Tuyen Tap 27 Bai Thuc Hanh PDF

1
TUYỂN TẬP 27 BÀI THỰC HÀNH

VỀ VẬT LÝ VÀ KỸ THUẬT HẠT NHÂN
2
3
VIỆN NGHIÊN CỨU HẠT NHÂN
NGUYỄN NHỊ ĐIỀN, NGUYỄN XUÂN HẢI, PHẠM ĐÌNH KHANG
TUYỂN TẬP 27 BÀI THỰC HÀNH

VỀ VẬT LÝ VÀ KỸ THUẬT HẠT NHÂN
NHÀ XUẤT BẢN ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

4
5
MỤC LỤC
6 TUYỂN TẬP 27 BÀI THỰC HÀNH VỀ VẬT LÝ VÀ KỸ THUẬT HẠT NHÂN
Bài thực hành số 1: Các khối điện tử cơ bân trong hệ thống ghi đo bức xä hät nhån 7
LỜI NÓI ĐẦU
Giáo trình được biên soạn trên cơ sở tuyển tập 27 bài thực hành về vật lý hạt
nhân của hãng Ortec. Đây là những thực hành hỗ trợ cho sinh viên học tập trong
các lĩnh vực Khoa học và kỹ thuật hạt nhân, Vật lý hạt nhân, Hóa học phóng xạ,
Sinh học bức xạ và Y học phóng xạ.
Về tổng thể, nội dung của các bài thực hành được lấy từ các bài thực hành của
Ortec, được biên soạn lại cho phù hợp với điều kiện thí nghiệm và ngôn ngữ hiện
thời của người Việt. Mục tiêu của các bài thực hành nhằm giúp học viên nắm vững
kiến thức và những kỹ năng cơ bản cần thiết trong sử dụng các hệ đo từ đơn giản
đến chuyên sâu. Bảy bài đầu tiên là cần thiết và bắt buộc cho tất cả các nhóm học
viên liên quan đến lĩnh vực phóng xạ hạt nhân. Các bài còn lại được biên soạn
chuyên sâu, mang tính đặc thù cho từng nhóm đối tượng học khác nhau.
Phần phụ lục của giáo trình cung cấp cho học viên các kiến thức bổ sung về
thiết bị điện tử hạt nhân, về an toàn khi thao tác với các nguồn phóng xạ và các
kiến thức bổ sung cần thiết khác.
Quyển giáo trình được hoàn thành với sự trợ giúp của nghiên cứu sinh
Nguyễn Ngọc Anh và các học viên cao học ngành Vật lý kỹ thuật, Đại học Đà Lạt.
Đây là lần xuất bản đầu tiên nên không thể tránh khỏi những thiếu sót, rất
mong các đọc giả đóng góp ý kiến để giáo trình được hoàn thiện hơn cho lần xuất
bản sau. Các tác giả cũng xin cám ơn Công ty Trách nhiệm Hữu hạn HaKaTa Việt
đã tài trợ cho giáo trình.
Đà Lạt, 2015
Các tác giả
8
9
BÀI THỰC HÀNH SỐ 1
CÁC KHỐI ĐIỆN TỬ CƠ BÂN

TRONG HỆ THỐNG GHI ĐO BỨC XẠ HẠT NHÂN
Giúp sinh viên tiến đến sử dụng thành thạo các khối điện tử cơ bản trong hệ thống
ghi đo bức xạ hạt nhân, cách ghép nối, lắp đặt và hiệu chỉnh các khối để đ|p ứng yêu
cầu của thí nghiệm.
- Khối phát xung 480;

- Khối tiền khuếch đại 113;
- Khung NIM và nguồn nuôi thế thấp 4001A/4002D;
- Khối khuếch đại phổ 575A;
- Khối định thời gian v{ đếm 996;
- Khối ph}n tích đơn kênh 551;
- D}y c|p v{ đầu nối:
+ 03 sợi cáp C-24-12;
+ 02 sợi cáp C-24-1;
+ Đầu nối C-29 BNC;
Thiết bị cần thiết khác
- Dao động ký Tektronix 2213A hoặc tương đương.
Phần đầu của bài thực h{nh n{y l{ hướng dẫn sử dụng dao động ký để quan sát
xung vào và xung ra của các khối điện tử chức năng trong hệ thống đo đơn giản. Tiếp
theo là các cách sử dụng máy phát xung, tạo ra c|c xung tương ứng với các thiết bị đo
hạt nhân. Xung từ m|y ph|t xung được sử dụng để khởi phát, hiệu chuẩn, kiểm tra hoạt
động của một số khối điện tử. Các khối điện tử được sử dụng trong phần này là những
thiết bị được sử dụng trong hầu hết các thực h{nh như khối tiền khuếch đại, khuếch
đại, phân biệt ngưỡng, ph}n tích đơn kênh (SCA), khối đếm v{ dao động ký. Mỗi khối
có một chức năng cần thiết trong hệ thống tổng thể.
Các khối điện tử được chia thành 2 loại là logic và tuyến tính. Các khối logic là những
khối biên độ xung lối ra cố định theo các tiêu chuẩn logic. Ví dụ đơn giản về khối logic là
khối phân biệt ngưỡng, xung ra của khối này luôn cùng một biên độ mỗi lần nó nhận xung
v{o có biên độ lớn hơn mức ngưỡng. SCA là một ví dụ khác của khối logic. Các khối tuyến
tính là những khối mà tín hiệu lối ra mang thông tin năng lượng của hạt hoặc bức xạ được
hấp thụ trong detector.
Hình 1.1 l{ sơ đồ khối của một hệ đo năng lượng hạt alpha, trong sơ đồ có sử dụng
cả hai khối logic và tuyến tính. Các hạt alpha từ nguồn tạo ra c|c xung có biên độ tỉ lệ
thuận với năng lượng hạt alpha ở lối ra detector. Khối tiền khuếch đại và khuếch đại sẽ
khuếch đại và tạo dạng xung.
Giả sử rằng các hạt alpha có năng lượng 5 MeV và lối ra của tiền khuếch đại là các
xung có biên độ 0,5 V. Hệ số khuếch đại của khối khuếch đại được thiết lập là 10. Khi
đó xung ở lối ra khối khuếch đại có biên độ 5 V. Nếu hệ hoạt động tuyến tính, khi thay
nguồn alpha có năng lượng 5 MeV bằng nguồn có năng lượng 6 MeV, biên độ ở lối ra
của tiền khuếch đại sẽ là 0,6 V và ở lối ra khối khuếch đại là 6 V. Trong ví dụ này, tín
hiệu tuyến tính ở lối ra khối khuếch đại sẽ mang thông tin năng lượng của hạt alpha (tỉ
lệ tuyến tính với năng lượng của hạt alpha).
DETECTOR
Hình 1.1. Sơ đồ khối hệ đếm alpha

Hình 1.2 là dạng xung ở lối ra của khối khuếch đại quan s|t trên dao động ký khi
các hạt alpha có năng lượng 5 v{ 6 MeV đi v{o detector. Xung 5 V tương ứng với hạt
alpha có năng lượng 5 MeV đi v{o detector. Vì vậy, ngoài thông tin về năng lượng, số
lượng các tín hiệu tuyến tính cũng cho biết có bao nhiêu sự kiện có năng lượng tương
ứng xảy ra trong một đơn vị thời gian. Nếu đặt ngưỡng cho khối phân biệt ngưỡng là
5,1 V, bộ phân biệt xung logic chỉ cho tín hiệu ra tương ứng với các hạt alpha có năng
lượng 6 MeV. Nếu đưa c|c xung logic n{y v{o bộ đếm, số hạt alpha có năng lượng
6 MeV đi đến detector sẽ được đếm.
Hình 1.2. Tín hiệu lối ra khối khuếch đại

C|c bước trong thực hành 1.1 sẽ giúp cho sinh viên làm quen cách sử dụng dao
động ký và máy phát xung ORTEC 480. Xung lối ra của máy phát xung sẽ lấy ở chế độ
trực tiếp và chế độ suy giảm. Thực hành 1.2 gồm 3 phần:
(1) Sử dụng các tín hiệu ra của máy phát xung 480 cho các khối tuyến tính (tiền
khuếch đại, khuếch đại) trong các hệ thống đo v{ quan s|t dạng xung của các khối
tuyến tính trong hệ thống;
(2) X|c định tiêu chuẩn logic của xung ra của khối phân biệt ngưỡng tích phân
trên dao động ký;
(3) Sử dụng khối ph}n tích đơn kênh để thay cho khối phân biệt ngưỡng tích phân.
Hình 1.3. Mặt trước của dao động ký Tecktronix 2213A

Dao động ký là công cụ để quan sát sự biến đổi của tín hiệu điện. Đ}y l{ một công
cụ rất quan trọng ngay cả với những người làm vật lý hạt nhân thực nghiệm (kiểm tra
sự hoạt động của hệ thống đo đạc). Hầu hết c|c dao động ký trong phòng thí nghiệm
hạt nhân có khoảng 30 nút bấm và nút chỉnh để thực hiện các chức năng kh|c nhau đ~
được thiết kế. Tuy nhiên, thông thường để quan s|t được xung vào, ra hoặc chỉnh thời
gian đơn giản thì chỉ cần khoảng 10 tham số. Do đó người sử dụng có thể thực hiện thí
nghiệm khi đ~ th{nh thạo khoảng 10 nút bấm.
Các phòng thí nghiệm về hạt nh}n thường có một dao động ký tương tự như
Tektronix 2213A, do đó giới thiệu vắn tắt dưới đ}y hướng dẫn tìm hiểu một số chức
năng hoạt động của dao động ký Tektronix. Hình 1.3 là chi tiết bảng điều khiển của dao
động ký Tektronix 2213A.
Trong thực hành này chỉ có một trong hai kênh được sử dụng, các thiết lập trình
bày trong bảng 1.1 là những điều chỉnh cơ bản để sử dụng dao động ký. Trong thực
hành 1.1, lối ra của khối ph|t xung 480 được nối trực tiếp đến lối v{o dao động ký bằng
cáp và hệ số nh}n trên đầu đo l{ ×1.
Với thực h{nh 1.2 v{ 1.3, đầu đo của dao động ký được sử dụng để kiểm tra các
khối điện tử, do đó hệ số nhân sẽ được đặt là ×10.
Khi sử dụng dao động ký khác, các tham số hướng dẫn trong bảng 1.1 cần được
điều chỉnh cho phù hợp.
1. Độ sáng (Intensity): Vị trí giữa, chỉnh Focus để có được độ tương phản v{ độ

nét tốt.
2. Chế độ hiển thị (Display Mode Selection): Chọn CH1.
3. Vị trí trục hoành (Vertical Position) kênh 1: Đặt đường cơ sở (baseline) ở cm
dưới đường trung tâm 2,5 cm.
4. Vị trí trục hoành (Vertical position) kênh 2: Không thiết lập.
5. Chỉnh thang (Sec/Div): 0,1 ms/cm trong chế độ quét (100 µs); hoặc tương
ứng theo từng ứng dụng.
6. Cực tính xung khởi ph|t (Triggering Slope): + (Out) cho xung dương
7. Chế độ khởi ph|t (Triggering Mode): NORM thường được sử dụng trong
phòng thí nghiệm hoặc chế độ khác tùy theo ứng dụng.
8. Mức khởi ph|t (Triggering Level): Đặt ở giữa thang và chỉnh cho đến khi quan
s|t được xung vào.
9. Nguồn xung khởi phát (Triggering Source): Chọn INT khi quan sát các xung
của kênh 1 hoặc chế độ khác tùy theo ứng dụng.
10. Thang đo (Volts/Div) (kênh 2): Không thiết lập.
11. Dải đo (Volts/Div) (kênh 2): Không thiết lập.
12. Hệ số nh}n trên que đo (Probe Selection): Sử dụng ×1 nếu đo trực tiếp với
tín hiệu nhỏ hoặc ×10 với tín hiệu biên độ lớn.
13. Thang đo (Volts/Div) (Kênh 1): Đặt ở chế độ 1 V/cm.
14. Chọn tín hiệu lối vào (Input Coupling) (cả hai kênh): Chọn AC cho thực hành này.
15. Dải đo (Volts/Div) (Kênh 1): Vặn theo chiều kim đồng hồ là chiều giảm;
ngược lại là chỉnh tăng thang đo.
16. Chỉnh hội tụ (Focus): Đặt điểm giữa và chỉnh điểm sáng cho rõ nhất.
17. X|c định chùm (Beam Finder): X|c định t}m (đẩy v{o) để x|c định hướng
chỉnh cho cả trục tung và trục hoành.
4.1.1. Giới thiệu

Khối phát xung 480 có thể tạo ra các xung giống như xung hạt nhân từ các detector.
Thông thường, c|c xung n{y được đưa v{o tiền khuếch đại hoặc khuếch đại để làm các tín
hiệu kiểm tra. Máy phát xung này có hai lối ra đồng thời: một lối ra trực tiếp và một lối ra
suy giảm. Xung ở lối ra trực tiếp có biên độ bằng với giá trị được đặt bằng nút chỉnh trên
mặt m|y v{ thường dùng để khởi phát với thời gian tham chiếu bằng 0.
Xung ở lối ra suy giảm được chia từ tín hiệu trực tiếp, có biên độ bằng một phần
của xung lối ra trực tiếp và chỉ lấy một phần nhỏ cần thiết cho việc chuẩn năng lượng.
Biên độ xung ở lối ra suy giảm có thể thay đổi liên tục trong khoảng từ 0 đến 5 V. Phân
cực của xung ra được lựa chọn trên bảng điều khiển phía trước. Để tương thích với
chuẩn NIM, khối ph|t xung 480 cũng được chế tạo theo chuẩn n{y. Do đó việc sử dụng
cũng cần tuân thủ theo các nguyên tắc chung: tắt công tắc điện trước khi tháo lắp bất
kỳ khối chức năng n{o đối với khung NIM.
4.1.2. Các bước thực hiện

1. Lắp khối phát xung 480 vào khung NIM và bật công tắc nguồn.
2. Lắp đầu BNC chữ T vào lối vào kênh 1 của dao động ký, nối lối ra trực tiếp của
máy phát xung 480 với một đầu chữ T trên kênh 1 bằng cáp 93 Ω, đầu còn lại của chữ T
nối với chụp 100 Ω. Điều n{y đảm bảo việc phù hợp trở kh|ng để mô phỏng tín hiệu
giống như trở kháng lối ra của tiền khuếch đại.
3. Thiết lập chế độ chuẩn cho khối ph|t xung 480 v{ đặt biên độ xung cực đại (full
clockwise), cực tính xung dương. C|c tham số dao động ký được đặt theo bảng 1.1.
4. Chỉnh trigger (Triggering Level), nếu không quan s|t được tín hiệu, kiểm tra lại
các tham số của dao động ký trong bảng 1.1. Nếu các tham số phù hợp, xung trên màn
hình dao động ký có dạng như hình 1.4. Lưu ý rằng trong hình 1.4, biên độ xung cực đại
vào khoảng 5V.
Hình 1.4. Đặc trưng xung lối ra của máy phát xung
Bài tập
a. Vẽ hình ảnh xung quan s|t được trên giấy kẻ li cỡ mm. Chú ý hình ảnh xung, giá
trị điện áp là một hàm của thời gian. C|c thang thay đổi theo mục 13 trong bảng 1.1. Khi
thay đổi cần phải chỉnh lại trigger. Thang thời gian chỉnh theo mục 5 trong bảng 1.1.
b. Trong mục 13, đặt tham số 2 V/cm và mục 5 đặt tham số 2 μs/cm, vẽ hình ảnh
xung quan s|t được trên giấy kẻ li cỡ cm.
c. Chuyển cáp nối tín hiệu sang lấy tín hiệu ở lối ra suy giảm, chọn chế độ suy
giảm ×1. Nút chỉnh biên độ xung đặt ở chế độ cực đại theo chiều kim đồng hồ. Biên
độ xung quan s|t trên dao động ký vào khoảng 5 V. Nút vặn điều chỉnh biên độ xung
là nút kép 10 vòng.
Có 100 điểm phân chia trên mặt nút vặn và tổng cộng có 1.000 điểm tích hợp. Có
thể chỉnh biên độ xung đến một tỉ số nhất định, ví dụ 90% (900/1.000,…).
Bài tập
a. Ghi các giá trị biên độ cực đại của xung quan s|t được trên dao động ký theo các
vị trí của nút vặn thay đổi biên độ vào bảng 1.2.
b. Vẽ đồ thị trên giấy với thang tuyến tính sự phụ thuộc của biên độ xung vào giá
trị đặt trên nút chỉnh biên độ. Đồ thị có phải là một đường thẳng?
c. Vặn nút chỉnh biên độ về vị trí cực đại 1.000/1.000. Đặt chế độ suy giảm trên
khối ph|t xung 480 l{ ×2. Biên độ xung sẽ giảm 2 lần. Lặp lại với các hệ số suy giảm
khác và quan sát tín hiệu ra. Có thể phải thay đổi tham số của dao động ký theo mục 13
trong bảng 1.1 để quan sát tín hiệu khi biên độ xung bị suy giảm nhiều. Chọn lại chế độ
suy giảm ×1, dùng tuốc nơ vít tinh chỉnh vặn nhẹ nút Calibrate ngược chiều kim đồng
hồ v{ quan s|t xung ra trên dao động ký. Khi đó độ cao của xung sẽ giảm tuyến tính
theo biên độ lối ra của xung vào.
Độ cao xung theo nút chỉnh Biên độ xung trên dao động ký
1.000/1.000
800/1.000
600/1.000
400/1.000
200/1.000

Thiết lập các khối điện tử như trong hình 1.5 sau:
Hình 1.5. Hệ đếm với máy phát xung
1. Lắp các khối 480, 575A và 996 vào khung NIM và bật công tắc nguồn.
2. Nối cáp nguồn cho tiền khuếch đại 113 (lấy từ phía sau khối 575A).
3. Nối lối ra suy giảm của khối 480 đến lối vào Test của khối 113 (sử dụng c|p 93 Ω)
và không cần sử dụng phối hợp trở kháng 100 Ω để phối hợp trở kháng.
4. Sử dụng BNC chữ T nối vào lối ra tiền khuếch đại 113, một đầu của chữ T nối
v{o dao động ký.
5. Nối lối ra khối 575A với lối vào khối 551, sử dụng như khối phân biệt ngưỡng.
6. Nối lối ra dương của khối 551 đến lối vào bộ đếm 996.
 Thực hiện c|c điều khiển sau
1. Đặt điện dung lối vào của khối 113 là 100 pF.
2. Đặt chế độ lối vào xung âm cho khối 575A và lối ra xung đơn cực.
3. Đặt khối 551 ở chế độ tích ph}n (Integral), ngưỡng dưới (Low-Level) đặt ở
50/1.000. Xác lập này cho phép khối 551 hoạt động như một bộ phân biệt ngưỡng.
 C|c bước thực hiện
1. Sử dụng lối ra suy giảm của khối 480, vặn nút thay đổi biên độ theo chiều kim
đồng hồ đến giá trị 1.000/1.000, xung ra }m. C|c bước chỉnh khác sẽ thực hiện sau.
2. Chỉnh các nút suy giảm v{ Calibration để có xung ra từ tiền khuếch đại cỡ 0,1 V
(que đo của dao động ký đặt ở chế độ ×10), chọn tham số như trong mục 13 bảng 1.1.
3. Khởi ph|t dao động ký như trong thực hành 1.1.
4. Chuyển cáp nối tín hiệu v{o dao động ký đến lối ra của khối 575A, thay đổi hệ số
khuếch đại của khối 575A để có biên độ xung ra khoảng 8,5 V. Các tham số dao động ký
giống trong bảng 1.1 ngoại trừ mục 13 đặt là 2 V/cm, mục 5 l{ 0,1 ms/cm. Xung đúng
có dạng giống như hình 1.6.
5. Giữ nguyên các thiết lập, chuyển lối ra của khối 575A sang chế độ lưỡng cực.
Xung ra có dạng như hình 1.7 (chỉnh lại dao động ký nếu cần).
6. Trả lại chế độ ra xung đơn cực của khối 575A.
Hình 1.6. Xung ra đơn cực đúng

Hình 1.7. Xung ra lưỡng cực đúng
 X|c định tiêu chuẩn logic

1. Nối đầu đo dao động ký đến điểm kiểm tra (test point) lối ra dương của khối 551.
2. Khởi ph|t dao động ký với các thông số như đ~ sử dụng để xem biên độ xung ra
sau khối khuếch đại. Sẽ quan s|t được xung logic 5 V trên dao động ký.
3. Đặt thời gian khoảng 30 phút (hoặc hơn) cho khối đếm 996 để đếm các xung từ
khối 551.
4. Tăng ngưỡng của khối 551 đến khi bộ đếm ngưng đếm. Ghi lại giá trị ngưỡng
v{o dòng đầu tiên trong bảng 1.3.
5. Trên khối 480, giảm biên độ xung đến giá trị 800/1.000.
Bài tập
a. Giảm ngưỡng của khối 551 đến khi bộ đếm bắt đầu đếm. Ghi lại giá trị này vào
bảng 1.3 và tiếp tục với các giá trị ngưỡng khác.
b. Vẽ đồ thị các dữ liệu trong bảng 1.3 trên thang tuyến tính. Các giá trị này sẽ tạo
nên một đường thẳng.
Độ cao xung trên khối 480 Ngưỡng dưới của khối 551
1.000/1.000
800/1.000
600/1.000
400/1.000
200/1.000
1. Thay đổi chế độ trên khối 551 từ Intergral về Nomal để khối 551 hoạt động như
một khối ph}n tích đơn kênh. Nối LL Out (Low Level Output) ở phía sau của khối 551
với một chữ T và nối với lối vào của khối 996.
2. Sử dụng nút đặt ngưỡng dưới của khối 551 để chỉnh ngưỡng với các giá trị đặt biên
độ xung trên khối 480. Thực hiện giống như trong chế độ Integral của thực hành 4.2.
Bài tập
Độ cao xung trên khối 480 Ngưỡng dưới của khối 551
1.000/1.000
800/1.000
600/1.000
400/1.000
200/1.000
a. Điền các giá trị vào bảng 1.4.

b. Vẽ đồ thị giá trị ngưỡng theo biên độ xung. Các giá trị sẽ cho thấy ngưỡng dưới
trong chế độ SCA hoạt động giống như trong chế độ Integral.
1. Chuyển kết nối từ LL Out của khối 511 sang lối ra SCA ở phía trước hoặc sau của
khối 511.
2. Chọn chế độ Nomal v{ đặt ngưỡng trên ở 1.000/1.000. Khối 511 sẽ hoạt động
giống như khi sử dụng lối ra LL Out nhưng tín hiệu chậm hơn.
3. Đặt SCA hoạt động trong chế độ vi ph}n (Differential). Đặt ngưỡng dưới ở
100/1.000 và cửa sổ (Upper-Level) ở 100/1.000.
4. Giảm biên độ xung trên khối 480 cho đến khi khối đếm bắt đầu đếm. Ghi lại giá
trị vào bảng 1.5 theo ngưỡng trên ΔE.
Window hoặc
Lower Level E Upper E Lower
Upper Level
100/1.000 100/1.000
100/1.000 300/1.000
100/1.000 600/1.000
100/1.000 800/1.000
Bài tập
a. Tiếp tục giảm biên độ xung trên khối 480 cho đến khi bộ đếm ngưng. Ghi lại giá
trị n{y như ngưỡng dưới ΔE v{o bảng 1.5.
b. Vẽ đồ thị sự thay đổi của cửa sổ theo ΔE Upper - ΔE Lower trên thang tuyến tính.
c. Lặp lại c|c phép đo n{y với ngưỡng dưới đặt ở 200/1.000 như trong bảng 1.6.
Window hoặc
Lower Level E Upper E Lower
Upper Level
200/1.000 100/1.000
200/1.000 300/1.000
200/1.000 600/1.000
200/1.000 800/1.000
d. Đặt chuyển mạch chế độ trên khối 551 về Nomal. Thay đổi độc lập ngưỡng dưới và
ngưỡng trên của khối 551 từ 1 đến 10 V. Ở chế độ Nomal, nếu ngưỡng dưới đặt cao hơn
ngưỡng trên, lối ra SCA của khối 551 sẽ không có tín hiệu. Ghi các giá trị theo bảng 1.7.
Bài tập
Lặp lại c|c phép đo theo bảng 1.7 với ngưỡng dưới đặt ở 200/1.000 như trong
bảng 1.6.
Lower Level Window hoặc E Upper E Lower

Upper Level
200/1.000 100/1.000
200/1.000 300/1.000
200/1.000 600/1.000
200/1.000 800/1.000
20
ỐNG ĐẾM GEIGER – MULLER
Mục đích thí nghiệm l{ để người học làm quen với ống đếm Geiger-Muller. Ống
đếm này là thiết bị khá nhạy, được sử dụng rộng rãi, hoạt động theo nguyên tắc khuếch
đại khí, có cấu trúc đơn giản, chi phí tương đối rẻ cả trong chế tạo lẫn hoạt động. Các
thí nghiệm trong b{i n{y được thiết kế nhằm x|c định miền làm việc của ống đếm
Geiger, chu kỳ bán rã, hiệu chỉnh thời gian phân giải và khảo sát một số đặc trưng cơ
bản của hạt nhân.
- Khối cao thế 556;

- Khung NIM 4001A/4002D;
- Ống đếm Geiger Muller 903;
- Khối định thời gian v{ đếm 996;
+ 01 c|p đồng trục C-36-12 12-ft. (3,7 m) 75-ΩRG-59A/U với đầu SHV cái;
+ 02 c|p đồng trục C-24-4 4-ft. (1,2 m) 93-ΩRG-62A/U với đầu cắm BNC;
+ BNC chữ T C-29 BNC;
- Ống đếm Geiger-Mueller GP35 cửa sổ mỏng với gi| để mẫu sáu vị trí khoảng cách;
- Bộ đảo xung (đảo xung âm ở lối ra ống đếm G10-M th{nh xung dương cho lối vào
của 996);
- Nguồn 60Co hoạt độ ~1 µCi;
- Bộ chia nguồn bêta (BF-090SPLIT): 204Tl gồm hai nửa hình trụ, mỗi nửa có hoạt
độ ~5 µCi (có thể thay thế bằng 90Sr/90Y, mỗi nửa có hoạt độ ~0,1 µCi); dùng cho đo
thời gian chết;
- Dao động ký 2 kênh số, 300 MHz, TDS3032C;
Bài thực hành số 2: Ống đếm Geiger - Muller 21
- Hai bộ vật liệu hấp thụ RAS20, mỗi bộ chứa ít nhất 4 tấm chì hấp thụ có mật độ
từ 1100 đến 7400 mg/cm2.
Thiết bị từ các nhà cung cấp khác
- Tuốc nơ vít tinh chỉnh.
Mô tả
Về nguyên tắc, ống đếm Geiger gồm hai điện cực và một chất khí áp suất thấp giữa
hai điện cực. Điện cực bên ngo{i thường có dạng hình trụ, điện cực bên trong (cực
dương) l{ một dây mảnh nằm ở tâm hình trụ. Điện thế giữa hai điện cực được duy trì ở
giá trị sao cho bất kỳ hạt ion hóa n{o đi v{o bên trong ống đếm sẽ gây ra hiện tượng
th|c lũ. Ống đếm Geiger trong thực h{nh n{y được gọi là ống đếm cửa sổ (end–window
tube) vì nó có cửa sổ ở một đầu để bức xạ ion hóa đi v{o.
Ống đếm Geiger không phân biệt được năng lượng hoặc các loại hạt khác nhau; nó
chỉ nhận biết số hạt hoặc tia (bêta v{ gamma đối với thí nghiệm n{y) đi v{o bên trong
ống đếm trong quá trình làm việc. Biên độ xung tạo ra từ qu| trình th|c lũ thường lớn
hơn 1 V. Xung n{y đủ lớn để khối đếm 996 đếm trực tiếp mà không cần phải khuếch đại.
Do khối đếm 996 nhận xung dương nên việc đảo cực tính xung là cần thiết (hình 2.1).
Hình 2.1. Sơ đồ điện tử hệ đếm Geiger Muller
4.1.1. Mục đích

Mục đích của thí nghiệm l{ x|c định đường phụ thuộc số đếm v{o cao |p đặt lên
ống đếm (đường plateau) và chọn điểm làm việc cho ống đếm. Hình 2.2 biểu diễn
đường plateau của một ống Geiger điển hình có điểm làm việc ở vùng lân cận 950 V.
Hình 2.2. Xác định plateau của một ống đếm Geiger
Vùng giữa R1 và R2 tương ứng với điện áp làm việc V1 và V2, được gọi là miền
Geiger. Vùng điện áp lớn hơn V2 trong hình 2.2 gây nên sự phóng điện liên tục và làm
giảm tuổi thọ của ống đếm.
1. Lắp ráp các thiết bị điện tử như trong hình 2.1;
2. Đặt các nút vặn trên trên khối 556 về giá trị cực tiểu. Kiểm tra chắc chắn rằng
cực tính cao thế ra l{ dương (POSitive POLARITY) v{ nút điều khiển đặt ở INTernal.
3. Nối cáp với đầu nối MHV từ ống đếm Geiger đến lối v{o có nh~n “GM Tube” trên
khối đảo xung. Sử dụng c|p đồng trục với đầu nối SHV, nối lối ra cao áp (OUTPUT) ở
mặt sau của khối 556 đến lối v{o có nh~n “HIGH VOLTAGE” trên bộ đảo xung từ ống
đếm GM.
4. Sử dụng c|p đồng trục RG-62A/U với đầu cắm BNC, nối lối ra (OUTPUT) trên khối
đảo cực tính xung đến BNC chữ T trên lối vào kênh 1 của dao động ký. Nối đầu còn lại của
chữ T đến lối vào dương (POSitive Input) trên khối đếm 996, sử dụng cáp RG-62A/U.
5. Đặt chế độ 2 V/ô và 10 s/ô cho kênh 1 của dao động ký. Đặt trigger ở chế độ tự
động và chọn nguồn là kênh 1. Vị trí khởi phát ở gần cuối của m{n hình v{ đặt ở chế độ DC
(input coupling to DC). Thiết lập này cho phép quan sát xung logic +4 V từ khối đảo xung.
6. Bật nguồn khung NIM và bật nguồn khối cao áp 556.
7. Trên khối 996, sử dụng Tuốc nơ vít tinh chỉnh, chỉnh ngưỡng (THRESHold
ADJustment) cực tiểu theo ngược chiều kim đồng hồ. Vặn theo chiều kim đồng hồ 4 vòng.
Vị trí này sẽ đặt ngưỡng ở giá trị dương +1,6 V (chiết áp cho phép vặn 25 vòng để chỉnh
ngưỡng từ +100 mV đến +9,5 V.)
8. Trên khối 996, đặt thời gian ở 0,01 phút (TIME BASE to 0,01 MINutes). Chọn
thời gian đặt trước (PRESET) M = 3, N = 0 và P = 2. Giá trị n{y cho phép đo trong thời
gian 30 giây.
9. Đặt khối đếm 996 hiển thị ở chế độ số đếm (COUNTS).
10. Đặt nguồn bêta trong bộ nguồn cách cửa sổ của ống đếm ~2 cm. Nguồn phóng xạ
có thể là 90Sr/90Y hoặc 204Tl. Nếu nguồn được chế tạo bằng cách cho hấp thụ trên một mặt
của đĩa nhựa, cần đảm bảo rằng mặt ph|t tia được hướng về cửa sổ của ống đếm.
11. Tăng cao thế (dương) trên khối 556 với bước không lớn hơn 50 V đến khi bắt
đầu ghi nhận được số đếm và xung logic +4 V xuất hiện trên dao động ký. Điểm này
được gọi l{ điểm bắt đầu trong hình 2.2. Điện áp bắt đầu hiếm khi lớn hơn 900 V v{
thấp nhất có thể khoảng 250 V. Nếu số đếm bắt đầu tăng trên bộ đếm 996 nhưng
không hiển thị trên dao động ký thì cần chỉnh lại trigger. Nếu xung xuất hiện trên dao
động ký nhưng bộ đếm không đếm, cần kiểm tra lại các tham số của khối 996. Nên
dùng dao động ký để chỉnh lại khối 996 cho phù hợp, có thể chuyển chế độ Auto về chế
độ Nomal để chỉnh.
12. Reset lại khối đếm 996. Đặt khoảng thời gian giữa các lần đo l{ 1 phút v{ thời
gian mỗi lần đo l{ 1 phút. Ghi lại số đếm.
13. Tăng cao thế 50 V và lặp lại phép đếm trong 1 phút. Ghi lại số đếm.
Bài tập
a. Tiếp tục thực hiện phép đo ở c|c bước tăng 50 V cho đến khi có đủ số liệu để vẽ
đồ thị trên giấy như hình 2.2 (lưu ý: chỉ sử dụng các giá trị dưới V2). Miền giữa V1 và V2
thường < 300 V. Số đếm sẽ tăng nhanh với các giá trị cao áp lớn hơn V2. Khi xảy ra điều
này, giá trị cao |p đ~ đạt đến ngưỡng trên của plateau, cần giảm điện áp về đến V2 ngay
lập tức. Chọn điểm làm việc cho thiết bị trong khoảng từ 40 ÷ 60% của vùng plateau.
b. Đ|nh gi| ống đếm Geiger đang sử dụng bằng c|ch đo độ dốc của plateau trên đồ
thị, nó phải < 10% trên 100 V. Độ dốc của đường plateau được định nghĩa như sau:
 ( R2  R1 )   100 
Độ dốc (% trên 100 V) =     100% (1)
 R1  V2  V1 
c. Ghi lại giá trị cao thế đ~ chọn để dùng cho các thí nghiệm kh|c đối với ống đếm này.
4.2.1. Mục đích

Các thí nghiệm sau sẽ được thực hiện với các khối điện tử có khả năng phân giải
nhanh các sự kiện ở mức vài phần mười nanô giây. Tuy nhiên ống đếm GM có đ|p ứng
khá chậm, nó cần thời gian cỡ micro gi}y để đ|p ứng với các tia gamma hoặc hạt mang
điện và cần v{i trăm micro gi}y để hồi phục mới có thể x|c định sự kiện tiếp theo.
Thời gian chết đối với ống đếm GM được định nghĩa l{ khoảng thời gian ngắn nhất từ
khi bắt đầu phát hiện sự kiện cho đến khi có thể nhận biết được sự kiện tiếp theo. Tuy
nhiên khi xử lý một tín hiệu xung từ detector, cần phải có các khối điện tử. Khái niệm
thời gian phân giải được định nghĩa tương tự như thời gian chết nhưng bổ sung thêm
là thời gian bắt đầu từ lúc tín hiệu vượt ngưỡng v{ được đếm. Về mặt thực nghiệm, sự
khác nhau giữa thời gian chết (dead time) và thời gian phân giải (resolving time)
thường bị lẫn lộn và thời gian phân giải thường được xem là thời gian chết. Điều này
mang lại sự thuận tiện trong thực nghiệm vì trong c|c phép đo tốc độ đếm luôn được
thực hiện với sự hỗ trợ của các khối điện tử v{ nó có đóng góp v{o thời gian chết.
Thời gian chết của ống đếm GM bị thay đổi mạnh khi đếm với tốc độ lớn hơn
5.000 số đếm/phút. Do đó cần phải hiệu chỉnh thời gian chết để thu được tốc độ đếm
thật. Thực hành này sẽ đo thời gian chết với một nguồn bức xạ. Giá trị thời gian chết đo
được sẽ được sử dụng để hiệu chỉnh tốc độ đếm trong tất cả c|c phép đo về sau.
4.2.2. Các công thức liên quan
Thời gian chết của một hệ thống đo bức xạ được quy về một trong hai kiểu thời
gian chết sau: 1) Thời gian chết hệ thống có thể tự động bù được, trong khi đo
(parazable dead time), hoặc 2) Thời gian chết hệ thống không thể tự động bù được
trong khi đo (nonparazable dead time). Giải thích đầy đủ 2 tính chất nói trên được
trình bày trong tài liệu tham khảo số 1 và 11. Một cách chính xác, thời gian chết của
ống đếm GM có thể xem như nonparazable. Tốc độ đếm đo được R liên quan với tốc độ
đếm thật r ở lối vào của ống đếm theo phương trình (2):
r (2)
R
1  rTd
Trong đó Td là thời gian chết gây bởi một tia bức xạ khi tốc độ đếm thấp và ống
đếm hoàn toàn có khả năng nhận một tia bức xạ mới.
Chú ý rằng thời gian chết làm giảm tốc độ đếm ghi được so với tốc độ đếm thật và
hạn chế khả năng l{m việc của ống đếm ở tốc độ đếm cao.
Về mặt thực nghiệm, người làm thực nghiệm chỉ thu được tốc độ đếm R sau khi đ~
mất một lượng xung n{o đó do thời gian chết. Điều này rất quan trọng để tính toán tốc
độ đếm thật và thời gian chết của xung Td. Nếu phương trình (2) được viết lại dưới
dạng phương trình (3), có thể tính được tốc độ đếm thật nếu đo được tốc độ đếm và
biết được thời gian chết của một xung:
R
r (3)
1  RTd
Để thuận tiện trong biểu diễn thông tin, phương trình (2) v{ (3) thường được biểu
diễn việc mất xung do thời gian chết dưới dạng phần trăm:
r-R rTd
Dead time   100%  RTd  100%   100% (4)
1-RTd 1  rTd
Một c|ch để đo thời gian chết của một xung Td là quan sát tín hiệu lối ra bộ đảo
cực tính xung trên dao động ký v{ x|c định khoảng cách cực tiểu của mặt tăng giữa hai
xung. Do c|c xung đến là ngẫu nhiên theo thời gian, phương ph|p n{y đòi hỏi tốc độ
đếm phải cao để dễ tìm khoảng cách cực tiểu giữa các xung. Có một nguy cơ rủi ro là
thời gian chết ở tốc độ đếm cao thay đổi so với ở tốc độ vừa phải. Do đó thời gian chết
thường được x|c định ở tốc độ đếm thông thường với nguồn phóng xạ.
Phương ph|p chia nguồn có ưu điểm trong x|c định thời gian chết của xung ở tốc độ
đếm vừa phải. Theo cách này, nguồn được đựng trong một đĩa ghép gồm hai phần. Các
phần có hoạt độ gần giống nhau. Cả hai phần khi đặt ở dạng đĩa với mặt của ống đếm,
khoảng cách giữa nguồn và ống đếm có thể điều chỉnh được tương ứng với khoảng thời
gian chết từ 10% đến 20%. Với thời gian chết 100 s, giá trị n{y tương ứng với tốc độ đếm
trong khoảng 1.000 đến 2.000 số đếm/giây hoặc 60.000 đến 120.000 số đếm/phút.
Tiếp theo, lấy ra phần thứ nhất của nguồn v{ x|c định tốc độ đếm R2 với phần thứ
hai. Đặt phần thứ nhất vào một cách cẩn thận để không ảnh hưởng đến phần thứ hai.
X|c định tốc độ đếm R12 với cả hai phần. Cuối cùng, lấy phần thứ hai ra một cách cẩn
thận để không ảnh hưởng đến phần thứ nhất. X|c định tốc độ đếm R1 với phần thứ
nhất. Từ các tốc độ đếm R1, R2 và R12 x|c định được, thay v{o phương trình (3) tương
ứng với r1, r2 và r12. Vì thời gian chết của R12 < (R1 + R2) và các tốc độ đếm thực:
r12  r1  r2 (5)
Kết hợp phương trình (5) v{ phương trình (3) để xác lập các biểu thức cho r1, r2,
r12, x|c định Td từ các tốc độ đếm đo được. Theo tài liệu tham khảo số 1, lời giải chính
x|c trong trường hợp phông bằng không là:
R1R2  R1R2  R12  R1  R12  R2 

1/ 2
Td  (6)
R1R2R12
Lời giải gần đúng trong một số trường hợp có dạng:

R1  R2  R12
Td  (7)
2R1R2

1. Đặt cả hai phần của nguồn với đĩa ph}n chia lên gi| để mẫu. Đặt thời gian đo
1 phút cho khối đếm 996.
2. Đo trong khoảng thời gian 1 phút.
3. Nếu số đếm trong bước 2 không nằm giữa 60.000 và 120.000, chỉnh khoảng
cách giữa nguồn và ống đếm để tốc độ đếm nằm trong dải trên.
4. Lấy phần nguồn bên trái của bộ chia nguồn v{ đo trong thời gian 1 phút với
phần bên phải. Gọi số đếm này là R1.
5. Đặt phần nguồn bên trái cạnh phần bên phải, làm cẩn thận để không ảnh hưởng
đến phần bên phải, đo trong thời gian 1 phút. Gọi số đếm thu được là R12 .
6. Lấy ra phần nguồn bên phải, làm cẩn thận để không ảnh hưởng đến phần nguồn
bên tr|i, đo trong thời gian 1 phút. Gọi số đếm thu được là R2 . Tính thời gian phân giải
của ống đếm theo phương trình (6). Kết quả nên ở (tốc độ đếm)/phút vì số đếm
thường được ghi dưới dạng không thứ nguyên, thời gian chết được viết đơn giản dưới
dạng phút hoặc giây.
Thời gian chết thu được trong bước 6 sẽ được sử dụng để hiệu chỉnh các tốc độ
đếm thu được theo phương trình (3) khi thời gian chết vượt quá 1%.
Bài tập
a. Tính Td theo phương trình (7) v{ so s|nh với kết quả thu được từ phương trình
(6). Sai số tương đối trong kết quả từ phương trình (7) so với lời giải chính xác theo
phương trình (6) như thế nào?
b. Dựa trên phương trình (4), tốc độ đếm bằng bao nhiêu nếu thời gian chết tương
ứng 1%? Hiệu chỉnh tốc độ đếm bị mất do thời gian chết với c|c phép đo ở trên.
c. Chú ý đến góc mở của nguồn, phân tích các sai số quan trọng liên quan đến
nguồn trong x|c định Td?
d. Sử dụng dao động ký, x|c định thời gian từ lúc xung bắt đầu đến khi kết thúc. Có
thể phải sử dụng cả hai phần của nguồn để gần cửa sổ của ống đếm. Kết quả khác nhau
thế nào (phần trăm) so với giá trị Td x|c định theo phương trình (6)?
e. Một số giá phân chia nguồn có thể tạo ra các khoảng trống và các tia tán xạ có
thể đi v{o ống đếm làm ảnh hưởng đến thời gian chết. X|c định xem có sự ảnh hưởng
này hay không?
f. Câu hỏi khuyến khích: Lấy ra cả hai phần nguồn và tiến h{nh đo phông trong
một phút. Dựa v{o c|c phương trình trong t{i liệu tham khảo số 1, hiệu chỉnh phông để
có các giá trị tính toán khác cho Td?
4.3.1. Mục đích

Mục đích của thực h{nh l{ x|c định đường cong phân rã và chu kỳ bán rã của một
đồng vị chưa biết. Người hướng dẫn sẽ cung cấp một nguồn phóng xạ có chu kỳ phân
rã ngắn để thực h{nh. Người làm thực hành sẽ được hướng dẫn về các chu kỳ đo v{
thời gian đo. Ví dụ, người hướng dẫn có thể đo 10 phút mỗi giờ và thực hiện trong 6
giờ hoặc đo 2 phút trong chu kỳ 15 phút và thực hiện trong 3 giờ.
4.3.2. Các phương trình liên quan
C|c đồng vị phóng xạ phân rã ngẫu nhiên theo thời gian. Không thể dự đo|n khi
nào một hạt nhân sẽ phân rã. Tuy nhiên, với một số rất lớn N các hạt nhân của một
đồng vị phóng xạ, có thể x|c định xác suất phân rã của chúng theo thời gian. Xác xuất
phân rã trên một đơn vị thời gian dN/dt tỉ lệ với số các hạt nhân phóng xạ:
dN
 N (8)
dt
Trong đó  là hằng số ph}n r~ v{ đặc trưng cho mỗi đồng vị phóng xạ. Số phân rã
trên giây dN/dt có thể xem như hoạt độ A.
Giải phương trình vi ph}n (8), thu được hoạt độ thay đổi theo h{m e mũ theo thời gian:
A  A0e t (9)
Trong đó A0 là hoạt độ ở thời điểm t=0. Hoạt độ có thể x|c định theo đơn vị số
ph}n r~ trên gi}y (dps), Becơren (Bq) hoặc Curi (Ci). Một Bq được định nghĩa l{ một
ph}n r~ trên gi}y v{ 1 Ci tương đương với 3,7 × 1010 phân rã/giây. Chu kỳ bán rã T1/2
là khoảng thời gian để hoạt độ của nguồn giảm đi một nửa, mối liên hệ giữa hằng số
phân rã và chu kỳ b|n r~ như sau:
0 ,693
 (10)
T1 / 2
Ống đếm GM sử dụng trong thực hành chỉ ghi được một phần các bức xạ phát ra
từ nguồn do góc nhìn nhỏ và hiệu suất ghi của ống đếm thấp. Mặc dù vậy, tốc độ đếm
thực r là tỉ lệ với hoạt độ:
r  r0 exp( 0,693 t / T1 / 2 ) (11)
Trong đó r0 là tốc độ đếm ở thời điểm t = 0.

Lấy logarit hai vế phương trình (11) để chuyển về dạng tuyến tính ở phương trình (12):
0 ,693
lnr  lnr0  t (12)
T1 / 2
Vẽ đồ thị tốc độ đếm thực theo thời gian trên thang bán lôgarít sẽ có dạng một
đường thẳng. Hằng số phân rã và thời gian sống có thể suy ra từ độ dốc của đồ thị.
1. Thiết lập cao thế làm việc cho ống đếm Geiger theo giá trị x|c định được trong
thực hành 4.1.
2. Đặt nguồn cần x|c định chu kỳ bán rã cách cửa sổ ống đếm GM 2 cm v{ đo như
phần 4.1.
3. Ghi lại ng{y đo, thời gian đo v{ số đếm.
4. Sau một khoảng thời gian khuyến cáo bởi người hướng dẫn, lặp lại phép đo với
khoảng cách giữa nguồn và cửa sổ ống đếm giống như trước.
5. Thực hiện c|c phép đo với các thời điểm khác nhau theo yêu cầu của người
hướng dẫn. Nếu không x|c định được chu kỳ bán rã thì có thể thực hiện các phần khác
của thực hành.
Bài tập
a) Sau khi ho{n th{nh phép đo chu kỳ bán rã, hiệu chỉnh tốc độ đếm bị mất do thời
gian chết (xem thực hành 4.3), vẽ tốc độ đếm đ~ hiệu chỉnh theo thời gian trên thang
bán lôgarít. Đồ thị có dạng một đường thẳng.
b) X|c định chu kỳ bán rã từ đường cong và tìm hằng số phân rã  của đồng vị.
4.4.1. Mục đích

Khi truyền qua vật chất, cường độ chùm bức xạ gamma bị suy giảm đi do ba hiệu
ứng: tán xạ Compton, hiệu ứng quang điện và hiệu ứng tạo cặp. Cường độ bức xạ giảm
theo bề dày của chất hấp thụ. Mục đích của thí nghiệm l{ x|c định sự suy giảm cường
độ theo bề dày chất hấp thụ và suy ra chiều dày hấp thụ một nửa và hệ số hấp thụ.
I = I0e-µx (13)
Trong đó:
I0 là cường độ ban đầu của chùm tia,
I là cường độ bức xạ sau khi truyền lớp hấp thụ có bề dày x,
µ là hệ số hấp thụ tuyến tính trung bình của chất hấp thụ.
Viết lại và lấy logarit hai vế phương trình (13) ta được:
ln(I/I0) = -µx (14)
Bề dày hấp thụ một nửa x1/2 (HVL) l{ độ dày vật chất m{ chùm tia đi qua bị suy
giảm cường độ một nửa. Khi đó I/I0 = 0,5, thay giá trị n{y v{o phương trình (14):
ln(0,5) = -µx1/2 (15)
x1/2 = 0,693/µ hoặc µ = 0,693/x1/2 (16)
Thực nghiệm thường x|c định x1/2 v{ tính to|n µ theo phương trình (16). Nếu
chiều dày của lớp hấp thụ tính theo cm thì đơn vị µ là cm-1 v{ được xem là hệ số suy
giảm tuyến tính. Thông thường, độ dày của lớp hấp thụ thường được viết dưới dạng
g/cm2. Khi đó, hệ số suy giảm tuyến tính có đơn vị cm2/g v{ được gọi là hệ số suy
giảm khối.
1. Thiết lập cao thế làm việc cho ống đếm GM (giá trị trong thực hành 4.1).
2. Đặt nguồn 60Co cách cửa sổ ống đếm 3 cm, đo trong 2 phút v{ ghi lại số đếm
đo được.
3. Lưu ý độ dày khác nhau của các tấm chì trong bộ chất hấp thụ. Chúng có thể
có cùng độ dày, hoặc có c|c độ dày 1.000 mg/cm 2, 2.000 mg/cm2, 3.000 mg/cm2 và
7.000 mg/cm2. Thực h{nh n{y đòi hỏi tổng bề d{y dao động từ 1.000 mg/cm2 đến
khoảng 23.000 mg/cm2 với bước thay đổi từ 1.000 đến 2.000 mg/cm2. Các lá chì khác
nhau được kết hợp lại một cách hợp lý để tăng bề dày theo thiết kế mong muốn.
4. Đặt tấm chì mỏng nhất vào giữa nguồn và cửa sổ ống GM, đo trong 2 phút v{ ghi
lại giá trị.
5. Thêm hai tấm chì lên tấm đầu tiên để tăng tổng độ dày nằm giữa khoảng 1.000
và 2.000 mg/cm2 và tiến h{nh đo lại.
6. Tiếp tục thêm các tấm chì để tăng độ dày, mỗi tấm từ 1.000 đến 2.000 mg/cm2
cho đến khi số đếm còn 25% số đếm khi không có lớp hấp thụ. Sau mỗi lần tăng bề dày
lớp hấp thụ, đo trong hai phút v{ ghi lại các số đếm.
7. Nếu thời gian chết trong c|c phép đo > 1%, cần tiến hành hiệu chỉnh số đếm
đo được.
8. Thực hiện đo phông trong 2 phút khi không có nguồn 60Co, trừ đi gi| trị này cho
tất cả các giá trị đo sau khi đ~ hiệu chỉnh thời gian chết. So sánh số đếm phông thu
được với số đếm khi lớp hấp thụ dày tối đa v{ khi không có lớp hấp thụ nào. Kiểm tra
số đếm phông khi có lớp hấp thụ dày tối đa v{ khi không có lớp hấp thụ. Kết quả phải
như nhau, hoặc gần nhau để giá trị trung bình của hai phông thu được có thể sử dụng
để hiệu chỉnh phông cho tất cả c|c phép đo có nguồn.
Bài tập
a. Hiệu chỉnh thời gian chết cho tất cả các số đếm đo được trong thí nghiệm 4.2
nếu sự hiệu chỉnh l{m thay đổi kết quả lớn hơn 1%. Sự hiệu chỉnh này phải được thực
hiện trước khi trừ phông.
b. Ghi lại tổng chiều dày theo mật độ của chì (g/cm2) và vẽ đồ thị trên thang
logarit, biểu diễn sự phụ thuộc của số đếm theo chiều dày lớp hấp thụ g/cm2. Độ dày
theo mật độ được định nghĩa l{ tích của mật độ g/cm3 với bề dày cm của vật liệu
hấp thụ.
c. Vẽ đường thẳng đi qua c|c điểm thực nghiệm, x|c định x1/2 và µ từ độ dốc của
đường thẳng.
d. So sánh giá trị này với giá trị trong tài liệu tham khảo 8 và 9? Xem thêm thực
hành số 3 khi đo với detector NaI.
4.5.1. Mục đích và các phương trình liên quan

Có nhiều điểm tương đồng giữa c|c tia s|ng bình thường và các tia gamma. Chúng
đều là bức xạ điện từ và vì vậy chúng tu}n theo phương trình kinh điển:
E  hv (17)
Trong đó:
E là năng lượng photon (erg);
v là tần số của bức xạ (chu kỳ/s);
h là hằng số Planck (6,627.10-27 erg.s).
Để thuận tiện trong giải thích quy luật suy giảm theo bình phương khoảng cách, ta
sử dụng sự tương đồng giữa nguồn ánh sáng và nguồn tia gamma.
Giả sử có một nguồn sáng phát ra photon với tốc độ n0 photon/giây và đẳng
hướng. Nếu đặt nguồn ánh sáng ở giữa quả cầu bằng nhựa, khi đó ta dễ d{ng tính được
số photon phát ra trong một giây trên mỗi cm2 của quả cầu. Cường độ phát photon
được tính theo phương trình sau:
n0
I0  (18)
4rs2
Trong đó:
n0 là tổng số photon phát ra trong một giây từ nguồn,
rs là khoảng cách từ tâm nguồn |nh s|ng đến bề mặt quả cầu,
4rs2 là diện tích bề mặt của quả cầu theo đơn vị cm2.
Do n0 và 4  là hằng số nên I0 sẽ thay đổi theo 1 rs2 . Đ}y l{ quy luật suy giảm
nghịch đảo bình phương khoảng cách.
Đối với đồng vị phóng xạ có chu kỳ bán rã rất dài so với thời gian thực hiện các
phép đo trong thực nghiệm, thì n0 có thể xem là hoạt độ A0 của nguồn phóng xạ. Do đó
phương trình (18) có thể viết như sau:
N a
r0   A0 d 2 int (19)
T 4rs
Trong đó:
r0 là tốc độ đếm thực thu được từ ống đếm GM,
N là số đếm đo được trong thời gian T (đã hiệu chỉnh thời gian chết và phông),
A0 là hoạt độ nguồn phóng xạ,
int là hiệu suất nội của ống đếm GM khi đo c|c tia gamma,
ad là diện tích vùng hoạt của cửa sổ detector,

rs là khoảng cách từ nguồn điểm đến cửa sổ của detector.
Từ phương trình (19), diện tích vùng hoạt cửa sổ detector tương ứng một phần
nhỏ ( ad / 4rs2 ) của diện tích quả cầu bán kính rs. Do đó, diện tích này chỉ nhận một
phần các bức xạ ph|t ra đẳng hướng từ nguồn. Tuy nhiên do giới hạn của hiệu suất ghi
int nên chỉ có một phần c|c photon t|c động đến vùng nhạy của detector được biến đổi
thành các ion-electron trong ống đếm GM. Có thể tìm hiểu thêm vấn đề này trong phần
x|c định hiệu suất ghi trong tài liệu tham khảo số 1.
Mục đích của thí nghiệm này là kiểm chứng sự phụ thuộc 1 rs2 theo phương
trình (19).
1. Thiết lập điện áp làm việc cho ống đếm GM v{ đặt nguồn 60Co hoạt độ 1 µCi cách
cửa sổ ống đếm 1 cm.
2. Đo trong một khoảng thời gian đủ d{i để thu được số liệu có thống kê hợp lý
(  4.000 số đếm).
3. Đặt nguồn ở khoảng cách 2 cm và lặp lại phép đo trong cùng một khoảng thời
gian. Tiếp tục lặp lại với các khoảng cách trong bảng 2.1 (lưu ý rằng khoảng cách xa
hơn thì thời gian đo sẽ phải tăng lên để số đếm thu được có đủ thống kê cần thiết).
N/T N/T đ~ hiệu chỉnh

Khoảng cách
(số đếm/phút) (số đếm/ phút)
1 cm
2 cm
3 cm
4 cm
5 cm
6 cm
7 cm
8 cm
Bài tập
a. Hiệu chỉnh thời gian chết cho các số đếm N thu được kể cả phông nếu cần và
điền vào bảng 2.1.
b. Vẽ đồ thị tốc độ đếm đ~ hiệu chỉnh (trục y) theo khoảng cách (trục x) trên thang
tuyến tính. Đồ thị này phải tuân theo quy luật 1 rs2 trong c|c phương trình (18) v{ (19).
c. Có thể vẽ đồ thị dữ liệu theo cách khác không? Ví dụ h{m mũ theo rs trong
phương trình (19), có thể sử dụng cơ số 2 được không? Xem thêm thực hành III.4 cho ý
tưởng này. Tại sao giá trị đo được lại rất gần với cơ số 2.
Có thể viết phương trình (19) dưới dạng:
A0ad int
r0rs 2  K.
4
Do đó, tích của tốc độ đếm thực v{ bình phương khoảng cách từ nguồn đến
detector phải là hằng số đối với tất cả các vị trí trên mặt cầu.
d. Nhân tốc độ đếm đ~ được hiệu chỉnh trong bảng 2.1 với khoảng cách từ nguồn
tới cửa sổ detector tương tứng để tính K cho từng vị trí. Vẽ đồ thị giá trị biểu diễn K
(trục y) theo rs (trục x) trên đồ thị tuyến tính. Chọn tỉ lệ trục y sao cho có thể quan sát
được sự phân tán của các giá trị K.
e. Nếu các phương trình từ (18) đến (20) l{ đúng thì gi| trị K phải là hằng số. Có
sự thay đổi hệ thống trong giá trị K theo khoảng cách từ nguồn tới detector không? Tại
sao? (Xem phần x|c định hiệu suất trong tài liệu tham khảo 1 để giải thích).
f. Có thăng gi|ng ngẫu nhiên của K trên đồ thị không? Nguyên nhân gây ra sự
thăng gi|ng ngẫu nhiên này là gì?
4.6.1. Mục đích

Như đ~ biết, c|c phép đo phóng xạ đối với một mẫu l{ độc lập với c|c phép đo
trước đó vì qu| trình ph}n r~ phóng xạ là một quá trình ngẫu nhiên. Khi lặp lại các
phép đo, hoạt độ sẽ thay đổi một cách ngẫu nhiên. Khi lặp lại một số lớn c|c phép đo
riêng biệt thì sự chênh lệch số đếm của từng lần đo v{ số đếm trung bình của các lần đo
l{ tương đối nhỏ. Trong thí nghiệm này, ta sẽ khảo sát tần suất xuất hiện độ lệch cụ thể
của các giá trị trung bình với mức tin cậy nhất định. Thực hiện năm mươi phép đo độc
lập, sử dụng một số phương ph|p thống kê đơn giản để xử lý số liệu. Thí nghiệm sử
dụng nguồn 60Co có chu kỳ bán rã rất dài so với thời gian đo. Thời gian b|n r~ 5,26 năm
đảm bảo hoạt độ có thể được coi là hằng số trong suốt thời gian thực hành.
4.6.2.Các công thức liên quan
Số đếm trung bình đối với c|c phép đo độc lập được x|c định theo công thức:
N1  N2  N3  ...Nn n
N
Nav   i (21)
n i 1 n
Trong đó:
N1, N2, N3, … Nn và Ni là số đếm trong n phép đo độc lập.
Độ lệch của số đếm trong từng lần đo so với giá trị trung bình là (Ni – Nav). Theo
định nghĩa của Nav ta có:
n
( N  N
i 1
i av )0 (22)
Trong trường hợp này, thời gian chết cần phải nhỏ để số đếm bị mất do thời gian
chết là nhỏ v{ độ lệch chuẩn σN có thể ước lượng theo công thức: N  Nav  Ni .
Ước lượng độ lệch chuẩn từ Nav l{ chính x|c hơn so với từ giá trị Ni trong các lần
đo. Có thể xem thêm trong các tài liệu tham khảo 10 v{ 11. Như vậy σN l{ độ lệch chuẩn
của phân bố của giá trị đo được Ni quanh giá trị trung bình.
Thông thường, giá trị hay được sử dụng là tốc độ đếm chứ không phải số đếm.
Tốc độ đếm thực của phép đo i được xác định theo số đếm trong thời gian đo T theo
công thức:
Ni
ri  (24)
T
Độ lệch chuẩn của tốc độ đếm được ước lượng theo công thức:
T Nav Ni r
r     i (25)
T T T T
Một c|ch có ý nghĩa để diễn tả chính xác tính thống kê của phép đo là sử dụng độ
lệch chuẩn tương đối được x|c định theo công thức:
r  100%
%   100%  N  100%  (26)
ri Ni Ni
Chú ý rằng để đạt được độ lệch chuẩn 1% đòi hỏi cần có 10.000 số đếm.
1. Thiết lập điện áp làm việc cho ống đếm Geiger theo giá trị x|c định được trong
thực hành 2.1.
2. Đặt nguồn 60Co đủ xa cửa sổ của ống đếm GM sao cho có thể thu được ~1.000 số
đếm trong thời gian 0,5 phút.
3. Không di chuyển nguồn, đo 50 lần độc lập, mỗi lần kéo dài 0,5 phút và ghi kết
quả số đếm Ni vào bảng 2.2.
4. Tính giá trị Nav theo phương trình 21. Điền các giá trị Ni - Nav vào bảng 2.2. Lưu ý
rằng các giá trị này có thể l{ dương hoặc âm và phải ghi dấu vào bảng.
( Ni  Nav ) / N
( Ni  Nav ) / N
Lần Ni σN Ni  Nav (làm tròn)
Tiêu chuẩn Đo được Tiêu chuẩn Đo được
1 -0,15 0
2 +1,06 +1,0
3 +0,07 0
4 -1,61 -1,5
5 -1,21 -1,0
6 +1,70 +1,5
7 -0,03 0
8 -1,17 -1,0
…
Ghi chú: Các giá trị đặc trưng (Ni-Nav)/N và (Ni-Nav)/N l{m tròn được liệt kê
mang tính chất minh họa.
Bài tập
a. Tính σN, điền giá trị σN và ( Ni  Nav ) / N vào bảng 2.2, l{m tròn đến hai chữ số
thập phân. Làm tròn các giá trị ( Ni  Nav ) / N đến 0,5 và ghi lại các giá trị này vào
bảng. Lưu ý rằng bảng 2.2 trình bày một số giá trị ( Ni  Nav ) / N đặc trưng v{ l{m
tròn mang tính hướng dẫn minh họa.
b. Vẽ đồ thị tần suất các sự kiện ( Ni  Nav ) / N được làm tròn. Hình 2.3 vẽ đồ thị
phân bố n{y trong trường hợp lý tưởng. Trên đồ thị này có 8 sự kiện ở điểm
không. Điều n{y có nghĩa rằng chúng ta đ~ l{m tròn t|m số liệu trong bảng 2.2 về
không v{ tương tự như vậy có bảy giá trị làm tròn về +0,5.
c. Đồ thị thu được có dạng phân bố chuẩn tương tự như hình 2.3 không?
Hình 2.3. Đồ thị biểu diễn tần suất các sự kiện đã được làm tròn
1. G. F. Knoll, Radiation Detection and Measurement, John Wiley and Sons, New York
(1979).
2. E. W. Emery, Geiger-Mueller and Proportional Counters in radiation Dosimetry, II,
F. H. Attix and W. C. Roesch, Eds., Academic Press, New York (1966).
3. Peeva and T. Karatoteva, Nucl. Instrum. Methods 118, 49 (1974).
4. H. L. Andrews, Radiation Biophysics, Prentice-Hall, New Jersey (1974).
5. V. Arena, Ionizing Radiation and Life, the C. V. Mosby Co, Missouri (1971).
6. G. D. Chase and J. L. Rabinowitz, Principles of Radioisotope Methodolody, 3 rd
Edition, Burgess Publishing Co., Minnesota (1976)
7. C. M. Lederer and V. S. Shirley, Eds., Table of Isotopes, 7th Edition, john Wiley and
Sons, Inc., New York (1978).
8. Radiological Health Handbook, US. Dept. of Health, Education, and Welfare, PHS
Publication 2016. Availanle from National Technical Information Service, U.S.
Dept. of Commerce, Springfield, Virginia.
9. J. H. Hubbell and S. M. Seltzer, Tables of X-Ray Mass Attenuation Coefficients and
Mass Energy-Absorption Coefficients from 1 keV to 20 MeV for Elements Z = 1 to
92 and 48 Additional Substances of Dosimetric Interest, NISTIR 5632, 1996,
10. http://www.inst.gov/physlab/data/xraycoef/index.cfm.
11. D. A. Gedcke, How Counting Statistics Controls Detection Limits and Peak
Precision, ORTEC Application Note AN59, www.ortec-online.com.
12. Ron Jenkins, R. W. Gould, and Dale Gedcke, Quantitative X-ray Spectrometry,
Marcel Dekker, Inc, New York, 1981.
37
PHỔ KẾ GAMMA SỬ DỤNG DETECTOR NHẤP NHÁY Nal(Tl)
Mục đích của thực hành nhằm giúp học viên làm quen với một số kĩ thuật cơ bản
được dùng để đo tia gamma bằng detector nhấp nháy NaI (Tl).
- Thiết bị điện tử:

- Bộ SPA38 bao gồm detector nhấp nháy NaI(Tl) 38 mm 38 mm, ống nhân quang
và bộ chia thế cho ống nhân quang;
- Khung NIM 4001A/4002D và nguồn nuôi;
- Tiền khuếch đại 113 cho detector nhấp nháy;
- Easy-MCA-2k bao gồm cáp USB và phần mềm MAESTRO-32 (các MCA khác của
ORTEC có thể được dùng thay thế);
- Máy tính cá nhân có cổng USB, sử dụng hệ điều hành Windows;
- Dao động ký với tần số  150 MHz, Tektronix Model TDS 3032C hoặc tương đương.
+ Cáp C–34-12 RG–59A/U75-  , một đầu SHV và một đầu MHV, dài 3,7 m (12-ft);
+ 05 c|p đồng trục C-24-1 RG-62A/U93-  , đầu cắm BNC, dài 30 cm (1-ft);
+ C|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-  , đầu cắm BNC, dài 3,7 m (12 ft);
+ 03 c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93-  , đầu cắm BNC, dài 1,2 m (4 ft);
+ Đầu nối chữ T C-29 BNC;

+ Bộ chia tín hiệu C-27 100 Ω (giắc cắm BNC).
- Nguồn phóng xạ:
+ Bộ nguồn gamma RSS8 gồm các nguồn 60Co, 137Cs, 22Na, 54Mn, 133Ba, 109Cd,
57Co hoạt độ mỗi nguồn khoảng 1 µCi và nguồn hỗn hợp Cs/Zn (~ 0,5 µCi 137Cs, ~1 µCi
65Zn). Thực hành này sẽ sử dụng ba nguồn đầu. Thực hành 3.2 có thể dùng các
nguồn khác.
+ Nguồn gamma 137Cs, GF-137-M-5 hoạt độ 5 µCi ±5% (dùng cho thực hành 3.5).
+ Nguồn 57Co, GF-057-M-20 hoạt độ 20 µCi (dùng cho thực hành 3.9).
- Bộ lá dò:
+ Các bộ lá dò kim loại tinh khiết: FOIL-AL-30, FOlL-FE-5, FOlL-CU-10,

FOlL-MO-3, FOlL-SN-4 và FOlL-TA-5. Mỗi bộ gồm mười lá giống hệt nhau về độ
tinh khiết và bề dày.
+ Bộ lá dò RAS20 gồm 5 loại chất hấp thụ có mật độ từ 1.100 đến 7.400 mg/cm2.
Trong bộ mẫu n{y cũng có 10 tấm nhôm có mật độ từ 140 đến 840 mg/cm2 nhưng
không sử dụng đến trong thực hành này.
- Thiết bị khác cần cho thực hành 3.10:
+ Khối khuếch đại trễ 427A;
+ Khối phân tích thời gian đơn kênh 551;
+ Khối cổng tuyến tính 426;
+ Khối trễ và tạo xung mở cổng 416A.
Hầu hết c|c đồng vị phát tia bêta cũng đồng thời phát ra tia gamma trong quá
trình phân rã. Hạt nh}n ph}n r~ bêta thường kèm theo ph|t ra gamma để trở về trạng
th|i cơ bản. Các hạt bêta thường bị hấp thụ bởi các vật liệu xung quanh v{ không đi v{o
detector nhấp nháy (một lớp nhôm cũng đủ để che chắn hết tia bêta [10]). Đối với thực
hành này, sự phát xạ bêta xảy ra không đ|ng kể, vì vậy không sử dụng vật liệu hấp thụ
bêta. Tia bêta sẽ bị hấp thụ bởi vỏ bọc tinh thể nhấp nháy của detector. Các tia gamma
có khả năng đ}m xuyên mạnh và dễ d{ng đi qua lớp vỏ nhôm của tinh thể.
Bài thực hành số 3: Phổ kế Gamma sử dụng Detector nhçp nháy NaI(Tl) 39
Nói chung, để nghiên cứu về nguồn gamma cần quan tâm hai vấn đề:
- Năng lượng của tia gamma phát ra từ nguồn;
- Lượng bức xạ gamma phát ra trong một khoảng thời gian.
Trong thực hành này học viên sẽ làm quen với một số phép đo cơ bản sử dụng
detector NaI(Tl) để x|c định đồng vị phát gamma. Tổng thời gian để thực hiện các thực
hành 4 (4.1 đến 4.10) vào khoảng 6 giờ.
Cấu trúc của detector NaI(Tl) được minh họa trong hình 3.1, bao gồm tinh thể
nhấp nháy NaI được kích hoạt bởi thallium và ống nh}n quang điện. Khi bức xạ gamma
đi v{o detector, nó tạo ra các electron tự do thông qua các hiệu ứng quang điện, tán xạ
Compton hoặc tạo cặp. C|c electron được tạo ra sẽ kích thích tinh thể phát ra các chớp
sáng. Những chớp sáng này gọi là các nhấp nh|y, điều này giải thích tại sao detector
này gọi là detector nhấp nháy. Chất kích hoạt thallium của tinh thể là rất quan trọng,
nó làm cho phổ phát xạ của tinh thể không trùng với phổ hấp thụ.
Lượng photon ánh sáng tạo ra tỉ lệ thuận với năng lượng gamma bị hấp thụ trong
tinh thể. Cường độ các nhấp nháy phát ra có quy luật h{m mũ với thời gian phân rã
khoảng 250 ns.
Bao quanh tinh thể nhấp nháy là vỏ nhôm mỏng với một cửa sổ kính có bề mặt chung
với photocatôt để ngăn sự hút ẩm của tinh thể NaI. Phía trong vỏ nhôm được phủ một lớp
phản xạ |nh s|ng để tăng lượng |nh s|ng đi tới photocatôt.
Các photon từ tinh thể nhấp nh|y đi đến photocatôt, do hiệu ứng quang điện sẽ
làm bật ra các quang electron. Số quang electron được tạo ra tỉ lệ thuận với số photon
nhấp nháy và do vậy cũng tỉ lệ thuận với năng lượng gamma bị hấp thụ trong tinh thể.
Phần còn lại của ống nhân quang là một loạt c|c đi nốt bên trong ống thủy tinh
ch}n không. Điện thế từ đi nốt đầu đến đi nốt cuối tăng dần v{ được duy trì bởi một bộ
chia thế trong đế ống nhân quang. Các electron bắn ra từ photocatôt sau đó đi tới các
đi nốt với điện thế dương tăng dần, c|c electron được gia tốc bởi đi nốt đầu tiên nên có
đủ động năng để bật ra 2 đến 5 electron thứ cấp. Các electron đó lại tiếp tục đập v{o đi
nốt thứ hai và lại sinh ra một số electron thứ cấp khác, quá trình cứ tiếp tục như vậy
cho tới đi nốt cuối cùng, ở anôt sẽ thu được một dòng electron lớn gấp 104 đến 106 lần
dòng ban đầu ở photocatôt. Lượng điện tích đến anôt tỉ lệ thuận với năng lượng
gamma bị hấp thụ trong chất nhấp nháy.
Hình 3.1. Minh họa một số tương tác có thể xảy ra với detector NaI(Tl)
và vật liệu che chắn xung quanh
Bộ tiền khuếch đại thu góp điện tích từ anôt trên một tụ điện nhằm biến điện tích
th{nh xung điện. Sau đó, xung điện đi tới bộ tiền khuếch đại. Ở lối ra của khối tiền
khuếch đại và khuếch đại tuyến tính, biên độ xung tỉ lệ thuận với năng lượng gamma bị
hấp thụ trong chất nhấp nháy. Khối ph}n tích đa kênh - Multichannel Analyzer (MCA)
đo chiều cao xung đi ra từ khối khuếch đại và sắp xếp chúng thành một biểu đồ ghi lại
phân bố số xung theo biên độ (năng lượng - thu được từ detector NaI (Tl)). Hình 3.2 là
sơ đồ các khối điện tử được sử dụng trong hệ phổ kế cùng với detector NaI (Tl).
Hình 3.2. Sơ đồ khối hệ phổ kế gamma dùng detector NaI(Tl)

Nếu detector và hệ xử lý xung l{ lý tưởng, phổ tia gamma 662 keV của nguồn 137Cs
sẽ được biểu diễn ở dạng một đỉnh phổ có bề rộng được x|c định chỉ bởi sự thăng
giáng ngẫu nhiên của năng lượng của lượng tử gamma (thăng gi|ng n{y rất nhỏ).
Detector NaI(Tl) khác xa với trường hợp lý tưởng v{ độ rộng của đỉnh mà nó tạo ra
thường vào khoảng 7% đến 10% của năng lượng gamma 662 keV. Nguyên nhân chính
của việc mở rộng đỉnh này là số lượng quang electron được phát ra từ catôt khi tia
gamma 662 keV bị hấp thụ hoàn toàn trong tinh thể nhấp nh|y. Đối với detector chất
lượng cao thì vào khoảng 1.000 quang electron. Áp dụng thống kê poisson (tài liệu 1
và 11), 1.000 quang electron là giới hạn để độ rộng ở nửa chiều cao của đỉnh (FWHM)
không nhỏ hơn 7,4%. Sự thăng gi|ng thống kê trong hiệu suất phát electron thứ cấp ở
đi nốt đầu tiên v{ thăng gi|ng về |nh s|ng thu góp được trong chất nhấp nh|y cũng
đóng góp một phần nhỏ vào việc tăng độ rộng đỉnh. Do số quang electron tỉ lệ với năng
lượng tia gamma nên độ rộng đỉnh cũng tăng theo năng lượng của tia gamma. FWHM
của đỉnh ở năng lượng E được x|c định như sau:
E k  100%
FWHM(%)   100%  (1)
E E
Trong đó:
E l{ năng lượng của đỉnh;
E l{ độ rộng nửa chiều cao của đỉnh tính theo đơn vị năng lượng;
k là hệ số tỉ lệ đặc trưng riêng cho từng detector.
Phương trình 1 cho biết độ phân giải năng lượng tương đối của detector NaI(Tl).
Nếu thời gian bán rã của chất nhấp nháy vào khoảng 250 ns, thì thời gian để thu góp
điện tích từ ống nhân quang vào khoảng 1 µs (bốn lần thời gian bán rã của chất nhấp
nháy). Khoảng thời gian thu góp n{y để đảm bảo 98% ánh sáng phát ra từ chất nhấp
nh|y đóng góp v{o biên độ xung thu góp được. Nếu chọn hằng số thời gian trên khuếch
đại là 0,5 µs thì xung ra ở bộ khuếch đại sẽ đạt biên độ cực đại vào khoảng 1,1 µs.
Nếu tốc độ đếm không quá cao và thời gian chết bị ảnh hưởng bởi độ rộng xung
không lớn, có thể chọn hằng số thời gian vào khoảng 1 µs, khi đó biên độ xung sẽ đạt
giá trị cực đại ở 2,2 µs.
Với MCA thì thời gian biến đổi thường nhỏ hơn 2 µs, do đó nguyên nh}n chủ yếu
gây thời gian chết là do thời gian hình thành xung ở lối ra của khuếch đại. Thời gian
chết bao gồm tổng thời gian để xung đạt đến biên độ đỉnh và thời gian để xung giảm về
đến đường cơ sở. Thời gian chết vào khoảng 5 µs với xung có hằng số thời gian 0,5 µs
và thời gian chết vào khoảng 10 µs với xung có hằng số thời gian 1 µs. Với hệ đo dùng
detector NaI(Tl), kinh nghiệm cho thấy thời gian chết vào khoảng 10% khi tốc độ đo
thay đổi trong dải từ 10.000 đến 20.000 số đếm/giây phụ thuộc vào việc lựa chọn hằng
số thời gian trên khối khuếch đại. Trên 20.000 số đếm/giây, hệ số nhân của ống nhân
quang có thể bị ảnh hưởng bởi tốc độ đếm. Vì vậy, 20.000 số đếm/gi}y được xem là
giới hạn để detector nhấp nháy hoạt động bình thường. Để có thêm các thông tin về
dạng xung và thời gian chết, cần xem thêm các tài liệu tham khảo 1, 11, 12, 13 và 14.
Khái niệm quan trọng được giới thiệu trong thực hành này là khối ph}n tích đa
kênh (MCA). Nó dùng để đo biên độ xung thu được từ khối khuếch đại tuyến tính.
Trong khoảng thời gian c|c tia gamma được đo, MCA sắp xếp số lượng các xung xuất
hiện trong một đơn vị thời gian theo biên độ thành một biểu đồ biểu diễn phổ năng
lượng gamma đo bằng detector NaI(Tl). MCA là một thiết bị cốt lõi được sử dụng trong
nhiều phần của chuỗi các thực hành này. Tài liệu về khối ph}n tích biên độ xung đa
kênh (Multichannel Pulse-Height Analyzer) có thể tìm hiểu trong thư viện trên trang
web www.ortec online.com/solutions/educational.aspx.
MCA sử dụng phần mềm m|y tính để đo, hiển thị và xử lý phổ. MCA của ORTEC
thường kết nối với máy tính thông qua cổng USB và phần mềm MAESTRO-32. Người
sử dụng cần phải biết cách bắt đầu hoặc kết thúc thu thập dữ liệu, xóa nội dung trong
bộ nhớ, lựa chọn độ phân giải kỹ thuật số, điều chỉnh ngưỡng trên v{ dưới, c{i đặt thời
gian, theo dõi phần trăm thời gian chết, đọc vị trí đỉnh với con trỏ chuột, chọn vùng
quan tâm, sử dụng thanh trượt để đọc năng lượng keV,...
Một ưu điểm của MCA là sự tích hợp đồng hồ thời gian thực (real time) và chế độ
đo thời gian sống (live time). Tính năng n{y cho phép tự động hiệu chỉnh thời gian của
phép đo do sự mất mát do thời gian chết gây nên. Xem tài liệu 1, 11, 13 v{ 14 để có
thêm thông tin nhiều hơn.
4.1.1. Lắp đặt thiết bị

Các thiết bị được lắp đặt như trong hình 3.2. C|c bước thực hiện như sau:
1. Tắt điện khung NIM và nguồn khối cao thế 556.
2. Kiểm tra mặt trước khối cao thế 556 để đặt điện áp ra ở giá trị nhỏ nhất. Chọn
cực tính POSitive POLARITY ở mặt phía sau. Nút CONTROL đặt ở chế độ INTernal. Có
thể cấp điện AC cho khối cao thế 556, nhưng để thuận lợi, nên đặt vào vị trí trống trong
khung NIM.
3. Đảm bảo detector NaI(Tl) được lắp r|p đúng vị trí. Nối đầu cao thế MHV trên
detector đến OUTPUT của cao thế SHV ở phía sau khối 556 bằng c|p đồng trục C-34-12.
Lưu ý c|c đầu nối l{ kh|c nhau đối với mỗi đầu của cáp cao thế này.
4. Sử dụng c|p đồng trục C-24-1, nối lối ra (anôt) của detector NaI(Tl) (đầu nối
BNC) đến INPUT của tiền khuếch đại 113. Đặt điện dung INPUT 113 là 200 pF. Chiều
phân cực của xung ra ở anôt của ống nhân quang và lối vào tiền khuếch đại đều là âm.
5. Tháo khối khuếch đại 575A từ khung NIM và kiểm tra công tắc trượt ở bảng
điều khiển bên hông, chọn vị trí để đặt giá trị 0,5 µs (lựa chọn phải đảm bảo hằng số
thời gian đặt ở 0,5 µs). Gắn lại bộ khuếch đại vào khung NIM.
6. Nối cáp nguồn điện từ khối tiền khuếch đại 113 đến đầu nối PREAMP POWER ở
phía sau khối khuếch đại 575A.
7. Sử dụng c|p đồng trục C-24-12, nối OUTPUT của tiền khuếch đại 113 với INPUT
của khuếch đại 575A.
8. Chọn đầu vào phân cực âm trên khối khuếch đại 575A.
9. Sử dụng c|p đồng trục C-24-14, nối UNipolar OUTput của khuếch đại 575A đến
lối vào analog INPUT của Easy-MCA. Sử dụng cáp USB, nối cổng USB ở phía sau của
Easy-MCA đến cổng USB máy tính. Máy tính phải c{i đặt phần mềm MAESTRO-32 để
điều khiển Easy-MCA.
10. Bật điện cho máy tính, khung NIM và nguồn nuôi.
Có hai thông số để xác định hệ số khuếch đại của hệ thống là cao thế cấp cho PMT
và hệ số khuếch đại của khối khuếch đại. Hệ số khuếch đại của ống nhân quang phụ
thuộc mạnh vào giá trị cao thế. Nguyên tắc của hầu hết PMT là ở gần điện áp làm việc,
nếu thay đổi cao thế 10% sẽ làm thay đổi hệ số khuếch đại 2 lần. Để lựa chọn giá trị cao
thế theo PMT sử dụng, cần tham khảo hướng dẫn trên nhãn của PMT để lựa chọn giá
trị ở giữa dải làm việc bình thường của nó. Đôi khi trên nh~n c|c detector có ghi độ
phân giải v{ điện áp mà tại đó độ phân giải đ~ đo được. Trong trường hợp đó, sử dụng
giá trị cao thế trên nhãn. Nếu thiếu c|c thông tin n{y để x|c định điện áp làm việc thì
nhờ người hướng dẫn hoặc phụ trách phòng thí nghiệm kiểm tra để có được giá trị phù
hợp với thí nghiệm. Điện áp làm việc của detector nhấp nháy có khả năng rơi v{o dải
+800 đến +1.300 vôn.
11. Thiết lập điện |p điều khiển cho khối cao thế 556 với giá trị điện |p được ghi
trên detector. Bật nút POWER trên khối 556.
12. Sử dụng trình đơn MCB trong phần mềm MAESTRO-32, thiết lập c|c điều kiện
đo cho Easy-MCA. Chọn chế độ biến đổi 1024 kênh cho dải biên độ xung từ 0 đến +10
vôn. Đặt GATE ở Off. Ngưỡng dưới được đặt ở 100 mV (10 kênh). Ngưỡng trên ở giá trị
cực đại. Thời gian đo có thể đặt trước hoặc không, người hướng dẫn thực hành có thể
có những yêu cầu thêm trong thiết lập cấu hình cho Easy-MCA.
4.1.2. Điều chỉnh cực không (Pole Zero)

Detector NaI(Tl) tạo ra xung điện kéo dài khoảng 1 µs ở lối ra anôt của ống nhân
quang điện. Khối tiền khuếch đại tập trung điện tích đó ở tụ điện lối vào và biến nó
th{nh xung điện ở lối ra tiền khuếch đại. Vì xung anôt phân cực âm và tiền khuếch đại
113 không đảo, nên xung ở lối ra tiền khuếch đại là xung âm. Thời gian phân rã của các
nhấp nháy quyết định hình dạng mặt tăng của xung lối ra tiền khuếch đại. Detector
nhấp nháy NaI(Tl) có thời gian phân rã khoảng 250 ns, thời gian tăng (10% đến 90%
chiều cao xung) ở mặt tăng của xung xấp xỉ 0,55 µs. Trong vòng 1 µs, giá trị tuyệt đối
của biên độ xung đạt giá trị cực đại. Sau đó, xung điện giảm về 0 vôn theo h{m mũ với
hằng số thời gian 50 µs. Với detector NaI(Tl), hằng số thời gian thường nằm trong dải
từ 30 đến 80 µs.
Trong khối khuếch đại, sự phân rã dạng h{m mũ kéo d{i của xung ra từ tiền
khuếch đại phải được thay bằng dạng h{m mũ ngắn hơn, bằng c|ch thay đổi hằng số
thời gian trên khối khuếch đại. Đ}y l{ lý do cần phải có mạch chỉnh Pole -Zero trong
khối khuếch đại. Dưới đ}y l{ c|c bước thực hành chỉnh Pole-Zero, có thể tham khảo
thêm về Pole-Zero trong các tài liệu 1, 11 và 12.
1. Chuyển tín hiệu từ UNipolar OUTput của khuếch đại đang nối vào MCA sang nối
vào lối vào Kênh 1 (CH1) của dao động ký. Chọn chế độ Auto trên CH1 của dao động ký,
thang chia trục đứng 5 V mỗi ô và trục hoành 1 µs mỗi ô. Điều chỉnh vị trí của đường
không trong màn hiển thị ở đường trung t}m m{n hình. Đảm bảo trở kháng lối vào
kênh 1 đặt ở 1 M  .
2. Đặt nguồn 137Cs từ bộ nguồn gamma (E  =0,662 MeV) ở vị trí cách mặt tinh thể
NaI(Tl) khoảng 2 cm.
3. Quan sát tín hiệu trên dao động ký. Tín hiệu có dạng như trong hình 3.3, ngoại
trừ đặt thang kh|c đi. Vạch sáng mạnh ở đỉnh phân bố là tín hiệu năng lượng hấp thụ
toàn phần của tia gamma 662 keV. Nếu không quan s|t được tín hiệu thì điều chỉnh lại
nút trigger và vị trí trục tung để tìm tín hiệu.
Hình 3.3. Tín hiệu trên dao động ký

1. Khi quan sát thấy tín hiệu, điều chỉnh hệ số khuếch đại thô v{ tinh để biên độ tín
hiệu năng lượng hấp thụ toàn phần của tia gamma 662 keV xấp xỉ 10 vôn. Có thể dễ
quan s|t hơn khi thay đổi đồng bộ của dao động ký từ chế độ tự động (Auto) sang chế
độ bằng tay (Normal) ở điểm này.
2. Thay đổi thang thời gian của dao động ký sang 50 µs trên mỗi ô.
3. Thay đổi thang biên độ đến 100 mV trên mỗi ô. Điều chỉnh lại Trigger và trục
ho{nh sao cho đường không của tín hiệu trùng với đường nằm ngang ở tâm màn hình.
4. Vặn PZ ADJ ở mặt trước của khối khuếch đại 575A xuôi hoặc ngược chiều kim
đồng hồ để thấy hồi phục đường không càng nhanh càng tốt sau mỗi xung. Tham khảo
tài liệu 1, 11 v{ 12 để có thêm hướng dẫn.
Chú ý: Trong một v{i dao động ký, biên độ xung 10 V có thể gây ra tình trạng quá
thang của dao động ký. Nếu điều này xảy ra thì trigger không chính xác, sự phục hồi
đuôi xung sẽ bị méo và việc chỉnh PZ là không thể. Nếu nghi ngờ xảy ra vấn đề này, hãy
bắt đầu với thang 5 V trên mỗi vạch chia v{ tăng thang tỉ lệ theo biên độ. Đối với mỗi
bước tăng, kiểm tra xem dạng của đuôi xung có kh|c với dạng trên thang đ~ thiết lập
trước đó theo tỉ lệ hay không. Khi sự méo tín hiệu xuất hiện, chuyển về thang có độ
nhạy thấp hơn trước đó, dùng thang n{y để điều chỉnh PZ.
Có thể phải sử dụng các thang thời gian khác nhau trong dải từ 10 µs đến 100 µs
trên một ô để điều chỉnh PZ.
4.1.3. Chỉnh hệ số khuếch đại cho phổ
1. Đặt dao động ký ở 1 V và 1 µs trên một ô. Chỉnh trigger và gốc tín hiệu để dễ
quan sát.
2. Giảm hệ số khuếch đại để biên độ xung của đỉnh hấp thụ toàn phần 662 keV xấp
xỉ khoảng 2,4 V.
3. Chuyển đầu nối lối ra UNIpolar OUTput của khuếch đại với dao động ký đến nối
lại với INPUT của MCA.
4. Thu phổ trên MCA tối thiểu 30 giây, phổ có dạng như hình 3.4.
Hình 3.4. Phổ 137Cs đo với detector nhấp nháy NaI(Tl)

1. X|c định đỉnh hấp thụ quang điện 662 keV. Chọn điểm cao nhất của đỉnh và ghi
lại vị trí kênh tương ứng với giá trị lớn nhất.
2. Nếu vị trí đỉnh hấp thụ quang điện 662 keV không tương ứng với kênh 238, chỉnh hệ
số khuếch đại và phải đo lại phổ. Quá trình lặp lại cho đến khi vị trí đỉnh nằm ở kênh 238.
Việc điều chỉnh n{y để đảm bảo rằng đỉnh tổng 1,17 + 1,33 MeV = 2,5 MeV từ nguồn 60Co
trong thực hành 3.8 sẽ nằm ở vị trí kênh 900 (trong giới hạn 1.000 kênh). Chú ý rằng vị trí
đỉnh 662 keV trong hình 3.4 ở vị trí kênh 280, giá trị này sẽ làm dịch đỉnh tổng trong thực
hành 3.8 về kênh cuối cùng của MCA.
4.1.4. Thay đổi ngưỡng dưới
Đặt ngưỡng dưới cao hơn một chút so với biên độ lớn nhất của tạp }m. Điều này
ngăn MCA tốn thời gian vào phân tích những thông tin không có ích do tạp âm gây nên.
Đặt ngưỡng dưới hợp lý sẽ giảm được tín hiệu nhiễu, tăng tỉ số tín hiệu trên tạp âm,
thời gian chết giảm v{ được bù chính x|c. C|c bước điều chỉnh ngưỡng dưới như sau:
1. Đưa tất cả các nguồn phóng xạ ra xa vùng lân cận detector NaI(Tl) để giảm đến
mức tối thiểu lượng tia gamma tới detector.
2. Bắt đầu đo phổ và quan sát thời gian chết hiển thị trên MCA, giá trị này phải nhỏ
hơn 1%. Nếu thời gian chết lớn hơn 1% thì chuyển sang bước 5.
3. Sử dụng trình đơn MCB, giảm ngưỡng dưới, lặp lại việc đo phổ và quan sát thời
gian chết.
4. Lặp lại bước 3 cho đến khi thời gian chết tăng lên đột ngột.
5. Sau khi thời gian chết tăng đến trên 1%, tăng dần ngưỡng dưới cho đến khi thời
gian chết bé hơn 1%.
6. Lặp lại từ bước 3 đến bước 5 cho đến khi chắc chắn ngưỡng dưới đ~ được đặt
hợp lý rất gần phía trên của tạp âm và ảnh hưởng của nhiễu vào số đếm là nhỏ.
Biên độ tuyệt đối của nhiễu ở lối vào của MCA phụ thuộc v{o đặc trưng của tiền
khuếch đại và hệ số khuếch đại của khối khuếch đại. Do vậy, ngưỡng dưới của MCA
phải được điều chỉnh khi thay đổi hệ số khuếch đại hoặc thay tiền khuếch đại. Ngưỡng
dưới phải luôn được chỉnh khi xác lập các tham số cho hệ đo.
4.1.5. Chuẩn năng lượng dùng nguồn 137Cs và 60Co
1. Đặt lại nguồn 137Cs vào vị trí đo, thu phổ với thời gian đủ d{i để sự thăng gi|ng
ngẫu nhiên của số đếm trong phổ là nhỏ. Mức độ ph}n t|n được kiểm soát bằng thống
kê số đếm. Nếu kênh thứ i chứa Ni số đếm thì độ lệch chuẩn của số đếm là:
Ni  Ni (2)
Độ lệch tương đối theo số đếm Ni là:

Ni 100%
Ni (%)   100%  (3)
Ni Ni
Như vậy 100 số đếm trong một kênh tương ứng với độ lệch chuẩn 10%, 10.000 số
đếm tương ứng độ lệch chuẩn 1% và 1 triệu số đếm tương ứng độ lệch chuẩn 0,1%. Do
đó, sự phân tán số đếm trong phổ có thể chấp nhận khi vùng phân bố liên tục dưới mép
Compton có nhiều hơn v{i trăm số đếm trên kênh.
2. Vẽ phổ thu được ở bước 1 với trục tung có thang tuyến tính. Đ|nh dấu đỉnh quang
điện, mép Compton v{ đỉnh tán xạ ngược (nếu rõ ràng) trên phổ như trong hình 3.4.
3. X|c định vị trí đỉnh 662 keV theo kênh.
4. Sau khi đọc phổ 137Cs trên MCA, lưu lại thành một tập tin để có thể đọc lại sau
đó. Xóa phổ và thay nguồn 137Cs bằng nguồn 60Co từ bộ nguồn gamma.
5. Thu phổ 60Co với thời gian đủ d{i để có phổ tương tự như hình 3.5.
Hình 3.5. Phổ 60Co

6. Lưu phổ 60Co để xử lý sau và vẽ phổ.
Bài tập
a. Từ phổ 137Cs và 60Co x|c định vị trí đỉnh quang điện v{ điền vào các mục 1, 2 và
3 trong bảng 3.1. Vị trí c|c đỉnh n{y được x|c định bằng con trỏ chuột và giá trị hiển thị
trên màn hình máy tính.
b. Từ các mục 1, 2 và 3 trong bảng 3.1, vẽ năng lượng đỉnh hấp thụ quang điện
theo số kênh. Hình 3.6 biểu diễn sự hiệu chuẩn với dữ liệu thu được từ các hình 3.4 và
3.5. Nếu có thêm dữ liệu của các nguồn chuẩn khác thì có thể bổ sung thêm vào hình
3.6. Các mục khác trong bảng 3.1 sẽ được điền tiếp trong phần thực hành 3.3.
c. Sử dụng tính năng chuẩn năng lượng của MCA và so sánh kết quả với bài tập b.
d. Liệu đường chuẩn năng lượng có cắt kênh 0 ở năng lượng 0 không? Nếu cắt lệch
điểm 0 thì do nguyên nhân gì?
STT Mục Năng lượng (MeV) Kênh

1 Đỉnh quang điện 0,662 MeV 0,662
4 Mép Compton 137Cs
5 Tán xạ ngược 137Cs

6 Mép Compton của tia gamma 1,33 MeV
7 Tán xạ ngược của tia gamma 1,33 MeV
8 Tán xạ ngược của tia gamma 1,17 MeV
Hình 3.6. Đường chuẩn năng lượng cho detector NaI(Tl)

4.2.1. Mục đích

Thực hành này sử dụng hệ thống đ~ chuẩn bị ở phần 3.1 để x|c định năng lượng
đỉnh hấp thụ quang điện của nguồn ph|t gamma chưa biết v{ x|c định đồng vị phát
gamma.
1. Xóa phổ 60Co trên MCA nhưng không thay đổi bất kỳ các tham số đ~ c{i đặt của
hệ thống.
2. Đặt nguồn gamma chưa biết vào vị trí đo v{ đo phổ trong một khoảng thời gian đủ
d{i để thấy được rõ c|c đỉnh hấp thụ quang điện của nó. Từ đường chuẩn năng lượng, xác
định năng lượng của c|c đỉnh hấp thụ quang điện đo được.
Bài tập
Dùng tài liệu 7 v{ 8 để x|c định đồng vị ph|t gamma chưa biết.
4.3.1. Mục đích

Mục đích của thực h{nh l{ để giải thích một v{i đặc trưng ngo{i đỉnh hấp thụ
quang điện thường hiện diện trong phổ biên độ như mép Compton, nền Compton liên
tục v{ đỉnh tán xạ ngược.
4.3.2. Thông tin liên quan
C|c đỉnh hấp thụ quang điện được tạo ra khi tia gamma tương t|c với chất nhấp nháy
thông qua hiệu ứng quang điện. Photon tương t|c với electron quỹ đạo có liên kết chặt với
hạt nhân và bị electron này hấp thụ. Toàn bộ năng lượng của photon được truyền cho
electron, làm electron thoát khỏi nguyên tử. Tia gamma biến mất trong quá trình này. Khi
c|c electron quang điện đi qua chất nhấp nháy, nó mất năng lượng bằng cách kích thích
các phân tử. Trong toàn bộ quá trình, số phân tử bị kích thích tỉ lệ với năng lượng của
photon. Khi các phân tử trở về trạng th|i cơ bản sẽ phát ra các photon, số các photon tỉ lệ
với năng lượng ban đầu của tia gamma. Do vậy, các thông tin về năng lượng v{ cường độ
chùm tia gamma thường được lấy từ đỉnh quang điện trong phổ. Đỉnh n{y thường được
gọi l{ đỉnh hấp thụ năng lượng hoàn toàn, là tổ hợp của hai quá trình, một là hấp thụ quang
điện, hai là tán xạ Compton nhiều lần dẫn đến toàn bộ năng lượng của lượng tử gamma bị
hấp thụ trong tinh thể nhấp nháy - qu| trình n{y cũng đóng góp một lượng nhỏ vào các sự
kiện tạo nên đỉnh hấp thụ năng lượng hoàn toàn.
Tán xạ Compton thuần túy là sự va chạm giữa một photon và một electron tự do
(hoặc liên kết yếu) trong tinh thể NaI(Tl). Trong quá trình này, gamma truyền một phần
năng lượng của mình cho electron. Electron giật lùi làm kích thích các phân tử của tinh thể.
Số photon nhấp nháy tỉ lệ với năng lượng giật lùi của electron. Lượng năng lượng mà
lượng tử gamma truyền cho electron giật lùi phụ thuộc vào góc mà electron bay ra so với
phương gamma tới. Đối với va chạm mà electron bay ra với góc bằng 0, năng lượng tia
gamma truyền cho electron là nhiều nhất. Mặc dù photon và electron là các hạt vi mô
nhưng trong trường hợp n{y, chúng tương t|c giống như va chạm của c|c viên bida. Năng
lượng của tia gamma tán xạ có thể được x|c định từ phương trình bảo to{n năng lượng và
động lượng. Phương trình năng lượng của tia gamma tán xạ được viết như sau:
E
E '  (4)
E
1   2 1  cos  
m0c
Trong đó:
E ' l{ năng lượng tia gamma sau tán xạ (MeV);
θ l{ góc t|n xạ của ' so với γ;

E  l{ năng lượng ban đầu của tia gamma (MeV);
m0c 2  0 ,511 MeV l{ năng lượng tương đương với khối lượng nghỉ m0 của electron
và c là vận tốc ánh sáng.
Với va chạm chính diện, các tia gamma bị tán xạ ngược với hướng ban đầu của nó
v{ θ = 1800. Với điều kiện này, năng lượng gamma tán xạ ngược x|c định theo (5):
E
E '  (5)
1  4E 
Để thuận tiện, ta sử dụng giá trị gần đúng ( m0c 2 )1  2. Nếu xảy ra tán xạ ngược
trong detector, năng lượng lớn nhất truyền cho electron giật lùi là:
Ee  E   E ' (6)
Năng lượng lớn nhất được ghi trong phổ khi gamma tương t|c với detector theo
tán xạ Compton được x|c định theo công thức (6). Công thức n{y cũng dùng để xác
định năng lượng của mép Compton trong hình 3.4 và 3.5. Với tia gamma tới có năng
lượng 1 MeV, công thức (5) và (6) dự đo|n rằng mép Compton xuất hiện ở năng lượng
0,80 MeV v{ năng lượng của gamma tán xạ ngược bằng 0,20 MeV.
Vì góc tán xạ từ 00 đến 1800 và gamma sau tán xạ có thể bay ra khỏi detector, nên
năng lượng truyền cho tinh thể nhấp nh|y thay đổi từ lớn nhất ở mép Compton xuống
đến 0. Đ}y chính l{ nguồn gốc của phân bố Compton liên tục trong hình 3.4 và 3.5.
Chú ý rằng photon sau tán xạ cũng có thể bị hấp thụ trong tinh thể theo quá
trình quang điện. Hai qu| trình tương t|c n{y sẽ đóng góp v{o đỉnh hấp thụ năng
lượng toàn phần.
Đỉnh tán xạ ngược trong hình 3.4 và 3.5 là do tán xạ Compton từ các vị trí khác
nhau. Xét một tia gamma phát ra từ nguồn phóng xạ theo hướng phía trước detector.
Tia gamma này có thể tán xạ với các vật liệu ở gần nguồn. Nếu góc tán xạ là 180 o,
tia gamma sau tán xạ di chuyển ngược trở lại detector với năng lượng tính theo công
thức (5). Sau đó, nếu gamma năng lượng thấp n{y tương t|c với chất nhấp nháy theo
hiệu ứng quang điện, nó sẽ đóng góp v{o đỉnh quang điện ở năng lượng thấp. Đỉnh tán
xạ ngược n{y thường có cường độ thấp nếu có vật liệu nhẹ ở phía sau nguồn phóng xạ.
Đỉnh tán xạ ngược thường khá rộng do góc nhìn của detector và nguồn. Với tia gamma có
năng lượng ban đầu 1 MeV, theo công thức (5), đỉnh tán xạ ngược xuất hiện ở 0,20 MeV.
Chú ý, tia gamma tán xạ ngược trên catôt của PMT đi v{o tinh thể nhấp nháy và bị hấp
thụ quang điện cũng có đóng góp v{o đỉnh tán xạ ngược.
Bài tập
a. Tính năng lượng mép Compton của tia gamma 0,662 MeV từ nguồn 137Cs. Điền
giá trị này vào bảng 3.1. Từ đồ thị v{ đường chuẩn năng lượng, so sánh giá trị tính với
giá trị đo được.
b. Tính năng lượng mép Compton của tia gamma 1,33 MeV từ nguồn 60Co. Điền kết quả
vào bảng 3.1. So sánh giá trị tính toán với giá trị trên phổ 60Co đo được.
c. Sử dụng công thức (5) tính năng lượng đỉnh tán xạ ngược của tia gamma từ
nguồn 137Cs và 60Co. Điền kết quả vào bảng 3.1. So sánh kết quả đo với kết quả tính.
Nếu đỉnh tán xạ ngược không xuất hiện rõ trong phổ, đặt một tấm chì phía sau nguồn
để tăng cường tán xạ ngược.
4.4.1. Mục đích

Mục đích của thực h{nh l{ đo độ phân giải năng lượng của detector NaI(Tl).
4.4.2. Các phương trình liên quan
Độ phân giải của phổ kế l{ thước đo khả năng ph}n t|ch hai đỉnh có năng lượng
gần nhau. Hình 3.4 biểu diễn phổ gamma của nguồn 137Cs. Độ phân giải của đỉnh quang
điện được tính theo công thức sau:
δE
FWHM(%)   100% (7)
E
Trong đó δE l{ độ rộng toàn phần nửa chiều cao của đỉnh tính theo số kênh, E là vị
trí kênh trung tâm của đỉnh quang điện.
Trong hình 3.4 đỉnh quang điện ở kênh 280 và FWHM bằng 32 kênh. Theo công
thức (7), độ phân giải tính được là 11,5%. Giá trị độ phân giải với đỉnh 662 keV của nguồn
137Cs là một trong những tiêu chuẩn thực tế để x|c định chất lượng của detector NaI(Tl).
Bài tập
Tính độ phân giải của hệ từ phổ 137Cs đo được. Ghi lại giá trị n{y để tham khảo về sau.
4.5.1. Mục đích

Thực h{nh 3.1 v{ 3.2 đ~ x|c định năng lượng ph|t v{ đồng vị của một nguồn phát
gamma. Thực h{nh n{y giúp x|c định hoạt độ của một nguồn ph|t gamma theo phương
ph|p tương đối. Hoạt độ của nguồn thường được tính dựa theo đơn vị Curie (Ci),
1 Ci = 3,7.1010 phân rã/giây. Trong các thí nghiệm vật lý hạt nhân, các nguồn được sử
dụng thường có hoạt độ cỡ microcurie (µCi).
Khi dùng phương ph|p tương đối, cần phải có một nguồn chuẩn đ~ biết trước hoạt
độ. Trong thí nghiệm này, ta sử dụng một nguồn chuẩn 137Cs để x|c định hoạt độ cho
một nguồn 137Cs kh|c chưa biết hoạt độ. Để thuận tiện, gọi nguồn chuẩn là S1 và nguồn
chưa biết hoạt độ là U1.
1. Đặt nguồn S1 cách mặt detector 4 cm (hoặc gần hơn nếu cần thiết để có số liệu
thống kê hợp lý). Đo phổ trong một khoảng thời gian đủ để có phổ tương tự như hình 3.4.
2. Sử dụng phần mềm để tính tổng số đếm của đỉnh quang điện (sử dụng tính năng
ROI của chương trình). Trong ví dụ hình 3.4 là tất cả các số đếm từ kênh 240 đến kênh
320. Số đếm tổng này ký hiệu l{ ΣS1. Nếu có khó khăn khi đặt ROI, cần tham khảo thêm
hướng dẫn sử dụng phần mềm hoặc hỏi người phụ trách phòng thí nghiệm.
3. Xóa phổ trên MCA, lấy nguồn S1 v{ đặt nguồn U1 vào vị trí chính xác giống như
với nguồn S1. Đo phổ với thời gian giống như với mẫu S1. Số đếm tổng của đỉnh quang
điện với phổ này gọi l{ ΣU1.
4. Xóa phổ trên MCA, cất nguồn U1 v{ đo phông trong khoảng thời gian giống như
đo mẫu S1 và U1.
5. Tính tổng số đếm phông trong c|c kênh đ~ sử dụng để tính số đếm tổng cho các
đỉnh quang điện trong c|c bước 2 và 3, gọi số đếm n{y l{ Σb.
Bài tập
a. Tính hoạt độ của U1 theo công thức sau:
AU 1 
 
U1 b
AS 1 (8)
 
S1 b
Trong đó, AS1 là hoạt độ của nguồn chuẩn S1 và AU1 là hoạt độ của nguồn chưa
biết U1.
Chú ý: Hiệu suất ghi của detector thay đổi theo năng lượng, do đó chỉ bỏ qua hiệu
suất khi nguồn chuẩn và nguồn chưa biết của cùng một đồng vị hoặc có năng lượng tia
gamma xấp xỉ nhau (±10%). Trong trường hợp nguồn có sơ đồ phân rã phức tạp hoặc
hai đồng vị khác nhau thì cần phải x|c định hiệu suất ghi của detector.
b. Kiểm tra hoạt độ ghi trên nhãn của nguồn cần x|c định hoạt độ và so với giá trị
đo được, hai giá trị sai kh|c như thế nào?
c. Tăng khoảng cách từ nguồn tới detector để có được số liệu thống kê hợp lý, và
kiểm tra quy luật tỷ lệ nghịch với bình phương khoảng cách (xem thực hành 2.5).
Khoảng cách từ nguồn tới detector ảnh hưởng gì đến độ chính xác của phép đo
hoạt độ?
4.6.1. Mục đích

Hoạt độ của nguồn phóng xạ sử dụng trong thực hành 3.5 có thể được x|c định
bằng phương ph|p tuyệt đối. Mục đích của thực h{nh n{y l{ x|c định hoạt độ của
nguồn U1 bằng phương ph|p tuyệt đối.
1. Đặt nguồn U1 (hoạt độ chưa biết) cách mặt detector khoảng 10 cm.
2. Đo khoảng cách S từ giữa bề dày nguồn đến mặt trước detector.
3. Đo phổ đủ l}u để thu được ít nhất 10.000 số đếm trong đỉnh quang điện và ghi
lại thời gian đo tL.
4. Thiết lập vùng quan t}m trong đỉnh quang điện bằng phần mềm và ghi lại tổng
số đếm trong vùng quan t}m ΣU1.
5. Xóa phổ, cất nguồn, đo phông trong thời gian tương tự và tính tổng số đếm
phông Σb.
6. Sử dụng công thức sau để tính hoạt độ của U1. Đơn vị hoạt độ tính theo (9) là
phân rã/giây.
  - b  1
AU1   U1  (9)

 tL  G.P . f
Trong đó:
tL là thời gian đo (s);
εp là hiệu suất nội của detector ở năng lượng gamma tương ứng (hình 3.7 và tài
liệu tham khảo 10);
f là tỉ số phân rã gamma (tài liệu tham khảo 7, 8 và bảng 3.2);
G là (diện tích của detector (cm2))/[4 S 2 ];

S là khoảng cách từ nguồn tới detector (cm).
Hình 3.7. Hiệu suất nội của các tinh thể Na(Tl) theo năng lượng tia gamma. Khoảng cách từ
detector đến nguồn điểm là 9,3 cm đối với các tinh thể nhấp nháy kích thước 3 inch  3 inch
và 2 inch  2 inch và 10 cm đối với tinh thể nhấp nháy kích thước 1,5 inch  1,5 inch
Đồng vị Năng lượng gamma (MeV) f

137Cs 0,662 0,851
51Cr 0,320 0,0986
60Co 1,173 0,9986
60Co 1,333 0,9986
22Na 1,275 0,9994
22Na 0,511 1,78
54Mn 0,835 0,9998
65Zn 1,116 0,506
Bài tập
a. Chuyển đơn vị hoạt độ từ phân rã/giây theo công thức (9) sang đơn vị μCi.
b. Kiểm tra giá trị hoạt độ ghi trên nhãn kèm theo nguồn. So sánh giá trị hoạt độ
đo được với giá trị ghi trên nhãn.
c. Độ lệch chuẩn của giá hoạt độ đo được là bao nhiêu?

d. Hiệu suất đỉnh nội thường được tính theo khoảng cách từ nguồn đến detector
và sử dụng nguồn điểm nằm trên trục kéo dài của tinh thể nhấp nháy hình trụ. Tại sao?
e. Đặt nguồn gần với detector hơn để tăng tốc độ đếm. Khoảng cách từ nguồn đến
detector nhỏ ảnh hưởng như thế n{o đến độ chính xác của phép đo?
4.7.1. Mục đích

Mục đích của thí nghiệm l{ để đo thực nghiệm hệ số hấp thụ khối đối với tia
gamma 662 keV trong chì.
Các tài liệu tham khảo 2, 3 và 5 chỉ ra rằng tia gamma tương t|c với vật chất chủ
yếu bởi sự hấp thụ quang điện, tán xạ Compton và hiệu ứng tạo cặp. Hệ số hấp thụ khối
có thể dễ d{ng đo được bằng phổ kế gamma. Trong thực hành này, chúng ta sẽ đo số
lượng các tia gamma bị hấp thụ quang điện hoặc tán xạ Compton xảy ra trong tấm chì
đặt giữa nguồn và detector.
Từ định luật Beer-Lambert (tài liệu tham khảo 1), cường độ bức xạ bị suy giảm khi
đi qua vật liệu hấp thụ được x|c định theo công thức:
I  I0e x (10)
Trong đó:
I l{ cường độ sau khi đi qua lớp vật liệu hấp thụ;
I0 l{ cường độ trước khi đi qua lớp vật liệu hấp thụ;
µ là hệ số hấp thụ khối (cm2/g);
x l{ độ dày khối của vật liệu hấp thụ (g/cm2).
Trong thực h{nh n{y, cường độ sẽ được x|c định theo số đếm thực trong đỉnh quang
điện. Số đếm thực chính là hiệu của tổng số đếm trong vùng quan tâm (ROI) với phông. Độ
dày khối là tích của mật độ (g/cm3) và bề dày tuyến tính (cm) của chất hấp thụ.
Bề dày hấp thụ một nửa (HLV) được định nghĩa l{ độ dày khối của chất hấp thụ
làm giảm cường độ bức xạ đi một nửa so với giá trị ban đầu. Từ công thức (10):
I 
ln    x (11)
 I0 
Nếu I/I0 = 0,5 và x = HVL, thì ln(0,5) = -µ.(HVL). Do vậy:
HVL = (0,693/µ) (12)
Trong thực hành này chúng ta sẽ đo gi| trị µ của chì ở năng lượng 662 keV dùng
nguồn 137Cs. Giá trị chấp nhận được của µ ở năng lượng 662 keV là 0,105 cm2/g. Giá trị µ
đối với các chất kh|c được cho trong tài liệu tham khảo 8 và 15.
Trừ phông
Có hai phương ph|p kh|c nhau có thể sử dụng để trừ phông như trong thực hành
3.5 và 3.6. Sự đóng góp của phông được x|c định bằng số đếm đo khi không có nguồn
phóng xạ. Điều này cần thiết nếu ngẫu nhiên mà phông bức xạ tạo thành một đỉnh
trùng với đỉnh quang điện của đồng vị phóng xạ cần đo. Có một phương ph|p kh|c
đang được sử dụng mà không cần cất các nguồn để đ|nh gi| phông. Trong trường hợp
này, phông được đ|nh bằng c|ch đo v{ nội suy từ số đếm phông ở hai bên của đỉnh
phổ. Phần mềm MAESTRO-32 có thể tính số đếm thực (Net Counts) trong vùng ROI
quan t}m. Phương ph|p thường sử dụng 3 kênh đầu và 3 kênh cuối của vùng đỉnh
quan t}m để nội suy và trừ phông. Do vậy vùng ROI quan tâm phải đặt sao cho 3 kênh
đầu và 3 kênh cuối trong vùng phông thấp để trừ phông. Sử dụng diện tích đỉnh thực
khi việc trừ phông được nội suy từ cả hai bên của đỉnh trong phổ. Trong thực hành 3.7,
diện tích đỉnh thực được sử dụng để trừ phông.
1. Đặt nguồn 60Co cách detector khoảng 5 cm v{ đo phổ với thời gian đủ d{i để số
đếm thực (ΣCs – Σb) vào khoảng ít nhất 6.000 số đếm. X|c định (ΣCs – Σb) bằng cách sử
dụng diện tích đỉnh thực của vùng quan tâm ROI. Ghi lại số đếm thực khi không có che
chắn (0 mg/cm2) vào bảng 3.3.
2. Xóa phổ trên MCA, chèn miếng chì mỏng nhất vào giữa nguồn và detector. Đo
phổ trong khoảng thời gian giống như trong bước 1. X|c định (ΣCs – Σb), ghi lại số đếm
thực theo bề dày hấp thụ vào bảng 3.3.
3. Lặp lại phép đo với các bề dày chì khác nhau sao cho bề dày khối không nhỏ
hơn 1.000 mg/cm2 và không lớn hơn 1.600 mg/cm2. Tiếp tục thêm các tấm chì cho đến
khi tổng bề d{y vượt quá 13.200 mg/cm2 hoặc tốc độ đếm giảm xuống dưới 1/4 giá trị
ban đầu khi không có vật liệu hấp thụ.
Chất hấp Bề dày chất hấp thụ

ΣCs – Σb
thụ (mg/cm2)
1 0
2
3
4
5
6
7
Bài tập
a. Vẽ đồ thị cường độ I theo chiều dày chất hấp thụ trên thang logarit, I = (ΣCs – Σb)/thời
gian đo. X|c định giá trị HVL từ đường cong này và tính giá trị µ theo công thức 12. Giá trị
này so với giá trị được chấp nhận 0,105 cm2/g như thế nào?
b. Giá trị µ đối với nhôm ở năng lượng 662 keV là 0,074 cm2/g, mật độ của nhôm
là 2,70 g/cm3. Tính chiều dày hấp thụ một nửa của nhôm theo mật độ khối (mg/cm2)
và theo chiều dày (cm). Tại sao giá trị chiều dày hấp thụ một nửa của nhôm lớn hơn
của chì? Hệ số hấp thụ khối phụ thuộc vào số nguyên tử như thế nào?
4.8.1. Giải thích và các phương trình liên quan
Hình 3.8. Sơ đồ phân rã của 60Co

Trong hầu hết phân rã của 60Co (> 99% ), hạt nh}n ph|t ra β- chuyển thành 60Ni ở
trạng th|i kích thích có năng lượng 2,507 MeV. Sau đó, để trở về trạng th|i cơ bản thì hạt
nhân ph|t ra tia gamma năng lượng 1,174 MeV xuống mức năng lượng 1,3325 MeV rồi
phát gamma với năng lượng 1,325 MeV để trở về trạng th|i cơ bản. Thực hành 19 sẽ
chứng minh rằng hai sự kiện là trùng phùng và phân bố góc chỉ lệch khoảng 16%. Trong
thực hành này, giả định rằng phân bố của c|c tia gamma l{ đẳng hướng. Nói cách khác, nếu
1 bay ra theo một hướng x|c định, 2 có thể bay ra với hướng bất kỳ. Các tia gamma phát
ra từ nguồn l{ đẳng hướng với góc 4  do đó có một xác suất nhất định để 2 đi theo
hướng của 1 . Nếu điều này xảy ra trong khoảng thời gian không phân giải được của
detector, năng lượng 1 và 2 sẽ được tổng hợp trong chất nhấp nh|y. Do đó sẽ xuất hiện
một đỉnh tổng trong phổ. Từ các công thức trong phần 3.6, số đếm của đỉnh 1 là:
1  1 .G. f1t L .A (13)

Trong đó A là hoạt độ của mẫu, tL là thời gian đo, ε1 là hiệu suất nội của đỉnh quang
điện ở năng lượng 1 và f1 là tỉ số phân rã của 1 . Tương tự, số đếm của đỉnh 2 là:
2  2 .G. f2t L .A (14)
Sử dụng các khái niệm cơ bản trong công thức (13) và (14), số đếm đỉnh tổng, Σs
được x|c định như sau:
 s  1 .2G. f1 . f2 .G2 .A.t L .[W( 0o )] (15)
Trong đó W(0o) là hệ số tương quan góc (thực h{nh 16 v{ 17). Trong trường hợp dùng
nguồn 60Co, W(0o)  1,0 và f1  f2  1,0. Công thức (15) được viết lại như sau:
s  1 .2 .G2 .A.t L (16)
4.8.2. Mục đích

X|c định đỉnh tổng có năng lượng 2,507 MeV của 60Co và số đếm đỉnh tổng theo
công thức (16).
1. Lắp đặt hệ điện tử như hình 3.2;
2. Dùng nguồn chuẩn gamma để chuẩn MCA với toàn dải đo v{o ~ 3 MeV. Khi sử
dụng dải biến đổi 1.000 kênh, đỉnh 137Cs (662 keV) xấp xỉ kênh 221.
3. Dựng đường chuẩn như trong phần 3.1.
4. Từ hình 3.7, x|c định đường chuẩn hiệu suất nội của hệ với detector NaI(Tl).
Chú ý khoảng cách từ nguồn đến detector với đường chuẩn n{y. Đặt nguồn 60Co đúng
ở vị trí đo v{ nằm trên trục tinh thể của detector.
5. Đo trong thời gian đủ d{i để thu được đỉnh tổng khoảng 1.000 số đếm. Quá trình
n{y đ~ được nêu trong phần 3.6.
Bài tập
a. Kiểm chứng xem năng lượng của đỉnh tổng có bằng 2,507 MeV không? Lấy diện
tích đỉnh tổng (đ~ trừ phông) và kiểm chứng xem giá trị có phù hợp với kết quả tính
theo công thức 16. Lưu ý một trong hai phương trình (13) v{ (14) sẽ được sử dụng để
x|c định hoạt độ của nguồn sử dụng trong phần 3.6.
b. Lặp lại thực h{nh ph}n tích đỉnh tổng với nguồn 22Na. Sự cạnh tranh của phân
r~ và hiện tượng bắt electron để về trạng th|i kích thích năng lượng 1,274 MeV như
β+
thế nào và ảnh hưởng của ph}n r~ β+ đến quá trình tính thế nào?
Công thức (13), (14), (15) và (16) có thể dùng để x|c định hoạt độ tuyệt đối của
nguồn 60Co. Chia phương trình (15) cho c|c phương trình (13) v{ (14) ta được:
 s

W( 0o )
(17)
 1 2 At L
Bài tập
a. X|c định số đếm thực trong đỉnh năng lượng 1,17 MeV; 1,33 MeV và 2,5 MeV
của nguồn 60Co và sử dụng công thức (17) để tính hoạt độ nguồn. Sử dụng W(0o)  1,0.
Hoạt độ đo được so với giá trị hoạt độ ghi trên nh~n như thế n{o? Lưu ý cần tính hiệu
chỉnh hoạt độ nguồn từ khi sản xuất cho tới thời điểm đo.
b. Đo hoạt độ nguồn 22Na theo c|ch tương tự. Sự cạnh tranh của ph}n r~ β+ và hiện
tượng bắt electron để về trạng th|i kích thích 1,274 MeV như thế nào và ảnh hưởng
của ph}n r~ β+ về trạng th|i cơ bản đến qu| trình tính như thế nào? Hoạt độ đo được
so với giá trị ghi trên nh~n như thế nào?
c. Những ưu v{ nhược điểm khi sử dụng công thức (17) để đo hoạt độ nguồn là gì?
4.9.1. Mục đích

Mục đích của thực hành là nghiên cứu sự hấp thụ quang điện và kiểm chứng sự
phụ thuộc của quá trình này vào nguyên tử số của vật liệu hấp thụ.
4.9.2. Giải thích và các công thức liên quan
Với các tia gamma có năng lượng nhỏ hơn 150 keV tương t|c với vật chất, xác suất
cao là xảy ra tương t|c quang điện. Tia gamma tương t|c với một electron liên kết với
hạt nhân nguyên tử. Thông thường tia gamma bị electron hấp thụ và truyền toàn bộ
năng lượng cho electron. Electron có năng lượng lớn hơn mức năng lượng để duy trì
liên kết với hạt nhân nguyên tử nên electron bay ra khỏi nguyên tử với năng lượng xác
định theo công thức (18):
Ee  E  EB  hv  EB (18)
Trong đó E   hv l{ năng lượng ban đầu của tia gamma, h là hằng số Planck, ν là tần
số dao động của tia gamma và EB l{ năng lượng liên kết của electron với hạt nhân nguyên
tử. Xác suất xảy ra tương t|c quang điện phụ thuộc vào nguyên tử số của vật liệu hấp thụ
v{ năng lượng của tia gamma. Đối với c|c tia gamma năng lượng thấp, xác suất xảy ra hiệu
ứng quang điện như sau:
kZ n
 (19)
E 3
Trong đó k là hằng số tỉ lệ, Z là nguyên tử số và n thường là một số giữa 4 và 5.

Lấy logarit cả hai vế phương trình (19), ta được:
ln(  )  ln( k )  3ln( E  )  nln( Z ) (20)

Trong thực h{nh n{y, năng lượng gamma sẽ là hằng số E  122 keV, còn nguyên
tử số của chất hấp thụ sẽ thay đổi khác nhau.
Do đó c|c hệ số trong dấu ngoặc vuông của phương trình 20 l{ hằng số. Đồ thị hệ
số hấp thụ khối theo số nguyên tử vẽ trên thang lôgarit sẽ là một đường thẳng có độ
dốc bằng n.
Chuẩn bị thí nghiệm giống như phần 4.7:
1. Đặt nguồn 57Co hoạt độ 20 µCi cách mặt detector NaI(Tl) từ 4 đến 10 cm và trên
trục của tinh thể nhấp nh|y. Đo phổ trên MCA trong thời gian 100 gi}y. X|c định tổng
số đếm trong toàn phổ trong khoảng thời gian đo nói trên. Nếu số đếm thu được không
nằm trong giới hạn từ 2.000 đến 8.000 số đếm/gi}y thì thay đổi vị trí nguồn để tốc độ
đếm thu được nằm trong khoảng đó. Rõ r{ng tốc độ đếm cao hơn sẽ rút ngắn thời gian
thực h{nh nhưng tốc độ đếm cao cũng l{m ảnh hưởng xấu tới hoạt động của hệ thống.
Nếu thấy tốc độ đếm cao làm ảnh hưởng đến đỉnh hấp thụ quang điện thì cần giảm tốc
độ đếm để loại bỏ thay đổi của đỉnh. Không nên để khoảng cách từ nguồn tới detector
nhỏ hơn 4 cm.
2. Khi vị trí đặt nguồn được x|c định tối ưu, thu phổ trong thời gian đủ d{i để đỉnh
122 keV có đủ thống kê cần thiết. Giống như trong thực hành 3.7, số đếm thực của
phần diện tích đỉnh phải lớn hơn 10.000.
3. Bảng 3.4 trình bày một số tham số hấp thụ của một số lá kim loại khác nhau dùng
trong thực hành. Sử dụng các giá trị trong bảng 3.4 để x|c định số lá kim loại cần thêm vào
giữa nguồn 57Co và detector để tốc độ đếm giảm đi 2 lần. Một số lá kim loại sẽ không đủ
mỏng hoặc đủ d{y để xấp xỉ với giá trị bề dày hấp thụ một nửa. Trong trường hợp đó thì
chọn bề dày gần bằng với bề dày hấp thụ một nửa.
Bề dày µ ở năng lượng Giá trị bề dày

Lá kim Mật độ
122 keV một nửa
loại inch cm g/cm2 (g/cm3)
(cm2/g) (g/cm2)
Al 0,030 0,0762 0,206 2,70 0,154 4,51
Fe 0,005 0,0127 0,099 7,80 0,272 2,55
Cu 0,010 0,0254 0,226 8,89 0,321 2,16
Mo 0,003 0,0076 0,069 9,00 0,685 1,01
Sn 0,004 0,0102 0,074 7,30 1,020 0,68
Ta 0,005 0,0127 0,211 16,60 2,592 0,27
Pb 0,039 0,0986 1,119 11,35 3,376 0,21
4. Xóa nội dung bộ nhớ MCA. Thêm các lá nhôm vào giữa nguồn và detector để có
được giá trị bề dày hấp thụ một nửa. Đo phổ với thời gian giống như trong bước 1. Từ
sự thay đổi số đếm thực của đỉnh 122 keV theo bề dày tấm hấp thụ đ~ biết, tính hệ số
hấp thụ khối của nhôm.
5. Lặp lại bước 2 đến bước 4 với các tấm hấp thụ mỏng kh|c như Fe, Cu, Mo, Sn, Ta
v{ Pb. Lưu ý thời gian đo phải tăng lên khi nguyên tử số của các tấm hấp thụ tăng lên.
Bài tập
a. Từ số liệu thực nghiệm, vẽ đồ thị biểu diễn µ theo Z trên thang lôgarit (hoặc
dùng phần mềm Excel vẽ đồ thị ln(µ) theo lnZ). Vẽ đường thẳng đi qua c|c điểm thực
nghiệm và tính toán giá trị n trong công thức 19 và 20 từ độ dốc của đường thẳng. So
sánh kết quả thu được với lý thuyết.
b. Giá trị bề dày hấp thụ một nửa không phù hợp ảnh hưởng như thế nào tới phép đo?
4.10.1. Mục đích

Mục đích của thực h{nh l{ để tìm hiểu cách thiết lập mối liên hệ giữa tín hiệu
tương tự và tín hiệu logic khi sử dụng tính năng cổng tuyến tính để chọn lựa các loại sự
kiện hạt nhân cần phân tích. Phần này chỉ giới hạn ở việc chọn lựa các sự kiện trong
đỉnh hấp thụ quang điện.
4.10.2. Thiết lập hệ thống
1. Lắp đặt hệ đo v{ chuẩn năng lượng, sơ đồ hệ đo được lắp đặt như hình 3.9.
NaI(Tl)
Hình 3.9. Sơ đồ khối các thiết bị điện tử của phổ kế gamma với một cổng tuyến tính
2. Tắt nguồn điện khung NIM, lắp khối khuếch đại trễ 427A, khối SCA 551, khối
cổng tuyến tính 426 và khối phát xung cổng 416A vào khung NIM. Bật lại nguồn điện
khung NIM.
3. Lắp đầu BNC chữ T lên INPUT của khuếch đại trễ 427A, một đầu chữ T nối với
lối ra UNIPolar OUTput của khuếch đại 575A bằng một đoạn ngắn c|p đồng trục 93  .
Nối đầu còn lại của chữ T với lối vào DC INPUT của khối SCA 551 bằng một đoạn ngắn
c|p đồng trục 93  .
4. Sử dụng một đoạn ngắn cáp 93  , nối OUTPUT của khối 427A đến analog
INPUT của khối 426.
5. Nối POSitive OUTPUT của khối 551 vào POSitive INPUT của khối 416A bằng
một đoạn ngắn cáp 93  .
6. Sử dụng một đoạn ngắn cáp 93  , nối POSitive DELAYED OUTPUT của khối
416A vào ENABLE của khối cổng tuyến tính426.
7. Nối analog OUTPUT của cổng tuyến tính 426 vào analog INPUT của MCA.
8. Đảm bảo công tắc ở mặt sau của khối 551 đều được đặt ở vị trí Internal.
9. Ở mặt trước của khối 551, đặt chuyển mạch µsec trong dải từ 0,1 ÷ 1,1 µsec và
bật DELAY sang giá trị nhỏ nhất.
10. Trên khối 551, đặt chuyển mạch INT/NOR/WIN ở chế độ NORmal.
11. Trên khối 551, đặt LOWER LEVEL ở 50 mV (5/1.000). Đặt UPPER LEVEL ở 10 V
(1.000/1.000).
12. Trên khối 416A, đặt DELAY ở giá trị nhỏ nhất và dải trễ dưới 1,1 µs.
4.10.3. Các điều chỉnh ban đầu
1. Th|o đầu nối BNC chữ T với INPUT của khối 427A và gắn vào một đầu nối BNC
100  . Đo điện thế DC ở OUTPUT của khối 427A. Sử dụng tuốc nơ vít tinh chỉnh, chỉnh
DC ADJ trên 427A để chỉnh mức DC về gần với 0 V nếu có thể (thường trong khoảng từ
±10 mV). Lưu ý việc chỉnh DC về không ở lối ra 575A, 427A và 426 sẽ ảnh hưởng đến
điểm cắt không của đường chuẩn năng lượng của MCA.
2. Th|o đầu BNC 100  ra khỏi chữ T, nối lại chữ T với INPUT của khối 427A.
Kiểm tra xem c|p đồng trục gắn đầu nối T có nối với UNIpolar OUTPUT của khối 575A
và DC INPUT của khối 551 không.
3. Đặt nguồn 137Cs hoạt độ 1 µCi vào vị trí đo c|ch mặt trước tinh thể nhấp nháy
vài cm.
4. Quan sát lối ra POSitive DELAYED OUTPUT của khối 416A trên kênh 1 của dao
động ký. Nếu tín hiệu logic không xuất hiện, nâng LOWER LEVEL lên từ từ cho đến khi
xung logic xuất hiện. Nếu không thấy tín hiệu, kiểm tra lại các dây nối và hệ thống.
5. Sử dụng điều khiển AMPLITUDE trên khối 416A, điều chỉnh POSitive DELAYED
OUTPUT để chiều cao xung vào khoảng +5 V.
6. Lưu ý độ rộng xung ra của lối ra 416A sẽ được điều chỉnh ở c|c bước tiếp theo
trong thực hành.
4.10.4. Liên kết tín hiệu tương tự và tín hiệu logic

1. Giữ nguyên quan sát tín hiệu lối ra khối 416A trên kênh 1 của dao động ký, nối
OUTPUT của khối 427A với kênh hai của dao động ký.
2. Sử dụng nút DELAY trên khối 427A, tăng gi| trị trễ cho đến khi tín hiệu tương
tự từ OUTPUT của khối 427A xuất hiện sau tín hiệu logic từ khối 416A. Với thực hành
này, giá trị trễ trong khoảng từ 1,5 đến 2,0 µs. Giải thích: xung logic từ khối SCA 551
được tạo ra từ sườn sau của xung tương tự khi xung này giảm xuống còn 50% biên độ
tín hiệu cực đại. Do vậy giá trị trễ cần phải bằng thời gian từ khi bắt đầu xung tương tự
đến điểm xung tương tự giảm còn 50% biên độ cực đại.
3. Tinh chỉnh khối DELAY 427A để c|c xung tương tự bắt đầu tăng từ đường cơ sở
sau xung logic từ khối 416A xuất hiện 0,25 đến 0,5 µs.
4. Nối lại OUTPUT của khối 427A với analog INPUT của khối cổng tuyến tính 426.
Nối lại POSitive DELAY OUTPUT của khối 416A với ENABLE của khối 426.
5. Đặt chuyển mạch PULSE INHIBIT/NORM/DC INHIBIT trên khối 426 sang NORM.
6. Quan sát OUTPUT của khối cổng tuyến tính 426 trên dao động ký. Tùy thuộc
vào sự điều chỉnh GATE WIDTH của khối 426, tất cả hoặc một phần của tín hiệu tương
tự phải quan sát được.
7. Điều chỉnh độ rộng xung mở cổng (GATE WIDTH) trên khối 426 để thấy rằng
tín hiệu xung tương tự truyền qua cổng tuyến tính một phần hay toàn bộ phụ thuộc
vào giá trị này.
8. Thay đổi giá trị trễ (DELAY) trên khối 416A để thấy sự phụ thuộc của c|c sườn
của xung tương tự khi truyền qua cổng tuyến tính vào giá trị này.
9. Kiểm tra lại xem chức năng DELAY trên khối SCA 551 có giống với chức năng
DELAY trên khối 416A không.
10. Điều chỉnh GATE WIDTH trên khối 426 để tất cả tín hiệu tương tự truyền qua
cổng tuyến tính và không có tín hiệu nào khác truyền qua ở phía trước v{ sau. Để xác
định vị trí sườn tăng của xung tương tự, cần phải chỉnh DELAY của khối 427A và khối
416A hoặc của khối 551.
11. Ghi lại các giá trị trễ được chọn cuối cùng trên nút DELAY của các khối 427A,
khối 551 và khối 416A.
4.10.5. Đáp ứng biên độ xung đi qua cổng tuyến tính
1. Nối linear OUTPUT của cổng tuyến tính 426 vào analog INPUT của MCA.
2. Từ chương trình MAESTRO-32, kiểm tra để chắc chắn rằng tính năng Gate của
MCA đang được tắt.
3. Đo phổ trên MCA đủ l}u để x|c định chất lượng các phần của phổ. Phải nhìn
thấy được cả nền phông Compton liên tục v{ đỉnh quang điện của nguồn 137Cs. Lưu ý:
việc bù DC của đường cơ sở giữa các xung có thể l{m thay đổi đ|ng kể tín hiệu lối vào
của MCA, nó ảnh hưởng đến việc tối ưu ngưỡng dưới của MCA. Nếu thời gian chết cao
bất thường ngay cả khi không có nguồn phóng xạ, thì tăng ngưỡng dưới cho đến khi
thời gian chết nhỏ hơn 1%. Không nên lo lắng về ngưỡng n{y đối với các mục đích còn
lại của thực hành này.
4. Lưu phổ, ghi lại các giá trị UPPER và LOWER LEVEL của SCA cho phổ này.
5. Xóa phổ, bắt đầu đo phổ mới trong khi tăng LOWER LEVEL trên khối SCA 551.
Tăng LOWER LEVEL cho đến khi tất cả năng lượng phía dưới đỉnh quang điện không
xuất hiện trong phổ. Qu| trình n{y đòi hỏi việc xóa phổ, đo v{ quan s|t được lặp lại mỗi
khi tăng ngưỡng.
6. Giảm UPPER LEVEL trên khối SCA 551 cho đến khi tất cả c|c xung có biên độ lớn
hơn xung tương ứng đỉnh hấp thụ quang điện không xuất hiện trên phổ.
7. Lưu phổ chứa đỉnh quang điện, ghi lại các giá trị UPPER và LOWER LEVEL cho
phổ này.
Bài tập
a. Với các khối điện tử thêm vào, có ít nhất hai hệ số có thể đ~ l{m thay đổi đường
chuẩn năng lượng của phổ trong thí nghiệm. Các hệ số đó l{ gì?
4.10.6. Thay cổng tuyến tính 426 bằng cổng tuyến tính MCA
Hiện nay, các khối cổng tuyến tính rời ít được sử dụng trong c|c phép đo hạt
nhân bởi vì hầu như tất cả các khối MCA thương mại đều có tích hợp sẵn cổng tuyến
tính. Việc điều khiển cổng tuyến tính tích hợp v{o MCA cũng rất đơn giản và thuận
tiện. Các thực hành trong phần trước đ~ cho thấy chức năng v{ hoạt động của khối
cổng tuyến tính. Phần tiếp theo ta sẽ thực h{nh để sử dụng một cổng tuyến tính
được tích hợp vào MCA.
Mục đích của MCA l{ để đo chiều cao cực đại của xung tương tự, nó sẽ tự động
đóng cổng tuyến tính sau khi thu được biên độ đỉnh của xung. Do vậy, xung logic không
cần kéo d{i thêm sau đỉnh của xung tương tự. Các MCA khác nhau có những yêu cầu
khác nhau về thời điểm xung logic phải xuất hiện so với thời điểm bắt đầu của xung
tương tự. Một vài thiết kế đòi hỏi xung logic đến sớm hơn một chút trước khi bắt đầu
xung tương tự. Các yêu cầu đơn giản khác là xung logic phải có mặt ở thời điểm thu
được biên độ đỉnh của xung tương tự. Dưới đ}y l{ c|c thiết lập để sử dụng cổng tuyến
tính của Easy-MCA.
1. Bắt đầu với sơ đồ trong thực hành 3.10.5, tháo khối cổng tuyến tính 426 ra khỏi
hệ thống.
2. Nối OUTPUT của khối khuếch đại trễ 427A đến analog INPUT của Easy-MCA.
3. Nối POSitive DELAY OUTput với lối vào GATE của Easy-MCA.
4. Vặn WIDTH của khối 416A theo chiều kim đồng hồ đến vị trí giới hạn (4 µs).
5. Từ phần mềm MAESTRO-32, kiểm tra để đảm bảo Gate của ADC đang được tắt.
6. Đo và kiểm tra để thu được đầy đủ các thành phần của phổ gồm tán xạ Copmton
v{ đỉnh hấp thụ toàn phần. Lưu phổ để l{m b|o c|o. Lưu ý: nếu chỉnh DC của đường cơ
bản giữa các khối thì có thể l{m thay đổi đ|ng kể tín hiệu lối vào của MCA, do đó
ngưỡng dưới của MCA cần phải được chỉnh lại tối ưu. Nếu thời gian chết cao bất
thường ngay cả khi không có nguồn phóng xạ thì tăng ngưỡng dưới cho đến khi thời
gian chết nhỏ hơn 1%. Không nên lo lắng về ngưỡng n{y đối với các phần còn lại của
thực hành.
7. Trên phần mềm MAESTRO-32 chọn chức năng Coincidence Gate (cổng trùng
phùng). Chế độ này cho phép chỉ thu những xung tương tự đi kèm với xung logic ở lối
vào GATE của MCA.
8. Đo phổ, nếu các tham số trên khối 551 vẫn được giữ nguyên như thực h{nh trước
thì phổ chỉ có một mình đỉnh quang điện của 137Cs, tất cả các sự kiện phía trên v{ dưới
đỉnh quang điện được loại trừ khỏi phổ. Lưu phổ để làm báo cáo.
9. Tăng DELAY của một trong hai khối 551 hoặc 416A cho đến khi MCA không còn
thu được phổ. Giảm DELAY cho đến khi MCA thu được phổ đ|ng tin cậy. Ghi lại giá trị
trễ vừa thiết lập.
10. Giảm WIDTH trên khối 416A cho đến khi MCA không còn thu được phổ. Tăng
WIDTH cho đến khi MCA thu được phổ đ|ng tin cậy.
11. Giảm LOWER LEVEL trên khối 551 xuống 100 mV (10/100) v{ tăng UPPER
LEVEL lên 10 V (1.000/1.000).
12. Lặp lại c|c bước 9 và 10.
13. Quan sát tín hiệu tương tự từ khối 427A trên kênh 1 của dao động ký. Chọn
đồng bộ dương v{ trigger với ngưỡng cao hơn tạp }m trên đường cơ sở.
14. Quan sát xung ở POSitive DELAYED OUTput của khối 416A trên kênh 2 của
dao động ký.
Bài tập
Vẽ giản đồ biểu diễn mối liên hệ giữa xung logic v{ xung tương tự theo thời gian.
Nếu đặc trưng thời gian yêu cầu của cổng tuyến tính MCA chưa được biết, có thể sử
dụng c|c bước trên để x|c định c|c đặc trưng n{y. Mặt kh|c, đ}y cũng l{ c|ch an to{n
thường được sử dụng để điều chỉnh các xung logic mở cổng để khởi phát chọn các
xung tương tự.
1. G. F. Knoll, Radiation Detection and Measurement, John Wiiley and Sons, New
York (1979).
2. J. B. Birks, The theory and Practice of Scintillation Counting, Pergammon Press,
Oxford (1964).
3. S. M. Shafroth, Ed., Scintillation Spectroscopy of Gamma Radiation, Gordon and
Breach, London (1967).
4. K. Siegbahn, Ed., Alpha, Bêta and Gamma Spectroscopy, North Holland Publishing
Co., Amsterdam (1968).
5. P. Quittner, Gamma Ray Spectroscopy, Halsted Press, New York (1972).
6. W. Mann and S. Garfinkel, Radioactivity and its Measurement, Van Nostrand-
Reinhold, New York (1966).
7. C. M. Lederer and V. S., Shirley, Eds., Table of Isotopes, 7th Edition, John Wiley and
8. Radiological Health Handbook, U.S. Dept. of Health, Education,and Welfare, PHS
Publ. 2016. Available from National Technical Information Service, U.S. Dept. Of
Commerce, Springfield, Virginia.
9. 14th Scintillation and Semiconductor Counter Symposium, IEEE Trans. Nucl. Sci.
NS-22(1) (1975).
10. R. L. Heath, Scintillation Spectrometry, Gamma-Ray Spectrum Catalog, 1 and 2, Report
No. IDO-16880. Available from the National Technical Information Center, U. S. Dept.
of Commerce, Springfield, Virginia. Electronic copy available at
http://www.inl.gov/gammaray/catalogs/catalogs.shtml.
11. Ron Jenkins, R. W. Gould, and Dale Gedcke, Quantitative X-ray Spectrometry,
Marcel Dekker, Inc., New York, 1981.
12. Introduction to Amplifiers at http://www.ortec-online.com/Solutions/modular-
electronic-instruments.aspx.
13. Introduction to CAMAC ADCs and Memories at http://www.ortec-

online.com/Solutions/modular-electronic-instruments.aspx.
14. Dale Gedcke, Application Note AN63, Simply Managing Dead Time Errors in
Gamma-Ray Spectrometry, http://www.orteconline.com/Solutions/modular-
electronic-instruments.aspx.
15. J. H. Hubbell and S. M. Seltzer, Tables of X-Ray Mass Attenuation Coefficients and
Mass Energy-Absorption Coefficients from 1 keV to 20 MeV for Elements Z = 1 to
92 and 48 Additional Substances of Dosimetric Interest, NISTIR 5632, 1996,
http://www.nist.gov/physlab/data/xraycoef/index.cfm.
16. A. C. Melissinos, Experiments in Modern Physics, Academic Press, New York (1966).
17. R. D. Evans, The Atomic Nucleus, McGraw-Hill, New York (1955).
68
PHỔ KẾ ALPHA VÀ DETECTOR HẠT MANG ĐIỆN Si
Thực hành giúp học viên làm quen với việc sử dụng detector hạt mang điện Si và
tìm hiểu một vài tính chất của c|c đồng vị phóng xạ phát alpha. Cần 6 giờ để hoàn
thành bài thực hành số 4. Tài liệu này trình bày vắn tắt để có thể tiến hành các thực
hành trong khoảng 3 giờ làm việc ở phòng thí nghiệm. Một số phần có thể bỏ qua nếu
thời gian sử dụng thiết bị không cho phép.
- Detector ULTRA™ model BU-014-050-100;

- Tiền khuếch đại 142A;
- Khung NIM và nguồn nuôi 4001A/4002D;
- Buồng chân không 807;
- Khối Easy-MCA-8K, cáp USB và phần mềm MAESTRO-32 (hoặc có thể dùng các
loại MCA khác của ORTEC);
+ 01 c|p đồng trục C-36-12 RG-59A/U75Ω đầu nối SHV, dài 3,7 m;
+ 01 c|p đồng trục C-24-1/2 RG-62A/U93Ω đầu nối BNC, dài 15 cm;
+ 02 c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93Ω đầu nối BNC, dài 1,2 cm;
+ 02 c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93Ω đầu nối BNC, dài 3,7 m;
+ 01 đầu nối chữ T C-29 BNC.
- Bơm ch}n không di động ALPHA-PPS-230;
Bài thực hành số 4: Phổ kế Alpha và Detector hät mang điện Si 69
- Máy tính cá nhân có cổng USB và hệ điều hành Window hỗ trợ cài phần mềm
MAESTRO-32 và nối với m|y in tương thích để in phổ thu được từ phần mềm
MAESTRO-32;
- Dao động ký với tần số ≥150 MHz, ví dụ: Tektronix Model TDS3032C;
- Bộ nguồn Alpha AF200 (bao gồm 241Am 0,1 μCi; 228Th 0,01 μCi v{ 230Th 0,01 μCi);
- Nguồn Alpha AF-244-A2-0.1 (244Cm 0,1 μCi). C|c nguồn cần có giấy phép sử dụng;
Các detector hạt mang điện dùng tinh thể bán dẫn đ~ được sử dụng rộng rãi trong
nghiên cứu hạt nhân thực nghiệm từ đầu những năm 1960. Loại detector n{y đ~ thay
đổi hoàn toàn cách ghi nhận bức xạ. Sự phát triển của công nghệ sản xuất các tấm Si có
độ tinh khiết cao đ~ được ứng dụng để chế tạo các bóng bán dẫn Si. So với các detector
nhấp nháy, ống đếm tỷ lệ, hay buồng ion hóa đ~ được sử dụng trước đ}y, detector hạt
mang điện Si có độ phân giải năng lượng tốt hơn, độ bền cao hơn v{ kích thước nhỏ
gọn hơn. Tiếp sau thành công của detector hạt mang điện bán dẫn Si, các detector
gamma sử dụng tinh thể Ge cũng bắt đầu được chế tạo. Đồng thời với đó, c|c detector
bán dẫn Si(Li) dùng trong đo phổ tia X cũng được phát triển. Độ phân giải năng lượng
tốt là yếu tố quan trọng giúp các detector bán dẫn dần trở nên phổ biến. Khi tương t|c
với cùng một hạt mang năng lượng E, detector bán dẫn tạo ra được nhiều cặp electron-
lỗ trống hơn so với số cặp electron-ion trong ống đếm chứa khí. Do vậy, độ thăng gi|ng
thống kê của số hạt tích điện được tạo thành trong detector bán dẫn sẽ nhỏ hơn nên
độ phân giải năng lượng sẽ tốt hơn.
Các detector bán dẫn đo photon sẽ được trình bày trong các thực hành khác. Thực hành
này tập trung vào tìm hiểu detector bán dẫn Si và ứng dụng của nó trong đo phổ alpha.
Dải năng lượng có thể đo của các detector bán dẫn ghi hạt mang điện là rất rộng, từ
c|c electron có năng lượng 20 keV đến các ion nặng có năng lượng tới 200 MeV. Hiện nay,
chỉ có các phổ kế từ mới có độ phân giải năng lượng tốt hơn so với các detector bán dẫn
cấy ion hoặc hàng rào mặt. Xung lối ra của detector có mặt tăng nhanh. Do vậy, chúng thích
hợp trong các ứng dụng xử lý thời gian nhanh (~1 ns) như trùng phùng hoặc biến đổi thời
gian th{nh biên độ (TAC).
Hiệu suất của các detector bán dẫn ghi hạt mang điện trong thể tích vùng hoạt của
nó gần như bằng 100%, đường biểu diễn tương quan năng lượng với độ cao xung
tuyến tính trong dải rất rộng. Ngoài ra giá thành của các loại detector n{y tương đối rẻ
nên chúng cũng thường được sử dụng trong đ{o tạo.
Nguyên tắc làm việc của detector

Về nguyên tắc, detector Si ghi hạt mang điện là một điôt b|n dẫn lớn với cửa sổ rất
mỏng để cho phép hạt mang điện đi v{o ở mặt trước với lượng năng lượng bị mất ít
nhất (năng lượng bị cửa sổ hấp thụ). Bằng cách phân cực ngược cho điôt, c|c hạt mang
điện tự do bị dịch ra khỏi vùng nhạy của điốt. Độ sâu của vùng điện tích tự do n{y được
gọi l{ độ sâu vùng nghèo. Bảng số liệu đi kèm với detector sẽ cho biết giá trị điện thế
ngược cần cung cấp để đạt được độ sâu vùng nghèo mong muốn. Nếu điện thế thấp, độ
sâu vùng nghèo của detector nhỏ. Bởi vì hai điện cực ở hai mặt detector tạo thành hai
cực của một tụ điện, do đó dung kh|ng của detector sẽ tỷ lệ nghịch với độ sâu vùng
nghèo. Để đạt được độ phân giải năng lượng và tỷ số tín hiệu trên tạp âm tốt nhất, điện
dung của detector v{ điện dung của tiền khuếch đại phải được giảm đến mức tối đa.
Xem bảng số liệu của tiền khuếch đại ORTEC 124A/B/C để biết thêm thông tin (tài liệu
tham khảo 9).
Khi một hạt mang điện, ví dụ như hạt alpha, đi v{o detector, nó sẽ mất một phần
nhỏ năng lượng trong cửa sổ mỏng của detector. Phần lớn năng lượng của nó sẽ tiêu
hao trong vùng nghèo của detector để ion hóa các nguyên tử Si. Số cặp electron–lỗ
trống được tạo ra trong detector Si do quá trình này sẽ tỷ lệ với năng lượng của hạt
alpha đi v{o. C|c điện tích tự do được tạo ra từ quá trình ion hóa sẽ di chuyển về các
điện cực v{ được tích vào một tụ phản hồi nhỏ của tiền khuếch đại. Xung lối ra của tiền
khuếch đại sẽ có thời gian tăng từ 1 đến 100 ns v{ biên độ phụ thuộc v{o lượng điện
tích thu thập được v{ độ lớn của tụ phản hồi. Như vậy biên độ của xung sẽ tỷ lệ với
năng lượng của hạt alpha đ~ được ghi nhận.
Sau khi tăng đến cực đại, xung lối ra của tiền khuếch đại sẽ giảm dần về 0 V theo
quy luật của h{m e mũ với hằng số thời gian cỡ 50 s. Khối khuếch đại sẽ xử lý tín hiệu
từ tiền khuếch đại bằng c|ch đưa qua c|c bộ lọc tần số thấp và bộ lọc tần số cao để cải
thiện tỷ số tín hiệu trên tạp âm và giới hạn thời gian kéo dài của mỗi xung. Đồng thời,
khối khuếch đại cũng khuếch đại biên độ xung với hệ số khuếch đại có thể thay đổi
được sao cho độ cao xung nằm trong dải yêu cầu của khối ph}n tích biên độ xung đa
kênh. Ở lối ra của khuếch đại, độ cao xung vẫn tỷ lệ với năng lượng của hạt alpha được
ghi nhận. Nhiệm vụ của khối ph}n tích đa kênh l{ sắp xếp c|c xung theo biên độ thành
một biểu đồ tần suất. Biểu đồ này biểu diễn phổ của hạt alpha.
Để biết thêm thông tin chi tiết về khối ph}n tích biên độ đa kênh, xem phần mô tả
trong thư viện các bài thực h{nh cho đ{o tạo (www.ortec-online.com/ Solutions/
educational.aspx).
Các loại các detector Si ghi hạt mang điện
Ban đầu, detector bán dẫn Si sử dụng tiếp xúc hàng rào mặt để tạo ra liên kết điốt
trên bề mặt trước của detector. Bề mặt n{y thường tạo ra bằng cách phun một lớp
vàng mỏng (bốc bay) lên trên một lớp oxít silic mỏng ở trên bề mặt của tấm Si.
Tiếp xúc này rất mỏng do đó không được chạm vào nó. Việc chạm nhẹ ngón tay lên
trên bề mặt v{ng l{ đủ để phá hủy c|c đặc trưng điốt của detector. Khi công nghệ cấy
ion đ~ được phát triển, lớp tiếp xúc phía trước bền hơn do được tạo ra bằng cách cấy
các nguyên tử boron tới một độ s}u được kiểm soát trong tấm Si. Quá trình cấy tương
tự với loại ion kh|c được sử dụng để tạo ra tiếp xúc ở mặt sau. Mặc dù cửa sổ do cấy
ion có thể được làm sạch bằng cồn và vải bằng sợi tổng hợp sạch nhưng vẫn phải tránh
để bề mặt trước bị trầy sước do các hạt bụi. Tiếp xúc phía trước có độ dày khoảng
500 Å, do đó một vết sước nhỏ sẽ làm cho lớp tiếp xúc bị hỏng.
Các detector dùng công nghệ nuôi cấy ion có ưu điểm là dòng rò nhỏ, do đó
nhiễu điện tử nhỏ hơn khi thời gian hình th{nh xung d{i hơn. C|c detector hàng rào
mặt thường làm việc với giá trị hằng số thời gian vào khoảng 0,5 s trong khi các
detector Si dùng công nghệ nuôi cấy ion thường phải đặt thời gian hình thành xung
vào khoảng 1 s.
Các tham số quan trọng của detector
Ba tham số chính cần quan t}m khi đ|nh gi| một detector hạt mang điện l{: độ phân
giải năng lượng, diện tích vùng hoạt v{ độ sâu vùng nghèo. Mã số ghi trên các detector sẽ
cho biết thông tin về ba tham số nói trên. Ví dụ detector BU-014-050-100 được sử dụng
trong thực hành này là detector ULTRATM (nuôi cấy ion), có độ phân giải năng lượng
(FWHM) < 14 keV khi đo với nguồn alpha 241Am, diện tích vùng hoạt 50 mm2 v{ độ sâu
vùng nghèo cực tiểu là 100 m. Chữ c|i “B” cho biết detector dùng kết nối Microdot đặt ở
tâm trên mặt sau của detector, chữ c|i “U” cho biết cấu trúc của detector là nuôi cấy ion
ULTRA. Ðộ phân giải năng lượng của một detector được ORTEC cung cấp cho khách
hàng là một thông số để đ|nh gi| chất lượng của detector. Giá trị độ phân giải nói trên
chỉ có thể đo được với một bộ hoàn chỉnh các khối điện tử đ~ được chuẩn. Độ phân giải
danh định được đo với các khối điện tử tiêu chuẩn của ORTEC. Độ phân giải 20 keV hoặc
tốt hơn l{ thích hợp cho tất cả các phần của thực hành 4.
Với các detector bán dẫn đo gamma, tương quan giữa độ phân giải v{ năng lượng
của tia gamma tới có thể được mô tả bằng các mô hình toán học tương đối đơn giản.
Tuy nhiên, các phổ kế hạt mang điện sử dụng các detector bán dẫn Si thì phức tạp hơn
rất nhiều và không thể mô tả độ phân giải theo năng lượng của hệ bằng một mô hình
toán học đơn giản. Xem thêm chương 2 v{ 11 trong t{i liệu tham khảo số 1 để biết
thêm chi tiết. Tuy nhiên, có thể liệt kê ra c|c nguyên lý để đạt được độ phân giải tối ưu.
Đó l{:
 Giảm tối đa c|c vật liệu có thể gây ra sự mất năng lượng của hạt alpha trong quá
trình di chuyển của hạt tới detector.
 Giảm tối đa sự biến thiên góc tới của hạt alpha đi v{o detector.
 Lựa chọn detector có bề dày lớp chết mỏng và dòng rò nhỏ.
 Sử dụng hằng số tạo dạng xung tối ưu cho tiền khuếch đại.
 Tránh sự nhiễm bẩn cửa sổ detector.
 Tr|nh c|c hư hại do tiếp xúc ở mặt trước của detector.
Thông thường, detector thường có dạng đĩa trụ, thể tích vùng hoạt của nó được
x|c định bằng đường kính bề mặt của detector. Ở khoảng cách nguồn bất kỳ so với
detector, diện tích lớn sẽ tạo ra góc nhìn lớn v{ do đó số lượng hạt alpha đi v{o
detector sẽ nhiều hơn. Detector có diện tích 50 mm2 được đề xuất cho thực hành. Tuy
nhiên, mọi detector có diện tích từ 25 đến 100 mm2 đều có thể sử dụng được.
Độ s}u vùng nghèo v{ độ sâu vùng hoạt của detector là hai khái niệm tương
đương. Với mọi thí nghiệm, độ sâu này cần phải đủ để dừng toàn bộ các hạt mang điện
cần đo. Độ sâu sẽ phụ thuộc v{o năng lượng và loại bức xạ cần đo. Hình 4.1 l{ đường
biểu diễn tương quan giữa độ sâu vùng hoạt theo năng lượng của năm loại hạt mang
điện phổ biến. Từ đồ thị n{y, độ sâu vùng nghèo cực tiểu theo năng lượng cực đại của
một loại hạt có thể được x|c định. Từ hình 4.1, có thể thấy hạt alpha năng lượng 5,5 MeV
sẽ bị hãm hoàn toàn trong lớp Si dày 27 m. Do năng lượng hạt alpha của c|c đồng vị
tự nhiên thường nhỏ hơn 8 MeV nên detector với độ sâu vùng nghèo khoảng 50 m là
đủ để hãm tất cả các hạt alpha từ nguồn đồng vị tự nhiên.
Hình 4.1. Các đường biểu diễn sự phụ thuộc quãng chạy theo năng lượng
của hạt mang điện trong tinh thể Si (số liệu từ tài liệu tham khảo số 10)
Với các detector Si nuôi cấy ion, lớp tiếp xúc phía trước do cấy boron sẽ tạo ra một
lớp chết có bề dày xấp xỉ 500 Å. Hạt alpha khi đi qua lớp chết này sẽ bị mất một phần
năng lượng do ion hóa nguyên tử lớp chết, vì vậy năng lượng hạt alpha đo được sẽ nhỏ
hơn năng lượng thực của hạt alpha một lượng bằng lượng năng lượng hạt alpha tiêu
hao khi đi qua cửa sổ.
Hình 4.2 minh họa cho độ suy giảm năng lượng các hạt mang điện của các detector
hạt mang điện Ge và Si. Công suất h~m trên đồ thị có đơn vị là , trong đó ρ l{ mật độ
của Si (2,33 g/cm3) v{ dE l{ lượng năng lượng bị mất; năng lượng n{y tăng khi chiều
dài dx tăng. Ví dụ, hạt alpha 5 MeV khi đi qua lớp chết dày 500 Å của detector hạt mang
điện nuôi cấy ion sẽ bị mất năng lượng khoảng 7 keV. Chú ý rằng tốc độ mất năng
lượng thay đổi theo năng lượng của hạt alpha. Xem tài liệu tham khảo 1-4, 7 và 8.
Hình 4.2. Tương quan giữa độ suy giảm năng lượng và năng lượng của proton,
deuteron và alpha trong Si và Ge
Dòng rò của detector
Một trong c|c lý do để lựa chọn detector nuôi cấy ion thay thế cho detector hàng rào
mặt là dòng rò của detector nuôi cấy ion nhỏ hơn. C|c detector hàng rào mặt luôn phải bù
sự sụt áp do dòng rò khi cấp cao thế. Có một điện trở 100 M ở giữa lối vào cao thế và
lối vào tiền khuếch đại (với tiền khuếch đại 142A). Điện trở này có chức năng lọc bỏ các
nhiễu tần số cao từ nguồn cấp cao thế và cho phép tất cả c|c điện tích đi ra từ detector có
thể tới lối vào của tiền khuếch đại.
Các detector hàng rào mặt có dòng rò khoảng 50 nA. Dòng rò lớn như vậy sẽ gây
ra sự sụt thế khoảng 5 V khi đi qua điện trở 100 M. Như vậy, cần phải tăng gi| trị cao thế
cấp cho detector lên 5 V so với giá trị danh định thì mới có thể đạt tới cao thế hoạt
động tối ưu cho detector. Đ}y l{ một sự điều chỉnh đ|ng kể vì cao thế của detector
thường chỉ nằm trong dải từ 50 V đến 100 V.
Với các detector Si nuôi cấy ion, dòng rò thường có độ lớn khoảng 1 nA ở nhiệt độ
phòng. Khi nhiệt độ tăng lên 7 độ thì dòng rò lại tăng lên hai lần. Dòng rò nhỏ sẽ tạo ra
sự sụt thế ở bậc độ lớn khoảng 0,1 V khi đi qua điện trở 100 M. Do vậy, với các
detector nuôi cấy ion, thường không cần quan t}m đến hiệu ứng sụt thế do dòng rò.
Chú ý: Các nguồn alpha đều có nguy cơ g}y nhiễm bẩn phóng xạ. Không bao giờ
được chạm ngón tay của bạn vào bề mặt của nguồn. Phần lớn các nguồn alpha đều
được chế tạo bằng phương ph|p điện phân lên trên bề mặt c|c đĩa platium. Nguồn phóng
xạ thường có đường kính khoảng 1 mm và nằm ở tâm của đĩa. Nếu nhìn kỹ, có thể thấy
được lớp phóng xạ này. LUÔN LUÔN cầm nguồn phóng xạ alpha ở các cạnh của đĩa.
Các hạt alpha dễ dàng bị mất năng lượng trong các lớp vật liệu mỏng, do đó vật
liệu để đặt nguồn alpha phải rất mỏng. Ngoài ra, nguồn alpha sẽ không có cửa sổ, hoặc
nếu có thì là cửa sổ rất mỏng. Năng lượng hạt alpha bị mất khi đi qua cửa sổ hoặc vật
liệu để đặt nguồn do đó sẽ làm giảm năng lượng đo được của hạt alpha, sự biến thiên
do năng lượng bị mất sẽ làm tồi độ phân giải năng lượng của kết quả đo. Sự nhiễm bẩn
trên bề mặt của nguồn cũng sẽ đóng góp v{o sự mất năng lượng không mong muốn và
do đó cũng l{m tồi độ phân giải của đỉnh. Như vậy, nguồn phải luôn được chứa trong
côngtenơ bảo vệ khi không sử dụng. Các nguồn không có cửa sổ bảo vệ sẽ có nguy cơ
rò rỉ chất phóng xạ ra môi trường. Sản phẩm phân rã của một số đồng vị phát alpha tự
nhiên có thể ở dạng khí (ví dụ radon), khí này vẫn là chất phóng xạ và có thể thoát ra
khỏi nguồn gây ra sự nhiễm bẩn phóng xạ cho môi trường.
Sự rò rỉ vật liệu phát phóng xạ ra môi trường và nhiễm bẩn do bụi lên trên bề mặt
nguồn là nguyên nhân khiến các nhà sản xuất thường đề nghị thay thế nguồn alpha sau
hai năm.
Thông tin bổ sung có thể tra cứu trong tài liệu tham khảo số 10.

Ghép nối các khối điện tử:
1. Bố trí các thiết bị như trong Hình 4.3, dùng buồng chân không 807 nối với bơm
chân không ALPHA-PPS-230 qua vòi hút chân không.
2. Đảm bảo rằng detector hạt mang điện ULTRA BU-014-050-100 đ~ được gắn vào
nắp của buồng chân không.
3. Để giảm thiểu tối đa dung kh|ng trên lối vào của tiền khuếch đại, cần nối lối ra
của detector với lối vào của tiền khuếch đại 142A bằng c|p đồng trục 93  ngắn nhất
có thể (C-24-1/2).
4. Đặt SHAPING TIME của khối khuếch đại 575A ở giá trị 1,5 s.
5. Tắt nguồn của bộ cấp nguồn và khung NIM 4001A/4002D, gắn khối phát xung
480, khối cao thế 428 và khối khuếch đại 575A vào khung NIM.
6. Nối cáp cấp nguồn cho khối tiền khuếch đại 142A với giắc PREAMP POWER ở
mặt sau của khối khuếch đại 575A.
7. Sử dụng c|p đồng trục 93  dài 3,7 m, nối lối ra OUTPUT “E” của tiền khuếch
đại với lối vào INPUT của khối khuếch đại 575A. Chọn cực tính (Polarity) cho lối vào
của khối 575A ở vị trí POS (dương).
8. Trên khối cao thế 428, vặn núm điều khiển cao thế về giá trị cực tiểu. Chuyển
công tắc POS/OFF/NEG về vị trí OFF.
Hình 4.3. Hệ phổ kế alpha

9. Nối A OUTPUT của 428 với lối vào BIAS trên khối tiền khuếch đại 142A, sử dụng
cáp C-36-12 với đầu nối SHV.
10. Sử dụng c|p đồng trục 93  dài 3,7 m, nối ATTENuated OUTPUT của khối phát
xung 480 với lối vào TEST của khối tiền khuếch đại 142A. Đảm bảo rằng điện trở chống
phản xạ sóng 100  đ~ được gắn với DIRECT OUTPUT của 480. Chọn phân cực xung lối ra ở
NEGative (âm) và chuyển công tắc ON/OFF về vị trí OFF.
11. Sử dụng c|p đồng trục 93  dài 1,2 m, nối UNIpolar OUTput (lối ra đơn cực)
của khối khuếch đại 575A với một nhánh của đầu nối BNC chữ T; đầu nối chữ T được
gắn vào lối vào Channel 1 của dao động ký. Nối nhánh còn lại của đầu nối chữ T với
INPUT (lối vào) của Easy-MCA-8K.
Hình 4.4. Phổ alpha của nguồn 241Am

12. Sử dụng cáp USB, nối cổng USB ở mặt sau của Easy-MCA với cổng USB của máy
tính. Đảm bảo rằng phần mềm MAESTRO-32 dùng để điều khiển Easy-MCA đ~ được cài
đặt trên máy tính. Chọn Conversion Gain (hệ số biến đổi) l{ 8192 kênh. Đặt Lower
level Discriminator (ngưỡng dưới) ở kênh 80 v{ Upper Level Discriminator (ngưỡng
trên) ở kênh 8192. Đảm bảo rằng chức năng Gate (Gate cho MCA) đ~ được tắt.
13. Bật máy tính và công tắc nguồn của khung NIM. TUYỆT ĐỐI KHÔNG BẬT KHỐI
CAO THẾ KHI DETECTOR VẪN ĐỂ NGOÀI ÁNH SÁNG. Mặc dù điện trở 100 M trong
khối tiền khuếch đại 142A sẽ bảo vệ detector khỏi bị hư hỏng nghiêm trọng, nhưng
|nh s|ng đi v{o detector sẽ tạo ra c|c dòng điện lớn chạy qua detector. Chỉ được phép
cấp cao thế cho detector khi detector đ~ được đặt trong buồng chân không kín sáng và
không khí đ~ được hút ra khỏi buồng.
Đặt nguồn phóng xạ
14. Với thí nghiệm 4.1, đặt nguồn 241Am từ bộ nguồn AF200 v{o gi| đỡ nguồn
được gắn với nắp của buồng chân không 807.
15. Điều chỉnh sao cho khoảng cách giữa nguồn với detector vào khoảng 1 cm
(bên trong buồng chân không 807).
16. Đậy nắp buồng ch}n không (đặt nắp đ~ gắn detector và nguồn lên trên buồng
chân không) và hút chân không trong buồng đến 500 m hoặc bé hơn. Nếu không có
chân không kế, thì tiến hành hút chân không trong khoảng 2 phút. Một cách khác là
chờ cho đến khi tiếng ồn sinh ra bởi bơm ch}n không giảm xuống (điều n{y có nghĩa l{
mức ch}n không đ~ đạt tới 500 m).
17. Chuyển công tắc POS/OFF/NEG của khối cao thế 428 sang vị trí POS v{ tăng
dần cao thế bằng núm vặn A một cách từ từ cho đến khi cao thế đạt giá trị danh định
đưa ra trong bảng số liệu của detector. Thông thường, vòng quay của núm vặn cao thế
sẽ đặt ở 50/1.000 hoặc 100/1.000 tương ứng với giá trị từ 50 đến 100 V. Nếu biết chắc
rằng dòng rò của detector có lớn hơn 10 nA hay không, cần phải chú ý đến hiệu ứng sụt
thế như đ~ trình b{y trong phần dòng rò của detector.
Hình 4.5. Sơ đồ phân rã của 241Am

18. Thay đổi hệ số khuếch đại của khối khuếch đại 575A cho tới khi biên độ xung
dương quan s|t được trên dao động ký xấp xỉ 5,5 V. Khi đ~ đạt đến giá trị này, khóa
núm vặn điều chỉnh hệ số khuếch đại. Mọi sự thay đổi hệ số khuếch đại của khuếch
đại sẽ yêu cầu phải chuẩn lại năng lượng. Nguồn alpha 241Am được sử dụng trong thí
nghiệm n{y có ba năng lượng chính được trình bày trên Hình 4.4. Theo thống kê,
84% các sự kiện detector ghi nhận được là của c|c tia alpha năng lượng 5,486 MeV
(Hình 4.5). Hoạt độ của nguồn (~0,1 Ci) và hình học đo được đưa ra trong thí nghiệm
sẽ cho tốc độ xung phù hợp để quan s|t được trên dao động ký (quan s|t được xung
xuất hiện với tần suất nhiều nhất, tức là sáng nhất trên màn hình).
19. Điều chỉnh Pole-Zero như sau: Đặt thang biểu diễn theo chiều ngang của dao
động ký ở giá trị 50 s 1 ô. Tăng dần dần thang biểu diễn theo chiều cao của dao động
ký từng bước một cho đến giá trị 1 mV/cm. Đồng bộ (trigger) tín hiệu trong mỗi bước
điều chỉnh giá trị thang của dao động ký. Nếu dạng xung bị biến dạng bất thường giữa
hai giá trị thang biểu diễn liên tiếp của trục đứng, quay trở lại giá trị thang biểu diễn
lớn hơn sẽ tr|nh được sự biến dạng này. Dùng Tuốc nơ vít chỉnh PZ ADJ trên khối
khuếch đại 575A xuôi hoặc ngược chiều kim đồng hồ, sao cho xung quay trở lại đường
cơ bản càng nhanh càng tốt m{ không l{m đường cơ bản bị dịch đi. Khi điều chỉnh
xong, chuyển thang biểu diễn theo trục đứng của dao động ký về giá trị 2 V/vạch chia,
thang biểu diễn theo chiều ngang của dao động ký về 2 s/vạch chia.
20. Đo phổ của nguồn 241Am đủ l}u để thu được ít nhất 900 số đếm đối với đỉnh
5,486 MeV. Phổ sẽ có dạng giống như Hình 4.4. X|c định kênh trung tâm của đỉnh
5,486 keV. Gọi kênh này là kênh C0.
21. Ghi số đếm kênh trung tâm của đỉnh 5,486 keV. Tính độ rộng tại một nửa chiều
cao đỉnh v{ x|c định số đếm của hai kênh ở hai phía của đỉnh tương ứng với vị trí một
nửa chiều cao của đỉnh. Đếm số kênh nằm giữa hai kênh nói trên, gọi giá trị này là  là
độ rộng tại nửa chiều cao (FWHM) của đỉnh tính theo số kênh. Giá trị FWHM cũng có
thể được tính bằng phương ph|p nội suy dựa vào số kênh và số đếm của các kênh nằm
về hai phía của đỉnh.
22. Bật m|y ph|t xung 480 v{ đặt núm vặn PULSE-HEIGHT (biên độ xung) ở
548/1.000. Thay đổi giá trị ATTENUATORs và CALibration cho tới khi lối ra của máy
ph|t xung có biên độ xấp xỉ 5,5 V. Trong trường hợp sử dụng xung máy phát, các xung
lối ra từ khuếch đại 575A sẽ có biên độ xấp xỉ bằng với trường hợp xung lối vào từ
detector (với nguồn 241Am). Các xung từ cả hai nguồn đều có thể quan s|t được đồng
thời trên dao động ký.
23. Xoay núm vặn A của khối cao thế 428 để giảm cao thế của detector xuống 0 V.
Giảm từ từ chân không trong buồng 807 và lấy nguồn 241Am ra.
24. Đậy lại nắp buồng chân không và tiến h{nh bơm ch}n không đến 500 m. Tăng
cao thế từ từ đến giá trị cao thế danh định của detector.
25. Xóa bộ nhớ của MCA. Đo phổ với khối phát xung 480 trong khoảng 20 giây. Kiểm
tra xem t}m đỉnh của phổ có trùng với kênh C0 không? Nếu chưa trùng, điều chỉnh
CALibrate của m|y ph|t xung đến khi t}m đỉnh trùng hoàn toàn với kênh C0. Khi đó, m|y
ph|t xung đ~ được chuẩn với hệ số sao cho năng lượng 5,48 MeV tương ứng với độ cao
xung 548/1.000. Vì vậy, giá trị thiết lập trên núm vặn độ cao xung sẽ tương ứng với năng
lượng của hạt alpha. Ví dụ ở vị trí 600/1.000 sẽ tương ứng với năng lượng 6 MeV.
26. Xóa phổ v{ đo với xung từ máy phát xung trong 20 giây cho các giá trị độ cao
xung của máy phát xung 480 theo Bảng 4.1. X|c định vị trí c|c kênh trung t}m tương
ứng bằng con trỏ trên MCA. Một c|ch kh|c, đó l{ sử dụng tính năng đặt ROI (Region of
Interest) cho mỗi đỉnh v{ chương trình MAESTRO-32 sẽ tự động x|c định kênh trung
tâm cho từng ROI (tương ứng với kênh trung tâm của đỉnh).
Thời gian Giá trị độ cao trên Năng lượng tương Kênh trung tâm
đo (gi}y) máy phát xung đương (MeV) trên MCA
20 100/1.000 1,0
20 200/1.000 2,0
20 300/1.000 3,0
20 400/1.000 4,0
20 500/1.000 5,0
20 600/1.000 6,0
20 700/1.000 7,0
Hình 4.6. Đường chuẩn năng lượng cho phổ kế alpha sử dụng máy phát xung
Bài tập
a. Điền dữ liệu vào cột còn trống trong Bảng 4.1. Vẽ đồ thị biểu diễn tương quan
giữa năng lượng (MeV) với số kênh trên giấy hoặc sử dụng chương trình Excel. So s|nh
đồ thị thu được với Hình 4.6. Để nhận diện chính x|c kênh tương ứng với năng lượng
5 MeV, có thể đo trong 40 gi}y.
b. Lượng năng lượng bị mất khi bức xạ đi qua lớp chết cửa sổ detector sẽ ảnh
hưởng thế nào tới đường chuẩn năng lượng?
Δ
c. Độ dốc của đường thẳng trong Hình 4.6, Δ
l{ năng lượng/kênh. Để thuận tiện, đại
lượng n{y thường được biểu diễn theo keV/kênh và trong ví dụ Hình 4.6, giá trị độ dốc
vào khoảng 10 keV/kênh. X|c định giá trị keV/kênh với đồ thị đ~ vẽ trong Bài tập a. Với
Easy-MCA-8K, giá trị này sẽ vào khoảng 1,25 keV/kênh.
d. Độ phân giải năng lượng trong phổ được tính như sau:
( ) (1)
Trong đó  l{ độ rộng một nửa đỉnh tính theo kênh.

Sử dụng  thu được trong bước 21, tính độ phân giải năng lượng của đỉnh alpha.
e. So s|nh độ phân giải năng lượng đo được với độ phân giải năng lượng danh
định trong bảng số liệu đi kèm của detector BU-014-050-100 (khoảng 14 keV). Đưa ra
c|c lý do để giải thích sự khác biệt một cách chi tiết. Cần chú ý tới các yếu tố sau: đặc
trưng kỹ thuật, sự nhiễm bẩn do bụi trên bề mặt detector hoặc bề mặt nguồn phóng xạ,
bề dày nguồn, cửa sổ nguồn, độ phân giải danh định được đo với khối khuếch đại 570.
Sử dụng thời gian hình thành xung 1,0 s hoặc có qu| ít kênh trong vùng đỉnh để có thể
tính chính xác hoặc chưa đủ thống kê.
Hình 4.7. Phổ alpha từ phân rã của 230Th. Một vạch alpha do hạt nhân chuyển về
trạng thái cơ bản và một chuyển về mức kích thích thứ nhất của 226Ra
Hình 4.8. Chuỗi phân rã phóng xạ của 228Th
Việc chuẩn năng lượng có thể thực hiện bằng cách sử dụng hai nguồn alpha; ví dụ
nguồn 241Cm với c|c năng lượng alpha là 5,805 MeV (77%) và 5,763 MeV (23%) và nguồn
230Th có c|c năng lượng alpha là 4,688 MeV (76%) và 4,621 MeV (24%). Giá trị trong dấu
ngoặc đơn l{ hiệu suất phát của tia alpha (ví dụ 5,805 MeV (77%) có nghĩa l{ trong số 100
sự kiện phóng xạ, sẽ có 77 sự kiện ph|t alpha năng lượng 5,805 MeV). Hình 4.7 là phổ và
sơ đồ phân rã của nguồn 230Th.
1. Tắt máy phát xung, giảm cao thế về 0 V và xả áp suất cho buồng chân không.
2. Đặt nguồn 244Cm vào trong buồng chân không, hút lại ch}n không sau đó lên lại
cao thế cho detector.
3. Đo phổ của nguồn 244Cm cho tới khi số đếm thống kê của đỉnh 5,805 MeV đủ để
x|c định chính xác vị trí đỉnh. Sử dụng con trỏ để x|c định số kênh của vị trí đỉnh và ghi
lại giá trị này.
4. Lưu phổ 244Cm đo được v{o đĩa cứng để tham khảo trong trường hợp cần.
5. Xuống cao thế của detector về giá trị 0 V và xả áp suất cho buồng chân không.
Thay nguồn 244Cm bằng nguồn 230Th.
6. Hút chân không cho buồng và lên lại cao thế cho detector.
7. Không xóa phổ trước, tiếp tục đo phổ của 230Th với thời gian đủ d{i để có đủ số
đếm thống kê cần thiết cho x|c định chính xác vị trí kênh của c|c đỉnh. Sử dụng con trỏ
x|c định vị trí của đỉnh 4,688 MeV và ghi lại giá trị n{y. Lưu lại phổ đo (phổ của hai
nguồn) lên đĩa cứng để tham khảo khi cần trong quá trình làm bài tập.
Bài tập
a. Biểu diễn năng lượng theo vị trí kênh của c|c đỉnh 5,805 MeV và 4,688 MeV trên
đường chuẩn dùng máy ph|t xung đ~ x}y dựng được trong Thực hành 4.1.
b. Kiểm tra xem vị trí c|c đỉnh x|c định được có nằm trên đường chuẩn dùng máy
phát xung không? Nếu không, giải thích sự sai lệch giữa hai kết quả.
8. Sử dụng tính năng chuẩn năng lượng của phần mềm MAESTRO-32. Đặt con trỏ
v{o t}m c|c đỉnh có thể x|c định được và nhập giá trị năng lượng tương ứng. Chương
trình sẽ cho ta hàm chuẩn năng lượng.
Bài tập
a. Độ dốc keV/kênh của đường chuẩn năng lượng trong bước 8 có khác so với
độ dốc của đường chuẩn x|c định bằng m|y ph|t xung hay không? Kh|c nhau như
thế nào?
b. Thảo luận về ưu điểm v{ nhược điểm của ba phương ph|p chuẩn năng lượng: i)
sử dụng máy phát xung và một nguồn alpha, ii) Chuẩn năng lượng sử dụng nhiều đỉnh
alpha (sử dụng nhiều nguồn alpha có năng lượng khác nhau) và iii) chuẩn năng lượng
bằng tổ hợp c|c đỉnh alpha phát ra từ các nguồn alpha và từ máy phát xung.
c. Khi nguồn có bề dày giới hạn hoặc ch}n không không đạt yêu cầu sẽ làm các hạt
alpha bị mất năng lượng trong quá trình di chuyển đến detector. Lượng năng lượng bị mất
không giống nhau với tất cả các hạt alpha, do đó c|c đỉnh alpha trong phổ sẽ không đối
xứng qua kênh có số đếm cao nhất. Sườn năng lượng cao của đỉnh sẽ ngắn lại, hay nói cách
khác là giảm về 0 nhanh hơn so với sườn năng lượng thấp. Hiện tượng này có thể quan sát
được trên phổ. Trong trường hợp này, tại sao ta không nên dùng t}m đỉnh để x|c định
đường chuẩn năng lượng?
4.3.1. Mục đích

Mục đích của thực h{nh n{y l{ để x|c định hoạt độ tuyệt đối của một nguồn alpha,
cụ thể là nguồn 241Am.
Như đ~ đề cập, các detector nuôi cấy ion và hàng rào mặt có hiệu suất ghi gần như
là 100% trong vùng hoạt của detector. Do đó, việc x|c định hoạt độ của một nguồn
phát hạt mang điện sẽ tương đối dễ dàng.
1. Hạ cao thế của detector về giá trị 0 V, xả áp suất cho buồng ch}n không sau đó
lấy nguồn 230Th ra ngoài.
2. Đo đường kính vùng hoạt của detector, chú ý không chạm hoặc cào vào cửa sổ
phía trước của detector.
3. Đặt nguồn 241Am vào buồng chân không 807 ở vị trí cách mặt detector 4 cm
(cần phải đặt thật chính xác).
4. Hút chân không và lên cao thế cho detector đến giá trị làm việc.
5. Đặt các thông số của khối khuếch đại 575A giống như c|c thí nghiệm trước. Việc
chuẩn năng lượng một cách chính xác là không cần thiết, vì hoàn toàn có thể quan sát và
nhận diện được ba đỉnh alpha của nguồn 241Am trên phổ.
6. Xóa phổ v{ đo phổ mới với thời gian đo đủ dài sao cho tổng số đếm của ba đỉnh
alpha đạt ít nhất 2.000.
7. Lưu phổ v{o đĩa cứng để sử dụng lại khi cần.
8. Thiết lập ROI cho cả ba đỉnh 5,388 MeV; 5,443 MeV v{ 5,486 MeV. X|c định tổng
số đếm của vùng ROI, ghi lại và gọi các giá trị n{y l{ Σa.
9. Tính hoạt độ của nguồn theo biểu thức sau đ}y:
( ) ( )( ) (2)
Trong đó:
S là khoảng c|ch từ nguồn đến detector (trong ví dụ n{y l{ 4 cm),
r là b|n kính của detector (cm),
tL là thời gian đo thực (gi}y),
Σa là tổng số đếm của ba đỉnh alpha.
Biết 1 µCi = 3,7.104 ph}n r~/gi}y, kết quả thu được theo biểu thức (2) có thể
chuyển đổi sang µCi một c|ch dễ d{ng.
Bài tập
a. So s|nh hoạt độ tính được theo biểu thức (2) với hoạt độ hiện tại của nguồn
(gi| trị hoạt độ n{y được cung cấp bởi phòng thí nghiệm). Eckert v{ Ziegler đảm bảo
rằng hoạt độ nguồn đo được sẽ nằm trong khoảng ±30% gi| trị được cung cấp (sai số
hoạt độ đo được nằm trong khoảng 30%).
b. Kết quả hoạt độ đo được có nằm trong dải hoạt độ của nguồn không? (±30%)
c. Thời gian b|n r~ của nguồn 241Am có g}y ra hiệu ứng gì đến hoạt độ đo được
không? So s|nh với hoạt độ ban đầu của nguồn được cung cấp bởi nh{ sản xuất.
4.4. X|c định các tỷ số phân rã của 241Am
Các bước thực hiện
1. Có thể sử dụng phổ đ~ lưu trong thí nghiệm 4.4, hoặc đo lại phổ 241Am với thời
gian đủ l}u để có thống kê tốt hơn (phổ tương tự hình 4.4).
2. Từ phổ, x|c định tổng số đếm của đỉnh 5,486 MeV. Gọi gi| trị n{y l{ 2 vì nó
tương ứng với ph}n r~ alpha về mức kích thích thứ hai của 237Np (hình 4.5). Theo cách
tương tự, x|c định 4 (đỉnh 5,443 MeV) v{ 5 (đỉnh 5,388 MeV).
3. Với T = 2 + 4 + 5, tỷ số ph}n r~ của 2 (5,486 MeV) là 2/ T. Từ số liệu thu
được, x|c định tỷ số ph}n r~ của 2, 4 và 5. So s|nh gi| trị thu được với c|c gi| trị
trong hình 4.5.
4.5. Nhận diện đồng vị trong chuỗi phân rã 228Th
4.5.1. Mục đích
Mục đích của thực h{nh l{ để đo phổ alpha của nguồn phóng xạ 228Th, từ đó nhận
diện c|c đồng vị phóng xạ có mặt trong chuỗi phân rã của 228Th (dựa v{o c|c đỉnh
alpha trong phổ).
4.5.2. Thông tin cần thiết
Ta biết rằng trong tự nhiên có bốn chuỗi phân rã phóng xạ. Mỗi chuỗi đều bắt
đầu từ phân rã của một đồng vị mẹ, sản phẩm phân rã của đồng vị mẹ là một đồng vị
không bền do đó đồng vị này tiếp tục phân rã kèm theo phát phóng xạ, quá trình này
diễn ra nhiều lần và dừng lại khi sản phẩm phân rã là một đồng vị bền (xem thêm tài liệu
tham khảo số 11). Trong quá trình phân rã biến đổi từ hạt nhân này sang hạt nhân khác,
các tia phóng xạ alpha và - được ph|t ra. Đồng vị 228Th là thành viên của một trong
bốn chuỗi phân rã phóng xạ tự nhiên, như minh họa trong hình 4.8. Ba đồng vị phóng
xạ ở phía trước 228Th trong chuỗi không được biểu diễn trong hình vì 228Th được sử
dụng trong thí nghiệm này là sản phẩm nhân tạo. Chuỗi phân rã này sẽ kết thúc ở
208Pb, đ}y l{ đồng vị bền và không phát phóng xạ.
Bảng 4.2 cung cấp các thông tin chi tiết về loại ph}n r~ v{ c|c năng lượng alpha,
-chính của từng đồng vị. C|c tia alpha có độ phổ biến dưới 1% không được đưa v{o
bảng. Năng lượng của các phân rã - l{ năng lượng cực đại của ph}n r~ (điểm cuối trên
phổ bêta). Ngoại trừ việc cung cấp một hình ảnh đầy đủ về qu| trình ph}n r~, c|c năng
lượng phân rã bêta trong bảng 4.2 có thể được bỏ qua trong thí nghiệm n{y. Độ sâu
vùng nghèo dày 100 µm của detector nuôi cấy ion BU-014-050-100 đủ để bắt hoàn
toàn các hạt alpha có năng lượng tới 10 MeV. Tuy nhiên, các hạt bêta có khả năng
xuyên s}u hơn rất nhiều v{ độ sâu nghèo này chỉ có thể h~m được các hạt bêta có năng
lượng nhỏ hơn 0,15 MeV. Do vậy, các phân rã bêta sẽ đóng góp số đếm vào vùng phổ
tương ứng với năng lượng nhỏ hơn 200 keV, vùng n{y không bị chồng chập với vùng
phổ alpha từ 5 đến 9 MeV. Các electron biến hoán trong (Tài liệu tham khảo số 11)
cũng được bỏ qua vì năng lượng của chúng rất nhỏ nên chỉ có thể đóng góp v{o vùng
năng lượng thấp trong phổ.
Đồng Chu kỳ Kiểu Năng lượng (MeV) của hạt alpha hoặc Đồng vị
vị mẹ bán rã phân rã bêta v{ cường độ (%) con cháu
228Th 191 năm α 5,423 (71%); 5,341 (28%) 224Ra
224Ra 3,64 ngày α 5,68 (94%); 5,45 (6%) 220Rn
220Rn 55 giây α 6,29 (100%) 216Po
216Po 0,15 giây α 6,78 (100%) 212Pb
212Pb 10,6 giờ β− 0,58 max (14%); 0,33 max (81%); 0,15 max 212Bi
(5%)
α 6,09 (10%); 6,05 (25%) 208Tl
212Bi 60,6 phút β− 2,27 max (54%); 1,55 max (5%); 0,93 max 212Po
(1,4%); 0,67 max (2,2%)

208Tl 3,10 phút β− 1,80 max (49%); 1,52 max (23%); 1,29 max 208Pb
(24%); 1,04 max (4%)

212Po 304 giây α 8,78 (100%) 208Pb

1. Thí nghiệm này cần có đường chuẩn năng lượng chính x|c để có thể nhận diện
c|c đỉnh trong phổ. Có thể sử dụng đường chuẩn năng lượng đ~ x|c định trong các thí
nghiệm trước. Tuy nhiên, nếu vì một lý do n{o đó m{ đường chuẩn năng lượng xác
định trong các thí nghiệm trước không được chính xác, cần tiến hành lại bước chuẩn
năng lượng theo một trong c|c phương ph|p đ~ trình b{y trong c|c thí nghiệm trước.
Sử dụng tính năng chuẩn năng lượng của phần mềm MAESTRO-32 cùng với máy phát
xung v{ c|c đỉnh alpha thu được sẽ thuận tiện nhất trong trường hợp này. Phần mềm
cho phép ta sử dụng con trỏ để đọc năng lượng của c|c đỉnh trong phổ của 228Th.
2. Xuống cao thế của detector về giá trị 0. Xả áp suất của buồng chân không 807
đến áp suất khí quyển. Mở buồng, lấy hết các nguồn phóng xạ hiện đang có trong
buồng ra ngoài v{ đặt nguồn 228Th vào buồng. Hút chân không về giá trị 500 µm (bơm
khoảng 2 phút). Lên lại cao thế cho detector và tắt máy phát xung 480.
3. Đo phổ cho tới khi tất cả c|c đỉnh cần quan t}m có đủ số đếm thống kê.
4. Sử dụng con trỏ để đọc năng lượng của từng đỉnh v{ x|c định đồng vị phóng xạ
tương ứng bằng c|ch đối chiếu với bảng 4.2.
5. Lưu phổ v{o đĩa cứng để sử dụng lại trong trường hợp cần.
Bài tập
Biểu diễn phổ kèm theo ghi chú năng lượng và nguồn gốc của đồng vị trên các
đỉnh. Để thuận tiện, có thể sử dụng tính năng xuất phổ (export) ra file ASCII của phần
mềm MAESTRO-32. Nếu có kế hoạch l{m b|o c|o sau khi đ~ rời khỏi phòng thí nghiệm,
cần lưu file ASCII thu được v{o đĩa USB hoặc đĩa cứng di động. Có thể nhập file ASCII
v{o chương trình Excel, chọn chế độ tách cột bằng Tab và Space trong tùy chọn nhập
dữ liệu của Excel. Cách này sẽ tạo ra file Excel với tiêu đề và hai cột tương ứng với kênh
và số đếm của kênh. Có thể vẽ đồ thị v{ đ|nh dấu nh~n c|c đỉnh dễ dàng trong excel.
Đồ thị thu được bằng chương trình excel có thể được đưa v{o file b|o c|o hoặc in ra
một cách dễ dàng.
(1979).
2. G. Bertolini and A. Coche, Eds., Semiconductor Detectors, American Elsevier
Publishing Co., Inc. (1968).
3. G. Dearnaley, "Nuclear Radiation by Solid State Devices", J. Sci. Instrum. 43, 869 (1966).
4. Introduction to Silicon Charged Particles at the ORTEC web site,
www.orteconline.com/Solutions/RadiationDetectors/index.aspx?tab=2.
5. J. L. Duggan, W. D. Adams, R. J. Scroggs, and L. S. Anthony, "Charged-Particle
Detectors Experiments for the Modern Physics Laboratory", Am. J. Phys. 35(7),
631 (1967).
6. C. M. Lederer and V. S. Shirley, Eds., Table of Isotopes, 7th Edition, John Wiley and
7. G. T. Ewan, "Semiconductor Spectrometers" (in progress), Nucl. Tech. and
Instrum. 3, F. M. Farley, Ed., Elsevier, North Holland, New York (1968).
8. C. F. Williamson, J.P. Boujot, and J. Picard, Tables of Range and Stopping Power of
Chemical Elements for Charged Particles of Energy 0.5 to 500 MeV, CEA-R¬3042
(July 1966).
9. The introduction to preamplifiers and the data sheet for the 142A at
http://www.ortec-online.com/Solutions/modular-
electronicinstruments.aspx?tab=4.
10. Eckert & Ziegler. Radioactive sources catalog under Products/Reference and
Calibration at www.isotopes.com.
87
SỰ MẤT NĂNG LƯỢNG CỦA HẠT MANG ĐIỆN (Alpha)
Thực hành 5 tìm hiểu về tốc độ mất năng lượng, dE/dx và quãng chạy của hạt
alpha trong môi trường vật chất. Trong thực hành sử môi trường phim mylar và
không khí. Người thực hành cần phải nắm được c|c bước thực nghiệm trong Bài
thực h{nh 4. Do đó, trước khi làm Bài thực h{nh 5, người học cần phải hoàn thành
Bài thực hành 4.
- Detector hạt mang điện ULTRA™ model BU-014-050-100;

- Khuếch đại phổ 575A;
- Khối cấp cao thế 428;
- Máy phát xung 480;
- Easy-MCA-8K bao gồm cáp USB và phần mềm MAESTRO-32 (Hoặc có thể dùng
các loại MCA khác của ORTEC);
- C|p v{ c|c đầu nối:
+ 1 c|p đồng trục C-36-12 RG-59A/U75Ω giắc cắm SHV dài 3,7 m;
+ 1 c|p đồng trục C-24-1/2 RG-62A/U93Ω giắc cắm BNC dài 15 cm;
+ Hai c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93Ω giắc cắm BNC dài 1,2 cm;
+ Hai c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93Ω giắc cắm BNC dài 3,7 m;
- Máy tính cá nhân có cổng USB, và hệ điều h{nh Window được hỗ trợ để cài phần
mềm MAESTRO-32 ;
- Dao động ký tần số ≥150 MHz, ví dụ Tektronix Model TDS3032C;
- Nguồn AF-210-A1 (1 µCi 210Po), nguồn cần phải có giấy phép sử dụng;
- 01865-AB 2,5 micron Mylar 3" X 300';
- 01865-AB 3,6 micron Mylar 3" X 300';
- 01865-AB 6,0 micron Mylar 3" X 300';
- Gi| đặt phim 100 tấm S-PK-100 kèm theo bộ gi| đỡ (tấm nền bằng nhựa cho
phim ảnh 35 mm) để gắn phim Mylar với độ dày từ 2,5 đến 25 microns với bước thay
đổi 2,5 hoặc 3,6 microns;
- Tuốc nơ vít nhỏ,
- M|y in tương thích để in phổ thu được từ phần mềm MAESTRO-32.
Để tìm hiểu sự mất năng lượng của các hạt khi truyền trong các vật liệu khác nhau,
chúng được chia thành bốn loại theo c|ch chúng tương t|c với vật liệu: 1. Electron
nhanh, 2. Các hạt mang điện nặng. 3. Hạt nhân nặng v{ 4. Nơtron. C|c hạt mang điện
nặng là hạt nhân của c|c đồng vị của hydro và heli. Với c|c đồng vị của hydro, các ion
đ~ biết gồm có proton (1H+), deuteron (2H+), hoặc triton (3H+). Với heli là ion 3He++ và
hạt alpha 4He++. Các hạt mang điện nặng đều bị mất năng lượng theo cùng một cơ chế
khi truyền trong môi trường vật chất. Tuy nhiên, về chi tiết, tương t|c của chúng phức
tạp hơn do bị ảnh hưởng bởi khối lượng v{ kích thước lớn. Vì vậy, chúng được xếp vào
một loại khác. So với các hạt mang điện nặng, electron nhanh (hoặc hạt bêta) di chuyển
được xa hơn trong vật chất v{ có hướng ngẫu nhiên. Đối với nơtron, do không có điện
tích, nơtron tương t|c với vật chất thông qua phản ứng hạt nhân hoặc các va chạm đ{n
hồi với c|c proton trong môi trường vật chất.
Các hạt alpha thường có trong các nguồn phóng xạ tự nhiên, do vậy, chúng là một
công cụ thuận tiện để nghiên cứu tương tác của các hạt nặng với vật chất. Hạt alpha
giống với ion 2+ của nguyên tử He. Thành phần của hạt alpha gồm có 2 proton và
2 nơtron. Hạt alpha phát ra từ các nguồn phóng xạ tự nhiên thường có năng lượng
nằm trong dải từ 3 đến 8 MeV. Alpha được gọi là hạt nhân nặng khi so sánh với
electron (~8.000 lần khối lượng electron). Khi hạt alpha đi qua vật chất, nó mất năng
lượng chủ yếu do ion hóa và kích thích các nguyên tử của môi trường vật chất m{ nó đi
qua. Do các hạt alpha có khối lượng lớn hơn rất nhiều so với khối lượng của electron
Bài thực hành số 5: Sự mçt năng lượng của hät mang điện (Alpha) 89
trong nguyên tử, nên quỹ đạo của hạt alpha khi truyền trong vật chất gần như l{ một
đường thẳng. Năng lượng cần để tách một electron của nguyên tử khí ra khỏi quỹ đạo
trở thành electron tự do khoảng từ 25 đến 40 eV. Với không khí, thế ion hóa trung bình
được chấp nhận vào cỡ 32,5 eV. Do vậy, số các cặp ion có thể tạo thành theo lý thuyết
có thể dễ d{ng tính được. Thế ion hóa trung bình Iav, đ~ được x|c định cho các loại vật
liệu khác nhau [12].
Độ ion hóa riêng được định nghĩa l{ số các cặp electron-ion được tạo thành trên
một đơn vị độ d{i. Độ ion hóa riêng phụ thuộc v{o năng lượng, do năng lượng của hạt
ảnh hưởng đến tốc độ truyền trong vật liệu bị ion hóa. Các hạt alpha có năng lượng thấp
hơn sẽ mất nhiều thời gian hơn để đi qua một đơn vị độ dài so với các hạt alpha năng
lượng cao hơn. Do đó, độ ion hóa riêng tăng khi hạt alpha bị mất năng lượng và di
chuyển chậm dần. Hình 5.1 l{ đường cong Bragg mô tả sự thay độ ion hóa riêng của hạt
alpha khi đi qua vật chất. Ở cuối quãng chạy, độ mất năng lượng riêng của hạt alpha tăng
nhanh do hạt alpha di chuyển chậm dần, sau đó giảm đột ngột về không, tương ứng với
sự kiện alpha bắt electron của môi trường vật chất và chuyển thành nguyên tử He.
Hình 5.1. Đường cong Bragg, minh họa độ ion hóa riêng của hạt alpha
Một tham số kh|c cũng thường được quan t}m l{ độ mất năng lượng của hạt alpha
trên một đơn vị độ dài dE/dx khi truyền trong môi trường vật chất. Đại lượng này còn
được gọi là công suất hãm hạt alpha năng lượng E của vật liệu. Công thức Bethe truyền
thống [3, 11] biểu diễn công suất h~m theo đơn vị ergs/cm với các vật liệu có thành
phần đơn nguyên tố là:
(1a)
Trong đó:
* ( ) ( ) + (1b)
và
z là số nguyên tử của hạt tới,
e là điện tích của electron (esu),
m0 là khối lượng nghỉ của electron (g),
v là vận tốc của hạt mang điện (cm/s),
c là tốc độ ánh sáng (m/s),
N là số nguyên tử trên một cm khối của chất hấp thụ, do đó NZ l{ số electron trong
một đơn vị thể tích của chất hấp thụ,
Iav là thế ion hóa trung bình của bia (ergs),
E là năng lượng của hạt tới (ergs).
Với các hạt alpha có năng lượng <10 MeV, vận tốc v nhỏ hơn 2,3% tốc độ ánh
sáng. Do vậy, v2/c2 trong phương trình (1b) có gi| trị rất nhỏ và có thể bỏ qua. Phương
trình (1) l{ phương trình đơn giản để x|c định sự phụ thuộc của độ mất năng lượng
theo điện tích và vận tốc của hạt mang điện, mật độ nguyên tử v{ điện tích của nguyên
tử trong môi trường chất hấp thụ. Thế ion hóa trung bình, Iav theo lý thuyết có thể tính
được dựa vào các nguyên tử của chất hấp thụ. Tuy nhiên, tính toán giá trị này là rất
khó, vì vậy thông thường giá trị n{y thường được x|c định từ thực nghiệm.
Hình 5.2. Công suất hãm của hạt alpha trong phim mylar
C|c phép đo thực nghiệm cho thấy rằng để mô tả chính x|c hơn công thức Bethe,
cần bổ chính thêm ảnh hưởng của nhiều hiệu ứng khác nữa. Do đó việc tính toán rất
phức tạp và cần phải có một chương trình m|y tính để tính đường cong lý thuyết. Hình 5.2
l{ đường cong biểu diễn độ mất năng lượng của hạt alpha theo năng lượng trong phim
mylar đ~ được khớp với số liệu thực nghiệm [12]. Từ Hình 5.2, có thể thấy rằng dE/dx
biến đổi chậm theo năng lượng ở vùng năng lượng trên 2 MeV.
Quãng chạy của hạt alpha có thể được tính bằng cách lấy tích ph}n phương trình (1)
từ E0 tới 0, trong đó E0 l{ năng lượng ban đầu của hạt alpha. Hình 5.3 là một ví dụ về
kết quả tính quãng chạy theo năng lượng. Chú ý rằng trong hình 5.3, quãng chạy có
đơn vị là g/cm2. Biểu diễn quãng chạy theo đơn vị khối lượng trên một đơn vị diện tích
thay cho khoảng cách. Cách biểu diễn n{y có ưu điểm là biểu diễn được quãng chạy của
hạt trong c|c môi trường khác nhau trên thang chia nhỏ hơn (trục tung).
Số liệu trong Hình 5.2 v{ 5.3 được trình bày trong Bảng 5.1. Tài liệu tham khảo
số 2 là một nguồn số liệu tuyệt vời về quãng chạy và công suất hãm của alpha trong
nhiều loại vật chất khác nhau. Bảng 5.1 là một số số liệu từ chương trình ASTAR
trong tài liệu 12.
Hình 5.3. Đường cong biểu diễn quãng chạy theo năng lượng
của hạt alpha trong phim mylar
Hình 5.4. Đạo hàm sự mất năng lượng, ΔE theo bề dày vật liệu Δx,
sử dụng đồ thị quãng chạy – năng lượng
Theo đường cong lý thuyết biểu diễn quãng chạy – năng lượng trong hình 5.3, sự
mất năng lượng E với một tấm phim có bề d{y x|c định, có thể được dự đo|n từ năng
lượng ban đầu của hạt alpha E0. Nguyên lý được minh họa trong Hình 5.4. Hình 5.4
biểu diễn một phần nhỏ của đường cong quãng chạy theo năng lượng. Năng lượng ban
đầu của hạt alpha E0, được sử dụng để x|c định giá trị R0 từ đường cong. Lấy R0 trừ đi
bề dày tấm phim x (theo đơn vị khối lượng/diện tích) để thu được Rf. Nói cách khác,
R = x. Điểm trên đường cong được x|c định bởi Rf tương ứng với năng lượng Ef, là
năng lượng mà hạt alpha thoát ra khỏi phim. E = E0 - Ef l{ năng lượng hạt alpha bị
mất khi di chuyển qua tấm phim có bề dày x.
Năng lượng hạt anpha E0(MeV) -dE/dx (MeV cm2/g) Quãng chạy (g/cm2)
5,00E–02 5,00E–02 7,69E–05
1,00E–01 1,00E–01 1,21E–04
2,00E–01 2,00E–01 1,88E–04
3,00E–01 3,00E–01 2,44E–04
4,00E–01 4,00E–01 2,94E–04
5,00E–01 5,00E–01 3,42E–04
6,00E–01 6,00E–01 3,89E–04
7,00E–01 7,00E–01 4,36E–04
8,00E–01 8,00E–01 4,83E–04
9,00E–01 9,00E–01 5,31E–04
1,00E+00 1,00E+00 5,80E–04
1,50E+00 1,50E+00 8,47E–04
2,00E+00 2,00E+00 1,16E–03
2,50E+00 2,50E+00 1,52E–03
3,00E+00 3,00E+00 1,93E–03
3,50E+00 3,50E+00 2,39E–03
4,00E+00 4,00E+00 2,90E–03
4,50E+00 4,50E+00 3,45E–03
5,00E+00 5,00E+00 4,04E–03
5,50E+00 5,50E+00 4,67E–03
6,00E+00 6,00E+00 5,35E–03
6,50E+00 6,50E+00 6,07E–03
7,00E+00 7,00E+00 6,83E–03
7,50E+00 7,50E+00 7,62E–03
8,00E+00 8,00E+00 8,46E–03
8,50E+00 8,50E+00 9,34E–03
9,00E+00 9,00E+00 1,03E–02
9,50E+00 9,50E+00 1,12E–02
1,00E+01 1,00E+01 1,22E–02
Bảng 5.2 cung cấp một số thông tin về quãng chạy – năng lượng trong các vật liệu đồng,
niken, v{ng v{ hêli. Thông thường, c|c l| đồng, niken v{ v{ng được sử dụng để chứng minh
quãng chạy theo năng lượng. Tuy nhiên, các phim kim loại rất mỏng nên khó sản xuất và dễ
bị hỏng. Do đó thí nghiệm n{y được tiến hành với các phim mylar có độ bền cao.
Quãng chạy (g/cm2)

E0 (MeV)
Cu Ni Au He
0,25 0,79 0,74 1,31 0,181
0,50 1,09 1,02 1,90 0,245
0,75 1,38 1,29 2,50 0,316
1,00 1,69 1,58 3,12 0,399
1,25 2,01 1,88 3,79 0,490
1,50 2,36 2,21 4,47 0,601
2,00 3,11 2,91 5,97 0,850
2,50 3,93 3,68 7,59 1,14
3,00 4,82 4,50 9,34 1,48
3,50 5,80 5,44 11,00 1,86
4,00 6,81 6,39 13,10 2,29
4,50 7,90 7,40 15,20 2,76
5,00 9,10 8,51 17,40 3,27
5,50 10,30 9,66 19,70 3,82
6,00 11,60 10,87 22,10 4,41
7,00 14,30 13,46 27,10 5,70
Chú ý: Các nguồn alpha đều có nguy cơ g}y nhiễm bẩn phóng xạ. Do đó
không bao giờ được chạm ngón tay vào bề mặt của nguồn. Phần lớn các nguồn
alpha đều được chế tạo bằng phương ph|p điện phân lên trên bề mặt c|c đĩa platium.
Nguồn phóng xạ thường có đường kính khoảng ~ 1 mm và nằm ở tâm hình học của
mặt đĩa. Nếu nhìn kỹ, có thể thấy được lớp phóng xạ này. LUÔN LUÔN cầm nguồn
phóng xạ alpha ở các cạnh của đĩa.
Nguồn alpha 210Po hoạt độ 1µCi được dùng trong thí nghiệm này là nguồn đơn
năng, chỉ phát ra một năng lượng duy nhất (5,304 MeV). Ở thời điểm ban đầu (mới
mua nguồn), hoạt độ của nguồn tương đương với tốc độ khoảng 90 số đếm/giây với
detector và hình học được mô tả trong thí nghiệm. Nguồn có thời gian bán rã ngắn
(138 ng{y) do đó nguồn cần phải được thay mới h{ng năm. Nguồn 241Am (thời gian
b|n r~ 432 năm) có thể được sử dụng để giảm chi phí thay nguồn h{ng năm.
Nguồn 241Am có nhược điểm l{ ph|t ra ba nhóm alpha chính có năng lượng tương đối
gần nhau (xem thí nghiệm 4). Mặc dù có thể sử dụng đỉnh có hiệu suất phát cao là
5,486 MeV để đo sự mất năng lượng, nhưng sử dụng nguồn Am sẽ gặp những khó khăn
nhất định khi sử dụng số liệu trong bảng 5.4 cho thực hành 5.2.
Sinh viên cần xem lại các thông tin trong thực hành 4 về các quy tắc sử dụng
nguồn alpha.
 
Chú ý: Người quản lý phòng thí nghiệm sẽ cung cấp phim mylar với các bề dày
kh|c nhau được gắn v{o gi| đỡ dạng khe trượt 35 mm. Bề dày của mỗi tấm phim cần
phải được ghi rõ trên khung trượt. Bề dày cần phải tăng đều từ 0 đến 25 µm, mỗi bước
thay đổi cần nằm trong khoảng từ 2,5 đến 3,6 µm. Mật độ của mylar là 1,390 g/cm3, giá
trị n{y được sử dụng để chuyển đổi ra g/cm2.
Thiết lập ban đầu
1. Kết nối các thiết bị như trong Hình 5.5 theo hướng dẫn trong thực hành 4.
2. Đặt giá trị cho c|c nút điều khiển như trong thực hành 4, riêng hệ số khuếch đại
thì đặt sao cho đỉnh 5,48 MeV và 5,31 MeV nằm ở khoảng giữa của phổ. Đảm bảo rằng
pole-zero đ~ được điều chỉnh thích hợp.
3. Chuẩn năng lượng bằng nguồn 210Po và máy phát xung. Sử dụng tổ hợp các giá trị
của máy phát xung và ít nhất một nguồn alpha (như hướng dẫn trong Bài thực hành 4),
là cách hiệu quả nhất để chuẩn năng lượng cho dải từ 1 MeV đến 5,5 MeV. Với phép đo
độ mất năng lượng, thí nghiệm sẽ thuận lợi nhất khi sử dụng tính năng Energy
Calibration (chuẩn năng lượng) của phần mềm MAESTRO-32. Khi đó có thể sử dụng
con trỏ để đọc trực tiếp giá trị năng lượng của c|c đỉnh trên phổ.
Hình 5.5. Hệ thống đo dE/dx

4. Nếu không sử dụng tính năng chuẩn năng lượng của phần mềm MAESTRO-32,
cần vẽ đường chuẩn năng lượng như trong thực hành 4.
5. X|c định độ phân giải FWHM với xung máy phát và với nguồn alpha như trong
thực hành 4.
6. Tắt máy phát xung, giảm cao thế của detector về 0, xả áp suất buồng chân không
về áp suất khí quyển.
7. Đặt nguồn 210Po vào trong buồng chân không, khoảng cách từ nguồn đến mặt
detector khoảng 4 cm. Khoảng cách này cần phải được giữ không đổi trong suốt quá
trình đo. Đảm bảo rằng hệ thống gi| đỡ đ~ được gắn chắc chắn v{ đúng vị trí để giữ các
phim mylar trong các khung nhựa nằm giữa nguồn và detector. Chắc chắn rằng các hạt
alpha phát ra từ nguồn truyền qua các tấm phim mylar sẽ đi v{o vùng diện tích nhạy
của detector.
8. Hút chân không đến chân không 100 m và lên cao thế cho detector.
9. Xóa phổ trên MCA v{ đo phổ mới với thời gian đo đủ d{i để thu được ~ 4000 số
đếm trong vùng đỉnh alpha. Lưu phổ n{y v{o đĩa cứng hoặc ổ đĩa di động để sử dụng
trong c|c bước sau. Ghi lại vị trí đỉnh, độ phân giải năng lượng FWHM và tổng số đếm
của đỉnh.
10. Giảm cao thế về 0 V, xả áp suất, mở buồng ch}n không v{ đặt tấm phim mylar
mỏng nhất vào giữa nguồn và detector. Không thay đổi hình học nguồn detector trong
toàn bộ quá trình làm thí nghiệm; cả khoảng cách và góc của hạt alpha tới đều phải giữ
không đổi.
11. Hút chân không, lên cao thế v{ đo phổ với cùng thời gian đo trong bước 9. Lưu
phổ để sử dụng về sau. Ghi lại độ dày phim mylar, vị trí đỉnh (năng lượng), độ phân giải
năng lượng và số đếm của c|c đỉnh (diện tích đỉnh).
12. Lặp lại bước 10 v{ 11 v{ tăng dần độ dày của phim mylar cho tới ít nhất là 25 µm.
Hình 5.6 là số liệu thu được khi đo với c|c l| đồng và nguồn 210Po. Số liệu với phim
mylar sẽ có dạng tương tự.
Hình 5.6. Độ mất năng lượng đo được của hạt alpha khi truyền qua các lá đồng,
với bề dày tăng dần từ 0 đến 6,24 mg/cm2
Bài tập
a. Sử dụng đường chuẩn năng lượng hoặc chức năng chuẩn năng lượng của phần
mềm MAESTRO-32, x|c định lượng năng lượng bị mất E với mỗi lần tăng bề dày
phim. Chú ý rằng độ phân giải sẽ xấu hơn khi tăng bề d{y phim v{ năng lượng của tia
alpha đi tới detector giảm.
b. Vẽ đồ thị đường cong quãng chạy – năng lượng của hạt alpha trong mylar. Từ đồ
thị v{ độ dày tấm hấp thụ, tìm Ef và E thực nghiệm bằng phương ph|p trong hình 5.4.
Sử dụng giá trị E và lập bảng số liệu tương tự như bảng 5.3, từ đó vẽ đồ thị tương tự
như hình 5.6. C|c gi| trị E tính được trong bảng 5.1. Có thể cần phải sử dụng phép nội
suy số.
c. Kết quả độ mất năng lượng đo được so với độ mất năng lượng dự đo|n kh|c
nhau như thế n{o? Đưa ra c|c nguyên nh}n khả dĩ để giải thích sự khác nhau.
d. Tính E/x với dữ liệu đ~ đo. So s|nh gi| trị đo được với giá trị E/x trong
bảng 5.1 hoặc hình 5.2, sử dụng năng lượng trung bình (E0+ Ef)/2, với mỗi bước tăng
bề d{y phim để x|c định giá trị lý thuyết của dE/dx.
Hạt alpha E
Độ dày
Đường Năng lượng* Độ phân
(mg/cm2) Giá trị đo Giá trị tính
(MeV) giải (keV)
A 0,00 5,47 30 0,00 0,00
B 1,23 4,95 64 0,53 0,54
C 2,06 4,55 106 0,93 0,91
D 2,50 4,36 112 1,12 1,10
E 3,74 3,69 160 1,79 1,71
F 4,22 3,44 170 2,03 1,98
G 5,00 3,03 202 2,45 2,40
H 6,24 2,33 223 3,15 3,09
Ghi chú: * Năng lượng sau khi qua tấm hấp thụ bằng đồng.
 
Thực hành này yêu cầu độ chân không cao và thiết bị xử lý khí chuyên dụng nên
không bắt buộc. Có thể thực hiện thí nghiệm nếu phòng thí nghiệm có đủ các thiết bị
cần thiết và bình chứa khí He.
Có rất nhiều ưu điểm khi sử dụng khí l{m môi trường hấp thụ vì có thể thay đổi áp
suất khí đến giá trị cần thiết dễ dàng thay cho việc điều chỉnh bề dày của chất hấp thụ.
Áp suất có thể kiểm soát bằng một áp kế trên ống hút chân không. Quy trình thông
thường l{ đặt nguồn vào buồng chân không cách detector ~2 cm, hoặc gần hơn nếu
cần để có thể thu được thống kê tốt với thời gian đo không qu| d{i, hút ch}n không,
khóa bơm ch}n không, v{ sau đó đưa khí (ví dụ không khí hoặc He) vào trong buồng
với áp suất mong muốn. Giá trị mg/cm2 của khí có thể x|c định bằng cách áp dụng định
luật thể tích khí ở áp suất và nhiệt độ tiêu chuẩn.
Do thể tích của buồng ch}n không l{ không đổi, nhiệt độ khí có thể đạt đến trạng
thái cân bằng với nhiệt độ phòng rất nhanh, nên mật độ của khí ở áp suất P được xác
định theo mật độ khí ở áp suất khí quyển PA theo công thức sau:
(2)
Trong đó là mật độ ở áp suất P, và là mật độ ở áp suất khí quyển. Mật độ của

He ở 0 độ C và 1 atm (760 mm Hg) là 0,1785 g/lít. Từ mật độ này ta tính mật độ của khí
ở nhiệt độ phòng theo công thức:
(3)
Trong đó A0 là mật độ ở 1 atm và 0 0C, là mật độ ở nhiệt độ phòng và là

nhiệt độ theo đơn vị K tương ứng với 0 0C, tức là 273,15 oK. Nhiệt độ phòng cần phải được
chuyển đổi sang nhiệt độ K trong phương trình (3). Tùy theo gi| trị áp suất đo được
trên áp kế mà có thể cần phải tiến hành một số hiệu chỉnh nhỏ (trong trường hợp điều
kiện trong phòng thí nghiệm kh|c điều kiện tiêu chuẩn).
Khoảng cách chính xác từ mặt của nguồn đến mặt của detector cần phải được đo
chính x|c để chuyển đổi mật độ khí sang mg/cm2.
Ưu điểm của khí He là tinh khiết (không lẫn các khí khác). Việc sử dụng không khí
trong thí nghiệm này có thể bị ảnh hưởng bởi lượng hơi nước trong thành phần khí.
Hiệu chỉnh c|c đóng góp của hơi nước là rất phức tạp v{ không được đưa v{o trong
thực hành này. Chính vì thế, kết quả đo được có thể thăng gi|ng so với giá trị lý thuyết
tùy theo độ ẩm tại thời điểm đo.
1. Lặp lại tất cả c|c bước trong thực hành 4.1, sử dụng khí He l{m môi trường chất
hấp thụ thay cho phim mylar. Tiến h{nh đủ số phép đo (ít nhất 6 lần) với các áp suất
khác nhau từ chân không (không có chất hấp thụ) đến khi lượng năng lượng alpha bị
mất bằng 4 MeV.
2. Lặp lại bước 1 với không khí. Giá trị tương quan qu~ng chạy – năng lượng của
không khí có thể tra trong tài liệu tham khảo 3 hoặc 12. So sánh kết quả thu được với
kết quả trong bảng 5.4 và 5.7.
Hình 5.7. E/x của hạt alpha trong không khí khi sử dụng nguồn 210Po
Hạt alpha E
Độ d{y
Đường (mg/cm2) Năng lượng* Độ ph}n giải
Gi| trị đo Gi| trị tính
(MeV) (keV)
0,00 5,47 137 0,00 0,00
A
0,95 4,77 149 0,73 0,73
B
1,89 3,96 168 1,54 1,52
C
2,84 3,03 195 2,47 2,46
D
3,78 1,95 230 3,55 3,60
E
Ghi chú: * Năng lượng sau khi qua tấm hấp thụ không khí.
1. L. C. Northcliffe and R. F. Schilling, Nuclear Data Tables A7, 233 (1970).

2. J. F. Ziegler, The stopping Power and Ranges of Ions in Matter, Pergammon Press,
New York (1977).
3. G. F. Knoll, Radiation Detection and Measurement, John Wiley and Sons, Inc., New
York (1979)
4. J. B. Marion and F. C. Young, Nuclear Reaction Analysis, John Wiley and Sons, Inc.,
New York (1968).
5. G. Dearnaley and D. C. Northrop, Semiconductor Counters for Nuclear Radiations,
2nd Ed., John Wiley and Sons, Inc., New York (1966).
6. J. L. Duggan, W. D. Adams, and L. S. Anthony, "Charged-Particle Detectors
Experiments for the Modern Physics Laboratory", Am. J. Phys. 35(7), 631 (1967).
7. D. J. Skyrme, Nucl. Instrum. Methods, 57, 61 (1967).
8. S. Matteson, E.K. L. Chau, and D. Powers, Phys. Rev. A 14, 169 (1976).
9. J. F. Janni, Calculations of Energy Loss, Range, Pathlength, Straggling, Multiple
Scattering, and the Probability of Inelastic Nuclear Collisions for 0.1 to 100 MeV
Protons, AFWL-TR-65-150 (AD-643837), (1966). Available from Clearinghouse
for Federal Scientific and Technical Information, Springfield, Virginia.
10. C. F. Williamson, J. P. Boujot, and J. Picard, Tables of Range and Stopping Power of
Chemical Elements for Charged Particles of Energy 0.5 to 500 MeV, CEQ-R-3042
(1966). Available from Clearinghouse for Federal Scientific and Technical
Information,Springfield, Virginia.

12. M. J. Berger, J.S. Coursey, M.A. Zucker and J. Chang, Stopping-Power and Range
Tables for Electrons, Protons, and Helium Ions, NISTIR 4999, ASTAR Program,
NIST Physics Laboratory,
13. http://www.nist.gov/physlab/data/star/index.cfm
101
PHỔ KẾ BÊTA
Thực hành này sẽ hướng dẫn kỹ thuật thu phổ bêta và tóm tắt về phương ph|p
x|c định năng lượng cực đại của hạt bêta, Emax.
- Detector hạt mang điện kiểu BA-016-025-1500;

- Khối cấp cao thế 428;
- Easy-MCA-8K bao gồm cáp USB và phần mềm MAESTRO-32 (Hoặc có thể dùng
các loại MCA khác của ORTEC);
- C|p v{ c|c đầu nối:
+ 1 c|p đồng trục C-36-12 RG-59A/U75Ω đầu nối SHV dài 3,7 m;
+ 1 c|p đồng trục C-24-1/2 RG-62A/U93Ω đầu nối BNC dài 15 cm;
+ 2 c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93Ω đầu nối BNC dài 1,2 cm;
+ 2 c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93Ω đầu nối BNC dài 3,7 m;
- Máy tính c| nh}n có cổng USB, v{ hệ điều h{nh Window được hỗ trợ để c{i
phần mềm MAESTRO-32;
- Dao động ký tần số ≥ 150 MHz, ví dụ Tektronix Model TDS3032C;
- Nguồn bêta BF-113-A-1 (1 µCi 113Sn), nguồn cần phải có giấy phép sử dụng;
- Nguồn bêta BF-137-A-0.1 (0,1 µCi 137Cs), nguồn cần phải có giấy phép sử dụng;
- Nguồn bêta BF-204-A-0.1 (0,1 µCi 204Tl), nguồn cần phải có giấy phép sử dụng;
- Tuốc nơ vít tinh chỉnh,

- M|y in tương thích để in phổ thu được từ phần mềm MAESTRO-32.
Phép đo năng lượng hạt bêta có thể thực hiện với các detector hạt mang điện, sử
dụng các kỹ thuật được tóm tắt trong thực hành 4. Phân rã bêta xảy ra với các hạt nhân
có số nơtron nhiều hơn so với số cần phải có để l{ đồng vị bền. Ví dụ 204Ti phân rã
thành 204Pb và phát ra một hạt bêta. Để đạt trạng thái cân bằng, một trong những
nơtron của hạt nhân 204Ti sẽ biến thành một hạt proton.
n  p   v (1)
Trong đó v là phản hạt neutrino.
Từ phương trình (1), có thể thấy rằng có 3 hạt sinh ra sau khi nơtron biến đổi.
Năng lượng kích thích sẽ được truyền cho các hạt -, hạt v và hạt nhân con (mà proton
nằm lại trong nó). Hạt - có khối lượng rất nhỏ so với hạt nhân con còn hạt v thì có
khối lượng nghỉ bằng 0. Do vậy toàn bộ năng lượng ph}n r~ đều nằm ở hạt - và v , về
mặt lý thuyết hạt - có thể đạt giá trị năng lượng cực đại Emax nhưng x|c suất hạt - có
năng lượng này rất thấp. Do vậy, động năng mà hạt - có giá trị ngẫu nhiên trong
khoảng từ 0 đến Emax. Hạt v rất khó phát hiện do khối lượng nghỉ bằng 0 và detector
không thể thu được năng lượng của hạt này. Vì vậy, có thể đ|nh gi| năng lượng của
phân rã - thông qua phân tích phổ - và dự đo|n phổ năng lượng của v .
Phổ bêta đặc trưng (hình 6.1) cho thấy phân bố xác suất tương đối năng lượng cho
phần Emax cùng với số sự kiện thu được khi đo với nguồn 204Tl. Đ}y l{ đặc trưng liên tục
của phổ năng lượng -.
Bài thực hành số 6: Phổ kế Bêta 103
Hình 6.1. Phổ năng lượng tia bêta của 204Tl

Điểm cắt trục hoành của đường ngoại suy (xung quanh kênh 350 trong hình 6.1)
là Emax. Tham khảo từ 7, năng lượng điểm cuối là 0,766 MeV.
Các phổ kế năng lượng có thể được chuẩn bằng cách sử dụng c|c đồng vị phóng xạ
phát ra các electron biến hoán nội có năng lượng đ~ được biết chính xác. Trong quá
trình biến hoán nội, hạt nhân truyền năng lượng kích thích trực tiếp cho một electron
trên lớp vỏ của nguyên tử (thường là lớp trong cùng). Do đó, electron được phóng ra
trong trường hợp này sẽ có năng lượng gi|n đoạn, Ee.
Ee  Ex  EB (2)
Trong đó:
Ee l{ năng lượng đo được của electron biến hoán nội;
Ex l{ năng lượng kích thích trong phân rã;
EB l{ năng lượng liên kết của electron trong nguyên tử.
Ba đại lượng này có thể tra trong tài liệu tham khảo 7. Hình 6.2, 6.3, 6.4 và 6.5 biểu
diễn phổ các electron biến hoán nội 207Bi, 113Sn và 137Cs. Đường cong chuẩn năng lượng
cũng được biểu diễn trong hình 6.2.
Hình 6.2. Phổ năng lượng bêta biến hoán nội của 207Bi
Hình 6.3. Phổ năng lượng bêta biến hoán nội của 113Sn
Hình 6.4. Phổ năng lượng bêta biến hoán nội của 137Cs
Hình 6.5. Phổ năng lượng bêta biến hoán nội của 133Ba
Hình 6.6. Mối liên hệ giữa năng lượng và quãng chạy của bêta trong silic
Quãng chạy của hạt bêta năng lượng 800 keV trong detector hàng rào mặt vào
khoảng 1.500 µm. Do đó phải dùng các detector có độ sâu vùng hoạt lớn để đo c|c hạt
bêta năng lượng cao. Detector hàng rào mặt Si BA-015-025-1500 đ|p ứng được yêu
cầu n{y nhưng đòi hỏi cách sử dụng đặc biệt và cẩn thận để tránh làm hỏng detector.
Dưới đ}y l{ c|c cảnh báo khi sử dụng detector này.
Cảnh báo
Không được chạm vào cửa sổ detector với bất kì vật dụng gì, đặc biệt là ngón
tay. Lớp vàng lắng đọng trên bề mặt detector sẽ bị hỏng do mồ hôi tay hoặc bị trầy
xước do tiếp xúc và không thể sửa chữa được. Do đó chỉ cầm vào cạnh của detector
hoặc hộp bảo vệ.
Hình 6.6 l{ đường cong biểu diễn quan hệ giữa năng lượng và quãng chạy của hạt
bêta trong silic. Nếu đ~ biết năng lượng lớn nhất của tia bêta từ một đồng vị thì có thể
x|c định được bề dày của detector theo đường cong chuẩn. Năng lượng lớn nhất của β‾
phát ra từ 204Tl trên hình 6.1 là 766 keV. Theo hình 6.6, năng lượng bêta 800 keV có
quãng chạy khoảng ~1.400 µm. Do đó trong thực hành này detector cần có độ sâu
vùng nghèo khoảng 1.500 µm.
Tham số của detector trong thực hành có thể suy ra từ ký hiệu BA-016-025-1500
trên detector. “A” ký hiệu cho sêri của các detector h{ng r{o silic. “B” ký hiệu kiểu đầu
nối ở mặt sau của detector. Các ký hiệu trong chuỗi sẽ theo thứ tự: BA-Độ phân giải-
Diện tích-Độ sâu vùng nghèo (BA-RESOLUTION-AREA-DEPLETION), độ phân giải được
x|c định với năng lượng hạt alpha 5,486 MeV từ nguồn 241Am, diện tích là diện tích
vùng nhạy của detector (mm2) v{ độ sâu vùng nghèo của detector (µm).
Để có thêm thông tin về các detector bán dẫn silic, xem lại detector hạt mang điện
silic trong thực hành 4 và tài liệu tham khảo 8.
Với các detector hàng rào mặt, hầu như luôn phải tính đến bù sụt áp cao thế do
dòng rò của detector. Có một điện trở giữa lối vào cao áp và lối vào tín hiệu của
detector trong tiền khuếch đại 142A. Điện trở này có chức năng loại nhiễu cao áp tần
số cao từ nguồn cấp cao áp và cho phép thu góp tất cả c|c điện tích từ detector đến lối
vào tiền khuếch đại.
Dòng rò đặc trưng của các detector hàng rào mặt thường vào khoảng 50 nA. Dòng
rò như vậy sẽ gây ra sụt thế khoảng 5 V khi qua điện trở 100 MΩ. Do đó cần phải lên
cao thế cao hơn khoảng 5 V so với cao thế cần cho detector hoạt động. Cao thế cấp cho
các detector này hoạt động thường nằm trong dải từ 50 đến 100 V.
Có thể đ|nh gi| thô dòng rò của detector hàng rào mặt theo công thức (3) (tài liệu
tham khảo 8).
( ) (3)
Trong đó:
IL l{ dòng rò danh định của detector;
D l{ độ sâu vùng nghèo (µm);
i1 là dòng rò cụ thể tính trên cm2 của detector;
A là diện tích nhạy của detector (cm2).
Ở nhiệt độ phòng, giá trị của i1 nằm trong khoảng từ 20 đến 100 nA/cm2 và thực
tế dòng rò sẽ tăng lên gấp hai lần mỗi khi nhiệt độ tăng thêm 7 0C. Dòng rò phụ thuộc
v{o điện trở suất, độ sâu vùng nghèo của silic và cao thế cấp cho detector. Với các
detector đường kính bé, dòng rò ở các mặt biên có thể đóng góp đ|ng kể vào dòng rò
của detector.
Cao thế danh định để detector đạt đến độ s}u vùng nghèo v{ dòng rò được nhà
sản xuất đo với các giá trị cao áp (ở 65 °F/18 0C) được liệt kê trong bảng thông số kỹ
thuật kèm theo detector. Với detector BA-016-025-1500, điện |p để detector có được
độ sâu vùng nghèo 1.500 µm nằm trong khoảng từ 200 đến 500 V v{ dòng rò đặc trưng
trong khoảng 0,2 đến 1 µA ở 18 0C.
Trong thực hành này, khối cao |p 710 được chọn vì dễ sử dụng để đo dòng rò v{
điện áp sụt trên điện trở 100 MΩ trong tiền khuếch đại.
So với hạt alpha, các hạt bêta cùng năng lượng có quãng chạy trong vật liệu lớn
hơn. Ví dụ, hạt bêta có năng lượng 1 MeV có thể xuyên s}u hơn 570 lần so với hạt
alpha năng lượng 1 MeV trong silic (tương ứng ~2.000 µm v{ ~3,5 µm). Trong khi đó
các nguồn alpha cần được chế tạo không có cửa sổ bảo vệ còn các nguồn bêta có thể
che bằng một lớp nhựa pha nhôm d{y 6,4 µm. Điều này nhằm giảm bớt mối nguy hiểm
do rây bẩn vật liệu phóng xạ ra môi trường. Tuy nhiên vẫn cần tránh chạm vào phần
tâm của nguồn, trong trường hợp cần thiết chỉ được cầm vào vỏ ngoài của nguồn. Các
nguồn nên được bọc trong lớp nhôm dày. Khi sử dụng cần phải lưu ý quay cửa sổ nhựa
pha nhôm về phía detector.
Thiết bị sử dụng trong thực h{nh n{y cũng giống như trong thực hành 4. Xem lại
những nguyên tắc trong thực hành 4 (giải thích c|ch đặt cao thế cho detector) khi
buồng đo được hút chân không, các quy trình thay đổi nguồn phóng xạ,… Những
hướng dẫn này rất cơ bản nhưng cần phải thành thạo trước khi thực hành phần này,
c|c hướng dẫn này là rất quan trọng vì chúng ta đang l{m việc với detector rất đắt tiền
và dễ bị hỏng.
1. Nối các thiết bị như hình 6.7. Sử dụng các thiết lập như trong phần 4.1 ngoại
trừ hằng số hình th{nh xung trên 575A được đặt ở 0,5 µs và cao thế cấp cho detector
BA-016-025-1500 cần phải tra trong bảng tham số. Hệ số khuếch đại của 575A sẽ
được đặt sau.
Hình 6.7. Hệ phổ kế đo bêta

2. Sử dụng khối cao áp 710 thay cho khối cao áp 428, nối lối ra HV OUTput của
kênh 1 ở mặt sau của khối cao áp với lối vào tiền khuếch đại 142A bằng c|p đồng trục
C-36-12RG59A/U75-Ω, d{i 3,7 m, đầu nối SHV đực. Chuyển công tắc MASTER về vị trí
OFF v{ đặt chuyển mạch 1 kV/100 V/DISABLE của 4 kênh về vị trí DISABLE. Mở khóa
núm lên cao thế và vặn tất cả về giá trị cực tiểu (vặn ngược chiều kim đồng hồ đến vị
trí cuối cùng).
3. Bật nguồn nuôi trên khung NIM.
4. Đặt nguồn 137Cs cách bề mặt detector khoảng ¼ inch (0,635 cm). Bơm hút ch}n
không cho buồng đo.
5. Trên khối cao thế 710, kiểm tra LED POSitive sáng xanh, (nếu LED NEGative
sáng, cần đặt lại chuyển mạch để chọn cao thế dương).
6. Trên khối cao thế 710, bật công tắc MASTER về ON. Kiểm tra nút lên cao thế
trên kênh 1 phải ở giá trị không. Đặt giá trị cao thế cần lên cho kênh 1 ở 1 kV. Đặt
chuyển mạch chọn hiển thị VOLTS/CURRENT về Channel 1 VOLTS để quan sát chính
x|c điện áp.
7. Tốc độ lên cao thế - cần tham khảo trong hướng dẫn sử dụng của detector.
8. Khi đ~ lên cao thế đến giá trị danh định, đặt chuyển mạch VOLTS/CURRENT về
Channel 1 CURRENT. Đọc giá trị dòng được hiển thị (µA). Nhân giá trị đọc được với
100 MΩ để tìm cao thế cần tăng thêm để bù trừ với dòng rò qua điện trở 100 MΩ trong
tiền khuếch đại.
9. Bật chuyển mạch chọn hiển thị về Channel 1 VOLTS, chỉnh cao áp cộng thêm giá
trị vừa tính được. Ghi lại giá trị cao áp làm việc để tham khảo về sau.
10. Chỉnh hệ số khuếch đại của khối 575A đến khi xung quan s|t được trên dao
động ký có biên độ ~5,6 V. Hầu hết biên độ của c|c xung quan s|t được sẽ tương ứng
với năng lượng 624 keV của electron biến hóa nội trên lớp K.
11. Sử dụng nguồn 137Cs để kiểm tra và chỉnh pole-zero nếu cần như trong thực
hành 4.
12. Đo phổ với số đếm đủ để nhận diện kênh tương ứng với đỉnh 624 keV. Chỉnh hệ
số khuếch đại sao cho đỉnh 624 keV ở kênh 4.500 trên dải 8.000 kênh của MCA (trong
hình 6.4 l{ đỉnh gần ở vùng giữa với 1.024 kênh). Khi đ~ chỉnh xong, đo phổ tích lũy
~1.000 số đếm ở đỉnh 624 keV. Ghi số kênh tương ứng với đỉnh 624 keV và gọi là C0.
13. Lưu phổ 137Cs trên đĩa cứng để tham khảo về sau.
14. Xuống cao áp cho detector, tháo chân không và lấy nguồn 137Cs ra khỏi buồng đo.
15. Hút chân không và lên lại cao thế cho detector.
16. Bật khối phát xung 480 và chỉnh PULSE-HEIGHT đến giá trị 624/1.000. Sử
dụng chế độ ATTENUATOR và vặn chiết |p để có đỉnh xung ở kênh C0. Máy phát xung
bây giờ đ~ được chuẩn ở 1.000 keV = 1.000 vạch chia trên núm điều khiển PULSE-
HEIGHT.
17. Xóa phổ trong bộ nhớ MCA v{ đo phổ mới với giá trị của núm chỉnh biên độ
theo bảng 6.1. Sau khi dừng đo với một giá trị, thay đổi giá trị của múm chỉnh biên độ
và tiếp tục đo tích lũy, qu| trình được lặp lại cho hết các giá trị trong bảng 6.1.
18. Sử dụng tính năng của chương trình MAESTRO-32, đặt vùng ROI cho từng
đỉnh, tìm tâm của c|c đỉnh. Ghi các giá trị t}m đỉnh này vào cột cuối của bảng 6.1. Sử
dụng tính năng chuẩn năng lượng của MAESTRO-32, chuẩn năng lượng cho con trỏ để
đọc trực tiếp năng lượng. Lưu phổ trên đĩa để có thể tham khảo về sau.
Thời gian đo Giá trị trên núm chỉnh Năng lượng tương
Vị trí kênh (kênh)
(giây) biên độ xung đương (keV)
20 200/1.000 200
20 400/1.000 400
40 600/1.000 600
20 800/1.000 800
20 1.000/1.000 1.000
Bài tập
a. Từ phổ 137Cs đ~ lưu, x|c định FWHM năng lượng (keV) cho đỉnh 624 keV. Gọi
giá trị δET l{ độ phân giải toàn phần ở năng lượng E.
b. X|c định FWHM năng lượng của một trong c|c đỉnh xung m|y ph|t. Độ phân
giải n{y được gọi là phân giải do nhiễu, δnoise do đóng góp của nhiễu dòng rò của
detector và nhiễu của tiền khuếch đại v{o độ phân giải năng lượng.
c. Tính đóng góp do thăng gi|ng thống kê của quá trình ion hóa trong detector ở
năng lượng E, δDE v{o độ phân giải toàn phần ở năng lượng E theo công thức (4):
√ (4)
Sự khác nhau của ba giá trị δET, δDE v{ δnoise liên quan đến đặc trưng của detector
thế nào?
19. Thay nguồn 137Cs bằng nguồn 113Sn v{ đo tích lũy trong thời gian đủ d{i để xác
định chính xác vị trí của đỉnh trong phổ (Hình 6.3). Lưu phổ lên đĩa cứng để có thể
tham khảo về sau.
20. In phổ 137Cs, đường chuẩn với máy phát xung và phổ 137Sn để đưa v{o b|o c|o.
Cách dễ nhất là dùng MAESTRO-32 để chuyển phổ đo sang file ASCII. Lưu lại các file
này trên USB. Nhập c|c file ASCII n{y v{o Excel trên m|y tính riêng để vẽ, phổ có thể in
riêng hoặc ghép chung.
Nguồn Tham khảo (keV) Giá trị đo (keV)

137Cs 624
137Cs 656
113Sn 365
113Sn 389
Bài tập
d. Từ kết quả thực nghiệm, điền giá trị năng lượng đo được vào bảng 6.2.
e. Tùy chọn: Phổ trên hình 6.3 có một phông liên tục ở phía năng lượng thấp của
c|c đỉnh biến hoán nội. Nhưng ph}n r~ của đồng vị 113Sn chỉ do bắt electron, không có
ph}n r~ β+. Do đó sẽ không có đóng góp của ph}n r~ β+. Sử dụng thông tin trong tài liệu
tham khảo 1, 7 v{ 9, để giải thích tại sao các vấn đề từ i-vi không giải thích được vấn đề
phông liên tục.
i. Do các electron tán xạ ngược từ nguồn,
ii. Do các electron tán xạ ngược từ detector,
iii. Do sự không đồng nhất của độ sâu vùng nghèo,
iv. Do bức xạ hãm phát ra từ vỏ nguồn,
v. Bức xạ hãm do hiện tượng bắt electron phân rã của 113Sn,
vi. Do tán xạ Compton của tia gamma 255 keV (từ phân rã của 113Sn) trong
detector, hoặc
vii. Nhiễm bẩn 113Cd trong trạng thái 0,27 MeV.
f. Nếu (vii) là nguyên nhân dẫn đến phông liên tục, tỉ số số đếm trong vùng liên tục
v{ trong c|c vùng đỉnh do biến hóa nội lệch nhau mấy lần?

Để x|c định được năng lượng cực đại của tia bêta, cần xây dựng đồ thị Kurie.
Phương ph|p n{y bắt nguồn từ lý thuyết phân rã bêta (tham khảo 2 và 9). Mô tả về
đường cong năng lượng ph}n r~ bêta được x|c định theo phương trình (5):
1/ 2
 N   
 2   K(W0  W ) (5)
  F  Z ,  
Trong đó:
N   là số hạt bêta được chuẩn hóa theo xung lượng  và  d ;
  p / m0c l{ xung lượng chuẩn hóa của hạt bêta (không thứ nguyên);
p l{ xung lượng của hạt bêta;

m0 là khối lượng nghỉ của electron;
c là vận tốc ánh sáng;
m0c2 = 0,511 MeV nếu năng lượng E của electron tính theo MeV;
F  Z ,  là hàm Fermi;
 
W  E  m0c 2 / m0c 2 là tổng năng lượng được chuẩn hóa của hạt bêta
(không thứ nguyên);
E l{ năng lượng của hạt bêta;
 
W  E0  m0c 2 / m0c 2
là tổng năng lượng được chuẩn hóa theo năng lượng
cực đại E0 (Emax) trong phổ bêta;
K là hằng số phụ thuộc năng lượng.
Nếu vẽ đồ thị phần bên trái của phương trình (5) theo W, phổ thu được sẽ tạo
thành một đường thẳng, khi ngoại suy có thể tìm được điểm cắt trục năng lượng, W0.
Phổ dịch chuyển bêta trong vùng cấm có dạng một đường cong hướng lên trên trong
vùng năng lượng thấp. Xem thêm giải thích về dịch chuyển bêta được phép và dịch
chuyển cấm trong tài liệu tham khảo 9.
Phương trình (5) đ~ được xây dựng khi đo phổ bêta theo xung lượng của hạt tích
điện chuyển động trong từ trường. Vì vậy, N   được trình b{y dưới dạng hệ số xung
lượng. Do sử dụng các detector hàng rào mặt silic đo phổ năng lượng của hạt bêta, nên
ta sẽ sử dụng giá trị gần đúng của hàm Fermi G(Z,W) bằng cách bổ sung các giá Fermi
chính xác. Thay N   bằng N(E) với xác xuất quan s|t được hạt bêta trong khoảng
năng lượng giữa E và E + dE. Bảng các giá trị G(Z,W) được cung cấp trong tài liệu tham
khảo số 2. Viết lại phương trình (5) với các thành phần bổ sung dưới dạng (6):
1/ 2
1  N E   K
   K(W0  W )   E0  E  (6)
W  G  Z ,W   m0c 2
Ngoại trừ hệ số tỉ lệ K ở vế phải của phương trình, giá trị N(E) có thể sử dụng số
đếm thực thu được trong phổ. Ví dụ với phổ 204Tl trong hình 6.1, ở kênh 200, N(E)  190.
Trong tài liệu tham khảo 2, G(Z,W) được tra theo các hạt nh}n đ~ được lập bảng theo
xung lượng được chuẩn hóa  của bêta. Chú ý rằng xung lượng chuẩn hóa liên hệ với
năng lượng chuẩn hóa theo công thức:
2 ( ) (7)
Các giá trị với hàm Fermi sửa đổi G(Z,W) với phân rã của đến được
trình bày trong bảng 6.3 (tham khảo 2).
η G η G
0,0 28,26 2,2 19,10

0,1 28,19 24 18,54
0,2 27,99 2,6 18,03
0,3 27,67 2,8 17,55
0,4 27,25 3,0 17,12
0,5 26,76 3,5 16,18
0,6 26,23 4,0 15,39
0,7 25,66 4,5 14,71
0,8 25,09 5,0 14,13
0,9 24,53 6,0 13,17
1,0 23,98 7,0 12,40
1,2 22,95 8,0 11,77
1,4 22,01 9,0 11,24
1,6 21,17 13,0 9,718
1,8 20,41 15,0 9,182
2,0 19,72

1. Sử dụng hệ thiết bị trong thực hành 6.1, kể cả đường chuẩn.
2. Lấy nguồn 113Sn ra khỏi buồng chân không.
3. Đặt nguồn 204Tl vào buồng, hút chân không, lên cao thế thích hợp cho detector
và thu phổ giống như hình 6.1.
4. Lưu phổ trên đĩa cứng để tham khảo về sau.
5. Xuất phổ ra dạng ASCII v{ dùng Excel để vẽ phổ.
6. Vẽ phổ với thang tuyến tính v{ x|c định điểm năng lượng cực đại.
Bài tập
a. Chú ý rằng phổ 204Tl tỉ lệ tuyến tính trong khoảng từ kênh 100 đến kênh 300 (hình
6.1). Từ phổ thu được, chọn 10 điểm trong khoảng n{y v{ điền dữ liệu vào bảng 6.4.
b. Vẽ đồ thị (1/W).[N(E)/G(Z,W)]1/2 theo năng lượng (MeV). Vẽ một đường thẳng
tuyến tính ngoại suy để tìm giá trị năng lượng cực đại của bêta.
c. Vẽ đồ thị [N(E)]1/2 theo năng lượng (MeV). Đ}y l{ phương ph|p gần đúng kh|c
để x|c định năng lượng cực đại của bêta. Hình 6.8 biểu diễn sự so sánh giữa đồ thị
[N(E)]1/2 và đồ thị Kurie với 204Tl.
d. So sánh giá trị năng lượng cực đại x|c định được với giá trị được chấp nhận
0,766 MeV?
Năng
( )
Số kênh N(E) W P G(Z,W) [ ] lượng
( )
(MeV)
Hình 6.8. So sánh 2 đường √ ( ) và đường cong Kurie của 204Tl


Trong quá trình biến hóa nội, năng lượng kích thích có thể được truyền cho một
trong những electron quỹ đạo (lớp K, L v{ M) như thảo luận trong phần đầu thực hành
6. Năng lượng của electron biến hóa nội được x|c định theo công thức (2).
Phổ electron biến hóa nội của 113Sn được trình bày trong hình 6.3. Nó gồm hai
vạch 365 keV và 389 keV. Những vạch n{y tương ứng với quá trình biến hóa nội trên
lớp K và lớp L+M.
Sơ đồ phân rã của 113Sn trong hình 6.3 cho thấy rằng hạt nhân sau biến hoán trong
có năng lượng kích thích 0,393 MeV. Năng lượng kích thích Ex l{ 393 keV, năng lượng
liên kết lớp K, EB của 113In là 27,9 keV. Với biến đổi này, Ee = 393 – 27,9 = 365 keV. Năng
lượng liên kết trung bình của electron trên lớp L của 113In là 3,9 keV và với biến đổi
này Ee = 393 – 3,9 = 389 keV.
Trong thực hành này các tỉ số K/(L+M) sẽ được x|c định.
Theo c|ch tương tự, c|c năng lượng electron biến hóa nội cho năng lượng kích
thích 570 keV có thể tính được. Các giá trị này là 482 và 554 keV. Trong thí nghiệm này
tỉ số K/L sẽ được đo.
1. Sử dụng hệ thực hành của thí nghiệm 6.1 đ~ bao gồm định chuẩn.
2. Phải chắc chắn sử dụng detector có độ phân giải 18 keV hoặc tốt hơn.
3. Đọc lại phổ 113Sn đ~ đo trong phần trước. Nếu phổ đ~ bị mất hoặc số đếm đỉnh thấp,
tiến h{nh đo lại trong thời gian đủ d{i để thu được ~1.000 số đếm ở đỉnh 389 keV.
Bài tập
a. Tìm tổng diện tích phía dưới đỉnh 389 keV. Dùng tính năng tính diện tích của
chương trình MAESTRO-32, vì hai đỉnh phủ lên nhau một phần nên thiết lập giới hạn
năng lượng thấp của vùng ROI trong thung lũng giữa hai đỉnh 365 và 389 keV. Thiết
lập giới hạn trên của ROI ở gần chân của đỉnh 389 keV ở phía năng lượng cao. Đỉnh do
các electron biến hóa nội trên lớp M là không phân giải được bởi vì nó chỉ có 3,4 keV.
Biến hóa nội trên lớp M hầu như có cường độ bé hơn lớp L. Do đó, định nghĩa tổng trên
đỉnh 389 l{ ΣL+M.
b. Tìm tổng diện tích phía dưới đỉnh 365 keV và gọi l{ ΣK. Với đỉnh 365 keV, thiết
lập giới hạn trên của ROI trong thung lũng giữa c|c đỉnh 365 và 389 keV. Thiết lập giới
hạn dưới của ROI ở thung lũng phía năng lượng thấp của đỉnh 365 keV.
c. Tính tỉ số biến hoán trên các lớp K/(L+M), sử dụng công thức (ΣK/ΣL+M). So
sánh giá trị tìm được với giá trị trong tài liệu tham khảo 7, khác nhau thế nào?
d. Lặp lại phép đo với 137Cs. Phổ có dạng giống hình 6.4. So sánh với giá trị của
137Cs trong tài liệu tham khảo số 7, khác nhau thế nào?
York (1979).
2. K. Siegbahn, Ed., Alpha-, Bêta-, and Gamma-Ray Spectroscopy, 1 and 2, North
Holland Publishing Co., Amsterdam, (1965).
3. G. D. Chase and J. L. Rabinowitz, Principles of Radioisotope Methodology, 3rd
Edition, Burgess Publishing Co., Minneapolis,Minnesota (1967).
4. E. Segre, Nuclei and Particles, The Benjamin-Cummings Publishing Co., Reading,
Massachusetts (1977).
5. J. B. Marion and F. C. Young, Nuclear Reaction Analysis, John Wiley and Sons, Inc.,
New York (1968).
8. See: Introduction to Silicon Charged Particles at the ORTEC web site, www.ortec-
online.com.
117
PHỔ KẾ GAMMA PHÂN GIÂI CAO
Sử dụng detector Ge siêu tinh khiết (HPGe) và các khối điện tử có độ chính xác cao
để đo năng lượng tia gamma. Tìm hiểu và giải thích nguyên lý, c|c đặc trưng đ|p ứng
của detector. So sánh kết quả đo bằng detector HPGe với đo bằng detector nhấp nháy
NaI(Tl) trong thực hành số 3.
Detector Ge đồng trục GEM10-70/CFG-SV-70/DWR-30 (gồm detector, tiền khuếch

đại, tinh thể, bình đựng nitơ lỏng v{ c|p d{i 12ft); c|c đặc trưng: hiệu suất tương đối
10%, độ phân giải 1,75 keV tại 1,33 MeV, tỷ số đỉnh so với phông tán xạ Compton (P/C)
41:1;
- Khối cao |p 659, 5 KV để cấp cao thế cho detector;
- Khối khuếch đại phổ 672;
- 04 c|p đồng trục C-24-4RG-62A/U93-Ω, giắc cắm BNC, dài 4 ft. (1,2 cm);
- Đầu nối chữ T C-29 BNC;
- Khung NIM và nguồn 4001A/4002D;
- Easy-MCA-8K bao gồm: cáp USB và phần mềm MAESTRO-32 (có thể thay thế
bằng các MCA khác của ORTEC);
- Máy tính có cổng USB và hệ điều hành Windows;
- Dao động ký TDS3032C tần số ≥150 MHz;
- Nguồn GF-057-M-20: 57Co hoạt độ 20 µCi (thời gian bán rã 272 ngày) có giấy
phép sử dụng;
- Nguồn GF-137-M-20: 137Cs hoạt độ 20 µCi (thời gian b|n r~ 30 năm) có giấy phép
sử dụng;
- Nguồn GF-060-M-10: 60Co hoạt độ 10 µCi (thời gian b|n r~ 5,3 năm) có giấy
phép sử dụng;
- Nguồn GF-228-D-10: 228Th hoạt độ 10 µCi (thời gian bán rã 698 ngày) có giấy
phép sử dụng;
Thiết bị khác (không bắt buộc)
- POSK22-10: Nguồn 22Na 10 µCi dạng mỏng để quan s|t độ mở rộng của đỉnh hủy
positron. Yêu cầu phải có giấy phép.
- 10 lá nhôm (Foil-AL-30): mỗi l| d{y 0,076 cm, đường kính 1,27cm;
- 10 lá niken (Foil-NI-10): mỗi l| d{y 0,025 cm, đường kính 1,27cm.
Hầu hết các thực hành trong số 27 b{i đều được thiết kế để sử dụng detector và
các khối điện tử giá thành thấp. Tuy nhiên, thực hành này nhằm minh họa khả năng
phân giải cực cao của detector HPGe sử dụng các khối điện tử xử lý xung chính xác cho
phép phát huy hết khả năng của detector.
Nhiều đồng nghiệp tại c|c trường đại học và các viện nghiên cứu quốc gia có
"Trung tâm phân tích phổ hạt nh}n" đ~ v{ đang sử dụng các hệ phổ kế gamma độ phân
giải cao để nghiên cứu sơ đồ phân rã của c|c đồng vị. Tìm hiểu các thành phần đồng vị,
khả năng ph}n tích chi tiết về c|c sơ đồ ph}n r~ ng{y c{ng tăng lên. Việc cải tiến độ
phân giải năng lượng cho phép phát hiện thêm nhiều đỉnh khác trong phổ. Đôi khi, một
cặp đỉnh chập nhau đ~ được phát hiện trong khi c|c phép đo trước đó với detector
NaI(Tl) chỉ nhận ra được 1 đỉnh.
Detector Ge siêu tinh khiết cũng được dùng nhiều để phát hiện và quan sát phóng
xạ môi trường, phát hiện c|c đồng vị phóng xạ và các vật liệu phân hạch được vận
chuyển phi ph|p. Độ phân giải năng lượng tuyệt vời của detector HPGe cho phép đạt
giới hạn phát hiện cực thấp trong các ứng dụng trên.
Sơ đồ ph}n r~ của c|c đồng vị được minh họa trong t{i liệu tham khảo 10 v{ 12.
Thông tin mới nhất của một số hạt nh}n có thể tìm thấy trong thư viện của phần mềm
ORTEC Nuclide Navigator (Model C53-B32 hoặc mới hơn). Thông tin về c|c đồng vị
được cập nhật trực tuyến được hỗ trợ bởi:
Bài thực hành số 7: Phổ kế Gamma phån giâi cao 119
National Nuclear Data Center
Building 197D
Brookhaven National Laboratory
Upton, NY 11973-5000
Phone: (631) 344-2902
Fax: (631) 344-2806
Email: nndc@bnl.gov
Internet: http://www.nndc.bnl.gov
FWHM ( ) (1)
√
Trong thực h{nh 3, phổ gamma được đo bằng detector NaI(Tl). Độ ph}n giải năng
lượng điển hình của detector NaI(Tl) v{o khoảng 7% ở năng lượng 0,662 MeV của
137
gamma ph|t ra từ nguồn Cs. Với detector NaI(Tl), độ ph}n giải phụ thuộc rất lớn v{o
năng lượng. Độ ph}n giải được quy định chủ yếu bởi thăng gi|ng thống kê của số
electron quang điện sinh ra trên bề mặt photocathod của ống nh}n quang. Bảng 7.1
minh họa gi| trị độ ph}n giải của detector NaI(Tl) dưới dạng 1 h{m theo năng lượng
tia gamma. Cần nhớ rằng: độ ph}n giải thường được viết dưới dạng % đối với c|c
detector NaI(Tl). Trong đó E l{ năng lượng tại đỉnh, δE l{ năng lượng tại một nửa bề
rộng đỉnh v{ k l{ hằng số tỷ lệ đặc trưng cho từng detector. Sự ph|t triển của detector
Ge v{o cuối thập niên 1960 đ~ tạo ra cuộc c|ch mạng trong việc đo phổ gamma. Hình 7.1
minh họa sự kh|c biệt nổi bật trong kết quả đo của 2 loại detector gamma khác nhau.
So với detector NaI(Tl), HPGe có thể cải thiện hơn khoảng 30 lần về bề rộng đỉnh v{ độ
ph}n giải tại một nửa chiều cao. Chính vì cải thiện n{y, nhiều mức năng lượng không
thể ph}n giải được trên detector NaI(Tl) lại dễ d{ng nhận diện được bằng detector
HPGe. Thêm v{o đó, sự ph|t triển của detector silicon lithium [Si(Li)] với những cải
thiện mạnh mẽ về độ ph}n giải năng lượng đ~ tạo nên cuộc c|ch mạng cho c|c phổ kế
tia X (loại detector Si(Li) n{y được nghiên cứu trong thực h{nh số 8). Mục đích của
thực h{nh n{y l{ tìm hiểu một số đặc trưng của detector HPGe. Tuy nhiên, thực h{nh
chỉ đề cập đến c|c khía cạnh đo đạc thực nghiệm của loại detector n{y. Do đó, để hiểu
thêm về c|c đặc trưng của detector, phần sau sẽ giới thiệu sơ lược về c|c qu| trình
tương t|c của tia gamma cũng như hiệu ứng tạo cặp.
Đồng vị Năng lượng gamma (keV) Độ phân giải (%)

166Ho 81 16,19
177Lu 113 13,5
133Te 159 11,5
177Lu 208 10,9
203Hg 279 10,14
51Cr 320 9,89
198Au 411 9,21
7Be 478 8,62
137Cs 662 7,70
54Mn 835 7,26
207Bi 1067 6,56
65Zn 1114 6,29
22Na 1277 6,07
88Y 1850 5,45
Hình 7.1. So sánh phổ đo của detector bán dẫn với detector nhấp nháy
Hình 7.2. Tiết diện các quá trình tương tác của gamma với Ge và Si theo năng lượng
Hình 7.2 biểu diễn 3 qu| trình tương t|c quan trọng của tia gamma trong tinh thể
Ge v{ Si. Trong đó, tiết diện hấp thụ của tinh thể Ge l{ điều đ|ng quan t}m trong thực
h{nh. Gi| trị tương ứng đối với tinh thể Si sẽ được dùng trong thực h{nh 8. Khi một
lượng tử gamma đi v{o detector, nó phải tạo ra 1 electron giật lùi theo 1 trong 3 qu|
trình dưới đ}y trước khi được ghi nhận dưới dạng 1 sự kiện: (1) hiệu ứng quang điện,
(2) hiệu ứng Compton, hoặc (3) hiệu ứng tạo cặp.
Trong hiệu ứng quang điện, lượng tử gamma chuyển to{n bộ năng lượng của
chúng cho c|c electron của detector. Do đó, photon bị mất hết năng lượng, còn electron
giật lùi (do hấp thụ năng lượng gamma) khi di chuyển sẽ bị mất năng lượng do qu| trình
ion hóa vật liệu bên trong detector, tạo th{nh 1 chuỗi c|c cặp electron-lỗ trống. Chênh
lệch điện thế |p v{o detector sẽ l{m c|c electron v{ lỗ trống di chuyển về 2 điện cực kh|c
nhau; điện tích được thu góp lại để tạo th{nh 1 xung ở tiền khuếch đại. Với hiệu ứng quang
điện, điện tích ở xung ra của detector tỷ lệ với năng lượng của tia gamma (hoặc tia X) sinh
ra tương t|c đó. Những sự kiện quang điện sẽ được hiển thị dưới dạng 1 đỉnh đầy đủ
trên phổ năng lượng. Trong hiệu ứng Compton, photon bị t|n xạ lên 1 electron không
liên kết qu| chặt với nguyên tử. Do góc t|n xạ nằm trong dải từ 0 đến 180 độ nên năng
lượng m{ photon truyền cho electron cũng có thay đổi tạo th{nh 1 dải năng lượng.
Trong qu| trình n{y, photon không mất hết năng lượng m{ chỉ truyền 1 phần năng lượng
cho electron, các electron sau khi hấp thụ năng lượng sẽ ion hóa vật liệu trong detector,
do đó điện tích thu góp được trên c|c điện cực - xung có diện tích tương ứng sẽ tạo nên
một ph}n bố xung liên tục ở lối ra tiền khuếch đại. Diện tích xung cực đại tương ứng với
mép Compton trên phổ năng lượng như đ~ giải thích trong thực h{nh 3. Sau khuếch đại
phổ, độ cao xung do t|n xạ Compton tạo ra tu}n theo ph}n bố x|c suất. Do đó, hiệu ứng
Compton sẽ hình th{nh một ph}n bố liên tục ở vùng năng lượng thấp hơn đỉnh quang
điện trong phổ bức xạ gamma của hạt nh}n (nền Compton).
Trong các detector lớn, tỷ số giữa độ cao đỉnh v{ nền Compton cao, một số số đếm
sinh ra từ t|n xạ Compton cũng đóng góp v{o đỉnh quang điện, do photon sau khi bị
t|n xạ lại tham gia v{o một số qu| trình kh|c v{ cuối cùng to{n bộ năng lượng của
photon bị hấp thụ.
Hiệu ứng tạo cặp cũng có thể hấp thụ ho{n to{n năng lượng tia gamma khi một
photon gamma đi v{o detector v{ tạo th{nh 1 cặp electron-positron, vì thế photon ban
đầu biến mất. Theo định luật bảo to{n khối lượng v{ năng lượng, năng lượng ban đầu
của tia gamma tối thiểu phải l{ 1,022 MeV để tạo th{nh 1 cặp electron v{ phản electron.
Tổng khối lượng sinh ra tối thiểu phải bằng khối lượng 2 electron, điều n{y thỏa định
luật chuyển hóa một năng lượng E th{nh khối lượng thông qua hệ thức E = mc2. Nếu
photon ban đầu có năng lượng vượt qu| 1,022 MeV thì năng lượng dư ra sẽ chuyển
th{nh động năng của electron v{ positron. Tiếp đến, cả positron v{ electron đều mất
năng lượng do qu| trình ion hóa trong detector. Khi positron di chuyển đủ chậm, nó có
thể bị bắt bởi c|c electron tự do v{ hủy cặp. Trong sự hủy cặp giữa positron v{ electron,
cả hai hạt đều biến mất v{ khối lượng nghỉ của chúng chuyển th{nh năng lượng của 2
photon gamma di chuyển ngược hướng nhau, mỗi photon mang năng lượng 511 keV. Do
đó tổng năng lượng của 2 tia gamma tạo ra từ sự kiện hủy cặp cũng l{ 1,022 MeV.
Thí nghiệm phụ 7.4 sẽ tìm hiểu qu| trình hủy positron với positron thu được từ
ph}n r~ β+ của nguồn 22Na.
Hình 7.3. Quá trình tạo cặp

Hình 7.3 minh họa qu| trình tạo cặp xảy ra trong detector. Trong hình 7.3 electron
e– sẽ sinh ra một xung có cường độ tỷ lệ với năng lượng của e– đó, ký hiệu Ee-. Còn
positron, e+, cũng tạo ra 1 xung tỷ lệ với năng lượng của nó, ký hiệu Ee+ . Do hai xung này
được tạo ra đồng thời cho nên xung ra của detector có thể xem l{ tổng của 2 xung. Khi
positron bị hủy trong detector chúng sẽ sinh ra 2 tia gamma γ1 v{ γ2. Trong hình 7.3 cả γ1
v{ γ2 đều tho|t ra khỏi th{nh detector m{ không tham gia thêm một tương t|c n{o kh|c
(lưu ý: Eγ1 = Eγ2 = 0,511 MeV). Do đó, trong thí nghiệm n{y, detector hấp thụ được 1
lượng năng lượng l{ Eγ–1,022 MeV. Cũng có thể xảy ra trường hợp một tia gamma γ1
hoặc γ2 tạo th{nh hiệu ứng quang điện trong detector, trong khi gamma còn lại tho|t
khỏi detector. Trong trường hợp n{y, tổng năng lượng hấp thụ nhỏ hơn năng lượng ban
đầu của tia gamma tới một lượng 0,511 MeV. Cũng có khả năng l{ cả 2 tia gamma tham
gia v{o tương t|c quang điện v{ to{n bộ năng lượng của chúng mất đi trong detector.
Do đó trong phổ đo sẽ xuất hiện 3 đỉnh cho mỗi tia gamma tới khi năng lượng lớn hơn
1,022 MeV (về mặt thực nghiệm khi quan s|t trên phổ bức xạ gamma, hiệu ứng 3 đỉnh
n{y thể hiện rõ khi Eγ > 1,8 MeV). Những đỉnh n{y được ký hiệu l{ đỉnh hấp thụ ho{n to{n,
đỉnh tho|t đơn v{ đỉnh tho|t đôi, c|ch nhau mỗi khoảng 0,511 MeV. Hình 7.4 minh họa
một phổ điển hình thu được từ c|c tia gamma tới có năng lượng 2,511 MeV. Phần diện tích
thấp ở cuối phổ cho thấy đóng góp của t|n xạ Compton không đ|ng kể. Đỉnh tho|t đơn
xuất hiện ở 2 MeV (Eγ - 511keV) v{ đỉnh tho|t đôi xuất hiện ở 1,49 MeV (Eγ - 1,022 MeV).
Còn đỉnh to{n phần l{ sự tổng hợp của c|c qu| trình tạo cặp v{ hấp thụ quang điện với
to{n bộ năng lượng gamma đ~ bị hấp thụ trong detector.
Hình 7.4. Phổ với năng lượng gamma tới 2,511 MeV
B}y giờ, trở lại hình 7.2, chú ý đến c|c đường tương t|c trong detector Ge. Tiết
diện hấp thụ được vẽ trên trục tung, đặc trưng cho x|c xuất tương đối m{ tương t|c đó
xảy ra trên một đơn vị diện tích của detector. Tỷ lệ x|c xuất đóng góp từ c|c tương t|c
kh|c nhau sẽ quyết định hình dạng phổ m{ ta quan s|t được. Ví dụ, một photon năng
lượng 100 keV có tiết diện hấp thụ khoảng 55 barn/nguyên tử đối với tương t|c quang
điện, 18 barn/nguyên tử đối với hiệu ứng Compton v{ không có qu| trình tạo cặp. Tỷ
lệ về tiết diện hấp thụ giữa 2 tương t|c n{y l{ 3:1, tại năng lượng 100 keV, có nghĩa
rằng hiệu ứng quang điện chiếm ưu thế gấp 3 lần so với t|n xạ Compton. Hình 7.5 biểu
diễn dạng phổ sẽ thu được khi đo với năng lượng 100 keV. Hình d|ng phổ có sự thay
đổi đ|ng kể từ 100 keV cho đến 1 MeV.
Hình 7.6. Phổ gamma 1 MeV,

Hình 7.5. Phổ gamma 100 keV,
detector HPGe mỏng
detector HPGe mỏng
Theo hình 7.2 thì tỷ số của tiết diện Compton so với tiết diện quang điện khoảng
90 lần; do đó, trên hình 7.6, tổng số đếm đóng góp bởi t|n xạ Compton v{o khoảng
Σc = 90.000 trong khi tổng số đếm từ hiệu ứng quang điện chỉ khoảng Σ pp = 1.000.
Hiệu suất tương đối của detector HPGe v{ Si(Li) có thể ước lượng qua hình 7.2.
Ví dụ, tại năng lượng Eγ = 400 keV, tiết diện quang điện đối với Ge l{ 6 barn/nguyên
tử, còn đối với Si l{ khoảng 0,1 barn/nguyên tử. Tỷ số n{y l{ 60:1, cho thấy số đếm tạo
ra do hiệu ứng quang điện ở detector Ge gấp 60 lần so với detector Si tại năng lượng 400
keV, với giả thiết c|c detector cùng kích thước. Tỷ số hiệu suất của detector cho thấy
tiết diện hấp thụ quang điện thay đổi theo h{m Z5, với Z l{ nguyên tử số của vật liệu
hấp thụ. Nguyên tử số của Ge l{ 32 v{ Si l{ 14. Tỷ số của hai số n{y mũ 5 l{ 62,2, kh|
trùng khớp với tỷ số tiết diện ở trên. Do đó nguyên tử số c{ng cao thì hiệu suất hấp thụ
quang điện c{ng lớn.
Hình 7.2 cho thấy tiết diện hấp thụ quang điện giảm nhanh khi năng lượng tăng.
Từ 300 keV đến 3 MeV, tiết diện t|n xạ Compton chiếm ưu thế. Năng lượng c{ng cao,
độ xuyên s}u của tia gamma v{o detector c{ng lớn trước khi chúng tương t|c với
electron. Do đó, hiệu suất có thể được cải thiện bằng c|ch tăng bề d{y của detector Ge
theo phương đi v{o của c|c tia gamma v{ phương vuông góc với đường đi của photon
ph|t ra. Theo định luật Beer-Lambert về hấp thụ (thực h{nh 2 v{ 3) kích thước
detector c{ng lớn thì khả năng tương t|c của photon với detector c{ng nhiều. Nếu
tương t|c ban đầu l{ t|n xạ Compton thì kích thước lớn của detector sẽ l{m tăng x|c
suất hấp thụ photon sau t|n xạ v{ có thể cuối cùng l{ hiệu ứng quang điện l{m cho
đỉnh quang điện tạo ra trên phổ c{ng cao. Do đó, kích thước detector lớn có thể l{m
tăng tỷ số giữa đỉnh quang điện v{ nền t|n xạ Compton, vì thế l{m tăng khả năng ph|t
hiện ra c|c đỉnh yếu thường bị che mất do thăng gi|ng thống kê của nền Compton do
c|c tia gamma năng lượng cao tạo ra.
Về cơ bản, có thể coi detector HPGe l{ một điốt b|n dẫn lớn với hiệu điện thế ngược
áp v{o hai đầu điện cực để khử c|c điện tích tự do trong vùng hoạt của detector. Các
detector loại nhỏ thường có dạng đĩa tương tự cấu trúc của detector hạt mang điện Si đ~
tìm hiểu trong thực h{nh 4, 5 v{ 6. Hình 7.7 minh họa detector dạng đĩa. Detector gồm 1
hình trụ bằng tinh thể HPGe với hai điện cực |p v{o hai mặt tròn ở hai đầu. Một loại
detector lớn hơn l{ detector đồng trục minh họa trên hình 7.8. Detector HPGe với b|n
dẫn loại p l{ loại detector được dùng trong thí nghiệm n{y. Detector gồm 1 khối Ge tinh
khiết hình trụ có lỗ khoan một phía ở giữa. Một điện cực được |p v{o bên ngo{i hình trụ
(ở đầu không có lỗ) v{ một điện cực kh|c |p v{o giữa lỗ khoan. Bề mặt hình trụ phía có
lỗ khoan được mạ để tr|nh dòng rò từ c|c điện cực. Detector đồng trục được gắn v{o bộ
l{m lạnh, với trục của hình trụ được chỉnh đồng trục với t}m của thanh dẫn lạnh. Đầu kia
của detector c|ch mặt nắp v{i milimet. Detector v{ tầng khuếch đại thứ nhất của tiền
khuếch đại hoạt động ở nhiệt độ gần như nhiệt độ của nitơ lỏng (77 oK) để giảm nhiễu.
Do đó, detector v{ tầng khuếch đại thứ nhất của tiền khuếch đại được đặt trong một
buồng ch}n không lạnh. Buồng lạnh thiết lập nhiệt độ hoạt động cho detector thông qua
một thanh đồng có c|ch nhiệt xung quanh dẫn lạnh, một đầu nhúng v{o bình ni tơ lỏng.
Hoạt động ở trạng th|i lạnh sẽ giúp giảm thiểu dòng rò từ detector HPGe v{ giảm c|c
xung nhiễu g}y ra do nhiệt trong FET v{ tiền khuếch đại. Tụ v{ điện trở của tiền khuếch
đại cũng được l{m lạnh để giảm nhiễu từ c|c linh kiện n{y. Như sẽ thấy sau đ}y, việc
giảm nhiễu giúp cải thiện nhiều về độ ph}n giải năng lượng.
Hình 7.7. Cấu trúc detector dạng đĩa, Hình 7.8. Cấu trúc detector Ge đồng trục
đường kính 16 mm, dày 10 mm
Độ ph}n giải năng lượng của detector HPGe được mô tả bởi phương trình (2):
√( ) ( ) ( ) (2a)
√ (2b)
Trong đó ΔEtotal l{ tổng bề rộng tại một nửa chiều cao của đỉnh (FWHM) gamma có
năng lượng E trên phổ. ΔEnoise l{ đóng góp từ c|c xung nhiễu g}y ra bởi dòng rò trong
detector v{ tiền khuếch đại, thường được đo bằng bề rộng một nửa chiều cao của đỉnh
đo với xung chuẩn đưa v{o tiền khuếch đại. Đóng góp của c|c xung nhiễu l{ độc lập so
với năng lượng tia gamma. Tuy nhiên, nó phụ thuộc v{o hằng số thời gian hình th{nh
xung trong tiền khuếch đại. Nếu hằng số thời gian qu| nhỏ hay qu| lớn thì đóng góp
của c|c xung nhiễu sẽ lớn hơn. Xem bảng dữ liệu của detector để chọn hằng số thời
gian tối ưu nhằm giảm tối đa hiện tượng nhiễu. Gi| trị tối ưu thường nằm trong khoảng
từ 3 tới 6 µs. ΔEion mô tả sự thay đổi số cặp electron lỗ trống sinh ra do thăng gi|ng
trong qu| trình ion hóa phụ thuộc v{o năng lượng trung bình cần thiết để tạo ra một
cặp electron - lỗ trống (khoảng  = 2,95 eV), năng lượng của tia gamma E v{ thừa số
Fano F. Lưu ý rằng đơn vị năng lượng phải được dùng thống nhất trong phương trình 2.
Thừa số Fano đặc trưng cho 1 thực tế l{ có sự thăng gi|ng trong qu| trình ion hóa, đ}y
có thể l{ qu| trình ngẫu nhiên ho{n to{n (F = 1), hay l{ một qu| trình x|c định m{ ở đó
sự chuyển hóa năng lượng th{nh c|c cặp electron - lỗ trống có thể tiên đo|n được
(F = 0). Đối với HPGe, thừa số F ≈ 0,1 cho thấy qu| trình chuyển hóa diễn ra theo xu
hướng x|c định.
ΔEincomplete đặc trưng cho hiệu suất thu gom c|c electron-lỗ trống để tạo th{nh
xung điện. Ban đầu, hệ số n{y được |p dụng để mô tả c|c cặp electron-lỗ trống t|i hợp
trước khi chúng tới được điện cực tương ứng, hoặc điện tích thu được bị rơi v{o bẫy
do dòng rò ở c|c điện cực. Thêm v{o đó, khi hằng số thời gian hình thành xung quá
nhỏ, có thể có hiệu ứng giảm sút số electron. Đối với detector HPGe đồng trục loại lớn,
thời gian thu thập điện tích thay đổi từ 50 ÷ 700 ns, tùy v{o vị trí m{ điện tích được tạo
ra. Nếu hằng số thời gian hình th{nh xung không lớn hơn so với thời gian thu thập thì
độ cao xung sẽ bổ sung thêm một số thăng gi|ng g}y ra do c|c yếu tố ngẫu nhiên của
qu| trình thu thập điện tích. Nếu hằng số thời gian thu gom điện tích được bỏ qua
trong phương trình (2) thì độ ph}n giải của phép đo có thể bị sai lệch (theo chiều
hướng tồi đi) so với khi có tính đến hệ số đó.
Vì tia gamma đi tới detector ngẫu nhiên theo thời gian, m{ độ rộng xung từ khối
khuếch đại chỉ giới hạn cho c|c tốc độ đếm có thể xử lý được m{ không bị biến dạng.
Do đó, c|ch hiệu quả nhất để đảm bảo rằng không bị vượt qu| tốc độ đếm cực đại l{
điều chỉnh khoảng c|ch từ nguồn tới detector, sao cho thời gian chết quan s|t được
trên khối ph}n tích đa kênh nhỏ hơn 63%. Nếu để thời gian chết chiếm ưu thế trong
phổ kế gamma thì có nghĩa rằng thí nghiệm n{y không được chính x|c (bị liệt về thời
gian chết) (xem c|c t{i liệu tham khảo 11, 14 v{ 15). Với trường hợp liệt thời gian chết,
c|c xung v{o chỉ được ph}n tích ở mức tối đa l{ 63% thời gian chết. Sự vận h{nh ở tốc
độ đếm ở mức nhỏ hơn 63% thời gian chết sẽ cho kết quả tối ưu hơn.
Xem c|c t{i liệu tham khảo 11, 13, 14 v{ 15 để biết thêm chi tiết về detector HPGe.
Người hướng dẫn sẽ cung cấp detector HPGe v{ chỉ dẫn c|ch sử dụng. Trước khi
muốn dùng detector, cần đọc kỹ hướng dẫn sử dụng vì đ}y l{ loại detector rất đắt v{
cần thao t|c hết sức cẩn thận.
1. Tắt nguồn NIM 4001A/4002D v{ nguồn cao thế 659 5 kV cấp cho detector. Chỉnh
núm vặn 0 ÷ 5 kV trên khối 659 về gi| trị cực tiểu (hết cỡ theo chiều kim đồng hồ).
2.2. Lắp c|c khối 659, 480 v{ 672 v{o khung NIM 4001A/4002D v{ kết nối c|c
khối như hình 7.9. Tiền khuếch đại được gắn liền với detector HPGe giống như một
khối tích hợp, lối v{o của tiền khuếch đại được nối v{o detector phía trong buồng lạnh.
Hình 7.9. Sơ đồ khối của hệ phổ kế gamma
3. Sử dụng bộ c|p đi kèm với detector, nối c|p cấp nguồn cho tiền khuếch đại v{o
PREAMP ở phía sau khối khuếch đại 672. Nối đầu ra tín hiệu của tiền khuếch đại với
NORMal INPUT của khối khuếch đại 672. Nối Test Input trên tiền khuếch đại với
ATTENuated OUTPUT trên khối ph|t xung 480. Nối đầu nối cao |p trên tiền khuếch đại
với OUTPUT (0 ÷ 5 kV) trên khối cao |p 659. Nối BIAS SHUTDOWN ở phía sau khối
659 với HV Shutdown trên tiền khuếch đại.
4. Nối UNIPOLAR OUTPUT trên khối khuếch đại 672 v{o một đầu chữ T đặt trên
lối v{o kênh số 1 của dao động ký. Nối nh|nh còn lại của nối chữ T với lối v{o xung
tương tự trên khối đa kênh Easy-MCA-8K.
5. Nối đầu ra BUSY trên khối khuếch đại 672 với đầu v{o BUSY trên khối ph}n tích
đa kênh Easy-MCA-8K. Nối đầu ra PUR (Pile-Up Rejector) của 672 với đầu v{o PUR
trên khối ph}n tích đa kênh Easy-MCA-8K.
6. Kiểm tra v{ đảm bảo khối ph}n tích đa kênh Easy-MCA-8K được nối với m|y
tính qua cổng USB v{ phần mềm MAESTRO-32 đ~ được c{i trên m|y tính.
7. Đặt c|c thông số điều khiển như sau:
• Đối với khối khuếch đại 672: GAUSSIAN UNI, AUTO PZ, 6 µs SHAPING TIME,
NORMal (+)INPUT, AUTO BLR RATE.
• Đối với m|y ph|t xung 480: POSitive polarity, OFF.
• Đối với khối cao |p 659: Đặt ở mức 0 cho tới khi c|c kết nối kh|c được ho{n tất.
Detector GEM HPGe dùng trong thí nghiệm n{y cần cao thế dương. Tuy nhiên, nên
tham khảo t{i liệu hướng dẫn của detector để x|c định cực tính v{ mức điện thế cần
thiết để cấp cho detector. Kiểm tra đèn chỉ thị cực tính cao |p ở mặt trước của
POS/NEG của khối 659 khi bật nguồn lên. Đảm bảo rằng đèn chỉ thị cực tính b|o đúng
đối với detector này.
8. Bật nguồn khung NIM, bật nguồn cao áp cho detector v{ lên cao thế đến gi| trị
cần thiết đối với detector.
9. Trên phần mềm MAESTRO-32, đặt Conversion Gain ở mức tối đa cho độ ph}n
giải số của MCA. Đặt gi| trị cắt ngưỡng dưới v{o khoảng kênh 80 v{ gi| trị cắt ngưỡng
trên ở gần kênh 8.192. Kiểm tra chức năng Gating được bật hay chưa.
10. Đặt nguồn 60Co ở khoảng c|ch 1 cm so với mặt detector. Chỉnh gain của khối
khuếch đại 672 sao cho tia gamma 1,332 MeV có biên độ khoảng +8 V ở đầu ra xung
đơn cực của khối khuếch đại. Đảm bảo hai đường 1,173 v{ 1,332 MeV hiển thị rõ r{ng
trên dao động ký. Khóa nút FINE GAIN trên khối khuếch đại để tr|nh c|c thay đổi bất
ngờ trong qu| trình chuẩn năng lượng. C|c chỉ dẫn thiết lập ở bước 7 chỉ đúng với loại
detector GEM dùng trong thực nghiệm n{y. Tuy nhiên, với một số loại detector khác,
xung ra của tiền khuếch đại có thể có cực tính kh|c. Trong trường hợp n{y, h~y chuyển
công tắc đảo cực (polarity switch) để UNIPOLAR OUTPUT chỉ cho ra xung dương.
11. Kiểm tra thời gian chết phải dưới 63% khi thu phổ trên MCA. Nếu cần, điều
chỉnh khoảng c|ch giữa nguồn v{ detector để đạt được điều n{y.
12. Để điều chỉnh PZ, bật công tắc BLR RATE về vị trí PZ trong qu| trình điều
chỉnh. Khối khuếch đại 672 được đặt ở chế độ tự động điều chỉnh cực 0 (Automatic
Pole-Zero Adjustment feature). Để quan s|t hoạt động của nó, bật dao động ký v{ điều
chỉnh thang độ cao sao cho dễ quan s|t nhất. Chọn tỷ lệ chiều ngang khoảng 50 µs cho
mỗi vạch chia. Nhấn nút LIMIT ở phía trước của khối khuếch đại 672 nằm gần
UNIPOLAR OUTPUT. Trên dao động ký, quan s|t độ cao xung v{ điều chỉnh để tr|nh
tình trạng xung bị méo do vượt ngưỡng lối v{o của dao động ký.
13. Trong khi vẫn nhấn công tắc giới hạn (limit switch), nhấn nhẹ v{o nút AUTO
PZ phía trước của khối khuếch đại 672. Đèn BUSY LED m{u đỏ sẽ s|ng lên, v{ bạn phải
quan s|t sự tự điều chỉnh của PZ trên dao động ký. Đảm bảo rằng PZ đ~ được chỉnh
đúng. Bạn có thể đổi chế độ điều chỉnh PZ từ tự động (AUTO) sang chỉnh tay
(MANUAL) v{ chỉnh bằng Tuốc nơ vít như trong c|c thí nghiệm trước. Tuy nhiên, chế
độ chỉnh PZ tự động thường chính x|c hơn. Sau khi việc chỉnh PZ ho{n tất, chuyển
công tắc BLR RATE trở về vị trí AUTO. Nếu cần xem giải thích chi tiết về chức năng BLR
(baseline restorer – hồi phục đường 0), h~y xem t{i liệu tham khảo số 14, v{ hướng
dẫn sử dụng khối khuếch đại 672.
14. Để cho khối ph}n tích đa kênh MCA thu thập số liệu trong 1 khoảng thời gian
đủ d{i nhằm thu được 1 phổ ho{n chỉnh như trên hình 7.10.
Hình 7.10. Phổ 60Co đo bằng phổ kế gamma dùng detector HPGe
15. Lưu phổ của 60Co v{o đĩa cứng để sử dụng về sau.
16. Từ vị trí 2 đỉnh, x}y dựng đường chuẩn giữa năng lượng (trục y) theo số kênh
(trục x) v{ x|c định năng lượng keV của mỗi kênh.
17. Lấy nguồn 60Co ra v{ bật khối ph|t xung 480. Sử dụng công tắc ATTENUATOR
v{ núm điều chỉnh độ cao xung PULSE HEIGHT, chỉnh cho đỉnh xung v{o khoảng giữa
của 2 đỉnh 60Co trên phổ. Đợi cho đủ số đếm để hình th{nh 1 đỉnh ho{n chỉnh trên phổ.
Lưu phổ n{y v{o ổ cứng.
B{i tập
a. Độ rộng một nửa chiều cao (FWHM) của 2 đỉnh theo đơn vị keV bằng bao nhiêu?
Giá trị n{y so s|nh với độ ph}n giải của detector thì như thế n{o? Độ rộng một nửa
chiều cao của đỉnh từ xung m|y ph|t bằng bao nhiêu?
b. Giả sử trong phương trình (2), ΔEincomplete = 0. Sử dụng độ ph}n giải đo được từ 2
đỉnh 60Co v{ đỉnh từ khối ph|t xung, h~y tính thừa số Fano hiệu dụng trong phương
trình (2b). Gi| trị bạn tính được so với gi| trị tham khảo F = 0,1 chênh lệch như thế
n{o? Tại sao có sự kh|c biệt giữa gi| trị bạn tính so với gi| trị tham khảo?
c. Sử dụng thừa số Fano tính được v{ độ ph}n giải đo với xung từ khối ph|t xung, h~y
tính gi| trị ΔEtotal theo phương trình(2) để điền gi| trị v{o cột còn trống trên bảng 7.2.
d. Vẽ đồ thị tuyến tính của c|c dữ liệu trên bảng 7.2 ra giấy.
e. Từ phổ 60Co, h~y x|c định năng lượng mép Compton ứng với 2 năng lượng của tia
gamma. So s|nh gi| trị n{y với gi| trị tính được bằng công thức đ~ dùng trong thực h{nh 3.
So với detector NaI(Tl), độ ph}n giải năng lượng của detector HPGe tốt hơn
khoảng 30 lần. Việc tăng đ|ng kể độ ph}n giải đôi khi l{m ảnh hưởng đến hiệu suất
đỉnh; c|c detector HPGe lớn cho hiệu suất ghi đỉnh tốt hơn nhưng gi| th{nh rất đắt. Do
đó trong thí nghiệm n{y, detector HPGe loại nhỏ được sử dụng để tiết kiệm chi phí,
điều đó cũng đồng nghĩa hiệu suất thấp hơn. Thông thường, hiệu suất của detector
HPGe được biểu diễn dưới dạng tỷ số hiệu suất của nó so với hiệu suất của detector
NaI(Tl) có kích thước 3  3 inch. Phương ph|p chuẩn để so s|nh hiệu suất của detector
HPGe với detector NaI(Tl) là so s|nh tốc độ đếm của chúng tại đỉnh 1,332 MeV của
nguồn 60Co, đặt ở khoảng c|ch chuẩn l{ 25 cm so với detector. Trong đó, nguồn v{
detector được đặt đồng trục. Do độ ph}n giải của detector HPGe tốt hơn nhiều so với
detector NaI(Tl) nên có khả năng ph|t hiện những đỉnh nhỏ bị che bởi nền Compton.
H~y xét một ví dụ, giả sử hiệu suất của 2 detector HPGe v{ NaI(Tl) l{ như nhau. Trong
1 thí nghiệm, chúng ta quan s|t được 10.000 số đếm ở đỉnh quang điện của mỗi
detector. Nếu như độ ph}n giải của detector HPGe lớn hơn 10 lần so với NaI(Tl) thì
đỉnh trên phổ của HPGe cũng cao hơn 10 lần so với NaI(Tl). Sở dĩ có điều n{y l{ do diện
tích đỉnh (10.000 số đếm trong ví dụ) tỷ lệ tuyến tính với tích giữa bề rộng v{ chiều cao
đỉnh. Vì thế, nếu bề rộng đỉnh của HPGe nhỏ hơn 10 lần so với NaI(Tl) thì đỉnh của nó
sẽ cao hơn 10 lần.
Từ ví dụ n{y, có thể suy ra c|c tình huống thực tế khi m{ độ ph}n giải đóng vai trò
quan trọng. Ví dụ, hình 7.11 cho thấy sự kh|c biệt đ|ng kể trong phổ của c|c đồng vị
76As, 122Sb và 124Sb đo được trên hai loại detector. Đỉnh của c|c đồng vị hiển thị rất rõ
(nhỏ v{ nhọn) trên phổ của detector HPGe, trong khi đó chúng bị chập th{nh c|c đỉnh
rất rộng trên detector NaI(Tl). Trong thí nghiệm n{y, chúng ta sẽ đo hiệu suất của c|c
đỉnh đó, đồng thời x|c định tỷ số giữa đỉnh so với nền Compton trên detector HPGe.
Tỷ số giữa đỉnh so với nền t|n xạ Compton l{ một thông số rất thực tế để so s|nh
tương đối khả năng ph|t hiện c|c đỉnh nhỏ bị che bởi nền Compton trên c|c loại
detector kh|c nhau. Tỷ số n{y bao gồm cả hiệu ứng về ph}n giải năng lượng lẫn hiệu
suất đỉnh của detector.
Tỷ số đỉnh so với nền Compton l{ tỷ số của độ cao đỉnh tại 1,332 MeV trên phổ
60Co so với chiều cao trung bình của nền Compton liên tục nằm trong khoảng 1,040 tới
1,096 MeV. Các detector HPGe loại lớn sẽ cho c|c đỉnh phổ nhọn v{ rõ r{ng thay vì bị
chồng chập trên nền liên tục của t|n xạ Compton. Do đó có sự cải thiện đ|ng kể tỷ số
giữa đỉnh so với nền Compton. Đ|ng tiếc l{ c|c detector c{ng lớn thì độ ph}n giải năng
lượng c{ng giảm, do đó cũng l{m ảnh hưởng tới tỷ số đỉnh so với nền Compton. Nhưng
may mắn l{ việc cải thiện về hiệu suất sẽ chiếm ưu thế hơn so với việc suy giảm về độ
ph}n giải năng lượng. Do đó c|c detector c{ng lớn thì khả năng ph|t hiện c|c đỉnh
phóng xạ nhỏ c{ng cao.
1. Tiếp tục l{m với c|c thiết bị đ~ được c{i đặt sẵn ở thực h{nh 4.1.
2. Đặt nguồn 60Co c|ch 25 cm so với detector HPGe v{ ở trên trục của detector.
3. Thu phổ trên MCA trong thời gian đủ d{i để x|c định chính x|c c|c độ cao h1 và h2.
Trên hình 7.12, h1 l{ độ cao của đỉnh 1,332 MeV trên phổ 60Co, còn h2 l{ độ cao trung bình
của phông t|n xạ Compton (trong khoảng 1,040 v{ 1,096 MeV). Ghi lại c|c gi| trị.
4. Lưu phổ v{o đĩa cứng để có thể sử dụng về sau.
Hình 7.11. So sánh các phổ thu được bằng detector HPGe và NaI(Tl)
B{i tập
a. Tính tỷ số giữa độ cao đỉnh và nền Compton (h1 chia cho h2) trên hình 7.12. So
sánh giá trị tính được với giá trị danh định của detector. Hỏi người quản lý phòng thí
nghiệm về giá trị này.
Hình 7.12. So tỷ số đỉnh với nền Compton của phổ 60Co

5. Xóa phổ trên MCA.
6. Đặt nguồn 60Co hoạt độ 10 µCi ở khoảng c|ch 25 cm so với mặt detector.
7. Thu phổ cho đến khi đỉnh 1,332 MeV đạt khoảng 3.000 số đếm.
8. Đặt vùng quan t}m (ROI) tại đỉnh 1,332 MeV v{ đọc tổng số đếm của đỉnh, Σpp.
Ghi thời gian đo phổ tL.
9. Lưu phổ v{o đĩa cứng.
Bài tập
b. Chia số đếm tại đỉnh 1,33 MeV cho thời gian đo. Gọi giá trị thu được là tốc độ
đếm R1.
(3)
c. Tốc độ đếm R1 từ phương trình (3) được so s|nh với tốc độ đếm R2 của cùng
nguồn đó khi đặt c|ch detector NaI(Tl) 3  3 inch một khoảng 25 cm. Hiệu suất của
detector NaI(Tl) 3  3 inch ở khoảng c|ch 25 cm v{o khoảng ε2 = 1,2.10-3 (tham khảo
từ "Gamma Ray Spectrum Catalog" của R. L. Heath, Idaho Falls Report IDO-16880).
Dùng giá trị hiệu suất này, tốc độ đếm (R2) đối với detector NaI(Tl) 3  3 inch khi
nguồn đặt ở khoảng cách 25 cm cho bởi:
(4)
với A l{ hoạt độ nguồn (số đếm trên gi}y).
Vì 60Co ph|t 1 tia gamma 1,332 với mỗi ph}n r~, A được cho bởi:
A = 3,7.104a (5)
Trong đó “a” l{ cường độ nguồn, µCi.
R2 có thể tính được từ phương trình (4) v{ (5). Do đó, hiệu suất tương đối của
detector HPGe cho bởi:
d. Tính "hiệu suất đỉnh tương đối" từ số liệu đo của bạn, v{ so s|nh với gi| trị cho
trước của detector.
Như đ~ đề cập trong phần trước, khi tia gamma có năng lượng đủ cao đi v{o tinh
thể sẽ hình th{nh một cặp electron-position. Khi hủy cặp electron-position xảy ra, 2 tia
gamma với năng lượng 0,511 MeV được sinh ra đồng thời v{ đi theo hai hướng đối
diện 1800. Trên hình 7.3 c|c tia đó l{ γ1 v{ γ2. Với c|c detector cỡ nhỏ, x|c suất để 2 tia
n{y tho|t khỏi detector trước khi chúng tương t|c với detector l{ rất lớn. Do đó, năng
lượng hấp thụ sẽ l{ Eγ – 1,022 MeV v{ thể hiện bởi đỉnh tho|t đôi trên hình 7.4. Khi
kích thước detector tăng lên, x|c suất để 1 trong hai tia gamma có thể tạo được hiệu
ứng quang điện cũng tăng. Nếu một trong hai tia tham gia v{o tương t|c quang điện,
năng lượng của nó sẽ được ghi nhận dưới dạng 1 đỉnh tho|t đơn như trên hình 7.4. Với
các detector lớn hơn, x|c suất để cả 2 tia n{y tham gia hiệu ứng quang điện c{ng cao,
tạo nên hiệu ứng giống như to{n bộ năng lượng của tia gamma ban đầu bị hấp thụ
trong tinh thể.
Hình 7.13 minh họa một số kết quả đo trên detector HPGe. Kết quả cho thấy, tỷ số
hiệu suất của đỉnh hấp thụ to{n phần, đỉnh tho|t đôi v{ đỉnh tho|t đơn có thể x|c định
bằng c|ch xem xét kích thước của detector.
Hình 7.13. Kết quả đo đỉnh hấp thụ toàn phần và đỉnh thoát
với các detector HPGe kích thước khác nhau
Để thấy c|c phép đo được ghi nhận thế n{o trên hình 7.13, xét tia gamma có năng
lượng Eγ = 2,511 MeV trên hình 7.4. Giả sử đóng góp của nền Compton đ~ được trừ đi
trên hình 7.4 v{ c|c tổng sau được đo:
Σ số đếm của đỉnh to{n năng lượng (2,511 MeV) = 6.000,
Σ số đếm ở đỉnh tho|t đơn (2,00 MeV) = 1.000,
Σ số đếm ở đỉnh tho|t đôi (1,489 MeV) = 3.000.
Từ c|c số đo trên, c|c tỷ số có thể tính được.
Trong thí nghiệm n{y, c|c c{i đặt về thiết bị được sử dụng giống như ở thực
h{nh 7.1. Tuy nhiên, đường chuẩn năng lượng sẽ thay đổi để đo tia gamma 2,614 MeV từ
nguồn 228Th. Như đ~ trình b{y trong thực h{nh 4, 228Th l{ một mắt xích của chuỗi
phóng xạ tự nhiên ph|t alpha, bêta v{ kết thúc bằng đồng vị bền chì 208Pb. Tia gamma
2,614 MeV sinh ra từ trạng th|i kích thích của 208Pb ở gần cuối d~y giống như 208Tl
phân rã thành 208Pb. Một số nguồn gamma 57Co, 137Cs và 60Co sẽ được dùng cùng với
nguồn 228Th để lập đường chuẩn năng lượng mới.
1. Đặt nguồn 60Co trước detector. Chỉnh FINE GAINE của khuếch đại sao cho tia
gamma năng lượng 1,332 MeV tạo th{nh 1 xung biên độ 4,1 V trên dao động ký. Khóa
FINE GAIN trên khối khuếch đại để việc chuẩn năng lượng không bị thay đổi.
2. Kiểm tra xem thời gian chết trên MCA có nhỏ hơn 63% hay không, nếu cần, thay
đổi khoảng c|ch giữa nguồn v{ detector.
3. Thu phổ 60Co cho tới khi c|c đỉnh đủ thống kê.
4. X|c định gi| trị kênh tương ứng với c|c năng lượng 1,332 và 1,173 MeV, ghi lại
để lập đường chuẩn năng lượng. Đỉnh 1,332 MeV sẽ nằm gần kênh 3.342. Nếu sự kh|c
biệt lớn hơn 250 kênh so với vị trí n{y thì phải chỉnh lại gain của khối khuếch đại. Khóa
núm Fine GAIN trên khối khuếch đại để giữ chuẩn năng lượng không đổi. Lưu phổ v{o
ổ cứng.
5. Thay nguồn 60Co bằng nguồn 137Cs v{ đo lại phổ. Nếu cần, chỉnh lại khoảng c|ch
giữa nguồn v{ detector để đạt thời gian chết dưới 63%. Ghi lại kênh nằm giữa đỉnh 662
keV. Lưu phổ.
137
6. Thay nguồn Cs bằng nguồn 57Co. Nếu cần, chỉnh lại khoảng c|ch giữa nguồn
và detector để đạt thời gian chết dưới 63%. Thu phổ. Ghi lại kênh tương ứng đỉnh
122 keV v{ 136,5 keV. Lưu phổ.
7. Một c|ch kh|c, 3 nguồn có thể nhập lại đo cùng một lúc để tạo ra 1 phổ năng
lượng chung để chuẩn. Theo c|ch n{y, đặt nguồn 57Co ở phía gần detector nhất. Nguồn
137Cs phía sau nguồn 57Co v{ nguồn 60Co đặt sau cùng. Nếu cần, chỉnh lại khoảng c|ch
giữa nguồn v{ detector để đạt thời gian chết dưới 63%. Đo phổ đủ d{i sao cho tất cả
c|c đỉnh đều được ghi nhận với số đếm cao hơn đ|ng kể so với nền Compton. Lưu phổ
v{o ổ cứng.
8. Dùng chức năng chuẩn năng lượng của phần mềm MAESTRO-32 để chỉnh trục
ho{nh về đơn vị keV hoặc MeV. Trong trường hợp phổ có nhiều đỉnh, đảm bảo rằng
bạn lấy đúng phần diện tích phía trên nền phông của đỉnh để tính.
9. Cất c|c nguồn chuẩn v{ đặt nguồn 228Th trên trục v{ c|ch detector 3 cm. Nếu
cần, chỉnh lại khoảng c|ch giữa nguồn v{ detector để đạt thời gian chết dưới 63%. Thu
phổ trong thời gian đủ d{i để đạt đủ số đếm thống kê của c|c đỉnh quan t}m. Lưu phổ.
Hình 7.14. Phổ điển hình của các đồng vị 57Co, 137Cs và 60Co đo với detector HPGe
10. Nếu muốn ho{n chỉnh b|o c|o sau khi rời phòng thí nghiệm, h~y copy to{n bộ
phổ sang c|c thiết bị lưu trữ bên ngo{i (USB, CD,...) để ph}n tích v{ vẽ đồ thị sau. Cách
hay nhất để l{m điều n{y trên phần mềm MAESTRO-32 l{ sử dụng chức năng xuất phổ
ra dạng ASCII. Tập tin dạng ASCII có thể đọc v{o bằng Excel. Nhớ chọn chức năng Tab
and Space Delineated trong Excel khi đọc file. Sau đó ta có thể sử dụng Excel để vẽ đồ
thị v{ xử lý dữ liệu.
B{i tập
a. Vẽ phổ của 228Th với trục tung (số đếm) theo thang logarit, trục ho{nh (năng
lượng) theo thang tuyến tính. Trên đồ thị, h~y đ|nh dấu c|c đỉnh chính v{ c|c đỉnh
tho|t đơn, tho|t đôi. So s|nh c|c gi| trị năng lượng đo được của c|c đỉnh n{y với t{i
liệu tham khảo 10 hoặc 12.
b. C|c đỉnh tho|t liên quan tới tia gamma 2,614 MeV có xuất hiện ở vị trí năng
lượng chính x|c không? Nếu không, việc bổ sung tia gamma 2,614 MeV v{ c|c đỉnh
tho|t của nó trên đường chuẩn năng lượng có l{m tăng mức độ phù hợp không?
c. H~y tính tỷ số diện tích đỉnh tho|t. Ký hiệu f l{ tổng c|c số đếm ở đỉnh hấp thụ
hoàn toàn, 1 l{ tổng số đếm của đỉnh tho|t đơn, 2 l{ tổng số đếm của đỉnh tho|t đôi (sau
khi đ~ loại phông Compton). H~y tính c|c tỷ số f/1; f/2 và 2/1. So s|nh c|c tỷ số n{y
với c|c kết quả m{ giảng viên đ~ đo với nguồn 228Th và detector đang được sử dụng.
d. Việc thay đổi khoảng c|ch nguồn – Detector ảnh hưởng tới c|c tỷ số diện tích
đỉnh tho|t thế n{o?
Như đ~ thảo luận ở trên, khi một positron kết hợp với một electron thì sẽ hủy cặp
v{ tạo ra hai lượng tử gamma 511 keV. Khối lượng nghỉ của positron v{ electron
chuyển th{nh năng lượng ở dạng hai lượng tử gamma. Đó l{ một bức tranh đơn giản.
Khi khảo s|t một c|ch chi tiết hơn, đ~ ph|t hiện ra rằng qu| trình hủy cặp có bị ảnh
hưởng bởi năng lượng liên kết của electron với nguyên tử, bởi mô men của positron v{
electron tại thời điểm hủy cặp [11, 16 v{ 17]. Năng lượng liên kết của electron có thể
l{m giảm năng lượng gamma xuống khoảng 10 eV so với năng lượng tương đương
khối lượng nghỉ của electron (511,003 keV), v{ lượng năng lượng sai kh|c n{y phụ
thuộc v{o vật chất m{ tại đó positron gặp electron.
Một điều lý thú hơn nữa l{ năng lượng của bức xạ hủy cặp có thể thăng gi|ng đến
1 keV do khoảng dư khả dĩ của mômen tại thời điểm hủy cặp. Vì sự thăng gi|ng năng
lượng n{y v{o cỡ cùng bậc với độ ph}n giải năng lượng tại 511 keV với detector bán
dẫn HPGe nên có thể quan s|t thấy sự nở rộng của đỉnh 511 keV. Hiệu ứng n{y giống
như hiệu ứng nở rộng Doppler của những đỉnh nhọn. Mức độ nở rộng Doppler phụ
thuộc v{o vật chất m{ tại đó positron hủy cặp v{ trạng th|i của electron trong vật chất.
Bởi vậy, sự nở rộng Doppler l{ một trong c|c kỹ thuật dùng nguồn positron để nghiên
cứu trạng th|i hóa học, độ bền v{ lỗ trống vi mô trong vật chất [16, 17].
Sự dịch chuyển v{ mở rộng Doppler đối với năng lượng bức xạ hủy cặp đ~ được
sử dụng để nghiên cứu vật liệu. Tuy nhiên, khi thực hiện việc chuẩn năng lượng v{
kiểm tra độ ph}n giải ở detector b|n dẫn HPGe, bức xạ hủy cặp 511 keV từ nguồn 22Na
có thể l{ chưa chuẩn x|c. 22Na có chu kỳ b|n hủy l{ 2,6 năm. Đồng vị n{y ph|t ra
positron (90%) hoặc bắt electron (10%) để chuyển đến trạng th|i kích thích 1,2746 MeV
của 22Ne. Thời gian sống của trạng th|i kích thích n{y l{ 3 ps. Do vậy, bức xạ gamma
1,2746 MeV được sử dụng để đ|nh dấu thời điểm bắt electron hoặc ph|t ra +. Năng
lượng cực đại của ph}n r~ + để chuyển tới trạng th|i kích thích của 22Ne là 0,545 MeV.
Positron sẽ mất phần lớn năng lượng (cực đại l{ 0,545 MeV) ở vật chất bao quanh
trước khi nó có được x|c suất cao bắt electron để hủy cặp (khi còn ở tốc độ lớn, x|c
suất bắt nhỏ). Điều đó có nghĩa l{ độ s}u cực đại của + từ 22Na chỉ v{o khoảng mm v{
còn ít hơn với vật chất l{ kim loại. Ở cuối qu| trình mất năng lượng, positron sẽ hủy
cặp với một electron gần nhất. Rõ r{ng rằng tốc độ mất năng lượng v{ qu~ng bay của
positron do chất hấp thụ quyết định. Mô men còn dư tại thời điểm hủy cặp cũng phụ
thuộc v{o sự thăng gi|ng cục bộ của mật độ electron có khả năng tham gia hủy cặp. Tất
nhiên, sự mở rộng Doppler cũng phụ thuộc v{o bản chất của vật liệu hấp thụ.
Trong thí nghiệm n{y, nguồn 22Na mỏng với cửa sổ mỏng được sử dụng. Điều n{y
cho phép người l{m thí nghiệm kẹp nguồn positron v{o giữa hai lớp vật liệu hấp thụ
kh|c nhau để đo sự mở rộng Doppler ở bức xạ hủy cặp 511 keV. Độ d{y của lớp nhôm
để hấp thụ 0,545 MeV của positron v{o khoảng 1 mm hoặc 0,039 inch. Với niken,
qu~ng bay của positron 0,545 MeV v{o khoảng 0,32 mm hoặc 0,013 inch. Với cả hai vật
liệu có độ d{y như mô tả ở trên, sẽ có từ 90% đến 99% số tia gamma 511 keV đi qua.
4.4.1. Các bước tiến hành
1. Thí nghiệm này sử dụng cùng hệ phổ kế được thiết lập trong Thực hành 7.3
ngoại trừ hệ số khuếch đại được thay đổi để vạch gamma 662 keV gần ngưỡng trên của
phổ năng lượng của MCA.
2. Cất tất cả các nguồn ở quanh detector HPGe v{ đặt nguồn 137Cs ở gần detector
nhưng phải đảm bảo thời gian chết < 63%.
3. Xem xung trên dao động ký và chỉnh khuếch đại phổ để độ cao xung tương ứng
tia gamma 662 keV vào khoảng 9 V.
4. Thu phổ trên MCA v{ x|c định chỉ số kênh ở vị trí đỉnh 662 keV. Nếu vị trí đỉnh
này nằm ngoài vùng 7400  200 thì hãy chỉnh lại hệ số khuếch đại để đưa vị trí đỉnh
662 keV vào khoảng nói trên. Khóa núm chỉnh hệ số khuếch đại để ngăn t|c động tới
việc chuẩn năng lượng.
5. Bảo đảm đỉnh 662 keV có đủ thống kê để tính vị trí t}m đỉnh v{ độ rộng nửa
chiều cao của đỉnh. Khi tính được độ rộng nửa chiều cao của đỉnh, có thể nội suy độ
rộng một phần mười chiều cao của đỉnh. Tất nhiên vùng được quan tâm có thể bao
trùm đỉnh v{ chương trình MAESTRO-32 được sử dụng để tính t}m v{ độ rộng nửa
chiều cao. Ghi vị trí đỉnh v{ độ rộng nửa chiều cao. Ghi lại phổ cho các thảo luận về sau.
6. Cất nguồn 137Cs v{ đặt nguồn 57Co, cần bảo đảm khoảng cách giữa nguồn và
detector để thời gian chết < 63%.
7. Đo phổ bảo đảm thống kê số đếm ở t}m c|c đỉnh 122 và 136,5 keV. Ghi lại phổ
cho các thảo luận về sau.
8. Dùng chức năng chuẩn năng lượng của chương trình MAESTRO-32 để đọc giá
trị con trỏ ở MeV hoặc keV tại vị trí đỉnh 57Co và 137Cs.
9. Cất các nguồn và bật m|y ph|t xung. Đo phổ với đỉnh xung ở khoảng kênh 7000.
Bảo đảm đỉnh này có số đếm đủ lớn để x|c định độ rộng nửa chiều cao của đỉnh. Ghi lại
độ rộng nửa chiều cao đỉnh các xung từ máy ph|t v{ lưu lại phổ để thảo luận về sau.
B{i tập
a. Tính độ rộng nửa chiều cao của đỉnh 662 keV, ΔEtotal, đỉnh xung từ máy phát,
ΔEnoise trong thang eV. Từ những giá trị này và công thức (2), hãy tính thừa số Fano
hiệu dụng với giả thiết ΔEincomplete = 0.
10. Tắt máy phát xung và chuẩn bị nguồn có hai lá dò kẹp hai bên: Từ bộ lá dò
nhôm-30, đặt hai lá dò nhôm lên một mặt nguồn 22Na mỏng để tổng độ dày hai lá nhôm là
1,5 mm. Cũng l{m như vậy với mặt kia của nguồn 22Na để có được một hệ bọc đối xứng.
11. Đặt nguồn bị kẹp ở phía trước, đồng trục với detector, các lá dò sẽ song song
với bề mặt detector. Cần đảm bảo khoảng cách nguồn – detector để thời gian chết nhỏ
hơn 63%.
12. Tích lũy phổ với thời gian đủ d{i để đỉnh 511 keV có hình dạng tốt. Ghi lại phổ
cho thảo luận về sau.
13. Đặt vùng quan t}m (ROI) bao quanh đỉnh 511 keV. Đỉnh này nằm trên nền
phông Compton liên tục do chuyển dời 1,2746 MeV gây nên. Vì vậy, bảo đảm giới hạn
vùng được quan t}m được kéo dài tới nền phông ở cả hai phía của đỉnh. Dùng chức
năng ROI của chương trình MAESTRO-32 để x|c định vị trí đỉnh v{ độ rộng nửa chiều
cao ở thang keV. Hãy ghi các con số này lại.
Bài tập
a. Từ công thức (2) và thừa số Fano hiệu dụng được tính trong bài tập a., hãy tính
trước độ phân giải năng lượng ở 511 keV, tức l{ ΔE(511keV)dự đo|n = ΔEtotal.
b. Nếu mở rộng Doppler có dạng Gauss, có thể tính độ rộng nửa chiều cao của sự
mở rộng này từ công thức:
√[ ( ) ] [ ( ) ]
Ở đ}y ΔE(511keV)dự đo|n l{ độ rộng nửa chiều cao được đo ở bước 13. Hãy tính
cho nhôm.
c. Hãy vẽ c|c đỉnh 662 keV và 511 keV bên cạnh nhau để so s|nh độ rộng và tính
đối xứng của chúng. Có khác nhau gì ở hình dạng c|c đỉnh này?
d. T}m đỉnh 511 keV được x|c định sẽ thế nào về năng lượng nếu không có dịch
chuyển do năng lượng liên kết của electron trong nguyên tử nhôm và không có sự giãn
nở Doppler?
e. Lặp lại bước 10 tới bước 13 và bài tập b tới e với nguồn bị kẹp bởi lá dò niken
trong bộ lá dò niken-10 về cả 2 mặt nguồn – thay cho kẹp bằng lá dò nhôm. Tổng độ
dày lá dò niken ở mỗi phía của nguồn sẽ là 0,51 mm.
f. Trong phần lặp lại của bài tập từ b. đến e. với niken, h~y so s|nh độ giãn nở
Doppler của niken với độ giãn nở Doppler của nhôm. Niken có độ giãn nở Doppler lớn
nhất so với các kim loại sạch kh|c sau khi được chế tạo. Bạn có suy nghĩ gì về việc này?
g. Mặc dù không phải là mục tiêu của thí nghiệm n{y, nhưng sẽ rất tốt nếu biết sự
mỏi của kim loại là do uốn nhiều lần, hoặc do va đập bề mặt làm tăng sự giãn nở
Doppler. Quá trình tái luyện kim sẽ l{m độ giãn nở Doppler trở nên nhỏ hơn. Giải thích
nào khả dĩ cho hiện tượng này?
1. A. Coche and P. Siffert, Lithium Drifted Silicon and Germanium detectors in

Semiconductor detectors, G. Bertoliniand A. Coche, Eds., Elsevier-North Holland,
Amsterdam (1968).
2. J. C. Phillppot, IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-17(3), 446(1970).
3. F. Adams and R. Dams, Applied Gamma Ray Spectrometry, 2nd Edition, Pergammon
Press, Ltd.(1970).
4. U. E. P. Berg, H. Wolf, et al., Nucl. Instrum. Methods 129, 155 (1975).
5. C. Meixner, Nucl Instrum. Methods 119, 521 (1974).
6. D. M. Walker and J. M. Palms, IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-17(3), 296 (1970).
7. M. L. Stelts and J. C. Browne, Nucl. Instrum. Methods 133, 35 (1976).
8. 20th Nuclear Science Symposium, IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-21(1) (1974).
9. 19th Nuclear Science Symposium, IEEE Trans Nucl. Sci. NS-20(1) (1973).
York (1979).
12. Nuclear Data Sheets, Edited by the Nuclear Data Project, Elsevier Publishing, Inc.
See also: http://www.nndc.bnl.gov
13. See: Introduction to Semiconductor Photon detectors at
http://www.orteconline.com/Solutions/Radiationdetectors/index.aspx.
14. See: Introduction to Amplifiers and Introduction to CAMAC ADCs and Memories at
http://www.orteconline.com/Solutions/modular-electronic-instruments.aspx.
15. Ron Jenkins, R. W. Gould, and Dale Gedcke, Quantitative X-ray Spectrometry, Marcel
Dekker, Inc., New York, 1981.
16. Principles and Applications of Positron and Positronium Chemistry, Editors: Y. C.
Jean, P. E. Mallon, and D. M.Shrader, World Scientific Publishing Co., Pte., Ltd.,
Singapore, 2003.
17. I. K. MacKenzie, Experimental Methods of Annihilation Time and Energy
Spectrometry, Positron Solid-State Physics, LXXXIII Corso Soc. Italiana di Fisica,
Bologna, Italy, 1983, pp 196 – 264.
141
PHỔ KẾ TIA X ĐỘ PHÂN GIÂI CAO
Sử dụng detector Si(Li) trong đo phổ tia X với c|c đồng vị kh|c nhau có năng
lượng dưới 35 keV.
- Detector Si(Li) SLP-06175-P/CFG-PV4/DWR30 gồm tiền khuếch đại, bộ lọc cao

thế, bình đựng nitơ l{m lạnh và bộ cáp dài 12 ft. Thông số detector: đường kính 6 mm,
độ phân giải 175 eV tại đỉnh 5,9 keV, cửa sổ beryllium dày 25 µm).
- Khối cao thế 659 cấp cho detector;
- Khối khuếch đại 672;
- EASY-MCA-8K gồm cáp USB và phần mềm MAESTRO-32 (có thể sử dụng các
MCA khác của ORTEC).
- Máy tính cài hệ điều hành 98/2000/XP;
- Dao động ký TDS3032C;
- C|p v{ đầu nối
+ 01 cáp C-24-1 RG-62A/U93-Ω, đầu BNC, dài 1-ft. (30 cm);
+ 05 cáp C-24-4 RG-62A/U93-Ω, đầu BNC, dài 4-ft. (1,2 cm);
+ 02 đầu chữ TC-29 BNC.
- Nguồn phóng xạ
+ GF-055-M-10: 55Fe hoạt độ 10 µCi (chu kỳ bán hủy: 999 ngày);
+ GF-057-M-20: 57Co hoạt độ 20 µCi (chu kỳ bán hủy: 272 ngày);
+ GF-109-M-10: 109Cd hoạt độ 10 µCi (chu kỳ bán hủy: 463 ngày);
+ GF-137-M-20: 137Cs hoạt độ 20 µCi (chu kỳ bán hủy: 30,2 năm);

+ GF-241-M-10: 241Am hoạt độ 10 µCi (chu kỳ bán hủy: 433 năm), tất cả các
nguồn phải có giấy phép sử dụng.
+ Foil-AL-5: 10 lá nhôm, mỗi l| d{y 0,005", đường kính 1,27 cm;
+ Foil-AL-30: 10 lá nhôm, mỗi l| d{y 0,030", đường kính 1,27 cm;
+ Tuốc nơ vít tinh chỉnh.
Hệ phổ kế tia X độ phân giải cao là bài thực hành giải quyết nhiều nhiệm vụ cho
nhà nghiên cứu. Hệ detector Si(Li) hay hệ HPGe đều có thể dùng đo tia X nhưng với bài
thí nghiệm này ta sử dụng hệ detector Si(Li).
Hình 8.1. Minh họa khả năng phân giải của ba kiểu detector tia X đối với phổ lớp K
của nguyên tố bạc kích thích bằng nguồn 109Cd
Hình 8.1 biểu diễn 3 phổ Kα của Ag có năng lượng 22,162 keV v{ được đo bằng
3 loại detector khác nhau: Nal(TI), ống đếm tỉ lệ và detector Si(Li). Hệ số khuếch đại
được chuẩn theo từng detector. Chú ý rằng detector độ phân giải cao Si(Li) không
những đo được đỉnh Kα m{ còn đo được Kβ. Hệ thống có thể đo với độ phân giải 148 eV
tại đỉnh 5,9 keV của 55Fe. Detector Si(Li) độ phân giải cao được dùng để phát triển hệ
đo cho huỳnh quang tia X mà chúng ta sẽ thực hành trong bài 12.
Nhìn chung detector Si(Li) cho độ phân giải cao nhưng hiệu suất ghi lại kém hơn
detector HPGe khi đo tia X có năng lượng trên 30 keV. Hầu hết hệ detector Si(Li) đều
có cửa sổ Beryllium.
Bài thực hành số 8: Phổ kế tia X độ phån giâi cao 143
Hình 8.2. Phổ đo bằng detector Si(Li) với cửa sổ Be

Hình 8.2 cho thấy sự phụ thuộc hiệu suất ghi của detector Si(Li) theo chiều dày
cửa sổ Be. Độ dày của cửa sổ Be ảnh hưởng rất nhiều đến hiệu suất ghi tia X có năng
lượng dưới 6 keV. Cửa sổ Be càng mỏng thì detector thu được năng lượng càng thấp.
Hình 8.3. Sơ đồ lắp đặt hệ đo trong thực hành 8.1

1. Thiết lập hệ đo theo hình 8.3 gồm nguồn phóng xạ, detector Si(Li) và tiền
khuếch đại bên trong, 1 máy phát xung, một khối cao thế nuôi detector, 1 khuếch đại,
1 MCA, dao động ký và máy tính.
2. Lên cao thế đến giá trị danh định cho detector.
3. Đặt nguồn 137Cs cách cửa sổ detector khoảng 2 cm.
4. Điều chỉnh hệ số khuếch đại của 672 để vạch Kα năng lượng 32,1 keV của nguồn
137Csnằm trong vùng chỉ thị của ph}n tích đa kênh.
5. Tích lũy ít nhất 2.000 số đếm trên đỉnh 32,1 keV của Kα.
6. X|c định vị trí trung tâm tại đỉnh 32,1 keV và gọi đó l{ kênh C0.
7. Bật m|y ph|t xung v{ điều chỉnh biên độ ở vạch 321/1.000. Hoặc sao cho đỉnh
của xung m|y ph|t rơi đúng v{o vị trí C0. Toàn dải máy phát xung 1.000/1.000 ứng với
100 keV. Khóa núm chỉnh.
8. Xóa phổ v{ đo tích lũy ít nhất 1.000 số đếm ở mỗi đỉnh theo các giá trị trong
bảng 8.1. Ghi lại số kênh tương ứng vào bảng 8.1.
Bài tập
a. Từ số liệu trong bảng 8.1, vẽ đồ thị đường chuẩn năng lượng. X|c định tỉ số
keV/kênh v{ độ phân giải của xung từ máy phát và vạch 32,1 keV của 137Cs. So sánh các
độ phân giải này với giá trị trong tài liệu của detector đang sử dụng.
b. Đặt 1 nguồn phát tia X bất kỳ, đo phổ với thời gian đủ d{i để x|c định được số
kênh tương ứng với từng đỉnh trong phổ. Ví dụ, hình 8.4 cho thấy c|c đỉnh Kα và Kβ của
55Fe. Theo bảng 8.2, nguồn 55Fe phân rã chiếm electron tạo ra hạt nhân con 55Mn và các
tia X là Kα 5,9 keV và Kβ 6,49 keV. Hình 8.5 là phổ đo với 241Am gồm tia XL của đồng vị
Np v{ tia gamma năng lượng 26,36 keV. Giống như trong trường hợp của 55Fe, có thể
dễ dàng nhận diện hạt nhân mẹ 241Am. C|c sơ đồ phân rã của c|c đồng vị được trình
bày trong tài liệu tham khảo số 10.
Giá trị trên máy phát xung Năng lượng

Số kênh trên MCA
(độ cao) tương đương (keV)
300/1.000 30
250/1.000 25
200/1.000 20
150/1.000 15
100/1.000 10
50/1.000 5
Hình 8.4. Phổ vạch Kα và Kβ của nguồn 55Fe
Thực h{nh n{y tương tự như phần 8.1 nhưng sử dụng nguồn chuẩn đ~ biết hoạt
độ để x|c định hiệu suất ghi của detector và chuẩn năng lượng.
Nguồn chuẩn sử dụng được chế tạo thích hợp cho nghiên cứu tia X. Những nguồn này
được nhà sản xuất tạo ra bằng tạo một lớp đồng vị phóng xạ dày khoảng 0,25 mm vào giữa
2 l| mylar có kích thước bằng nhau. C|c kích thước điểm thường duy trì ở mức ~1 mm. Sai
số hoạt độ của các nguồn sử dụng trong thực hành này vào khoảng ± 5%.
Năng lượng của tia Năng lượng của các

Tỉ số cường độ tia
Đồng vị X v{ gamma năng tia gamma năng
X/γ
lượng thấp (keV) lượng cao (keV)
54Mn 5,414 (Kα) 834,8 0,2514 (± 0,5%)
5,946 (Kβ) Kα + Kβ
57Co 6,40 (Kα) 122,1 0,5727 (± 2,0%)
7,06 (Kβ) 0,7861 (± 2,9%)
14,41 (γ) 0,112 (± 1,8%)
65Zn 8,04 (Kα) 1115,5 0,6596 (± 0,8%)
8,9 (Kβ) 0,0911 (± 2,0%)
85Sr 13,38 (Kα) 514,0 0,5020 (± 0,65%)

15,0 (Kβ) 0,0880 (± 1,4%)
88Y 14,12 (Kα) 898,0 0,5491 (± 1,2%)
15,85 (Kβ) 0,0989 (± 1,9%)
109Cd 22,10 (Kα) 88,0 22,02 (± 4,9%)
25,0 (Kβ) 4,68 (± 5,0%)
113Sn 24,14 (Kα) 391,7 1,219 (± 3,5%)
27,4 (Kβ) 0,267 (± 3,6%)
137Cs 32,1 (Kα) 661,6 0,0666 (± 3,0%)
36,6 (Kβ) 0,0159 (± 3,1%)
139Ce 33,29 (Kα) 165,9 0,808 (± 11%)
38,0 (Kβ) 0,195 (± 11%)
198Au 70,15 (Kα) 411,8 0,0229 (± 2,3%)
80,7 (Kβ) 0,00635 (± 2,4%)
203Hg 72,11 (Kα) 279,2 0,1247 (± 2,1%)
83,0 (Kβ) 0,0348 (± 2,3%)
1. Lắp đặt hệ đo như hình 8.3 v{ hiệu chỉnh các thông số như phần 8.1.
2. Đặt nguồn 137Cs cách mặt detector khoảng 2 cm (chú ý khoảng c|ch đến
detector bằng nhau đối với tất cả các nguồn).
3. Đặt toàn dải đo l{ 1024 kênh, điều chỉnh hệ số khuếch đại của 672 để vạch Kα
năng lượng 32,1 keV nằm tỉ lệ trong dải 1024 kênh. Đo tích lũy khoảng 6.000 số đếm
cho đỉnh Kα, đo trong chế độ thời gian sống (live time), lưu lại số liệu và ghi lại giá trị
live time.
4. Thay nguồn 137Cs bằng 109Cd, đo tích lũy đến khi diện tích đỉnh có đủ thống kê,
lưu số liệu và ghi lại giá trị thời gian sống.
5. Lặp lại với các nguồn chuẩn kh|c được khuyến cáo dùng cho tia X trong bảng 8.2.
Bài tập
a. Từ dữ liệu phổ và thời gian đo, x|c định vị trí đỉnh và số đếm đỉnh/giây của từng
đồng vị trong bảng 8.2, ghi các giá trị tìm được vào bảng 8.3.
b. Vẽ đường chuẩn năng lượng theo số kênh đối với dữ liệu thu được trong bảng
8.3. X|c định độ dốc của đường chuẩn theo eV/kênh. Đối với mỗi đỉnh, nh}n độ dốc của
đường cong hiệu chuẩn bởi FWHM (theo kênh) của mỗi đỉnh; từ độ dốc đó, x|c định độ
phân giải của mỗi vạch. Ghi những giá trị này vào bảng 8.3 và vẽ đồ thị độ phân giải
theo năng lượng từ số liệu thu được. Tại sao độ phân giải tốt hơn khi năng lượng tia X
thấp hơn? Liên hệ với thực hành số 3, khi đo phổ gamma với detector NaI(Tl), độ phân
giải lại tồi hơn khi năng lượng tia gamma thấp hơn.
Hình 8.5. Phổ tia X của nguồn 241Am đo với detector Si(Li)
Năng lượng tia X Số đếm/giây Độ phân giải

Đồng vị Số kênh Số đếm/giây E (hiệu suất)
(keV) lý thuyết của đỉnh
5,414 Kα
54Mn
5,946 Kβ
6,40 Kα
57Co 7,06 Kβ
14,41 γ
8,04 Kα
65Zn
8,90 Kβ
13,38 Kα
85Sr
15,00 Kβ
14,12 Kα
88Y
15,85 Kβ
22,10 Kα
109Cd
25,00 Kβ
113Sn
24,14 Kα
27,40 Kβ
32,1 Kα
137Cs
36,6 Kβ
33,29 Kα
139Ce
38,0 Kβ
70,15 Kα
198Au
80,7 Kβ
72,11 Kα
203Hg
83,0 Kβ
c. X|c định cường độ tia X lý thuyết (số lượng tử/giây) cho mỗi vạch bằng cách
nhân hoạt độ của nguồn (số lượng tử gamma/giây) với giá trị tỷ số cường độ tia
X/gamma đ~ trích dẫn trong bảng 8.2. Lưu ý rằng cường độ nguồn gamma nên được
x|c định ở năng lượng gamma hiệu chuẩn đ~ ghi trong bảng 8.2. Từ các số liệu này, xác
định hiệu suất detector đối với từng vạch và ghi vào bảng 8.3. Hiệu suất được định
nghĩa bằng tỷ số cường độ tia X đo được trên cường độ khả dĩ của nguồn theo lý
thuyết. Vẽ đường cong hiệu suất theo năng lượng cho detector. Hình 8.2 biểu diễn
dạng đường cong hiệu suất này theo các cửa sổ có bề dày khác nhau của Be.
Trong thực hành này sẽ đo hệ số hấp thụ khối của nhôm và niken với tia Kα năng
lượng 8,04 keV từ 65Zn.
1. Lắp đặt hệ thống đo như hình 8.3, điều chỉnh ROI để đ|nh dấu vùng đỉnh 8,04
keV của 65Zn. Trong thực hành này, khoảng cách giữa nguồn và detector là 1 cm.
Phải đảm bảo đủ không gian giữa nguồn và detector để đặt được các lá nhôm và
niken mà không ảnh hưởng đến cửa sổ Be. Buồng đo huỳnh quang tia X rất thuận tiện
cho thí nghiệm này. Trong buồng đo, 4 l| kim loại có thể đặt vào cùng một lúc và sắp
xếp trình tự như ta mong muốn.
2. Đo tích lũy trong thời gian đủ d{i để thu được khoảng 6.000 số đếm ở đỉnh Kα
của 65Zn.Từ những số liệu đo được, x|c định tốc độ đếm đỉnh (số xung detector ghi
được/1 giây) và ghi lại tổng số đếm tích lũy được của đỉnh.
3. Đặt lá kim loại đầu tiên với độ d{y như trong bảng 8.4, đặt lại thời gian đo để có
số liệu thống kê hợp lý.
4. Đo trong khoảng thời gian x|c định, ghi lại tổng số đếm vào bảng 8.4. Sau đó lặp
lại phép đo với các tấm kim loại có độ d{y như trong bảng 8.4.
Độ dày lá nhôm Độ dày lá niken

Số đếm Số đếm
(mg/cm2) (mg/cm2)
5 5
10 10
15 15
20 20
25 25
30 30
35 35
40 40
45 45
50 50
55 55
60 60
Bài tập
Vẽ đồ thị số đếm theo chiều dày hấp thụ và các hệ số suy giảm khối của nhôm và
niken. Tham khảo thêm thực hành 11 về c|c đồ thị khi sử dụng ống đếm tỉ lệ. So sánh
số liệu thu được của bạn với các hình 11.5 và 11.6 trong thực hành 11.
1. R. E. Wood, P.V. Rao, et al., Nucl. Instrum. Methods, 94, 245, (1971).
2. Z. Moroz and M. Moszynski, Nucl. Instrum. Methods, 68, 261, (1969).
York (1979)
4. R. J. Gehrke and R. A. Lokken, Nucl. Instrum. Methods, 97, 219, (1971).
5. J. C. Russ, Coordinator, Energy Dispersion X-Ray Analysis, X - Ray and Electron Probe
Analysis. Available as ASTM Special Technical Publication 485, 1970, 04-485000-39
from American Society for Testing and Materials, 1916 Race Street, Philadelphia,
Pennsylvania.
6. R. D. Giauque and J. M. Jaklevic, "Rapid Quantitative Analysis by X - Ray Spectrometry",
Adv. in X - Ray Analysis 15, 266, Plenum Press, New York (1972).
7. J. M. Jaklevic and F. S. Goulding, "Semiconductor Detector X - Ray Fluorescence
Spectrometry Applied to Environmental and Biological Analysis", IEEE Trans. Nucl.
Sci., NS-19 (1972).
8. J. L. Campbell and L. A. McNelles, "An Intercomparison of Efficiency Calibration
Techniques for Semiconductor X-Ray Detectors", Nucl. Instrum. Methods, 125, 205-
223 (1975).
9. 14th Scintillation and Semiconductor Counter Symposium, IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-
22(1) (1975).
150
ỨNG DỤNG KỸ THUẬT TRÙNG PHÙNG

ĐỂ ĐO HOẠT ĐỘ TUYỆT ĐỐI
Thực hành này nhằm cung cấp kỹ năng sử dụng một số thiết bị cơ bản dùng trong
đo trùng phùng, bao gồm cả phổ kế thời gian. Đ}y l{ một công cụ không thể thiếu trong
nghiên cứu các quá trình phân rã. Trong thực hành này, trùng phùng bêta-gamma sẽ
được sử dụng để đo hoạt độ phóng xạ của nguồn 60Co.
- 01detector NaI(Tl) và ống nhân quang (có thể dùng loại 905-3 2 inch  2 inch
(5,08 cm  5,08 cm) NaI(Tl));
- 01 đế cắm cho ống nhân quang (có thể dùng 266 Photo Multiplier Tube Base);
- 02 tiền khuếch đại tương thích loại 113 Ortec;
- 01 detector Si hàng rào mặt (có thể dùng detector BA-015-050-1000);
- 01 tiền khuếch đại tương thích kiểu 142A Ortec;
- 01 cao thế tương đương kiểu 556 Ortec;
- 01 cao thế 1 kV tương đương kiểu 710 Quad;
- 01 khối ph|t xung có tính năng như 480 Pulser;
- 01 khuếch đại phổ tương đương kiểu 855 Ortec;
- 02 khối SCA thời gian tương đương kiểu 551 Ortec;
- 01 khối trùng phùng tương đương 418A Ortec;
- 01 khối đếm 4 kênh tương đương kiểu 974A Ortec;
- 01 khối trễ nano tương đương kiểu 425A Ortec;
- 01 khối biến đổi thời gian th{nh biên độ tương đương kiểu 567 Ortec;
- 01 khung NIM và nguồn nuôi tương đương kiểu 4001A/4002D Ortec;
Bài thực hành số 9: Ứng dụng kỹ thuật trùng phùng để đo hoät độ tuyệt đối 151
- 01 MCA và phần mềm có tính năng tương đương Easy-MCA-2K kèm cáp nối USB
và phần mềm MAESTRO-32;
- 01 máy tính cá nhân;
- 01 dao động ký tương đương TDS3032C với dải thông >150 MHz;
- Gi| đỡ các detector và mẫu;
- 01 buồng ch}n không dùng cho đo trùng phùng tương đương kiểu 305-AX;
- 01 bơm hút ch}n không tương đương kiểu ALPHA-PPS-230;
- D}y c|p v{ c|c đầu nối:
+ 02 c|p đồng trục C-24-0.5 RG-62A/U đầu BNC, dài 0,5 ft. (15cm);
+ 01 c|p đồng trục C-24-1 RG-62A/U đầu BNC, dài 1 ft. (30 cm);
+ 07 cáp C-24-2 RG-62A/U93- đầu BNC, dài 2 ft. (0,61 m);

+ 04 cáp C-24-12 RG-62A/U đầu BNC, dài 12 ft. (3,7 m);
+ 02 cáp C-36-12 RG-59A/U đầu SHV cái, dài 12 ft. (3,7m);

+ 02 chữ T C-29 BNC;
+ 01 đầu nối C-27 100- BNC;
- Nguồn 60Co hoạt độ 5 µCi cửa sổ mylar mỏng, đ~ được cấp phép;
Đo trùng phùng là một kỹ thuật phổ biến để phát hiện, nhận diện và chuẩn hoạt độ
của các nhân phóng xạ. Kỹ thuật bao gồm việc x|c định những sự kiện xảy ra đồng thời
trong các detector hoặc trong giới hạn phân giải thời gian của hệ. Thời gian phân giải
có thể đạt mức 100 ps với các hệ trùng phùng nhanh, hoặc cỡ một vài µs đối với các hệ
trùng phùng chậm. Việc đo hoạt độ tuyệt đối có thể thực hiện bằng đo trùng phùng hai
hay nhiều các bức xạ đặc trưng như bêta hoặc gamma xảy ra đồng thời, hoặc trong một
khoảng thời gian có tương quan với nhau. Trong các những thực hành này, 60Co là
đồng vị được sử dụng để đo trùng phùng.

Một số nguồn phát bêta và gamma sử dụng trong các phòng thí nghiệm hạt nhân
thường được tạo ra từ lò phản ứng hạt nhân. Thông thường, một đồng vị bền được đưa
vào vùng hoạt của lò phản ứng để kích hoạt trong một khoảng thời gian x|c định. Ở
t}m lò, thông lượng nơtron có thể đạt mức 1014 nơtron/cm2/s. Điều đó có nghĩa l{ có
1014 nơtron bắn vào một cm2 của mẫu trong một giây. Mẫu đồng vị sau khi kích hoạt sẽ
trở th{nh đồng vị phóng xạ.
Với c|c nơtron nhiệt, phản ứng (n,) có xác xuất lớn nhất v{ được gọi là phản ứng
bắt nơtron ph|t gamma. Trong phản ứng này, hạt nhân của bia mẫu bắt một nơtron tạo
thành một đồng vị mới của hạt nhân ban đầu. Đồng vị mới thông thường sẽ ở trạng
thái kích thích và phát gamma tức thời để giải phóng năng lượng về trạng th|i cơ bản.
Hạt nhân mới ở trạng cơ bản thường không bền và có thời gian sống nhất định, chúng
thường phân rã bằng cách phát ra các hạt. Đối với c|c đồng vị được hình thành từ việc
kích hoạt nơtron, hạt nhân sản phẩm thường gi{u nơtron, nên kiểu ph}n r~ thường xảy
ra l{ ph}n r~ bêta v{ sau đó ph|t gamma.
Hình 9.1 là một sơ đồ ph}n r~ đơn giản. Trong sơ đồ này, các mức năng lượng kích
thích được vẽ bằng c|c đường nằm ngang. Ghi chú cho các mức năng lượng được ký
hiệu ở phía bên phải của các mức. X1 phân rã bêta thành Y1. Có hai nhánh trong phân
r~ n{y được ký hiệu là 0 và 1. Như vậy hạt nhân X1 có hai c|ch để giải phóng năng
lượng kích thích.
X1  Y1     (1)
Hình 9.1. Sơ đồ phân rã  - kèm phát ra bức xạ gamma

Trong sơ đồ, C là trạng th|i cơ bản của Y1. Một trạng thái khác của Y1 là mức kích
thích 0,570 MeV được ký hiệu là B. Ở kiểu phân rã thứ hai, X1 sau khi phát 1 sẽ tức
thời ph|t gamma. “Tức thời” mang ý nghĩa thời gian sống của trạng thái rất ngắn, thời
gian n{y thường vào khoảng 10-8 đến 10-12 gi}y. Năng lượng của tia gamma phát ra
bằng năng lượng của trạng thái kích thích thứ nhất của Y1. Nếu nghiên cứu phổ bêta
của X1 như trong thực hành 6, sẽ quan s|t được năng lượng của hai tia bêta. Tuy nhiên,
bằng thí nghiệm trùng phùng (,) sẽ dễ dàng thấy rằng chỉ có 1 trùng phùng với tia
gamma 0,570 MeV. Kỹ thuật trùng phùng sẽ được sử dụng trong thực h{nh n{y để xác
định hoạt độ tuyệt đối của một nguồn phóng xạ.

Để hiểu trùng phùng (,), một ví dụ đơn giản sẽ được sử dụng. Giả sử có một nguồn
phóng xạ (A) ph}n r~ alpha th{nh đồng vị bền (B) với sơ đồ ph}n r~ như hình 9.2.
Hình 9.2. Ví dụ phân rã alpha kèm theo phát gamma
Từ sơ đồ phân rã, có thể thấy 50% (A) phát trực tiếp alpha để về trạng th|i cơ bản
(B). 50% còn lại là phân rã theo nhánh (,) tương tự như trường hợp (,) trong ví dụ
trước. Phân rã 1 có năng lượng 5 MeV và tức thời sau đó l{ gamma có năng lượng
0,50 MeV. Do đó 1 và 1 sẽ trùng phùng với nhau. Trong ví dụ này, tiếp theo sau mỗi
phân rã 1 là phân rã 1 (tất nhiên giả thiết 50% ÷ 50% là hình thức v{ không đúng vì
trong thực tế, hạt alpha n{o có động năng lớn thường chiếm tỷ lệ cao hơn).
Hình 9.3. Phổ alpha thu được từ sơ đồ phân rã 9.2. Phổ alpha bên trái,
ghi bằng detector silic, bên phải là phổ gamma ghi bằng detector nhấp nháy NaI(Tl)
Nếu thiết lập hệ đo sử dụng detector hàng rào mặt để đo hạt alpha và detector
NaI(Tl) để đo gamma, ta sẽ thấy rằng không có gamma nào trùng phùng với 0.

Trong tất cả các thực h{nh đ~ trình b{y, hạt nhân có thể chuyển thẳng về trạng
th|i cơ bản bằng ph}n r~ gamma. Tuy nhiên đa số hạt nhân khử kích thích theo cách
phát ra một số tia gamma nối tầng. Để minh họa cho vấn đề này, chúng ta sẽ xem xét
qu| trình ph}n r~ đơn giản – nối tầng bậc hai - trong hình 9.4.
Hình 9.4. Sơ đồ phân rã - kèm theo phát gamma nối tầng

Trong hình 9.4, hạt nhân (C) phân rã tạo thành hạt nhân (D) do phân rã bêta. Từ
sơ đồ phân rã, hạt nhân (C) sau phân rã bêta tạo thành hạt nh}n (D) có năng lượng
kích thích bằng 1 MeV. Hạt nhân (D) ở trạng thái kích thích sẽ phát gamma nối tầng, 1
ph|t ra có năng lượng 0,4 MeV và tức thời sau đó l{ 2 có năng lượng 0,6 MeV. Một cách
đơn giản như vậy khi có 1, ta luôn có 2. Phổ gamma trong trường hợp này có dạng
như hình 9.5. Như đ~ đề cập trong phần trùng phùng bêta và các tia gamma. Hiếm khi
các hạt nh}n kích thích được tạo nên từ phân rã  chuyển trực tiếp về trạng th|i cơ bản
m{ thường qua các trạng thái kích thích trung gian. Nếu chuyển dời trực tiếp xảy ra, ta
sẽ quan s|t được gamma có năng lượng 1 MeV trong phổ. Tỷ số xác suất để hạt nhân
phân rã về các trạng thái khác nhau qua một trạng thái trung gian n{o được gọi là hệ số
rẽ nhánh. Trong các thí nghiệm sau, đo trùng phùng (,) và (,) sẽ được thực hiện.
Trong thí nghiệm n{y, ta quan t}m đến cấu hình hệ đo trùng phùng v{ trùng phùng
(,) sẽ được sử dụng để đo hoạt độ tuyệt đối của mẫu.
Hình 9.5. Phổ tia gamma tương ứng sơ đồ phân rã ở hình 9.4 đo bằng detector NaI(Tl)

Cấu hình hệ trùng phùng được nghiên cứu có sơ đồ như hình 9.6. Trong đó, máy
ph|t xung được sử dụng thay cho tín hiệu các detector, vì vậy xung ra của máy phát
phải phù hợp với tiền khuếch đại.
Hình 9.6. Sơ đồ kết nối các thiết bị trong thí nghiệm 9.1
Điều này cho phép nghiên cứu c|c đặc trưng của sơ đồ trùng phùng nhanh hơn so
với sử dụng detector và nguồn bức xạ.
Trong thực hành này, các khối phân tích thời gian đơn kênh kiểu 551 được sử
dụng để đ|nh dấu thời điểm đến của các xung sau khi qua tiền khuếch đại và khuếch
đại. C|c ngưỡng trên v{ ngưỡng dưới của các SCA thời gian được thiết lập ở các giới
hạn của ngưỡng trên v{ ngưỡng dưới để cho phép tất cả c|c xung tương tự trong dải
có thể được chấp nhận và loại các nhiễu ở gần mức khởi phát. Với các xung tới có biên
độ nằm trong giới hạn được thiết lập bởi c|c ngưỡng trên và dưới của SCA, khối SCA sẽ
tạo ra một xung logic khi mặt tăng của xung có biên độ vượt qu| 50% biên độ cực đại
của xung. Mặc dù xung từ các detector có thể có biên độ thay đổi, nhưng thời gian khởi
phát của c|c xung l{ như nhau. Nói c|ch kh|c, nếu quan sát các xung ra của khuếch đại
trên dao động ký và chuẩn hóa c|c xung để có cùng biên độ thì tất cả các xung sẽ được
nhận diện giống nhau. Mạch dùng để tạo tín hiệu thời gian khi tín hiệu tương tự vượt
qua 50% biên độ đỉnh theo sườn lên của xung sẽ có thời gian trễ tương đối so với thời
điểm bức xạ xuất hiện bên trong detector v{ độc lập với biên độ xung. Mạch hoạt động
như vậy được gọi là khởi ph|t biên độ theo tỉ số sườn lên của xung, cách gọi phổ biến
là phân biệt tỉ số hằng theo sườn lên [12].
Khối trùng phùng 418A có nguyên tắc hoạt động đơn giản, sử dụng phương ph|p
các xung chồng lấp để x|c định khi có hai sự kiện trùng phùng với nhau về mặt thời
gian. C|c xung dương từ SCA thời gian thường có độ rộng chuẩn 500 ns. Mạch trùng
phùng sẽ theo dõi phát hiện sự chồng chập của các xung lối ra từ SCA1 và SCA2. Nếu có
bất kỳ sự chồng chập nào, khối trùng phùng sẽ tạo ra một xung logic khi đó đ~ x|c định
được sự xuất hiện trùng phùng. Trong kỹ thuật điện tử số, trùng phùng được gọi là
mạch AND, bởi vì xung ra chỉ xuất hiện khi tín hiệu ở lối vào 1 và 2 xuất hiện đồng thời.
Thời gian phân giải trùng phùng được x|c định bằng độ rộng của xung cung cấp
cho mạch AND. Nếu độ rộng của hai xung là 500 ns, xung ở lối vào 1 có thể tới trước
xung lối vào 2 tại bất kỳ thời điểm nào trong khoảng từ 0 đến 500 ns mà vẫn trùng
phùng với xung ở lối v{o 2. Ngược lại, xung ở lối vào 2 có thể đến trước xung ở lối vào 1
đến 500 ns mà vẫn thoả mãn yêu cầu trùng phùng. Vì vậy, độ phân giải thời gian của
mạch trùng phùng là 500 + 500 = 1.000 ns. Tổng qu|t hơn, độ phân giải thời gian là
1 + 2, trong đó 1 l{ độ rộng của xung ở lối vào thứ nhất và 2 l{ độ rộng của xung ở lối
vào thứ hai. Thông thường, 1 = 2 = , trong trường hợp n{y độ phân giải thời gian
tổng cộng là 2.
Lối vào A (INPUT A) của khối trùng phùng 418A cho phép người sử dụng thay đổi
độ rộng xung vào của mạch trùng phùng trong khoảng từ 100 ns đến 2 s. Do đó độ
phân giải thời gian trong thí nghiệm này có thể thay đổi từ 100 ns + 500 ns = 600 ns
đến 2.000 ns + 500 ns = 2.500 ns thông qua việc điều chỉnh núm phân giải thời gian
(RESOLVING TIME) liên quan với lối vào A (INPUT A). Lưu ý rằng độ phân giải thời
gian trong trường hợp này không đối xứng đối với hai lối vào A và B. Tại độ rộng tối đa
2 s, tín hiệu ở lối vào A (INPUT A) có thể đến trước tín hiệu ở B (INPUT B) lên đến 2 s
mà vẫn thỏa m~n điều kiện để xuất hiện trùng phùng. Nhưng xung ở lối vào B (INPUT B)
chỉ được đến sớm hơn ở A (INPUT A) ít hơn 500 ns thì mới thỏa mãn yêu cầu trùng
phùng. Để đạt được sự c}n đối, độ rộng của cả hai xung lối vào cần phải giống nhau.
Việc thay đổi độ rộng xung trên lối v{o A (INPUT A) dùng trong c|c trường hợp
làm tín hiệu đối trùng hoặc l{m điều kiện loại bỏ tín hiệu dựa trên một kênh khác. Khi
sử dụng để loại bỏ, độ rộng cần được mở rộng để c|c xung đến trước có thể trùng
phùng với c|c xung đến ở các lối vào khác. Tuy nhiên việc điều chỉnh độ rộng của xung
trên lối vào A (INPUT A) cho phép tìm hiểu các vấn đề về sự thay đổi độ phân giải thời
gian trong thí nghiệm này. Trong thực hành 9.3, độ phân giải thời gian sẽ được kiểm
soát với các xung lối v{o có độ rộng cố định là 500 ns từ các SCA thời gian. Để có thêm
thông tin về hoạt động của mạch trùng phùng, có thể xem thêm các tài liệu về trùng
phùng hoặc hướng dẫn sử dụng.
Các mạch trùng phùng được phân thành hai loại là trùng phùng nhanh và trùng
phùng chậm. Mặc dù không có ranh giới phân chia rõ ràng giữa hai loại, nhưng thông
thường mạch có độ phân giải thời gian lớn hơn 500 ns thì được xem là trùng phùng
chậm và mạch có độ phân giải thời gian nhỏ hơn 100 ns thì được xem là trùng phùng
nhanh. Thông thường, trùng phùng chậm điều khiển các tín hiệu tương tự đ~ được xử
lý để tối ưu hóa qu| trình đo năng lượng. Với trùng phùng nhanh, cần phải có các khối
khuếch đại dải rộng đặc biệt để bảo to{n được thời gian tăng nhanh của tín hiệu từ các
detector. Sơ đồ tiếp theo cho phép cải thiện tỉ số tín hiệu-tạp }m để giảm sai số trong
x|c định thời điểm xuất hiện của tín hiệu.
Một bộ đếm v{ định thời 4 kênh (có thể dùng Quad Counter and Timer 974) được sử
dụng với bộ đếm 1 dùng cho thời gian định trước, các kênh 2, 3 và 4 sẽ được sử dụng để
đếm xung từ khối trùng phùng và các SCA với thời gian được đặt trước trên bộ đếm 1.
Sơ đồ kết nối các khối điện tử được minh họa trên hình 9.6. Với thí nghiệm 9.1, các
c|p đồng trục sử dụng loại RG 62A/U93- v{ đầu nối BNC.
1. Lắp tất cả các khối điện tử, ngoại trừ các tiền khuếch đại vào khung NIM (có thể
dùng NIM 4001A/4002D) và cắm nguồn điện.
2. Nối trực tiếp lối ra của máy phát xung với một đầu của chữ T trên lối vào của
dao động ký, đầu còn lại của chữ T nối với một chụp trở kháng 100 , chọn trở kháng
1 M cho lối vào của kênh 1.
3. Nối một BNC chữ T với lối ra Attenuated Output của máy phát xung, mỗi nhánh
của chữ T sẽ nối với một lối vào Test input của tiền khuếch đại. Sẽ tốt hơn nếu sử dụng
bộ chia có phối hợp trở kháng. Tuy nhiên sự suy giảm do việc mắc song song hai tải
93  với lối ra của máy phát xung có thể bỏ qua do việc chọn hệ số suy giảm lớn ở lối
ra của máy phát xung và trở nội 100  ở lối vào của các tiền khuếch đại.
4. Nối lối ra của một trong các tiền khuyếch đại với lối vào của 1 khuếch đại và lặp
lại với kênh còn lại.
5. Nối cáp cấp nguồn nuôi cho các tiền khuếch đại với mặt sau của khuếch đại phổ.
6. Nối các lối ra đơn cực của khuếch đại phổ với các lối vào DC của các SCA thời gian.
7. Nối lối ra phân cực dương của một SCA thời gian với lối vào B của trùng phùng,
nối lối ra của SCA thời gian còn lại với lối vào C của khối trùng phùng.
8. Nối lối ra của khối trùng phùng với lối vào 3 của bộ đếm.
9. Bật công tắc nguồn nuôi của khung NIM.
10. Chọn điện dung 100 pF cho lối vào trên các tiền khuếch đại.
11. Đặt núm chỉnh biên độ (10 vòng xoay) xung lối ra của máy phát xung ở vị trí
cực đại (xoay theo chiều kim đồng hồ), đặt Attenuator ở 1, 1, 10, 1 và chọn xung
ra cực tính âm. Bật công tắc cấp nguồn cho máy phát xung.
12. Trên các khuếch đại, thiết lập lối vào xung cực tính âm (chuyển công tắc chọn
hai vị trí). Chọn thời gian hình thành xung 0,5 s (chuyển mạch ở mặt trước của
khuếch đại).
13. Lần lượt nối lối ra đơn cực của các khuếch đại với hai kênh của dao động ký
(trở kháng lối vào 1 M), chỉnh hệ số khuếch đại để tín hiệu lối ra của từng kênh có
biên độ + 5V. Trong phép đo n{y có thể sử dụng trực tiếp lối ra của máy ph|t xung để
khởi phát trực tiếp trên kênh 1 của dao động ký.
14. Nối lại các lối ra đơn cực của các khuếch đại với các lối vào của SCA thời gian.
15. Kiểm tra lại c|c SCA để đảm bảo ngưỡng đ~ đặt đủ thấp và ở chế độ Internal.
Tương tự, kiểm tra lại công tắc Strobe đ~ ở chế độ Internal hay chưa.
16. Trên mặt trước của c|c SCA, đặt công tắc INT/NOR/WIN ở chế độ Normal. Đặt
công tắc làm trễ tín hiệu trong khoảng 1  11 s. Vặn núm chỉnh độ trễ cho cả 2 kênh ở
giá trị 500/1.100 (cỡ 5 s) sau đó kho| lại. Vặn núm chỉnh ngưỡng dưới cho cả 2 kênh
ở giá trị 10/1.000 (cỡ 100 mV) sau đó kho| lại. Vặn núm chỉnh ngưỡng trên cho cả hai
kênh ở giá trị 1.000/1.000 (cỡ 10 V) sau đó kho| lại.
17. Trên mặt trước của khối trùng phùng, công tắc COINC/OFF/ANTI ở chế độ
trùng phùng (COINC) cho lối vào B, C và tắt (OFF) các lối vào còn lại. Đặt COINCIDENCE
REQUIREMENT ở 2.
18. Kiểm tra các lối vào 2, 3 và 4 của bộ đếm để đảm bảo đ~ được thiết lập tương
thích cho đếm xung dương (với Quad Counter/Timer 974A được thiết lập mặc định
cho xung âm).
19. Trên mặt trước của khối đếm, xoay núm DWELL ngược chiều kim đồng hồ về
vị trí OFF. Sử dụng nút TIME BASE SELECT chọn 0,1 giây. Với c|c nút đặt trước M và N
thì thiết lập M = 1 v{ N = 2 để đo trong khoảng thời gian 10 giây. Nhấn nút DISPLAY
SELECT và chọn counter 3 để hiển thị số đếm từ lối vào counter 3 trên màn hình LED.
20. Bấm nút STOP, sau đó bấm nút RESET và cuối cùng bấm nút đếm (COUNT).
Đếm trong khoảng 10 giây và dừng lại. Kiểm tra số đếm thu được hiển thị trên khối
đếm với COUNTER INPUT 3, số đếm này khoảng 600 nếu tần số sử dụng là 60 Hz.
21. Nếu bước 20 không đạt yêu cầu, nối lối vào thứ ba của bộ đếm với lối ra dương
của SCA, đo số đếm trong 10 gi}y như bước 20. Số đếm vào khoảng 600. Nếu số đếm
cao hơn 600, xoay núm LOWER LEVEL trên SCA tăng lên đến khi số đếm đạt 600. Nếu
số đếm thấp hơn 600, kiểm tra lại các kết nối giữa máy phát xung và tiền khuếch đại,
kiểm tra xem m|y ph|t xung đ~ bật chưa sau đó tiến h{nh đo lại.
22. Khi số đếm ở các lối ra SCA đ~ đạt yêu cầu, nối lại lối ra của SCA với lối vào của
khối trùng phùng và lối ra của khối trùng phùng với lối vào của khối đếm.
23. Nếu vẫn chưa ghi được số đếm trùng phùng, điều chỉnh núm DELAY trên khối
SCA trên kênh kết nối với lối vào B của khối trùng phùng cho đến khi tốc độ đếm đạt
cực đại. Khoá núm DELAY tại vị trí đó.
24. Với SCA nối vào kênh C của khối trùng phùng, thay đổi độ trễ mỗi bước 100 ns
và ghi lại số đếm tích luỹ đo được trên khối đếm trong 10 giây. Tiếp tục tăng độ trễ cho
đến khi tốc độ đếm giảm đến 0.
25. Lặp lại bước 24 theo chiều giảm độ trễ với mỗi bước thay đổi 100 ns.
Bài tập
a. Vẽ đồ thị số liệu thu được trong bước 24 và 25 với trục trung là số đếm trùng
phùng thu được và trục ho{nh l{ độ trễ. Kết quả sẽ có dạng như hình 9.7, nhưng độ
rộng toàn phần sẽ khác 2 vào khoảng 1 s.
Hình 9.7. Tốc độ trùng phùng phụ thuộc độ trễ
b. X|c định thời gian phân giải 2 từ đồ thị.

c. So sánh thời gian phân giải với độ rộng xung từ SCA thời gian.
d. Giá trị trễ thiết lập thế n{o để tương ứng với điểm số đếm trùng phùng bằng một
nửa giữa không và cực đại? Tại sao điểm này quan trọng trong setup hệ đo trùng phùng?
1. Chuyển cáp từ lối vào C về lối vào A của khối trùng phùng. Chuyển công tắc điều
kiện với lối vào C về OFF và thiết lập trùng phùng cho lối vào A.
2. Vặn núm phân giải thời gian theo chiều kim đồng hồ đến giá trị cực đại.
3. Lặp lại bước 23 đến 25, làm bài tập a và b.
Bài tập
e. Thời gian phân giải từ đồ thị mới liên quan đến độ rộng xung ra của SCA thời
gian khi sử dụng lối v{o A như thế nào?

Khối biến đổi thời gian – biên độ (TAC) có thể rất thuận tiện trong c|c phép đo
trùng phùng, đặc biệt khi cần một độ phân giải thời gian nhỏ hơn so với việc sử dụng
phương ph|p mạch trùng phùng thông thường. Về cơ bản, TAC cung cấp các xung
tương tự có biên độ tỷ lệ với độ chênh thời gian (t) giữa xung Start và xung Stop. Yêu
cầu trong thiết kế TAC phải có khả năng đo c|c sai kh|c thời gian nhỏ hơn 1 nano gi}y
với độ phân giải cỡ 10 ps. Một TAC điển hình sẽ có chuyển mạch để chọn một số dải
thời gian đo từ 0 đến 10 ns hoặc 0 đến 2 ms. Khi tín hiệu tương tự ở lối ra của TAC
được đưa đến lối vào của một khối ph}n tích đa kênh có chức năng phân tích phổ,
thông tin thu được lúc này không chỉ có thời gian trùng phùng giữa các sự kiện mà còn
hiển thị phân bố thời gian của các sự kiện trùng phùng.
Khả năng đó cho phép đo thời gian sống của c|c đồng vị có thời gian phân rã rất
ngắn. Nếu thay máy ph}n tích đa kênh bằng ph}n tích đơn kênh (SCA), cửa sổ chọn
biên độ xung của SCA có thể chọn ở vùng đỉnh để có thời gian phân giải trùng phùng
dưới nano gi}y đến nano giây.
Mục đích của thực hành này là nghiên cứu một số đặc trưng của TAC. Để tìm hiểu
thêm về TAC, có thể xem thêm các tài liệu hướng dẫn sử dụng.
Thực hành 9.2 sử dụng cấu hình và kết quả hiệu chỉnh trong phần 9.1 với những
thay đổi như sau:
Hình 9.8. Ghép nối các khối điện tử cho thực hành 9.2
1. Tắt nguồn NIM và cắm thêm khối TAC vào khung NIM. Bật lại công tắc nguồn
NIM sau khi đ~ cắm thêm TAC.
2. Sử dụng c|p đồng trục RG-58A/U50 , nối tín hiệu âm (Fast Negative Output)
từ một kênh lối ra của SCA thời gian vào lối vào START của TAC, nối lối ra của kênh
SCA còn lại với lối v{o trên đỉnh của khối trễ 425A, lối ra ở dưới của khối trễ được nối
vào lối vào STOP của TAC. Ở chế độ xung ECL, ta phải sử dụng c|c c|p v{ đầu nối trở
kháng 50  để tránh làm biến dạng tín hiệu và phản xạ sóng.
3. Sử dụng một c|p đồng trục RG-62A/U93, nối lối ra của TAC với lối vào của
khối ph}n tích đa kênh (có thể dùng Easy-MCA-2K). Nối khối ph}n tích đa kênh với
máy tính và khởi động chương trình đo (có thể nối qua USB và dùng phần mềm
MAESTRO-32).
4. Cấu hình và kết nối của tiền khuếch đại, khuếch đại và SCA thời gian giống như
trong thực hành 9.1, ngoại trừ một số thay đổi dưới đ}y.
5. Trên cả hai hai khối SCA thời gian, chọn dải làm trễ 0,1 ÷ 1,1 s, vặn núm DELAY
đến giá trị nhỏ nhất và khoá lại.
6. Bật chuyển mạch 32 ns trên khối trễ về vị trí DELAY IN, các chuyển mạch còn lại
ở vị trí DELAY OUT. Khối trễ sử dụng c|p đồng trục 50  có độ d{i kh|c nhau để chọn
thời gian trễ tương ứng.
7. Trên mặt sau của TAC, kiểm tra công tắc EXT TROBE RESET v{ đặt ở 10 s.
8. Trên mặt trước của TAC, chọn vị trí OUT cho chuyển mạch TAC INHIBIT. Chọn
chế độ ANTI-coincidence cho chuyển mạch GATE. Chuyển mạch STROBE đặt ở chế độ
INTernal. Thường chuyển mạch PWB được chọn ở vị trí xung phân cực âm (Negative
NIM input). Thiết lập này có thể thay đổi cho phù hợp với xung lối v{o v{ người sử dụng
cần phải kiểm tra lại trước khi sử dụng. Chọn dải đo từ 0 ÷ 100 ns và hệ số nhân 1
(RANGE = 100 và MULTIPLIER = 1).
9. Khởi động chương trình đo v{ chọn dải phân tích 1024 kênh (cho các xung có
biên độ 0 đến +10 V), ngưỡng trên thiết lập ở kênh 1024 v{ ngưỡng dưới ở kênh 20.
Kiểm tra để chắc chắn chế độ điều khiển GATE đang được tắt.
10. Kiểm tra để đảm bảo rằng m|y ph|t xung đ~ được bật với các giá trị được chọn
như trong thực hành 9.1.
11. Bắt đầu đo v{ quan s|t c|c kênh mà tại đó bắt đầu xuất hiện một đỉnh hẹp.
Thay đổi độ trễ trên SCA để cho đỉnh dịch đến vị trí kênh 500. Tăng độ trễ trên SCA nối
với START của TAC đỉnh sẽ dịch xuống vị trí kênh thấp hơn, ngược lại khi tăng độ trễ
của SCA nối với STOP của TAC đỉnh sẽ dịch lên phía kênh cao hơn. Sau khi điều chỉnh
để đỉnh ở vị trí trung tâm của MCA, khóa c|c núm thay đổi độ trễ của các SCA.
12. Đo đỉnh đủ l}u để có được độ chính xác thống kê cần thiết, độ phân giải
(FWHM) có giá trị thu được là C1. Nếu FWHM thu được bé hơn 5 kênh, thay đổi dải đo
của MCA lên 2.048 kênh, ngưỡng trên đặt ở kênh 2.048 v{ ngưỡng dưới đặt ở kênh 40.
Nếu C1 thu được có giá trị lớn hơn 20 kênh, thay đổi dải đo của MCA về 512 kênh,
ngưỡng trên đặt ở kênh 512 v{ ngưỡng dưới đặt ở kênh 10. Lặp lại phép đo FWHM
với dải đo cuối cùng được chọn.
13. Với mỗi giá trị trễ của khối trễ trong bảng 9.1, đo để thu được đỉnh với độ
chính xác thống kê cần thiết v{ x|c định t}m đỉnh theo giá trị trễ.
Hình 9.9. Đường chuẩn độ trễ theo số kênh
Độ trễ của tín hiệu Vị trí đỉnh Độ trễ của tín hiệu Vị trí đỉnh
Stop (ns) (kênh số) Stop (ns) (kênh số)
0 35
5 40
10 45
15 50
20 55
25 60
30 63
Bài tập
a. Vẽ đồ thị dữ liệu trong bảng 9.1 dưới dạng đường chuẩn độ trễ theo vị trí kênh.
Kết quả sẽ có dạng như hình 9.9.
b. X|c định hệ số góc của đường chuẩn năng lượng, D/ch.
c. Tính giá trị phân giải thời gian dưới dạng nano giây từ 12 phép đo v{ hệ số góc
trong bước b:
D
T1  C1 (2)
ch
14. Đặt tất cả các chuyển mạch của khối trễ về vị trí OUT. Sử dụng chuyển mạch
chọn dải đo của TAC về 500 ns.
15. Tăng dải đo của MCA lên 2048 kênh. Tăng ngưỡng trên đến kênh 2048 và
ngưỡng dưới đến kênh 40.
16. Vặn nút trễ trên SCA nối với START của TAC về vị trí có giá trị cực tiểu và khóa lại.
17. Bắt đầu từ giá trị trễ nhỏ nhất, vặn DELAY để tăng độ trễ trên SCA nối với lối
STOP (giá trị trễ cố định nối với kênh STOP là 25 ns), ghi lại vị trí đỉnh giống như trong
bảng 9.1. Cần x|c định giá trị tối thiểu để tạo được đỉnh trong phổ thời gian. Dừng việc
tăng độ trễ khi vị trí đỉnh gần với vị trí của kênh cực đại của MCA.
18. Tính FWHM của một trong c|c đỉnh ở gần vị trí trung tâm, giá trị n{y được gọi
là C2.
Bài tập
a. Vẽ một đường chuẩn mới cho dải 500 ns giống như đ~ l{m trước đ}y.
b. X|c định hệ số góc của đường chuẩn và sử dụng để tính FWHM đo được gọi là
T2 như trong bước 18.
c. T1 khác T2 như thế nào? Tại sao?
4.3.1. Mục đích

Sử dụng phương ph|p đo trùng phùng để đo hoạt độ tuyệt đối của một nguồn 60Co
bằng đo trùng phùng -.
Để x|c định hoạt độ tuyệt đối của một nguồn 60Co, phương ph|p bao gồm đếm các
sự kiện sau đ}y:
1) Tổng số đếm trong phổ gamma của nguồn đo bằng detector NaI(Tl) (xem thực
h{nh 3 để có thêm thông tin về detector này).
2) Tổng số đếm trong phổ  đo được với detector hàng rào mặt Si như trong thực
hành 6.
3) Tốc độ đếm trùng phùng - của nguồn với sơ đồ như trong thực hành 9.1.
Với 1), tốc độ đếm gamma, R là:
R = A0. (3)
Trong đó A0 là tốc độ phân rã thật của nguồn và  là hiệu suất của detector NaI(Tl).
Với 2), tốc độ đếm bêta là:
R = A0. (4)
Trong đó  là hiệu suất của detector đo bêta.
Tốc độ trùng phùng đo được với 3) theo dự đoán của lý thuyết là:
Rc = A0.. (5)
Từ (3), (4) và (5), A0 có thể được tính như sau:
R R
A0  (6)
Rc

Thực hành này cần sử dụng một detector Si hàng rào mặt (có thể dùng loại BA-
015-050-1000) dùng để đo các hạt bêta phát ra từ nguồn 60Co. Đ}y l{ loại detector rất
dễ hỏng vì vậy phải hết sức cẩn thận khi sử dụng.
Chú ý khi sử dụng detector hàng rào mặt
Không được chạm vào bề mặt ở khu vực cửa sổ của detector hàng rào mặt bằng
bất kỳ vật gì – đặc biệt là ngón tay. Cửa sổ phía trước của detector là một lớp vàng
mỏng bám dính bằng phương ph|p bốc bay trong chân không, nó sẽ hư hỏng không
thể sửa được dưới t|c động của dầu, mồ hôi hoặc bất kỳ chất ăn mòn n{o, vì thế các
chức năng của detector bị phá huỷ. Luôn luôn đặt detector lên giá hoặc trong vỏ bọc
bảo vệ. Không được để bất kỳ vật liệu nào chạm vào bề mặt phía trước của detector.
Thiết lập thiết bị giống như trên hình 9.10. Dưới đ}y l{ mô tả chi tiết.
4.3.3.1. Thiết lập và kết nối
1. Tắt công tắc cấp nguồn trên khung NIM.
2. Nếu detector hàng rào mặt Si chưa được lắp đặt đúng trong buồng chân không,
cần phải lắp đặt detector vào buồng một cách thích hợp. Đầu nối ở mặt sau của
detector cần được cắm chặt v{o ch}n đế của buồng ch}n không, c|c đai ốc phải được
vặn chặt bằng tay.
3. Đặt nguồn 60Co trên trục của detector với khoảng cách giữa nguồn và detector
là 2,5 cm. Một mặt của nguồn là lớp mylar mỏng phủ trên vật liệu phóng xạ cho phép
các hạt bêta phát ra với thất tho|t năng lượng nhỏ nhất. Mặt bên kia của nguồn là một
đĩa nhôm có độ dày khoảng 3 mm – nó đủ mỏng để cho tia gamma xuyên qua nhưng sẽ
hấp thụ ho{n to{n c|c tia bêta. Hướng phía nguồn với phim mylar mỏng về phía
detector hàng rào mặt.
Hình 9.10. Lắp ráp các khối điện tử cho thí nghiệm 9.3
4. Đóng nắp buồng ch}n không để chuẩn bị tạo môi trường chân không trong buồng.
5. Sử dụng c|p đồng trục RG 62A/U-93  có chiều dài thích hợp, nối tín hiệu ở
phía ngoài buồng chân không với lối vào của tiền khuếch đại.
6. Kết nối van hút chân không với bơm hút ch}n không.
7. Đặt detector NaI(Tl) v{ PMT 266 trên gi| đỡ. Tinh thể nhấp nh|y nên được đặt
ở tâm của buồng chân không với khoảng cách giữa mặt detector và cửa sổ của buồng
chân không là cực tiểu. Đặt một tờ giấy mỏng giữa detector và buồng ch}n không để
cách điện.
8. Sử dụng c|p đồng trục RG 62A/U-93  có chiều dài hợp lý để nối lối ra ANODE
với lối vào của tiền khuếch đại.
9. Tháo các khối trễ và TAC khỏi khung NIM để lấy không gian lắp thêm khối cao
áp 1 kV. Để giảm thiểu ảnh hưởng của dây tiếp đất, cắm khối cao thế bên cạnh khối
khuếch đại. Vấn đề này không phải quá quan trọng vì detector NaI(Tl) ít nhạy với dây
tiếp đất.
10. Kiểm tra để đảm bảo công tắc cấp nguồn của khối cao thế đang tắt. Cực tính
đang chọn POSitive và công tắc CONTROL được đặt ở vị trí INTernal. Vặn chiết |p điều
khiển cao thế về giá trị cực tiểu.
11. Nối một lối ra ở mặt sau của khối cao áp với lối vào HV POSitive trên PMT
bằng c|p đồng trục RG 59A/U với đầu cắm SHV.
12. Bật nguồn nuôi khung NIM đủ l}u để kiểm tra đèn LED ở POS/NEG ở mặt
trước của cao áp. Sử dụng đầu ra #1. Cần chắc chắn rằng đèn Led s|ng xanh l| c}y ở vị
trí báo cao thế dương POSitive. Tắt nguồn nuôi của khung NIM.
13. Trên khối cao thế, bật công tắc RANGE về vị trí DISABLE và xoay núm lên cao
thế về giá trị nhỏ nhất cho tất cả các lối ra. Công tắt MASTER được chọn ở vị trí OFF.
14. Sử dụng một c|p đồng trục RG 59A/U với đầu cắm SHV, nối lối ra HV #1 trên
mặt sau của cao thế với lối vào BIAS trên tiền khuếch đại.
15. Nối cáp nguồn cho 2 tiền khuếch đại với PREAMP POWER trên mặt sau của
khuếch đại.
16. Sử dụng một c|p đồng trục RG 62A/U-93 , nối lối ra T của tiền khuếch đại
113 với một lối vào của khuếch đại 855. Tương tự như vậy, nối lối ra E của tiền khuếch
đại 142A với lối vào thứ 2 của khuếch đại 855.
17. Nối đầu ra đơn cực UNIpolar của khuếch đại với lối vào DC của SCA bằng một
c|p đồng trục ngắn RG 62A/U-93 .
18. Đặt các BNC chữ T vào các lối vào #2 và #4 của COUNTER.
19. Dùng một c|p đồng trục ngắn RG 62A/U-93 , nối một đầu với chữ T trên
INPUT 2 và lối ra POSitive của SCA tương ứng với tín hiệu từ detector NaI(Tl). Nối đầu
còn lại của chữ T vào lối vào C của khối trùng phùng.
20. Tương tự, nối một đầu của chữ T trên lối vào của COUNTER 4 với lối ra xung
dương của khối SCA tương ứng với detector hàng rào mặt. Nối chân còn lại của chữ T
với lối vào B của khối trùng phùng.
21. Dùng một c|p đồng trục ngắn RG 62A/U-93 , nối lối ra của khối trùng phùng
với lối vào của COUNTER 3.
4.3.3.2. Thiết lập điều khiển
1. Trên khối trùng phùng chọn IN cho hai lối vào B và C, các lối khác ở chế độ OFF.
2. Với các SCA và khuếch đại, sử dụng các thiết lập trong thực hành 9.1.
3. Với khuếch đại cho kênh detector hàng rào mặt, thay đổi cực tính xung lối vào
thành POSitive thông qua chuyển mạch POS/NEG.
4. Chọn điện dung 100 pF cho lối vào của tiền khuếch đại.
5. Bật công tắc nguồn cho khung NIM.
6. Từ tài liệu hướng dẫn, lên cao thế cho detector NaI(Tl). Các nhà sản xuất
thường nêu rõ giá trị cao |p v{ độ phân giải năng lượng của các detector.
7. Sử dụng dao động ký để quan sát xung ở lối ra đơn cực sau khuếch đại phổ đối
với kênh detector NaI(TI). Mặt tăng của xung cỡ 1 s và xung tồn tại một vài micro
giây. Chỉnh hệ số khuếch đại để đỉnh ứng với năng lượng tia gamma 1,33 MeV vào
khoảng 8 V. Khoá núm tinh chỉnh hệ số khuếch đại sau khi chỉnh.
8. Điều chỉnh P/Z nếu cần.
9. Nối lại lối ra đơn cực của bộ khuếch đại cho detector NaI(TI) với SCA tương ứng.
10. Bật máy hút chân không. Trong khi chờ ch}n không đạt tới giới hạn, tìm giá trị
cao áp của detector hàng rào mặt trong tài liệu.
11. Một khi buồng đ~ đạt chân không yêu cầu, bật công tắc MASTER trên khối cao
thế. Kiểm tra đèn cực tính đ~ đúng chưa. Đặt công tắc VOLTS/CURRENT ở lối ra
VOLTAGE 1 để điện áp có thể được theo dõi khi thay đổi. Chọn RANGE thích hợp cho
núm xoay thay đổi điện áp VOLTAGE 1. Vặn từ từ núm tăng cao |p, theo dõi điện áp
hiển thị cho đến khi đạt được giá trị danh định.
12. Đặt chuyển mạch VOLTAGE/CURRENT ở CURRENT 1. Chú ý giá trị dòng hiển
thị. Nhân giá trị dòng với 100 M để x|c định điện áp cần phải tăng thêm để bù với sụt
|p trên điện trở 100 M trong tiền khuếch đại.
13. Chuyển công tắc VOLTAGE/CURRENT về vị trí VOLTAGE 1 v{ bù thêm điện áp
đ~ tính ở bước 12.
14. Quan s|t xung đơn cực ở lối ra sau khuếch đại ứng với detector hàng rào mặt.
Các xung sẽ có cực tính dương, thời gian tăng đến đỉnh khoảng 1 s và tồn tại trong
khoảng vài micro giây. Theo thực hành 6, các xung sẽ có biên độ phân bố liên tục và
cực đại tương ứng với năng lượng 0,314 MeV l{ điểm cuối của phổ bêta. Thay đổi hệ số
khuếch đại để có biên độ xung cực đại vào khoảng 6 V. Khóa nút FINE GAIN để tránh
những thay đổi không mong muốn.
15. Chỉnh lại P/Z của khuếch đại cho tín hiệu từ detector hàng rào mặt.
16. Nối lại lối ra đơn cực của khuếch đại phổ vào lối vào của SCA tương ứng.
17. Đặt thời gian đo cho bộ đếm và khởi ph|t đo, kiểm tra để chắc chắn rằng số
đếm ở cả ba kênh đều tăng. Tốc độ đếm ở kênh 2 và 4 phải lớn hơn kênh 3.
4.3.3.3. Chỉnh khối SCA

1. Chỉnh cao thế cấp cho detector hàng rào mặt về không, xả chân không và lấy
nguồn 60Co ra ngoài.
2. Đóng cửa buồng chân không. Bật bơm hút ch}n không v{ lên lại cao thế cho
detector ở giá trị thích hợp.
3. Quan sát tốc độ đếm trên Counter 4. Giá trị này phải l{ không đ|ng kể. Tăng
ngưỡng dưới của SCA cho kênh detector hàng rào mặt để tìm ra mức nhiễu. Tốc độ
đếm trên Counter 4 sẽ tăng nhanh khi ngưỡng dưới đặt thấp hơn mức nhiễu. Tăng
ngưỡng dưới lên trên mức nhiễu và khóa chặt vòng xoay.
4. Lặp lại bước 3 đối với SCA cho detector NaI(TI).
5. Tốt nhất, nên chỉnh tối ưu WALK cho c|c SCA. Tuy nhiên, thông thường WALK
đ~ được chỉnh tối ưu trừ khi có c|c điều chỉnh sai trước đó. Điều chỉnh WALK được
dùng để cực tiểu độ nhạy đối với biên độ xung theo thời điểm m{ xung dương hoặc âm
được SCA tạo ra. Nói cách khác nó giảm thiểu sai số thời gian của hệ thống [12].
6. Chỉnh cao thế cho detector hàng rào mặt về không, xả ch}n không. Đặt lại nguồn
60Co vào bên trong với phía có cửa sổ mỏng hướng về detector Si.
7. Bật bơm hút ch}n không v{ lên lại cao thế cho detector hàng rào mặt ở giá trị
thích hợp.
8. Lặp lại các bước từ 23 đến 25 trong thực h{nh 9.1, c|c bước a) và d) trong bài
tập để x|c định đồ thị phân giải thời gian. Thời gian đếm cần đặt l}u hơn để thu được
số đếm có độ chính xác thống kê cần thiết khi đo với nguồn. H~y x|c định đường cong
trùng phùng dưới dạng hình chữ nhật, x|c định điểm giữa của đường cong, đặt giá trị
trễ cho c|c SCA v{o điểm này. Khóa chặt vòng xoay của c|c núm thay đổi độ trễ trên
các SCA.
4.3.3.4. Đo hoạt độ phóng xạ bằng các phép đo đơn và trùng phùng
1. Đọc số đếm ở các lối Counter #2, #3, #4 để thực hiện c|c tính to|n theo phương
trình (6). Tốc độ đếm trùng phùng trong Counter 3 sẽ có giá trị bé nhất. Vì sai số ngẫu
nhiên do qu| trình đo sẽ đóng góp chính v{o độ chính xác của kết quả tính, nên cần đo
trong một thời gian đủ d{i để đạt được sai số thống kê < 3% trong kết quả cuối cùng.
Số đếm thô từ các detector khi không trùng phùng sẽ được gọi là các số đếm đơn. Gi|
trị n{y tương phản với tốc độ đo trùng phùng, với trùng phùng các sự kiện ở các
detector phải xảy ra đồng thời.
Bài tập
a. Từ số liệu thu được trong bước 1, tính hoạt độ của nguồn 60Co theo phương
trình (6).
b. So sánh kết quả với hoạt độ đ~ biết của nguồn? Thời gian phân rã ảnh hưởng
như thế n{o đến kết quả đo?
c. Vẽ đồ thị thời gian phân giải theo c|c thay đổi trên SCA trong bước 8. Độ rộng
đỉnh của đường cong thay đổi như thế nào, dự đo|n về trùng phùng ngẫu nhiên nằm
dưới đường cong trùng phùng.
d. Vẽ sơ đồ phân rã của 60Co. Hiệu ứng phân rã bêta về các trạng thái 2,158 MeV và
1,3325 MeV trong c|c phép đo hoạt độ ở trên?
e. Nhận xét về phương ph|p trùng phùng được sử dụng để đo hoạt độ của nguồn
60Co trong sơ đồ phân rã mô tả trên hình 9.1?
York (1979).
2. V. Acosta, C. L. Cowan, and B. J. Graham, Essentials of Modern Physics, Harper
andRow,New York(1973).
3. V. Arena, Ionizing Radiation and Life, The C. V. Mosby Co., St. Louis, Missouri
(1971).
4. H. L. Andrews, Radiation Biophysics, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, New Jersey (1974).
6. W. Mann and S. Garfinkel, Radioactivity and Its Measurement, Van Nostrand-
7. Radiological Health Handbook, U.S. Dept. Of Health, Education, and Welfare, PHS
Publication 2016. Available from National Technical Information Service, U.S.
Dept. Of Commerce, Springfield, Virginia.
9. K. Siegbahn, Ed., Alpha-, Bêta-, and Gamma-Ray Spectroscopy 1 and 2, North
HollandPublishingCo., Amsterdam(1965).
10. A. H. Wapstra, et al., Nuclear Spectroscopy Tables, North Holland Publishing Co.,
Amsterdam (1959).
11. See the Introduction to Time-to-Amplitude Converters and Calibrators at
http://www.ortec- online.com/Solutions/modular-electronic-instruments.aspx.
12. See the Introduction to Single-Channel Analyzers at http://www.ortec-online.com/
Solutions/modular-electronic- instruments.aspx.
170
TÁN XẠ COMPTON
Thực hành khảo sát hiệu ứng tán xạ Compton trên thanh nhôm (hoặc đồng) của
tia gamma 662 keV từ nguồn 137Cs hoạt độ 5 mCi. Sự phụ thuộc năng lượng của tia
gamma tán xạ vào góc tán xạ sẽ được đo v{ so s|nh với tính toán lý thuyết. Ngoài ra,
tiết diện tán xạ cũng được đo v{ so s|nh với lý thuyết Klein-Nishina. Thí nghiệm sẽ
khảo sát tán xạ Compton trên các vật liệu nhôm, đồng và chất nhấp nháy plastic. Trong
thí nghiệm, kỹ thuật đo trùng phùng được sử dụng để giảm phông v{ cho phép đo năng
lượng giật lùi của electron.
- Tấm nhấp nháy plastic nhanh P2I16/2 (329) và ống nh}n quang kính thước
1,27 × 10,2 cm;
- Detector NaI(Tl) 905-3 (5,08 cm × 5,08 cm);
- 02 tiền khuếch đại 113;
- 02 khối cao áp 556;
- 01 đế cắm cho ống nhân quang 266;
- 01 đế cắm cho ống nhân quang 265A;
- Hai khuếch đại phổ 855;
- Khuếch đại trễ 427A;
- Khối phân tích thời gian đơn kênh 551;
- Khối trùng phùng 416A và dây trễ;
- Khung NIM 4001A/4002D và nguồn nuôi;
- EASY-MCA- 2K bao gồm cáp USB và phần mềm MAESTRO 32 (có thể thay thế
bằng các MCA khác của ORTEC);
Bài thực hành số 10: Tán xä Compton 171
- 1 máy tính cá nhân có cổng USB và một hệ điều hành hỗ trợ chương trình đo.
- Dao động ký TDS3032C tần số ≥ 150 MHz.
- C|p v{ đầu nối:
+ 02 cáp đồng trục C-36-12 RG-59A/U đầu SHV cái, dài 3,7 m;
+ 05 c|p đồng trục C-24-1 RG-62A/U, đầu nối BNC, dài 30 cm;
+ 03 c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93-Ω, đầu nối BNC, chiều dài 1,2 m;
+ 04 c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U, đầu nối BNC, chiều dài 3,7 m;
+ 01 đầu nối chữ T-C-29 BNC;
+ B{n đo có chia góc 306–AX.
- Thanh nhôm tán xạ: đường kính 1,27 cm, dài 10,2 cm bằng hợp kim ASTM
6061-T651; Nếu dùng thanh đồng hoặc sắt thì có thể rút ngắn thời gian đo m{ kết
quả tương đương.
- Nguồn 173Cs hoạt độ 5 mCi và giấy phép sử dụng nguồn;
- Bộ nguồn gamma bao gồm: 133Ba, 109Cd, 57Co, 60Co, 137Cs, 54Mn và 22Na, hoạt độ
mỗi nguồn là 1 μCi và nguồn hỗn hợp Cs/Zn với tỉ lệ 0,5 μCi 137Cs và 1 μCi 65Zn. Bộ
nguồn có năng lượng từ 32  1333 keV để chuẩn thiết bị.
Sự va chạm của lượng tử gamma với một electron tự do được giải thích bằng lý
thuyết tán xạ Compton. C|c phương trình động học mô tả tương t|c n{y giống như
trong mô tả quá trình va chạm của hai quả bóng bi da có kích thước giống nhau. Sự
tương t|c n{y được mô tả trên hình 10.1.
Hình 10.1. Năng lượng và góc tán xạ trong tán xạ Compton

Trong đó Eγ l{ năng lượng của tia gamma tới. Sau tán xạ, tia gamma bị lệch một góc θ
so với phương ban đầu v{ năng lượng giảm xuống còn Eγ’. Phần năng lượng mất đi n{y
được truyền cho electron giật lùi với góc là  so với phương ban đầu của tia gamma.
Theo định luật bảo to{n năng lượng:

Eγ = Eγ’ + Ee (1)
Theo định luật bảo to{n động lượng:
h h'
Theo trục X:  cos   meve cos  (2a)
c c
h'
Theo trục Y: 0 sin   me ve sin  (2b)
c
Trong đó ν, ν’ l{ tần số của tia gamma trước và sau tán xạ, h là hằng số Planck
(6,63×10-34 erg.s),
Eγ = h ν (3a)
Eγ’ = h ν’ (3b)
Ee = mc2 –m0c2 (3c)
m0
m (3d)
v2
1  e2
c
m0 là khối lượng nghỉ của electron và ve là vận tốc của electron giật lùi.
Từ c|c phương trình (1), (2) v{ (3) ta có sự phụ thuộc năng lượng của tia gamma
tán xạ vào góc tán xạ θ như sau:
E
E '  (4)
E
1   2 1  cos  
m0c
Chú ý rằng phương trình (4) l{ kh| chính x|c với c|c năng lượng gamma ở dải
MeV. Từ thực hành 3 và 7, khối lượng nghỉ của electron m0 c2 tương đương với năng
lượng 0,511 MeV. Trong thí nghiệm này, Eγ là năng lượng của tia gamma phát ra từ
nguồn (với 137Cs là 0,662 MeV) và θ là góc tán xạ được đo trong hệ phòng thí nghiệm.
Phương trình (4) thuận tiện trong tính năng lượng của tia gamma tán xạ Compton
nếu biết năng lượng tia gamma tới và góc tán xạ. Để so sánh giữa dự đo|n của lý thuyết
và thực nghiệm, viết lại phương trình (4) dưới dạng:
1 1 1
  ( 1  cos  ) (5a)
E ' E  m0c 2
Với Eγ = 0,662 MeV và m0c2 = 0,511 MeV, phương trình (5a) trở thành:
1
= 1,51 + 1,957(1 –cosθ) (5b)
E '
1
như vậy, tỉ lệ với (1 - cosθ). Phương trình (5b) có dạng đường thẳng có hệ số
E '
góc là 1,957 MeV-1.
Nếu phông phía dưới đỉnh hấp thụ toàn phần l{ không đ|ng kể và tâm của đỉnh
trùng với trọng tâm của diện tích đỉnh, khi đó thăng gi|ng thống kê sẽ được đóng góp
một độ lệch chuẩn trong x|c định vị trí đỉnh theo công thức:
FWHM
 E '  (6)
2 ,35  '
Trong đó FWHM l{ độ rộng tại một phần hai chiều cao của đỉnh (MeV) và Σγ’ là
tổng số đếm của đỉnh (tham khảo tài liệu số 9). Có thể sử dụng công thức (6) để ước
lượng sai số trong x|c định vị trí đỉnh khi vẽ đồ thị.
Hình 10.2. Bố trí thí nghiệm trong đo tán xạ Compton
Hình 10.2 là hình học đo dùng trong c|c thực h{nh đo t|n xạ Compton. Thực hành
10.1 và 10.2 là những thực hành tán xạ đơn giản trên mẫu nhôm. Trong thực hành 10.3
và 10.4, mẫu nhôm được thay bằng chất nhấp nháy hữu cơ v{ một ống quang, cần thiết
phải có sự trùng phùng giữa các xung trong chất nhấp nháy hữu cơ v{ trong tinh thể
NaI(Tl). Sơ đồ của hệ trùng phùng cho phép giảm phông trong phổ v{ đo được năng
lượng giật lùi của electron. Trong tất cả các thực hành, tâm tinh thể nhấp nháy, mẫu
tán xạ và nguồn phải nằm trên cùng một mặt phẳng nằm ngang. Khoảng cách từ nguồn
đến bia tán xạ là R1 = 30,5 cm và khoảng cách từ bia đến bề mặt của detector
NaI(Tl) là R 2 = 30,5 cm. Container chứa nguồn được sử dụng kết hợp với chuẩn trực
vuông có kích thước 5,08 cm × 5,08 cm. Diện tích này sẽ giới hạn kích thước của chùm
chiếu lên bia tán xạ có chiều d{i 5,08 cm v{ đường kính 1,27 cm. Nguồn 137Cs có hoạt
độ 5 mCi được đặt trong container có ống chuẩn trực, detector NaI(Tl) được đặt trong
ống chì che chắn đặt trên con lăn để thay đổi góc tán xạ. Xem thêm phụ lục của thực
h{nh để biết về cách sử dụng thiết bị.
Chú ý
Nguồn 137Cs sử dụng trong thí nghiệm này có hoạt độ rất cao (5 mCi). Cần phải
hạn chế tiếp xúc với nguồn - nguồn có đường kính nhỏ khoảng 6,4 mm - sử dụng kẹp
gắp nguồn để tăng khoảng cách từ nguồn đến tay. Khi nguồn được đặt trong container,
hoạt độ sẽ giảm xuống nhỏ hơn nguồn 1 μCi ở khoảng cách tối thiểu 7,6 cm. Container
cũng có thể được sử dụng để lưu giữ các nguồn khi không sử dụng.
Trong thí nghiệm tán xạ Compton, lỗ chuẩn trực phải được mở, do đó cần giảm
thời gian tiếp xúc trực tiếp với tia gamma chiếu qua lỗ ống chuẩn trực v{ tăng khoảng
cách tối đa có thể được.
Để đảm bảo an toàn, khi không thí nghiệm cần che kín lỗ chuẩn trực trên
container. Nếu không sử dụng nguồn cần phải có khóa để khóa lỗ chuẩn trực.

1. Sử dụng Eγ = 0,662 MeV của nguồn 137Cs, từ phương trình (4), tính c|c gi| trị
Eγ’ theo các góc trong bảng 10.1 và ghi vào bảng.
Hình 10.3. Sơ đồ khối thí nghiệm 10.1 và 10.2

Eγ' tính được Eγ' đo được Thời gian đo, Tổng số đếm FWHM
 (độ)
(MeV) (MeV) tL(giây) gamma tán xạ (MeV)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
2. Lắp đặt các khối điện tử như hình 10.3. Cụ thể:
3. Kiểm tra detector NaI(Tl) v{ PMT đ~ được lắp đúng trong buồng chì trên con
lăn chưa. Hệ chuẩn trực ở phía trước bề mặt của detector 5 cm và khoảng cách từ mặt
trước của tinh thể NaI(Tl) đến tâm của thanh nhôm là 30 cm.
4. Kiểm tra xem nguồn 137Cs hoạt độ 5 mCi đ~ ở trong container chưa v{ khoảng
cách từ nguồn đến thanh nhôm là 30 cm. Vị trí của nguồn trong container được đ|nh
dấu phía ngoài container trên tấm chắn (ở mặt đối diện với lỗ chuẩn trực và cách
10 cm). Đảm bảo rằng nút đậy được đặt đúng chỗ trên ống chuẩn trực để chặn tia
gamma 662 keV.
5. Tắt nguồn điện và nguồn NIM, lắp các khối điện tử vào khung NIM.
6. Tắt công tắc nguồn trên khối 556 HV. Chắc chắn rằng chuyển mạch chọn cực
tính cao áp ở vị trí dương. Nút Control được thiết lập ở chế độ INTernal. Dùng một cáp
đồng trục RG-59A/U đầu nối SHV, nối lối ra cao áp trên mặt sau của 556 với lối vào HV
trên đế của PMT 266. Đặt giá trị cao áp trên mặt trước của 556 theo giá trị danh định
của detector NaI(Tl).
7. Nối lối ra anốt của đế PMT 266 với lối vào của tiền khuếch đại 113 sử dụng cáp
đồng trục RG-62A/U93-Ω ngắn nhất. Chỉnh điện dung lối vào của tiền khuếch đại 113
là 100 pF.
8. Trên khuếch đại kép 855, chọn chế độ xung vào phân cực âm cho cả hai kênh.
Đặt thời gian hình thành xung (SHAPING TIME) là 0,5 µs cho cả hai kênh.
9. Nối cáp nguồn cho tiền khuếch đại 113 với một trong hai conector cấp nguồn ở
mặt sau của khuếch đại 855. Sử dụng c|p đồng trục RG-62A/U93-Ω d{i 3,7 m nối lối ra
năng lượng của tiền khuếch đại 113 với một trong các lối vào của khuếch đại 855.
10. Sử dụng c|p đồng trục RG-62A/U93-Ω nối lối ra đơn cực (UNIpolar output)
của một kênh 855 với lối v{o tương tự (analog INPUT) của EASY-MCA-2K.
11. Kiểm tra xem EASY-MCA-2K đ~ nối với máy tính qua cổng USB chưa v{ phần mềm
MAESTRO-32 có đang hoạt động trên m|y tính không. Đặt gate của MCA ở chế độ OFF. Lựa
chọn dải đo l{ 512 kênh v{ ngưỡng trên l{ kênh 512, ngưỡng dưới đặt ở kênh 10.
12. Bật nguồn NIM 4001A/4002D và nguồn 556 HV.
13. Lấy nguồn 137Cs hoạt độ 1 μCi từ bộ nguồn RSS8 v{ đặt trực tiếp lên mặt
detector NaI(Tl). Chỉnh hệ số khuếch đại để đỉnh 662 keV vào khoảng kênh 400 trên
MCA. Khóa FINE GAIN để ngăn sự thay đổi ngẫu nhiên.
14. Sử dụng c|c bước giống trong thực hành 3, chỉnh P/Z trên khuếch đại 855 để
xung trở về đường cơ bản càng nhanh càng tốt.
15. Cất nguồn 137Cs hoạt độ 1 μCi v{ đo phông để đảm bảo rằng MCA không bị
nhiễu nhiều ở gần kênh 10. Nếu tạp âm nhiều, thời gian chết MCA lớn hơn 1%, thì cần
phải n}ng ngưỡng dưới cho đến khi thời gian chết nhỏ hơn 1% hoặc không quan sát
thấy tạp âm.
16. Chọn một nguồn phù hợp từ bộ nguồn RSS8, chuẩn năng lượng cho EASY-
MCA-2K sao cho có thể đọc chính x|c năng lượng của c|c đỉnh quang điện. Bảng 10.2
liệt kê năng lượng tia gamma của c|c đồng vị trong bộ nguồn.
17. Cất nguồn chuẩn. Đặt thanh nhôm theo chiều thẳng đứng ở vị trí tán xạ tại tâm
b{n. Sau đó, th|o nút chắn ống chuẩn trực che nguồn 137Cs hoạt độ 5 mCi.
18. Đặt detector NaI(Tl) ở góc θ = 60°, đ}y l{ vị trí mà tại đó tốc độ đếm ghi được
thấp nhất. Đặt thời gian đo (live time) trên EASY-MCA-2K là 100 giây.
19. Đặt vùng ROI trên toàn bộ đỉnh hấp thụ quang điện (từ ch}n tr|i đến chân phải
của đỉnh). Tính diện tích (net area) đỉnh bằng sử dụng tính năng tính tích ph}n (ROI)
của phần mềm MAESTRO-32.
20. Từ kết quả ở bước 18, đặt lại thời đo để tích lũy được ít nhất 1.000 số đếm ở
đỉnh. Thời gian đặt lại sẽ sử dụng đo ở các góc khác nhau trong bảng 10.1. Chú ý rằng,
không thể đo được ở góc 0° vì tốc độ đếm là quá lớn từ các bức xạ không bị tán xạ trên
bia. Cũng không đo được ở góc 180° vì các che chắn chì l{m góc đo bị giới hạn.
21. Đối với mỗi góc trong bảng 10.1 (trừ 0° v{ 180°), đo một phổ với thời gian như
trong bước 19. Mỗi trường hợp cần đặt vùng ROI như trong bước 19. Sử dụng tính
năng của MAESTRO-32 để tính vị trí và diện tích đỉnh. Ghi lại các giá trị vào các cột thứ
3 và thứ 5 của bảng 10.1. X|c định FWHM của c|c đỉnh hấp thụ toàn phần và ghi giá trị
vào bảng 10.1. Lưu lại phổ trên đĩa cứng để sử dụng khi cần. Theo phương trình (4),
năng lượng đỉnh hấp thụ toàn phần sẽ giảm khi tăng góc θ. Hình 10.4 là ví dụ về phổ đo
ở góc 20° và 120°.
Năng lượng tia X Năng lượng tia

Đồng vị Chu kỳ bán rã Chuỗi tia X
(keV) gamma (keV)
22Na 950,8 ngày 511
1275
54Mn 312,3 ngày Cr K 5,414 835
5,405
5,946
57Co 271,79 ngày Fe K 6,403 14
6,390 122
7,057 136,5
60Co 5,27 năm 1173
1333
65Zn 244,26 ngày Cu K 8,047 1116
8,027
8,904
8,976
109Cd 462,6 ngày Ag K 22,162 88
21,988
24,942
25,454
133Ba 3862 ngày Cs K 30,970 80
30,623 303
34,984 356
35,819
137Cs 30,17 năm Ba K 32,191 662
31,815
36,376
37,255
Hình 10.4. Phổ đo ở hai góc 200 và 1200

22. Sau khi hoàn tất c|c phép đo, đóng chuẩn trực để che các tia gamma phát ra từ nguồn.
Bài tập
a. Sử dụng phương trình 4, vẽ đồ thị các giá trị Eγ’ theo góc tán xạ θ trên giấy. Bổ
sung các giá trị Eγ’ thực nghiệm với sai số ± E theo phương trình (6). Giải thích lý do
'
cho bất kỳ sự khác biệt nào giữa giá trị tính và thực nghiệm của Eγ’.
b. Vẽ đồ thị các giá trị thực nghiệm 1/Eγ’ theo (1 - cosθ) trên đồ thị tuyến tính, độ
lệch chuẩn Eγ’ tính theo phương trình (6). Chuyển đổi độ lệch chuẩn sang sai số tương
ứng với 1/Eγ’ và thêm các thanh sai số v{o đồ thị. Vẽ đường khớp tốt nhất cho c|c điểm
thực nghiệm. X|c định độ dốc của đường thẳng và hệ số a từ đồ thị. Giải thích sự khác
nhau giữa các giá trị trên đồ thị và giá trị tính theo phương trình (5b). Đồ thị sẽ có
dạng giống như hình 10.5.
Hình 10.5. Đồ thị đặc trưng của 1/Eγ’ theo (1-cosθ) đo với 137Cs
4.2.1. Mục đích

Sử dụng các số liệu thu được trong thực h{nh 10.1 để x|c định tiết diện tán xạ
thực nghiệm và so sánh với lý thuyết.
4.2.2. Cơ sở lý thuyết
Công thức tính tiết diện tán xạ Compton vi phân lần đầu tiên được Klein và
Nishina đề xuất và trình bày trong tài liệu tham khảo số 1 có dạng như sau:
d r02  1  cos 2    2 (1  cos )2 

  2 
1   (7a)
d 2 [1  (1  cos )]   [1  cos ][1  (1  cos )] 
2
d
Phương trình (7a) l{ vi ph}n của tiết diện tán xạ của gamma đối với một electron.
d
có đơn vị là cm2/steradian. Nó thể hiện sự thay đổi của tiết diện vi phân d của tia gamma
lên electron ở góc θ. Trong đó, r0 là bán kính electron cổ điển v{ được x|c định như sau:
r0 = 2,82×10–11 cm (7b)
E 0 ,662MeV
và  2
  1 ,296 (7c)
m0c 0 ,511MeV
với 137Cs.

Có thể sử dụng số liệu đo được ở thực h{nh 10.1 để tính tiết diện vi phân theo
phương trình 8:
 d  '
 d   (8a)
  measured ne .I..t L .
Trong đó ne là số electron trong góc tán xạ được chiếu bởi tia gamma tới. Với tán
xạ lên mẫu là hỗn hợp của nhiều nguyên tố, số electron ne có thể được x|c định từ các
thông số cơ bản của vật liệu:
Zi
ne  .V.NA  w i (8b)
i Mi
Trong đó:
ρ l{ mật độ của vật liệu tán xạ (g/cm3);
V là thể tích (cm3) của góc xảy ra tán xạ được chiếu bởi tia gamma tới;
NA là số Avogadro (6,022 × 1023);
Zi là số nguyên tử của nguyên tố thứ i trong tán xạ;
Mi là khối lượng nguyên tử (gam) của nguyên tố thứ i trong tán xạ;
wi l{ h{m lượng của nguyên tố thứ i trong tán xạ, thể hiện như tỉ lệ đóng góp của
các nguyên tố trong mẫu. Về mặt định nghĩa, tổng trọng số của các nguyên tố trong
mẫu được x|c định theo công thức 8b:
Σ wi = 1 (8b)
I là số tia gamma tới trên 1 cm2/ giây trên mẫu tán xạ và có thể x|c định theo công
thức 8c:
A0f
I (8c)
4R 12
Trong đó A0 là hoạt độ của nguồn (5 mCi), f là xác suất phân rã của tia gamma 662
keV (0,851) và R1 là khoảng cách từ nguồn đến tâm tán xạ.
Góc khối nhìn bởi detector nhấp nh|y được x|c định theo công thức 8e:
2
D
 
2
   2  (8e)
R2
Trong thí nghiệm n{y D = 5,08 cm l{ đường kính tinh thể nhấp nháy NaI(Tl) của
detector ε và R2 là khoảng cách từ tâm tán xạ đến mặt trước của detector NaI(Tl).
Σγ' l{ tổng số đếm của đỉnh hấp thụ toàn phần đo trong thời gian sống tL. Hiệu
suất của detector  được trình bày trên hình 10.6.
Hình 10.6. Hiệu suất nội tại của detector NaI(Tl) theo kích thước tinh thể khác nhau
Chú ý rằng hình 10.6 có dạng khác với đồ thị trong thực h{nh 3. Đồ thị thiếu giá trị
đo ở năng lượng 0,124 MeV với các detector 2"×2" và 3"×3". Với thực hành này, số liệu
được nội suy giữa  = 1,00 và giá trị đo được với detector 1,5"×1,5". Mặc dù trong thực
hành này là phù hợp nhưng c|c gi| trị nội suy l{ không đ|ng tin cậy để sử dụng cho các
thực hành khác.
Thành phần cơ bản của các thanh nhôm tán xạ được liệt kê trong bảng 10.4. Theo
tiêu chuẩn ASTM, sự thay đổi của h{m lượng các nguyên tố trong mẫu nhôm được
trình bày trong cột 2 và cột 3. Với thực hành này, số liệu của mẫu nhôm được trình bày
trong cột 4. Các tính toán theo phương trình (8b) có thể được đơn giản hóa nếu bỏ qua
ảnh hưởng của các thành phần có h{m lượng < 0,6%. H{m lượng của nhôm vào khoảng
98,4%. Do đó trong phương trình (8b), có thể chia cho tỉ lệ h{m lượng 100%.
Nguyên tố Tỉ lệ tối thiểu % Tỉ lệ tối đa % Tỉ lệ trung bình %

Al 95,8 98,6 97,23
Mg 0,8 1,2 1,00
Si 0,4 0,8 0,60
Fe 0,7 0,35
Cu 0,15 0,4 0,25
Cr 0,04 0,35 0,20
Zn 0,25 0,13
Mn 0,15 0,08
Ti 0,15 0,08
Khác 0,15 0,08
C|c bước thực hiện

Các số liệu sử dụng đ~ được đo v{ ghi lại trong thực hành 10.1.
Bài tập
a. Tính dσ/dΩ theo công thức (7) với các giá trị của góc θ trong bảng 10.1.
b. Vẽ đồ thị các giá trị dσ/dΩ tính được theo góc θ trên đồ thị tuyến tính.
c. Sử dụng các số liệu đo được trong thực hành 10.1 kết hợp với phương trình (8)
để tính giá trị [dσ/dΩ], biểu diễn các giá trị n{y trên đồ thị thu được trong bước b.
d. Đ|nh gi| độ lệch chuẩn của các giá trị đo dựa trên thống kê số đếm. Bổ sung
thêm sai số cho c|c điểm trên đồ thị trong bước c (±1 sigma).
e. Thảo luận về lý do có thể gây ra sự khác biệt giữa tiết diện vi phân theo lý
thuyết và thực nghiệm.
4.3.1. Mục đích

Trong thực h{nh n{y, c|c thanh nhôm được thay thế bằng chất nhấp nháy plastic
để làm mẫu tán xạ. Lặp lại kỹ thuật đo năng lượng tán xạ theo góc nhưng dùng kỹ thuật
trùng phùng giữa detector nhấp nháy plastic và detector NaI(Tl).
4.3.2.1. Thiết lập thí nghiệm
1. Sử dụng các khối điện tử trong thực hành 10.1 và bổ sung thêm các khối điện tử
như trong sơ đồ hình 10.7.
2. Cất c|c thanh nhôm đ~ sử dụng trong thí nghiệm trước. Gắn chất nhấp nháy
plastic hình trụ ở vị trí của thanh nhôm. Ống nh}n quang v{ đế cắm được đặt ở phía
trên của chất nhấp nháy.
3. Tắt nguồn của khối cao áp 556 và nguồn khung NIM. Lắp các khối điện tử bổ
sung vào khung NIM.
4. Bật công tắc nguồn cho khối cao áp 556 dùng cho detector nhấp nháy plastic,
chọn cực tính dương. Đặt khóa CONTROL để ở chế độ INTERNAL. Dùng c|p đồng trục
RG-59A/U với đầu SHV nối lối ra (OUTPUTS) phía sau khối 556 với INPUT HV trên đế
cắm 266. Đặt giá trị cao áp ở phía trước của khối 556 theo giá trị danh định của
detector nhấp nháy plastic.
5. Sử dụng một đoạn ngắn cáp RG-62A/U93-Ω, nối lối ra ANODE của đế ống nhân
quang 266 với lối vào của tiền khuếch đại 113 thứ hai, đặt điện dung lối vào của tiền
khuếch đại ở 100 pF.
Hình 10.7. Sơ đồ khối hệ đo trong thực hành 10.3
6. Trên khuếch đại kép 855, đặt chế độ cực tính xung lối vào NEGATIVE và
SHAPING TIME là 0,5 µs.
7. Nối cáp nguồn từ mặt sau của khuếch đại đến tiền khuếch đại, sử dụng c|p đồng
trục RG-62A/U93-Ω d{i 3,7 m, nối lối ra OUTPUT của tiền khuếch đại 113 với lối vào
của khuếch đại kép 855.
8. Dùng một đoạn c|p đồng trục ngắn 93 Ω nối lối ra đơn cực của 855 với lối vào
DC của SCA 551.
9. Trên khối 551, đặt dải trễ cho tín hiệu ra trong dải 0,1 ÷ 1,1 μs. Đặt chuyển mạch
INT/ NOR/ WIN ở NOR. Vặn núm DELAY về giá trị tối thiểu và khóa lại. Đặt ngưỡng trên
(UPPER LEVEL) ở 1.000/1.000 (10 V). Ngưỡng dưới (LOWER LEVEL) ở 10/1.000 (100 mV).
Khóa cả hai núm chỉnh để tr|nh c|c thay đổi ngoài ý muốn. Đặt LL REF và STROBE ở chế
độ INTERNAL.
10. Sử dụng một cáp ngắn 93 Ω nối lối ra POSitive của 551 đến lối vào POSitive
của 416A. Đặt giá trị trễ ở 11 μs v{ vặn núm chỉnh giá trị trễ về cực tiểu. Nối lối ra
Positive DELAYED OUTPUTvới GATE input trên EASY-MCA-2K bằng c|p đồng trục
RG- 62A/U93-Ω.
11. Trên một kênh của khuếch đại 855 nối với detector NaI (Tl), dùng một cáp
đồng trục ngắn 93 Ω nối lối ra đơn cực với lối vào khuếch đại trễ 427A. Đặt tất cả các
chuyển mạch DELAY ở vị trí OUT. Dùng một cáp 93 Ω nối lối ra của 427A với lối vào
tương tự của EASY-MCA-2K.
Chỉnh và hiệu chuẩn

12. Lắp khối phát xung 480 vào NIM và bật nguồn cho NIM. Kiểm tra giá trị cao áp
và bật công tắc nguồn cho 556.
13. Đặt nguồn 137Cs hoạt độ 1 μCi bên cạnh nhấp nháy plastic và quan sát tín hiệu
trên lối ra đơn cực của kênh tương ứng trên khuếch đại 855 nối với dao động ký. Chỉnh
hệ số khuếch đại để tín hiệu của mép compton của 137Cs vào khoảng 6 V. Mép Compton
tương ứng với xung có biên độ lớn nhất nhưng nhỏ hơn xung của hấp thụ quang điện.
Khóa nút chỉnh FINE GAIN.
4. Sử dụng c|c bước như trong thực hành 3, chỉnh P/Z của 855 cho kênh nhấp
nh|y plastic để xung trở về đường cơ bản càng nhanh càng tốt.
15. Kiểm tra chắc chắn rằng chức năng Gate của MAESTRO-32 đ~ được tắt. Chuẩn
năng lượng cho MCA với detector NaI(Tl), chỉ sử dụng các nguồn hoạt độ thấp như đ~
thực hiện trong bước 16 của thực hành 10.1. Việc thêm khuếch đại trễ 427A sẽ làm
thay đổi biên độ xung so với độ cao xung chuẩn.
16. Chú ý, với kênh của khuếch đại 855 có hệ số khuếch đại lớn hơn, sử dụng cáp
đồng trục 93 Ω, nối ATTENUATED OUTPUT của khối phát xung 480 với TEST PULSE
của tiền khuếch đại 113 để chỉnh biên độ xung ra của 855. Nối DIRECT OUTPUT với lối
vào TEST PULSE trên tiền khuếch đại 113 còn lại. Chọn xung âm trên 480 và bật công
tắc nguồn cho khối phát xung.
17. Trên dao động ký, quan sát xung từ lối ra của khuếch đại 855 ở kênh có hệ số
khuếch đại thấp hơn. Thay đổi biên độ xung trên m|y ph|t để biên độ xung đơn cực ra
của 855 vào khoảng 5 V. Khóa nút chỉnh PULSE HEIGHT.
18. Quan s|t xung đơn cực trên nửa còn lại của khuếch đại 855. Điều chỉnh
ATTENUATOR trên khối ph|t xung 480 để có biên độ trong khoảng 2 ÷ 8 V.
19. Nối lại c|c c|p như minh họa trong hình 10.7. Quan sát tín hiệu lối ra của
khuếch đại trễ 427A trên kênh 1 của dao động ký và trigger theo sườn. Nối lối ra
POSitive DELAYED OUTPUT của 416A với kênh 2 trên dao động ký v{ quan s|t đồng
thời cả hai kênh, triger bằng kênh 1.
20. Chỉnh biên độ trên 416A để tín hiệu lối ra POSITIVE OUTPUT DELAYED ở giữa
5 đến 10 V.
21. Đặt các nút chỉnh giá trị trễ trên 416A và 551 ở giá trị cực tiểu.
22. Trên khuếch đại trễ 427A, đặt giá trị trễ để đ|nh trễ xung logic của 416A đi tối
thiểu 0,5 µs. Vặn núm DELAY trên 416A để đỉnh xung ra của khuếch đại trễ hơn xung
logic của 416A đúng 0,5 µs. Khóa c|c nút chỉnh.
23. Thay đổi độ rộng xung ra của 416A để c|c sườn sau của xung logic của 416A
kéo dài 1 µs so với đỉnh xung từ khuếch đại. Điều này sẽ đảm bảo sự phù hợp của tín
hiệu gate. Tắt máy phát xung.
24. Dùng tín hiệu xung logic của 416A trên kênh 2 của dao động ký để trigger.
Kiểm tra để chắc chắn rằng khối SCA 551 không gây ra tốc độ đếm cao do nhiễu từ các
khối điện tử của kênh nối với detector nhấp nháy plastic. Nếu điều này xảy ra, thay đổi
ngưỡng dưới của 511 cho đến khi mất tín hiệu nhiễu. Tăng ngưỡng dưới của 511 đến
mức đủ để cắt tín hiệu nhiễu. Nếu không xuất hiện các tín hiệu nhiễu thì ngưỡng dưới
có thể đặt ở mức 10/1.000 (100 mV).
25. Nối lại các lối ra của khuếch đại như minh họa trong hình 10.7. Từ menu của
MAESTRO-32 chọn chế độ đo trùng phùng v{ đo số liệu.
Đo phổ gamma theo các góc tán xạ
26. Cất tất cả các nguồn chuẩn năng lượng. Cất che chắn chuẩn trực để mở nguồn
137Cshoạt độ 5 mCi.
27. Lặp lại việc đo phổ trong c|c bước 18 đến 22 trong thực hành 10.1.
Bài tập
a. Lặp lại các bài tập trong thực hành 10.1 và 10.2 với các số liệu đo trùng phùng.
Các thông số cần thiết của nhấp nh|y plastic để tính tiết diện được trình bày trong
bảng 10.5. Trong trường hợp này, không sử dụng được phương trình (8b). Thay v{o
đó, số lượng điện tử ne được tính bằng cách nhân số electron trong mỗi cm3 trong bảng
10.5 với thể tích V.
Nhấp nháy plastic ASI-100 (Alpha Spectra, Inc.)

Mật độ 1,02 g/cm3
Số nguyên tử H trên cm3 5,17.1022
Số nguyên tử C trên cm3 4,69.1022
Số electron trên cm3 3,33.1023
b. Kết quả trong thực hành 10.3 khác với kết quả trên c|c đồ thị trong thực hành
10.1 v{ 10.2 như thế nào?
c. Những ưu điểm và hạn chế của phương ph|p trùng phùng?
4.4.1. Mục đích
Sử dụng kỹ thuật trùng phùng trong thực hành 10.3 để đo năng lượng của
electron giật lùi trong chất nhấp nháy theo góc tán xạ Compton θ.
4.4.2. Cơ sở lý thuyết
Từ phương trình (4) năng lượng của electron giật lùi được tính như sau:
Ee = Eγ - Eγ' (9)
1. Tính năng lượng của electron giật lùi theo phương trình (9) và ghi kết quả vào
bảng 10.6.
Bảng 10.6. Số liệu năng lượng của electron giật lùi
Ee tính Ee đo được Thời gian Tổng số FWHM

 (độ)
được (MeV) (MeV) đo tL (giây) đếm Σe (MeV)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
2. Tiếp tục với các thiết bị điện tử đ~ lắp và chuẩn trong thực hành 10.3.
3. Thực hiện c|c thay đổi như ở hình 10.8.
4. Ho|n đổi tín hiệu ở lối vào của MCA sao cho tín hiệu từ kênh detector nhấp
nh|y plastic được dùng để phân tích, còn tín hiệu từ detector NaI(Tl) được dùng để
gate. Nối lối ra Unipolar của 855 (cho detector NaI(Tl) tới lối vào DC Input của Timing
SCA 551 còn detector nhấp nháy plastic tới lối vào của khuếch đại trễ 427A.
5. Cất tất cả các nguồn phóng xạ và bật khối phát xung 480.
6. Quan sát tín hiệu lối ra khuếch đại trễ 427A trên kênh 1 của dao động ký và
trigger theo sườn. Nối POSitive DELAYED OUTPUT của 416A với kênh 2 dao động ký,
quan s|t đồng thời cả hai kênh và trigger theo kênh 1.
7. Nếu cần, thay đổi độ trễ trên khuếch đại trễ 427A và nút DELAY trên khối 416A
để đỉnh của xung từ khuếch đại c|ch sườn trước xung logic từ 416A chính xác 0,5 µs.
Quan s|t xung trong qu| trình điều chỉnh, sau khi chỉnh xong khóa các nút chỉnh và tắt
khối phát xung 480.
8. Sử dụng tín hiệu logic của 416A trên kênh 2 của dao động ký để triger. Đảm bảo
rằng SCA 551 không tạo ra nhiễu gây tốc độ đếm cao. Có thể kiểm tra bằng cách hạ
ngưỡng dưới của 551 đến khi nhiễu tăng đột ngột. N}ng ngưỡng dưới của 551 đến khi
hết nhiễu. Nếu nhiễu hoàn toàn không xuất hiện, có thể đặt ngưỡng dưới ở 10/1.000
(100 mV).
9. Nối lại các tín hiệu v{o MCA như minh họa trong hình10.8. Từ menu của
MAESTRO-32, đặt gate về OFF v{ đo phổtrên EASY-MCA-2K.
10. Đặt nguồn 137Cs hoạt độ 1 μCi gần sát nhấp nháy plastic v{ đo phổ đủ d{i để
đạt được độ chính xác thống kê cần thiết của phân bố Compton. Phổ sẽ có dạng như hình
3.4 trong thí nghiệm 3, ngoại trừ không có đỉnh hấp thụ toàn phần v{ đỉnh tán xạ
ngược. X|c định vị trí mép Compton bằng c|ch ước lượng điểm có tốc độ đếm bằng
50% tốc độ đếm ở vùng nằm ngang của tán xạ Compton phía năng lượng thấp.
11. Cất nguồn 137Cs, chỉnh biên độ trên m|y ph|t xung 480 để có biên độ tương
ứng với mép compton sau đó khóa nút chỉnh. Nối lối ra ATTENUATED với lối vào
TESTPULSE của tiền khuếch đại 113. Ngắt lối ra DIRECT OUTPUT từ tiền khuếch đại và
gắn vào một phối hợp trở kháng 100 Ω. Bật máy phát xung, thay đổi các công tắc suy
giảm và chỉnh sao cho đỉnh xung xuất hiện ở vị trí mép Compton 478 keV của nguồn
137Cs. Tạo ra một đường chuẩn năng lượng với khoảng từ 4÷5 điểm trong vùng 478 keV
đến 50 keV. Chuẩn năng lượng bằng chức năng của chương trình đo để dùng con trỏ
đọc trực tiếp năng lượng trên phổ. Tắt máy phát xung.
12. Tháo chắn chuẩn trực nguồn để mở chùm tia gamma từ nguồn 137Cs hoạt độ
5 mCi cho chiếu vào chất nhấp nháy plastic.
13. Trên chương trình MAESTRO-32 chọn gate ON để đo trùng phùng với EASY-
MCA-2K.
14. Đặt detector NaI(Tl) ở góc θ = 60°. Đ}y l{ vị trí có tốc độ đếm thấp nhất. Đặt
thời gian đo l{ 100 gi}y v{ đo phổ của electron giật lùi. Phổ có dạng như hình 10.9.
Hình 10.9. Phổ đặc trưng của electron giật lùi đo ở hai góc khác nhau
15. Đặt vùng ROI trên toàn bộ đỉnh electron giật lùi. Tính tổng các số đếm ở đỉnh
bằng chương trình MAESTRO-32.
16. Từ kết quả ở bước 15, x|c định thời đo cần thiết để thu được ít nhất 1.000 số
đếm của đỉnh electron giật lùi. Sử dụng thời gian này để đặt đo cho c|c góc kh|c theo
bảng 10.6.
17. Với mỗi góc trong bảng 10.6 (trừ góc 0° và 180°). X|c định năng lượng đỉnh
của electron giật lùi, số đếm đỉnh, Σe v{ FWHM của đỉnh. Ghi lại những các giá trị này
vào bảng 10.6.
18. Khi đ~ thu đủ các số liệu, đặt lại tấm chắn che lỗ chuẩn trực trên container
chứa nguồn 137Cs hoạt độ 5 mCi và khóa tấm chắn để giảm thiểu tiếp xúc ngoài ý muốn
với các tia gamma.
Bài tập
a. Vẽ đồ thị các giá trị lý thuyết Ee theo góc θ trong bảng 10.6.
b. Bổ sung các giá trị thực nghiệm của Ee v{o đồ thị với sai số ±1 sigma tính theo số
đếm thống kê theo phương trình (6) (thay thế Σe cho Σγ' trong phương trình (6)).
c. Nhận xét về các giá trị đo v{ lý thuyết, giải thích nguyên nhân của sự khác biệt.
d. Tại sao đỉnh hấp thụ toàn phần của 137Cs khi đo với detector nhấp nháy plastic
lại không xuất hiện như khi đo với detector NaI(Tl)?
e. Phương trình (4) v{ (9) dự đo|n rằng năng lượng giật lùi của electron tán xạ
Compton có phân bố từ 0 đến năng lượng cực đại của tia gamma. Tại sao mép Compton
trong phổ thực nghiệm trong bước 10 giảm bậc?
f. Điều gì quyết định FWHM của c|c đỉnh năng lượng do electron giật lùi trong
bảng 10.6?
g. Nói chung tinh thể chất nhấp nháy cung cấp độ phân giải năng lượng tốt khi có
đường kính bằng với độ dày. Nhấp nh|y plastic được sử dụng trong thí nghiệm này là
một thanh mỏng dài, với ánh sáng nhấp nháy thu thập bởi ống nhân quang ở một đầu
của thanh. Hình học không bình thường này ảnh hưởng đến tín hiệu đo như thế nào?

York (1979).

5. K. Siegbahn, Ed., Alpha-, Beta-, and Gamma-Ray Spectroscopy, 1, North Holland
Publishing Co., Amsterdam (1965).
7. R. L. Heath, "Scintillation Spectrometry", Gamma-Ray Spectrum Catalog, 2nd
Edition 1 and 2, IDO 16880, August, (1964). Available from Clearinghouse for
Federal Scientific and Technical Information, Springfield, Virginia. Electronic copy
available at http://www.inl.gov/gammaray/catalogs.shtml.
8. http://www.inl.gov/gammaray/catalogs/catalogs.shtml.
9. G. Marion and P. C. Young, Tables of Nuclear Reaction Graphs, John Wiley and Sons,
Inc., New York (1968).
10. D. A. Gedcke, How Histogramming and Counting Statistics Affect Peak Position
Precision, ORTEC Application Note AN58, (2005), http://www.ortec-
online.com/Library/index.aspx.
190
ỐNG ĐẾM TỶ LỆ VÀ ĐO TIA X NĂNG LƯỢNG THẤP
Mục đích của thực hành là sử dụng ống đếm tỉ lệ cửa sổ mỏng trong đo phổ tia X.
X|c định hệ số hấp thụ khối của nhôm và niken với tia X có năng lượng 22 keV.
Chú ý: Cửa sổ beryllium của ống đếm tỷ lệ rất mỏng đo đó không cho phép bất kỳ
vật liệu nào tiếp xúc với cửa sổ và KHÔNG CHẠM TAY VÀO CỬA SỔ.
- Ống đếm tỉ lệ cửa sổ mỏng chứa khí Xenon kiểu 4542PC;

- Ống đếm tỉ lệ PC-STAND-AX với nguồn phóng xạ, gi| đo v{ tấm hấp thụ;
- Khối cao áp 556;
- Tiền khuếch đại 142PC;
- Khuếch đại 575A;
- EASY-MCA-2K và phần mềm MAESTRO-32 hoặc các MCA khác của ORTEC;
- Máy tính PC có cổng USB và hệ điều hành Windows;
+ 01 c|p đồng trục C-36-12 RG-59A/U đầu nối SHV, dài 12 ft (3,7 m);
+ 01 c|p đồng trục C-36-0.5-S RG-59A/U75-Ω đầu nối SHV, dài 0,5 ft (15 cm);
+ 02 c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93-Ω đầu nối BNC, dài 4 ft (1,2 m);
+ 01 c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-Ω đầu nối BNC, 12 ft, dài (3,7 m);
+ Đầu nối chữ T loại C-29 BNC;
- Bộ lá nhôm Al-5: 10 lá, mỗi l| đường kính 1/2 inch, dày 0,005 cm
(1,27 cm × 0,0127 cm);
Bài thực hành số 11: Ống đếm tỷ lệ và đo tia X năng lượng thçp 191
- Nguồn phóng xạ:

+ GF-241-M-10, 241Am hoạt độ 10 μCi (T1/2: 433 năm);
+ GF-137-M-5, 137Cs hoạt độ 5 μCi (T1/2: 30,2 năm);
+ GF-109-M-10, 109Cd hoạt độ 10 μCi (T1/2: 463 năm);
+ GF-057-M-20, 57Co hoạt độ 20 μCi (T1/2: 272 ngày);
+ GF-055-M-10,5 5Fe hoạt độ 10 μCi (T1/2: 999 ngày);
+ ZN65S, 65Zn hoạt độ 1 μCi (T1/2: 244 ngày);
Như đ~ thảo luận trong các thực h{nh 3 v{ 7, tương t|c quang điện là loại tương
tác chủ yếu của c|c photon năng lượng dưới 100 keV. Thực hành này sử dụng ống đếm
tỷ lệ để phát hiện tia X có năng lượng dưới 60 keV.
Ống đếm tỷ lệ điển hình có dạng hình trụ, vỏ bằng kim loại, ở tâm có một dây kim
loại nằm dọc theo trục của ống (tài liệu tham khảo số 1 và 8). Bên trong ống chứa một
hỗn hợp khí ở áp suất nhất định (ví dụ 90% Xenon và 10% CH4 ở áp suất 760 Torr). Vỏ
của ống sẽ là cực âm và dây trung tâm là cực dương, điện áp cho ống đếm hoạt động
thường vào khoảng ~ 1.700 V. Thông thường, để đo photon năng lượng thấp, một cửa sổ
mỏng bằng berili được gắn vào thành của ống đếm để c|c tia X năng lượng thấp có thể đi
qua với mức độ bị hấp thụ là tối thiểu. Trong một số trường hợp, cửa sổ berili cũng có
thể được gắn ở một đầu của ống đếm hình trụ. Berili được sử dụng làm cửa sổ vì nó là
một kim loại dẻo và có số nguyên tử thấp (Z = 4) nên sẽ giảm thiểu sự hấp thụ của tia X
khi đi qua cửa sổ. Vật liệu cửa sổ có số nguyên tử thấp là một lợi thế vì tiết diện hấp thụ
quang điện thay đổi theo Z5 (xem thêm thực h{nh 3 v{ 7). Khi tia X đi v{o trong ống, nó
ion hóa khí thông qua tương t|c quang điện. Điện tử hấp thụ ho{n to{n năng lượng của
photon và bay ra từ nguyên tử bị ion hóa. C|c điện tử di chuyển trong chất khí, nó bị mất
năng lượng do tiếp tục ion hóa các nguyên tử khí kh|c. Cho đến cuối quá trình ion hóa,
số n cặp electron–ion được tạo ra là tỷ lệ thuận với năng lượng ban đầu của tia X.
E
n
 (1)
Trong đó E l{ năng lượng của tia X,  l{ năng lượng trung bình cần thiết để tạo ra
một cặp electron-ion, với Xenon giá trị này vào khoảng 21,5 eV.
Khi có điện áp phân cực thích hợp giữa dây trung tâm (anode) và vỏ ngoài (cực âm)
của ống đếm, c|c đ|m m}y electron được giải phóng trong qu| trình ion hóa ban đầu
được gia tốc về phía d}y trung t}m, trong khi c|c ion dương di chuyển về phía thành
ống. Ở ống đếm tỷ lệ, c|c electron được gia tốc về phía cực dương ho{n to{n có đủ
năng lượng để gây ion hóa thêm các nguyên tử. Kết quả là tạo ra một th|c lũ c|c
electron đi đến trên dây trung tâm.
Sự khác biệt giữa ống đếm Geiger và ống đếm tỷ lệ nằm ở điện áp phân cực. Với
ống đếm Geiger, điện |p l{ đủ cao để số electron đến c|c d}y điện cực dương luôn ổn
định v{ độc lập với năng lượng của c|c photon được phát hiện. Còn đối với ống đếm tỉ
lệ, điện |p được hạ xuống đến giá trị mà số lượng electron đến cực dương cỡ nA - tỷ lệ
thuận với năng lượng của c|c photon được phát hiện. Một cách ngắn gọn là sự khuếch
đại khí vẫn là tỷ lệ tuyến tính:
E
nA  An  A (2)

Trong đó A l{ hệ số tỉ lệ, nó được x|c định bằng tỉ số giữa c|c electron được nhân
với c|c electron ban đầu. Nói c|ch kh|c, A được xem như l{ hệ số khuếch đại khí. Nhờ
đó lượng điện tích thu góp được tăng lên đ|ng kể mỗi khi tia X gây hiện tượng hấp thụ
quang điện. Điều này có vai trò quan trọng trong việc giảm nhiễu của tiền khuếch đại
v{ cho phép đo năng lượng của các tia X.
Hệ số khuếch đại khí khá nhạy với sự thay đổi của cao thế. Do đó, nguồn cao thế
phân cực cần phải rất ổn định. Ngoài ra, phải x|c định được vùng làm việc bình thường
của ống đếm tỉ lệ. Hình 11.1 minh họa c|c đặc trưng của ống đếm khí theo điện áp phân
cực. Khi điện áp nhỏ hơn Vi, các electron và ion tạo ra có thể tái hợp lại. Bắt đầu từ Vi, đ}y
l{ điện áp tối thiểu để có thể ngăn sự tái hợp của các electron-ion và thu góp chúng ở các
điện cực. Trong vùng điện áp Vi ÷ Vp, ống đếm có chức năng như một buồng ion hóa khí.
Số lượng các cặp electron-ion thu được ở c|c điện cực độc lập với điện áp.
Hình 11.1. Đặc trưng cao áp của ống đếm chứa khí
Bắt đầu từ giá trị Vp, các electron được gia tốc mạnh hơn v{ có đủ năng lượng để
ion hóa các nguyên tử khi di chuyển đến cực dương. Do đó, gi| trị của hệ số khuếch đại
khí lớn hơn 1. Do cấu tạo dạng hình trụ đồng trục, nên cường độ điện trường cao nhất
ở gần dây trung tâm và giảm dần về phía vỏ. Do đó, chỉ các electron ở gần cực dương
nhận được đủ năng lượng để gây ion hóa lớn. Khi điện áp phân cực tăng lên, c|c
electron được gia tốc mạnh hơn nên tăng khả năng ion hóa. Do đó, hệ số khuếch đại khí
A tăng theo cao |p.
Trên hình 11.1 l{ hai đường biểu diễn sự thay đổi của số ion hóa với photon năng
lượng thấp và cao theo cao áp. Số ion hóa theo photon được biểu diễn dưới dạng
logarit. Khi điện áp phân cực tăng trên gi| trị VLP, hệ số khuếch đại khí với photon năng
lượng cao không tăng mạnh như với photon năng lượng thấp. Vì vậy, phổ biên độ xung
với năng lượng cao ở vùng cao áp này bị co lại, không còn đảm bảo tính tỉ lệ.
Nếu điện áp phân cực lớn hơn gi| trị VG, tất cả các xung tạo ra do các photon có
năng lượng kh|c nhau đều có cùng biên độ, ống đếm làm việc trong vùng n{y được gọi
là ống đếm Geiger. Khi điện |p tăng đến trên giá trị Vc, qu| trình phóng điện sẽ xảy ra
và các ống đếm khí không thể làm việc được trong vùng này.
Giá trị cao áp hoạt động bình thường cho một ống đếm tỷ lệ được chọn vào giữa Vp
và VLP. Với ống đếm tỉ lệ 4542PC, giá trị này vào khoảng từ 1.600 V đến 1.850 V.
Thời gian thu góp với c|c electron thường nhỏ hơn 500 ns, nhưng với các ion
dương thời gian này khá dài có thể đến hàng chục micro gi}y. Do đó, thời gian hình
thành xung 0,5 µs thường được sử dụng trong các khối khuếch đại để phân tích những
tín hiệu nhanh do electron tạo ra và hạn chế các tín hiệu chậm do ion tạo ra (xem tài
liệu tham khảo số 8).
Các detector thường được nạp đầy khí ở áp suất khoảng 760 Torr nên các ống
đếm tỷ lệ thường có hiệu suất thấp khi phát hiện c|c photon có năng lượng lớn hơn
50 keV.
Hai loại khí thường được sử dụng là Argon và Xenon. Do số nguyên tử của Ar cao
hơn nên có hiệu suất cao hơn khi đo c|c tia X có năng lượng trên 20 keV. Ngoài ra, hình
học và cửa sổ của ống đếm cũng là một vấn đề quan trọng liên quan đến hiệu suất. Nếu
cửa sổ ống đếm ở đầu thì sẽ có kích thước d{i hơn để ghi các photon so với cửa sổ bố
trí ở vỏ của ống đếm.
Hình 11.2 cho thấy hiệu suất ghi của lớp khí bên trong ống đếm tỷ lệ cửa sổ chứa
đầy khí Xenon áp suất 760 Torr. Hiệu suất nội tại của ống đếm x|c định bằng số lượng
của các photon tạo nên đỉnh phổ năng lượng, thể hiện như phần trăm của các photon
trên cửa sổ Berili. Ở năng lượng dưới 8 keV, hiệu suất ghi bắt đầu suy giảm mạnh do
cửa sổ Be của ống đếm tỷ lệ hấp thụ photon.
Hình 11.2. Hiệu suất ghi nội tại của ống đếm tỉ lệ cửa sổ Be dày 0,25mm dùng khí Xe
Sự tăng đột ngột của hiệu suất ghi tại 34,579 keV tương ứng với mép hấp thụ lớp
K của Xenon. Photon có năng lượng lớn hơn năng lượng liên kết lớp K của Xenon có
thể gây sự hấp thụ mạnh hơn so với lớp L do các electron lớp K liên kết chặt hơn so với
lớp L. Khi hiệu ứng quang điện xảy ra trên lớp K, các electron lớp ngoài nhảy vào
chiếm chỗ sẽ làm phát ra tia X, nếu tia X này thoát ra khỏi detector sẽ dẫn đến sự thiếu
hụt trong năng lượng ghi nhận được và tạo ra c|c đỉnh thoát nằm ở khoảng 29,7 và
33,8 keV, năng lượng này nhỏ hơn năng lượng ban đầu của c|c photon đi v{o detector.
Tài liệu tham khảo 1 v{ 8 ph}n định các yếu tố đóng góp v{o độ phân giải của ống
đếm tỷ lệ. Sự thăng gi|ng thống kê số lượng các cặp electron-ion ban đầu v{ thăng
giáng thống kê của quá trình khuếch đại khí chiếm vai trò quan trọng. Nhiễu điện tử
trong các tiền khuếch đại thường là nhỏ so với hai đóng góp nói trên. Đối với hầu hết
các ứng dụng, độ phân giải năng lượng có thể được coi là tỷ lệ thuận với căn bậc hai
của năng lượng photon. Độ phân giải (FWHM) điển hình ở năng lượng 22,1 keV vào
khoảng 2,2 keV. Giá trị này tồi hơn so với detector Si(Li) (Thực hành 8).
Vì độ phân giải tương đối thấp nên ống đếm tỷ lệ chỉ thuận tiện để đo năng lượng
trung bình của các tia K1 và K2 v{ tương tự cho c|c đỉnh K1,3 và K2. Bảng 11.1 là
năng lượng của c|c đồng vị phóng xạ thường được sử dụng trong chuẩn năng lượng.
Chu kỳ Tia X K Tia X K Tia γ

Đồng vị Đồng vị con
bán hủy (keV) (keV) (keV)
54Mn 312,3 năm 54Cr 5,411 5,946
57Co 271,8 ngày 57Fe 6,399 7,057 14,41
65Zn 244,3 ngày 65Cu 8,040 8,921
85Sr 64,8 ngày 85Rb 13,374 15,012
88Y 106,6 ngày 88Sr 14,141 15,892
109Cd 462,6 ngày 109Ag 22,102 25,062 88,03
113Sn 115,1 ngày 113In 24,135 27,411
137Cs 30,17 năm 137Ba 32,059 36,582
4.1.1. Mục đích

Trong thực hành này, thiết lập hệ đo với các detector và chuẩn năng lượng sẽ
được thực hiện. Tìm hiểu sự phụ thuộc của độ phân giải theo năng lượng. Sau khi
chuẩn năng lượng, phổ photon từ nguồn 241Am sẽ được dùng để kiểm tra quá trình
chuẩn năng lượng. Từ các tham số đ~ chuẩn, sử dụng một nguồn bất kỳ, dựa theo số
đếm trong phổ để x|c định năng lượng và hoạt độ của nguồn.
1. Kết nối các khối điện tử như hình 11.3 (tuyệt đối cẩn thận để tránh chạm vào
cửa sổ ống đếm tỷ lệ). Cụ thể:
Hình 11.3. Sơ đồ khối các khối điện tử trong thí nghiệm 11.1
2. Tắt công tắc nguồn trên khối 556 và trên khung NIM. Cắm các khối điện tử vào
khung NIM.
3. Ghép nối ống đếm tỷ lệ với tiền khuếch đại -142PC - bằng cách sử dụng cáp
đồng trục ngắn nhất có thể để có kết nối thích hợp. Nếu ống đếm tỷ lệ sử dụng đầu nối
MHV, khi sử dụng cáp RG-59A/U75-Ω cần có một đầu chuyển đổi MHV để nối với lối
vào tiền khuếch đại. Nếu sử dụng cáp RG 59A/U, cả hai đầu đều là SHV.
4. Trên khuếch đại 575A, kiểm tra xem thời gian hình th{nh xung đ~ được đặt ở
0,5 µs hay chưa. Chọn cực tính cho xung lối v{o l{ dương.
5. Kết nối dây nguồn tiền khuếch đại 142PC với Preamp ở mặt sau của khuếch đại
575A. Dùng c|p đồng trục RG-62A/U93-Ω d{i 3,7 m nối tín hiệu năng lượng từ tiền
khuếch đại với lối vào của khuếch đại 575A.
6. Trên mặt sau của khối cao áp 556, kiểm tra công tắc điều khiển (CONTROL) đặt
ở INTERNAL, kiểm tra đèn b|o cực tính cao thế (ở POSitive), dùng c|p để ghép nối. Sử
dụng c|p đồng trục 3,7 m RG-59A/U đầu nối SHV, nối lối ra cao áp với lối vào BIAS trên
tiền khuếch đại 142PC.
7. Thiết lập c|c điều khiển điện áp trên mặt trước của khối 556 để cung cấp một
cao áp nằm trong khoảng giữa điện |p danh định của nhà sản xuất v{ điện áp hoạt
động tối thiểu. Đối với 4542PC, dải cao thế hoạt động từ 1.600 V đến 1.850 V, giá trị
danh định vào khoảng 1.700 V. Sử dụng một điện áp phân cực thấp hơn một chút để
loại trừ sự dịch đỉnh ở tốc độ đếm cao do ảnh hưởng của đ|m m}y ion dương (tham
khảo 8).
8. Sử dụng cáp RG-62A/U93-Ω, nối đầu ra đơn cực của khuếch đại 575A với lối
vào EASY-MCA-2K. Đảm bảo rằng EASY-MCA-2K kết nối với máy tính thông qua cổng
USB và phần mềm MAESTRO-32 đang hoạt động trên máy tính.
9. Qua MAESTRO-32, đặt chế độ GATE của MCA ở OFF. Chọn dải phân tích 512
kênh, ngưỡng trên ở kênh 512 v{ ngưỡng dưới ở kênh 10.
10. Bật điện khung NIM và bật công tắc khối 556.
11. Đặt nguồn 241Am cách cửa sổ ống đếm tỷ lệ 5 cm trên hướng tâm trục của ống
đếm hình trụ.
12. Quan sát xung ở lối ra đơn cực của khuếch đại 575A trên dao động ký.
13. Điều chỉnh hệ số khuếch đại để đạt được chiều cao xung 8,5 V cho tia năng
lượng 59,5 keV. Sau khi điều chỉnh xong, khóa Fine GAIN.
14. Sử dụng c|c hướng dẫn trong thực h{nh 3, điều chỉnh P/Z củakhối khuếch đại
575A để cho xung ra trở về đường cơ bản càng nhanh càng tốt.
15. Nối lại đầu ra của khối khuếch đại 575A với lối vào EASY-MCA-2K.
16. Tạm thời cất tất cả các nguồn phóng xạ kể cả ở khu vực lân cận ống đếm tỉ lệ
và bắt đầu thu số liệu trên MCS. Quan sát % thời gian chết. Nếu thời gian chết lớn hơn
1%, tăng ngưỡng dưới trên EASY-MCA-2K. Điều này có thể thực hiện bằng cách giảm
ngưỡng dưới cho đến vị trí thời gian chết tăng mạnh. Tiếp theo, từ từ n}ng cao ngưỡng
dưới cho đến khi thời gian chết nhỏ hơn 1%. Nếu thời gian chết không vượt quá 1%,
không cần phải điều chỉnh ngưỡng dưới.
17. Đặt nguồn 241Am trên trục và cách ống đếm khoảng 5 cm. Nếu thời gian chết
vượt quá 20% (với bất kỳ nguồn n{o), tăng khoảng cách từ nguồn đến ống đếm để
giảm thời gian chết xuống dưới 20%.
18. Cần đo phổ trong một thời gian đủ d{i để đỉnh 59,5 keV có đủ thống kê cần
thiết. Nếu đỉnh không ở vị trí kênh 426, chỉnh hệ số khuếch đại để đỉnh ở vị trí kênh
426 (± 10 kênh). Khóa Fine GAIN.
19. Sử dụng c|c tính năng có sẵn trong MAESTRO-32, xem giá trị kênh tương ứng
tại tâm của đỉnh 59,5 keV. X|c định FWHM của đỉnh. Ghi lại số đếm v{ lưu phổ cho các
tham khảo về sau.
20. Thay nguồn 241Am bằng nguồn 137Cs. Thu phổ và ghi lại vị trí kênh của c|c đỉnh
K và K. X|c định FWHM của từng đỉnh. Lưu phổ cho các tham khảo về sau.
21. Lặp lại bước 20 sử dụng nguồn 57Co. Ghi lại vị trí đỉnh của tia XK v{ đỉnh
gamma 14,4 keV. X|c định FWHM của từng đỉnh. Lưu phổ cho các tham khảo về sau.
Hình 11.4 minh họa một phổ đặc trưng của 57Co.
22. Lặp lại bước 20 với nguồn 109Cd, ghi lại vị trí v{ x|c định FWHM của đỉnh tia
XK. Lưu phổ cho các tham khảo về sau.
23. Sử dụng vị trí đỉnh thu được trong c|c bước 19 đến 22, v{ tính năng chuẩn năng
lượng của MAESTRO-32, tiến hành chuẩn năng lượng để đọc trực tiếp giá trị kênh theo keV.
Hình 11.4. Phổ đặc trưng của nguồn 57Co đo với ống đếm tỉ lệ
Bài tập
a. Từ các số liệu thu được vẽ đường chuẩn năng lượng. X|c định độ dốc của đường
chuẩn trong keV/kênh. Bằng cách sử dụng đường chuẩn năng lượng xây dựng được
hoặc đường chuẩn trên MAESTRO-32, chuyển đổi các giá trị FWHM đo cho c|c đỉnh từ
kênh sang keV và thể hiện chúng trên một đồ thị tuyến tính.
b. Vẽ đồ thị FWHM (keV) theo năng lượng của tia gamma hoặc tia X theo thang. Vẽ
một đường thẳng đi qua c|c điểm v{ đo độ dốc. Đường này thể hiện quan điểm độ
phân giải năng lượng tỉ lệ với căn bậc hai của năng lượng?
c. Đối với trường hợp c|c đỉnh K và K không thể hiện rõ ràng, làm thế nào xác
định vị trí và FWHM của đỉnh? Bạn có thể sử dụng đường chuẩn năng lượng v{ đồ thị
độ phân giải năng lượng để giải quyết hạn chế này?
24. Đo phổ 241Am với thời gian đủ d{i để có thể x|c định c|c đỉnh cường độ yếu
hơn. Lưu phổ này trên thẻ nhớ hoặc ổ đĩa cứng di động để tham khảo hoặc viết báo cáo
về sau. Lưu dưới dạng tập tin ASCII để có thể nhập vào bảng tính Excel để vẽ phổ.
Ngoài ra, chụp ảnh phổ trên màn hình máy tính bằng máy ảnh kỹ thuật số độ phân giải
cao để chuyển hình ảnh vào báo cáo của bạn.
Bài tập
d. Tham khảo Bảng 8.1 của thực h{nh 8 để x|c định c|c đỉnh trong phổ 241Am.
e. Với tia gamma năng lượng 59,5 keV, dự đo|n vị trí của đỉnh thoát của các tia
XK và K của Xenon. X|c định vị trí của c|c đỉnh thoát này trong quang phổ đo được.
Có thể phát hiện được c|c đỉnh thoát này trong phổ của bạn?
25. Đo phổ với một nguồn ph|t tia X đ~ bị che toàn bộ thông tin.
Bài tập
f. Nhận diện nguồn phát tia X từ phổ đo được, sử dụng các thông tin trong các tài
liệu tham khảo 6, 9 và 10.
4.2. X|c định hệ số hấp thụ khối với tia X có năng lượng 22 keV
Mục đích
Đo hệ số hấp thụ khối của nhôm v{ niken đối với tia X K 22,1 keV của Ag phát ra
từ 109Cd,
kết quả đo được với nhôm có thể so sánh với kết quả trong thực hành 8.
1. Tiếp tục với hệ thống được lắp đặt như trong phần 11.1.
2. Đặt nguồn 109Cd trên tâm và cách cửa sổ của ống đếm tỷ lệ khoảng 5 cm.
3. Đo phổ với thời gian sống (live time) 100 giây. Kiểm tra thời gian chết, nếu thời
gian chết lớn hơn 20%, tăng khoảng cách từ nguồn tới ống đếm để giảm thời gian chết
xuống dưới 20%. Nếu thời gian chết bé hơn 10%, giảm khoảng cách từ nguồn đến ống
đếm để thời gian chết nằm trong khoảng từ 10% đến 20%. Trong mọi trường hợp,
không giảm khoảng cách từ nguồn tới ống đếm xuống dưới 2,5 cm.
4. Sau khi điều chỉnh xong khoảng cách giữa nguồn và ống đếm, x|c định thời gian
đo để thu được ít nhất 4.000 số đếm với đỉnh 22,1 keV. Sử dụng giá trị thời gian đo n{y
cho các lần đo sau.
5. Đo phổ với thời gian đ~ chọn trong trường hợp không có lá kim loại chắn giữa
nguồn 109Cd và ống đếm. Thiết lập một vùng quan t}m (ROI) cho đỉnh K của Ag và ghi
lại tổng số đếm trong vùng ROI theo Bảng 11.2.
Mật độ của nhôm = 2,70 g/cm3

Độ dày hấp thụ Thời gian đo Số đếm ở đỉnh
STT
Inch cm g/cm2 (giây) K của Ag
0 0,000 0,000 0,000
1 0,005 0,013 0,034
2 0,010 0,025 0,069
3 0,015 0,038 0,103
4 0,020 0,051 0,137
5 0,025 0,064 0,171
6 0,030 0,076 0,206
7 0,035 0,089 0,240
8 0,040 0,102 0,274
9 0,045 0,114 0,309
10 0,050 0,127 0,343
6. Cẩn thận để không thay đổi vị trí của nguồn, chèn một lá nhôm giữa nguồn và
ống đếm, sử dụng độ d{y quy định theo chỉ số thứ tự trong Bảng 11.2. Lặp lại phép đo
số đếm đỉnh K của Ag với vùng quan tâm và thời gian đo như trong bước 5. Ghi lại các
kết quả đo v{o Bảng 11.2.
7. Lặp lại bước 6 với từng độ dày lá nhôm theo Bảng 11.2.
Bài tập
a. Vẽ đồ thị số đếm theo chiều dày hấp thụ (g/cm2) của nhôm trên giấy bán loga.
Hình 11.5 l{ đồ thị đo với các lá nhôm mỏng v{ năng lượng thấp hơn.
b. Từ đồ thị của bạn và tham khảo với thực h{nh 3, x|c định chiều dày hấp thụ một
nửa và hệ số suy giảm khối của nhôm.
Hình 11.5. Tốc độ đếm theo chiều dày hấp thụ của nhôm với tia X từ nguồn 65Zn
1. Lặp lại trình tự của c|c phép đo v{ c|c b{i tập nhưng sử dụng các lá niken thay
cho các lá nhôm. Xem bảng 11.3 và hình 11.6.
Mật độ của Niken = 8,90 g/cm3
Độ dày hấp thụ Thời gian đo Số đếm ở đỉnh

STT
(giây) K của Ag
Inch cm g/cm2
0 0,000 0,000 0,000
1 0,003 0,008 0,068
2 0,006 0,015 0,136
3 0,009 0,023 0,203
4 0,012 0,030 0,271
5 0,015 0,038 0,339
6 0,018 0,046 0,407
7 0,021 0,053 0,475
8 0,024 0,061 0,543
9 0,027 0,069 0,610
10 0,030 0,076 0,678
Hình 11.6. Tốc độ đếm theo chiều dày hấp thụ của niken với tia X từ nguồn 65Zn
York (1979).
2. R. W. Hendriks, Nucl. Instrum. Methods 102, 309 (1972).
3. M. W. Charles and B. A. Cooke, Nucl. Instrum. Methods 88, 317 (1970).
4. R. Gott and M. W. Charles, Nucl. Instrum. Methods 72, 157 (1969).
5. B. E. Fischer, Nucl. Instrum. Methods 141, 173 (1977).
7. C. E. Crouthamel, Applied Gamma-Ray Spectrometry, Pergammon, New York (1960).
8. Ron Jenkins, R. W. Gould, and Dale Gedcke, Quantitative X-ray Spectrometry, Marcel
Dekker, Inc., New York, 1981.
9. National Nuclear Data Base, Brookhaven National Laboratory,
http://www.nndc.bnl.gov/
10. X-Ray Critical-Absorption and Emission Energies in keV in the AN34 Library at
www.ortec-online.com.
202
HUỲNH QUANG TIA X
Dùng nguồn bức xạ (tia X hoặc gamma) kích thích các nguyên tố kim loại để làm phát
tia X đặc trưng. Đo phổ tia X đặc trưng v{ ph}n tích th{nh phần kim loại trong mẫu.
- Khung NIM và nguồn nuôi;

- Tiền khuếch đại;
- Máy phát xung;
- Khuếch đại phổ;
- Khối cao thế;
- Hệ MCA bao gồm cả máy tính PC;
- Hệ detector Si(Li): đường kính 6 mm, độ phân giải 175 eV tại đỉnh 5,9 keV, cửa
sổ beryllium dày 25 µm;
- C|p đồng trục v{ đầu nối BNC;
- Buồng đo huỳnh quang tia X: Buồng ch}n không đường kính 20 cm, chiều sâu
7,5 cm, sử dụng detector Si(Li) và có 4 vị trí đặt mẫu;
- Buồng đo huỳnh quang tia X: Buồng ch}n không có đường kính 20 cm, chiều sâu
7,5 cm, sử dụng ống đếm tỉ lệ và có 4 vị trí đặt mẫu;
- Các bia mẫu Ni, Fe, Cu, Zn, Mo, Cd, Ag, Ge, Zr và 3 mẫu hỗn hợp;
- Các lá kim loại Al, Fe, Cu, Mo, Sn, Ta và Pb có bề dày trong khoảng từ 400 mg/cm2
đến 1.500 mg/cm2.
- Nguồn chuẩn ph|t tia X như 57Co, 55Fe, 65Zn hoạt độ 1 ÷ 5 µCi. Có thể thay thế
bằng nguồn kh|c có năng lượng tương đương.
- Nguồn kích hoạt 57Co (≥ 5 mCi) có che chắn;
- Ống đếm tỉ lệ với cửa sổ mỏng;
- Dao động ký.
Bài thực hành số 12: Huỳnh quang tia X 203
Hình 12.1 trình b{y sơ đồ bố trí hệ đo huỳnh quang tia X.
Hình 12.1. Sơ đồ bố trí hệ thiết bị thực hành 12.1

Kích thích mẫu bằng tia X từ nguồn đồng vị. Tương t|c quang điện xảy ra và làm
ph|t tia X đặc trưng. Sử dụng detector tia X năng lượng thấp để ghi nhận tín hiệu.
Detector trong hình 12.1 là ống đếm tỉ lệ. Cũng có thể dùng detector Si(Li) có độ phân
giải cao như trong thực hành 12.2.
Hình12.2. Sơ đồ phân rã của một số nguồn đồng vị phát tia X phổ biến
Nguồn kích thích trong thí nghiệm này phải có hoạt độ vài mCi. Có thể sử dụng
nguồn yếu hơn nhưng cần tăng thời gian đo để đảm bảo thống kê của phép đo.
Quy tắc chung để chọn nguồn kích thích là chọn nguồn phát gamma, tia X hoặc bức xạ
h~m có năng lượng cao hơn một ít so với năng lượng tia X đặc trưng. Điều này là do tiết
diện quang điện giảm nhanh khi năng lượng tăng. C|c nguồn được sử dụng phổ biến trong
phân tích huỳnh quang tia X là 55Fe (< 6 keV); 109Cd (< 9 keV); 57Co (từ 5 ÷ 15 keV) và
241Am (< 60 keV). Sơ đồ phân rã của 55Fe, 109Cd và 57Co được trình bày trong hình 12.2.
Các mức năng lượng liên kết (BE-Binding energy) của electron trong nguyên tử
gồm K, LI, LII, LIII, MI, MII, MIII, MIV, MV, NI, NII, …, PIII. Các loại tia X phổ biến nhất là K1 và
K1. C|ch tính năng lượng n{y như sau:
K1 (năng lượng) = BE(K) - BE(LIII) (1)
Trong đó BE(K) l{ năng lượng liên kết của lớp K.
K1 (năng lượng) = BE(K) - BE(MIII) (2)
1. Bố trí thiết bị như hình 12.1. Lên cao thế đến giá trị phù hợp cho ống đếm tỉ lệ và
chuẩn năng lượng sao cho tia X có năng lượng 32,2 keV từ 137Cs vào phần trên trong dải
0 ÷ 1024 kênh của MCA. Sử dụng càng nhiều nguồn trong bảng 12.1 càng tốt để chuẩn
hệ đo. X|c định độ dốc của đường chuẩn v{ độ phân giải của đỉnh 32,2 keV của 137Cs.
Đồng vị Năng lượng tia X (keV)

54Mn 5,414
Kα
5,946
57Co 6,40 Kα
7,06 Kβ
14,41 γ
65Zn 8,04 Kα
8,90 Kβ
85Sr 13,38 Kα
15,00 Kβ
88Y 14,12 Kα
15,85 Kβ
109Cd 22,10 Kα
25,00 Kβ
113Sn 24,14 Kα
27,40 Kβ
137Cs 32,1 Kα
36,6 Kβ
2. Lấy các nguồn chuẩn ra, đặt mẫu cadimi và nguồn 57Co vào vị trí trong buồng
mẫu sử dụng ống đếm tỉ lệ. Đo phổ trong khoảng thời gian phù hợp để x|c định tia X
đặc trưng của cadimi. Đọc số liệu từ MCA và vẽ phổ. Hình 12.3 là phổ đặc trưng của
cadimi đo với ống đếm tỉ lệ dùng khí krypton. Trong ống đếm này, vạch K1 của
krypton có năng lượng 12,651 keV có thể thoát khỏi ống đếm trước khi xảy ra tương
t|c quang điện trong ống đếm. Do vậy, đỉnh thứ hai trong hình 12.3 l{ đỉnh K1 của
cadimi trừ đi đỉnh thoát K1. Hình 12.4 là phổ tia X đặc trưng của cadimi đo với ống
đếm tỉ lệ khí xenon. Đỉnh thoát K1 của xenon không xuất hiện trong phổ n{y vì năng
lượng 29,78 keV của xenon không thể tạo ra đỉnh thoát với mẫu cadimi và nguồn 57Co.
Hình 12.3. Phổ 109Cd đo với ống đếm tỷ lệ chứa khí krypton
Hình 12.4. Phổ 109Cd đo với ống đếm tỷ lệ chứa khí xenon
3. Lấy mẫu cadimi ra và thay thế bằng một mẫu khác trong bộ mẫu. Đo phổ và
lưu dữ liệu từ MCA. X|c định c|c đỉnh trong phổ. Lặp lại với các nguyên tố khác
trong bộ mẫu.
4. Đặt mẫu hỗn hợp từ bộ mẫu vào trong buồng chiếu. Đo phổ v{ x|c định c|c đỉnh
năng lượng. Hình 12.5 là phổ thu được của mẫu “clad-type U.S. quarter”. Phổ này
tương phản với phổ trên hình 12.6 của mẫu “older U.S. silver quarters”.
Hình 12.5. Phổ tia X của mẫu “Clad-Type U.S. Quarter”

Hình 12.6. Phổ tia X của mẫu “Older U.S. Silver Quarter”

Khi sử dụng detector Si(Li) có độ phân giải 150 eV (hay tốt hơn) tại đỉnh 6,4 keV
của 57Co, có thể phân biệt được c|c đỉnh năng lượng gần nhau của các nguyên tố kim
loại khác nhau trong mẫu. Khi đỉnh K1 của các nguyên tố trong mẫu tách biệt nhau, ta
có thể x|c định được thành phần các nguyên tố trong mẫu.
4.2.2. Các bước thực hành
Hình 12.7. Sơ đồ thiết lập các thiết bị cho thí nghiệm 12.2
1. Bố trí thực h{nh như hình 12.7, sử dụng nguồn kích thích và detector Si(Li).
Dùng máy phát xung và các nguồn liệt kê trong bảng 12.1 để chuẩn năng lượng cho hệ
từ 2 ÷ 25 keV. Vẽ đường chuẩn năng lượng, x|c định độ dốc 1 eV/1 kênh v{ đo độ phân
giải đối với đỉnh 6,4 keV của 57Co.
2. Mẫu đồng từ bộ chuẩn được dùng như l{ bia thứ nhất. Bố trí thực h{nh như
hình 12.7. X|c định đỉnh năng lượng K1 và K1 của đồng dựa trên đường chuẩn năng
lượng. So sánh các giá trị tính to|n thu được với các giá trị lý thuyết trong bảng số liệu.
3. Lặp lại thực hành với các nguyên tố khác nhau trong bộ mẫu. Hình 12.8, 12.9 và
12.10 biểu diễn phổ tương ứng của các nguyên tố Fe, Cu và Mo.
Hình 12.8. Phổ XRF của sắt
Hình 12.9. Phổ XRF của đồng

Hình 12.10. Phổ XRF của molybden

4. Phân tích mẫu hỗn hợp. X|c định các nguyên tố có mặt trong mẫu dựa vào các
đỉnh đặc trưng. Hình 12.11 mô tả phổ của mẫu hỗn hợp gồm Fe, Co, Ni và Cu. Các
nguyên tố kim loại nặng gần nhau có thể x|c định dễ dàng bằng phương ph|p huỳnh
quang tia X như hình 12.11. Kỹ thuật n{y được sử dụng rộng r~i để phân tích nhanh
các nguyên tố bề mặt trong công nghiệp.
Hình 12.11. Phổ của Fe, Co, Ni và Cu

1. X-Ray Critical Absorption and Emission Energies Chart, (Slide Rule).

2. X-Ray Critical-Absorption and Emission Energies in keV (Appendix).
3. J. C. Russ, Coordinator, Energy Dispersion X-Ray Analysis, X-Ray and Electron
Probe Analysis, available from ASTM Special Technical Publication 485, 1970, 04-
485000-39 from American Society for Testing and Materials, Philadelphia,
Pennsylvania.
4. R. D. Giaque and J. M. Jaklevic, "Rapid Quantitative Analysis by X-Ray
Spectrometry", Adv. In X-Ray Analysis, Plenum Press, New York (1972).
5. J. M. Jaklevic and F.S. Goulding, "Semiconductor Detector X-Ray Fluorescence
Spectrometry Applied to Environmental and Biological Analysis", IEEE Trans.
Nucl. Sci. NS-19 (1972).
6. J. S. Hansen, et al., "Accurate Efficiency Calibration and Properties of
Semiconductor Detectors for Low Energy Photons", Nucl. Instrum. Methods 106,
365 (1973).
7. 14th Scintillation and Semiconductor Counter Symposium, IEEE Trans. Nucl. Sci.
NS-22(1) (1975).
8. J. L. Campbell and L. A. McNelles, "An Intercomparison of Efficiency Calibration
Techniques for Semiconductor X-Ray Detectors", Nucl. Instrum. Methods 125,
205–223 (1975).
211
ĐO TƯƠNG QUAN GÓC

BẰNG HỆ TRÙNG PHÙNG GAMMA-GAMMA
Trong thực hành này, hai tia gamma tạo ra từ sự hủy positron-electron có năng
lượng 511 keV phát ra từ nguồn 22Na sẽ trùng phùng với nhau. Mục đích của thực
h{nh l{ để kiểm chứng rằng những lượng tử này phát ra từ nguồn có tạo tương quan
góc 1800 hay không. Bài thực h{nh cũng giới thiệu về c|ch đo tương quan góc
gamma-gamma.
- 2 detector nhấp nháy NaI(Tl) 905-3, 2  2 inch;

- 2 đế cắm 266 cho ống nhân quang điện;
- 2 tiền khuếch đại cho detector nhấp nháy 113;
- 2 khối cao thế 556;
- 1 máy phát xung 480;
- 2 khối khuếch đại phổ 855;
- 2 khối ph}n tích đơn kênh TSCA 551;
- 1 khối trùng phùng 418A;
- 1 khối Timer/counter 996;
- 1 khối khuếch đại trễ 427A;
- 1 khối làm trễ và tạo gate 416A;
- 1 khối TAC/SCA 567;
- 1 EASY-MCA-2K, cáp USB và phần mềm MEASTRO-32 (hoặc MCA khác của
hãng ORTEC);
- 1 máy tính cá nhân có cổng USB và hệ điều hành Windows;

- 1 dao động ký TDS3032 dải tần ≥150 MHz;
- C|c c|p v{ đầu nối:
+ 2 c|p đồng trục C-36-12 RG-59A/U75-Ω, đầu nối SHV cái, dài 3,7 m;
+ 2 c|p đồng trục C-24-0.5 RG-62A/U93-Ω, đầu nối BNC, dài 15 cm;
+ 4 c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-Ω, đầu nối BNC, dài 3,7 m;
+ 4 c|p đồng trục C-24-1 RG-62A/U93-Ω, đầu nối BNC, dài 30 cm;
- 1 nguồn phóng xạ 22Na kiểu GF-022-D-50 hoạt độ 50 µCi đ~ được cấp phép sử dụng.
- 1 bàn bố trí thí nghiệm đo tương quan góc (1,17 m  1,17 m  0,76 m), hai chuẩn
trực đường kính trong 2,54 cm, một gi| để nguồn và 2 tay quay cho 2 detector NaI(Tl).
- 1 Tuốc nơ vít tinh chỉnh.
Hình 13.1. Sơ đồ phân rã của 22Na

22Nalà một đồng vị rất thích hợp cho thực h{nh đo trùng phùng gamma-gamma ở
mức độ đơn giản. Sơ đồ phân rã của đồng vị n{y được trình b{y trên hình 13.1. Sơ đồ
cho thấy 99,95% thời gian phân rã theo kiểu phát positron hoặc bắt electron về mức
kích thích 1.274 keV của 22Ne. 90% những sự kiện phân rã là phát ra positron. Positron
sẽ tương t|c với một electron và hủy cặp tạo ra hai tia gamma có năng lượng 511 keV.
Phân rã positron tạo ra hạt nhân 22Ne ở trạng thái kích thích, hạt nhân sẽ phát tia
Bài thực hành số 13: Đo tương quan góc bằng hệ trùng phùng gamma - gamma 213
gamma có năng lượng 1.274 keV để trở về trạng thái bền. Do đó sẽ tạo ra trùng phùng
của tia gamma 511 keV với tia gamma 1.274 keV do phân rã của 22Ne về trạng thái bền.
Chú ý rằng, có 0,05% phân rã positron trực tiếp để về trạng thái bền 22Ne. Những
positron này tạo ra những tia gamma hủy 511 keV, nhưng sẽ không trùng phùng với
tia gamma 1.274 keV. Hơn nữa, sự bắt electron (EC) tạo ra một tia gamma 1.274 keV,
nhưng nó không tạo ra bức xạ hủy.
Hình 13.3. Phổ của 22Na đo bằng detector nhấp nháy NaI(Tl)
Hình 13.3 là phổ gamma đặc trưng của 22Na đo với một detector NaI(Tl). Đỉnh 511
keV có diện tích lớn hơn đỉnh 1.274 keV, lý do cơ bản là do sự khác biệt về hiệu suất
detector tại hai năng lượng này (xem thực hành 3) và mỗi phân rã positron tạo ra hai
photon 511 keV.
Hình 13.3 là một sơ đồ đặc trưng dùng trong đo trùng phùng gamma-gamma.
Nguồn 22Na thường được bọc bởi một lớp hấp thụ mỏng bằng kim loại hoặc plastic.
Điều quan trọng trong phân rã positron này là tạo ra trạng thái kích thích 1.274 keV và
năng lượng của positron phát ra là 545 keV. Một lá nhôm sạch dày 1 mm hoặc 2 mm
polycarbonate (lexan) l{ đủ để chặn positron có năng lượng 545 keV để tạo ra bức xạ
hủy trong vùng lân cận của nguồn.
Nguồn bức xạ được xem là nguồn có hình học điểm so với góc nhìn của detector
NaI(Tl). Khi positron bị hủy, hai tia gamma 511 keV sẽ bay ra khỏi nguồn với góc giữa
hai tia vào khoảng 1800. Trong thực nghiệm, hai tia gamma n{y được phát hiện v{ đo với
một detector ở vị trí cố định và một detector có thể quay xung quanh nguồn. Hình 13.4 là
mô tả chi tiết về cách bố trí các detector trong thí nghiệm.
Hình 13.4. Bố trí detector

Thực h{nh đo trùng phùng với 22Na sẽ sử dụng ba cấu hình hệ đo kh|c nhau. Trong
thực h{nh đầu tiên, hai tia gamma 511 keV đi v{o 2 detector sẽ tạo ra 2 xung cùng một
thời điểm, tức là xuất hiện các sự kiện trùng phùng. Hệ đếm có thể ghi nhận số sự kiện
trùng phùng được gửi đến trong suốt khoảng thời gian đo. Trong thực hành thứ hai, một
xung từ detector di động sẽ mở cổng của hệ phân tích đa kênh (MCA) v{ bất cứ xung nào
từ detector cố định đến trong khoảng độ rộng của xung mở cổng, sẽ được xem là trùng
phùng v{ được ghi nhận trong phổ. Trong thực hành thứ ba, khối biến đổi thời gian thành
biên độ (TAC) v{ SCA được sử dụng để đo sự khác biệt thời gian của các sự kiện trùng
phùng được gửi đến từ các detector. Bộ đếm sẽ ghi nhận tất cả sự kiện trùng phùng xảy ra
trong khoảng thời gian được chọn và MCA sẽ đo phổ thời gian.
Sinh viên cần thực hiện bài thực hành số 9 trước khi bắt đầu thực hành này và nên
làm quen với những nguyên lý cơ bản của kỹ thuật đo trùng phùng.
Hình 13.5. Ghép nối các khối điện tử cho thực hành 13.1

1. Lắp đặt 2 detector nhấp nh|y NaI(Tl) cùng c|c đế cắm cho ống nh}n quang điện
PMT 226 v{o gi| đỡ đo tương quan góc, cùng với 2 ống chuẩn trực bằng chì đường
kính lỗ chuẩn trực 2,5 cm đồng trục với detector và nguồn. Ống chuẩn trực nên được
đặt sát với bề mặt detector tương ứng. Xem hình 13.4 để ước lượng khoảng cách giữa
nguồn và chuẩn trực.
2. Tắt nguồn khung NIM và nguồn cấp cao thế. Lắp đặt các khối điện tử vào khung NIM.
3. Trên mặt sau của các khối 556, đảm bảo rằng POSitive POLARITY đ~ được chọn
và chuyển mạch CONTROL được đặt ở INTernal.
4. Nối HV OUTPUT của một khối 556 với lối vào HV POS của một trong hai đế cắm
của PMT 266 (đ~ được lắp vào detector NaI(Tl)). Đặt giá trị cao thế ở mặt trước của
556 phù hợp với detector NaI(Tl) theo khuyến cáo của nhà sản xuất.
5. Lặp lại bước 4 cho khối 556 v{ đế cắm của PMT 266 còn lại.
6. Sử dụng c|p đồng trục 93  dài 15 cm nối lối ra ANODE của một PMT 266 tới
INPUT của một trong hai tiền khuếch đại 113. Đặt giá trị INPUT CAPacitance ở 200 pF.
7. Lặp lại bước 6 cho detector còn lại.
8. Kiểm tra v{ đặt SHAPING TIME của khuếch đại ở 0,5 µs và chọn phân cực cho
tín hiệu lối vào là NEGative với cả hai khuếch đại 855.
9. Nối cáp nguồn từ hai tiền khuếch đại đến PREAMP POWER ở mặt sau của
khuếch đại 855.
10. Sử dụng c|p đồng trục 93  dài 3,7 m nối OUTPUT của tiền khuếch đại với
INput của khuếch đại 855, l{m tương tự cho tiền khuếch đại còn lại.
11. Bật công tắc nguồn của khung NIM và công tắc nguồn cho 2 khối 556.
12. Đặt nguồn 22Na tại tâm của gi| đỡ nguồn ở giữa 2 detector. Điều chỉnh hệ số
khuếch đại của khuếch đại để xung lối ra UNIpolar có biên độ +7 V quan sát trên dao
động ký đối với tia gamma có năng lượng 1,274 MeV. Khóa FINE GAIN để tránh thay
đổi hệ số khuếch đại trong quá trình sử dụng.
13. Sử dụng kiến thức đ~ học trong thực hành số 3, chỉnh P/Z của khuếch đại 855
sao cho xung lối ra trở về đường cơ bản nhanh nhất có thể.
14. Lặp lại bước 12 và 13 cho khuếch đại 855 của kênh còn lại.
15. Dùng c|p đồng trục ngắn 93  để nối lối ra UNIpolar của khuếch đại 855 đến
lối vào DC INPUT của TSCA 551 v{ l{m tương tự cho kênh còn lại.
16. Đặt chế độ INTernal cho các TSCA. Chọn dải thời gian trễ từ 0,1 đến 11 µsec.
Đặt LOWER LEVEL ở 40/1.000 (400 mV) v{ đặt giá trị DELAY là nhỏ nhất (vặn ngược
chiều kim đồng hồ) sau đó khóa lại để tránh sự thay đổi các thông số khi sử dụng.
17. Sử dụng c|p đồng trục ngắn loại 93 , nối POSitive OUTput của 551 (với kênh
nối detector đặt ở vị trí cố định) với INPUT B của khối trùng phùng. Nối POSitive
OUTput của khối 551 còn lại với INPUT C của 418A. Trên khối 418A, đặt COINCIDENCE
REQUIREMENTS là 2, các chuyển mạch B và C ở COINCidence và OFF tất cả các chuyển
mạch khác.
18. Nối lối ra khối 418A OUTPUT đến POSitive của Timer 996 và Counter.
19. X|c định khuếch đại 855 có hệ số khuếch đại lớn hơn. Sử dụng c|p đồng trục
93 , dài 3,7 m nối ATTENuated OUTPUT của máy phát xung 480 với lối vào TEST
PULSE của tiền khuếch đại 113.
20. Nối DIRECT OUTPUT của máy phát xung 480 với TEST PULSE trên tiền khuếch
đại còn lại. Đặt phân cực xung là NEGative và bật máy phát xung. Lấy nguồn 22Na ra
ngo{i để dễ dàng quan sát tín hiệu từ m|y ph|t xung trên dao động ký.
21. Đối với khuếch đại 855 có hệ số khuếch đại nhỏ hơn, nối lối ra UNIpolar với lối
vào kênh 1 của dao động ký, và chọn khởi ph|t dao động ký từ kênh 1. Điều chỉnh
PULSE HEIGHT của m|y ph|t xung để xung quan s|t trên dao động ký có biên độ từ 4,5
đến 5,5 V. Khóa nút chỉnh để tránh các sự thay đổi không mong muốn.
22. Nối lối ra UNIpolar của khuyếch đại 855 còn lại với lối vào kênh 2 của dao
động ký. Thay đổi ATTENUATOR trên m|y ph|t xung để biên độ xung ra ở kênh 2 nằm
trong khoảng 2 đến 8 V.
23. Nối lại các tín hiệu ở lối ra UNIpolar của các khuếch đại với lối INPUT DC của
c|c TSCA 551 tương ứng. Nối POSitive OUTputs từ các TSCA 551 với dao động ký ở
kênh 1 và 2 một c|ch tương ứng. Khởi ph|t dao động ký từ kênh 1. Thay đổi DELAY
trên các khối TSCA 551 để xung lối ra từ 2 TSCA đến cùng thời gian (trong khoảng 50 ns)
trên màn hình của dao động ký. Điều n{y đảm bảo rằng thời gian trễ nội tại của hai
kênh xử lý tín hiệu là gần như nhau. Sự khác biệt về thời gian trễ của hai ống nhân
quang điện thường bé hơn 50 ns.
24. Nối lại lối ra POSitive OUTputs của TSCA 551 với INPUT của trùng phùng
418A. Tắt máy phát xung 480.
25. Đặt nguồn 22Na ở t}m gi| đỡ mẫu giữa hai detector v{ đặt detector di động ở
góc θ = 0°.
26. Trên khối Timer/Counter 996, đặt khoảng thời gian đếm phù hợp (phải lớn
hơn v{i phút).
27. Khởi phát quá trình ghi nhận trên khối 996, di chuyển detector với độ lệch góc
nhỏ về 2 bên so với góc θ = 0° để chắc chắn rằng tốc độ đếm là cao nhất tại θ = 0° và tốc
độ đếm giảm đ|ng kể khi detector di chuyển về 2 bên của góc 0°. Nếu khối 996 không
đếm các sự kiện, chuyển COINCIDENCE REQUIRMENTS trên khối 418A về 1. Nếu khối 996
vẫn không đếm các sự kiện, chỉnh THRESHold ngược chiều kim đồng hồ đến giới hạn.
Sau đó vặn theo chiều kim đồng hồ vòng. Ở giá trị n{y, ngưỡng được thiết lập vào
khoảng +1,4 V. Nếu khối 996 vẫn không đếm sự kiện, tìm kiếm những lỗi khác trong
phần lắp đặt. Chuyển COINCIDENCE REQUIREMENTS trên 418A về 2 trước khi thực
hiện bước tiếp theo.
28. Chọn thời gian đếm trên khối 996 sao cho sai số 1 của số đếm thống kê
không lớn hơn 3% khi đếm ở góc 0°.
29. Sử dụng thời gian đặt trước được x|c định trong bước 28, ghi nhận số đếm tại
những góc theo yêu cầu trong bảng 13.1 và ghi kết quả vào bảng.
Bài tập
a. Vẽ đồ thị số liệu trong bảng 13.1 như hình 13.5.
b. Vẽ đồ thị của thanh sai số ±1σ với giá trị thu được từ số đếm thống kê trên các
điểm dữ liệu. Nếu tốc độ đếm được định nghĩa l{:
N
Rcps  (1)
t
Trong đó N l{ số đếm ghi nhận được trong khoảng thời gian t thì độ lệch chuẩn
theo tốc độ đếm là:
N R
Rcps   cps (2)
t t
Độ lệch chuẩn tương đối là:
R (%) 100%
Rcps (%)   100%  (3)
R N
c. Từ đồ thị, x|c định giới hạn đo theo độ lệch của góc giữa hai tia gamma 511 keV
ở góc 1800, giới hạn đường kính góc mở của các chuẩn trực ảnh hưởng v{o phép đo
n{y như thế nào?
Góc dương (độ) Số đếm/giây Góc }m (độ) Số đếm/giây

0 0
1 1
2 2
3 3
4 4
5 5
6 6
7 7
8 8
10 10
12 12
14 14
20 20
25 25
Hình 13.6. Sơ đồ khối điện tử cho thực hành 13.2

1. Dựa trên các thiết bị và giá trị đ~ hiệu chỉnh trong thực h{nh 13.1. Thay đổi một
số chi tiết sau:
2. Tắt nguồn khung NIM. Thêm vào khung các khối trễ và tạo xung gate 416A và
khuếch đại trễ 427A.
3. Đối với khối TSCA 551 trong kênh detector di động, nối lối ra POSitive OUTput
với POSitive INPUT của 416A bằng c|p đồng trục ngắn 93 . Nối POSitive DELAYED
OUTput của khối 416A với lối vào GATE của EASY-MCA-2k bằng c|p đồng trục ngắn 93 .
Đặt giá trị trễ nhỏ nhất cho khối 416A.
4. Với kênh detector cố định, sử dụng c|p đồng trục ngắn 93  nối lối ra UNIpolar
của 855 với INPUT của khuếch đại trễ 427A. Nối OUTPUT của 427A với INPUT của
EASY-MCA-2k bằng c|p đồng trục 93 .
5. Đảm bảo rằng khối EASY-MCA-2k đ~ được nối với máy tính qua cổng USB và
phần mềm MAESTRO-32 đang chạy trên máy tính.
6. Trên MAESTRO-32, chọn dải biến đổi l{ 512 kênh, ngưỡng trên ở kênh 512 và
ngưỡng dưới ở kênh 20. Đặt chức năng trùng phùng l{ OFF.
7. Thu nhận phổ trên MCA. Hình 13.2. là phổ minh họa. Nếu không thu được phổ,
cần phải kiểm tra lại các kết nối và các thông số đ~ đặt.
8. Lấy nguồn 22Na ra ngo{i để dễ dàng quan sát tín hiệu xung trên dao động ký.
9. Bật máy phát xung 480 với những thông số như trong thí nghiệm 13.1.
10. Quan sát tín hiệu OUTPUT của khối 427A trên kênh 1 của dao động ký và khởi
ph|t dao động ký trên kênh 1. Biên độ xung giữ trong dải được thiết lập ở thực hành 13.1.
11. Trong quá trình khởi phát trên kênh 1, nối lối ra POSitive DELAYED với kênh 2
của dao động ký. Điều chỉnh biên độ xung của khối 416A nằm trong dải +5 V đến 6 V.
12. Trong khi hiển thị đồng thời hai tín hiệu từ kênh 1 v{ kênh 2, điều chỉnh
DELAY của khối 427A và khối 416A sao cho xung logic đến trước đỉnh của xung tương
tự khoảng 1 s . Không sử dụng khối 427A DELAY với giá trị lớn hơn gi| trị nhỏ nhất
được yêu cầu. Điều chỉnh WIDTH của xung logic sao cho độ rộng kéo dài qua khỏi biên
độ đỉnh của xung phân tích khoảng 1 s .
13. Nối lại lối ra POSitive DELAYED OUTput của khối 416A với lối vào GATE của
EASY-MCA-2k và OUTPUT của khối 427A với INPUT của EASY-MCA-2k.
14. Trên phần mềm MAESTRO-32, đặt gate ở chế độ COINCIDENCE.
15. Tắt m|y ph|t xung 480 v{ đặt nguồn 22Na ở giữa gi| đỡ nguồn.
16. Thu phổ trên EASY-MCA-2k với detector di động tại góc 00. Chọn vùng quan tâm
(ROI) với độ rộng khoảng 20 kênh tại đỉnh 511 keV trong phổ. Sử dụng phần mềm
MAESTRO-32 tính số đếm tổng tại vùng ROI. Đặt thời gian đo (live time) phù hợp để có đủ
số đếm thống kê ở vùng ROI, đảm bảo độ lệch chuẩn của số đếm thống kê < 3% tại góc 0o.
17. Thu phổ trong khoảng thời gian đo ở bước 16 tại những góc yêu cầu trong
bảng 13.1 và ghi số đếm tại vùng ROI vào bảng.
Bài tập
a. Vẽ đồ thị số liệu với sai số ±1σ như thực hành 13.1. So sánh tốc độ đếm giữa
thực hành 13.1 và 13.2 ở góc 0o.
b. Trong thực hành 13.2, MCA hiệu chỉnh số đếm bị mất do thời gian chết theo thời
gian đo (live time). Thời gian chết tương đối như thế nào ở tốc độ đếm cao nhất? Trong
thực hành 13.1, không có sự hiệu chỉnh số đếm bị mất do thời gian chết. So sánh kết
quả do hiệu ứng này giữa hai thí nghiệm?
c. Ở chế độ trùng phùng, tỉ số tốc độ đếm giữa hai đỉnh 1274 keV và 511 keV là
thấp hơn khi ở chế độ không trùng phùng. Tại sao?
Hình 13.7. Sơ đồ khối điện tử cho thực hành 13.3

1. Sử dụng các khối điện tử và tham số đ~ được chọn trong thực hành 13.2. Tắt
nguồn khung NIM, tháo khối 416A và 427A ra khỏi khung NIM.
2. Lắp khối TAC/SCA vào khung NIM và bật công tắc nguồn NIM.
3. Trên khối TAC 567, đặt dải thời gian là 500 ns (50 ns RANGE  10 MULTIPLIER).
Đặt ngưỡng trên cho cửa sổ SCA ở giá trị cực đại (vặn theo chiều kim đồng hồ), và
ngưỡng dưới ở giá trị cực tiểu (vặn ngược chiều kim đồng hồ). Dùng Tuốc nơ vít chỉnh
DELAY về giá trị cực tiểu (vặn ngược chiều kim đồng hồ). Chọn chế độ INTernal
STROBE. Đặt bộ các chuyển mạch START và STOP GATE ở chế độ ANTIcoincidence.
Đảm bảo rằng các chuyển mạch (Jumper) đ~ được đặt ở chế độ chọn xung NEGative
NIM cho lối vào START và STOP.
4. Đối với khối 551 của kênh detector di động, nối NEGative OUTput với START
INPUT của khối 567 bằng c|p đồng trục RG-58A/U50-.
5. Đối với khối 551 của kênh detector cố định, nối NEGative OUTput với STOP
INPUT của khối 567 bằng c|p đồng trục RG-58A/U50-.
6. Sử dụng c|p đồng trục RG-62A/U93-, nối TAC OUTPUT của khối 567 đến lối
vào tuyến tính của EASY-MCA-2k. Sử dụng c|p đồng trục RG-62A/U93- nối SCA
OUTPUT của khối 567 với POSitive INput của khối 996 Timer/Counter.
7. Lấy nguồn 22Na ra ngoài và bật máy phát xung với các thông số đ~ thiết lập
trong thực hành 13.1.
8. Quan sát lối ra TAC OUTPUT của khối 567 trên dao động ký.
9. Đặt giá trị DELAY của khối 551 với tín hiệu START về giá trị cực tiểu (vặn ngược
chiều kim đồng hồ) và khóa lại. Trong khi quan sát tín hiệu TAC OUTPUT trên dao
động ký, thay đổi giá trị DELAY ở khối 551 với tín hiệu STOP. Chú ý rằng, các giá trị đ~
đặt sẽ thay đổi biên độ xung ra của TAC 567. Chọn các giá trị phù hợp để xung ra có
biên độ +5 V. Ghi giá trị này lại.
10. Trên phần mềm MEASTRO-32, đặt chế độ trùng phùng l{ OFF đối với EASY-
MCA-2k.
11. Nối lại TAC OUTPUT vào INPUT của EASY-MCA-2k và thu nhận phổ. Một đỉnh
hẹp sẽ xuất hiện dần ở gần kênh 256.
12. Thay đổi giá trị DELAY của 551 nối với STOP INPUT trong khoảng 50 ns và ghi
lại vị trí đỉnh tương ứng với số kênh (sử dụng trễ nano giây). Vẽ đồ thị đường chuẩn số
kênh theo thời gian v{ x|c định hệ số góc nano giây/kênh.
13. Điều chỉnh giá trị DELAY của kênh STOP để đỉnh xung trở về kênh 256 và khóa
lại. Ghi nhận đủ số đếm thống kê tại đỉnh để tính FWHM của đỉnh.
14. Tắt m|y ph|t xung 480 v{ đặt nguồn 22Na vào tâm của gi| để mẫu. Đặt
detector di động ở góc 0o.
15. Thu nhận phổ với số đếm đủ thống kê để tính FWHM đỉnh thời gian của những
tia gamma năng lượng 511 keV.
16. Đ|nh dấu toàn bộ đỉnh thời gian và tính tốc độ đếm đỉnh.
17. Với khối 996, đo trong khoảng thời gian tương tự và tính tốc độ đếm các xung
từ lối ra của TSCA 567.
18. Xoay TAC INHIBIT đến vị trí INHIBIT ở giữa TAC và SCA OUTPUT nếu như
chưa ở vị trí đó.
19. Thu nhận phổ v{ tăng LOWER LEVEL của SCA 567 cho đến khi phần chân trái
của đỉnh thời gian biến mất. Giảm LOWER LEVEL sao cho nó không gây nhiễu v{o đỉnh
quan t}m. Khóa LOWER LEVEL để không g}y thay đổi. Thu hẹp cửa sổ của khối 567
cho đến khi phần chân bên phải của đỉnh bị cắt. Tăng gi| trị n{y đủ lớn để đảm bảo
rằng không có sự gây nhiễu v{o đỉnh quan tâm. Khóa núm chỉnh để tránh sự thay đổi
không mong muốn.
20. Xóa phổ v{ đo lại với thời gian đủ d{i để có đủ số đếm thống kê cần thiết. Đồng
thời, khởi động khối đếm 996 đếm số sự kiện trong khoảng thời gian tương tự. Ghi lại
số đếm trong vùng ROI và trên khối 996.
21. Chuyển INHIBIT của Khối TAC 567 sang vị trí OUT.
22. Giống như trong thực hành 13.1, ghi dữ liệu đo được vào bảng 13.1, sử dụng
tốc độ đếm trong vùng ROI trên MCA.
Bài tập
a. Từ phổ ghi nhận được trong bước 13, tính v{ b|o c|o độ phân giải thời gian
FWHM với đơn vị nano gi}y khi đo với máy phát xung.
b. Từ phổ đo được trong bước 15, tính v{ b|o c|o độ phân giải thời gian FWHM
theo đơn vị nano gi}y khi đo với các tia gamma 511 keV.
c. Nêu và giải thích sự khác nhau giữa độ phân giải thời gian trong hai trường hợp
b và c?
d. So sánh tốc độ đếm từ SCA OUTPUT với tốc độ đếm đỉnh trên phổ TAC?
e. Nếu có sự khác nhau, hãy giải thích tại sao có sự kh|c nhau đó?
f. So sánh tốc độ đếm đỉnh và tốc độ đếm trên 996 ở bước 20.
g. Sự sai khác trong hai kết quả có ít hơn trong c}u hỏi d hay không? Tại sao?
h. Trong các thực h{nh đo trùng phùng, sẽ có sự đóng góp của những sự kiện
không phải trùng phùng thực (trùng phùng ngẫu nhiên), các sự kiện này xảy ra cùng
với các sự kiện trùng phùng thực nhưng tốc độ đếm thấp hơn [11]. Những sự kiện này
được xem như th{nh phần phông phía dưới đỉnh trùng phùng. H~y ước lượng số sự
kiện trùng phùng ghi được trên khối đếm khi SCA không giới hạn trong phổ thời gian
v{ khi SCA được giới hạn chỉ trong vùng đỉnh [12].
i. Vẽ đồ thị kết quả thu được từ bước 22.
k. So sánh kết quả về sự tương quan góc thu được trong các thực hành 13.1 và 13.2?
1. C. Melissinos, Experiments in Modern Physics, Academic Press, New York (1966).

2. H. A. Enge, Introduction to Nuclear Physics, Addison-Wesley (1966).
3. K. Seigbahn, Alpha, Beta, and Gamma Spectroscopy, North Holland Publishing Co.,
Amsterdam.
4. L. C. Biedenharn and M. E. Rose, Rev. Mod. Phys. 25, 729 (1953).
6. L. Cohen, Concepts of Nuclear Physics, McGraw-Hill, New York (1971).
7. E. Crouthamel, Applied Gamma-Ray Spectrometry, Pergammon Press, New York
(1960).
8. M. Lederer and V. S. Shirley, Eds., Table of Isotopes, 7th Edition, John Wiley and
York (1979).
12. See the Introduction to Time-to-Amplitude Converters and Calibrators at
http://www.orteconline.com/Solutions/modular-electronic-instruments.aspx.
224
ĐO THỜI GIAN SỐNG CỦA HẠT NHÂN Ở TRẠNG THÁI KÍCH THÍCH
BẰNG KỸ THUẬT TRÙNG PHÙNG
Thực hành này sử dụng kỹ thuật trùng phùng để đo thời gian sống trong sơ đồ
phân rã của 57Co.
- 02 tiền khuếch đại kiểu 113 Ortec cho detector nhấp nháy;
- 02 đế ống nhân quang kiểu 266 Ortec;
- 01 khung NIM và nguồn nuôi kiểu 4001A/4002D;
- 01 khối trùng phùng nhanh kiểu 414A Ortec;
- 01 khối ph}n tích đơn kênh kiểu 551 Ortec;
- 01 khối biến đổi thời gian th{nh biên độ kiểu 567 Ortec;
- 02 khối cao thế kiểu 556 Ortec;
- 01 m|y ph|t xung tương tự kiểu 480 Ortec;
- 01 khối đếm kiểu 994 Ortec;
- 02 khối khuếch đại kiểu 575 AOrtec;
- 01 detector nhấp nháy NaI(Tl) kiểu 905-3, 22 inch;
- Hệ ph}n tích đa kênh v{ phần mềm thu nhận xử lý số liệu;
- Máy tính;
- Các loại c|p v{ đầu nối:
+ 02 cáp C-36-2 RG-59A/U75- với c|c đầu SHV cái, chiều dài 0,61 m;
+ 02 cáp C-24-1/2 RG-62A/U93- với c|c đầu BNC, chiều dài 15 cm;
+ 06 cáp C-24-4 RG-62A/U93- với c|c đầu BNC, chiều dài 1,2 m;
Bài thực hành số 14: Đo thời gian sống của hät nhån ở träng thái kích thích… 225
- Nguồn chuẩn 57Co GF-057-M-20 hoạt độ 20 µCi;
- 01 detector NaI(Tl) cửa sổ Beryllium loại 5Tl200B 2/2 và ống nhân quang (cửa
sổ Beryllium thích hợp cho phát hiện c|c photon có năng lượng 14 keV);
Các thiết bị lựa chọn bổ sung
- Detector HPGe đồng trục;
- Detector Si(Li) đo tia X;
- Detector nhấp nháy plastic và ống nhân quang.
Đo thời gian sống trạng thái kích thích của hạt nhân là một kỹ thuật quan trọng
trong vật lý hạt nhân thực nghiệm. Thời gian sống trung bình của trạng thái kích thích
của hạt nh}n được đo dễ dàng bằng các kỹ thuật đ~ được trình bày trong bài thực hành
số 9. Thời gian sống của trạng th|i kích thích liên quan đến độ rộng mức năng lượng
của nó, theo nguyên lý bất định:
E.t  (1)
Trong đó:
ΔE l{ độ bất định năng lượng của trạng thái;
Δt l{ độ bất định về thời gian ở trạng thái;
= 1,054 10-34 j.s là hằng số Planck rút gọn (bằng h chia 2).
Hệ thức bất định (1) khi viết cho thời gian có dạng:
 (2)

Trong đó  là thời gian sống trung bình của một mức có độ rộng năng lượng .
Thời gian sống trung bình (lifetime)  của trạng thái kích thích là thời gian sống trung
bình của hạt nhân ở trạng th|i m{ sau đó hạt nhân phân rã về một mức năng lượng
thấp hơn. Cần phải phân biệt thời gian này với thời gian bán rã (half-life) T1/2 của trạng
thái kích thích. Quan hệ giữa hai đại lượng n{y được mô tả theo công thức số 3:
T1 / 2 T1 / 2
   1 , 44T1 / 2 (3)
ln2 0 ,693
Có thể đọc thêm trong tài liệu tham khảo số [2] để hiểu rõ hơn kh|i niệm này.
Hình 14.1. Sơ đồ phân rã của 57Co

Trong thực hành này, một số kỹ thuật được sử dụng để đo thời gian sống trạng
thái kích thích của 57Fe. Thời gian b|n r~ được công nhận của trạng thái này là 98 ns và
được đo bằng kỹ thuật trùng phùng trong thực hành số 9.
Hình 14.1 l{ sơ đồ phân rã của 57Co. Đồng vị này phân rã bằng bắt electron (EC) để
về mức năng lượng kích thích 136 keV của 57Fe. Hình 14.2 là phổ tia X có độ phân giải
cao của 57Co, trong đó c|c vạch Kα và Kβ1 của Fe là kết quả từ việc bắt electron.
Hình 14.2. Phổ photon năng lượng thấp của 57Co đo với detector Si(Li) độ phân giải cao
Mức kích thích 136 keV của 57Fe sẽ phân rã theo hai kiểu: ph|t gamma năng lượng
136 keV để về trạng thái cơ bản (γ3-xác suất 11%), hoặc ph|t gamma năng lượng 122 keV
(γ2-xác suất 87%) về mức kích thích 14 keV, ở mức kích thích 14 keV hạt nh}n thường
khử kích thích bằng biến hoán nội nhiều hơn so với ph|t gamma γ1. Tỉ số biến hóa nội
so với ph|t gamma (e/γ) ở mức này ~ 9,0. Tia gamma 14 keV hầu như luôn xuất hiện
trong phổ. Trong hình 14.3 là phổ của nguồn 57Co có gamma năng lượng cao hơn v{ đo
bằng detector Ge, độ phân giải tốt ghi c|c đỉnh 122 keV và 136 keV. Thời gian sống của
trạng thái kích thích 14 keV có thể đo được bằng c|ch x|c định phân bố thời gian của
các sự kiện trùng phùng giữa gamma 122 keV và 14,4 keV.
Hình 14.3. Phổ gamma năng lượng từ 57Co đo bằng detector Ge phân giải cao
Cách tốt nhất để thực hiện các thực nghiệm trùng phùng này là sử dụng khối biến
đổi thời gian th{nh biên độ (TAC). Trong thực hành số 9, TAC được sử dụng để xác
định các cặp xung trùng phùng v{ đo thời gian tương đối giữa các sự kiện đó. Trong thí
nghiệm 14.1, γ2 được sử dụng để khởi ph|t TAC v{ γ1 dùng để dừng TAC. Như vậy ở lối
ra của TAC sẽ cung cấp thông tin về phân bố thời gian sống của trạng thái kích thích
thứ nhất của 57Fe. Chuẩn giá trị trễ được thực hiện như trong thực hành số 9. Trong thí
nghiệm 14.2, ta cũng thu được thông tin tương tự khi đo tốc độ trùng phùng của γ1 v{ γ2
với khối trùng phùng nhanh đ|nh trễ một bên. Kỹ thuật n{y được lặp lại trong thí
nghiệm 14.3 nhưng với các detector khác.
Hình 14.4. Các khối điện tử để đo thời gian sống với TAC
1. Cấu hình hệ đo được thiết lập như hình 14.4. Detector nhấp nháy 905-3 NaI(Tl)
được sử dụng để phát hiện γ2 có năng lượng 122 keV và thực hiện chức năng Start TAC,
detector NaI(Tl) thứ hai với cửa sổ Beryllium được sử dụng để phát hiện γ1 có năng
lượng 14,41 keV và làm nhiệm vụ Stop TAC. Chi tiết kết nối cáp và thiết lập tham số
cho các khối điện tử như sau:
a. Lắp đặt các khối điện tử vào khung NIM. Các khối điện tử phục vụ cho mỗi
detector ở một bên của khung NIM theo thứ tự sau: TAC và máy phát xung ở vị trí
trung tâm, tiếp theo là khối SCA 551, khối khuếch đại 575A và khối cao thế 556.
b. Sử dụng cáp RG-59B/U75-Ω đầu nối SHV nối vào lối ra cao thế dương của khối
HV 556 với lối vào HV POS của PMT 266. Kiểm tra trên mặt trước của khối cao thế đ~
được thiết lập ở chế độ Positive Polarity v{ Internal Control hay chưa.
c. Sử dụng 15 cm cáp RG-62A/U93-Ω, nối lối ra ANODE của PMT 266 với lối vào
của tiền khuếch đại 113. Chọn điện dung lối vào cho tiền khuếch đại bằng chuyển mạch
ở vị trí 0 pF để tụ tích phân tại lối ra của PMT có giá trị khoảng 50 pF.
d. Sử dụng 1,2 m cáp RG-62A/U93-Ω, nối lối ra tiền khuếch đại 113 với lối vào
khuếch đại 575A. Nối cáp nguồn nuôi cho tiền khuếch đại với mặt sau của khuếch đại.
SHAPING TIME đặt ở 0,5 µs và cực tính xung lối vào chọn ở chế độ âm (NEG).
e. Sử dụng 1,2 m cáp RG-62A/U93-Ω, nối lối ra trực tiếp của máy phát xung 480
với lối vào TEST PULSE của tiền khuếch đại thay cho tín hiệu detector NaI(Tl). Nối lối
ra ATTENUATED của máy phát xung 480 đến lối vào TEST PULSE của tiền khuếch đại
còn lại (giả sử là nối với detector NaI(Tl) cửa sổ mỏng). Chọn cực tính xung ra trên
máy phát xung là xung âm.
f. Sử dụng 0,61 m cáp RG-62A/U93-Ω, nối lối ra lưỡng cực của khuếch đại 575A
với lối vào DC INPUT của SCA 551. Chuyển mạch ở mặt trước của các SCA 551 cần đặt
ở vị trí INTERNAL.
g. Sử dụng 0,61 m cáp RG-58A/U50-Ω, nối lối ra NEGATIVE OUTPUT của SCA 551
(nối với detector NaI(Tl)) với START INPUT của TAC.
h. Sử dụng 0,61m cáp RG-58A/U50-Ω, nối lối ra NEGATIVE OUTPUT của SCA 551
(nối với detector cửa sổ mỏng) với STOP INPUT của TAC.
i. Trên khối TAC đặt chuyển mạch chọn cho tín hiệu lối vào START và STOP ở vị trí
ANTI, STROBE ở vị trí INTERNAL, TAC inhibit ở vị trí OUT. Chọn RANGE ở 50 ns và
MULTIPLIER ở  10 để có dải thời gian đo l{ 500 ns.
j. Sử dụng 1,2 m cáp RG-62A/U93-Ω, nối lối ra của TAC đến lối v{o tương tự của MCA.
Nối MCA với máy tính, bật công tắc nguồn nuôi cho khung NIM và khởi động máy tính.
k. Đặt giá trị cao thế thích hợp cho các detector NaI(Tl) sau đó bật công tắc lên cao thế.
2. Chỉnh hệ số khuếch đại của khuếch đại 575A ở kênh START để xung lối ra của
khuếch đại ứng với gamma năng lượng 122 keV có biên độ +5 V, quan sát tín hiệu trên
dao động ký, kiểm tra để điều chỉnh độ hội tụ của ống nhân quang PMT 266 để đạt
được độ cao xung cực đại, nếu việc chỉnh hội tụ l{m tăng biên độ xung thì phải chỉnh
lại hệ số khuếch đại để có được biên độ + 5 V. Hình 14.5 là phổ 57Co đo ở lối ra của
khuếch đại này sau khi chỉnh. Chú ý đỉnh 122 keV và 136 keV là không phân giải được
khi đo với detector NaI(Tl), do độ phân giải năng lượng của detector NaI(Tl) kém hơn
nhiều so với detector HPGe (hình 14.3).
3. Chỉnh dao động ký với chiều ngang 50 µs/cm và chiều dọc là 100 mV/cm. Sử
dụng Tuốc nơ vít tinh chỉnh, chỉnh PZ của khuếch đại 575A để đảm bảo xung ra đơn
cực không có bướu âm, tham khảo thêm việc hiệu chỉnh này ở thực hành số 3 hoặc tài
liệu hướng dẫn sử dụng khuếch đại.
Hình 14.5. Phổ 57Co đo bằng detector NaI(Tl) 22 inch

4. Đặt thời gian trễ trên SCA 551 ở kênh START là 400 ns (0,4 µs) (dải thay đổi từ
0,1 µs đến 1,1 µs), chỉnh ngưỡng thấp (LOWER-LEVEL) để thu được các xung giữa đỉnh
quang điện và mép Compton (trong hình 14.5 dải này vào khoảng 50 kênh hoặc xấp xỉ
2,5 V ở lối ra của khuếch đại phổ). Chú ý rằng ngưỡng thấp và cao của SCA 551 có thể
thay đổi trong dải 0 ÷ 10 V.
5. Chỉnh hệ số khuếch đại của khuếch đại ở kênh Stop sao cho xung ra ứng với
đỉnh gamma 14,41 keV có biên độ +5 V, kiểm tra và chỉnh độ hội tụ của ống nhân
quang 266 như ở bước 2.
Hình 14.6 là phổ đặc trưng của đỉnh gamma 14,41 keV khi sử dụng detector
NaI(Tl) cửa sổ mỏng. C|c đỉnh tia X Kα, Kβ1 của 57Fe, không xuất hiện vì hai lý do: cửa sổ
Beryllium phía trước tinh thể nhấp nh|y đủ d{y để hấp thụ c|c tia X có năng lượng 6,4 keV
và hiệu suất đỉnh quang điện của detector ở 6,4 keV là khá bé có thể không phân biệt
được với nhiễu tạo ra do các electron nhiệt trong ống nhân quang. Chú ý rằng độ phân
giải năng lượng của detector cửa sổ mỏng kém hơn 16 lần so với detector Si(Li).
Hình 14.6. Phổ gamma 14,41 keV đo bằng detector NaI(Tl) cửa sổ mỏng
6. Hiệu chỉnh pole-zero của khuếch đại phổ theo hướng dẫn trong bước 3 và 5.
7. Chỉnh giá trị trễ của TSCA ở kênh STOP với giá trị 600 ns, chỉnh ngưỡng thấp
vào vùng chân trái của đỉnh (cỡ kênh 20 trên hình 14.6, hoặc xấp xỉ 2,5 V). Đặt ngưỡng
trên ở mức tối đa v{ chọn chế độ hoạt động NORMAL.
8. Khởi động chương trình đo, nếu sử dụng phần mềm MAESTRO thì trong mục
ADC chọn GATE OFF, thay đổi ngưỡng trên về giá trị cực đại, thay đổi ngưỡng dưới đến
mức có thể chấp nhận được để tránh các số đếm do tạp }m g}y ra. Đặt dải đo l{ 512
kênh cho dải từ 0 ÷ 10 V. Kết hợp với dải thời gian 500 ns trên TAC, kết quả chuẩn sẽ
vào khoảng 1 ns trên kênh đối với phổ thời gian. Thiết lập thời gian đo v{ xóa phổ.
9. Lấy nguồn 57Co ra khỏi detector, bật nguồn cho máy phát xung 480, thiết lập hệ
số ATTENUATOR là 10. Chỉnh biên độ xung nếu cần để biên độ xung đạt 7 V ở nhánh
có chức năng START. Tín hiệu ở lối ra của hai bộ khuếch đại có thể sai khác trong
khoảng ±1 V. Nếu biên độ ở lối ra sai khác lớn, hiệu chỉnh ATTENUATOR trên máy phát
xung 480 để có sự sai khác trong khoảng ±1 V. Hai khối TSCA sẽ nhận các xung từ máy
ph|t xung v{ do đó khối TAC sẽ đo thời gian trễ giữa hai kênh, thời gian này vào
khoảng 200 ns.
10. Nối lối ra của TAC đến MCA v{ đo với thời gian đủ d{i để có đủ số đếm thống
kê cần thiết ở vị trí đỉnh. Tăng hoặc giảm thời gian trễ trên TSCA ở kênh STOP theo
bước 50 ns trong dải từ 300 ÷ 1000 ns. Với mỗi lần thay đổi thời gian trễ, đo x|c định
vị trí đỉnh trên MCA và ghi số đếm/kênh theo giá trị trễ. Ở giá trị trễ thấp hơn hoặc cao
hơn dải trên, đỉnh có thể rơi v{o vùng dưới hoặc trên cùng của phổ. Dừng c|c thay đổi
khi đỉnh biến mất khỏi vùng dưới hoặc trên của phổ.
Bài tập
Từ số liệu thu được, vẽ đồ thị biểu diễn số kênh theo giá trị trễ v{ x|c định hệ số
chuẩn ns/kênh. Cách thực hiện giống như trong b{i thực hành số 9 (hình 9.9).
11. Tắt máy phát xung và sử dụng nguồn 57Co đặt ở vị trí như hình 14.4. Từ bảng số
đếm/kênh với thời gian trễ đo được, x|c định thời gian trễ bé nhất m{ đỉnh vẫn xuất hiện
trong phổ thời gian. Tăng thêm 100 ns vào giá trị n{y v{ đặt cho TSCA trên kênh Stop.
12. Thu phổ trên MCA, kết quả có dạng như hình 14.7. Để hiển thị đồ thị với kết
quả đ~ được l{m trơn, lấy trung bình số đếm trên 10 kênh và vẽ. Độ dốc của đường
biểu diễn giá trị trễ theo kênh trên hình 14.7 vào khoảng 0,73 ns/kênh. Do đó, thời
gian bán rã của trạng th|i thu được dưới dạng số của các kênh, mỗi kênh có giá trị thời
gian là 0,73 ns/kênh. Từ số liệu trên hình 14.7 ta thu được giá trị này vào khoảng ~ 95 ns,
giá trị này hoàn toàn chấp nhận được so với giá trị 98 ns. Số liệu trên hình 14.7 được
đo trong khoảng 2 giờ. C|c bước thiết lập hệ đo v{ hiệu chuẩn mất thêm khoảng 2 giờ.
Như vậy cần khoảng ít nhất 4 giờ để thực hiện bài thực hành này.
Hình 14.7. Phổ thời gian của trạng thái 14,4 keV và tính thời gian sống
13. Tính thời gian bán rã trong phổ thời gian ph}n r~ thu được với mức năng
lượng 14,4 keV. So sánh kết quả với giá trị đ~ được công nhận.
Thực h{nh n{y tương tự như thực h{nh 14.1 nhưng cấu hình hệ đo có một số thay
đổi như sau: C|c khối TAC v{ MCA được thay bằng khối trùng phùng nhanh 414A và
khối đếm 995. Hệ đo sẽ được điều chỉnh để thay đổi dải đo từ 500 ns của các SCA 551
về 100 ns. Khi có sự kiện trùng phùng, khối trùng phùng sẽ phát ra một xung và xung
n{y được đếm bởi khối đếm 995. Do thời gian trễ giữa hai kênh ở lối vào của khối
trùng phùng nhanh l{ x|c định được và tốc độ đếm tại lối ra của khối 414A biểu diễn
cho tốc độ phân rã của mức năng lượng 14,4 keV. Bằng c|ch tăng thời gian trễ của tín
hiệu logic từ kênh nối với detector NaI(Tl), độ nhạy với tia gamma có mức năng lượng
122 keV bị thay đổi, tốc độ đếm với thời gian bị làm trễ của mức 14,4 keV có thể ghi
nhận được. Như trên hình 14.1, gi| trị tốc độ đếm ghi nhận được sẽ giảm theo h{m mũ
theo thời gian trễ. Do đó, thời gian bán rã của trạng thái 14,4 keV có thể tính theo thời
gian trễ khi tốc độ đếm giảm đi một nửa.
1. Thực hiện c|c bước 1 đến 7 như trong thực hành 14.1, tắt nguồn khung NIM,
thay thế khối TAC bằng khối trùng phùng nhanh 414A và khối đếm 994. Các khối có
thể dịch sang bên phải hoặc bên trái cho thích hợp với các khe cắm, khối MCA không
được sử dụng trong thực h{nh n{y. Sơ đồ bố trí thực h{nh được mô tả trong hình 14.8.
Hình 14.8. Sơ đồ ghép nối các khối điện tử
Các tham số được thiết lập giống như trong thực hành 14.1. Khối trùng phùng
nhanh và khối đếm được thiết lập như sau:
a. Nối lối ra POSitive của TSCA của kênh detector NaI(Tl) với lối vào A của khối
trùng phùng 414A.
b. Nối lối ra POSitive của TSCA của kênh detector NaI(Tl) cửa sổ mỏng với lối vào
B của khối trùng phùng 414A.
c. Nối một trong hai lối ra của khối trùng phùng nhanh với lối vào B của khối đếm
994, trên khối 994 các chuyển mạch được thiết lập cho lối v{o l{ xung dương, kênh A
của khối đếm được thiết lập l{ “TIMER”, kênh B l{ “COUNTER”. Điều này rất cần thiết
để kênh A chỉ thị thời gian trôi qua và kênh B chỉ thị số đếm tích lũy từ khối 414A.
d. Bật nguồn nuôi cho khung NIM.
e. Trên khối 414A, đặt các chuyển mạch ở lối vào A và B là INPUT; C và D là OUT,
đặt RESOLVING TIME ở giá trị 100 ns. Khóa RESOLVING TIME sau khi chỉnh.
2. Đặt thời gian trễ trên hai khối TSCA ở giá trị 400 ns.
3. Lấy nguồn 57Co ra khỏi detector và bật nguồn máy phát xung 480. Nếu bước thứ
9 trong thực h{nh 14.1 chưa được thực hiện thì thực hiện lại. Đặt chuyển mạch
ATTENUATOR ở chế độ 10, OFF các chuyển mạch còn lại, thay đổi PULSE-HEIGHT để
đạt được biên độ xung 7 V ở lối ra của khuếch đại ở kênh START. Sai kh|c biên độ ở lối
ra của các khuếch đại nằm trong khoảng ±1 V, nếu ngoài dải này cần thay đổi
ATTENUATOR để có biên độ sai khác trong khoảng ±1 V. Cả hai TSCA cần được đếm số
xung từ máy phát xung.
4. Để thực hiện việc này, tạm thời đặt lối vào kênh B trên khối 414A về vị trí OUT,
khi đó khối đếm 994 sẽ đếm xung qua khối 414A từ kênh nối với detector NaI(Tl).
5. Thiết lập trên khối đếm 994 như sau:
a. Bấm nút Stop để đảm bảo khối 994 không đếm, sau đó bấm nút RESET để xóa số
sự kiện tích lũy trước đó.
b. Bấm nút TIME BASE cho đến khi LED chỉ thị thời gian là 0,01 SEC.
c. Xoay nút DWELL đến giá trị giới hạn, điều n{y đảm bảo nội dung trên khối 994
sẽ hiển thị trong 10 gi}y trước khi xóa nội dung này và bắt đầu chu kỳ thu nhận dữ liệu
tiếp theo.
d. Nhấn nút DISPLAY cho đến khi LED chỉ thị PRESET được chọn.
e. Nhấn nút PRESET SELECT cho đến khi giá trị M được hiển thị, nhấn nút PRESET
ADVANCE cho đến khi giá trị M là 0.
f. Bấm nút PRESET SELECT, lựa chọn N số để chỉ thị, bấm nút PRESET ADVANE để
thay đổi giá trị từ 1 đến N.
g. Bấm nút PRESET SELECT để hiển thị P chữ số, bấm PRESET ADVANCE để thay đổi
giá trị của 2 cho P. Thiết lập n{y đặt thời gian đếm là MN  10P = 01  102  0,01 s = 1 giây.
h. Bấm nút DISPLAY đến khi LED chỉ thị kênh đếm A được chọn. Thời gian đếm sẽ
tăng với bước 0,01 giây. Bấm nút COUNT và kiểm tra số đếm kênh A bắt đầu là 0, số
đếm tích lũy được khoảng 100 số đếm (trong 1 giây), dừng sau 10 giây, bấm RESET và
lặp lại chu kỳ. Sử dụng DWELL để thay đổi thời gian dừng trong khoảng 1 đến 10 giây.
i. Bấm DISPLAY cho đến khi LED chỉ thị kênh đếm B được chọn, nếu THRESHold
được chỉnh thích hợp, số đếm kênh đếm B sẽ bắt đầu từ 0, tích lũy 60 số đếm, bấm
dừng để hiển thị, sau đó RESET và lặp lại chu kỳ. Chú ý 60 số đếm là dựa trên máy phát
xung 480, tần số xung lối ra tương tự như tần số điện lưới 60 Hz. Nếu sử dụng lưới
điện có tần số khác, giá trị này có thể thay đổi.
j. Nếu c|c điều kiện trong bước i không đạt yêu cầu, sử dụng Tuốc nơ vít tinh chỉnh
để thay đổi THRESHold ở kênh B bằng cách vặn v{i vòng ngược chiều kim đồng hồ cho
đến khi số đếm trên kênh B không tăng. Sau đó, vặn theo chiều ngược lại đến khi số đếm
bắt đầu tăng trở lại. Tiếp tục vặn thêm 6 vòng theo chiều kim đồng hồ, giá trị ngưỡng lúc
này sẽ khoảng +2,5 V cho đếm c|c xung có biên độ 5 V từ lối ra của 414A.
6. Trên khối 414A, đặt các chuyển mạch cho hai lối vào A và B ở vị trí IN. Trong khi
đếm và hiển thị số đếm ở kênh B, chỉnh giá trị trễ trên TSCA ở lối vào kênh B của 414A.
Tăng hoặc giảm giá trị trễ bắt đầu từ 400 ns để tìm giá trị có tốc độ đếm cực đại. Kết
quả thu được sẽ rất gần với giá trị 400 ns, khi đó gi| trị trễ giữa kênh A v{ B đ~ gần
tương đồng với nhau. Khóa các nút tinh chỉnh. Tốc độ đếm thu được sẽ vào khoảng 60
xung/giây khi hoạt động với lưới điện có tần số 60 Hz.
7. Tắt nguồn của m|y ph|t xung 480 v{ đặt nguồn 57Co vào vị trí đo, đặt thời gian
đo trên khối 994 l{ 600 gi}y, xoay nút DWELL ngược chiều kim đồng hồ đến vị trí cuối
cùng để tắt chức năng đếm theo chu trình. RESET bằng tay và bắt đầu đếm, dừng đếm
sau khi số đếm tích lũy đ~ đủ để ước lượng tốc độ đếm.
8. Dựa trên kết quả ở bước 7, ước lượng khoảng thời gian đo cần thiết để đạt được
số đếm thống kê hợp lý. Nếu số đếm thu được trong khoảng thời gian một chu kỳ là N,
thì sai số tương đối được đ|nh gi| như sau:
 100% N 100% (4)

%    100% 
N N N
Trong đó   N được đ|nh gi| l{ độ lệch chuẩn cho N. Phương trình (4) cho thấy
cần phải có khoảng 10.000 số đếm để có được độ lệch chuẩn 1%. Đặt thời gian trên
khối 994 để thu được số đếm nằm trong khoảng từ 5.000 ÷ 10.000. Không đặt thời
gian d{i hơn 600 gi}y để tránh kéo dài thực hành, ghi lại tốc độ đếm ban đầu và thời
gian đo được chọn trong thực hành này.
9. Tăng thời gian trễ ở khối 551 của kênh A lên 20 ns và lặp lại phép đo. Tiếp tục
tăng thời gian trễ v{ đo ở các giá trị 40, 60, 80, 100, 120, 140, 160 và 180 ns.
Bài tập
Vẽ đồ thị tốc độ đếm theo giá trị trễ. Đường cong của đồ thị sẽ tương tự như
hình 14.7. Từ các dữ liệu này x|c định thời gian bán rã trạng thái 14 keV của 57Fe như
trong thực hành 14.1. So sánh kết quả với giá trị đ~ được chấp nhận là 98 ns.
Sai số của giá trị trễ của khối 551 vào khoảng 2%. Điều n{y mang ý nghĩa rằng ít
nhất có sai lệch khoảng 2% trong kết quả đo thời gian bán rã. So sánh sai số này với
sai số thu được từ a) chuẩn độ trễ 511 và b) số đếm thống kê trong phương trình (4).
4.3.1. Mục đích

Trong thực hành 4.1 và 4.2, sử dụng các detector nhấp nh|y NaI(Tl) để đo thời gian
sống bằng kỹ thuật trùng phùng là phù hợp. Bây giờ ta thay đổi các detector khác và lặp lại
thực hành với các khối điện tử cùng chức năng để có độ phân giải năng lượng tốt hơn.
Các detector bán dẫn yêu cầu bộ khuếch đại có hằng số hình th{nh xung d{i hơn
để cải thiện được độ phân giải năng lượng. Nếu thí nghiệm kết hợp cả hai kiểu detector
(một có thời gian hình thành xung ngắn và một có thời gian hình thành xung dài), khi
đó cần phải có một khối làm trễ và tạo xung gate (Gate and Delay Generator) để tăng
thời gian trễ cho tín hiệu ra của TSCA đối với kênh có thời gian hình thành xung ngắn.
4.3.2. Kênh START (với gamma 122 keV)
Có thể sử dụng một detector HPGe để đo gamma năng lượng 122 keV. Hình 14.3 là
phổ đặc trưng thu được với detector HPGe. Trong thực hành này khối TSCA được thiết lập
để thu đỉnh 122 keV. Các yêu cầu khác cần quan t}m như trong b{i thực hành số 7. Ngoài
ra, nếu sử dụng các detector của Ortec có thể tham khảo thêm trong các ứng dụng đo thời
gian với detector Germanium hoặc trên trang web www.ortec-online.com.
Một detector nhấp nháy hữu cơ (plastic) như KL-236, NE-102 hoặc Pilot B cũng có
thể sử dụng để đo gamma ở năng lượng 122 keV. Hình 14.9 là phổ 57Co đo với detector
nhấp nháy hữu cơ. Do số nguyên tử của các vật liệu hữu cơ thấp nên trong phổ chỉ xuất
hiện nền compton liên tục m{ không có c|c đỉnh quang điện. Đường đ|nh dấu E-LEVEL
(ngưỡng cắt E) được đề nghị để đặt ngưỡng dưới cho khối TSCA.
Hình 14.9. Phổ 57Co đo bằng detector nhấp nháy hữu cơ

Các detector nhấp nháy hữu cơ có ưu điểm l{ đ|p ứng nhanh hơn so với detector
NaI(Tl), do đó sẽ cho độ phân giải thời gian tốt hơn. Hình 14.10 l{ đặc trưng xung lối ra
của detector nhấp nháy plastic. Tín hiệu được đo trên anốt, dùng cáp 50 Ω nối với lối
vào và sử dụng chụp 50 Ω để phối hợp trở kháng.
Hình 14.10. Xung ra từ anốt của đế 266 và tinh thể KL-236 kích thước 2,52,5 cm
và ống nhân quang RCA 6342A
4.3.3. Kênh STOP (năng lượng 14 keV)

Có thể sử dụng một detector Si(Li) cho kênh STOP. Hình 14.2 là phổ của 57Co có độ
phân giải cao. Detector Si(Li) hầu như có đặc trưng ph}n giải về thời gian rất tốt. Các
đặc điểm khác của detector n{y được trình bày trong bài thực hành số 8.
1. K. Seigbahn, Alpha, Beta, and Gamma Spectroscopy, North Holland Publishing Co.,
Amsterdam (1965–1966).
3. B. L. Cohen, Concepts of Nuclear Physics, McGraw-Hill, New York (1971).
4. H. A. Enge, Introduction to Nuclear Physics, Adison-Wesley (1966).
5. P. Marmier and E. Sheldon, Physics of Nuclei and Particles, 1 and 2, Academic Press,
New York, (1969).
7. M. Lederer and V. S. Shirley, Eds., Table of Isotopes, 7th Edition, John Wiley and
9. Application notes, technical papers, and introductions to each product family at
238
TÁN XẠ CỦA HẠT ALPHA TRÊN VÀNG VÀ KIM LOẠI
Thực h{nh đo tiết diện tán xạ của hạt alpha lên lá vàng, kết quả thực nghiệm có
thể được so sánh với lý thuyết tiết diện tán xạ theo số khối của nguyên tử.
- 01 Tiền khuếch đại 142B;

- 01 khung NIM và nguồn nuôi 4001A/4002D;
- 01 khuếch đại loại 575A;
- Detector Si cấy ion đo hạt mang điện kiểu BU-021-450-100;
- MCA-EASY-8K gồm cáp USB và phần mềm MAESTRO-32 (có thể sử dụng các
MCA khác của ORTEC);
- Máy tính cá nhân có cổng USB và hệ điều hành Windows;
+ 01 cáp C-18-2, 100, hai đầu Microdot đực, d{i 0,61 m để nối detector phía
bên trong buồng tán xạ;
+ 01 đầu BNC C-13 để nối với đầu Microdot ở phía trong buồng tán xạ (có thể có
sẵn trong buồng tán xạ Rutherford);
+ 01 đầu Microdot C-30 c|i để nối giữa C-13 với C-18-2 (có thể có sẵn trong
buồng tán xạ Rutherford);
+ 01 c|p đồng trục C-24-½RG-62A/U93-Ω, hai đầu BNC, d{i 15 cm để nối tín hiệu
ra của detector ở phía ngoài buồng chân không với INPUT tiền khuếch đại 142B;
+ 02 c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-Ω, hai đầu BNC, dài 3,7 m;
+ 01 c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93-Ω, hai đầu BNC, dài 1,2 m;
Bài thực hành số 15: Tán xä của hät Alpha trên vàng và kim loäi 239
+ 01 c|p đồng trục C-36-RG-59B/U75-Ω hai đầu SHV cái, dài 3,7 m;
- Dao động ký TDS3032C tần số ≥ 150MHz;
- M|y bơm ch}n không di động ALPHA-PPS-230.
Các thiết bị khác
- Tuốc nơ vít tinh chỉnh;
- Nguồn 241Am hoạt độ khoảng 0,5 mCi (chu kỳ b|n r~ 432 năm);
- Các lá kim loại: Au (1,57 mg/cm2); Al (0,62 mg/cm2); Ni (0,87 mg/cm2);
Cu (0,86 mg/cm2) và Ag (1,1 mg/cm2);
- Buồng tán xạ Rutherford (chế tạo theo yêu cầu, tham khảo thêm hình 15.2 và 15.3).
Trong lịch sử vật lý, ít có thí nghiệm nào có tầm ảnh hưởng quan trọng như thí
nghiệm tán xạ đ{n hồi Rutherford. Dựa trên kết quả đo t|n xạ đ{n hồi của Geiger và
Marsden, Rutherford đ~ dự đo|n mô hình chính x|c đầu tiên về nguyên tử. Trước công
trình của Rutherford, người ta xem rằng nguyên tử là một khối cầu gồm các proton và
electron hòa lẫn trong một khối. Mô hình n{y được Thomson đề xuất v{ được xem như
là mô hình nguyên tử tốt nhất ở thời điểm đó.
Geiger v{ Marsden đ~ l{m một số phép đo t|n xạ của hạt alpha lên lá kim loại
được dát rất mỏng. Họ thấy rằng số hạt alpha tán xạ phụ thuộc vào góc tán xạ và rất
mạnh ở phía trước. Kết quả cũng cho thấy sự kiện tán xạ cũng xảy ra ở các góc > 900.
Rutherford ngạc nhiên về kết quả này và ghi lại nhận xét của ông trong một bài giảng
của mình: “Sự kiện không thể tin được đ~ xảy ra với tôi. Nó khó tin đến nỗi như nếu
bạn bắn một viên đạn kích thước 15 inch vào một tấm giấy mỏng, viên đạn sẽ quay trở
lại bắn vào bạn”.
Rutherford cố gắng phân tích sự phụ thuộc góc tán xạ theo các hệ số của mô hình
nguyên tử của Thomson. Nhưng ông thấy rằng mô hình của Thomson không giải thích
được tiết diện tán xạ ngược được thực nghiệm tìm thấy. Kết quả đo đạc của Geiger và
Marsden cho thấy xác suất 1/8.000 hạt alpha tới trên lá platinum bị tán xạ với góc > 900.
Điều này mâu thuẫn với mẫu Thomson, theo tiên đo|n của mẫu này, chỉ khoảng 1/1014
hạt bị tán xạ.
Với sự nỗ lực không mệt mỏi và linh cảm vật lý tuyệt vời, Rutherford đ~ ph|t
triển mô hình hạt nhân nguyên tử. Những tính toán của ông, dựa vào tán xạ Coulomb
với lõi mang điện dương cho kết quả tiết diện tán xạ tăng 1010 lần so với kết quả của
Geiger và Marsden. Tất nhiên, rất khó có thể x|c định tiết diện tán xạ bằng thực
nghiệm với những dụng cụ có thể của họ (buồng chân không và quan sát sự phát
sáng trên màn hình sunphua kẽm bằng mắt). Rất khó có thể đếm số chớp sáng và xác
định góc chính xác.
Khái niệm tiết diện tán xạ đề cập ở trên là một phép đo x|c suất tán xạ tại một góc
x|c định. Về mặt thứ nguyên, tiết diện có thứ nguyên diện tích. Sở dĩ như vậy vì
điều n{y mang ý nghĩa x|c suất tương đối của một hạt alpha xuyên qua một hạt nhân
vàng tỉ lệ với diện tích hiệu dụng của hạt nhân. Tiết diện thường sử dụng đơn vị “barn”,
1 barn = 10-24 cm2. Giá trị này là rất nhỏ nhưng có thể so s|nh được với kích thước
nguyên tử khi khảo sát.
Sẽ thuận tiện hơn với thí nghiệm tán xạ Rutherford, khi biểu diễn các kết quả dưới
dạng tiết diện vi phân. Nếu góc nhìn của detector l{ sr (radian) thì góc đặc  được
tính đơn giản là Ad/R2. Trong đó Ad là diện tích vùng nhạy của detector và R là khoảng
cách giữa detector và bia. Tiết diện vi phân biểu diễn xác suất trên đơn vị góc khối mà
hạt alpha sẽ bị tán xạ tại góc . Biểu thức lý thuyết cho tiết diện tán xạ đ{n hồi
Rutherford có thể biểu diễn như sau:
 
d Z Z 
2 1 M
2
 1 ,296  1 2    2   mb / sr (1)
d  E   sin4     A  
 2 
 
Trong đó Z1 và Z2 là nguyên tử số của hạt tới và bia, E l{ năng lượng của hạt tới
theo đơn vị MeV, M là số khối của hạt tới và A là số khối của hạt nhân bia. Trong thực
hành này, phản ứng 197Au(4He,4He)197Au có Z1 = 2, Z2 = 79, E = 5,48 MeV, M = 4 và A = 197.
Rất khó để đo tiết diện với góc tán xạ >900 trong phản ứng này vì thời gian đo d{i đối
với các góc tán xạ ngược. Do đó trong thực hành này chỉ đo ở các góc phía sau bia.
Với lá nhôm nhẹ nhất được sử dụng trong thực hành 15.2, số hạng 2(M/A)2
1
thường được so sánh với v{ do đó có thể bỏ qua. Một cách gần đúng, tiết diện
4
sin  
2
vi phân có thể x|c định theo công thức:
2
d Z Z  1
 1 ,296  1 2  mb / sr (2)
d  E  
sin4  
2
Chú ý rằng trong công thức (2), sự thay đổi biên độ từ  = 8o đến  = 90o là bốn
bậc. Mục đích của thực hành là chỉ ra rằng tiết diện thực nghiệm có thể so sánh với
biểu thức lí thuyết trong phương trình (2).
Hình 15.1. Hệ đo trong thực hành tán xạ Rutherford

1. Hệ đo được thiết lập như hình 15.1, thí nghiệm bố trí như hình 15.2 v{ 15.3.
+ Nối cáp giữa detector hạt mang điện ULTRATM và tiền khuếch đại 142B;
+ Tắt nguồn NIM và nguồn nuôi. Lắp máy phát xung 480, cao thế và khuếch đại
575A gần nhau trong một khung NIM.
+ Đặt thời gian hình thành xung trên mặt của khuếch đại 575A là 1,5 μs.
+ Nối cáp nguồn từ tiền khuếch đại 142B tới mặt sau khuếch đại 575A. Đặt công
tắc chọn phân cực xung vào trên khuếch đại 575A ở POSitive.
+ Nối lối ra E (năng lượng) của tiền khuếch đại 142B đến lối vào của khuếch đại
575A bằng c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-Ω.
+ Trên khối cao thế đặt chuyển mạch POS/OFF/NEG ở OFF và xoay nút lên cao thế
ngược chiều kim đồng hồ về giá trị 0. Nối lối ra B của cao thế 428 đến lối vào Bias của
tiền khuếch đại 142B, sử dụng cáp C-36-12 RG-59B/U75-Ω với đầu SHV.
+ Trên m|y ph|t xung 480, đặt phân cực xung ra là NEGative và công tắc ON/OFF ở
OFF. Đặt các chuyển mạch ATTENUATOR ở giá trị cực đại. Sử dụng c|p đồng trục C-24-12-
RG-62A/U93-Ω, nối lối ra ATTENuated của 480 với lối vào TEST của tiền khuếch đại 142B.
+ Nối lối ra UNIpolar của khuếch đại 575A với lối v{o tương tự của EASY–MCA sử
dụng c|p đồng trục C–24–4 RG–62A/U93-Ω.
+ Bật công tắc nguồn NIM.
+ Bật m|y tính đ~ nối với EASY-MCA và khởi động chương trình MAESTRO–32.
+ Từ menu Acquire và thẻ ADC trên chương trình MAESTRO chọn Gate OFF và dải
biến đổi 2048 hoặc 4096 kênh cho tín hiệu lối vào từ 0 đến 10 V. Đặt ngưỡng trên ở giá
trị lớn nhất v{ ngưỡng dưới đủ thấp trên mức nhiễu. Trong thẻ Preset xóa dữ liệu và
chọn chế độ đo bằng tay. Làm quen với c|ch đo, dừng và xóa phổ trên chương trình.
2. Chuẩn hệ thống: gỡ bỏ miếng v{ng v{ đặt detector ở góc  = 0o. Hút chân không
trong buồng đến dưới 200 μm. Trên khối cao thế 428, đặt chuyển mạch POS/OFF/NEG
ở POS và lên cao thế đến giá trị danh định cho detector. Chỉnh hệ số khuếch đại 575A
sao cho đỉnh 5,48 MeV ở vị trí 1/8 dải đo của MCA. Chú ý: c|c phép đo alpha cần thực
hiện ở áp suất dưới 200 μm v{ cao thế luôn tắt khi mở buồng ch}n không để bảo vệ
detector.
3. Nối tín hiệu lối ra UNIpolar của 575A đến lối v{o 1 MΩ của Dao động ký.
Trên Dao động ký, đặt thang theo chiều ngang là 1 ms/cm và chiều thẳng đứng là
100 mV/cm. Chỉnh Pole Zero cho 572A để xung trở về đường không nhanh nhất có
thể. Xem hướng dẫn trong thực h{nh 3, hướng dẫn sử dụng của 572 và các tài liệu
tham khảo khác.
4. Nối lại tín hiệu từ OUTput của UNIpolar 575A đến INPUT của EASY–MCA.
5. Chuẩn MCA với nguồn alpha 241Am và máy phát xung 480 giống như trong thực
hành 4 và 5. Vẽ đồ thị đường chuẩn trên giấy tuyến tính hoặc trên phần mềm máy tính.
Có thể sử dụng tính năng chuẩn năng lượng của chương trình MAESTRO–32 để chuẩn
năng lượng. Chú ý cần phải tắt máy phát xung khi chuẩn.
6. Tắt cao thế và xả áp suất cho buồng không (dùng van xả áp suất). Đặt lá vàng
vào vị trí đặt bia với góc 45o so với chùm alpha chuẩn trực. Giữ detector ở góc  = 0o.
Hút lại ch}n không sau đó lên lại cao thế cho detector. Đo phổ trên MCA, từ vị trí đỉnh
x|c định năng lượng Ef của hạt alpha sau khi đi qua l| v{ng. X|c định năng lượng ∆E bị
mất của hạt alpha khi đi qua l| v{ng (xem b{i thực hành 5) ví dụ:
∆E = E0 - Ei (3)
Với E0 bằng 5,48 MeV và Ei l{ năng lượng đo được của hạt alpha sau khi xuyên qua
lá vàng.
Hình 15.2. Bố trí thí nghiệm tán xạ Rutherford, góc detector thay đổi từ 00 đến 900
Hình 15.3. Buồng chân không dùng trong đo tán xạ Rutherford. Bên trong buồng gồm
chỗ đặt nguồn, detector và chuẩn trực đường kính thay đổi được. Quãng chạy
của hạt alpha ngắn nên detector và mẫu phải đặt trong buồng chân không
Bài tập
a. Từ số liệu ∆E và dE/dx trong tài liệu tham khảo số 10, tính độ dày hiệu dụng của lá
v{ng theo đơn vị mg/cm2. Chú ý rằng hạt alpha đi qua l| v{ng với góc 45o, do đó qu~ng
đường tăng lên một hệ số 1/sin(45o). Vì vậy, độ d{y đo được sẽ lớn hơn độ dày thực của lá
vàng. Các số liệu bổ sung khác có thể tra trên internet trong tài liệu tham khảo số 10.
b. Năng lượng trung bình của các hạt alpha tán xạ trong l| v{ng được tính theo
công thức:
E0  E f
Eav  (4)
2
 (độ) d/dΩ (lý thuyết) d/dΩ (thực nghiệm)

10
15
20
25
30
40
50
60
70
80
90
X|c định Eav cho c|c phép đo thực hiện trong bước 6. Sử dụng Eav như gi| trị của E
d
trong phương trình (2) v{ tính gi| trị (lý thuyết) theo phương trình (2) cho c|c
d
góc trong bảng 15.1. Điền đầy đủ các giá trị tính được vào bảng.
d
c. Vẽ đồ thị theo góc  trên giấy bán loga hoặc trên máy tính với 5 giá trị góc.
d
Vì các giá trị tiết diện thay đổi khá mạnh do đó đòi hỏi phải biểu diễn trên thang logarit
còn góc được biểu diễn trên thang tuyến tính.
d. Tính số hạt nhân n0/ cm2 trong bia vàng theo công thức sau:
( g / cm2 )  6.023 1023
n0  (5)
A
e. Tính ∆Ω theo công thức:
∆Ω = Diện tích nhạy bề mặt của detector (cm2)]/R2 (6)
R là khoảng cách (cm) từ detector đến lá vàng. Diện tích vùng nhạy của detector
BU-021-450-100 ULTRATM vào khoảng 450 mm2.
Chú ý: khi đo b|n kính của detector, tuyệt đối không chạm trực tiếp vào diện tích
vùng nhạy của detector vì có thể làm bẩn cửa sổ của detector.
7. Lấy lá vàng ra và kiểm tra góc mở của chuẩn trực bằng c|ch x|c định tốc độ đếm
ở các giá trị khác nhau theo bảng 15.2. C|c bước như sau:
a. Đo phổ trên EASY-MCA và thiết lập vùng quan t}m (ROI) cho đỉnh 5,48 MeV.
Đọc số đếm tích ph}n N trong vùng quan t}m. Đọc thời gian đo TL hiển thị trên phần
mềm EASY-MCA. Tốc độ đếm được tính theo công thức:
N
I (7)
TL
b. Các hạt alpha phát ra một cách ngẫu nhiên từ nguồn. Do đó, số hạt alpha N đo
trong thời gian TL cũng mang tính thống kê. Độ bất định của N được đ|nh gi| bằng độ
lệch chuẩn:
N  N (8)
Do đó, độ lệch chuẩn của tốc độ đếm I là:
N N
I  
TL TL
(9)
Độ lệch chuẩn tương đối của N bằng với độ lệch chuẩn tương đối của I:
N  100% 100% I  100%
N (%)     I (%) (10)
N N I
c. Đo với thời gian đủ d{i để các dữ liệu trong bảng 15.2 có đủ thống kê (độ lệch
chuẩn của I cỡ 1%, tương đương phải thu tối thiểu 10.000 số đếm trong vùng ROI).
8. Vẽ đồ thị số liệu trong bảng 15.2. Nếu thiết bị được chuẩn đúng, số liệu sẽ đối
xứng quanh góc 0o và tốc độ đếm cực đại tại 0o. Nếu không đạt cực đại tại 0o, cần phải
hiệu chỉnh góc theo kết quả thí nghiệm.

Góc  (độ) Số đếm/giây Góc  (độ) Số đếm/giây

0 0
1 -1
2 -2
3 -3
4 -4
5 -5
6 -6
7 -7
9. Tốc độ phát alpha I0 đi tới lá dò có thể tính bằng một trong ba cách sau (phụ
thuộc vào hình học cụ thể):
a. Nếu nguồn chuẩn trực giới hạn sự phân kì của hạt alpha đến mức không có hạt nào
bị mất trong vùng hoạt của detector khi có và không có lá vàng, thì I0 là tốc độ đếm đo
được khi detector nằm ở trung tâm của góc chuẩn 00 như đ~ x|c định trong bảng 15.2.
b. Nếu việc chuẩn trực nguồn không thỏa mãn cả hai điều kiện trên, nhưng diện
tích chiếu bởi chùm có thể x|c định từ các hạt tán xạ thì I0 có thể tính theo công thức:
I0 = (Hoạt độ của nguồn) × (diện tích của lá)/ 4R12 (11)
Diện tích của lá vàng là vùng chiếu vuông góc với chùm hạt alpha từ nguồn (xem hình
15.2). Hoạt độ của nguồn có thể x|c định bằng c|c phương ph|p trong b{i thực hành số 4.
c. Nếu c|c điều kiện không thỏa m~n hai phương ph|p a v{ b ở trên, thì chuẩn trực
nguồn giới hạn hạt alpha chiếu chỉ một vị trí của diện tích lá, I0 phải được tính theo
công thức (11) bằng cách thay diện tích của lá với diện tích của khẩu độ giới hạn của
dòng chuẩn trực, trong khi thay khoảng cách từ nguồn tới khẩu độ giới hạn cho R1.
Trao đổi với người quản lí phòng thí nghiệm để x|c định phương ph|p n{o có thể
được sử dụng cho thực hành của bạn.
10. Bây giờ có thể đo tiết diện. Thay lá vàng (tại góc  = 45o). Đặt detector tại góc
10o v{ đo với thời gian đủ d{i để có đủ thống kê tại đỉnh. Tính tốc độ đếm I tại 10o. Lặp
lại thí nghiệm với tất cả các góc trong bảng 15.2. Lưu số đếm đỉnh N, thời gian đo TL,
trong trường hợp cần tính độ bất định. Có thể thấy rằng từ tiết diện lý thuyết, thời gian
đo sẽ phải tăng khi góc  tăng. Với các góc nhỏ có thể dễ d{ng đạt được độ lệch chuẩn
1%. Với các góc lớn, sẽ mất nhiều thời gian đo để được độ lệch chuẩn 15%.
Bài tập
f. Tính tiết diện thực nghiệm cho các giá trị đo trong bước 10 theo công thức sau:
d  I  2
  cm sr (12)
d  I0n0  
vì 1 barn = 10-24cm2, các giá trị tính từ phương trình (12) có thể biến đổi thành
đơn vị barn/cm2.
g. Vẽ đồ thị tiết diện thực nghiệm trên giấy, có dạng như tiết diện lý thuyết.
h. Thảo luận về các kết quả đo tiết diện, phù hợp hay không phù hợp giữa lý
thuyết và thực nghiệm, vai trò của số đếm thống kê (các công thức 8, 9, 10) và một số
nguồn sai số có khả năng kh|c của phép đo.
i. Việc đặt mẫu ở góc  = 45o ảnh hưởng thế n{o đến kết quả?
Z22
Trong thực hành này, hạt alpha sẽ được cho tán xạ lên các lá kim loại khác nhau,
tiết diện tán xạ phụ thuộc vào Z22 theo công thức (2). Các lá kim loại gồm nhôm (Z2 = 13),
niken (Z2 = 28), đồng (Z2 = 29), bạc (Z2 = 47) và vàng (Z2 = 79). Học viên sẽ vẽ đồ thị sự
phụ thuộc của tiết diện vào Z22 để kiểm chứng với lý thuyết.

1. Đảm bảo rằng c|c bước từ 1 đến 5 trong thực h{nh 15.1 đ~ được hoàn tất. Lặp
lại bước 6 trong thực hành 15.1 cho các lá kim loại. Tính n0 cho mỗi lá kim loại như b{i
tập d theo công thức (5) trong thực hành 15.1.
2. Đặt từng lá kim loại ở góc  = 45o, đo phổ với thời gian đủ d{i để thu được ít
nhất 1000 số đếm ở c|c đỉnh tán xạ. X|c định I (số hạt alpha tán xạ trên giây) cho từng
mẫu theo c|ch đ~ l{m trong thực hành 15.1.
Bài tập
Vẽ đồ thị I theo n0 Z22 cho từng mẫu. Đồ thị sẽ có dạng đường thẳng, độ dốc của
đường thẳng được x|c định từ khai triển c|c phương trình 2 v{ 12.
Ta có:
2
Z Z  1 I
1 ,296  1 2   1027  cm2 sr (13)
 E  sin4    I0n0 
2
 
Do đó:
 27 1 
 1 ,296  10 I0n0  4    
 sin   
I=   2  n Z2
 2  0 2 (14)
E
 
 
 
Các số hạng trong dấu [ ] là hằng số với tất cả các lá kim loại, nên
I = K n0 Z22 . (15)
K là thành phần trong dấu [ ] trong công thức (14). Do đó, cường độ thực nghiệm
có dạng đường thẳng v{ độ dốc là K.
Giải thích nguyên nhân các sai lệch của số liệu thực nghiệm như do thống kê hoặc
các nguyên nhân khác.
1. C. Melissinos, Experiments in Modern Plysics, Academic Press, New York (1966).

2. H. A. Enge, Introduction to Nuclear Physics, Addison – Wesley Publishing Co.,
Massachusetts (1966)
3. R. D. Evans, The Atomic Nucleus, McGraw – Hill, New York (1971)
4. B. L. Cohen, Concepts of Nuclear Physics, McGraw – Hill, New York (1971)
5. J. L. Duggan and J. F. Yegge, “A Rutherford Scattering Experiment”, J. Chem. Ed., 45
85 (1968).
6. J. L. Duggan, et.al. Am. J. Phys. 35, 631 (1967)
7. C. M. Lederer and V. S. Shirley, Edss., Tables of Istotopes, 7th Edition, John Wiley
and Sons, New York (1978).
8. Marion and P. C. Young, Tables of Nuclear Reaction Graphs, John Wiley and Sons,
New York (1968).
www.ortec – online. com.
10. Measured data on dE/dx and range – energy relationships for alpha particles in
various materials is available from the US National Institute of Standards and
Technology (NIST) physics Laboratory at: http://physics.nist.gov/PhysRefData/
Star/Text/ASTAR.html.
248
TIẾT DIỆN NƠTRON TOÀN PHẦN VÀ ĐO BÁN KÍNH HẠT NHÂN
Thực hành nhằm đo tiết diện toàn phần σT v{ x|c định bán kính hạt nhân R0 với
các nguyên tố nhôm, sắt, đồng và chì.
Thực hành này dựa trên việc sử dụng nguồn Am-Be hoạt độ 1 Ci - nguồn nơtron
phổ biến nhất. Phép đo tiết diện toàn phần của các nguyên tố hoàn toàn giống phép đo
hệ số suy giảm khối đ~ l{m trong b{i thực hành số 3. Thực h{nh n{y (được viết chi tiết
trong tài liệu tham khảo số 5), số liệu từ hai phép đo cường độ nguồn nơtron khi có v{
không có tấm hấp thụ đặt giữa nguồn và detector sẽ được sử dụng để tính tiết diện
toàn phần và bán kính hạt nhân. Hình 16.1 trình bày cách bố trí thực hành: nguồn, tấm
hấp thụ và detector.
Khoảng cách từ nguồn tới detector nên vào khoảng 100 cm, tấm hấp thụ được đặt
ở điểm giữa nguồn và detector. Cần chú ý cẩn thận khi sử dụng nguồn Am-Be; với hoạt
độ 1 Ci, nguồn sẽ tạo ra trên 1106 nơtron/s. Dùng kẹp dài ít nhất 3 ft (0,9144 m) để
gắp v{ đặt nguồn. Tài liệu hướng dẫn sử dụng an toàn nguồn nơtron được cung cấp bởi
nhà sản xuất nguồn. Nên đọc kỹ tài liệu hướng dẫn n{y trước khi sử dụng nguồn.
Hình 16.1. Hệ đo tiết diện nơtron toàn phần

Bài thực hành số 16: Tiết diện nơtron toàn phæn và đo bán kính hät nhån 249
Hình 16.2 là phổ đặc trưng của nguồn nơtron đo với phổ kế nơtron dùng detector
3He. Quan sát cho thấy phổ nơtron từ nguồn này khá phức tạp. Trong thực hành này, một
giá trị cao thế sẽ được thiết lập cho detector để đ|nh gi| tương ứng với c|c nơtron năng
lượng dưới 7 MeV. Năng lượng nơtron trung bình trong vùng từ 7 MeV đến cuối phổ vào
khoảng 8,5 MeV. Phân tích chi tiết về mặt toán học trong xử lý phổ nơtron v{ tiết diện
toàn phần có thể tham khảo trong các tài liệu tham khảo số 5 và 6.
Hình 16.2. Phổ đặc trưng của nguồn nơtron đo với ống đếm 3He
Trong thực hành này, tiết diện nơtron to{n phần được đo với một số nguyên tố ở
năng lượng trung bình 8,5 MeV của nơtron. C|c gi| trị thực nghiệm có thể được so
sánh với giá trị tiết diện đ~ được công nhận trong tài liệu tham khảo số 1.
Tiết diện nơtron to{n phần (TDNTTP)
Phép đo TDNTTP l{ một phép đo truyền qua. Trong hình 16.1, số nơtron dN mất
đi khỏi chùm nơtron ban đầu do hấp thụ được tính theo công thức:
dN  t Ndt (1)
Trong đó:
t là hệ số hấp thụ tuyến tính;
N là số nơtron ban đầu (đo không có chất hấp thụ);
dt là bề dày của lớp hấp thụ (cm);
Giống như trong thực hành số 3, gọi N0 là giá trị ban đầu, ta có:
N  N0e t t (2)
Tiết diện toàn phần T được biểu diễn theo t như sau:
t
T  (3)
n
Trong đó n l{ số hạt nhân trong một cm3 tấm hấp thụ.
Thay phương trình (3) v{o phương trình (2) ta được:
N  N0e T nt (4)
Vì N/N0 bằng với hệ số truyền T:

T  e T nt (5)
Và tiết diện toàn phần T được x|c định bởi:
lnT
T   (6)
nt
Mẫu được sử dụng làm chất hấp thụ có dạng hình trụ, đường kính 6 cm và dày 7 cm.
Do đó gi| trị nt trongcông thức (6) có thể tính được cho từng mẫu. Giá trị nt là số hạt
nhân trên 1 cm2 cho mỗi mẫu hấp thụ. Hệ số truyền qua trong công thức (5) và (6) là tỉ
số của số đếm nơtron khi có v{ không có mẫu hấp thụ.
Từ lý thuyết mẫu quang học trong tài liệu tham khảo số 4, tiết diện toàn phần có
thể được biểu diễn:
T  2  R  
2
(7)
Trong đó:
R = R0A1/3;
R0 l{ b|n kính cơ bản của hạt nhân (~1,3  10-13 cm);
A là khối lượng nguyên tử của mẫu tán xạ;
l{ bước sóng De Broglie /2 của c|c nơtron 8,5 MeV (t{i liệu tham khảo số 4).
Công thức (7) có thể được viết trong hai dạng:
T  2( R0 A1 / 3  )2
(8)
và
T  2(R0 A1 / 3  ) (9)
B|n kính cơ bản của hạt nhân R0, được x|c định như sau:
T / 2 
R0  (10)
A1 / 3
Nếu vẽ đồ thị T / 2 theo A1/3 của chất hấp thụ, R0 sẽ l{ độ dốc của đường
tuyến tính. Mục đích của thực h{nh n{y l{ đo T của nhôm, sắt, đồng v{ chì để x|c định
R0 theo các phân tích ở trên.
1. Lắp hệ điện tử như trong hình 16.3, bố trí nguồn và detector cách nhau một
khoảng 1 m như hình 16.1 v{ cùng đặt trên một trục. Gi| đỡ mẫu (HTS-1) có hệ số
truyền cao sẽ giữ mẫu nằm trên trục giữa nguồn và detector. Nguồn, gi| để mẫu và
detector được sắp thẳng hàng trên trục và buộc bằng dây, nếu có các thiết bị bố trí
mẫu-nguồn-detector chuẩn bằng tia lazer thì sẽ tốt hơn.
2. Lên cao thế đến giá trị khuyến cáo cho detector 905-5; đặt hệ số khuếch đại sao
cho biên độ xung lưỡng cực vào khoảng 5 V.
3. Đặt MCA ở chế độ đo tích lũy giống hình 16.4.
4. Đặt ngưỡng dưới của MCA để có thể cắt các xung nằm dưới vị trí đ|nh dấu E
trong hình 16.4. Vị trí n{y tương ứng với năng lượng khoảng 7 MeV. Dưới năng lượng
này sẽ có nhiều xung do đóng góp của gamma, nhưng c|c xung tương ứng với năng
lượng 7 MeV hầu như chỉ do nơtron tạo nên. Điểm 7 MeV trong phổ có thể x|c định
bằng ngoại suy tuyến tính với điểm cuối ở 11 MeV.
5. Xóa bộ đếm về không, đo tích lũy cho đến khi đạt khoảng 3000 số đếm.
Hình 16.3. Hệ điện tử đo tiết diện nơtron

a. So sánh phổ với hình 16.4 ở vùng trên 7 MeV. Ghi số đếm và thời gian đo t0 vào
bảng 16.1. Dòng đầu ghi dữ liệu khi đo không có mẫu.
Hình 16.4. Phổ nơtron đặc trưng đo với detector AG&G ORTEC 905-5
b. Đặt mẫu nhôm hấp thụ lên giá (trên trục) như trên hình 16.1. Lặp lại c|c bước
đo trong mục 5 với cùng thời gian đo t0. Ghi số đếm vào bảng 16.1. Tiếp tục lặp lại các
bước đo với các mẫu hấp thụ khác và với gi| để mẫu. Suy giảm của nơtron do gi| để
mẫu sẽ đóng góp v{o tất cả các mẫu đo.
c. Tính tiết diện T từ dữ liệu trong trong bảng 16.1, sử dụng các công thức (4), (5) và
(6). Ghi các giá trị tính được vào bảng 16.1 như gi| trị đo T . Tra giá trị tiết diện đ~ được
công nhận ở năng lượng nơtron En = 8,5 MeV trong tài liệu tham khảo 1 và ghi giá trị này
vào cột cuối của bảng 16.1. So sánh giá trị đo được với giá trị đ~ được công nhận.
d. Vẽ đồ thịT / 2 theo A1/3 trên thang tuyến tính v{ x|c định R0 từ đồ thị. Hình
16.5 biểu diễn một số dữ liệu đ~ đo được bằng phương ph|p n{y.
e. Tính sai số của kết quả đo được.
Hình 16.5. Đồ thị biểu diễn T / 2 theo A1/3 với nguồn Am-Be (ngưỡng 7 MeV)
T
Mẫu Số đếm Thời gian đo, t0
Giá trị thu được Giá trị tham khảo
Không mẫu
Al
Fe
Cu
Pb
Gi| để mẫu
Chú ý:
- Ống đếm nơtron d{i hay sử dụng trong các phòng thí nghiệm có thể được sử
dụng cho thực hành này. Có thể đặt chế độ sao cho ít nhạy với gamma và vùng phổ đo
có thể rộng hơn 7 đến 11 MeV.
- Có thể loại bớt xung do gamma tạo ra bằng cách sử dụng bộ phân biệt dạng xung, ví
dụ như sử dụng detector nhấp nháy hữu cơ v{ khối phân biệt dạng xung 458 của Ortec.
1. D. J. Hughes and R. B. Schwarz, Neutron Cross Sections, BNL-325. 2nd Edition (Rev)
(1958). Available from National.Technical Information Service, U. S. Dept. of
2. H. H. Barschall, “Studies of Intermediate and Heavy Nuclei with Neutrons”, Am. J.
Phys., 22 (8) 517-523 (1954).
3. J. B. Marion and F. C. Young, Nuclear Reaction Analysis, John Wiley and Sons, New
York (1968).
4. J. B. Marion and J.L. Fowler, Eds., Fast Neutron Physics, 1 and 2, Interscience, New
York (1960-1963).
5. T. C. Minor, et.al., “Undergraduate Experiments to Find Nuclear Sizes by Measuring
Total Cross-Section for Fast Neutrons,” Am. J. Phys., 37 (6) 649 (1969).
6. W. K. Robinson, J. L. Nagi, and J. L. Duggan, “A Time-of-Flight Neutron Experiment
for the Undergraduate Laboratory,” Am. J. Phys., 37 (5) 482 (1969).
7. R. D. Evans, The Atomic Nucleus, McGraw-Hill (1955).
254
PHÂN TÍCH KÍCH HOẠT NƠTRON NHIỆT
Thực hành nhằm minh họa các nguyên tắc cơ bản trong x|c định các nguyên tố
bằng kỹ thuật kích hoạt nơtron nhiệt.
- Detector nhấp nháy NaI(Tl) 22 inch kiểu 905;

- Đế cắm cho ống nhân quang 266;
- Tiền khuếch đại 113;
- Khung NIM và nguồn nuôi 4006 hoặc tương đương;
- Cao thế 556;
- Hệ phân tích đa kênh EASY-MCA 2K, máy tính và phần mềm MAESTRO.
+ 01 c|p đồng trục loại C-24 -1/2 RG-62A/U93-Ω, đầu BNC, dài 15 cm (1/2 ft);
+ 02 c|p đồng trục loại C-24-4 RG-62A/U93-Ω, đầu BNC, dài 1,2 m (4 ft);
+ 01 c|p đồng trục loại C-24-12 RG-62A/U93-Ω, đầu BNC, dài 3,7 m (12 ft);
+ 01 c|p đồng trục loại C-36-12 RG-59A/U75-Ω, đầu SHV cái, dài 3,7 m (12 ft);
- Howitzer với các kênh chiếu mẫu dùng nguồn Am-Be hoạt độ 1 ÷ 3 Ci;
- Bộ mẫu kích hoạt 313;
- Bộ mẫu kích hoạt 317;
- Hộp Cd kiểu CD-17;
- Bộ kit Vanadi kiểu V-17;
Bài thực hành số 17: Phån tích kích hoät nơtron nhiệt 255
- Bộ mẫu kiểu RE-17;

- Bộ nguồn SK-1G (Phụ lục);
- Các nguồn chuẩn năng lượng 137Cs và 60Co;
Phân tích kích hoạt nơtron l{ một kỹ thuật phân tích rất hiệu quả để nhận diện sự
có mặt của nhiều nguyên tố trong mẫu. Về nguyên tắc, kỹ thuật n{y kh| đơn giản. Một
mẫu được chiếu xạ bởi nơtron nhiệt sẽ trở thành mẫu phóng xạ. Bằng c|ch đo tốc độ
phát các tia β+, γ, β- và chu kỳ bán hủy có thể x|c định được thành phần nguyên tố và
h{m lượng của nguyên tố có mặt trong mẫu.
Phân tích kích hoạt ứng dụng trong công nghiệp thường được thực hiện với
nơtron nhiệt từ lò phản ứng, ở đó có thông lượng nơtron cao, khoảng 51013
nơtron/cm2.s, hoặc trên máy gia tốc có thông lượng nơtron nhanh v{o khoảng 1010
nơtron/cm2.s. Nếu so với c|c phương ph|p ph}n tích kh|c, chẳng hạn như đo trọng
lượng, so màu, quang phổ, khối phổ kế thì độ nhạy của phương ph|p ph}n tích kích
hoạt nơtron có thể cao hơn một bậc. Phân tích kích hoạt nơtron được ứng dụng rộng
r~i trong c|c lĩnh vực như địa chất, y tế, nông nghiệp, điện tử, luyện kim, hình sự và
công nghiệp dầu khí.
Thực hành này sử dụng nguồn nơtron Am-Be hoạt độ 1 Ci, nguồn được đặt ở tâm
của howitzer với chất làm chậm là parafin. Các mẫu chiếu xạ được đặt ở vị trí cách
nguồn khoảng 4 cm và bị kích hoạt bởi nơtron nhiệt do tương t|c với parafin. Các
nguồn ph|t nơtron kh|c cũng có thể sử dụng được cho thực hành này.
Giả sử rằng mẫu đ~ được kích hoạt trong howitzer. Hoạt độ của mẫu tại thời điểm
kết thúc chiếu (t = 0) được x|c định theo biểu thức sau:
σ.m.η...S
A0  (1)
WA
Trong đó:
A0 là hoạt độ của nguyên tố trong mẫu ở thời điểm kết thúc chiếu, t = 0;
 là tiết diện của phản ứng, cm2;

m là Khối lượng của nguyên tố bia, gram;

 là số Avogadro, 6,023  1023 phân tử/mol;
 là thông lượng nơtron, nơtron/cm2/s;

 l{ độ phổ biến đồng vị của nguyên tố trong mẫu (ví dụ, với phản ứng 63Cu(n, γ) 64Cu
trong mẫu đồng tự nhiên thì α = 0,69 tức l{ 69% đồng vị của 63Cu);
S  1  e  .t là hệ số bão hòa, λ = 0,693/T 1/2 và T1/2 là chu kì bán hủy, t là thời gian
kích hoạt nơtron;
wA là khối lượng nguyên tử.
(Chú ý: trong biểu thức trên t và T1/2 cần phải cùng đơn vị thời gian).
Bây giờ chúng ta sẽ phân tích biểu thức (1) dựa trên kiến thức về một phản ứng.
Ví dụ, nếu kích hoạt một mẫu nhôm, phản ứng sau đ}y sẽ xảy ra:
27Al(n, γ)28Al, T1/2 = 2,3 phút (2)
Tiết diện của phản ứng từ tài liệu tham khảo 13 là 0,2110-24 cm2. Chúng ta có thể
x|c định được các hệ số trong biểu thức (1) trừ A0 và  . A0 có thể đo trên phổ kế
gamma dùng detector nhấp nháy và  được x|c định trong thí nghiệm 17.1.
STT Phản ứng σ (barn)

1 27Al(n, γ)28Al 0,210  0,020
2 51V(n, γ)52V 5,00  0,010
3 63Cu(n, γ)64Cu 4,51  0,23
4 23Na(n, γ)24Na 0,536  0,010
5 55Mn(n, γ)56Mn 13,3  0,2
Sau khi chiếu xạ, mẫu được đo trên detector NaI(Tl), phổ được đo trong khoảng
thời gian tc đủ d{i để số đếm đỉnh hấp thụ quang điện có thống kê đủ lớn. Thường thời
gian đo ít nhất vào cỡ một chu kỳ bán hủy. Số phân rã Nd xảy ra trong thời gian đo tc có
thể x|c định như sau:
p  B
Nd  (3)
G p f
Trong đó:
 p là tổng số đếm của đỉnh quang điện (kể cả phông);
 B là tổng số đếm phông của đỉnh quang điện, thời gian đo bằng với thời gian đo
đỉnh quang điện;
A
G ; trong đó A l{ diện tích cửa sổ của detector (cm2), s là khoảng cách từ
2s2
nguồn tới detector tính theo cm;
 p là hiệu suất tuyệt đối của detector ở năng lượng của đỉnh quang điện (xem hình
3.7, thực hành 3.6, hình 10.6 hoặc tài liệu tham khảo số 10 trong thực hành số 3);
f là hiệu suất phát của tia gamma được đo (xem t{i liệu tham khảo 7 và 10, bảng
3.2 trong thực hành 3.6).
Từ phương trình ph}n r~, N0 được tính:
Nd  N0 ( 1  e  tc ) (4)
Trong đó N0 là số hạt nhân phóng xạ của đồng vị đo tại thời điểm kết thúc chiếu tc = 0
và tc là thời gian đo mẫu.
Hoạt độ tại thời điểm tc = 0 được tính:
A0   N0 (5)
Như vậy số tham số chưa biết trong phương trình (1) đ~ giảm xuống. Chỉ còn
thông lượng nơtron  (nơtron/cm2.s) của howitzer. Thông lượng  của howitzer
được x|c định bằng cách sử dụng phản ứng 27Al(n, γ)28Al. Sau đó sẽ sử dụng giá trị của
 để x|c định tiết diện của phản ứng 51V(n, γ)52V.

1. Lắp các khối điện tử như trong hình 17.1. Chi tiết như sau:
a. Đảm bảo công tắc nguồn của khung NIM và cao thế đang tắt.
b. Sử dụng cáp C-24-1/2 RG-62A/U93-Ω, d{i 15 cm nối lối ra ANODE trên 266 tới
lối vào của tiền khuếch đại 113. Chỉnh dung kháng lối vào 113 về không (Zero).
c. Nối cáp nguồn từ tiền khuếch đại 113 đến lối ra nguồn nuôi ở mặt sau khuếch
đại 575A. Kiểm tra v{ đặt giá trị thời gian hình thành xung trên mặt khối 575A là 0,5 s.
d. Lắp khối khuếch đại 575A và khối cao thế 556 vào khung NIM.
e. Nối lối ra OUTPUT của 113 vào lối vào INPUT của 575A bằng cáp C-24-12
RG-62A/U93-Ω d{i 3,7 m. Chọn cực tính âm cho xung vào khối khuếch đại.
f. Dùng cáp C-36-12 RG-59A/U75-Ω d{i 3,7 m đầu SHV cái nối OUTPUT của khối
cao thế 556 đến lối vào POS HV trên 266. Kiểm tra chuyển mạch cực tính trên 566 đ~ ở
cao thế dương chưa. Vặn nút điều chỉnh cao thế của khối 556 về giá trị thấp nhất.
g. Nối lối ra lưỡng cực của khuếch đại 575A đến lối v{o tương tự (INPUT) của khối
ph}n tích đa kênh EASY MCA, sử dụng cáp C-24-4 RG-62A/U93-Ω d{i 1,2 m.
h. Bật công tắc nguồn NIM và máy tính nối với MCA.
Hình 17.1. Sơ đồ các khối điện tử trong thực hành 4.1

60
2. Đặt nguồn phóng xạ Co lên mặt của detector NaI(Tl).
3. Chỉnh trên các thiết bị như sau:
a. Đặt giá trị cao thế ra theo giá trị danh định của detector nhấp nháy. Bật nguồn
cao thế 556.
b. Đặt hệ số khuếch đại (gain) sao cho tín hiệu ở lối ra lưỡng cực của khuếch đại
vào khoảng +6 V, quan sát trên lối vào trở kháng 1 MΩ của dao động ký. Kiểm tra chế
độ hội tụ (FOCUS) trên 266 đ~ được điều chỉnh để có biên độ xung cực đại chưa. Nối lại
lối ra lưỡng cực của 575A vào lối vào của MCA.
4. Nối lối ra đơn cực của khuếch đại 575A với lối vào của dao động ký có trở kháng
1 M. Đặt thang đo của dao động ký theo trục hoành là 50 µs/ô và trục trung là
100 mV/ô. Dùng Tuốc nơ vít tinh chỉnh, chỉnh cực không (PZ ADJ) của xung ra đơn cực
của khuếch đại 575A để tín hiệu phục hồi đường không nhanh nhất có thể. Tham khảo
thêm phần chỉnh PZ trong tài liệu hướng dẫn sử dụng khuếch đại phổ, hoặc một số tài
liệu hướng dẫn chỉnh PZ khác.
5. Từ menu Acquire và thẻ ADC trong phần mềm MAESTRO, chọn Gate OFF, đặt
ngưỡng trên đến giá trị cực đại v{ ngưỡng dưới thấp đến mức có thể nhưng phải trên
mức nhiễu. Có thể tạm thời tắt nguồn của nguồn cao thế 556 để điều chỉnh ngưỡng dưới.
Ở thẻ Preset, xóa tất cả các dữ liệu v{ l{m tương tự cho MDA Preset (nếu có thẻ này).
Xoá các giá mặc định và chọn chế độ đo phổ bằng tay. Chọn dải biến đổi 1.024 kênh cho
dải tín hiệu 0 đến +10 V. Làm quen với cách sử dụng phần mềm như điều khiển, thu và
xóa phổ.
6. Chỉnh lại hệ số khuếch đại để chuẩn cho toàn dải đo của MCA vào khoảng 2 MeV.
Sử dụng các nguồn gamma 137Cs và 60Co để chuẩn năng lượng. Vẽ đường chuẩn năng
lượng (như trong thực hành số 3 hoặc sử dụng tính năng chuẩn năng lượng của MCA).
7. Đặt mẫu nhôm vào vị trí chiếu mẫu trong howitzer và kích hoạt trong 5 phút.
Lấy và chuyển ngay mẫu đến detector nhấp nh|y v{ đo khoảng 2 phút [tc đ~ thảo luận
trong công thức (3)].
8. Lấy mẫu ra v{ đo phông với thời gian đo giống như đo mẫu là 2 phút, giữ
nguyên đ|nh dấu của vùng quan tâm. Ghi lại thời gian chết (%). Từ số liệu thu được,
x|c định Nd theo công thức (3).
Bài tập
a. Nhận diện đỉnh 1,78 MeV trong phổ đo được, tính tổng số đếm trong vùng quan
tâm. Ghi lại thời gian đo, thời gian chết (%) hiển thị trên MCA.
b. Thay giá trị Nd v{o phương trình (4), tính N0 và A0 theo phương trình (4) v{ (5).
c. Giải phương trình (1) tìm  , biết giá trị tiết diện của phản ứng 27Al(n,γ)28Al là
(0,21 × 10-24 cm2 ).
9. Chu kỳ bán rã của của Al trong phản ứng n{y l{ 2,24 phút, như vậy hoạt độ của
mẫu sẽ rã hết trong khoảng 20 phút. Sau giai đoạn này một khoảng thời gian, lặp lại thí
nghiệm v{ x|c định lại giá trị  (giá trị thứ hai). Nếu công việc được thực hiện cẩn
thận, hai giá trị này phải lệch nhau nhỏ hơn 5%. Tính gi| trị trung bình của  và sử
dụng giá trị này cho thực hành 4.2.
10. CÂU HỎI: Thời gian chết có ảnh hưởng như thế n{o đến việc x|c định giá trị  ?
Yếu tố gì ảnh hưởng đến sai số của giá trị trung bình của  (từ đ|nh gi| độ lệch chuẩn
của số đếm đo được)?
Hình 17.2. Phổ kích hoạt với nơtron nhiệt của 28Al

1. Sử dụng các thiết bị điện tử tương tự như thực hành 17.1.
2. Kích hoạt mẫu Vanadium trong 5 phút. Chuyển mẫu đến detector v{ đo với tc = 2 phút.
3. Tính số đếm trong vùng đỉnh gamma 1,434 MeV do phân rã của 52V .
Bài tập
Sử dụng giá trị trung bình của  trong thực hành 17.1, tính tiết diện σ của phản ứng
51V(n, γ)52V. Giá
trị được chấp nhận là 4,9 × 10-24 cm2. Kết quả thu được có phù hợp với giá
trị này không? Số đếm thống kê ảnh hưởng như thế n{o đến sự phù hợp của kết quả?
Hình 17.3. Phổ kích hoạt với nơtron nhiệt của 52V

1. Sử dụng các thiết bị điện tử tương tự như thực hành IV.1.
28
2. Trên MCA thiết lập vùng quan t}m (ROI) tương ứng với đỉnh 1780 keV của Al.
Xem hình 17.2 về phổ đặc trưng của Al khi kích hoạt với nơtron nhiệt.
3. Kích hoạt mẫu nhôm trong 5 phút (sử dụng mẫu trong thực hành IV.1).
4. Chuyển mẫu v{ đo trong 15 gi}y trong chu kỳ 45 giây, tổng thời gian thực hiện
thí nghiệm ít nhất là 6 phút.
5. Ghi lại số đếm trong vùng ROI, thời gian đếm, thời gian chết (%) trong từng lần
đo (15 gi}y).
Bài tập
a. Vẽ đồ thị số đếm trong vùng ROI theo thời gian trên giấy bán logarit hoặc trên
Excel v{ x|c định T1/2.
b. CÂU HỎI: Thời gian chết (%) đủ cao để gây ra biến dạng đường cong phân rã?
Số đếm thống kê ảnh hưởng như thế n{o đến độ tin cậy của T1/2?
Chú ý
Nhiều phản ứng với nơtron nhiệt có thể nghiên cứu được trên nguồn nơtron đồng
vị và các thiết bị điện tử trong bài thực hành 17. Bất kỳ thực h{nh n{o cũng có thể thực
hiện được nếu có bia thích hợp. Ví dụ, hình 17.4 cho thấy sự suy giảm hoạt độ của 51Ti
(T1/2 = 5,8 phút) thể hiện trên bốn phổ biên độ đo liên tiếp. Phản ứng đ~ xảy ra là
50Ti(n,γ)51Ti. Nếu làm thực hành này, vùng ROI sẽ được đặt ở đỉnh quang điện có năng
lượng 320 keV.

Tài liệu tham khảo 11 trình bày nhiều thí nghiệm hay về kích hoạt nơtron.
Bảng 17.2 (trích từ tài liệu tham khảo 11) liệt kê kh| đầy đủ về các phản ứng được
xem là bài tập tốt cho các sinh viênlàm thí nghiệm. Một số phản ứng có phân rã phức
tạp hơn nhiều so với những thí nghiệm m{ chúng ta đ~ nghiên cứu trong các thực hành
4.1, 17.2 và 17.3. Hình 17.4 cho thấy sự phân rã của 187 W . Một số tia gamma có năng
lượng thích hợp được liệt kê trong bảng 17.2.
Hạt nhân
Nguyên tố Hạt nhân bia Dạng bia T1/2 Eγ' (MeV)
sản phẩm
Aluminum 27
Al Al, Al2O3 28
Al 2,24 phút 1,78
Sodium 23
Na Na2CO3 24
Na 15,0 giờ 2,75; 1,37
Vanadium 51
V NH4VO3, kim loại 52
V 3,77phút 1,43
Manganese 55
Mn MnO2 56
Mn 2,58 giờ 0,845; 1,81; 2
59 60m
Cobalt Co CoO, lá Co 10,5 phút 0,059
63 64
Copper Cu CuO, lá Cu 12,9 giờ 0,511 γ ±
Gallium 71
Ga Ga2O3 72
Ga 14,3 giờ 0,63; 0,83
74 75
Germanium Ge Ge (kim loại) Ge 82 phút 0,26; 0,20
Arsenic 75
As As2O3 76
As 26,5 giờ 0,56; 0,66;1
Bromine 79
Br NH4Br 80
Br 18 phút 0,62; 0,51 γ ±
Indium 115
In In (lá kim loại) 116m
In 54 phút 0,40; 1,09; 1,27; 2,08
Tellurium 130
Te Te 131
Te 25 phút 0,15; 0,45
Iodine 127
I NH4I 128
I 25 phút 0,46
Lanthanum 139
La La2O3 140
La 40,2 giờ 0,48; 1,59
Tungsten 186
W WO3 187
W 24 giờ 0,480; 0,686; 0,134
197 Au-Dowex-1 198

Gold Au Au 64,8 giờ 0,411
(lá vàng)
Hình 17.4. Chuỗi bốn phổ của 51Ti cho thấy sự giảm hoạt độ theo thời gian
Hình 17.5. Phổ gamma của Wolfram sau khi kích hoạt
Từ c|c định nghĩa ở phần đầu của thực hành 17, hệ số b~o hòa x|c định bởi:
0 ,693
S  1  e  .t với   (6)
T1 / 2
Từ biểu thức này có thể thấy hoạt độ sau thời gian chiếu xạ nơtron t được xác
định bởi:
At  As ( 1  e  .t ) (7)
Trong đó As là hoạt độ bão hòa. Khi t rất lớn so với T1/2, hoạt độ At sẽ tiệm cận đến
hoạt độ bão hòa As là hoạt độ tối đa có thể. Phương trình (7) cho thấy rằng hoạt độ sẽ
đạt 90% hoạt độ bão hòa nếu chiếu xạ với thời gian bằng 3,3 chu kì b|n r~ v{ đạt 95%
hoạt độ bão hòa nếu chiếu xạ với thời gian bằng 4,3 chu kỳ b|n r~. Do đó, không nên
chiếu xạ mẫu với thời gian d{i hơn 3 đến 4 lần chu kỳ bán rã.
Trong thực hành, chúng ta sẽ kiểm chứng phương trình (7) với phân rã của 52 V
(Hình 17.3). Mỗi mẫu Vanadium trong bộ mẫu V-17 có khối lượng 2 g NH4VO3. Trong
thí nghiệm, chúng ta sẽ chiếu xạ các mẫu giống nhau với thời gian chiếu t khác nhau và
vẽ đồ thị biểu diễn hoạt độ của 52 V theo thời gian chiếu xạ.
1. Sử dụng các thiết bị điện tử như hình 17.1 v{ lắp đặt như trong thực hành 17.1.
2. Thiết lập vùng ROI trên MCA ở đỉnh năng lượng 1434 keV (Hình17.5). Phổ này
có thể thu được với mẫu chiếu trong 5 phút v{ đo trên detector NaI(Tl).
3. Chiếu các mẫu trong thời gian 2, 4, 6, 10, 15 v{ 25 phút. Lưu ý: để tiết kiệm thời
gian, có thể sử dụng tất cả các kênh chiếu của howitzer để chiếu mẫu nếu thông lượng
 tại vị trí chiếu là giống nhau. Nếu thông lượng  ở các vị trí chiếu khác nhau thì chỉ
sử dụng một kênh để chiếu cho các mẫu.
4. Sau khi chiếu xạ, mẫu cần chuyển ngay đến hệ đo v{ đo phổ trong khoảng 100 giây.
Khoảng cách giữa mẫu và detector phải giống nhau cho tất cả các mẫu. Ghi lại số đếm
trong vùng ROI của đỉnh 1,434 MeV, thời gian chết, thời gian đo v{ thời gian chiếu xạ
của từng mẫu.
Bài tập
a. Từ T1/2 của vanadium là 3,77 phút, mẫu chiếu xạ trong 25 phút (6,6 chu kỳ) nên
hoạt độ tạo ra khác hoạt độ As theo phương trình (7) cỡ 1%. Do đó, có thể xem số đếm
trong vùng ROI với mẫu chiếu 25 phút là As. X|c định số đếm At trong vùng ROI với
mẫu có thời gian chiếu t bất kỳ.
At
b. Vẽ đồ thị trên giấy bán logarit hoặc trong Excel sự phụ thuộc của tỉ số theo
As
thời gian chiếu xạ. Vẽ đồ thị theo lý thuyết hàm 1  e  .t trên cùng một đồ thị.
c. CÂU HỎI: Làm thế n{o để số liệu thực nghiệm khớp với đường cong lý thuyết?
Thời gian chết lớn ảnh hưởng như thế n{o đến sự sai khác của số liệu thực nghiệm với
lý thuyết? Khoảng cách giữa các mẫu đo v{ detector l{ như nhau thì góc nhìn từ mẫu
đến detector ảnh hưởng như thế nào và sự khác nhau giữa các lần đo? Đ|nh gi| độ tin
cậy trong kết quả đo hoạt độ như thế nào?
Bạc thường có hai đồng vị phổ biến là 107Ag (51,35%) và 109Ag (48,65%). Nếu kích
hoạt một mẫu bạc, các phản ứng 107Ag(n,γ)108Ag (T1/2 = 2,3 phút) và 109Ag(n,γ)110Ag
(T1/2 = 24 giây) sẽ xảy ra. Chu kỳ bán rã của c|c đồng vị này là khác nhau. Thực hành
này sẽ x|c định các chu kỳ bán rã bằng cách vẽ đồ thị sự phân rã của các thành phần
hợp phần. 108Ag ph|t gamma năng lượng 0,44 MeV còn 110Ag ph|t gamma năng lượng
0,66 MeV.
1. Lắp đặt các thiết bị điện tử như thực hành 4.1.
2. Lấy hai mẫu bạc từ bộ mẫu kích hoạt số 317.
3. Kích hoạt mẫu đầu tiên trong 5 phút, sau đó đo ngay với detector NaI(Tl). Thiết
lập ROI cho tất cả c|c đỉnh gamma của hai đồng vị (0,44 MeV; 0,66 MeV và 0,94 MeV).
Dưới những điều kiện n{y, đo cả hai chu kỳ bán rã. Chức năng duy nhất của mẫu chiếu
xạ đầu tiên l{ để thiết lập các vùng ROI.
4. Sau khi xong các chuẩn bị, chiếu xạ mẫu bạc thứ hai trong thời gian 10 phút.
Chuyển mẫu ngay đến detector v{ đo trong 10 gi}y với chu kỳ là 20 giây thực hiện các
phép đo trong 8 phút. Cần phải ghi kết quả của từng vùng ROI và xóa phổ nhanh chóng
để chuẩn bị cho chu kỳ đo tiếp theo. Với mỗi phổ đo được, ghi lại số đếm trong các
vùng ROI, thời gian chết, thời gian bắt đầu đo. Do qu| trình lặp lại các thí nghiệm rất
nhanh, vì vậy cần phân chia nhiệm vụ cho từng thành viên trong nhóm: 1) Thực hiện
c|c thao t|c trên MCA v{ đọc dữ liệu, 2) Đọc thời gian thí nghiệm và 3) Nhập số liệu.
Bài tập
a. Vẽ đồ thị số đếm theo thời gian thí nghiệm trên giấy bán logarit. Dễ d{ng x|c định
chu kỳ b|n r~ tương ứng với các thành phần sống dài (2,3 phút) bằng cách xây dựng một
đường thẳng đi qua tất cả các điểm số liệu thực nghiệm đo được sau 3,5 phút. X|c định
chu kỳ bán rã của các nguyên tố sống dài.
b. Ngoại suy hoạt độ đo được từ 2,3 phút về thời điểm không. Trừ số đếm tại các
điểm đo được cho giá trị ngoại suy từ thời điểm t = 0 đến t = 3,5 phút. Vẽ đồ thị hoạt độ
của đồng vị sống ngắn v{ x|c định thời gian bán rã của đồng vị sống ngắn.
C. CÂU HỎI: Thời gian chết (%) khi bắt đầu đo đủ lớn để làm biến dạng đường
cong phân rã có chu kỳ 24 giây?
Trong bài thực hành số 3, chúng ta thấy rằng tia gamma khi đi qua lớp hấp thụ chì
sẽ bị suy giảm theo biểu thức:
I  I0e  .x (8)
Trong đó  là hệ số hấp thụ tuyến tính và x là chiều dày của tấm chì. I0 là tốc độ
đếm tia gamma khi không có tấm hấp thụ và I là tốc độ đếm tia gamma khi có tấm hấp
thụ đặt giữa nguồn và detector.
Tương tự, biểu thức viết cho sự suy giảm của nơtron khi đi qua một tấm hấp thụ
tinh khiết:
I  I0e  NV x (9)
Trong đó:
NV là số nguyên tử/cm3 của tấm hấp thụ;
 là tiết diện với nơtron nhiệt (cm2);

x l{ độ dày tấm hấp thụ;
I0 là tốc độ đếm nơtron khi không có tấm hấp thụ;
I là tốc độ đếm nơtron khi có tấm hấp thụ đặt giữa nguồn và detector.
Số nguyên tử/cm3 có thể tính như sau:
.
NV  (10)
wA
Trong đó:
 là mật độ của tấm hấp thụ (g/cm3);
 là số avogadro (6,023 × 1023 nguyên tử/mol);
wA là khối lượng nguyên tử của nguyên tố làm tấm hấp thụ (g/mol).
Trong thực hành này, chúng ta sẽ đo sự suy giảm thông lượng nơtron nhiệt  ,
bằng cách bọc mẫu chiếu xạ với một tấm cadmium mỏng.

1. Lắp đặt các khối điện tử như đ~ nêu trong hình 17.1 v{ thực hành 4.1.
2. Lấy hai mẫu nhôm giống hệt nhau từ bộ mẫu kích hoạt 317. Một mẫu được bọc
Cd (từ bộ CD-17). Các mẫu đ~ sẵn s{ng để chiếu xạ.
3. Đặt mẫu nhôm không bọc cadmium vào vị trí chiếu mẫu trong howitzer và chiếu xạ
trong 8 phút. Sử dụng giá trị tiết diện của phản ứng 27Al(n,γ)28Al là 0,219 barn v{ kĩ thuật
trong thực h{nh 17.1 để x|c định thông lượng  . Gọi thông lượng này là 1 .
4. Lặp lại chính x|c bước 3 cho mẫu nhôm bọc cadmium. X|c định giá trị thông
lượng nơtron mới và gọi là 2
Bài tập
Từ phương trình (8), ta có thể thấy rằng:
2
 e  NV . .x (11)
1
Mật độ của cadmium là 8,65 g/cm2 và khối lượng nguyên tử l{ 112,4. Do đó

NV = 4,64 × 1022 nguyên tử/cm3.
X|c định độ dày x của hộp cadmium. Từ biểu thức (11) có thể x|c định được tiết
diện hấp thụ nơtron nhiệt của cadmium.
CÂU HỎI: Giá trị tiết diện hấp thụ nơtron nhiệt thu được như thế nào so với giá trị
được chấp nhận là 2.500 barn? Giá trị đo được cho thấy cadmium có che chắn hiệu quả

nơtron nhiệt [ 2 trong biểu thức (11)]?
1
Bảng các nguyên tố nhạy kích hoạt nơtron được trình bày trong phụ lục, độ nhạy
của các nguyên tố với phân tích kích hoạt nơtron nhiệt được liệt kê. Trong thực hành này,
chúng ta sử dụng giá trị thông lượng 1 của howitzer được x|c định ở thực hành 17.1.
Từ giá trị của 1 , tính tiết diện σ của một số nguyên tố được lựa chọn từ bộ mẫu RE17.

1. Lắp đặt các thiết bị điện tử theo hướng dẫn trong thực hành 4.1.
2. Đặt mẫu indium vào vị trí chiếu mẫu của howitzer và chiếu xạ với thời gian hai
chu kỳ (T1/2 = 54,2 phút). Lấy mẫu ra v{ đo với detector NaI(Tl) trong 600 giây.
Bài tập
X|c định tổng số đếm đỉnh 1.270 keV, x|c định σ theo các biểu thức từ (1) đến (5).
Câu hỏi: Sự khác nhau của giá trị đo được với giá trị 210 barn trong bảng
(Bảng 17.3)?
3. Lặp lại cho các mẫu khác trong bộ mẫu RE-17. Trong mỗi trường hợp, thời gian
chiếu mẫu ít nhất là hai lần chu kỳ bán rã. Thời gian đo phải được điều chỉnh hợp lý để
thu được đủ số liệu thống kê cho đỉnh quan tâm. Bảng 17.3 giới thiệu một số thông số
của các mẫu trong bộ mẫu RE-17.
Thời gian Thời gian

Nguyên tố Phản ứng  (barn) T1/2  (keV)
kích hoạt đo (giây)
Indium 115In(n,γ)116In 210 54,2 phút 1270 108 phút 600
Copper 65Cu(n,γ)66Cu 2,10 5,1 phút 1040 10 phút 200
Germanium 74Ge(n,γ)75Ge 0,60 82 phút 266 82 phút 600
Tungsten 184W(n,γ)185W 2,0 1,7 phút 171 6 phút 100
Titanium 50Ti(n,γ)51Ti 0,140 5,8 phút 322 12 phút 200
Manganese 55Mn(n,γ)56Mn 13,3 2,58 giờ 845 4 giờ 1000
1. L. K. Curtiss, Introduction to Neutron Physics, D. Van Nostrand Co., Inc., NewYork

(1959).
2. W. S. Lyon, A Guide to Activation Analysis, D. Van Nostrand Co., Inc., New York
(1964).
3. J. M. A. Lenihanand S. J. Thomson, Eds., Activation Analysis–Principlesand
Applications, Academic Press (1965).
4. C. M. Ledererand V. S. Shirley, Eds., Table of Isotopes, 7th Edition, John Wiley and
5. D. Gray, et. al., “Determination of Trace Element Labels in Atmospheric Pollutants by
Instrumental Neutron Activation Analysis”, IEEE Tran. Nucl. Sci., NS-19(1), 194 (1972).
6. S. S. Brar and D. M. Nelson, Modern Trends in Neutron Activation Analysis,

National Bureau of Standards, Special Publication 312 (1969). Available from the
National Technical Information Service, Springfield, Virginia, USA.
7. H. E. Palmer, “Instrumentation for ‘InVivo’ Activation Analysis” IEEE Trans. Nucl.
Sci. NS-17(1) (1970).
8. R. C. Koch, Activation Analysis Handbook, Academic Press, New York (1960).
9. K. S. Vorres,“Neutron Activation Experiments in Radiochemistry,” J. Chem., Ed. 37,
391 (1960).
10. D. Taylor, Neutron Irradiation and Activation Analysis, Van Nostrand, Princeton,
New Jersey (1964).
11. G. I. Gleason, Isotopic Neutron Source Experiments, ORAU-102 (1967). Available
from Oak Ridge Associated Universities, P. O. Box 117, Oak Ridge, Tennessee
37830, USA.
12. Radiological Health Handbook (1960), U. S. Dept. of Health, Education, and
Welfare, PHS Publication 2016. Available from the National Technical Information
Service, U. S. Dept. of Commerce, Springfield, Virginia, USA.
13. Chart of the Nuclides, General Electric Company, modified by Battelle-Northwest,
Richland, Washington. Availablefrom Supt. of Documents, GPO, Washington, DC, USA.
14. Applicationnotes, technicalpapers, and introductions to eachproduct family at
LƯU Ý: Một số phần của thực hành này được trích từ tài liệu tham khảo 11 của G. I.
Gleason. Trong tài liệu tham khảo 11 có 18 thí nghiệm rất tốt có thể sử dụng trong
phân tích kích hoạt.
Phụ lục: Mô tả thiết bị Nơtron howitzer
Hình 17.6. Nơtron howitzer của hãng Metrix

Hình 17.6 là hình ảnh của howitzer nơtron 308 được hãng Metrix sản xuất dùng
trong thực h{nh 17. Dưới đ}y l{ c|c mô tả về sản phẩm được chế tạo theo yêu cầu làm
buồng kích hoạt nơtron.
Howitzer có dạng khối lập phương, mỗi cạnh dài 3 ft (0,91 m). Bốn kênh kích hoạt
1 inch (2,54 cm) nằm đối xứng ở bốn mặt của khối lập phương. Nguồn nơtron được
nạp từ phía trên howitzer. Đường kính của nguồn lên đến 1,25 inch (3,18 cm) và có
hoạt độ lên đến 10 Ci. Thiết bị nạp nguồn có đường kính nhỏ hơn. Nguồn nơtron được
đặt ở vị trí cố định có thể khóa được để đảm bảo an toàn. C|c nơtron được làm chậm
đến năng lượng nhiệt bằng parafin xung quanh nguồn và các kênh chiếu. Howitzer
được thiết kế sao cho thông lượng nơtron tại c|c kênh đều giống nhau trong phạm vi
± 5%. Mẫu kích hoạt được đặt vào các hộp polyethylene dài 1 inch (2,54 cm), đường
kính 1 inch (2,54 cm). Các hộp n{y được đặt vào trong các kênh chiếu để kích hoạt. Mặt
ngoài của howitzer được bọc bằng gỗ ép dày ¾ inch (2 cm).
- Chất làm chậm: Parafin và polyethylene.
- Các kênh chiếu mẫu làm bằng polyethylene.
- Container chiếu mẫu bằng polyethylene mỏng.
- Đường kính container chiếu mẫu 1 inch (2,54 cm).
- Sai số vị trí đặt mẫu: ±0,2 mm.
- Khoảng cách tối thiểu giữa nguồn và mẫu: 2 cm ± 0,05 cm.
Mẫu kích hoạt 313

Bộ mẫu gồm 3 g các mẫu kim loại có độ tinh khiết cao như: V, Al, Ge, Mn và Cu. Các
mẫu đặt trong một container polystyrene hình trụ đường kính 2,54 cm và dài 2,54 cm
để tránh sự dính bẩn từ bên ngoài. Các vật liệu đ~ được lựa chọn để ngăn sự ảnh
hưởng của tia gamma từ các vật liệu khác.
Mẫu kích hoạt 317
Bộ mẫu gồm Ag, Ti, W, Na và Co. Các yếu tố kh|c tương tự bộ mẫu 313.
Bộ mẫu RE-17
Gồm các nguyên tố có tiết diện kích hoạt cao như In, La, Br v{ I. C|c yếu tố khác
tương tự như bộ mẫu 313.
Độ nhạy của các nguyên tố với kích hoạt nơtron
Nguyên tử Sản phẩm Chu kì Tia gamma Độ nhạy

Nguyên tố
số hạt nhân bán rã γ (keV) tương đối*
9 Fluorine 20F 11,6 giây 1634 60
11 Sodium 24Na 15,0 giờ 2754 1,5
12 Magnesium 27Mg 9,46 phút 844 35
13 Aluminum 28Al 2,32 phút 1779 1,0
17 Chlorine 38Cl 37,3 phút 2168 8
19 Potassium 42K 12,4 giờ 1525 28
20 Calcium 49Ca 8,8 phút 3084 260
21 Scandium 46mSc 18,7 giây 143 0,03
22 Titanium 51Ti 5,79 phút 320 18
23 Vanadium 52V 3,75 phút 1434 0,07
24 Chromium 51Cr 27,8 ngày 320 85
25 Manganese 56Mn 2,58 giờ 847 0,015
27 Cobalt 60mCo 10,5 phút 59 0,23
28 Nickel 65Ni 2,53 giờ 1482 130
29 Copper 66Cu 5,10 phút 1039 6
30 Zinc 69mZn 14,1 giờ 439 23
31 Gallium 72Ga 14,1 giờ 834 0,32
32 Germanium 75mGe 48,0 giây 140 5,2
33 Arsenic 76As 26,4 giờ 559 0,32
34 Selenium 77mSe 17,4 giây 162 0,27
35 Bromine 80Br 16,8 phút 616 0,8

37 Rubidium 86mRb 1,02 phút 556 5
38 Strontium 87mSr 2,83 giờ 389 3
39 Yttrium 89mY 16,1 giây 909 23
42 Molybdenum 101Tc 14,2 phút 307 8
44 Ruthenium 105Ru 4,4 giờ 724 12
45 Rhodium 104mRh 4,3 phút 51 0,03
46 Palladium 109mPd 4,7 phút 189 5,5
47 Silver 110mAg 24,0 giây 658 0,35
48 Cadmium 111mCd 49,0 phút 245 18
49 Indium 116mIn 53,7 phút 1293 0,006
50 Tin 125mSn 9,5 phút 331 15
51 Antimony 122Sb 64,3 giờ 564 0,7
52 Tellurium 131Te 24,8 phút 150 5,7
53 Iodine 128I 25,0 phút 443 0,3
55 Cesium 134mCs 2,9 giờ 127 0,4
56 Barium 139Ba 83,0 phút 166 3,2
57 Lanthanum 140La 40,2 giờ 1597 0,8
58 Cerium 143Ce 33,7 giờ 293 14
59 Praseodymium 142Pr 19,2 giờ 1576 5
60 Neodymium 149Nd 104,0 phút 211 5
62 Samarium 153Sm 46,8 giờ 103 0,07
63 Europium 152mEu 9,3 giờ 963 0,008
64 Gadolinium 161Gd 3,6 phút 360 –
65 Terbium 160Tb 72,0 ngày 299 4
66 Dysprosium 165Dy 2,32 giờ 95 0,01
67 Holmium 166Ho 26,8 giờ 81 0,2
68 Erbium 171Er 7,52 giờ 308 0,36
69 Thulium 170Tm 129,0 ngày 84 90
70 Ytterbium 175Yb 101,0 giờ 396 1,5
71 Lutetium 176mLu 3,7 giờ 88 0,2
72 Hafnium 179mHf 18,6 giây 214 0,05
73 Tantalum 182Ta 115,0 ngày 1121 35
74 Tungsten 187W 24,0 giờ 686 0,4

75 Rhenium 188Re 16,7 giờ 155 0,07
76 Osmium 193Os 31,5 giờ 139 35
77 Iridium 192Ir 74,2 ngày 317 0,3
78 Platinum 199Pt 31,0 phút 543 25
79 Gold 198Au 64,7 giờ 412 0,027
80 Mercury 197Hg 65,0 giờ 78 1,2
Ghi chú: *So sánh với 1 đơn vị khối lượng của nhôm về mặt tốc độ đếm.
273
PHÂN TÍCH KÍCH HOẠT NƠTRON NHANH
Thực hành này nhằm minh họa nguyên tắc x|c định nguyên tố bằng kỹ thuật kích
hoạt nơtron nhanh.
- 01 detector NaI(Tl) 2  2 inch loại 905-3 và ống nh}n quang điện;

- 01 đế ghép nối với ống nhân quang 266;
- 01 tiền khuếch đại 113;
- 01 nguồn nuôi và khung NIM loại 4006;
- 01 khối khuếch đại 575A;
- 01 khối ph}n tích đa kênh MCA 2k bao gồm 1 cáp USB, 1 máy tính cá nhân có cài
phần mềm đo phổ MAESTRO-32;
+ 1 c|p đồng trục C-24-1/2 RG-62A/U93-Ω với đầu nối BNC, dài 15 cm (1/2 ft);
+ 2 c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93-Ω với đầu nối BNC, dài 1,2 m (4 ft);
- Dao động ký số 2 kênh TDS3032C, 300 MHz;
- 1 nguồn phóng xạ 137Cs hoạt độ 1 μCi;
- 1 nguồn phóng xạ 60Co hoạt độ 1 μCi;
Thiết bị từ các nguồn cung cấp khác
- 1 Nguồn đồng vị ph|t nơtron Am-Be, hoạt độ 1 ÷ 3 Ci;
- Bộ mẫu dùng cho kích hoạt nơtron bao gồm các nguyên tố chuẩn và các hợp chất
tinh khiết (Al(II), Na, Mg, Si, V, Cr và Fe);
Trong thực hành, nguồn nơtron đồng vị trong thực hành số 17 sẽ được tiếp tục sử
dụng sau khi lấy ra khỏi howitzer. Các bia mẫu sẽ được chiếu bằng cách cho tiếp xúc trực
tiếp với nguồn nơtron. Phổ nơtron của nguồn Am-Be được trình bày trong hình 16.2. Từ
phổ, ta thấy rằng năng lượng nơtron ph}n bố từ 2 đến 11 MeV khi không có chất làm chậm
(nước hoặc parafin). Nơtron của nguồn được sinh ra theo phản ứng sau:
9Be + 12C + n + 5,704 MeV (1)
Trong phương trình (1), năng lượng 5,704 MeV giải phóng ra từ phản ứng do sự
thay đổi khối lượng (Δm):
m  (m9  m )  (mn  m12 ) (2)
Trong đó m9 là khối lượng của 9Be và Q  mc2 . Năng lượng của các hạt alpha
phát ra từ hầu hết c|c đồng vị vào khoảng 5,5 MeV. Áp dụng định luật bảo to{n năng
lượng cho phương trình (1), ta có:
E  Q  En  E 12C (3)
Để bảo to{n mômen động lượng, c|c nơtron sẽ có năng lượng khoảng ~ 12
đến ~ 13 MeV (~ 92,5% của năng lượng E  Q của phản ứng theo hướng cho trước).
Tất nhiên, năng lượng nơtron sẽ thay đổi như một hàm theo góc tới của hạt alpha. Do
đó có thể tạo ra nơtron năng lượng cực đại 11 MeV. Phổ năng lượng của nơtron có
dạng như hình 16.2 vì những lý do sau:
1. Hạt alpha bị mất bớt năng lượng trong nguồn trước khi xảy ra phản ứng;
2. 12C có thể ở một trong các trạng thái kích thích;
3. Năng lượng nơtron biến thiên theo góc.
Trong bài thực hành số 17, phổ năng lượng nơtron từ nguồn đồng vị bị nhiệt
hóa bởi chất làm chậm paraffin hoặc nước. Kiểu phản ứng với các nơtron nhiệt
thường có dạng:
A(n, γ) *B (4)
Hạt nhân *B thường phân rã  - và phát gamma tiếp sau đó (xem ví dụ trong
hình 17.2).
Bài thực hành số 18: Phån tích kích hoät nơtron nhanh 275
Với c|c nơtron nhanh, có 3 kiểu phản ứng chiếm ưu thế sau:
A(n,p )B (5)
A(n,  )B (6)
A(n,2n)B (7)
Các phản ứng theo kiểu (5) xảy ra với c|c nơtron có năng lượng trong dải từ 1 đến
3 MeV, do đó phản ứng này không xảy ra được với c|c nơtron nhiệt. Các phản ứng (6)
và (7) có ngưỡng cao hơn v{ thường trong khoảng từ 10 đến 20 MeV.
Nguồn nơtron đồng vị không làm chậm có thể sử dụng hiệu quả để tạo ra các phản
ứng (n,p).
Chú ý: không tiếp xúc trực tiếp với các nguồn nơtron đồng vị.
Trong thực hành, nguồn nơtron thường được lấy ra khỏi hộp chứa nguồn bằng
kẹp hoặc dây bện để ngăn tiếp xúc với các bộ phận của cơ thể ở khoảng cách nhỏ hơn 2 ft
(60,96 cm). Nguồn nơtron sau khi lấy ra được đặt ở tâm của b{n đ~ được căng d}y
xung quanh để giới hạn khoảng cách nguy hiểm tránh tiếp xúc. Mẫu kích hoạt có thể di
chuyển trong buồng chiếu mẫu. Sử dụng kẹp để đặt mẫu vào vị trí chiếu mẫu.
Như trong thực hành 17, mỗi mẫu được kích hoạt trong một chu kỳ hoặc l}u hơn.

1. Thiết lập hệ điện tử như hình 18.1. Chuẩn MCA với nguồn chuẩn gamma cho dải
năng lượng lên đến 2 MeV.
2. Đặt bia nhôm tiếp xúc với nguồn Am-Be trong thời gian khoảng 30 phút. Phản
ứng được tạo ra là 27Al(n,p)27Mg và T1/2 của sản phẩm là 9,5 phút (hình 18.2).
3. Chuyển mẫu đến detector NaI(TI) v{ đếm trong một khoảng thời gian đủ d{i để
x|c định các nhóm gamma trong phản ứng.
4. Tạo vùng ROI trên MCA để đ|nh dấu đỉnh 1,013 MeV. Đặt thời gian đo l{ 40 giây.
Trong mỗi chu kỳ 2 phút, đo 40 s và thực hiện cho đến khi đủ số liệu để vẽ đường cong
b|n r~. X|c định giá trị T1/2?
5. Từ hình 18.2, ~70% c|c tia gamma có năng lượng 0,842 MeV v{ ~30% có năng
lượng 1,013 MeV. Chiếu xạ mẫu nhôm thứ hai khoảng 30 phút để kiểm tra tỉ số này.
6. Tạo hai vùng ROI trên MCA, một cho 0,842 MeV và một cho 1,013 MeV. Chuyển
mẫu đến vị trí đo ở cách mặt detector 9,3 cm. Đo đến khi thu được khoảng ~1.500 số
đếm tại đỉnh 1,013 MeV.
Bài tập
a. Đo năng lượng các tia gamma. Kiểm tra xem chúng có phù hợp với sơ đồ hình
18.2 của phản ứng này hay không?
b. Hiệu chỉnh các số thu được như sau:

( corrected )  (8)
p
Trong đó p là hiệu suất ứng với năng lượng tại đỉnh của detector (hình 3.6). Các
số sau khi hiệu chỉnh phải có tỉ lệ 70% và 30%, kết quả có giống như vậy không?

Các phản ứng (n,p) có thể lựa chọn để nghiên cứu giống như phản ứng 27Al(n,p)27Mg
trong thực h{nh 18.1 được liệt kê trong bảng 18.1. Chúng gồm 6 phản ứng (n,p).
Hình 18.1. Cách nối hệ đo trong thực hành số 18
Hình 18.2. Chuỗi phân rã của sản phẩm của phản ứng 27Al(n,p)27Mg
Bài thực hành số 18: Phån tích kích hoät nơtron nhanh 277
Đo năng lượng Thời gian Thời gian

Nguyên tố Phản ứng Σ(barn) T1/2
(keV) kích hoạt đếm, giây
Magiê 24Mg(n,p)24Na 0,180 14,9 giờ 1370 4 giờ 1.000
Natri 23Na(n,p)23Ne 0,034 40,2 giây 440 3 phút 100
Silic 28Si(n,p)28Al 0,220 2,3 phút 1780 5 phút 100
Vanadi 51V(n,p)51Ti 0,027 5,8 phút 320; 605 10 phút 200
Sắt 56Fe(n,p)56Mn 0,110 2,56 giờ 845; 1810 4 giờ 1.000
Crôm 52Cr(n,p)52V 0,080 3,76 phút 1440 10 phút 200
1. R. C. Koch, Activation Analysis Handbook, Academic Press, New York (1960).

2. D. S. Vorres, “Neutron Activation Experiments in Radiochemistry,” J. Chem. Ed. 37,
391 (1960).
3. W. S. Lyon, Ed., A Guide to Activation Analysis, D. Van Nostrand Co., Inc., New York
(1964).
4. D. Taylor, Neutron Irradiation and Activation Analysis, D. Van Nostrand Co., Inc. New
York (1964).
5. C. M. Lederer and V. S. Shirley, Eds., Table of Isotopes, 7th Edition, John Wiley and Son,
Inc., New Yor (1978).
6. Chart of the Nuclides, General Electric Co., modified by Battelle Northwest, Richland,
Washington; available from Supt. of Documents, GPO, Washington, D. C.
7. G. I. Gleason, Isotopic Neutron Source Experiments, ORAU 102 (1967). Available
from Oak Ridge Associated Universities, P. O. Box 117, Oak Ridge, Tennessee 37830.
8. S. S. Nargolwalla and E.P. Przybylowicz, Activation Analysis with Neutron Generators,
John Wiley and Sons, NewYork (1973).
9. H. E. Palmer, “Instrumentation for ‘In Vivo’ Activation Analysis,” IEEE Trans. Nucl.Sc
i. NS-17(1) (1970).
10. J. M. A. Lenihan and S. J. Thompson, Eds., Activation Analysis. Principles and Applications,
Academic, London(1965).
278
SƠ ĐỒ PHÂN RÃ GAMMA
VÀ ĐO TƯƠNG QUAN GÓC CỦA 60Co
Trong phần đầu của thực hành này, các kỹ thuật trùng phùng đ~ được mô tả trong
bài thực hành số 9 và thực h{nh 13 được sử dụng để kiểm chứng sơ đồ phân rã gamma
của 60Co. Trong phần hai, tương quan góc giữa hai gamma nối tầng của 60Co được đo,
qua đó kiểm chứng lại spin của hai trạng thái kích thích. Phần thứ nhất của thực hành
có thể được hoàn thành trong khoảng 4 giờ.
Phép đo tương quan góc yêu cầu thời gian thực nghiệm kéo dài 6  24 giờ (6 ngày),
trong đó mỗi phép đo kéo d{i 24 giờ. Cứ 24 giờ một lần, sinh viên cần vào phòng thí
nghiệm một lần để thay đổi góc tán xạ và ghi lại kết quả của phép đo đ~ thực hiện.
Trong thời gian tiến hành thực nghiệm kéo dài 6 ngày, nguồn 60Co hoạt độ 100
được đặt bên ngo{i (không được che chắn), do đó để bảo đảm an toàn, toàn bộ thực
hành cần phải được tiến h{nh trong phòng có khóa v{ được kiểm soát bởi người quản
lý phòng thí nghiệm.
- 02 detector NaI(Tl), 2  2 inch kiểu 905-3;

- 02 đế ống cho nhân quang 266;
- 02 khối cao thế 556;
- 02 tiền khuếch đại dùng cho detector nhấp nháy 113;
- 02 khuếch đại phổ 575A;
- 02 khối phân tích thời gian đơn kênh 551;
- 01 khối trùng phùng nhanh 414A;
- 01 khuếch đại trễ 427A;
- 01 khối trễ và tạo xung mở cổng 416A;
Bài thực hành số 19: Sơ đồ phån rã gamma và đo tương quan góc của 60Co 279
- 01 khối đếm 4 cổng 974;

- 01 Khung NIM và nguồn nuôi 4001A/4002D;
- EASY-MCA-2K bao gồm cáp USB và phần mềm MAESTRO-32 (có thể thay thế
bằng các loại MCA khác của ORTEC);
- Một máy tính cá nhân có trang bị cổng USB, và hệ điều h{nh Window được hỗ
trợ để cài phần mềm MAESTRO-32;
- 01 b{n chia độ để đo tương quan góc 306-AX (1,17 m  1,17 m  0,76 m), bao
gồm cả hai khối chuẩn trực che chắn;
- Dao động ký TDS3032C với độ rộng dải tần MHz.
- C|c c|p đồng trục v{ đầu nối:
+ 02 cáp C-36-12 RG-59A/U75-Ω, hai đầu SHV cái, dài 3,7 m;
+ 01 cáp C-25-2 RG-58A/U50-Ω, đầu nối BNC, dài 0,61 m;
+ 02 cáp C-24-1/2 RG-62A/U93-Ω, đầu nối BNC, dài 15 cm;
+ 02 đầu nối BNC chữ T C-29.
- Nguồn (CO-60S) 60Co hoạt độ 1 (chu kỳ b|n r~ 5,27 năm);
- Nguồn (GF-060-M-100) 60Co hoạt độ 100 (chu kỳ b|n r~ 5,27 năm) v{ cần có
giấy phép sử dụng;
Trong thực hành 19.1, thí nghiệm trùng phùng gamma-gamma được thực hiện để
chỉ ra rằng hai lượng tử gamma của nguồn 60Co trùng phùng với nhau. Thực hành 19.2
bao gồm c|c phép đo tương quan góc của hai tia gamma n{y, x|c định tính không đẳng
hướng và các hệ số của h{m tương quan.
Sơ đồ phân rã gamma của 60Co được trình bày trong Hình 19.1. Hạt nhân 60Co
phát bêta và chuyển thành hạt nhân 60Ni ở mức kích thích 2,507 MeV. Trạng thái này
giải phóng năng lượng kích thích về trạng th|i cơ bản bằng cách phát ra hai tia
gamma nối tầng thông qua mức kích thích trung gian 1,3325 MeV. Do thời gian sống
của mức 1,3325 MeV chỉ khoảng 0,7 ps, nhỏ hơn rất nhiều so với khả năng xử lý thời
gian của thiết bị, do đó hai tia gamma n{y được coi như l{ hai tia gamma trùng phùng,
hay nói c|ch kh|c l{ hai tia gamma ph|t ra đồng thời. Hình 19.2 là phổ 60Co đo với
detector NaI(Tl).
Hình 19.1. Sơ đồ phân rã của 60Co Hình 19.2. Phổ 60Co của detector NaI(Tl)
Để kiểm chứng sự trùng phùng của hai tia gamma và , ta sẽ sử dụng kỹ thuật
thực nghiệm được trình bày trong bài thực hành số 13. Hình 19.3 là bố trí hình học
được sử dụng để đo tương quan góc trong thực hành 19.2. Bố trí hình học trong thực
h{nh 19.1 dùng để kiểm chứng sự trùng phùng của và là một trường hợp riêng
(góc cố định và không dùng chuẩn trực) của cấu hình 19.2.
Chú ý: Thực hành có sử dụng nguồn 60Co hoạt độ 100 . Liều chiếu đối với người
làm thực nghiệm cần phải được giảm thiểu đến mức tối đa bằng cách giới hạn thời gian
tiếp xúc với nguồn (thời gian làm thí nghiệm) và khoảng cách giữa người làm thực
nghiệm với nguồn phải luôn lớn hơn 1 m. Ở khoảng cách 1 cm so với nguồn điểm, suất
liều chiếu vào khoảng 1,3 R/giờ. Ở khoảng cách 10 cm, suất liều chiếu giảm xuống còn
13 mR/giờ, và suất liều chiếu ở khoảng cách 1 m vào khoảng 0,13 mR/giờ.
Khi di chuyển nguồn từ nơi lưu giữ tới gi| đặt nguồn trên bàn làm thí nghiệm (bàn
đo tương quan góc), nguồn cần phải được gắp bằng kẹp và khoảng cách giữa nguồn với
bất cứ phần nào của cơ thể cũng phải được đảm bảo lớn hơn hoặc bằng 10 cm.
Biển cảnh báo nguy hiểm phóng xạ cần phải được đặt trên b{n đo khi có nguồn.
Trong suốt thời gian đo kéo d{i 24 tiếng, toàn bộ hệ thống thiết bị thí nghiệm cần phải
được đảm bảo an to{n trong phòng được khóa, điều n{y giúp đảm bảo an toàn cho
những người khác làm việc trong phòng thí nghiệm. Người quản lý phòng thí nghiệm
nên l{ người duy nhất có chìa khóa ra vào.
Người làm thí nghiệm phải được chỉ dẫn về an toàn bức xạ. Ở khoảng cách 1 m so với
nguồn, người làm thực nghiệm có thể làm việc bình thường trong thời gian dài. Các thao
t|c không thường xuyên với hệ thống thí nghiệm mà khoảng cách giữa người làm thí
nghiệm với nguồn nhỏ hơn 1 m cần phải được giới hạn ở mức nhỏ hơn 1 phút mỗi lần.
Hình 19.3. Bố trí hình học thực nghiệm Hình 19.4. Bàn đo tương quan góc
trong các phép đo tương quan góc Model 306 sản xuất bởi Metrix.
và trùng phùng sử dụng bàn Bàn 306-AX có cấu trúc tương tự
tương quan góc trong Hình 19.4
Do tương quan góc của và gần như l{ đẳng hướng (trong khoảng 17%), góc
trong hình 19.3 có thể được đặt ở bất cứ giá trị nào trong thí nghiệm kiểm chứng sự
trùng phùng của hai tia gamma. Thông thường, góc thích hợp nhất l{ 180 độ. Sơ đồ
khối của hệ thống điện tử dùng trong thực h{nh 19.1 được đưa ra trong Hình 19.5.
Hình 19.5. Sơ đồ khối của các khối điện tử trong thực hành 19.1
để kiểm chứng trùng phùng gamma–gamma của 60Co

1. Nếu các detector NaI(Tl) đ~ được lắp đặt bên trong vỏ che chắn bằng chì trên
bàn đo tương quan góc, tiến hành gỡ bỏ hệ che chắn. Gắn chặt hai detector lên bàn và
điều chỉnh sao cho hai detector nằm đối diện nhau và khoảng cách giữa hai mặt
detector l{ 7 cm. Sau khi đ~ tiến hành lắp đặt v{ điều chỉnh tham số của các khối điện
tử (được trình b{y dưới đ}y), treo nguồn 60Co v{o điểm nằm giữa hai detector trên
trục xuyên tâm của hai detector.
Thiết lập và kết nối các khối điện tử
2. Ghép nối các khối điện tử theo sơ đồ trong Hình 19.5. Đảm bảo rằng nguồn nuôi
của khung NIM và của khối cao thế đ~ được tắt. Thông tin chi tiết của các kết nối bằng
cáp và các thiết lập cho các khối điện tử được trình b{y dưới đ}y. Tiến h{nh c|c bước
sau đ}y với một nhánh (bao gồm một detector và chuỗi các khối điện tử dùng để xử lý
xung tương ứng):
a. Nối lối ra ANODE của đế ống nhân quang 266 với INPUT của tiền khuếch đại
113 bằng cáp C-24-1/2 RG-62A/U93-Ω d{i 15 cm. Đặt INPUT CAPacitance (điện dung
lối vào) của Tiền khuếch đại 113 ở giá trị 100 pF.
b. Nối cáp nguồn của tiền khuếch đại 113 với cổng PREAMP POWER ở mặt sau của
khuếch đại 575A. Đảm bảo chắc chắn rằng hằng số tạo dạng xung (Sharping Time) của
cả hai khối khuếch đại phổ 575A đều được đặt ở 0,5 . Hằng số tạo dạng xung của
575A có thể được lựa chọn thông qua công tắc chuyển mạch ở mặt trước của khối.
c. Gắn khối 575A và khối cao thế 566 tương ứng vào hai rãnh liền kề nhau trên
khung NIM.
d. Nối lối ra OUTPUT của tiền khuếch đại 113 với lối vào INPUT của khuếch đại
phổ 575A tương ứng bằng cáp C-24-12 RG-62A/U93-Ω d{i 3,7 m. Điều chỉnh công tắc
chuyển mạch chọn phân cực lối vào của 575A (nút gạt nằm dưới lối vào INPUT ở mặt
trước của khối) ở vị trí NEGative (phân cực âm).
e. Sử dụng cáp C-36-12 RG-59B/U75-Ω d{i 3,7 m với hai đầu SHV cái, nối lối ra
OUTPUT của cao thế 556 tương ứng với lối vào POS HV của đế cắm 266. Trên mặt sau
của khối 556, đặt POLARITY (phân cực) của cao thế 566 ở vị trí POSitive (phân cực
dương), gạt chuyển mạch CONTROL sang vị trí INT. Xoay núm vặn điều khiển cao thế ở
mặt trước của khối 556 về giá trị nhỏ nhất.
f. Nối lối ra Bipolar (xung lưỡng cực) của khuếch đại phổ 575A với lối v{o tương
tự (INPUT) của EASY-MCA bằng cáp C-24-4RG-62A/U93-Ω d{i 1,2 m.
g. Nối EASY-MCA với máy tính thông qua cáp USB.
h. Bật nguồn của khung NIM và máy tính.
i. Đặt nguồn 60Co hoạt độ 1 vào vị trí nằm giữa và trên trục xuyên tâm của hai
detector NaI(Tl).
k. Đặt cao thế của 566 ở giá trị được khuyến cáo sử dụng của detector nhấp nháy
tương ứng. Bật HV POWER (nguồn) của 556.
l. Đặt hệ số khuếch đại của khuếch đại phổ 575A sao cho biên độ xung tương ứng
với gamma năng lượng 1,33 MeV bị hấp thụ hoàn toàn bên trong detector bằng 6 V,
quan s|t trên dao động ký với lối v{o 1 MΩ. Đảm bảo rằng FOCUS trên ống nhân quang
tương ứng đ~ được điều chỉnh sao cho biên độ của xung nói trên đạt cực đại.
m. Nối Bipolar OUTput (lối ra lưỡng cực) của 575A với INPUT (lối v{o tương tự)
của EASY-MCA.
n. Trong mục Acquire, thẻ ADC của phần mềm MAESTRO-32 (phần mềm dùng để
điều khiển EASY-MCA) chọn Gate OFF. Chọn dải biến đổi tương tự sang số bằng 512
kênh cho lối vào từ 0 đến 10 V. Điều chỉnh gạt ngưỡng trên (Upper Level
discriminator) lên giá trị cực đại. Điều chỉnh gạt ngưỡng dưới (Lower Level
discriminator) về giá trị thấp tối ưu (gi| trị n{y đặt quá thấp sẽ làm cho tốc độ đếm của
hệ tăng lên do đóng góp của nhiễu, vì vậy ngưỡng dưới cần phải được đặt thấp vừa
đủ). Người làm thí nghiệm có thể tạm thời tắt khối phát cao thế 556 khi đang chỉnh
ngưỡng dưới. Trong thẻ Preset, xóa toàn bộ các ô chứa thông tin, v{ l{m tương tự với
tùy chọn MDA Preset (nếu được hỗ trợ). Sau khi tất cả các ô chứa thông tin đều đ~
được xóa, chương trình sẽ chuyển về chế độ mặc định, và ở chế độ này, việc bắt đầu và
kết thúc quá trình ghi phổ sẽ được điều khiển bởi người dùng. Tập làm quen với các
thao tác thiết lập thông số, ghi và xóa phổ của phần mềm.
o. Ghi phổ 60Co, kiểm tra xem vị trí c|c đỉnh của 60Co thu được có nằm ở vị trí
tương ứng với năng lượng bằng khoảng 60% năng lượng cực đại mà MCA có thể biến
đổi không. Phổ thu được sẽ có dạng giống như Hình 19.2.
p. Nối UNIpolar OUTput (lối ra đơn cực) của khuếch đại phổ 575A với lối vào 1 MΩ
của dao động ký. Theo thủ tục đ~ học trong bài thực hành số 3, điều chỉnh PZ của
khuếch đại phổ 575A sao cho các xung của lối ra đơn cực trở về đường cơ bản nhanh
nhất có thể mà không bị bướu âm ở đuôi bên phải của xung.
q. Từ phổ đ~ ghi trong MCA, kiểm tra xem tốc độ đếm toàn phổ đ~ nằm trong
khoảng từ 5.000 đến 10.000 số đếm/gi}y chưa. Nếu tốc độ đếm không nằm trong dải
nói trên điều chỉnh khoảng cách giữa nguồn với detector để đạt được tốc độ đếm nằm
trong dải nói trên (giảm khoảng cách nếu tốc độ đếm nhỏ hơn 5.000 v{ tăng khoảng
cách nếu tốc độ đếm lớn hơn 10.000). Đảm bảo rằng khoảng cách giữa nguồn và hai
detector là bằng nhau.
3. Lặp lại c|c bước từ 2a) đến 2p) với detector NaI(Tl) và các khối điện tử xử lý
xung tương ứng còn lại.
Hình 19.6. Mối quan hệ của xung lôgic từ 416A với phần dương
của xung tương tự từ 427A
Cấu hình trễ cho cổng trùng phùng
4. Trong hai khối khuếch đại phổ 575A, chọn khối khuếch đại phổ có hệ số khuếch
đại được thiết lập cao hơn. Sử dụng cáp C-24-12 RG-62A/U93-Ω d{i 3,7 m; nối lối ra
ATTENuated của khối phát xung 480 với lối vào TEST PULSE của tiền khuếch đại 113
tương ứng với khuếch đại phổ có hệ số khuếch đại cao hơn. Sử dụng c|p đồng trục có
cùng độ dài, nối lối ra DIRECT của khối phát xung 480 với lối vào TEST PULSE của tiền
khuếch đại 113 còn lại.
5. Đặt phân cực lối ra của khối phát xung 480 là NEGative (phân cực âm) và bật
máy phát xung. Bỏ nguồn 60Co ra khỏi bàn thí nghiệm.
6. Điều chỉnh PULSE HEIGHT (độ cao xung) và/hoặc c|c núm điều khiển CAL trên
khối phát xung 480 sao cho độ cao xung ở lối ra của khuếch đại phổ có giá trị vào
khoảng +5 V.
7. Điều chỉnh giá trị ATTENUATOR trên khối ph|t xung 480 sao cho độ cao xung ở
lối ra của khuếch đại phổ có hệ số khuếch đại đặt cao hơn nằm trong dải từ +3,5 V đến
+7,1 V. Nếu yêu cầu này không thể đạt được, người làm thực nghiệm có thể cần phải
đảo hai kết nối DIRECT v{ ATTENuated (d}y n{o đang gắn vào DIRECT thì gắn sang
cho ATTENuated v{ ngược lại) cho nhau sau đó lặp lại bước 6 v{ bước 7.
8. X|c định khối khuếch đại phổ 575A tương ứng với detector quay từ 90 đến 180o
(detector NaI(Tl) di chuyển được trong Hình 19.3). Detector này sau cùng sẽ được đặt
vào trong ống chì để che chắn và chuẩn trực. Sử dụng cáp C-24-2 RG-62A/U93-Ω d{i
0,61 m kết nối lối ra Bipolar của khuếch đại phổ với DC INPUT của khối phân tích thời
gian đơn kênh 511. Trên SCA, chọn chế độ NORmal và dải trễ từ 0,1 ÷ 1,1 Xoay núm
vặn DELAY đến giá trị 0,500 và khóa lại. Đặt LL REF và STROBE ở mặt sau của SCA ở
chế độ INTernal. Đặt UPPER LEVEL ở giá trị cực đại (10 V) và LOWER LEVEL ở 0,1 V.
9. Sử dụng cáp C-24-2 RG-62A/U93-Ω d{i 0,61 m, nối POSitive OUTput (lối ra
dương) của 511 với POSitive INPUT (lối v{o dương) của khối tạo trễ và gate 416A.
10. X|c định khuếch đại phổ 575A tương ứng với detector cố định. Detector này
sau đó cũng được đặt bên trong ống chì che chắn và chuẩn trực. Sử dụng cáp C-24-2
RG-62A/U 93-Ω d{i 0,61 m nối lối ra Bipolar của khuếch đại phổ với lối vào của khuếch
đại trễ 427A.
11. Đảm bảo rằng máy phát xung vẫn đang bật. Nối OUTPUT (lối ra) của khuếch
đại trễ với lối v{o kênh 1 (1 MΩ) của dao động ký. Đồng bộ dao động ký với sườn tăng
của xung lưỡng cực trên kênh 1. Đồng thời, nối POSitive DELAYED OUTput (lối ra
dương được đ|nh trễ) của 416A với lối vào kênh 2 của dao động ký (1 MΩ), trong khi
vẫn đồng bộ trên kênh 1.
12. Đặt DELAY của khối 416A ở giá trị cực tiểu. Điều chỉnh biên độ xung lôgic ở
POSitive DELAYED OUTput (lối ra dương bị đ|nh trễ) bằng xấp xỉ +5 V.
13. Điều chỉnh các nút gạt DELAY trên khuếch đại 427A sao cho biên độ của xung
lối ra tương tự từ 427A đạt tới cực đại sau sườn tăng của xung lôgic từ 416A 500 ns. Có
thể sử dụng núm chỉnh DELAY của 416A để thực hiện c|c điều chỉnh lượng nhỏ (điều
chỉnh tinh).
14. Điều chỉnh nút điều khiển WIDTH (độ rộng) trên 416A sao cho xung lôgic từ
416A mở rộng đến 500 ns sau vị trí đạt biên độ cực đại của xung tương tự. Khóa vòng
xoay DELAY trên 416A để tránh bị thay đổi do bị chạm vào trong quá trình thực
nghiệm. Điều chỉnh n{y đặt thời gian trùng phùng của hệ ở 1,0 (hai xung có chênh
lệch thời gian khởi phát xung sẽ được coi là hai xung trùng phùng).
15. Sử dụng cáp C-24-4 RG-62A/U93-Ω d{i 1,2 m, nối POSitive DELAYED OUTput
(lối ra dương bị đ|nh trễ) của 416A với lối vào GATE của EASY-MCA, và kết nối
OUTPUT (lối ra) của 427A với INPUT (lối v{o) tương tự của EASY-MCA.
16. Đảm bảo rằng EASY-MCA sẽ ghi phổ của khối phát xung.
17. Trong phần Acquire, thẻ ADC của phần mềm MAESTRO-32 dùng để điều khiển
EASY-MCA, chọn tùy chọn Gate On. Kiểm tra lại một lần nữa để đảm bảo EASY-MCA
vẫn sẽ ghi phổ của khối phát xung.
18. Ngắt kết nối giữa lối ra của 416A với lối vào GATE của EASY-MCA. MCA sẽ
không thể ghi được phổ của máy phát xung, kiểm tra điều này. Nối trở lại lối ra của
416A với lối vào GATE của EASY-MCA và tắt máy phát xung 480.
Thiết lập cửa sổ năng lượng

19. Ngắt kết nối giữa INPUT (lối vào) của 427A khỏi lối ra bipolar của khuếch đại
phổ 575A của detector cố định. Kết nối lối ra UNIpolar (đơn cực) của khuếch đại 575A
với INPUT (lối vào) của 427A.
20. Đặt nguồn 60Co 1 vào giữa hai detector, và ghi phổ. Nhận diện đỉnh 1,17
MeV của Co trong phổ. Kiểm tra xem tùy chọn Gate On của EASY-MCA đ~ được lựa
60
chọn chưa bằng phần mềm MAESTRO-32. Nếu MCA không thu thập phổ được gate một
cách chính xác với tín hiệu đơn cực (UNIpolar), ta có thể cần phải tăng DELAY của SCA
551 từ 500 ns lên 700 ns, để bù thêm 200 ns cho thời gian hình th{nh đỉnh của xung
đơn cực.
21. Chuyển SCA 551 về chế độ cửa sổ (WINdow). Tăng LOWER LEVEL (ngưỡng
dưới) và giảm dần giá trị WINDOW bằng cách vặn núm xoay cho tới khi tín hiệu mở
cổng (gating) tạo ra bởi SCA 511 giới hạn chỉ cho phép EASY-MCA ghi các sự kiện có
năng lượng nằm trong vùng đỉnh 1,17 MeV. Tiến hành tinh chỉnh sao cho phổ thu được
chứa toàn bộ đỉnh 1,17 MeV, nhưng không có đỉnh 1,33 MeV và vùng Compton liên tục.
Khóa núm xoay WINDOW của SCA 511. Thiết lập trên đảm bảo rằng EASY-MCA sẽ chỉ
ghi phổ khi tia gamma 1,17 MeV được detector chuyển động ghi nhận.
22. Ngắt kết nối giữa INPUT của 427A với lối ra UNIpolar của 575A trong kênh
detector chuyển động. Nối INPUT của 427A với lối ra Bipolar của Khuếch đại phổ 575A
của kênh detector cố định. Nếu núm vặn DELAY của SCA 551 đ~ bị thay đổi trong bước
20, quay núm vặn trở lại giá trị 500 ns.
Đo phổ trùng phùng 𝜸−𝜸
23. Tắt Gate trên MCA v{ đo phổ. Đảm bảo rằng tốc độ đếm tổng trong phổ nằm
trong khoảng 5.000 đến 10.000 số đếm/giây. Nếu điều kiện n{y không đạt được, điều
chỉnh khoảng cách giữa nguồn và detector (R trong Hình 19.3). Chú ý khoảng cách từ
nguồn đến hai detector phải bằng nhau.
24. Bật cổng trùng phùng trên EASY-MCA. Đo một phổ trên MCA. Phổ này sẽ chỉ
chứa đỉnh 1,33 MeV và nền phông Compton liên tục từ detector cố định. Đỉnh 1,17 MeV
trong Hình 19.2 sẽ không xuất hiện. Kết quả này chỉ ra rằng các tia gamma 1,17 và 1,33 MeV
trùng phùng với nhau, vì xung tương ứng với gamma 1,33 MeV chỉ được ghi nhận
trong phổ khi SCA ghi nhận một lượng tử gamma 1,17 MeV.
25. Lưu phổ để dùng trong báo cáo.
26. Lặp lại thí nghiệm với SCA 551 được thiết lập cho đỉnh 1,33 MeV. Lúc này, phổ
thu được sẽ chỉ chứa đỉnh 1,17 MeV và vùng phông Compton liên tục của nó. Hai phép
đo khẳng định rằng và trong Hình 19.1 là hai gamma nối tầng, và thời gian sống ở
trạng thái trung gian rất ngắn, có thể coi như l{ tức thời.
27. Lưu lại phổ trong bước 26. Xuất cả hai phổ gate và một phổ không gate vào
thiết bị lưu trữ (CD, USB, ổ cứng di động). Nếu phổ được xuất dưới dạng ASCII, phổ có
thể được nhập vào bảng tính Excel và vẽ để làm báo cáo. Một cách khác là biểu diễn
phổ bằng chương trình MAESTRO-32, sau đó dùng m|y ảnh số độ phân giải cao chụp
lại màn hình và dùng bức hình chụp được để đưa v{o trong b|o c|o.
𝜸 𝜸
Chú ý: Thực hành 19.2 phải được tiến h{nh sau cùng. Để thu thập đủ dữ liệu nhằm
đ|nh giá phân bố tương quan góc theo lý thuyết giữa hai tia gamma của 60Co, thực
hành cần thực hiện s|u phép đo, mỗi phép đo kéo d{i 24 giờ. Nhằm bảo đảm an toàn
trước sự chiếu xạ của nguồn 60Co 100 , toàn bộ thí nghiệm cần được đặt trong
phòng có khóa để kiểm so|t người ra v{o. Người quản lý phòng thí nghiệm sẽ giữ chìa
khóa và mở cửa cho sinh viên mỗi ngày một lần để thu thập số liệu v{ thay đổi góc.
Bảng c|c đồng vị (tài liệu tham khảo 4) cho biết spin của phần lớn các mức hạt
nhân đ~ được đo. Rất nhiều các giá trị spin được x|c định dựa v{o c|c phép đo tương
quan góc. Trong trường hợp đo tương quan góc gamma–gamma, thí nghiệm sẽ được
bố trí giống như trong Hình 19.3. Detector cố định sẽ được đặt để chỉ đo và detector
chuyển động sẽ ghi nhận . Biểu diễn số sự kiện trùng phùng giữa hai gamma theo các
góc khác nhau sẽ cho ta thấy tương quan góc của chúng. Với 60Co, tương quan góc
giữa hai tia gamma l{ không đẳng hướng. Điều này là do phân bố định hướng spin của
60Co là không đẳng hướng. Hình 19.1 cho biết 60Co phân rã về 60Ni ở trạng thái kích
thích có năng lượng 2,507 MeV và spin 4+, sau đó ph|t hai tia gamma nối tầng thông
qua trạng thái trung gian 1,3325 MeV (spin 2+) về trạng th|i cơ bản (spin 0+).
Xung lượng góc hay còn gọi l{ spin x|c định dạng của h{m tương quan của đồng
vị. Lý thuyết liên quan đến c|c phép đo tương quan góc được trình bày trong tài liệu
tham khảo 1 v{ 2. H{m tương quan góc theo lý thuyết, ( ) của 60Co được cho bởi:
( ) ( )
Trong đó , , .
Bảng 19.1 đưa ra c|c gi| trị tính toán của ( ) với các góc nằm trong khoảng từ
90o đến 180o với bước tăng 10o. Từ số liệu trong bảng, có thể thấy rằng h{m tương
quan, ( ), chỉ thay đổi 17% từ 90o đến 180o. Như vậy, phép đo thực nghiệm cần phải
đạt tới bất định thống kê ~1%1. Bảng 19-A.1 trong phụ lục cung cấp hướng dẫn về các
khoảng cách detector đến chuẩn trực nhằm đạt được bất định thống kê 1% trong
1 Nếu N số đếm được ghi nhận trong khoảng thời gian , độ lệch chuẩn được đánh giá của số đếm sẽ là
. Như vậy, để đạt tới bất định thống kê 1%, lượng số đếm cần tích lũy phải là N=10.000.
khoảng thời gian 24 giờ đo. R = 20 cm với cả hai detector sẽ cho bất định thống kê < 1%
với thời gian đo kéo d{i 24 giờ v{ độ phân giải góc l{ 7,3 độ.
( )
(độ) W()
90 1,00000
100 1,00381
110 1,01519
120 1,03385
130 1,05876
140 1,08770
150 1,11719
160 1,14287
170 1,16042
180 1,16667
Độ bất đẳng hướng của phép đo tương quan góc được định nghĩa như sau
( ) ( )
( )
( )
So s|nh độ bất đẳng hướng thực nghiệm với giá trị lý thuyết cho thấy phép đo
tương quan góc ho{n to{n có thể đạt được độ chính xác cao.
Trong thực h{nh n{y, tương quan góc đo được, ( ), sẽ được so sánh với các giá
trị tính theo phương trình (1) và các giá trị trong bảng 19.1. Thêm nữa, độ bất định đo
v{ độ bất định tính toán (lý thuyết) sẽ được so sánh theo công thức (2).
KHÔNG ĐẶT NGUỒN 60Co LÊN B[N ĐO TRƯỚC KHI HOÀN THÀNH VIỆC GHÉP
NỐI HỆ ĐIỆN TỬ. Trước khi cần sử dụng nguồn để đo phổ, luôn giữ nguồn trong thùng
chứa nguồn.
1. Bắt đầu với cấu hình thiết lập trong Hình 19.5, đảm bảo rằng c|c bước từ 2 đến
8 trong thực h{nh 19.1 đ~ được hoàn thành.
2. Đặt hai detector NaI(Tl) vào các che chắn chuẩn trực tương ứng với từng
detector trên b{n đo. Đảm bảo rằng mặt trước của các detector nhấp nháy chạm vào
mặt sau của khối chuẩn trực.
Thay đổi hệ điện tử
3. Thay đổi thiết lập của hệ điện tử theo cấu hình trong Hình 19.7. Cụ thể là:
a. Tắt nguồn khung NIM và nguồn cấp cao thế.
b. Gỡ bỏ hai khối cao thế 566 ra khỏi khung NIM để lấy không gian lắp thêm một
khối SCA 551, một khối trùng phùng nhanh 414A và một khối đếm 974. Gắn hai khối
cao thế 556 vào nguồn điện xoay chiều 117 V (khối cao thế 556 có thể dùng nguồn từ
khung NIM hoặc dùng điện xoay chiều bên ngoài).
c. Đảm bảo rằng các thiết lập với cả hai khối SCA 551 đều giống với bước 8 trong
thực hành 19.1.
d. Đảm bảo rằng cả hai lối ra Bipolar (lưỡng cực) của các khối khuếch đại phổ
575A đều được nối với DC INPUT của SCA 551 tương ứng với nó. Sử dụng cáp C-24-2
RG-62A/U93-Ω d{i 0,61 m.
e. Gắn c|c đầu BNC chữ T lên các lối vào COINC A và B của khối trùng phùng
nhanh 414A. Đưa công tắc A và B ở mặt trước của 414A lên vị trí IN, công tắc C và D về
vị trí OUT. Xoay núm vặn RESOLVING TIME về 100 ns ( ).
f. Sử dụng cáp C-24-2 RG-62A/U93-Ω d{i 0,61 m, nối POS OUTput của SCA 551
tương ứng với detector chuyển động với đầu nối chữ T của lối vào A COINC trên 414A.
Tương tự, kết nối POS OUTput của SCA 551 tương ứng với detector cố định v{o đầu
nối BNC chữ T của lối vào B COINC của 414A.
g. Sử dụng cáp C-24-2 RG-62A/U93-Ω d{i 0,61 m, nối đầu nối chữ T trên lối vào A
COINC của 414A với COUNTER INPUT 2 của 974. Tương tự, nối đầu nối chữ T trên lối
vào B COINC của 414A với COUNTER INPUT 4 của 974. Nối OUTPUT của 414A với
COUNTER INPUT 3 của 974.
h. Cấu hình hệ điện tử theo đường nét đứt trong Hình 19.7 sẽ được sử dụng khi
điều chỉnh tham số của các SCA (khối ph}n tích đơn kênh) để lựa chọn c|c đỉnh gamma
1,17 MeV và 1,33 MeV từ detector tương ứng.
4. Trên khối đếm 974, vặn núm xoay DWELL về vị trí cực đại (maximum). Với cấu
hình như vậy, số đếm sẽ hiển thị trong khoảng 15 gi}y trước khi xóa và bắt đầu phép
đếm mới.
5. Bấm vào nút TIME BASE SELECT, chọn 0,1 s. Bấm nút M PRESET chọn M = 1.
Bấm nút N chọn N = 1. Các thông số trên sẽ x|c định thời gian đếm đặt trước bằng
giây. Ấn nút DISPLAY SELECT để chọn hiển thị bộ đếm 1 ở màn
hình phía trên. C|c nút STOP, RESET v{ COUNT dùng để dừng, đếm lại từ đầu, và bắt
đầu đếm. Bộ đếm 1 sẽ tích lũy 10 lần đếm (mỗi lần 1 giây) và thời gian giữa hai lần
đếm liên tiếp l{ 15 gi}y, sau đó khởi động lại và lặp lại chu trình trên.
6. Cất tất cả các nguồn có mặt ở khu vực xung quanh hai detector, và bật máy phát
xung 480. Chọn Counter 2 (bộ đếm 2) để hiển thị trên 974. Đảm bảo rằng bộ đếm hai
ghi được 60 số đếm trong 1 giây, hiển thị kết quả mỗi 15 gi}y, sau đó xóa số đếm về 0
và lặp lại chu trình đo trên (nếu tần số điện lưới khác 60 Hz thì giá trị hiển thị sẽ bằng
với tần số của điện lưới.)
7. Lặp lại bước 6, nhưng hiển thị bộ đếm số 4.

8. Chọn bộ đếm 3 để hiển thị. Điều chỉnh núm xoay DELAY trên cả hai SCA 551 cho
đến khi tốc độ đếm từ lối vào INPUT 3 của 974 đạt cực đại. Giá trị cực đại của số đếm
sẽ phải bằng 60 số đếm trên giây với nguồn điện có tần số 60 Hz. Khi điều chỉnh DELAY
của 551, nếu tốc độ đếm của lối v{o 3 đạt 60 số đếm/giây trong một khoảng giá trị nào
đó thì chọn giá trị DELAY ở giữa dải để sử dụng. Bước n{y đảm bảo cho tín hiệu từ các
tiền khuếch đại đều được đ|nh trễ một lượng như nhau khi đưa v{o lối vào của 414A.
Khóa núm xoay DELAY trên cả hai SCA 551 để tránh bị thay đổi không mong muốn
trong quá trình thao tác.
Hình 19.7. Sơ đồ khối của hệ điện tử trong phép đo tương quan góc gamma – gamma
Thiết lập cửa sổ năng lượng
9. Tắt m|y ph|t xung v{ đặt nguồn 60Co 1 đối diện với detector cố định.
10. X|c định SCA tương ứng với detector cố định, tiến h{nh c|c bước như sau:
a. Nối NEGative OUTput của SCA với NEGative INPUT của bộ tạo xung cổng và trễ
416A bằng cáp C-25-2 RG-58A/U50-Ω d{i 0,61 m.
b. Nối lối ra UNIpolar của khuếch đại phổ 575A tương ứng với detector cố định
với INPUT của khuếch đại trễ 427A bằng cáp C-24-2 RG-62A/U 93-Ω d{i 0,61 m.
c. Đảm bảo rằng OUTPUT của khuếch đại trễ 427A vẫn được nối với lối v{o tương
tự (INPUT) của EASY-MCA, và POSitive DELAYED OUTPUT của 416A vẫn được nối với
lối vào GATE của EASY-MCA.
d. Đảm bảo rằng các thông số về biên độ và DELAY của 427A và 416A vẫn phù hợp
với c|c điều kiện lựa chọn xung trong c|c bước 12, 13 và 14 của thực hành 19.1. Nếu
các thông số chưa phù hợp, tiến h{nh điều chỉnh để thỏa mãn các yêu cầu đ~ đưa ra.
Với thực hành 19.2, thời gian trùng phùng đặt bởi xung cổng không đóng vai trò quan
trọng như trong thực hành 19.1. Xung mở cổng có thể khởi ph|t trước đỉnh xung của
tín hiệu tương tự từ 0,5 đến 1,0 và kết thúc sau đỉnh xung tín hiệu từ 0,5 đến 1 .
e. Đặt EASY-MCA làm việc ở chế độ Coincidence và ghi phổ. Ta sẽ thu được phổ
đầy đủ của 60Co.
f. Chọn chế độ WINdow (cửa sổ) của SCA 551. Điều chỉnh núm xoay LOWER
LEVEL và WINDOW cho tới khi phổ thu được từ EASY-MCA chỉ chứa đỉnh 1,17 MeV
(hoặc 1,33 MeV, khi lặp lại bước này với detector chuyển động). Khóa núm xoay để
tránh bị thay đổi không mong muốn trong quá trình thao tác.
11. Lặp lại c|c bước 9 và 10 với SCA 551 và Khuếch đại phổ 575A của detector
chuyển động với nguồn 60Co 1 đặt đối diện, và cửa sổ SCA được đặt để chỉ ghi nhận
đỉnh 1,33 MeV.
Thiết lập đo số liệu trong 24 giờ
12. Cất nguồn 60Co hoạt độ 1 v{ đặt giá trị R cho mỗi detector là 20 cm.
13. Yêu cầu người quản lý phòng thí nghiệm đặt nguồn 60Co hoạt độ 100 lên
tâm của b{n đo, sao cho mặt phẳng của nguồn tạo với trục xuyên tâm của hai detector
một góc 45 độ. Hai detector lúc n{y đặt đối diện với nhau (180 độ).
14. Đặt DWELL của bộ đếm 974 về vị trí OFF để cho phép thực hiện các thao tác
điều khiển dừng/xóa/đếm theo ý muốn. Đặt giá trị N = 4 tương ứng với thời gian đo
1000 giây. Ấn nút reset, và bắt đầu đếm. Khi hết thời gian, ghi lại giá trị số đếm thu
được của bộ đếm 3.
15. Dựa trên kết quả thu được trong bước 14, tính toán thời gian cần để tích lũy
được 10.000 số đếm trên bộ đếm 3. Câu trả lời sẽ là khoảng 17 giờ. Đặt tham số đặt
trước thời gian của M và N sao cho thời gian đếm nhỏ hơn 24 giờ một chút. Điều này sẽ
đảm bảo cho độ lệch chuẩn của số đếm trùng phùng trên bộ đếm 3 nhỏ hơn 1%. Ngo{i
ra, việc đặt thời gian đo bằng 24 giờ cũng giúp người làm thí nghiệm thuận tiện hơn
trong quá trình ghi số liệu, và chuẩn bị cho phép đo tiếp theo (thay đổi góc).
16. Đặt góc bằng 180o một cách cẩn thận (Hình 19.3). Khởi động lại khối đếm
974 và bắt đầu thực hiện phép đo kéo d{i 24 giờ. Sau khi hết thời gian đo, ghi lại số
đếm từ các bộ đếm 2, 3, 4 của khối 974, lần lượt gọi các giá trị trên là N2, N3, và N4.
Đồng thời với đó, ghi lại thời gian đếm từ bộ đếm 1. N2 v{ N4 tương ứng với số các tia
gamma đi v{o detector chuyển động và detector cố định (cả trùng phùng và không
trùng phùng đều ghi nhận) N3 là tổng các sự kiện trùng phùng bao gồm trùng phùng
thực và trùng phùng ngẫu nhiên. Để x|c định tốc độ trùng phùng thực, ta cần đưa v{o
một hệ số hiệu chỉnh để x|c định số sự kiện trùng phùng ngẫu nhiên. Tốc độ trùng
phùng ngẫu nhiên được x|c định theo công thức sau:
( )( ) ( )
Trong đó là thời gian trùng phùng được lựa chọn trên khối trùng
phùng 414A. Như vậy, giá trị của hệ số tương quan góc ( ) là:
( ) ( )
(độ)
Hình 19.8. Tương quan góc l{ thuyết và thực nghiệm với nguồn 60Co
17. Khi thời gian đo kết thúc, đọc và ghi lại giá trị của , t, N2, N3 và N4. Lặp lại các phép
đo trong bước 16 v{ x|c định ( ) của các góc 180o , 160o , 140o , 120o , 100o , và 90o.
Bài tập
a. Để dễ so sánh các giá trị thực nghiệm với giá trị lý thuyết tính theo công thức 1,
ta sẽ biểu diễn ( ) theo , trong đó ( ) được tính như sau:
( )
( ) ( )
( )
Biểu diễn ( ) thực nghiệm theo . Thực hiện tương tự với ( ) tính theo lý thuyết
từ dữ liệu trong bảng 19.1. Kết quả thu được sẽ có dạng gần như trong Hình 19.8. Trên c|c
điểm dữ liệu thực nghiệm, thêm vào phần biểu diễn độ lệch chuẩn thống kê.
b. X|c định độ bất đẳng hướng từ dữ liệu thực nghiệm. So sánh giá trị thực nghiệm
với giá trị lý thuyết.
c. Thực hiện khớp bình phương tối thiểu với c|c điểm thực nghiệm để x|c định các
hệ số của h{m tương quan. So s|nh chúng với các giá trị đưa ra trong công thức (1).
d. Hiệu ứng nào cho thấy ảnh hưởng của độ phân giải góc tới kết quả đo?
e. Trong thực hành này, thời gian chết ho{n to{n không được hiệu chỉnh. Điều này
ảnh hưởng thế n{o đến kết quả thu được?
g. Hiệu ứng nào của sự bổ chính trùng phùng ngẫu nhiên xuất hiện trên độ lệch
chuẩn thống kê của ( )?
h. Công thức (A-3) trong phụ lục cần phải thay đổi như thế n{o để phù hợp với
h{m tương quan góc?

3. H. A. Enge, Introduction to Nuclear Physics, Addison-Wesley, Massachusetts (1966).
4. M. Lederer and V. S. Shirley, Eds., Table of Isotopes, 7th Edition, John Wiley and Sons,
Inc., New York (1978). See also the on-line resource at http://www.nndc.bnl.gov.
5. K. Siegbahn, Ed., Alpha, Beta, and Gamma-Ray Spectroscopy, North Holland
Publishing Co., Amsterdam (1965).
7. W. Mann and S. Garfinkel, Radioactivity and its Measurement, Van Nostrand-
(1979).
9. J. B. Marion and F. C. Young, Nuclear Reaction Analysis, John Wiley and Sons, New
York (1968).
PHỤ LỤC:
Các nguyên tắc về khoảng cách nguồn - detector,
tốc độ và thời gian đếm
Các bảng sau đ}y cung cấp các nguyên tắc khi điều chỉnh khoảng cách nguồn –
chuẩn trực, R, để đạt được tốc độ đếm mong muốn trong khoảng thời gian đếm có thể
thực hiện được với nguồn 60Co hoạt độ 100 . Khoảng cách R cần phải như nhau với
cả detector cố định và detector chuyển động.
Tốc độ đếm ước lượng của một detector (số đếm/gi}y) được x|c định theo
phương trình (A-1)
( ) (A-1)
Trong đó:
là hoạt độ của nguồn tính theo
là số phân rã trên giây của 1 ;
là xác suất phân rã của cặp gamma nối tầng 1,17 MeV/1,33 MeV;
là hiệu suất ghi nội toàn phần của detector với gamma năng lượng 1,17 MeV;
là hiệu suất ghi nội toàn phần của detector gamma năng lượng 1,33 MeV;
là góc nhìn (góc khối) từ nguồn điểm đến miệng chuẩn trực;
là góc khối toàn phần trong hình cầu bán kính R bao xung quanh nguồn điểm.
Góc khối nhỏ có thể được biểu diễn theo công thức sau:
( ) ( )
(A-2)
Trong đó d l{ đường kính trong của chuẩn trực.

Tốc độ trùng phùng thực (số đếm trên giây) của hai đỉnh hấp thụ quang điện 1,17
MeV v{ 1,33 MeV được tính theo phương trình (A-3).
( ) ( )
Trong đó là hiệu suất nội của đỉnh quang điện của detector với gamma năng
lượng 1,17 MeV; là hiệu suất nội của đỉnh quang điện của detector với gamma
năng lượng 1,33 MeV.
Phương trình (A-3) giả thiết rằng tương quan góc giữa hai gamma l{ đẳng hướng.
Giả thuyết này thích hợp dùng để đ|nh gi| tốc độ đếm cho mục đích thiết lập thông số
hệ đo, do tương quan góc trong thí nghiệm chỉ thay đổi 17% trên toàn bộ dải góc có thể
đo. Với các sự kiện trùng phùng thực, cả hai gamma được ghi nhận đều đến từ cùng
một nguyên tử. Như vậy, các sự kiện trùng phùng thực có thể được gọi là các sự kiện
trùng phùng có tương quan.
Thực tế hệ đo có thể ghi nhận các cặp sự kiện mà gamma 1,17 MeV phát ra từ một
hạt nhân, còn gamma 1,33 MeV phát ra từ một hạt nhân khác tại cùng một thời điểm.
Hai gamma này nếu đ|p ứng thời gian trùng phùng của hệ sẽ được hệ ghi nhận. Các sự
kiện trùng phùng như vậy được gọi là trùng phùng ngẫu nhiên, hay trùng phùng không
tương quan. Khối 414A x|c định toàn bộ các sự kiện trùng phùng, nghĩa l{ bao gồm cả
trùng phùng thực và trùng phùng ngẫu nhiên. Như vậy, tốc độ trùng phùng ngẫu nhiên
cần phải được tính trong thực nghiệm thông qua tốc độ đếm đơn của từng detector và
thời gian trùng phùng của hệ. Tốc độ trùng phùng tổng m{ ta thu được trừ đi tốc độ
trùng phùng ngẫu nhiên sẽ cho ta tốc độ trùng phùng thực.
Trong thực nghiệm, tốc độ trùng phùng ngẫu nhiên , có thể được tính theo
công thức (A-4):
, ( )- , ( )- (A-4)
Chia phương trình (A-3) cho phương trình (A-4), ta thu được tỷ số tốc độ trùng
phùng ngẫu nhiên trên tốc độ trùng phùng thực. Tỷ số này phụ thuộc vào hoạt độ của
nguồn A, và cửa sổ thời gian trùng phùng . Điều này giải thích tại sao cửa sổ thời
gian trùng phùng trong thực hành 19.1 càng lớn, nguồn càng cần có hoạt độ nhỏ.
(A-5)
Ta có thể thấy trong Bảng 19-A.1, tốc độ trùng phùng ngẫu nhiên bằng khoảng
37% tốc độ trùng phùng thực trong thực hành 19.2, với cửa sổ thời gian trùng phùng
100 ns và hoạt độ nguồn 100 . Với thực hành 19.1, tốc độ trùng phùng ngẫu nhiên
của đỉnh quang điện chỉ xấp xỉ 3,7% tốc độ trùng phùng thực của đỉnh quang điện do
nguồn hoạt độ1 và cửa sổ thời gian trùng phùng là s.
Đường kính trong 2,54 cm của khối chuẩn trực chì trước mặt detector NaI(Tl)
2  2 inch cải thiện tỷ số số đếm đỉnh quang điện/tổng số đếm trong phổ do loại bỏ
được c|c tương t|c t|n xạ Compton xảy ra ở vùng biên của tinh thể nhấp nháy. Các sự
kiện bức xạ đi v{o detector chỉ tiêu hao một phần năng lượng do tán xạ Compton sau
đó tho|t ra ngo{i sẽ được giảm bớt. Hệ số hấp thụ tuyến tính toàn phần có thể được sử
dụng trong công thức (A-6) để tính hiệu suất nội của detector NaI(Tl) có chuẩn trực:
( ) (A-6)
Trong đó là hệ số hấp thụ tuyến tính toàn phần của NaI ở năng lượng photon
cần tính, và là bề dày của tinh thể nhấp nháy.
Detector NaI(Tl) 2  2 inch được chuẩn trực sẽ có tỷ số (số đếm đỉnh)/(số đếm
toàn phổ) gần bằng detector 3  3 inch không chuẩn trực. Do đó, hiệu suất ghi nội
trong công thức (A-6) có thể được nhân với tỷ số (số đếm đỉnh)/(số đếm toàn phổ) của
detector 3  3 inch để đ|nh gi| hiệu suất nội. Một c|ch kh|c để đ|nh gi| hiệu suất nội
l{ đo tỷ số (số đếm đỉnh)/(số đếm toàn phổ) của các detector đ~ được chuẩn trực,
nhân tỷ số thu được với hiệu suất ghi nội để x|c định hiệu suất ghi nội tại đỉnh quang
điện của detector. Phương ph|p thứ nhất được sử dụng để x|c định các giá trị trong
bảng 19-A.1. Tuy nhiên, phương ph|p thứ hai có độ chính x|c cao hơn.
Bảng 19-A.1 đ|nh gi| độ phân giải góc, tốc độ đếm đơn, v{ tốc độ đếm trùng phùng
của các detector đ~ được chuẩn trực theo khoảng cách R. Bảng cũng đưa ra thời gian đo
cần để đạt được bất định thống kê 1% trong chế độ trùng phùng của thực h{nh 19.2. Để
tránh sự trôi hệ số khuếch đại theo tốc độ đếm, tốc độ đếm của detector NaI(Tl) (tốc độ
đếm đơn) nên được giữ ở giá trị nhỏ hơn 10.000 số đếm/gi}y. Như vậy, trong thực hành
19.2 khoảng cách từ nguồn đến chuẩn trực sẽ phải lớn hơn 13 cm.
Trong thực hành 19.2, nếu giảm R, thời gian đo để đạt tới bất định thống kê 1% sẽ
giảm xuống. Tuy nhiên, độ phân giải góc sẽ tồi đi do R nhỏ. Giá trị R = 20 cm trong bảng
19-A.1 là giá trị tối ưu giữa độ phân giải góc và thời gian đếm trong phép đo tương
quan góc.
Các thông số được sử dụng để tính toán kết quả trong Bảng 19-A.1 được tổng hợp
trong Bảng 19-A.2.
Khoảng Thời gian đo

Tốc độ trùng Tốc độ trùng
cách từ Độ phân Tốc độ đếm trùng phùng
phùng thực, phùng ngẫu
nguồn đến giải góc đơn (số để đạt bất
, nhiên,
chuẩn trực, (độ) đếm/giây) định thống
(số đếm/giây) (số đếm/giây)
R(cm) kê 1% (giờ)
30 4,8 2020 0,024 115,9 0,0089
28 5,2 2319 0,032 88 0,0117
26 5,6 2690 0,042 65,4 0,0157
24 6,1 3157 0,058 47,5 0,0216
22 6,6 3757 0,083 33,5 0,0306
20 7,3 4546 0,121 22,9 0,0448
18 8,1 5612 0,185 15 0,0683
16 9,1 7103 0,296 9,4 0,1095
14 10,4 9277 0,505 5,5 0,1868
12 12,1 12627 0,936 3 0,346
Nguồn 100 = hoạt độ nguồn 60Co;

3,70E+04 = số phân rã mỗi giây mỗi ;
0,999 = xác suất phát gamma nối tầng 1,17 MeV và 1,33 MeV.
Hình học R = khoảng cách từ nguồn đến chuẩn trực;
2,54 cm = đường kính trong của chuẩn trực.
Detector: NaI(Tl) 0,62 = hiệu suất ghi nội của detector với gamma 1,17 MeV;
2  2 inch được 0,60 = hiệu suất ghi nội của detector với gamma 1,33 MeV;
chuẩn trực với 0,31 = tỷ số số đếm đỉnh 1,17 MeV trên tổng số đếm của phổ;
đường kính lỗ chuẩn 0,28 = tỷ số số đếm đỉnh 1,33 MeV trên tổng số đếm của phổ;
trực bằng 2,54 cm
0,19 = hiệu suất ghi nội của detector tại đỉnh 1,17 MeV;
0,17 = hiệu suất ghi nội của detector tại đỉnh 1,33 MeV;
10000 = tốc độ đếm đơn cực đại được phép để tránh trôi phổ.
Trùng phùng 1,00E-07 = thời gian trùng phùng (giây)
298
NGHIÊN CỨU PHÂN RÃ CỦA 244Cm

BẰNG TRÙNG PHÙNG ALPHA VÀ TIA-X
Thực hành này sử dụng kỹ thuật đo trùng phùng giữa hạt alpha và tia X và kiểm
chứng sơ đồ phân rã alpha của 244Cm.
- Detector 5T1200B2/2 (Alpha Spectra) 1,2  0,2 inch NaI(Tl) với PMT và cửa sổ
Be mỏng để đo tia X;
- Detector Si đo hạt tích điện loại BU-021-450-100 ULTRA™;
- Đế ống nhân quang 266;
- Tiền khuếch đại nhấp nháy 113;
- Tiền khuếch đại 142C;
- 02 khuếch đại 575A;
- Khối phân tích thời gian đơn kênh 551;
- Khối khuếch đại trễ 427A;
- Khối 416A tạo xung trễ mở cổng;
- EASY-MCA 8K bao gồm một cáp USB, máy tính và phần mềm MAESTRO-32 phù hợp;
+ 02 c|p đồng trục C-24-1/2 RG-62A/U93-Ω, đầu nối BNC, dài 15 cm (1/2 ft);
+ 03 c|p đồng trục C-24-2 RG-62A/U93-Ω, đầu nối BNC, dài 0,61 m (2 ft);
Bài thực hành số 20: Nghiên cứu phån rã của 244Cm bằng trùng phùng alpha và tia-X 299
+ 02 c|p đồng trục C-36-12 RG-59A/U75-Ω, đầu nối SHV, dài 3,7 m (12 ft);
- Buồng chân không AXIOM 305-AX (với đầu nối chân không Microdot C-13 để nối
với detector ULTRA, gi| đỡ nguồn có thể điều chỉnh, và cửa sổ buồng bằng sợi cacbon
dày 0,9 mm để tia X đi qua);
- Dao động ký 2 kênh TDS3032C 300 MHz;
- 01 nguồn phóng xạ Cm-244 AF-244-PM-0.1 (Eckert & Ziegler) hoạt độ 0,1 µCi
(có một cửa sổ trước mỏng để phát alpha và cửa sổ mỏng bên hông để phát tia X);
- 01 nguồn phóng xạ Cs-137S hoạt độ 1 µCi;
- 01 nguồn phóng xạ Co-57 GF-057-M-5 (Eckert & Ziegler) hoạt độ 5 µCi, có cửa sổ
mỏng cho tia X 6,4 keV v{ tia gamma 14,1 keV đi qua. Nguồn này cần phải được cấp
giấy phép sử dụng.
Thiết bị khác
• Tuốc nơ vít tinh chỉnh.
Những sự kiện trùng phùng như (-) đ~ được nghiên cứu trong nhiều thực hành
trước đ}y. Sơ đồ phân rã 244Cm (hình 20.1) cho thấy rằng năng lượng của 2 loại hạt
alpha tồn tại trong phổ của hạt tích điện. C|c năng lượng đó l{ 5,806 MeV v{ 5,763 MeV.
Hình 20.2 là phổ hạt alpha đặc trưng của 244Cm đo với detector Si.
Hình 20.1. Sơ đồ phân rã của 244Cm Hình 20.2. Phần năng lượng cao trong phổ
alpha của 244Cm
Chi tiết về c|ch đo hạt mang điện tích bằng detector silic được mô tả trong thực
hành số 4. Mức 43 keV trong hình 20.1 sẽ giải kích thích bằng sự biến hóa nội. Tỉ số
giữa số electron biến hóa nội và số tia gamma đối với mức n{y l{ 760, nghĩa l{ trung
bình sẽ có 760 electron biến hóa nội được tạo ra so với mỗi tia gamma 43 keV. Quá
trình biến hóa nội này buộc phải liên quan đến electron ở lớp L hoặc M, vì năng lượng
liên kết của electron lớp K l{ 122 keV đối với 240Pu. Nói c|ch kh|c năng lượng 43 keV
không đủ để đ|nh bật electron ra khỏi lớp vỏ K có liên kết chặt. Do đó, trong hầu hết
c|c trường hợp, α1 sẽ bị trùng phùng với tia X từ lớp L do quá trình biến hóa nội. Thực
hành này sẽ chứng tỏ rằng α1 và chỉ α1 trùng phùng với tia X do electron biến hóa nội
từ trạng thái 43 keV tạo ra.

1. Kết nối hệ thống như trong hình 20.3. Chi tiết như sau:
Hình 20.3. Sơ đồ kết nối thiết bị điện tử cho thực hành 20

2. Đối với detector NaI(Tl):
a. Tắt nguồn NIM và nguồn nuôi HV 556.
b. Đảm bảo rằng công tắc phân cực phía sau trên 556 được đặt ở Positive. Chỉnh
bộ điều khiển HV xuống giá trị thấp nhất.
c. Dùng cáp C-36-12 RG-59B/U75-Ω, d{i 3,7 m nối lối ra HV 556 với input POS của
đế PMT 226 của detector NaI(Tl).
d. Dùng cáp C-24-1/2 RG-62A/U93-Ω, d{i 15 cm nối lối ra ANODE của đế PMT 226
với INPUT của tiền khuếch đại 113. Đặt CAPacitance INPUT của tiền khuếch đại là 0 pF.
e. Kiểm tra v{ đặt thời gian hình thành xung của khuếch đại 575A nối với detector
NaI(Tl) ở 0,5 µs.
f. Nối cáp nguồn cho tiền khuếch đại 113 với PREAMP POWER ở mặt sau của
khuếch đại 575A. Dùng một c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-Ω, d{i 3,7 m nối
OUTput tiền khuếch đại 113 với INPUT trên khuếch đại 575A. Đặt phân cực xung vào
là Negative trên bộ khuếch đại 575A.
g. Nối lối ra xung lưỡng cực (Bipolar) của khuếch đại 575A với INPUT DC của SCA
551 bằng c|p đồng trục C-24-2 RG-62A/U93-Ω d{i 0,61 m.
h. Kiểm tra các chuyển mạch LL REF và STROBE ở mặt sau của SCA 551 đều ở vị
trí INTernal. Ở mặt trước chuyển mạch được đặt ở NORmal, và công tắc DELAY range
trong dải 0,1  1,1 µsec. Xoay nút DELAY về giá trị thấp nhất và UPPER LEVER về vị trí
cao nhất. Xoay LOWER LEVEL về khoảng 0,1 V.
i. Nối lối ra POSitive của SCA 551 vào POSitive INPUT của 416A bằng c|p đồng
trục C-24-2 RG-62A/U93-Ω d{i 0,61 m. Nối POSitive DELAYED của 416A với Gate của
EASY-MCA bằng c|p đồng trục C-24-8 RG-62A/U93-Ω d{i 2,4 m. Đảm bảo EASY-MCA
được nối với máy tính bằng cáp USB.
3. Đối với detector Si đo hạt mang điện:
a. Đảm bảo rằng nút thay đổi cao áp trên khối cao |p 428 đ~ xoay về giá trị thấp
nhất và nguồn điện cấp cho cao |p đ~ được tắt đi. Nối đầu ra của 428 với BIAS của tiền
khuếch đại 142C bằng cáp C-36-12 RG-59B/U75-Ω d{i 3,7 m.
b. Xác nhận detector silic đ~ được lắp vào buồng chân không và tín hiệu ra của nó
đ~ nối với đầu nối ch}n không. Để tr|nh g}y hư hại detector, không chạm vào vùng
nhạy của detector.
c. Nối đầu BNC ở phía ngoài buồng chân không với đầu vào tiền khuếch đại 142C
bằng cáp C-24-1/2 RG-62A/U93-Ω d{i 15 cm.
d. Nối cáp nguồn cho tiền khuếch đại 142C với PREAMP POWER ở mặt sau trên bộ
khuếch đại 575A. Đảm bảo rằng hằng số thời gian của khuếch đại ở 1,5 µs. Dùng cáp
đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-Ω d{i 3,7 m; nối lối ra E của tiền khuếch đại 142C với
lối vào của khuếch đại 575A. Chọn phân cực cho xung lối vào 575A là POSitive.
e. Nối lối ra UNI của khuếch đại 575A với lối vào của khuếch đại trễ 427A bằng cáp
đồng trục C-24-2 RG-62A/U93Ω dài 0,61 m.
f. Nối lối ra của 427A với lối vào tín hiệu tương tự của EASY-MCA bằng c|p đồng
trục C-24-8 RG-62A/U93-Ω dài 2,4 m.
4. Nguồn và buồng chân không:

a. CHÚ Ý: 244Cm là nguồn alpha dạng cửa sổ mỏng. Vật liệu nguồn là một lớp mỏng
phủ lên một mặt của phôi kim loại mỏng. Mặt phát alpha của nguồn phải được đặt
hướng về detector Ultra trong buồng ch}n không để hạn chế thấp nhất sự mất năng
lượng của hạt alpha. KHÔNG ĐƯỢC CHẠM VÀO VÙNG NÀY CỦA NGUỒN 244Cm.
b. Đặt nguồn 244Cm cách khoảng 25 cm trước detector Ultra trong buồng chân
không. Hút chân không trong buồng xuống thấp hơn 200 µm bằng bơm hút ch}n không.
c. Đặt detector NaI(Tl) sát buồng, vào vị trí dò hiệu quả tia X từ nguồn alpha thông qua
cửa sổ mỏng của buồng chân không. Nên đặt detector NaI(Tl) cách nguồn khoảng 2,5 cm.
5. Cấp cao thế cho detector NaI(Tl) và các hiệu chỉnh:
a. Bật nguồn cho khung NIM và máy tính có cài EASY-MCA.
b. Nối UNIpolar của khuếch đại 575A của kênh nối với detector NaI(Tl) với input
của khuếch đại trễ 427A theo đường gạch đứt trong hình 20.3.
c. Thông qua phần mềm MAESTRO-32, đặt Gate OFF và chọn dải biến đổi là 1024 kênh.
d. Bật nguồn khối cao thế 556 và chọn điện thế theo khuyến cáo của nhà sản xuất
detector.
e. Điều chỉnh hệ số khuếch đại của 575A của kênh nối với detector NaI(Tl) để thu
phổ trên MCA như trong hình 20.4. Việc sử dụng năng lượng 6,4 keV và 14,4 keV từ
nguồn 57Co và tia X 32,2 keV từ nguồn 137Cs sẽ rất thuận tiện để chuẩn năng lượng cho
phổ n{y như thể hiện trong hình 20.4. Tia X quan s|t được trong hình 20.4 là các tia X
trên lớp L do sự biến hóa nội của mức 43 keV trong 240Pu.
f. Nếu PZ của khuếch đại 575A chưa được thay đổi để phù hợp với tiền khuếch đại
113 thì thực hiện c|c bước hiệu chỉnh đường không theo phụ lục.
Hình 20.4. Phổ tia X của nguồn 244Cm đo bằng detector NaI(Tl) cửa sổ mỏng
6. Điều chỉnh SCA 551:

a. Khi lối ra Unipolar của 575A vẫn nối với lối vào của khuếch đại trễ 427A, khởi
phát (trigger) tín hiệu bằng tín hiệu lối ra DELAYED NEGative của 416A.
b. Nối lối ra DELAYED Positive của 416A với 1 lối vào của dao động ký. Chỉnh biên
độ tín hiệu logic về khoảng +5 V. Đặt COARse gain và FINE gain ở giá trị thấp nhất.
c. Nối OUTPUT của khuếch đại trễ 427A với lối vào thứ 2 trên dao động ký.
d. Chọn giá trị trễ thấp nhất trên 427A để tín hiệu lối ra UNIpolar Positive của
khuếch đại 575A bắt đầu ngay sau sườn lên của tín hiệu logic dương của 461A.
e. Điều chỉnh ĐỘ RỘNG v{ ĐỘ TRỄ của tín hiệu lối ra của 416A sao cho xung gate
bắt đầu tại điểm xung lối ra Unipolar của 575A xuất hiện và kéo dài 4 µs (với detector
nhấp nh|y, độ rộng này sẽ ngắn hơn còn với detector silic thời gian kéo dài của xung
gate cần đặt 4 µs).
f. Nối lại lối ra POSitive DELAYED của khối 416A với gate của EASY-MCA và lối ra
của 427A với lối v{o tương tự của EASY-MCA.
g. Thông qua phần mềm MEASTRO-32, bật gate ON. Đặt ngưỡng dưới v{ ngưỡng
trên của khối 551 sao cho có thể thu được c|c đỉnh tia X 14,2 keV, 18,2 keV và 21,6 keV.
Kho| c|c nút điều chỉnh ngưỡng.
h. Th|o đầu nối tín hiệu ra của 427A với khuếch đại 575A của kênh nối với
detector NaI(Tl) v{ thay v{o đó l{ nối với lối ra UNIpolar của khuếch đại 575A của
kênh nối với detector silic.
7. Điều chỉnh tín hiệu gate cho detector silic:
a. Bật nguồn cao áp cho detector 428, chú ý cao |p dương. Vặn nút tăng thế chậm
theo khuyến cáo cho detector silic.
b. Quan sát lối ra của khuếch đại trễ 427A trên dao động ký cùng với xung tương
tự. Thay đổi hệ số khuếch đại của khuếch đại 575A của kênh detector hạt mang điện để
thu được biên độ xung nằm trong khoảng +8 V v{ +9 V tương ứng với hạt alpha có
năng lượng 5,763 MeV và 5,806 MeV.
c. Nếu PZ của khuếch đại 575A chưa được thay đổi để phù hợp với tiền khuếch đại
113 thì thực hiện c|c bước hiệu chỉnh cực không theo phụ lục.
d. Dùng c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-Ω dài 3,7 m nối lối ra trực tiếp của
máy phát xung 480 với lối vào xung test của tiền khuyếch đại 113. Đặt phân cực
Negative cho xung máy phát và bật máy phát xung.
e. Quan sát tín hiệu lối ra Unipolar của khuếch đại 575A trên dao động ký. Thay
đổi CAL và chỉnh biên độ xung trên m|y ph|t xung 480 để có được biên độ +5 V ở lối ra
Unipolar.
f. Kiểm tra xem tín hiệu gate của 416A có mở cổng cho từng sự kiện từ máy phát
xung hay không. Nếu không, thay đổi biên độ xung cho đến khi biên độ xung nằm trong
cửa sổ đ~ chọn của SCA 551. Khóa núm vặn thay đổi biên độ xung.
g. Dùng c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-Ω d{i 3,7 m, nối lối ra Attenuated của
máy phát xung 480 với input test của tiền khuếch đại 142C.
h. Quan sát tín hiệu lối ra của 427A trên dao động ký. Điều chỉnh công tắc
Attenuator trên m|y ph|t xung 480 đến khi biên độ xung nằm trong dải từ +1 đến +9 V.
i. Khởi ph|t dao động ký bằng tín hiệu lối ra Negative của khối 416A.
j. Quan sát cả tín hiệu lối ra của 427A và tín hiệu lối ra dương đ~ l{m trễ của 416A
trên dao động ký. Tinh chỉnh giá trị trễ của 427A và 416A nếu cần thiết để đảm bảo
xung gate bắt đầu cùng thời điểm với xung của 427A v{ kéo d{i vượt qu| biên độ đỉnh
của xung lối ra của 427A. Điều chỉnh n{y tương tự như bước 6d và 6e.
k. Tắt máy phát xung 480 v{ đảm bảo tín hiệu lối ra dương đ~ l{m trễ của 416A được
nối với INPUT Gate và tín hiệu ra của 427A được nối với INPUT analog của EASY-MCA.
l. Đặt dải biến đổi của EASY-MCA ở 8192 kênh cho toàn dải v{ đảm bảo rằng cổng
trùng phùng đ~ tắt (Gate OFF).
m. Phổ được quan sát sẽ có dạng như trên hình 20.2. Điều chỉnh hệ số khuếch đại
của khối khuếch đại 575A để thu nhận được c|c đỉnh alpha năng lượng 5,763 MeV và
5,806 MeV trên phổ EASY-MCA.
Hình 20.5. Phổ năng lượng của nguồn 244Cm, có các đỉnh alpha 5,763 MeV và 5,806 MeV.
Đỉnh có nét đứt sẽ biến mất khi trùng phùng với tia X
8. Kiểm tra xem xung mở cổng của 416A đ~ được nối với Gate của EASY-MCA hay
chưa. Thông qua phần mềm MAESTRO-32, bật gate ON v{ đo số liệu.
9. Tiến hành thu nhận phổ trên MCA cho đến khi thấy rằng đỉnh alpha 5,806 MeV
không còn xuất hiện trong phổ. Khoảng thời gian đo cần thiết đối với nguồn 244Cm hoạt
độ 0,1 µCi vào khoảng 1 đến 2 giờ. Phổ thu được sẽ tương tự hình 20.5 vì tia alpha
5,763 MeV trùng phùng với tia X và sẽ xuất hiện trong phổ còn các tia alpha 5,806 MeV
sẽ không trùng phùng với tia X nên nó sẽ bị loại khỏi phổ.
Kết quả này xác nhận rằng phân rã alpha 5,763 MeV của 244Cm là trạng thái kích
thích của 240Pu ở 43 keV v{ ph}n r~ alpha 5,806 MeV tương ứng với sự dịch chuyển
trực tiếp về trạng thái bền của 240Pu.
10. Tắt cao áp của detector. Đưa buồng về áp suất khí quyển. Lấy nguồn ra v{ đưa
vào container để che chắn và cất giữ cẩn thận.
(1979).
2. K. Siegbahn, Ed., Alpha, Beta, and Gamma-Ray Spectroscopy, North Holland
Publishing Co. Amsterdam (1965).
3. G. Dearnaley, “Nuclear Radiation Detection by Solid State Devices”, J. Sci, Instrum.,
43, 869 (1966).
Sons, Inc.New York (1978).
6. R. D. Evans, The Atomic Nucleus, McGraw-Hill (1955).
Phụ lục
Mô tả thiết bị
Gi| đỡ nguồn phóng xạ là loại có thể điều chỉnh được, có thể di chuyển dọc theo
trục đo khoảng 2 inch (5,1 cm). Điều n{y cho phép người thực hành mở rộng tối đa
hình học đo giữa detector silic đo hạt mang điện và detector đo tia gamma hoặc tia X.
Buồng sử dụng detector silic Ultra Ion-Implanted của Ortec với đầu nối chân không
Microdot có chuyển đổi BNC.
Hình 20.6. Buồng chân không model 305

Buồng chân không model 305 có cửa sổ nhựa mỏng như hình 20.6 được sản xuất
đầu tiên bởi Metrix, và hiện tại không còn được sản xuất. Buồng chân không 305-AX
Axiom có thiết kế tương tự, nhưng nó có cửa sổ màn cacbon, cho phép 80 ÷ 90% tia X
lớp L của Pu truyền qua.
Điều chỉnh PZ cho tín hiệu ra của khuếch đại 575A với detector NaI(Tl) và tiền
khuếch đại 113
1. Đặt nguồn 137Cs hoặc 57Co trước detector NaI(Tl).
2. Nối lối ra Unipolar của khuếch đại 575A với lối v{o 1 MΩ của dao động ký.
3. Đặt thang đo của dao động ký theo chiều ngang l{ 50 µs/ô v{ thang đo theo
chiều đứng là 100 mV/ô.
4. Dùng tuốc nơ vít dẹt nhỏ, điều chỉnh PZ ADJ trên khuếch đại 575A để xung lối ra
Unipolar trở về đường cơ sở càng nhanh càng tốt mà không làm lệch đường cơ sở của
c|c xung. Để có chỉ dẫn chi tiết hơn về điều chỉnh PZ, tham khảo hướng dẫn sử dụng
của khuếch đại hoặc tài liệu giới thiệu khuếch đại trên trang web của Ortec
5. Lấy nguồn phóng xạ ở bước 1 ra và trả lối ra Unipolar của 575A về vị trí nối ban
đầu của thí nghiệm.
Điều chỉnh PZ cho tín hiệu ra của khuếch đại 575A với detector Silic và tiền
khuếch đại 142C
1. Đảm bảo có nguồn phóng xạ ph|t alpha có năng lượng tối thiểu 5 MeV.
2. Nối lối ra Unipolar của khuếch đại 575A với lối v{o 1 MΩ của dao động ký.
3. Đặt thang đo của dao động ký theo chiều ngang là 1 ms/ô v{ thang đo theo
chiều đứng là 100 mV/ô.
4. Dùng tuốc nơ vít dẹt nhỏ, điều chỉnh PZ ADJ trên khuếch đại 575A để xung lối ra
Unipolar trở về đường cơ sở càng nhanh càng tốt mà không làm lệch đường cơ sở của
các xung.
5. Để có chỉ dẫn chi tiết hơn về điều chỉnh PZ, nên tham khảo hướng dẫn sử dụng
của khuếch đại hoặc tài liệu giới thiệu khuếch đại trên trang web của Ortec
6. Trả kết nối lối ra Unipolar của 575A về vị trí ban đầu và cất nguồn phóng xạ
alpha nếu không cần sử dụng tiếp.
308
KHÂO SÁT SỰ ION HÓA LỚP BÊN TRONG NGUYÊN TỬ

BẰNG HẠT ALPHA TỪ NGUỒN 241Am
Hạt alpha từ nguồn 241Am sẽ được sử dụng để kích thích l{m ph|t c|c tia X đặc
trưng từ một mẫu nhôm. Phần lớn các kỹ thuật được sử dụng giống như trong c|c thực
hành 8, 11 và 12. Sự khác biệt là các thực h{nh trước sử dụng photon để kích thích làm
ph|t c|c tia X đặc trưng, còn trong thực hành này sử dụng alpha từ nguồn 241Am. Kết
quả thực nghiệm sẽ được so sánh với tính toán lý thuyết theo tương t|c Coulomb cho
sự ion hóa trong vật chất. Chúng ta cũng sẽ phải sử dụng các kỹ thuật trong các thực
hành 4, 5 v{ 8 để thực hiện c|c phép đo trong b{i thực hành này.
Trong thí nghiệm này, các thiết bị của ORTEC l{ không đầy đủ. Do đó, người quản
lý phòng thí nghiệm sẽ cần phải mua thêm một số thiết bị từ các nhà cung cấp khác.
Xem danh sách thiết bị để biết chi tiết.
- Detector hàng rào mặt ULTRA™ BU-015-100-100;
- Detector Si(Li): SLP-06165-OPT-0.5/CFG-LP-DWR-13B;
- Khung NIM và nguồn nuôi 4006 (Mini BIN).
- Tiền khuếch đại 142B;
- Khuếch đại phổ 672;
- Khối cao áp 428;
- Khối cao áp 659,5 kV;
- EASY-MCA 8k, gồm 1 c|p USB, m|y tính tương thích v{ phần mềm MAESTRO-32;
- Dây c|p v{ đầu nối:
+ 01 c|p đồng trục C-24-1/2 RG-62A/U93-Ω, đầu nối BNC, dài 15 cm (1/2 ft);
Bài thực hành số 21: Khâo sát sự ion hóa lớp bên trong nguyên tử bằng hät alpha… 309
+ 01 c|p đồng trục C-36-12 RG-59A/U75-Ω, đầu nối SHV, dài 3,7 m (12 ft);
- Buồng chân không 807 v{ bơm hút ch}n không ALPHA-PPS-230;
Thiết bị từ nhà cung cấp khác
- Nguồn 241Am dùng kích thích, hoạt độ 1 mCi;
- Nguồn 241Am hoạt độ 0,1 µCi;
- Nguồn 55Fe hoạt độ 1 µCi;
- Nguồn 57Co hoạt độ 1 µCi;
- Nguồn 54Mn hoạt độ 1 µCi;
- Nguồn 65Zn hoạt độ 1 µCi;
- Chuẩn bị ít nhất 10 tấm phim hấp thụ mylar 0,229 mg/cm2 (±5%);
- Chuẩn bị ít nhất 1 lá nhôm tinh khiết làm bia với bề dày 0,26 mg/cm2;
- Tuốc nơ vít nhỏ dẹt để điều chỉnh;
- Dao động ký 2 kênh số TDS3032C, 300 MHz.
Tiết diện của một loại phản ứng n{o đó được định nghĩa l{ x|c suất tương đối xảy
ra loại tương t|c đó. Trong thực hành này, ta sử dụng các hạt alpha bắn phá một lá
nhôm mỏng. Như trong b{i thực hành số 5 (phép đo dE/dx), các sự kiện khả dĩ nhất
khi một hạt alpha đi v{o một lá dò là mất năng lượng do tương t|c Coulomb với các
điện tử liên kết yếu ở lớp ngoài. Nó cũng có thể tương t|c với c|c điện tử liên kết chặt
hơn ở các lớp K, L, M. Nếu tương t|c Coulomb xảy ra với vỏ điện tử K, nó có thể truyền
năng lượng để điện tử lớp vỏ K bay ra ngoài nguyên tử. Từ bảng "X-Ray Critical
Absorption and Emission Energies" trong thư viện trên trang web ORTEC, năng lượng
liên kết lớp K của nhôm (Kab) là 1,559 keV. Khi điện tử lớp K này bay ra ngoài, chỗ
trống ở lớp K lại được lấp đầy bởi một electron từ lớp cao hơn chuyển vào kèm theo
nguyên tử phát ra tia X hay một quá trình chuyển đổi điện tử Auger. Điện tử Auger
được ph|t ra khi năng lượng kích thích truyền trực tiếp cho điện tử lớp K. Khả năng
sinh ra một tia X khi hạt alpha đi qua nguyên tử là rất cao so với xác suất xảy ra tương
tác hạt nhân.
Trong một loạt thực hành của Ortec, một trong những tiết diện hạt nhân lớn nhất
là 5 barn của phản ứng 51V(n,γ)52V với nơtron nhiệt trong thực h{nh số 17. Hình 21.1
là tiết diện ion hóa của hạt alpha năng lượng 5 MeV với Mn (mangan) xấp xỉ 400 barn.
Hình 21.1. Tiết diện quá trình hạt  gây ion hóa vành K của mangan
Thực hành này sẽ đo tiết diện ion hóa của alpha (Hình 21.1). Năng lượng của các
hạt alpha từ nguồn sẽ được thay đổi bằng tấm hấp thụ Mylar mỏng giữa nguồn và bia.
Mỗi lá Mylar có bề dày 2,29  10-4 g/cm2 ± 5%. Bước đầu tiên l{ x|c định năng lượng
của hạt alpha từ nguồn. Hình 4.4 trong thực hành 4 cho thấy phổ năng lượng của alpha
từ một nguồn 241Am mỏng. Năng lượng cực đại là 5,48 MeV. Phổ sẽ khá khác nhau khi
so với nguồn hoạt độ 1 mCi trong thực hành này. Năng lượng hạt alpha 5,48 MeV sẽ bị
suy giảm trong nguồn dày. Sự suy giảm n{y được tính theo công thức dE/dx đối với
nguồn. Do đó, đỉnh alpha sẽ xuất hiện ở 4,5 MeV. Trong thực h{nh n{y, năng lượng
chính xác của các hạt alpha sẽ x|c định từ năng lượng của chúng sau khi va chạm với lá
hấp thụ Mylar.
1. Lắp buồng chân không 807 với các thiết bị điện tử được sử dụng trong bài thực
hành số 4 (Hình 4.3). Đặt nguồn 241Am hoạt độ 0,1 μCi (lấy từ bộ nguồn SK-1A) cách
detector khoảng 40 mm. Hút chân không, tinh chỉnh khuếch đại 572 để năng lượng alpha
5,48 MeV nằm trong vùng một phần tư cuối dải đo của MCA (cỡ khoảng kênh 800).
Điều chỉnh Pole-Zero bằng tay như hướng dẫn trong các phần trước. Bật máy phát
xung và hiệu chỉnh c|c module để xung có biên độ ở vạch chia 548/1.000 rơi vào cùng
kênh với đỉnh alpha 5,48 MeV đ~ được lưu trữ. Với máy phát xung 480, xây dựng một
đường chuẩn năng lượng cho MCA. Ngo{i ra, tính năng chuẩn năng lượng của MCA
bằng phần mềm cũng có thể được sử dụng.
NI
Σ tia σx σx
Tấm hấp thụ mylar E đo được Alpha/giây
X/giây thực nghiệm lý thuyết
(trên bia)
Không có tấm mylar
1
2
3
4
5
6
7
Hình 21.2
2. Tắt cao áp, cho áp suất buồng đo c}n bằng với áp suất môi trường không khí và
lấy nguồn 241Am hoạt độ yếu ra khỏi buồng. Đưa nguồn 241Am hoạt độ 1 mCi vào buồng
807 để đo phổ. Thay đổi cấu hình đo như ở hình 21.2. Mặt nguồn và mặt detector nên
bố trí c|ch nhau 40 mm. Đặt nguồn cách trục 18 mm. Dưới những điều kiện đó thì
nguồn sẽ cách tâm detector 44 mm như hình 21.2. Kiểm tra lại hệ thống và bật cao áp.
Quan sát phổ trên MCA và ghi lại giá trị đỉnh năng lượng. Ghi lại giá trị n{y vì đ}y l{ gi|
trị năng lượng đầu tiên (không hấp thụ) khi làm thí nghiệm ion hóa. Nên x|c định số
hạt alpha trên gi}y đi v{o detector ứng với điều kiện hình học đo. Lưu ý l{ detector có kích
thước tương ứng với bia nhôm được sử dụng làm thí nghiệm ion hóa (~100 mm2).
Từ phổ trên MCA tính ra số hạt alpha đi v{o detector trong 1 giây. Nhớ rằng đ}y l{
nguồn mạnh vì vậy hiệu chỉnh thời gian chết của m|y đo phải chính xác. Ghi lại số hạt
alpha trên giây vào bảng 21.1.
3. Giảm cao áp về 0, mở hệ thống ch}n không v{ đặt l| mylar đầu tiên v{o trước
nguồn. Đóng buồng chân không và hút chân không, lên lại cao |p, đo v{ ghi số hạt
alpha trên giây ứng với năng lượng của đỉnh. Lặp lại c|c bước với 7 lá hấp thụ và ghi
giá trị đo v{o bảng 21.1. Đồ thị năng lượng c|c đỉnh thu được sẽ tương tự như hình 5.6
trong bài thực hành số 5.
Học viên nên đọc hết bài thực hành số 8 trước khi làm thực hành này. Nguồn được
sử dụng để chuẩn hiệu suất với tia X là 55Fe, 57Co, 54Mn và 65Zn; các nguồn phải có đầy
đủ chứng nhận về hoạt độ.
1. Buồng thí nghiệm như trên hình 21.2 sẽ được dùng trong thực hành này. Hệ đo
được thiết lập như hình 21.2. Lối ra của tiền khuếch đại được nối với lối vào của
khuếch đại 672, kiểm tra PZ và chỉnh nếu cần. Xem bài thực hành số 8 để biết thiết lập
chi tiết. Không đặt nguồn 241Am hoạt độ 1 mCi trong buồng. Đặt nguồn 55Fe trực tiếp
phía trên của bia Nhôm như hình 21.2. Chỉnh hệ số khuếch đại của 672 để giá trị 5,9
keV nằm ở khoảng kênh 500. Phổ thu được có dạng như hình 8.1. X|c định vị trí kênh
của c|c đỉnh và tổng số tia X trên giây. Lặp lại quá trình với nguồn 57Co, 54Mn và 65Zn.
Năng lượng của tia X và tia gamma Năng lượng của Tỷ số cường độ
Hạt nhân
năng lượng thấp (keV) tia gamma (keV) X/γ
5,414 (K) 834,8 0,2514(±0,5%)

54Mn
5,946 (K) K + K
6,40 (K) 122,1 0,5727(±2,0%);

57Co 7,06 (K) 0,7861(±2,9%)
14,41 (γ) 0,112(±1,8%)
8,04 (K) 1115,5 0,6596(±0,8%)

65Zn
8,9 (K) 0,0911(±2,0%)
a. Tạo đường chuẩn năng lượng. Từ số liệu tia X đ~ biết với mỗi nguồn (bảng
21.2), vẽ đồ thị hiệu suất ghi theo năng lượng E cho 4 giá trị K với 4 đồng vị. Lưu ý
rằng tỷ số X/γ được cho ở bảng 21.2 bao gồm K và K.
b. Vạch K của nhôm có năng lượng 1,487 keV. Điểm thấp nhất trong dữ liệu hiệu suất
tại 5,414 keV từ nguồn 54Mn. Hiệu suất ghi của detector có thể được tính qua vạch K
của nhôm và dữ liệu thí nghiệm ở trên để xây dựng đường cong hiệu suất. Phương
ph|p n{y được mô tả trong các tài liệu tham khảo (số 9 và 10). Hình 8.3 (Thực hành 8)
chỉ ra ảnh hưởng của độ dày cửa sổ tới hiệu suất ghi ở vùng năng lượng thấp. Đối với
các detector được sử dụng trong thực h{nh, độ suy giảm cường độ có thể tính theo
công thức:
I = I0 exp(–Σµixi) (1)
Với µi là hệ số hấp thụ tuyến tính cho các cửa sổ khác nhau và xi là bề d{y được
trích dẫn từ bảng dữ liệu đặc biệt của từng loại detector. Đối với detector được sử dụng
trong thực hành thì các thông số bao gồm: lớp cửa sổ Be, lớp điện cực vàng (2,2 µm) và
lớp silicon chết (0,5 µm). Ngoài ra còn một lớp cửa sổ mylar (2,54 µm) ở cửa sổ lối vào
của buồng chân không. Hệ số hấp thụ tuyến tính cho tất cả các loại vật liệu được trình
bày trong tài liệu tham khảo số 11.
Hình 21.3. Biểu diễn đường cong hiệu suất (dùng 10 mm lá hấp thụ mylar)
Hình 21.3 cho thấy đường cong hiệu suất của detector Si(Li) với bề dày (10 mm)
mẫu mylar giữa bia và cửa sổ của detector. Phần gạch chấm của đường cong đ~ được
tính toán với c|c phương trình suy giảm. Trong trường hợp bình thường, vạch K của
54Mn l{ 5,414 keV. Thường thì độ dày cửa sổ Be vào khoảng 0,5  10–3 inch, hiệu suất
ghi ở năng lượng E, ứng với K của nhôm theo tính toán là 1,72  10–4 (giá trị mà bạn
có thể tính cho các detector khác nếu không có nhiều khác biệt về cửa sổ Be v{ độ dày).
1. Lấy nguồn chuẩn tia X ra v{ đặt nguồn 241Am, hoạt độ 1 mCi vào buồng (không
có tấm hấp thụ mylar). Bơm hút ch}n không v{ tiến h{nh đo phổ với khoảng thời gian
đủ d{i để lấy được 2000 số đếm ở đỉnh K của nhôm là 1,48 keV. Hình 21.4 biểu diễn
dạng phổ của tia X ứng với K (Al). Dữ liệu đo được ghi vào bảng 21.1.
2. Mở buồng đo v{ đặt v{o l| mylar đầu tiên trước nguồn 241Am và tiến hành hút chân
không để đo phổ. Lặp lại với tất cả các lá hấp thụ. Dữ liệu đo được ghi vào bảng 21.1.
3. Có thể tính toán tiết diện tán xạ của tia X theo công thức sau:
(2)
Trong đó Σx là số đếm tia X trên gi}y đo được từ nhôm đ~ trừ phông; N0 là số là hạt
nhân bia trên cm2; N1 là số hạt alpha tới trong 1 giây và ε l{ hiệu suất ghi của detector
bán dẫn Si.
Mật độ lá nhôm là 2,6.10–4 g/cm2 thì N0 = 5,9.1018 nguyên tử/cm2. Bây giờ có thể
tính σx cho tất cả năng lượng alpha được sử dụng trong thực hành. Số liệu σx thực
nghiệm được ghi vào bảng 21.1.
Hình 21.4. Phổ tia X đặc trưng lớp K Hình 21.5. Tiết diện tạo tia X của nhôm
khi hạt  kích thích nhôm theo năng lượng hạt 
4. Bảng 21.3 trình bày giá trị tiết diện phát tia X khi các hạt alpha tác dụng lên
nhôm. Giá trị tiết diện tán xạ theo lý thuyết được trình bày trong các tài liệu tham khảo
(số 5, 12, 13 v{ 14), theo đó học viên có thể l{m c|c tính to|n đơn giản để x|c định các
giá trị theo bảng 21.3. Từ bảng 21.3, vẽ đồ thị σx theo E (lý thuyết); từ các giá trị thực
nghiệm đo được trong bảng 21.1 vẽ đồ thị σx và E. Từ đồ thị hình 21.5, so s|nh đường
cong lý thuyết (PWBA) với c|c điểm thực nghiệm.
[Tiết diện tạo tia X, Wk (xác xuất phát huỳnh quang) = 0,039 với nhôm (các tính toán này
dễ thực hiện theo các công thức trong các tài liệu tham khảo 5, 12, 13 và 14.)]
E(MeV) σx lý thuyết (barn)
5,0 3,18 × 103
4,5 2,98 × 103
4,0 2,71 × 103
3,5 2,37 × 103
3,0 2,00 × 103
2,5 1,59 × 103
2,0 1,21 × 103
1,5 0,72 × 103
1,0 0,33 × 103
1. L. C. Northcliffe and R. F. Schilling, Nuclear Data Tables A7, 233, Academic Press,
New York (1970).
2. J. L. Campbell and L. A. McNelles, Nucl. Instrum. Methods 125, 205 (1975).
3. W. J. Gallagher and S. J. Cipola, Nucl. Instrum. Methods 122, 405 (1974).
4. J. L. Duggan, W. D. Adams, R. J. Scroggs, and L. S. Anthony, Am. J. Phys. 35, 631 (1967).
5. E. Merzbacher and H. W. Lewis, S. Flugge, Ed., Handb. Phys. 34, 166, Berlin:
Springer-Verlag (1958).
(1979).
7. R. J. Gehrke and R. A. Lokken, Nucl. Instrum. Methods 97, 219 (1971).
8. R. H. McKnight, et. al., Phys. Rev. A9, 267 (1974).
9. G. Hubricht, B. Knaf, G. Presser, and J. Stahler, Nucl. Instrum. Methods 144, 359 (1977).
10. B. Rosner, D. Gur, and L. Shabason, Nucl. Instrum. Methods 131, 81 (1975).
11. W. J. Veigele, Atomic Data 5, 51 (1973).
12. G. Basbas, W. Brandt, and R. Laubert, Phys. Rev. A7, 983 (1973).
13. G. Monigold, F. D. McDaniel, J. L. Duggan, et al., Phys, Rev. A18, 380 (1978).
14. G. S. Khandelwal, B. H. Chol, and E. Merzbacher, Atomic Data 1, 103 (1969).
Ghi chú: Thực hành này ban đầu được phát triển bởi Giáo sư Jerome L. Duggan of
North Texas State University, USA và Giáo sư Dollard Desmarais of the University of Alberta,
Canada.
316
CÁC PHÉP ĐO ỨNG DỤNG TRONG SINH HỌC BỨC XẠ

VÀ Y HỌC HẠT NHÂN
Nhiều thí nghiệm đo ph}n bố của chất đ|nh dấu có thể l{m được trong cơ thể
sống. Ví dụ trong thực hành 4.2, sự hấp thụ 131I trong tuyến giáp sẽ được nghiên cứu.
Những phép đo n{y chủ yếu đo hoạt độ phóng xạ trong tuyến gi|p, nó được bao quanh
bởi thịt, mô và cả xương ở gần tuyến giáp. Sự bao bọc này có thể gây ra tán xạ Compton
làm ảnh hưởng đến chất lượng của phổ đo được.
Trong thực hành này, ta sẽ nghiên cứu một số hiệu ứng hấp thụ trong vật chất đặt
giữa nguồn và detector hay vật liệu bao quanh nguồn.
- Detector NaI(Tl) 2  2 inch và ống nhân quang 905-3;

- Đế cắm cho ống nhân quang loại 226;
- Tiền khuếch đại cho detector nhấp nháy loại 113;
- Khung NIM và nguồn nuôi 4006;
- Cao thế 556;
- Khối đếm v{ định thời 996;
- Ph}n tích đa kênh EASY-MCA 2K gồm c|p USB, m|y tính tương thích với chương
trình MEASTRO-32;
- Ống đếm GM có cửa sổ mỏng;
- Bộ đảo xung 906;
- Bộ cáp ORC 22;
Các thiết bị cần thiết khác
- 2 tấm chì kích thước 4 × 4 × 1 inch (10 × 10 × 2,5 cm);
Bài thực hành số 22: Các phép đo ứng dụng trong sinh học bức xä và y học hät nhån 317
- 10 tấm parafin 4 × 4 × 1/2 inch (10 × 10 × 1,3 cm);

- Hợp chất NaI có hoạt độ 25 µCi của 131I để kiểm tra sự hấp thụ iốt trong tuyến giáp;
- Hợp chất Natri Photphat hoạt độ 100 µCi của 32P để nghiên cứu thực vật;
- Một con chuột bạch lớn để thí nghiệm (nặng khoảng 300 g);
- 10 c}y đậu non có khoảng 7 ÷ 8 lá trên mỗi cây;
- Một số dụng cụ kh|c như: ống tiêm, ống nghiệm, găng tay cao su, giấy lọc, khay
mổ nội tạng động vật, các container chì;
- Dao động ký;
- 1 nguồn phóng xạ 137Cs hoạt độ 1 µCi;
Trong sinh học bức xạ và y học hạt nh}n, đặc biệt là hóa học phóng xạ, thường
xuyên sử dụng các chất đ|nh dấu đồng vị phóng xạ. Một đồng vị phóng xạ đ|nh dấu
thường ở dạng hợp chất hóa học có ít nhất một thành phần phóng xạ. Tính chất hóa
học của đồng vị phóng xạ chủ yếu phụ thuộc vào các electron của lớp vỏ nguyên tử.
Tùy thuộc vào từng mục đích m{ việc sử dụng đồng vị phóng xạ sẽ khác nhau. Ví dụ C
có hai đồng vị là 12C và 14C, vai trò của chúng trong các phản ứng hóa học là giống nhau
trong một hệ thống sinh học vì cấu trúc điện tử của chúng l{ tương đương nhau. Tuy
nhiên, 14C là nguyên tố phóng xạ và vì thế có thể dùng để đ|nh dấu trong các phản ứng
sinh hóa phức tạp xảy ra trong cơ thể động vật hoặc thực vật.
Vì vậy, khi cần nghiên cứu hoạt động của một chất hóa học cụ thể, hoặc cấu hình
phân tử, chất hóa học sẽ được tổng hợp với một phần nhỏ các đồng vị phóng xạ có hoạt
độ và thời gian bán rã phù hợp với phép đo của thí nghiệm. Hợp chất sau khi tổng hợp
được đo hoạt độ riêng v{ đưa v{o hệ thống sinh học để nghiên cứu.
Trong hầu hết các nghiên cứu sinh học bức xạ và y học hạt nh}n, c|c đồng vị phân
r~ bêta v{ gamma thường được sử dụng. Bức xạ gamma có khả năng đ}m xuyên lớn do
vậy đồng vị phát gamma có thể được sử dụng để nghiên cứu trên cơ thể sống (in vivo).
Ví dụ, một chất phóng xạ được tiêm vào bệnh nhân hoặc động vật sau đó dùng một hệ
đếm gamma để theo dõi tỉ lệ, nồng độ hoặc phân bố của chất phóng xạ đó theo thời
gian. Thông thường hoạt độ của chất đ|nh dấu là rất nhỏ, có thể bệnh nhân còn không
nhận ra sự tồn tại của nó trong cơ thể. C|c đồng vị phát bức xạ bêta, khi dùng trong
nghiên cứu, phải đòi hỏi lấy mẫu khỏi cơ thể động hoặc thực vật để đo (in vitro).
Đồng vị Loại bức xạ Chu kỳ bán rã

3H Bêta 12,3 năm
14C Bêta 5.570 năm
51Cr Gamma 27,8 ngày
99mTc Gamma 6,0 giờ
131I Gamma 8,07 ngày
198Au Gamma 2,7 ngày
Trong thực hành này, chúng ta nghiên cứu một số cấu hình đo đơn giản ứng dụng
sinh học bức xạ và y học. Thực h{nh được tiến h{nh trên động vật và thực vật với đồng
vị đ|nh dấu phóng xạ.

1. Lắp đặt hệ đo v{ bố trí thí nghiệm như trên hình 22.1. Đảm bảo có một khoảng
trống giữa nguồn và detector để đặt các tấm parafin dày ½ inch trong lúc thí nghiệm.
Hình 22.1. Sơ đồ bố trí thí nghiệm

2. Đặt hằng số thời gian trên khối khuếch đại là 0,5 µs, chỉnh cao thế và hệ số
khuếch đại sao cho đỉnh 137Cs vào khoảng kênh 300, tham khảo bài thực hành số 3 để
chỉnh các tham số. Chỉnh đúng pole zero cho khuếch đại trước khi thí nghiệm.
3. Đo phổ trong thời gian đủ d{i để thu được 1.000 số đếm tại đỉnh quang điện.
Hình 22.2 (nét liền) là phổ đặc trưng của 137Cs. Sau khi đọc xong số liệu phổ, xóa phổ
trên MCA.
Hình 22.2. Phổ đặc trưng của 137Cs đo với detector NaI
4. Đặt tấm parafin đầu tiên vào vị trí A như hình 22.1, đo v{ lưu lại phổ với thời
gian đo như trong bước 2. Đọc số liệu và xóa phổ.
5. Lặp lại bước 4 với các tấm parafin 2, 3, 4 và 5 ở vị trí A như hình 22.1.
6. Lấy hết các tấm parafin ở vị trí A v{ đặt tấm parafin đầu tiên ở vị trí B. Đo phổ
với thời gian như ở bước 2 v{ 3. Đọc dữ liệu và xóa phổ.
7. Lặp lại bước 6 với các tấm parafin 2, 3, 4 và 5 ở vị trí B như hình 22.1.
Bài tập
a. Vẽ đồ thị phổ đo được trong bước 3 trên giấy bán loga hoặc trên máy tính khi
không có các tấm parafin. L{m tương tự trên giấy ca-rô hoặc trên m|y tính sau đó sử
dụng kí hiệu khác và chỉ vẽ đồ thị phần tán xạ Compton của các phổ đo được trong
bước 4 v{ bước 5. Chú ý rằng đỉnh hấp thụ toàn phần gần như giống nhau với các tấm
parafin ở vị trí A, nhưng đỉnh tán xạ ngược sẽ tăng lên khi bề dày của parafin tăng.
b. Trên một tấm giấy bán loga khác, vẽ lại phổ đo được với nguồn và 5 tấm parafin
ở vị trí A. Tiếp theo, vẽ phổ đo được được với 5 tấm parafin ở vị trí B. Nét đứt trong
hình 22.2 là phổ đặc trưng của 137Cs trong phép đo n{y.
c. Tổng hợp số đếm đỉnh của các phổ đo được trong bước 6 v{ bước 7, vẽ đồ thị
tuyến tính biểu diễn sự phụ thuộc của số đếm vào bề dày parafin.
Kết luận
Hầu hết những kết quả đo phóng xạ trong cơ thể sống luôn bị sai số do vật chất giữa
nguồn và detector hay vật chất bao quanh detector l{m tăng hiệu ứng tán xạ Compton
trong phổ, hiệu ứng này hiện vẫn đang được tiếp tục nghiên cứu. Để biết được chính xác
mức độ đóng góp của hiệu ứng này cần phải khảo s|t đối với toàn bộ hệ thống.
4.2.1. Mục đích

Tỷ lệ hấp thụ iốt tự nhiên kh| cao trong cơ thể động vật và chủ yếu tập trung ở
tuyến giáp. Nếu tiêm một lượng 131I vào chuột thì khoảng 30% sẽ nhanh chóng tích lũy
trong tuyến giáp, hầu hết những phần còn lại sẽ được bài tiết trong nước tiểu của động
vật. Nếu đặt một m|y đếm gamma gần tuyến giáp, sẽ theo dõi được sự tập trung của
131I về tuyến giáp sau khi tiêm 131I v{o cơ thể động vật. Mục đích của bài thực hành này
l{ để nghiên cứu sự tập trung của 131I tại tuyến giáp theo thời gian sau khi tiêm 131I vào
cơ thể. Nồng độ của 131I trong c|c cơ quan kh|c l{ tương đối thấp so với ở tuyến giáp.
1. Sử dụng pipet lấy khoảng 1 µCi dung dịch 131I, nhỏ lên giấy lọc và làm khô dung
dịch dưới đèn hồng ngoại. Bọc giấy lọc bằng túi ni lông mỏng. Nguồn n{y được sử dụng
như nguồn chuẩn.
2. Lắp đặt hệ đo như trên hình 22.1. Đặt nguồn 131I hoạt độ 1 µCi cách mặt detector 2 cm.
3. Lên cao thế đến giá trị phù hợp để ống nhân quang trong detector 905-3 hoạt
động tốt. Chỉnh hệ số khuếch đại để thu được phổ tương tự như hình 22.3. Trong thực
hành này, sử dụng 2 đỉnh năng lượng 364 keV và 280 keV (trên hình 22.4 l{ sơ đồ phân
rã của 131I và 131Xe). Chỉnh hệ số khuếch đại để đỉnh gamma 364 keV ở kênh 200. Đo
phổ trong một khoảng thời gian đủ d{i để số đếm ở đỉnh 364 keV xấp xỉ 1.000 số đếm.
Lưu phổ v{ đọc dữ liệu phổ nhưng không xóa phổ sau khi đọc xong.
Hình 22.3. Phổ 131I và 131Xe đo với detector NaI

Hình 22.4. Sơ đồ phân rã của 131I

4. Thiết lập vùng ROI cho hai đỉnh 364 keV và 280 keV (Hình 22.3). Tiến hành
nghiên cứu quá trình hấp thụ 131I trong chuột.
5. Gây mê chuột cẩn thận bằng ête. Đặt chuột nằm ngửa trên khay mổ. Sử dụng
nẹp bằng cao su để cố định các chân của chuột trên khay.
6. Tiêm vào bụng chuột 5 µCi dung dịch NaI phóng xạ. Ghi lại thời gian tiêm. Giữ
chuột ở trạng th|i g}y mê trong lúc đo nhưng không nên g}y mê qu| l}u.
7. Che chắn các phần trên cơ thể chuột bằng chì lá ngoại trừ vùng cổ, đặt detector
3 inch trên vùng cổ để đo hoạt độ phóng xạ trong tuyến giáp.
8. Đặt thời gian đo trên MCA l{ 80 gi}y. Thực hiện c|c phép đo trong khoảng thời
gian 10 phút, mỗi lần đo trong 80 gi}y. Đọc v{ lưu lại số liệu phổ của các lần đo. Vẽ đồ
thị số đếm theo thời gian và tiếp tục đo đến lúc số đếm đạt cực đại và kết thúc khi số
đếm giảm còn khoảng 10% so với số đếm cực đại.
9. Đợi khoảng 2 giờ sau khi thí nghiệm kết thúc, làm chết chuột bằng ête. Mổ lấy
tuyến giáp, thận, gan, lá lách, dạ dày và tim. Làm khô các bộ phận bằng giấy thấm. Đo
các bộ phận này với detector 905-3 trong 400 gi}y, x|c định tốc độ đếm trên mỗi phút
trên gam của từng bộ phận.
10. X|c định tốc độ đếm của 1 µCi 131I trong cùng điều kiện như đo c|c bộ phận
của chuột.
Bài tập
a. Từ đồ thị sự tập trung của 131I theo thời gian, x|c định thời gian để sự tập trung
là cực đại trong cơ thể động vật.
b. Tính tỉ lệ phần trăm hấp thụ 5 µCi 131I trong mỗi bộ phận cơ thể của động vật. Có
thể so sánh với số đếm thu được khi đo tích lũy 5 lần nguồn chuẩn 1 µCi.
Nghiên cứu kỹ thuật đ|nh dấu đồng vị phóng xạ trong nông nghiệp và cây trồng sẽ
cho biết chính x|c qu| trình trao đổi chất cơ bản của thực vật. Kỹ thuật này có thể sử
dụng để nghiên cứu sự hấp thụ các nguyên tố vi lượng và hợp chất hữu cơ trong c|c
mô cây. Việc đo đạc sự di chuyển của các hợp chất hữu cơ trong qu| trình quang hợp
của cây là hoàn toàn có thể thực hiện được.
Trong nghiên cứu này, 32P là một đồng vị lý tưởng để sử dụng trực tiếp trong môi
trường hoặc trong ống nghiệm. Đồng vị này chỉ phát bức xạ bêta. Thời gian bán rã của
32P l{ 14,3 ng{y v{ năng lượng cực đại của tia bêta là 1,707 MeV.
4.3.1. Mục đích

Nghiên cứu sự di chuyển của photpho trong c|c c}y đậu non bằng c|ch đo bức xạ
bêta (1,707 MeV) bằng m|y đếm GM.
1. Sử dụng những c}y đậu non để làm thí nghiệm. Gieo đậu cho nảy mầm và lớn
lên trong điều kiện dinh dưỡng thích hợp, cho đến khi có 7 hoặc 8 lá trên mỗi cây. Nhổ
cây một cách cẩn thận và rửa sạch đất khỏi rễ. Đặt các cây trong 2 lọ, mỗi lọ 5 cây sao
cho hệ thống rễ và thân cây ở trong lọ và lá ở ngoài lọ.
2. Pha 20 µCi 32P với một lượng nước vừa đủ để đổ ngập rễ cây trong lọ. Không đổ
dung dịch vào lọ trước khi sẵn sàng tiến hành thí nghiệm.
3. Lắp đặt hệ thống điện tử như trên hình 22.5. Lên cao thế đến giá trị thích hợp
để ống đếm GM hoạt động, đặt thời gian đo l{ 1 phút. Kiểm tra hệ đo với 1 µCi 32P (xem
bước 1 thực hành 4.2).
Hình 22.5. Sơ đồ thí nghiệm nghiên cứu 32P trong cây

4. Đặt ống đếm GM cách mặt lá lớn nhất của cây khoảng 1 cm. Cần che chắn hợp lý
để phóng xạ trong bình không ảnh hưởng đến ống đếm. Đo trong vòng 3 giờ và ghi lại
số đếm tổng.
5. Sau 24 giờ, lấy toàn bộ cây ra khỏi dung dịch phóng xạ. Rửa rễ cây cẩn thận để
chuẩn bị cho phân tích. Cắt riêng các phần của c}y như rễ, thân, lá và giữ riêng biệt.
6. Cân chính xác rễ c}y v{ đặt v{o khay đo. Đặt trên diện tích khoảng 1 inch. Đặt
khay đo c|ch ống đếm GM 2 cm v{ đo trong vòng 5 phút. Lặp lại với các nhóm rễ khác.
Từ c|c phép đo n{y x|c định tốc độ đếm/phút trên mỗi gam rễ cây.
7. Lặp lại bước 6 cho thân và cho lá.
8. Đặt nguồn chuẩn 1 µCi 32P cách ống đếm GM 2 cm v{ x|c định tốc độ đếm/ phút.
Bài tập
a. Từ dữ liệu thu được trong bước 4, vẽ đồ thị tốc độ đếm thu trong lá cây theo
thời gian.
b. Từ dữ liệu thu được trong bước 6, 7 v{ 8, x|c định tỷ lệ phần trăm 32P đo được
trong rễ cây, thân cây và lá. Dùng số liệu khi đo với nguồn chuẩn 1 µCi để so sánh. Từ
những thí nghiệm này, rút ra kết luận là phốt pho di chuyển đến l| như thế nào và
chúng phân bố như thế nào trong cây.
1. G. F. Knoll, Radiation Detection and Measurement, John F. Wiley and Sons, New
York (1979).
3. H. L. Andrews, Radiation Biophysics, Prentice-Hall, Inc., New Jersey (1974).
4. G. D. Chase and J. L. Rabinowitz, Principles of Radioisotopes Methodology, 3rd
Edition, Burgess Publishing Co.,Minnesota (1967).
5. V. Arena, Ionizing Radiation and Life, The C. V. Mosby Co., Missouri (1971).
6. L. Cromwell et al., Biomedical Instrumentation and Measurement, Prentice-Hall,
Inc., New Jersey (1973).
7. Radiological Health Handbook, U. S. Dept. of Health, Education, and Welfare, PHS
Publication 2016. Available from National Technical Information Service, U.S.
Dept. of Commerce, Virginia.
8. Alison P. Casarett, Radiation Biology, Prentice-Hall, Inc., New Jersey (1968).
9. Z. M. Bacq and P. Alexander, Fundamentals of Radiobiology, Pergamon Press, New
York (1961).
10. S. Silver, Radioactive Nuclides in Medicine and Biology, Lea and Febiger Publishing
Co., Pennsylvania (1968).
324
KỸ THUẬT HẠT NHÂN

TRONG NGHIÊN CỨU MÔI TRƯỜNG
Bài thực hành nhằm giới thiệu ứng dụng của kỹ thuật phân tích hạt nhân trong
nghiên cứu môi trường.
- Hệ TEFA đầy đủ;

+ Ống phát tia X 311, detector tia X Si(Li) SLP-06175, CFG-SV, DWR-30;
+ Khung NIM và nguồn nuôi;
+ Khuếch đại phổ 572;
+ Cao thế 5kV 459;
+ MCA ACE-2K, phần mềm và máy tính;
- Detector đồng trục GEM-10195, CFG-SV và bình chứa nitơ 30 lít;
- Bộ phin lọc không khí chuẩn 301 cho phân tích huỳnh quang tia X;
- Bộ lấy mẫu khí tốc độ cao (loại cầm tay) 302;
- Howitzer và buồng kích hoạt 308;
- Các nguồn kích thích dùng cho phát huỳnh quang tia X: 55Fe, 109Cd và 241Am, mỗi
nguồn hoạt độ 50 mCi;
- Bộ mẫu phát tia X SK-1X;
- Nguồn nơtron Am-Be hoạt độ 3 Ci;
- Nguồn nơtron 252Cf hoạt độ 100 µg đến 100 mg, (nguồn cho ~1012 nơtron/g;)
- Dao động ký.
Bài thực hành số 23: Kỹ thuật hät nhån trong nghiên cứu môi trường 325
Trong những năm gần đ}y, nhiều kỹ thuật hạt nh}n đ~ được phát triển để nghiên
cứu các vấn đề môi trường. Kỹ thuật n{y đ~ được áp dụng cho các nghiên cứu ô nhiễm
nước và không khí. Hai kỹ thuật phổ biến là phân tích huỳnh quang tia X và phân tích
kích hoạt nơtron. Cả hai kỹ thuật đều không phá huỷ mẫu v{ cho độ nhạy cao. Việc
chuẩn bị mẫu đơn giản v{ độ chính xác cao, sai lệch khoảng ±5% so với mẫu chuẩn.
Có khoảng 20 nguyên tố trong mẫu khí quyển có thể nghiên cứu được bằng phân
tích kích hoạt sử dụng nơtron nhiệt từ lò phản ứng nghiên cứu. Phương ph|p n{y có độ
nhạy thấp hơn 0,01  10-9 g/m3 đối với các nguyên tố trong mẫu khí. Cũng có thể định
tính v{ định lượng thêm khoảng 22 nguyên tố khác bằng kỹ thuật này.
Phân tích huỳnh quang tia X (sử dụng nguồn và ống ph|t) cũng được sử dụng để
nghiên cứu ô nhiễm không khí. Đối với các mẫu mỏng, các nhà nghiên cứu đ~ ph}n tích
được 18 nguyên tố có h{m lượng đủ cao dùng để định lượng cho c|c phép đo chỉ thị.
Nói chung phương ph|p n{y không nhạy bằng phương ph|p ph}n tích kích hoạt
nơtron nhưng trong nhiều trường hợp, đó l{ một kỹ thuật ph}n tích lý tưởng. Kỹ thuật
này gần như không cần chuẩn bị mẫu. Nhiều nghiên cứu về ô nhiễm không khí chỉ đo
một vài nguyên tố đại diện cho số lượng mẫu lớn. Do đó, trong một số trường hợp, kỹ
thuật n{y l{ phương ph|p ph}n tích tốt nhất được sử dụng.
4.1.1. Mục đích
Nghiên cứu khả năng của ống phát huỳnh quang trong phân tích các mẫu môi trường.
1. Sử dụng bộ lấy mẫu model 302 để thu mẫu khí trong khu vực cần nghiên cứu.
Mỗi mẫu lấy với thời gian 3 hoặc 4 giờ. Lưu lượng khí sẽ được đo chính x|c trên thiết
bị lấy mẫu model 302 để có thể x|c định chính xác thể tích khí.
2. Hệ TEFA được sử dụng để ph}n tích h{m lượng các nguyên tố có mặt trong
mẫu. Sơ đồ của hệ TEFA được mô tả trên hình 23.1.
Hình 23.1. Sơ đồ khối của hệ phân tích huznh quang dùng ống phát tia X EG&G ORTEC
3. Chỉnh năng lượng kích thích và chuẩn năng lượng cho hệ TEFA sao cho có thể
quan s|t được phổ của mẫu đo. Bảng 23.1 đưa ra ví dụ về h{m lượng của các nguyên tố
vết chính trong mẫu bụi khí thu được trong khu công nghiệp.
Bảng 23.2 chỉ ra các nguyên tố quan s|t được trong mẫu khí quyển bằng kỹ thuật
phân tích huỳnh quang tia X.
Bảng 23.1. Hàm lượng của các nguyên tố vết chính trong mẫu bụi khí
lấy trong khu công nghiệp
Nguyên tố H{m lượng (µg/m3) Nguyên tố H{m lượng (µg/m3)
Na 9,0 Zn 0,07
Al 0,75 As 1,0  10-4
Si 1,0 Se 6 10-5
Cl 5,00 Br 0,40
Ca 2,50 I 0,08
Sc 6,00  10-4 Sb 5,0  10-4
Ti 1,5  10-4 Cs 4,0  10-4
Cr 0,02 Ba 3  10-4
Mn 0,05 La 7  10-4
Fe 0,72 Ce 2  10-3
Co 2,0  10-4 Sm 2  10-4
Ni 0,052 Eu 3  10-5
Cu 0,80 Th 4  10-5
Bảng 23.2. Các nguyên tố phân tích được trong mẫu khí quyển
Kỹ thuật huỳnh quang tia X
Đ~ th{nh quy trình Khó phân tích
K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Au, Hg, Sr
Ni, Cu, Zn, As, Br, Rb, Cd, Br, Pb
Kỹ thuật phân tích kích hoạt nơtron
Na, Al, Ca, Sc, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zn, Se, Br, Sb, Mg, S, Cl, Ti, Cr, Ni, Ga, As, Mo, Ag, In, I,
La, Ce, Sm, Eu, Hf, Th Cs, Ba, Yb, Lu, W, Re, Ir, Au, Hg
4. Nhận diện các nguyên tố trong mẫu v{ x|c định h{m lượng của từng nguyên tố
(xem hướng dẫn sử dụng hệ TEFA).
Trong phép đo n{y, xem mẫu là mỏng. Vì vậy matrix và hiệu chỉnh suy giảm trong
mẫu được bỏ qua. Điều này thoả m~n đối với các nguyên tố nặng hơn Titan (cho c|c
phin lọc khí). Đối với các nguyên tố nhẹ và mẫu có bề dày thì cần thiết phải hiệu chỉnh
kết quả đo. (Xem t{i liệu tham khảo số 2, 3, 9).
Hình 23.2 là phổ huỳnh quang thu được từ phin lọc khí. Kỹ thuật nêu ra ở trên đối
với các nghiên cứu ô nhiễm không khí cũng được áp dụng đối với các nghiên cứu ô
nhiễm nước hoặc ô nhiễm môi trường. Hình 23.3 là phổ đo được trong mẫu máu của
một bệnh nhân có triệu chứng nhiễm độc chì. Kết quả chỉ ra rằng, bệnh nhân có hàm
lượng chì vượt nhiều lần so với mức bình thường.
Hình 23.2. Phổ huznh quang tia X của mẫu phin lọc khí kích thích bằng ống phát,
(hàm lượng ng/cm2)
Hình 23.3. Phổ huznh quang tia X của mẫu máu bị nhiễm độc chì
Hình 23.4 chỉ ra kết quả nghiên cứu ô nhiễm môi trường qua nhiễm độc thủy ngân
ở cá. Kết quả cho thấy khả năng của kỹ thuật trong việc ph}n tích đa nguyên tố trong
mẫu môi trường với thời gian đo chỉ 10 phút.
Hình 23.4. Phổ huznh quang tia X của mẫu cá bị nhiễm độc thủy ngân
4.2.1. Mục đích

Nghiên cứu khả năng ứng dụng nguồn đồng vị kích thích phát huỳnh quang tia X
dùng phân tích nguyên tố vết trong mẫu môi trường.
4.2.2. Mô tả
Sự khác nhau giữa thực hành này và thực hành 4.1 là nguồn kích thích phát tia X.
Quá trình chuẩn bị mẫu và xử lý số liệu tương tự như 4.1. Hình 23.5 trình bày hệ điện
tử SEFA (Source-Excited Fluorescence Analysis) của ORTEC và bố trí thí nghiệm.
Hình 23.5. Sơ đồ bố trí thí nghiệm

Để có được độ nhạy cực đại trong phân tích nguyên tố vết thì cần phải chọn nguồn
phát một cách cẩn thận. Hình 23.6 trình bày tiết diện kích thích theo năng lượng
photon. Tiết diện cực đại đối với kích thích lớp vỏ K xảy ra khi năng lượng kích thích
bằng với năng lượng liên kết trên lớp K. Ví dụ, giả sử rằng với các nguyên tố nhẹ hơn
Vanadium có mặt trong mẫu đều có độ nhạy cực đại. Tiết diện với photon của
Vanadium đạt cực đại tại 5,463 keV (Hình 23.6). Về mặt lý thuyết, ta sẽ cần một nguồn
kích thích chính xác với năng lượng này. Tuy nhiên do tán xạ Compton từ mẫu và các lý
do thực nghiệm khác nên tốt nhất l{ năng lượng photon kích thích phải cao hơn một ít
so với năng lượng liên kết nêu trên. Vì lý do này nên nguồn 55Fe là nguồn tốt nhất vì có
năng lượng photon phát ra 5,895 keV. Có thể nói rằng năng lượng của photon kích
thích phát ra từ nguồn nên lớn hơn khoảng 2 keV so với năng lượng của đỉnh K phát
ra từ nguyên tố nặng nhất trong mẫu nghiên cứu. Từ Hình 23.6, có thể quan sát thấy
việc nghiên cứu các mẫu quan tâm với 7 nguồn kích thích khác nhau. Các nguồn năng
lượng thấp cho độ nhạy cực đại đối với các nguyên tố có số nguyên tử thấp, trong khi
đó c|c nguồn năng lượng cao như 109Cd thì khá hiệu quả đối với các nguyên tố nặng.
Hình 23.6. Tiết diện kích thích của 12 nguyên tố theo năng lượng photon

1. Bố trí các khối điện tử như hình 23.5. \p dụng các kỹ thuật trong bài thực hành
số 12 để chuẩn hệ đo với bộ Kit SK-1X.
2. Kích thích cho mẫu nước ô nhiễm hoặc không khí phát huỳnh quang. Đối với các
mẫu không khí ô nhiễm thu thập bằng bộ lấy mẫu Model 302 có thể được sử dụng như
ở phần 23.1. Kỹ thuật chuẩn bị mẫu tham khảo ở tài liệu số 2, 7 và 9.
3. Hình 23.7 là phổ huỳnh quang kích thích bằng nguồn của mẫu nước thu thập từ
nhà máy xử lý nước.
H{m lượng của mỗi nguyên tố trong phổ có thể được x|c định bằng các so sánh
diện tích đỉnh của mẫu với chuẩn trong cùng điều kiện. Đối với một số nguyên tố chính,
mẫu chuẩn model 301 được sử dụng làm mẫu so sánh.
Hình 23.7. Phổ huznh quang tia X kích thích bằng 109Cd của mẫu nước
4.3.1. Mục đích

Nghiên cứu khả năng của phương ph|p ph}n tích kích hoạt nơtron với detector
HPGe trong phân tích nguyên tố vết.
4.3.2. Mô tả
Có 4 nguồn nơtron có thể sử dụng trong thực h{nh n{y đó l{ chùm nơtron từ lò
phản ứng, nguồn nơtron đồng vị, nguồn 252Cf và nguồn nơtron từ máy gia tốc. Đối với
phép đo tiết diện nơtron nhiệt, nơtron từ các nguồn nêu trên phải được nhiệt hoá
trước khi sử dụng. Một howitzer Model 308 của ORTEC được sử dụng để nhiệt hoá
nơtron đồng thời tạo buồng kích hoạt cho thí nghiệm. Hình 16.2 mô tả phổ nơtron
được nhiệt hoá từ nguồn nơtron đồng vị Am-Be. Hình 23.8 mô tả phổ phân hạch của
nơtron từ nguồn 252Cf. Hầu hết các máy gia tốc sử dụng cho phân tích kích hoạt nơtron
là máy Cockcroft-Walton tạo ra nơtron 14 MeV từ phản ứng 3H(d,n)4He. Nơtron nhanh
này có thể được nhiệt hoá trong howitzer 308 hoặc sử dụng trực tiếp tùy thuộc vào
từng nguyên tố nghiên cứu trong mẫu môi trường.
Hình 23.8. Phổ nơtron phân hạch từ nguồn 252Cf

1. Thiết lập các khối điện tử như hình 23.9. Sử dụng quy trình trong bài thực hành
số 7 để chuẩn hệ thiết bị điện tử sao cho vùng 2 MeV tương ứng với dải đo 1024 kênh
của m|y ph}n tích biên độ.
2. X|c định hoạt độ và thời gian đo cho mẫu môi trường đầu tiên. Sử dụng số liệu
trong bài thực hành 17 và trong bảng 17.2.
3. Kích hoạt mẫu trong thiết bị chiếu. X|c định các nguyên tố có mặt trong mẫu theo
đường chuẩn năng lượng và bảng đồng vị [8].
4. Để định lượng các nguyên tố trong mẫu, tiến hành chiếu mẫu chuẩn dưới cùng
điều kiện như mẫu ph}n tích v{ so s|nh c|c đỉnh thu được. Kỹ thuật n{y được trình
bày trong thực hành 23.2 và các tài liệu tham khảo 4, 6.
Hình 23.10 là phổ sau kích hoạt của mẫu phin lọc khí do các nhà khoa học ở Viện
Nghiên cứu Battelle Memorial, Richland, Washington đo được. Một phổ được đo bằng
detector NaI(Tl) 3  5 inch và một phổ đo bằng detector HPGe. Hình 23.11 là phổ sau
kích hoạt của mẫu gan tuần lộc Alaska.
Rất nhiều mẫu sinh học, môi trường, y học đ~ được nghiên cứu bằng kỹ thuật này
cũng như bằng kỹ thuật huỳnh quang tia X.
Bảng 23.2 chỉ ra các nguyên tố phát hiện được bằng kỹ thuật phân tích kích hoạt
nơtron v{ huỳnh quang tia X. Bảng 23.3 chỉ ra các nguyên tố chính x|c định được trong
mẫu phin lọc khí thu được ở Los Angeles, California.
Bảng 23.3. Các nguyên tố vết trong phin lọc khí
Nguồn phát thải Tỷ lệ phát thải Các nguyên tố chính

Công nghệ dầu và hóa dầu 36% S, V, Ni
Ô tô 28% Pb, Br, Fe, Si, S
Ca, Cl, Al, Zn, K,Cu
Đất đ| 25% Si, Fe, Al, Ca, K, Ti, Mn
Muối biển 7% Na, Cl, Mg, S
Khác 5% K, Zn, Mn, Ti, Mn, Cu
Hình 23.9. Sơ đồ bố trí các khối điện tử trong thực hành 23.3
Hình 23.10. Phổ gamma mẫu phin lọc khí

Hình 23.11. Phổ gamma của mẫu gan tuần lộc Alaska
(1979).
2. J. M. Jaklevic and F. S. Goulding, “Semiconductor Detector X-Ray Fluorescence
Spectrometry Applied to Environmental and Biological Analysis”, IEEE Trans. Nucl.
Sci. NS-19 (1972).
3. R. Dams, J. A. Robins, K. A. Rahn, and J. W. Winchester, “Non-Destructive Neutron
Analysis of Air Pollution Particles,” Anal. Chem. 42, 861–867 (1970).
4. W. H. Zoller and G. E. Gordon, “Instrumental Neutron Activation Analysis of
Atmospheric Pollutants Utilizing Ge(Li) Gamma-Ray Detectors, Anal. Chem. 42,
257 (1970).
5. J. V. Lagerwesff and A. W. Spech, “Contamination of Roadside Soil and Vegetation
with Cadmium, Nickel, Lead, and Zinc,” Environ. Sci. and Tech. 4, 583 (1970).
6. D. Gray et al., “Determination of Trace Element Labels in Atmospheric Pollutants
by Instrumental Neutron Activation Analysis,” IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-19(1), 194
(1972).
7. J. W. Nelson et al., Report of the Workshop on Nuclear Techniques for

Environmental Trace Element Information Relative to Energy Production and
Consumption (1974). National Technical Information Services, Dept. of
Sons, New York (1978).
9. R. D. Giaugue and J. M. Jaklevic, “Rapid Quantitative analysis of Air Pollution
Particles,” available as Report No. LBL-204 from Lawrence Berkeley Laboratory,
Berkeley, California.
10. J. R. Rhodes, “Design and Application of X-Ray Emission Analyzers Using
Radioisotope X-Ray or Gamma-Ray Sources,” in Energy Dispersion X-Ray Analysis:
X-Ray and Electron Probe Analysis, ASTM STP485, pp 243–285, 1971, American
Society for Testing and Materials, Philadelphia, PA 19103, USA.
11. Ron Jenkins, R. W. Gould and Dale Gedcke, “Quantitative X-Ray Spectrometry,”
Marcel Dekker, Inc., New York, 1981, Chap. 3.
336
CÁC THÍ NGHIỆM VỀ AN TOÀN BỨC XẠ
Thực hành nhằm nghiên cứu một số khái niệm cơ bản liên quan đến an toàn bức
xạ và che chắn bảo vệ. Đ}y l{ một lĩnh vực khá rộng, bao gồm cả c|c góc độ khác nhau
về bản chất của các hiệu ứng của bức xạ trên cơ thể vật sống.
Một trong những mối quan tâm chính là bảo vệ chống lại các chiếu xạ. Thực hành
này giới thiệu cho người thực tập cách che chắn đối với các loại bức xạ khác nhau
trong từng trường hợp cụ thể liên quan đến an toàn bức xạ.
- Detector NaI(Tl) 2 × 2 inch, kiểu 905-3 và ống nh}n quang điện;

- Đế cắm cho ống nhân quang 266;
- Cao áp 556;
- Tiền khuếch đại 113 cho detector nhấp nháy;
- Khung NIM và nguồn nuôi 4006;
- Ống đếm GM cửa sổ mỏng v{ gi| để mẫu 6 vị trí;
- Khối đảo xung;
- Khối đếm loại 996 CCNIM ™;
- Detector rào mặt Silic loại BA-016-025-1500;
- Khối cao áp 710 (4 kênh 1 kV);
- Khối ph}n tích biên độ đa kênh EASY-MCA 8K, dây nối USB, máy tính và phần
mềm MAESTRO-32.
Bài thực hành số 24: Các thí nghiệm về an toàn bức xä 337
- Nhấp nháy plastic 905-21, ống nh}n quang v{ đế cắm loại 265A; detector Bicron
BC418 thể tích 12,9 cm3.
- Dây c|p v{ đầu nối:
+ 01 c|p đồng trục C-24-1/2 RG-62A/U93-Ω, đầu nối BNC, dài 15 cm;
+ 02 c|p đồng trục C-24-12 RG-62A/U93-Ω,đầu nối BNC, dài 3,7 m (12ft);
+ 01 đầu nối chữ T C-29 BNC;
+ 01 c|p đồng trục C-36-12 RG-59A/U75-Ω, đầu SHV cái, dài 3,7 m (12ft);
- Buồng áp suất thấp 807;
- Bơm hút ch}n không ALPHA-PPS-230;
- Bộ nguồn (1 μCi mỗi loại gồm: 133Ba, 109Cd, 57Co, 60Co, 137Cs, 54Mn, 22Na và một
nguồn hỗn hợp gồm 0,5 μCi 137Cs và 1 μCi 65Zn);
- 1 nguồn 137Cs hoạt độ 25 μCi loại GF-137-M-25 có giấy phép sử dụng;
- 1 nguồn bêta 204Tl hoạt độ 0,1 μCi loại BF-204-A-0.1 có giấy phép sử dụng;
- Dao động ký kỹ thuật số 2 kênh tần số 300 MHz loại TDS3032C;
Các thiết bị khác
- Nguồn nơtron Am-Be hoạt độ từ 1 đến 3 mCi;
- M|y đo liều xách tay dùng ống đếm GM (tùy chọn);
- Các tấm che chắn:
+ 10 tấm chì 10 × 10 × 0,16 cm;
+ 8 tấm chì 10 × 10 × 2,5 cm;
+ 10 tấm cadmium 10 × 10 × 0,16 cm;
+ 10 tấm thép 10 × 10 × 0,3 cm;
+ 10 tấm nhôm 10 × 10 × 0,3 cm;
+ 10 tấm parafin 10 × 10 × 2,5 cm;
- Lá dò hấp thụ:
+ 4 tấm nhôm 2,5 cm × 2,5 cm × 2 mg/cm2;

Trong bất kỳ phòng thí nghiệm nào có nguồn phóng xạ, mọi người cần có những
hiểu biết khi sử dụng chúng để đảm bảo an toàn trong quá trình làm việc. Hầu hết các
nguồn phóng xạ được sử dụng trong các thí nghiệm trong tất cả các bài thực hành là
nguồn kín và có hoạt độ thấp. Do đó, không đề cập cụ thể đến vấn đề an toàn bức xạ
trong thực tế. Tuy nhiên, với các thí nghiệm cần nguồn hoạt độ cao hơn, cần phải hết
sức cẩn thận, phân tích các quy tắc an toàn cụ thể để sử dụng trong quá trình tiến hành
thí nghiệm.
Mục đích chính của thực hành là tìm hiểu cách giảm liều chiếu cá nhân, gồm cả liều
chiếu trong và chiếu ngo{i đến mức tối thiểu.
Có ba biện ph|p chính để giảm thiểu liều chiếu cá nhân khi sử dụng nguồn. Đó l{:
1. Giữ khoảng cách an toàn tối thiểu cần thiết đối với mọi nguồn bức xạ, vì suất
liều giảm theo quy luật tỉ lệ nghịch với bình phương khoảng cách (1/r2) đối với tất cả
các nguồn phát bức xạ đẳng hướng.
2. Giảm thiểu tiếp xúc với nguồn phóng xạ khi không cần thiết (giảm thời gian làm
việc với nguồn phóng xạ).
3. Trong trường hợp cần thiết, sử dụng che chắn giữa nguồn v{ người làm việc, vật
liệu che chắn phụ thuộc vào loại bức xạ mà nguồn phát ra.
Hạt alpha mất năng lượng nhanh chóng trong mọi môi trường do khả năng ion
hóa cao của nó. Vì vậy, như đ~ trình b{y trong b{i thực hành số 5, một tấm kim loại
mỏng có thể chặn được gần hết các hạt alpha. Điều cần chú ý là sau khi phân rã alpha,
hạt nhân thường vẫn ở trạng thái kích thích. Hạt nh}n con sau đó sẽ tiếp tục phân rã
gamma, tia X hoặc biến hóa nội để trở về trạng th|i cơ bản. Sự suy giảm của tia X và tia
gamma đ~ được nghiên cứu trong các thực hành số 3 v{ 11. Đối với các tia gamma
năng lượng thấp v{ tia X thì cơ chế suy giảm chủ yếu là hiệu ứng quang điện. Tiết diện
của quá trình này tỷ lệ với Z5, trong đó Z l{ số nguyên tử của vật liệu che chắn. Vì vậy
vật liệu để che chắn photon tốt cần có số khối lớn như chì.
Trong bài thực hành số 6, chúng ta đ~ nghiên cứu các nguồn phát bêta và hiện
tượng biến hóa nội. Quá trình mất năng lượng của hạt bêta trong vật liệu che chắn
tương tự như của hạt alpha. Tuy nhiên do khối lượng của hạt bêta nhỏ hơn hạt alpha
nên khả năng ion hóa cũng kém hơn. Trong không khí, hạt alpha chỉ di chuyển được
một vài cm trong khi hạt bêta có thể di chuyển được vài chục cm. Độ dày của vật liệu
che chắn bêta phụ thuộc v{o năng lượng bêta cực đại và vào bức xạ hãm phát ra. Nhìn
chung, độ dày vật liệu che chắn bêta sẽ phụ thuộc vào mật độ của vật che chắn. Ví dụ,
cần dùng tấm nhôm dày 2,5 mm để che chắn bêta có năng lượng 1,5 MeV, nhưng khi
dùng chì thì chỉ cần độ dày 0,61 mm. Việc tạo ra bức xạ hãm trong quá trình che chắn
luôn cần phải được xem xét. Tốc độ phát bức xạ hãm sẽ tăng theo số khối của chất hấp
thụ. Vì vậy, đ}y l{ lý do để sử dụng nhôm hoặc thủy tinh để che chắn bức xạ bêta. Cũng
giống như c|c đồng vị ph|t alpha, c|c đồng vị sau khi phát bêta hầu như luôn ph|t
gamma để về trạng th|i cơ bản. Để che chắn tốt nhất các bức xạ gamma, cần sử dụng
các vật liệu có số nguyên tử lớn như chì.
Trong các bài thực hành 16, 17, 18 và 23, một nguồn nơtron đ~ được sử dụng và
sẽ được sử dụng trong thực h{nh n{y. C|c nơtron n{y ph|t ra từ nguồn nơtron đồng vị
theo phản ứng sau:
9Be + 4He  12C + n (1)
Trong các phản ứng hạt nhân này, hạt nhân 12C ở trạng thái kích thích. Khi hạt
nhân trở về trạng th|i cơ bản sẽ phát ra các tia gamma năng lượng cao. Gamma cũng
được tạo ra do quá trình kích hoạt của nơtron với các vật liệu nguồn và vật liệu che
chắn xung quanh. Vì thế các nguồn nơtron đồng vị luôn phát khá nhiều gamma kèm
theo. Có thể che chắn các tia gamma khá hiệu quả với chì, nhưng lại không hiệu quả đối
với nơtron. Vật liệu che chắn nơtron hiệu quả là hydro hoặc có chứa một lượng lớn
hydro. Vật liệu tự nhiên thông dụng nhất dùng che chắn nơtron l{ parafin v{ nước. Lý
do các vật liệu này che chắn nơtron hiệu quả là tiết diện tán xạ của Hydro với nơtron
lớn. Nơtron nhanh sẽ tán xạ đ{n hồi với các proton trong vật liệu che chắn. Một lần tán
xạ l{m nơtron mất khoảng một nửa năng lượng của nó. Vì vậy, sau khoảng mười va
chạm, nơtron bị nhiệt hóa và bị hấp thụ do tiết diện lớn của nơtron nhiệt với hydro.
Tóm lại, để che chắn tốt cho một nguồn nơtron đồng vị cần phải kết hợp của các vật
liệu gi{u hydro như parafin v{ chì. Trong c|c thực hành này, tính chất của một số các
vật liệu che chắn khác nhau, yếu tố thời gian, khoảng cách và các hệ số bảo vệ bức xạ sẽ
được nghiên cứu.
4.1.1. Mục đích

Nghiên cứu quan hệ 1/r2 (hoặc r-2) của tia gamma 0,662 MeV từ 137Cs và quy luật
chung với mọi nguồn phát bức xạ gamma.

1. Thiết lập các khối điện tử như hình 24.1.
Hình 24.1. Sơ đồ khối hệ phổ kế gamma nghiên cứu quy luật 1/r2
2. Sử dụng nguồn 137Cs hoạt độ 1 μCi (E = 0,662 MeV). Đặt nguồn ở vị trí 2 cm
cách bề mặt detector NaI(Tl). Thay đổi hệ số khuếch đại để đỉnh 0,662 MeV ở vị trí
kênh 350. Cần kiểm tra chỉnh đúng pole zero trước khi đo.
3. Đặt vùng quan tâm trên phổ MCA vào tâm của phân bố Compton trên phổ như
hình 24.2.
Hình 24.2. Phổ 137Cs với vùng ROI ở giữa của phân bố Compton
4. Lấy nguồn 137Cs hoạt độ 1 μCi ra khỏi vị trí đặt mẫu v{ đo phổ phông trong 400 giây.
Tính tổng các số đếm trong vùng ROI.
5. Di chuyển nguồn 137Cs hoạt độ 25 μCi một cách cẩn thận bằng kẹp gắp nguồn và
đặt ở vị trí cách detector 4 m. Đo phổ trong 400 giây và tính tổng các số đếm trong
vùng ROI. Lặp lại phép đo với các khoảng c|ch được ghi trong bảng 24.1.
Chú ý: Trong thực hành này để giảm ảnh hưởng, cần đặt nguồn và detector sao cho
sự tán xạ từ môi trường xung quanh vào detector là nhỏ nhất và đặt các nguồn không sử
dụng cách xa khu vực đo.
Khoảng cách Thời gian đo Số đếm Cường độ

Tốc độ đếm/phút
(m) (phút) tích phân theo lý thuyết
40
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,25
Bài tập
a. Ghi số liệu vào bảng 24.1. Tính tốc độ đếm (cpm) từ số đếm tích phân và thời
gian đo (400 giây). Trừ phông và ghi tốc độ đếm thực vào cột 4 của bảng 24.1.
b. Với nguồn đồng vị phát gamma, dựa vào các công thức:
( )
( )
Trong đó I1 l{ cường độ gamma ghi được ở khoảng cách R1 và I2 l{ cường độ

gamma ghi được ở khoảng cách R2.
( )
( )
Xem I2 là tốc độ đếm thu được trong cột 4 bảng 24.1. Tính các giá trị lý thuyết còn
lại trong bảng 24.1 bằng cách nhân tốc độ đếm ở cột 4 với tỉ số bình phương khoảng
c|ch theo phương trình 5. Ghi c|c gi| trị này vào cột 5 của bảng 24.1.
c. Vẽ đồ thị cường độ lý thuyết theo khoảng cách. Vẽ các số liệu thực nghiệm thu
được trên cùng đồ thị.
4.2.1. Mục đích

Thực h{nh n{y tương tự như thực hành 4.1 nhưng sử dụng m|y đo cầm tay dùng
ống đếm GM.
Chú ý: Tuân thủ các nguyên tắc an toàn bức xạ khi sử dụng máy đo cầm tay. Đặc
biệt khi hoạt độ nguồn cao cần chú ý thời gian đo ở cự ly gần nguồn.
1. Di chuyển tất cả các nguồn phóng xạ ra khỏi phòng. Đo phông v{ ghi lại tốc độ
đếm bằng m|y đếm GM.
2. Đặt nguồn 137Cs hoạt độ 25 μCi ở vị trí để sự tán xạ là nhỏ nhất. Bắt đầu đo từ
khoảng cách nguồn 4 m, ghi lại tốc độ đếm ở các khoảng cách liệt kê trong bảng 24.1.
Bài tập
a. Trừ phông cho các tốc độ đếm đo được v{ điền các giá trị này vào bảng tương tự
như bảng 24.1.
b. Chuẩn hóa cường độ tính theo lý thuyết với giá trị đo ở khoảng cách 2 m. Sử
dụng giá trị ở khoảng cách 2 m vì ống đếm GM không nhạy như detector nhấp nháy.
Khi đó số đếm thống kê sẽ tốt hơn.
c. Tính các giá trị lý thuyết còn lại trong bảng 24.1 bằng cách nhân tốc độ đếm ở
khoảng cách 2 m với tỉ số bình phương khoảng c|ch như trong thực hành 24.1. Vẽ đồ
thị tốc độ đếm theo khoảng cách và các giá trị thực nghiệm trên cùng một đồ thị.
d. Từ định nghĩa của Ci (3,7 × 1010 phân rã/giây) và quan hệ r-2, tính số phân
rã/cm2/phút với nguồn đ~ đo ở khoảng cách 2 m. Chia tốc độ đếm thu được cho diện tích
cửa sổ của ống đếm và so sánh với giá trị tính được. Hiệu suất của ống đếm GM đang sử
dụng với 137Cs như thế nào?
4.3.1. Mục đích

Mục đích của thực hành là khảo s|t đặc trưng che chắn gamma của các vật liệu
khác nhau với gamma năng lượng 0,662 MeV phát ra từ nguồn 137Cs.
1. Thiết lập các khối điện tử tương tự như thực h{nh 24.1 v{ đặt vùng ROI ở tâm
của phân bố Compton như trong hình 24.2.
2. Đặt nguồn 137Cs cách mặt detector 8 cm, đo trong 400 giây, ghi lại số đếm tích
phân trong vùng ROI.
3. Đặt tấm chì hấp thụ đầu tiên dày 0,16 cm ở vị trí cách detector 4 cm, đo trong
400 giây, ghi lại số đếm tích phân. Lặp lại phép đo với các tấm chì có độ dày khác nhau
được liệt kê trong bảng 24.2.
4. Lấy tấm chì hấp thụ ra (Z = 82) và thay bằng tấm hấp thụ cadmium dày 0,16 cm.
Đo tương tự và ghi số liệu vào bảng giống như bảng 24.2. Lặp lại phép đo với các tấm
cadmium có độ dày khác.
5. Lặp lại các thực h{nh trong bước 4 nhưng với các tấm sắt hoặc thép (Z = 26),
sau đó l{ nhôm (Z = 13). Lập 2 bảng tương tự như bảng 24.2 cho sắt và nhôm.
6. Đặt bốn tấm parafin mỗi tấm dày 2,5 cm giữa nguồn và detector, đo trong thời
gian 400 giây. Tính tốc độ đếm/phút khi sử dụng parafin dày 10 cm làm chất hấp thụ.
7. Cất tất cả các nguồn và vật liệu hấp thụ, đo x|c định tốc độ đếm phông trong
phòng. Trừ phông cho tất cả các giá trị đo thu được với mẫu và ghi các giá trị này vào
cột 5 của bảng.
Độ dày hấp thụ Thời gian đo Số đếm Tốc độ đếm trừ

STT
(cm) (giây) tích phân phông/phút
1 0
2 0,16
3 0,32
4 0,48
5 0,64
6 0,80
7 0,96
8 1,12
9 1,28
Bài tập
a. Vẽ đồ thị tốc độ đếm đ~ trừ phông theo bề dày che chắn của chì trên giấy bán
loga. Cách vẽ đ~ giới thiệu trong thực hành 3.7. Tính chiều dày hấp thụ một nửa (HVL)
của Pb như trong thực hành 3.7.
b. Từ số liệu đo của cadmi, sắt v{ nhôm, x|c định chiều dày hấp thụ một nửa của
các vật liệu này.
c. Vẽ đồ thị chiều dày hấp thụ một nửa của từng vật liệu theo số khối trên giấy bán loga.
d. Tính phần trăm suy giảm của tia gamma khi che chắn bằng 10 cm parafin. Vật
liệu này có hiệu quả trong che chắn gamma?
4.4.1. Mục đích

Nghiên cứu sự hấp thụ bêta để x|c định các tham số cần thiết trong che chắn bêta.
1. Thiết lập thí nghiệm như hình 24.3. Khi không có tấm hấp thụ, lên cao thế cho
ống đếm GM đến giá trị thích hợp. Các kỹ thuật liên quan đến ống đếm GM được trình
bày trong bài thực hành số 2.
Hình 24.3. Sơ đồ thí nghiệm đo sự suy giảm của bêta bằng ống đếm GM
2. Đặt nguồn 204Tl cách cửa sổ ống đếm GM 3 cm. Đảm bảo rằng có thể đặt các tấm
hấp thụ giữa nguồn và detector mà không làm ảnh hưởng đến hình học đo.
3. Đo không có tấm hấp thụ trong thời gian 400 giây. Ghi số đếm vào bảng 24.3.
Đặt tấm nhôm dày 2 mg/cm2 ở vị trí giữa nguồn và ống đếm GM, đo trong 400 giây.
Tiếp tục thay đổi độ dày tấm hấp thụ v{ đo như liệt kê trong bảng 24.3.
Độ dày hấp thụ Thời gian đo Số đếm Tốc độ đếm trừ

STT
(cm) (giây) tích phân phông/phút
1 0
2 0,16
3 0,32
4 0,48
5 0,64
6 0,80
7 0,96
8 1,12
9 1,28
Năng lượng (MeV) Quãng chạy (mg/cm2)

0,010 0,20
0,020 0,75
0,030 1,40
0,040 2,60
0,050 4,00
0,080 9,00
0,100 12,00
0,200 40,00
0,300 80,00
0,400 120,00
0,500 160,00
4.5.1. Mục đích

Sử dụng detector hàng rào mặt để đo chính x|c sự hấp thụ bêta trong nhôm.
4.5.2. Thả luận
Các detector hàng rào mặt kém nhạy với gamma. Vì vậy, nếu một đồng vị trong sơ
đồ phân rã có phát bêta và gamma thì có thể đo chính xác tỉ lệ hấp thụ bêta bằng
detector này. Hầu hết c|c đồng vị sau khi ph|t bêta thường ở trạng thái kích thích và
tiếp tục ph|t gamma để về trạng th|i cơ bản.
Hình 24.4. Sự suy giảm của chùm bêta năng lượng 0,766 MeV từ nguồn 204Tl
theo độ dày nhôm
Hình 24.5. Sơ đồ các khối điện tử đo suy giảm của bêta với detector hàng rào mặt
1. Bố trí thí nghiệm như trong hình 24.5. Đặt nguồn 204Tl trong buồng chân không
sao cho các tấm hấp thụ được sử dụng có thể đặt giữa nguồn và detector (Bảng 24.3).
Hút chân không cho buồng chân không và lên cao thế cho detector đến giá trị danh
định. Tham khảo bài thực hành số 6.
2. Chỉnh hệ số khuếch đại để năng lượng bêta cực đại phát ra từ 204Tl vào khoảng
kênh 350. Kiểm tra và chỉnh đúng pole zero như b{i trong thực hành số 6.
3. Đo 200 gi}y hoặc d{i hơn để có được khoảng 5000 số đếm tích phân trong toàn
phổ. Tốc độ đếm phông gần bằng 0 do đó tốc độ đếm được điền trực tiếp vào cột 5 của
bảng tương tự như bảng 24.3.
4. Lặp lại phép đo với các tấm nhôm có chiều d{y kh|c nhau như trong bảng 24.3.
Bài tập
Vẽ đồ thị số liệu thu được và so sánh với kết quả trong thực hành 24.4. Giải thích
sự khác nhau giữa hai kết quả.
4.6.1. Mục đích

Nghiên cứu đặc trưng của vật liệu parafin và chì trong che chắn nơtron nhanh từ
nguồn nơtron đồng vị (Am-Be).

1. Bố trí thí nghiệm như trong hình 24.6. Chỉnh hệ số khuếch đại để điểm cuối của
phổ nơtron ở khoảng kênh 550 (Hình 24.7).
Hình 24.6. Thực nghiệm che chắn nơtron

2. Cất nguồn Am-Be v{ đặt nguồn 60Co hoạt độ 1 μCi ở vị trí cách detector nhấp
nh|y 1 cm. N}ng ngưỡng dưới của MCA để loại hết các tia gamma từ nguồn 60Co.
3. Cất nguồn 60Co v{ đặt lại nguồn Am-Be hoạt độ 1 Ci ở vị trí cách detector 100 cm
như trong hình 24.6. Đo phổ nơtron v{ thiết lập vùng quan t}m như trong hình 24.7.
Hình 24.7. Phổ nơtron đo với detector nhấp nháy plastic trong nghiên cứu che chắn
4. Đặt mười tấm chì, mỗi tấm dày 0,16 cm tại vị trí cách nguồn Am-Be 10 cm. Tấm
chì này giúp che chắn gamma cho detector nhấp nh|y. Độ dày tổng cộng của các tấm
chì l{ 1,6 cm, nhưng thí nghiệm sẽ chứng minh rằng điều này sẽ làm giảm không ít số
nơtron ph|t ra từ nguồn.
5. Đo phổ nơtron trong thời gian đủ d{i để có khoảng 50 số đếm trên mỗi kênh
trong vùng nằm ngang của phổ như hình 24.7.
6. Tính tổng tích phân các số đếm và thời gian đo đủ d{i để thu được ít nhất 5000
số đếm. Ghi lại thời gian đo v{ số đếm. Đặt tấm hấp thụ parafin ở vị trí thích hợp v{ đo
với thời gian giống như khi đo không có chất hấp thụ.
7. Tiếp tục thực hiện phép đo với các tấm hấp thụ parafin có chiều dày từ 2,5 cm
đến 25 cm. Có thể tăng thời gian đo khi tấm hấp thụ d{y hơn để có thể thu được trên
3000 số đếm. Thời gian đo (live time) được ghi ở kênh 0 trong phổ MCA.
8. Cất nguồn Am-Be v{ đo phông trong 400 gi}y.
Bài tập
a. Tính tốc độ đếm trong mỗi phép đo. X|c định tốc độ đếm đ~ trừ phông ra khỏi
các giá trị đo được.
b. Vẽ đồ thị tốc độ đếm đ~ trừ phông theo chiều dày hấp thụ của parafin. Tính
chiều dày hấp thụ một nửa của parafin.
4.7.1. Mục đích

Để nghiên cứu đặc trưng che chắn nơtron của chì.
1. Bố trí thí nghiệm như trong thí nghiệm 4.6. Thực hiện theo c|c bước từ 1 đến 5
như trong thí nghiệm 4.6.
2. Đặt tấm chì hấp thụ đầu tiên vào vị trí thích hợp v{ đo trong một khoảng thời
gian đủ d{i để tổng số đếm tích ph}n thu được lớn hơn 5.000.
3. Tăng độ dày của chì lên 2,5 cm v{ đo trong cùng một khoảng thời gian. Lặp lại
quá trình này với các tấm chì có độ d{y kh|c nhau. Đo phông như trong thí nghiệm 4.6
và trừ phông ra khỏi các giá trị đo được.
Bài tập
a. Vẽ đồ thị tốc độ đếm theo chiều dày của chì trên giấy bán loga.
b. Từ đường thẳng thu được, ngoại suy để x|c định chiều dày hấp thụ một nửa của
chì với nguồn nơtron Am-Be. Từ giá trị chiều dày hấp thụ một nửa của parafin trong
thực hành 4.6, tính tỉ số chiều dày hấp thụ một nửa của parafin và chì.
1. G. F. Knoll, Radiation Detector and Measurement, John Wiley and Son, New York
(1979).
2. G. D. Chase and J. L. Rabinowitz, Principles of Radioisotope Methodology, 3rd
Edition, Burgess Publishing Co., Minnesota (1967).
3. V. Arena, Ionizing Radiation and Life, The C. V. Mosby Co., Missouri (1971).
4. H. L. Andrews, Radiation Biophysics, Prentice-Hall, New Jersey (1974).

Sons, New York (1978).
6. Radiological Health Handbook, U. S. Dept. of Health, Education, and Welfare, PHS
Publication 2016. Available from National Technical Information Services, U. S.
Dept. of Commerce, Springfield, Virginia.
350
PHỔ KẾ THỜI GIAN BAY
Kỹ thuật thời gian nhanh (fast-timing) sẽ được sử dụng trong thí nghiệm thời gian
bay (TOF). Trong thí nghiệm đầu tiên, thời gian bay của hạt alpha từ nguồn 241Am sẽ
được đo. Kỹ thuật này sẽ được sử dụng để đo sự mất năng lượng của các hạt alpha sau
đi qua c|c l| nhôm mỏng (như trong thực hành số 5). Trong thí nghiệm thứ 2, kỹ thuật
TOF được sử dụng để đo thời gian bay và vận tốc của tia gamma, từ đó có thể x|c định
được vận tốc của ánh sáng.
Các thiết bị cần thiết cho thực hành 25.1

- 02 khung NIM và nguồn nuôi;
- Detector đo truyền qua TD-25-25-15;
- Detector hàng rào mặt A-019-300-100;
- 02 tiền khuếch đại PC142B;
- Khuếch đại lọc lựa thời gian nhanh 574;
- 02 khối phân biệt ngưỡng 473A;
- Bộ biến đổi thời gian-biên độ TAC 457;
- Khuếch đại 572;
- MCA ACE-2K;
- Buồng đo Alpha TOF M367;
- Hộp trễ DB463;
- Bộ dây cáp ORC-25;
- Nguồn 241Am hoạt độ 1 µCi;
Bài thực hành số 25: Phổ kế thời gian bay 351
- Bộ nguồn phóng xạ SK-1A;

- Bơm ch}n không;
- Dao động ký;
- Cao thế 5 kV 459;
- Bộ Kit đồng MCU-5;
- Bộ Kit nhôm MAL-25.
Các thiết bị cần thiết cho thực hành 25.2
- Ống nhân quang Model 905-11-S 8850 11 inch;
- 02 đế cho ống nhân quang 265-S;
- 02 cao thế 556;
- Bộ phân biệt ngưỡng/SCA 583;
- Hộp trễ DB463;
- Trùng phùng nhanh 414A;
- Bộ biến đổi thời gian – biên độ TAC 457;
- MCA ACE-2K;
- 02 đế cho ống nhân quang MT-624;
- Nguồn 22Na hoạt độ 10 µCi;
- Bộ Kit phóng xạ SK-1G;
- Bộ dịch chuyển MT050 (Splitter);
- 02 khung NIM và nguồn nuôi;
- Bộ cáp nối ORC-25.
Sơ đồ khối các khối điện tử trong thực nghiệm n{y được trình bày trên hình 25.1.
Hạt alpha từ nguồn 241Am đi qua detector cửa sổ năng lượng E và kết thúc ở detector
năng lượng E. Detector E là detector đo truyền qua có cửa sổ mỏng cỡ 15 µm. Hạt
alpha sẽ mất năng lượng khoảng 2 MeV trong detector E. Với hạt alpha có năng lượng
5,48 MeV sau khi đi qua detector này sẽ còn lại năng lượng vào khoảng 3,48 MeV. Năng
lượng của các hạt alpha được đo bằng cách chuẩn khuếch đại 572 và MCA (tham khảo
thực hành số 4).
Buồng đo được thiết kế sao cho nguồn và detector E có thể cùng di chuyển về
phía detector E. Tín hiệu từ detector E sẽ dùng làm tín hiệu start cho TAC và xung từ
detector E sẽ dùng làm tín hiệu stop cho TAC. Tín hiệu lối ra của TAC được đưa đến
MCA để phân tích và sẽ tương ứng với 1 đỉnh đơn trên phổ. Sau đó nguồn và detector
E được di chuyển một khoảng v{i cm đến gần detector E. Đỉnh trên MCA sẽ bị dịch đi
một số kênh C.
Từ đường chuẩn TAC, sự khác biệt về thời gian t theo qu~ng đường bay của hạt
x sẽ được x|c định. Vận tốc của hạt alpha sẽ được x|c định bằng tỉ số x/t.
Tiến hành thực nghiệm tương tự để đo vận tốc của hạt alpha sau khi đi qua l|
đồng mỏng đặt phía trước detector E. Năng lượng bị mất của hạt alpha được x|c định
bằng kỹ thuật thời gian bay. Thí nghiệm sẽ được lặp lại cho c|c l| có độ dày khác nhau
như trong thực hành số 5. Kết quả sẽ được so sánh với các tính toán bán thực nghiệm.
Trước khi tiến hành thí nghiệm, học viên cần phải làm các thực hành 4, 5 và 13.
Thực hành số 4 v{ 5 liên quan đến detector hàng rào mặt và sự mất năng lượng, thực
hành số 13 giới thiệu về đo thời gian (fast timing) và TAC.
1. Bố trí các khối điện tử như hình 25.1. Sử dụng cáp nối 50 . Lối ra thời gian của
tiền khuếch đại 142B của hai detector E v{ E được nối với lối vào của các khuếch đại
nhanh 574. Đối với detector E, lối ra năng lượng E được đưa đến khuếch đại 572 để
ph}n tích biên độ xung.
Hình 25.1. Sơ đồ các khối điện tử trong thí nghiệm đo thời gian bay của hạt alpha
2. Năng lượng của các hạt alpha từ nguồn được đo theo 2 c|ch: (1) đo trực tiếp
bằng cách chuẩn năng lượng từ detector E, (2) đo theo vận tốc bằng kỹ thuật thời gian
bay. Để đo trực tiếp năng lượng cần phải chuẩn năng lượng cho detector E với nguồn
241Am bằng cách tháo detector E và chuẩn detector E bằng m|y ph|t xung 480 (như
thực hành số 4).

Chuẩn năng lượng sao cho dải đo của MCA vào khoảng 6 MeV. Hình 4.9 l{ sơ đồ
phân rã của 241Am và hình 4.8 là phổ biên độ xung của hạt alpha. Sau khi detector E đ~
được chuẩn thì lắp lại detector E.
3. Lối ra thời gian của tiền khuếch đại 142B của detector E được đưa đến một
trong các lối vào của khuếch đại thời gian nhanh 574. Điều chỉnh thời gian tăng của
142B là nhỏ nhất. Lối ra E của tiền khuếch đại tương ứng detector E được đưa đến một
trong các lối vào của khuếch đại thời gian 574. Lối ra của 574 được nối với lối vào của
khối phân biệt ngưỡng 473A cho cả hai kênh start và stop. Chế độ của 473A cần đặt ở:
scint 2 shaping và constant fraction timing. Xung lối ra từ 473A là xung logic âm nhanh.
C|c xung n{y được đưa v{o c|c kênh start v{ stop của TAC 457, tín hiệu trước khi đưa
vào kênh stop cần đưa qua khối trễ DB463.
4. M|y ph|t xung 480 đ~ được chuẩn trong bước 2. Chọn giá trị tương ứng năng
lượng 1 MeV và chỉnh ngưỡng (ở cả 2 kênh start v{ stop) sao cho xung logic }m được
hiển thị trên dao động ký. TAC được đặt ở dải đo 50 ns v{ chế độ đối trùng. Ở kênh
stop, trên khối trễ DB463 đặt tất cả các chuyển mạch về delay out ngoại trừ chuyển
mạch 22 ns. Nối lối ra của TAC với MCA. Trên MCA phải hiển thị 1 đỉnh đơn trong vùng
đầu của phổ TAC. TAC có thể được chuẩn bằng c|ch thay đổi giá trị trễ của khối trễ
DB463 để thu được vị trí tương ứng của c|c đỉnh trên MCA. Hình 25.2 là phổ thu được
tương ứng với các giá trị đ|nh trễ 22, 26, 30 và 34 ns.
Hình 25.2. Chuẩn thời gian – biên độ bằng máy phát xung 480
5. X|c định độ phân giải thời gian của hệ thống bằng c|ch đ|nh gi| độ dốc của
đường chuẩn này với FWHM của bất kỳ đỉnh nào. Trong hình 25.2 giá trị này là 0,99 ns.
6. Đo TOF của hạt alpha sau khi đi qua detector E. Bố trí detector E như hình
25.1. Đo phổ trong một khoảng thời gian đủ d{i để x|c định chính xác vị trí đỉnh. Chỉnh
giá trị trễ của khối trễ DB463 cho đến khi đỉnh alpha ở giữa dải của MCA. Thời gian đo
cần đủ d{i để có đủ thống kê cho x|c định chính xác vị trí đỉnh. Ghi lại vị trí đỉnh, xuống
cao thế cho cả hai detector, di chuyển detector E và nguồn về phía detector E 3 cm.
Lên cao thế v{ đo đủ d{i để x|c định chính xác vị trí đỉnh mới. Từ đường chuẩn thời
gian, x|c định t. Vận tốc của hạt alpha sẽ là x/t. Từ vận tốc n{y tính năng lượng của
hạt alpha.
7. Đo trực tiếp năng lượng của hạt alpha và so sánh với kết quả ở bước 6. Nối lối
ra của khuếch đại 572 với MCA v{ đo đủ d{i để x|c định chính x|c t}m đỉnh. Từ đường
chuẩn năng lượng của MCA, x|c định năng lượng của hạt alpha. Làm thế n{o để so sánh
với kết quả đo TOF? Ghi cả hai giá trị của kết quả này vào bảng 25.1.
Độ dày E (trực E (TOF) E mất % khác

E mất (TOF)
(mg/cm2) tiếp) (MeV) (MeV) (lý thuyết) nhau
Al, Z = 13
0,250
0,500
0,750
Cu, Z = 29
2,00
4,00
6,00
Ag, Z = 47
0,400
0,600
0,800
8. Mở hệ chân không, di chuyển detector E về vị trí ban đầu v{ đặt lá nhôm mỏng
nhất trước detector E. Thiết lập lại hệ thống v{ đo để x|c định vị trí kênh tương ứng
với vị trí đỉnh trong phổ thời gian. Mở hệ thống chân không, di chuyển detector E và
lá nhôm cách 3 cm về phía detector E. Thiết lập lại hệ thống, đo phổ sau đó x|c định t,
v v{ E như ở bước 6. Thu nhận số liệu theo bảng 25.1.
9. Đo năng lượng của đỉnh alpha theo bước 7. Ghi số liệu theo bảng 25.1. Lặp lại
thí nghiệm đo cho tất cả các lá nhôm. Hình 25.3 cho thấy sự phụ thuộc năng lượng đo
được của hạt alpha phát ra từ nguồn 241Am theo bề dày lá nhôm hấp thụ.
Hình 25.3. Đo năng lượng trực tiếp

Bài tập
Từ giá trị dE/dx trong tài liệu tham khảo số 8 và thực hành số 8, tính toán theo lý
thuyết năng lượng mất đi của hạt alpha khi đi qua các tấm thụ. Lưu ý rằng E0 l{ năng
lượng của hạt alpha trước khi đi qua l| hấp thụ (~3,4 MeV). Trong bảng 25.1, E0 là
năng lượng của hạt alpha tương ứng với lá hấp thụ có bề dày bằng 0 (không có tấm hấp
thụ). Ghi các giá trị này vào bảng 25.1. Từ số liệu, x|c định năng lượng mất đi dựa vào
phổ TOF. Tính độ sai kh|c tương đối (%) của các giá trị.
Hình 25.4 l{ sơ đồ bố trí các khối điện tử của hệ trùng phùng nhanh sử dụng trong
thí nghiệm.
Khối phân biệt ngưỡng cung cấp các thông tin thời gian và chọn dải năng lượng
quan tâm. Nếu hai tia gamma có năng lượng trong vùng quan tâm và trùng phùng
trong cửa sổ thời gian được chọn trên khối trùng phùng nhanh 414A thì TAC sẽ mở
cổng và ghi sự kiện. Trước khi thực hiện, TAC cần được chuẩn bằng máy phát xung và
đo trùng phùng c|c tia gamma 511 keV của 22Na. Tham khảo thực hành 13 và hình 13.5
trước khi bắt đầu thí nghiệm.
Detector cố định (D1) được sử dụng để lấy xung start cho TAC và detector di
chuyển (D2) sẽ lấy xung stop cho TAC. Di chuyển detector D2 theo các khoảng cách xác
định, đo v{ ghi sự khác biệt về thời gian trên phổ MCA. Vận tốc của tia gamma được
tính bằng γ = x/t. Phép đo n{y sẽ được lặp lại với nhiều khoảng cách khác nhau.
Hình 3.10 l{ sơ đồ phân rã của 22Na. Chú ý rằng khi phân rã +, 2 tia gamma hủy
cặp 511 keV ph|t ra theo 2 hướng ngược nhau 1800. Trong thí nghiệm này, tia gamma
1274 keV sẽ được sử dụng để tính thời gian bắt đầu và tia gamma do hủy cặp sẽ tính
thời gian kết thúc.
Nếu quan s|t được phổ biên độ xung từ 2 anốt của PMT 265 thì chỉ có phân bố liên
tục (Compton) được ghi nhận. Điều này là do chất nhấp nháy plastic có số nguyên tử
nhỏ và thành phần chính là hydrocarbon. Tiết diện tương t|c với photon tỉ lệ với Z5. Do
đó khi Z nhỏ, hiệu ứng quang điện thường không xảy ra. Phân bố biên độ xung sẽ giống
như ph}n bố của nơtron trong hình 16.4.
1. Bố trí các khối điện tử như hình 25.4. Lên cao thế cho các detector đến giá trị
danh định. Sử dụng cáp nối loại 50 , chiều dài cáp cho D2 phải đủ dài, khoảng 6 m để
có thể di chuyển thay đổi khoảng cách của D2. Nguồn 22Na được đặt giữa 2 detector
cách nhau khoảng 50 cm. Hệ thống cần được chuẩn trước khi đặt nguồn 22Na.
Hình 25.4. Sơ đồ bố trí các khối điện tử trong thí nghiệm TOF của gamma
2. Nối lối ra của ống nh}n quang (anode) đến lối vào của khối phân biệt ngưỡng 583.
Sử dụng một trong các lối ra của 583 nối với lối vào của DB463. Đặt giá trị trễ 100 ns với
kênh start và 120 ns ở kênh stop. Dùng cáp 50  dài 0,4 m nối giữa 2 lối ra delay của
cả hai khối 583 (bắt buộc với 583).
3. Trên khối 583, chọn chế độ vi phân (differential mode), tỉ số hằng (constant-
fraction timing), ngưỡng dưới (lower level) 10%, ngưỡng trên (upper level) 90%. Giá
trị walk ở -0,5 mV.
4. Trên máy phát xung 480, chọn xung âm, lối ra suy giảm. Đối với khối trùng
phùng nhanh 414A, sử dụng 2 lối vào trùng phùng bên trái. 2 chuyển mạch đặt ở IN và
2 chuyển mạch còn lại đặt ở OUT. Output 2 của 414A nối đến gate của TAC. Đặt cửa sổ
thời gian của 414A là 40 ns.
5. Đặt dải đo của TAC457 ở 50 ns, chọn chế độ trùng phùng. Lối ra của TAC nối
đến lối vào của MCA.
6. Bật máy phát xung và chỉnh biên độ xung cho đến khi lối ra TAC có tín hiệu đo
được trên MCA và vị trí đỉnh xuất hiện ở 1/4 cửa sổ dưới của MCA.
7. X|c định độ trễ theo đường chuẩn biên độ xung ra của TAC như trong thí
nghiệm 4.1. Đặt giá trị trễ ở kênh STOP l{ 4 ns, đo v{ lưu vị trí đỉnh. Tiếp tục thay đổi
các giá trị trễ kh|c v{ đo x|c định vị trí đỉnh tương ứng để x|c định đường chuẩn. Tính
độ dốc của đường chuẩn v{ x|c định độ phân giải của c|c đỉnh.
8. Hình 25.5 l{ 2 hai đỉnh tương ứng các giá trị trễ 4 ns và 12 ns. Cả hai đỉnh có
FWHM 8 kênh tương ứng với độ phân giải thời gian 0,94 ns. Tắt m|y ph|t xung v{ đặt
nguồn 22Na để đo TOF.
Hình 25.5. Chuẩn thời gian/kênh cho MCA
9. Xoá phổ trên MCA v{ đặt giá trị trễ ở kênh STOP l{ 12 ns. Đo phổ trùng phùng γ-γ.
Thời gian phân giải bây giờ có thể kém hơn, chỉnh ngưỡng dưới của 583 để tối ưu độ
phân giải. Khi tốc độ đếm v{ độ phân giải đạt yêu cầu thì cố định các nút chỉnh và xoá
phổ trên MCA.
10. Đo phổ với thời gian đủ dài (khoảng 25 phút) để x|c định chính xác vị trí đỉnh.
Tăng khoảng cách của D2 lên 1 m v{ đo phổ.
11. X|c định vị trí đỉnh và kênh bị dịch. Tính t từ độ dốc của đường chuẩn. Tính
vận tốc c = x/t. Để giá trị vận tốc đo được gần với vận tốc ánh sáng (3.108 m/s) thì
C phải khoảng 28 kênh tương ứng với 3,3 ns. (xem Hình 25.5).
12. Lặp lại thí nghiệm khi thay đổi khoảng cách 2, 3, 4 m và tính vận tốc tia gamma
tương ứng. Ở khoảng cách 4 m, phép đo phải đo phải mất vài giờ nhưng sẽ cho giá trị c
chính xác nhất do khoảng c|ch tăng.
13. Tháo nguồn 22Na và cất vào container.
14. So sánh giá trị đo vận tốc |nh s|ng tương ứng với 4 khoảng cách.
Câu hỏi: Hai nguồn sai số chính trong thí nghiệm l{ gì? Ước lượng độ lớn của sai số.
1. “Principles and Applications of Timing Spectroscopy”, ORTEC Application Note AN42,

available from ORTEC at http://www.ortec-online.com/Library/index.aspx?tab=1.
2. G. J. Wozniak, et. al., “Time Walk Characteristics of an Improved Constant-Fraction
Discriminator”, Nucl. Instrum. Methods 180, 509 - 519 (1981).
3. M. Moszynski and B. Bengtson, “Status of Timing with Plastic Scintillation
Detectors”, Nucl. Instrum. Methods 158, 1 – 31, (1979).
4. S. Sanyal, et. al., “Sub-nanosecond Timing Studies with Plastic Scintillation
detectors”, Nucl. Instrum. Methods 136, 157, (1976).
5. L. C. Northcliffe and R. F. Schilling, Nuclear Data Tables A7, 233, (1970).
6. M. O. Bedwell and T. J. Paulus, “A constant-Fraction Differential Discriminator for use
in Fast Timing Coincidence Systems”, IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-26(1), 442, (1979).
7. M. O. Bedwell and T. J. Paulus, “A New High-Rate Positron Lifetime Measurement
System”, Proceedings of the Fifth International Conference on Positron
Annihilation, Lake Yamanaka, Japan, 375, (April 1979).
8. M. O. Bedwell and T. J. Paulus, “A New Constant-Fraction Timing System with Improved
Time Derivation Characteristics”, IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-23(1), 234, (1976).
9. T. J. Paulus, “Optimization of a State-of-the-Art Positron Lifetime Measurement
Apparatus”, China Nuclear Society Seminar, (1985); available at
http://www.ortec-online.com/Library/index.aspx?tab=1.
10. T. J. Paulus, “Performance Characteristics of Eighteen Positron Lifetime
Spectrometers”, 9th International Conference on Positron Annihilation (1991);
available at http://www.ortec-online.com/Library/index.aspx?tab=1.
ĐO SỰ MẤT NĂNG LƯỢNG

CỦA CÁC MÂNH PHÂN HẠCH TỪ 252Cf
Nguyên thủy, thực h{nh n{y đ~ được phát triển bởi gi|o sư Jerome L. Duggan của
đại học North Texas, Hoa Kỳ và Gi|o sư Dollard Desmarais của đại học Alberta, Canada.
Năm 1938, O. Hahn v{ F. Strassman đ~ kh|m ph| ra hiện tượng phân hạch. Trong
nghiên cứu này, uranium bị chiếu nơtron đ~ tạo ra các hạt nhân có tính chất hóa học
giống như ở các nguyên tố nằm ở vị trí giữa của bảng tuần ho{n. Sau đó, c|c nh{ khoa
học thấy rằng năng lượng sinh ra trong quá trình này có thể sử dụng để tạo ra điện. Lý
thuyết quá trình phân hạch không được giải thích rõ như c|c phản ứng khác. Tuy
nhiên, vì tiềm năng năng lượng của qu| trình n{y m{ nó được quan t}m hơn c|c phản
ứng hạt nh}n kh|c. Đ}y l{ một nguồn cung cấp năng lượng hiệu quả so với các nguồn
năng lượng khác.
Sự phát triển của các nguồn nơtron đồng vị thông lượng cao đ~ tạo ra nguồn các
mảnh phân hạch tự phát. 252Cf tương đối rẻ v{ được cung cấp thương mại như một
nguồn phân hạch dùng cho ứng dụng và nghiên cứu các quá trình phân hạch.
Hình 26.1 l{ sơ đồ tạo thành 252Cf. Do đó cần phải có một lò phản ứng hạt nhân có
thông lượng cao để tạo 252Cf. Đặc trưng của sơ đồ hình 26.1 là sự tạo ra nhiều đồng vị
con hơn khi đồng vị mẹ hấp thụ một nơtron. C|c lò phản ứng sản xuất đồng vị cần có
thông lượng cao, để sự hấp thụ xảy ra trước khi đồng vị có thể ph}n r~ để tạo ra 252Cf.
Hình 26.2 là phổ đặc trưng có thể đo được trong thực hành này. Nếu động năng của các
mảnh phân hạch vào khoảng 200 MeV, theo định luật bảo to{n động lượng, nhóm hạt
nhân nhẹ sẽ nhận năng lượng nhiều hơn khoảng 30% so với nhóm hạt nhân nặng.
Năng lượng hạt alpha 6,12 MeV

Thời gian bán rã hiệu dụng 2,65 năm
Thời gian bán rã alpha 2,73 năm
Thời gian bán rã do phân hạch tự phát 85,5 năm
Tốc độ phát gamma 1,37 × 107 photon/µg

Hoạt độ riêng 500 µCi/µg
Năng lượng nơtron trung bình 2,35 MeV
Số nơtron trung bình trên một phân hạch 3,76
Tốc độ ph|t nơtron 2,34 × 106 n/s.µg
Tốc độ phân hạch 6,2 ×105 n/s.µg
Hình 26.1. Sơ đồ tạo thành 252Cf
Hình 26.2. Phổ phân bố năng lượng các mảnh phân hạch của nguồn 252Cf
Sự khác biệt năng lượng n{y l{ đủ để phân biệt và thực hiện phép đo năng lượng
của cả hai nhóm.
Bài thực hành số 26: Đo sự mçt năng lượng của các mânh phån häch từ 252Cf 361
Tất cả các thực h{nh trước đ}y trong t{i liệu này, năng lượng được đo đều dưới
10 MeV. Trong thực hành này các ion nặng được đo có năng lượng lớn hơn 100 MeV.
Khi năng lượng của một ion nặng chuyển động nhanh, đo với detector hàng rào mặt,
giá trị đo được luôn nhỏ hơn gi| trị lý thuyết, hiện tượng n{y được gọi là sự hụt biên
độ xung. Trong phép đo c|c hạt alpha và bêta, sự hụt biên độ xung cũng xuất hiện
nhưng không đ|ng kể v{ thường được bỏ qua. Đối với các ion nặng, sự hụt biên độ
xung là do: mất năng lượng ở cửa sổ detector hàng rào mặt, do va chạm với hạt nhân
và hiệu ứng plasma. Trong thí nghiệm n{y, độ hụt năng lượng ở cửa sổ vào khoảng 0,4
MeV. Nó được x|c định bởi sự mất năng lượng dE/dx của các mảnh phân hạch trong
cửa sổ bằng vàng của detector. Với các hạt alpha 6 MeV, sự mất năng lượng này vào
khoảng 4 keV. Trong hụt biên độ xung do va chạm hạt nhân, các mảnh phân hạch có
xác suất tương t|c với các hạt nh}n kh| cao. Năng lượng trung bình bị mất trong quá
trình va chạm làm giảm số electron và lỗ trống tạo ra, do đó l{m giảm biên độ xung.
Với suy giảm biên độ do hiệu ứng plasma, khi các mảnh phân hạch đi v{o bề mặt
của detector hàng rào mặt, nó mất năng lượng rất nhanh, tạo ra đ|m m}y electron–lỗ
trống d{y đặc trong một vùng hẹp. Plasma này tồn tại trong thời gian ngắn, điện
trường do nó tạo ra sẽ có xu hướng tách các cặp electron-lỗ trống và tạo ra biên độ
xung. Trong khoảng thời gian ngắn này, một phần nhỏ các cặp electron-lỗ trống có khả
năng t|i kết hợp làm giảm biên độ xung.
Có nhiều bài viết về hiện tượng này. Tài liệu tham khảo số 9 là một tóm tắt tốt về
c|c phép đo có liên quan tới hiệu ứng n{y. Đối với 252Cf, năng lượng bị hụt trung bình
l{ 16 MeV đối với các mảnh phân hạch nặng và nhẹ.
1. Lắp đặt hệ điện tử như hình 26.3. Trên mâm quay có 4 vị trí. Đặt 3 tấm hấp thụ
nhôm tại 3 trong 4 vị trí này. Vị trí mở nằm giữa nguồn và detector. Hút chân không
cho buồng chân không và lên cao thế cho detector đến giá trị danh định.
2. Chỉnh hệ số khuếch đại của khuếch đại 575A để tia alpha 6,12 MeV phát ra từ
nguồn ở một phần tư đầu tiên của phổ MCA. Ghi lại vị trí của đỉnh. Bật máy phát xung
480 và chọn chế độ suy giảm ×10. Chọn giá trị biên độ trên nút chỉnh ở 612/1.000.
Chuẩn m|y ph|t xung sao cho đỉnh xung trùng với kênh của đỉnh alpha 6,12 MeV. Kĩ
thuật n{y được trình bày cẩn thận trong thực hành số 4. Giá trị biên độ cực đại của máy
phát xung 480 bây giờ tương ứng với 10 MeV. Để thay đổi giá trị này lên 100 MeV, chỉ
cần tắt chế độ suy giảm ×10 và chọn ×1. Bây giờ vị trí biên độ xung 500/1.000 tương
ứng với năng lượng 50 MeV, …
Hình 26.3. Hệ điện tử sử dụng đo sự mất năng lượng của các mảnh phân hạch
3. Chỉnh biên độ xung trên m|y ph|t xung 480 tương ứng với năng lượng 50 MeV
và chỉnh hệ số khuếch đại 575A sao cho đỉnh ở vị trí khoảng 3/8 trên phổ MCA. Tạo
đường chuẩn với c|c năng lượng 20, 40, 60, 80 và 100 MeV. Vẽ đường chuẩn năng
lượng như trong thực hành số 4.
4. Tắt m|y ph|t xung 480 v{ đo phổ các mảnh phân hạch từ nguồn 252Cf. Phổ có
dạng như hình 26.2. Lấy số liệu từ MCA và vẽ phổ. X|c định năng lượng cho cả hai
nhóm mảnh phân hạch nặng và nhẹ. Độ hụt biên độ xung đo được như thế nào?
5. Quay m}m đặt tấm hấp thụ, đặt lá nhôm mỏng nhất giữa nguồn và detector. Đo
v{ x|c định năng lượng của hai nhóm sản phẩm phân hạch trong phổ. Từ đường chuẩn
năng lượng xây dựng được, x|c định E và sự mất năng lượng cho cả hai nhóm. Ghi các
giá trị này vào một bảng như l{ E thực nghiệm đo được của hai nhóm hạt nhân nặng
và nhẹ. Tiếp tục lặp lại thí nghiệm với các lá nhôm còn lại trong bộ hấp thụ. Bảng dữ
liệu cũng nên có gi| trị E tính theo lý thuyết cho mỗi lá và mỗi nhóm năng lượng. Giá
trị n{y được tính trong bài tập sau.
6. Xuống cao thế, cất các lá nhôm và thay thế bằng c|c l| đồng hấp thụ. Hút lại
chân không, lên cao thế và lặp lại bước 5 với c|c l| đồng.
Bài tập
Hình 26.4 biểu diễn sự phân bố khối lượng của các mảnh phân hạch từ 252Cf. Để so
sánh dữ liệu thực nghiệm thu được với lý thuyết, giả sử rằng mảnh nhẹ có khối lượng
nguyên tử 106 amu và sử dụng bảng giá trị dE/dx theo lý thuyết của . Với các hạt
nhân nặng hơn, cho số khối trung bình là 142 amu và sử dụng bảng giá trị dE/dx của
. Từ tài liệu tham khảo số 6, giá trị dE/dx của ở năng lượng 102,58 MeV là
44,05 MeV.cm2/mg.
Bài thực hành số 26: Đo sự mçt năng lượng của các mânh phån häch từ 252Cf 363
Hình 26.2. Phân bố khối lượng các mảnh phân hạch từ 252Cf
Giả sử rằng phần khối lượng nhẹ đi qua l| nhôm 0,250 mg/cm2, sự mất năng
lượng theo lý thuyết sẽ là:
E (lý thuyết) = 44,05 MeV-cm2/mg  0,250 mg/cm2 = 11,01 MeV
Năng lượng dE/dx (lý thuyết) dE/dx (lý thuyết)

Mảnh vỡ
(MeV) của nhôm của đồng
(nhẹ) 102,58 44,05 MeV-cm2/mg 30,77 MeV-cm2/mg
(nặng) 78,67 43,99 MeV-cm2/mg 28,6 MeV-cm2/mg
C|c bước thực hiện đ~ được trình bày trong bài thực hành số 5. Tính toán E/x
theo lý thuyết cho c|c l| nhôm v{ đồng còn lại. Ghi các giá trị này vào bảng dữ liệu và
tính sự khác biệt tương đối giữa giá trị thực nghiệm và giá trị tính toán theo lý thuyết.
Các giá trị dE/dx tính theo lý thuyết của các mảnh phân hạch với các lá kim loại đ~ sử
dụng trong thực h{nh n{y được trình bày trong bảng 26.2.
1. G. Bertolini and A. Coche, Eds, Semiconductor Detectors, Sections 4.1.1 and 4.2.1 to
4.2.4, American Elsevier Publishing Co., New York (1968).
(1979).
3. H. W. Schmitt and F. Pleasonton, Nucl. Instrum. Methods 40, 204 (1966).

4. S. Parker and H. N. Steiger-Shafrin, Nucl. Instrum. Methods 91, 557 (1971).
5. H. L. Adair, Nucl. Instrum. Methods 100, 467 (1972).
6. L. C. Northcliffe and R. F. Schilling, Nuclear Data Tables A7, 233, Academic Press,
New York (1970).
7. H. Henschel, et. al., Nucl. Instrum. Methods 190, 125 (1981).
8. “Heavy Ion Spectroscopy with Silicon Surface Barrier Detectors,” ORTEC
Application Note AN40 at www.ortec-online.com/Library/index.aspx.
9. E. C. Finch and A.L. Rodgers, “Measurements of the Pulse Height Defect and its
Mass Dependence for Heavy Ion Silicon Detectors,” Nucl. Instrum. Methods 113,
29 (1973).
ĐO PHỔ THỜI GIAN SỐNG CỦA POSITRON
Đo thời gian sống của một positron trong quá trình tìm và hủy với một electron là
một phương ph|p hữu ích cho việc nghiên cứu mật độ điện tử tự do, vị trí hủy positron,
các khoảng trống và các khuyết tật trong kim loại, chất bán dẫn v{ c|ch điện. Bài thực
hành này nhằm giới thiệu về phương ph|p luận của phép đo. Sau khi thiết lập các thiết bị
điện tử trong hệ đo thời gian, thời gian sống của positron sẽ được đo trong Cadmium
(kim loại) và Teflon (một chất c|ch điện). Thời gian sống đo được sẽ được so sánh với
các giá trị đặc trưng của các vật liệu và tìm hiểu nguyên nhân sự khác biệt giữa hai giá trị.
Thực hành cần 3 đến 4 giờ cho thiết lập hệ đo, thu thập dữ liệu qua đêm với nguồn
60Co hoạt độ 10 μCi để tính hiệu suất. Đo trong 4 giờ để thu thập dữ liệu với cấu hình
nguồn kẹp giữa vật liệu (Sandwich) Cd/22Na/Cd, nguồn 22Na hoạt độ 10 μCi. Bước này
có thể được đo trước hoặc ngay sau khi đo hiệu suất qua đêm. Cuối cùng, đo ít nhất 10
giờ hoặc qua đêm với cấu hình TEFLON/22Na/TEFLON. Phòng thí nghiệm cần được
kiểm so|t khi đo qua đêm để tránh tiếp xúc ngoài ý muốn với các nguồn phóng xạ.
- 02 tinh thể plastic 905-21, PMT v{ đế cắm 265A (Bicron BC418 12,9 cm3 tinh thể
hình nón cụt);
- 02 khối phân biệt ngưỡng/SCA 583B;
- 01 khối trễ DB463;
- 01 khối trùng phùng nhanh 414A;
- 01 TAC/SCA 567;
- 01 khung NIM và nguồn nuôi 4001A/4002D;
- EASY-MCA 8k, cáp USB, máy tính và phần mềm MAESTRO-32;

+ 02 c|p đồng trục RG-58A/U50-Ω đầu BNC, loại C-25-15 inch-S dài 38 cm
(15 inch) (cho tín hiệu trễ trên 583B);
+ 03 c|p đồng trục C-25-1 RG-58A/U50-Ω đầu BNC, dài 30 cm (1 ft);
+ 06 c|p đồng trục C-25-2 RG-58A/U50-Ω, đầu BNC, dài 0,61 m (2 ft);
+ 02 c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93-Ω, đầu BNC, 1,2 m (4 ft);
+ 02 c|p đồng trục C-36-12 RG-59A/U75-Ω, đầu SHV, dài 3,7 m (12 ft);
+ Đầu chữ T (Tee Splitter) MT050, 50 Ω;
- Hai phối hợp trở kháng C-28, 50 Ω (đầu cắm BNC);
- Nguồn phóng xạ 22Na hoạt độ 10 μCi, mật độ 3,6 mg/cm2, cửa sổ polymide mỏng
cho positron xuyên qua;
- Nguồn 60Co hoạt độ 10 μCi;
- Hộp 10 lá Cd chuẩn CD-40, đường kính 0,5 inch × 0,040 inch dày (12,7 mm × 1,020 mm);
- Gi| đỡ cho phép điều chỉnh khoảng cách giữa hai detector PLS;
- Các ắc co ghép nối:
+ 01 ắc co SA04544M (tròn chuẩn ba đầu ren);
+ 01 ắc co gai vặn phải SB10760M;
+ 01 ắc co nối d{i SB28602M (3 đầu ren);
- Các tấm lexan (POLYCARB-SHEET) kích thước 0,060 inch  12 inch  12 inch
(0,15 cm × 30,5 cm × 30,5 cm);
- Các tấm nhựa PTFE (Teflon) kích thước 12 inch × 12 inch × 0,093 inch để tạo ra
các mẫu Teflon dạng đĩa 12,7 mm × 2,36 mm;
- Dao động ký TDS3032C 300 MHz, 2 kênh;
Thiết bị cần thiết khác
- Kẹp gắp d{i để thao tác với các nguồn phóng xạ, đảm bảo khoảng cách tối thiểu
10 cm giữa nguồn và các ngón tay;
- Tuốc nơ vít dẹp dùng tinh chỉnh;
- Đồng hồ vạn năng có khả năng đo đến 0,5 ± 0,1 mV;
- Hộp 12 khe kích thước ¾ inch.
Bài thực hành số 27: Đo phổ thời gian sống của positron 367
Hình 27.1. Sơ đồ phân rã của 22Na

Các positron trong thí nghiệm n{y được tạo ra từ nguồn phóng xạ 22Na. Như hình
27.1, 22Na có chu kì b|n r~ l{ 2,6 năm v{ ph}n r~ positron th{nh 22Ne. Có 90% phân rã
positron năng lượng 545 keV, 22Ne ở trạng th|i kích thích có năng lượng 1,274 MeV. Thời
gian sống trung bình của trạng thái kích thích này khoảng 3 pico giây và phát gamma
có năng lượng 1,274 MeV để về trạng th|i cơ bản. Vì thời gian tồn tại ở trạng thái kích
thích rất ngắn nên c|c tia gamma 1,274 MeV được sử dụng để đ|nh dấu thời điểm
positron được sinh ra.
Nguồn 22Na được chế tạo bằng cách lắng đọng 22Na trên một tấm phim mỏng
(3,6 mg/cm2, Kapton), ở mặt trên được phủ bằng một tấm phim kh|c có độ d{y như
nhau. Tấm phim phải đủ mỏng, để tổn thất năng lượng của các positron khi thoát ra
khỏi nguồn ở góc 90o so với bề mặt của nguồn l{ không đ|ng kể. Mẫu đo có dạng đĩa
được đặt sát vào hai mặt của nguồn. Mục đích l{ để có thể bỏ qua c|c tương t|c của
positron với không khí trước khi đi v{o vật liệu mẫu. Các mẫu phải đủ d{y để hấp thụ
hết các positron phát ra từ nguồn, nhưng không đến nỗi quá dày làm suy giảm cường
độ của các tia gamma hủy cặp 511 keV tạo ra trong mẫu.
Khi positron đi v{o c|c mẫu, nó mất năng lượng do tương t|c với các electron của
nguyên tử và gây ra sự ion hóa. Điều này xảy ra cho đến khi positron đạt đến năng
lượng nhiệt với thời gian một vài pico gi}y. Khi positron đạt đến năng lượng nhiệt, xác
suất bị bắt giữ bởi một electron sẽ cao hơn khi positron khuếch tán trong vật liệu.
Đối với kim loại, mật độ điện tử tự do là cao trong vùng dẫn. Khi positron bị bắt
bởi một electron tự do, hiện tượng hủy cặp sẽ xảy ra. Do định luật bảo toàn, tổng khối
lượng của cặp electron-positron sẽ chuyển th{nh năng lượng và phát ra hai tia gamma
có năng lượng bằng nhau theo hai hướng ngược nhau. Năng lượng của mỗi tia gamma
do hủy cặp tạo nên là:
Eγγ = me.c2 = 511 keV (1)
Trong đó me là khối lượng nghỉ của electron (hoặc positron) và c là vận tốc ánh
sáng. Ít nhất hai photon phải được tạo ra để thỏa m~n định luật bảo to{n động lượng.
Đối với kim loại, thời gian sống trung bình của positron thường nằm trong dải từ 100
đến 450 pico giây [2].
Với các chất c|ch điện, do không có các electron trong vùng dẫn nên positron sẽ
liên kết với một electron hóa trị liên kết yếu tạo thành một positronium. Positronium
là một nguyên tử giống như Hydro nhưng trong đó proton được thay thế bằng một
positron. Positronium có thể tồn tại ở một trong hai trạng thái khác nhau. Khi spin của
electron v{ positron ngược hướng gọi là Para-Positronium có thời gian sống trung
bình khoảng 125 ps. Khi spin của electron v{ positron cùng hướng gọi là Ortho-
Positronium và có thời gian sống l}u hơn v{o khoảng 142 ns.
Para-Positronium phân rã chủ yếu bằng cách phát hai tia gamma 511 keV có góc
bay lệch nhau 180°. Nó cũng có thể phân rã bằng phát bốn tia gamma, nhưng x|c suất
rất nhỏ vào khoảng 1,4 × 10-6. Ortho-Positronium phân rã chủ yếu bằng phát ba tia
gamma, có năng lượng tổng 1022 keV; hoặc có thể phân rã bằng ph|t năm tia gamma,
nhưng x|c xuất vào khoảng ~1,0 × 10-6 nên không đ|ng kể và có thể bỏ qua.
Tất cả những hiệu ứng này làm thời gian sống của positron trong chất c|ch điện
lớn hơn so với trong kim loại, nguyên nhân là do sự khan hiếm c|c điện tử tự do trong
chất c|ch điện.
Thời gian sống của positron bị ảnh hưởng bởi khoảng trống, chân không và
khuyết tật trong các vật liệu được nghiên cứu [1,2]. Sự không hoàn hảo của vật liệu dẫn
đến sự thay đổi mật độ electron tại những vị trí khuyết tật. Do đó, positron khó khăn
hơn trong việc tìm kiếm một điện tử để ghép đôi v{ thời gian sống của positron được
tăng lên một cách phù hợp. Ví dụ với kim loại Molybdenum tinh khiết, thời gian sống
trung bình của positron hủy vào khoảng 121 ps. Tuy nhiên, sự tồn tại của các khoảng
trống trong kim loại có thể l{m tăng thời gian sống thêm 60 ps và trong chân không có
thể tăng thời gian sống lên thêm 340 ps [2]. Do đó, phổ thời gian sống của positron có
thể được sử dụng để nghiên cứu mật độ khuyết tật trong các vật liệu. Quá trình tôi thép
l{m tăng độ cứng, đập hoặc uốn kéo có thể l{m tăng c|c khuyết tật bên trong do đó l{m
tăng thời gian sống của positron trong kim loại. Tôi kim loại ở nhiệt độ cao có thể làm
giảm các mật độ khuyết tật do đó giảm thời gian sống của positron trong kim loại so
với trước khi tôi.
Trong thực hành này, thời gian sống của positron trong Cadmium sẽ được đo l{m
ví dụ về thời gian sống của positron trong kim loại. Thời gian sống trung bình của
positron trong Cadmium tinh khiết vào khoảng 187 ps. Thời gian sống này có thể tăng
thêm 80 ps theo một kết quả của sự xuất hiện các khoảng trống trong kim loại. Teflon
(polytetrafluoroethylene) được nghiên cứu như một ví dụ về một chất c|ch điện. Thời
gian sống trung bình của positron trong Teflon gồm ba thành phần [5]. Các thành phần
có cường độ mạnh nhất có thời gian sống trung bình vào khoảng 0,3 ns (1), thành
phần có cường độ lớn thứ hai có thời gian sống trung bình trong khoảng 0,6 ÷ 1,1 ns
(2) và thành phần có cường độ bé nhất có thời gian sống trung bình trong khoảng 1,7
đến 4,1 ns (3).
Để xây dựng các mô hình trong nghiên cứu phổ thời gian sống positron, ta bắt
đầu với việc bỏ qua các thành phần tức thời trong phổ thời gian sống của positron với
c|c độ rộng hữu hạn v{ đóng của nền phông ngẫu nhiên. Nói chung, phổ thời gian sống
có dạng là tổng của k+1 các thành phần ph}n r~ theo h{m mũ, mỗi thành phần có thời
gian sống kh|c nhau. Do đó, dạng của phổ có thể mô tả theo phương trình (2):
k 1
Ii  t 
y(t )   exp    (2)
i 1  i  i 
Trong đó y(t) l{ tốc độ đếm (trục tung) là một hàm của thời gian t (trục hoành),
τi là thời gian sống trung bình của thành phần thứ i và Ii l{ cường độ của thành phần
thứ i. Thông thường, 1 = b, b là thời gian sống trung bình của positron với vật liệu khi
không có khuyết tật. Sự bẫy positron trong các khuyết tật làm thời gian sống d{i hơn.
Tốc độ bẫy trong từng loại khuyết tật Kd liên quan với nồng độ khuyết tật Cd và thời
gian sống trung bình theo biểu thức:
Id 1 1
K d  d C d  (  ) (3)
Ib b d
Trong đó µd là hệ số bẫy, Ib và b l{ cường độ và thời gian sống trung bình của các
thành phần khuyết tật mô tả trong phương trình (2). Rõ r{ng, th{nh phần chính sẽ có
cường độ cao nhất và thời gian sống trung bình ngắn nhất. Các thành phần tương ứng
với bắt giữ trong các khuyết tật sẽ có cường độ bé hơn v{ thời gian sống trung bình dài
hơn. Từ phương trình (3), tỉ lệ của các kiểu bẫy positron khác nhau có thể tính được từ
phổ thời gian sống [6].
Phân tích phổ thời gian sống tương đối phức tạp do độ phân giải của detector và các
khối điện tử là giới hạn, ngoài ra còn có sự đóng góp tích lũy của thành phần phông phía
dưới phổ. Gọi B là thành phần phông, khi đó phương trình (2) được viết lại như sau:
k 1
Ii  t 
y(t )  B   exp    (4)
i 1  i  i 
Khi thời gian sống bằng không và thiết bị được điều chỉnh thích hợp, trên phổ thời
gian xuất hiện một đỉnh tức thời có dạng gần với dạng hàm Gauss.
1   t  t0 2 
G(t )   exp     (5)
      
Độ rộng toàn phần của đỉnh ở một nửa chiều cao cực đại (FWHM) được tính theo
công thức:
FWHM  2 ln2 (6)

Giá trị đặc trưng của FWHM nằm trong khoảng từ 180 đến 250 ps tùy thuộc vào
chất lượng và khả năng hiệu chỉnh phổ kế thời gian [7, 8].
Hình 27.2. Hàm ứng với đáp ứng tức thời G(t) Hình 27.3. Tương tự như phổ trên hình 27.2
của thiết bị, phổ thời gian đo với nguồn 60Co, nhưng trục tung vẽ trên thang logarit
cửa sổ năng lượng đặt từ 500 đến 1000 keV ở
kênh Start và từ 200 đến 380 keV ở kênh Stop.
Hình 27.4. Phổ thời gian sống đặc trưng của positron trong vật liệu TEFLON
gồm ba thành phần thời gian sống 1, 2 và 3 được vẽ dưới dạng đường đứt nét
Thành phần tức thời trong phương trình (5) thường được đo bằng cách sử dụng
các tia gamma 1,17 MeV và 1,33 MeV từ nguồn 60Co, các cửa sổ năng lượng được thiết
lập cho c|c năng lượng 1,274 MeV và 511 keV từ nguồn 22Na. Tia gamma 1,33 MeV
phân rã nối tầng với tia gamma 1,17 MeV có thời gian sống 0,7 ps [3]. Như vậy, hai tia
gamma phát ra từ nguồn 60Co trùng phùng với nhau gần như tức thời. Hình 27.2 và
27.3 là phổ thời gian của thành phần tức thời của một phổ kế thời gian. Trục tung biểu
diễn số đếm dưới dạng tuyến tính (hình 27.2) nên dễ d{ng x|c định FWHM và dạng
gauss của đỉnh.
Hình 27.3 là phổ tương tự như hình 27.2 nhưng biểu diễn dưới dạng thang logarit
(trục hoành). Cách biểu diễn này cho phép dễ d{ng đ|nh gi| tính đối xứng của đỉnh
gauss. Giá trị hiệu chuẩn l{ 6,345 ps/ kênh v{ FWHM l{ 222 ps. Lưu ý rằng đỉnh gauss
hơi về phía bên tr|i. Thông thường, sự không đối xứng này có thể giảm thiểu bằng cách
điều chỉnh WALK của khối phân biệt ngưỡng nhanh.
Phổ thời gian sống đo bằng phổ kế thời gian có dạng tích chập của c|c phương
trình (4) và (5):

N(t )  G(t ) Y(t )   G(t  t')Y(t')dt' . (7)

Như hình 27.4, th{nh phần tức thời làm ảnh hưởng đến phần gần t = 0 trong phổ
thời gian, nhưng ít ảnh hưởng đến dạng của phổ ở các thời điểm sau. Đối với một phổ
kế, độ phân giải thời gian vô cùng nhỏ ở phần đầu của phổ và sẽ tăng nhanh từ không
đến giá trị cực đại ở điểm bắt đầu của sự ph}n r~ theo h{m mũ. Sự tăng dần của hàm
trong vùng từ 0 đến 1 ns trong hình 27.4, tương ứng với tổng của các thành phần tức
thời mô tả trong phương trình (7). Nếu thời gian sống là lớn hơn nhiều so với độ phân
giải của thiết bị đối với thành phần tức thời, thời gian thu được sẽ tăng từ 12% đến
76% giá trị cực đại ở điểm bắt đầu của phổ thời gian tương ứng với h{m đ|p ứng
FWHM của thiết bị, G(t).
Lưu ý rằng phổ thời gian sống của positron thu được trong hình 27.4 gồm ba
thành phần 1, 2 và 3. Để đo chính x|c c|c th{nh phần thời gian sống của positron, các
phần mềm ph}n tích thường được sử dụng để khớp phương trình (7) theo phương
pháp bình phương tối thiểu với phổ thu được. Từ phần mềm phân tích có thể tách
được cường độ, thời gian sống của các thành phần kh|c nhau v{ độ tin cậy của các
tham số. Trong thí nghiệm này, các mẫu đơn giản sẽ được sử dụng để ước lượng thời
gian sống trung bình.
Đối với kim loại, thời gian sống trung bình của positron thường trong khoảng 100
đến 450 pico giây. Giá trị này không lớn so với độ phân giải của thiết bị tính từ đỉnh tức
thời (FWHM = 222 ps). Do đó, thời gian sống thể hiện như c|c độ dốc tuyến tính khác nhau
ở phía bên phải của đỉnh thời gian khi được biểu diễn trên trục tung theo thang logarit.
Một chú ý quan trọng là phân rã với quy luật h{m mũ sẽ trở th{nh đường thẳng
theo thời gian khi vẽ trục tung dưới dạng thang logarit (số đếm hoặc cường độ). Xét
phương trình (2) khi chỉ có một thành phần, (I1,1):
I1  t 
y1 (t )  exp    (8)
1  1 
Lấy logarit hai vế của phương trình (8), ta được:
I   t 
ln y1 (t )  ln  1     (9)
 1   1 
Đ}y l{ phương trình của đường thẳng, với độ dốc -1/1. Do đó, đồ thị phổ thời gian
sống của positron dưới dạng bán logarit (logarit của số đếm theo thời gian tuyến tính),
cho phép x|c định vùng đường thẳng ph}n r~. Độ dốc của đường thẳng có thể được sử
dụng để x|c định thời gian sống trung bình, 1. Giá trị n{y cũng có thể suy ra từ phương
trình (8) nếu chú ý rằng y1(t) giảm e = 2,718 lần theo thời gian trong đoạn ứng với thời
gian sống trung bình, 1.
Khi lấy logarit của thành phần tức thời theo phương trình (5), có thể thấy rằng
ln[G(t)] giảm theo tỷ lệ -(t-t0)2/σ2. Giá trị này suy giảm nhanh hơn nhiều với thời gian
ph}n r~ trong phương trình (9). Vì vậy, khi (t-t0) >> σ, thời gian sống theo phương
trình (9) là dữ liệu chính nếu 1 >> σ. Trong trường hợp n{y, độ dốc của đường biểu
diễn thời gian sống (logarit) có thể được đo tại các giá trị thời gian lớn để x|c định 1.
Cần chú ý rằng logarit được sử dụng trong phương trình (9) có cơ số tự nhiên (ln(x) có
cơ số e), không sử dụng logarit theo cơ số 10 (log(x) cơ số 10) và ln(x) = 2,3 log(x).
Các positron phát ra khỏi nguồn 22Na theo mọi hướng và sẽ bị hủy trong bất kỳ vật
liệu nào chúng gặp trên đường đi. Do đó, điều quan trọng là cần đảm bảo rằng vật liệu
được nghiên cứu bao bọc hoàn toàn xung quanh nguồn 22Na. Nếu không, thời gian sống
của positron trong các vật liệu khác sẽ đóng góp v{o phổ thời gian sống. Nguồn 22Na có
đường kính 5,08 mm đặt ở tâm của đĩa nguồn đường kính 12,7 mm. Vật liệu được
nghiên cứu phải có dạng đĩa, đường kính tối thiểu 12,7 mm và gồm hai mẫu, mỗi mẫu
được đặt ở một mặt của nguồn. Độ dày của từng mẫu phải lớn hơn qu~ng chạy của
positron 545 keV trong vật liệu đó. Bảng 27.1 trình bày các giá trị thời gian sống đặc
trưng của positron trong một số vật liệu (không khuyết tật [2]) và quãng chạy của
positron 550 keV trong vật liệu. Chiều dày của mẫu từ 1,5 đến 2 lần quãng chạy là có
thể chấp nhận được.
Hệ số truyền theo độ dày của mẫu với tia gamma 500 keV cũng được trình bày
trong bảng 27.1 [10]. Độ dày hợp lý của mẫu (1 đến 2 lần quãng chạy của positron) là
giá trị để việc truyền qua của các tia gamma 511 keV chấp nhận được.
Bảng 27.1. Thời gian sống, quãng chạy và hệ số truyền
của tia gamma trong một số vật liệu
Xác suất
Thời
Quãng Quãng truyền qua
gian Hệ số hấp
chạy của chạy của của photon
Số sống Mật độ thụ photon
Nguyên tố positron positron 500 keV trong
nguyên tử trung (g/cm3) ở 500 keV
550 keV 550 keV phạm vi
bình (cm 2/g)
(g/cm2) (cm) quãng chạy
(ps)
(%)
13 Al 166 0,258 2,70 0,0954 8,45 × 10-2 97,8
26 Fe 107 0,288 7,87 0,0366 8,41 × 10-2 97,6

28 Ni 110 0,285 8,90 0,0320 8,70 × 10-2 97,6
29 Cu 122 0,298 8,96 0,0332 8,36 × 10-2 97,5
30 Zn 160 0,297 7,13 0,0416 8,45 × 10-2 97,5

40 Zr 165 0,315 6,51 0,0484 8,69 × 10-2 97,3
42 Mo 121 0,319 10,22 0,0312 8,85 × 10-2 97,2
47 Ag 138 0,327 10,50 0,0311 9,32 × 10-2 97,0
48 Cd 187 0,332 8,65 0,0384 9,25 × 10-2 97,0

50 Sn 201 0,337 7,31 0,0461 9,37 × 10-2 96,9
73 Ta 113 0,369 16,65 0,0221 1,35 × 10-2 95,1
79 Au 118 0,375 19,32 0,0194 1,53 × 10-2 94,4

Kapton Polymide Film 382 0,220 1,42 0,1548
Polytetrafluoroethyl-
0,241 2,20 0,1095 8,38 x 10-2 98,0
ene (TEFLON)
Hình 27.5 l{ sơ đồ khối minh họa các khối điện tử của phổ kế đo thời gian sống
positron. Các tia gamma phát ra từ nguồn phóng xạ được phát hiện bằng các detector
nhấp nháy plastic BC418. Detector nhấp nháy BC418 có thời gian phân giải nhanh, mặt
tăng của xung ánh sáng phát ra khoảng 0,5 ns và mặt giảm khoảng 1,4 ns. Ống nhân
quang chuyển đổi ánh sáng phát ra thành tín hiệu tương tự ở anode của PMT. Thời
gian tăng xung v{o khoảng 2 ns và rộng xấp xỉ 8 ns. Tín hiệu }m, có biên độ tỷ lệ thuận
với năng lượng của c|c tia gamma được tinh thể nhấp nháy hấp thụ.
Hình 27.5. Sơ đồ khối của hệ phổ kế đo thời gian sống của positron
Khối phân biệt ngưỡng 583B có nhiệm vụ đ|nh dấu chính xác thời điểm xuất hiện
của xung từ detector nhấp nháy. Khi tín hiệu từ anốt đạt đến 20% biên độ của giá trị
cực đại, khối 583B sẽ tạo ra một xung logic đ|nh dấu thời điểm xuất hiện, các xung này
được tạo ra giống nhau v{ độc lập với biên độ xung vào [11]. Ngoài các chức năng thời
gian, các khối 583B còn có ngưỡng dưới v{ ngưỡng trên cho phép tạo xung thời gian
theo năng lượng xung vào. Khối 583B nối với lối vào Start của TAC, có thể chỉnh
ngưỡng để chọn các tia gamma 1274 keV từ nguồn 22Na và loại các tia gamma 511 keV.
C|c ngưỡng trên khối 583B nối với lối v{o Stop được điều chỉnh để nhận khoảng 90%
các tia gamma 511 keV và loại bỏ 65% các tia gamma 1.274 keV. C|c đặc điểm của
ngưỡng và tỉ số hằng cho phép thu được c|c đỉnh tích lũy hẹp, đối xứng v{ Gauss đối
với các tia gamma trùng phùng tức thời trong phổ thời gian.
Các xung logic thời gian từ 583B được làm trễ bằng khối DB463 với c|p đồng trục
để đồng bộ về mặt thời gian cho các tín hiệu lối vào khối trùng phùng nhanh 414A.
Khối Delay Box cũng l{m chậm tín hiệu Stop so với tín hiệu Start một khoảng thời gian
nhất định để thuận tiện cho quá trình biến đổi thời gian. Khối TAC biến đổi khoảng
thời gian khác biệt giữa tín hiệu Start và Stop thành một tín hiệu tương tự ở lối ra. Khối
EASY-MCA 8K số hóa biên độ xung tương tự v{ tích lũy số đếm theo c|c kênh tương
ứng với biên độ xung. Khi có nhiều cặp tín hiệu Start-Stop được xử lý trong thời gian
thu thập dữ liệu, EASY MCA sẽ vẽ biểu đồ phân bố thời gian của các cặp số đếm. Kết
quả l{ ta thu được một phổ thời gian sống của các positron.
Trong các thí nghiệm trùng phùng, khi TAC có nhiều tín hiệu đến lối vào Start
nhưng không có tín hiệu tương ứng đến Stop sẽ l{m tăng thời gian chết của các TAC.
Việc này được khắc phục bằng bổ sung các khối trùng phùng nhanh 414A để điều
khiển việc mở Gate của TAC chỉ khi đ~ x|c định được một cặp sự kiện đến Start và Stop
trong phạm vi 110 ns.
Hình 27.6 là phổ năng lượng đặc trưng của detector nhấp nháy BC418 với một
ống nh}n quang điện [12]. BC418 được cấu tạo từ các hợp chất hydrocarbon, nên các
tia gamma được phát hiện trong tinh thể chủ yếu do hiệu ứng tán xạ compton. Sự thiếu
vắng c|c đỉnh quang điện do tiết diện tương t|c quang điện tỷ lệ thuận với Z5 và số
nguyên tử trung bình là thấp, chỉ nằm trong khoảng giữa Z = 1 và Z = 12. Các chất nhấp
nháy có số nguyên tử cao như NaI(Tl), tạo ra c|c đỉnh quang điện có độ phân giải năng
lượng tốt, nhưng về mặt thời gian độ phân giải kém hơn trong khi c|c tinh thể plastic
có thể đ|p ứng được ở dải dưới nano.
Hình 27.6. Phổ biên độ (năng lượng) của nguồn 22Na đo với tinh thể BC418
Tia gamma 1,274 MeV là nguyên nhân gây ra phân bố Compton phẳng trong phổ
năng lượng, mép compton ở 1,06 MeV (E2 hình 27.6) và trải rộng đến năng lượng
không. C|c tia gamma 511 keV có cường độ mạnh hơn, tạo ra mép compton ở 341 keV
(E1 hình 27.6) và phân bố trải rộng đến năng lượng không (Để biết thêm chi tiết về các
mép compton và phân bố compton, xem trong bài thực hành số 3). Phổ biên độ xung
(năng lượng) sẽ được tham chiếu khi thiết lập ngưỡng cho các khối phân biệt ngưỡng
583B.
4.1.1. Lắp đặt

Chú ý: c|p đồng trục RG-58A/U50-Ω phải được sử dụng cho tất cả các tín hiệu
nhanh, các tín hiệu thời gian âm (fast negative). Với các tín hiệu chậm, các xung logic
dương có thể sử dụng các cáp RG-62A/U93-Ω.
1. Nếu các detector chưa được lắp đặt, lắp hai detector v{ đế cắm (905-21/PMT/PMT
- Base) lên gi| đỡ di chuyển được như hình 27.7. Ban đầu, khoảng cách giữa bề mặt các
detector được chọn ở 5,6 cm. Để thuận tiện, sử dụng c|c c|p d{i 3,7 m để nối các
detector với các khối điện tử. Nguồn được đặt ở vị trí giữa hai detector. Tuy nhiên,
không nên đặt nguồn 22Na hoạt độ 10 μCi khi không cần thiết, nhằm giảm thiểu sự tiếp
xúc với bức xạ.
Hình 27.7. Bố trí hai detector trên giá đỡ

2. Lắp một phối hợp trở kháng C-28 50 Ω v{o lối ra DYNODE trên đế cắm của ống
nhân quang 265A.
3. Lắp các khối điện tử vào khung NIM (tắt công tắt nguồn v{ cao |p). Để tránh
nhầm lẫn và thuận tiện trong thao tác, lắp đặt các khối HV 556 ở hai đầu của khung
NIM, tiếp theo các khối HV là các khối phân biệt mốc thời gian 583B. Các khối còn lại
cho mỗi detector ở về một phía của khung NIM. Chú ý rằng khối DB463 và EASY MCA 8 k
không lắp vào khung NIM.
4. Sử dụng cáp C-36-12 dài 3,7 m, nối HV OUTPUT ở mặt sau của 556 ở bên phải
của NIM với HIGH VOLTAGE trên PMT 265A của kênh STOP. Khẳng định chắc chắn
rằng cực tính (POLARITY) trên khối 556 đ~ được chọn là âm (NEGATIVE). Sử dụng
một cáp C-25-12 dài 3,7 m nối lối ra ANODE trên đế cắm của PMT với lối vào của 583B
nằm ở bên phải của khung NIM. Dùng c|p đồng trục RG-58A/U50-Ω d{i 38 cm, đầu nối
C-25-15 INCH-S nối hai lối ra delay ở mặt trước của 583B.
5. Lặp lại bước 4, nhưng với detector kênh START, khối 556 và 583B ở nửa bên
trái của khung NIM.
6. Sử dụng 0,61 m c|p đồng trục C-25-2 RG-58A/U50-Ω, nối TIMIMG OUTPUT của
583B bên trái với INPUT phía trên bên trái của khối trễ DB463. Nối lối ra đ~ l{m trễ
với lối vào phía trên bên phải của khối trễ DB463. Nối lối ra làm trễ của kênh này với
INPUT START của TAC 567.
7. Lặp lại bước 6 cho 583B bên phải, khối trễ DB463 và lối vào STOP INPUT của
TAC 567.
8. Sử dụng một c|p đồng trục C-24-2 RG-62A/U93-Ω d{i 0,61 m, nối SCA OUT của
583B bên trái với lối vào A của khối trùng phùng 414A.
9. Lặp lại bước 8 cho 583B bên phải và lối vào B của khối trùng phùng 414A.
10. Trên khối 414A, các chuyển mạch cho các lối vào A và B chọn IN; OUT cho C và
D. Đặt cửa sổ thời gian (RESOLVING TIME) cực đại (vặn theo chiều kim đồng hồ) 110
ns và khóa nút vặn.
11. Sử dụng một c|p đồng trục C-24-2 RG-62A/U93-Ω d{i 0,61 m, nối OUTPUT của
414A với START GATE của TAC 567.
12. Sử dụng c|p đồng trục C-24-4 RG-62A/U93-Ω d{i 1,2 m, nối TAC OUTPUT với
lối vào tương tự của EASY MCA-8K.
13. Kiểm tra để chắc chắn EASY MCA được nối với máy tính qua cổng USB và phần
mềm MAESTRO-32 đang chạy trên máy tính.
4.1.2. Thiết lập ban đầu
1. Trên cả hai khối 583B, vặn ngưỡng trên (UPPER LEVEL) theo chiều kim đồng
hồ về giá trị cực đại. Ngưỡng dưới (LOWER LEVEL) ở 50 mV. Đặt chuyển mạch
DIFF/INT ở DIFF và chuyển mạch CF/SRT ở CF. Đặt WIDTH OUT BK ở giá trị cực đại
(1 s). Sử dụng một vôn kế để đo ở điểm test phía trước mặt máy, chỉnh WALK để đạt
giá trị -0,5 mV trên vôn kế.
2. Đối với khối DB463 của kênh Start, đặt giá trị trễ tổng cộng l{ 100 ns. Đối với
khối trễ của kênh Stop, đặt giá trị trễ tổng cộng là 120 ns.
3. Trên TAC 567 đặt chuyển mạch STROBE ở chế độ INTernal, START GATE
chuyển sang chế độ trùng phùng, STOP GATE chuyển sang chế độ ANTIcoincidence và
TAC INHBIT chuyển sang vị trí OUT. Đặt dải đo của TAC ở 50 ns 1.
4. Trên phần mềm MAESTRO-32 điều khiển EASY-MCA, đặt dải biến đổi 4.000
kênh cho full scale. Đặt ULD của ADC ở 100% scale và LLD ở 2% của full scale. Tắt
GATE của ADC (OFF). Đặt thời gian và số đếm đặt trước về OFF.
5. Bật công tắc nguồn cho khung NIM 4001A/4002D.
6. Đặt giá trị cao áp -2.000 V cho cả hai khối 556 và bật công tắc cấp nguồn.
7. Xem trong phụ lục cách làm mẫu theo cấu hình Cd/22Na/Cd và cách đặt mẫu
giữa hai detector. Đặt mẫu sandwich giữa hai detector, đảm bảo rằng tâm của c|c đĩa
Cd trùng với trục của các detector. Tránh các sự tiếp xúc không cần thiết với nguồn và
giữ khoảng cách xa nhất có thể với nguồn trong quá trình làm việc để giảm liều chiếu.
8. Để kiểm tra tín hiệu Start, tháo dây nối từ anode với 583B và nối với lối vào dao
động ký. Phối hợp trở kháng với lối v{o 50 Ω để phù hợp đầu nối và cáp C-25-12. Đặt
thang của dao động ký là 5 ns/ô theo chiều ngang và 1 Vôn/ô theo chiều dọc, khởi phát
trên tín hiệu âm của anode để hiển thị các xung. Phân bố của biên độ xung trên dao
động ký có dạng giống như minh họa trong hình 27.6.
9. Trao đổi với người quản lý phòng thí nghiệm xem đế cắm của ống nhân quang
đ~ được chỉnh tối ưu chưa. Nếu chưa, chỉnh điện áp trên dynode thứ 2 v{ độ hội tụ để
đạt được biên độ cực đại ở lối ra anode. Tiếp theo, tăng cao |p cấp cho c|c PMT để gây
ra ít nhất 30% các xung bị bão hòa. Chỉnh điện |p trên dynode 12 để cực đại biên độ
xung ở vùng đỉnh.
10. Chỉnh cao áp cấp cho detector đến khi biên độ xung cực đại quan s|t được trên
dao động ký khoảng 2 Vôn. Để tránh sự biến dạng biên độ xung, dao động ký cần phải
có thời gian tăng bé hơn 1,5 ns. Một dao động ký có tần số 300 MHz (tương ứng với
thời gian tăng 1,2 ns) có thể đ|p ứng được đầy đủ yêu cầu đặt ra.
11. Ghi biên độ của c|c xung tương ứng với mép compton 1,06 MeV của gamma
1,274 MeV (E2 trong hình 27.6). Ghi nh~n biên độ điện áp này là V1060. Quan sát và
ghi lại biên độ của mép compton 341 keV của tia gamma 511 keV. Ký hiệu điện áp này
là V341.
Đ|nh gi| lại sự tuyến tính
a. Tính tỷ số V341/V1060.
b. Tỉ số này có gần với tỉ số 0,341/1,06?
c. Nếu có một sự khác biệt đ|ng kể, giải thích nguyên nhân gây ra sự khác biệt đó?
12. Lặp lại c|c bước từ 8 đến 11 cho detector của kênh cấp tín hiệu Stop cho TAC.
13. Nối lại c|c d}y c|p như trên hình 27.5 v{ phần 4.1.1.
4.1.3. Chỉnh WALK cho các phân biệt ngưỡng thời gian 583B
Lối ra CF MONITOR cung cấp tín hiệu giống như tín hiệu cắt không tỉ số hằng, tín
hiệu n{y được tạo ra bên trong khối 583B bằng cách làm suy giảm tín hiệu lối v{o đến
20% giá trị biên độ ban đầu, cộng với xung bản sao của tín hiệu ban đầu bị làm trễ và
đảo [11,13]. Trong thực hành này, giá trị trễ được đặt ở 2,5 ns bằng dây trễ C-25-
15INCH-S. Kết quả, minh họa trong hình 27.9b, là một tín hiệu lưỡng cực bắt đầu với
một pha âm nhỏ, tiếp theo vượt qua điểm cắt không là một pha dương lớn hơn. Điểm
cắt không xảy ra ở 20% chiều cao của xung v{o. Như vậy, tất cả c|c xung đều cắt không
ở cùng một thời điểm mà không phụ thuộc v{o biên độ xung. Bộ phân biệt ngưỡng sẽ
phát hiện tín hiệu qua điểm không để tạo ra các xung thời gian tương ứng. Pha dương
của tín hiệu CF MONITOR có khoảng 42% biên độ của xung âm ở lối vào 583B. Xem tài
liệu tham khảo 11 và 13 hoặc hướng dẫn sử dụng 583B để biết thêm chi tiết.
1. Nối lối ra 583B ở kênh START với dao động ký như hình 27.8, sử dụng c|p đồng
trục 50 Ω. Sử dụng một phần khối trễ DB463 cho việc đ|nh trễ. Đảm bảo rằng cả lối
vào Trigger Input signal của dao động ký được nối với phối hợp trở kháng 50 Ω.
2. Chỉnh màn hình hiển thị của dao động ký v{ trigger, thay đổi độ trễ trên DB463
cho đến khi thu được hình ảnh trên dao động ký như hình 27.9a.
3. Chỉnh WALK trên mặt trước 583B đến khi tất cả c|c xung lưỡng cực cắt đường
cơ sở tại cùng một điểm như minh họa trên hình 27.9b.
4. Lặp lại c|c bước từ 1 đến 3 cho 583B ở kênh STOP.
5. Trả lại các kết nối như hình 27.5 và phần 27.3.1.
Hình 27.8. Kết nối để chỉnh Walk Hình 27.9. Tín hiệu CFMONITOR Trigger
bằng tín hiệu Output của 583B
a) Walk chưa chỉnh đúng,
b) Walk được chỉnh đúng.
4.1.4. Tối ưu kh ảng cách giữa nguồn và detector

1. Tiếp tục thiết lập từ bước 5 trong phần trước, nối BK OUT (dao động blocking)
của 583B ở kênh START với lối v{o tương tự của EASY-MCA. Đo phổ trong một vài giây,
một đỉnh hẹp trong phổ xuất hiện ở khoảng 50% của toàn dải. Tính tốc độ đếm bằng
cách lấy tổng tất cả các số đếm trong phổ và chia cho thời gian đo (live time).
2. Nếu tốc độ đếm không nằm trong khoảng từ 9.000 đến 11.000 số đếm/giây, di
chuyển các detector vào gần hoặc xa hơn (nguồn 22Na phải có hoạt độ đ|p ứng).
3. Lặp lại phép đo tốc độ đếm v{ thay đổi khoảng cách giữa nguồn và detector.
4. X|c định khoảng cách từ nguồn đến các detector phải bằng nhau đối với cả hai
detector, nhưng vẫn giữ tốc độ đếm trong khoảng 9.000 đến 11.000 số đếm/giây với
mỗi detector. Cố định và ghi lại khoảng cách này.
5. Nối lại hệ như trong hình 27.5 v{ phần 4.1.
4.1.5. Chuẩn thang thời gian của TAC/ MCA với máy phát xung
1. Sử dụng 30 cm c|p đồng trục C-25-1 RG-58A/U50-Ω, nối đầu chia tín hiệu
MT050 50 Ω với lối ra ATTENuated của m|y ph|t xung 480. Đặt cực tính NEGative cho
xung ra của máy phát xung.
2. Th|o c|c đầu nối c|p đồng trục ra khỏi ANODE của hai detector và nối vào hai
lối ra của bộ chia tín hiệu MT050. Bật công tắc nguồn cho máy phát xung. Thiết lập này
sẽ đồng bộ tín hiệu cấp cho các lối vào của hai khối 583B.
3. Với dao động ký có trở kháng lối vào 1 MΩ, quan s|t lối ra BK (blocking) của các
khối 583B. Thay đổi các chuyển mạch ATTENUATOR và nút vặn thay đổi biên độ xung
(HEIGHT PULSE) để tìm biên độ bé nhất và lớn nhất ở lối ra BK. Ghi lại hai giới hạn này.
4. Lặp lại bước 3 với 583B còn lại.
5. Chỉnh biên độ của m|y ph|t xung 480 để tín hiệu ra BK có biên độ vào khoảng
giữa giá trị cực tiểu và cực đại. Khóa núm vặn.
6. Nối lại lối ra SCA với 414A, đo phổ với EASY-MCA. Một đỉnh hẹp sẽ xuất hiện
gần giữa phổ với tốc độ khoảng 60 số đếm/ giây (hoặc bằng tần số điện lưới). Dừng đo
khi tích lũy đủ số đếm thống kê của đỉnh.
7. Chuẩn thang thời gian cho phổ trên EASY-MCA bằng thay đổi độ trễ của DB463
ở kênh STOP với bước 4 ns v{ đo phổ thứ hai để thu đỉnh. Lặp lại quá trình này cho
đến khi thu được vị trí của c|c đỉnh trên toàn dải của EASY-MCA. Tham khảo thêm
trong thực hành số 25, lưu lại kết quả chuẩn để sử dụng trong các thí nghiệm tiếp theo.
8. Vẽ đồ thị vị trí đỉnh (trục x) theo thời gian trễ (trục y) để thiết lập đường chuẩn
thời gian. Tính hệ số góc của đường chuẩn (ns trên kênh). Chú ý rằng TAC có thể không
tuyến tính trong khoảng từ 0 ÷ 10 ns. Thông thường chỉ trong khoảng từ 10÷50 ns là
đảm bảo độ tuyến tính tốt trong thí nghiệm này.
9. Chọn giá trị trễ cố định trên DB463 cho lối STOP để vị trí đỉnh thời gian vào khoảng
40% dải đo của MCA. Vị trí này sẽ có thời gian xấp xỉ bằng 0 trong thực nghiệm.
10. Tháo các lối vào 583B và bộ chia tín hiệu trên máy phát xung, nối lại các lối
vào 583B với lối ra ANODE của các detector.
4.1.6. Thiết lập các ngưỡng
1. Chọn 583B tương ứng với kênh START, nối lối ra CF MONITOR và một lối ra
TIMING OUTPUT v{o dao động ký như hướng dẫn trong phần 4.1. Trigger trên tín hiệu
Negative TIMING OUTPUT để có kết quả như trong hình 27.9b.
2. Quan sát phần dương của xung CF MONITOR. Cường độ của các xung và phân
bố biên độ cần giống như trong hình 27.6. C|c xung so le ở phía trên (2/3) chủ yếu do
đóng góp của tán xạ Compton từ đỉnh 1274 keV, phần còn lại có cường độ mạnh hơn
chủ yếu là do tia gamma 511 keV tạo nên.
3. Chỉnh ngưỡng trên v{ ngưỡng dưới của 583B như sau:
4. Tăng ngưỡng dưới để cực tiểu cường độ do tán xạ Compton từ các tia gamma
511 keV tạo ra. Hạ ngưỡng trên đến khi bắt đầu cắt đỉnh các xung do tia gamma 1274
keV tạo nên. Sau đó, tăng ngưỡng trên lên một chút để đảm bảo rằng không có tia
gamma 1274 keV nào bị loại bỏ.
5. Khóa nút vặn ngưỡng dưới và trên của khối 583B ở kênh START.
6. Lặp lại c|c bước từ 1 đến 5 cho khối 583B ở kênh STOP, nhưng sử dụng các
thiết lập trong bước số 7.
7. Với 583B của kênh STOP, giảm ngưỡng trên đến khi bắt đầu cắt các xung do tia
gamma 511 keV tạo ra. N}ng ngưỡng trên lên một chút để đảm bảo rằng các gamma
tán xạ Compton do gamma 511 keV tạo ra được ghi nhận. Không đặt quá cao vì sẽ bao
gồm thêm những tia gamma 1274 keV. Tăng ngưỡng dưới đến 10% giá trị của ngưỡng
trên để loại bỏ c|c xung có biên độ dưới 10% biên độ của các xung cao nhất trên dao
động ký.
8. Khóa các nút vặn, ghi lại giá trị ngưỡng dưới và trên của khối 583B kênh STOP.
9. C|c bước từ 1 đến 5 phải đảm bảo rằng khối 583B kênh START đ|p ứng khoảng
58% các xung của gamma năng lượng 1274 keV, trong khi loại được tất cả các xung do
gamma 511 keV tạo ra. C|c bước 6 đến 8 phải đảm bảo rằng khối 583B kênh STOP
nhận được khoảng 90% các xung do tia gamma 511 keV tạo ra và loại bỏ được khoảng
65% các xung do tia gamma 1274 MeV tạo ra.
10. Để khẳng định quá trình thiết lập, kiểm tra lại các giá trị ghi được trong mục
4.1.2. Đối với 583B kênh START, giá trị ngưỡng trên vào khoảng UPPER = 1,2.V1060 (V)
v{ ngưỡng dưới LOWER = 1,3.V341 (V). Đối với 583B kênh STOP, ngưỡng trên vào
khoảng UPPER = 1,1.V341 (V) v{ ngưỡng dưới LOWER = 0,11.V341 (V). (Lưu ý rằng V341
và V1060 l{ hơi kh|c nhau do c|c detector của kênh START và STOP).
11. Trả lại các kết nối theo sơ đồ hình 27.5 và phần 4.1.1.
4.2.1. Đ chức năng đáp ứng tức thời của thiết bị

Sẽ mất khoảng 4 giờ để thiết lập thí nghiệm đo chức năng đ|p ứng tức thời của
thiết bị với nguồn 60Co. Vì vậy, thí nghiệm nên tiến hành vào cuối buổi và thực hiện đo
số liệu qua đêm.
Để tránh tiếp xúc không cần thiết đối với bức xạ, cần làm việc với nguồn ở khoảng
cách tối đa có thể và giảm đến mức tối thiểu thời gian tiếp xúc gần nguồn.
1. Gỡ mẫu Cd/22Na/Cd ra khỏi gi| đỡ mẫu v{ đặt nguồn 22Na hoạt độ 10 μCi vào
container bảo vệ.
2. Đặt nguồn 60Co hoạt độ 10 μCi v{o vị trí gi| đỡ nguồn giữa hai detector. Sử dụng
kẹp để gắp nguồn, không tiếp xúc trực tiếp bằng các ngón tay.
3. Đo dữ liệu qua đêm với EASY-MCA. Cần thu nhận số liệu ít nhất 7 giờ. Trước khi
rời khỏi phòng thí nghiệm, kiểm tra tốc độ đếm ở vùng thấp vào khoảng 40% giá trị
của toàn dải đo trên m{n hình hiển thị phổ.
4. Sau khi đo xong, lưu v{ in phổ để làm báo cáo.
5. Tính FWHM của đỉnh tương ứng với thành phần tức thời của thiết bị, G (t).
Câu hỏi: Giá trị FWHM nằm trong dự kiến là bao nhiêu?
6. Hiển thị phổ trên EASY-MCA dưới dạng logarit (theo trục tung), quan sát sự đối
xứng của đỉnh. Với trục tung theo thang logarit, đỉnh Gauss sẽ có dạng parabol đối xứng.
Câu hỏi và các vấn đề: Đường biểu diễn trên đồ thị ở hai bên của đỉnh có xuất
hiện như l{ c|c đường thẳng không? Giải thích các lý do dẫn đến sự đối xứng hoặc
không đối xứng?
7. Cất nguồn 60Co hoạt độ 10 μCi v{o container bảo vệ.
4.2.2. Đ thời gian sống của positron trong Cadmium
1. Phép đo n{y yêu cầu thu số liệu tối thiểu trong 4 giờ để tích lũy được hơn
300.000 số đếm trong toàn phổ. Nó có thể bắt đầu ngay sau phép đo qua đêm, hoặc đo
sau đó.
2. Đặt mẫu Cd/22Na/Cd giữa hai detector, mỗi đĩa Cd đối mặt với một detector. Các
đĩa Cadmium cần đồng trục với các detector. Xem phụ lục để biết thêm chi tiết về cách
chuẩn bị mẫu v{ đặt mẫu giữa hai detector. Lưu ý c|c qui định về an toàn bức xạ khi sử
dụng nguồn.
3. Khởi ph|t chương trình đo v{ thu thập dữ liệu ít nhất 4 giờ. Với nguồn 22Na hoạt
độ 10 μCi, phổ sẽ có khoảng 390.000 số đếm.
4. Sau khi dừng đo, lưu v{ in phổ để làm báo cáo.
5. Sử dụng thang logarit, tìm số đếm cực đại ở đỉnh và gọi là Nmax, tìm kênh bên
phải của đỉnh ứng với số đếm Nmax/2, gọi kênh này là C1. Tìm kênh bên phải của đỉnh
ứng với số đếm Nmax/(2 × 2,718), gọi giá trị này là C2. Có thể phải nội suy giữa các kênh
để tìm các giá trị này.
6. Tính C2 – C1 và nhân với hệ số chuẩn thời gian/ kênh để ước tính thời gian sống
trung bình của positron trong Cadmium.
7. Để chính x|c hơn, x|c định phần cuối của đỉnh về phía bên phải bằng đường thẳng
(với thang logarit). Vẽ một đường thẳng qua c|c điểm dữ liệu. Tính độ dốc của đường
thẳng và báo cáo thời gian sống trung bình của positron trong Cd (xem phương trình (9)).
Câu hỏi và các vấn đề
a. Thời gian sống ước tính trong bước 5 và 6 so với thời gian sống của positron
trong vật liệu Cadmium chuẩn?
b. Những hạn chế về độ chính xác của hai phương ph|p ước lượng thời gian sống
trung bình?
c. Những lý do về sự khác nhau giữa thời gian sống trung bình đo được và giá
trị chuẩn?
d. Làm thế n{o để x|c định khả năng đ|p ứng tức thời của thiết bị G(t), như đo với
60Co, ảnh hưởng đến phép đo thời gian sống trung bình của positron trong Cadmium?
e. Nguồn 22Na được lắng đọng trên một lớp màng mỏng Kapton. Có thể phát hiện
bất kỳ sự nhiễm bẩn từ phổ thời gian sống trung bình của positron trong Cadmium, các
thời gian sống trung bình của positron trong Cadmium d{i hơn trong Kapton?
f. C|c đĩa trong suốt giữ mẫu sandwich được làm bằng Lexan (polycarbonate).
Lexan có ba thành phần thời gian sống trung bình: 125 ps, 0,3 đến 0,4 ns v{ 2 đến 3 ns
[14]. Các thành phần này có xuất hiện trong phổ?
g. C|c bước để cực tiểu mức độ nhiễm bẩn Kapton hoặc các vật liệu khác ở gần nguồn?
h. Trong thí nghiệm này, hình học đo giữa các detector là 180°. Khi một tia gamma
1274 keV được phát hiện trong kênh START, một tia gamma hủy 511 keV được phát
hiện trong kênh STOP, điều đó đồng nghĩa với một xác xuất khoảng 20% có một tia
gamma 511 keV xuất hiện đồng thời ở kênh START. Thêm nữa là sự tuyến tính của tín
hiệu xung của năng lượng 1274 và 511 keV trong kênh START. Hiệu ứng sẽ như thế
nào nếu tia gamma 511 keV bị làm chậm trong khởi phát cắt không của khối phân biệt
ngưỡng ở kênh START như minh họa trong hình 27.9b? Phổ thời gian sống của
positron sẽ bị biến dạng như thế n{o [15]? Thay đổi hình học đo giữa detector-nguồn-
detector như thế n{o để đ|nh gi| sự biến dạng?
i. C|c photon tương tác với tinh thể nhấp nháy qua tán xạ Compton, ảnh hưởng
của gamma tán xạ Compton trong tinh thể nhấp nháy và vật liệu xung quanh lên phổ
thời gian sống của positron như thế nào?
j. Nếu sử dụng hình học detector-nguồn-detector là 90°, cấu hình sẽ cho phép loại
ảnh hưởng của photon tán xạ [1, 2]?
4.2.3. Đ thời gian sống trung bình của positron trong TEFLON
Phép đo đòi hỏi khoảng 10 giờ để thu được tối thiểu 1 triệu số đếm. Nếu phép đo
tại mục 4.2.2 kết thúc vào buổi chiều, phép đo có thể được thực hiện qua đêm.
1. Lấy nguồn 22Na từ mẫu Cd/22Na/Cd v{ đặt vào mẫu TEFLON/22Na/TEFLON
(xem thêm phụ lục). Đặt mẫu TEFLON/22Na/TEFLON đồng trục và giữa hai detector,
thao tác phải tuân thủ các nguyên tắc của an toàn bức xạ.
2. Đo dữ liệu ít nhất 10 giờ với nguồn 22Na hoạt độ 10 μCi, phổ đo cần có tối thiểu
1 triệu số đếm.
3. Sau khi kết thúc phép đo, lưu v{ in phổ để làm báo cáo. Phổ thời gian sống trung
bình của positron trong Teflon có ba thành phần như minh họa trong hình 27.4.
4. Để đo thời gian sống trung bình của thành phần chính, cần x|c định số đếm cực
đại trong phổ và gọi giá trị này là nmax. Tìm kênh có số đếm 0,8nmax ở sườn xuống của
phổ, gọi vị trí kênh này là C1. Tìm kênh có số đếm (0,8/2,718)nmax và gọi vị trí kênh này
là C2. Tính C2 - C1 và nhân với hệ số chuẩn pico/kênh từ mục 27.3.5. X|c định thời gian
sống trung bình của thành phần chiếm ưu thế trong TEFLON.
5. Để x|c định chính x|c hơn thời gian sống trung bình của cả ba thành phần, vẽ
phổ ở thang b|n logarit. Như đ~ mô tả trong hình 27.4, x|c định ba vùng nơi m{ logarit
có dạng tuyến tính. Vẽ đường thẳng đi qua c|c điểm dữ liệu trong từng vùng. Tính độ
dốc của mỗi đường thẳng và thời gian sống trung bình của mỗi thành phần bằng cách
sử dụng mô hình trong phương trình (9). B|o c|o thời gian sống trung bình của ba
thành phần.
6. Cất nguồn 22Na hoạt độ 10 μCi v{o container bảo vệ.
Câu hỏi và các vấn đề
a. Nhận xét về độ chính xác của hai phương ph|p x|c định 1.
b. So sánh thời gian sống trung bình đo được của ba thành phần với giá trị chuẩn
của Teflon?
c. Giải thích các lý do làm giá trị đo lệch so với giá trị chuẩn.
d. Tại sao thời gian sống trung bình của positron trong Teflon d{i hơn so với trong
Cadmium?
e. Tại sao thời gian sống trung bình của positron trong Teflon có ba thành phần
nhưng trong Cadmium chỉ có một?
1. Y. C. Jean, P. E. Mallon and D. M. Shrader, Principles and Applications of Positron

and Positronium Chemistry, World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., ISBN 981-
238-144-9, (2003).
2. I. K. MacKenzie, Experimental Methods of Annihilation Time and Energy
Spectrometry, Positron Solid-State Physics, Soc. Italiana di Fisica, Bologna, Italy,
LXXXIII Corso, 1983, pp 196 – 264.
Sons, New York (1978). See also the National Nuclear Data Center Internet
resource at: http://www.nndc.bnl.gov/.
4. http://en.wikipedia.org/wiki/Positronium
5. S. J. Tao and J H Green, Proc. Phys. Soc. 85 (1965), 463. A Third Positron Lifetime in
Solid Polymers, iopscience.iop.org/0370-1328/85/3/.../0370-1328_85_3_307.pdf
6. www.positronannihilation.net/index_files/positron%20lifetime.pdf
7. ORTEC Application note: AN42 Principles and Applications of Timing
Spectroscopy, Figures 16 and 17. Available at http://www.ortec-
online.com/Library/index.aspx.
8. T. J. Paulus, Performance Characteristics of Eighteen Positron Lifetime
Spectrometers, 9th International Conference on Positron Annihilation, 1991.
Available at: http://www.ortec-online.com/Library/index.aspx.
9. M. J. Berger, J.S. Coursey, M.A. Zucker and J. Chang, Stopping-Power and Range
Tables for Electrons, Protons, and Helium Ions, NIST Physical Measurements
Laboratory. Available at http://www.nist.gov/pml/data/star/index.cfm.
10. J. H. Hubbell+ and S. M. Seltzer, Tables of X-Ray Mass Attenuation Coefficients and
Mass Energy-Absorption Coefficients from 1 keV to 20 MeV for Elements Z = 1 to 92
and 48 Additional Substances of Dosimetric Interest, NIST Physical Measurements
Laboratory. Available at http://www.nist.gov/pml/data/xraycoef/index.cfm.
11. Introduction to Fast Timing Discriminators: Leading Edge, Constant Fraction,

Single and Multiple Input at http://www.ortec-online.com/Solutions/modular-
electronic-instruments.aspx
12. T. J. Paulus, Optimization of a State-of-the-Art Positron Lifetime Measurement
Apparatus, China Nuclear Society Seminar, (1985). Available at http://www.ortec-
online.com/Library/index.aspx?tab=1
13. T. J. Paulus, Timing Electronics and Fast Timing Methods with Scintillation
Detectors, IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-32, No. 3, June 1985. Available at
http://www.ortec-online.com/Solutions/modular-electronic-instruments.aspx
14. J. Hill and C. M. Agrawal, Positron Lifetime Spectroscopy Characterization of
Thermal History Effects on Polycarbonate, Journal of Materials Science, Vol. 25,
No. 12, (1990) pp 5036-5042, DOI: 10.1007/BF00580127.
15. L. I. Dao-Wu et al., A Compact Positron Annihilation Spectrometer, Chinese Physics
C (HEP & NP), Vol. 35, No. 1, Jan. 2011, pp 100 – 103.
PHỤ LỤC
Chế tạo và ghép mẫu dạng kẹp mẫu/nguồn/mẫu

Phụ lục n{y hướng dẫn cách chế tạo và ghép mẫu Cd/22Na/Cd và mẫu
TEFLON/22Na/TEFLON dưới dạng kẹp. Cách cắt bốn đĩa Lexan v{ ghép với Cadmium
hoặc Teflon. C|c đĩa Teflon cắt có đường kính 12,7 mm. Các thao tác làm mẫu phải
được sự đồng ý của người quản lý phòng thí nghiệm.
1. Chế tạo tấm Lexan
Lexan được sử dụng có kích thước 0,15 cm  30,5 cm  30,5 cm và làm từ
polycarbonate. Từ các tấm này, cắt cẩn thận 4 tấm, mỗi tấm có kích thước 0,15 cm 
7,6 cm  7,6 cm. Hãy chắc chắn rằng tất cả bốn tấm đều có kích thước giống nhau và
chính xác, việc cắt chính xác rất quan trọng khi ghép mẫu và nguồn.
2. Chế tạo đĩa Teflon
Teflon được sử dụng làm bằng PTFE, có kích thước 0,236 cm × 30,5 cm × 30,5 cm.
Từ các tấm này cắt 2 đĩa, mỗi đĩa có đường kính 12,7 mm và dày 2,36 mm.
3. Gắn đĩa Cadmium lên tấm Lexan
1. Trên một mảnh giấy, vẽ một hình vuông kích thước 7,6 cm × 7,6 cm bằng với
kích thước bên ngoài của các tấm Lexan.
2. Tìm chính xác tâm của hình vuông và vẽ một vòng tròn với đường kính 12,7 mm
xung quanh t}m đó.
3. Đặt c|c đĩa Lexan lên giấy trùng chính xác với các cạnh của hình vuông.
4. Làm sạch các vết bẩn (mỡ, dầu, bụi,…) ở hai mặt của tấm Lexan và Cd bằng cồn.
5. Sử dụng keo dán hoặc tấm dính hai mặt, d|n c|c đĩa Cadmium ở tâm của tấm
Lexan. Sử dụng các vòng tròn trên giấy để định vị.
6. Nếu sử dụng tấm dán hai mặt, cắt tỉa những phần nhô ra ngoài chu vi của đĩa
Cadmium. Tương tự như vậy, loại bỏ keo dán thừa ra ngo{i. Đối với các liên kết, điều
quan trọng là phải thấy được đường kính ngoài của đĩa Cadmium qua Lexan.
7. Lặp lại c|c bước từ 3 đến 6 cho tấm Lexan thứ hai v{ c|c đĩa Cadmium kh|c.
4. Gắn đĩa Teflon trên tấm Lexan
Làm giống như qu| trình 27.A.3 để gắn hai đĩa Teflon trên hai tấm Lexan. Vì
Teflon là một vật liệu không dính, do đó cần chọn keo dán hoặc tấm dính hai mặt thích
hợp. Cũng có thể làm nhám bề mặt của Teflon trước khi dùng keo dán.
5. Lắp ráp các mẫu sandwich Cd/22Na/Cd

Để giảm thiểu sự tiếp xúc với nguồn phóng xạ và thuận lợi khi thao tác, cần sử
dụng khuôn xếp để giữ các cạnh của các tấm Lexan, các tấm Lexan được xếp chồng lên
nhau và ép giữa ở các cạnh.
Trong quá trình thao tác, cần tuân thủ c|c qui định an toàn bức xạ và dùng kẹp
gắp để di chuyển nguồn.
Đối với nguồn điểm 22Na hoạt độ 10 μCi, suất liều do các tia gamma 511 keV vào
khoảng 110 mR/h ở khoảng cách 1 cm; 4,4 mR/h ở 5 cm; 1,1 mR/h ở 10 cm và 0,01 mR/h
ở 100 cm.
1. Đặt tấm Lexan v{ đĩa Cadmium trên cột với mặt Cadmium ở phía trên.
2. Trong bước tiếp theo, kiểm tra tính nguyên vẹn của tấm Kapton bọc nguồn 22Na.
Nếu có bất kỳ dấu hiệu bị thủng, cần thông báo cho cán bộ an toàn bức xạ và không
được sử dụng.
3. Sử dụng nhíp hoặc kẹp d{i, đặt nguồn 22Na hoạt độ 10 μCi lên đĩa Cadmium.
Đảm bảo rằng mép ngoài trùng khít lên nhau.
4. Cẩn thận đặt thêm đĩa Lexan thứ hai với mặt cadmium úp xuống, ép c|c đĩa với
các cạnh trùng khít. Hãy chắc chắn rằng các cạnh của hai tấm Lexan đ~ liên kết.
5. Thêm các tấm kẹp ¾ inch ở bốn cạnh để giữ các cạnh của các tấm Lexan. Kiểm tra
các cạnh của nguồn v{ hai đĩa Cadmium còn lại để đảm bảo cố định trong suốt thí nghiệm.
6. Khi đặt mẫu v{o đo, cần giữ cố định các góc của mẫu bằng kẹp.
6. Lắp ráp các mẫu sandwich TEFLON/22Na/TEFLON
1. L{m ngược lại c|c bước trong thủ tục Mục 5 Phụ lục để tháo rời mẫu sandwich
Cd/22Na/Cd.
2. L{m theo c|c bước trong Mục 5 Phụ lục để lắp mẫu sandwich
TEFLON/22Na/TEFLON, ngoại trừ thay thế các tấm Lexan với c|c đĩa Teflon bằng các
đĩa Cadmium.
7. Đặt mẫu sandwich giữa các detector
Đặt mẫu sandwich giữa hai detector, dùng ba ngón tay vặn gi| đỡ để kẹp chặt mẫu
ở một cạnh. Chỉnh độ cao và khoảng c|ch để tâm của mẫu trùng với tâm của các
detector và ở giữa hai detector. Các tấm Lexan phải gần song song với mặt của tinh thể
detector.
Điều quan trọng là vị trí mẫu phải đảm bảo trong qu| trình đo. Để đ|nh gi| độ nhạy
của phép đo với vị trí của nguồn, chú ý rằng tia gamma có thể đi qua 1 cm trong 33 ps.
PHỤ LỤC 389
Phụ lục 1
CÁC CHUẨN ĐIỆN TỬ VÀ ĐỊNH NGHĨA
CHUẨN NIM VÀ CAMAC

Hầu hết các thiết bị điện tử hạt nhân do ORTEC chế tạo được thiết kế dưới dạng các
mô đun theo chuẩn NIM hoặc CAMAC. Mục đích của hai chuẩn quốc tế này là tạo ra các
thiết bị, tài liệu hướng dẫn sử dụng cho người dùng một cách tiết kiệm và thuận tiện.
Hai ưu điểm quan trọng nhất của chuẩn NIM và CAMAC là tính linh hoạt và khả
năng thay thế. Người dùng có thể lập cấu hình tối ưu cho một hệ thống đo theo những
ứng dụng cụ thể và dễ dàng lắp ráp các thiết bị theo yêu cầu của thí nghiệm cũng như
thay đổi cấu hình khi cần. Ngoài ra, hệ thống còn được cập nhật thường xuyên một số
mô đun mới, do đó l{m tăng gi| trị của các thiết bị thí nghiệm có trong tay. Khi nhu cầu
thực nghiệm tăng lên hoặc công nghệ tiên tiến có thêm nhiều thiết bị mới, nhiều mô
đun mới có thể được thêm vào hệ thống nhưng vẫn đảm bảo khả năng tương thích cao.
Cả hai chuẩn NIM v{ CAMAC đều kết hợp c|c mô đun chức năng cắm vào một
“bin” hoặc “crate” để lấy nguồn nuôi ở phía sau của bin hoặc crate. Chuẩn CAMAC khác
với chuẩn NIM ở hai điểm quan trọng. Thứ nhất, crate của CAMAC có một vi xử lý được
tích hợp để truyền dữ liệu và giao tiếp giữa máy tính với c|c mô đun. Thứ hai, các mô
đun CAMAC có độ rộng nhỏ, chỉ bằng một nửa độ rộng của mô đun NIM đơn. C|c mô
đun NIM có thể cắm v{o crate CAMAC để lấy nguồn nuôi khi sử dụng adaptor.
Một số sản phẩm ORTEC cũng được chế tạo compact cho các ứng dụng đặc thù
hoặc đi hiện trường. Trong trường hợp n{y, thường sử dụng các nguồn điện xoay chiều
90 V, 117 V hoặc 249 V. Ví dụ như: c|c bộ sạc, pin, phổ kế di động. Tất nhiên tín hiệu
tương tự và tín hiệu số của các thiết bị n{y cũng phù hợp với các chuẩn NIM, ECL và
được mô tả ở phần sau.
Một số khung NIM có thể có giao diện riêng với máy tính cá nhân theo các chuẩn
IEEE-488, RS-232-C, Ethernet, USB, printer-port,… Chuẩn NIM cũng có thể hỗ trợ giao
tiếp với các thiết bị cắm trên khe PCI của máy tính.
CHUẨN NIM
Tham khảo về chuẩn NIM trong các tài liệu “DOE/ER-0457T, U.S. NIM committee,
th|ng 5, 1990” hoặc “Standard NIM Instrumentation System, NTIS, U.S. Department of
Commerce, Springfield, Virginia 22161”.
CHUẨN CAMAC
Tham khảo chuẩn CAMAC trong các tài liệu: IEEE Standard 583-1982, reaffirmed
1994, IEEE Standard Modular Instrumentation and Digital Interface System (CAMAC),
Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., P.O. Box 1331, 445 Hoes Lane,
Piscataway, NJ 08855-1331.
TÍN HIỆU LOGIC, TƯƠNG TỰ VÀ GHÉP NỐI
Nhiều thiết bị của ORTEC sử dụng cả hai tín hiệu tương tự và logic, vì vậy cần
phân biệt giữa hai tín hiệu khi lắp đặt thiết bị. Biên độ của một tín hiệu tương tự chứa
thông tin về điện tích v{ năng lượng hấp thụ khi một sự kiện phát hiện được. Vì vậy,
các tín hiệu tương tự có biên độ thay đổi trong một dải. Ph}n tích biên độ của tín hiệu
tương tự từ một thiết bị cho phổ biên độ xung của các sự kiện phát hiện được. Ngược
lại, các tín hiệu logic có hình dạng v{ biên độ không đổi. Chúng được sử dụng để đếm
các sự kiện, cung cấp thông tin về thời gian đo v{ để kiểm soát chức năng của các khối
khác trong hệ thống. Cả hai tín hiệu tương tự v{ logic được kết nối bằng c|c c|p đồng
trục v{ c|c đầu BNC, LEMO hoặc SMA. Tín hiệu logic cũng có thể được ghép bằng cáp
nhiều sợi dạng bó với c|c đầu nối nhiều chân.
TÍN HIỆU TUYẾN TÍNH CHẬM
Các tín hiệu tuyến tính chậm thường có thời gian tăng d{i hơn 50 ns v{ thời gian
giảm trong dải từ 0,5 đến 100 µs. Trong các mô-đun của ORTEC, các tín hiệu tuyến tính
chậm theo chuẩn NIM có biên độ trong khoảng từ 0 ÷ 10 V. Các tín hiệu này có thể là
đơn cực hoặc lưỡng cực. Trong cả hai trường hợp, tín hiệu ở trong dải từ 0 đến +10 V
được sử dụng cho ph}n tích thông tin biên độ xung.
Không có tiêu chuẩn về cực tính v{ độ rộng cho xung ra của tiền khuếch đại và
khuếch đại. Tín hiệu này phải thay đổi được về cực tính v{ độ rộng để phù hợp với việc
ghép nối trong từng ứng dụng cụ thể. Tuy nhiên, xung ra từ tiền khuếch đại nhạy điện
tích của ORTEC thường có đuôi xung kéo d{i khoảng 50 µs (hoặc lớn hơn). Khuếch đại
sẽ được thiết kế để có thể thích hợp với các cực tính của xung lối vào và mạch khử cực
không (pole-zero).
Hầu hết các khối tuyến tính của ORTEC cung cấp các tín hiệu chậm có trở kháng rất
thấp, thường < 1 Ω. Trở kháng thấp cho phép dễ nối với các tải mà không làm suy giảm
biên độ tín hiệu. Ví dụ, tải có điện trở 100 Ω gần như có khả năng nhận toàn bộ biên độ
tín hiệu ở lối ra (10 V). Do đó, lối ra có trở kháng thấp thì đơn giản dễ sử dụng, nó cho
phép lấy song song nhiều tải mà không làm suy giảm tín hiệu. C|p đồng trục 93 Ω, như
RG-62A/U, thường được dùng để nối các tín hiệu tuyến tính chậm giữa các mô-đun.
Hạn chế của lối ra trở kháng thấp là sự dao động gây ra do phản xạ sóng từ các
điểm nối với c|c c|p d{i hơn 1,5 mét. Do đó, c|p đồng trục d{i 93 Ω phải được kết thúc
ở đầu nối bằng một tải 93 Ω. Điều n{y thường được thực hiện bằng cách thêm một đầu
nối chữ T và một đầu phối hợp trở kh|ng 100 Ω trên lối vào của khối nhận tín hiệu.
Đầu phối hợp trở kh|ng 100 Ω được mắc song song với trở lối v{o 1000 Ω hoặc lớn ở
môđun nhận sẽ cung cấp đầy đủ sự phối hợp trở kháng với c|p đồng trục 93 Ω.
PHỤ LỤC 391
Một giải pháp thay thế cho vấn đề phối hợp là lối ra của các khối tương tự chậm
được chế tạo với trở kh|ng 93 Ω. Khi đó chiều dài của c|p 93 Ω có thể rất lớn nếu trở
kháng lối vào của tải là rất lớn. Nếu trở kháng của nguồn l{ 93 Ω v{ tải cũng 93 Ω hoặc
100 Ω thì khi ghép nối biên độ tín hiệu sẽ bị giảm đi một nửa. Công dụng chính của các
lối ra có trở kh|ng 93 Ω l{ tạo sự ổn định chống lại c|c dao động do các dây cáp khác
nhau tạo ra.
Lối ra năng lượng của tiền khuếch đại ORTEC thường có trở kh|ng 93 Ω để tạo sự
tuận tiện khi ghép tiền khuếch đại với khuếch đại bằng c|c d}y c|p d{i. Do đó c|p 93 Ω
phải được sử dụng trên các bộ tiền khuếch v{ không nên đặt bộ phối hợp trở kháng
100 Ω ở đầu thu.
TÍN HIỆU TUYẾN TÍNH NHANH
Các tín hiệu tuyến tính nhanh cho các phép đo thời gian thường có thời gian tăng
nhỏ hơn một vài nano giây và thời gian giảm nhỏ hơn 1 µs. Về mặt lịch sử, những tín
hiệu tuyến tính n{y thường bắt nguồn từ anốt của ống nh}n quang điện và có phân cực
âm. Khoảng biên độ của các tín hiệu nằm trong các dải 0 đến 1 V, 0 đến 5 V hoặc 0 đến
10 V tùy vào thiết bị phát tín hiệu.
Do thời gian tăng nhanh, sự kết nối giữa các mô-đun luôn được thực hiện với cáp
đồng trục 50 Ω, lối vào của các tín hiệu này cần được cố định trở tải ở 50 Ω. Do đó c|c
mô đun d{nh cho việc sử dụng các tín hiệu n{y thường có trở kháng lối v{o 50 Ω. Đối
với c|c mô đun có trở kháng lối v{o cao, đầu nối chữ T và một phối hợp trở kh|ng 50 Ω
có thể được thêm ở lối vào cho phù hợp. Thiết bị phát ra các tín hiệu tuyến tính âm
nhanh có thể có trở kháng lối ra rất cao (nguồn dòng) hoặc là rất thấp với nguồn thế
(nhỏ hơn 1 Ω). Một ví dụ của trở kháng lối ra rất cao là anốt của ống nh}n quang điện.
Trường hợp ngược lại, bộ khuếch đại nhanh để sử dụng cho các tín hiệu n{y thường có
trở kháng lối ra nhỏ hơn 1 Ω.
Có thể dùng cho các loại c|p đồng trục 50 Ω kh|c nhau với c|c đầu nối BNC hoặc
LEMO cho các tín hiệu có thời gian tăng lớn hơn 1 ns. Nhưng với các tín hiệu thời gian
tăng nhỏ hơn nano gi}y, đòi hỏi phải có c|p đồng trục chất lượng cao RG-58A/U v{ đầu
nối SMA để duy trì thời gian tăng. Độ dài của c|p cũng ảnh hưởng đến thời gian tăng
tín hiệu. Ví dụ, tổng chiều dài của cáp RG-58A/U được giới hạn nhỏ hơn 1,7 mét để duy
trì thời gian tăng 350 ps từ bộ tiền khuếch đại Model 9306. Đối với các tín hiệu có thời
gian tăng khoảng 2 ns, cần phải xem xét sự suy giảm thời gian tăng khi dùng c|p đồng
trục d{i hơn 4 mét. Nói chung, giới hạn thời gian tăng của c|p đồng trục tỉ lệ thuận với
bình phương chiều dài của nó.
CÁC TÍN HIỆU LOGIC PHÂN CỰC DƯƠNG TRONG CHUẨN NIM
Trong chuẩn NIM, tín hiệu logic phân cực dương được dùng cho các tín hiệu logic
từ chậm - đến trung bình - đến nhanh với tần số đến 1 MHz. Biên độ của tín hiệu logic
dương chuẩn NIM được giới hạn như sau:
Lối ra Lối vào

Mức 1 +4 đến +12 V +3 đến +12 V
Mức 0 +1 đến -2 V + 1,5 đến -2 V
Ngo{i ra, ORTEC còn đặt thêm một số điều kiện nữa với các tín hiệu logic phân cực
dương chuẩn NIM:
Độ rộng xung 0,5 µs
Trở kháng nguồn ≤ 10 Ω
Trở kháng lối vào ≥ 1000 Ω
Sự kết nối các tín hiệu logic dương giữa các khối điện tử chuẩn NIM phải được
thực hiện với c|p đồng trục 93 Ω. Nên sử dụng các cáp RG-62A/U với c|c đầu nối UG-
260/U (BNC). Chiều d{i c|p thường không yêu cầu dưới 1,5 m để có trở kháng phù
hợp vì sự phản xạ sóng không phải là vấn đề. Khi dây có chiều dài lớn, để ngăn sự phản
xạ sóng trên dây cáp thì cần phải có một phối hợp trở kh|ng 100 Ω ở đầu thu.
TÍN HIỆU LOGIC PHÂN CỰC ÂM NHANH TRONG CHUẨN NIM
Trong chuẩn NIM, các tín hiệu logic }m nhanh thường được dùng khi thời gian
tăng hoặc tần số đòi hỏi vượt quá khả năng của xung chuẩn logic dương. C|c tín hiệu
này yêu cầu trở kh|ng 50 Ω v{ c|c yêu cầu sau:
Lối ra Lối vào
Mức 1 -14 đến -18 mA -12 đến -36 mA
Mức 0 -1 đến +1 mA -4 đến +20 mA
Do thời gian tăng nhanh, tín hiệu logic phân cực âm phải được sử dụng với các dây
c|p v{ đầu nối đúng chuẩn để ngăn sự phản xạ sóng. D}y c|p v{ đầu nối phải có trở
kh|ng 50 Ω. C|c d}y c|p RG-58A/U với đầu nối UG-88/U (BNC) hoặc cáp RG-174 với
đầu nối LEMO được khuyến cáo sử dụng. Hầu hết các lối v{o được thiết kế để nhận
xung logic phân cực âm nhanh chuẩn NIM có trở kháng lối v{o 50 Ω. Đối với các lối vào
có trở kháng cao, cần phải sử dụng chữ T và phối hợp trở kháng ở 50 Ω ở lối vào.
Thời gian tăng của xung logic phân cực }m nhanh không được quy định trong
chuẩn NIM. Nhưng trong c|c thiết bị của ORTEC, thời gian tăng thường khoảng 2 ns.
Với các tín hiệu logic âm nhanh, việc khởi ph|t theo sườn thường được áp dụng, việc
khởi ph|t theo độ rộng chỉ sử dụng khi quan t}m đến tần suất.
CÁC TÍN HIỆU LOGIC ECL
Trong các thí nghiệm sử dụng một số lượng lớn các detector giống hệt nhau, sự
trùng lặp của các chức năng trong mỗi kênh detector làm dẫn đến sự ghép nối hàng loạt
các tín hiệu mong muốn giống nhau. Các thiết bị được phát triển cho các ứng dụng như
vậy thường kết hợp lên đến 16 kênh có cùng chức năng trong một mô-đun duy nhất.
PHỤ LỤC 393
Một phương ph|p thích hợp để liên kết các kênh trong các mô-đun l{ sử dụng các
đầu nối 34 chân (bố trí hai hàng 17 chân) và một dây dạng ruy băng hoặc sợi xoắn có trở
kh|ng 100 Ω. Chuẩn được sử dụng cho các tín hiệu logic nhanh với hệ thống này là chuẩn
ECL. Chuẩn tín hiệu đối với ECL ở 25o C là:
Lối ra Lối vào
Trạng thái cao -0,81 đến -0,98 V -0,81 đến -1,13 V
Trạng thái thấp -1,63 đến -1,95 V -1,48 đến -1,95 V
Lối ra của ECL chuyển từ trạng th|i cao (thường là -0,9 V) xuống trạng thái thấp
(thường là -1,8 V), hoặc từ trạng thái thấp lên trạng thái cao. Các tín hiệu ECL có thời
gian tăng bé hơn 2 ns. Vì vậy, trở kháng ở các tải lối vào phải có giá trị khoảng 100 Ω.
CÁC TÍN HIỆU LOGIC TTL
Tín hiệu logic TTL thuộc loại chậm v{ thường được thiết kế với mạch tích hợp sử
dụng chuẩn logic TTL. Các mức tín hiệu chuẩn đối với logic TTL là:
Lối ra Lối vào
Mức 1 +2,4 đến +5 V +2 đến +5 V
Mức 0 0 đến +0,4 V 0 đến +0,8 V
So sánh các bảng định nghĩa tín hiệu cho thấy mức logic TTL không đảm bảo
tương thích với mức logic phân cực dương trong chuẩn NIM. Vì lý do này các mức TTL
thường được chuyển sang chuẩn logic phân cực dương trong NIM. Thực tế, người ta
thường thấy c|c đầu vào hoặc đầu ra phân cực dương của NIM được thiết kế theo cách
mà họ sẽ làm việc với các mức logic TTL. Trong thực tế, các nhà cung cấp các mô-đun
chuẩn NIM đ~ tính đến các tình huống để loại bỏ các yêu cầu khác của lối vào và ra của
các khối chuẩn NIM. Trong trường hợp này, người dùng nên thận trọng và kiểm tra để
đảm bảo khả năng tương thích theo tất cả c|c điều kiện hoạt động.
Tất nhiên, các mức logic TTL thường xuyên được sử dụng cho các ghép nối trên
đường truyền riêng giữa các mô-đun. Ví dụ đường truyền được sử dụng trong giao
diện bộ nhớ ORTEC Dual-port.
CÁC ĐẦU NỐI VÀ DÂY CÁP TRONG DETECTOR
Với các detector đo photon, đo ion v{ c|c hạt mang điện cần phải được phân cực
để vận h{nh đúng.
Điện áp phân cực cho detector có dải khá rộng từ một v{i vôn đến vài ngàn vôn, phụ
thuộc vào loại detector. Đối với ống nh}n quang điện, điện áp phân cực cho cathode,
dynode và anode thông qua mạng điện trở trong đế cắm của ống nh}n quang điện. Các
loại detector kh|c có điện áp phân cực thông qua mạng lưới bộ lọc trong tiền khuếch đại.
Với điện áp một chiều 5 kV, điện áp phân cực cấp cho tiền khuếch đại, hoặc ống nhân
quang điện phải thực hiện bằng c|p đồng trục RG-59A/U với c|c đầu nối SHV.
Với các detector m{ điện áp phân cực được cấp thông qua tiền khuếch đại thì một
số loại dây cáp và đầu nối được lựa chọn để sử dụng. Việc lựa chọn d}y c|p v{ c|c đầu
nối thường được quy định bởi các giới hạn điện |p v{ c|c đầu nối trên detector và tiền
khuếch đại. Với các detector dùng đầu nối microdot, c|p microdot 100 Ω (Microdot
293-3913) với đầu nối tương thích thường được sử dụng. Mặc dù cáp này có thể xử
dụng với điện áp một chiều lên đến 2500 V nhưng thế lối vào tiền khuếch đại thường
hạn chế để phân cực ở nhỏ hơn 1000 V. Thông thường, một bộ chuyển đổi để chuyển
từ đầu nối microdot sang đầu nối BNC là cần thiết để tương thích với lối vào tiền
khuếch đại. Đối với thiên áp một chiều lên đến 1000 V, cáp RG-62A/U với đầu nối BNC
có thể sử dụng được. Điều n{y đặc biệt thuận tiện cho các detector và tiền khuếch đại
trang bị đầu nối BNC. Đối với thiên áp từ 1 đến 5 kV, cáp RG-59A/U với đầu nối SHV
phải được sử dụng. Do đó, với các tiền khuếch đại có điện áp phân cực trên 1 kV thì lối
vào cần có đầu nối SHV.
Khi nối detector và tiền khuếch đại bằng một cáp dài sẽ l{m tăng thêm điện dung
lối v{o v{ cũng làm cho các thiết bị điện tử dễ bị ảnh hưởng do các tạp }m môi trường.
Cả hai hiệu ứng này có thể gây ra sự suy giảm độ phân giải biên độ v{ độ phân thời
gian do tạp âm và cao thế liên quan, do cáp cấp điện áp phân cực không được phối hợp
trở kháng. Vì vậy, dây nối detector và tiền khuếch đại nên được giữ càng ngắn càng tốt.
PHỤ LỤC 395
Phụ lục 2
CÁC CHUẨN TÍN HIỆU LOGIC VÀ TUYẾN TÍNH
TRONG CÁC THIẾT BỊ EG & ORTEC
CÁC CHUẨN TÍN HIỆU LOGIC VÀ TUYẾN TÍNH VÀ KẾT NỐI

Nhiều thiết bị của ORTEC sử dụng cả hai tín hiệu tuyến tính và logic, vì vậy quan
trọng là phân biệt giữa hai tín hiệu khi lắp đặt thiết bị trong khung NIM. Biên độ của tín
hiệu tuyến tính chứa đựng thông tin về năng lượng của sự kiện được phát hiện. Vì vậy,
các tín hiệu tuyến tính có biên độ thay đổi trong một dải, khi ph}n ph}n tích biên độ
tuyến tính sẽ thu được hình ảnh phổ năng lượng của nguồn photon. Ngược lại, các tín
hiệu logic có biên độ và hình dạng không đổi. Các tín hiệu n{y được sử dụng để cung
cấp thông tin về thời gian đo v{ để điều khiển các chức năng của thiết bị trong hệ
thống. Cả hai tín hiệu tuyến tính và tín hiệu logic được kết nối bằng c|c d}y c|p đồng
trục v{ c|c đầu nối BNC chuẩn.
TÍN HIỆU TUYẾN TÍNH
Các tín hiệu tuyến tính từ các mô-đun NIM của EG&G ORTEC phù hợp với chuẩn
NIM và có giá trị trong khoảng từ 0 đến 10 V.
Cực tính v{ biên độ không áp dụng cho tín hiệu giữa tiền khuếch đại và khuếch
đại. Biên độ và cực tính của tín hiệu này phải thay đổi theo từng ứng dụng cụ thể cho
phù hợp. Tuy nhiên tất cả các bộ tiền khuếch đại của EG&G ORTEC được thiết kế để
xung lối ra chuẩn có hằng số thời gian 50 µs. Khối khuếch đại sẽ khuếch đại, hình thành
lại xung và khử pole-zero của xung lối vào. Ngoài ra, bộ khuếch đại của EG&G ORTEC
còn thể chọn lựa cả cực tính của xung lối vào.
KẾT NỐI TÍN HIỆU TUYẾN TÍNH
Các thiết bị của ORTEC cung cấp các lối ra của tín hiệu tương tự có trở kháng rất
thấp v{ thường nhỏ hơn 1 Ω. Một số thiết bị có trở kháng của tín hiệu lối ra thông qua
các mạch thứ cấp có trở kh|ng 93 Ω.
Các nguồn trở kháng thấp (nhỏ hơn 1 Ω) cho phép kết nối với hầu hết các tải mà
không làm suy giảm tín hiệu do suy giảm trên trở kháng nguồn của chính nó. Ví dụ khi
tải có trở kh|ng 100 Ω v{ trở kháng của nguồn l{ 1 Ω thì gần như gi| trị 10 V của tín
hiệu được truyền toàn bộ cho tải. Nếu trở kháng của nguồn l{ 93 Ω v{ tải l{ 100 Ω thì
một nửa giá trị điện áp của tín hiệu sẽ bị mất do nội trở của nguồn. Do đó, c|c nguồn
tín hiệu có trở kháng ra thấp sẽ dễ sử dụng và ghép nối. Các nguồn có trở kháng ra
thấp cũng cho phép ghép song song với nhiều tải mà không làm suy giảm. Hạn chế của
lối ra có trở kháng thấp là sự phản xạ sóng khi sử dụng các dây nối d{i hơn 5 ft. Vì vậy,
các dây cáp phải có trở kh|ng 93 Ω hoặc sử dụng phối hợp trở kh|ng 93 Ω ở lối vào
nếu có sẵn. Lối ra trở kh|ng 93 Ω khi chưa ghép nối về nguyên tắc là một mạch hở,
nghĩa l{ trở kháng có thể vào khoảng 1000 Ω hoặc lớn hơn tùy từng trường hợp. Nếu
sử dụng trở kháng thấp hơn thì biên độ tín hiệu sẽ bị suy giảm. Ưu điểm của nguồn tín
hiệu có trở kh|ng 93 Ω l{ tính ổn định đối với c|c điều kiện dây cáp khác nhau, sự suy
giảm của tín hiệu trên tải phụ thuộc vào trở kháng của tải.
CÁC TÍN HIỆU LOGIC
Tất cả các thiết bị của EG&G ORTEC sử dụng các tín hiệu logic theo chuẩn (phân
cực dương v{ ph}n cực }m nhanh) để dễ dàng trong ghép nối và phối hợp.
CÁC TÍN HIỆU LOGIC PHÂN CỰC DƯƠNG
Tín hiệu logic phân cực dương chuẩn được dùng cho các tín hiệu logic từ chậm
đến trung bình và nhanh có tần số từ DC đến 20 MHz. Theo chuẩn NIM, các tín hiệu này
có biên độ nằm trong dải sau:
Output Input
Logic 1 +4 đến +12 V +3 đến +12 V
Logic 0 +1 đến -2 V +1,5 đến -2 V
Ngoài ra, EG&G ORTEC còn có thêm một số quy định khác cho tín hiệu logic phân
cực dương như:
Độ rộng xung: 0,5 µs;
Trở kháng lối ra: 10 Ω hoặc nhỏ hơn;
Trở kháng lối v{o: 1000 Ω hoặc lớn hơn.
Khi ghép nối các nguồn tín hiệu logic phân cực dương với các tải phải sử dụng dây
c|p đồng trục 93 Ω. Ortec khuyến cáo nên sử dụng các dây cáp RG-62A/U với đầu nối
UG-260/U để ghép nối.
Với chiều dài dây cáp nhỏ hơn 5 ft v{ trở kháng dây phù hợp thì thường không
xuất hiện hiện sự phản xạ sóng. Khi sử dụng c|c d}y c|p d{i hơn, thì nên sử dụng phối
hợp trở kh|ng 100 Ω để ngăn chặn sự phản xạ sóng trên dây cáp.
CÁC TÍN HIỆU LOGIC PHÂN CỰC ÂM NHANH
Tín hiệu logic phân cực }m nhanh được sử dụng khi thời gian tăng hoặc tần suất
được yêu cầu vượt quá khả năng của các xung logic phân cực dương chuẩn. Theo
chuẩn NIM việc x|c định tín hiệu n{y được cung cấp vào trở kh|ng 50 Ω với các tính
chất sau:
PHỤ LỤC 397
Output Input
Logic 1 -14 đến -18 mA -12 đến -36 mA
Logic 0 -1 đến +1 mA -4 đến +20 mA
Do thời gian tăng nhanh, tín hiệu logic phân cực âm nhanh phải được dùng với các
dây cáp có tải giới hạn phù hợp để ngăn chặn sự phản xạ. Vì vậy d}y c|p 50 Ω v{ Tải
như c|p RG-58C/U với đầu nối UG-88/U được đề nghị.
Thời gian tăng của xung logic phân cực }m nhanh không được quy định trong
chuẩn NIM. Các thiết bị của EG&G ORTEC có thời gian tăng thường l{ 2 ns. Sườn tăng
xung thường được dùng cho tất cả các khởi ph|t (triggering) v{ độ rộng là không quan
trọng ngoại trừ tần số và tốc độ thì cần phải xem xét.
MÃ SỐ (CODE) CỦA VẬT TƯ, THIẾT BỊ ĐỐI VỚI THIẾT BỊ CỦA ORTEC
Các bộ kít nguồn
SK-1G Nguồn phát tia gamma dạng đĩa rắn và kín, hoạt độ xấp xỉ 1µCi gồm
137Cs, 60Co, 22Na, 65Zn, 54Mn
SK-1X Nguồn kín phát tia X (loại đĩa) hoạt độ từ 1 đến 5 µCi gồm
57Co, 55Fe, 65Zn
SK-1A Nguồn phát alpha hở (loại đĩa), hoạt độ từ 0,01 đến 0,1 µCi gồm
241Am, 210Po, 244Cm
SK-1B Nguồn phát Beta kín và nguồn chuyển đổi Electron (loại đĩa), hoạt độ từ 1
đến 5 µCi gồm 204Tl, 207Bi, 137Cs, 113Sn
OT8 Bộ nguồn chia được (RaD và E Split) gồm 210Pb và 210Bi, hoạt độ xấp xỉ 1 µCi,
hộp nguồn cho phép sử dụng một nửa hoặc đầy đủ với hình học cố định.
DETECTOR
M-NaI-3 Kích thước 2  2 inch, vật liệu NaI, 6 mức đo
MPM-9 Kích thước 2  2 inch, ống nhân quang điện và buồng chân không 305
MGM-5 Thân máy ống đếm GM; chứa ống GM và thân máy với 6 mức đo
MT-624 Gi| đỡ ba chân dùng để đặt nguồn phóng xạ 22Na, các detector và ống nhân
quang điện được bố trí trên một trục trùng với phương bay tia gamma
của nguồn
BỘ KIT HẤP THỤ VÀ BIA

PbAl-23 Bao gồm 10 tấm chì hấp thụ có độ dày từ 800 đến 8000 mg/cm2 và 20 tấm
hấp thụ nhôm có độ dày từ 0 đến 3000 mg/cm2
3-Z2 Bao gồm 3 lá, mỗi lá gồm Al, Fe, Cu, Mo, Sn, Ta và Pb, có bề dày từ 400
mg/cm2 đến 1500 mg/cm2
MCU-5 10 tấm đồng có độ dày từ 1,25 mg/cm2 đến 7,05 mg/cm2
MNI-5 10 tấm hấp thụ nickel có bề dày từ 1,5 mg/cm2 đến 8,25 mg/cm2
M-12 Bộ mẫu cho kích hoạt huỳnh quang tia X bao gồm Fe, Ni, Cu, Zn, Mo, Cd, Ag,
Ge, Zr và 3 mẫu hỗn hợp
M-15 Gồm các lá Cu, Al, Au và Ag mỏng dùng cho đo t|n xạ Rutherford
313 Bộ mẫu kích hoạt nơtron, gồm 3 mg các kim loại V, Al, Ge, Mn v{ Cu có độ
tinh khiết cao
317 Bộ mẫu kích hoạt nơtron bao gồm Ag, Ti, W, Na và Co
V-17 Gồm 10 mẫu Vanadium được sử dụng cho thực hành 17.4
RE-17 Gồm các nguyên tố có tiết diện kích hoạt lớn như In, La, Br v{ I
Cd-17 Sáu lá cadmium cho thực hành 17.6.
318 Gồm 6 mẫu có tiết diện kích hoạt với nơtron nhanh lớn như Mg, Na, Si, V,
Fe và Cr
MC252 6 l| Ag dùng đo sự mất năng lượng của các mảnh vỡ phân hạch
MAL-25 6 l| Ag dùng đo sự mất năng lượng của hạt alpha theo phương ph|p thời
gian bay
301 Các phin lọc khí chuẩn được sử dụng với các kiểu buồng 311 và 312; bao
gồm Si, Ca, Fe, Cu và Ag
CÁC TẤM CHE CHẮN HẤP THỤ

AlFl-1 Aluminum Foil, 2  2 inch  2 mg/cm2
AlPl-1 Aluminum Plate, 4  4  1/8 inch
AlRd-1 Aluminum Rod, 0,5 inch đường kính  4 inch dài
AlRd-2 Aluminum Rod, 2 cm đường kính  1 cm dài (~10 g)
AlRd-3 Aluminum Rod, 6 cm đường kính  7 cm dài
PHỤ LỤC 399
AuFl-1 Gold Foil, 200 µg/cm2

AuFl-x Gold Foil, 1,31 đến 27,1 mg/cm2
CdPl-1 Cadmium Plate, 4  4  1/16 inch
CuRd-1 Copper Rod, 6 cm đường kính  7 cm dài
NiFl-1 Nickel Foil, 2  2 inch  5 mg/cm2
NiFl-x Nickel Foil, mật độ 0,74 đến 13,46 mg/cm2
PbPl-1 Lead Plate, 3  3  1/16 inch
PbPl-2 Lead Plate, 4  4  1/16 inch
PbPl-3 Lead Plate, 4  4  1 inch
PbRd-1 Lead Rod, 6 cm đường kính  7 cm dài
PnPl-1 Paraffin Plate, 4  4  1/2 inch
PnPl-2 Paraffin Plate, 4  4  1 inch
FeRd-1 Iron Rod, 6 cm đường kính  7 cm dài
PnRd-1 Paraffin Shadow Bar Rod, 6 cm đường kính  7 cm dài
SlPl-1 Steel Plate, 4  4  1/8 inch
Buồng, howitzer, b{n đo, phin lọc mẫu (Chambers, Howitzers, Angular
Correlation Tables, Filter Sample Collectors)
302 Di động, dùng hút mẫu bụi khí, tốc độ hút lên đến 70 feet khối/ phút
305 Buồng chân không có cửa sổ mỏng, đường kính 4 inch cao 6 inch. Phần lớn các
thí nghiệm đo α v{ β, thí nghiệm trùng phùng α, γ hoặc trùng phùng β, γ được
thực hiện với buồng này
306 B{n đo tương quan góc kích thước 46 inch  46 inch  30 inch. Bao gồm chì che
chắn v{ gi| đỡ các detector NaI 2  2 inch di chuyển được. Góc đặt chính xác
đến ±0,1o
307 Buồng tán xạ Rutherford đường kính 11-3/4 inch  chiều cao 5-1/4 inch bằng
nhôm bóng. Detector có thể di chuyển xuống dưới buồng chân không với độ
chính xác ±0,25o
308 Howitzer nơtron, 3 ft  3 ft  3 ft; bao gồm bốn kênh kích hoạt 1 inch, nguồn
nơtron lên tới 10 Ci. Nguồn có thể được khóa trong buồng chứa để đảm bảo an
toàn trong lúc các sinh viên làm thí nghiệm
309 Thiết bị tán xạ compton, kích thước 36 inch  46 inch  30 inch. Che chắn cho
detector NaI 2  2 inch quay được. Độ chính xác góc ±0,1o. Côngtennơ che chắn
cho nguồn 137Cs có thể khóa được để đảm bảo an toàn cho học viên.
310 Ống đếm tỉ lệ; buồng ch}n không đường kính 8 inch  sâu 3 inch. Bốn vị trí mẫu
được đ|nh dấu rõ trong buồng ch}n không. Đầu tiên được thiết kế cho đo sự
suy giảm tia X.
311 Buồng cho đo huỳnh quang tia X sử dụng detector Si(Li) đường kính 8 inch  độ
sâu 3 inch và có bốn vị trí trí đặt mẫu trong buồng chân không.
312 Buồng cho đo huỳnh quang tia X với một ống đếm tỉ lệ. Giống như Model 311
ngoại trừ việc nó được thiết kế để sử dụng với ống đếm tỉ lệ phân giải cao.
M367 Buồng đo thời gian bay của hạt alpha; đường kính 11-3/4 inch và chiều cao
5-1/4. Có bộ phận di chuyển nguồn và detector với khoảng c|ch lên đến 22,5 cm,
ch}n không cao đạt đến 1  10-6 mm Hg.
3C52 Buồng nghiên cứu các mảnh phân hạch; đường kính 8 inch v{ độ sâu 3 inch, có
bốn vị trí mẫu. Nguồn phân hạch và detector dạng rắn được sắp xếp thẳng hàng
với các lá hấp thụ.
MAX Buồng nghiên cứu sự ion hóa của các lớp trong nguyên tử. Buồng có thể lắp
21 hai detector Si(Li) đo tia X v{ có ch}n không cao. Nguồn phóng xạ, các lá dò
và tâm của detector được đặt thẳng hàng nhau, chân không có thể đạt đến
1  10 -6 mmHg.
HTS-1 Bộ bàn thí nghiệm đo truyền qua, dùng đo tiết diện nơtron to{n phần, chân bàn
được thiết kế để cực tiểu nơtron t|n xạ.
CHÚ THÍCH
Hệ số hấp thụ: Tỷ lệ suy giảm cường độ chùm tia phóng xạ gamma hoặc tia X trên
đơn vị bề dày (Hệ số hấp thụ tuyến tính), trên đơn vị khối lượng (Hệ số hấp thụ khối),
trên nguyên tử (Hệ số hấp thụ nguyên tử) của chất hấp thụ, do sự mất năng lượng
trong chất hấp thụ. Hệ số hấp thụ toàn phần được x|c định dựa vào tổng của các quá
trình hấp thụ riêng lẻ (Hiệu ứng Compton, hiệu ứng quang điện và hiệu ứng tạo cặp).
Hệ số hấp thụ: Hệ số hấp thụ tuyến tính chia cho số nguyên tử trong một đơn vị
thể tích. Nó tương đương với tiết diện toàn phần của một hạt nhân.
Hệ số hấp thụ Compton: Đó l{ phần suy giảm trong năng lượng của chùm phóng
xạ gamma hoặc tia X do sự mất năng lượng để tạo ra các electron bởi hiệu ứng
Compton trong một chất hấp thụ. (cũng như tán xạ Compton).
Hệ số hấp thụ tuyến tính: Một hệ số để biểu thị phần của một chùm bức xạ
gamma hoặc tia X bị hấp thụ trong một đơn vị bề dày vật liệu. Thể hiện qua công thức
I = I0e-µx, I0 l{ cường độ ban đầu, I l{ cường độ của chùm sau khi truyền qua bề dày x
của vật liệu và µ là hệ số hấp thụ tuyến tính.
Hệ số hấp thụ khối: Hệ số hấp thụ tuyến tính trên cm được chia cho mật độ của
chất hấp thụ theo gam trên cm3. Hệ số n{y thường được biểu diễn dưới dạng  /  ,
trong đó µ l{ hệ số hấp thụ tuyến tính và  là mật độ chất hấp thụ.
PHỤ LỤC 401
Hạt alpha: Hạt nhân Heli, bao gồm hai proton v{ hai nơtron, có điện tích dương hai.
Phân tích kích hoạt (activation analysics): Một phương ph|p ph}n tích hàm
lượng có độ nhạy cao, đặc biệt đối với các nguyên tố vết, dựa vào việc ghi đo các tia
phóng xạ phát ra sau khi hạt nhân bị kích hoạt.
Phân tích feather (feather analysics): Một kỹ thuật để x|c định mật độ (range)
nhôm bằng đo qu~ng chạy của hạt beta và so sánh với đường cong hấp thụ theo bảng,
thường sử dụng 210Bi (mật độ 501 mg/cm2).
Đơn vị Angstrom (Å): Một đơn vị angstrom bằng 10-8 cm.
Số nguyên tử (atomic number): Số electron quỹ đạo xung quanh hạt nhân của
nguyên tử trung hòa và theo lý thuyết hiện nay là số proton trong hạt nhân (ký hiệu là Z).
Sự suy giảm (attenuation): Là quá trình mà chùm tia bức xạ bị suy giảm về
cường độ khi truyền qua một số vật liệu. Đó l{ sự kết hợp của sự hấp thụ và quá trình
tán xạ làm giảm mật độ thông lượng của chùm bức xạ khi nó chiếu qua vật chất.
Hệ số suy giảm Compton (Compton attenuation factor): Phần photon rời khỏi
chùm bức xạ trên đơn vị bề dày của vật chất mà nó truyền qua do hiệu ứng tương t|c
Compton.
Hệ số suy giảm (attenuation factor): Là tỉ số của cường độ chùm tia bức xạ ban
đầu và chùm tia bức xạ sau khi truyền qua vật liệu. X|c định bằng I0/I, trong đó I0 và I
tương ứng l{ cường độ chùm tia ban đầu v{ cường độ chùm tia sau khi truyền qua vật
chất. Theo công thức suy giảm (I = I0e-µx) thì hệ số suy giảm là e-µx, trong đó x l{ bề dày
của vật chất và µ là hệ số hấp thụ.
Hiệu ứng Auger (auger effect): Khi một electron nằm ở lớp gần hạt nhân (lớp K)
của một nguyên tử bay ra ngoài, một electron liên kết có năng lượng nhỏ hơn có thể
nhảy vào lấp chỗ trống và phát xạ một photon. Cũng có thể có quá trình xảy ra nhưng
không phát xạ photon mà trong khi lớp có năng lượng cao hơn bị ion hóa do mất
electron. Qu| trình n{y được gọi là hiệu ứng Auger và electron nhảy v{o đó gọi là
electron Auger.
Thời gian sống trung bình (average time hoặc mean time): Thời gian sống
trung bình của các hạt nhân nguyên tử của chất phóng xạ và bằng 1,443 lần thời gian
bán rã của chất phóng xạ.
Số Avogadro (6,025  1023 thang vật lý): Số nguyên tử trong một nguyên tử gam
của một nguyên tố, cũng như số phân tử trong một phân tử gam của hợp chất.
Tán xạ ngược (backscattering): Sự chệch hướng của bức xạ bởi quá trình tán xạ
với góc > 90o so với hướng ban đầu.
Tiết diện (barn): Đơn vị thể hiện xác xuất phản ứng hạt nh}n, thường gọi là tiết
diện phản ứng v{ được tính theo đơn vị diện tích là 10-24 cm2.
Hạt beta (beta particle): Hạt mang điện được phát ra từ hạt nhân của nguyên tử,
có khối lượng v{ điện tích bằng với electron.
Phân nhánh (branching): Việc xảy ra hai hay nhiều kiểu phân rã phóng xạ mà
hạt nhân có thể trải qua trong quá trình phân rã. Ví dụ RaC có thể trải qua ph}n r~ α v{
β-, 64Cu có thể trải qua ph}n r~ β-, β+, và bắt electron. Một nguyên tử của một hạt nhân
thể hiện tỉ số rẽ nhánh chỉ bằng một kiểu phân rã. Tỉ số rẽ nhánh là tỉ lệ đóng góp giữa
các phần của phân rã (đồng nghĩa nhiều sự phân rã).
Bức xạ hãm (bremsstrahlung): Bức xạ photon thứ cấp được tạo ra do sự giảm
tốc đột ngột của hạt mang điện khi đi qua vật chất.
Bắt electron (electron capture): Một kiểu phân rã phóng xạ liên quan đến việc
bắt electron quỹ đạo bởi chính hạt nhân của nó. Việc bắt electron lớp vỏ có thể xảy ra
với các electron lớp K, lớp L,...
Bắt electron lớp K (K-electron capture): Bắt electron ở lớp K của nguyên tử.
Giống như qu| trình bắt electron quỹ đạo.
Sự bắt - sinh bức xạ (radiative capture): Quá trình mà hạt nhân bắt hạt tới và
ngay lập tức mất năng lượng kích thích của nó bằng cách phát ra bức xạ gamma.
Hiệu ứng Compton (Compton effect): Quá trình tương t|c được quan s|t đối với
bức xạ gamma hoặc tia X trong đó photon tới tương t|c với electron quỹ đạo của
nguyên tử tạo ra electron giật lùi và photon tán xạ có năng lượng ít hơn photon tới.
Sự biến hoán trong (internal conversion): Một kiểu phân rã phóng xạ trong đó
năng lượng kích thích của hạt nh}n được truyền cho một điện tử quỹ đạo. Điện tử này
sau đó được thoát ra khỏi nguyên tử. Lỗ trống do điện tử bay ra được lấp đầy bởi một
điện tử từ lớp vỏ bên ngoài và dẫn đến làm phát ra một tia X đặc trưng. Tỷ số giữa số
điện tử biến hoán trong và số lượng tử gamma phát ra trong trạng thái kích thích của
hạt nhân gọi l{ “tỷ số biến ho|n trong”.
Tia vũ trụ (cosmic rays): Hạt năng lượng cao và các bức xạ điện từ có nguồn gốc
bên ngoài khí quyển của tr|i đất.
Culông (Coulomb): Đơn vị điện tích, một culông bằng 6  1018 đơn vị điện tích
của electron.
Tiết diện hạt nhân (nuclear cross section): Xác xuất xảy ra phản ứng giữa hạt
nhân với hạt tới hoặc photon. Nó được biểu thị như l{ “diện tích” hiệu dụng mà hạt
nhân có mặt để tham gia phản ứng v{ có đơn vị là barn. Tiết diện vĩ mô l{ tiết diện tính
trên đơn vị thể tích (tốt nhất) hoặc trên đơn vị khối lượng. Tiết diện vi mô là tiết diện
của một nguyên tử hoặc phân tử.
Phân rã phóng xạ (radioactive decay): Sự phân rã của hạt nhân không bền bằng
cách tự phát ra các hạt mang điện hoặc các photon.
PHỤ LỤC 403
Tia đenta (delta ray): Bất kỳ hạt ion hóa thứ cấp được phát ra do hạt giật lùi khi
hạt ion hóa sơ cấp truyền qua vật chất.
Đơteri (deuterium): Là một đồng vị nặng của hydrogencó một proton và một
nơtron (ký hiệu: D hoặc )
Hằng số phân rã (disintegration constant): Phần số nguyên tử của hạt nhân
phóng xạ ph}n r~ trong đơn vị thời gian, ký là hiệu λ trong phương trình N = N0e-λt,
trong đó N0 là số nguyên tử ban đầu và N là số nguyên tử còn lại sau thời gian t.
Phân rã hạt nhân (nuclear disintegration): Hạt nhân biến đổi tự phát (phóng
xạ) được đặc trưng bằng c|ch ph|t ra năng lượng hoặc khối lượng. Qu| trình được đặc
trưng bởi định nghĩa chu kỳ bán rã.
Electron: Hạt mang điện tích âm cấu tạo nên nguyên tử trung hòa. Đơn vị của
điện tích âm bằng 4,8  10-10 đơn vị tĩnh điện hoặc 1,610-19 Coulomb, khối lượng bằng
0,000549 đơn vị khối lượng nguyên tử.
Electron Volt (eV): Đơn vị năng lượng tương đương với lượng năng lượng
electron nhận được khi điện thế gia tốc tăng lên 1 volt. C|c đơn vị bội số của eV thường
được sử dụng là keV (một nghìn hoặc một kilo electron volt), MeV (một triệu electron
volt), GeV (một tỷ electron volt); 1 eV = 1,610-12 erg.
Nguyên tố (element): Thành phần hợp chất tinh khiết của các nguyên tử, giống
như số nguyên tử không bị tách rời bằng c|c phương ph|p hóa học thông thường.
Nhũ tương hạt nhân (nuclear emulsion): Nhũ tương ảnh đặc biệt được tạo ra
để cho phép quan sát các dấu vết riêng lẻ của các hạt ion hóa.
Năng lượng (energy): Khả năng thực hiện công việc, thế năng l{ năng lượng vốn
có trong một chất do vị trí hoặc khối lượng của nó. Động năng l{ năng lượng có được
của một chất do sự chuyển động của chính nó. Đơn vị theo hệ CGS: g-cm2/s2 hoặc ergs.
Năng lượng liên kết (binding energy): năng lượng tương ứng với sự chênh lệch
giữa khối lượng tổng và khối lượng của các thành phần trong hạt nhân.
Năng lượng kích thích (excitation energy): năng lượng cần thiết để thay đổi hạt
nhân từ trạng th|i cơ bản lên trạng thái kích thích. Mỗi trạng thái kích thích khác nhau
sẽ tương ứng với một mức năng lượng kích thích khác nhau.
Năng lượng ion hóa (ionizing energy): Năng lượng trung bình bị mất của bức
xạ ion hóa trong quá trình tạo ra cặp ion trong chất khí. Đối với không khí năng lượng
này khoảng 33 eV.
Năng lượng phát sáng (radiant energy): L{ năng lượng của c|c sóng điện từ
như sóng radio, |nh s|ng nhìn thấy, các tia X và các tia gamma.
Năng lượng phản ứng hạt nhân (nuclear reaction energy): Trong phân rã của
một phản ứng hạt nh}n, năng lượng này bằng tổng động năng hoặc năng lượng bức xạ
của các thành phần phản ứng trừ đi tổng động năng hoặc năng lượng bức xạ của các
sản phẩm phản ứng. (Đặc biệt, trong trường hợp sản phẩm của phản ứng ở trạng thái
kích thích, năng lượng của bức xạ gamma ph|t ra sau đó không có trong tổng năng
lượng phản ứng). Năng lượng phản ứng hạt nhân ở trạng th|i cơ bản l{ năng lượng
phản ứng khi tất cả hạt nhân tham gia phản ứng và hạt nhân sản phẩm của phản ứng ở
trạng th|i cơ bản của chúng (ký hiệu: Q0).
Sự kích thích (excitation): Sự thêm năng lượng vào một hệ thống, bằng c|ch đó
làm hệ thống chuyển từ trạng th|i cơ bản sang trạng thái kích thích. Sự kích thích của
một hạt nhân, một nguyên tử hoặc một phân tử có thể là kết quả từ sự hấp thụ của các
photon hoặc từ sự va chạm không đ{n hồi với các hạt khác.
Sự phát huỳnh quang (fluorescence): Sự phát ra bức xạ có bước sóng đặc trưng
của một chất do hấp thụ các bức xạ ngắn hơn. Sự phát xạ này chỉ xảy ra trong quá trình
chiếu xạ.
Thông lượng (flux): Đối với bức xạ điện từ, người ta quan tâm tới lượng năng
lượng bức xạ phát ra trên một đơn vị thời gian. Đối với các hạt và các photon, số các
hạt và photon phát ra trên một đơn vị thời gian l{ đại lượng quan tâm.
Tia gamma (gamma ray): Là bức xạ điện từ có bước sóng ngắn trong dải từ 10-8
đến 10-11 cm và được phát ra từ hạt nhân.
Vùng Geiger (Geiger region): L{ vùng điện áp hoạt động trong detector bức xạ
ion hóa m{ điện tích thu góp được trên sự kiện ion không phụ thuộc số c|c ion sơ cấp
được tạo ra trong sự kiện ion hóa ban đầu.
Ngưỡng Geiger (Geiger threshold): Điện áp thấp nhất có thể cấp cho ống đếm
mà tất cả c|c xung điện được tạo ra trong ống đếm về cơ bản là giống nhau về kích
thước và không phụ thuộc v{o năng lượng của bức xạ g}y ion hóa sơ cấp.
Hình học tốt (good geometry): Trong c|c phép đo vật lý hạt nhân, sự sắp xếp
thẳng hàng của nguồn phóng xạ và detector, nếu sử dụng nguồn kích thước nhỏ và
khẩu độ bé thì ít sai sót.
Khối lượng nguyên tử gam (gram atomic weight): Là khối lượng nguyên tử
của nguyên tố.
Thời gian bán rã phóng xạ (radioactive half-life): Khoảng thời gian cần thiết để
hoạt độ phóng xạ của một chất mất đi 50% hoạt độ ban đầu của nó trong quá trình
phân rã. Mỗi hạt nhân phóng xạ có thời gian bán rã riêng.
Bề dày một nửa (half value layer hoặc half thickness): Bề dày của các loại vật
liệu riêng biệt cần có để giảm cường độ của chùm tia X hoặc Tia gamma còn 1 nửa so
với giá trị ban đầu của nó.
PHỤ LỤC 405
Sự ion hóa (ionization): Quá trình hoặc kết quả của một quá trình mà nguyên tử
trung hòa hoặc phân tử thu được một điện tích dương hoặc một điện tích âm.
Sự ion hóa tổng (total ionization): Toàn bộ lượng điện tích tạo ra do sự mất
ho{n to{n năng lượng (động năng) của bức xạ ion hóa. Đối với chất khí, lượng điện tích
tạo ra tỉ lệ với sự ion sơ cấp ban đầu và gần như không phụ thuộc vào bản chất của bức
xạ ion hóa. Nó thường xuyên được sử dụng như một phép đo năng lượng bức xạ.
Cặp ion (ion pair): Hai hạt có điện tích ngược dấu, thường là electron và nguyên
tử mang điện dương hoặc phần còn lại của phân tử sau qu| trình tương t|c của bức xạ
ion hóa với các electron quỹ đạo của nguyên tử.
Đồng khối (isobar): Hai hoặc nhiều các hạt nhân khác nhau có cùng số khối
nhưng kh|c nhau về số nguyên tử.
Isomer (đồng phân): Một vài hạt nhân có cùng số nơtron v{ proton nhưng khả
năng tồn tại về mặt thời gian trong các trạng th|i lượng tử khác nhau với năng lượng
kh|c nhau v{ c|c đặc trưng phóng xạ. Thông thường, trạng th|i isomer thường xuất
hiện khi phân rã từ mức năng lượng cao về mức năng lượng thấp của dịch chuyển
đồng phân.
Isotope (đồng vị): Các hạt nhân có cùng số proton do vậy có cùng số nguyên tử,
nhưng kh|c nhau về số nơtron nên kh|c nhau về số khối. Tính chất hóa học của các
đồng vị giống nhau.
Đồng vị bền (stable isotope): L{ đồng vị không phóng xạ.
keV: ký hiệu cho 1.000 electron vôn hay 103 eV.
Số khối (mass number): Số nucleon (proton v{ nơtron) trong hạt nhân của
nguyên tử.
MeV: Ký hiệu của 1 triệu electron vôn hay 106 eV.
Micro (micron): Đơn vị của chiều dài bằng 10-6 mét.
Mil: Đơn vị đo chiều dài tính bằng 1/1.000 inch.
Nơtrinô (neutrino): Một hạt trung hòa có khối lượng nghỉ rất nhỏ, giải thích cho
phân bố liên tục của năng lượng trong ph}n r~ beta v{ đảm bảo đúng định luật bảo
to{n momen động lượng trong phân rã beta.
Nơtron (neutron): là hạt cơ bản có khối lượng xấp xỉ gần với khối lượng của một
nguyên tử hyđro v{ trung hòa; khối lượng l{ 1,008982 đơn vị khối lượng. Nơtron
thường được phân loại theo mức năng lượng của chúng như sau: nơtron nhiệt 0,025 eV;
nơtron trên nhiệt 0,1 eV đến 100 eV; nơtron nhiệt nhỏ hơn 100 eV; nơtron trung gian
102 đến 105 eV; nơtron nhanh có năng lượng lớn hơn 0,1 MeV.
Nucleon: Tên gọi chung cho các hạt cấu tạo nên hạt nhân, gồm proton, nơtron v{
các hạt kh|c được tìm thấy khi chúng tồn tại trong hạt nhân.
Hạt nhân {Nucleus (Nuclear)}: Là lõi của một nguyên tử mà toàn bộ điện tích
dương v{ phần lớn khối lượng được tập trung ở đó.
Nuclide: Tên gọi chung cho các hạt nhân, được đặc trưng bởi các thành phần cấu
tạo hạt nhân của nó. Cấu tạo hạt nh}n được quy định bởi số các proton Z, số nơtron N,
năng lượng liên kết, số nguyên tử Z, số khối A = (N + Z) và khối lượng nguyên tử. Để
phân biệt được nuclide, nguyên tử phải có khả năng tồn tại trong khoảng thời gian đo,
giống như trong trường hợp isomer, ở đó trạng thái kích thích của hạt nhân bị phân rã
tức thời và các thành phần phân rã tức thời hầu như không được quan tâm trong phản
ứng hạt nhân.
Quá trình tạo cặp (pair production): Quá trình hấp thụ đối với bức xạ gamma
m{ trong đó photon tới bị hủy trong vùng lân cận của hạt nhân của nguyên tử hấp thụ,
tạo ra electron và positron. Phản ứng này chỉ xảy ra với năng lượng photon tới lớn hơn
1,02 MeV.
Hiệu ứng quang điện (photoelectric effect): Quá trình nguyên tử hấp thụ
photon làm phát ra electron từ nguyên tử. Tất cả năng lượng của photon được truyền
cho electron bay ra.
Photon: Lượng năng lượng dưới dạng sóng điện từ được biểu diễn theo tần số và
hằng số Planck; E = hν.
Hằng số Planck: (Planck’s constant): Một hằng số tự nhiên, h, liên quan đến tần
số của lượng tử của năng lượng và tổng năng lượng của lượng tử:
E
h  6 ,624.1027 ergs.
v
Positron: Hạt có khối lượng giống với electron nhưng mang điện tích trái dấu với
electron.
Năng lượng hãm (stopping power): Để đo khả năng tiêu t|n động năng của hạt
mang điện khi truyền qua vật chất.
Đất hiếm (rare earth): Một nhóm các kim loại rất giống nhau về đặc tính có số
nguyên tử trong dải từ 57 đến 71.
Phản ứng hạt nhân (nuclear reaction): Tạo ra sự phân rã hạt nhân, quá trình
xảy ra khi hạt nh}n tương t|c với photon, các hạt, hoặc các hạt nhân khác. Trong nhiều
trường hợp phản ứng có thể được biểu diễn theo sơ đồ: X + a → Y + b, hoặc ở dạng rút
gọn X(a,b)Y, trong đó X l{ hạt nhân bia, a là hạt hoặc photon tới, b là hạt hoặc photon
phát ra, Y là hạt nhân sản phẩm.
PHỤ LỤC 407
Roentgen: Liều chiếu của bức xạ tia X và gamma, một Roentgen tương ứng với
việc tạo ra 1 đơn vị điện tích tĩnh điện trong 0,001293 gam không khí (viết gọn là R).
Tán xạ (scattering): Sự thay đổi hướng của các hạt hạ nguyên tử hoặc photon là
kết quả của sự va chạm hoặc tương t|c.
Tán xạ compton (Compton scattering): Tán xạ không đ{n hồi của photon lên
các electron nguyên tử, kèm theo là quá trình nguyên tử phát ra các electron giật lùi.
Các photon sau tán xạ Compton mang một phần năng lượng của photon tới (trung bình
khoảng 85% năng lượng ban đầu với photon tới 0,1 MeV và khoảng 30% đối với
photon tới 10 MeV). Đôi khi được hiểu như t|n xạ kết hợp.
Tán xạ đ{n hồi (elastic scattering): Quá trình va chạm đ{n hồi do đó động năng
của hệ được bảo toàn. Tán xạ Rayleigh là một dạng của tán xạ đ{n hồi.
Tán xạ không đ{n hồi (inelastic scattering): Là loại tán xạ làm hạt nhân bị kích
thích, do đó tổng động năng của hệ bị giảm.
C|c đơn vị thời gian (time units): Các chữ viết tắt được chuẩn hóa cho đơn vị
thời gian gồm:
1 y =1 năm
1 d = 1 ngày
1 h =1 giờ
1 min = 1 phút
1 s = 1 giây
1 ms = 1 mili giây = 10-3 s
1 µs = 1 micro giây = 10-6 s
1 ns = 1 nano giây = 10-9 s
1 ps = 1 pico giây = 10-12 s
Tritium: ( hoặc T) l{ đồng vị của hyđro có một proton v{ hai nơtron trong
hạt nhân.
Tia X (X-Rays): Bức xạ điện từ có khả năng xuyên s}u có bước sóng ngắn hơn |nh
sáng nhìn thấy. Chúng thường được tạo ra do sự bắn phá bia kim loại bằng electron
nhanh trong môi trường chân không cao. Theo thói quen, trong phản ứng hạt nhân các
photon ph|t ra được gọi là tia gamma còn các tia photon phát ra từ nguyên tử được gọi
l{ tia X. C|c tia n{y đôi khi được gọi l{ c|c tia roentgen sau khi chúng được khám phá
bởi W. C. Roentgen.
ĐỘ NHẠY TƯƠNG ĐỐI CỦA CÁC NGUYÊN TỐ TRONG KÍCH HOẠT NƠTRON
NHIỆT (Relative sensitivities of elements to thermal neutron activation)
Bảng độ nhạy của phân tích kích hoạt nơtron được trích từ báo cáo ORAU 102, thí
nghiệm với nguồn nơtron đồng vị của G. I. Gleason, bảng độ nhạy này khá hữu ích với
c|c cơ sở đ{o tạo có sử dụng nguồn nơtron đồng vị như Am-Be hoặc 252Cf công suất
nhỏ. Các giá trị trong bảng có thể sử dụng cho các nguồn nơtron trên m|y gia tốc được
nhiệt hóa. Thông tin có thể được trích từ bảng n{y được coi như chưa biết sẽ được sử
dụng trong các thí nghiệm phân tích kích hoạt trong tài liệu.
Dựa vào thực nghiệm x|c định độ nhạy tương đối với nhôm. Nếu sử dụng hệ
kích hoạt và hệ đo để kích hoạt v{ đo số đếm của 1 miligam nhôm, sau đó lặp lại với
các nguyên tố khác ở khối lượng miligam. Trong mỗi trường hợp, sản phẩm phản
ứng, năng lượng gamma được lựa chọn để có độ nhạy tốt nhất. Thời gian chiếu xạ
được chọn để hoạt độ đạt đến bão hòa với các hạt nhân có thời gian sống cỡ phút
hoặc giờ. Với các hạt nhân sống dài, thời gian chiếu thực hiện vào buổi tối có thể
vào khoảng 16 giờ.
Phép đo hoạt độ được thực hiện với các detector nhấp nháy NaI(Tl). Độ nhạy đ~
được chuyển sang khối lượng của nguyên tố để tạo ra được tốc độ đếm 100 số đếm
thực trên phút ở đỉnh quang điện của hạt nhân sản phẩm. C|c độ nhạy tương đối được
liệt kê sẽ giống như với detector Ge(Li). Với detector Ge(Li), cần có khoảng thời gian
đo d{i do hiệu suất ghi thấp của chúng; cần có c|c đồng vị sống ngắn để thấy được sự
giảm độ nhạy. Các detector Ge(Li) có độ phân giải cao hơn nên sẽ l{ ưu điểm khi xuất
hiện các yếu tố gây nhiễu.
PHỤ LỤC 409
Độ nhạy kích hoạt neutron
* Các số trong cột này chỉ ra số đơn vị (khối lượng) của một nguyên tố để tạo ra
tốc độ đếm tương đương với 1 đơn vị khối lượng của nhôm.
Giới hạn hấp thụ tia X v{ năng lượng phát theo keV
S. FINE và C. F. HENDEE
Philips Laboratories
Irvington on Hudson, New York
Việc sử dụng nhiều detector tỉ lệ trong đo năng lượng tia X dẫn đến cần có một
bảng các giá trị năng lượng hấp thụ và phát xạ các tia X lớp K và L.
Bảng giá trị liệt kê hầu hết các nguyên tố. Giá trị được chuyển đổi từ bảng giá trị
theo bước sóng [1-3] ra năng lượng keV; một số có trích từ bảng giá trị theo năng
lượng [4,5]. Một số giá trị được lựa chọn từ các công việc sau đó. Gi| trị được nội suy
theo quy luật Moseley. Tất cả c|c điều n{y được chú thích ở cuối bảng. Công thức
chuyển đổi bước sóng theo năng lượng là [6]:
E(keV) = (12,39644 ± 0,00017)/λ (Å) = 12,39644/1,002020 λ (đơn vị kX)
Với giá trị tính toán, số chữ số có nghĩa được sử dụng đủ để đảm bảo các nguồn sai
số ban đầu. Các giá trị trong bảng được liệt kê đến 1 eV. Tuy nhiên, với các hợp chất
hóa học, mép hấp thụ có thể bị dịch từ 10 ÷ 20 eV [4,5].
Để tính sai số của quá trình tính toán, một quá trình làm khớp theo định luật
Moseley đ~ được thực hiện. Nói chung các giá trị là phù hợp, tuy nhiên có một ít không
đồng đều do độ lệch của một số giá trị ban đầu [1]. Kết quả này tiếp tục được sử dụng
trong bảng nhưng c|c gi| trị được khớp tốt được ghi chú ở cuối bảng. W. Parrish và H.
Kasper đ~ đề xuất c|c tính to|n để đ|nh gi| lại các số liệu.
Tài liệu tham khảo

1. Y. Cauchois, H. Hulubei, “Table de Constantes et Donness Numeriques, I,
Longueurs D’Onde des Emissions X et des Discontinuites D’Absorption X”
(Hermann et Cie, paris, France, 1974).
2. H. Compton and S. K. Allison, “X-Rays in Theory and Experiment” (D. Van Nostrand
Co., Inc., New York, 1951).
3. C.E. Moore, “Atomic Energy Levels”, NBS 467 (National Bureau of Standards, U.S.
Department of Commerce, Washington, D.C., 1949).
4. Y. Cauchois, J, phys. Radium 13, 113 (1952).
5. R. D. Hill,E.L. Church, and J. W. Mihelich, Rev. Sci. Instr. 23, 523 (1952).
6. J. W. M. DuMond, E, R. Cohen, Phys. Rev. 82, 555 (1951).
PHỤ LỤC 411
PHỤ LỤC 413
Phụ lục 3
THAO TÁC AN TOÀN NGUỒN PHÓNG XẠ
Một vài loại nguồn phóng xạ được sử dụng trong chuỗi các bài thực hành AN34.
Những nguyên tắc đơn giản trong hướng dẫn này nhằm mục đích sử dụng an toàn
nguồn phóng xạ.
Không được ăn, uống, hoặc hút thuốc trong khu vực phòng thí nghiệm ghi đo bức
xạ. Rửa tay sau khi kết thúc mỗi thí nghiệm. Trong bài thực hành 22 (hiệu ứng sinh học
của bức xạ), sử dụng các nguồn phóng xạ lỏng, do đó phải trang bị quần áo bảo hộ và
găng tay.
Đa số các nguồn phóng xạ gamma được sử dụng là các nguồn kín, có hoạt độ ≤ 1μCi,
có nguy cơ xảy ra rủi ro rất thấp, các nguồn này có thể thao t|c bình thường bằng tay.
Tuy nhiên, để tốt hơn cho qu| trình thực tập thì nên cầm nguồn ở c|c mép để tránh
tiếp xúc trực tiếp.
Nguồn beta sử dụng trong bài thực h{nh đo phổ beta, có cửa sổ mỏng ở khu vực
của nguồn. Điều quan trọng là tránh chạm vào cửa sổ n{y để không làm dây bẩn lên
cửa sổ. Sử dụng nguồn beta nhất thiết phải tránh chạm trực tiếp vào nguồn bằng việc
bao bọc xung quanh nguồn một cách thích hợp.
Đối với tất cả các nguồn alpha sử dụng trong chuỗi các bài thực h{nh AN34 đều
không có cửa sổ bao bọc cho nguồn. Do đó thao t|c với nguồn phóng xạ hở cần rất cẩn
thận để giảm tối thiếu phóng xạ dây bẩn lên tay, quần áo và thiết bị. Kẹp nguồn với các
vòng tròn bao bọc bên ngo{i để tránh chạm tay vào nguồn. Với bất cứ nguồn nào có
hoạt độ ≥ 10 μCi, nên sử dụng một kẹp gắp để tối đa khoảng cách từ nguồn đến các bộ
phận cơ thể.
Một vài bài thực hành sử dụng nguồn nơtron có hoạt độ từ 1 ÷ 3 Ci. Các nguồn
nơtron có hoạt độ cao như vậy sẽ rất nguy hiểm nếu thao t|c không đúng c|ch. Nên sử
dụng kẹp gắp d{i (d{i hơn 1m) để thao tác, di chuyển nguồn. Khi không có khóa bảo vệ
trong howitzer che chắn neutron, nguồn nơtron nên được khóa trong container che
chắn khi vận chuyển. Yêu cầu kỹ thuật đặc biệt khi sử dụng nguồn nơtron l{ thường
xuyên sử dụng kèm theo container vận chuyển nguồn.
Các thiết bị đo liều bức xạ phải luôn được trang bị và sẵn sàng trong các phòng thí
nghiệm ghi đo hạt nh}n để kiểm soát hoạt độ của các nguồn bức xạ ≥ 5 μCi.
Loại nguồn Activity Nguyên tắc

Nguồn kín (gamma) ~ 1 μCi Có thể tháo tác bằng tay
Nguồn hở (alpha, beta) ~ 1 μCi Có thể thao tác bằng tay với lớp bảo vệ bên
ngoài nguồn, nhưng không được chạm vào
nguồn.
Nguồn bất kỳ (kín và hở) ~ 10 μCi Sử dụng kẹp gắp hoặc một số thiết bị để tăng
khoảng c|ch. Không được thao tác trực tiếp
bằng tay.
Nguồn nơtron 1 to 3 Ci Sử dụng kẹp gắp d{i. Theo hướng dẫn cung cấp
bởi nhà sản xuất hoặc giấy phép sử dụng.
Quan điểm thực tập từ c|c phép đo vật lý sức khỏe

Để sử dụng đồng vị phóng xạ trong phòng thí nghiệm ghi đo bức xạ, điều cần thiết
là phải hiểu và sử dụng chúng để không ảnh hưởng đến sức khỏe. Hầu hết các nguồn
phóng xạ sử dụng trong chuỗi các bài thực hành AN34 là các nguồn kín, hoạt độ thấp,
và không có ảnh hưởng đến sức khỏe. Trong nhiều ngành công nghiệp, y tế và các
phòng thí nghiệm nghiên cứu thì các nguồn phóng xạ có hoạt độ cao, nguồn hở thường
xuyên được sử dụng. Nếu nguồn hở dạng lỏng vô tình bị đổ ra, các qui trình và kỹ thuật
để phát hiện và xử lý khu vực bị nhiễm bẩn cũng đ~ được đề cập trong các bài thực
h{nh AN34. Để an to{n hơn, cần tham khảo thêm các tiêu chuẩn về an toàn của c|c cơ
quan quản lý sức khỏe địa phương để có những chỉ dẫn cụ thể.
Nếu trong quá trình nghiên cứu, cần phải sử dụng tới các nguồn có hoạt độ cao thì
cần lưu ý đến c|c tiêu chí sau để giảm tối thiểu liều chiếu nhận được:
1. Tối thiểu thời gian tiếp xúc với nguồn;
2. Tối đa khoảng cách tiếp xúc với nguồn;
3. Sử dụng các thiết bị bảo vệ, quần áo bảo hộ, vật liệu che chắn phù hợp.
Với các kiến thức có được về hoạt độ và các loại nguồn phóng xạ, cùng với sự che
chắn thích hợp, khoảng cách và thời gian chiếu, rủi ro do bức xạ gây ra có thể được
giảm tối thiếu ở mức độ thấp nhất khi làm việc với nguồn bức xạ trong khu vực phòng
thí nghiệm.
PHỤ LỤC 415
PHỤ LỤC 416
Giám đốc – Tổng Biên tập: (04)39715011

NHÀ XUẤT BẢN
Hành chính: (04)39714899; Fax: (04)39724736
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
Kinh doanh: (04) 39729437
16 Hàng Chuối – Hai Bà Trưng - Hà Nội Biên tập: (04) 39714896
Chịu trách nhiệm xuất bản: Giám đốc – Tổng biên tập: TS. PHẠM THỊ TRÂM
Biên tập: TRẦN NGỌC LÂM – NGUYỄN THỊ THỦY

Chế bản: HỒNG SÂM
Trình bày bìa: NGỌC NAM
Liên kết xuất bản:

TRUNG TÂM KDXB VÀ PHÁT HÀNH SÁCH
TUYỂN TẬP 27 BÀI THỰC HÀNH VỀ VẬT LÝ

VÀ KỸ THUẬT HẠT NHÂN
Mã số: 1L – 05ĐH2016
In 500 cuốn, khổ 19 x 27 cm tại Công ty Cổ phần in và Thương mại Ngọc Hưng.
Địa chỉ: Số 32, ngõ 97 thôn Đình Thôn, P. Mỹ Đình 1, Q. Nam Từ Liêm, Hà Nội.
Số xuất bản: 592 - 2016 /CXBIPH/ 07 - 54/ĐHQGHN, ngày 3/3/2016
Quyết định xuất bản số: 110 KH-TN/QĐ - NXB ĐHQGHN ngày 11/3/2016
In xong và nộp lưu chiểu năm 2016.

Tuyen Tap 27 Bai Thuc Hanh PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Tuyen Tap 27 Bai Thuc Hanh PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

1

TUYỂN TẬP 27 BÀI THỰC HÀNH

VIỆN NGHIÊN CỨU HẠT NHÂN

NGUYỄN NHỊ ĐIỀN, NGUYỄN XUÂN HẢI, PHẠM ĐÌNH KHANG

TUYỂN TẬP 27 BÀI THỰC HÀNH

NHÀ XUẤT BẢN ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

LỜI NÓI ĐẦU

BÀI THỰC HÀNH SỐ 1

CÁC KHỐI ĐIỆN TỬ CƠ BÂN

- Khối phát xung 480;

Hình 1.1. Sơ đồ khối hệ đếm alpha

Hình 1.2. Tín hiệu lối ra khối khuếch đại

Hình 1.3. Mặt trước của dao động ký Tecktronix 2213A

1. Độ sáng (Intensity): Vị trí giữa, chỉnh Focus để có được độ tương phản v{ độ

4.1.1. Giới thiệu

4.1.2. Các bước thực hiện

4.2.1. Giới thiệu

Hình 1.5. Hệ đếm với máy phát xung

Hình 1.6. Xung ra đơn cực đúng

Hình 1.7. Xung ra lưỡng cực đúng

 X|c định tiêu chuẩn logic

a. Điền các giá trị vào bảng 1.4.

Lower Level Window hoặc E Upper E Lower

BÀI THỰC HÀNH SỐ 2

ỐNG ĐẾM GEIGER – MULLER

- Khối cao thế 556;

Hình 2.1. Sơ đồ điện tử hệ đếm Geiger Muller

4.1.1. Mục đích

4.2.1. Mục đích

4.2.2. Các công thức liên quan

R1R2  R1R2  R12  R1  R12  R2 

Lời giải gần đúng trong một số trường hợp có dạng:

4.2.3. Các bước thực hiện

4.3.1. Mục đích

Trong đó r0 là tốc độ đếm ở thời điểm t = 0.

4.4.1. Mục đích

4.4.3. Các bước thực hiện

4.5.1. Mục đích và các phương trình liên quan

ad là diện tích vùng hoạt của cửa sổ detector,

4.5.2. Các bước thực hiện

N/T N/T đ~ hiệu chỉnh

4.6.1. Mục đích

4.6.3. Các bước thực hiện

BÀI THỰC HÀNH SỐ 3

PHỔ KẾ GAMMA SỬ DỤNG DETECTOR NHẤP NHÁY Nal(Tl)

- Thiết bị điện tử:

+ Đầu nối chữ T C-29 BNC;

- Nguồn phóng xạ:

+ Các bộ lá dò kim loại tinh khiết: FOIL-AL-30, FOlL-FE-5, FOlL-CU-10,

- Tuốc nơ vít tinh chỉnh.

- Thiết bị khác cần cho thực hành 3.10:

+ Khối khuếch đại trễ 427A;

+ Khối phân tích thời gian đơn kênh 551;

+ Khối cổng tuyến tính 426;

+ Khối trễ và tạo xung mở cổng 416A.

- Năng lượng của tia gamma phát ra từ nguồn;

- Lượng bức xạ gamma phát ra trong một khoảng thời gian.

Hình 3.2. Sơ đồ khối hệ phổ kế gamma dùng detector NaI(Tl)

4.1.1. Lắp đặt thiết bị

4.1.2. Điều chỉnh cực không (Pole Zero)

Hình 3.3. Tín hiệu trên dao động ký

4.1.3. Chỉnh hệ số khuếch đại cho phổ

Hình 3.4. Phổ 137Cs đo với detector nhấp nháy NaI(Tl)