﺰان 10 −5 -10 −6 mmHgﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ .ﻣﻘﺪار ﻛﻤﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﺣﺪود (1 µl
ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻟﻮﻟﻪ از درﻳﭽﺔ ﻛﻮﭼﻜﻲ وارد ﻣﻨﺒﻊ ﻳﻮﻧﺶ ﻣﻲﺷﻮد .ﻧﻤﻮﻧﻪ در اﺛﺮ ﮔﺮﻣﺎ و ﺧﻼء ﻣﻮﺟﻮد ﺑﻪ ﺻﻮرت ﮔﺎز
درآﻣﺪه و ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ از اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﭘﺮاﻧﺮژي )ﺣﺪود ( 50-70 evﺑﻪ ﻃﺮف آﻧﺪ ﻣﻘﺎﺑﻞ ﺷﺘﺎب ﮔﺮﻓﺘﻪ و ﺟﺬب
آن ﻣﻲﺷﻮد .در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺑﻤﺒﺎران اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ،ﺟﺰﺋﻲ از ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﺣﺪود 0/1درﺻﺪ( ﻳﻮﻧﻴﺰه ﻣﻲﺷﻮد .در
اوﻟﻴﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﻣﻄﺎﺑﻖ واﻛﻨﺶ زﻳﺮ ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون از Mﺧﺎرج ﺷﺪه و ﻳﻚ ﻛﺎﺗﻴﻮن ﻳﻚ ﻇﺮﻓﻴﺘﻲ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ وزن
در اﺛﺮ اﻓﺰاﻳﺶ اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ،ﻳﻮن M +ﺑﻪ ﻛﺎﺗﻴﻮنﻫﺎي ﻳﻚ ﻇﺮﻓﻴﺘﻲ
ﻛﻮﭼﻚﺗﺮي ﺷﻜﺴﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد .ﻳﻮنﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ ﺣﺎﺻﻞ از ﻃﺮﻳﻖ ﺷﺘﺎبدﻫﻨﺪه و ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪ ﻗﻄﺐ ﻣﺜﺒﺖ آن و
ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﻔﺎوت در ﻓﺸﺎر ﻣﻮﺟﻮد ﺑﻴﻦ ﻣﺤﻞ ورود ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﻓﻀﺎي ﺳﻤﺖ راﺳﺖ دﺳﺘﮕﺎه ﺑﻪ ﺳﻤﺖ روزﻧﻪ
ﻛﻮﭼﻜﻲ ﻫﺪاﻳﺖ ﺷﺪه و ﭘﺲ از ﮔﺬﺷﺘﻦ از آن ﺟﺮﻳﺎن ﻳﻮنﻫﺎ از ﺑﻴﻦ دو ﻗﻄﺐ ﻳﻚ آﻫﻨﺮﺑﺎي ﻗﻮي ﻛﻪ ﺟﻬﺖ
145
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﻴﺪان آن ﻋﻤﻮد ﺑﺮ ﻣﺴﻴﺮ ﻳﻮنﻫﺎ اﺳﺖ ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﺪ ،ﻛﺎﺗﻴﻮنﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد ﺑﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮم ﺑﺮ ﺑﺎر ) (m/eﻣﻨﺤﺮف
ذرات ﺟﺪا ﺷﺪه ﭘﺲ از ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ ﻳﻚ ﺻﻔﺤﺔ ﻋﻜﺎﺳﻲ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺧﻄﻮﻃﻲ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ.
دﺳﺘﮕﺎه ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ ،ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ و ﻳﻮنﻫﺎي ﮔﺎزي ﺑﺎردار را ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﺟﺮم آﻧﻬﺎ در ﻣﻴﺪان آﻫﻨﺮﺑﺎﻳﻲ از
ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﺪا و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﻲﻛﻨﺪ .ﻃﻴﻒ ﺟﺮﻣﻲ ﺣﺎﺻﻞ ﺟﻬﺖ ﺗﻌﻴﻴﻦ وزن ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ دﻗﻴﻖ ،ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ اﺟﺴﺎم و
ﺗﻌﻴﻴﻦ درﺻﺪ اﻳﺰوﺗﻮپﻫﺎ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد .ﺷﻜﻞ ) (1ﻗﺴﻤﺖﻫﺎﻳﻲ از ﻳﻚ ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ را ﻧﺸﺎن
ﻣﻲدﻫﺪ
روش دﻳﮕﺮ ﺑﺮاي وارد ﺳﺎﺧﺘﻦ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ دﺳﺘﮕﺎه ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ ،اﺳﺘﻔﺎده از ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاف ﮔﺎزي اﺳﺖ.
ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاف ﮔﺎزي در ﺑﺨﺶ ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﺗﻮﺿﻴﺢ داده ﺷﺪه اﺳﺖ .در دﺳﺘﮕﺎه GC-MSاﺟﺰاي ﻳﻚ ﻣﺨﻠﻮط ﺑﻪ
ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﺳﺘﻮن ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ از ﻫﻢ ﺟﺪا ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ و ﭘﺲ از ﺣﺬف ﮔﺎز ﺣﺎﺻﻞ ،وارد ﻣﻨﺒﻊ ﻳﻮﻧﺶ
146
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان از ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ ﺑﺪﺳﺖ آورد ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻮارد ذﻳﻞ اﺳﺖ:
ﺷﻨﺎﺳﺎﺋﻲ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺧﺎﻟﺺ آﻟﻲ ،ﺗﻌﻴﻴﻦ وزن ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ و ﻓﺮﻣﻮل ﺗﺠﺮﺑﻲ ﺗﺮﻛﻴﺐ ،ﺣﻀﻮر ﻳﺎ ﻋﺪم ﺣﻀﻮر
ﮔﺮوﻫﻬﺎي ﻋﺎﻣﻠﻲ در ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ،ﭘﺎﻳﺪاري اﻧﻮاع ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻳﻮﻧﻬﺎ .ﺑﺮاي ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻣﺮاﺟﻊ ] 2و[3
ﻣﺮاﺟﻌﻪ ﻧﻤﻮد.
ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺗﺮﻛﻴﺐ و ﭘﺎﻳﺪاري در ﻓﺎز ﻣﺤﻠﻮل ﻣﻲﺗﻮان از MSاﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد .ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺑﺮاي
ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺷﺎﺧﻪاي ﻧﺎﻧﻮﻣﻘﻴﺎس ﺑﺎ اﺑﻌﺎد 1/5 nmﻣﻲﺗﻮان از روش ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ ﺑﺎ ﺗﻜﻨﻴﻚ
ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ از روش ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺑﻪ ﻃﻮر وﺳﻴﻌﻲ در ﺗﺠﺰﻳﻪ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ،ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ ،ﭘﻠﻴﻤﺮي ﺣﺎوي ﻧﺎﻧﻮ
ذرات ﻃﻼ ،ﻓﻠﻮرﻳﻦﻫﺎ و ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺷﺎﺧﻪاﺋﻲ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد و ﻣﻲﺗﻮان ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ
در ﻣﺮاﺟﻊ ] [10-16ﺑﻪ ﺑﺮرﺳﻲ ﺗﺮﻛﻴﺐ ،اﺑﻌﺎد ،ﺳﻄﺢ و ﭘﺎﻳﺪاري ﻧﺎﻧﻮذراﺗﻲ ﻛﻪ اﻏﻠﺐ از ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ﻓﻠﺰي
ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ ،ﭘﺮداﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮﺗﺮي اﻳﻦ روش اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﭙﻲ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎ ،ﺳﺮﻳﻊ ﺑﻮدن
ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ ﻣﺰﻳﺖ اﻳﻦ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺑﻨﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎ از ﻗﺒﻴﻞ ،IR ،UV-Vis ،XRD ،TEM
اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ راﻣﺎن و TGAاﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ از روشﻫﺎي ﻓﻮق ﻧﻤﻲﺗﻮان
147
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻣﺮاﺟﻊ
3- Aldermaston, Eight Peak Index of Mass Spectra, 2 ed, Mass Spectroscopy Data Center,
Reading, United Kingdom, 1974.
148
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
149
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي در ﺳﺎل 1952ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﺟﻴﻤﺰ و ﻣﺎرﺗﻴﻦ ﺑﺮاي ﺟﺪا ﻛﺮدن ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻛﻢ اﺳﻴﺪﻫﺎي ﭼﺮب
ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮده ﺷﺪ GC .ﻳﻚ روش ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺟﺪاﺳﺎزي ،ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي اﺟﺰاي ﻓﺮار ﺑﻪ ﻛﺎر
ﻣﻲرود .ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺟﺪا ﻛﺮدن ﺑﻨﺰن )ﻧﻘﻄﻪ ﺟﻮش (80/1 oCاز ﺳﻴﻠﻜﻮﻫﮕﺰان )ﻧﻘﻄﻪ ﺟﻮش (80/8 oCﺑﻮﺳﻴﻠﻪ
ﺗﻘﻄﻴﺮ ﺟﺰء ﺑﻪ ﺟﺰء ﻏﻴﺮ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ .در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ آﻧﻬﺎ را در ﭼﻨﺪ دﻗﻴﻘﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ
ﮔﺎزي ﺟﺪا ﻧﻤﻮد و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﺮد .ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺣﺪود 200ﺟﺰء ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻧﻔﺖ ﺧﺎم را ﺑﻪ آﺳﺎﻧﻲ ﻣﻲﺗﻮان ﺗﺸﺨﻴﺺ
داد .اﻳﻦ روش ﺳﺮﻳﻊ و ﺳﺎده اﺳﺖ و ﺑﺮاي ﺗﺸﺨﻴﺺ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻳﻚ ﻣﺎده ﻓﺮار ﻳﺎ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻛﻢ ﻣﻮاد
ﺿﺪ آﻓﺖ در ﭘﻮﺳﺖ ﻣﻴﻮهﺟﺎت و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﮔﺎزﻫﺎ و آﻟﻮدﮔﻲ ﻣﻮاد ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود ].[1
در ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي ،ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك ﻳﻚ ﮔﺎز اﺳﺖ .ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻳﻚ ﻣﺎدة ﺟﺎذب ﺟﺎﻣﺪ ﻳﺎ ﻣﺎﻳﻊ ﭘﻮﺷﺶ
داده ﺷﺪه و ﻳﺎ داراي ﭘﻴﻮﻧﺪ ﺑﺎ ﻳﻚ ﺟﺎﻣﺪ ﺑﺮ روي دﻳﻮاره ﺳﺘﻮن اﺳﺖ .اﮔﺮ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﺟﺎﻣﺪ ﺑﺎﺷﺪ ،روش را
ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز -ﺟﺎﻣﺪ ) (GSCو اﮔﺮ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎﺷﺪ ،روش را ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز -ﻣﺎﻳﻊ )(GLC
ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ .ﻫﺮ ﭼﻨﺪ ﻫﺮ دو روش در ﺗﺠﺰﻳﻪ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲروﻧﺪ وﻟﻲ GLCﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد.
ﺟﺪا ﺷﺪن اﺟﺰاي ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻓﺮار در GLCﺑﺮ اﺳﺎس ﺗﻘﺴﻴﻢ آﻧﻬﺎ ﺑﻴﻦ دو ﻓﺎز ﻣﺎﻳﻊ و ﮔﺎز اﺳﺖ .ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﻓﺎز
ﻣﺘﺤﺮك ﺣﻞ ﺷﺪه و ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻳﻚ ﻣﺎﻳﻊ دﻳﺮﺟﻮش اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻻﻳﺔ ﻧﺎزﻛﻲ ﺑﺮ روي ذرات ﻳﻚ ﺟﺎﻣﺪ
ﮔﺴﺘﺮده ﺷﺪه اﺳﺖ .ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاف ﮔﺎزي از ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي زﻳﺮ ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ ].[1
150
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﮔﺎز ﺣﺎﻣﻞ ﺑﺎﻳﺪ ﻳﻚ ﮔﺎز ﺑﻲاﺛﺮ ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ ﺑﺎ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ،ﺣﻼل و ﻳﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ واﻛﻨﺶ ﻧﺪﻫﺪ ،ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ دﻟﻴﻞ ﻣﻌﻤﻮﻻَ
از ﻧﻴﺘﺮوژن ﻳﺎ ﻫﻠﻴﻢ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .در دﻣﺎي ﺛﺎﺑﺖ ،ﻓﺸﺎر و ﺳﺮﻋﺖ ﺟﺮﻳﺎن ﮔﺎز ﺑﻪ ﻃﺮف ﺳﺘﻮن را ﺑﺎ ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻛﻨﻨﺪة
ﻓﺸﺎر و ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻨﺞ ،ﺛﺎﺑﺖ ﻧﮕﻪ ﻣﻲدارﻧﺪ .ﻣﻘﺪار 0/1-5 µ Lاز ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﻳﻚ ﺳﺮﻧﮓ ﻣﺨﺼﻮص وارد
ﻗﺴﻤﺖ ﺗﺰرﻳﻖ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲﺷﻮد .ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﺟﺎﻣﺪ را ﺑﺎﻳﺪ در ﻳﻚ ﺣﻼل ﻓﺮار ﻣﻨﺎﺳﺐ ،ﺣﻞ و ﺳﭙﺲ ﺗﺰرﻳﻖ ﻧﻤﻮد.
ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﮔﺎزي ﺑﺎﻳﺪ ﺣﺠﻢﻫﺎي ﺑﻴﺸﺘﺮي اﻧﺘﺨﺎب ﺷﻮد .ﻧﻤﻮﻧﻪ ﭘﺲ از ﺗﺰرﻳﻖ در ﻧﺘﻴﺠﺔ ﮔﺮﻣﺎي ﺣﺎﺻﻞ از
ﺳﻴﺴﺘﻢ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﻪ ﮔﺎز ﻣﻲﺷﻮد و ﺑﺎ ﮔﺎز ﺣﺎﻣﻞ ﻣﺨﻠﻮط ﺷﺪه ،ﺑﻪ ﻃﺮف ﺳﺘﻮن ﻣﻲرود.
ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻳﻚ ﻣﺎﻳﻊ دﻳﺮﺟﻮش ﻣﺎﻧﻨﺪ روﻏﻦ ﭘﺎراﻓﻴﻦ ﻳﺎ روﻏﻦ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﺎ ﺣﺪود 400 oCﻣﻘﺎوم
اﺳﺖ و ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻻﻳﻪ ﻧﺎزﻛﻲ روي ذرات ﺟﺎﻣﺪ ﮔﺴﺘﺮده ﺷﺪه اﺳﺖ .ﻣﺎﻳﻊ ﺑﻪ ﻛﺎر رﻓﺘﻪ ﺑﺎﻳﺪ از ﻧﻈﺮ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻏﻴﺮ
ﻓﻌﺎل ﺑﻮده و ﺑﺮاي اﺟﺰاي ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ اﻧﺤﻼل ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ .ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺳﺘﻮنﻫﺎي ﭘﺮ ﺷﺪه ﻣﻲﺗﻮان از
ﺳﺘﻮنﻫﺎي ﻣﻮﻳﻴﻦ ﺑﻪ ﻃﻮل ﺣﺪود 10-100 cmو ﻗﻄﺮ داﺧﻠﻲ 0/25-0/32 cmاﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد ﻛﻪ داﺧﻞ آﻧﻬﺎ از
ﺳﻠﻴﺖ ﭘﻮﺷﻴﺪه ﺷﺪه اﺳﺖ و ﻓﻴﻠﻢ ﻧﺎزﻛﻲ از ﻣﺎﻳﻊ دﻳﺮﺟﻮش ﺑﺮ روي ﭘﻮﺷﺶ ﺳﻴﻠﻴﺴﻲ ﻗﺮار دارد.
ﺟﺪا ﺷﺪن ﻣﻮاد در ﺳﺘﻮن ،ﻧﻈﻴﺮ ﻓﺮاﻳﻨﺪ اﺳﺘﺨﺮاج اﺳﺖ .ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﻓﺎز ﮔﺎز ﻣﺤﻠﻮل اﺳﺖ از ﺑﺎﻻي ﺳﺘﻮن
وارد ﻣﻲﮔﺮدد و اﺟﺰاي آن ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﺿﺮﻳﺐ ﺗﻮزﻳﻊ ﺧﻮد ﺑﻴﻦ دو ﻓﺎز ﻣﺎﻳﻊ و ﮔﺎز ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ .در ﻧﺘﻴﺠﻪ
اﺟﺰاي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﺗﻤﺎﻳﻠﻲ ﻛﻪ ﺳﺘﻮن ﺑﺮاي ﻧﮕﻬﺪاري آﻧﻬﺎ دارد از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﺪا ﺷﺪه و ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ
151
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
ﻋﺒﻮر ﮔﺎز ﺣﺎﻣﻞ ،اﺟﺰا ﺟﺪا ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ و ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺒﻲ ﻛﻪ ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ ﻋﻜﺲ ﺗﻤﺎﻳﻞ ﻧﮕﻬﺪاري ﺳﺘﻮن ﺑﺮاي آﻧﻬﺎ اﺳﺖ،
از اﻧﺘﻬﺎي ﺳﺘﻮن ﺧﺎرج ﺷﺪه ،وارد آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲﮔﺮدﻧﺪ .در آﺷﻜﺎرﺳﺎز اﺟﺰاء ﺟﺪا ﺷﺪه ﻣﻮﺟﻮد در ﮔﺎز ﺣﺎﻣﻞ
دﻣﺎي ﺳﺘﻮن GCرا ﻣﻲﺗﻮان روي دﻣﺎي ﺧﺎﺻﻲ ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻛﺮده و ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻫﻤﺪﻣﺎ ﺟﺪاﺳﺎزي را اﻧﺠﺎم داد.
ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ در ﺑﺮﺧﻲ ﻣﻮارد ﻛﻪ اﺟﺰاي ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﺳﺘﻮن ﺑﻪ ﺧﻮﺑﻲ ﺟﺪا ﻧﻤﻲﺷﻮﻧﺪ ،ﺑﺮاي ﺟﺪاﺳﺎزي ﺑﻬﺘﺮ از روش
ﺑﺮﻧﺎﻣﻪرﻳﺰي دﻣﺎﻳﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد .در اﻳﻦ روش دﻣﺎي ﺳﺘﻮن را ﻃﺒﻖ ﺑﺮﻧﺎﻣﻪاي از ﭘﻴﺶ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﺪه و ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺘﻲ
ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ
ﺑﺮﺧﻲ از ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﻬﻢ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي) (GCدر ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﻋﺒﺎرﺗﺴﺖ از:
ﻣﺮاﺟﻊ
2- E. Vidal, Augusta, E-MRS Spring Meeting 2003 June 10 - 13, 2003.
3- M. Praisler, S. Gosav, J. Van Bocxlaer, A. De Leenheer, and D.L. Massart. Exploratory
analysis for the identification of amphetamines using neural networks and GC-FTIR data,
The Annals of the University "Dunãrea de Jos", Fascicle II, p. 83-96, ISSN 1221-4531,
2002.
152
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
)Mass Spectroscopy and Gas Chromatography (GC-MS ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ–ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ
رزرو CP3800 10
آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ
داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ
رزرو HP5890 11
آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ
153
آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻓﺼﻞ دوم
Mass Spectroscopy and Gas Chromatography (GC-MS) ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ–ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي
Thermo Finnigan
Unite State Chrom-card 32 bit 5
154
ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻋﻼﻳﻢ اﺧﺘﺼﺎري ﺗﺠﻬﻴﺰات ﻣﺮﺗﺒﻂ ﺑﺎ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ: Aﺿﻤﻴﻤﻪ
CHNOSP
Elemental Analyzers آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي
155
IC Ion Chromatography ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻳﻮﻧﻲ
SIMS Secondary Ion Mass Spectrometry ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ
156
TGA Thermo Gravimetric Analysis ﺗﺠﺰﻳﻪ وزن ﺳﻨﺠﻲ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ
157