Διαφάνειες 20208

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
4ο Εξάμηνο Τμήματος Φυσικής

Διδάσκοντες: Θ. Λαόπουλος & Σ. Σίσκος
Περιεχόμενο:
1. Bασικές αρχές λειτουργίας, χρονική και συχνοτική απόκριση των

ηλεκτρικών/ηλεκτρονικών κυκλωμάτων.
2. Eισαγωγή στους ημιαγωγούς. Δίοδοι: δομή και χαρακτηριστικά

λειτουργίας, δίοδοι zener, κυκλώματα με διόδους.
3. Διπολικά Τρανζίστορ επαφής (BJT): χαρακτηριστικά, σχεδίαση και

ανάλυση λειτουργίας κυκλωμάτων με BJTs, ενισχυτές.
4. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET): τύποι FETs, χαρακτηριστικά,

σχεδίαση και ανάλυση λειτουργίας κυκλωμάτων με FETs, ενισχυτές.
5. Τελεστικοί Ενισχυτές (Op-Amps): χαρακτηριστικά, σχεδίαση και

ανάλυση λειτουργίας κυκλωμάτων με Τελεστικούς Ενισχυτές.
Βιβλιογραφία:
1. Μικροηλεκτρονικά Κυκλώματα, Τόμος Α, 7η Έκδοση, Sedra

Adel, Smith Kenneth
2. Ηλεκτρονικές Διατάξεις & Θεωρία Κυκλωμάτων, 10η Έκδοση,

Boylestad R. , Nashelsky L.
3. ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ, BEHZAD

RAZAVI
4. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ, ΘΕΩΡΙΑ ΚΑΙ ΑΣΚΗΣΕΙΣ,

Κ. ΚΑΡΥΜΠΑΚΑΣ
Ηλεκτρονική Πρόσβαση στο διδακτικό υλικό μέσω του:

elearning.auth.gr
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
4ο Εξάμηνο Τμήματος Φυσικής
Διδάσκοντες: Θ. Λαόπουλος & Σ. Σίσκος
Παρουσίαση Κεφαλαίου 1
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ
• Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο

ηλεκτρικών στοιχείων που είναι μεταξύ τους ηλεκτρικώς
συνδεδεμένα
• Ηλεκτρικά στοιχεία (παθητικά)
• Ωμική αντίσταση (καταναλώνει ενέργεια)
• Αυτεπαγωγή (αποθηκεύει ενέργεια)
• Χωρητικότητα (αποθηκεύει ενέργεια)
• Ενεργά στοιχεία
– Αυτά που παράγουν ενέργεια ή ενισχύουν (πχ. πηγές τάσης,
ρεύματος, ενισχυτές)
Βασικά ηλεκτρικά στοιχεία και η σχέση
μεταξύ τάσης και ρεύματος
• Κλάδος κυκλώματος
– Αλληλουχία στοιχείων που τα διαρρέει το ίδιο ρεύμα
• Κόμβος
– Το κοινό σημείο δυο ή περισσότερων κλάδων
• Βρόχος
– Αλληλουχία κλάδων που σχηματίζουν ένα κλειστό κύκλωμα
Βασικά ηλεκτρικά στοιχεία και η σχέση
μεταξύ τάσης και ρεύματος
• Είσοδος κυκλώματος: δυο άκρα του στα οποία επενεργεί πηγή

ηλεκτρικής ενέργειας που διεγείρει το κύκλωμα
• Έξοδος κυκλώματος: δυο άκρα του στα οποία παίρνουμε τάση και
ρεύμα
• Ηλεκτρονικό κύκλωμα: εκτός από R, L, C περιέχει και διόδους,
τρανζίστορ, τελεστικούς ενισχυτές κλπ.
Φορές τάσεων και ρευμάτων
• Οι συμβατικές φορές της τάσης και του ρεύματος

δηλώνονται με βέλη και ορίζονται αυθαίρετα
• Με βάση αυτές καθορίζονται οι εξισώσεις του κυκλώματος
• Όταν ένα μέγεθος βρεθεί με αρνητική τιμή αυτό σημαίνει ότι
έχει αντίθετη φορά από αυτή που έχει οριστεί
Πηγές τάσης και ρεύματος
• Αποτελούν ενεργά στοιχεία ενός κυκλώματος
• Πηγή τάσης είναι πηγή ηλεκτρικής ενέργειας της οποίας η τάση

που παρέχει δεν εξαρτάται από το φορτίο
• Συνεπώς, μια ιδανική πηγή τάσης έχει μηδενική εσωτερική
αντίσταση
• Πρακτικά παρουσιάζει έστω και μικρή εσωτερική αντίσταση που
τοποθετείται σε σειρά με το σύμβολο της πηγής τάσης
• Πηγές τάσης: συνεχούς - εναλλασσόμενης τάσης, εξαρτημένη
Πηγή τάσης με φορτίο
es RL
uL= es − iRs = =
uL iR =
R =
es Kes
RS + RL RS + RL
L L
es
uL =
RS Διαιρέτης τάσης
+1
RL
Αν RL>>RS τότε uL≈es οπότε η πηγή συμπεριφέρεται ως ιδανική
Πηγή ρεύματος
• Πηγή ρεύματος είναι η πηγή ηλεκτρικής ενέργειας της οποίας

το ρεύμα που παρέχει δεν εξαρτάται από το φορτίο
• Συνεπώς, μια ιδανική πηγή ρεύματος έχει μηδενική εσωτερική
αγωγιμότητα
• Πρακτικά παρουσιάζει έστω και μικρή εσωτερική αγωγιμότητα
που τοποθετείται παράλληλα με το σύμβολο της πηγής έντασης
i0 iL
−iS = i0 + iL =
GS GL
GL
iL =
− iS =
− MiS 1
GL + GS iL = iS
GS
+1
Διαιρέτης ρεύματος GL
Αν GL>>GS τότε iL≈is οπότε η πηγή συμπεριφέρεται ως ιδανική

Διαιρέτες τάσης και ρεύματος
• Από ένα δυναμικό V1 μπορούμε να πάρουμε ένα άλλο

δυναμικό V2 μικρότερο κατά μέτρο από το V1 χρησιμοποιώντας
δυο αντιστάσεις R1, R2 που αποτελούν ένα διαιρέτη τάσης
Διαιρέτης τάσης
• Διαιρέτης τάσης χωρίς φορτίο

V1 R2
=
V2 R=
2I R2 = =V1 KV1
R1 + R2 R1 + R2
• Διαιρέτης τάσης με φορτίο

R2 / / RL
V2 = V1
R1 + R2 / / RL
– Καλείται ισχυρός όταν R2//RL≈R2
• Για διαιρέτη τάσης με ρεύμα IL στο φορτίο

R2
=V2 (V1 − R1 I L )
R1 + R2
Διαιρέτης ρεύματος
I1 G2
=
I 2 G=
2V G2 = = I1 MI1
Gολ G1 + G2
Αντίσταση μεταξύ δύο σημείων μιας διάταξης
• Είναι ο λόγος της μεταβολής της τάσης ΔV προς την αντίστοιχη μεταβολή
του ρεύματος ΔI που προκαλεί η παραπάνω μεταβολή της τάσης
∆V
R=
∆I
• Αντίσταση εισόδου άν τα άκρα Α, Β αφορούν την είσοδο μιας διάταξης

• Αντίσταση εξόδου αν τα Α, Β αφορούν την έξοδο μιας διάταξης
• Επιθυμητά Χαρακτηριστικά: ΜΕΓΑΛΗ αντίσταση εισόδου

ΜΙΚΡΗ αντίσταση εξόδου
Ηλεκτρικά Σήματα
• Ηλεκτρικά σήματα είναι χρονικές διαταραχές τάσης και

ρεύματος που αναπτύσσονται στα ηλεκτρικά και ηλεκτρονικά
κυκλώματα
• Ημιτονικό σήμα
• Βηματική συνάρτηση
Μορφές σημάτων
• Βηματική συνάρτηση
– Χαρακτηριστικοί χρόνοι Tr, Td, Ts
• Τετραγωνικές κυματομορφές
– Χαρακτηριστικοί χρόνοι: Τ, τ1, τ2

– Duty cycle (κύκλος εργασίας), ο λόγος τ1/Τ
• Τριγωνικές κυματομορφές
– Στις πραγματικές τριγωνικές κυματομορφές οι γωνίες θα είναι

στρογγυλοποιημένες και τα μέτωπα θα έχουν σχετική κλίση
• Εκθετικό σήμα t
−
– Χαρακτηριστικός χρόνος η =u V0 e T
t≥0
σταθερά χρόνου T
– Για t=T
V0 V0
=
u = ≅ 0,37V0
e 2, 71
• Μοναδιαίος κρουστικός παλμός
– Έχει εμβαδόν ίσο με τη μονάδα

– Η διάρκειά του είναι μικρή σε σχέση με τις σταθερές χρόνου
του δικτυώματος που πρόκειται να διεγείρει
– Ιδανικός κρουστικός παλμός, συνάρτηση δέλτα, στην
περίπτωση που ΔΤ0 και V0  ∞
• Θόρυβος
– Σήμα ακαθόριστης μορφής που εμφανίζεται σε διάφορα
σημεία των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων σαν παρασιτικό
• Διαμορφωμένα ημιτονικά σήματα
=u Vm (1 + m sin ωm t ) sin ωc t
=u Vm sin (ωc + m f ωm sin ωm t ) t
– Διαμορφωμένα κατά πλάτος και κατά συχνότητα

• Διαμορφωμένα παλμικά σήματα

– Διαμορφωμένα καθ’ ύψος και κατά διάρκεια
Μέση και ενεργός τιμή σήματος
• Μέση τιμή περιοδικού σήματος

1 T
VAV = ∫ u (t )dt
T 0
• Στιγμιαία ισχύς που καταναλίσκεται σε αντίσταση
u 2 (t )
p (t ) =
R
• Μέση τιμή ισχύος για περιοδικό σήμα
1 T 1 1 T 2  2
Vrms
T ∫0 R  T ∫0
= = 1 T 2
PAV p (t ) dt u (t ) dt 

PAV =
R
Vrms =
T ∫0
u (t )dt
• Ενεργός τιμή της τάσης u(t) είναι η τιμή μιας σταθερής τάσης που
έχει το ίδιο ενεργειακό αποτέλεσμα πάνω σε μια ωμική αντίσταση
Ενεργός τιμή συνημιτονικού σήματος
• Ενεργός τιμή συνημιτονικού σήματος
1 T 2 2 2π 1 Vm2 T  4π  Vm
T ∫0
Vrms = Vm cos tdt =∫ 1 + cos t  dt = =
0, 707Vm
T T 2 0 T  2
• Αν σήμα με συνημιτονική μορφή εφαρμοστεί στα άκρα μιας

αντίστασης R τότε η καταναλισκόμενη ισχύς θα είναι
2
Vrms
PAV =
R
– Όσον αφορά την ισχύ, η εναλλασσόμενη τάση ισοδυναμεί με
συνεχή τάση τιμής Vm / 2
Γραμμικά κυκλώματα και αρχή της επαλληλίας
• Ένα κύκλωμα ή γενικότερα ένα σύστημα είναι γραμμικό όταν ισχύει γι αυτό η
αρχή της επαλληλίας ή υπέρθεσης
• Για γραμμικό σύστημα με μηδενικές αρχικές συνθήκες, όπου δεν δρουν άλλα
σήματα ούτε πηγές και yi(t) είναι η απόκριση σε είσοδο xi(t) τότε
– για είσοδο x(t)=C1x1(t)+ C2x2(t)+… +Cnxn(t)
– παίρνουμε έξοδο y(t)=C1y1(t)+ C2y2(t)+… +Cnyn(t)
• Κάθε σήμα επιφέρει στο γραμμικό κύκλωμα το αποτέλεσμά του ανεξάρτητα

από την ύπαρξη των άλλων σημάτων που δρουν σε αυτό
• Εάν δεν ισχύει η αρχή της επαλληλίας για ένα κύκλωμα, τότε αυτό δεν είναι
γραμμικό (μη γραμμικό).
Γραμμικά κυκλώματα
• Γραμμικά κυκλώματα περιέχουν

– Στοιχεία R, L, C
– Γραμμικούς ενισχυτές
– Τρανζίστορ που λειτουργούν στη γραμμική περιοχή
• Μη γραμμικά κυκλώματα περιέχουν τουλάχιστον ένα μη
γραμμικό στοιχείο
– Διόδους
– Τρανζίστορ, ενισχυτές που λειτουργούν σε μη γραμμική λειτουργία
• Ένα μη γραμμικό κύκλωμα μπορεί να θεωρηθεί γραμμικό σε
μια μικρή περιοχή τάσεων ή ρευμάτων
Παράδειγμα (επαλληλία)
• Για την εφαρμογή της αρχής της επαλληλίας θα πρέπει να βρεθεί το
αποτέλεσμα κάθε πηγής χωριστά, αφού μηδενιστεί η επίδραση της
άλλης πηγής, και αθροίσουμε τα δυο αποτελέσματα.
• «Μηδενισμός» της επίδρασης σημαίνει μηδενισμός του μεγέθους
και αντικατάσταση της πηγής από την ισοδύναμη της αντίσταση
– Το αποτέλεσμα της πηγής τάσης μηδενίζεται βραχυκυκλώνοντας
την πηγή (μηδενισμός της τάσης και αντικατάσταση από την
μηδενικής τιμής εσωτερική της αντίσταση)
– Το αποτέλεσμα της πηγής ρεύματος μηδενίζεται αποκόπτωντας
τον αντίστοιχο κλάδο (μηδενισμός του ρεύματος και
αντικατάσταση από την άπειρης τιμής εσωτερική της αντίσταση)
• Να βρεθεί η τάση στα άκρα της R2

Παράδειγμα (επαλληλία)
• Προκύπτουν τα ισοδύναμα κυκλώματα
1
R2 0, 25 K Ω −1
Από=
(α) I 2 = I = 5mA 1, 67 mA
1
+
1 ( 0,5 + 0, 25 ) K Ω −1
VI = R2 I 2 = 4 ⋅1, 67 K Ω ⋅ mA = 6, 68V
R1 R2
Από (β) R2 4
= VE = E = 20V 13,33V
R1 + R2 2+4
• Συνεπώς η τάση στα άκρα της R2 θα είναι

V =VI + VE = 20, 01V
Παράδειγμα (αποκοπή τάσης DC σε πυκνωτή)
• Εύρεση της τάσης εξόδου

στο κύκλωμα:
• Γραμμικό κύκλωμα: εφαρμογή της επαλληλίας για τις δυο

πηγές (εισόδους)
• Λόγω του πυκνωτή από την αντίσταση δεν διέρχεται κανένα
ρεύμα DC
• Στην R επιδρά μόνο η ημιτονική τάση
Θεωρείται ότι ο πυκνωτής
παρουσιάζει μηδενική αντίσταση
Ευθεία φόρτου και δυναμική αντίσταση στοιχείου
• Θεωρούμε ένα ηλεκτρονικό στοιχείο με δυο άκρα

Το στοιχείο παρουσιάζει
σχέση ρεύματος τάσης
I=f(V)
1 E
RI + V =E I=
− V+
R R Ευθεία φόρτου
• Το ρεύμα και η τάση στο στοιχείο πρέπει να ικανοποιούν και
τις δύο σχέσεις: Σημείο λειτουργίας Q
Ευθεία φόρτου και δυναμική αντίσταση στοιχείου
• Στατική αντίσταση R = VA
A
IA
• Δυναμική αντίσταση r = dV
δ
dI
• Η δυναμική αντίσταση ορίζεται από την παράγωγο της καμπύλης I=f(V)
στο σημείο λειτουργίας και για μη γραμμικά στοιχεία μεταβάλλεται με τη
μεταβολή του σημείου λειτουργίας
• Για μικρές μεταβολές τάσης, u, ρεύματος, i, (π.χ. ημιτονικές) έχουμε
u
rδ =
i
Δυναμική αντίσταση στοιχείου
• Θεωρώντας το στοιχείο Σ γραμμικό σε μικρή περιοχή, έχουμε:

 u u
=
e Ri + u e = i  R +  = i ( R + rδ ) rδ =
 i i
• Άρα η αντίσταση που προβάλει το στοιχείο Σ στο εναλλασσόμενο
ρεύμα μικρού πλάτους είναι ακριβώς η δυναμική του αντίσταση
Ισοδύναμο
κύκλωμα
για εναλλασ-
σόμενο ρεύμα
Αλλαγή του σημείου πόλωσης σημαίνει και αλλαγή της δυναμικής

αντίστασης του στοιχείου
Τα θεωρήματα των Thevenin και Norton
• Χρησιμοποιούνται στην επίλυση κυκλωμάτων
• Θεώρημα Thevenin
Για κάθε γραμμικό κύκλωμα, το ισοδύναμο κύκλωμα για δυο ελεύθερα άκρα
του, είναι μια πηγή τάσης σε σειρά με μια αντίσταση. Η πηγή τάσης ισούται
με την τάση στα ελεύθερα άκρα του κυκλώματος, ενώ η αντίσταση ισούται με
αυτήν που βλέπουμε μεταξύ των δυο άκρων
• Θεώρημα Norton
Για κάθε γραμμικό κύκλωμα, το ισοδύναμο κύκλωμα για δυο ελεύθερα άκρα
του, είναι μια πηγή ρεύματος παράλληλη με μια αγωγιμότητα. Η πηγή
ρεύματος ισούται με το ρεύμα που διαρρέει τα άκρα του κυκλώματος όταν
αυτά βραχυκυκλωθούν, ενώ η αγωγιμότητα ισούται με αυτήν που βλέπουμε
μεταξύ των δυο άκρων
Τα θεωρήματα των Thevenin και Norton
• Η αντίσταση που βλέπουμε στα δυο άκρα του δικτυώματος

ισούται με το αντίστροφο της αγωγιμότητας που βλέπουμε
στα άκρα αυτά 1
RT =
GN
• Για να βρούμε την αντίσταση και την αγωγιμότητα πρέπει να

βαχυκυκλώσουμε όλες τις ανεξάρτητες πηγές τάσης και να
ανοίξουμε όλους τους κλάδους του δικτυώματος που
περιέχουν ανεξάρτητες πηγές ρεύματος
Για το προηγούμενο eT = u AB (αν ) RT =

u AB (αν )
iAB ( βρ )
σχήμα
ιΝ = ι AB ( βρ ) G=
N
1
=
iAB ( βρ )
RT u AB (αν )
Παράδειγμα
• Με εφαρμογή του θεωρήματος Thevenin να βρεθεί το ρεύμα

που διαρρέει το στοιχείο Σ για το οποίο I=f(V)
• Λύση
1. Ανοίγουμε το κύκλωμα στα σημεία Α και Β οπότε το στοιχείο
τίθεται εκτός κυκλώματος
2. Βρίσκουμε την τάση στα άκρα ΑΒ
Παράδειγμα (συνέχεια)
• Τάση που οφείλεται στη πηγή τάσης

R2 1K Ω
=
VABE = E = 12V 4V
R1 + R2 (1 + 2) K Ω
• Τάση που οφείλεται στην πηγή ρεύματος

1⋅ 2
V= R=
ολ I ( R1 / / R2=
)I K Ω ⋅15=
mA 10V
1+ 2
ABI
• Τελικά
VT =VABE + VABI =4 + 10 =14V
Παράδειγμα (συνέχεια)
• Αντίσταση που βλέπουμε στα άκρα ΑΒ
R1 R2 1⋅ 2
=
RT R1 =
/ / R2 = =K Ω 0, 666 K Ω
R1 + R2 1 + 2
• Ισοδύναμο κύκλωμα κατά Thevenin
• Βρίσκουμε την ευθεία φόρτου και υπολογίζουμε το ρεύμα

δια του στοιχείου Σ (IQ=15mA)
Επίλυση κυκλωμάτων, νόμοι του Kirchhoff
• Νόμος ρευμάτων
– Το αλγεβρικό άθροισμα των ρευμάτων που διαρρέουν τους
κλάδους ενός κόμβου είναι μηδέν
• Νόμος τάσεων
– Το αλγεβρικό άθροισμα των τάσεων στα άκρα των στοιχείων σε
ένα ηλεκτρικό βρόχο είναι μηδέν
i1 − i2 − i3 =0
R1i1 + R2 i3 + R3i4 − e1 =
0
Θεωρία των διθύρων
• Ως δίθυρο (τετράπολο) χαρακτηρίζεται κάθε κύκλωμα που

έχει δυο ζεύξη ακροδεκτών
• Το ρεύμα διαμέσου του άνω ακροδέκτη του ορίζεται ως

θετικό αν κατευθύνεται προς το δικτύωμα
• Για γραμμικό κύκλωμα τα μεγέθη u1, i1, u2, i2 συνδέονται
μεταξύ τους με γραμμικές σχέσεις
Ενισχυτές τάσης και ρεύματος
• Ενισχυτής τάσης
– Διάταξη που παρέχει στην έξοδό της πολλαπλάσια τάση από την τάση εισόδου της
uo = Aua ui όπου Aua ≥ 1
Ιδανικός ενισχυτής Πραγματικός ενισχυτής

• Στον ιδανικό ενισχυτή η αντίσταση εισόδου είναι άπειρη ενώ η αντίσταση
εξόδου είναι μηδενική
• Σε ένα πραγματικό ενισχυτή η ενίσχυση μεταβάλλεται με τη συχνότητα
του σήματος εισόδου, η αντίσταση εισόδου είναι πεπερασμένη και η
αντίσταση εξόδου μη μηδενική
Ενισχυτές τάσης
• Ισοδύναμο πραγματικού ενισχυτή τάσης που διεγείρεται

από μια μη ιδανική πηγή τάσης και στην έξοδό του έχει μια
αντίσταση φορτίου RL
RL
Aua ui
uo RL + Ro RL
A= = = A= K o Aua
RL + Ro
u ua
ui ui
uo uo ui Ri
A= = = Au = K i K o Aua
Ri + Rs
us
us ui us
Αν Ri>>Rs και Ro<<RL τότε Ki≈1, Kο≈1 και συνεπώς Aus≈Aua
Ενισχυτής ρεύματος
• Διάταξη που παρέχει στην έξοδό της πολλαπλάσιο ρεύμα από το

ρεύμα εισόδου της
io = Aiβ ii όπου Ai β ≥ 1
Ιδανικός ενισχυτής Πραγματικός ενισχυτής
• Στον ιδανικό ενισχυτή η αγωγιμότητα εισόδου είναι άπειρη ενώ η

αγωγιμότητα εξόδου είναι μηδενική
• Σε ένα πραγματικό ενισχυτή η ενίσχυση μεταβάλλεται με τη
συχνότητα του σήματος εισόδου, η αγωγιμότητα εισόδου είναι
πεπερασμένη και η αγωγιμότητα εξόδου μη μηδενική
ΧΡΟΝΙΚΗ ΚΑΙ ΣΥΧΝΟΤΙΚΗ ΑΠΟΚΡΙΣΗ
ΑΠΛΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ
ΧΡΟΝΙΚΗ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΤΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ
• Τα κυκλώματα που θεωρούμε εδώ είναι γραμμικά και

επομένως η δυναμική τους λειτουργία περιγράφεται από
γραμμικές διαφορικές εξισώσεις.
• Οι λύσεις των εξισώσεων μας δίνουν τη χρονική απόκριση
των κυκλωμάτων όταν στην είσοδο εισάγονται συγκεκριμένες
διεγέρσεις (κυματομορφές) μεταβαλλόμενες με την πάροδο
του χρόνου.
• Η εξέταση των κυκλωμάτων στο πεδίο της συχνότητας
αποτελεί την συχνοτική απόκρισή τους και δείχνει ποιες είναι
(πως αλλάζουν) οι επιδόσεις του κυκλώματος σε
διαφορετικές συχνότητες του σήματος εισόδου.
Κυκλώματα RC (διαφόρισης)
• Δικτύωμα διαφόρισης
– Για τη λήψη λεπτών αιχμών από
τετραγωνικούς παλμούς
• Υψηπερατό φίλτρο
– Κόβει τις χαμηλές συχνότητες
• Δικτύωμα προήγησης φάσης
• Εξέταση συμπεριφοράς για βηματική είσοδο
– Διαφορική εξίσωση που διέπει τη λειτουργία του
duc d ( ui − uo )
u=
0 = RC = RC
Ri
dt dt
du du
RC o + uo =RC i
dt dt
Απόκριση σε βηματική είσοδο
• Έξοδος t
−
uo = Ke RC
• Γινόμενο T=RC: σταθερά χρόνου
Απόκριση κυκλώματος
Για t=T
K K
uo (T=
) = ≅ 0,37 K
e 2, 71
Η σταθερά χρόνου ισούται με το χρόνο που παρέρχεται για να
κατέβει το σήμα στα 37% της αρχικής τιμής
Απόκριση κυκλώματος διαφόρισης
• Αν διαφορίσουμε τετραγωνικούς παλμούς ιδανικά παίρνουμε

κρουστικούς παλμούς απείρου ύψους και μηδενικής
διάρκειας
• Πραγματική απόκριση του κυκλώματος
Όσο η σταθερά χρόνου γίνεται
μικρότερη τόσο πλησιάζουμε
την ιδανική περίπτωση
Το ύψος παραμένει πάντα ίσο με Κ

Απόκριση σε συνημιτονική είσοδο
• Για συνημιτονικό σήμα εισόδου

= ui Vm cos ωt , t ≥ 0
• Η διαφορική εξίσωση γίνεται
duo
RC + uo =− RCωVm sin ωt
dt
• Η λύση της αποτελείται από δύο μέρη: τη λύση της ομογενούς και
μιας μερικής λύσης, οπότε:
t
−
uo = uo1 + uo 2 = Ae RC
+ B cos (ωt + ϕ )
• Ο πρώτος όρος φθίνει με το χρόνο και αποτελεί τη μεταβατική
απόκριση
• Ο δεύτερος όρος οφείλεται στην είσοδο και αποτελεί τη μόνιμη
απόκριση
• Τελικά
t
Vm − Vm R
uo (t ) = e RC
+ cos (ωt + ϕ )
1 + ( RCω )
2 2
 1 
R2 +  
 Cω 
Προήγηση φάσης
Κύκλωμα ολοκλήρωσης RC
• Δικτύωμα ολοκλήρωσης
• Χαμηλοπερατό φίλτρο
• Δικτύωμα καθυστέρησης φάσης
• Ισχύει Ri + uo =ui
duo
και η διαφορική εξίσωση γίνεται RC + uo =
ui
dt
• Απόκριση σε βηματική είσοδο
t
−
Έχουμε ήδη δείξει ότι: uR = Ke RC
t
−
Συνεπώς uC =ui − uR = K − Ke RC
που αποτελεί την έξοδο
 −
t

=
uo K  1 − e RC

 
Απόκριση σε βηματική είσοδο
Προσεγγιστικά για t<<RC προκύπτει

t
− t
e RC
≅ 1−
RC
t
uo ≅ K
RC
Έχουμε
t t
∫ u dt= ∫
0 i 0
= Kt ≅ RCuo
Kdt
οπότε 1 t
uo
RC ∫0
ui dt , για t << RC
Γι αυτό αναφέρεται ως κύκλωμα ολοκλήρωσης

• Με τον ίδιο τρόπο αποδεικνύεται ότι σε είσοδο

=ui Vm cos ωt , t ≥ 0
έχουμε έξοδο
Vm
−V −
t
Cω
uo (t ) = m 2 e RC
+ cos (ωt + ϕ )
1 + ( RCω )  1 
2
R2 +  
 Cω 
ϕ = tan −1 RCω
Επειδή η γωνία έχει αρνητική τιμή το κύκλωμα χαρακτηρίζεται

ως καθυστέρησης φάσης
Η συχνοτική συνάρτηση μεταφοράς
• Όταν ένα γραμμικό κύκλωμα διεγείρεται από ημιτονικό σήμα, μετά

το μεταβατικό φαινόμενο, το σήμα στην έξοδο γίνεται ημιτονικό
της ίδιας συχνότητας.
• Το σήμα στην έξοδο διαφέρει κατά πλάτος και φάση
• Το πλάτος του σήματος εξόδου ισούται με το πλάτος του σήματος
εισόδου πολλαπλασιασμένου με το μέτρο της συχνοτικής
συνάρτησης μεταφοράς του κυκλώματος
• Η συχνοτική συνάρτηση μεταφοράς ενός κυκλώματος είναι μια
μιγαδική συνάρτηση της οποίας το μέτρο ισούται με το λόγο των
πλατών των σημάτων εξόδου-εισόδου και το όρισμά του με τη
διαφορά φάσης των σημάτων εισόδου-εξόδου
Διάγραμμα Bode του βαθυπερατού φίλτρου
• Συχνοτική συνάρτηση μεταφοράς

1 1
G ( jω )
= =
1 + jω RC 1 + jωT
Όπου T=RC και θέτωντας T=1/ωc έχουμε

1 1
G ( jω )
= =
ω f ω=2πf, και fc η συχνότητα αποκοπής
1+ j 1+ j
ωc fc
Μέτρο της συχνοτικής συνάρτησης μεταφοράς

1
G ( jf ) = 1
 f 
2
G ( jf=
c) = 0, 707
1+   2
 c
f
Διάγραμμα Bode του βαθυπερατού φίλτρου
Στη συχνότητα αποκοπής το μέτρο

μειώνεται στο 70,7% της μέγιστης τιμής
• Η απεικόνιση του μέτρου γίνεται καλύτερα σε λογαριθμικό

διάγραμμα
Στη συχνότητα αποκοπής το

μέτρο μειώνεται κατά 3dB
Προσέγγιση με ευθείες
Συχνοτικά διαγράμματα
• Το πλάτος και το όρισμα της συχνοτικής συνάρτησης μεταφοράς

ενός δικτυώματος είναι συναρτήσεις της κυκλικής συχνότητας ω
• Για απεικόνιση μεγεθών με ευρεία περιοχή μεταβολής, πχ. 100:1
και άνω, χρησιμοποιούνται λογάριθμοι
• Σε μονάδες decibel μετράμε μια τάση V2 σε σχέση με την τάση
αναφοράς V1, παίρνοντας 20 φορές το δεκαδικό λογάριθμο του
λόγου V2/V1
V2
A = 20 log Πχ. για V2=1000 V1 , Α=60dB
V1
• Δεκάδα συχνότητας, πχ. μία δεκάδα: f2=10f1
• Οκτάβα συχνότητας, πχ. δυο οκτάβες f2=4f1
Προσέγγιση του πλάτους
• Από τις μαθηματικές εκφράσεις του μέτρου έχουμε

1
= =
A 20 log G 20 log ≅ 0 DdB, για f << f c
2
 f 
1+  
 fc 
1 f
A = 20 log G = 20 log ≅ −20 log = −20 x, για f >> f c
 f 
2 fc
1+  
 fc  f
x = log
fc
Η κλίση της ευθείας είναι

-20dB/δεκάδα
Προσέγγιση της φάσης
• Για το όρισμα της συνάρτησης G έχουμε

 f  −1 f
ϕ = ∠G = −∠ 1 + j  = − tan
 fc  fc
Προσεγγίζεται με τρία
ευθύγραμμα τμήματα (ΑΒΓΔ),
και κλίση 45ο/Dec ΜΟΝΟ
στην περιοχή fc/10 – 10fc
Διάγραμμα Bode του υψηπερατού φίλτρου
• Συχνοτική συνάρτηση μεταφοράς

f
j
jω RC fc
G ( jω )
= =
1 + jω RC 1 + j f
fc
ω=2πf, και fc =1/RC η συχνότητα αποκοπής

Προσέγγιση του πλάτους
f f
A = 20 log G = 20 log − 20 log 1 + j
fc fc
Το διάγραμμα Bode προκύπτει ως συνδυασμός

ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ
Αντίσταση ή Αγωγιμότητα της ύλης
• Ύπαρξη φορέων ηλεκτρικού ρεύματος

(ζεύγους ηλεκτρονίου-οπής)
• Βασική ιδιότητα υλικών:
Ηλεκτρική Αντίσταση Si Si Si
(Αγωγιμότητα)
– Μέταλλα Si Si Si
– Μονωτές electron
– Ημιαγωγοί
Si Si Si
hole
Ενεργειακές ζώνες
• Όταν τα άτομα πλησιάσουν αρκετά μεταξύ τους οι ενεργειακές

στάθμες διασπώνται και δημιουργούνται ενεργειακές ζώνες
• Σε ένα κρύσταλλο διακρίνουμε τρεις ενεργειακές ζώνες

– Ζώνη σθένους (εδώ βρίσκονται τα ηλεκτρόνια σθένους)
– Απαγορευμένη ενεργειακή ζώνη (δεν υπάρχουν ηλεκτρόνια)
– Ζώνη αγωγιμότητας (σε αυτήν μπαίνουν τα ηλεκτρόνια όταν
αποκτούν ενέργεια για να σπάσουν τους ομοιοπολικούς
δεσμούς)
Μέταλλα, μονωτές και ημιαγωγοί
• Ζώνες ενέργειας
• Μέταλλα
– Επικάλυψη ζώνης σθένους και αγωγιμότητας. Δεν χρειάζεται
κανένα ποσό ενέργειας στα ηλεκτρόνια σθένους να
μεταπηδήσουν στη ζώνη αγωγιμότητας
– Ήδη πολλά ηλεκτρόνια βρίσκονται στη ζώνη αγωγιμότητας και
με την επίδραση ηλεκτρικού πεδίου δημιουργούν ηλεκτρικό
ρεύμα
Μονωτές και ημιαγωγοί
• Μονωτές
– Η απαγορευμένη ζώνη είναι αρκετά πλατιά ώστε να γίνεται
πολύ δύσκολο στα ηλεκτρόνια σθένους να μεταπηδήσουν στη
ζώνη αγωγιμότητας (πχ. για το διαμάντι EG=6eV)
• Ημιαγωγοί
– Διακρίνονται από στενή απαγορευμένη ζώνη (≈1eV)
– Λόγω του μικρού ενεργειακού χάσματος μερικά ηλεκτρόνια
παίρνουν εύκολα ικανή θερμική ενέργεια και περνάνε στη ζώνη
αγωγιμότητας
– Η εγέργεια EG ελαττώνεται με την αύξηση της θερμοκρασίας
στον κρύσταλλο
=EG EG 0 (1 − cT )
– Η αγωγιμότητα αυξάνει με την αύξηση της θερμοκρασίας
Ηλεκτρονικοί φλοιοί των ατόμων
• Τα ηλεκτρόνια των ατόμων κατέχουν διάφορες αλλά

καθορισμένες τροχιές γύρω από τον πυρήνα και κατά ομάδες
συγκροτούν τους φλοιούς
• Κάθε φλοιός μπορεί να περιλάβει ορισμένο αριθμό
ηλεκτρονίων
• Τα περισσότερα στοιχεία ενώνονται μεταξύ τους έτσι ώστε ο
εξωτερικός φλοιός ή υποφλοιός τους να συμπληρώνει 8
ηλεκτρόνια και να είναι ευσταθής
• Ο αριθμός των ηλεκτρονίων που μπορεί να αποβάλλει ή να
προσλάβει ένα άτομο για να σχηματίσει χημική ένωση
αποτελεί το σθένος του ατόμου
Ομοιοπολικοί δεσμοί
• Στα κρυσταλλικά σώματα τα άτομα είναι διατεταγμένα στο

χώρο σε σταθερές αποστάσεις μεταξύ τους και είναι
τοποθετημένα σε επίπεδα και ευθείες γραμμές που
επαναλαμβάνονται περιοδικά
• Δυο άτομα είναι ενωμένα μεταξύ τους με ομοιοπολικό δεσμό
όταν έχουν αποκτήσει δυο κοινά ηλεκτρόνια
• Τα ηλεκτρόνια αυτά ανήκουν πλέον και στα δυο άτομα και
εκτελούν σύνθετες τροχιές
• Στους κρυστάλλους Ge και Si τα άτομα συνδέονται μεταξύ τους
με ομοιοπολικούς δεσμούς
• Το Ge και το Si διαθέτουν τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους
(τετρασθενή)
Ομοιοπολικοί δεσμοί
• Στους κρυστάλλους που σχηματίζουν τα στοιχεία αυτά το

κάθε άτομο του Ge ή Si παίρνει από τα 4 γειτονικά του άτομα
από ένα ηλεκτρόνιο και συμπληρώνει τον εξωτερικό του
φλοιό με 8 ηλεκτρόνια
• Ταυτόχρονα όμως δίνει και από ένα δικό του στα τέσσερα
γειτονικά του
Κρύσταλλος ατόμων Ge ή Si
με ομοιοπολικούς δεσμούς
Ενεργειακές στάθμες
• Στάθμες ενέργειας
ατόμου
• Για να μετακινηθεί ενεργειακά στο άτομο ένα ηλεκτρόνιο

πρέπει να βρει κενή ενεργειακή στάθμη
• Την ενέργεια που προσλαβάνει ένα ηλεκτρόνιο για να
μεταπηδήσει από μια ενεργειακή στάθμη σε άλλη
υψηλότερη την αποδίδει υπό μορφή ακτινοβολίας όταν
επιστρέφει στην αρχική του στάθμη
Ενεργειακές στάθμες στα άτομα και διέγερση
ατόμων
• Κάθε ηλεκτρόνιο ενός ατόμου μπορεί να αποσπασθεί από αυτό αν
λάβει κατάλληλη ενέργεια
– με την επίδραση ηλεκτρικού πεδίου
– με την πρόσπτωση φωτός
– με τη θερμοκρασία
• Μετά την απομάκρυνση του ηλεκτρονίου το άτομο αποτελεί ένα
θετικό ιόν
• Τα εξωτερικά ηλεκτρόνια μπορούν να απομακρυνθούν με λιγότερη
ενέργεια από αυτά που είναι κοντά στον πυρήνα
• Όταν η ενέργεια δεν επαρκεί για απομάκρυνση του ηλεκτρονίου
αυτό μεταπηδά σε μεγαλύτερη τροχιά
• Οι ενεργειακές στάθμες (τροχιές) σε ένα άτομο είναι διακεκριμένες
Ενδογενείς ημιαγωγοί
• Ενδογενείς είναι οι κρύσταλλοι των ημιαγωγών που είναι

απόλυτα καθαροί από ξένα άτομα στο κρυσταλλικό τους
πλέγμα
• Στους κρυστάλλους αυτούς μερικά ηλεκτρόνια, λόγω της
θερμοκρασίας, σπάζουν τους δεσμούς τους από τα άτομα και
περνάνε στη ζώνη αγωγιμότητας
• Τα ηλεκτρόνια αυτά κινούνται σε τυχαίες κατευθύνσεις
• Όταν ένα άτομο χάσει ένα ηλεκτρόνιο μένει φορτισμένο
θετικά ενώ συγχρόνως μένει στο άτομο μια κενή από
ηλεκτρόνιο θέση που ονομάζουμε οπή
Φορείς
Σπάσιμο δεσμού
Ένα ηλεκτρόνιο μπορεί εύκολα να

φύγει από ένα γειτονικό άτομο και
να πάει στην κενή θέση
• Ήδη όμως το ηλεκτρόνιο αυτό άφησε μια κενή θέση από το άτομο
που έφυγε και έτσι είναι σαν να μετακινήθηκε η προηγούμενη οπή
σε αυτό το άτομο
• Η κίνηση μιας οπής ισοδυναμεί με κίνηση από άτομο σε άτομο
θετικού φορτίου
Φορείς
• Τα ηλεκτρόνια κινούνται ελεύθερα στη ζώνη αγωγιμότητας

• Οι οπές κινούνται με τυχαίο τρόπο στη ζώνη σθένους
• Με την εφαρμογή ηλεκτρικού πεδίου μέσα στον κρύσταλλο
του ημιαγωγού θα γεννηθεί ηλεκτρικό ρεύμα που θα
οφείλεται αφ’ενός μεν στα ηλεκτρόνια αγωγιμότητας και
αφ’ετέρου δε στις οπές που θα κινούνται σε αντίθετη
κατεύθυνση από αυτή που ακολουθούν τα ηλεκτρόνια
• Η γέννηση των ηλεκτρονίων και οπών γίνεται κατά ζεύγη.
Συνεπώς η συγκέντρωση των ελεύθερων ηλεκτρονίων
ισούται με τη συγκέντρωση των οπών
ni = pi
Εξάρτηση από τη θερμοκρασία
• Η συγκέντρωση των ηλεκτρονίων και των οπών εξαρτάται

από τη θερμοκρασία του κρυστάλλου
3 E
− GO
n=
i p=
i AT e2 2 KT
• Καμπύλες συγκέντρωσης φορέων
Πέρα μιας ορισμένης θερμοκρασίας η

συγκέντρωση αυξάνεται απότομα.
Αυτό αποτελεί περιοριστικό
παράγοντα χρήσης των ημιαγωγών σε
υψηλές θερμοκρασίες
Επανασύνδεση
• Λόγω της τυχαίας κίνησης των ηλεκτρονίων και των οπών

μερικά ζευγάρια ηλεκτρονίων-οπών συναντιώνται τυχαία και
εξουδετερώνονται
• Ο ρυθμός επανασύνδεσης R αναφέρεται στον αριθμό των
ζευγαριών που επανασυνδέεται στη μονάδα του όγκου ανά
μονάδα χρόνου
= =
R rn p
i i rni
2
όπου r σταθερά που εξαρτάται από το υλικό
• Επειδή ο αριθμός των ελεύθερων ηλεκτρονίων ή οπών είναι

σταθερός για ορισμένη θερμοκρασία, είναι προφανές ότι ο
ρυθμός επανασύνδεσης θα είναι ίσος με το ρυθμό γέννησης
των ηλεκτρονίων-οπών
Εξωγενείς ημιαγωγοί
• Εξωγενής είναι ο κρύσταλλος ενός ημιαγωγού που περιέχει

ξένες προσμίξεις δηλ. ξένα άτομα στο πλέγμα του
• Τα άτομα αυτά παίζουν σπουδαίο ρόλο στην αγωγιμότητα
του ημιαγωγού
Τύπου n Τύπου p
Εξωγενείς ημιαγωγοί
• Ημιαγωγοί τύπου n
Θεωρούμε ότι σε έναν κρύσταλλο

πχ. Si, υπάρχει μικρός αριθμός
ατόμων πεντασθενούς στοιχείου,
πχ. φωσφόρου (P)
Το κάθε άτομο του P θα συνδεθεί

με ομοιοπολικούς δεσμούς με τα
τέσσερα γειτονικά άτομα του Si
Ημιαγωγοί τύπου n
• Το πέμπτο ηλεκτρόνιο μένει αδέσμευτο και μπορεί με

πρόσληψη μικρής ενέργειας να βρεθεί στη ζώνη αγωγιμότητας
• Φεύγοντας το ηλεκτρόνιο αφήνει το άτομο φορτισμένο (ιόν)
αλλά δεν δημιουργεί οπή καθώς η κενή του θέση δεν γίνεται
πόλος έλξης για άλλο ηλεκτρόνιο
• Τα πεντασθενή άτομα της πρόσμιξης στον κρύσταλλο του
ημιαγωγού λέγονται δότες και ο κρύσταλλος τύπου n
• Η στάθμη ενέργειας των ηλεκτρονίων του δότη είναι πολύ
κοντά στη ζώνη αγωγιμότητας του ημιαγωγού
• Ήδη από πολύ χαμηλές θερμοκρασίες τα ηλεκτρόνια του δότη
βρίσκονται στη ζώνη αγωγιμότητας
• Ζώνη ενέργειας σε κρύσταλλο Si τύπου n

Ζώνη αγωγιμότητας
Τα ηλεκτρόνια του δότη βρίσκονται άτομα

στη στάθμη τους στο απόλυτο μηδέν δότες
ενώ στη θερμοκρασία δωματίου είναι Ζώνη σθένους
στη ζώνη αγωγιμότητας
Με τις προσμίξεις δημιουργούνται

ενεργειακές στάθμες μέσα στην
απαγορευμένη ζώνη
Μεταβολή συγκέντρωσης ελεύθερων

ηλεκτρονίων σε ένα κρύσταλλο
τύπου n σε συνάρτηση με τη
θερμοκρασία
Μετά τους 100οΚ τα

ηλεκτρόνια του δότη έχουν γίνει
ελεύθερα ηλεκτρόνια
• Μετά τους 450οΚ αρχίζει να γίνεται έντονο το φαινόμενο της

γέννησης ζευγών ηλεκτρονίων-οπών λόγω της διάσπασης των
ομοιοπολικών δεσμών και εμφανίζονται και οπές
Ημιαγωγοί τύπου p
• Θεωρούμε την περίπτωση κατά την οποία σε ένα κρύσταλλο

ημιαγωγού πχ. Si υπάρχουν άτομα τρισθενούς στοιχείου πχ.
βορίου (B)
• Τα τρία ηλεκτρόνια σθένους του στοιχείου της πρόσμιξης
δεσμεύονται με ομοιοπολικό δεσμό από τα γειτονικά άτομα Si
• Λείπει ένα ηλεκτρόνιο από το τρισθενές στοιχείο της
πρόσμιξης που με το ηλεκτρόνιο του γειτονικού ατόμου του Si
θα σχημάτιζε το τέταρτο ζευγάρι των ηλεκτρονίων
• Η έλλειψη του ηλεκτρονίου στο άτομο πρόσμιξης αποτελεί
οπή
• Τα τρισθενή άτομα της πρόσμιξης που υπάρχουν μέσα στον
κρύσταλλο του Si καλούνται αποδέκτες και ο κρύσταλλος
τύπου p
άτομα
δέκτες
• Με λίγη ενέργεια μπορεί ένα ηλεκτρόνιο από γειτονικό άτομο

Si να πάει στο άτομο του Β για να καλύψει την έλειψη
ηλεκτρονίου, εξουδετερώνοντας την οπή
• Το ηλεκτρόνιο αυτό αφήνει μια νέα οπή στο άτομο από το
οποίο έφυγε
• Μετακίνηση οπής – ηλεκτρικό ρεύμα
Η στάθμη της ενέργειας του

αποδέκτη είναι κοντά στη
ζώνη σθένους
• Οι οπές με την θερμική ενέργια που παίρνουν είναι

ελεύθερες και μετακινούνται κατά τυχαίο τρόπο από άτομο
σε άτομο
• Με την εφαρμογή ηλεκτρικού πεδίου θα δημιουργηθεί
ηλεκτρικό ρεύμα σχεδόν εξ’ ολοκλήρου από τους φορείς
πλειονότητας που είναι οι οπές
• Η κίνηση των οπών που ισοδυναμεί με την κίνηση των

θετικών ηλεκτρικών φορτίων προς μία κατεύθυνση γίνεται
από την κίνηση σε αντίθετη κατεύθυνση των ηλεκτρονίων
που κινούνται για την κατάλυψη της οπής στα άτομα
• Έτσι η αγωγιμότητα οφείλεται στα ηλεκτρόνια που κινούνται
μέσα στη ζώνη σθένους
• Αν ΝΑ η συγκέντρωση των ατόμων του αποδέκτη στον
κρύσταλλο τότε η συγκέντρωση των οπών θα είναι
p p = N A + pi ≅ N A
Φορείς ρεύματος σε ημιαγωγούς p και n
S S S S S S
i free i
electron
i i hole i i
S P S S B S
i i i i
S S S S S S
i i i i i i
Συγκέντρωση φορέων μειονότητας
• Σε ένδογενή ημιαγωγό ο αριθμός των ελεύθερων ηλεκτρονίων

είναι ίσος με τον αριθμό των οπών
• Ο ρυθμός επανασύνδεσης είναι ίσος με το ρυθμό γέννησης,
λόγω θερμοκρασίας, ηλεκτρονίων – οπών
• Ο ρυθμός αυτός είναι ανάλογος του γινομένου των
συγκεντρώσεων των φορέων
ni pi = ni2
• Η προσθήκη στον καθαρό κρύσταλλο ξένης πρόσμιξης τύπου n
αυξάνει τη συγκέντρωση των ελεύθερων ηλεκτρονίων οπότε η
πιθανότητα επανασύνδεσης με τις οπές αυξάνεται
• Ως αποτέλεσμα ελαττώνεται η συγκέντρωση των οπών
• Ανάλογο φαινόμενο γίνεται με τα ηλεκτρόνια όταν στον
κρύσταλλο προστεθεί πρόσμιξη τύπου p
Συγκέντρωση φορέων μειονότητας
• Με τη προσθήκη της πρόσμιξης τύπου n συγκέντρωσης ND

μετά την αποκατάσταση της ισορροπίας, ο ρυθμός
επανασύνδεσης θα είναι πάλι ανάλογος του γινομένου nnpn
• Ο ρυθμός αυτός θα είναι ίσος με το ρυθμό γέννησης
ηλεκτρονίων-οπών, λόγω της θερμοκρασίας, που είναι
ανάλογος με το γινόμενο nipi καθώς η προσθήκη του δότη
δεν προκαλεί νέα ζευγάρια
nn=
pn n=p
i i pi
2
• Επειδή nn≈ND
pi2 pi2  pi 
pn = ≅ =  pi Επειδή pi/ND<<1 έπεται pn<<pi
nn N D  N D 
Η συγκέντρωση των οπών ελαττώνεται σημαντικά μετά την
προσθήκη του δότη. Τυπική τιμή 2000 φορές
Αγωγιμότητα στους ημιαγωγούς
• Τα ελεύθερα ηλεκτρόνια και οπές κινούνται μέσα στον

ημιαγωγό κατά τυχαίο τρόπο προς όλες τις διευθύνσεις και
συγκρούονται με τα άτομα του κρυστάλλου
• Η τυχαία κίνηση των φορέων δεν συντελεί στο σχηματισμό
συνιστάμενου ηλεκτρικού ρεύματος μέσα στον ημιαγωγό
• Όταν εφαρμοστεί ηλεκτρικό πεδίο οι φορείς εκτός από την
τυχαία κίνηση που την διατηρούν μετατοπίζονται προς τη
διεύθυνση του ηλεκτρικού πεδίου και σχηματίζουν τότε το
ρεύμα ολίσθησης
• Υπάρχει και ο μηχανισμός γέννησης ρεύματος λόγω
διαφοράς συγκέντρωσης των φορέων , ρεύμα διάχυσης
Ρεύμα ολίσθησης
• Η μέση ταχύτητα που αποκτά το ηλεκτρόνιο είναι ανάλογη

του εφαρμοζόμενου ηλεκτρικού πεδίου
u = µn E όπου μn η ευκινησία του ηλεκτρονίου
Ο αριθμός των ηλεκτρονίων που θα περάσουν την τομη S σε

χρόνο t θα είναι:
N = S ⋅l ⋅ n όπου l= u ⋅ t
Αν q είναι το φορτίο του ηλεκτρονίου τότε το ρεύμα θα είναι
Q Nq Slqn
I=
n = = = Sunq
t t t
Ρεύμα ολίσθησης
• Η πυκνότητα του ρεύματος των ηλεκτρονίων είναι

In
J=
n = µ n nqE
= unq
S
• Η πυκνότητα του ρεύματος των οπών είναι
J p = µ p pqE
• Η συνολική πυκνότητα ρεύματος θα είναι
J = J n + J p = ( µ n n + µ p p ) qE = σ E
σ
όπου= (µ n + µ p) q
n p η ειδική αγωγιμότητα του ημιαγωγού
Ρεύμα διάχυσης
• Οφειλεται στο ότι οι φορείς κινούνται τυχαία

• Έτσι καταλαμβάνουν όλο τον όγκο του κρυστάλλου όπως ακριβώς
τα μόρια ενός αερίου καταλαμβάνουν όλο τον όγκο ενός δοχείου
• Έστω ότι διαταράσσουμε την ισοκατανομή της συγκέντρωσης στον
κρύσταλλο πχ. με πρόσπτωση φωτός x
−
p ( x) = p (0)e Lh
Lh : μήκος διάχυσης
Μέσο μήκος διαδρομής
πριν την επανασύνδεση
• Το φως δημιουργεί ζευγάρια οπών-ηλεκτρονίων που κινούνται
τυχαία στον κρύσταλλο και με τη πάροδο του χρόνου
επανασυνδέονται
Η σταθερή θερμική συγκέντρωση των οπών δεν λήφθηκε υπόψη
Απλά ηλεκτρονικά στοιχεία από ημιαγωγούς
Θερμίστορ
• Η συγκέντρωση ελεύθερων ηλεκτρονίων και οπών σε ένα
ημιαγωγό εξαρτάται έντονα από τη θερμοκρασία
• Με την αύξηση της θερμοκρασίας αυξάνει η συγκέντρωση των
φορέων και μειώνεται η αντίσταση του ημιαγωγού
• Η μείωση της αντίστασης είναι εκθετική
Χρησιμοποιούνται υλικά όπως:

NiO, Mn2O3, Co2O3
• Τα θερμίστορ χρησιμοποιούνται για τη μέτρηση και έλεγχο της

θερμοκρασίας
Φωτοαντιστάσεις
• Με την πρόσπτωση φωτός σε ημιαγωγό τα φωτόνια μπορούν

να σπάσουν τους ομοιοπολικούς δεσμούς των ατόμων και να
ελευθερώσουν ηλεκτρόνια και οπές
• Αυτά τα ζευγάρια των ηλεκτρονίων-οπών συμβάλλουν στην
ελάττωση της αντίστασης του ημιαγωγού
• Οι φωτοαντιστάσεις κατασκευάζονται κυρίως από κεραμικό
υλικό πάνω στο οποίο αποτίθεται μια λωρίδα από CbS ή CbSe
Χρησιμοποιούνται για μέτρηση,

ανίχνευση και έλεγχο φωτός και
ως φωτοδιακόπτες σε συστήματα
συναγερμού
ΔΙΟΔΟΙ
Δίοδοι
• Δίοδος κενού – J. A. Fleming (1904)

• Τρίοδος ηλεκτρονική λυχνία – Lee De Forest (1906)
• Κρυσταλλοδίοδος (Ημιαγωγική Δίοδος, 1930)
– Μικρότερη σε όγκο (!)
– Δεν χρειάζεται ειδική θέρμανση
– Λειτουργεί σε μικρές τάσεις
– Πλησιάζει την ιδανική λειτουργία
– Χαμηλό κόστος
– Η απλούστερη ημιαγωγική διάταξη (device, στοιχείο)
Ημιαγωγοί p και n
Επαφή p-n
Επαφή p-n (διάχυση φορέων)
• Δημιουργία μόνιμου στρώματος θετικών φορτίων στην

περιοχή n και αρνητικών φορτίων στην περιοχή p
• Δημιουργία ηλεκτρικού πεδίου
Επαφή p-n (ηλεκτρική ισορροπία)
Περιοχή φορτίων χώρου
• φορτίο αρνητικών ιόντων =

φορτίο θετικών ιόντων
• Τα βάθη των περιοχών
είναι αντιστρόφως
ανάλογα των
συγκεντρώσεων
• │qVho│ = ενέργεια
υπερπήδησης φραγμού για
τους φορείς πλειονότητας
Δυναμικό και εύρος της περιοχής φορτίων
χώρου
• ρεύματα φορέων
μειονότητας αθροίζονται και
συνιστούν το ρεύμα κόρου Is
• Δημιουργία ίσου και
αντίθετου ρεύματος
διάχυσης Id από φορείς
πλειονότητας (διατήρηση
της ηλεκτρικής ισορροπίας)
Περιοχή φορτίων χώρου
• Το ηλεκτρικό φορτίο που αναπτύσσεται είναι ευνοϊκό για την

μετακίνηση των φορέων μειονότητας μεταξύ των περιοχών
– Ρεύμα ηλεκτρονίων από την περιοχή p στην n
– Ρεύμα οπών από την περιοχή n στην p
• Τα δυο ρεύματα αθροίζονται και συνιστούν το ρεύμα κόρου Is

• Δημιουργία ίσου και αντίθετου ρεύματος διάχυσης Id από
φορείς πλειονότητας προς διατήρηση της ηλεκτρικής
ισορροπίας
Ανάστροφη και ορθή πόλωση της επαφής p-n
άνοδος κάθοδος
Σύμβολο διόδου
Η επαφή p-n παρουσιάζει μεγάλη αγωγιμοτητα κατά την

ορθή πόλωση και μικρή κατά την ανάστροφη πόλωση
Εξίσωση και χαρακτηριστική καμπύλη I-V
Χαρακτηριστική καμπύλη της διόδου
=iD I s ( euD /ηVT − 1)
=iD I s euD /ηVT για uD >> ηVT
Τάση κατωφλίου Vγ : Ge (0,2V), Si(0,6V)
Ιδανικές δίοδοι
Επίδραση της θερμοκρασίας στη
χαρακτηριστική της διόδου
• Για σταθερό ρεύμα διόδου η τάση
στα άκρα πέφτει με την αύξηση της
θερμοκρασίας με ρυθμό:
duD
=
K ≅ −2,5mV / oC
dT
Ιδανική διόδος πυριτίου

us = 10ηµωt 1. Να βρεθεί η τάση εξόδου
2. Να βρεθεί το ρεύμα διόδου
R2 1
=
V0 m = Vm = 10 2V
R1 + R2 1+ 4
us − VD
i1 =
R1
us − VD VD
iD = i1 − i2 = −
R1 R2
=iD 2,5ηµωt − 0,88mA

x y z Λογική πύλη AND

0 0 0
0 1 0
z= x ⋅ y
1 0 0
1 1 1
Δυναμική αντίσταση
Η δυναμική αντίσταση γίνεται
iD I s euD /ηVT για uD >> ηVT
duD ηVT
diD 1 uD /ηVT iD =r =
I= e diD iD
ηVT ηVT
s
duD
26  mV 
r=η  = Ω
I D  mA 
Ε=4V, C1=C2=10μF, R1=R2=R3=1KΩ
VD=0,7V, us=1V(p-p), f=10KHz
Να υπολογιστούν:
– Το ρεύμα DC που περνά από τη δίοδο
– Η δυναμική αντίσταση της διόδου (η=1)
– Η AC τάση εξόδου uo
– Πόση μπορεί να είναι η μέγιστη τιμή της us ώστε να μην έχουμε
παραμόρφωση
– Ποια η συνολική τάση στα άκρα της διόδου
Λύση
• Μέτρο αντίστασης πυκνωτών

1 1 10
X C= = = Ω= 1, 6Ω
ωC 2π ⋅104 ⋅10 ⋅10−6 2π
είναι μικρή σε σχέση με τις σε σειρά R1, R2 και παραλείπεται
• DC ρεύμα στη δίοδο
E − VD 4 − 0, 7 V
=ID = = 3,3mA
R2 1 KΩ
• Δυναμική αντίσταση AC Ισοδύναμο κύκλωμα
26 26
=
r = = 7,9Ω
I D 3,3
R2//R3 =500 Ω >> r=7,9 Ω

Λύση
• Με βάση το ισοδύναμο για την uo έχουμε:

r 7,9
=
uo =us 1V ( p −=
p ) 8mV ( p − p )
r + R1 7,9 + 1000
• Το σημείο λειτουργίας βρίσκεται για VD=0,7V, αλλιώς με την

ευθεία φόρτου που καθορίζεται από την Ε και την R2
Είναι σχεδόν γραμμική στην περιοχή

0, 65V < Vγ < 0, 75V
r + R1 7,9 + 1000
u=
s max u=
o max 0,1V ( p −=
p ) 12, 7V ( p − p )
r 7,9
Ισοδύναμο κύκλωμα
Θετική
πόλωση
• Οι δίοδοι στο ισοδύναμο κύκλωμα θεωρούνται ιδανικές

Χωρητικότητα περιοχής φορτίων χώρου
• Η δυνατότητα της επαφής για συσσώρευση ηλεκτρικών

φορτίων στις δυο πλευρές της παρέχει την έννοια της
χωρητικότητας της επαφής
• Η χωρητικότητα μειώνεται με την αύξηση της ανάστροφης
πόλωσης της διόδου
• Δυναμική χωρητικότητα επαφής
∆Q
CJ =
∆uD
Οδηγεί σε ανάστροφη αγωγή
για υψηλές συχνότητες
varactor Σταθερή χωρητικότητα Χωρητικότητα επαφής

Χωρητικότητα διάχυσης
• Εκδηλώνεται κατά την ορθή πόλωση της επαφής και οφείλεται

στην ύπαρξη των φορέων μειονότητας
• Μεταβολή της τάσης στα άκρα της διόδου προκαλεί αλλαγή
των συγκεντρώσεων των φορέων μειονότητας (νόμος επαφής)
• Μεταβάλλεται το ηλεκτρικό φορτίο που συνιστούν οι φορείς
και προκαλείται μεταβολή ρεύματος
∆Qd ∆Qd ∆uD ∆uD
∆i= = = Cd
∆t ∆uD ∆t ∆t
D
• Δυναμική χωρητικότητα διάχυσης

∆Qd
Cd =
∆uD
Επισκιάζει την CJ κατά την ορθή πόλωση
Φαινόμενο μεταγωγής
Δημιουργείται προσωρινά
ανάστροφο ρεύμα λόγω της
συγκέντρωσης ηλεκτρονίων στη
περιοχή p και οπών στη περιοχή n
(φόρτιση χωρητικότητας διάχυσης)
Δίοδος zener
• Δυναμικό zener: το σχεδόν σταθερό δυναμικό της περιοχής

κατάρευσης στην χαρακτηριστική για
ανάστροφη πόλωση
• Οι δίοδοι zener λειτουργούν
στην περιοχή κατάρευσης
• Βασική ιδιότητα η διατήρηση
σταθερής τάσης στα άκρα τους για μεγάλες
μεταβολές ρεύματος
• Οφείλεται σε δυο φαινόμενα
– Φαινόμενο zener
– Φαινόμενο καταιγισμού των φορέων
Δίοδος zener
• Το φαινόμενο zener
– Εμφανίζεται όταν υπάρχει ισχυρό ανάστροφο ηλεκτρικό πεδίο
– Σπάνε ομοιοπολικοί δεσμοί και δημιουργούνται ελεύθερα
ηλεκτρόνια και οπές
– Ευνοεί η μεγάλη συγκέντρωση προσμίξεων (μικρό εύρος
περιοχής φορτίων χώρου)
• Φαινόμενο του καταιγισμού των φορέων
– Οφείλεται στη γένεση ηλεκτρονίων-οπών από συγκρούσεις
επιταγχυνόμενων φορέων με τα άτομα του κρυστάλλου
– Αρχικά οι φορείς δημιουργούνται λόγω της θερμοκρασίας και
επιταγχύνονται από ισχυρό ηλεκτρικό πεδίο
Δίοδος zener
∆Vz
• Συντελεστής θερμοκρασίας
∆T
Το φαινόμενο zener
επικρατεί για τάσεις
μικρότερες των 6V
Για μεγαλύτερες
επικρατεί το φαινόμενο
του καταιγισμού
Φαινόμενο καταιγισμού Φαινόμενο zener

Θετικός συντελεστής Αρνητικός συντελεστής
Σταθεροποίηση τάσης με zener
• Για κάποια όρια μεταβολής των Ε και RL παρέχεται σταθερή

τάση Vz στην έξοδο
Ευθεία φόρτου
RL
β=
R + RL
uZ
E = Ri + uZ = R(iZ + iL ) + uZ = RiZ + R + uZ
RL
 R 
E =RiZ +  + 1 uZ Καθώς χρησιμοποιούμε αντίθετες φορές
 RL  για τη zener αλλάζουμε τα πρόσημα
Προκύπτει η ευθεία φόρτου
1 E RRL
iZ =
− uZ − R′ =
R′ R R + RL
Ευθεία φόρτου
RL
β=
R + RL
uZ
E = Ri + uZ = R(iZ + iL ) + uZ = RiZ + R + uZ
RL
 R 
E =RiZ +  + 1 uZ Καθώς χρησιμοποιούμε αντίθετες φορές
 RL  για τη zener αλλάζουμε τα πρόσημα
Προκύπτει η ευθεία φόρτου
1 E RRL
iZ =
− uZ − R′ =
R′ R R + RL
Μεταβολή της τάσης Ε
• Οι ακραίες τιμές της τάσης Ε καθορίζονται από τις τιμές του

ρεύματος της zener, IZmax και IZmin.
 R 
E1= RI Z min + + 1 VZ
 RL 
 R 
E2= RI Z max +  + 1 VZ
 RL 
• Η ευθεία φόρτου παραμένει παράλληλη με την αρχική της

θέση
• Να γίνουν τα διαγράμματα για iL, i και iΖ ως συνάρτηση της Ε
Πριν αρχίσει να άγει η zener Για μεγαλύτερες τιμές Ε

E VZ
iL = iL =
R + RL RL
Όταν αρχίζει να άγει η zener ισχύει Συνοψίζοντας
E VZ
uL = VZ =iL , 0≤E≤
RL β=
RL R + RL β
E = VZ RL + R VZ V
RL + R =iL , E> Z
RL β
Για το ρεύμα της zener

VZ
=iZ 0, 0≤E≤
β
E − VZ VZ
iZ =i − iL = −
R RL
1 VZ  VZ
=  E −  E>
R β  β
Για το συνολικό ρεύμα i
E VZ
i = iL = , 0≤E≤
R + RL β
E − VZ V
i , E> Z
R β
Μεταβολή της αντίστασης φορτίου RL
• Για σταθερή τάση Ε τα όρια μεταβολής της RL καθορίζονται

ως εξής:
 R 
E = RI Z +  + 1 VZ
 RL 
RVZ
RL1 =
E − VZ − I Z min R
RVZ RRL
RL 2 = R′ =
E − VZ − I Z max R R + RL
• Να γίνουν τα διαγράμματα για iL, i και iz ως συνάρτηση της RL
Για μικρές τιμές RL η zener δεν άγει Έχουμε

Η zener άγει για RL= RLα όπου =
E
iL , 0 ≤ RL ≤ RLα
RLα R + RL
E = VZ VZ
RLα + R =iL , RL > RLα
VZ RL
RLα = R
Ε − VZ
Για το ρεύμα της zener

=iZ 0, 0 ≤ RL ≤ RLα
E − VZ VZ
iZ =i − iL = − RL > RLα
R RL
Για το συνολικό ρεύμα i

E
i =iL = , 0 ≤ RL ≤ RLα
R + RL
E − VZ
i = σταθ ., RL > RLα
R
Συντελεστής σταθεροποίησης
• Η κλίση της χαρακτηριστικής στην περιοχή κατάρευσης

(δυναμική αντίσταση) προκαλεί μεταβολή της τάσης στα
άκρα της διόδου με τη μεταβολή του ρεύματος
• Συντελεστής σταθεροποίησης
∆u Μεταβολή της τάσης στο φορτίο προς
S= L τη μεταβολή της τάσης της πηγής
∆E
r / / RL
Ο συντελεστής =∆uL ∆E
R + r / / RL
σταθεροποίησης είναι ∆uL 1
μικρός για μεγάλες =S =
∆E 1 + R + R
τιμές R και για μικρές
RL r
τιμές r και RL
Η τιμή της πηγής Ε μεταβάλλεται μεταξύ 10 - 15V

RL=1KΩ, VZ=8V, IΖmin=1mA, r=10Ω
Ζητείται να βρεθούν
– Η μέγιστη τιμή της R
– Η μέγιστη τιμή ισχύς στη zener
– Ο συντελεστής σταθεροποίησης
– Η μεταβολή της τάσης στο φορτίο
• Λύση
Το ρεύμα στη zener παίρνει την ελάχιστη τιμή όταν η Ε γίνει
ελάχιστη και η R μέγιστη
Emin − VZ VZ Emin − VZ 10 − 8 V
=
I Z min − =
Rmax = = 0, 222 K Ω
V 8
Rmax RL I Z min + Z 1 + mA
RL 1
• Το IZmax προκύπτει για Εmax

Emax − VZ VZ 15 − 8 8
=
I Z max −= −= 23,53mA
R RL 0, 222 1
PZ max =
VZ I Z max =
8 ⋅ 23,53VmA =
188, 24mW
• Συντελεστής σταθεροποίησης
1 1 1
S = = = 0, 043 ή S=4,3%
R R 222 222 1 + 0, 222 + 22, 2
1+ + 1+ +
RL r 1000 10
• Μεταβολή τάσης στο φορτίο

∆uL = S ∆E = S ( Emax − Emin ) = 0, 043(15 − 10)V = 0, 22V
Δίοδος σήραγγας
• Για υψηλή συγκέντρωση φορέων (1020 άτομα/cm3) το εύρος

της περιοχής φορτίων χώρου γίνεται πολύ μικρό (≈10nm)
• Κατά την ορθή πόλωση ηλεκτρόνια διαπερνούν το φράγμα
της επαφής χωρίς να έχουν την απαραίτητη ενέργεια
Δημιουργείται ιδιαίτερη χαρακτηριστική

με περιοχή αρνητικής κλήσης
Χρήση για παραγωγή ταλαντώσεων

σε υψηλές συχνότητες
Οπτοδίοδοι
• Δίοδοι που η αγωγιμότητά τους μεταβάλλεται με το φως,

επαφές p-n που εμφανίζουν τάση με το φως και δίοδοι που
επέμπουν φως
• φωτοδίοδος
– Το ανάστροφο ρεύμα αυξάνεται με το φως
Φωτοβολταϊκά στοιχεία
• Στοιχεία που μετατρέπουν φωτεινή ενέργεια σε ηλεκτρική
• Δημιουργείται ρεύμα λόγω γένεσης φορέων μειονότητας με

την πρόσπτωση φωτός
 Iφ 
I = Is (e
V /ηVT
− 1) − Iϕ , για I = 0 ⇒ Vo = ηVT  + 1
 Is 
Δίοδος φωτοεκπομπής
• Κατά την επανασύνδεση ηλεκτρονίων – οπών

απελευθερώνεται ενέργεια υπό τη μορφή φωτεινής
ακτινοβολίας ή θερμότητας
• Με χρήση ορισμένου υλικού, πχ. GaAs, σε ορθή πόλωση
γίνεται απευθείας μετάπτωση ηλεκτρονίων από τη ζώνη
αγωγιμότητας στη ζώνη σθένους παράγοντας ορατή
ακτινοβολία
Μεγάλη χρήση σε οθόνες

Ανορθωτικά κυκλώματα
• Βασικές εφαρμογές διόδων

• AC-DC μετατροπείς
– Ευρύτατη χρήση καθώς τα περισσότερα ηλεκτρονικά
όργανα χρησιμοποιούν DC τάση τροφοδοσίας για τη
λειτουργία τους
• Απλή ανόρθωση τάσης
• Διπλή ανόρθωση τάσης
Απλή ανόρθωση τάσης
Τάση στο φορτίο
{
uL = Vm sin ωt 0 ≤ ωt < π
0 π ≤ ωt < 2π
Vm Vm 2V 2V
uL = + sin ωt − m cos 2ωt − m cos 4ωt +L
π 2π 3π 15π
Μέση τιμή ή DC τάση

1 π Vm
Vdc =Vav =
2π ∫
0
Vm sin ωt ⋅ d ωt = =0,318Vm
π
Διπλή ανόρθωση
Κάθε δίοδος όταν δεν άγει πολώνεται

ανάστροφα με τάση uΑΓ πλάτους 2Vm
Κάθε δίοδος όταν δεν άγει πολώνεται

Κύκλωμα με γέφυρα ανάστροφα με τάση uΑΒ πλάτους Vm
Πλεονεκτήματα διπλής έναντι απλής
ανόρθωσης
• Παρέχει διπλάσια DC τάση
• Έχει χαμηλότερο συντελεστή κυμάτωσης
• Δίνει διπλάσιο συντελεστή απόδοσης ισχύος ηp
• Έχει διπλάσια συχνότητα κυμάτωσης
• Μειονεκτήματα
– Χρήση περισσότερων διόδων
– Χρήση μετασχηματιστή με διπλό τύλιγμα δευτερεύοντος
– Διπλάσια μέγιστη ανάστροφη τάση
Εξομάλυνση με πυκνωτή
• Τοποθέτηση πυκνωτή κατάλληλης τιμής στα άκρα της

αντίστασης φορτίου
• Ο πυκνωτής με την αντίσταση φορτίου αποτελούν ένα φίλτρο
uC = Vm sin ωt2 e − t / RL C
Παλμορεύματα διόδων
ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ
(Bipolar Junction Transistor)
BJT
Το τρανζίστορ επαφής (BJT)
• Στοιχείο 3 ακροδεκτών:
(Εκπομπός/Emmiter , Συλλέκτης/Collector, Βάση/Base)
• Ελέγχεται το ρεύμα μεταξύ δύο ακροδεκτών

Συλλέκτη – Εκπομπού (C-E) από το ρεύμα Βάσης -
Εκπομπού (Β-Ε)
ΣΥΝΕΠΩΣ Ο ΕΝΑΣ ΑΚΡΟΔΕΚΤΗΣ ΕΙΝΑΙ ΚΟΙΝΟΣ – και στον
βρόχο εισόδου και στον βρόχο εξόδου
Το τρανζίστορ επαφής (BJT)
John Walter
Bardeen Brattain
William
Shockley
Τρανζίστορ Δεκέμβριος 1947

Γερμανίου Bell Laboratories, U.S.A.
Βραβείο Nobel Φυσικής, 1956

Τύποι και Περιοχές του Transistor BJT
Ισοδύναμο αλλά όχι

κανονικής λειτουργίας
• ΔΥΟ Τύποι BJT: p-n-p n-p-n

• Εκπομπός (Emitter, E) – μεγάλη δόση πρόσμιξης
• Βάση (Base, B) – πολύ μικρή δόση πρόσμιξης, μικρό πλάτος
• Συλλέκτης (Collector, C) – μικρότερη δόση πρόσμιξης
Δύο Τύποι Transistors: NPN & PNP
Λειτουργία Transistor NPN
Ρεύμα Συλλέκτη - Εκπομπού

Ρεύμα Βάσης - Εκπομπού

Ρεύματα στα Transistors NPN
Δομή και κατασκευή του BJT στα ΟΚ
Επίταξη
Οξείδωση
Διάχυση
Επιμετάλλωση
Λειτουργία του τρανζίστορ
Φορείς πλειονότητας περνούν από τον εκπομπό στη βάση όπου

αποτελούν φορείς μειονότητας
Οι φορείς μειονότητας στη βάση ευνοούνται από το δυναμικό και
περνούν στο συλλέκτη
Λειτουργία του τρανζίστορ
• Το ηλεκτρικό πεδίο της επαφής JC

ωθεί τις οπές προς το συλλέκτη
• Ένα ποσοστό οπών στη βάση
επανασυνδέεται με ηλεκτρόνια
που παρέχονται από την πηγή
Εξωτερικό ρεύμα βάσης
• Ρεύμα εκπομπού (μικρό)και λόγω
φορέων ηλεκτρονίων της βάσης
ICBO - Ανάστροφο ρεύμα κόρου
𝐼𝐼𝐶𝐶 = −𝛼𝛼𝐼𝐼𝐸𝐸 + 𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶
1 1
𝐼𝐼𝐸𝐸 = − 𝐼𝐼𝐵𝐵 − 𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶
I B + (1 − α ) I E + I CBO =0 1 − 𝛼𝛼 1 − 𝛼𝛼
Οι συντελεστές α και β
• Η τιμή του ICBO θεωρείται αμελητέα Συνήθως α > 0.95

Εξαρτάται από IC, VCB
I C − I CBO 𝑰𝑰𝑪𝑪
α= − 𝜶𝜶 ≅ −
IE 𝑰𝑰𝑬𝑬
• Χρησιμοποιείται και ως συντελεστής απολαβής συνεχούς
ρεύματος κοινής βάσης hFB=-α
𝜶𝜶
𝜷𝜷 = IE =−( β + 1) I B − ( β + 1) I CBO
𝟏𝟏 − 𝜶𝜶 𝑰𝑰𝑪𝑪 𝑰𝑰𝑬𝑬
I C = β I B + ( β + 1) I CBO 𝜷𝜷 ≅
𝑰𝑰
≅−
𝑰𝑰
𝑩𝑩 𝑩𝑩
• Χρησιμοποιείται και ως συντελεστής απολαβής συνεχούς
ρεύματος κοινού εκπομπού hFE=β
Συνήθως μεταξύ 20 – 400, τυπική τιμή β=100

Λειτουργία του BJT για μικρά σήματα
• Ο συντελεστής β θεωρείται σχεδόν σταθερός σε μια μικρή

περιοχή
𝑰𝑰𝑪𝑪 𝜟𝜟𝑰𝑰𝑪𝑪
𝜷𝜷𝒅𝒅𝒅𝒅 = 𝜷𝜷𝒂𝒂𝒂𝒂 = 𝜷𝜷𝒅𝒅𝒅𝒅 = 𝜷𝜷𝒂𝒂𝒂𝒂 = 𝜷𝜷
𝑰𝑰𝑩𝑩 𝜟𝜟𝑰𝑰𝑩𝑩
ic = β ib
Σχέσεις ρευμάτων
ie =−( β + 1)ib  VVEB 
= I E I ES  e − 1
T
 
 
IES το ρεύμα κόρου της επαφής
VEB VBE VBE
Για VEB>>V=
T ισχύουν: I E I=
ES e I B I=
VT
BS e
VT
I C I CS e VT
Απλοποιημένο Μοντέλο του BJT
Συμβολισμοί και συνδεσμολογίες NPN
Κοινής βάσης Κοινού εκπομπού Κοινού συλλέκτη
Θετικές οι συμβατικές φορές ρεύματος προς το τρανζίστορ

VCE, IC - DC ή μέσες τιμές
ube, ie - στιγμιαίες τιμές μεταβλητών με το χρόνο
uBE, iE - στιγμιαίες ολικές τιμές (iE = IE +ie)
Συνδεσμολογίες NPN
Κοινής βάσης Κοινού εκπομπού Κοινού συλλέκτη
Θετικές οι συμβατικές φορές ρεύματος προς το τρανζίστορ

VCE, IC - DC ή μέσες τιμές
ube, ie - στιγμιαίες τιμές μεταβλητών με το χρόνο
uBE, iE - στιγμιαίες ολικές τιμές (iE = IE +ie)
Συνδεσμολογία κοινού εκπομπού
• Αποτελεί τη σύνηθη συνδεσμολογία – μεγάλη αντίσταση

εισόδου
Περιοχές λειτουργίας
- Γραμμική
- Κόρου
- Αποκοπής
Για τρανζίστορ Si το δυναμικό

κόρου uCE(sat) είναι 0.2V
I C = ( β + 1) I CBO = I CEO για I B = 0
Χαρακτηριστική Εισόδου και Συντελεστή β
Συνδεσμολογίας Κοινού Έκπομπού NPN
Χαρακτηριστικές Εξόδου Συνδεσμολογίας
Κοινού Έκπομπού NPN
Διαμόρφωση εύρους βάσης – Μεταβολή του α
• Φαινόμενο Early
– Το ενεργό εύρος της βάσης μικραίνει με την αύξηση της
ανάστροφης πόλωσης, uCB, καθώς αυξάνει η περιοχή
φορτίων χώρου
– Ελάττωση του εύρους της βάσης σημαίνει μείωση του
ρυθμού επανασύνδεσης και άρα του ρεύματος βάσης
– Μεγαλύτερο ποσοστό του ρεύματος εκπομπού περνά στο
συλλέκτη και άρα αυξάνονται ο συντελεστής α και πιο
δραστικά ο β
Δυναμική αντίσταση εκπομπού και βάσης
• Δυναμική αντίσταση εκπομπού-βάσης
∆VEB ueb
reb= re= =
∆I E ie
𝑑𝑑𝐼𝐼𝐸𝐸 𝐼𝐼𝐸𝐸𝐸𝐸 𝑉𝑉𝑉𝑉𝐸𝐸𝐸𝐸 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑑𝑑𝑉𝑉𝐸𝐸𝐸𝐸 𝑉𝑉𝑇𝑇
= 𝑒𝑒 𝑇𝑇 = ⇒ 𝑟𝑟𝑒𝑒 = ≅
𝑑𝑑𝑉𝑉𝐸𝐸𝐸𝐸 𝑉𝑉𝑇𝑇 𝑉𝑉𝑇𝑇 𝑑𝑑𝐼𝐼𝐸𝐸 𝐼𝐼𝐶𝐶
ube = −ueb = −re ie = ( β + 1)ib re
Δυναμική αντίσταση
βάσης-εκπομπού
ueb
rπ = =( β + 1)re ≅ β re
ib
rbe= rb + rπ
Διαγωγιμότητα gm του transistor
∆I C ic
=
gm =
∆VBE ube
VBE
dI C 1 IC
=
gm = I CS e VT
g=
m ≅ 40 I C (mA / V )
dVBE VT VT
1
gm ≅ (Ανάστροφο της Αντίστασης)
re
Μοντέλα του BJT για μικρά σήματα
• Η χρήση μικρών εναλλασσόμενων σημάτων επιτρέπει τη

γραμμική λειτουργία του τρανζίστορ σε μικρές περιοχές γύρω
από τα σημεία πόλωσης
• Οι διάφοροι παράμετροι θεωρούνται σταθερές
• Τα μοντέλα μικρών σημάτων πραγματοποιούνται με λίγα
στοιχεία και βοηθούν στην ανάλυση και στο σχεδιασμό των
ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
• Σύνθετα μοντέλα για πιστότερη προσομοίωση
• Ισοδύναμα κυκλώματα
– Υβριδικό-h μοντέλο
– Υβριδικό-π μοντέλο
Το υβριδικό-h μοντέλο
=
ube hie ib + hre uce
=
ic h fe ib + hoe uce
• Οι τάσεις και τα ρεύματα συνδέονται με τις παραμέτρους he

• Οι τιμές των παραμέτρων μπορούν να καθοριστούν από τις
χαρακτηριστικές εισόδου-εξόδου
• Οι τιμές τους εξαρτώνται από την περιοχή επί των
χαρακτηριστικών όπου θα γίνει η μέτρηση
Το υβριδικό π μοντέλο για χαμηλές συχνότητες
• Προσομοιώνει αρκετά καλά τη φυσική λειτουργία του

τρανζίστορ
Απλοποιημένο
μοντέλο
1
=rπ β=
re , re = , β h fe ro =
1
gm hoe
=
g m uπ g=
m rπ ib h fe ib
• Η rμ είναι μεγάλης τιμής (ΜΩ) και συνήθως παραλείπεται
Απλοποιημένο Ισοδύναμο
Αναπαράσταση Ενισχυτικής Διάταξης
Απλό Κύκλωμα Λειτουργίας Transistor NPN
Κοινού Εκπομπού
Εξισώσεις ΒρόχωνΛειτουργίας:
1) Εισόδου Υπολογίζονται κατά σειρά :
2) Εξόδου
1) ΙΒ
2) ΙC
3) VC
Υπολογισμοί σε Απλό Κύκλωμα Λειτουργίας
Transistor NPN Κοινού Εκπομπού
Κυκλώματα Ενισχυτών με
Διπολικά Transistors Επαφής
(BJT)
Το βασικο μοντέλο ενισχυτή τάσης
uo RL
A=
u = A=
ua K o Aua
ui RL + Ro
Ολική Απολαβή Τάσης:

uo ui uo Ri
• Αντίσταση εισόδου ενισχυτή Ri A=
us = = A=
u Ki K o Aua
• Αντίσταση εξόδου ενισχυτή Ro
us us ui Ri + Rs
• Απολαβή τάσης ενισχυτή Aua
• Απολαβή ρεύματος ενισχυτή Ai
Επιθυμητές Επιδόσεις: μεγάλη ενίσχυση τάσης ή/και ρεύματος,

μεγάλη αντίσταση εισόδου & μικρή αντίσταση εξόδου
Το βασικο μοντέλο ενισχυτή τάσης
• Η απολαβή τάσης μεταβάλλεται με τη συχνότητα: 1)στις
υψηλές συχνότητες λόγω παρασιτικών χωρητικοτήτων του
BJT, 2) στις χαμηλές συχνότητες λόγω των πυκνωτών στην
είσοδο και την έξοδο του κυκλώματος
Η βασική ανάλυση
λειτουργίας δίνει την
τιμή του τμήματος
σταθερής απολαβής
Ενισχυτές σε διαδοχή
• Χαρακτηριστικά μεγέθη
uo1 uo 2 uo 3 ui = ii Ri
= Au1 = Au 2 = Au 3
ui1 ui 2 ui 3 uo = iL RL
uo iL RL
A=u = A A A
u1 u 2 u 3 A=i = Ai1 Ai 2 Ai 3 Au = Ai
ui ii Ri
• Η ολική απολαβή τάσης ή ρεύματος ισούνται με το γινόμενο των
αντίστοιχων απολαβών των βαθμίδων
Σημείωση: Όλες οι διαφάνειες με γαλάζιο φόντο, περιέχουν ανάλυση για προαιρετική εξάσκηση με στόχο την
καλύτερη κατανόηση των θεμάτων μόνο. Το περιεχόμενο τους ΔΕΝ περιλαμβάνεται στην διδακτέα/εξεταστέα ύλη.
Ενισχυτής κοινής βάσης
• Η πόλωση του τρανζίστορ γίνεται με την VEE και την Re

(σταθερότητα έναντι μεταβολών θερμοκρασίας)
• Ευθεία φόρτου:
1 VEE
Re I E + VEB − VEE =
0 IE =
− VEB +
Re Re
AC ισοδύναμο κύκλωμα του ενισχυτή κοινής βάσης
• Οι πηγές τάσης VEE και VCC θεωρούνται βραχυκυκλώματα

(μηδενικές εσωτερικές αντιστάσεις)
• Οι πυκνωτές θεωρούνται βραχυκυκλώματα για τις συχνότητες
εργασίας
Αντίσταση εισόδου
• Η αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ είναι η διοδική

αντίσταση του εκπομπού
26mV
R=i re=
IE
• Η συνολική αντίσταση εισόδου είναι:
=Ri′ Re / / re όπου Re >> re

Αντίσταση εξόδου
• Για iE=0 => iC=0. Η αντίσταση προς το συλλέκτη είναι σχεδόν

άπειρη
uo
′ = Rc′
R=
o
io
Rc′ = Rc / / RL
Απολαβή ρεύματος
−ic
Ai
= ≅1
ie
iL Rc Rc Mo ο λόγος του διαιρέτη

′
Ai = = Ai ≅ Mo
=
ie Rc + RL Rc + RL ρεύματος εξόδου
Re Rc Mi ο λόγος του διαιρέτη

=Ais = M i M o ρεύματος εισόδου
Re + re Rc + RL
Απολαβή τάσης
Rc′ic + uo =
0
uo = − Rc′ic
uo Rc′
u=i reie ≅ −reic
A=
u =
ui re
uo uo ui Ri′
A=
us = = A=
u Ki Au
us ui us Ri′ + Rs
Το βασικό μοντέλο ενίσχυσης
Rc
=Ri re=
/ / Re Ro′ Rc Aua =
re
Rc=1kΩ, RL=4kΩ, Re=2kΩ, Rs=50Ω, VEE=5V, us=100mV(p-p)

Να βρεθούν:
• η ολική απολαβή και
• το πλάτος του σήματος στον εκπομπό και στην έξοδο
VEE − VEB 5 − 0,7 V

=IE = = 2,15mA
Re 2 kΩ
26 26 mV Ri′ = Re / / re ≅ re = 12,1Ω
re =
= = 12,1Ω
I E 2,15 mA
Ri′ 12,1
=Ki = = 0,195
R′ + Rs 12,1 + 50
Rc′ Rc / /=
= RL 1/=
/4 0,8k Ω
Απολαβή
Rc′ 800
Aus = Ki Au ≅ Ki = 0,194 ⋅ = 12,9
re 12,1
Τάση στον εκπομπό και στην έξοδο
ueb= Ki us= 0,195 ⋅100mV ( p − p)= 19,5mV ( p − p)
uo =
Aus us =
12,9 ⋅100mV =
1, 29V ( p − p)
Απλός Ενισχυτής κοινού εκπομπού
• Ενισχυτής με γειωμένο εκπομπό
AC ισοδύναμο κύκλωμα εξόδου
• Στο κύκλωμα εξόδου

• DC ρεύμα διαρρέει μόνο την αντίσταση Rc και το τρανζίστορ
• AC ρεύμα διαρρέει τις αντιστάσεις Rc και RL και το τρανζίστορ
Rdc = Rc Rac = Rc / / RL
Ανάλυση Ενισχυτή με γειωμένο εκπομπό
DC ευθεία φόρτου
• Ευθείες φόρτου
1 V
V=
CE VCC − Rdc I C IC =
− VCE + CC
Rdc Rdc
uce = − Rac ic
uCE
= uce + VCE ic= iC − I C
uCE =
− Rac (iC − I C ) + VCC − Rdc I C
1 V − ( Rdc − Rac ) I C
⇒ iC =
−
1
Rac
uCE +
′
VCC
Rac
AC ευθεία φόρτου
iC =
− uCE + CC
Rac Rac
′ =VCC − ( Rdc − Rac ) I C
VCC
DC και AC ευθείες φόρτου
• Η λειτουργία του ενισχυτή για το εναλλασσόμενο σήμα
παρουσιάζεται στην AC ευθεία φόρτου !!!

VCC
1 V
IC =
− VCE + CC
Rdc Rdc
1 V′
iC =
− uCE + CC
Rac Rac
Λειτουργία του ενισχυτή
• Η AC τάση εισόδου προκαλεί ένα AC ρεύμα ib στη βάση του
τρανζίστορ και μια αντίστοιχη τάση ube
Πόλωση
Με την τιμή της Rb καθορίζεται

το ρεύμα πόλωσης
VCC − VBE
Rb =
IC / β
• Επιθυμούμε μέγιστη δυνατή διακύμανση για το ρεύμα iC

• Άρα το σημείο πόλωσης Q τοποθετείται στο μέσο της ευθείας
φόρτου
Για να βρεθεί η συνθήκη
το Q να είναι στο μέσο της AC Ε.Φ.
για uCE(0)=0 θέτουμε iC(0)=2IC
Πόλωση
• Από την AC ευθεία φόρτου προκύπτει
VCC − ( Rdc − Rac ) I C VCC

2IC = ⇒ IC
Rac Rdc + Rac
• Χρησιμοποιώντας την DC ευθεία φόρτου προκύπτει

RacVCC
VCE =
Rdc + Rac
• Διαιρώντας κατά μέλη προκύπτει
1 Έχοντας την IC βρίσκουμε
IC = VCΕ Ευθεία πόλωσης
Rac την επιθυμητή Rb
Καμπύλη μέγιστης ισχύος
• Όταν το τρανζίστορ διαρρέεται από ρεύμα καταναλίσκει ισχύ και

θερμαίνεται
• Υπάρχει μια μέγιστη επιτρεπτεί ισχύς Pmax που δεν επιτρέπεται
να ξεπεραστεί
I CVCE ≤ Pmax
Η ευθεία φόρτου πρέπει να βρίσκεται

πάντα κάτω από την καμπύλη μέγιστης ισχύος
Pmax = I CVCE
Το ρεύμα βάσης είναι μικρό και αγνοήθηκε
Ανάλυση AC λειτουργίας κυκλώματος κοινού εκπομπού (α)
AC ισοδύναμο
𝑅𝑅𝑖𝑖 = 𝑟𝑟𝑏𝑏𝑏𝑏 = 𝑟𝑟𝑏𝑏 + 𝑟𝑟𝜋𝜋 𝑟𝑟𝑒𝑒
𝑅𝑅𝑖𝑖 ≅ 𝛽𝛽𝑟𝑟𝑒𝑒
Ro′ = Rc Ολική αντίσταση εισόδου: Ri′ = Rb / / β re
Ανάλυση AC λειτουργίας κυκλώματος κοινού εκπομπού (β)
−ic
Ai = = −β
ib
iL Rc −ic
′
A=
i = ⋅
ib Rc + RL ib
R Rc
Ais = b ⋅ Ai =M i M o Ai
• Απολαβή τάσης Rb + Ri Rc + RL
− ( Rc / / RL ) ic =
uo = − Rc′ic Μέγιστο πλάτος σήματος
Rc′ R= uo max ( p − p ) =′
VCC
= c / / RL Rac
ui = β reib ′
VCC
us max ( p − p ) =
𝑅𝑅𝑐𝑐′ Aus
𝑢𝑢𝑜𝑜 𝑅𝑅𝑐𝑐′ 𝑖𝑖𝑐𝑐
𝐴𝐴𝑢𝑢 = =− 𝐴𝐴𝑢𝑢 = −
𝑢𝑢𝑖𝑖 𝛽𝛽𝑟𝑟𝑒𝑒 𝑖𝑖𝑏𝑏 𝑟𝑟𝑒𝑒
Aus = K i Au
Το βασικό μοντέλο ενίσχυσης
Ri′ = Rb / / β re Ro′ = Rc
Rc′
Au = −
re
Παράδειγμα (α)
VCC=10V, Rc=1KΩ, RL=4KΩ,

Rs=50Ω, β=100
1. Να προσδιοριστεί η Rb ώστε το Q να βρίσκεται στο μέσο της AC

Ε.Φ.
2. Να προσδιοριστούν οι απολαβές τάσης, ρεύματος, και οι
αντιστάσεις εισόδου, εξόδου
3. Να βρεθεί το μέγιστο πλάτος (p-p) της πηγής us
Παράδειγμα (β)
1. Να προσδιοριστεί η Rb ώστε το Q να βρίσκεται στο μέσο της AC
Ε.Φ.
Rdc = Rc = 1ΚΩ
1⋅ 4
R=
ac Rc / / R=
L = 0,8ΚΩ
1+ 4
VCC 10 I C 5,56
=IC = = 5,56mA I=
B = = 55, 6 µ A
Rdc + Rac 1 + 0,8 β 100
VCC − VBE 10 − 0, 7 V
R
=b = ⋅ = 167ΚΩ
IB 55, 6 µ A
Παράδειγμα (γ)
2. Να προσδιοριστούν οι απολαβές τάσης, ρεύματος, και οι

αντιστάσεις εισόδου, εξόδου
26 26 mV
re = ≅ =
4, 68Ω Ri ≅ β =
re 100 ⋅ 4, 68Ω
= 468Ω
I C 5,56 mA
Ri′ Rb / / β=
= re 167ΚΩ / /468Ω ≅ 468Ω ′ Rc / / R=
R=
c L R=
ac 0,8ΚΩ
Rc′ 800 Ri′ 468

Au =
− = − =
−171 Aus = Au = (−171) =
−154
re 4, 68 Ri′ + Rs 468 + 50
R Rc 167 1
Ai =− β =−100 Ais = b ⋅ Ai =
− ⋅ ⋅100 =
−19,9
Rb + Ri Rc + RL 167 + 0, 468 1 + 4
Ro′ = Rc = 1ΚΩ
Παράδειγμα (δ)
• 3. Να βρεθεί το μέγιστο πλάτος (p-p) της πηγής us
′= VCC − ( Rdc − Rac ) I C= 10 − (1 − 0,8) ⋅ 5,56 ΚΩ ⋅ mΑ= 8,89V

VCC
′ = 8,89V
uo max ( p − p ) = VCC
′
VCC 8,89
us max ( p − p )= = V = 57, 7 mV
Aus 154
Ενισχυτής κοινού εκπομπού με αντίσταση στον
εκπομπό
• Με τη χρήση αντίστασης στον εκπομπό επιτυγχάνεται:
(α) σταθεροποίηση του σημείου λειτουργίας ως προς τη

θερμοκρασία, (β) αυξάνεται η αντίσταση εισόδου, (γ)
διευκολύνεται η σχεδίαση του κυκλώματος πόλωσης (Η
ενίσχυση τάσης καθίσταται αρκετά ανεξάρτητη των
παραμέτρων των τρανζίστορ)
Ευθείες φόρτου στο κύκλωμα κοινού εκπομπού
AC ισοδύναμο κύκλωμα εξόδου
Ισχύει η ίδια ανάλυση για τις DC και AC ευθείες φόρτου

χρησιμοποιώντας τις νέες τιμές για τις Rdc, Rac
Rdc= Rc + Re
Rac= Re + Rc / / RL
VCC
Πόλωση του ενισχυτή (α)
Thevenin
ισοδύναμο
⇒
R1 R2 R2
=Rb R= / / R VBB ≅ VCC
1 2
R1 + R2 R1 + R2
• Αν είναι γνωστά τα Rb, VBB προσδιορίζουμε τις αντιστάσεις R1, R2
RbVCC RbVCC
R1 = R2 =
VBB VCC − VBB
Πόλωση του ενισχυτή (β)
IC
VBB= Rb + VBE + Re I C
β
R
VBB =( b + Re ) I C + VBE
β
Για δεδομένα IC, Re, β και VBE=0,7V
προσδιορίζουμε την VBB μέσω της Rb
• Η εκλογή της Rb γίνεται με βάση δυο αντικρουόμενες απαιτήσεις
• Να έχει όσο το δυνατό μικρότερη τιμή για καλύτερη
σταθεροποίηση του σημείου ηρεμίας Q
• Να έχει μεγάλη τιμή ώστε να μην υποβιβάζει την αντίσταση
εισόδου και συνεπώς την ενίσχυση
• Συνήθως Rb=Ri/10
Ανάλυση AC σήματος (AC ισοδύναμο κύκλωμα)
− Rc′ic =
uo = − β Rc′ib Rc′ = Rc / / RL
ui =( β + 1)(re + Re )ib
uo β Rc′
Au = = −
ui ( β + 1)(re + Re )
Αντίσταση εισόδου Rc′
ui = ube + Re (ic + ib ) = ( β + 1)reib + ( β + 1) Reib για β >> 1 και Re >> re Au ≅ −
Re
u
Ri = i =( β + 1)(re + Re ) Aus = K i Au
ib
για β >> 1 και Re >> re Ri ≅ β Re
Ai =
−ic
= −β
Αντίσταση εξόδου ib
R Rc
Ro → ∞ ⇒ Ro′ = Rc Ais = b ⋅ Ai =
M i M o Ai
Rb + Ri Rc + RL
Ακριβέστερος προσδιορισμός των επιδόσεων

του ενισχυτή με το «π-ισοδύναμο» του transistor
• Παραλείπεται η rb Απολαβή ρεύματος
uo − Re (ic + ib )
=ic g muπ +
ro
uo = − Rc′ic
Rc′ R R
ic = g m rπ ib − ic − e ic − e ib
ro ro ro
Θέτοντας β
g m rπ =
Αντίσταση εισόδου ic =
β ro − Re
ib
ro + Rc′ + Re
ui =rπ ib + Re (ib + ic )
Θεωρ ώντας β ro >> Re
u i −ic β ro
Ri =i =rπ + Re (1 + c ) Ai = = −
ib ib ib ro + Ro′ + Re
Ri = rπ + (1 − Ai ) Re Θεωρ ώντας ro >> Rc′ + Re Ai ≅ − β

Ακριβέστερος προσδιορισμός των επιδόσεων

του ενισχυτή με το «π-ισοδύναμο» του transistor
uo = − Rc′ic ui = Ri ib
uo Rc′ −ic Rc′

Au = = ⋅ = Ai
ui Ri ib Ri
uo =ro (ic − g muπ ) + Re (ic + ib ) Θέτοντας Rs / / Rb + rπ =
R
Re
( Rs / / Rb + rπ )ib + Re (ic + ib ) =
0 ib = − ic και καθ ώς =
g muπ g=
m rπ ib β ib
Re + R
β Re Re β Re RRe
uo =ro (ic + ic ) + Re (ic − ic ) =ro (1 + )ic + ic
Re + R Re + R Re + R Re + R
uo Re Re
Ro = = ro + ( β ro + R) Θ εωρ ώντας R << β ro Ro ≅ ro (1 + β )
ic Re + R Re + R
Ro′ = Ro / / Rc Θεωρ ώντας Ro >> Rc Ro′ ≅ Rc
Βελτίωση επιδόσεων του κυκλώματος ενισχυτή
κοινού εκπομπού με πυκνωτή διέλευσης στην Re
• Η ύπαρξη της Re ελαττώνει την

ενίσχυση του AC σε ≈-R´c/Re
• Με τον πυκνωτή επανέρχεται η
αυξημένη τιμή ενίσχυσης του AC
≈-R´c/re ενώ διατηρούνται τα
πλεονεκτήματα ύπαρξης της Re
• Παραμένει η καλή σταθερότητα
του σημείου λειτουργείας (DC
πόλωση).
Ανάλυση επιδόσεων του κυκλώματος με
πυκνωτή διέλευσης στον εκπομπό
Rdc= Rc + Re
Rac ′ Rc / / RL
= R=
c
Ri =( β + 1)re ≅ β re
Ro′ = Rc
uo β Rc′ Rc′ −ic
Au = = − ≅− Ai = = −β
ui ( β + 1)re re ib
VCC=12V, Rc=2KΩ, RL=8KΩ, R2=10KΩ,

Rs=200Ω, Re=1KΩ, β=100
1. Να βρεθεί η τιμή της R1 ώστε το Q να είναι στο μέσο της AC Ε.Φ.

2. Να σχεδιαστούν οι DC και AC ευθείες φόρτου
3. Να υπολογιστούν προσεγγιστικά οι επιδόσεις του ενισχυτή
1. Υπολογισμός της R1
Rdc = Rc + Re = 2 + 1 = 3ΚΩ Rac= Rc / / R=

L = 1, 6ΚΩ
2 / /8
VCC 12
=IC = = 2, 61mA VB =
Re I C + VBE = 3,31V
1 ⋅ 2, 61 + 0, 7 =
Rdc + Rac 3 + 1, 6
I C 2, 6 VB 3,31
I= = = 0, 026mA I=
R2 = = 0,331mA
B
β 100 R2 10
I R1 =I B + I R 2 =0, 026 + 0,331 =0,357 mA

VCC − VB 12 − 3,31
R1
= = = 24,3ΚΩ
I R1 0,357
2. Τα σημεία επί των αξόνων για την DC και AC Ε.Φ. είναι

VCC 12
VCC = 12V = = 4mA
Rdc 3
′ = VCC − ( Rdc − Rac ) I C = 12 − (3 − 1, 6) ⋅ 2, 6 = 8,36V
VCC
′
VCC 8,36
= = 5, 23mA
Rac 1, 6
3. Προσεγγιστικός υπολογισμός χαρακτηριστικών μεγεθών
Αντιστάσεις Απολαβή τάσης

26 26 Rc′ R 1, 6 K Ω
re= = = 10Ω Au =
− = − ac = =
−160
I C 2, 6 re re 10Ω
Ri = rπ = β re = 100 ⋅10 = 1K Ω Ri′ 876
=Ki = = 0,814
Rb R1 / /=
= R2 24, 4 / =
/10 7, 09ΚΩ Ri′ + Rs 876 + 200
Ri′ Ri /=
= / Rb 1/ /7,
= 09 0,876ΚΩ Aus =K i Au =0,814 ⋅ (−160) =−130
Παράδειγμα (ε)
Απολαβή ρεύματος Αντίσταση εξόδου

−i Ro → ∞
Ai = c =− β =−100
ib
Rb 7, 09 Ro′ ≅ Rc = 2 K Ω
Mi =
= = 0,876
Rb + Ri 7, 09 + 1
Rc 2
Mo
= = = 0, 2
Rc + RL 2 + 8
Ais =0,876 ⋅ 0, 2 ⋅ (−100) =−17,5

Ενισχυτής κοινού συλλέκτη - Ακολουθητής τάσης
Δεν πραγματοποιεί ενίσχυση τάσης,

Πραγματοποιεί ενίσχυση ρεύματος
• Ακολουθητής τάσης – η τάση εξόδου ισούται σχεδόν με τη τάση

εισόδου
• Παρουσιάζει μεγάλη αντίσταση εισόδου και μικρή αντίσταση
εξόδου
• Χρήση ως απομονωτική βαθμίδα (buffer)
Πόλωση του τρανζίστορ και ευθείες φόρτου
• Η Rb εξασφαλίζει το DC ρεύμα βάσης που απαιτείται για την

πόλωση του τρανζίστορ
VCC − VB
Rb =
IB
VB Re I C + VBE
=
IC
IB =
β
• Οι ευθείες φόρτου χαράσσονται για Rdc=Re και Rac=Re//RL

Προσεγγιστικός προσδιορισμός των επιδόσεων
του ακολουθητή κοινού συλλέκτη (α)
Re′ = Re / / RL
u
Ri = i =( β + 1)(re + Re′ )
ib
για β >> 1 και Re′ >> re Ri ≅ β Re′
Ri′ = Rb / / Ri
Απολαβή τάσης ui = ube + uo ≅ uo
uo ( β + 1) Re′ib ( β + 1) Re′ Re′ Ri′

A= = = = ≅1 Aus K=
= i Au Au
u
ui Ri ib ( β + 1)(re + Re′ ) Re′ + re Ri′ + Rs
για re << Re′ Au ≅ 1
Προσεγγιστικός προσδιορισμός των επιδόσεων
του ακολουθητή κοινού συλλέκτη (β)
−ie ic + ib
Ai = = = ( β + 1) ≅ β
ib ib
Rb Re
=Ais M= i M A
o i Ai
Rb + Ri Re + RL
Rs′ = Rs / / Rb Rs′ib + ube + uo =
0
Rs′
−ube − Rs′ib =
uo = −( β + 1)reib − Rs′ib =+
reie ie
β +1
uo R′ R′
Ro = = re + s ≅ re + s Ro′ = Ro / / Re
ie β +1 β
Rs 10 K Ω
=
Να υπολογιστούν
1. η Rb ώστε το Q να είναι στο μέσο της Ε.Φ.
2. οι αντιστάσεις εισόδου/εξόδου
3. οι απολαβές τάσης/ρεύματος
4. το μέγιστο δυνατό σήμα στην είσοδο
5. η απολαβή τάσης Aus όταν το φορτίο συνδέεται κατ’ευθείαν στην
πηγή us
1. Να υπολογιστεί η Rb ώστε το Q να είναι στο μέσο της Ε.Φ.
Rdc = Re = 1ΚΩ, Rac = Re / / RL = 1/ /1 = 0,5ΚΩ

VCC 10
IC = = 6, 67 mA
Rdc + Rac 1 + 0,5
′ = VCC − ( Rdc − Rac ) I C = 10 − (1 − 0,5) ⋅ 6, 67 = 6, 67V

VCC
VE = Re I C = 1 ⋅ 6, 67 K Ω ⋅ mA = 6, 67V
VB =VE + VBE =6, 67 + 0, 7 =7,37V
VCC − VB 10 − 7,37 V
Rb= = ⋅ = 78, 7 K Ω
IC / β 33, 4 µA
2. Να υπολογιστεί η αντίσταση εισόδου/εξόδου
Ri ≅ β ( Re / / R=
L) 200 ⋅ 0,5
= 100ΚΩ
Ri′ ≅ Ri / / R=
b 100 K Ω / /78, 7 K Ω= 44ΚΩ
Rs′ 26 26
Ro= re + re
= = = 3,9Ω
β I C 6, 67
Rs′ Rb / /=
= Rs 78, 7 / /10
= 8,87ΚΩ
8,87
Ro =3,9 + =3,9 + 44,3 =48, 2Ω
200
3. Να υπολογιστεί η απολαβή τάσης/έντασης
Re′ 500
R
= ′ Re / / R
= 500Ω =Au = = 0,992
e L Re′ + re 500 + 3,9
Ri′ 44 Aus = K i Au =0,815 ⋅ 0,992 =0,808

Ki = = 0,815
Ri′ + Rs 44 + 10
Rb 78, 7
A=
i β= 200 Mi =
= = 0, 44
Rb + Ri 78, 7 + 100
Re 1
Mo
= = = 0,5
Re + RL 1 + 1
Ais = M i M o Ai = 0, 44 ⋅ 0,5 ⋅ 200 = 44

4. Να υπολογιστεί το μέγιστο δυνατό σήμα στην είσοδο
′ = VCC − ( Rdc − Rac ) I C = 10 − (1 − 0,5) ⋅ 6, 67 = 6, 67V

VCC
′
VCC 6, 67
us ( p − p ) = = = 8, 25V
Aus 0,808
5. Να υπολογιστεί η απολαβή τάσης Aus όταν το φορτίο

συνδέεται κατ’ευθείαν στην πηγή us
uo RL 1
A=
us = = = 0, 09
us RL + Rs 1 + 10
Το σήμα στην έξοδο υποβαθμίζεται σημαντικά όταν δεν

χρησιμοποιείται ακαλουθητής τάσης
Ακολουθητής τάσης με συνδεσμολογία
Darlington
• Ο εκπομπός του πρώτου τρανζίστορ συνδέεται απ’ ευθείας στη

βάση του δεύτερου τρανζίστορ
• Η συνδεσμολογία Darligton μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε έναν
ενισχυτή αυτούσια σαν ένα τρανζίστορ μεγάλου β και υψηλής
αντίστασης εισόδου
Κατά τη ανάλυση η διάταξη θα

αντιμετωπίζεται ως
«ένα τρανζίστορ» πολύ μεγάλου β
Προσεγγιστική ανάλυση
I C1 = β1 I B1
I C 2 = β 2 ( I C1 + I B1 ) = β 2 ( β1 I B1 + I B1 ) = ( β1β 2 + β 2 ) I B1
I C = I C1 + I C 2 = β1 I B1 + ( β1β 2 + β 2 ) I B1 = ( β1β 2 + β1 + β 2 ) I B1
Ri =( β1 + 1)(re1 + Ri′)
Όπου Ri´ είναι η αντίσταση εισόδου του δεύτερου τρανζίστορ
Ri′ =( β 2 + 1)(re 2 + Re′ ) Re′ = Re / / RL Ισοδύναμη
re1 ≅
VT VT
≅ =
VT V
= β 2 T= β 2 re 2
αντίσταση
I C1 I b 2 I C 2 / β 2 IC 2 εκπομπού
Ri = ( β1 + 1)[ β 2 re 2 + ( β 2 + 1)(re 2 + Re′ )] ≅ β1β 2 (2re 2 + Re′ ) reD = 2re 2
Να βρεθούν
1. ένα ζεύγος τιμών των R1, R2 όταν IC2=6mA
2. η αντίσταση εξόδου της διάταξης
3. η απολαβή Aus
4. η απολαβή Ais
1. Να βρεθεί ένα ζεύγος τιμών των R1, R2 όταν IC2=6mA

=Ri β D (reD + Re′ ) β D = β1β 2 + β1 + β 2 = 80 ⋅120 + 80 + 120 = 9800
VT 26
reD 2=
= re 2 2 = 2 = 8, 66Ω Re′ Re / /=
= RL 1000 / =
/50 47, 6Ω
IC 2 6
Άρα R
=i 9800(8, 66 + 47, 6)
= 551ΚΩ
Επιλέγουμε μεγάλες τιμές για τις R1, R2 ώστε να διατηρηθεί η
ολική αντίσταση εισόδου μεγάλη. Θέτουμε R2=1ΜΩ
VB1= 2VBE + Re I C 2= 1, 4 + 1 ⋅ 6= 7, 4V VB1 7, 4V
I=
R2 = = 7, 4 µ A
R2 1ΜΩ
I C1 IB2 IC 2 / β2 IC 2 6mA
I B1 = ≅ = = = = 0, 625µ A I R1 = I R 2 + I B1 = 7, 4 + 0, 625 = 8, 02 µ A
β1 β1 β1 β1β 2 9600
VCC − VB1 12 − 7, 4
R1
= = = 0,573ΜΩ
I B1 8, 02
2. Να βρεθεί η αντίσταση εξόδου της διάταξης
uo Rs′
R=
o = reD +
ie βD
R
=b 0,573 /=
/1 364ΚΩ
Rs′ Rb /=
= / Rs 364 /=
/10 9.730Ω
9730
Ro =8, 66 + =9, 65Ω
9800
Ro′ Ro / /=
= Re 9, 65 / /1000
= 9,56Ω
3. Να βρεθεί η απολαβή Aus
uo Re′ 47, 6
A=
u = = = 0,846
′
ui Re + rD 47, 6 + 8, 66
Ri′ Rb =
= / / Ri 364 / =
/551 219 K Ω
Ri′ 219
=Ki = = 0,956
Ri′ + Rs 219 + 10
Aus = K i Au =0,956 ⋅ 0,846 =0,809
Αν η πηγή τροφοδοτούσε απευθείας το φορτίο

RL 50
=Aus = = 0, 048
RL + Rs 50 + 1000
• Να βρεθεί η απολαβή Ais
Ri′
Ais = Aus
RL
219ΚΩ
=Ais = 0,809 3540
50Ω
Ο ακολουθητής τάσης με διάταξη Darlington προσφέρει μεγάλη

ενίσχυση ρεύματος
Τα τρανζίστορ επίδρασης
πεδίου (FET)
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου
• Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
• Οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος για τα FET είναι μόνο ενός
είδους, δηλ. ηλεκτρόνια ή οπές (μονοφυούς αγωγιμότητας)
• Έλεγχος μέσω επίδρασης ήλεκτρικού πεδίου που δημιουργείται
με αντίστοιχη τάση στην πύλη
• Χρησιμοποιούνται ευρύτατα κυρίως στα ψηφιακά κυκλώματα
(τεχνολογία CMOS)
• Πλεονεκτήματα
• Πυκνή δόμηση σε ολοκληρωμένα κυκλώματα
• Υψηλή αντίσταση εισόδου
• Μικρή ευαισθησία στο θόρυβο
• Δύο τύπου FET: JFET (αντίσταση εισόδου: 10ΜΩ), MOSFET
(αντιστ. εισ. 10GΩ)
Το FET επαφής (JFET)
κανάλι
n p
• Δεν υπάρχει φυσική διαφορά μεταξύ πηγής – απαγωγού

• Η φορά του ρεύματος μέσα στο δίαυλο καθορίζει τα S και D
• Το άκρο από όπου φαίνεται να πηγάζουν οι φορείς αποτελεί τον
ακροδέκτη της πηγής
• Όταν υπάρχει εναλλαγή πολικότητας της πηγής τροφοδοσίας τα
S και D θα εναλλάσσονται
• Η πόλωση μεταξύ S και G πρέπει να διατηρεί την pn επαφή σε
ανάστροφη πόλωση
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ
πύλη
p
πηγή απαγωγός
n
πύλη
VGS
πύλη
p
n ------------ > ΡΟΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ
πύλη
ID
Vp = ΤΑΣΗ ΦΡΑΓΗΣ
VDS
VGS
πύλη
p
n
πύλη
ID
VDS
Αρχή λειτουργίας του JFET και
χαρακτηριστικές καμπύλες
Δυναμικό εκφόρευσης Vp=uGSp εκείνο

για το οποίο το κανάλι κλείνει (έχει
απομακρυνθεί όλο το κινητό φορτίο)
Περιοχή
κατάρευσης
Προοδευτική αύξηση δυναμικού Γραμμική περιοχή Περιοχή κόρου
Κίνηση φορέων
Η χαρακτηριστική μεταφοράς
Σχέση ρεύματος iD και τάσης uGS

2
 uGS 
=iD I DSS 1 − 
 V
 p 
Υπάρχει μια μικρή αύξηση του ρεύματος

με την uDS
2
 uGS 
iD =I DSS 1 −
 V  (1 + λuDS )
 p 
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor FET
Πηγή Πύλη Απαγωγός
Υπόστρωμα (σώμα)
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ MOSFET
Κανάλι
Υπόστρωμα Διάχυση
Κάτοψη
Πολυκρυσταλλικό πυρίτιο
Ενεργός περιοχή
Μέταλλο
Επαφές
Τα FET μονωμένης πύλης (MOSFET)
Στα MOSFET η πύλη διαχωρίζεται από

το δίαυλο μέσω ενός μονωτικού
στρώματος SiO2 μεγάλης αντίστασης
Τρανζίστορ διακένωσης ή αραίωσης
Σύμβολα για το nMOS διακένωσης

Τρανζίστορ διακένωσης
n+ n+
P-τύπου
• Το κανάλι είναι προκατασκευασμένο με ιοντική εμφύτευση.
• Η τάση κατωφλίου είναι αρνητική.
•Για Vgs=0 υπάρχει ροή ρεύματος εφόσον Vds>0

Το MOSFET προσαύξησης
• Δεν υπάρχει πρόσμιξη μεταξύ της πηγής και του απαγωγού

για τη δημιουργία του διαύλου
• Ο δίαυλος σχηματίζεται επαγωγικά με την επίδραση
ηλεκτρικού πεδίου
Το δυναμικό στο δίαυλο αυξάνεται καθώς

προχωρούμε προς τον απαγωγό
Το εύρος του διαύλου μηδενίζεται για uDS=uGS-VT
ΑΝΑΣΤΡΟΦΗ
• Τουπόστρωμα πρέπει να βρίσκεται

στο χαμηλότερο δυναμικό (P-τύπου)
για να εξασφαλίζεται η ανάστροφη
πόλωση μεταξύ των επαφών
n+ n+ πηγής/απαγωγού και υποστρώματος.
P-τύπου • Vsb=0 όλες οι τάσεις θα

σχετίζονται με την τάση πηγής.
• όταν Vgs>VT δημιουργία καναλιού (μπλε περιοχή μεταξύ πηγής και απαγωγού)
• Λευκή περιοχή περιοχή αραίωσης
• Δυνατότητα ροής ρεύματος από πηγή προς εκροή εάν Vds>0

Δυναμικό απαγωγής θετικότερο από δυναμικό πηγής (συμμετρία !!!)
ΓΡΑΜΜΙΚΗ ΠΕΡΙΟΧΗ
• Κοντά στον απαγωγό η τάση που είναι υπεύθυνη για την αναστροφή
είναι Vgs–Vds και κατά συνέπεια μικρότερη από ότι κοντά στην πηγή.
• Το κανάλι έχει τη συμπεριφορά γραμμικής αντίστασης – εξ ου και η
ονομασία γραμμική ή ωμική περιοχή.
ΣΤΕΝΕΜΑ ΤΟΥ ΚΑΝΑΛΙΟΥ
Pinch - off
• Εάν η Vds αυξηθεί μέχρι του σημείου

που Vds = Vgs–VΤ τότε δεν υπάρχει τάση
κοντά στον απαγωγό ικανή για τη δημιουργία
στρώσης αναστροφής.
• Το κανάλι στενεύει στην περιοχή του απαγωγού

ΠΕΡΙΟΧΗ ΚΟΡΟΥ
• Εάν η Vds αυξηθεί επί πλέον προκαλεί

επιβράχυνση του καναλιού με μετακίνηση
του σημείου pinch-off προς την πηγή.
• Η τάση στο σημείο pinch-off είναι
πάντοτε Vds = Vgs–VΤ .
• Όταν τα ηλεκτρόνια φθάνουν από την πηγή

στο σημείο pinch-off, εγχύονται στην
περιοχή αραίωσης και το ηλεκτρικό πεδίο
στην περιοχή αυτή έλκει τα ηλεκτρόνια
προς τον απαγωγό.
Το MOSFET προσαύξησης
• Για μικρές τιμές της uDS , το ρεύμα είναι ανάλογο της uDS ,
ενώ για τιμές uDS>uGS-VT όπου κλείνει ο δίαυλος, το ρεύμα
του απαγωγού iD παμένει σχεδόν σταθερό (περιοχή κόρου)
Σύμβολα για το nMOS προσαύξησης

Όταν uGS≤VT τότε iD=0, όπου VT η τάση κατωφλίου
Χαρακτηριστικές εξόδου MOSFET προσαύξησης
Γραμμική Περιοχή
Σημείο pinch-off
Περιοχή κόρου
Περιοχή αποκοπής
Χαρακτηριστικές εξόδου-Λειτουργία του
MOSFET προσαύξησης
Εξισώσεις του ρεύματος
• Οι μαθηματικές εκφράσεις που μοντελοποιούν τη λειτουργία

των FET είναι για όλα τα τρανζίστορ αυτά παρόμοιες
• Για το MOSFET προσαύξησης στο κόρο έχουμε
µ Cox  W 
=iD K ( uGS − VT )
2
K=  
2 L
• Λαμβάνοντας υπόψη την επίδραση της uDS στο ρεύμα, έχουμε
iD = K ( uGS − VT ) (1 + λuDS )
2
• Για την γραμμική περιοχή το ρεύμα είναι ανάλογο

της τάσης uDS για μικρές τιμές της τάσης αυτής
Για uDS=uGS-VT
• Για μεγαλύτερες τιμές ισχύει
iD = KuDS
2
iD= K  2 ( uGS − VT ) uDS − uDS

2
 Διαχωρίζει τη γραμμική
περιοχή από τον κόρο
Φαινόμενο διαμόρφωσης καναλιού
Χαρακτηριστική μεταφοράς
Το ρεύμα του απαγωγού προσαύξησης
συναρτήσει της τάσης διακένωσης

πύλης-πηγής
MOSFET καναλιού-p
p p
+ +
L
N-τύπου
Προσαύξησης
Διακένωσης
Προστασία της πύλης των MOSFET
• Το στρώμα του SiO2 είναι πάρα πολύ λεπτό και είναι δυνατό
να διατρηθεί από τη διαφορά δυναμικού μεταξύ πύλης και
διαύλου όταν αυτή υπερβεί κάποια τιμή
• Η διαφορά δυναμικού μπορεί να προκύψει και από στατικά
φορτία όταν η πύλη είναι ελεύθερη
• Για προστασία του MOSFET κατασκευάζεται μια δίοδος
zener μεταξύ πύλης και υποστρώματος
• Έτσι το δυναμικό της πύλης δεν μπορεί να υπερβεί το
δυναμικό zener
• Η τοποθέτηση της zener μειώνει την αντίσταση πύλης του
MOSFET
Το αποτέλεσμα της πόλωσης του υποστρώματος
(Body Effect)
• Όταν υπάρχει διαφορά δυναμικού μεταξύ πηγής και
υποστρόματος αυξάνεται η τάση κατωφλίου
• Φαινόμενο body effect
• Όλες οι χαρακτηριστικές μετατοπίζονται
Τεχνολογία CMOS
• Ύπαρξη n και p διαύλου τρανζίστορ στο ίδιο ολοκληρωμένο

κύκλωμα
PMOS
NMOS
• Τα δυναμικά “ΓΕΙΩΣΗ” και +VDD εξασφαλίζουν την ανάστροφη

πόλωση των pn επαφών
Το VMOSFET
Μεγάλες τιμές λόγου W/L
• Χρησιμοποιείται ως στοιχείο ισχύος

Παράμετροι των FET και ισοδύναμα
κυκλώματα
• Το ρεύμα iD είναι συνάρτηση των τάσεων uDS και uGS
iD = f (uGS , uDS )
• Αν θεωρήσουμε μεταβολές στις uDS και uGS , έχουμε:
∂iD ∂iD
=
∆iD ∆uGS + ∆uDS
∂uGS u DS
∂uDS uGS
• Θέτωντας
∆iD= id , ∆uGS= u gs , ∆uDS= uds Προκύπτει για το
∂iD ∆iD = r
∂uDS
≅
∆uDS ρεύμα
=gm ≅ d
∂iD ∆iD 1
∂uGS u DS
∆uGS u
DS
uGS uGS =id g mu gs + uds
rd
Διαγωγιμότητα Δυναμική αντίσταση
απαγωγού
Το ισοδύναμο κύκλωμα για τις χαμηλές
συχνότητες
• Είναι απλούστερο του αντίστοιχου για το BJT
Συντελεστής ενίσχυσης
∂u ∆uDS u
µ=
− DS ≅ =
− ds =
g m rd
∂uGS ∆uGS u gs
iD iD id = 0
Υπολογισμός των παραμέτρων από

τις χαρακτηριστικές του FET
Η διαγωγιμότητα gm
• Η διαγωγιμότητα gm είναι η κλίση της χαρακτηριστικής

μεταφοράς iD=f(uGS) και εξαρτάται από την uGS
• Για MOSFET διακένωσης ● Για MOSFET
προσαύξησης
iD K ( uGS − VT )
2
=
2
 u 
=iD I DSS 1 − GS 
 V
 p 
2 I DSS  uGS 
diD
diD =
gm = 2 K (VGS − VT )
= − 1 −  duGS
duGS V p  V p 
diD  VGS  =g m 2=
I
gm = για uGS =VGS ⇒ g m =g m 0 1 −  K D 2 KI D
duGS  V K
 p 
2 I DSS ID
gm0 = − g m = g m0
Vp I DSS
Η αντίσταση του διαύλου rd
2
 uGS 
2
 uGS  diD λiD
iD =I DSS 1 −
 V  (1 + λuDS ) =I DSS 1 −  λ =
  duDS  V 1 + λuDS
p
 p 
1
για λuDS << 1 και για
= iD I D rd ≅
λID
Το ρεύμα πόλωσης καθορίζει την αντίσταση του καναλιού

(για όλα τα MOSFET)
Ισοδύναμο κύκλωμα του FET για τις υψηλές
συχνότητες
• Στις υψηλές συχνότητες παίζουν ρόλο και οι παρασιτικές
χωρητικότητες που περιορίζουν σημαντικά τις επιδόσεις
Cds≈0,1-1pF Cgd ,Cgs ≈1-10pF

uds
Χωρητικότητα εισόδου Ci = Cgs + (1 − K u )Cgd όπου K u =
u gs
(από θεώρημα Miller)
Ενισχυτές με FET
Ενισχυτές με FET
• Τα FET οδηγούνται με την τάση uGS ενώ τα BJT με το ρεύμα iB
Μηχανισμός ενίσχυσης
Για το FET η σχέση iD=f(uGS) είναι
μη γραμμική σε αντίθεση με την iD=βiB
που ισχύει για τα BJT
Οι ενισχυτές με FET πρέπει να
λειτουργούν με μικρά πλάτη για να
μην υπάρχουν ισχυρές παραμορφώσεις
Δεν υπάρχει ανάγκη για τοποθέτηση
του Q στο μέσο της AC ευθείας φόρτου
Πόλωση των FET - Αυτοπόλωση
• Η τεχνική της αυτοπόλωσης μπορεί να εφαρμοστεί στα JFET

και στα MOSFET διακένωσης επειδή σε αυτά η τάση
πόλωσης VGS έχει αντίθετο πρόσημο από την τάση
τροφοδοσίας VDD
V V
Rs I D + VGS =
0 ⇒ ID =
− GS και Rs =
− GS
Rs ID
Rd I D + Rs I D + VDS − VDD =
0
1 VDD
ID =
− VDS +
Rd + Rs Rd + Rs
Ενισχυτής JFET διαύλου n
με αυτοπόλωση DC Ευθεία Φόρτου
Πόλωση των FET - Αυτοπόλωση
VDD
Rd + Rs =
I DD
• Υπολογισμός στοιχείων ενισχυτή

• Επιλέγουμε τη τάση τροφοδοσίας
• Επιλέγουμε το σημείο πόλωσης Q
• Προσδιορίζουμε τα VDS , ID , VGS από το Q
• Από τις προηγούμενες σχέσεις υπολογίζουμε τις
αντιστάσεις
Ζητείται να προσδιορισθούν τα στοιχεία του ενισχυτή
Λύση
Επιλέγουμε τη τάση τροφοδοσίας: VDD=20V
Επιλέγουμε IDD=7mA
Επιλέγουμε το σημείο ηρεμίας Q. Έχουμε VDS = 10V, ID=3,4mA,
VGS =-2V
VGS −2V
Rs = − = − = 0,59ΚΩ
ID 3, 4mA =
Rd 2,86ΚΩ − 0,59ΚΩ
= 2, 27ΚΩ
VDD 20V
Rd +=
Rs = = 2,86ΚΩ
I DD 7 mA
Χρήση διαιρέτη τάσης για τη σταθεροποίηση
του σημείου πόλωσης
• Η θερμοκρασία μεταβάλλει τα χαρακτηριστικά των FET και
μετατοπίζει το σημείο λειτουργίας
• Υπάρχει και διασπορά χαρακτηριστικών από FET σε FET που
αποτρέπουν τη σταθερή θέση του Q από κύκλωμα σε κύκλωμα
• Χρησιμοποιείται διαιρέτης τάσης για τη σταθεροποίηση του Q
Στο Σχ. (β) ο διαρέτης τάσης

έχει αντικατασταθεί κατά Thevenin
R1 R2
Rg =
R1 + R2
R2
VGG = VDD
R1 + R2
Χρήση διαιρέτη τάσης για τη σταθεροποίηση
του σημείου πόλωσης
Αν δεν υπάρχει διαιρέτης τάσης οι δυο

ακραίες θέσεις του Q δίνουν μεγάλη
απόκλιση ΔiD
Με διαιρέτη τάσης και Rs´ ως αντίσταση
πηγής
Rs′ I D − VGG + VGS =
0
1 VGG
ID =
− VGS +
Rs′ Rs′
Η ευθεία αυτή τέμνει τις ακραίες χαρακτηριστικές στα σημεία
Q´1 , Q´2 παρέχοντας μικρότερη απόκλιση (ΔiD)´. Πρέπει Rs´> Rs
Να υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων R1, R2, Rs και Rd

του ενισχυτή ώστε ΔiD<0,7mA
Λύση
Επιλέγουμε το Q´2 στο μέσο, και το Q´1 ώστε να απέχει προς
τα άνω 0,7mA
Ενώνουμε τα σημεία Q´1 , Q´2 με ευθεία που τέμνει τον άξονα
τάσεων στο VGG=8V
8V
Από την ευθεία φόρτου =
Rs = 3, 64ΚΩ
2, 2mA
R1 VDD − VGG 25 − 8
Επιλέγουμε τη τιμή της VDD=25V =
R2
= = 2,13
VGG 8
Επιλέγουμε σημείο πόλωσης στο μέσο των Q´1, Q´2 και έχουμε
ID =2,8mA, VGS =-2,5V
VDD
I=
DD 2=
I D 5, 6mA Rd +=
Rs ⇒ =
Rd 0,82ΚΩ
I DD
Πόλωση των FET προσαύξησης
• Στα FET προσαύξησης η πύλη πολώνεται σε VGS που έχει το

ίδιο πρόσημο με το VDD
• Εναλλακτικές πολώσεις
Για το προηγούμενο κύκλωμα (β) : VDD = 10V, K=2mA/V2,

VT =2V, λ=0,01. Ζητείται να υπολογισθεί η τιμή της Rd ώστε
ID=2mA και να βρεθούν οι τιμές των gm, rd.
Λύση
I ID 2
VGS =VT ± D και επειδ ή VGS > VT ⇒ VGS =
VT + =+
2 =3V
K K 2
VDD − VGS 10 − 3 V
VG = VDD − Rd I D και επειδ ή VG =
VD = VGS ⇒ R=
d = = 3,5ΚΩ
ID 2 mA
1
=
rd = 50 K Ω
g m = 2 KI D = 2 2 ⋅ 2mA / V ⋅ mA = 4mA / V
2
0, 01 ⋅ 2 ⋅ V −1 ⋅ mA
Ενισχυτής JFET με κοινή πηγή
Ri = R1 / / R2
uo
uo = − ( rd / / Rd′ ) g mui Rd′ = Rd / / RL Au = = − ( rd / / Rd′ ) g m
ui
Για Rd′ << rd Au ≅ − Rd′ g m
Ro = rd Ro′ = Rd / / rd
Για τον προηγούμενο ενισχυτή έχουμε: R1=2,2ΜΩ, R2=10ΜΩ,

Rd=10ΚΩ, RL=200ΚΩ, gm=2mA/V και rd=100KΩ. Ζητείται να
βρεθούν τα μ, Ri, Au και Ro
Λύση
mA ⋅ ΚΩ
µ=
rd g m =
2 ⋅100 =
200 =
Ri R1 / /= = 1,80ΜΩ
R2 2, 2 / /10
V
Rd′ Rd / /=
= = 9,52ΜΩ
RL 10 / /200
Au = − ( rd / / Rd′ ) g m = −(100 / /9,52ΚΩ) ⋅ 2mA / V = −17, 4
Ro′ Rd=
= / / rd 10 /=
/100 9, 09 K Ω
Για τον προηγούμενο ενισχυτή έχουμε: VDD=20V, Rd=5KΩ,

R1=2MΩ, RL →∞, IDSS=10mA και Vp=-5V. Επιλέγουμε ID=4mA
και σαν τάση Thevenin VGG=5V. Ζητείται να βρεθούν οι τιμές
των R2, Rs, η προσεγγιστική Au. Θεωρούμε rd>>Rd.
Λύση
R2 R1VGG 2⋅5
V= VDD ⇒ =
R2 = = 0, 67ΜΩ
R1 + R2 VDD − VGG 20 − 5
GG
 ID   4 
VGS =
V p 1 −  =
−5 1 −  =
−5(1 − 0, 63) =
−1,84 V
 I DSS   10 
V −V 5 − (−1,84) V ΚΩ ⋅ mA
VGG =VGS + Rs I D ⇒ Rs = GG GS = =1, 71K Ω Au =− Rd g m =−5 ⋅ 2,53 =−12, 65
ID 4mA V
2I 2 ⋅10  V   −1,84 
g mo =
− DSS == 4mA / V g m =g mo 1 − GS
 V  =4 1 −  =2,53mA / V
Vp −5  p   −5 
Ενισχυτής με αντίσταση στον απαγωγό και
στην πηγή
uo − u s
=id g mu gs +
rd
u gs = ui − us = ui − Rs id
uo = − Rd′ id
−( Rd / / RL )id =
Rs Rs 1 R 1 1 R
us = Rs id = − uo u gs= ui + uo − uo= g m (ui + s uo ) + uo − (− s uo )
′
Rd ′
Rd Rd′ Rd′ rd rd Rd′
uo g m Rd′ 1 g m Rd′ Rd′

Au = = − , << 1 και αν Rd′ << rd Au ≅ − και αν g m Rs >> 1 Au ≅ −
ui 1 Rd′ rd 1 + g m Rs Rs
1 + ( g m + ) Rs +
rd rd
Ενισχυτής με αντίσταση στον απαγωγό και
στην πηγή
Το ρεύμα id παράγεται από μια πηγή
τάσης uo που τοποθετείται στην έξοδο
1 1
u gs = − Rs id id =g m (− Rs id ) + uo − Rs id
rd rd
u
Ro′ = Ro / / R d Ro = o =Rs + rd (1 + g m Rs ) ≅ rd (1 + g m Rs )
id
Αν θέσουμε Rd=10ΚΩ, Rs=1ΚΩ, RL=100KΩ, rd=100ΚΩ, gm=5mA/V έχουμε:

5 ⋅ 9, 09 = 100(1 + 5 ⋅=
1) 600ΚΩ
Rd′ 10 / /100
= = 9, 09ΚΩ Au =
− −7, 45 R
= o
1 9, 09
1 + (5 + ) ⋅1 +
100 100 Ro′ Rd / / =
= = 9,84ΚΩ
R o 10 / /600
Ενισχυτής FET με κοινό απαγωγό –
Ακολουθητής τάσης
• Ανάλογος με τον ενισχυτή κοινού συλλέκτη

AC ισοδύναμα
Ri = R1 / / R 2
R = rd / / Rs / / RL =
uo R(ui − uo ) g m
uo Rg m
A= = , αν Rg m >> 1 Au ≅ 1
ui 1 + Rg m
u
Αν βραχυκυκλώσουμε την είσοδο ui=0 και θεωρήσουμε ότι στα άκρα
εξόδου δρα μια πηγή τάσης uo που προκαλεί ρεύμα io τότε το ρεύμα
από την rd είναι (u − u ) g + i =−u g + i 
 ⇒ (1 + rd g m )uo =
i o m o o m o
rd io
=
uo rd (io − uo g m ) 
uo rd 1
R= = , και για rd g m >> 1 Ro ≅ Rο′ = Rs / / R o
io 1 + rd g m
o
gm
• Ο ακολουθητής τάσης έχει απολαβή τάσης περίπου
μονάδα, έχει μεγάλη αντίσταση εισόδου και σχετικά μικρή
αντίσταση εξόδου
Έστω ότι gm=4mA/V, rd=100KΩ, Rs=5KΩ, RL →∞, τότε

προσεγγιστικά
1 V 5 ⋅ 4ΚΩ ⋅ ΚΩ −1 20
=
Ro = 0, 25ΚΩ =
A =
−1
= 0,95
1 + 5 ⋅ 4ΚΩ ⋅ ΚΩ
u
4 mA 21
Η αντίσταση εξόδου του ακολουθητή πηγής είναι γενικά πολύ
μεγαλύτερη από την αντίσταση εξόδου του ακολουθητή
εκπομπού
Το FET σαν μεταβλητή ωμική αντίσταση
Για μικρές τιμές του uDS ισχύει Αντίσταση καναλιού για μικρές uDS
uDS 1
=iD 2 K (uGS − VT )uDS =
rd =
iD 2 K (VGS − VT )
Ελεγχόμενη από την uGS
Ενισχυτής ελεγχόμενης απολαβής
• Κύκλωμα ενισχυτή που η ενίσχυσή του ελέγχεται αυτόματα και

χρησιμοποιείται για να διατηρεί το πλάτος του σήματος
εξόδου σταθερό παρά την μεταβολή του πλάτους του σήματος
εισόδου
Αρνητική ανάδραση
Χρήση σε ραδιοφωνικούς δέκτες για την ανεξαρτητοποίηση

της έντασης του ήχου από τις διακυμάνσεις του
ραδιοφωνικού σήματος
Τελεστικοί Ενισχυτές
(Operational Amplifiers)
Ενισχυτής Τάσης με 1 ή 2 transistors
Ενισχυτής Τάσης
(κοινού εκπομπού)
Μειονεκτήματα:
Συχνοτική Απόκριση (Δεν ενισχύει σήματα χαμηλών συχνοτήτων ή DC)
Ευαισθησία σε μεταβολές παραμέτρων
Μικρή ενίσχυση τάσης με ένα transistor
Χαμηλές επιδόσεις στα βασικά χαρακτηριστικά (Αv, Ri, Ro)
Ανάγκη για ενισχυτές πολλών σταδίων (πολλών transistors)
Ενισχυτής Τάσης:
Κύκλωμα Γενικής Χρήσης
Πολλές Εφαρμογές Χαμηλών Συχνοτήτων
Βασική ανάγκη ρύθμισης: μόνο η Ενίσχυση Τάσης !
Προ-κατασκευασμένο Κύκλωμα Ενισχυτή !
Ακολουθητής Τάσης
Ενισχυτής Ρεύματος
(κοινού συλλέκτη)
Ο Tελεστικός Ενισχυτής
• Ενισχυτής τάσης γενικής χρήσης
• Ολοκληρωμένο Κύκλωμα με χρήση ως δομικό στοιχείο
• Ενισχυτής Διαφοράς Τάσεων (2 είσοδοι)
• Λειτουργεί πολύ καλά στις χαμηλές συχνότητες
• Καλά Βασικά Χαρακτηριστικά Ενισχυτή (Αv, Ri, Ro)
• Πολύ μεγάλη ενίσχυση τάσης (μη ρυθμιζόμενη)
• Εξωτερικό κύκλωμα με ανάδραση για την κατασκευή ενισχυτή !
υo = A(υ2 − υ1 ) = Aυd
υo = A(υ+− υ- ) = Aυd -VBAT

Ο Tελεστικός Ενισχυτής (Τ.Ε.)
Ισοδύναμα
Είσοδος αντιστροφής
Είσοδος μη αντιστροφής
uo = A(u 2 − u1 ) = Au d
ud = u2 − u1
Για τον πραγματικό τελεστικό ενισχυτή

• Μεγάλη αντίσταση εισόδου (Ιδανικά: άπειρη)
• Μικρή αντίσταση εξόδου (Ιδανικά: μηδενική)
• Εξαιρετικά μεγάλη απολαβή τάσης (προσεγγίζει την ιδανική: άπειρη)
• Καλή περιοχή συχνοτικής απόκρισης (DC έως fmax )
Σημείωση: H fmax εξαρτάται από τον Τ.Ε. αλλά και από άλλες παραμέτρους
λειτουργίας όπως η ενίσχυση, το πλάτος της εισόδου, κ.α.
Χαρακτηριστικά και επιδόσεις
των τελεστικών ενισχυτών (Τ.Ε.)
• Απολαβή τάσης Τυπική τιμή ενίσχυσης τάσης: 100.000
uo u
A= = o
u2 − u1 ud [100.000 = 100dB dB = 20log(100.000) ]
Στατική χαρακτηριστική τάσης εισόδου-εξόδου

Θετικός κόρος
Γραμμική περιοχή
Αρνητικός κόρος
Για Vs=10V και A=50.000 τότε

Εύρος διαφοράς τάσεων εισόδου για γραμμική λειτουργία:
V 10V
Vds = s = = 0, 2mV πολύ μικρό - προσεγγιστικά μηδέν !!
A 50.000 Συμπέρασμα: Τ.Ε. ανοικτού βρόχου = Συγκριτής Τάσεων !!!
Συχνοτική απόκριση του ΤΕ
• Γενικά, η ενίσχυση Α του Τ.Ε. είναι μια μιγαδική συνάρτηση,

με χαμηλοπερατή συχνοτική απόκριση
• Η συχνότητα αποκοπής f p είναι εξαιρετικά χαμηλή (~ 10Hz)
A0 A0
A= = A0
ω f για f = f p
A= =0,7 A0
1+ j 1+ j 2
ωp fp
για f = fT A = 1 (0dB)
Εύρος ζώνης μοναδιαίας απολαβής

Δόμηση κυκλωμάτων ΤΕ γραμμικής λειτουργίας
Βασικά χαρακτηριστικά εφόσον ο Τελεστικός Ενισχυτής (Τ.Ε.)
ενισχυτής εργάζεται στη γραμμική του περιοχή
• Η διαφορική τάση ud είναι σχεδόν μηδενική
• Το ρεύμα εισόδου του ΤΕ είναι μηδενικό
υo
υd =
A
Δόμηση Κυκλώματος με Τ.Ε. :

• Όλα τα χαρακτηριστικά καθορίζονται από τα εξωτερικά στοιχεία
• Αρνητική ανάδραση για διασφάλιση της γραμμικής λειτουργίας
• Βασική παράμετρος το ρεύμα ανάδρασης
• Ανάδραση μέσω εξωτερικών στοιχείων (R, C, . . . )
Αναστροφικός ενισχυτής με Τ.Ε.
Η βασική σχέση του Τ.Ε. είναι:

uo
ud =
A
Το δυναμικό uΓ του σημείου Γ μπορεί να βρεθεί με

επαλληλία της επίδρασης των ui και uo :
R1 R2
uΓ = uΓο + uΓi = uo + ui
R1 + R2 R1 + R2
Θεωρώντας A→∞ προκύπτει uΓ=0

Η τιμή της ενίσχυσης
uo R
Au = =− 2 εξαρτάται μόνο από τις
ui R1 εξωτερικές αντιστάσεις!
Ακριβέστερη προσέγγιση της απολαβής
αναστροφικού ενισχυτή με Τ.Ε.
Θεωρώντας την ενίσχυση του Τ.Ε. (A ) πεπερασμένης τιμής οι
υπολογισμοί για την ενίσχυση του συνολικού κυκλώματος είναι:
uΓ = −ud = −uo / A
− uo R1 R2
= uo + ui
A R1 + R2 R1 + R2
R2 A
Au =
uo R2
=− ⋅
A ≅ − ⋅ A = − R2 K K= ≅1
R2
ui R1 A + R2 +1 R1 A + R2 R1 A+
R1
R1 R1
Για R2/R1=100 και Α=50.000 προκύπτει Κ=0,998 δηλ. σφάλμα 0,2%

Παράδειγμα Δόμησης Ενισχυτικού Κυκλώματος με Τ.Ε.:
Αναστροφικός αθροιστικός ενισχυτής

• Βασική παράμετρος το ρεύμα ανάδρασης
• Ο Τ.Ε. λειτουργεί γραμμικά, με καλά χαρακτηριστικά:
(ud=0, Ib=0, A→∞ )
i1 + i2 + i3 = i
u1 − uΓ u2 − uΓ u3 − uΓ uΓ − uo
+ + = uΓ = 0
R1 R2 R3 R
Το κύκλωμα αθροίζει πολλές εισόδους:

R R R
uo = − u1 − u2 − u3
R1 R2 R3
Παράδειγμα Δόμησης Ενισχυτικού Κυκλώματος με Τ.Ε.:
Μη αναστροφικός ενισχυτής
Α
R1
uA = uo
R1 + R2
R1
Επειδή ud=0 έχουμε ui=uA ui = uo
R1 + R2
Το κύκλωμα είναι ενισχυτής χωρίς αναστροφή

με ενίσχυση:
 R2 
uo = 1+  ui
 R1 
Ερώτημα: τι συμβαίνει για οριακές τιμές αντιστάσεων; Πχ για R1→∞ ή R2→0 ;;;;
Ειδικά Χαρακτηριστικά:
Λόγος απόρριψης κοινού σήματος (CMRR)
A
ρ=
Ac
Όπου Α η διαφορική απολαβή τάσης και Ac η απολαβή τάσης

κοινού σήματος
Ρυθμός ανόδου Sr (slew rate)
• Η ταχύτητα μεταβολής της τάσης εξόδου είναι πεπερασμένη

• Χωρητικότητες στο κύκλωμα
• Αδυναμία παροχής μεγάλων ρευμάτων φόρτισης
• Ρυθμός ανόδου είναι ο μέγιστος ρυθμός μεταβολής της
τάσης εξόδου
=  ∆uo 
Sr 
 ∆t  max
Τυπική τιμή
Sr=0,5-10V/μsec
Περιορισμός μέγιστης κλίσης & μέγιστης συχνότητας
λόγω Ρυθμού Ανόδου Sr (slew rate)
• Παραμόρφωση τετραγωνικών παλμών εξόδου λόγω

μέγιστης κλίσης Sr (μέγιστου ρυθμού μεταβολής)
Σταθερή κλίση -> διαφορετικό πλάτος για διαφορετικές συχνότητες

Περιορισμός μέγιστης κλίσης & μέγιστης συχνότητας
λόγω Ρυθμού Ανόδου Sr (slew rate)
• Παραμόρφωση ημιτονικού σήματος εξόδου λόγω
μέγιστης κλίσης Sr (μέγιστου ρυθμού μεταβολής)
• Μέγιστη συχνότητα είναι εκείνη για την οποία η μέγιστη
κλίση του ημιτόνου σήματος είναι ίση με το Sr
Η στιγμιαία κλίση ενός ημιτονικού σήματος uo = Vm sin ωt
δίνεται από: duo
= ωVm cos ωt και η μέγιστη τιμή είναι ωVm
dt
Κατά συνέπεια η μέγιστη συχνότητα
Sr
ημιτόνου χωρίς παραμόρφωση: ωVm = Sr => fm =
(εύρος ζώνης πλήρους ισχύος) 2πVm
Παράδειγμα:
fmax= (1V / µ sec) / (2π ⋅ 2V ) = (1 / 4π )MHz = 79, 6KHz
για Τ.Ε. με Sr=1V/μsec και Vm=2V
Απόκλιση μηδενός των τάσεων Vi και Vo
• Η στατική χαρακτηριστική εισόδου-εξόδου ενός ΤΕ δεν

περνάει από την αρχή των αξόνων αλλά παρουσιάζει
απόκλιση
Ισοδύναμο με την Vos

Οι αποκλίσεις εξαρτώνται από
- θερμοκρασία
- τάση τροφοδοσίας
- πάροδο χρόνου
Ρεύματα πόλωσης εισόδου
• Είναι το ρεύμα που εισέρχεται ή εξέρχεται από την είσοδο

για μηδενικό δυναμικό εξόδου
• Η διαφορά των ρευμάτων ορίζεται ως διαφορικό ρεύμα

πόλωσης ή ρεύμα απόκλισης
I b2 − I b1 = I os
Οι αντιστάσεις εισόδου και εξόδου
Μεγάλη αντίσταση εισόδου:

• Διαφορική σύνθετη αντίσταση εισόδου Zid : αποτελείται
από μια ωμική αντίσταση Rid μεγάλης τιμής σε παραλληλία
με μια χωρητικότητα Cid μερικών pF
• Κοινή σύνθετη αντίσταση εισόδου (αντίστοιχα ως προς γη)
Μικρή αντίσταση εξόδου

(~ 20-200 Ohm)
του κυκλώματος ενισχυτή αναστροφής
Η αντίσταση που βλέπουμε στο σημείο Γ είναι

− uo
u uΓ R R
RΓ = Γ = = A = 2 ≅ 2
i uΓ − uo −uo / A − uo 1+ A A Η RΓ έχει πολύ μικρή τιμή
R2 R2
H παράλληλη διαφορική αντίσταση εισόδου Rid έχει πολύ μεγάλη τιμή
Αντίσταση εισόδου του ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ (όχι του Τ.Ε.) : Ri = R1 + RΓ ≅ R1
Απόκριση συχνότητας
του κυκλώματος ενισχυτή αναστροφής
Συχνοτικά διαγράμματα της απολαβής του Τ.Ε. και του
ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ενισχυτή αντιστροφής
R2 1
Au = − ⋅
R1 1+ j f
f p′
f p′ = β Ao f p = β f Τ
Η ενίσχυση του κυκλώματος αναστροφής είναι μειωμένης τιμής (R2/R1)

ΚΑΙ η συχνοτική περιοχή λειτουργίας αυξάνεται κατά βΑο
• Αποτελεί μια πολύ καλή απομονωτική βαθμίδα τάσης με

πολύ μεγάλη αντίσταση εισόδου, πολύ μικρή αντίσταση
εξόδου και ευρεία περιοχή διέλευσης συχνοτήτων
u o = ui − u d
uo
uo = ui −
A
A
uo = ui
A +1
Θεωρώντας Α>>1 έπεται uo≈ui

Ολοκληρωτής με Τ.Ε.
Όταν ο ΤΕ λειτουργεί στη

γραμμική περιοχή έχουμε ud≈0
και συνεπώς i=ui/R
1 t 1 t
uo ( t ) = u c = − ∫ idt = − ∫ u dt
i
C 0 RC 0
Εάν υπάρχει αρχική φόρτιση στον πυκνωτή uc(0)=uo(0)
1 t
uo (t) = uo (0) −
RC ∫ u dt
0 i
Αναστροφικός Ολοκληρωτής !
Παράδειγμα Ανάλυσης Χρονικής Λειτουργίας
του Αναστροφικού Ολοκληρωτή με Τ.Ε.
C=2,5μF
R=1ΜΩ Είσοδος η υi του σχήματος.
Να υπολογισθεί η έξοδος!
για 0<t<t0=2sec
1 t 1 t
uo (t) = −
RC ∫0 ui dt = − 2,5 ∫0 10dt = −4t
για t>t0=2sec
1 t 1 t
uo (t) = uo (to ) −
RC ∫to ui dt = −8 − 2,5 ∫to (−5)dt = 2t −12
Επίδραση του ρεύματος πόλωσης στον Ολοκληρωτή
Ολόκληρο το ρεύμα πόλωσης κατευθύνεται προς την είσοδο

του ΤΕ και από εκεί προς το δρόμο ανάδρασης και φορτίζει
τον πυκνωτή (για μηδενική αρχική τάση)
t
uo (t ) = uc = − 1 ∫ I b1dt = − 1 I b1t
C 0 C
Διαφοριστής
Εξισώσεις:
dui
i=C uo = −Ri
dt
dui
uo = −RC
dt
Σημείωση: Το κύκλωμα επηρεάζεται σημαντικά από θόρυβο

υψηλών συχνοτήτων (γιατί;;;)
Πιθανές λύσεις:
(1) αντίσταση σε σειρά με τον πυκνωτή;
(2) αντίσταση παράλληλα με τον πυκνωτή;
(3) πυκνωτής παράλληλα με την αντίσταση;
(4) πυκνωτής σε σειρά με την αντίσταση;
Ενισχυτής διαφοράς με Τ.Ε.
Ανάλυση Κυκλώματος:
u1 − u A u A − uo
=
R1 R2
R4
u A = uB = u2
R3 + R4
Αντικαθιστώντας προκύπτει:
R4 (R1 + R2 ) R
uo = u 2 − 2 u1 Αν R1=R3 και R2=R4
R1 (R3 + R4 ) R1
uo = − R2 (u1 − u2 )
R1
Αθροιστικός αναστροφικός ολοκληρωτής
1 t
uo = uc = − ∫ idt
C 0
u1 + u2 + u3
i = i1 + i2 + i3 =
R1 R2 R3
1 1 1
∫ ∫ ∫
t t t
uo = − u dt −
1 u dt −2 u dt 3
RC
1 0 RC
2 0 RC 3 0
Μετατροπείς τάσης σε ρεύμα – πηγές
ρεύματος
• Παρέχει ρεύμα στο φορτίο που εξαρτάται από την τάση στην
είσοδο, ενώ είναι ανεξάρτητο από την τιμή του φορτίου
ui
iL =
R1
Περιορισμός της τάσης κόρου

Διαφάνειες 20208

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Διαφάνειες 20208

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

4ο Εξάμηνο Τμήματος Φυσικής

1. Bασικές αρχές λειτουργίας, χρονική και συχνοτική απόκριση των

2. Eισαγωγή στους ημιαγωγούς. Δίοδοι: δομή και χαρακτηριστικά

3. Διπολικά Τρανζίστορ επαφής (BJT): χαρακτηριστικά, σχεδίαση και

4. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET): τύποι FETs, χαρακτηριστικά,

5. Τελεστικοί Ενισχυτές (Op-Amps): χαρακτηριστικά, σχεδίαση και

1. Μικροηλεκτρονικά Κυκλώματα, Τόμος Α, 7η Έκδοση, Sedra

2. Ηλεκτρονικές Διατάξεις & Θεωρία Κυκλωμάτων, 10η Έκδοση,

3. ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ, BEHZAD

4. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ, ΘΕΩΡΙΑ ΚΑΙ ΑΣΚΗΣΕΙΣ,

Ηλεκτρονική Πρόσβαση στο διδακτικό υλικό μέσω του:

• Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο

• Είσοδος κυκλώματος: δυο άκρα του στα οποία επενεργεί πηγή

• Οι συμβατικές φορές της τάσης και του ρεύματος

• Αποτελούν ενεργά στοιχεία ενός κυκλώματος

• Πηγή τάσης είναι πηγή ηλεκτρικής ενέργειας της οποίας η τάση

• Πηγή ρεύματος είναι η πηγή ηλεκτρικής ενέργειας της οποίας

Αν GL>>GS τότε iL≈is οπότε η πηγή συμπεριφέρεται ως ιδανική

• Από ένα δυναμικό V1 μπορούμε να πάρουμε ένα άλλο

• Διαιρέτης τάσης χωρίς φορτίο

• Διαιρέτης τάσης με φορτίο

• Για διαιρέτη τάσης με ρεύμα IL στο φορτίο

• Αντίσταση εισόδου άν τα άκρα Α, Β αφορούν την είσοδο μιας διάταξης

• Επιθυμητά Χαρακτηριστικά: ΜΕΓΑΛΗ αντίσταση εισόδου

• Ηλεκτρικά σήματα είναι χρονικές διαταραχές τάσης και

– Χαρακτηριστικοί χρόνοι Tr, Td, Ts

– Χαρακτηριστικοί χρόνοι: Τ, τ1, τ2

– Στις πραγματικές τριγωνικές κυματομορφές οι γωνίες θα είναι

• Μοναδιαίος κρουστικός παλμός

– Έχει εμβαδόν ίσο με τη μονάδα

• Διαμορφωμένα ημιτονικά σήματα

=u Vm sin (ωc + m f ωm sin ωm t ) t

– Διαμορφωμένα κατά πλάτος και κατά συχνότητα

• Διαμορφωμένα παλμικά σήματα

• Μέση τιμή περιοδικού σήματος

• Ενεργός τιμή συνημιτονικού σήματος

• Αν σήμα με συνημιτονική μορφή εφαρμοστεί στα άκρα μιας

– για είσοδο x(t)=C1x1(t)+ C2x2(t)+… +Cnxn(t)

– παίρνουμε έξοδο y(t)=C1y1(t)+ C2y2(t)+… +Cnyn(t)

• Κάθε σήμα επιφέρει στο γραμμικό κύκλωμα το αποτέλεσμά του ανεξάρτητα

• Γραμμικά κυκλώματα περιέχουν

• Να βρεθεί η τάση στα άκρα της R2

• Προκύπτουν τα ισοδύναμα κυκλώματα

• Συνεπώς η τάση στα άκρα της R2 θα είναι

• Εύρεση της τάσης εξόδου

• Γραμμικό κύκλωμα: εφαρμογή της επαλληλίας για τις δυο

• Θεωρούμε ένα ηλεκτρονικό στοιχείο με δυο άκρα

• Θεωρώντας το στοιχείο Σ γραμμικό σε μικρή περιοχή, έχουμε:

Αλλαγή του σημείου πόλωσης σημαίνει και αλλαγή της δυναμικής

• Χρησιμοποιούνται στην επίλυση κυκλωμάτων

• Η αντίσταση που βλέπουμε στα δυο άκρα του δικτυώματος

• Για να βρούμε την αντίσταση και την αγωγιμότητα πρέπει να

Για το προηγούμενο eT = u AB (αν ) RT =

• Με εφαρμογή του θεωρήματος Thevenin να βρεθεί το ρεύμα

• Τάση που οφείλεται στη πηγή τάσης

• Τάση που οφείλεται στην πηγή ρεύματος

• Αντίσταση που βλέπουμε στα άκρα ΑΒ

• Ισοδύναμο κύκλωμα κατά Thevenin

• Βρίσκουμε την ευθεία φόρτου και υπολογίζουμε το ρεύμα

• Ως δίθυρο (τετράπολο) χαρακτηρίζεται κάθε κύκλωμα που

• Το ρεύμα διαμέσου του άνω ακροδέκτη του ορίζεται ως

uo = Aua ui όπου Aua ≥ 1

Ιδανικός ενισχυτής Πραγματικός ενισχυτής