You are on page 1of 106

ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN


# "

NGUYỄN THANH THÁI

THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG ANTEN VI DẢI


Ở TẦN SỐ 900, 1800 MHz
CHUYÊN NGÀNH: VẬT LÝ VÔ TUYẾN VÀ ĐIỆN TỬ (KỸ THUẬT)
MÃ SỐ: 60 44 03

LUẬN VĂN THẠC SỸ NGÀNH VẬT LÝ ĐIỆN TỬ (KỸ THUẬT)

NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:


TS. LÊ HỮU PHÚC

THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - 2009


LỜI CẢM ƠN

Sau khoảng thời gian học tập cao học tại khoa Điện Tử Viễn Thông trường Đại
Học Khoa Học Tp Hồ Chí Minh, các thầy như vừa mở ra cho tôi một chân trời mới. Ở
đó tôi được sống trong môi trường năng động sáng tạo, cùng các bạn tiếp cận những kỹ
thuật hiện đại. Và tất nhiên không thể thiếu sự hướng dẫn, chỉ bảo tận tình của các thầy
chuyên sâu về Vô Tuyến Điện Tử. Đó là những kiến thức thật sự quí giá và hữu ích
trong cuộc sống cũng như trong công việc của tôi. Tôi chân thành gủi lời cảm ơn đến quý
thầy và kính chúc các thầy thật nhiều sức khoẻ.

Nhân đây tôi muốn gửi lời tri ân đến người thầy, người đã quan tâm lo lắng và tận
tình hướng dẫn tôi trong quá trình thực hiện đề tài, thầy TS. Lê Hữu Phúc. Tôi xin bày
tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến thầy.

Một lần nữa cho tôi gửi lời cảm ơn chân thành đến thầy cô, ba mẹ, bạn bè... tất cả
những người thân yêu đã chỉ bảo quan tâm giúp đỡ tôi hoàn thành tốt đề tài này.

Tp Hồ Chí Minh, tháng 9 năm 2009

Nguyễn Thanh Thái


i

MỤC LỤC
MỤC LỤC....................................................................................................................................... i
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT ................................................................ iv
DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ.......................................................................................... v
DANH MỤC CÁC BẢNG SỐ LIỆU........................................................................................ viii
U

MỞ ĐẦU ....................................................................................................................................... ix
U

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ ANTEN VI DẢI ..................................................................... 1

1.2 ĐẶC TÍNH CỦA ANTEN VI DẢI ...................................................................................... 1

1.3 CÁC PHƯƠNG PHÁP CẤP NGUỒN CHO ANTEN VI DẢI............................................ 3

1.3.1 CẤP NGUỒN BẰNG PROBE ĐỒNG TRỤC.............................................................. 3


1.3.2 CẤP NGUỒN BẰNG ĐƯỜNG TRUYỀN VI DẢI...................................................... 4
1.3.3 CẤP NGUỒN BẰNG PHƯƠNG PHÁP GHÉP KHE .................................................. 6
1.3.4 CẤP NGUỒN BẰNG PHƯƠNG PHÁP GHÉP GẦN.................................................. 7

1.4 HOẠT ĐỘNG CỦA ANTEN VI DẢI ................................................................................ 7

1.5 CÁC MODE HOẠT ĐỘNG CỦA ANTEN VI DẢI VÀ TẦN SỐ CỘNG HƯỞNG ......... 9

CHƯƠNG 2: CÁC MÔ HÌNH PHÂN TÍCH ANTEN VI DẢI .............................................. 11

2.1 MÔ HÌNH ĐƯỜNG TRUYỀN SÓNG ............................................................................. 11

2.1.1 HIỆU ỨNG ĐƯỜNG BIÊN VÀ HẰNG SỐ ĐIỆN MÔI HIỆU DỤNG ................... 12
2.1.2 ĐƯỜNG TRUYỀN VI DẢI ........................................................................................ 15
2.1.3 KÍCH THƯỚC CỦA ANTEN VI DẢI HÌNH CHỮ NHẬT....................................... 20
2.1.4. TỔNG TRỞ NGÕ VÀO CỦA ANTEN VI DẢI........................................................ 22

2.2 MÔ HÌNH HỐC CỘNG HƯỞNG...................................................................................... 27

2.2.1 ĐẶC TÍNH TRƯỜNG VÀ MẬT ĐỘ DÒNG TƯƠNG ĐƯƠNG.............................. 27


2.2.2 TRƯỜNG BỨC XẠ CỦA ANTEN VI DẢI ............................................................... 33

2.3 CÁC THÔNG SỐ KHÁC CỦA ANTEN VI DẢI ............................................................ 37

2.3.1 ĐỘ ĐỊNH HƯỚNG .................................................................................................... 37


ii

2.3.2 ĐỘ RỘNG CỦA BÚP SÓNG .................................................................................... 39


2.3.3 SUY HAO VÀ HỆ SỐ PHẨM CHẤT Q ................................................................... 40
2.3.4 HIỆU SUẤT BỨC XẠ ............................................................................................... 42
2.3.5 BĂNG THÔNG VÀ ĐỘ LỢI ..................................................................................... 42
CHƯƠNG 3: THIẾT KẾ V À M Ô PH ỎNG .......................................................................... 44

3.1. GIỚI THIỆU ...................................................................................................................... 44


U

3.2. LỰA CHỌN LỚP ĐIỆN MÔI........................................................................................... 47

3.3. LỰA CHỌN TẦN SỐ HOẠT ĐỘNG (TẦN SỐ CỘNG HƯỞNG)................................. 51

3.4. TÍNH CHIỀU RỘNG CỦA ANTEN VI DẢI HÌNH CHỮ NHẬT .................................. 51

3.5. TÍNH HẰNG SỐ ĐIỆN MÔI HIỆU DỤNG..................................................................... 52

3.6. TÍNH CHIỀU DÀI HIỆU DỤNG CỦA ANTEN VI DẢI ................................................ 52

3.7. TÍNH CHIỀU DÀI PHẦN MỞ RỘNG CỦA ANTEN VI DẢI........................................ 53

3.8. TÍNH CHIỀU DÀI THỰC TẾ CỦA ANTEN VI DẢI ..................................................... 54

3.9. TÍNH KÍCH THƯỚC CỦA MẶT PHẲNG ĐẤT............................................................. 55

3.10. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG CHO ANTEN VI DẢI ......................................................... 55

3.10.1. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG BẰNG ĐƯỜNG TRUYỀN VI DẢI DÀI λ / 4 ............ 56
3.10.3. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG BẰNG ĐẶT LỆCH ĐƯỜNG TRUYỀN VI DẢI......... 57
3.10.4. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG BẰNG INSET-FEED.................................................... 59

3.11. CÁC THÔNG SỐ KHÁC................................................................................................ 60

3.11.1 ĐỒ THỊ BỨC XẠ...................................................................................................... 60


3.11.2. HIỆU XUẤT BỨC XẠ, ĐỘ ĐỊNH HƯỚNG VÀ ĐỘ LỢI ..................................... 62
CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG ANTEN VI DẢI BẰNG PHẦN MỀM IE3D ............................. 64

4.1. PHƯƠNG PHÁP MOMENT............................................................................................. 64

4.2 MÔ PHỎNG ANTEN VI DẢI CÓ TẦN SỐ HOẠT ĐỘNG 900 MHz............................. 67

4.2.1 SUY HAO PHẢN XẠ VÀ BĂNG THÔNG CỦA ANTEN ....................................... 68


4.2.2 TRỞ KHÁNG NGÕ VÀO........................................................................................... 69
4.2.3 ĐỒ THỊ BỨC XẠ........................................................................................................ 69
iii

4.2.4 ĐỒ THỊ ĐỘ LỢI CỦA ANTEN THEO TẦN SỐ...................................................... 71


4.2.5 ĐỒ THỊ TỶ SỐ SÓNG ĐỨNG ĐIỆN ÁP .................................................................. 72
4.2.6 HƯỚNG TÍNH CỦA ANTEN .................................................................................... 73
4.2.7 MỘT SỐ KẾT QUẢ MÔ PHỎNG KHÁC.................................................................. 74
4.2.8 SO SÁNH KẾT QUẢ MÔ PHỎNG............................................................................ 76

4.3 MÔ PHỎNG ANTEN VI DẢI CÓ TẦN SỐ HOẠT ĐỘNG 1800 MHz........................... 78

4.3.1 SUY HAO PHẢN XẠ VÀ BĂNG THÔNG CỦA ANTEN ....................................... 79


4.3.2 TRỞ KHÁNG NGÕ VÀO........................................................................................... 80
4.3.3 ĐỒ THỊ BỨC XẠ........................................................................................................ 80
4.3.4 ĐỒ THỊ ĐỘ LỢI CỦA ANTEN THEO TẦN SỐ....................................................... 82
4.3.5 ĐỒ THỊ TỶ SỐ SÓNG ĐỨNG ĐIỆN ÁP .................................................................. 83
4.3.6 HƯỚNG TÍNH CỦA ANTEN .................................................................................... 84
4.3.7 MỘT SỐ KẾT QUẢ MÔ PHỎNG KHÁC.................................................................. 85
4.3.8 SO SÁNH KẾT QUẢ MÔ PHỎNG............................................................................ 87
KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN................................................................................. 90

KẾT LUẬN............................................................................................................................... 90

HƯỚNG PHÁT TRIỂN............................................................................................................ 90

TÀI LIỆU THAM KHẢO .......................................................................................................... 91


iv

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT


TM Transverse Magnetic Wave Sóng từ ngang
TE Transverse Elctric Wave Sóng điện ngang
TEM Transverse Electromagnetic Wave Sóng điện từ ngang
MOM Moment Of Method Phương pháp moment
FEM Finite Element Method Phương pháp phần tử hữu hạn
FDTD Finite Difference Time Domain Phương pháp sai phân hữu hạn
AF Array Factor Hệ số dãy
2D Two Dimensional Hai chiều
3D Three Dimensional Ba chiều
VSWR Voltage Standing Wave Ratio Tỷ số điện áp sóng đứng
BW Bandwidth Băng thông
v

DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ

Hình 1.1 Cấu trúc của một phần tử anten vi dải hình chữ nhật .........................................2
Hình 1.2 Một số dạng anten vi dải thông dụng ..................................................................3
Hình 1.3 Anten vi dải với đường tiếp điện đồng trục và mạch tương đương .....................4
Hình 1.4 Anten vi dải với đường tiếp điện vi dải và mạch tương đương............................5
Hình 1.5 Các kỹ thuật phối hợp trở kháng bằng đường truyền vi dải................................5
Hình 1.6 Anten vi dải với kỹ thuật ghép khe và mạch tương đương...................................6
Hình 1.7 Anten vi dải với kỹ thuật ghép gần và mạch tương đương ..................................7
Hình 1.8 Hoạt động của anten vi dải..................................................................................8
Hình 1.9 Sóng phản xạ của anten vi dải .............................................................................9
Hình 2.1 Mô hình đường truyền sóng ...............................................................................12
Hình 2.2 Hiệu ứng đường biên xung quanh anten vi dải...................................................13
Hình 2.3 Đường truyền vi dải ...........................................................................................13
Hình 2.4 Hiệu ứng đường biên của anten vi dải................................................................14
Hình 2.5 Hằng số điện môi hiệu dụng của anten vi dải....................................................14
Hình 2.6 Đường truyền vi dải ...........................................................................................15
Hình 2.7 Cấu trúc và mô hình truyền sóng (TEM) của đường truyền vi dải [6]...............17
Hình 2.8 Phân bố điện trường ..........................................................................................21
Hình 2.9 Mạch tương đương của mô hình đường truyền sóng.........................................22
Hình 2.10 Anten vi dải với đường cấp nguồn inset-feed ...................................................26
Hình 2.11 Phân bố điện tích và mật độ dòng trên anten vi dải ........................................28
Hình 2.12 Mô hình hộp cộng hưởng của anten vi dải .......................................................28
Hình 2.13 Mô hình hốc cộng hưởng cho anten vi dải ......................................................33
Hình 2.14 Dòng tương đương tại hai khe bức xạ .............................................................34
Hình 2.15 Bức xạ từ một khe.............................................................................................35
Hình 2.16 Mẫu bức xạ của anten vi dải trong mặt phẳng E và H [7]..............................37
Hình 3.1 Lưu đồ giải thuật của chương trình thiết kế và mô phỏng anten vi dải.............45
Hình 3.2 Giao di ện chương trình thiết kế và mô phỏng anten vi dải ..............................46
vi

Hình 3.3 Anten vi dải với đường cấp nguồn λ / 4 .............................................................56


Hình 3.4 Anten vi dải với đường cấp nguồn đặt lệch khỏi điểm giữa ..............................58
Hình 3.5 Anten vi dải với kỹ thuật cấp nguồn inset-feed ..................................................59
Hình 3.6 Mẫu bức xạ trong mặt phẳng E (anten có tần số cộng hưởng 900MHz) ..........61
Hình 3.7 Mẫu bức xạ trong mặt phẳng E (anten có tần số cộng hưởng 1800MHz) ........61
Hình 3.8 Mẫu bức xạ trong mặt phẳng H (anten có tần số cộng hưởng 900MHz)..........62
Hình 3.9 Mẫu bức xạ trong mặt phẳng H (anten có tần số cộng hưởng 1800MHz)........62
Hình 4.1 Cấu trúc của anten vi dải 900 MHz dùng trong mô phỏng ...............................68
Hình 4.2 Đồ thị thông số S của anten vi dải 900 MHz .....................................................68
Hình 4.3 Đồ thị thông số Z của anten vi dải 900 MHz .....................................................69
Hình 4.4 Đồ thị bức xạ 2D của anten vi dải 900 MHz với φ = 00 ...................................70
Hình 4.5 Đồ thị bức xạ 2D của anten vi dải 900MHz với φ = 900 ..................................70
Hình 4.6 Đồ thị bức xạ của anten vi dải 900 MHz trong toạ độ xyz ................................71
Hình 4.7 Độ lợi của anten vi dải 900 MHz.......................................................................72
Hình 4.8 Đồ thị sóng đứng điện áp của anten vi dải 900 MHz ........................................73
Hình 4.9 Đồ thị hướng tính của anten vi dải 900 MHz .....................................................74
Hình 4.10 Mẫu bức xạ 3D của anten vi dải 900 MHz ......................................................75
Hình 4.11 Phân bố dòng trên anten vi dải 900 MHz........................................................75
Hình 4.12 Phân bố dòng và vector dòng trên anten vi dải 900 MHz ...............................76
Hình 4.13 So sánh mẫu bức xạ H plane của anten vi dải 900 MHz .................................77
Hình 4.14 So sánh mẫu bức xạ E plane của anten vi dải 900 MHz .................................78
Hình 4.15 Cấu trúc của anten vi dải 1800 MHz dùng trong mô phỏng ...........................79
Hình 4.16 Đồ thị thông số S của anten vi dải 1800 MHz .................................................79
Hình 4.17 Đồ thị thông số Z của anten vi dải 1800 MHz .................................................80
Hình 4.18 Đồ thị bức xạ 2D của anten vi dải 1800 MHz với φ = 00 ...............................81
Hình 4.19 Đồ thị bức xạ 2D của anten vi dải 1800MHz với φ = 900 ..............................81
Hình 4.20 Đồ thị bức xạ của anten vi dải 1800 MHz trong toạ độ xyz ............................82
Hình 4.21 Độ lợi của anten vi dải 1800 MHz...................................................................83
Hình 4.22 Đồ thị sóng đứng điện áp của anten vi dải 1800 MHz ....................................84
vii

Hình 4.23 Đồ thị hướng tính của anten vi dải 1800 MHz ................................................85
Hình 4.24 Mẫu bức xạ 3D của anten vi dải 1800 MHz ....................................................86
Hình 4.24 Phân bố dòng và vector dòng trên anten vi dải 1800 MHz .............................86
Hình 4.25 Phân bố dòng và vector dòng trên anten vi dải 900 MHz ...............................87
Hình 4.26 So sánh mẫu bức xạ H plane của anten vi dải 1800 MHz ...............................88
Hình 4.27 So sánh mẫu bức xạ E plane của anten vi dải 1800 MHz ...............................89
viii

DANH MỤC CÁC BẢNG SỐ LIỆU

Bảng 1 Các đặc tính của một số loại vật liệu điện môi ....................................................49
Bảng 2 Các loại vật liệu điện môi thông dụng dùng trong thiết kế anten vi dải. .............50
Bảng 3 Chiều rộng của anten vi dải hình chữ nhật ..........................................................51
Bảng 4 Hằng số điện môi hiệu dụng.................................................................................52
Bảng 5 Chiều dài của anten vi dải....................................................................................53
Bảng 6 Phần mở rộng chiều dài của anten vi dải............................................................54
Bảng 7 Chiều dài của anten vi dải....................................................................................54
Bảng 8 Kích thước của mặt phẳng đất .............................................................................55
Bảng 9 Độ rộng đường truyền vi dải λ / 4 ........................................................................57
Bảng 10 Khoảng độ lệch z của đường truyền vi dải so với anten ...................................59
Bảng 11 Vị trí của inset-feed ............................................................................................60
Bảng 12 Độ định hướng, độ lợi và hiệu suất của anten .................................................63
Bảng 13 So sánh kết quả mô phỏng trong chương trình thiết kế và mô phỏng anten vi dải
và phần mềm IE3D.............................................................................................................77
Bảng 14 So sánh kết quả mô phỏng anten trong chương trình thiết kế và mô phỏng anten
vi dải và phần mềm IE3D...................................................................................................88
ix

MỞ ĐẦU

Ngày nay, trong hầu hết các lĩnh vực nghiên cứu và chế tạo thì công việc thiết kế
và mô phỏng đóng vai trò rất quan trọng. Trước khi chế tạo thử nghiệm một sản phẩm
nào đó thì thông thường người ta sẽ thiết kế sản phẩm đó trước rồi mới tiến hành mô
phỏng. Sau khi mô phỏng đạt kết quả tốt người ta mới tiến hành sản xuất thử nghiệm. Có
như vậy mới có thể tiết kiệm được thời gian và chi phí sản xuất thử nghiệm. Hơn nữa,
trong một số lĩnh vực việc tiến hành thử nghiệm trong thực tế gặp rất nhiều khó khăn và
không an toàn thì giải pháp dùng máy tính để thiết kế và mô phỏng trước là một giải pháp
vừa an toàn, vừa hiệu quả.
Phương pháp thiết kế và mô phỏng phải được tiến hành và giải quyết theo từng
yêu cầu cụ thể, thậm chí với cùng một yêu cầu có thể có nhiều phương pháp thiết kế và
mô phỏng khác nhau, mỗi phương pháp có những ưu điểm và khuyết điểm riêng. Việc
chọn lựa phương pháp thiết kế và mô phỏng tuỳ thuộc vào mục đích và khả năng của
người thực hiện.
Hiện nay, anten được ứng dụng rất rộng rãi trong nhiều lĩnh vực khác nhau như:
trong hàng không vũ trụ, thông tin vệ tinh, các thiết bị thông tin và truyền thông, trong
các hệ thống mimo. Tuy nhiên, trước khi chế tạo thử nghiệm một mẫu anten thông
thường người ta phải qua quá trình thiết kế và mô phỏng. Các mô hình tương đương dùng
trong phân tích và mô phỏng anten nhằm mục đích giảm bớt các chu trình thử nghiệm,
đánh giá chính xác các ưu và khuyết điểm của anten, cung cấp các nguyên lý hoạt động
của anten. Các mô hình này có khả năng dự đoán trước các đặc tính bức xạ của anten
như: mẫu bức xạ, độ lợi, phân cực, tổng trở ngõ vào, băng thông, mạch tương hỗ và hiệu
xuất của anten…
Đối với anten vi dải (microstrip antenna) để đánh giá hoạt động của nó người ta
thường dùng hai mô hình phổ biến sau: mô hình đường truyền sóng (transmission line
model), mô hình hốc cộng hưởng (cavity model). Ngoài ra còn có mô hình toàn sóng (full
wave model) dùng trong phân tích anten vi dải và mô hình này được chia thành các
x

phương pháp như sau: phương pháp moment (MoM), phương pháp phần tử hữu hạn
(FEM), phương pháp sai phân hữu hạn trong miền thời gian (FDTD)…Trong các kỹ thuật
phân tích anten vi dải trên, mô hình đường truyền sóng là đơn giản nhất nhưng độ chính
xác không cao. Mô hình hốc cộng hưởng chính xác hơn nhưng cũng khó áp dụng cho các
anten có hiệu ứng ghép cặp. Mô hình toàn sóng là chính xác nhất, có khả năng phân tích
nhiều dạng anten vi dải khác nhau nhưng rất phức tạp. Nó đòi hỏi thời gian tính toán lâu
do đó mô hình này thường được áp dụng trong các phần mềm thương mại. Tuy nhiên, mô
hình toàn sóng lại cho ít hiểu biết về vật lý hơn mô hình đường truyền sóng và mô hình
hốc cộng hưởng. Mặc dù hai mô hình này cho kết quả kém chính xác hơn.
Hiện nay, đã có nhiều đề tài nghiên cứu về anten vi dải như: mô phỏng truyền
sóng điện từ bằng phương pháp FDTD – Áp dụng khảo sát anten vi dải và mạch lọc ở
siêu tần của Phạm Ngọc Sơn (Trường ĐH KHTN TP HCM), phân tích anten vi dải của
Hà Huy Hùng (Trường ĐH BK TPHCM), sử dụng phương pháp FDTD khảo sát anten vi
dải của Nguyễn Chương Đỉnh (Trường ĐH BK TPHCM), thiết kế thử nghiệm anten vi
dải của Vũ Đình Thành, Nguyễn Thanh Tâm, Trần Minh Tú (Trường ĐH BK
TPHCM)...Tuy nhiên, các đề tài này chủ yếu áp dụng phương pháp FDTD trong mô
phỏng anten vi dải hình chữ nhật. Nhược điểm của phương pháp này là phải biết trước
kích thước vật lý của anten. Do đó, đề tài của tác giả sẽ tập trung nghiên cứu mô hình
đường truyền sóng và mô hình hốc cộng hưởng để áp dụng trong thiết kế và mô phỏng
anten vi dải hình chữ nhật. Hai mô hình này tương đối đơn giản nhưng có khả năng tính
toán được các thông số cơ bản của anten vi dải hình chữ nhật.
Nhiệm vụ của đề tài là phải tính toán thiết kế và mô phỏng anten vi dải hình chữ
nhật dựa vào hai mô hình này. Tuy nhiên, để kiểm chứng kết quả mô phỏng được đề tài
sẽ sử dụng thêm một phần mềm thương mại IE3D. Phần mềm này ứng dụng phương
pháp momment trong mô hình toàn sóng để tính trường bức xạ của anten vi dải.
Đề tài được thực hiện dựa trên sự trợ giúp của phần mềm Matlab, phiên bản 7.0.
Nội dung lý thuyết của đề tài được trích dẫn dựa trên nhiều nguồn tài liệu sách báo khác
nhau, các phần trích dẫn quan trọng sẽ có chú thích rõ ràng. Các nguồn tài liệu được tác
xi

giả sưu tầm trên mạng và qua sự giúp đỡ nhiệt tình của thầy cô, bạn bè, đặc biệt là của
thầy hướng dẫn đề tài.
Nội dung của đề tài gồm:
• Tìm hiểu về anten vi dải và các phương pháp phân tích hoạt động của anten vi
dải.
• Khảo sát mô hình đường truyền sóng và mô hình hốc cộng hưởng.
• Áp dụng các kết quả thu được để tính toán thiết kế và mô phỏng một anten vi
dải hình chữ nhật
• Mô phỏng anten vi dải đã thiết kế ở trên bằng phần mềm IE3D để kiểm chứng
kết quả
Đề tài được chia làm bốn chương. Quan trọng nhất là chương hai, chương này
trình bày mô hình đường truyền sóng và mô hình hốc cộng hưởng áp dụng vào cho anten
vi dải hình chữ nhật.
• Chương 1: Giới thiệu tổng quan về anten vi dải.
• Chương 2: Trình bày mô hình đường truyền sóng và mô hình hốc cộng hưởng
áp dụng cho anten vi dải hình chữ nhật để tính toán các thông số đặc trưng của
anten.
• Chương 3: Áp dụng các kết quả thu được để thiết kế chương trình tính toán và
mô phỏng anten vi dải hình chữ nhật
• Chương 4: Ứng dụng chương trình IE3D để mô phỏng anten vi dải đã thiết kế
và kiểm chứng kết quả mô phỏng ở chương 3.
1

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ ANTEN VI DẢI

1.1 GIỚI THIỆU VỀ ANTEN VI DẢI

Anten vi dải (microstrip antenna) đã được chú ý nghiên cứu và phát triển từ những
năm 1970, mặc dù những thiết kế đầu tiên và những mô hình lý thuyết xuất hiện từ những
năm 1950. Ngày nay, anten vi dải xuất hiện trong hầu hết các lĩnh vực, đặc biệt là trong
lĩnh vực hàng không vũ trụ, thông tin vệ tinh, các thiết bị thông tin và truyền thông. Đây
là loại anten có khối lượng và kích thước nhỏ gọn, bề dày mỏng, cấu trúc đơn giản, rẻ
tiền, dễ sản xuất hàng loạt nhờ công nghệ mạch in. Ngoài ra, anten loại này còn có sự
linh hoạt về tần số cộng hưởng, khả năng phân cực tuyến tính với các kỹ thuật cấp nguồn
đơn giản, các đường cấp nguồn và các mạch phối hợp trở kháng có thể thực hiện đồng
thời cùng với việc chế tạo anten.

Tuy nhiên, anten dạng này cũng có một số nhược điểm như: hiệu xuất thấp (do suy
hao của điện môi và điện dẫn), khả năng tích trữ công suất thấp, ảnh hưởng bức xạ nguồn
nuôi (do sóng bề mặt, đường truyền vi dải…), băng thông hẹp (khoảng một vài phần
trăm), hầu hết đều bức xạ trong nữa không gian phía trên mặt phẳng đất, một số loại có
độ lợi thấp…

Anten vi dải được ứng dụng trong dải tần GHz (f > 0.5 GHz). Đối với những tần
số thấp hơn thì kích thước của anten trở nên quá lớn.

1.2 ĐẶC TÍNH CỦA ANTEN VI DẢI

Anten vi dải hay còn được gọi là anten mạch vi dải vì nó có kích thước rất nhỏ và
được chế tạo trên một bản mạch in. Thực chất anten vi dải là một dạng anten có kết cấu
bức xạ kiểu khe.

Mỗi phần tử anten vi dải bao gồm các phần chính là một bản mặt kim loại (patch)
được đặt trên một lớp điện môi nền (dielectric substrate) và một bộ phận tiếp điện. Cấu
2

trúc điển hình của một phần tử anten vi dải có dạng hình chữ nhật được cho trong hình
1.1

Hình 1.1 Cấu trúc của một phần tử anten vi dải hình chữ nhật

Các thông số cấu trúc cơ bản của một phần tử anten vi dải là chiều dài L, chiều
rộng W, bề dày của bản kim loại t, độ dẫn điện của bản kim loại σ , chiều dày lớp điện
môi h, hằng số điện môi ε , suy hao tiếp tuyến (loss tangent) của lớp điện môi tan( δ ).

Bản kim loại rất mỏng, nhỏ hơn nhiều so với bước sóng truyền trong không gian
tự do (t << λ0 ). Tuy nhiên, độ dày này phải ít nhất lớn hơn một vài lần so với độ sâu của
lớp mặt ngoài vì nếu độ dày của bản kim loại nhỏ hơn độ sâu của lớp mặt ngoài thì những
tổn thất thuần trở sẽ làm giảm hiệu suất bức xạ của anten. Chiều dài L của bản kim loại
thường trong khoảng ( λ0 /3 < L < λ0 /2).

Chiều dày lớp điện môi h và hằng số điện môi ε đóng vai trò quan trọng trong các
thông số bức xạ của anten. Độ dày h của lớp điện môi thường trong khoảng (0.002 λ0 < h
< 0.1 λ0 ), hằng số điện môi ε thường trong khoảng (2.2 < ε < 12). Lớp điện môi dày với
hằng số điện môi nhỏ hơn 2.2 sẽ tăng hiệu quả sử dụng của anten: dải tần rộng, suy hao
do bức xạ đường biên không đáng kể, nhưng kích thước anten sẽ lớn. Những vật liệu có
hằng số điện môi nhỏ hơn 2.2 và lớn hơn 12 thường không phổ biến trong những thiết kế
thương mại.
3

Ngoài ra anten vi dải còn có các hình dạng khác như: hình vuông, hình tròn, hình
tam giác, hình vành khăn, hình ellip …được mô tả trong hình 1.2

Hình 1.2 Một số dạng anten vi dải thông dụng

1.3 CÁC PHƯƠNG PHÁP CẤP NGUỒN CHO ANTEN VI DẢI

Có nhiều phương pháp cấp nguồn (tiếp điện) hay truyền năng lượng điện từ cho
anten vi dải. Bốn phương pháp phổ biến nhất là: cấp nguồn bằng đường truyền vi dải, cấp
nguồn bằng probe đồng trục, cấp nguồn bằng phương pháp ghép gần, cấp nguồn bằng
phương pháp ghép khe.

1.3.1 CẤP NGUỒN BẰNG PROBE ĐỒNG TRỤC

Probe đồng trục là một kỹ thuật rất phổ biến thường được dùng để cấp nguồn cho
anten vi dải. Một dây dẫn điện bên trong đầu nối đồng trục được kéo dài xuyên qua lớp
điện môi và được hàn với bản kim loại bức xạ phía trên, còn phần bên ngoài đầu nối được
nối với mặt phẳng đất như trong hình 1.3. Thuận lợi chính của kỹ thuật tiếp điện này là
đường tiếp điện có thể đặt ở bất kỳ vị trí nào bên trong bản kim loại nhằm mục đích phối
hợp trở kháng với tổng trở ngõ vào của nó. Phương pháp tiếp điện này rất dể sản xuất và
ít gây bức xạ không mong muốn. Tuy nhiên, khó khăn lớn nhất của kỹ thuật này là cho
băng thông hẹp, khó khoan một lỗ nhỏ trong lớp điện môi, hàn dây dẫn bên trong đầu nối
đồng trục vào bản kim loại và để đầu nối vừa nhô ra phia bên ngoài mặt phẳng đất. Đối
4

với những lớp điện môi dày (h > 0.02 λ0 ) kỹ thuật này lại càng khó thực hiện bởi vì chiều
dài của dây dẫn bên trong đầu nối dài hơn làm thay đổi tổng trở ngõ vào ảnh hưởng đến
vấn đề phối hợp trở kháng.

Hình 1.3 Anten vi dải với đường tiếp điện đồng trục và mạch tương đương

1.3.2 CẤP NGUỒN BẰNG ĐƯỜNG TRUYỀN VI DẢI

Trong kỹ thuật tiếp điện này, một đường dẫn điện vi dải được nối trực tiếp với
cạnh của anten vi dải như trong hình 1.4. Chiều rộng của đường truyền này phải nhỏ hơn
chiều rộng của anten vi dải.
5

Hình 1.4 Anten vi dải với đường tiếp điện vi dải và mạch tương đương

Phương pháp này tiện lợi khi đường truyền vi dải có thể được thực hiện trên cùng
một lớp điện môi. Để phối hợp trở kháng có thể sử dụng kỹ thuật đường truyền một phần
tư bước sóng ( λ / 4 - quarterwave line), đặt lệch vị trí của đường cấp tín hiệu so với điểm
trung tâm (offset feed line) hay cắt sâu vào chiều rộng của bản kim loại một đoạn (inset
feed line) như hình 1.5. Các kỹ thuật này rất dễ chế tạo và sản xuất cũng như dễ dàng
trong việc phối hợp trở kháng. Tuy nhiên phương pháp này sẽ làm gia tăng sóng bề mặt,
những bức xạ không mong muốn và ảnh hưởng đến băng thông. Ngoài ra chúng ta có thể
cấp nguồn cho anten vi dải bằng các kỹ thuật không tiếp xúc để hạn chế những vấn đề
này.

a. Quarterwave feed line b. Inset feed line

c. Offset feed line

Hình 1.5 Các kỹ thuật phối hợp trở kháng bằng đường truyền vi dải
6

1.3.3 CẤP NGUỒN BẰNG PHƯƠNG PHÁP GHÉP KHE

Trong kỹ thuật này, bản kim loại bức xạ và đường tiếp điện vi dải được đặt tách
biệt nhau bởi một mặt phẳng đất như hình 1.6. Việc ghép bản kim loại và đường cấp tín
hiệu được thực hiện thông qua một khe trong mặt phẳng đất. Khe ghép luôn đặt ở giữa và
dưới bản kim loại nhằm giảm bớt phân cực chéo do cấu trúc đối xứng. Khoảng ghép giữa
đường tiếp điện và bản kim loại được xác định bằng kích thước và vị trí của khe. Mặt
phẳng đất tách biệt so với đường truyền và bản kim loại nên bức xạ không mong muốn là
cực tiểu. Thông thường, vật liệu có hằng số điện môi lớn và dày dùng cho lớp dưới còn
vật liệu có hằng số điện môi nhỏ và mỏng hơn sử dụng ở lớp trên nhằm tối ưu bức xạ từ
bản kim loại. Bất lợi chính của phương pháp này là khó sản xuất, chế tạo do có nhiều lớp,
cũng chính vì vậy mà làm cho anten trở nên dày hơn. Loại tiếp điện này có băng thông rất
rộng.

Hình 1.6 Anten vi dải với kỹ thuật ghép khe và mạch tương đương
7

1.3.4 CẤP NGUỒN BẰNG PHƯƠNG PHÁP GHÉP GẦN

Trong kỹ thuật này, đường cấp tín hiệu được đặt giữa hai lớp điện môi và bản kim
loại bức xạ được đặt ở lớp điện môi trên cùng như hình 1.7. Ưu điểm của phương pháp
này là cho băng thông rộng và loại bỏ bức xạ trên đường tiếp điện. Kỹ thuật này cho phép
chọn hai lớp điện môi khác nhau cho bản kim loại bức xạ và cho đường truyền tín hiệu
nhằm mục đích tối ưu những hoạt động riêng rẽ của hai phần tử này. Việc phối hợp trở
kháng có thể thực hiện bằng cách điều chỉnh chiều rộng của đường cấp tín hiệu và tỉ số
chiều dài và rộng của bản kim loại. Khó khăn chính của phương pháp này là việc chế tạo,
sản xuất bởi vì nó có tới hai lớp điện môi và cũng làm cho anten dày hơn.

Hình 1.7 Anten vi dải với kỹ thuật ghép gần và mạch tương đương

1.4 HOẠT ĐỘNG CỦA ANTEN VI DẢI

Anten vi dải được chế tạo bằng cách ăn mòn một lớp đồng trên một nền điện môi.
Kích thước và hình dạng của anten phụ thuộc vào tần số cộng hưởng và các thông số bức
xạ. Để nghiên cứu hoạt động của anten vi dải ta xét một anten vi dải hình chữ nhật điển
hình như hình 1.8. Nó có một đường cấp nguồn được điều hợp ở 50 Ω . Sự phối hợp trở
8

kháng thu được giữa điểm đầu của anten và đường cấp nguồn bằng cách đặt đường cấp
nguồn lệch khỏi điểm giữa một khoảng.

Hình 1.8 Hoạt động của anten vi dải

Sóng cần truyền đi di chuyển vào anten qua đường cấp nguồn và lan rộng xuống
phía dưới. Sau đó nó tiến sát đến cạnh của anten, tại đây một phần năng lượng sẽ phản xạ
trở lại và phần còn lại sẽ bức xạ ra không gian tự do. Sóng phản xạ dội lại và tiến vào
anten cho đến khi nó tắt dần như hình 1.9. Một phần năng lượng cộng hưởng này quay
trở lại nguồn, một phần bị triệt tiêu trong lớp điện môi và phần còn lại bức xạ ra không
gian tự do.

Tần số của sóng tại điểm cộng hưởng thì điện trường xung quanh các cạnh có biên
độ cực đại. Do đó, điện trường bức xạ sẽ lớn nhất tại tần số cộng hưởng.
9

Hình 1.9 Sóng phản xạ của anten vi dải

1.5 CÁC MODE HOẠT ĐỘNG CỦA ANTEN VI DẢI VÀ TẦN SỐ CỘNG
HƯỞNG

Khi áp sóng có bước sóng sắp sỉ một nữa chiều dài của anten thì anten vi dải cộng
hưởng ở nhiều sóng λ / 2 đó là: λ , 3λ / 2 , …Những tần số cộng hưởng này tạo nên các
mode của anten.

Nếu điện trường áp vào chỉ có thành phần theo hướng x và từ trường chỉ có thành
phần theo hướng y thì sóng sẽ lan truyền theo hướng z. Mode từ ngang (TM) tồn tại khi
trường Hx bằng không và mode điện ngang (TE) tồn tại khi trường Ey bằng không. Do đó,
anten vi dải có trường Hx bằng không nên chỉ có mode TM.

Điện trường ở vùng dưới bản kim loại tại tần số cộng hưởng được cho bởi [8]:

mπx nπy
E z = E0 cos( ) cos( ) (1.1)
W L

Với m, n = 0, 1,2, …Là các mode của anten. Giá trị n biểu diễn sự cộng hưởng dọc
theo chiều dài của anten và giá trị m biểu diễn sự cộng hưởng dọc theo chiều rộng của
anten.

Do đó, tần số cộng hưởng của anten được xác định như sau :
10

c
f mn = k mn (1.2)
2π ε r

mπ 2 nπ 2
Với: k mn
2
=( ) +( )
W L

Công thức trên tính gần đúng những tần số cộng hưởng nhưng với giả thuyết là
các bức tường từ xung quanh bản kim loại là hoàn hảo và do đó không tính đến các
trường biên ở các cạnh của anten. Vì thế, tác giả James [14] đã đề xuất một công thức cải
tiến như sau :

εr 1
f r1 = f r 0 (1.3)
ε r (W )ε r ( L) 1 + Δ

Với :

h ⎧ 0.164(ε r − 1) ε r + 1 ⎡ ⎛W ⎞⎤ ⎫
Δ= ⎨0.882 + + ⎢ 0.758 + ln⎜ + 1.88 ⎟⎥ ⎬ (1.4)
W⎩ εr2
πε r ⎣ ⎝h ⎠⎦ ⎭

εr +1 εr −1 ⎛ L ⎞
ε r (L ) = + F⎜ ⎟ (1.5)
2 2 ⎝h⎠

εr +1 εr −1 ⎛ W ⎞
ε r (W ) = + F⎜ ⎟ (1.6)
2 2 ⎝h⎠

⎧ −
1
2
⎛ h ⎞
⎪⎜1 + 12 ⎟ + 0.04⎛⎜1 − A ⎞⎟
2 a
≤1
⎛a⎞ ⎪ a⎠ ⎝ h⎠ h
F ⎜ ⎟ = ⎨⎝ 1
⎝ h ⎠ ⎪⎛ h⎞ 2

a
⎪⎜ 1 + 12 ⎟ >1
⎩⎝ a⎠ h
11

CHƯƠNG 2: CÁC MÔ HÌNH PHÂN TÍCH


ANTEN VI DẢI
Các mô hình tương đương dùng trong phân tích anten vi dải nhằm mục đích giảm
bớt các chu trình thử nghiệm, đánh giá chính xác các ưu và khuyết điểm của anten, cung
cấp các nguyên lý hoạt động của anten vi dải. Các mô hình này có khả năng dự đoán
trước các đặc tính bức xạ của anten như: mẫu bức xạ, độ lợi, phân cực, tổng trở ngõ vào,
băng thông, mạch tương hỗ và hiệu xuất của anten…
Trong thực tế để đánh giá hoạt động của anten vi dải có hai mô hình phổ biến sau:
mô hình đường truyền vi dải, mô hình hốc cộng hưởng. Ngoài ra còn có các phương pháp
khác phân tích toàn sóng anten vi dải như: phương pháp moment (MoM), phương pháp
phần tử hữu hạn (FEM), phương pháp sai phân hữu hạn trong miền thời gian
(FDTD)…Trong các kỹ thuật phân tích anten vi dải trên, mô hình đường truyền vi dải là
đơn giản nhất nhưng độ chính xác không cao. Mô hình hốc cộng hưởng chính xác hơn
nhưng cũng khó áp dụng cho các anten có hiệu ứng ghép cặp. Mô hình toàn sóng là chính
xác nhất, có khả năng phân tích nhiều dạng anten vi dải khác nhau nhưng rất phức tạp.
Nó đòi hỏi thời gian tính toán lâu do đó mô hình này thường được áp dụng trong các
phần mềm thương mại. Mô hình đường truyền vi dải, mô hình hốc cộng hưởng tương đối
đơn giản nhưng có khả năng tính toán được các thông số cơ bản của anten vi dải hình chữ
nhật.

2.1 MÔ HÌNH ĐƯỜNG TRUYỀN SÓNG

Anten vi dải hình chữ nhật có hình dạng vật lý bắt nguồn từ đường truyền vi dải.
Do đó, những anten loại này có thể được mô hình như một phần của đường truyền sóng.
Mô hình đường truyền sóng là một trong những mô hình trực quan nhất trong phân tích
anten vi dải và nó tương đối chính xác đối với lớp điện môi mỏng.

Mô hình đường truyền sóng rất đơn giản và hữu ích trong việc xem xét hoạt động
cơ bản của anten vi dải. Mô hình này xem anten vi dải như một mảng gồm có hai khe bức
xạ hẹp, mỗi khe có chiều rộng W, chiều cao h và cách nhau một khoảng L như hình 2.1.
12

Đơn giản hơn mô hình đường truyền sóng xem anten vi dải như hai khe bức xạ cách nhau
bởi một tổng trở Zc trên một đường truyền có chiều dài L.

Hình 2.1 Mô hình đường truyền sóng

Theo hình 2.1, z là hướng lan truyền sóng điện từ của đường truyền sóng. Trong
mô hình đường truyền sóng, những khe bức xạ của anten vi dải biểu diễn đầu mút ở hai
bên đường truyền tổng trở rất cao. Do đó, cấu trúc này có đặc tính cộng hưởng phụ thuộc
chủ yếu vào chiều dài L dọc theo trục z. Tuy nhiên, do hiệu ứng đường biên nên tần số
cộng hưởng phụ thuộc theo chiều dài L không thật sự chính xác. Hiệu ứng đường biên
làm cho chiều dài thực tế của bản kim loại dài hơn chiều dài vật lý Leff > L.

2.1.1 HIỆU ỨNG ĐƯỜNG BIÊN VÀ HẰNG SỐ ĐIỆN MÔI HIỆU DỤNG

Khi kích thước của anten là hữu hạn dọc theo chiều dài và chiều rộng thì trường
bức xạ ở cạnh của anten chịu ảnh hưởng bởi hiệu ứng đường biên. Điều này được minh
hoạ trong hình 2.2, hai khe bức xạ của anten vi dải chịu ảnh hưởng của hiệu ứng đường
biên dọc theo chiều dài. Hiệu ứng đường biên là một hàm phụ thuộc vào kích thước của
bản kim loại và chiều cao của lớp điện môi. Đối với mặt phẳng chính E (mặt phẳng xy)
thì hiệu ứng đường biên là một hàm phụ thuộc chiều dài L của bản kim loại, chiều cao h
của lớp nền (L/h) và hằng số điện môi ε r của lớp nền. Khi anten vi dải có L / h << 1 thì
hiệu ứng đường biên giảm. Tuy nhiên, hiệu ứng đường biên này cũng phải được tính đến
vì nó ảnh hưởng đến tần số cộng hưởng của anten. Hiệu ứng đường biên này được áp
dụng tương tự đối với chiều rộng của anten vi dải.
13

Hình 2.2 Hiệu ứng đường biên xung quanh anten vi dải

Để hiểu rõ hơn về hiệu ứng đường biên ta xét một đường truyền vi dải như hình
2.3 có những đường sức ở cạnh như hình 2.4. Đây là những đường không đồng nhất vì
phần trên truyền trong không khí còn phần dưới truyền trong lớp điện môi. Như vậy, hầu
hết các đường sức của điện trường tập trung ở lớp điện môi nền, chỉ có một phần còn lại
tồn tại trong không khí. Khi W/h >> 1 và ε r >> 1 thì hầu như các đường sức điện trường
chỉ tập trung trong lớp điện môi nền. Hiệu ứng đường biên trong trường hợp này làm cho
đường truyền vi dải rộng hơn xét về mặt điện trường so với kích thước vật lý thực của nó.

Hình 2.3 Đường truyền vi dải


14

Hình 2.4 Hiệu ứng đường biên của anten vi dải

Khi sóng điện từ dịch chuyển thì sẽ có một phần nằm trong lớp điện môi và một
phần nằm trong không khí. Do đó, người ta đưa ra khái niệm hằng số điện môi hiệu dụng
ε reff . Lớp điện môi hiệu dụng được xem như một lớp điện môi đồng nhất bao bộc xung

quanh đường truyền vi dải như hình 2.5. Đối với lớp không khí phía trên lớp nền thì giá
trị của hằng số điện môi hiệu dụng trong khoảng 1 < ε reff < ε r .

Hình 2.5 Hằng số điện môi hiệu dụng của anten vi dải

Hằng số điện môi hiệu dụng cũng là một hàm của tần số. Khi tần số tăng cao thì
các đường sức của điện trường chỉ tập trung ở lớp nền nên đường truyền vi dải được xem
như một đường truyền đồng nhất có hằng số điện môi hằng bằng hằng số điện môi của
lớp nền.

Tuy nhiên, hằng số điện môi hiệu dụng còn bị ảnh hưởng bởi một thông số nữa
chính là độ dày của chất dẫn điện. Nếu độ dày của chất dẫn điện t = 0. Hằng số điện môi
hiệu dụng được tính theo công thức Wheeler và Schneider [7] như sau :

• Nếu Wf/hf > 1

ε rf + 1 ε rf − 1 hf
ε rfeff = + [1 + 12 ]−1 / 2 (2.1)
2 2 Wf

• Nếu Wf/hf < 1


15

ε rf + 1 ε rf − 1 hf Wf
ε rfeff = + [(1 + 12 ) −1 / 2 + 0.04(1 − )2 ] (2.2)
2 2 Wf hf

Khi độ dầy chất dẫn điện t ≠ 0, thì công thức Wheeler và Schneider dùng để xác
định hằng số điện môi hiệu dụng như sau:

⎡ ⎛ W f ⎞⎤ (ε rf − 1)t f
ε rfeff (0) = 0.5⎢ε rf + 1 + (ε rf − 1) F ⎜⎜ ⎟⎥ −

(2.3)
⎣⎢ h
⎝ f ⎠⎦⎥ 4.6 h f W f

Trong đó:
−0.5 2
⎛Wf ⎞ ⎛ h ⎞ ⎛ Wf ⎞ Wf
F⎜ ⎟ = ⎜1 + 12 f ⎟ + 0.04⎜1 − ⎟ với ≤1
⎜h ⎟ ⎜ Wf ⎟ ⎜ hf ⎟ h
⎝ f ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ f

−0.5
⎛Wf ⎞ ⎛ h ⎞ Wf
F⎜ ⎟ = ⎜1 + 12 f ⎟ với >1
⎜h ⎟ ⎜ Wf ⎟ hf
⎝ f ⎠ ⎝ ⎠

2.1.2 ĐƯỜNG TRUYỀN VI DẢI

Đường truyền vi dải có trở kháng thay đổi theo bề rộng của bản vật dẫn và độ dày
của lớp điện môi. Cấu trúc chung của các đường truyền vi dải được minh hoạ trong hình
2.6

Hình 2.6 Đường truyền vi dải

Trường điện từ của đường truyền vi dải được mở rộng trong hai môi trường, lớp
không khí ở trên và lớp điện môi ở dưới nên cấu trúc của đường truyền vi dải là không
16

đồng nhất. Do cấu trúc không đồng nhất này mà đường truyền vi dải không có sóng điện
từ ngang thuần tuý. Một sóng thuần điện từ ngang chỉ có những thành phần theo hướng
ngang và vận tốc lan truyền sóng của nó chỉ phụ thuộc vào những đặc tính của vật liệu,
tức là phụ thuộc vào hằng số điện môi và hằng số từ thẫm. Tuy nhiên, với sự xuất hiện
của hai môi trường truyền sóng (lớp điện môi nền và lớp không khí) thì sóng truyền trong
đường truyền vi dải sẽ có thành phần điện trường và từ trường theo hướng dọc và vận tốc
lan truyền sóng của nó không chỉ phụ thuộc vào những đặc tính của vật liệu mà còn phụ
thuộc vào kích thước vật lý của đường truyền vi dải.

Khi các thành phần của điện từ trường theo hướng dọc đối với mode chính của
đường truyền vi dải là rất nhỏ so với các thành phần theo hướng ngang thì chúng có thể
được bỏ qua. Trong trường hợp này mode chính có thể xem như là mode điện từ ngang
và đường truyền vi dải có thể áp dụng lý thuyết đường truyền sóng theo hướng điện từ
ngang. Khái niệm này gọi là sắp sỉ tựa điện từ ngang và nó đúng đối với hầu hết tần số
hoạt động của đường truyền vi dải.

Trong khái niệm xắp xỉ tựa điện từ ngang, một vật liệu điện môi đồng nhất với
hằng số điện môi hiệu dụng sẽ được thay thế cho môi trường điện môi-không khí không
đồng nhất của đường truyền vi dải. Những đặc tính truyền sóng của đường truyền vi dải
được mô tả bởi hai thông số là hằng số điện môi hiệu dụng ε rfeff và tổng trở đặc trưng Z0.

Theo mô hình xắp xỉ tựa điện trường ngang, do xem môi trường là đồng nhất với
hằng số điện môi hiệu dụng nên hai bên bản vật dẫn xuất hiện hiệu ứng đường biên. Hiệu
ứng này làm cho chiều rộng của đường truyền vi dải rộng hơn thực tế xét về mặt điện
trường nên được gọi chiều rộng hiệu dụng của đường truyền vi dải như hình 2.7 và được
tính theo công thức sau:

W feff = W f + 2ΔW f (2.4)

Ở đây chiều rộng đường biên ΔW f được cho bởi [9]:

0.625 ⎡ ⎛ 4πW f ⎞⎤ Wf 1
ΔW f = t f ⎢1 + ln⎜ ⎟⎥ với ≤ (2.5)
π ⎢⎣ ⎜ t ⎟⎥ tf 2π
⎝ f ⎠⎦
17

0.625 ⎡ ⎛ 2h f ⎞⎤ Wf 1
ΔW f = t f ⎢1 + ln⎜ ⎟⎥ với > (2.6)
π ⎜ t ⎟⎥ tf 2π
⎣⎢ ⎝ f ⎠⎦

Hình 2.7 Cấu trúc và mô hình truyền sóng (TEM) của đường truyền vi dải [6]

Như vậy, tổng trở đặc trưng của đường truyền vi dải được tính với độ chính xác tốt
hơn 1% như sau [6]:

60 ⎧⎪ 8h f W feff ⎫⎪ Wf
Z 0 (0) = ln ⎨ + 0.25 ⎬ với ≤1 (2.7)
ε rfeff (0) ⎪⎩W feff hf ⎪⎭ hf

−1
120π ⎪⎧W feff ⎡W feff ⎤ ⎪⎫ Wf
Z 0 (0) = ln ⎨ + 1.393 + 0.667 ln ⎢ + 1.444⎥ ⎬ với >1 (2.8)
ε rfeff (0) ⎪⎩ h f ⎢⎣ h f ⎥⎦ ⎪⎭ hf

Trong anten vi dải vận tốc pha không phải là một hằng số mà nó phụ thuộc vào tần
số. Điều này có nghĩa là hằng số điện môi hiệu dụng là một hàm của tần số. Thực nghiệm
cho thấy rằng ở tần số cao thì các công thức trên không còn chính xác nữa. Để áp dụng
các công thức trên giá trị của tần số thường được chọn fstat ~ 1.5GHz và mối liên hệ giữa
tần số và tổng trở được xác định theo công thức sau [9]:

0.04 Z 0 (0)
f stat = (2.9)
h f ε rfef (0)

Trong đó: hf tính theo mm

fstat tính theo GHz

Ở tần số được chọn, sự tán sắc được bỏ qua. Đối với tần số trên 8GHz thì sự tán
sắc phải được tính đến. Do đó, để kết quả chính xác người ta thường dùng phân tích toàn
sóng. Giải pháp phân tích toàn sóng cho trường điện từ của đường truyền vi dải như là
một hàm của tần số để phù hợp với thực nghiệm.
18

Giá trị của hằng số điện môi hiệu dụng phụ thuộc tần số được cho bởi [9]:

ε rf − ε rfeff (0)
ε rfeff ( f ) = ε rf − (2.10)
1+ P

[
P = P1 + P2 (0.1844 + P3 P4 )10 f 0 [GHz ]h f [cm] ]
1.5763
(2.11)

Wf ⎡ 0.525 ⎤
P1 = 27488 + ⎢0.6315 + ⎥ (2.12)
h f ⎣⎢ (1 + 0.157 f 0 [GHz ]h f [cm]) 20 ⎦⎥

[
P2 = 0.33622 1 − exp( −0.03442ε rf ) ] (2.13)

⎛ Wf ⎞⎧⎪ ⎡ ⎛ f [GHz ]h f [cm] ⎞ 4.97 ⎤ ⎫⎪


P3 = 0.0363 exp⎜ − 4.6 ⎟⎨1 − exp ⎢− ⎜ 0
⎜ ⎟⎟ ⎥ ⎬ (2.14)
⎜ hf ⎟ ⎢⎣ ⎝ 3.87
⎝ ⎠⎪⎩ ⎠ ⎥⎦ ⎪⎭

⎡ ε rf ⎞ ⎤
8

P4 = 1 + 2.751⎢1 − exp⎜⎜ − ⎟⎟ ⎥ (2.15)
⎢⎣ ⎝ 15.916 ⎠ ⎥⎦

Tổng trở đặc trưng phụ thuộc tần số được cho bởi:
R17
⎛R ⎞
Z 0 ( f ) = Z 0 (0)⎜⎜ 13 ⎟⎟ (2.16)
⎝ R14 ⎠

R1 = 0.0389(ε rf )1.4 (2.17)

7
⎛Wf ⎞
R2 = 0.267⎜ ⎟ (2.18)
⎜h ⎟
⎝ f ⎠

⎡ ⎛W ⎞
0.641

R3 = 4.766 exp ⎢− 3.228⎜ f ⎟ ⎥ (2.19)
⎢ ⎜h ⎟ ⎥
⎣ ⎝ f ⎠ ⎦

R4 = 0.016 + (0.051ε rf )
4.524
(2.20)

12
⎛ f 0 [GHz ]h f [mm] ⎞
R5 = ⎜⎜ ⎟⎟ (2.21)
⎝ 28.843 ⎠
19

1.92
⎛Wf ⎞
R6 = 22.2⎜ ⎟ (2.22)
⎜h ⎟
⎝ f ⎠

R7 = 1.206 − 0.3144 exp(− R1 )[1 − exp(− R2 )] (2.23)

⎧⎪ ⎡ f [GHz ]h f [mm] ⎞ ⎤ ⎫⎪
2.745
1.647 ⎛ 0
R8 = 1 + 1.257 ⎨1 − exp ⎢− 0.004625 R3 (ε rf ) ⎜⎜ ⎟⎟ ⎥ ⎬ (2.24)
⎪⎩ ⎢⎣ ⎝ 18.365 ⎠ ⎥⎦ ⎪⎭

5.086 R4 R5 (ε rf − 1) 6 exp(− R6 )
R9 = (2.25)
[
(0.3838 + 0.386 R4 )(1 + 1.2992 R5 ) 1 + 10(ε rf − 1) 6 ]
R10 = 0.00044(ε rf ) 2.136 + 0.184 (2.26)

6
⎛ f 0 [GHz ]h f [mm] ⎞
⎜ 19 . 47 ⎟
R11 = ⎝ ⎠ (2.27)
6
⎛ f 0 [GHz ]h f [mm] ⎞
1 + 0.0962⎜
⎝ 19.47 ⎟⎠

1
R12 = 2
(2.28)
⎛Wf ⎞
1 + 0.00245⎜ ⎟
⎜h ⎟
⎝ f ⎠

R13 = 0.948[ε rfeff ( f )]R8 − 0.9603 (2.29)

R14 = (0.9408 − R9 )[ε rfeff (0)]R8 − 0.9603 (2.30)

1.097
⎛ f 0 [GHz ]h f [ mm] ⎞
R15 = 0.707 R10 ⎜⎜ ⎟⎟ (2.31)
⎝ 12.3 ⎠

⎧ ⎡ ⎛W ⎞
6
⎤⎫
⎪ ⎥ ⎪⎬
R16 = 1 + 0.0503(ε rf ) R11 ⎨1 − exp ⎢− ⎜ ⎟
2 f
⎜ ⎟
(2.32)
⎪⎩ ⎢ ⎝ hf ⎠ ⎥⎪
⎣ ⎦⎭

⎧ ⎛R ⎞
[
R17 = R7 ⎨1 − 1.1241⎜⎜ 12 ⎟⎟ exp − 0.026( f 0 [GHz ]h f [mm])
1.15656
]⎫
− R15 ⎬ (2.33)
⎩ ⎝ R16 ⎠ ⎭
20

2.1.3 KÍCH THƯỚC CỦA ANTEN VI DẢI HÌNH CHỮ NHẬT

Theo mô hình đường truyền sóng, hướng z sẽ là hướng lan truyền của sóng điện
từ. Do hiệu ứng đường biên nên kích thước của anten vi dải xét theo mặt điện trường sẽ
dài hơn kích thước vật lý của nó. Đối với mặt phẳng chính E (mặt phẳng xy), điều này có
thể được biểu diễn như trong hình 2.8, trong đó kích thước của bản kim loại dọc theo
chiều dài của nó được mở rộng mỗi bên một khoảng cách ΔL . Khoảng mở rộng ΔL phụ
thuộc vào hằng số điện môi hiệu dụng và tỷ số W/h [7]:

⎛W ⎞
(ε reff + 0.3)⎜ + 0.264 ⎟
⎝h ⎠
ΔL = 0.412h (2.34)
⎛W ⎞
(ε reff − 0.258)⎜ + 0.813 ⎟
⎝h ⎠

Chiều dài hiệu dụng của anten vi dải được cho trong công thức sau:

Leff = L + 2ΔL (2.35)

Trong đó, L = λ / 2 đối với mode TM010 (không tính hiệu ứng đường biên)

Đối với mode TM010, tần số cộng hưởng của anten vi dải là một hàm phụ thuộc
vào chiều dài của anten và được cho bởi:

1 c
( f r ) 010 = = (2.36)
2 L ε r μ 0ε 0 2 fr ε r

Nếu tính đến hiệu ứng đường biên thì anten thì tần số cộng hưởng được viết lại
như sau:

1 c
( f re ) 010 = = (2.37)
2 Leff ε reff μ 0ε 0 2 f r ε reff

1 c
Hay: Leff = = (2.38)
2 f re ε reff μ 0ε 0 2 f re ε reff

1
Trong đó: c là vận tốc ánh sáng ( c = )
μ 0ε 0

Như vậy, chiều dài của anten vi dải là:


21

L = Leff − 2ΔL (2.39)

Hình 2.8 Phân bố điện trường

Có nhiều cách để tính chiều rộng W của anten. Nếu chiều rộng của anten càng lớn
thì độ lợi và hướng tính càng lớn, ngược lại nếu chiều rộng của anten nhỏ hơn thì độ lợi
và hướng tính cũng nhỏ hơn. Nếu chọn chiều rộng của anten lớn hơn chiều dài (W > L)
thì tần số cộng hưởng đầu tiên xãy ra khi Weff = λ g / 2 , tần số này sẽ thấp hơn trong trường

hợp Leff = λ g / 2 . Không chọn W gần với L bởi vì tần số cộng hưởng mong muốn sẽ kết

hợp với tần số của Weff = λ g / 2 . Thực tế, sự bất đối xứng trong cấp nguồn sẽ tạo ra sự kích

thích của những mode trực giao và nếu W gần với L chúng ta sẽ có hai tần số cộng hưởng
rất gần nhau. Bản chất của vấn đề này được ứng dụng trong anten hai băng tần. Do mô
hình đường truyền sóng xem anten vi dải bức xạ ở hai khe dọc theo chiều dài nên chiều
rộng của anten vi dải xét về mặt điện trường không bị ảnh hưởng của hiệu ứng đường
biên. Vì vậy, chiều rộng của anten được xác định như sau [7]:
−1/ 2
c ⎛ εr +1⎞
W= ⎜ ⎟ (2.40)
2 fr ⎝ 2 ⎠

Đại lượng c / 2 f r là nữa bước sóng trong không gian tự do và đại lượng
−1 / 2
⎛ ε r +1⎞
⎜ ⎟ sẽ làm cho W có giá trị là nữa bước sóng trong lớp điện môi có hằng số điện
⎝ 2 ⎠
môi là ε r .
22

2.1.4. TỔNG TRỞ NGÕ VÀO CỦA ANTEN VI DẢI

Trong mô hình đường truyền vi dải, anten vi dải được biểu diễn bằng một mạch
tương đương với hai khe bức xạ. Mỗi khe bức xạ lại được biểu diễn bằng một dẫn nạp
tương đương song song (Với điện dẫn G và điện nạp B) như hình 2.9. Dẫn nạp tương
đương của một khe bức xạ được xác định dựa vào chiều rộng hữu hạn của khe như sau:

Y1 = G1 + jB1 (2.41)

Đối với khe có chiều rộng hữu hạn W, điện dẫn G1 và điện nạp B1 là:

W ⎡ 1 2⎤ h 1
G1 = −
⎢⎣ 24 (k0 h) ⎥⎦
1 < (2.42)
120λ0 λ0 10

W h 1
B1 = [1 − 0.636 ln(k0 h )] < (2.43)
120λ0 λ0 10

Hình 2.9 Mạch tương đương của mô hình đường truyền sóng

Dẫn nạp ngõ vào của hai khe bức xạ là:

Yin = Y +1 G + jB (2.44)

Để có tổng trở ngõ vào thực thì:

Y1 = G − jB (2.45)

Nhưng:

YL + jY0 tan β L
Y1 = Y0 (2.46)
Y0 + jYL tan β L
23

Với: YL = G + jB

Nên: Y1 = G − jB = Y0
(G + jB ) + jY0 tan β L
(2.47)
Y0 + j (G + jB ) tan β L

2 BY0
Suy ra: tan β L = (2.48)
G + B 2 − Y02
2

Chiều dài của anten là đúng với biểu thức trên nên tổng dẫn Y1 = G − jB , Do đó,
tổng dẫn ngõ vào của anten là:

Yin = 2G (2.49)

Theo mô hình hốc cộng hưởng, điện dẫn của một khe bức xạ cũng có thể xác định
bằng biểu thức điện trường:

2 Prad
G1 = 2
(2.50)
V0

Bằng cách sử dụng biểu thức điện trường ta có thể xác định được công suất bức xạ
Prad:

⎡ ⎛ k 0W ⎞⎤
⎢ sin ⎜
2 π cos θ ⎟ ⎥
V 2
Prad = 0 ∫⎢ ⎝ ⎠ ⎥ sin 3 θdθ (2.51)
2πη0 0 ⎢ cos θ ⎥
⎢⎣ ⎥⎦

Do đó ta có thể viết lại biểu thức của điện dẫn như sau:

I1
G1 = (2.52)
120π 2

Với:
2
⎡ ⎛ k0W ⎞⎤
sin ⎜ cos θ ⎟ ⎥
π ⎢ 2 ⎠ ⎥ sin 3 θdθ = −2 + cos( X ) + XS ( X ) + sin( X )
I1 = ∫ ⎢ ⎝ (2.53)
cos θ
i
0
⎢ ⎥ X
⎢⎣ ⎥⎦
24

X sin y
X = k 0W , k0 = ω μ 0ε 0 , Si ( X ) = ∫ dy
0 y

Vậy giá trị gần đúng của điện dẫn là:

⎧ 1 ⎛ W ⎞2
⎪ ⎜⎜ ⎟⎟ W << λ0
⎪ 90 λ
G1 = ⎨ ⎝ 0 ⎠ (2.54)
⎪ 1 ⎛⎜ W ⎞⎟ W >> λ0
⎪120 ⎜⎝ λ0 ⎟⎠

Tổng dẫn nạp của hai khe (dẫn nạp ngõ vào) bằng tổng dẫn nạp của khe 1 và khe 2.

Yin = Y1 + Y2 (2.55)

Dẫn nạp của khe 2 có thể xác định bằng cách dịch chuyển dẫn nạp của khe 2 từ
đầu mút ngõ ra đến đầu mút ngõ vào sử dụng công thức chuyển đổi của đường truyền
sóng.

YL + jY0 tan β L
Y1 = Y0 (2.56)
Y0 + jYL tan β L

Hai khe bức xạ lý tưởng phải được cách biệt một khoảng là λ / 2 với λ là bước
sóng trong lớp điện môi. Tuy nhiên, do hiệu ứng đường biên nên chiều dài của bản kim
loại xét về mặt điện trường sẽ dài hơn chiều dài thực tế. Do đó, khoảng cách của hai khe
sẽ nhỏ hơn λ / 2 và dẫn nạp ngõ vào là:

G2 + j ( B2 + Y0 tan( β L))
Yin = G1 + jB1 + Y0 (2.57)
Y0 − B2 tan( βL) + jG2 tan( β L)

Sự cộng hưởng đạt được khi phần ảo của Yin bằng không. Điều này chỉ xãy ra khi
chiều dài của bản kim loại là:

2Y0 B B1 = B2 = B
tan( β L) = (2.58)
G + B 2 − Y02
2
G1 = G2 = G

Khi đó tổng dẫn ngõ vào là một số thực và được xác định như sau:

Yin = Y1 + Y2 = 2G1 (2.59)


25

Và tổng trở ngõ vào tại tần số cộng hưởng cũng là một số thực:

1 1
Z in = = Rin = (2.60)
Yin 2G1

Trong thực tế có sự ảnh hưởng qua lại lẫn nhau giữa hai khe. Sự ảnh hưởng này
được mô tả bằng điện dẫn tương hỗ. Công thức tính tổng dẫn ngõ vào được cải tiến như
sau:

1
Rin = (2.61)
2(G1 ± G12 )

Ở đây, dấu (+) được sử dụng cho (mode lẻ) phân bố điện áp tại tần số cộng hưởng
dưới bản kim loại là bất đối xứng, dấu (-) được sử dụng cho (mode chẵn) phân bố điện áp
đối xứng. Đối với anten vi dải dùng kỹ thuật cấp nguồn ở giữa có phân bố đối xứng nên
tương ứng với mode chẵn.

Điện dẫn tương hỗ được định nghĩa trong vùng trường xa theo công thức:

1
G12 = 2
Re ∫∫ E1 × H 2*ds (2.62)
V0

Trong đó, E1 là bức xạ điện trường của khe 1, H2 là bức xạ từ trường của khe 2, V0
là điện áp qua khe và tích phân được lấy trên hình cầu có bán kính của vùng trường xa.
Giá trị G12 có thể được tính như sau:
2
⎡ ⎛ k0W ⎞⎤
⎢ sin⎜ cos θ ⎟ ⎥
1 2
⎢ ⎝ ⎠ ⎥ J (k L sin θ )sin 3 θdθ
π
2 ∫0
G12 = (2.63)
120π cos θ
0 0
⎢ ⎥
⎢⎣ ⎥⎦


(−1) m ( x / 2) n+2 m
Với J0 là hàm Bessel bậc 0 loại 1 : J n ( x) = ∑
m =0 m!(n + m)!

Tổng trở ngõ vào của anten vi dải được tính theo công thức 2.16. Tuy nhiên, nó có thể
thay đổi bằng cách ghép một đường tiếp điện, tức là khét một rãnh trên trên khe bức xạ 1
như trên hình 2.10
26

y0

Hình 2.10 Anten vi dải với đường cấp nguồn inset-feed

Sử dụng các mô hình mở rộng, công thức tính tổng trở đặc trưng của anten vi dải
với inset – feed được cho như sau [7]:

1 ⎡ 2 π G12 + B12 2 π B1 2π ⎤
Rin ( y = y0 ) = ⎢cos ( y0 ) + sin ( y 0 ) − sin( y 0 ) ⎥ (2.64)
2(G1 + G12 ) ⎣ L Y02 L Y0 L ⎦

1
Trong đó: Y0 =
Z0

G1 B
Đối với hầu hết các loại anten vi dải thì << 1 và 1 << 1 nên công thức tính tổng trở
Y0 Y0

đặc trưng của anten được viết lại như sau:

1 π π
Rin ( y = y 0 ) = cos 2 ( y 0 ) = Rin ( y = 0) cos 2 ( y 0 ) (2.65)
2(G1 + G12 ) L L

Với y0 là vị trí của điểm tiếp điện tương ứng để anten có tổng trở ngõ vào là Rin.
Vị trí này có thể nằm trong khoảng từ cạnh đến tâm của bản kim loại và ảnh hưởng đến
trở kháng bức xạ ngõ vào. Với y0 = 0 thì điện áp kích thích lớn nhất, dòng điện bức xạ
nhỏ nhất dẫn đến trở kháng lớn nhất. Ngược lại, với y0 = L/2 thì điện áp nhỏ nhất, dòng
điện bức xạ lớn nhất nên trở kháng nhỏ nhất ( ≈ 0 ).

Tuy nhiên, để nâng cao độ chính xác khi xác định tổng trở đặc trưng của anten M.
Ramesh đã đề xuất công thức sau:

⎧⎪0.001699ε r7 + 0.13761ε r6 − 6.1783ε r5 + 93.187ε r4 − 682.69ε r3 + ⎫⎪ L


−4
y0 = 10 ⎨ ⎬ (2.66)
⎪⎩2561.9ε r2 − 4043ε r + 6697 ⎪⎭ 2

Với (2 ≤ ε r ≤ 10)
27

Như vậy, dựa vào mô hình đường truyền sóng có thể tính được kích thước vật lý
của anten vi dải hình chữ nhật và công thức chuyển đổi tổng trở của hai khe bức xạ. Tuy
nhiên, để xác định tổng trở ngõ vào và các thông số đặc trưng khác như: trường bức xạ,
độ định hướng, độ lợi...chúng ta phải sử dụng thêm mô hình hốc cộng hưởng.

2.2 MÔ HÌNH HỐC CỘNG HƯỞNG

Trong mô hình này, vùng bên trong của lớp điện môi được mô hình hoá như một
hộp cộng hưởng bao quanh bởi những bức tường điện (ở mặt trên và mặt dưới) và những
bức tường từ (dọc theo chu vi của nó). Cơ sở cho giả thiết này là xem lớp điện môi có
chiều dày rất mỏng (h << λ ).

• Những trường ở vùng bên trong không biến đổi nhiều theo trục z (tức là
∂ / ∂z ≡ 0 ) bởi vì chiều dày của lớp điện môi rất mỏng.

• Điện trường chỉ có hướng z và từ trường chỉ có thành phần theo hướng
ngang Hx và Hy trong vùng được bao bộc bởi bản kim loại và mặt phẳng
đất.

• Dòng điện trong bản kim loại không có thành phần vuông góc với cạnh của

bản kim loại, tức là thành phần tiếp tuyến với H dọc theo cạnh được bỏ qua
nên các bức tường từ có thể đặt xung quanh chu vi của nó. Xét về phương
diện toán học ∂E z / ∂n ≡ 0

Mô hình xắp xỉ này dẫn đến tổng trở ngõ vào phản kháng và nó sẽ không bức xạ
năng lượng. Tuy nhiên, trường điện từ thực tế có thể được xắp xỉ để tạo ra trường và có
thể được dùng để phân tích dạng bức xạ, dẫn nạp ngõ vào và tần số cộng hưởng.

2.2.1 ĐẶC TÍNH TRƯỜNG VÀ MẬT ĐỘ DÒNG TƯƠNG ĐƯƠNG

Khi anten vi dải được cấp nguồn, một phân bố điện tích sẽ xuất hiện ở phía trên và
phía dưới của bề mặt bản kim loại, cũng như ở phía dưới mặt phẳng đất như hình 2.11.
Lực hút điện tử giữa những điện tích đối diện nhau ở mặt dưới bản kim loại và mặt phẳng
đất sẽ giữ các điện tích tập trung dưới bản kim loại. Lực đẩy điện tử giữa các điện tích
28

cùng dấu từ mặt dưới bản kim loại, xung quanh các cạnh đến mặt trên của bản kim loại.
Sự dịch chuyển này tạo ra các dòng điện Jb và Jt ở mặt trên và mặt dưới của bản kim loại.

Hình 2.11 Phân bố điện tích và mật độ dòng trên anten vi dải

Hầu hết anten vi dải trong thực tế có tỉ số chiều cao của lớp điện môi và chiều
rộng của bản kim loại là rất nhỏ. Do lực hút và lực đẩy điện tử nên phần lớn điện tích tập
trung dưới bản kim loại. Do đó, nó không tạo ra bất kỳ thành phần từ trường nào tiếp
tuyến với cạnh của bản kim loại. Vì vậy, anten vi dải có thể được xem như một hộp cộng
hưởng có bốn bức tường từ ở xung quanh và hai bức tường điện ở mặt trên và mặt dưới
như hình 2.12

Hình 2.12 Mô hình hộp cộng hưởng của anten vi dải

Thông thường trong phân tích giá trị biên của trường điện từ người ta thường sử
dụng một thế vector bổ sung như là một phương tiện trong việc xác định trường điện và
29

từ. Hàm thế vector phổ biến nhất là A, thế vector từ và F, thế vector điện . Những cấu
hình trường phải thoả phương trình truyền sóng và phù hợp với điều kiện biên.

Những mode từ ngang (TM) là những cấu hình từ mà các thành phần từ trường
nằm trong một mặt phẳng đó là mặt phẳng ngang theo hướng truyền sóng. Xét mode TMx
(tức là mode không có thành phần Hx) được mô tả bằng một vector vô hướng Ax – thành
phần x của thế vector từ:
→ ^
A = Ax x (2.67)

Trong môi trường đồng nhất, Ax phải thoả phương trình truyền sóng:

∇ 2 Ax + k 2 Ax = 0 (2.68)

Trong đó: k 2 = ω 2 με

Giải phương trình này bằng phương pháp phân ly biến số

∂ 2 Ax ∂ Ay ∂ 2 Az
2

+ + + k 2 Ax = 0 (2.69)
∂x 2
∂y 2
∂z 2

Ax = X ( x)Y ( y ) Z ( z ) (2.70)

∂2 X ∂ 2Y ∂2Z
YZ + XZ + XY = −k 2 XYZ (2.71)
∂x 2
∂y 2
∂z 2

Áp dụng giải theo từng phần:

δ 2X δ 2Y δ 2Z
+ k x X = 0, 2 + k y Y = 0, 2 + k z2 Z = 0
2 2
(2.72)
δx 2
δy δz

Với phương trình đặc trưng là:

k x2 + k y2 + k z2 = k 2 (2.73)

Giải hàm điều hoà này ta được:


30

X ( x) = A1 cos( k x x) + B1 sin( K x x)
Y ( y ) = A2 cos(k y y ) + B2 sin( K y y ) (2.74)
Z ( x) = A3 cos( k z z ) + B3 sin( K z z )

Như vậy, nghiệm tổng quát của phương trình truyền sóng là:

Ax = [ A1 cos(k x x) + B1 sin( K x x)][ A2 cos(k y y ) + B2 sin( K y y )]


(2.75)
[ A3 cos(k z z ) + B3 sin( K z z )]

Trong đó, k là số sóng và kx, ky, kz là số sóng tương ứng dọc theo hướng x, y, z.
Chúng sẽ được xác định tuỳ thuộc vào điều kiện biên. Trường điện từ trong hốc cộng
hưởng quan hệ với thế vector vô hướng Ax theo công thức [15]:

1⎛ ∂ 2 Ax ⎞
Ex = ⎜⎜ 2 + k 2 Ax ⎟⎟
jωμε ⎝ ∂x ⎠
⎛ ∂ 2 Ax ⎞
1
Ey = ⎜ ⎟ (2.76)
jωμε ⎜⎝ ∂x∂y ⎟⎠
1 ⎛ ∂ 2 Ax ⎞
Ez = ⎜ ⎟
jωμε ⎜⎝ ∂x∂z ⎟⎠

Hx = 0
1 ⎛ ∂Ax ⎞
Hy = ⎜ ⎟ (2.77)
μ ⎝ ∂z ⎠
1 ⎛ ∂A ⎞
H z = ⎜⎜ x ⎟⎟
μ ⎝ ∂y ⎠

Theo mô hình hộp cộng hưởng, tại các bức tường điện ở trên và ở dưới:

∂Ax
= 0 Ex = 0 tại x = 0 và x = h. (2.78)
∂x x =0 ,h

Áp dụng điều kiện biên này, ta thấy B1 = 0 khi :


kx = , m = 0, 1, 2, ...
h

Tại các bức tường từ ở bên ta cũng có:


31

∂Ax
= 0 Hz = 0 tại y = 0 và y = W (2.79)
∂y y =0 ,W

Áp dụng điều kiện biên này, ta thấy B2 = 0 khi :


ky = , n = 0, 1, 2, ...
L

Và :

∂Ax
= 0 Hy = 0 tại z = 0 và z = L (2.80)
∂y y =0 ,W

Áp dụng điều kiện biên này, ta thấy B3 = 0 khi :


kz = , p = 0, 1, 2, ...
W

Như vậy, thế vector vô hướng Ax trong hốc cộng hưởng là :

π π π
Ax = Amnp cos(m x) cos(n y ) cos( p z) (2.81)
h W L

Trong đó, Amnp biểu diễn hệ số biên độ cho mỗi mode mnp. Số sóng kx, ky, kz bằng :

⎛ mπ ⎞ ⎫
kx = ⎜ ⎟, m = 0,1,2...⎪
⎝ h ⎠ ⎪
⎛ nπ ⎞ ⎪
ky = ⎜ ⎟, n = 0,1,2... ⎬ m=n= p≠0 (2.82)
⎝ L ⎠ ⎪
⎛ pπ ⎞ ⎪
kp = ⎜ ⎟, p = 0,1,2...⎪
⎝W ⎠ ⎭

Ở đây m, n, p biểu diễn sự biến đổi trường trong nữa chu kỳ dọc theo hướng x, y, z.

Khi số sóng kx, ky, kz phụ thuộc vào phương trình đặc trưng :
2 2 2
⎛ mπ ⎞ ⎛ nπ ⎞ ⎛ pπ ⎞
⎟ = k = (ω r ) με
( mnp ) 2
k x2 + k y2 + k z2 = ⎜ ⎟ +⎜ ⎟ +⎜
2
(2.83)
⎝ h ⎠ ⎝W ⎠ ⎝ L ⎠

thì tần số cộng hưởng cho hốc cộng hưởng được cho bởi:
32

2 2 2
1 ⎛ mπ ⎞ ⎛ nπ ⎞ ⎛ pπ ⎞
= ⎟ +⎜ ⎟ +⎜
( mnp )
f r ⎜ ⎟ (2.84)
2π με ⎝ h ⎠ ⎝W ⎠ ⎝ L ⎠

Thay vào công thức tính trường điện từ trong hốc cộng hưởng theo thế vector Ax, ta có:

(k 2 − k x2 )
Ex = − j Amnp cos(k x x) cos(k y y ) cos(k z z )
ωμε
kxk y
Ey = − j Amnp sin( k x x) sin( k y y ) cos(k z z ) (2.85)
ωμε
kxkz
Ez = − j Amnp sin( k x x) cos(k y y ) sin( k z z )
ωμε

Hx = 0
kz
Hy = − Amnp cos(k x x) cos(k y y ) sin(k z z ) (2.86)
μ
ky
Hz = − Amnp cos(k x x) sin(k y y ) cos(k z z )
μ

Để xác định mode chính với sự cộng hưởng thấp nhất, chúng ta cần kiểm tra tần số
cộng hưởng. Mode có tần số cộng hưởng thấp nhất được xem như mode chính. Đối với
tất cả anten vi dải đều có h << L và h << W. Nếu L > W > h thì mode có tần số cộng
hưởng thấp nhất là TM 010
x
và tần số cộng hưởng được cho bởi:
1 c
( f r ) 010 = =
2 L με 2L ε r (2.87)

Với c là vận tốc truyền sóng trong không gian tự do. Nếu có thêm L > W > L/2 >
h, mode cao hơn là TM 001
x
và tần số cộng hưởng được cho bởi:
1 c
( f r )001 = =
2W με 2W ε r (2.88)

Tuy nhiên, nếu L > L/2 > W > 2 thì mode cộng hưởng thứ hai là TM 020
x
thay vì là
x
TM 001 và tần số cộng hưởng được cho bởi:
1 c
( f r )020 = =
L με L εr (2.89)
33

2.2.2 TRƯỜNG BỨC XẠ CỦA ANTEN VI DẢI

Anten vi dải có thể biểu diễn bằng mô hình hốc cộng hưởng khi giả sử rằng vật
liệu của lớp điện môi bị cắt cụt và không kéo dài quá các cạnh của bản kim loại. Bốn bức
tường xung quanh (những bức tường từ) biểu diễn bốn khe cộng hưởng hẹp nơi mà qua
đó nó sẽ bức xạ.

Để tính trường bức xạ, nguyên lý trường tương đương (nguyên lý Huygen’s) sẽ
được sử dụng. Anten vi dải được biểu diễn bằng mật độ dòng điện tương Jt ở mặt trên và
mặt dưới của bản kim loại để tính đến sự có mặt của bản kim loại ( cũng có một mật độ
dòng Jb ở mặt dưới của bản kim loại nhưng không cần thiết trong mô hình này). Bốn khe
ở mặt bên được biểu diễn bằng mật độ dòng điện tương đương Js và mật độ dòng từ
tương đương Ms như hình 2.22 với :
^
J s = n× H a (2.90)

^
và M s = − n× Ea (2.91)

Trong đó Ea và Ha biểu diễn trường điện từ tại các khe.

→ ∧ →
J s = n× H
→ ∧ →
M s = − n× E

Hình 2.13 Mô hình hốc cộng hưởng cho anten vi dải

Bởi vì anten vi dải có tỷ số h/W rất nhỏ nên mật độ dòng Jt ở mặt trên của bản kim
loại nhỏ hơn rất nhiều so với mật độ dòng Jb ở mặt dưới của bản kim loại nên nó có thể
được bỏ qua và trường từ tiếp tuyến dọc theo các cạnh của bản kim loại cũng rất nhỏ,
xem như lý tưởng bằng 0. Do đó mật độ dòng từ tương đương Js sẽ rất nhỏ (lý tưởng là
0). Như vậy chỉ có mật độ dòng khác 0 là mật độ dòng từ Ms dọc chu vi bên của hốc cộng
34

hưởng bức xạ trong sự có mặt của mặt phẳng đất. Sự có mặt của mặt phẳng đất được tính
đến bằng lý thuyết hình chiếu sẽ cho mật độ dòng từ tương đương gấp đôi.
^
M s = −2 n× Ea (2.92)

Sử dụng mô hình đường truyền sóng, anten vi dải có thể được biểu diễn bằng hai
khe bức xạ dọc theo chiều dài của bản kim loại (mỗi khe có chiều rộng là W và chiều cao
h). Tương tự, trong mô hình này anten vi dải được biểu diễn bởi bốn khe bức xạ nhưng
chỉ có hai khe được tính cho bức xạ , trường bức xạ của hai khe còn lại biểu diễn theo
chiều rộng của bản kim loại được bỏ qua dọc theo mặt phẳng chính. Như vậy, hai khe
giống nhau dọc theo chiều dài được xem là hai khe bức xạ. Hai khe này được biểu diễn
bằng tổng trở của một đường truyền sóng phẳng song song. Chiều dài của đường truyền
sóng xấp xỉ λ / 2 với λ là bước sóng trong lớp nền. Hai khe này có dạng một mảng hai
phần tử với khoảng cánh giữa hai phần tử là λ / 2 .

Ở khe 1 và khe 2, dòng tương đương M s có cùng hướng và cùng biên độ như hình
2.14. Chúng là những hằng số dọc theo trục x và y.

Hình 2.14 Dòng tương đương tại hai khe bức xạ

Bức xạ từ một khe với mật độ dòng không đổi:


35

Hình 2.15 Bức xạ từ một khe



Bức xạ từ một khe (x-y) của dòng không đổi M s được xác định sử dụng sử dụng vector
→ → → ∧
điện thế F . Khi M s chỉ có thành phần theo trục y thì F = Fy y

ε h/2 W /2
My
∫ ∫
− jkrPQ
Fy (r ,θ , φ ) = e dx' dz ' (2.93)
4π −h / 2 −W / 2
rPQ

Trong đó, My = -2E0, E0 là pha ban đầu của trường E tại khe bức xạ và

rPQ = r − r '⋅ r = r − x' sin θ cos φ − y ' sin θ sin φ

e − jkr
h/2 W /2
Fy = −2εE0
4πr ∫
−h / 2
exp( jkx' sin θ cos φ )dx' ∫ exp( jky' sin θ sin φ )dy'
−W / 2

εE0Wh − jkr sin X SinY


⇒ Fy = − e (2.94)
2πr X Y
kh
X= sin θ cos φ
2
Với:
kW
Y= sin θ sin φ
2

Mối quan hệ giữa trường E vùng xa và vector điện thế:

Er ≈ 0, Eφ = jωηFθ , Eθ = − jωηFφ (2.95)


36

Trong đó: η = μ / ε , Fθ = Fy cos θ sin φ , Fφ = Fy cos φ

WhE0 − jkr sin X sin Y


⇒ Eφ = jωηε e cos θ sin φ
2πr X Y
(2.96)
WhE0 − jkr sin X sin Y
⇒ Eθ = − jωηε e cos φ
2πr X Y

Với k = ωηε

V0 − jkr ⎛ sin X sin Y ⎞


Eφ = jkW e ⎜ cos θ sin φ ⎟
2πr ⎝ X Y ⎠
(2.97)
V ⎛ sin X sin Y ⎞
Eθ = − jkW 0 e − jkr ⎜ cos φ ⎟
2πr ⎝ X Y ⎠

Ở đây V0 = hE0 là điện thế giữa cạnh của bản kim loại và mặt phẳng đất.

Hai khe 1 và 2 là dạng của một dãy hai phần tử với kích thích có độ lớn và pha bằng
nhau, cách nhau một khoảng cách Leff. Do đó hệ số dãy AF là:

⎛ kL ⎞
AF12 = 2 cos⎜⎜ eff cos θ ⎟⎟ (2.98)
⎝ 2 ⎠

Trong đó Leff = L + 2ΔL là chiều dài hiệu dụng của bản kim loại. Vậy tổng trường bức xạ

là:

V0 − jkr ⎛ sin X sin Y ⎞ ⎡ ⎛ kLeff ⎞⎤


Eφt = jkW e ⎜ cos θ sin φ ⎟ × ⎢cos⎜⎜ cos θ ⎟⎟⎥
2πr ⎝ X Y ⎠ ⎣ ⎝ 2 ⎠⎦
(2.99)
V ⎛ sin X sin Y ⎞ ⎡ ⎛ kLeff ⎞⎤
Eθt = − jkW 0 e − jkr ⎜ cos φ ⎟ × ⎢cos⎜⎜ cos θ ⎟⎟⎥
2πr ⎝ X Y ⎠ ⎣ ⎝ 2 ⎠⎦

kLeff
Nếu đặt Z = cos θ thì hàm bức xạ của anten vi dải là:
2

sin X sin Y
f (θ , φ ) = Eφ2 + Eθ2 = 1 − sin 2 φ sin 2 θ cos Z (2.100)
X Y

Hàm bức xạ trong mặt phẳng E (mặt phẳng x-z, φ = 00 ,00 ≤ θ ≤ 1800 )
37

⎛ kh ⎞
sin⎜ sin θ ⎟
f E (θ ) = ⎝
2 ⎠ cos⎛⎜ kLeff cos θ ⎞⎟ (2.101)
kh ⎜ 2 ⎟
sin θ ⎝ ⎠
2

Hàm bức xạ trong mặt phẳng H (mặt phẳng x-y, θ = 900 ,00 ≤ φ ≤ 900 và 2700 ≤ φ ≤ 3600 )

⎛ kh ⎞ ⎛ kW ⎞
sin⎜ sin φ ⎟ sin ⎜ sin φ ⎟
2 ⎠ ⎝ 2
f H (θ ) = cos φ ⎝ ⎠ (2.102)
kh kW
sin φ sin φ
2 2

Hình 2.16 Mẫu bức xạ của anten vi dải trong mặt phẳng E và H [7]

Như vậy, mô hình hốc cộng hưởng có thể tính được trường bức xạ của anten vi
dải, kết hợp với mô hình đường truyền sóng có thể tính được tổng trở ngõ vào của anten.
Từ trường bức xạ có thể tính được các thông số khác như: độ định hướng, độ lợi, hiệu
suất bức xạ...

2.3 CÁC THÔNG SỐ KHÁC CỦA ANTEN VI DẢI

2.3.1 ĐỘ ĐỊNH HƯỚNG

Đối với mỗi loại anten khác nhau, độ định hướng là một trong những hệ số chất
lượng quan trọng và được định nghĩa như sau:

U max 4πU max


D0 = = (2.103)
U0 Prad
38

Với khe đơn (k0h << 1): Sử dụng công thức điện trường thì mật độ bức xạ lớn nhất
và công suất bức xạ được tính như sau:
2 2
V0 ⎛ πW ⎞
U max = ⎜
2 ⎜
⎟⎟ (2.104)
2η 0π ⎝ λ0 ⎠

2
⎡ ⎛ k0W ⎞⎤
sin ⎜ cos θ ⎟ ⎥
V0 π ⎢ ⎝ 2
2
⎠ ⎥ sin 3 θdθ
Prad = ∫ ⎢
2η 0π 0 ⎢ cos θ ⎥
(2.105)
⎢⎣ ⎥⎦

Do đó, độ định hướng của một khe đơn có thể được viết lại như sau:
2
⎛ 2πW ⎞ 1
D0 = ⎜⎜ ⎟⎟ (2.106)
⎝ λ0 ⎠ I1

Trong đó:
2
⎡ ⎛ k0W ⎞⎤
π ⎢ sin ⎜ cos θ ⎟ ⎥
2
I1 = ∫ ⎢ ⎝ ⎠ ⎥ sin 3 θdθ
0 ⎢
cos θ ⎥
⎢⎣ ⎥⎦
⎡ sin( X ) ⎤
= ⎢− 2 + cos( X ) + XSi( X ) + (2.107)
⎣ X ⎥⎦
X = k0W

Độ định hướng của một khe đơn có thể tính gần đúng như sau:

⎧ 3.3 hay 5.2dB W << λ0



D0 = ⎨ ⎛ W ⎞ (2.108)
4⎜ ⎟ W << λ0
⎪ ⎜ λ0 ⎟
⎩ ⎝ ⎠

Với hai khe bức xạ (k0h << 1) sử dụng công thức tính trường bức xạ thì độ định hướng có
thể được tính như sau:
2 2
⎛ 2πW ⎞ π 2 ⎛W ⎞
D2 = ⎜⎜ ⎟⎟ = ⎜⎜ ⎟⎟ (2.109)
⎝ λ0 ⎠ I 2 15Grad ⎝ λ0 ⎠

Trong đó Grad là độ dẫn bức xạ và


39

2
⎡ ⎛ k0W ⎞⎤
π π ⎢ sin ⎜ cos θ ⎟ ⎥
I2 = ∫ ∫ ⎢ ⎝
2 ⎠ ⎥ sin 3 θ cos 2 ⎛⎜ k0 Leff sin θ sin φ ⎞⎟dθdφ (2.110)
cos θ ⎜ 2 ⎟
0 0 ⎢ ⎥ ⎝ ⎠
⎢⎣ ⎥⎦

Tổng độ định hướng cộng tuyến D2 cho hai khe cộng hưởng (phân bố điện thế bất đối
xứng) có thể được viết lại như sau:

2
D2 = D0 DAF = D0
1 + g12
(2.111)
2
DAF = ≈2 ( g12 << 1)
1 + g12

Ở đây: D0 là độ định hướng của một khe đơn

DAF là độ định hướng của thừa số dãy AF

⎛k L ⎞
AF = cos⎜⎜ 0 eff sin θ sin φ ⎟⎟ (2.112)
⎝ 2 ⎠

G12
g12 là điện dẫn tương hỗ chuẩn hoá ( g12 = )
G1

Vậy độ định hướng của hai khe bức xạ (anten vi dải) có thể được tính gần đúng như sau:

⎧ 6.6 hay 8.2dB W << λ0



D2 = ⎨ ⎛ W ⎞ (2.113)
8⎜ ⎟ W << λ0
⎪ ⎜ λ0 ⎟
⎩ ⎝ ⎠

2.3.2 ĐỘ RỘNG CỦA BÚP SÓNG

Độ rộng búp sóng nữa công suất của anten bằng độ rộng của góc mở giữa những
hướng có trường bức xạ giảm đi 1 / 2 so với giá trị cực đại. Sau khi tính gần đúng có thể
thu được độ rộng búp sóng nữa công suất dựa vào mối quan hệ của những công thức tính
trường bức xạ như sau [6]:
40

7.03λ20
Θ E ≈ 2 cos −1
4(3L2eff + h 2 )π 2
(2.114)
1
Θ H ≈ 2 cos −1
2 + k0W

Trong đó Θ E , Θ H là độ rộng nữa công suất trong mặt phẳng E và H tương ứng. Búp
sóng của một phần tử anten vi dải có thể tăng bằng cách chọn kích thước của anten nhỏ
hơn (giảm chiều dài L và chiều rộng W). Đối với một anten vi dải có tần số hoạt động
cho trước, kích thước của anten có thể giảm bằng cách chọn lớp nền có hằng số điện môi
tương đối cao. Trong nhiều ứng dụng, việc giảm kích thước của anten là cần thiết. Tuy
nhiên, khi độ rộng búp sóng tăng thì anten có độ lợi và độ định hướng giảm.

2.3.3 SUY HAO VÀ HỆ SỐ PHẨM CHẤT Q

Hệ số phẩm chất của anten vi dải phải được xác định để có thể ứng dụng trong mô
hình hốc cộng hưởng. Nó cũng có thể dùng để tính độ rộng băng thông của anten. Tổng
hệ số phẩm chất của anten vi dải QT có thể được tính bằng sự kết hợp các hệ số phẩm
chất với các loại suy hao khác nhau trong anten [6]:

1 1 1 1 1
= + + + (2.115)
QT Qd Qc Qr Qsur

Trong đó Q tương ứng với các hệ số phẩm chất của vế bên phải được định nghĩa
là:

Q = ωT WT / Tổng suy hao công suất

Với: ωT là tần số góc (cộng hưởng)

WT là tổng năng lượng lưu trữ trong anten vi dải tại tần số cộng hưởng

Do đó, công thức tính tổng hệ số phẩm chất QT có thể được viết lại như sau:

1 P + Pc + Pr + Psur
= d (2.116)
QT ωT WT

Với: Pd là suy hao công suất do tổn hao của lớp điện môi
41

Pc là suy hao công suất do độ dẫn điện của bản kim loại (suy hao do lớp đồng)

Pr là công suất bức xạ trong không gian tự do

Psur là suy hao công suất do sóng bề mặt

Các suy hao công suất, tổng năng lượng lưu trữ và công suất bức xạ có thể được tính như
sau:

• Tổng năng lượng lưu trữ được xác định bằng trường dưới bản kim loại:

ε 0ε r 1
2 ∫∫∫
2
WT = We + 2Wm = E Z dV = ε 0ε r hLW (2.117)
4

• Suy hao công suất do tổn hao của lớp điện môi:

ωT ε 0ε r tan δ
∫∫∫ E
2
Pd = Z dV =ωT tan δWT (2.118)
2

• Suy hao công suất do độ dẫn điện của bản kim loại:

Rs 2 ωT WT
Pc = 2
2 ∫∫ H s ds =
h πfμ 0σ
(2.119)

Với: Rs = πfμ 0σ là điện trở bề mặt của bản kim loại

σ là độ dẫn điện của bản kim loại

• Công suất bức xạ từ bản kim loại có thể được xác định bằng cách lấy tích phân
trên nữa mặt cầu phía trên bản kim loại như sau:

∫ ∫ (Eθ )
2π π / 2
1 2 2 ⎛ 1 2 ⎞
Pr = + Eφ r 2 sin θdθdφ = 40k02 (k0 h) 2 ⎜⎜1 − + 2 ⎟⎟ (2.120)
2η0 0 0 ⎝ ε r 5ε r ⎠

• Suy hao công suất do sóng bề mặt:

1 ε r (x02 − 1)
Psur = − Re ∫ ∫ E z H φ* ρdφdz = 30πk 02 (2.121)
2 ⎡ 1 x2 −1 ⎤ ⎡ ε 2 ( x 2 − 1) ⎤
εr ⎢ + 0 2 ⎥ + k 0 h ⎢1 + r 0 2 ⎥
⎢⎣ x02 − 1 ε r − x0 ⎥⎦ ⎣ ε r − x0 ⎦
42

Với: x0 = β / k 0 là hằng số pha của sóng bề mặt TM0

2.3.4 HIỆU SUẤT BỨC XẠ

Hiệu suất bức xạ được định nghĩa là tỉ số của công suất bức xạ Pr đối với công
suất ngõ vào Pin:

Pr
er = (2.122)
Pin

Công suất ngõ vào bao gồm cả công suất bức xạ và các công suất suy hao do sóng
bề mặt, suy hao trong bản kim loại và suy hao trong lớp điện môi. Do đó, ta có:

Pr
er = (2.123)
Pr + Pc + Pd + Psur

Cơ chế bức xạ chính trong anten vi dải là những dòng từ xung quanh bản kim loại
và sóng bề mặt trong tấm điện môi khi nó tiến đến cạnh của lớp nền, còn các công suất
suy hao khác tương đối nhỏ nên hiệu xuất bức xạ có thể được viết lại như sau:

pr
er = (2.124)
Pr + Psur

2.3.5 BĂNG THÔNG VÀ ĐỘ LỢI

Đối với anten vi dải băng thông thể hiện mối liên hệ giữa hệ số phẩm chất QT và tỉ
số sóng đứng như sau:

VSWR − 1
BW = (2.125)
QT VSWR

Trong anten vi dải, giá trị của băng thông với kích thước (W, L) và lớp điện môi
( ε r , h) cho trước có thể được xấp xỉ như sau [6]:

16 p 1 h W
BW = q (2.126)
3 2 e r ε r λ0 L

0.16605 0.02283
Trong đó: p = 1 − (k 0W ) 2 + ( k 0W ) 4 − 0.009142(k 0 L) 2
20 560
43

1 2
q = 1− +
εr 5ε r2

er là hiệu suất bức xạ của anten

Độ lợi hướng tính của anten được định nghĩa như sau:

G = er D (2.127)

Với : G là độ lợi hướng tính

D là độ định hướng

er là hiệu suất bức xạ của anten


44

CHƯƠNG 3: THIẾT KẾ V À M Ô PH ỎNG

ANTEN VI DẢI
3.1. GIỚI THIỆU

Trong chương này sẽ giới thiệu quá trình thiết kế một anten vi dải hình chữ nhật
và cách phối hợp trở kháng cho anten sử dụng kết quả thu được từ mô hình đường truyền
sóng và hốc cộng hưởng trong chương 2. Mục tiêu là tính toán và thiết kế một anten vi
dải hoàn chỉnh dùng trong thông tin di động. Quá trình tính toán và thiết kế được thực
hiện theo các bước sau:

• Lựa chọn lớp điện môi

• Chọn tần số hoạt động (tần số cộng hưởng)

• Tính chiều rộng của anten vi dải hình chữ nhật

• Tính hằng số điện môi hiệu dụng

• Tính chiều dài hiện dụng của anten (có tính đến hiệu ứng đường biên)

• Tính chiều dài thực tế của anten

• Tính kích thước mặt phẳng đất

• Phối hợp trở kháng cho anten

• Tính trường bức xạ, độ lợi độ định hướng và hiệu suất bức xạ

Chương trình được thực hiên với sự trợ giúp của phần mềm Matlab 7.0 và có lưu đồ
giải thuật như sau:
45

Hình 3.1 Lưu đồ giải thuật của chương trình thiết kế và mô phỏng anten vi dải
46

Chương trình sẽ có giao diện như sau:

Hình 3.2 Giao di ện chương trình thiết kế và mô phỏng anten vi dải

Theo chương trình chúng ta sẽ nhập vào các thông số sau cho quá trình thiết kế và mô
phỏng:

• Tần số cộng hưởng

• Trở kháng ngõ vào mong muốn

• Lớp điện môi làm nền

• Phương pháp phối hợp trở kháng bằng đường truyền vi dải (một phần tư bước
sóng hay inset-feed)
47

Chương trình sẽ tính toán và cho ra các thông số của anten như sau:

• Chiều dài của anten vi dải

• Chiều rộng của anten vi dải

• Trở kháng đặc trưng

• Chiều rộng của đường truyền vi dải (phương pháp tiếp điện một phần tư sóng) hay
vị trí của điểm tiếp điện (phương pháp inset-feed)

• Độ định hướng tổng cộng của anten

• Độ lợi lớn nhất

• Suy hao phản xạ và tỷ số sóng đứng

• Vẽ đồ thị bức xạ (2D)

Các thông số vào và ra được mô tả chi tiết trong phần sau.

3.2. LỰA CHỌN LỚP ĐIỆN MÔI

Lựa chọn lớp điện môi làm nền là một trong những bước đầu tiên của quá trình
thiết kế anten vi dải. Khi lựa chọn lớp điện môi chúng ta cần chú ý đến một số đặc tính
như: hằng số điện môi, suy hao tiếp tuyến (loss tangent), độ dày của lớp điện môi và các
ảnh hưởng khác lên vật liệu điện môi (nhiệt độ, tần số, tính đẳng hướng,…). Hiện nay,
trên thị trường có rất nhiều loại vật liệu điện môi khác nhau và hầu như không có loại nào
là hoàn hảo. Chúng ta lựa chọn vật liệu điện môi dựa vào từng ứng dụng cụ thể, ví dụ như
muốn thiết kế một anten vi dải hoạt động ở tần số thấp thì chúng ta phải lựa chọn vật liệu
có hằng số điện môi lớn để kích thước của anten trở nên nhỏ gọn. Dựa vào đặc tính của
vật liệu điện môi chúng ta có thể chia làm 5 nhóm như sau:

• Vật liệu điện môi gốm:

Thành phần chính trong vật liệu điện môi gốm là alumina (Al2O3). Các đặc tính chủ
yếu của loại vật liệu này tương đối tốt như: hằng số điện môi cao, suy hao thấp, sự tán xạ
tần số thấp…Tuy nhiên, loại vật liệu này có khổ kích thước nhỏ 4 x 4 inch nên khó chế
48

tạo các loại anten vi dải có cấu trúc phức tạp. Một đặc tính cơ học khác là loại này rất
cứng và giòn nên rất khó gia công. Như vậy loại vật liệu này chỉ thích hợp cho các loại
anten vi dải có cấu trúc đơn giản và hoạt động ở dãy tần số thấp.

• Vật liệu điện môi bán dẫn:

Thành phần chủ yếu trong loại vật này là các chất bán dẫn như Si hay GaAs. Loại vật
liệu này ít được sử dụng do nó có kích thước quá nhỏ nên khó thực hiện các loại anten vi
dải hoạt động trong dải tần số viba. Loại vật liệu này chỉ thích hợp cho các anten hoạt
động ở dải tần cao và tích hợp nguyên khối.

• Vật liệu điện môi ferrit từ:

Loại vật liệu này ngày càng được sử dụng phổ biến do có hằng số điện môi cao và suy
hao thấp. Trong tự nhiên vật liệu ferrit không đẳng hướng nên tần số cộng hưởng của
anten vi dải phụ thuộc vào phân cực từ trường của vật liệu. Các anten vi dải sử dụng vật
liệu này có thể tăng băng thông lên đáng kể bằng cách thay đổi phân cực từ trên vật liệu
ferrit mà không làm ảnh hưởng đến đặc tính bức xạ của anten.

• Vật liệu điện môi nhân tạo

Đây là loại vật liệu có suy hao thấp, hằng số điện môi thấp phù hợp để thiết kế các
loại anten vi dải.Vật liệu này có nhiều loại như: PTEE (Teflon), Polystyrene, Polyolefin,
Polyphenylence… Tuy nhiên loại vật liệu này khá mềm dẻo và thay đổi theo nhiệt độ.

• Vật liệu điện môi hỗn hợp

Hiện nay, loại vật liệu này được dùng khá phổ biến trong thiết kế anten vi dải. Vật
liệu này là sự kết hợp các đặc tính cơ điện của các loại vật liệu khác nhau để cho ra các
loại vật liệu hỗn hợp có các đặ tính cơ điện như mong muốn.
49

Bảng 1 Các đặc tính của một số loại vật liệu điện môi

STT Tên vật liệu Hằng số Suy hao tiếp Độ ổn định Dãy nhiệt độ
điện môi tuyến (loss kích thước (0C)
tangent)

1 99,5 % Al2O3 9.8 0.0001 Rất tốt Đến 1600

2 Bán dẫn GaAs 12.9 0.0020 Rất tốt -55 đến 260

3 Ferrit 9 đến 16 0.0010 Rất tốt -24 đến 370

4 PTFE (Teflon) 2.1 0.0004 Xấu -27 đến 270

5 Polypropylene 2.18 0.0003 Xấu -27 đến 200

6 RT Duriod 2.33 0.0012 Rất tốt


5870

7 RT Duriod 2.2 0.0009 Rất tốt


5870

8 RT Duriod 6.15 0.0019 Rất tốt


6006

Trong thực tế, khi lựa chọn vật liệu điện môi làm lớp nền cho anten vi dải người ta
thường dựa vào các tiêu chí sau:

• Khả năng đối với kích thích sóng bề mặt

• Ảnh hưởng của sự phân tán hằng số điện môi trên lớp nền

• Độ suy hao của lớp đồng và hằng số điện môi

• Tính dị hướng trong lớp nền


50

• Ảnh hưởng của nhiệt độ, độ ẩm…

• Những yêu cầu cơ học: dễ gia công, dễ hàn, nhẹ, đàn hồi…

• Giá tiền

Trong đó, ba tiêu chí đầu tiên đặc biệt liên quan đến khoảng bước sóng mm (f > 30
GHz). Dựa vào các tiêu chí trên thì vật liệu điện môi hỗn hợp có nhiều ưu điểm để dùng
làm lớp nền cho anten vi dải. Trong thiết kế anten vi dải có thể dùng các vật liệu hỗn hợp
được cho trong bảng 2:

Bảng 2 Các loại vật liệu điện môi thông dụng dùng trong thiết kế anten vi dải.

STT Tên vật liệu Hằng số điện Độ dày (mm) Suy hao tiếp
môi tuyến

1 RT/Duroid 2.33 1.575 0.0012


5870

2 RT/Duroid 2.20 1.575 0.0090


5880

3 RT/Duroid 2.98 1.524 0.0012


6002

4 RT/Duroid 6.15 1.270 0.0027


6006
51

3.3. LỰA CHỌN TẦN SỐ HOẠT ĐỘNG (TẦN SỐ CỘNG HƯỞNG)

Tần số cộng hưởng có thể chọn tuỳ ý. Tuy nhiên, ta sẽ chọn tần số cộng hưởng là
900 MHz, 1800 MHz để so sánh kết quả bằng phương pháp đường truyền sóng và hốc
cộng hưởng với phương pháp moment trong phần mềm thương mại IE3D trong chương
sau

3.4. TÍNH CHIỀU RỘNG CỦA ANTEN VI DẢI HÌNH CHỮ NHẬT

Chiều rộng của anten vi dải hình chữ nhật có thể được xác định theo công thức
(2.40):
−1/ 2
c ⎛ εr +1⎞
W= ⎜ ⎟
2 fr ⎝ 2 ⎠

Với lớp điện môi được chọn trong bảng 2 và c = 2.9986 x 108 m/s thì chiều rộng
của anten vi dải hình chữ nhật được cho trong bảng 3:

Bảng 3 Chiều rộng của anten vi dải hình chữ nhật

STT Hằng số điện Tần số cộng hưởng Chiều rộng của anten
môi (GHz) (cm)

1 2.33 1.8 6.45

2 2.2 1.8 6.58

3 2.98 0.9 11.81

4 6.15 0.9 8.81


52

3.5. TÍNH HẰNG SỐ ĐIỆN MÔI HIỆU DỤNG

Hằng số điện môi hiệu dụng được tính theo công thức (2.1) và (2.2):

• Nếu W/h > 1

ε r +1 ε r −1 h −1 / 2
ε reff = + [1 + 12 ]
2 2 W

• Nếu W/h < 1

ε r +1 ε r −1 h −1 / 2 W
ε reff = + [(1 + 12 ) + 0.04(1 − ) 2 ]
2 2 W h

Với lớp điện môi được chọn và chiều rộng của anten vi dải được tính như trên thì
hằng số điện môi hiệu dụng tương ứng được tính trong bảng 4:

Bảng 4 Hằng số điện môi hiệu dụng

STT Hằng số điện Chiều rộng của anten Hằng số điện môi hiệu
môi (cm) dụng

1 2.33 6.12 1.70

2 2.2 6.24 1.63

3 2.98 5.59 2.04

4 6.15 4.17 2.05

3.6. TÍNH CHIỀU DÀI HIỆU DỤNG CỦA ANTEN VI DẢI

Chiều dài hiệu dụng của anten vi dải hình chữ nhật (do ảnh hưởng của hiệu ứng
đường biên) được cho trong công thức (2.38):

1 c
Leff = =
2 f r ε reff μ 0ε 0 2 f r ε reff
53

Với tần số cộng hưởng là 1.9GHz và hằng số điện môi hiệu dụng được tính như
trên thì chiều dài hiệu dụng của anten vi dải được cho trong bảng 5:

Bảng 5 Chiều dài của anten vi dải

STT Hằng số điện môi Tần số cộng hưởng (GHz) Chiều dài hiệu dụng
hiệu dụng (cm)

1 1.70 1.8 5.55

2 1.63 1.8 5.71

3 2.04 0.9 9.76

4 2.05 0.9 6.83

3.7. TÍNH CHIỀU DÀI PHẦN MỞ RỘNG CỦA ANTEN VI DẢI

Phần mở rộng chiều dài của anten vi dải hình chữ nhật được xác định theo công
thức (2.34):

⎛W ⎞
(ε reff + 0.3)⎜ + 0.264 ⎟
ΔL = 0.412h ⎝h ⎠
⎛W ⎞
(ε reff − 0.258)⎜ + 0.813 ⎟
⎝h ⎠

Với lớp điện môi được chọn, chiều rộng của anten và hằng số điện môi hiệu dụng
được tính như trên thì phần mở rộng chiều dài của anten vi dải được tính trong bảng 6:
54

Bảng 6 Phần mở rộng chiều dài của anten vi dải

STT Hằng số Chiều rộng Hằng số điện Chiều dày của Phần mở
điện môi của anten (cm) môi hiệu dụng lớp điện môi rộng chiều
(cm) dài (cm)

1 2.33 6.45 1.70 0.1575 0.082

2 2.2 6.58 1.63 0.1575 0.083

3 2.98 11.81 2.04 0.1524 0.075

4 6.15 8.81 2.05 0.1270 0.057

3.8. TÍNH CHIỀU DÀI THỰC TẾ CỦA ANTEN VI DẢI

Chiều dài thực tế của anten vi dải hình chữ nhật có thể thu được theo công thức
(2.39): L = Leff − 2ΔL

Với chiều dài hiệu dụng và phần mở rộng theo chiều dài của anten được tính như
trên thì chiều dài thực tế của anten vi dải được tính trong bảng 7:

Bảng 7 Chiều dài của anten vi dải

STT Chiều dài hiệu Phần mở rộng Chiều dài thực


dụng (cm) chiều dài (cm) tế (cm)

1 5.55 0.082 5.39

2 5.71 0.083 5.54

3 9.76 0.075 9.61

4 6.83 0.057 6.71


55

3.9. TÍNH KÍCH THƯỚC CỦA MẶT PHẲNG ĐẤT

Mô hình đường truyền sóng chỉ có thể áp dụng đối với mặt phẳng đất là vô hạn.
Tuy nhiên, thực tế anten vi dải hình chữ nhật có một mặt phẳng đất giới hạn. Kích thước
của mặt phẳng đất này lớn hơn kích thước của bản kim loại sắp sỉ 6 lần độ dày của lớp
điện môi nền. Do đó, kích thước mặt phẳng đất được cho bởi:

Lg = 6h + L (3.1)

Wg = 6h + W (3.2)

Với sự lựa chọn lớp điện môi và kích thước của anten vi dải hình chữ nhật (bản kim loại)
được tính như trên thì kích thước của mặt phẳng đất được cho trong bảng sau:

Bảng 8 Kích thước của mặt phẳng đất

STT Độ dày lớp điện Chiều dài Chiều rộng Chiều dài mặt Chiều rộng mặt
môi (cm) anten (cm) anten (cm) phẳng đất (cm) phẳng đất (cm)

1 0.1575 5.39 6.45 6.33 7.40

2 0.1575 5.54 6.58 6.49 7.53

3 0.1524 9.61 11.81 10.52 12.72

4 0.1270 6.71 8.81 7.47 9.572

3.10. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG CHO ANTEN VI DẢI

Anten vi dải phải được phối hợp với trở kháng ngõ vào để giảm thiểu sự phản xạ
và để có được công suất bức xạ cực đại. Anten vi dải hình chữ nhật được thiết kế với kỹ
thuật cấp nguồn bằng đường truyền vi dải. Kỹ thuật này có ưu điểm là có thể tích hợp
anten và đường cấp nguồn trên một bản mạch in. Do đó, trở kháng ngõ vào của anten vi
dải phải được phối hợp với trở kháng của đường truyền dẫn tín hiệu thông thường là
50 Ω . Với kỹ thuật tiếp điện bằng đường truyền vi dải, có ba phương pháp dùng để phối
56

hợp trở kháng của anten với nguồn là sử dụng đường truyền vi dải có chiều dài λ / 4
(Quarter-wave transfomer-biến thế một phần tư bước sóng), dịch chuyển vị trí của đường
cấp tín hiệu lệch đi so với điểm trung tâm của anten (Offset-feed line) và cắt sâu vào
anten một khoảng (Inset-feed line).

3.10.1. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG BẰNG ĐƯỜNG TRUYỀN VI DẢI DÀI λ / 4

Để phối hợp trở kháng cho anten vi dải có thể dùng đường truyền vi dải dài λ / 4
như trong hình 3.3

Hình 3.3 Anten vi dải với đường cấp nguồn λ / 4

Tổng trở ngõ vào kết hợp của đường truyền vi dải và anten vi dải được xác định
dựa vào mô hình đường truyền sóng như sau:

Z in + jZ 0T tan βl 0 T
Z A = Z 0T (3.34)
Z 0T + jZ in tan βl 0 T

Trong đó: ZA là tổng trở ngõ vào kết hợp

Zin là tổng trở đặc trưng của anten vi dải

Z0T là tổng trở đặc trưng của đường truyền vi dải

Khi đường truyền vi dải dài λ / 4 ta có:

2π λ π
βl0 T = = (3.35)
λ 4 2

Khi đó tổng trở ngõ vào kết hợp trở thành:


57

Z 02T
ZA = (3.36)
Z in

Để phối hợp trở kháng với anten, tức là không có sóng phản xạ trên đường truyền

Z0 − Z A
Γ= = 0 hay Z 0 = Z A (3.37)
Z0 + Z A

Như vậy tổng trở đặc trưng của đường truyền vi dải được tính như sau:

Z 0T = Z 0 Z in (3.38)

Dựa vào công thức tính tổng trở của đường truyền vi dải ta sẽ xác định được độ rộng của
đường truyền vi dải và được cho trong bảng 9

Bảng 9 Độ rộng đường truyền vi dải λ / 4

STT Tần số cộng Hằng số Tổng trở Chiều dài đường Chiều rộng
hưởng điện môi đặc trưng truyền λ / 4 (cm) đường truyền

(GHz) (Ω ) λ / 4 (cm)

1 1.8 2.33 248.9 2.975 0.103

2 1.8 2.2 245.7 3.045 0.111

3 0.9 2.98 269.6 5.376 0.070

4 0.9 6.15 395.2 3.961 0.010

3.10.3. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG BẰNG ĐẶT LỆCH ĐƯỜNG TRUYỀN VI DẢI

Điểm nối giữa đường truyền vi dải và anten vi dải có thể được mô hình hoá bằng
một điện dẫn G và một một điện dung jB như trong hình 3.6
58

Hình 3.4 Anten vi dải với đường cấp nguồn đặt lệch khỏi điểm giữa

Trở kháng ngõ vào ở khoảng lệch z là:


−1
⎡ G2 + B2 B ⎤
Y ( z ) = 2G ⎢cos 2 ( β z ) + 2
sin 2 ( β z ) + sin( 2 β z )⎥ (3.39)
⎣ Y0 Y0 ⎦
Trong đó:
1
G=
Rr
120λ0
Rr =
( k h)
1− 0
24
k 0 Δl ε e
B=
Z0

2π ε e
β=
λ0

Với anten được thiết kế như trên và tổng trở đặc trưng của đường truyền vi dải là
50 Ω thì khoảng lệch z được cho trong bảng 10:
59

Bảng 10 Khoảng độ lệch z của đường truyền vi dải so với anten

STT Hằng số điện môi Tổng trở đặc trưng của anten ( Ω ) Độ lệch z (cm)

1 2.33 248.9 0.31

2 2.2 245.7 0.32

3 2.98 269.6 0.29

4 6.15 395.2 0.18

3.10.4. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG BẰNG INSET-FEED

Ngoài hai phương pháp phối hợp trở kháng trên còn một phương pháp phối hợp
trở kháng khác là khét một rãnh trên anten vi dải như trên hình 3.5

y0

Hình 3.5 Anten vi dải với kỹ thuật cấp nguồn inset-feed

Công thức tính tổng trở đặc trưng của anten được cho (2.64) như sau:

1 ⎡ 2 π G12 + B12 π B 2π ⎤
Rin ( y = y0 ) = ⎢ cos ( y 0 ) + sin 2 ( y0 ) − 1 sin( y0 )⎥
2(G1 + G12 ) ⎣ L Y02
L Y0 L ⎦

1
Trong đó: Y0 =
Z0

G1 B
Đối với hầu hết các loại anten vi dải thì << 1 và 1 << 1 nên công thức tính
Y0 Y0

tổng trở đặc trưng của anten được viết lại như sau:
60

1 π π
Rin ( y = y 0 ) = cos 2 ( y 0 ) = Rin ( y = 0) cos 2 ( y 0 ) (3.41)
2(G1 + G12 ) L L

Với y0 là vị trí của điểm tiếp điện tương ứng để anten có tổng trở ngõ vào là Rin.

Từ các công thức trên ta có thể thiết kế anten có trở kháng ngõ vào bằng trở kháng
đặc trưng của đường truyền. Với các thông số của anten đã được thiết kế như trên và trở
kháng đường truyền là 50 Ω thì vị trí của điểm tiếp điện tương ứng được cho trong bảng
11:

Bảng 11 Vị trí của inset-feed

STT Tần số cộng hưởng Hằng số Tổng trở đặc Vị trí của inset-feed

(GHz) điện môi trưng ( Ω ) (cm)

1 1.8 2.33 248.95 1.90

2 1.8 2.2 245.73 1.95

3 0.9 2.98 268.77 3.44

4 0.9 6.15 395.09 2.58

3.11. CÁC THÔNG SỐ KHÁC

Khi thiết kế anten vi dải, ngoài các thông số vật lý của anten chúng ta cũng cần
ước lượng trước một số thông số khác như: đồ thị bức xạ, độ lợi, hướng tính, hiệu xuất
bức xạ của anten...

3.11.1 ĐỒ THỊ BỨC XẠ

Đồ thị bức xạ của anten được xác định bằng hàm bức xạ trong mặt phẳng E và
hàm bức xạ trong mặt phẳng H (2.101) và (2.102) như sau:

Hàm bức xạ trong mặt phẳng E (mặt phẳng x-z, φ = 00 ,00 ≤ θ ≤ 1800 )
61

⎛ kh ⎞
sin⎜ sin θ ⎟
f E (θ ) = ⎝
2 ⎠ cos⎛⎜ kLeff cos θ ⎞⎟
kh ⎜ 2 ⎟
sin θ ⎝ ⎠
2

Hình 3.6 Mẫu bức xạ trong mặt phẳng E (anten có tần số cộng hưởng 900MHz)

Hình 3.7 Mẫu bức xạ trong mặt phẳng E (anten có tần số cộng hưởng 1800MHz)

H àm bức xạ trong mặt phẳng H (mặt phẳng x-y, θ = 900 ,00 ≤ φ ≤ 900 và 2700 ≤ φ ≤ 3600 )

⎛ kh ⎞ ⎛ kW ⎞
sin⎜ sin φ ⎟ sin⎜ sin φ ⎟
2 ⎠ ⎝ 2
f H (θ ) = cos φ ⎝ ⎠
kh kW
sin φ sin φ
2 2
62

Hình 3.8 Mẫu bức xạ trong mặt phẳng H (anten có tần số cộng hưởng 900MHz)

Hình 3.9 Mẫu bức xạ trong mặt phẳng H (anten có tần số cộng hưởng 1800MHz)

3.11.2. HIỆU XUẤT BỨC XẠ, ĐỘ ĐỊNH HƯỚNG VÀ ĐỘ LỢI

Độ định hướng của anten vi dải (2.109):


2 2
⎛ 2πW ⎞ π 2 ⎛W ⎞
D2 = ⎜⎜ ⎟⎟ = ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ λ0 ⎠ I 2 15Grad ⎝ λ0 ⎠

Hiệu xuất bức xạ của anten vi dải (2.124):


63

pr
er =
Pr + Psur

Độ lợi (2.127):

G = er D

Dựa vào anten được thiết kế độ lợi, độ định hướng và hiệu xuất bức xạ của anten
vi dải được cho trong bảng 12:

Bảng 12 Độ định hướng, độ lợi và hiệu suất của anten

STT Hằng số điện môi Độ định hướng (dB) Độ lợi (dB) Hiệu xuất bức xạ (%)

1 2.33 7.05 3.11 96.12

2 2.2 7.17 3.14 96.51

3 2.98 6.56 3.33 97.28

4 6.15 5.66 3.03 96.23


64

CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG ANTEN VI DẢI BẰNG


PHẦN MỀM IE3D
Phần mềm IE3D là một phần mềm ứng dụng phương pháp moment. Chính vì vậy,
trước khi dùng phần mềm trong mô phỏng anten vi dải chúng ta sẽ tìm hiểu sơ lược về
phương pháp moment.

4.1. PHƯƠNG PHÁP MOMENT

Một trong những phương pháp phân tích toàn sóng anten vi dải là phương pháp
moment. Trong phương pháp này, dòng bề mặt được sử dụng để mô hình hoá anten vi dải
và lưu lượng dòng phân cực được sử dụng để mô hình hoá trường điện từ trong lớp điện
môi. Nó cho biết một phương trình tích phân thu được như thế nào từ những dòng chưa
biết và sử dụng phương pháp moment, những phương trình tích phân trường điện được
chuyển vào những phương trình ma trận sau đó được giải bằng những phương pháp đại
số khác nhau để thu đựơc kết quả mong muốn.

Dạng cơ bản của phương trình được giải bằng phương pháp moment là:

F(g) = h (4.1)

Trong đó, F là một toán tử tuyến tính đã biết, g là một hàm chưa biết và h là một
nguồn hay một hàm kích thích. Mục đích cuối cùng là tìm g khi F và h đã biết. Hàm chưa
biết g có thể được mở rộng bằng cách kết hợp N số hạng tuyến tính như sau:
N
g = ∑ a n g n = a1 g1 + a 2 g 2 + .... + a N g N (4.2)
n =1

Ở đây, an là một hằng số chưa biết và gn là một hàm đã biết được gọi là hàm cơ sở
hay hàm mở rộng. Thay phương trình (4.2) vào phương trình (4.1) và áp dụng tính chất
tuyến tính của toán tử F ta được:
N

∑ a F (g
n =1
n n )=h (4.3)
65

Hàm cơ sở gn phải được chọn theo một cách nào đó để mỗi F(gn) trong phương
trình trên có thể được tính. Hằng số chưa biết an không thể xác định trực tiếp bởi vì có tới
N số hạng chưa biết mà chỉ có một phương trình. Một phương pháp dùng để tìm những
hằng số này là phương pháp trọng số dư. Trong phương pháp này, một tập các lời giải thử
nghiệm được đặt ra với một hay nhiều tham số biến đổi. Số dư là phép đo sự khác nhau
giữa lời giải thử nghiệm và lời giải đúng. Các tham số biến đổi được chọn theo một cách
nào đó để đảm bảo sự phù hợp tốt nhất của những hàm thử nghiệm dựa vào số dư tối
thiểu. Điều này thực hiện được bằng cách định nghĩa một tập các hàm trọng số (hay kiểm
tra) N trong miền xác định của toán tử F:

{wm } = w1 , w2 , w3 ,.....wN (4.4)

Đặt kết quả của những hàm này vào bên trong phương trình (4.3) ta có:
N

∑a
n =1
n wm , F ( g n ) = wm , h (4.5)

Với m = 1, 2, 3, ...N

Phương trình trên được viết dưới dạng ma trận như sau:

[Fmn ][an ] = [hm ] (4.6)

Trong đó:

⎡ a1 ⎤ ⎡ w1 , h ⎤
⎡ w1 , F ( g1 ) w1 , F ( g 2 ) .... ⎤ ⎢a ⎥ ⎢ ⎥
⎢ ⎥ ⎢ 2⎥ ⎢ w2 , h ⎥
w , F ( g1 ) w2 , F ( g 2 ) ....⎥
[Fmn ] = ⎢⎢ 2 ⎥
[a n ] = ⎢ a3 ⎥ [hm ] = ⎢ w3 , h ⎥
: ⎢ ⎥ ⎢ ⎥

:
⎥ ⎢ : ⎥ ⎢ : ⎥
⎣ ⎦ ⎢⎣a N ⎥⎦ ⎢ w N , h ⎥⎦

Các hằng số chưa biết an có thể tìm được bằng cách sử dụng các phương pháp đại
số chẳng hạn như khai triển LU hay khử Gauss. Các hàm trọng số phải được chọn một
cách phù hợp sao cho các phần tử của {wn} không chỉ độc lập tuyến tính mà còn phải đáp
ứng được yêu cầu tính toán nhanh nhất để ước lượng được inner product. Một trong
66

những lựa chọn hàm trọng số là có thể đặt các trọng số và các hàm cơ sở giống nhau wn =
gn. Phương pháp này gọi là phương pháp Galerkin’s.

Theo quan điểm của lý thuyết anten, chúng ta có thể viết lại phương trình tích
phân điện trường như sau:

E = fe(J) (4.7)

Trong đó: E là điện trường tới đã biết

J là dòng cảm ứng chưa biết

fe là toán tử tuyến tính

Bước đầu tiên trong phương pháp momnet là khai triển J như là tổng hữu hạn của
hàm cơ sở :
M
J = ∑ J i bi (4.8)
i =1

Với : bi là hàm cơ sở thứ i và Ji là hệ số chưa biết.

Bước kế tiếp bao gồm định nghĩa một tập các hàm trọng số độc lập tuyến tính wj.
Đưa innner product vào cả hai bên phương trình và thay phương trình (4.8) vào phương
trình (4.7) ta có :

w1 , E = ∑ w1 , f e ( J i , bi ) (4.9)

Với : j = 1, 2, ...M

Pnương trình trên viết lại dưới dạng ma trận như sau :

[Z ][J ] = [E ]
ij j (4.10)

Trong đó : Z ij = w j , f e (bi )

E j = wj , H

J là vector dòng điện bao gồm các đại lượng chưa biết
67

Vector E bao gồm các đại lượng của trường tới và số hạng của ma trận Z là các
hàm hình học. Các hệ số chưa biết của dòng cảm ứng là các số hạng của vector J. Bằng
cách sử dụng bất kỳ đồ thị đại số nào, những phương trình này có thể được giải để xác
định dòng và các thông số khác như trường điện từ có thể tính trực tiếp từ những dòng
tới. Do đó, phương pháp moment là một phương pháp phổ biến để giải quyết vấn đề mô
phỏng hoạt động của anten.

Phần mềm được sử dụng để mô phỏng anten vi dải là Zeland Inc’s IE3D. IE3D là
gói phần mềm mô phỏng toàn sóng điện từ dựa vào phương pháp moment. Nó có thể
phân tích 3D và cấu trúc đa lớp của các dạng anten phổ biến. Nó được ứng dụng rộng rãi
trong thiết kế anten mạch dải, anten dây và các anten vô tuyến khác. Nó có khả năng tính
toán và vẽ đồ thị suy hao phản xạ (return loss), tỷ số sóng đứng điện áp (VSWR), phân
bố dòng, dạng bức xạ, trở kháng ngõ vào...

4.2 MÔ PHỎNG ANTEN VI DẢI CÓ TẦN SỐ HOẠT ĐỘNG 900 MHz

Tần số cộng hưởng : 0.9 GHz

Hằng số điện môi : 6.15

Độ dày lớp điện môi : 0.1270 cm

Chiều dài của anten : 6.71393 cm

Chiều rộng của anten : 8.81476 cm

Vị trí của inset-feed : 2.57977 cm

Chiều rộng của đường truyền vi dải : 0.187017 cm


68

Hình 4.1 Cấu trúc của anten vi dải 900 MHz dùng trong mô phỏng

4.2.1 SUY HAO PHẢN XẠ VÀ BĂNG THÔNG CỦA ANTEN

Sau khi mô phỏng ta thu được đồ thị thông số S. Đây là đồ thị dùng để đánh giá
suy hao phản xạ và băng thông của anten.

Hình 4.2 Đồ thị thông số S của anten vi dải 900 MHz


69

Theo đồ thị ta thấy tần số trung tâm tại 0.897418 GHz, khi đó RL = -21.79dB và
băng thông của anten chính là khoảng tần số có suy hao phản xạ nhỏ hơn 7.3 dB, tức là
BW = 5.6 MHz.

4.2.2 TRỞ KHÁNG NGÕ VÀO

Trở kháng ngõ vào của anten được xác thông qua đồ thị thông số Z như trong hình
4.3:

Hình 4.3 Đồ thị thông số Z của anten vi dải 900 MHz

Theo đồ thị thì tổng trở ngõ vào của anten tại f = 0.897418 GHz là 45.1717 Ω

4.2.3 ĐỒ THỊ BỨC XẠ

Anten vi dải bức xạ vuông góc với bề mặt bản kim loại của nó. Đồ thị 2D tại

( φ = 00 và φ = 900) ứng với tần số cộng hưởng thu được như hình 4.4 và 4.5:
70

Hình 4.4 Đồ thị bức xạ 2D của anten vi dải 900 MHz với φ = 00

Hình 4.5 Đồ thị bức xạ 2D của anten vi dải 900MHz với φ = 900
71

Đồ thị này cũng có thể biểu diễn trong toạ độ xyz như hình 4.6:

Hình 4.6 Đồ thị bức xạ của anten vi dải 900 MHz trong toạ độ xyz

4.2.4 ĐỒ THỊ ĐỘ LỢI CỦA ANTEN THEO TẦN SỐ

Kết quả mô phỏng cho độ lợi của anten như hình 4.7:
72

Hình 4.7 Độ lợi của anten vi dải 900 MHz

Theo đồ thị trên độ lợi của anten đạt giá trị lớn nhất tại tần số cộng hưởng. Độ lợi
của anten đạt 3.58 dBi tại tần số 0.8972GHz.

4.2.5 ĐỒ THỊ TỶ SỐ SÓNG ĐỨNG ĐIỆN ÁP

Đồ thị sóng đứng điện áp VSWR của anten vi dải thiết kế được cho như hình 4.8:
73

Hình 4.8 Đồ thị sóng đứng điện áp của anten vi dải 900 MHz

Theo kết quả mô phỏng thì giá trị của VSWR tại tần số cộng hưởng (f = 0.897304
GHz) có giá trị là VSWR = 1.18

4.2.6 HƯỚNG TÍNH CỦA ANTEN

Độ định hướng của anten được xác định dựa vào đồ thị hướng tính như hình 4.9:
74

Hình 4.9 Đồ thị hướng tính của anten vi dải 900 MHz

Độ định hướng của anten vi dải tại tần số trung tâm (f = 0.897273) là 5.94 dBi.

4.2.7 MỘT SỐ KẾT QUẢ MÔ PHỎNG KHÁC

Ngoài ra chương trình mô phỏng còn cho một số kết quả khác như: đồ thị bức xạ
3D, phân bố dòng trên anten vi dải,...như sau:
75

Hình 4.10 Mẫu bức xạ 3D của anten vi dải 900 MHz

Hình 4.11 Phân bố dòng trên anten vi dải 900 MHz


76

Hình 4.12 Phân bố dòng và vector dòng trên anten vi dải 900 MHz

4.2.8 SO SÁNH KẾT QUẢ MÔ PHỎNG

Kết quả trong chương trình tính toán và mô phỏng anten vi dải (ứng dụng mô hình
đường truyền sóng và mô hình hốc cộng hưởng) được so sánh với kết quả mô phỏng bằng
phần mềm IE3D (ứng dụng phương pháp moment) như trong bảng 13
77

Bảng 13 So sánh kết quả mô phỏng trong chương trình thiết kế và mô phỏng anten vi dải
và phần mềm IE3D

STT Kết quả mô phỏng Mô hình đường truyền IE3D (phương


sóng và hốc cộng hưởng pháp moment)

1 Tần số cộng hưởng 900 MHz 897.418 MHz

2 Suy hao phản xạ -22.8061 -21.7914

3 Tỷ số sóng đứng 1.15609 1.1287

4 Độ định hướng 5.66 5.94

5 Độ lợi 3.04 3.58

Dạng bức xạ được so sánh trong hình

Mẫu bức xạ H plane

(Phần mềm IE3D) (Chương trình thiết kế và mô phỏng)

Hình 4.13 So sánh mẫu bức xạ H plane của anten vi dải 900 MHz
78

Mẫu bức xạ E plane

(Phần mềm IE3D) (Chương trình thiết kế và mô phỏng)

Hình 4.14 So sánh mẫu bức xạ E plane của anten vi dải 900 MHz

Như vậy, với kết quả so sánh như trên thì mô hình đường truyền sóng và mô hình
hốc cộng hưởng có thể thiết kế và mô phỏng anten vi dải hình chữ nhật tương đối tốt.

4.3 MÔ PHỎNG ANTEN VI DẢI CÓ TẦN SỐ HOẠT ĐỘNG 1800 MHz

Tần số cộng hưởng : 1.8 GHz

Hằng số điện môi : 2.2

Độ dày lớp điện môi : 0.1575 cm

Chiều dài của anten : 5.54233 cm

Chiều rộng của anten : 6.58808 cm

Chiều dài của đường truyền vi dải một phần tư sóng: 3.04599 cm

Chiều rộng của đường truyền vi dải một phần tư sóng: 0.111237 cm
79

Hình 4.15 Cấu trúc của anten vi dải 1800 MHz dùng trong mô phỏng

4.3.1 SUY HAO PHẢN XẠ VÀ BĂNG THÔNG CỦA ANTEN

Sau khi mô phỏng ta thu được đồ thị thông số S. Đây là đồ thị dùng để đánh giá
suy hao phản xạ và băng thông của anten.

Hình 4.16 Đồ thị thông số S của anten vi dải 1800 MHz


80

Theo đồ thị ta thấy tần số trung tâm tại 1.772 GHz, khi đó RL = -27 dB và băng
thông của anten chính là khoảng tần số có suy hao phản xạ nhỏ hơn 7.3 dB, tức là BW =
24.5 MHz.

4.3.2 TRỞ KHÁNG NGÕ VÀO

Trở kháng ngõ vào của anten được xác thông qua đồ thị thông số Z như trong hình
4.17:

Hình 4.17 Đồ thị thông số Z của anten vi dải 1800 MHz

Theo đồ thị thì tổng trở ngõ vào của anten tại f = 1.7701 GHz là 54.6033 Ω

4.3.3 ĐỒ THỊ BỨC XẠ

Anten vi dải bức xạ vuông góc với bề mặt bản kim loại của nó. Đồ thị 2D tại

( φ = 00 và φ = 900) ứng với tần số cộng hưởng thu được như hình 4.18 v à 4.19:
81

Hình 4.18 Đồ thị bức xạ 2D của anten vi dải 1800 MHz với φ = 00

Hình 4.19 Đồ thị bức xạ 2D của anten vi dải 1800MHz với φ = 900
82

Đồ thị này cũng có thể biểu diễn trong toạ độ xyz như hình 4.20:

Hình 4.20 Đồ thị bức xạ của anten vi dải 1800 MHz trong toạ độ xyz

4.3.4 ĐỒ THỊ ĐỘ LỢI CỦA ANTEN THEO TẦN SỐ

Kết quả mô phỏng cho độ lợi của anten như hình 4.21:
83

Hình 4.21 Độ lợi của anten vi dải 1800 MHz

Theo đồ thị trên độ lợi của anten đạt giá trị lớn nhất tại tần số cộng hưởng. Độ lợi
của anten đạt 3.7 dBi tại tần số 1.8 GHz.

4.3.5 ĐỒ THỊ TỶ SỐ SÓNG ĐỨNG ĐIỆN ÁP

Đồ thị sóng đứng điện áp VSWR của anten vi dải thiết kế được cho như hình 4.22:
84

Hình 4.22 Đồ thị sóng đứng điện áp của anten vi dải 1800 MHz

Theo kết quả mô phỏng thì giá trị của VSWR tại tần số cộng hưởng (f = 1.772
GHz) có giá trị là VSWR = 1.178

4.3.6 HƯỚNG TÍNH CỦA ANTEN

Độ định hướng của anten được xác định dựa vào đồ thị hướng tính như hình 4.23:
85

Hình 4.23 Đồ thị hướng tính của anten vi dải 1800 MHz

Độ định hướng của anten vi dải tại tần số f = 1.8 GHz là 7.48 dBi.

4.3.7 MỘT SỐ KẾT QUẢ MÔ PHỎNG KHÁC

Ngoài ra chương trình mô phỏng còn cho một số kết quả khác như: đồ thị bức xạ
3D, phân bố dòng trên anten vi dải,...như sau:
86

Hình 4.24 Mẫu bức xạ 3D của anten vi dải 1800 MHz

Hình 4.24 Phân bố dòng và vector dòng trên anten vi dải 1800 MHz
87

Hình 4.25 Phân bố dòng và vector dòng trên anten vi dải 900 MHz

4.3.8 SO SÁNH KẾT QUẢ MÔ PHỎNG

Kết quả trong chương trình tính toán và mô phỏng anten vi dải (ứng dụng mô hình
đường truyền sóng và mô hình hốc cộng hưởng) được so sánh với kết quả mô phỏng bằng
phần mềm IE3D (ứng dụng phương pháp moment) như trong bảng 14
88

Bảng 14 So sánh kết quả mô phỏng anten trong chương trình thiết kế và mô phỏng anten
vi dải và phần mềm IE3D

STT Kết quả mô phỏng Mô hình đường truyền IE3D (phương


sóng và hốc cộng hưởng pháp moment)

1 Tần số cộng hưởng 1800 MHz 1772 MHz

2 Suy hao phản xạ -22.1789 -27

3 Tỷ số sóng đứng 1.168 1.178

4 Độ định hướng 7.16 7.48

5 Độ lợi 3.14 3.7

Dạng bức xạ được so sánh trong hình

Mẫu bức xạ H plane

(Phần mềm IE3D) (Chương trình thiết kế và mô phỏng)

Hình 4.26 So sánh mẫu bức xạ H plane của anten vi dải 1800 MHz
89

Mẫu bức xạ E plane

(Phần mềm IE3D) (Chương trình thiết kế và mô phỏng)

Hình 4.27 So sánh mẫu bức xạ E plane của anten vi dải 1800 MHz

Như vậy, so với kết quả mô phỏng của mẫu anten 900 MHz thì mẫu anten 1800
MHz không tốt bằng. Ở đây có nhiều nguyên nhân gây ra sai số như: đối với mẫu 900
MHz dùng phương pháp tiếp điện inset-feed còn mẫu 1800 MHz dùng phương pháp một
phần tư sóng. Trong thực tế thì phương pháp inset-feed được dùng phổ biến hơn, phương
pháp một phần tư sóng thường dùng để kết hợp các phần tử anten vi dải trong anten mảng
(điều hợp). Tuy nhiên các kết quả mô phỏng này cũng tương đối phù hợp với kết quả mô
phỏng bằng phần mềm IE3D. Một lần nữa chứng minh rằng mô hình đường truyền sóng
và mô hình hốc cộng hưởng có khả năng ứng dụng để thiết kế và mô phỏng anten vi dải
hình chữ nhật.
90

KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN

KẾT LUẬN

Đề tài thiết kế và mô phỏng anten vi dải trên dãy tần 900 – 1800 MHz đã hoàn
thành với một số việc như sau:
• Tìm hiểu lý thuyết về anten vi dải và các mô hình phân tích anten vi dải
• Xây dựng chương trình thiết kế và mô phỏng anten vi dải trên cơ sở lý thuyết về
anten vi dải (tính toán các thông số của anten vi dải) với sự trợ giúp của phần mềm
Matlab 7.0.
• Tìm hiểu chương trình IE3D và phương pháp moment
• Mô phỏng anten vi dải đã được thiết kế ở trên bằng phần mềm IE3D để kiểm
chứng lại các kết quả.
Tuy nhiên, do điện kiện còn hạn chế nên đề tài chỉ dừng lại ở việc mô phỏng mà
chưa thể tiến hành làm thực tế để đo đạc và kiểm chứng lại các kết quả của chươg trình
thiết kế cũng như chương trình mô phỏng.. Đây có thể là hạn chế lớn nhất của đề tài.

HƯỚNG PHÁT TRIỂN

Anten vi dải có nhiều hình dáng và kích thước khác nhau, do đó hướng phát triển
sẽ là tìm hiểu và thiết kế các anten vi dải có hình dáng đặc biệt để phù hợp với yêu cầu
thực tế như: nhỏ gọn có thể tích hợp trong các thiết bị cầm tay với yêu cầu cao về độ lợi,
hiệu suất bức xạ...Ngoài ra, các hệ thống mimo ngày càng được sử dụng rộng rãi nên có
thể nghiên cứu các loại anten vi dải dùng trong các hệ thống này và có thể ghép phần tử
anten lại với nhau (anten mảng) để đáp ứng nhu cầu thực tế.
91

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tiếng Việt

1. Nguyễn Phùng Quang (2005), Matlab & Simulink Dành Cho Kỹ Sư Điều
Khiển Tự Động, NXB Khoa Học Và Kỹ Thuật, Hà Nội.
2. Vũ Đình Thành (2003), Lý Thuyết Cơ Sở Kỹ Thuật Siêu Cao Tần, NXB Đại
Học Quốc Gia Tp. Hồ Chí Minh.
3. Vũ Đình Thành (2006), Mạch Siêu Cao Tần, NXB Đại Học Quốc Gia Tp. Hồ
Chí Minh.
4. Lê Tiến Thường, Trần Văn Sư (2001), Truyền Sóng Và Anten, NXB Đại Học
Quốc Gia Tp. Hồ Chí Minh.
5. Phạm Ngọc Sơn (2006), Luận Văn Thạc Sỹ Mô Phỏng Truyền Sóng Điện Từ
Bằng Phương Pháp FDTD, Áp Dụng Khảo Sát Anten Vi Dải Và Mạch Siêu
Cao Tần, Trường ĐH KHTN Tp HCM.
Tiếng Anh
6. R.Garg, P. Bhartia, I. Bahl, A. Ittipiboon (2001), Microstrip Antenna Design
Handbook, Artech House, Boston London.
7. Constantine A. Balanis (1997), Antenna Theory – Analysis And Design, John
Willey & Sons, INC.
8. W. J. Buchanan (1996), Analysis of Electromagnetic Wave Propagation Using
the 3D Finite-Difference Time-Domain Method with Parallel Processing,
Doctor of Philosophy, Napier University.
9. Doktoringenieur (2005), Design and Development of High Gain Wideband
Microstrip Antenna and DGS Filters Using Numerical Experimentation
Approach, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg.
10. D.M Pozar and D. H. Schaubert, eds.( 1995), Microstrip Antenna, IEEE Press.
92

11. R. A. Sainati (1996), CAD of Microstrip Antenna for Wireless Applications,


Artech.
12. J. F. Zurcher and F. E. Gardiol (1995), Broadband Patch Antennas, Artech.
13. Thomas A. Milligan (2005), Modern Antenna Design, Second Edition, John
Wiley & Son, Inc.
14. J. R. James, P. S. Hall, and C. Wood (1981), Microstrip Antenna Theory and
Design, Peter Peregrinus, London. UK.
15. C. A. Balanis (1989), Advanced Endineering Electromagnetics, John Wiley &
Son, New York.
16. R. C. Jonhson (1993), Antenna Engineering Handbook, Third Edition, McGraw-
Hill, Inc.
17. J. R. James (2003), Dielectric Resonator Antennas, Research Studies Press LTD,
Baldock, Hertfordshire, England.
18. D. M. Pozar and D. H. Schaubert, Editors (1995), Microstrip Antennas: The
Analysis and Design of Microstrip Antenna and Arrays, Wiley/IEEE Press.
19. Y. Hu, D. R. Jackson, J. T. Williams, S. A. Long, V. R. Komanduri (2007),
Characterization of the Input Impedance of the Inset-Fed Rectangular
Microstrip Antenna, University of Houston, USA
20. M. Ramesh and YIP KB (2003), Design Formula for Inset-Fed Microstrip
Patch Antenna, Motorola, Pinang, Malaysia.
21. Nader Behdad (2007), Microstrip Antenna, University of Central Florida, USA.
22. Yogesh Kumar Choukiker (2009), Analysis of Dual Band Rectangular
Microstrip Antenna Using IE3D/PSO, Master of Technology, National Institute
of Technology, Rourkela.
23. D. D. Sandu, O. G. Avadanei, A. Ioachim, D. Ionesi (2006), Contribution to The
Cavity Model for Analysis of Microstrip Patch Antennas, Faculty of Physics,
University “Al. I. Cuza” of Ia i, Romania.
24. A. K. B. Mohd Isa (2007), Electromagnetic Band Gap (EBG) for Microstrip
Antennna Design, Master of Engineering, Universiti Teknologi Malaysia.
93

25. Gonca C. Akir, Levent Sevgi (2005), Design, Simulation and Tests of a Low-
cost Microstrip Patch Antenna Arrays for the Wireless Communication, Turk
J Elec Engin, VOL.13, NO.1.
26. Johnna Powell (2004), Antenna Design for Ultra Wideband Radio, Master of
Science in Electrical Engineering, Massachusetts Institute of Technology.

You might also like