Professional Documents
Culture Documents
Mikroelektronické praktikum L
Laboratorní cvičení
Garant předmětu:
Ing. Josef Šandera
Autoři textu:
Prof. Ing. Vladislav Musil, CSc.
Ing. Jaroslav Boušek, CSc.
Obsah
1 TRANZISTOROVÝ SPÍNAČ A ZESILOVAČ ............................................................ 5
1.1 POSTUP:.................................................................................................................... 5
1.2 TRANZISTOROVÉ ZESILOVAČE..................................................................................... 8
1.3 DOPLŇUJÍCÍ POČÍTAČOVÉ CVIČENÍ ............................................................................ 12
1.4 ZESILOVAČ S BIPOLÁRNÍM TRANZISTOREM ............................................................... 15
1.5 ZESILOVAČ S TRANZISTOREM JFET .......................................................................... 16
1.6 PROUDOVÝ ZDROJ ..................................................................................................... 16
1.7 DIFERENČNÍ ZESILOVAČ ............................................................................................ 17
2 RADIOPŘIJÍMAČ ........................................................................................................ 18
2.1 POSTUP:.................................................................................................................. 18
3 OPERAČNÍ ZESILOVAČ - ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ.............................................. 19
3.1 POSTUP:.................................................................................................................. 19
4 OPERAČNÍ ZESILOVAČ - VYBRANÉ APLIKACE .............................................. 22
4.1 POSTUP:.................................................................................................................. 22
ZADÁNÍ................................................................................................................................. 24
4.2 HORNÍ A DOLNÍ PROPUST S OPERAČNÍM ZESILOVAČEM ............................................. 25
4.3 MULTIVIBRÁTOR S OZ.............................................................................................. 26
4.4 ZESILOVAČ A NÁSOBIČ VE TŘÍDĚ C ........................................................................... 27
4.5 POČÍTAČOVÉ CVIČENÍ ............................................................................................... 29
4.6 DEMODULÁTOR A SMĚŠOVAČ ................................................................................... 30
4.7 POČÍTAČOVÉ CVIČENÍ ............................................................................................... 32
4.8 LABORATORNÍ CVIČENÍ ............................................................................................. 33
5 ASTABILNÍ KLOPNÝ OBVOD - MULTIVIBRÁTOR ........................................... 34
5.1 POSTUP:.................................................................................................................. 34
6 DIGITÁLNÍ OBVODY. ................................................................................................ 36
6.1 POSTUP:.................................................................................................................. 36
Mikroelektronické praktikum L 3
Seznam obrázků
OBR. 1.1 ELEKTRONICKÝ SPÍNAČ S BIPOLÁRNÍM TRANZISTOREM ................................................6
OBR. 1.2 ZESILOVAČ S BIPOLÁRNÍM TRANZISTOREM ...................................................................7
OBR. 1.3 VNITŘNÍ PROPOJENÍ KONTAKTNÍHO NEPÁJIVÉHO POLE .................................................8
OBR. 1.4 ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU........................................................8
OBR. 1.5 MALOSIGNÁLOVÉ MODELY BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU..............................................9
OBR. 1.6 ZJEDNODUŠENÝ MODEL TRANZISTORU PRO „RUČNÍ“ ŘEŠENÍ PRACOVNÍHO BODU ........9
OBR. 1.7 ZÁKLADNÍ VARIANTA ZAPOJENÍ SE............................................................................10
OBR. 1.8 ZÁKLADNÍ VARIANTA ZAPOJENÍ SC............................................................................11
OBR. 1.9 ZÁKLADNÍ VARIANTA ZAPOJENÍ SB............................................................................11
OBR. 1.10 ZAPOJENÍ PŘÍPRAVKU ...............................................................................................12
OBR. 1.11 ZAPOJENÍ PŘÍPRAVKU PRO SE...................................................................................13
OBR. 1.12 ZAPOJENÍ PŘÍPRAVKU PRO SC ..................................................................................14
OBR. 1.13 ZAPOJENÍ PŘÍPRAVKU PRO SB ..................................................................................14
OBR. 1.14 JEDNOSTUPŇOVÝ ZESILOVAČ V ZAPOJENÍ SE SPOLEČNÝM EMITOREM
S TRANZISTOREM JFET .....................................................................................................16
OBR. 2.1 JEDNODUCHÝ PŘIJÍMAČ AM .......................................................................................18
OBR. 2.2 ....................................................................................................................................19
OBR. 3.1 ZAPOJENÍ VÝVODŮ MA1458 ......................................................................................19
OBR. 3.2 INVERTUJÍCÍ ZESILOVAČ S OPERAČNÍM ZESILOVAČEM ................................................20
OBR. 3.3 NEINVERTUJÍCÍ ZESILOVAČ S OPERAČNÍM ZESILOVAČEM ...........................................20
OBR. 3.4 PŘEVODNÍK PROUD - NAPĚTÍ ......................................................................................21
OBR. 3.5 DERIVAČNÍ OBVOD S OPERAČNÍM ZESILOVAČEM ........................................................21
OBR. 3.6 AKTIVNÍ DOLNÍ PROPUST S OPERAČNÍM ZESILOVAČEM ...............................................22
OBR. 4.1 LINEÁRNÍ OHMMETR S OPERAČNÍM ZESILOVAČEM .....................................................23
OBR. 4.2 JEDNOCESTNÝ USMĚRŇOVAČ S OZ.............................................................................23
OBR. 4.3 GENERÁTOR SIGNÁLU OBDÉLNÍKOVÉHO (TROJÚHELNÍKOVÉHO ) PRŮBĚHU ................24
OBR. 4.4 DOLNÍ PROPUST ..........................................................................................................26
OBR. 4.5 HORNÍ PROPUST ..........................................................................................................26
OBR. 4.6 MULTIVIBRÁTOR S OZ ...............................................................................................27
OBR. 4.7 PRINCIPÁLNÍ ZAPOJENÍ ZESILOVAČE A NÁSOBIČE. ......................................................27
OBR. 4.8 ČASOVÉ PRŮBĚHY NAPĚTÍ A PROUDŮ .........................................................................28
OBR. 4.9 ZESILOVAČ A NÁSOBIČ ...............................................................................................29
OBR. 4.10 SÉRIOVÝ AM DEMODULÁTOR ..................................................................................30
OBR. 4.11 STATICKÁ PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKA DEMODULÁTORU ......................................31
OBR. 4.12 ODTRŽENÍ MODULAČNÍ OBÁLKY ..............................................................................31
OBR. 4.13 PRINCIPIÁLNÍ SCHÉMA MĚNIČE KMITOČTU ...............................................................32
OBR. 4.14 ADITIVNÍ SMĚŠOVAČ ................................................................................................32
OBR. 4.15 DEMODULÁTOR A SMĚŠOVAČ ...................................................................................33
OBR. 5.1 USPOŘÁDÁNÍ VÝVODŮ MULTIVIBRÁTORU S INVERTORY TTL, XX 7404, XX 7400. ..35
OBR. 5.2 PRINCIP VYTVÁŘENÍ PŘERUŠOVANÉHO TÓNU .............................................................35
OBR. 5.3 JINÉ ZAPOJENÍ MULTIVIBRÁTORU S INVERTORY TTL..................................................36
OBR. 5.4 ZAPOJENÍ MULTIVIBRÁTORU S ČASOVAČEM 555 ........................................................36
OBR. 6.1 ZAPOJENÍ DEKADICKÉHO ČÍTAČE (4518) S INDIKACÍ STAVU POMOCÍ LED .................37
OBR. 6.2 ZAPOJENÍ ČÍTAČE - HODIN S INDIKACÍ STAVU POMOCÍ SEDMISEGMENTOVÉHO DISPLEJE
..........................................................................................................................................38
4 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Seznam tabulek
Chyba! Nenalezena položka seznamu obrázků.
Mikroelektronické praktikum L 5
CÍL ÚLOHY:
Seznámit se základním prvkem analogových i digitálních obvodů - tranzistorem a ověřit
jeho zesilovací schopnost v zapojení jednoduchého spínače a nízkofrekvenčního
zesilovače.
Užitím bipolárního nf tranzistoru NPN a základních pasivních prvků sestavte
tranzistorový spínač a zesilovač na kontaktním nepájivém poli. Vyzkoušejte funkci obou
obvodů.
Kontaktní nepájivé pole vám umožní velmi rychlé sestavení a snadnou změnu i opravu
obvodu. Propojky realizujte drátky s odizolovanými konci
1.1 POSTUP:
A) Spínač:
Podle Obr. 1.1 zapojte postupně všechny součástky na desku kontaktního pole, vznikne
tak jednotranzistorový elektronický spínač. Lze použít libovolný typ NPN tranzistoru, např.
KC507-KC509, BC 547 apod. Při pohledu na vývody tranzistoru (ze strany vývodů): báze je
u většiny tranzistorů uprostřed vlevo, kolektor nahoře a emitor dole.
Před připojením napájecího zdroje k obvodu, zkontrolujte, zda je napětí nastaveno na
zadanou hodnotu a proudové omezeni nastaveno přibližně na 10 až 100mA. Proudová
ochrana pak většinou zamezí případnému zničení součástek při nesprávném zapojení.
Spínač vyzkoušíme tak, že přiložíme odpor 1k mezi vstup IN a napájení +5V. Dáváme
zároveň pozor, abychom nezkratovali tranzistor. Luminiscenční dioda (light emitting diode -
LED) by se měla rozsvítit. Výstupní proud tekoucí zátěží (LED) je asi 10 krát větší než
vstupní proud tekoucí do báze - tranzistor zesiluje. Tranzistory s vyšším zesilovacím činitelem
b>100 je možno sepnout i přes odpor lidské kůže na prstě, který se pohybuje řádově v
desítkách kiloohmů. Pokud vstup IN umístíme do blízkosti napájení +5V, získáme
jednoduchý senzorový spínač. Po přemostění obou vodičů prstem se LED rozsvítí v závislosti
na vstupním proudu (síle stisku), který je podle Ohmova zákona nepřímo úměrný odporu
(kůže).
6 FEKT Vysokého učení technického v Brně
$
+5
1k C
I
220
B BC547
E
C
C
2k2 B
KC507-
B
E
+ 220µ
E
DOPLŇKOVÁ ÚLOHA:
Připojte mezi vstup IN a zem (0 V) elektrolytický kapacitor 100mF (je třeba dbát na
polaritu vývodů). Stejně jako v předchozím případě přemostíme vstup IN a kladné napájecí
napětí +5V prstem nebo odporem řádu kiloohmů. Vytvořili jsme tak vlastně RC článek.
Pozorujeme postupné rozsvěcování LED. Je to způsobeno akumulační schopností kapacitoru,
který se postupně nabíjí přes odpor na vstupu. Napětí na vývodech kapacitoru roste. Po
ukončení dotyku naopak LED pomalu zhasíná, kondenzátor se vybíjí do báze tranzistoru.
B) Nf zesilovač:
Nízkofrekvenční zesilovač vznikne ze spínače jednoduchou obměnou pasivních prvků
podle níže uvedeného Obr. 1.2. Hlavní odlišností je odpor mezi bází (B) a kolektorem (C),
který slouží k nastavení proudu do báze tranzistoru tak, aby na kolektoru bylo napětí rovné
přibližně polovině napájecího napětí - nastavuje tzv. pracovní bod tranzistoru. Změnou
proudu báze kolem nastavené hodnoty dosáhneme změny napětí v kolektoru - tranzistor může
v tomto zapojení zesilovat střídavý signál. Kapacitory na vstupu i výstupu, oddělují zesilovač
od okolních obvodů. Tak je zaručeno, že např. při zapojení generátoru nedojde ke změně
nastaveného pracovního bodu.
Zesilovač vyzkoušíme pomocí nf generátoru. Úroveň výstupního signálu generátoru
nastavíme na velikost několika desítek milivoltů a frekvenci zvolíme do slyšitelné oblasti
např. 1kHz. Na vstup NF IN zesilovače připojíme sluchátko jako elektroakustický měnič.
Slyšíme slabý zvuk. Nyní přepojíme ‘živý’ konec sluchátka na výstup zesilovače NF OUT.
Zvuk je podstatně silnější - obvod zesiluje. Vstupní i výstupní signál zobrazte osciloskopem v
dvoukanálovém režimu a pozorujte jaký vliv má nastavení pracovního bodu tím, ze změníte
hodnotu odporu 47k (odpor můžete nahradit potenciometrem 500k s ochranným odporem 1k
v sérii). Pracovní bod je dobře nastaven, pokud výstupní signál není příliš zkreslen. Optimum
Mikroelektronické praktikum L 7
100
47k 220µF NF
+
C
OUT NF 2µF B
Nf gen
E
Pozn.: Některé přesnější druhy rezistorů mají 3 číslice, místo 2 číslic ( jeden proužek navíc).
8 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Bipolární tranzistor je možné zapojit jedním ze tří základních způsobů, Obr. 1.4. Na
obrázku jsou uvedena zjednodušená schémata pro střídavé signály. Rezistor R1 vyjadřuje
ekvivalentní odpor připojený ke vstupní svorce tranzistoru, R2 je pak celkový odpor připojený
k výstupní svorce.
U 20
výstupní odpor RVYST =
I 2K
(U20 je výstupní napětí naprázdno, I2K je výstupní proud nakrátko)
Modelování tranzistorů
Pro modelování tranzistorů v nízkofrekvenční oblasti se používá formální hybridní
model (definovaný H-parametry) nebo fyzikální Giacolettův model (někdy označovaný jako
hybridní π model), obr. 2.
rmi
rx
Cmi
h11 Cpi
h12 h22 rpi ro
h21 gm
Ube Ic=beta Ib
Obr. 1.6 Zjednodušený model tranzistoru pro „ruční“ řešení pracovního bodu
Zapojení SE
10 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Ucc
Rb1 Rc
Rb2 Re Ce
− g m RC
zesílení naprázdno AU 0 =& pro AUO >> 1 , kde ZE je impedance spojení RE CE
1+ gm Z E
vstupní impedance ZVST =& Rb1 || Rb 2 || rπ (1 + g m Z E )
výstupní odpor RVYST =& RC
Emitorový kondenzátor CE se používá pokud je třeba pro střídavý signál zablokovat rezistor
RE a tím zvýšit zesílení v oblasti středních kmitočtů.
Pro dobrou stabilizaci pracovního bodu jednostupňového zapojení se doporučuje napětí
U E = 1÷ 2V , příčný proud bázovým děličem I D = (3 ÷ 10) I B .
Zapojení SC
V základním zapojení SC je vstupní signál přiváděn mezi bázi a kolektor a výstupní
signál odebírán mezi emitorem a kolektorem. Tomuto zapojení se říká emitorový sledovač,
protože výstupní napětí sleduje co do amplitudy i fáze vstupní napětí ( U 2 =& U 1 − 0.65V ).
Vstupní odpor je vysoký ( ≈ βR2 ), výstupní odpor nízký ( ≈ R1 / β + 1 / g m ), Obr. 1.4.
Pro zapojení na Obr. 1.8 je možné odvodit zjednodušené vztahy. Protože je u toho
zapojení silná vazba mezi vstupem a výstupem ( h12C ≈ 1 ), tak se na vstupní i výstupní
impedanci silně podílí odpor zátěže i generátoru.
Mikroelektronické praktikum L 11
Ucc
Rb1
Rb2 Re
Zapojení SB
Vstup je připojen mezi emitor a bázi, výstup mezi kolektor a bázi. Budícím proudem je
emitorový proud. V tomto zapojení nemůže tranzistor proudově zesilovat. Vstupní odpor je
malý ( ≈ 1 / g m ), výstupní odpor na kolektoru je velký, prakticky je určen RC. Pro zapojení na
Obr. 1.9 je možné odvodit zjednodušené vztahy:
Rc Ucc
Rb1
Re Rb2
Cb
Kondenzátor CB, který je použitý na střídavé uzemnění báze vnáší v oblasti nízkých kmitočtů
do přenosové funkce nulu a pól.
Zadání:
1. Podle zadání vyučujícího odvoďte vztahy pro AU, RVST a RVYST pro dané zapojení
za použití H parametrů. Pro řešení použijte program SNAP.
2. Pokud je to v zadání požadováno, tak pro zadanou hodnotu zesílení vypočtěte RC,
resp. RE a pro fixní hodnoty prvků měřícího přípravku dopočítejte RVST, RVYST a
horní a dolní mezní frekvenci. Použijte katalogové hodnoty H parametrů
přepočítané na daný pracovní bod.
3. Pomocí programu PSpice analyzujte daný obvod a stanovte teoretické hodnoty AU,
RVST a RVYST a fD a fH.
GEN +15V
P1
100R
Uvst Rc
10k
22u
100k
Cv2
100R
10k
1k
22u
470R 2.2u Ub
Ce
Cv1 Uvyst OSC
22u Cz
100R
10k
Re
1k
4R7
1.5n
Zadání
Mikroelektronické praktikum L 13
Pokyny k zadání
Při všech měřeních nastavte stejnosměrný pracovní bod tranzistoru (tj. bez střídavého
signálu) tak, aby napětí mezi kolektorem a emitorem bylo rovno přibližně polovině
napájecího napětí, což zajišťuje činnost zesilovače ve třídě A. Tvar výstupního signálu
kontrolujte při měření osciloskopem.
Při změně zapojení odpojte napájecí i budící zdroje !
+15V
P1
Rc
10k
22u
100k
Cv2
100R
10k
1k
22u
470R 2.2u
Ce
Cv1
Cz
100R
10k
Re
1k
4R7
1.5n
+15V
P1
100R
10k
22u
100k
Cv2
100R
10k
1k
22u
2.2u
Ce
Cv1
Cz
100R
10k
Re
1k
1.5n
+15V
P1
Rc
10k
22u
100k
Cv2
100R
10k
1k
470R 2.2u
Cz
100R
22u
10k
Re
1k
4R7
1.5n
Ad – 1 Generátor připojte přímo nebo přes dělič tak, aby zesilovač nebyl přebuzený. Tvar
výstupního napětí sledujte na osciloskopu.
Ad – 2 Při měření zvyšujte napětí generátoru, až do hodnoty, při které dojde ke zkreslení.
Rb Rc
u2
u1
Zadání:
1) Navrhněte a spočítejte hodnoty součástek zesilovače na obr. 1. Kolektorový proud zvolte
2,5 mA. Použitý tranzistor je JFET typu BF245B s kanálem N.
2) Sestavte tento zesilovač a zkontrolujte správnost nastavení pracovního bodu.
3) Změřte zesílení zesilovače při buzení harmonickým signálem o kmitočtu 1kHz.
odpor postupně zvětšujte od 0 Ω. Μěřte proud iCb. Přesáhne–li velikost odporu RZ asi
22 kΩ, přestane se obvod chovat z důvodu konečné velikosti napájecího napětí jako proudový
zdroj. S rostoucí velikostí RZ bude klesat iCb.
2 Radiopřijímač
CÍL ÚLOHY:
Postavte si svůj vlastní dvoustupňový radiopřijímač AM s přímým zesílením na
kontaktním nepájivém poli. Jedna se o maximálně zjednodušený přijímač, s přijatelnou
hlasitostí, bez nároku na kvalitu. Funkčnost prokažte naladěním aspoň jedné stanice.
2.1 POSTUP:
Součástky zapojte podle schema na obr.3. Při zapojování se vyhýbejte dlouhým spojům,
aby se přijímač nerozkmital. Pokud není po připojení zdroje slyšet žádná stanice, zkuste
posouvat cívku po feritové tyčce, zkontrolujte zapojení tranzistorů resp. seřiďte pracovní body
tranzistorů změnou odporů 2M2 a 22k. Pokud je hlasitost slabá, pomůže, když živý konec
cívky připojíte na delší drát - anténu. K optimálnímu nastavení pracovních bodů vám pomůže
osciloskop. Pracovní body lze také jednoduše překontrolovat voltmetrem. Napětí na
kolektorech tranzistoru jsou při dobrém nastavení přibližně 2,5V až 3,5V. Po naladění stanice
pozorujte na vstupu přijímače amplitudově modulovány signál a odpovídající nf
demodulovaný signál na výstupu. Pokuste se pomocí osciloskopu určit frekvenci naladěné
stanice.
+5
3n3
22k
4k7
2M 100n
47n
20-
DOPLŇKOVÁ ÚLOHA:
Nahraďte první stupeň přijímače tranzistorem PNP místo NPN, abyste ověřili, že oba
typy tranzistoru jsou v podstatě rovnocenné
Mikroelektronické praktikum L 19
+5V
47n
100n
2M
4k7
0V
Obr. 2.2
3.1 POSTUP:
A) Invertující OZ:
Zapojte OZ podle schématu. Výstupní napětí UOUT = -UIN . R2/R1. V našem případě je
zesílení -10. Vztah platí pro stejnosměrná i střídavá napětí. Na vstup připojte nf generátor a
sledujte osciloskopem vstup i výstup. Na nižších frekvencích je zesílení přesně dáno poměrem
R1/R2 a fázový posuv je 180°. Pozorujte pokles amplitudy na výstupu a fázový posuv mezi
20 FEKT Vysokého učení technického v Brně
vstupem a výstupem s rostoucí frekvencí vstupního signálu. Také pokud je vstupní napětí
příliš vysoké (>1V pro zesílení -10), dochází ke zkreslení - saturaci OZ.
R2
100k
-10V
4
R1
2
IN 1
3 1458 OUT
10k
+10V
GND GND
B) Neinvertující OZ:
Pro výstupní napětí platí UOUT = UIN . (1+R2/R1). V daném případě je zesílení tedy +11.
Ověřte vlastnosti neinvertujícího OZ stejně jako v předchozím případě.
+10V
8
3
IN
1 OUT
2 1458
R2
4 100k
-10V
R1
10k
GND GND
R2
1k
-10V
4
IN 2
1458 1 OUT
3
8
+10V
GND GND
D) Derivační obvod:
Derivační obvod derivuje vstupní signál a zároveň se chová jako horní propust -
stejnosměrné napětí nezesiluje. Na vstup přiveďte 100Hz pravoúhlý signál o amplitudě asi
1V. Na osciloskopu vidíte, že výstupní signál je derivací signálu vstupního. Po celou dobu,
kdy je vstupní napětí konstantní je na výstupu obvodu napětí, rovnající se v prvním přiblížení
nule.
Vyzkoušejte také sinusový signál. Pokud změníte frekvenci, změní se i amplituda
výstupního napětí - zesílení je frekvenčně závislé. Určete zesílení pro 3 různé frekvence v
okolí 1kHz. Zjistíte, ze frekvenční charakteristikou je přímka (dokud se neprojeví pokles
zesílení OZ na vyšších frekvencích).
R2
22k
-10V
C 4
IN 2
1458 1 OUT
10n 3
+10V
GND GND
Na vstup připojte nf generátor a nastavte vstupní napětí asi na 1V. Mezní frekvenci pro
pokles -3dB zjistíte tak, že postupně zvyšujete frekvenci generátoru, až výstupní napětí klesne
na 70% původní hodnoty. Výstupní napětí nyní klesá lineárně s frekvencí.
Většího poklesu výstupního napětí dosáhnete, když zařadíte 2 stejné filtry za sebe do kaskády
(použijete také 2.polovinu OZ 1458).
10n
R2
22k
-10V
R1 4
2
IN
1458 1
10k OUT
3
+10V
GND GND
4.1 POSTUP:
A) Lineární ohmetr:
Jednoduchý, ale přesný ohmetr lze realizovat na základě invertujícího zapojeni OZ.
Platí U2 = RX . (-UREF/R1). Výstupní napětí je tedy přímo úměrné neznámému odporu RX a
konstantě UREF/R1. Na vystup OZ připojte digitální nebo analogový voltmetr. Pokud vhodně
zvolíte konstantu UREF/R1 např. R1=10k a UREF=-10V, voltmetr bude ukazovat odpor přímo v
kiloohmech.
Ocejchujte ohmetr s přesností aspoň 5% pomocí několika dobře známých odporů.
Všimněte si, že nelze měřit odpory větší než přibližně 8kΩ, protože OZ samozřejmě nemůže
dodat větší napětí než je napájecí napětí, tzn. OZ přechází do saturace.
Upravte ohmetr tak, aby bylo možné měřit odpory do 80kΩ.
Mikroelektronické praktikum L 23
Rx
-10V
R1 4
Vref 2
1458 1
10k 3 OUT
+10V
GND GND
R2
OUT
100k
-10V
R1 4
2
IN
1458 1
10k 3
+10V
GND GND
Velikost tohoto napětí určuje rozkmit napětí na kapacitoru C (invertující vstup). Rezistor R3
slouží jako proudový zdroj pro nabíjení/vybíjení kapacitoru.
Kmitočet generátoru je závislý na rychlosti nabíjení kapacitoru a na velikosti napětí, při
kterém dojde k překlopení komparátoru. Pro realizaci generátoru vyhoví široký rozsah hodnot
součástek např. C=100nF-1uF, R1=1k-10k, R2=10k-100k, R3=10k-1M.
R3
-1 0 V
4
2
1 45 8 OUT
3
R2
8
C
+10V
R1
GND
Zadání
Zadání:
15nF
10k
10k
u1
u2
10k
15nF 10k
u1 u2
4.3 Multivibrátor s OZ
Zadání:
R1 3k3
Výstup
R2 15k
R3 15k
58nF
C
L R
U2
I
U1
Kolektorový proud bude mít časový průběh tvořený částmi sinusové funkce, který je
charakterizovaný polovičním úhlem otevření Θ a maximální hodnotou IM. Spektrální složky
kolektorového proudu je možné pak vyjádřit jako
I n = α n (Θ) I M ( 4.1 )
kde αn jsou koeficienty, které je možné pro danou aproximaci stanovit analyticky. Jejich
grafické znázornění v závislosti na Θ se nazývá Schulzův diagram.
Zátěž tvoří rezonanční obvod RLC (zahrnující i případnou vstupní impedanci dalšího
stupně). Je naladěný na některou harmonickou. Z hlediska efektivnosti prováděné operace
(zesilování, násobení) je důležité, že koeficienty α vykazují maximum při polovičním úhlu
otevření
120
Θ opt = ( 4.2 )
n
kde Rrez je rezonanční odpor obvodu a In příslušná harmonická složka proudu. Stejnosměrný
příkon je pak dán napájecím napětím a stejnosměrnou složkou kolektorového proudu
Pp = U CC I 0 ( 4.4 )
Mikroelektronické praktikum L 29
10V
100nF
220
1k
100uH
100
BC639
100
47
Zadání
Pokyny k zadání
C R
U1 U2
U2DC
U1ACmin U1AC
Směšovač
Jako měniče kmitočtu označujeme nelineární obvody, které slouží k posunutí
kmitočtového spektra daného vstupního signálu o diferenci ωH. Nutnou součástí měniče
kmitočtu je zdroj pomocného signálu ωH a nelineární směšovací obvod. Výsledkem
směšování vstupního signálu o frekvenci ωi a pomocného signálu ωH je bohaté spektrum, ze
kterého vybereme užitečnou spektrální složku pomocí selektivního filtru, Obr. 4.13.
32 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Z obvodového hlediska je směšovač trojbran, jehož dvě brány jsou vstupní a jedna
brána je výstupní. Získáme-li směšovací produkt působením součtu dvou veličin na nelineární
prvek, mluvíme o aditivním směšování. Pokud použijeme pro směšování parametrický prvek,
kde pomocný signál bude měnit např. strmost převodní charakteristiky, bude výsledný
směšovací produkt úměrný součinu dvou veličin, a jde tedy o směšování multiplikativní.
V naší úloze je směšovač tvořen diodou, na niž působí součet dvou signálů, Obr. 4.14.
Ui
Σ
UH
PP
Zadání:
Mikroelektronické praktikum L 33
5u 1u 300n 100n
1k
10k
-15V +15V
GEN 100k
10k
fH 10k
5kHz MB1 MB2
10k
330
PP, f 0 = 1kHz
Zadání
Změnou frekvence modulačního signálu se pokuste najít stav, při kterém se objeví
jev odtržení obálky.
3. Změřte statickou závislost UMB2 = f(UMB1) u nelineárního prvku aditivního
směšovače. Na generátoru nastavte fi = 6kHz a proveďte případně jemné doladění,
aby rozdílový produkt padl do maxima pásmové propusti. Změřte závislost
směšovací strmosti na amplitudě budícího napětí, resp. na stejnosměrné složce
nastavené potenciometrem P1 podle pokynů vyučujícího.
Pokyny k zadání
Ad 3 – Statická závislost UMB2 = f(UMB1) se měří bez obou harmonických signálů pomocí
potenciometru P1. Při odpojeném generátoru vstupního signálu se v místě MB1 změří
amplituda místního generátoru. Z bodu GEN do MB1 je přenos roven v absolutní hodnotě
jedné. Stačí odečítat nastavené napětí na generátoru. Vzhledem k tomu, že P1 je standardní
uhlíkový potenciometr, stejnosměrnou složku je třeba při změně jeho nastavení změřit v místě
MB1. Cejchování na horním panelu přípravku je pouze orientační.
CÍL ÚLOHY:
Seznámit se s různými druhy multivibrátorů prostřednictvím jednoduchého
blikače/bzučáku.
Použitím TTL digitálního integrovaného obvodu 7404 a několika dalších základních
prvků sestavte a oživte blikač s LED-diodou na kontaktním nepájivém poli.
5.1 POSTUP:
Postupujte podle následujícího schématu. Napájecí napětí +5V se připojí na 14. vývod
IO, na 7. pinu je 0V - zem. Při správném zapojení začne LED blikat. Pokud LED nebliká,
zkuste ji polarizovat opačně. Nahraďte odpor 1k potenciometrem např. 5k a pozorujte změnu
kmitočtu blikání. Kmitočet je nepřímo úměrný hodnotě odporu i kapacitoru.
Mikroelektronické praktikum L 35
1 1 1 OUT
1 2 3 4 5 6
220µF
220
1k
Zamyslete se nad tím, jak změnit zapojení, aby se z blikače stal bzučák. K dispozici
budete mít navíc sluchátko a další bězné pasivní prvky. Stejně jako u blikače měňte výšku
tónu a výstup sledujte osciloskopem. Generovaný signál je pravoúhlý.
Nyní sestavte bzučák s přerušovaným tónem. K dispozici budete mít navíc IO 7400
(čtveřice hradel NAND) kromě původního IO 7404 (šestice invertorů). Ke generování
přerušovaného tónu využijte vlastností hradla NAND.
1
3
2
7400
Sestavte následující multivibrátor. Má tu výhodu, že lze snadno měnit jeho střídu změnou
odporu nebo kapacitoru.
36 FEKT Vysokého učení technického v Brně
220uF 220uF
1 2 4 3
470
7404 7404 LED
1k 1k
Další multivibrátor lze realizovat časovačem 555, což je speciální obvod, zvláště vhodný pro
astabilní i monostabilní klopné obvody.
+5V
8
470 2 3
TRIG OUT
4
RSET
7
DSCH 10k
6
THRES
5
CON
555 1
100uF
6 Digitální obvody.
CÍL ÚLOHY:
Seznámit se s některými digitálními obvody.
Postavte a vyzkoušejte jednoduché hodiny s výstupem na sedmisegmentový displej.
6.1 POSTUP:
Nejdříve blíže prozkoumáme vlastnosti dvojnásobného dekadického čítače CMOS 4518.
Čítač zapojte podle schématu, na výstupy připojte LED, abyste mohli sledovat jejich
stav. ‘H’ (high) znamená vysokou úroveň tj. +5V. Naopak vývody označené ‘L’ (low)
připojíte na nízkou úroveň 0V - zem (gnd). Nezapomeňte také připojit napájení čítače tj.
vývod 16 na +5V, vývod 8 na zem.
Mikroelektronické praktikum L 37
1 CLK Q0 3
2 4
'H' EN Q1
5
Q2
7 6
'L' RST Q3
4518
220
GND
Obr. 6.1 Zapojení dekadického čítače (4518) s indikací stavu pomocí LED
Na hodinový vstup čítače CLK přiveďte signál nízké frekvence (1Hz), např. z blikače z
úlohy č.5. Sledujte, jak čítač počítá ve dvojkové soustavě do desíti (BCD kód). Vyzkoušejte
čítač zastavit tím, že na vstup EN přivedete ‘L’. Zkuste také čítač vynulovat (resetovat), když
na RST přivedete ‘H’.
Stavy výstupu pro počet načítaných impulsu zaznamenejte do tabulky.
Zvyšte vstupní frekvenci a pozorujte osciloskopem v dvoukanálovém režimu stav
vstupu CLK a jednotlivých výstupů. Vstupní frekvence je vždy vydělena určitým číslem.
Čítač je tedy možné použít nejen pro počítání impulsů, ale také jako dělič frekvence. Zjistěte
tyto dělící poměry pro každý výstup.
Určete mezní frekvenci čitače tím, že budete postupně zvyšovat vstupní frekvenci do té
doby než přestane čítač počítat.
MAN
A A ANOD
F B 1
CLK Q0
3
F 'H' 2 EN Q1
4
B 7
Q2
5
6
G 'L' RST Q3
G 4518
E C C
9 11 7 13
T D 10
CLK Q0
12 1
1 A
12
'H' EN Q1 2 B
13 2 11
E D Q2 4 C
15 14 6 10
T 'L' RST Q3
4
8 D
9
BI/RBO E
4518 'H' 5 RBI F
15
3 14
'H' LT G
D147D
Obr. 6.2 Zapojení čítače - hodin s indikací stavu pomocí sedmisegmentového displeje
Mikroelektronické praktikum L 39
Westbay Tools je specializovaný program pro analýzu situací, v nichž se řeší problémy
elektromagnetické kompatibility. Na základě matematických modelů tento program
vypočítavá v mnoha důležitých parametrech emc podmínky.
Program má však samozřejmě i některé jiné nástroje, které však nejsou zařazeny do
výše uvedených oblastí.
New Analyses (vytvoří se nová analýza), Load Analyses ... (nahrát analýzu) – v okně
výběru souboru lze vybrat a nahrát už zhotovenou analýzu. Save Analyses ... (uchovat
analýzu) – v okně výběru souboru lze zvolit název a uchovat zhotovenou analýzu. Save
Graph as .BMP … (uchovat graf jako .BMP) - v okně výběru souboru lze zvolit název a
uchovat pro obrázek ve formátu .BMP, v němž se nahraje zhotovený graf. Print … (tisk) –
objeví se okno, v němž lze definovat tiskový výstup – zatrhávacími tlačítky Model 1 až
Model 5 lze zvolit požadované modely k tisku. Zatrhávacím tlačítkem Print Header Report
(tisknout hlavičku) se volí, zda-li se bude, či nebude tisknou hlavička. Posunovacími
tlačítky Graph Height (výška grafu) a Graph Width (šířka grafu) lze volit rozměry tištěného
grafu v %.
Mnoho nástrojů umožňuje vykreslit své výsledky ve formě grafu a tento typ grafu je
obecně shodný pro všechny nástroje a jejich vykreslování. Ovládání je následující :
Vertikální škála muže být v závislosti na použitém nástroji cejchovaná v dB, Voltech
anebo Ohmech - jednotky nelze tedy měnit, lze jen změnit poměr jednotka na dílek osy - k
tomu slouží tlačítka + a -, případně je možno použít pull-down menu s předdefinovanými
poměry jednotka/dílek. Tlačítka + a - pod nápisem "Offset" posunují střední osu grafu na 0.
tady může být použita jedna ze dvou jednotek spojených s veličinami čas a frekvence - tedy s
a Hz. Opět tyto jednotky nemohou být měněny uživatelem; je možno tlačítky + a - měnit
poměr jednotka/dílek anebo alternativně je možno zvolit předdefinované rozsahy z přilehlého
pull-down menu.
Dále Graph Area umožňuje pomocí kurzoru myši odečítat v dané poloze hodnoty v
příslušných jednotkách
čísla 1 až 5 (vpravo) jsou přesunovatelné popisky umožňující identifikovat křivky při tisku
(černobílém) . Mohou být přesunuty myší na požadované místo a takto také vytisknuty.
Daný typ vykreslování je popsán v levém horním rohu grafu např. "Suppression Filter
Insertion Loss Plot"
položky menu). Klíčové popisy, případně hlavní ovládací prvky ve formulářích jsou označeny
tímto písmem : Ovládací Prvek.
8 Popis funkcí
Zde se řeší problémy spojené se stíněním zařízení od vnějších elmg. polí, respektive
problémy spojené s nemožností realizace ideálního stínění. Jde např. o konečnou vodivost
materiálu použitého na kryt stínění, kabely vstupující do zařízení převádějící část vnějšího
elmg. pole dovnitř přístroje, otvory v krytu, víka a vstupní panely, jejichž stínící vlastnosti
jsou kompromisní, kvůli různým otvorům, problémům s nekontinuální vodivostí mezi např.
víkem a krytem (zde se používají vodivostní těsnění) a dokonce i samotný kryt může být
zdrojem problémů, pro svou vlastní rezonanci vnitřní dutiny.
V této položce menu se nacházejí nástroje týkající se výpočtu a návrhu stínění.
Při výpočtech účinnosti si musíme uvědomit, charakter elmg. pole, kterému je kryt
stínění vystaven - jestli jde o pole s blízkým, či vzdáleným zdrojem a dále jaký je poměr
intenzit E/H tohoto pole. Platí, že pro pole s vyšším poměrem E/H je nutno pro dostačující
stínění mít silnější (tlustší) kryt, než je tomu u pole s E/H nízkým. Při poměru E/H vysokém
je pole nazýváno polem elektrickým, při poměru E/H nízkém jde o pole magnetické. Dále je
nutno si uvědomit situaci elmg. vlnění v oblasti stínícího krytu, kdy dopadající vlna se
rozděluje na vlnu odraženou, absorbovanou krytem, odraženou v krytu (na rozhraní materiál
krytu/ vnitřní prostředí zařízení) a vlnu prošlou, která by měla mít co nejnižší intenzitu.
V tomto nástroji se definují tyto vlastnosti stínícího materiálu : Conductivity
(vodivost), Relative Permeability (relativní permeabilita), Thickness (tloušťka), místo
vodivosti a permeability lze alternativně volit z pull-down menu Shield Material (stínicí
materiál), v němž se nabízejí různé kovové materiály, po zvolení materiálu a zadání hodnoty
Thickness se vypočtou a zobrazí hodnoty Relative Permeability a Conductivity, stiskem
tlačítka Sheet Resistance se otevře okno Definition by Sheet Resistance v němž je možno
místo vodivosti zadat hodnotu mohms/square (v ohmech na metr čtvereční) a Thickness
(tloušťku materiálu). Vodivost se stiskem tlačítka Calculate Conductivity vypočte ze
zadaných hodnot a zobrazí v políčku Conductivity; při zadání hodnot mohms/square a
Thicknes je možno stiskem tlačítka Calculate Thickness vzpočítat tloušťku materiálu.
Stiskem tlačítka Diagram se zobrází názorné schéma vysvětlující zadávané hodnoty. Stiskem
tlačítka Reset se vymaže políčko s vypočtenou hodnotou. Stiskem tlačítka Done se okno
Definition by Sheet Resistance uzavře. Elmg. zdroj je definován hodnotami Frequency
(frekvence) v MHz a Source Distance (vzdálenosti) v m.
Stiskem tlačítka Analyse se vypočtou a zobrazí hodnoty pro zadané parametry : Skin
Depth (hloubka vnikání), Reflection Loss (ztráty odrazem), Absorption Loss (ztráty
absorpcí) a Internal Reflection Correction (korekční faktor vnitřního odrazu), dávající
dohromady hodnotu Shielding Effectiveness (účinnost stínění) pro danou frekvenci a
42 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Tento nástroj umožňuje vypočítat parametry stínění pro otvor, či otvory ve stínícím
krytu. Pro zadané hodnoty Aperture Width (šířka otvoru), Aperture Depth (hloubka
otvoru), Number of Apertures (počet těchto otvorů), Fequency (frekvence stíněného elmg.
pole), jsou po jejich zadání automaticky vypočítány tyto hodnoty : Depth/Width Ratio
(poměr hloubky a šířky otvoru), Attenuation (tlumení), Cut-off Frequency (mezní
kmitočet). V nákresu v okně vpravo je znázorněna funkce tlumení otvoru, spolu s jeho
frekvenční charakteristikou. V políčku Model Number je možno volit číslo modelu, který
chcete editovat. Stiskem tlačítka Replicate Model 1 se zkopíruje nastavení z modelu 1 do
modelů 2 až 5. Stiskem tlačítka Plot se vykreslí graf pro zadané parametry pro určitý rozsah
frekvencí elmg. pole. Při návrhu těchto otvorů je dobré vědět, že vlvnovodný efekt otvoru je
možno redukovat zvětšením hloubky tohoto otvoru.
Kovový kryt může mít vlastní resonanci, při které se vytváří stojatá elmg. vlna s
maximální amplitudou elektrického pole v centru dutiny a maximální amplitudou
magnetického pole na okrajích. Požadované parametry pro výpočet vlastní rezonance kubické
dutiny jsou Height (výška), Width (šířka) , Depth (hloubka). V poli Resonances se po stisku
tlačítka Analyse pro zadané parametry dutiny vypíše prvních 16 resonančních frekvencí.
Stiskem tlačítka Print je možno poslat výpis rezonančních frekvencí na tiskárnu.
Vypočítaná hodnota se po zadání hodnot automaticky zobrazí v poli Rejection Ratio (poměr
potlačení), je možno zadat a uchovat 5 nezávislých hodnot kroucených dvojlinek. Pomocí
tlačítka Replicate Model 1 se zkopírují hodnoty první dvojlinky do dalších čtyř. Stiskem
tlačítka Plot se vykreslí graf potlačení pro zadanou kroucenou dvojlinku pro rozsah frekvencí
elmg. pole a to pro všechny zadané dvojlinky (tedy maximálně 5).
Vodivá těsnění zajišťují spojitost stínění spojení mezi, typicky, krytem a jeho víkem, či
jiným přístupovým panelem. Je možno použít plochá, kruhová, či obdélniková těsnění. Je
nutno zvolit přiměřené stlačení těsnění, aby dostatečně těsnilo ale na druhé straně aby nedošlo
ke zničení těsnění. Pro těsnění s kruhovým profilem bývá stlačení 10 až 18%. Je třeba dbát
také dostatečných tolerancí těsnění a drážky. Tento nástroj umožňuje kompletní analýzu
návrhu těsnění. Požadované parametry jsou : v Gasket Parameters (parametry těsnění) :
Diameter (průměr těsnění - je možno z přilehlého pull-down menu vybrat z
předdefinovaných průmyslových standardů), Tolerance ( je možno z přilehlého pull-down
menu vybrat z předdefinovaných průmyslových standardů) , Gasket Shape (tvar těsnění) -
volí se přepínacími tlačítky : Circular (kruhový)/Rectangular(obdélníkový) (myslí se
průřez); v Groove Parameters (parametry drážky) : Depth (hloubka), Width (šířka),
Tolerance. Po stisku tlačítka Analyse se vypíší výsledky do políček Groove CSA (drážka
CSA), Nominal Groove Fill (jmenovité naplnění drážky), Gasket CSA (těsnění CSA),
Nominal Deflection (jmenovité stlačení), Minimum Groove CSA (minimální drážka CSA),
Maximum Groove CSA (maximální drážka CSA), Maximum Gasket CSA (maximální
těsnění CSA), Minimum Gasket CSA (minimální těsnění CSA), Maximum Actual
Deflection (maximální aktuální stlačení), Minimum Actual Deflection (minimální aktuální
stlačení), Maximum Groove Fill (maximální naplnění drážky), Minimum Groove Fill
(minimální naplnění drážky). Pomocí tlačítka Print lze vypočtené hodnoty vytisknou na
tiskárně, po stisku tlačítka Diagram se objeví názorné schéma těsnění a drážky. Tlačítko
Comments stručně komentuje aktuální návrh.
Stisknutím tlačítka Asses Lid Effect (stanovení efektu víka) se zobrazí nový formulář,
který slouží ke stanovení parametrů stlačení víka. Tenký kovový panel použitý ke stlačení emi
těsnění, kombinovaný s větší vzdáleností spoje může mít za důsledek redukci minimálního
stlačení těsnění, to vede k degradaci stínění. Tento efekt narůstá s menší šířkou obruby, menší
tloušťkou panelu a s menší tuhostí materiálu. Vyplňují se políčka : Maximum Fastener
Spacing (maximální rozestup ), Minimum Flange Width (minimální šířka obruby),
Minimum Cover Thickness (minimální tloušťka víka), Young's Modulus (Youngův
modul), Gasket Deflection Force (Síla stlačení těsnění), z pull-down menu Cover Material
(materiál krytu) se vybere předdefinovaný materiál víka, výsledek se zobrazí v políčku Lid
Deflection due to Gasket Deflection force (ohyb víka způsobený ohybnou silou těsnění).
Tlačítko Diagram umožňuje podívat se na jednoduchý náčrt situace při ohybu víka. Při
návratu do formuláře slouží tlačítka Accept - to při návratu se zadanými hodnotami a Cancel
při návratu s původními hodnotami - nově zadané budou ignorovány.
Při navrhování stínění je nutno uvažovat dvě skutečnosti, které snižují vodivost na styku
kovových částí stínění, v případě, že různé části jsou z různých kovů. Jde o oxidaci a
galvanickou korozi, což se ještě zhoršuje ve vlhkém, či slaném prostředí. Předejít se tomu dá
výběrem vhodné kombinace kovů, které se budou dotýkat, anebo oddělením vlhkosti od
oblasti těsnění vhodným nátěrem. Tabulka udává elektrochemické potenciály pro vybrané
kovy. Jejich zobrazení můžete posouvat posunovacím tlačítkem vpravo. Stiskem tlačítka
Notes se zobrazí okno s anglickým popisem této problematiky,
- křivka polní emise z proudové smyčky tlumené otvorem, v jednotkách dBµV/m. Křivka je
vztažena k frekvenci a je porovnávána s nestíněným polem.
- křivka polní emise z proudové smyčky tlumené otvorem, v jednotkách dBuV/m. Pole je
vykresleno jako diskrétní frekvence jako výsledek Fourierovy analýzy.
Zadávané hodnoty jsou stejné jak u analýzy lichoběžníkových signálů jen místo Decay
Time, je zde položka Delay Time (doba zpoždění), hodnoty opět odpovídají nákresu ve
formuláři vpravo nahoře. Vypočítané hodnoty jsou zde rovněž adekvátní hodnotám při
analýze lichoběžníkových signálů - chybí zde jen položka Corner Frequency.
Pomocí tohoto nástroje lze analyzovat libovolný signál, který lze nakreslit v horní
polovině formuláře rukou z úseček v rozsahu jedné periody. Jsou zde přes stisk tlačítek
přístupné tyto funkce : New (vyčistí kreslící plochu, je možno zadat novou křivku), Undo
(odstraní poslední úpravu, kreslící krok), Mirror (tímto je možno vytvořit invertovaný signál
z první poloviny periody do druhé poloviny, Offset (nastavení nuly), stiskem tlačítka Table
se zobrazí nové okno Discrete Transform Tabulation, v němž lze přesně zadat definici
křivky pomocí tabulky. Tabulka má sloupce Point (pořadové číslo bodu křivky), Time (čas
pro daný bod), Amplitude (amplituda v příslušném čase). Hodnoty Time (čas) a Amplitude
(amplituda), podle toho který sloupec je editován, lze editovat i v políčku vpravo dole.
V tomto okně se také pouze zobrazují (nelze je editovat) hodnoty Frequency (frekvence) a
Peak Value zadané v předchozím okně a odpovídající hodnota Period (perioda), dále se
pouze zobrazuje vlevo dole EDIT POINT (číslo editovaného bodu). Po stisku tlačítka
Accept jsou zadané hodnoty přijaty, případně stiskem tlačítka Cancel nepřijaty a okno
Discrete Transform Tabulation se uzavře. Stiskem tlačítka Finish (ukonči) je editace křivky
ukončena. Požadované hodnoty jsou : Frequency (frekvence) - alternativně Period T
(perioda T), přepínacími tlačítky kHz, MHz se volí jednotka frekvence, Peak Value A
(maximální hodnota A), Number of Samples (počet vzorků), Harmonic Number (číslo
harmonické, které se týká analýza), Plot 1st Harmonics (počet prvních vykreslených
harmonických), po nakreslení tvaru signálu, zadání hodnot a po stisku tlačítka Analyse se
46 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Jde o návrh potlačujícího filtru podle schématu (stiskem tlačítka Circuit). Ideální
kondenzátor je nahrazen modelem sestávajícím z ideálního kondenzátoru C1, parazitní
indukčnosti Le a odporem Rc. Vstupní ztráta je definována jako poměr napětí na Rl před
přidáním filtru k napětí na Rl po přidání filtru. Požadované vstupní hodnoty jsou tyto : z pull-
down menu lze vybrat typ filtru, Source Resistance, RS (odpor zdroje RS), Load
Resistance, Rl (odpor zátěže Rl), Capacitance C1 (kapacita) - přepínacími tlačítky se volí
jednotka pF, nF, uF, ..Self Inductance, Le (vlastní indukčnost kondenzátoru Le), ..Self
Resistance, Rc (vlastni odpor kondenzátoru Rc), Inductance, L1 (indukčnost) - přepínacími
tlačítky se volí jednotka uH, mH, ..Self Resistance, Rs (vlastní odpor cívky), ..Self
Capacitance, Cs (vlastní kapacita cívky), Ground Resistance, Re (odpor země), z pull-down
menu Model Number se vybere definovaný model filtru, tlačítkem Replicate Model 1 lze
zkopírovat hodnoty z prvního filtru (Model Number 1), do zbývajících filtrů (modelů).
Stiskem tlačítka Circuit se zobrazí schéma odpovídající editovanému filtru. Stiskem tlačítka
Plot se do grafu vykreslí frekvenční charakteristika zadaného filtru.
The common mode choke (tlumivka) sestává ze dvou cívek navinutých na společném
jádře (často toroidním), a je používána k potlačení společného šumu. Závity jsou uspořádány
tak, že tok způsobený rozdílovým signálovým proudem je vyrušen a v důsledku toho jsou
malé vstupní ztráty pro běžné signálové proudy.
Nicméně společné proudy proudí ve stejném směru přes tlumivku, a nemají za následek
vyrušení toku. Vstupní ztráty pro společné proudy jsou proto v tomto případě větší.
Sériový odpor tlumivkového vinutí a odpor vodičů pro danou indukčnost tlumivky by
měly být co nejmenší. Dolní mezní kmitočet : vstupní ztráty rostou pod dolním mezním
kmitočtem. Choke tool vypočítává a vykresluje poměr šumového napětí na zátěži ke
společnému šumovému napětí v zemní smyčce. Dolní mezní kmitočet určuje zda-li bude
potlačen jakýkoliv společný šum. Pod dolním mezním kmitočtem nebude žádné tlumení.
Tlumivka má ovšem i svůj horní mezní kmitočet daný kapacitou mezi vinutími, tato kapacita
se u nižších frekvencí neprojeví, ale pří frekvencích vyšších než stovky kHz vzniká rezonance
indukčnosti tlumivky s její kapacitou, což ovlivňuje tlumení - nad rezonancí má vliv
především kapacita tlumivky
Ve formuláři jsou požadována tyto hodnoty : Choke Inductance, L1 (indukčnost
tlumivky L1), Choke Resistance, Rs1 (odpor tlumivky Rs1), Stray Capacitance, Cs
Mikroelektronické praktikum L 47
(rozptylová kapacita Cs), Source Resistance, RS (odpor zdroje RS), Load Resistance, RL
(odpor zátěže RL), Cable Resistance, Rs2 (odpor vodičů -kabelů), Common mode cable
impedance (společná impedance kabelů - viz insertion loss diagram pro vysvětlení),
Frequency (frekvence), z pull-down menu Model Number se volí číslo modelu, který lze
definovat (maximálně pět), tlačítkem Replicate Model 1 lze zkopírovat nastavené hodnoty z
modelu čislo 1 do zbývajících čtyř modelů. V pravé části formuláře se nacházejí tlačítka, po
jejichž stisku se objeví diagram znázorňující jednotlivé schémata pro dané problémy : Noise
Insertion Loss Analysis (analýza vstupních šumových ztrát), Signal Insertion Loss
Analysis ( analýza vstupní ztráty signálu), Noise Ratio Analysis (analýza šumového
poměru). Po stisku tlačítka Analyse se vypočítají a vypíší příslušné hodnoty do těchto políček
: Cut-off frequency (mezní kmitočet), Signal Insertion Loss (vstupní ztráta signálu), Noise
Ratio at load (šumový poměr na zátěži), Noise Insertion Loss (šumová vstupní ztráta), SRF
. Vpravo dole ve formuláři se nacházejí tlačítka, která umožňují vykreslit výsledky analýzu do
grafu : Plot Load Noise Ratio (vykreslí šumový poměr na zátěži), Plot Noise Insertion Loss
(vykreslí šumovou vstupní ztrátu), Plot Signal Insertion Loss (vykreslí signálovou vstupní
ztrátu).
Power to Field Conversion in the far Field (převod výkonu na pole u vzáleného pole)
Tento nástroj provádí převod z parametrů pole Electric Field (elektrické pole v
jednotkách V/m) na Power Density (výkonová hustota pole). Vyplněním kteréhokoliv
políčka a zmáčknutím tlačítka Convert se vypočte odpovídající hodnota ve druhém políčku.
zatěžovacím odporu a dále vypočítává . Zadávané hodnoty jsou tyto : Peak Voltage (Vp)
(špičkové napětí (Vp)), Source Resistance (odpor zdroje), 50% Risetime Tr (doba náběhu
na 50%), 50% Decaytime (doba doznívání na 50%), Series Resistance (odpor sériově
řazeného rezistoru), Series Inductance (sériová indukčnost), Load Resistance (odpor
zátěže). Stiskem tlačítka Analyse se vypočtou tyto hodnoty : Peak Power (špičkový výkon),
Peak Current (špičkový proud), Peak Voltage (špičkové napětí), Total Energy (celková
energie), pro odpovídající sloupce, jímž odpovídájí tyto analýzy : Inductor Analysis (analýza
cívky), Resistor Analysis (analýza rezistoru), Load Analysis (analýza zátěže). Tlačítkem
Diagram lze zobrazit schéma znázorňující rozložení prvků v analyzovaném obvodu. Stiskem
tlačítka Plot Vload se provede vykreslení závislosti napětí na zátěži vztažené k času.
8.3.10 - Transmission Line Test (for a PCB Track) (testování přenosu vedení plošného
spoje)
Tento nástroj prověřuje pásková vedení a mikropáskové vodiče a vypočítává jejich
zpoždění vlivem šíření. Je možno také započíst efekt kapacity zařízení. Tyto výpočty jsou
důležité při přenosu vyšších frekvencí, nebo vyšších přepínacích rychlostí (extrémně u
Schottkyho diody), tento nástroj vypočítává impedanci Zo vedení a zpoždění Tpd. Zadávané
hodnoty jsou : Relative Dielectric Constant of the Medium around the Conductors
(relativní dielektrická konstanta prostředí kolem vodičů), potom se zadávají hodnoty pro dva
druhy vedení : Embedded PCB Track (Stripline) (zapuštěné vedení plošného spoje
(pásek)), Surface PCB Track (Microstrip) (povrchové vedení plošného spoje (mikropásek)).
Mikroelektronické praktikum L 53
U každého se zadávají hodnoty : t, w, h, Length (délka), Total Device Cap (celková kapacita
prvku), jejichž význam je zřejmý ze schématu (tlačítkem Diagram). Stiskem tlačítka Analyse
se vypočítají a zobrazí příslušné hodnoty : Tpd ( zpoždění vlivem šíření), Zo (charakteristická
impedance).
8.3.11 - Ground Plane and Track Impedances (impedance dráhy vedení a zemní plochy)
Spojitá zemní deska nabízí významné snížení vysokofrekvenční impedance vzhledem k
dráhám plošných spojů. Nízká impedance a indukčnost zemní roviny snižují impedanci
napájecího zdroje a snižují šum zemní smyčky. Na vyšších frekvencích má povrchový jev za
následek zvýšení impedance zemní roviny, jež je úměrná druhé mocnině frekvence.
Impedance drah plošných spojů také narůstá se zvyšující se frekvencí. Hodnota
impedance zemní roviny začíná na hodnotách mohmy na metr čtvereční.a pro vzdálenost mezi
dvěmi body, která je menší než šířka desky plošného spoje závisí na vzdálenosti. Impedance
bude vyšší pro jiné geometrie, anebo kde dva body jsou blízko okraje desky plošného spoje.
Blízko tohoto okraje je impedance dvakrát vyšší než v centru plošného spoje. V tomto nástroji
se zadávají tyto hodnoty : z pull-down menu Conductor Material vlevo nahoře se vybere
materiál vodiče, čímž se vyplní i položky Conductivity (vodivost) a Relative Permeability
(relativní permeabilita), tyto dvě položky je však možno zadat i ručně, dále se zadává hodnota
Frequency (frekvence signálu ve vodiči), Ground Plane and PCB Track Thickness, t
(tloušťka zemní plochy a dráhy plošného spoje), PCB Track Width (šířka dráhy plošného
spoje), PCB Track Length (délka dráhy plošného spoje). Po zadání těchto hodnot se
automaticky vypočítají tyto hodnoty : Skin Depth (hloubka vniknutí), ve sloupci Ground
Plane Analysis (analýza zemní plochy) : DC Point to Point Resistance (mohms/square).
Use where Skin Depth>> Thickness (stejnosměrný odpor mezi dvěmi body (mohmy/metr
čtvereční). Používejte, když je hloubka vniknutí daleko větší než tloušťka), RF Point to Point
Impedance (mohms/square). Use where Skin Depth << Thickness (Vysokofrekvenční
impedance mezi dvěmi body (mohmy/ metr čtvereční). Používejte, když hloubka vniknutí je
daleko menší než tloušťka), pro sloupec PCB Track Analysis (analýza drah plošného spoje) :
DC Resistance (stejnosměrný odpor), RF Impedance (vysokofrekvenční impedance).
se zobrazí v políčkách Frequency (frekvence), Risetime (doba náběhu), Decay Time (doba
doznívání), Peak Value (špičková hodnota), Harmonics to Plot (počet harmonických, které
se mají vykreslit), které se převezmou s poslední Fourierovy analýzy lichoběžníkového
signálu (pokud byla předtím provedena), stiskem tlačítka Fourier Plot se vykreslí
charakteristika do grafu. Zapnutím tlačítka Save Plot lze daný graf nahrát na disk.
Intenzita vyzařovaného pole je přímo úměrná proudu, velikosti plochy smyčky, a
nepřímo úměrná vzdálenosti od zdroje, tato intenzita rovněž vzrůstá s druhou mocninou
frekvence. Tento nástroj je použitelný jen v těch případech, kdy největší rozměr proudové
smyčky je menší než 1/4 vlnové délky, při vyšších frekvencích fázové rozdíly ve smyčce
budou snižovat intenzitu pole.
Tento nástroj vypočítává kapacitu paralelních desek. Zadávané hodnoty jsou tyto :
přepínacím tlačítkem se vybere typ desek buď Rectangular Plates (pravoúhlé
56 FEKT Vysokého učení technického v Brně
desky) anebo Round Plates (kruhové desky), dále se zadajní : Plate Width (šířka
desky), Plate Length (délka desky), Plate Separation (vzájemná vzdálenost desek),
z pull-down menu Material se vybere materiál obklopující desky, přičemž se při
tomto výběru automaticky vyplní i políčko Rel. Dielectric Constant (relativní
dielektrická konstanta). Po zadání potřebných hodnot se vypočítá a zobrazí hodnota
Capacitance (kapacita).
Tento nástroj vypočítává kapacitu koaxiálního vedení. Zadávané hodnoty jsou tyto :
Inside Diameter of outer conductor (vnitřní průměr vnějšího vodiče), Outside
Diameter of inner conductor (vnější průměr vnitřního vodiče), z pull-down menu
Material se vybere materiál obklopující vnitřní vodič, přičemž se při tomto výběru
automaticky vyplní i políčko Rel. Dielectric Constant (relativní dielektrická
konstanta). Po zadání potřebných hodnot se vypočítá a zobrazí hodnota
Capacitance (kapacita).
8.4.1.3 - - Two Wires, no Ground Plane (dva vodiče, žádná zemní plocha)
Tento nástroj vypočítává kapacitu dvou vodičů bez zemní plochy, přičemž průměr
vodičů by měl být menší než vzdálenost mezi vodiči. Zadávají se tyto hodnoty : Wire
Diameter (průměr vodiče), Wire Separation (vzdálenost mezi vodiči), z pull-down
menu Material se vybere materiál obklopující vnitřní vodič, přičemž se při tomto
výběru automaticky vyplní i políčko Rel. Dielectric Constant (relativní dielektrická
konstanta). Po zadání potřebných hodnot se vypočítá a zobrazí hodnota
Capacitance (kapacita).
8.4.1.4 - - Two Wires over Ground Plane (dva vodiče nad zemní plochou)
Tento nástroj vypočítává kapacitu dvou vodičů nad zemní plochou, jež odvádí zpětné
proudy , přičemž průměr vodičů by měl být menší než vzdálenost mezi vodiči.
Zadávají se tyto hodnoty : Wire Diameter (průměr vodiče), Wire Separation
(vzdálenost mezi vodiči), Wire Height over Ground (výška vodičů nad zemí), z pull-
down menu Material se vybere materiál obklopující vnitřní vodič, přičemž se při
tomto výběru automaticky vyplní i políčko Rel. Dielectric Constant (relativní
dielektrická konstanta). Po zadání potřebných hodnot se vypočítá a zobrazí hodnota
Wire to Wire Capacitance (kapacita mezi vodiči) a Wire to Ground Capacitance
(kapacita mezi vodičem a zemí).
Zadávané hodnoty jsou : Width (šířka pásku), Height (výška), Length (délka pásku).
Po zadání těchto hodnot se automaticky vypočte Inductance (indukčnost) této
struktury.
Tento nástroj vypočítává indukčnost mezi dvěmi vodiči ve volném prostoru, bez
zemní plochy, přičemž průměr vodiče by měl být menší než jejich vzdálenost.
Zadávané hodnoty jsou : Wire Diameter (průměr vodiče), Wire Separation
(vzdálenost mezi vodiči). Po zadání těchto hodnot se automaticky vypočte
Inductance (indukčnost) této struktury.
8.4.3 - Impedances
Tento nástroj umožňuje navržení toroidních cívek, jejichž výhodou je nízké externí
vyzařování. V tomto nástroji je možno pro definované vlastnosti (velikosti jader jsou
předdefinované, nebo je lze zadat ručně) vypočíst potřebný počet závitů této cívky.
Vysvětlení hodnot pro jádro je zobrazeno vpravo nahoře v zadávacím formuláři.
Zadávané hodnoty jsou : Required Inductance (požadovaná indukčnost), z pull-
down menu Common Core Sizes (velikosti jader) lze vybrat z předdefinovaných
velikostí jader, anebo je možno zadat rozměry jádra ručně v těchto políčkách :
Outside Diameter OD (vnější průměr jádra OD), Inside Diameter ID (vnitřní průměr
jádra ID), Height h (výška jádra h), dále se zadává : Corner Radius (poloměr
zaoblení jádra), Nominal Rel. Permeability (jmenovitá relativní permeabilita
materiálu jádra), dále se zadává : Peak Current (špičkový proud), Frequency
(frekvence), Bare Wire Diameter (průměr neizolovaného drátu), Overall Diameter
(celkový průměr). Po stisku tlačítka Analyse se vypočítají tyto hodnoty : Number of
Turns (počet závitů cívky), Flux Density (hustota magnetického toku), Residual ID
(zbytkový vnitřní průměr jádra), Magnetising Forse, H (magnetizující síla, H),
Nominal dc resistance (jmenovitý snejnosměrný odpor), Peak Winding Power
(špičkový výkon vinutí). Při návrhu je nutno pamatovat na to, že v těchto výpočtech
nejsou zahrnuty ztráty na jádře a uvedený výkon je vztažen pouze ke
snejnosměrnému odporu vinutí. Po návrhu se dole v položce Commentary objeví
stručný komentář uskutečněného návrhu.
k vytlačení těsnění z drážky. Příliš velká drážka má důsledek malého stlačení těsnění
s možným důsledek zhoršení účinnosti stínění. Gasket Groove Design Tool (nástroj
návrhu těsnění a drážek) (v menu - Gasket Groove Design) napomáhá při návrhu
drážek, včetně efektu ohnutí tenkého víka způsobeného stlačující sílou těsnění.
Waveguide below Cut-off (vlnovod pod mezním kmitočtem) - Efektivní možností jak
zvýšit účinnost stínění otvoru je umístění vodivé trubky do otvoru, která je vodivě
spojena se stíněním. Pak se takový prvek chová jako vlnovod, který nepřispívá
k účinnému přenosu pod mezním kmitočtem, který je určen poměrem hloubky
k šířce. Pro velké otvory, například pro chlazení, voštinové průduchy se chovají jako
soubor vlnovodů, poskytující velkou míru otevření při vysoké účinnosti stínění. The
WaveGuide Tool (nástroj pro vlnovod) ( v menu - Waveguide Below Cut-Off ) nabízí
výpočty a vykreslování přenosu vlnovodu.
Apertures (otvory) – Otvor ve stěně stínění je potenciálním vstupním místem pro
vnější vyzařování, možná vedoucí k problémům susceptibility. V místech připojení
vodičů do zařízení může být vyzařováno vysokofrekvenční rušení skrz otvor nad
specifikované hodnoty . Při rozměrech otvoru menších než polovina vlnové délky
nedochází k žádnému stínění – k tomu dochází až při otvorech větších než polovina
vlnové délky . Nástroj, který tuto problematiku zajišťuje lze najít v menu - - Aperture
Leakage.
Cavity Resonances (dutinové resonance) - Jakýkoliv kryt s vodivými stěnami se
může chovat jako rezonující dutina, v níž vzniká stojaté vlnění v různých modech
jako série diskrétních frekvencí. Vstupující interferenční signály pak mohou vybudit
resonance, které mohou vést k problémům se susceptibilitou na určitých (diskrétních)
frekvencích. Obsah zařízení (uvnitř krytu) však stojaté vlnění rozladí, proto je přesný
výpočet obtížný. Nástroj pro výpočty dutinových rezonancí najdeme v menu : -
Cavity Resonance.
Conducted Emissions/Susceptibility : Feedthrough Filters (vedené
emise/susceptibilita: průchozí filtry) . Používané kondenzátory mají vlastní indukčnost
o hodnotách několika nH, která vytváří vlastní resonanci typicky v oblasti 50 Mhz,
nad kterou impedance k zemi vzrůstá. Na vyšších frekvencích je obtížné spolehlivě
potlačit vedené rušení. Řešením které bude dostatečné, bude vykazovat změnu
vstupních ztrát při malých zásazích do návrhu zapojení. Průchozí kondenzátory
vykazují zdánlivě nulovou vlastní indukčnost, což je dáno jejich koaxiální konstrukcí a
jsou schopny vysokého potlačení v oblasti Ghz. Tyto však musí být namontovány
přímo přes stěnu zařízení, anebo skrz vnitřní přepážku jak ukazuje nákres. Další
obvodové uspořádání jsou modelovány nástrojem filter Tool, včetně Pi filtrů, L-C
filtrů, a T filtrů. Menší typy začleňují feritové kroužkové indukčnosti, zatímco větší
typy používají vinuté toroidní cívky. Často je toto používáno v signálových vedeních,
průchozích filtrech a také je využitelné připojení ke konektorům. Nástroj pro návrh
potlačovacích filtrů najdeme v menu - - Suppression Filters.
Conducted Emissions/Susceptibility : Main Filters (vedené emise/susceptibilita :
hlavní filtry). Pro mnoho zařízení je síťové vedení prostředkem exportu, či importu
rušení. Nízkonákladové síťové filtry mohou vyřešit mnoho problémů, hlavně v oblastí
frekvencí do 30 Mhz. Síťové filtry obyčejně sestávají z prvků potlačujících jednak
proudy mezi vedením a vedením (symetrické) a jednak proudy mezi vedením a zemí
(asymetrické). Tyto dva případy musí být modelovány zvlášť, (lze užít filter Tool –
v menu - Suppression Filters) . Přidání malých hodnot parazitních veličin do modelu
ukazuje, proč konvenční síťové filtry jsou méně účinně nad frekvencí 50 Mhz.
(Typická vlastní indukčnost wound - vinutého kondenzátoru bude kolem 5nH a
typická vlastní kapacita toroidní cívky bude kolem 5pF). Je důležité, aby síťový filtr
60 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Zde jsou zobrazeny jednotlivé emc specifikace (normy), které lze volit z pull-down
menu Specification a přepínat volbou přepínacích tlačítek EN a IEC.
Jednotlivé normy mají tento popis :
EN12016
Standarty elektromagnetické kompatibility pro výtahy, eskalátory, dopravní pásy pro
cestující – emise (není dosud publikováno)
EN45014
Hlavní kritéria pro deklaraci přizpůsobení pro zdroje 1989
EN50065-1
Signálové a nízkonapěťové elektrické instalace ve frekvencích od 3 do 148,5 kHz
Část 1 : hlavní požadavky, frekvenční pásma, a elektromagnetická rušení 1990
EN50065-2
Signálové a nízkonapěťové elektrické instalace ve frekvencích od 3 do 148,5 kHz -
Část 2 : Odolnost (není dosud publikováno)
EN50081-1
Všeobecný standard elektromagnetické kompatibility pro emise - Část 1 : obytné
budovy a komerční oblast a lehký průmysl 1991
EN50081-2
Všeobecný standard elektromagnetické kompatibility pro emise - Část 2 :
Průmyslové prostředí 1993
EN50082-1
Všeobecný standard elektromagnetické kompatibility pro odolnost - Část 1 : obytné
budovy, komerční oblast a lehký průmysl 1991
66 FEKT Vysokého učení technického v Brně
EN50082-2
Všeobecný standard elektromagnetické kompatibility pro odolnost - Část 2 :
Průmyslové prostředí 1995
EN50130-4
(není dosud publikováno)
EN50571
Pravidla pro elektronické zařízení v železničních vozech (není dosud publikováno)
EN55011
Limity a metody měření charakteristik vysokofrekvenčního rušení v průmyslových,
vědeckých a lékařských vysokofrekvenčních zařízeních 1989
EN55013
Limity a metody měření charakteristik vysokofrekvenčního rušení přijímačů rádiového
vysílání a přidružených zařízení 1988
EN55014
Limity a metody měření charakteristik vysokofrekvenčního rušení domácích
elektrických zařízení, přenosných přístrojů a podobných přístrojů 1986
EN55015
Limity a metody měření charakteristik vysokofrekvenčního rušení zářivek a osvětlení
1986
EN55020
Odolnost proti vysokofrekvenčnímu rušení rádiových přijímačů a přidružených
zařízení 1987
EN55022
Limity a metody měření charakteristik vysokofrekvenčního rušení zařízení informační
technologie 1986
EN55105
Požadavky odolnosti pro telekomunikační koncová zařízení (není dosud
publikováno).
EN55106
Požadavky odolnosti pro koncová zařízení informační technologie (ne
telekomunikační koncová zařízení) (není dosud publikováno).
EN61131-2
Programovatelné ovládače, elektrické požadavky a testy (toto obsahuje odolnost
elektromagnetické kompatibility) (není dosud publikováno).
EN60555-2
Rušení v zdrojových systémech zapříčiněné domácími přístroji a podobnými
zařízeními Část 3 : Kolísání napětí (nahrazeno normou EN61000-3-3) 1986
EN60924
Norma pro všeobecné a bezpečnostní požadavky pro napájené elektronické zátěže
pro trubicovité zářivky 1991
EN60947-1
Elektromagnetická kompatibilita; nízkonapěťový přepínač a předřadník, část 1 :
obecná pravidla
EN61000-2-2
Úrovně elektromagnetické kompatibility pro nízkofrekvenční vedená rušení a
signalizace ve veřejných nízkonapěťových napájecích systémech. (upravená verze z
1990 IEC a v současnosti je návrhu) 1993
EN6100-2-4
(IEC1000-2-4) Úrovně elektromagnetické kompatibility pro nízkofrekvenční vedená
rušení v průmyslových podnicích (zlepšení se vyvíjejí) 1994
Mikroelektronické praktikum L 67
EN61000-3-2
(Dříve EN60555-2. Také se podívej na IEC1000-3-2). Elektromagnetická
kompatibilita Část 3 : Limity – Oddíl 2 : Limity pro rušení zapříčiněné zařízením
zapojeným do veřejného napájecího nízkonapěťového systému . Limity týkající se
harmonických proudů pro zařízení mající vstupní proudy vyšší než 16A a obsahující
16A na fázi (NB. Přístroje k zařízením nebyly předtím brány v úvahu v IEC 555-2,
s účinnosti od 1. Června 1998) 1995
EN61000-3-3
(Dříve EN60555-3). IEC1000-3-3: 1994 Elektromagnetická kompatibilita Část 3 :
Limity – Oddíl 3 : Limity pro kolísání napětí a blikání v nízkonapěťových napájecích
systémech pro zařízení s předepsanými proudy menšími než 16A. 1995
EN61000-4
Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící techniky. (není dosud
publikováno).
EN61000-4-1
(Dříve IE801-1) Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící techniky.
– Oddíl 1 : Přehled testů odolnosti 1994
EN61000-4-2
(Dříve IEC801-2) Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící
techniky. – Oddíl 2 : Test odolnosti proti elektrostatickému výboji.
EN61000-4-3
Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící techniky. – Oddíl 3. Test
odolnosti proti vyzařovanému elektromagnetickému poli. (ENV50140 publikováno
8/1993. IEC CD dodatků je k dispozici (zrušený návrh 2/1995) (není dosud
publikováno).
EN61000-4-4
(Dříve IEC 801-4) Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící
techniky. – Oddíl 4 : Test odolnosti proti rychlým přechodovým dějům a proti skupině
impulzů. 1995
EN61000-4-5
Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící techniky. – Oddíl 5 : Test
odolnosti proti rázovým signálům. (ENV 50142, které bylo publikováno 10/1994 je
nahrazeno tímto standardem) 1995
EN61000-4-7
Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící techniky. – Oddíl 7 :
Všeobecný průvodce měřením harmonických a meziharmonických a používání
přístrojů pro napájecí systémy a zařízení připojená k nim. 1992
EN61000-4-8
Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící techniky. – Oddíl 8 : Test
odolnosti proti výkonovým střídavým magnetickým polím 1993
EN61000-4-9
Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící techniky. – Oddíl 9 : Test
odolnosti proti magnetickým polím 1993
EN61000-4-10
Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící techniky. – Oddíl 10 :
Test odolnosti proti tlumeným oscilujícím magnetickým polím 1993
EN61000-4-11
Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící techniky. – Oddíl 11 :
Test odolnosti proti výkonovým střídavým magnetickým polím 1993 Napěťové
poklesy, krátká přerušení a napěťové odchylky. 1994
68 FEKT Vysokého učení technického v Brně
EN61000-4-15
(Dříve EN 60868) Elektromagnetická kompatibilita Část 4 : Testovací a měřící
techniky. – Oddíl 15 : Flickermeter (blikání) – Normy pro funkci a návrh1993. (není
dosud publikováno).
EN100015-1
Ochrana elektrostaticky citlivých přístrojů
IEC1000-1
Všeobecné (není dosud publikováno).
IEC1000-1-1
Aplikace a interpretace základních definic a termínů. (Technická zpráva) 1992
IEC1000-1- 2
Vliv elektromagnetických jevů na funkční bezpečnost elektrických a elektronických
zařízení. Poslední dokument 77 (Sec) 129. Předpověď – 1996 (není dosud
publikováno).
IEC1000-2
Prostředí
IEC1000-2 – 1
(BS 7484: 1991 Popis prostředí pro nízkofrekvenční vedená rušení a signalizaci
v nízkonapěťových veřejných napájecích systémech. (Technická zpráva je
k dispozici) 1991
IEC1000-2-2
(Na revizi se pracuje) 1990
IEC1000-2 – 3
Popis prostředí – Jevy vyzařování a jevy nesíťové vedené (Technická zpráva je
k dispozici) 1992
IEC1000-2 – 4
Úrovně elektromagnetické kompatibility v průmyslových továrnách pro
nízkofrekvenční vedená rušení. (na dodatku se pracuje) 1994
IEC1000-2 – 5
Klasifikace elektromagnetických zařízení 1995
IEC1000-2 – 6
Průvodce pro stanovení vyzařovacích úrovní v napájecích zařízeních průmyslových
továren týkající se nízkofrekvenčních vedených rušení (CDV je k dispozici) (není
dosud publikováno).
IEC1000-2 – 7
Popis nízkofrekvenčních magnetických polí v různých prostředí. (Technická zpráva je
k dispozici, návrh skončen 12/95) (není dosud publikováno).
IEC1000-2-8
Napěťové poklesy, krátká přerušení výsledky statistických měření (NWI Návrh byl
očekáván v 4/1995. Dokument 77A/121/NWP) (není dosud publikováno).
IEC1000-2-9
Popis HEMP prostředí : Vyzařovaná rušení (DIS 3/95) (není dosud publikováno).
IEC1000-2-10
Popis HEMP prostředí : Vedená rušení (Nová práce – DIS očekáváno 10/96) (není
dosud publikováno).
IEC1000-2-11
Popis HEMP prostředí : Klasifikace elektromagnetického prostředí (Nová práce – DIS
očekáváno 2/97) (není dosud publikováno).
IEC1000-2-12
Mikroelektronické praktikum L 69
(Dříve IEC 801-5) Test odolnosti proti rázovým signálům. (ENV 50142 publikovené
10/1994 je nahrazeno) 1995
IEC1000-4-7
Všeobecný průvodce měřením harmonických a meziharmonických a používání
přístrojů pro napájecí systémy a zařízení připojená k nim. 1992
IEC1000-4-8
Test odolnosti proti výkonovým střídavým magnetickým polím 1993
IEC1000-4-9
Test odolnosti proti pulzním magnetickým polím 1993
IEC1000-4-10
Test odolnosti proti tlumeným oscilujícím magnetickým polím 1993
IEC1000-4-11
Napěťové poklesy, krátká přerušení a napěťové odchylky. 1994
IEC1000-4-12
Test odolnosti proti oscilujícím signálům (není dosud publikováno).
IEC1000-4-13
Harmonické, meziharmonické k střídavému výkonovému portu, test odolnosti (není
dosud publikováno).
IEC1000-4-14
Test odolnosti pro napěťové výkyvy, nevyváženosti a proměnlivosti síťového
kmitočtu. (není dosud publikováno).
IEC1000-4-15
Flickermeter - blikání – Normy pro funkci a návrh1995
IEC1000-4-16
Vedená spojitá rušení od stejnosměrných do 150kHz (není dosud publikováno).
IEC1000-4-17
Zvlnění na stejnosměrném napájecím zdroji, test odolnosti (není dosud publikováno).
IEC1000-19
Průvodce pro vybraná stanoviště pro testování vysokofrekvenčního vyzařování a
odolnosti (není dosud publikováno).
IEC1000-4-20
Požadavky pro TEM (příčně elektromagnetické) buňky : Procedury mající vztah
k testování odolnosti a měření vyzařování pro frekvence do 5 GHz (není dosud
publikováno).
IEC1000-4-21
Mode stirred chambers (není dosud publikováno).
IEC1000-4-22
Průvodce měřícími metodami elektromagnetických jevů (není dosud publikováno).
IEC1000-4-23
Testovací metody pro ochranná zařízení pro HEMP vyzařovaná rušení. (Dokument
není k dispozici) (není dosud publikováno).
IEC1000-4-24
Testovací metody pro ochranná zařízení pro HEMP vedená rušení. (není dosud
publikováno).
IEC1000-4-25
HEMP požadavky a testovací metody pro zařízení a systémy (není dosud
publikováno).
IEC1000-4-26
Kalibrace sond a přístrojů pro měření elektromagnetických polí (není dosud
publikováno).
Mikroelektronické praktikum L 71
IEC1000-5
Instalace a mitigating linek vedení (není dosud publikováno).
IEC1000-5-1
Obecné guide lines - linky vedení. (K dispozici nákres) (není dosud publikováno).
IEC1000-5-2
Zemnění a kabeláž (není dosud publikováno).
IEC1000-5-3
HEMP koncept ochrany (není dosud publikováno).
IEC1000-5-4
Norma pro ochranná zařízení pro HEMP vyzařovaná rušení (není dosud
publikováno).
IEC1000-5-5
Norma pro ochranná zařízení pro HEMP vedená rušení (není dosud publikováno).
IEC1000-5-6
Mitigation - zmenšení vnějších vlivů. (K dispozici nákres) (není dosud publikováno).
IEC1000-6-1
Všeobecný standard elektromagnetické kompatibility pro domácí, komerční prostředí
a prostředí lehkého průmyslu
IEC1000-6-2
Všeobecný standard elektromagnetické kompatibility pro průmyslové prostředí
Tento nástroj umožňuje prohlédnutí emc hledisek při vývoji projektu v strukturované
formě. Celý projekt je rozložen do logických jednotek, které lze analyzovat
samostatně. Každý modul (Module Type) obsahuje několik položek, které lze
prohlédnout stiskem tlačítka More Info a zatrhnou (OK, X, N/A, nebo nechat prázdné
– zatržení OK se použije, když návrh přislušné požadavky splňuje) stiskem tlačítka
Check. Pro daný projekt se vyplňují políčka Project Title (název projektu), Module
Name (název modulu), Project Description (popis projektu). Stiskem tlačítka Edit
Mod (editační mód) se dostaneme do okna v němž lze Check list editovat. V horní
části se edituje Module Type : stiskem tlačítka New Module se vytvoří nový modul, po
stisku tlačítka Edit Module lze editovat popis modulu, stiskem tlačítka Delete se
aktuální modul vymaže. V dolní části se editují jednotlivé položky modulu. Stiskem
tlačítka Add to List se do seznamu položek přidá položka s názvem, který je uveden
(lze ho přepsat) v řádku pod seznamem položek. Stiskem tlačítka Edit lze editovat
text v Extended Description (rozšířený popis). Stiskem tlačítka Delete se vymaže
aktuální položka. Stiskem tlačítka Review Info se vypíše blíže vysvětlující text (viz
níže). Stiskem tlačítka Info Picture se zobrazí okno výběru souboru, kde soubor
představuje obrázek, který lze do popisu dané položky přidat. Stiskem tlačítka Done
se editace ukončí a aplikace se navrátí do původního okna. Všechny provedené
změny se objeví i v původním okně.
- Design Check List (úplný seznam návrhu – dále DCL) : The project EMC
requirements . . . (Požadavky EMC projektu byly jednoznačně identifikovány)
More Info (další informace – dále MI) : Před návrhem zařízení by se toto mělo
zkontrolovat z hlediska elektromagnetické kompatibility, to je důležité pro identifikaci
požadovaného emc provedení.
Například když má být výrobek uplatněn na evropském trhu, musí vyhovovat emc
pravidlům pocházejícím z směrnic EMC. Výrobek může mít speciální požadavky
zadané dodavatelem jak je například obvyklé v aplikacích letecké elektroniky.
V každém případě musí být identifikovány smluvní anebo zákonné požadavky a
dodrženy náležité normy.
(popis nákresu : CE označení (marking), Standardy FCC, Smluvní požadavky.
- DCL : The equipment has been . . . (zařízení bylo definováno jako řada funkčních
bloků)
MI : Identifikujte tyto části zařízení se zřetelně definovanými funkcemi, jako je
napájecí zdroj, vstupní obvod atd. Nakreslete zařízení jako řadu funkčních bloků,
včetně propojovacích prostředků a zemnících bodů. Vytvořené uspořádání systému
může být kontrolováno na stejné úrovni jako jiné stránky návrhu, jako jsou hodnoty
součástí.
Popis dolního schématu : power supply (napájecí zdroj), i/o module (vstupně/výstupní
modul), backplane (propojovací rovina)
- DCL : Potentially sensitive circuits . . . (potenciálně citlivé obvody byly
identifikovány a isolovány)
MI : Obvody s nízkými prahovými napětími, nebo s analogovými vstupy jsou
potenciálními oběťmi rušní. Tyto by měly být přinejmenším fyzicky odděleny od jiných
obvodů, s možností přidat místní stínění v případě potřeby. Napájecí zdroj a zpětné
zemnící dráhy by měly být odděleny od napájení jiných oblastí obvodu. Signálová
zem by měla být odlišná od napájecí země.
74 FEKT Vysokého učení technického v Brně
- DCL : The use of power planes . . . (Bylo zváženo použití napájecích rovin)
MI : Použití několikavrstvé desky plošných spojů nabízí oddělení vrstev, nebo rovin k použití
pro napájecí anebo zemnící připojení. Velmi nízká impedance těchto rovin snižuje vazbu
společné impedance. Blízkost signálových drah k zemní rovině snižuje přeslechy mezi
signálovými dráhami. Blízkost zemní a napájecí roviny vytváří velmi malé plochy smyček,
díky čemuž je dosaženo nízkého vyzařování a dobré odolnosti.
Popis dolního schématu : Použití několikavrstvé desky plošných spojů může vést
k významným zlepšením provedení elektromagnetické kompatibility desky plošných spojů.
Indukčnost roviny a tedy i impedance je daleko menší než série vodičových drah a přeslech
mezi časovou základnou a signály je redukován díky blízkosti zemní roviny.
(Digital Circuitry (číslicové obvody), Power Plane (napájecí rovina), Ground Plane
(zemní rovina))
- DCL : Clock tracks should have . . . (dráha časové základny je blízko zpětné dráhy)
MI : Vysokorychlostní vedení časové základny může vytvářet smyčky rozdílových
proudů, a plocha smyčky může být zmenšena použitím zpětného vedení blízko
vedení časové základny.
Popis dolního schématu : Deska plošných spojů vlevo má špatné zapojení, neboť
vedení časové základny a její zpětné vedení vytvářejí velkou smyčku. To bude mít za
důsledek významné vyzařování rozdílových proudů. Deska plošných spojů vpravo má daleko
menší smyčku vedení časové základny, neboť vedení časové základny a jeho zpětné vedení
jsou blízko sebe.
MT : Component Selection (výběr prvků)
MD : Pečlivý výběr integrovaných obvodů a dalších součástek může snížit vyzařovaná rušení
a vedený šum.
- DCL The slowest logic family consistent . . . (Byla použita nejpomalejší řada logických
obvodů, která odpovídá návrhu)
MI : Rychlejší logické přenosy, zvětšují efekt indukčnosti v zemnících dráhách desky
plošných spojů. Přechodná napětí vytvářená na dráze jsou úměrná poměru di/dt a přechodový
čas menší než 10ns bude vytvářet pětkrát větší napětí než pomalý CMS přechod s 50ns. Při
menším přechodovém čase se stává více důležitým účinné oddělování. Navíc rychlé logické
přechody zkracují maximální délku vodičové dráhy, která může být použita před nastáváním
efektu přenosového vedení. Při návrhu by měl být použit nejpomalejší typ logických obvodů,
který je ještě přijatelný.
(Logic Family Risetime (doby náběhu pro řady logických obvodů), Family (řada), Risetime
(doba náběhu), Track Length for Transmission Line Effects (délka dráhy pro efekt
přenosového vedení))
- DCL The highest immunity logic family . . . (Byla zvolena řada logických obvodů
s nejvyšší odolností)
MI : Kde je to možné, zvolte logické obvody s co nejvyšším prahovým spínacím
napětím, což zlepší úroveň susceptibility.
Tabulka ukazuje, že rychlejší řada logických obvodů potřebuje k přepnutí kratší šířku pulzu.
Popis dolního schématu : (Logic Family Immunity (odolnost řady logických obvodů),
Family (řada), Minimum 3V pulse width to switch (minimální šířka pulzu 3V nutná
k přepnutí)
Mikroelektronické praktikum L 77
- DCL : Boards are interconnected . . . (desky plošných spojů jsou propojeny, kde je to
možné, použitím symetrických budičů.
MI : Symetrické vedení nabízí lepší odolnost a nižší vyzařování než jednoduché vedení, které
používá společnou zpětnou zem.
- DCL : Board connected using single . . . (Desky připojené jednoduchým vedením
používají metody omezení proudu)
MI : Kde je použito jednoduchého vedení pro propojení oddělených desek plošných spojů,
použití výkonového hradla může omezit proudy tekoucí v dlouhém vedení mezi deskami.
Toto může omezit proud v potenciální velké smyčce.
Popis dolního schématu : Když jsou desky propojeny, propojovací kábel se může stát
zdrojem vyzařování. Zvýšení proudové úrovně zvyšuje možnost vyzařování. Uspořádání
vlevo vyžaduje několik hradel, zatímco použití výkonového hradla vpravo snižuje proud
v propojení.
- DCL : Analogue device bandwidths . . . (Byla minimalizována šířka pásma analogového
zařízení)
MI : Šířka pásma analogových obvodů by měla být značně větší, než požaduje návrh
obvodu. K omezení šířky pásma na nejnižší přijatelnou úroveň je možno použít paralelních
kondenzátorů.
Popis dolního schématu : Přidání kondenzátorů do zpětnovazební smyčky
v analogovém obvodu, anebo mezi vstup a zemi, omezuje vysokofrekvenční charakteristiku a
tudíž i citlivost k vysokofrekvenčnímu šumu.
- DCL : Analogue device signal levels . . . (Byly maximalizovány signálové úrovně
analogového zařízení)
MI : Měly by být použity maximální možná napětí signálu kvůli dosažení vysokého
poměru signálu k šumu.
Popis dolního schématu : Maximising Analogue Signal Levels (maximalizace úrovní
analogového signálu), High signal levels leads to better signal to noise ratio but . . . (vysoké
úrovně signálu vedou k lepšímu poměru signálu k šumu, ale . . . ), High signal levels leads to
high source/load impedance and . . . (vysoké úrovně signálu vedou k vysoké impedanci
zdroje/zátěže a . . .), High source/load impedance leads to higher capacitive coupling and . . .
(vysoká impedance zdroje/zátěže vede k větší kapacitní vazbě a . . .), Lower source/load
impedance leads to higher inductive coupling (nižší impedance zdroje/zátěže vede k větší
induktivní vazbě).
- DCL : Power supply modules have . . . (Moduly napájecího zdroje mají definované
provedení emc)
MI : Kde jsou použity předhotovené moduly napájení, ubezpečte se, že mají provedení
emc (vyzařované a vedené emise), které výrobce napájecího zdroje garantuje.
Popis dolního schématu : Power Supply Modules Performance (provedení modulů
napájecího zdroje), Conducted Emissions (Input and Output Lines) (vedené emise (vstupní a
výstupní vedení), Radiated emissions (vyzařované emise ), Current Demand Response Time
(čas odezvy na odběr proudu ).
- DCL : Transmission Line effects . . . (Byl vzán v úvahu efekt přenosového vedení)
MI : Rychlé přeměny logických obvodů jsou zodpovědné za vznik efektu přenosového
vedení, kde hrana pulzu je odražena od zátěže. Znovuodražení od zdroje může zapříčinit
78 FEKT Vysokého učení technického v Brně
zakmitávání a zkreslení signálu. Vyzařování z vedení narůstá. Měla by být prověřena délka
vedení a kde je to nezbytné, tam by měly být vodičové dráhy navržené pro určitou
charakteristickou impedanci a ukončeny touto impedancí.
MT : Enclosure shielding (stínící kryt)
MD : Jestliže vyzařované úrovně šumu jsou příliš vysoké, anebo je zařízení citlivé, může být
potřebné přídavné stínění. Posouzení všech možností stínění zajistí dosažení nejlepšího
provedení.
-DCL : All steps have been taken . . . (Byly učiněny všechny kroky k redukci rušení na
zdroji)
MI : Před rozhodnutím o použití stínění, měly by být učiněny kroky k omezení úrovně
vnitřních šumových zdrojů. Toto obsahuje redukci plochy smyčky na desce plošných spojů a
potlačení šumu souhlasného proudu - common mode noise.
Drahému stínění je možné se vyhnout návrhářským postupem v průběhu návrhu, který
nestojí nic.
Popis dolního schématu : Interference Reduction at Source (Redukce rušení na zdroji),
Cables routed close to ground planes ( Kabely jsou vedeny těsně u zemních ploch), PCB Loop
Areas Minimised (Jsou minimalizovány plochy smyček desky plošných spojů ), Localised
Shielding used where possible (Kde je to možné, je použito lokální stínění), All ic’s
decoupled (Jsou odděleny všechny integrované obvody), Slowest transition logic used (Jsou
použity logické obvody s nejpomalejšími přechody), PCB’s use ground&power planes (desky
plošných spojů používají zemní a napájecí roviny), Ground paths properly planned (Jsou
dráhy zemnění řádně navrženy), Noise sources identified&isolated (Jsou zdroje šumu
identifikovány a izolovány).
-DCL : All steps have been taken . . . (Byly učiněny všechny kroky vedoucí k redukci
citlivosti na zdroji)
MI : MI : Před rozhodnutím o použití stínění, měly by být učiněny kroky k omezení
susceptibility obvodů zařízení. Opatření k redukci emisí obvykle zlepší citlivost
susceptibility stejně dobře.
Popis dolního schématu : Susceptibility Reduction at Source (Redukce citlivosti na
zdroji), Cables routed close to ground planes ( Kabely jsou vedeny těsně u zemních rovin ),
PCB Loop Areas Minimised (Jsou minimalizovány plochy smyček desky plošných spojů),
Localised Shielding used where possible (Kde je to možné, je použito lokální stínění), All ic’s
decoupled (Jsou odděleny všechny integrované obvody), Slowest transition logic used (Jsou
použity logické obvody s nejpomalejšími přechody), PCB’s use ground&power planes (desky
plošných spojů používají zemní a napájecí roviny), Ground paths properly planned (Jsou
dráhy zemnění řádně navržené), Sensitive Circuits identified&isolated (Jsou citlivé obvody
identifikovány a izolovány ).
- DCL : Consideration has been given . . . (Bylo zváženo lokální stínění citlivých obvodů)
Často se může z hlediska nákladů vyplatit provedení lokálního stínění kolem citlivých
obvodů, místo stínění kolem celého zařízení. Toto může sestávat ze stínění, s možnými
napájecími propojeními, které jsou navíc stíněné.
Popis dolního schématu : Vnitřní stínící kryt může být použit k odstínění buď obvodů
vyzařujících šum, anebo hlavně citlivých obvodů. Toto dokáže omezit vnitřní obvodové
interference uvnitř krytu a také omezuje celkovou potřebnou úroveň stínění. (Overall
Enclosure (celkový kryt), Feedthrough Filter (průchozí filtr), Internal Enclosure (vnitřní kryt).
Mikroelektronické praktikum L 79
- DCL : Consideration has been given . . . (Bylo zváženo lokální stínění rušících (noisy)
obvodů)
Často se může z hlediska nákladů vyplatit provedení lokálního stínění kolem rušení
vytvářejících obvodů, jako je spínaný zdroj, místo stínění kolem celého zařízení. Toto může
sestávat ze stínění, s možnými napájecími propojeními, které jsou navíc stíněné.
Popis dolního schématu : Vnitřní stínící kryt může být použit k odstínění buď obvodů
vyzařujících šum, anebo hlavně citlivých obvodů. Toto dokáže omezit vnitřní obvodová
rušení uvnitř krytu a také omezuje celkovou potřebnou úroveň stínění. (Overall Enclosure
(celkový kryt), Feedthrough Filter (průchozí filtr), Internal Enclosure (vnitřní kryt).
- DCL : Overall Shield : the effect . . . (Celkové stínění : byl zvážen efekt otvorů)
MI : Otvory ve stínění umožňují, aby uvnitř vytvářené rušení bylo vyzařováno ven ze zařízení
a způsobují, vazbu vnějšího pole k vnitřním obvodům, což může zapříčinit problém se
susceptibilitou. Úroveň vytékání z otvoru vzrůstá s frekvencí a může být stanovena z vytékání
dílčích frekvencí. Rozdělení otvoru do několika menších bude snižovat vytékání, zatímco
voštinové pletivo anebo stíněná okna mohou být použita pro následné snížení vytékání.
Popis dolního schématu : Otvory ve stínícím krytu způsobují, že dochází k vyzařování
vnitřního rušení a způsobují vnikání vnějších polí do krytu. Tlumení otvoru klesá s frekvencí
a velikosti otvoru. (Aperture (otvor), Conductive Enclosure (vodivý kryt).
- DCL : Overall Shield : panel to panel . . . (Celkové stínění : byly zkontrolována spojení
mezi panely)
MI : Společným místem vytékání jsou spojení mezi panely. Jestliže je spojení zhotoveno
z přetržitých spojení, například použitím šroubových spojů, dojde k vytékání, jako u
štěrbinového otvoru. V případě vzdálenosti menší než polovina vlnové délky mezi
propojeními dojde k malému tlumení. Pro zamezení vytékání musí být spojení elektricky
spojeno, například použitím těsnění emi.
Popis dolního schématu : Rozhraní mezi dvěmi vodivými povrchy je potenciálním zářičem
šumu a může být snadno prohlédnuto. Těsnější umístění upevňovacích míst, vede k vyšším
frekvencím, kde je vytvářena částečná emise. Může být nezbytné použíti vodivé těsnění emi
mezi dvěmi povrchy pro úplné odstranění emisí. (Slot (štěrbina), Fixing Points (zpevňovací
body).
- DCL : EMI Gaskets : correct . . . (EMI těsnění : byl dodržen správný návrh drážky)
MI : Drážky pravoúhlého průřezu použité pro naplnění vodivým emi těsněním musí
být správně navrženy. Stlačení těsnění musí být v oblasti definované výrobcem. Příliš malé
stlačení a těsnění nebude fungovat správně, příliš moc a může nastat zničení těsnění. Těsnění
rovněž nesmí přeplnit drážku, což by vedlo k poškození těsnění vytlačením. Všechny dolní
úvahy musí brát v úvahu minimální a maximální tolerance. Vodivá těsnění mohou zamezit
vytékání z víka do rozhraní krytu, ale vyžadují správné použití. Připevňující šroub vpravo
nahoře je umístěn nesprávně a může vytvořit dráhu vytékání. Drážka vpravo je příliš malá,
což vede k vytlačení těsnění a poškození. (Fixing Screw (připevňovací šroub), rf path
(vysokofrekvenční dráha), Lid (víko), Equipment Interior (vnitřek zařízení), Conductive
Gasket contained in groove (vodivé těsnění vložené do drážky), Enclosure Wall (stěna
krytu)).
- DCL : Conductive Coating are shown . . . (Vodivé nátěry jsou opakovatelné a vodivé)
MI : Tam kde je stínění provedeno přidáním vodivého nátěru na plastový výlisek, musí
být učiněny kroky k zabránění toho, aby se někde vyskytovaly skryté plochy, kde není stínící
80 FEKT Vysokého učení technického v Brně
materiál. Jestliže existují plochy bez stínění, a zařízení splňuje požadavky elektromagnetické
kompatibility, měla by být stanovena kontrola při výrobě k zajištění toho, aby skryté plochy
byly důsledně lokalizovány.
Popis dolního schématu : Plastové skříně mohou být natřeny vodivými vrstvami
k zajištění stínění. Specifikace vodivého nátěru by měla zajistit, že nátěrová vrstva je
soudružná a opakovatelná, zvláště tam, kde některé povrchy mohou být “zastíněné”.
MT : Wires & Conductors (dráty a vodiče)
MD : Dráty a vodiče by měly být umístěny na naplánovaném místě, tak aby byly
minimalizovány pick-up přeslechy a vyzařování.
- DCL : The cabling layout is . . . (Návrh kabeláže je zkontrolován a zaznamenán)
MI : Dílčí návrh různých kabelových vedení může mít značný vliv na pickup a
vyzařování. Podrobnosti návrhu kabeláže by měly být přesně uchovány, aby bylo možné je
reprodukovat během výroby.
Popis dolního schématu : Fyzický návrh kabeláže a elektrické instalace by měl být
uchován a zkontrolován. (Power supply (napájecí zdroj), i/o module (vstupně/výstupní
modul), backplane (propojovací rovina).
- DCL : The shield braids of . . . (Jsou správně ukončena stínící opletení stíněných kabelů)
Pro dosažení maximální účinnost stíněného kabelu je důležité aby stínění bylo důkladně
ukončeno použitím 360 stupňového elektrického spojení. Ohebný přívod (pigtail) bude
přidávat nezanedbatelnou indukčnost k stínícímu obvodu, čímž bude redukovat stínění v MHz
oblasti.
Popis dolního schématu : Ukončení opletení
Opletení u horního kabelu bylo stočeno, čímž bylo udělán ohebný přívod (pigtail), pro
uzemnění v jednom bodě. Toto provedení bude omezovat stínění na vysokých frekvencích.
Kabel dole má opletení rozvinuté do 360 stupňů pro ukončení na kulatém kontaktu.
- DCL : Wires are positioned as close . . . (Dráty jsou umístěny co nejblíže zemněného šasi)
MI : Kapacita mezi drátem a drátem (vodičem) a zemí se zvýší, jakmile je drát (vodič)
přiveden blíž k zemněnému šasi. Toto snižuje jak vyzařování tak pickup .
Popis dolního schématu : Modrý drát bude vytvářet menší riziko vyzařování, než
červený drát, a rovněž bude snižovat pickup a vyzařované rušení.
- DCL : Wires carrying . . . (vodiče přenášející “rušící” proudy jsou odděleny od “tichých”
obvodů)
MI : Vodiče napájecího zdroje, které mohou přenášet významné proudové změny by
měly být vedeny daleko od signálových vodičů anebo připojení citlivých obvodů.
Popis dolního schématu : Vodiče spínaného zdroje by měly být fyzicky vzdáleny od
vstupních vodičů zesilovače. (Switch Mode psu (spínaný napájecí zdroj), Amplifier Module
(modul zesilovače), Input (vstup))
- DCL : The use of shielded cables . . . (kde to bylo nezbytné, bylo zváženo použití stíněných
kabelů)
MI : Pickup a vyzařování z vnějších kabelů může být sníženo použitím stíněných
kabelů, které mohou být v provedení od kroucené dvojlinky, přes stíněnou kroucenou
dvojlinku až po koaxiální kabel. Vnitřní připojení by mělo rovněž používat stíněného kabelu
Mikroelektronické praktikum L 81
kvůli preventivnímu zamezení pickup rušením napájecího zdroje atd. na vodičích vedoucích
do citlivých obvodů.
Popis dolního schématu : Použití stíněných kabelů
- DCL : Wires are not routed close to openings . . . (Vodiče nejsou vedeny blízko
otvorů v celkovém stínění)
MI : Otvory v celkovém stínění jsou výstupními a vstupními místy pro
vyzařovaná pole. Vodiče by neměly být umístěny u otvorů, což by mohlo vést
k nárůstu emisí, nebo zhoršení citlivosti.
Popis dolního schématu : Vyhněte se vedení kabelů blízko otvorů v krytu. Toto se týká
otvorů pro displej, chladících otvorů a také rozhraní mezi vstupními panely a kryty.
MT : EMI Suppression Filters (EMI potlačující filtry)
MD : Filtry mohou být použity k odvedení vedených rušivých proudů pryč od citlivých
obvodů do země. Tyto musí být správně umístěny a přimontovány.
- DCL : All other means of reducing . . . (Byly vyzkoušeny všechny jiné prostředky omezení
interference)
MI : Když je zdroj v zařízení, je potřeba se snažit snížit úrovně rušení na něm. Filtry
nezvýší hodnotu zařízení, pouze jeho cenu. Například použití feritových izolačních korálků a
malých keramických kondenzátorů na přívodech k motoru, může uchránit od použití síťových
filtrů.
Popis dolního schématu : Device Bandwidth Minimised (byla minimalizována šířka pásma
zařízení ), Shielded Cable used (byl použit stíněný kabel), PCB Layout Optimised (byl
optimalizován návrh plošného spoje), Noisy Circuits isolated (byly izolovány rušící obvody),
Cable Layout optimised (byl optimalizován návrh kabelů), Slowest Logic possible used (byly
použity nejpomalejší možné logické obvody)
- DCL : Mains Filters are mounted . . . (Síťové filtry jsou přimontovány co nejblíže
síťovému střídavému vstupu)
MI : Síťové filtry by měly být přimontovány co nejblíže místu, kde síťové vedení vstupuje
do zařízení, kvůli snížení vyzařování z nefiltrované strany kabelu do zařízení.
82 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Popis dolního schématu : Filtry by měly být přimontovány co nejblíže vstupu, kvůli snížení
vyzařování dovnitř krytu z nefiltrovaného vstupního vodiče. (Good practice (dobrý postup),
Bad practice (špatný postup)).
- DCL : The output wire of the mains . . . (Výstupní vodič ze síťového filtru se nenachází
blízko vstupního vodiče)
MI : Nefiltrovaný rušící vstupní vodič by neměl být přiváděn blízko filtrovaného
výstupního vodiče, kvůli zanášení rušení kondenzátorem a indukčním rozptylem.
Popis dolního schématu : Toto je špatný postup pro vedení výstupního vodiče z filtru
blízko vstupního vodiče. Toto se projeví v šumu na vstupním vodiči kapacitně vázaného
k výstupnímu vodiči, snižuje účinnost filtru.
- DCL : The Mains Filter is . . . (síťový filtr je správně uzemněn)
MI : Zemnící připojení síťového filtru musí být umístěno k čisté oblasti šasi, kde není
žádný nátěr, tuk apod. Filtr nesmí být přimontován v místě, kde se na spojení filtru k šasi
může vyskytnout rez, například, kde se může hromadit vlhkost.
Popis dolního schématu : Zemnící spojení mezi filtrem a šasi musí být zbaveno tuku,
špíny a nátěru a nesmí být uvolňováno vibracemi během běžného používání. (Mains Filter
(síťový filtr))
- DCL : The leakage current to . . . (svodový proud do země je přijatelný)
MI : Síťový filtr bude zavádět svodový proud z napěťového vodiče do země, skrze jeho
kondenzátor Cy. Tento proud je kvůli bezpečnostním důvodům omezen do 0,5mA. Některé
aplikace, například v lékařství, umožňují dosáhnou dokonce menších hodnot. Toto může být
zajištěno tím, že svodový proud skrze síťový filtr bude mít přijatelnou hodnotu.
Popis dolního schématu : Obvod síťového filtru.
Kondenzátor Cy umožňuje vedení proudu z napěťového vodiče do země a tento musí být
udržován v přijatelných mezích.
- DCL : Signal line do not attenuate . . . (Signálové vedení netlumí anebo nezkresluje
požadované signály)
MI : Kapacita filtrů signálového vedení je dostatečná k potlačení digitálních signálů na
frekvencích několika MHz, anebo ke zpoždění špičkové hodnoty zpomalením hrany. Mělo by
být zajištěno, že filtry nezkreslí požadovaný signál více než je přípustné.
Popis dolního schématu : Kondenzátorové filtry výrazně zaoblují hrany digitálních signálů,
přímo úměrně s hodnotou kapacit. Prahové napětí může být opožděno a celková amplituda
signálu může být tlumena.
- DCL : Feedthrough filters are mounted . . . (Průchozí filtry jsou namontovány na
přepážku, anebo stěnu).
MI : K dosažení maximálních vysokofrekvenčních vstupních ztrát musí být průchozí filtr
přimontován skrz vodivou přepážku, jinak rozptylová kapacita paralelní s filtrem bude
snižovat vstupní ztráty hodně nad 100MHz
Popis dolního schématu : Použití průchozího filtru
Průchozí filtry by měly být namontovány na přepážce anebo skrz stěnu zařízení. Použití
vlevo je nesprávné a bude mít špatné vstupní ztráty na vyšších frekvencích. (Dirty box
(špinavá krabice), Quiet area (tichý prostor)).
- DCL : Feedthrough filters are handled . . . (S průchozími filtry bylo během montáže
správně zacházeno)
MI : Ačkoliv je toto spíš záležitost výroby, tak přesto by mělo být poznamenáno, že
průchozí filtry jsou zvlášť náchylné k poškození špatným zacházením. To se může stát díky
překročení teploty pájení anebo použitím kroutící síly při montáži, která překročí doporučení
výrobce. Filtr se může porouchat díky zkratu, který vede k vyřazení činnosti zařízení, anebo
k rozpojení, což vede ke snížení emc výkonnosti.
Mikroelektronické praktikum L 83
Popis dolního schématu : S průchozími filtry se musí být během instalace správně
zacházet. Musí být užita správná montážní síla a teplo vznikající při pájení musí být pečlivě
kontrolováno. Jinak může dojít k poškození keramického kondenzátoru, což může zapříčinit
nepředvídatelné chyby díky zkratu někdy v budoucnu. (Mounting thread (montážní závit),
Feedthrough filter and dicsoidal capacitor (průchozí filtr a diskovitý kondenzátor).
- DCL : Feedthrough filters temperature . . . (Byl brán ohled na teplotu průchozích filtrů a
proudovou účinnost)
MI : Průchozí filtry používají keramické kondenzátory vyrobené z materiálů s vysokou
dielektrickou konstantou. Některé materiály (např. X7R) jsou s teplotou relativně stabilní,
zatímco jiné (např Z5U, Y5V) vykazují velké (80%) snížení kapacity v extrémních teplotách
(>70ºC,<0ºC). Mělo by být zajištěno, aby filtr prováděl adekvátní potlačení v extrémních
pracovních podmínkách. Podobně, vložné ztráty, kde jsou použity feritové kroužkové
indukčnosti často klesá když narůstá stejnosměrný proud. Provedení by mělo být hodnoceno
za podmínek plného zatížení.
Popis dolního schématu : Charakteristika vložných ztrát průchozího pi-filtru, když
stejnosměrný proud narůstá od 0A (křivka 1), přes 5A (křivka 2) až po 10A (křivka 3).
Vložné ztráty klesají, když feritová kroužková indukčnost je v saturaci.