Tehnologije mikrosistema

Prof. Dr Biljana Pei

Prof. Dr Dragan Panti

Definicije
Mikrosistem (Microsystem) - Evropa
MEMS (Micro-ElectroMechanical System) USA
Mikromaina (Micromachine) - Japan

Definicije
Microsistem je minijaturni inteligentni sistem u kome su senzori,
elektronika, aktuatori i/ili mikrostrukture integrisani na jednom ipu
(monolitna integracija) ili vie ipova (hibridna integracija) korienjem
mikroelektronskih tehnologija.

Komponente mikrosistema

Aktuatori
Senzori

Mikrostrukture

Elektronika

Definicije
Senzori mere okolinu bez njenog modifikovanja. Konvertuju fizike i
hemijske veliine u elektrine signale. Merene veliine mogu biti :
Termike (temperatura, toplota, protok toplote)
Mehanike (sila, pritisak, brzina, ubrzanje, pozicija)
Hemijske (koncentracija nekog materijala, sastav, brzina reakcije)
Magnetne (intezitet magnetnog polja, gustina fluksa, magnetizacija)
Radijacione (intezitet, talasna duina, polarizacija, faza)
Elektrine (napon, struja, naelektrisanje)

Senzor pritiska

Senzor gasova

Senzor ubrzanja

Definicije
Aktuatori interaguju sa okolinom.

Konvertuju elektrinu energiju

(signale) u mehaniko dejstvo (kretanje).
Primeri:
Mikromotori
Mikropumpe
Ventili
Glave termikih tampaa
Pojaavai mikrofluida
Optiki komunikationi elementi
Skanirajua mikroogledala

Definicije

Senzori i aktuatori su pretvarai energije

(aktivni elementi sistema).

Ulazni pretvara
(senzor)

Procesiranje
signala

Izlazni pretvara
(aktuator)

Definicije
Mikrostrukture su objekti koji ne pripadaju niti senzorima niti
aktuatorima (pasivni elementi sistema). Predstavljaju niz jednostavnih
oblika kao to su lebovi, otvori, brizgalice, reetke, itd.
Primeri:
Mikrosita
Optiki elementi
Mikroelektronske komponente za hladjenje
Elektronski ventili
Separatori tenih izotopa
Mikrokonektori (elektrini i optiki)

Definicije
Elektronska kola su u funkciji procesiranja elektrinih signala.

Senzori

OP

Mix

ADC

DAC

Demix

OP

MIKROKOMPJUTERSKA KONTROLA
Procesiranje digitalnih signala / Kompenzacija sekundarnih
parametara / Rukovanje podacima

VII NIVO KONTROLE

Aktuatori

Definicije

Kategorije mikrosistema
MEMS - MikroElektroMehaniki Sistemi
MOEMS MikroOptoElektroMehaniki Sistemi
MOES MikroOptoElektronski Sistemi
MOMS MikroOptoMehaniki Sistemi

ELEKTRINI

MOES

OPTIKI

MOEMS

MOMS

MEMS

MEHANIKI

Mikrosistemi su razvijeni zahvaljujui revoluciji

mikroelektronskih komponenata

Razvoj mikroelektronskih komponenata

1947

Prvi transistor
2002
IK sa 400
miliona
tranzistora

1958

Prvo integrisano kolo (IK)

1999

IK sa 10 miliona
tranzistora

Moore-ov zakon:
Broj tranzistora u IK raste eksponencijalno
sa vremenom (udvostruuje se svake 2-3
godine)

Mikrosistemi su razvijeni zahvaljujui revoluciji

mikroelektronskih komponenata

Razvoj mikrosistema
1980

Senzor pritiska

1999

Digital Micromirror Device

(DMD)

1.3 milion mikroogledala

Istorijat razvoja mikrosistema

1954 Piezootporni efekat u poluprovodnicima (S.C. Smith)
1964 Si integrisani piezo-aktuator (Tufte, Chapman, Long)
1965 FET akcelerometar dobijen tehnologijom povrinskog mikromainstva
(Nathanson, Wickstrom)
1967 Anizotropno dubinsko nagrizanje Si (Waggner et al.)
1977 Si elektrostatiki akcelerator (Stanford)
1979 Integrisani gasni hromatograf (Terry, Jerman, Angell)
1982 Si kao mehaniki materijal (K. Petersen)
1983 Integrisani senzor pritiska (Honeywell)
1985 LIGA tehnologija (W. Ehrfield et al.)
1988 Serijska proizvodnja senzora pritiska tehnologijom bondiranja ploica
(Nova Sensor)
1992 Zapreminsko mikromainstvo SCREAM proces (Cornell)
1993 Displej sa digitalnim ogledalima (Texas Instruments)
1994 Komercijalni akcelerometri realizovani tehnologijom povrinskog
mikromainstva (Analog Devices)
1999 Prekidai za optike mree (Lucent)

Primena mikrosistema
Automobilska
industrija

Elektronika

Biomedicina

Komunikacije

Vojna
primena

Senzori za internu Glave u drajvovima

navigaciju
diskova

Senzori pritiska
krvi

Komponente fiberoptikih mrea

Navodjenje
projektila

Senzori stanja
vazduha u kabini

Glave inkjet printera

Stimulatori miia
i sistemi za
uvodjenje lekova

RF releji, prekidai i
filteri

Sistemi za
osmatranje

Senzori koionih
sila

Televizijski
projekcioni ekrani

Implantirani
senzori pritiska

Projekcioni displeji u
mobilnim komunik.
komponentama i
instrumentima

Runi sistemi

Senzori nivoa
goriva i pritiska
pare

Senzori za detekciju
zemljotresa

Protetika

Spliteri i kapleri

Ugradivi
senzori

Senzori za
vazdune jastuke

Senzori pritiska u
avionima

Minijaturni
analitiki
instrumenti

Oscilatori
kontrolisani
naponom (VCO)

Memorisanje
podataka

Inteligentne
gume

Sistemi za masovno
Pejsmejkeri
memorisanje podataka

Podesivi laseri

Kontrola letilica

Trite mikrosistema
Oblast primene

2002. god 2004. God CAGR (%)

(milion USD)

(milion USD)

IT/Periferija

8.700

13.400

11.5

Biomedicina

2.400

7.400

32.5

Automobilska industrija

1.260

2.350

16.9

Industrija/Automatika

1.190

1.850

11.6

Telekomunikacije

130

3.650

128.1

Monitoring ivot. sredine

520

1.750

35.4

14.200

30.400

21.0

Ukupno

CAGR Compounded Annual Growth Rate

Trite mikrosistema

Primeri mikrosistema
iroskop

MEMS mikrofon

Rotacioni motor

3-osni akcelerometar

MEMS za mikrofluide

Mikrotalasni prekida

Primeri mikrosistema
RF MEMS

Primeri mikrosistema

Integrisana mikro optika: laser, spliter snopa,

Fresnolova soiva, ogledalo, fotosenzor

Digital Light Processing (DLP)

DMD

Primeri mikrosistema
Mikropincete
Neuronske mikroprobe

Tehnologije mikrosistema
Prof. dr Biljana Pei
Prof. dr Dragan Panti

Realizacija mikrosistema

Tok dizajniranja i simulacije (zelena horizontalna osa) i proizvodnje

(crvena vertikalna osa) mikrosistema

Softverski alati

Dizajn komponenata
Cadence, LEdit, Spice, MATLAB

Dizajn procesa
TSuprem, IntelliSuite, AnisE

Analiza
FEM sistemi, MEMCAD,
IntelliSuite, ANSYS

Poredjenje proizvodnje
mikrosistema i IK

Materijali u proizvodnji mikrosistema

Supstrati:
Silicijum (Si)
Galijum-arsenid (GaAs)
Drugi elementarni
poluprovodnici i poluprovod.
jedinjenja
Metali
Stakla
Kvarc
Safir
Keramika
Plastika, polimeri i drugi
organski materijali

Aditivni materijali:
Si (amorfni, polikristalni,
epitaksijalni)
Jedinjenja Si (oksidi, nitridi,
karbidi)
Metali i njihova jedinjenja
Stakla
Keramika
Polimeri i drugi organski
materijali
Biomaterijali

Tehnologije mikrosistema

Tehnologije IK

Tehnologije mikromainstva
Povrinsko mikromainstvo
MUMPS i SUMMiT tehnologije
Zapreminsko mikromainstvo
HARM tehnologije
DRIE
LIGA
Bondiranje ploica

Procesi u tehnologiji IK

Procesi na ploicama
1.
2.
3.

Depozicija/rast tankih filmova

Patterning tankih filmova
Dopiranje primesa

Procesi u tehnologiji IK
1.

Procesi depozicije/rasta tankih filmova

Spin-on
- Fotorezist
- Poliamidni filmovi
PVD (Physical Vapour Deposition)
- Naparavanje (evaporation)
- Katodno raspravanje (sputtering)
CVD (Chemical Vapour Deposition)
- Oksidacija
- LPCVD (Low Preassure CVD)
- PECVD (Plasma Enhanced CVD)

Procesi u tehnologiji IK
2.

Patterning tankih filmova

Litografija
- Optika (UV svetlost)
- Snopom elektrona
- Snopom X-zraka
Nagrizanje (etching)
- Vlano (wet)
- Suvo (dry)
- RIE (Reactive Ion Etching)

Procesi u tehnologiji IK

2.

Dopiranje (uvodjenje primesa)

Termika difuzija
Jonska implantacija

Povrinsko mikromainstvo
Aditivni procesi
Strukturni i pomoni slojevi

ematski prikaz povrinskog mikromainstva. (a) Depozicija

pomonog (sacrificial) sloja, (b) patterning pomonog sloja,
(c) depozicija i patterning strukturnog sloja, (d) nagrizanje
pomonog sloja i dobijanje samodree strukture

MUMPS i SUMMiT tehnologije

Zapreminsko mikromainstvo
Procesi oduzimanja materijala
Vlano i suvo nagrizanje
Izotropno i anizotropno nagrizanje

Akcelerometar realizovan tehnologijom

zapreminskog mikromainstva

Strukture realizovane anizotropnim nagrizanjem silicijuma.

(a) Donja strana ploice sa upljinama, dijafragmom and
otvorom; (b) Gornja strana ploice sa kantiliverom
formiranim etch-stop tehnikom; (c) popreni presek AA i
(d) popreni presek BB'.

HARM tehnologije
High Aspect Ratio Micromachining (HARM)
veliki odnos visine i irine struktura -

DRIE (Deep Reactive Ion Etching)

- Duboko RIE nagrizanje -

HARM tehnologije
LIGA - LIthographie Galvanoformung Abformung
(Lithography, Electroplating, Molding)

LIGA tehnologija. (a) patterning rezista X-zracima,

(b) elektro-depozicija metala, (c) nagrizanje
rezista, i (d) formiranje plastinih komponenata.

HARM tehnologije
Bondiranje ploica
- Anodno bondiranje
Spajanje Si sa staklom i dr. materijalima
- Fuziono bondiranje
Spajanje dve Si ploice

Senzor pritiska.

Tehnologije mikrosistema
Prof. dr Biljana Pei
Prof. dr Dragan Panti

Silicijum (Si)
Zato Si?
Osnovni materijal u tehnologiji IK
Jeftin
Kompatibilan sa postojeim
poluprovodnikim tehnologijama (laka
integracija)
Pogodan za hibridne strukture

Vrste: monokristalni, polikristalni, amorfni

Kristalna struktura Si

Valentnost 4
- svaki atom Si vezan je sa 4
susedna atoma u tetragonalnoj
konfiguraciji

Kristalna reetka tipa dijamanta

(PC kubna reetka sa 4 unutranja atoma)
- konstanta reetke: a=0.543 nm
- gustina atoma:
4 atoma unutar kocke
6 atoma na svakoj strani kocke
(1/2 svakog atoma je unutar kocke)
8 atoma u rogljevima kocke
(1/8 svakog atoma je unutar kocke)
Ukupno 8 atoma po kocki: gustina atoma
8/a3

Kristalne ravni u Si

Kristalne ravni u Si

Dobijanje Si

Take topljenja
- Si: 1420oC
- Kvarc (SiO2): 1732oC

Si metalurke istoe

- Redukcija SiO2 u pei (T>1780oC)

SiO2 + SiC = Si + SiO + CO

Koncentracija neistoa
(1ppm=5x1016 cm3)

Al: 1600 ppm

B: 40 ppm
Fe: 2000 ppm
P: 30 ppm

Preiavanje u gasovitoj fazi

- T~ 600oC
- Si + 3HCl = SiHCl3 + H2 + toplota
SiHCl3 (trihlorsilan) tean na sobnoj T,
dalje preiavanje frakcionom
destilacijom

Si elektronske istoe
- Redukcija vodonikom
2SiHCl3 + 2H2 = 2Si + 6HCl
Koncentracija neistoa
(1ppb=5x1013 cm3)

Al: ispod detekcije

B: < 1 ppb
Fe: 4 ppm
P: < 2 ppb

Polikristalni Si

Rast monokristala Si metodom

Czochralski

Kontrola dijametra monokristala

Monokristalna klica
Monokristalni Si u vidu ingota
Kvarcna posuda

Kritian faktor: protok toplote od

tene ka vrstoj fazi
Balans brzine ovravanja, brzine
izvlaenja, temperaturnog gradijenta

Komora sa vodenim hladjenjem

Zatitnik toplote
Greja
Grafitna posuda
Dra posude
Elektroda

Ingot monokristalnog Si

Seenje ingota i priprema ploica

Boule forming, merenje orijentacije

Seenje ploica

Lapovanje ploica
Grindovanje ploica sa obe strane do
glatkoe 2-3 m

Nagrizanje ploica
Hemijsko nagrizanje da bi se uklonio
oteeni povrinski sloj

Poliranje ploica
Hemo-mehaniko poliranje,
SiO2/NaOH slurry

ienje i inspekcija ploica

Indentifikacija ploica

Tehnologije mikrosistema
Prof. dr Biljana Pei
Prof. dr Dragan Panti

Formiranje tankih filmova

Rast filmova
Formiranje tankog filma iz materijala
supstrata
Primer: formiranje SiO2 termikom oksidacijom

Depozicija filmova
Nanoenje tankog filma na materijal
supstrata
Primer: formiranje SiO2 procesom CVD

Procesi rasta filmova

Oksidacija
Termika oksidacija
Anodizacija

Procesi depozicije filmova

CVD - Hemijska depozicija iz gasovite faze

APCVD (Atmospferic Pressure CVD)
LPCVD (Low Pressure CVD)
PECVD (Plasma Enhanced CVD)
PVD Fizika depozicija iz gasovite faze
Termiko naparavanje
Spaterovanje
Elektro-depozicija
Spin-on

Silicijum oksid: SiO2

Upotreba:

Maska u procesima nagrizanja i difuzije

Pasivizacija povrine
Dielektrik gejta MOSFET-a
Izolacija

Formiranje:
Rast
Termika oksidacija
(daje najbolji kvalitet)
Anodizacija
Depozicija
CVD
Naparavanje
Spaterovanje

Termika oksidacija Si

Visokotemperaturni proces (900-1200oC)

Dve vrste procesa:

Suva (dry) oksidacija
Si () + O2 = SiO2
Vlana (wet) oksidacija
Si () + 2H2O = SiO2 + 2H2
Suva oksidacija daje okside veih gustina:
(dry)=2.25 g/cm3 , (wet)=2.15 g/cm3

Poetna povrina Si

Si

Kinetika rasta termikog oksida

Osnovni model: Grove&Deal-ov model
Prisustvo oksidanta na medjupovrini
ogranieno je njegovom difuzijom kroz oksid
Prvi Fick-ov zakon: fluks J = -D N/x
Aproksimacija: N/x = - (N0 N1)/x

Kinetika rasta termikog oksida

N0 predstavlja graninu rastvorljivost oksidanta u oksidu

N0O2 = 5x1016 cm-3 na 1000oC
N0H2O = 3x1019 cm-3 na 1000oC
Fluks Jna medjupovrini SiO2-Si formira novi oksid
J= k N1
k je konstanta hemijske reakcije

U ravnotei je J=J

Kinetika rasta termikog oksida

Fluks: br molekula oksidanta koji prolazi kroz medjupovrinu
Brzina pomeranja medjupovrine:
dx /dt
n: br molekula oksidanta u jedinici zapremine oksida:

Onda je:
Uzimajui:

Integracija pri poetnom uslovom

daje:

Kinetika rasta termikog oksida

gde je offset vreme kojim se uzima u obzir prisustvo

prirodnog oksida na povrini u trenutku t=0

n: br molekula oksidanta u jedinici zapremine oksida

Kinetika rasta termikog oksida

Granini sluaj Grove&Deal-ovog modela:
Kratka vremena

Debljina oksida se poveava linearno sa vremenom

B/A je konstanta linearne brzine:
Konstanta linearne brzine zavisi od:
Brzine reakcije oksidanta i Si (k)
Rastvorljivosti oksidanta u oksidu (N0)
Temperaturna zavisnost je uglavnom zbog brzine reakcije

Kinetika rasta termikog oksida

Granini sluaj Grove&Deal-ovog modela:
Duga vremena

Zavisnost je parabolina: (debljina)2 ~ vreme

B je konstanta paraboline brzine:
Konstanta paraboline brzine zavisi od:
Difuzivnosti oksidanta u oksidu (D)
Rastvorljivosti oksidanta u oksidu (N0)
Temperaturna zavisnost je uglavnom zbog difuzivnosti

Debljina termikog oksida

Suva oksidacija

Vlana oksidacija

Efekti dopiranja Si na kinetiku rasta

termikog oksida
Bor
k = Cox /CSi ~ 3

Primese se nagomilavaju u oksidu

Imaju mali uticaj na konstantu linearne brzine B/A
Poveavaju konstantu paraboline brzine B
Efekat znaajan tek pri NB > ~1020 cm-3

Fosfor
k = Cox /CSi ~ 0.1

Primese se nagomilavaju na povrini Si

Imaju mali uticaj na konstantu paraboline brzine B
Poveavaju konstantu linearne brzine B/A
Efekat znaajan tek pri NP > ~1020 cm-3

CVD (Chemical Vapor Deposition) procesi

Osnovno obeleje: hemijska reakcija gasovitih reaktanata
Pitisak: atmosferski - 50 mTora
Pobuda reakcije:
Termika: T u opsegu 100 1000oC
Pri viim temperaturama poveava se migracija i pokretljivost
molekula reaktanata na povrini supstrata
Plazmom
Optika

Materijali:

SiO2
Polikristalni Si (poli)
Si3N4
Metali
Fosfosilikatna, borosilikatna, borofosfosilikatna stakla (PSG, BSG,
BPSG)

Vrste CVD procesa

APCVD - Atmospheric Pressure CVD
LPCVD Low Pressure CVD
PECVD Plasma Enhanced CVD

Koraci CVD procesa

Uvodjenje gasova u reaktor

Kretanje molekula gasova ka supstratu
Adsorpcija reaktanata na supstratu
Formiranje filma putem hemijske reakcije
Desorpcija i izvodjenje gasova produkata reakcije

Osnovne konfiguracije CVD reaktora

Reaktori sa vruim zidovima
Zagreva se ceo sistem
Termika pobuda reakcija
Pritisak:
Atmosferski: vea brzina
depozicije
Nizak (LPCVD): manja
brzina depozicije, bolja
uniformnost filma

Pobuda reakcija plazmom

(PECVD)

Reaktori sa hladnim zidovima

Zagreva se samo supstrat:
otporno ili induktivno

CVD silicijum dioksid

Reakcije:
SiH4 +O2 -> SiO2 + 2H2
SiH4 + N2O -> SiO2 + nus-produkti
SiCl2H2 + N2O -> SiO2 + nus-produkti
Si(OCl2H5)4 -> SiO2 + nus-produkti
Si(OCl2H5)4 tetraetil ortosilikat (TEOS)

Uslovi depozicije:
APCVD, hladni zidovi, T~500oC
LPCVD, vrui zidovi, T~500oC
PECVD, T~250oC za silan i T~700oC za TEOS

CVD polisilicijum
SiH4 -> Si + 2H2
Piroliza silana (SiH4)
APCVD, hladni zidovi, 5% silana u vodoniku
LPCVD (~ 1 Tor), vrui zidovi, 20-100% silana

Veliina zrna:
zavisi od T depozicije i uslova procesa koji slede

Dopiranje tokom depozicije:

P-tip: diboran (B2H6) ~0.005 cm
N-tip: arsin (AsH3), fosfin (PH3) - ~0.02 cm

Dopiranje posle depozicije:

Implantacijom ili difuzijom

CVD silicijum nitrid

Stehiometrijska formulacija: Si3N4
U praksi Si/N varira od 0.7 (obogaen N) do 1.1
(obogaen Si)

Uslovi depozicije:
LPCVD: 700-900oC
3SiH4 + 4NH3 -> Si3N4 +12H2
3Si2Cl2H2 +4NH3 -> Si3N4 + 6HCl +6H2
Si/N oko 0.75, 4-8% H
~3 g/cm3, n~2.0, k~6-7

PECVD: 250-350oC
SiH4 + NH3 -> SixNyHz + H2
SiH4 + N2 -> SixNyHz + H2
Si/N od 0.8-1.2, ~20%H
~2.4-2.8 g/cm3, n~1.8-2.5, k~6-9

CVD metali
Volfram:
WF6 + 3H2 -> W + 6HF
2WF6 + 3SiH4 -> 2W + 3SiF4 + 6H2
T~ 300oC, hladni zidovi
Athezija sa SiO2 slaba pa se koristi TiN kao medjusloj

Aluminijum:
Tri-izobutil-aluminijum (TIBA)
LPCVD, T~ 200-300oC

Bakar:
Cu -diketon, T~ 100-200oC

Tehnologije mikrosistema
Prof. dr Biljana Pei
Prof. dr Dragan Panti

PVD (Physical Vapor Deposition) procesi

Vrste PVD procesa:
Termiko naparavanje
Spaterovanje

Termiko naparavanje
Materijal za depoziciju prevodi se u gasovito stanje grejanjem
Proces se izvodi u visokom vakuumu (~ 5x107 tor) da bi se
izbegla kontaminacija
Prednosti:
- Velika brzina depozicije (0.5 m/min)
- Atomi niskih energija (~ 0.1 eV) ne oteuju povrinu supstrata
- Nije potrebno grejanje supstrata

Nedostaci:
- Loe prekrivanje stepenika
- Varijacije debljine deponovanog materijala kod velikih supstrata
- Oteenja izazvana X-zracima

Termiko naparavanje
Mehanizmi zagrevanja:
Otporno zagrejavanje ladjice sa materijalom koji
treba deponovati

Najei materijali za grejae: W (3410oC), Ta (2996oC) i Mo

(2670oC)
Potencijalni problem: reakcija sa materijalom ladjice

Zagrevanje snopom elektrona

Materijal za depoziciju se bombarduje elektronima
Generiu se X-zraci koji oteuju substrat/komponentu

Induktivno zagrevanje materijala za depoziciju

Usled gubitaka vihornih struja

Termiko naparavanje
Otporno zagrevanje:
Najednostavniji i iroko zastupljen metod
Koristi se za temperature do 1800oC
Supstrati se izlau vidljivom i IR zraenju
Tipina brzina depozicije 0.1-2 nm/s
Materijali koji se mogu deponovati:
Au, Ag, Al, Sn, Cr, Sb, Ge, In, Mg, Ga
CdS, PbS, CdS, NaCl, KCl, AgCl, MgF2, CaF2, PbCl2

Termiko naparavanje
Zagrevanje snopom elektrona:
Sloeniji metod
Koristi se za temperature preko 3000oC
Tipini emisioni naponi 8-10 kV
Supstrati se izlau zraenju sekundarnih elektrona i Xzraka
Tipina brzina depozicije 1-10 nm/s
Materijali koji se mogu deponovati:
Svi koji se deponuju otpornim zagrevanjem
Ni, Pt, Ir, Rh, Ti, V, Zr, W, Ta, Mo
Al2O3, SiO, SiO2, SnO2, TiO2, ZrO2

Termiko naparavanje
Zagrevanje snopom elektrona:

Termiko naparavanje
Adsorpcija:
Adsorpcija je proces privravanja estica (atoma ili
molekula) za supstrat
Fizisorpcija:
Molekul koji udara u substrat gubi kinetiku (toplotnu)
energiju. Zbog manje energije molekul ne moe da preskoi
prag energije potreban za njegovo oslobadjanje

Hemisorpcija:
Molekul koji udara u supstrat gubi kinetiku energiju tako to
se odvija hemijska reakcija kojom se formira hemijska veza
izmedju molekula i drugih atoma supstrata

Spaterovanje
Za dislokaciju atoma sa povrine izvora materijala za
deponovanje koriste se joni velikih energija
Moe se deponovati bilo koji materijal
Proces se izvodi u niskom-srednjem vakuumu (~ 10 tor)
Prednosti:
- Uniformna debljina deponovanog filma po celoj povrini supstrata ak

i kada su oni veliki

- Laka kontrola debljine filma merenjem vremena

- Laka depozicija legura
- Dobro prekrivanje stepenica
- Bez oteenja X-zracima

Spaterovanje
ta je spaterovanje?
Incidentne jone visokih energija generie plazma
Magnetno polje se koristi za ograniavanje plazme,
elektrino polje za ubrzanje estica
DC plazma za metale
Rf plazma za dielektrike

Spaterovanje

Nedostaci:
- Brzina depozicije nekih materijala je suvie mala
- Organski materijali degradiraju zbog bombardovanja jona
- Laka ugradnja neistoa zbog niskog-srednjeg vakuuma

Tehnologije mikrosistema
Prof. dr Biljana Pei
Prof. dr Dragan Panti

Procesi vlanog nagrizanja

(wet etching)

Glavni koraci procesa vlanog nagrizanja:

Transport reaktanata do povrine
Hemijska reakcija na povrini
Transport produkata reakcije sa povrine

Glavni sastojci sredstva za nagrizanje:

Oksidujue sredstvo
Primer: H2O2, HNO3

Kiselina ili baza za rastvaranje oksidovane povrine

Primer: H2SO4, NH4OH

Rastvara za transport reaktanata i produkata reakcije

Primer: H2O, CH3COOH

Procesi vlanog nagrizanja

Profili: izotropni i anizotropni
Primena: Si, SiO2, Si3N4, metali
Kontrola: maskirajui materijali, dopiranje, elektrohemijska

Vlano nagrizanje

Procesi vlanog nagrizanja

Izotropno nagrizanje:
Jednaka brzina nagrizanja u svim pravcima
Lateralna brzina nagrizanja je skoro ista kao vertikalna
Brzina nagrizanja ne zavisi od orijentacije ivice maske

Anizotropno nagrizanje:
Brzina nagrizanja zavisi od orijentacije kristalnih ravni
Lateralna brzina nagrizanja moe biti mnogo vea ili mnogo manja
od vertikalne, to zavisi od orijentacije ivice maske u odnosu na
kristalografske ose
Orijentacija ivice maske i detalji eme na maski odredjuju konaan
oblik nagrizanja
Moe biti korisno u stvaranju kompleksnih oblika
Moe biti udno kada nije dobro osmiljeno
Samo su standardni oblici rutinski

Procesi vlanog nagrizanja

Nagrizanje Si
Izotropno:
HF:HNO3:CH3COOH

(Hydrofluoric+Nitric+Acetic acids HNA)

HF
HF:NH4F

Anizotropno:
KOH
EDP

(Ethylene Diamine Pirochatechol)

(CH3)4NOH

(TetraMethyl Ammonium Hydroxide TMAH)

CsOH
NaOH
N2H4-H2O (Hydrazine)

Maskirajui materijali:
Fotorezist
Si3N4
SiO2

Anizotropno nagrizanje Si pomou KOH

Brzina nagrizanja varira sa T i koncentracijom:

(110):(100):(111)=600:400:1

Anizotropno nagrizanje Si

Slojevi za stopiranje anizotropnog nagrizanja Si

Kontrola apsolutne dubine nagrizanja je teka
Slojevi za stopiranje nagrizanja drastino smanjuju brzinu nagrizanja
Za nagrizanje Si koriste se slojevi dopirani B
Primeri:

- Brzina nagrizanja KOH se redukuje 20x za NB>1020 cm-3

- Brzina nagrizanja NaOH se redukuje 10x za NB>3x1020 cm-3
- Brzina nagrizanja EDP se redukuje 50x za NB>7x1019 cm-3
- Brzina izotropnog nagrizanja HNA se poveava

sa NB

Slojevi za stopiranje anizotropnog nagrizanja Si

Elektrohemijsko nagrizanje Si

Pozitivnim polarisanjem Si ploice, upljine

se injektuju iz spoljanjeg kola, oksidiu Si i
formiraju hidroksid koji se rastvara u HF
Ovo nagrizanje se koristi za poliranje Si
ploica
Efikasno se maskira filmovima Si3N4

Vlano nagrizanje filmova

Metalni filmovi
Dielektrini filmovi

SiO2
BHF, brzina 100-250 nm/min
HF, brzina velika

Cu i Ni
30%FeCl3
30%H2O2:70%H2SO4
KJ:J2:H2O

Si3N4
1% HF, brzina 60 nm/min
10% HF, brzina 500 nm/min
BHF, brzina 0.5-1 nm/min

Cr
75%HCl:25%HNO3
HCl:Glicerin

Au
75%HCl:25%HNO3
Alkalni cijanid / H2O2

Ag
HNO3

Tehnologije mikrosistema
Prof. dr Biljana Pei
Prof. dr Dragan Panti

Procesi suvog nagrizanja

(dry etching)

Sredstva za izotropno nagrizanje uklanjaju

materijal istom brzinom u svim pravcima

Procesi suvog nagrizanja

Selektivnost nagrizanja: odnos brzine nagrizanja materijala
koga treba ukloniti prema brzini nagrizanja drugih materijala
Selektivnost maskirajuih materijala i slojeva za stopiranje
nagrizanja je od izuzetnog znaaja

Procesi suvog nagrizanja

Suvo nagrizanje - uklanjanje materijala reakcijama
koje se odvijaju u gasovitoj fazi

Vrste suvog nagrizanja:

Nagrizanje bez plazme koristi spontanu reakciju
odgovarajue smee reaktivnih gasova

Nagrizanje sa plazmom koristi RF snagu za pobudu

hemijske reakcije

Suvo nagrizanje bez plazme

Odvija se u gasovima koji sadre fluor - fluoridima i

interhalogenima
Obezbedjuje izotropno nagrizanje Si
Visoka selektivnost maskirajuih filmova
Kontrola putem temperature i parcijalnih pritisaka reaktanata

Nagrizanje ksenon-difluoridom (XeF2)

2XeF2 + Si = 2Xe + SiF4
Izotropno nagrizanje Si
Visoka selektivnost za SiO2, Si3N4, fotoreziste, PSG, Al
Tokom egzotermne reakcije generie se toplota

Nagrizanje interhalogenima (BrF3 i ClF3)

Gasovi reaguju sa Si i formiraju SiF4

Skoro izotropan profil nagrizanja
Maskirajui materijali: SiO2, Si3N4, fotorezist, Al, Cu Au i Ni

Suvo nagrizanje sa plazmom

Koristi RF snagu za pobudu hemijske reakcije

Vrste :

Fiziko nagrizanje
Hemijsko nagrizanje
Nagrizanje reaktivnim jonima (RIE)
Duboko nagrizanje reaktivnim jonima (DRIE)

Plazma

Plazma je delimino jonizovani gas koji sadri jednak broj

pozitivnog (jone) i negativnog (elektrone) naelektrisanja i
odredjen broj neutralnih (nejonizovanih) molekula
Uporedo sa jonizacijom molekula (formiranjem parova jonelektron) odvija se rekombinacija naelektrisanja
Tipina kinetika energija elektrona u plazmi je 2-8 eV

Formiranje plazme
Iz komore se evakuie vazduh a zatim
napuni potrebnim gasovima
Elektrode se prikljue na RF napajanje
Elektrino polje ubrzava elektrone
poveavajui njihovu kinetiku energiju
Elektroni se sudaraju sa neutralnim
molekulima gasa i kada nastaju joni i jo
vei broj elektrona
Ravnotea (plazma) se uspostavlja pri
jonizacija=rekombinacija

Fiziko plazma-nagrizanje
Bazira se na fizikom bombardovanju jona ili atoma
Plazma se koristi za energizaciju hemijski inertnih estica kako bi
velikim brzinama udarale u supstrat
Pri udaru estice predaju energiju atomima supstrata
Ukoliko je ta energija vea od energije veze atomi supstrata se
dislociraju
Nagrizanje je anizotropno
Kao izvor jona najee se koristi Ar

Hemijsko plazma-nagrizanje
Plazma se koristi za stvaranje
hemijski reaktivnih estica (atoma,
radikala i jona) iz inertnog
molekulskog gasa
Nagrizanje se odvija u 6 koraka:
Generacija reaktivnih estica
(npr. slobodnih radikala)
Difuzija do povrine
Adsorpcija na povrini
Hemijska reakcija
Desorpcija produkata reakcije
Difuzija produkata

Nagrizanje reaktivnim jonima (RIE)

RIE je kombinacija fizikog i
hemijskog plazma-nagrizanja
Proces u kome se hemijsko
nagrizanje vri zajedno sa
bombardovanjem jona
Bombardovanje otvara oblasti za
obavljanje hemijskih reakcija
Osobine:
Ne postoji podecovanje jer
bone strane nisu izloene
Vea brzina nagrizanja
Manja selektivnost

Primer RIE nagrizanja

SCREAM proces (Single Crystal Reactive Etching And Metallization)
Viestruko anizotropno i izotropno suvo nagrizanje
Niskotemperaturno nagrizanje i depozicija

Primer RIE nagrizanja

RIE nagrizanje posle CMOS procesiranja za oslobadjanje strukture tankih filmova

Duboko nagrizanje reaktivnim jonima

(DRIE)
Primenjuje se magnetno polje za poboljanje transfera
energije rezonirajuih elektrona
DRIE proces koristi jone manjih energija, to ima za
posledicu manja oteenja i bolju selektivnost materijala
Gustina reaktivnih jona i njihova kinetika energija
kontroliu se odvojeno

Primer DRIE nagrizanja

Bosch-ov proces kombinacija DRIE nagrizanja i postupaka pasivizacije
Koristi plazmu velike gustine za naizmenino nagrizanje Si i depoziciju
polimera (otpornih na nagrizanje) na bonim stranama

Primeri struktura realizovanih Bosch-ovim

procesom