內建式感應加熱器於射出模具表面快速加熱之應用

製造科技研究所
碩士學位論文
內建式感應加熱器於射出模具表面快速
加熱之應用
Built-in Induction-Heating Module for

Rapid Heating of Injection Molding Surface
研究生：林夆融
指導教授：黃榮堂
中華民國九十三年七月
1
國立台北科技大學碩士論文
9
1
5
6
8
0
2
7 內建式感應加熱器於射出模具表面快速加熱之應用研究生：林夆融
製造科技研究所編號：
2
摘要
論文名稱：內建式感應加熱器於射出模具表面快速加熱之應用頁數：七十八
校所別：國立台北科技大學製造科技研究所
畢業時間：九十二學年度第二學期學位：碩士
研究生：林夆融指導教授：黃榮堂
關鍵詞：感應加熱、射出成形
本論文旨在製作一種內建於射出模具的感應加熱器組成，用於塑膠精密射出
成型之上。其特徵包括採用如光碟射壓成型模具的製作方法及微機電之電鑄技
術，將微特徵結構嵌入於壓模板(stamper)之上，並以微細加工法製作感應加熱
器模組，微特徵結構的材料具有導磁性或被感應加熱能力，利用設置於壓模板背
面的感應加熱器模組，在通電時得以穿透壓模板對模具表面進行相對快速的加
熱。透過此快速加熱的特性，使壓模板內外圈有不同的溫度差異，在未置入模具
內的實驗中證實可以達到局部快速加熱的目標，預期在實際射出成型實驗時，塑
料於充填與壓縮行程中，在各處皆可維持一定的溫度，故得以完成良好流動。
3
ABSTRACT
Title：Built-in Induction-Heating Module for Rapid Heating of Injection Molding

Surface
Pages：78
School：National Taipei University of Technology
Department：Institute of Manufacturing Technology
Time：July, 2004 Degree：Master
Researcher：Feng-Rong Lin Advisor：Jung-Tang Huang
Keywords：induction heating、Injection Micromolding
This thesis develops a rapid induction-heating module built in injection mold. The
module can assist to fabricate micro patterns. The major features of the module
include employing injection compression technique of compact disc and using
electro-forming of MEMS process or micro fabrication to produce the embedded
mold-inserts on the stamper. Also an induction-heating module fabricated by micro
fabricated process is installed behind the stamper such that the high frequency power
wave can heat the microstructure on the stamper in a short time. Through this rapid
heating capability on the surface of the mold cavity, it will result in better flow
condition of the melt polymer so that the various thickness of the microstructure in the
mold can be filled and packed with melt polymer without void or distortion. The
experimental results of the heating module outside of the mold showed that the
temperature distribution of the stamper among the inner part and the outer part is
different. Thus we believe the feasibility of the proposed induction-heating module in
the application of built-in injection mold in terms of assistance to good flow
capability of the melt polymer.
4
誌謝
本論文從最初步的概念構想，經不斷地研究、討論、分析與改善後，得以如
期完成個人人生中，屬於自己的第一部著作-碩士論文。在這艱辛的過程中，感
謝許多人給予相關的協助，首先非常感謝我的論文指導教授黃榮堂老師，給予論
文研究的啟發以及專業知識與研究態度的指導，使我這兩年的研究生涯相當充
實。另外在研究實驗的過程中，感謝鈺德科技研發處廖俊郎、張世慧、顏國雄及
該處所有同仁，熱心提供及協助本論文的黃光製程設備及蒸鍍設備，還有耕片科
技施信志先生協助指導研究製作電源供應器，學長本善及學弟后竣在電鑄模仁製
程上的協助，此外也感謝研究所同學林益邦大力協助溫度量測，使實驗量測順利
完成。另外特別感謝台灣師大楊啟榮老師及鈺德科技賴志輝副總擔任學生的口試
委員，熱心提供許多寶貴的意見及指導。此外也很感謝李文興老師在大學及研究
所時，對學生的指導與要求，讓學生明白體會許多人生的道理。
在這兩年多的日子，感謝實驗室的同學裕仁、佳慶、圍勝、承曄、文雄、俊
賢、明理、家信、能嘉、弼騫、書銘、志豪及黃榮堂老師所有的研究生和製科所
同班各位同學等，陪我一起渡過這艱辛的時光，互相扶持與鼓勵，謝謝你們帶給
我無盡的回憶與歡笑。最後我也感謝家人在精神上的支持，使我在研究所的求學
中，無任何後顧之憂。在此再次地謝謝各位，並將這份榮耀與甜美的果實與你們
分享。
5
目錄
中文摘要 .....................................................................................................i
英文摘要 .....................................................................................................ii
誌謝 .............................................................................................................iii
目錄 .............................................................................................................iv
表目錄 .........................................................................................................vi
圖目錄 .........................................................................................................vii
第一章緒論..............................................................................................1
1.1 研究背景 ....................................................................................1
1.2 研究動機 ....................................................................................2
1.3 文獻回顧 ....................................................................................2
1.4 論文架構 ....................................................................................6
第二章感應加熱原理 ..............................................................................7
2.1 基本原理 ....................................................................................7
2.2 系統頻率與功率 .........................................................................9
2.3 感應加熱之優點 .........................................................................11
第三章感應加熱系統負載特性分析 ........................................................13
3.1 加熱物件上的電阻係數與相對導磁係數 ....................................13
3.1.1 電阻係數 ...........................................................................13
3.1.2 相對導磁係數....................................................................14
3.2 加工物件上的溫度分佈與加熱時間..........................................16
3.2.1 溫度分佈 ...........................................................................16
3.2.2 加熱時間 ...........................................................................16
3.3 散熱與絕緣.................................................................................17
3.4 電磁效應與焦耳效應 .................................................................19
3.4.1 電磁效應 ...........................................................................19
3.4.2 焦耳效應 ...........................................................................24
3.5 加熱負載參數模型 .....................................................................26
3.6 感應線圈設計與製作 .................................................................27
3.6.1 設計公式 ...........................................................................28
3.6.2 感應線圈製作方式............................................................29
第四章電源供應器 ..................................................................................33
4.1 感應加熱裝置架構 .....................................................................33
4.2 整流電路 ....................................................................................34
4.3 功率轉換電路.............................................................................35
6
4.4 控制電路 ....................................................................................37
4.5 IGBT 波形量測 ...........................................................................39
第五章實驗結果與討論 ..........................................................................47
5.1 單種材料感應加熱 .....................................................................49
5.1.1 負載加熱溫度分佈實驗 ....................................................49
5.1.2 負載連續加熱升溫實驗 ....................................................53
5.2 雙種材料感應加熱 ......................................................................57
5.2.1 銅基板上電鑄鎳鐵結構升溫實驗......................................58
5.2.2 電鑄鎳板銲上銅板結構升溫實驗......................................60
5.3 不同線圈及加熱方向升溫實驗 ...................................................62
5.3.1 銅基板上不同線圈及加熱方向升溫實驗 ..........................62
5.3.2 鎳基板上不同線圈升溫實驗 .............................................65
5.4 不銹鋼基板上的銅結構表面快速加熱........................................69
5.5 電熱加熱與感應加熱的差異 ........................................................70
第六章結論與未來展望 ..........................................................................73
6.1 結論.............................................................................................73
6.2 未來展望 ....................................................................................74
參考文獻 .....................................................................................................75
附錄一 .........................................................................................................76
附錄二 .........................................................................................................77
7
表目錄
表 2.1 感應加熱頻率之選擇...............….....................................................10
表 3.1 不同加工物件 ρ 、 κ 與熔點大小........................................... ...........14
表 4.1 D15XB60H 最大功率表..................................................................34
表 4.2 D15XB60H 特性表........................................... ..............................35
表 4.3 GT60M303 最大功率表..............…..................... ...........................36
表 4.4 GT60M303 特性表............................................... ..........................37
表 4.5 波形量測結果........................................... ......................................39
表 5.1 鋼片連續升降溫測試耗費時間.......................................................55
表 5.2 正反向加熱比較表..........................................................................64
8
圖目錄
圖 1.1 感應式模溫控制設備裝置圖................................................ ........... 5
圖 2.1 感應加熱基本原理............................................ .............................. 8
圖 2.2 圓柱內電流分佈......................... ....................... ............................. 9
圖 3.1 溫度變化下的電阻係數......................................... .........................14
圖 3.2 純鐵的 µ r 與溫度之關係......................... ........................................15
圖 3.3 磁化強度與溫度的關係......................................... .........................15
圖 3.4 表面硬化感應加熱工作曲線............................................... ...........17
圖 3.5 工業用水冷式感應線圈................................................ ..................18
圖 3.6 多芯漆包線絞製的感應線圈............................................ ..............18
圖 3.7 加熱物件受集膚效應而導致感應電流及功率之分佈.....................20
圖 3.8 在扁平加熱物上的鄰近效應......................................... .................21
圖 3.9 兩平行板的鄰近效應......................................................................22
圖 3.10 磁場集中效應......................................... ........................................23
圖 3.11 縱向磁場中的圓柱型導體工件和線圈的末端效應的功率分佈 ......24
圖 3.12 磁滯曲線.........................................................................................24
圖 3.13 鐵損與加熱頻率之關係......................... .........................................26
圖 3.14 加熱負載參數模型......................................... ................................27
圖 3.15 使用微機電製程定義方形感應線圈圖形........................................30
圖 3.16 電鑄脫模後得到的圓形感應線圈..................... ..............................30
圖 3.17 電鑄前的種金層圖........................................... ..............................31
圖 3.18 電鑄後外圍電鑄層包覆感應線圈情況 ...........................................31
圖 3.19 手繞製感應線圈......................................... ....................................32
9
圖 3.20 結合微銑削製程製作的感應線圈......................... ..........................32
圖 4.1 感應加熱系統基本電路............................ ......................................33
圖 4.2 震盪電路.........................................................................................38
圖 4.3 空機 IGBT 閘極（Gate）波形........................................................40
圖 4.4 負載鎳基板輸出 230W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形.................. 40
圖 4.5 負載鎳基板輸出 260W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................41
圖 4.6 負載鎳基板輸出 450W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形...................41
圖 4.9 負載銅基板輸出 230W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................43
圖 4.14 微細探針加熱 850W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形.................. ....45
圖 4.15 負載 306 不銹鋼輸出 850W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形...........46
圖 5.1 電源供應器外觀............................................................... ..............47
圖 5.2 實驗用感應加熱線圈外型...............................................................48
圖 5.3 感應加熱負載配置圖 ......................................................................48
圖 5.4 中碳鋼板外觀 .................................................................................49
圖 5.5 中碳鋼板熱電耦分佈圖 ..................................................................50
圖 5.6 中碳鋼板感應加熱上升溫度分佈圖 ...............................................50
圖 5.7 電鑄鎳板外觀 .................................................................................51
圖 5.8 電鑄鎳板熱電耦分佈圖 ..................................................................52
圖 5.9 電鑄鎳板感應加熱上升溫度分佈圖（1）......................................52
圖 5.10 電鑄鎳板感應加熱上升溫度分佈圖（2）......................................53
10
圖 5.11 熱電耦分佈情況..............................................................................54
圖 5.12 鋼片感應加熱連續溫升測試...........................................................55
圖 5.13 熱電耦分佈情況 .............................................................................56
圖 5.14 鎳片感應加熱連續溫升測試.................. ........................................57
圖 5.15 銅基板外觀 .....................................................................................58
圖 5.16 銅基板熱電耦分佈圖 ......................................................................59
圖 5.17 銅基板加熱溫升測試 ......................................................................59
圖 5.18 負載加熱銅板外觀及熱電耦分佈情況 ...........................................60
圖 5.19 銅板上鍍鎳鐵感應加熱連續溫升測試 ...........................................60
圖 5.20 電鑄鎳板銲上銅板結構外觀...........................................................61
圖 5.21 電鑄鎳板銲上銅板結構加熱溫升測試 ...........................................61
圖 5.22 手工繞製線圈實體外觀圖 ..............................................................62
圖 5.23 加熱器正反向加熱配置圖 ..............................................................63
圖 5.24 銅基板熱電耦分佈圖 ......................................................................63
圖 5.25 鎳鐵結構正反向升溫差異比較圖 ...................................................65
圖 5.26 銅基板正反向升溫差異比較圖.......................................................65
圖 5.27 鎳基板加熱器配置圖 ......................................................................66
圖 5.28 鎳基板兩點加熱曲線圖 ..................................................................67
圖 5.29 鎳基板熱電耦分佈圖 ......................................................................68
圖 5.30 鎳基板八點加熱曲線圖 ..................................................................69
圖 5.31 316L 不銹鋼基板熱電耦分佈圖 ......................................................70
圖 5.32 316L 不銹鋼基板加熱曲線圖...........................................................70
圖 5.33 銅板上鍍鎳鐵 Hot Plant 溫升測試..................................................71
圖 5.34 比較電熱法與感應加熱對銅基材加熱的差異 ................................71
圖 5.35 鎳板銲上銅片 Hot Plant 溫升測試..................................................72
圖 5.36 比較電熱法與感應加熱對鎳基材加熱的差異 ................................72
11
附錄圖 1.1 電源供應器正向外觀 .............................................................76
附錄圖 1.2 電源供應器背向外觀 .............................................................76
附錄圖 2.1 電磁加熱攪拌器外觀 .............................................................77
12
第一章緒論
1.1 研究背景
隨著科技的進步，高科技 3C 產業的蓬勃發展，許多日常生活不可或缺的 3C
行動產品，例如彩色 TFT-LCD 照相手機、CCD/CMOS 數位相機、PDA、電子辭
典等 3C 行動產品都朝向外型「輕薄短小」、性能「整合多功能模組小型化」發
展。因應行動電子產品追求外型「輕薄短小」的取向，行動電子產品外殼材質大
部分都選用高分子材料為行動產品外殼，然而在外表質感上不能失去年輕活力感
或穩重內斂的外表，在觸感上更要求舒適不滑手的感覺，因此外型設計上生動活
潑、電鍍塑膠外殼仿金屬光澤質感及微細切削的拉絲線條等都為不可或缺的條
件。
由於行動 3C 市場對高分子材料的大量成型需求，促使塑膠高分子材料的成
型技術朝向超精密、高速生產、低成本及結構特徵細微化發展。
目前塑膠成型技術中則以射出壓縮成型法擁有最多的優勢也最能符合上述
的要求，其優勢在於快速生產、高生產量、低成本以及材料應用範圍廣泛等優勢。
以 3C 產業為例，射出壓縮成型法大量應用在生產手機外殼、CD/DVD 光碟片、
導光板、電子連接器、光纖對位器以及目前最熱門的生物晶片的微流道，都可以
使用射出壓縮成型法大量生產。
雖然射出壓縮成型技術有許多的優點，但是在微結構成型時或細微紋路的成
型上仍會有困難，包含成品肉厚太小、多變化深度、陣列式微小散熱孔等成型性
問題以及製程模溫和成品的成型時間﹙Cycle time﹚的控制；所以如何解決塑料
在射出壓縮成型時的流動，但卻又不會過度增加模溫導致冷卻時間增加，及影響
成型時間，將是目前射出壓縮成型法及微射出技術所面對的困境。
13
1.2 研究動機與目的
射出成型過程，模穴溫度對於成型品的外觀以及成型良率有著關鍵性的影
響，一般傳統射出成型或大型件射出成型時模穴溫度的高低，對於成品的良率影
響並不顯著，原因在於融熔塑料填充時，塑料從擠製機進入注道經過流道到達澆
口最後進入成品模穴，過程中模具模仁表面溫度一直低於塑料溫度，因此當融熔
塑料一接觸到模穴模仁後，會在接觸面間形成一層薄薄的凝固層（Frozen
Layer）
，然而此凝固層並不會隨著成品大小及肉厚而有所改變，也就是成型時，
凝固層所佔的比率會隨著肉厚的減少而增加，而一般射出成型流道截面積夠大
時，凝固層不會對成型有太大的影響，然而薄件射出成型卻不是如此。
為了解決凝固層對於薄件成型及微射出成型的影響，本論文嘗試以一嵌入在
模具內部的感應加熱線圈以感應加熱的方式針對模穴、模仁以及微結構處進行表
面快速加熱，藉以短暫提高模穴模仁及微結構處的表面溫度溫度，增加塑料在流
經模仁表面的流動性，減少凝固層問題的發生。
1.3 文獻回顧
射出壓縮成型技術近年來漸趨成熟，使得此技術可更廣泛的被運用於其他場
合。射出壓縮成型技術主要是結合射出成型及壓縮成型技術，利用此種成型方法
不但可以減少塑料在充填模穴時所需之射出壓力，且由於均勻加壓使得模穴內熔
融塑膠壓力能均勻分佈及克服凹陷、翹曲等，因此在成品收縮率可以得到良好的
控制。基於上述之優點，射出壓縮成型在目前的應用，著重在需要尺寸以及考慮
光學性質的光學用精密塑件或光碟片（Compact Disk）的製作。以常見的光碟片
來看，若以傳統的射出成型來製作，會發現塑料根本無法完全充填完整，亦即有
短射現象，由此可知對於面積大且薄件的要求，以傳統的射出成型方法似乎無法
滿足，所以目前光碟皆是採用射出壓縮技術及熱澆道系統，熱澆道成形時塑料在
澆道側皆是保持熔融狀態，所以說若塑料的進澆溫度相對較高，再加上模具的施
加壓力，即可避免短射之問題。
14
目前在射出成型中，模溫在 120℃以下通常是使用一般的模溫機以水或油為
冷媒的方式來控制模溫，而模溫在 120℃～150℃或更高者，則需要外加加熱裝
置輔助升溫。目前已知的加熱方法[1]有電阻加熱法（Resistance Heating）、傳導
加熱（Conduction Heating）
、感應加熱（Induction Heating）
、紅外線加熱（Infrared
Radiation Heating）
、電弧加熱（Electric Arc Heating）
、電漿加熱（Plasma Heating）
、
電子束加熱（Electron Beam Heating）、雷射加熱（Laser Heating）及 Dielectric
Hysteresis Heating，然而上述這些方法目前正應用在模具加熱的方式卻只有前兩
種，尤其是利用外插多組電熱棒對模具加熱達到高溫效果的方法，是最為常見，
但此法雖然可以較為快速提升模溫，但是由於加熱源所產生的熱向四面擴散至整
個模板，當熱源溫度傳導到模穴表面，使模穴表面溫度達到我們所要的工作溫度
時，已經花費數分鐘至數十分鐘（需視模具大小而定）
，以此方法應用在目前成
品時間約 3～5 秒的 CD/DVD 光碟片製程而言，顯然極為不適用。
為了獲取更為快速的模具加熱方式，美國專利[2]利用薄膜電子式加熱器做
為提昇模溫的加熱源，其主要在模具表面沈積一層金屬薄膜做為電阻加熱器，運
用此種方式可以改善前述之缺點並改善加熱器效率，但此法的主要目的乃在於改
善射出成型中流痕、銀線及下陷等缺陷，然而金屬薄膜與塑料的直接接觸，容易
產生塑料黏著或是金屬薄膜的磨損現象。近年來德國發展出一種可變模溫製程
（Variotherm Process），意味著一種動態的模溫系統，也就是說在模溫系統裡，
除了冷卻水路外，尚有其他外加熱源使模具升至更高的模溫，而目前一般通常是
利用兩種不同溫度的水或油路系統，以達到不同模溫的控制目的[4]。
另外美國專利 US6164952A，利用射壓成型模具（injection-compression
molding）製作 DVD 光碟片。在此專利中，乃採用射出壓縮的方式以及在模穴中
製作一傾斜角，以增加塑料的流動性，因此可完成面積大且薄的射出件（直徑：
120 ㎜；厚度：0.6 ㎜）
。但是若要以此法製作面積更大、厚度更薄、共面度更高
（成形品不容許有傾斜角）或是壓模板結構細緻且更複雜時，例如射出件中有貫
穿孔等，可能會有下列幾項問題發生：
15
1. 若採用單一進澆口方式，塑料無法完全充填完成。
2. 若採用多重進澆口方式，射出件溫度分佈不均，整體溫差大，經冷卻後收縮不
一致而造成翹曲變形。
3. 塑料流經結構物時會因受阻改變流速而分流，在最後會合時會因塑料流動太長
漸漸冷卻，使得溫度不足而融合不完全，最後導致縫合線的產生。
4. 由於射出件面積大且肉厚薄，容易因塑料流動不佳（冷料情形），而隨後所施
加的壓力，使得壓模板上細微且複雜的微結構被損毀。
對於三維的微小射出件，一般而言需要精密的微量射出，已知的方法是採用
微射出機(microinjection)。微射出成型是生產複雜微小塑膠、陶瓷及金屬零件的
製造方法之一。就製造技術而論，射出成型本是快速自動生產 3D 複雜形狀產品
的第一選擇，微射出成型也不例外。基本上，微射出成形可以簡單分類成微結構
特徵射出成形、微米級精度射出成形及微量射出成形三種，但是不管是何種形式
的微射出成型技術的有下列幾種的問題要克服；其中包括微射出機設計、微模具
製造、微模具模流分析、微射出製程監控及材料、環境、後加工等一連串的問題，
而針對微小射出成型機製程要求，就有以下這些問題：
1. 微小射出量-必需使用 20 噸以下機台或微射出專用機。
2. 短的滯留時間-為了要防止熔膠熱劣解。
3. 長的射出行程-螺桿直徑必需儘可能縮小，一般微射出機螺桿直經約 ψ4
㎜。
4. 精密的射出量控制-需利用細長之活塞方式。
5. 高射出-必需藉著高剪切應變作用來降低熔膠黏度。
6. 高射壓-因為高流長比及微小流道必需利用高壓充填。
運用微射出成型的最大缺點是需要一台精密的微射出機，而且其射出模具的
設計與製作加工較複雜也未標準化，一次射出的成品不能達到數十個，甚至數百
個。
在日本專利 JP2000-218356 由 Stuttgart[3]提出一種新的快速加熱方式，稱之
16
為感應式模溫控制，此法利用一外加伸縮感應加熱機構，在模具閉模前對可動側
及固定側模具全模穴表面進行感應加熱昇溫，再閉模射出輕金屬模成品。在此專
利中，採用感應加熱的方式對全模穴表面昇溫，以增加熔融輕金屬的流動性，因
此可完成結構複雜且截面積薄的射出件，如圖 1.1 所示。但是若要以此法製作結
構細緻且更複雜的塑膠射出時，可能會有下列幾項問題發生：
1. 開模時感應加熱，易受環境溫度影響，模具表面溫度較不易均勻。
2. 該項專利使用於金屬材料的射出，對於塑膠射出的使用上加熱溫度太高，且
無法進行溫度控制。
3. 該項專利是對於全部模具表面進行加熱，無法達到局部加熱的特性。
4. 僅在閉模前感應加熱，但射出充填，保壓與冷卻期間，無法提供即時的加熱，
表面加熱的效益，純靠閉模前感應加熱來預測，缺乏調整的自由度。
針對以上問題，本論文嘗試製作感應加熱線圈（High Frequency Induction
Heating Coil）設置於壓模板之下，其在此有兩項主要的功能：
1. 針對塑料在模穴中流動較不易處，例如：肉厚較薄、結構複雜、塑料冷卻較
快以及塑料本身流動性較差等等，以加熱來改善流動性。
2. 當射出件溫度分佈不均時，可用來調整溫度落差的部位，使得射出件整體的
溫差減到最少。
圖 1.1 感應式模溫控制設備裝置圖[3]
根據以上之探討，許多研究在針對模溫控制增加射出成型技術的提昇加以發
展，而本研究也是朝著開發改善的快速提昇模穴表面溫度，追求更高精密的射出
成型技術目標前進。
17
1.4 論文架構
本論文在第一章說明本文主要的研究背景及動機，並針對模具加熱的技術現
況做文獻回顧。
第二章介紹本論文相關的感應加熱原理。
第三章介紹本論文感應加熱線圈相關的設計原理，及製作感應加熱線圈的方
法。
第四章則是針對所製作感應加熱線圈製作電源供應器進行討論。
第五章則是針對所製作感應加熱線圈、負載及電源供應器進行實驗。
最後第六章就本論文之方向與未來趨勢做結論，並規劃未來預期完成的目
標。
18
第二章感應加熱原理
2.1 基本原理
感應加熱（Induction Heating）的基本原理，是利用電磁感應現象
（Electromagnetic Induction）對金屬加熱方法。此種電磁感應現象為西元 1831
年由法拉第所發現的，因此又稱為法拉第電磁感應原理（Faraday’s Law），最
活用此原理的地方為變壓器（Transformer）。變壓器的一次側（輸入端）及二
次側（輸出端）各有一組線圈（Coil），當變壓器通電時，在一次側輸入交流電
壓會使一次側線圈產生正負交替變化磁場，並與二次側線圈耦合（Couple），此
時二次側會產生感應電壓，並提供負載電路電流。一般變壓器為了提高耦合效
果，都採用高導磁率的鐵磁材料為鐵心，由於鐵心材料特性會導致在二次側耦合
過程中會因為鐵心產生的鐵損使變壓器溫度上升。鐵損產生的原因有兩種，一種
和鐵心材料的導磁率及磁滯現象有關，另一種則和變壓器線圈在鐵心產生的渦電
流（Eddy Current）有關。就變壓器設計而言，要求將鐵損現象盡可能的減少。
但對於感應加熱則是希望鐵損現象越明顯越好，並藉由鐵損現象使加工物溫度上
升[5-6]。
根據法拉第電磁感應原理（Faraday’s Law）與楞次定律（Lenz’s Law），若
將頻率為 60Hz 之市電引入感應加熱系統中，利用加熱器中之電源裝置將其轉變
成不同頻率交流電源，並提供至負載部分之感應加熱線圈(Heating Coil)，則感應
加熱線圈產生交變磁場，此時若將導磁性的導電加工物（Workpiece）放置在加
熱線圈所建立的交變磁場內，由於磁力線的切割，會在不同深淺層面上產生感應
電流（即渦電流； I C ），由於加工件之阻抗特性，渦電流在加工物件上的流動，
會產生 I C2 R 的熱量，而使加工物件溫度升高，達到加熱的目的。因此感應加熱基
本原理乃是利用電磁感應現象，在加工件上產生磁滯損（Hysteresis Loss）及渦
19
流損（Eddy Current Loss）達到加熱的目的，其工作原理如圖 2.1 所示。
圖 2.1 感應加熱基本原理[5]
電磁感應加熱的原理是基於二種物理現象：
－法拉第電磁感應原理（Electromagnetic Induction）
－焦耳定律（Joule Effect）
根據電磁感應原理，一個導體在外來磁通變化影響下，導體本身將會產生一
個反抗磁通變化感應電動勢，抵銷外來磁通變化，此電動勢不但與時變磁通有
關，而且與物體及產生磁通變化兩者間相互移動速度成正比，如式（2-1）所示：
dφ dN
e = −N − vφ （2-1）
dt dx
其中 e ：感應電動勢（伏特，V）
N ：線圈匝數（匝，turn）
φ ：磁通（韋伯，wb）
v ：速度（米/秒，m/s）
x ：位移（米）
20
由感應電動勢產生的電流（及渦電流），流經導體為所產生的功率，依焦耳
定律可以寫成：
Pv = ρ ⋅ J 2 （2-2）
其中 Pv ：容積功率密度（Volumetric Power Density， W m3 ）
J :電流密度（Current Density， A m 2 ）
ρ ：材料的電阻係數（Resistivity， Ω ⋅ m ）
簡而言之，在感應加熱過程中有兩種不同的能量進行轉換，來自電源供應器
的電能被轉換成磁場的能量，之後被導電性的工件吸收，轉變成熱能使溫度上升
達到加熱的目的。
2.2 系統頻率與功率
加工物在加熱線圈所建立的交變磁場內感應產生渦電流並均勻分佈在加工
件各剖面層上，而是愈接近加工物件表面，電流密度越強，而且提供給加熱線圈
的電流頻率越高，渦電流愈集中在表層集中程度越明顯，此種現象即是集膚效應
（Skin Effect），如圖 2.2 所示[7-9]。
圖 2.2 圓柱內電流分佈[7]
21
J 0 -圓柱表面電流密度（ A cm2 ）
J x -由金屬表層往中心 x （ cm ）處之電流密度（ A cm2 ）
對圓柱型加工物之集膚深度（Skin Depth，δ）可由馬克斯威爾方程式
（Maxwell's epuation）求得
1 ρ × 109 ρ
δ= = 5033 （2-3）
2π µr f µr f
其中，δ：加熱深度大小（ cm ）
ρ ：加工物件材質的電阻係數（ Ω ⋅ m ）
µ r :加工物件材質的相對導磁係數
f :加熱時的電流頻率（ Hz ）
δ 是渦電流密度降為表面電流密度的 1 e （即 36.8％）處的深度，定義為加
熱深度。由於 86.5％的加熱功率集中在集膚深度位置內，因此頻率的選擇對於感
應加熱的品質與效率有決定性的影響，表 2.1 感應加熱頻率之選擇。
表 2.1 感應加熱頻率之選擇
加熱深度頻率選擇加熱時間（分鐘）
（㎜）（20℃～720℃）（720℃～1230℃）圓柱加工件方形加工件
100～200 ＜180 Hz ＜180Hz～1kHz 3～7 5～9
75～100 1kHz 3kHz 2～3 3～5
50～75 1kHz 3kHz 1～2 1.5～3
25～50 3kHz 10kHz 0.3～1 0.8～1.5
13～25 10kHz 50kHz 0.1～0.3 ＜0.8
＜13 50kHz 450kHz ＜0.2 ＜0.8
又如圖 2.1 所示，將直徑為 D 的金屬圓柱放入產生均勻磁場的線圈中進行感
應加熱時，單位長圓柱吸收的功率可用下式表示：
22
P = 2π 2 H 02 D µ r × ρ × f × 10−9 × k （2-4）
其中 P ：單位長圓柱吸收的功率（ W cm ）
H 0 ：導體表面的平均磁場強度（ AT cm ）
D ：圓柱導體的直徑（ cm ）
k ：小於 1 的修正係數，它是 D 2δ 的函數。當 D 2δ ＝2 時， k ＝0.65；
D 2δ ＜2 時， k 值迅速減少。
由式（2-4）可知，當磁場強度一定時，功率 P 與 µ r ρf 和 k 值成正比， k 值
越接近 1，得到的功率 P 就越大，即加熱效率越高。而為了提高加熱效率就必須
增大 D 2δ ，也就是在 D 值一定時，δ 越小越好。然而 δ 值與 f 成反比，減少 δ，
意味著需要提高 f 。
一般來說，工作頻率越高設備成本越貴，且電源本身效率也會越低，因此不
能無限制縮小 δ 來提高效率。因此通常以 D 2δ ＝5 為最低極限，來計算加熱系
統工作的最低頻率，即把其值帶入式（2-3）中得到
ρ
f ≥ 25 × 108 (Hz ) （2-5）
µr D 2
但是在感應加熱時，還需要考慮加熱溫度的均勻性，一般取 D 2δ ＝2，因此
得到
ρ
f ≥ 4 × 108 (Hz ) （2-6）
µr D 2
在實際設計中，往往選用比上兩式算出來的頻率再高一點的電源即可，因為
頻率太高時，會造成加工物中心內與外層表面溫差過大，反而導致加熱時間增加。
2.3 感應加熱之優點
早期工業界為因應不同熱處理需求，一般多是用油、煤、酒精為燃料直接加
熱，不但對工作環境造成污染，熱損失非常大效率也差。感應加熱與上述直接加
熱方法比較，具有下列所述優點[9]：
（1）精確溫度控制：利用感應加熱產生渦電流在加工物件內部或表面流動，較
23
外部直接加熱，可執行精確溫度控制。
（2）加熱過程迅速：加熱器之電源設備可提供高功率密度的電流，在加工物件
上產生較大的渦電流，因此可快速的完成加熱需求，除了
大型加工件，一般數分鐘內即可完成加熱工作。
（3）滿足局部加熱：經由不同形狀加熱線圈的選擇及不同頻率電流之供給，可
準確的滿足局部加熱工作，這是直接加熱較難達成的。
（4）不受環境限制：感應加熱之電能轉換成熱能，不需介質，因此即使在真空
中或任何環境條件下，亦可執行加熱工作
（5）污染指數降低：感應加熱的來源為乾淨的電力，不像倚重油或燃煤為來源
的直接加熱有煙毒污染或落塵公害，因此感應加熱對工作
環境的污染相當少。
（6）工作效率提高：感應加熱的熱能產生於加工物件內部；反之直接加熱為自
外界環境傳遞而來，部分能量將散失在空氣中；因此感應
加熱因功率損失較小、工作效率提高。
（7）適當功率控制：直接加熱為開路系統，無適當的功率控制系統，但感應加
熱為閉回路系統，除了可執行頻率控制外，亦可執行功率
控制。
（8）經濟效益增加：可減少成本支出，提高經濟效益外，因為利用感應加熱器
執行熱處理工作，同時可減少相關附屬裝備及電源裝置的
體積大小，進而減少廠房面積需求與操作人員員額，因此
其經濟效益增加。
24
第三章感應加熱系統負載特性分析
3.1 加熱物件上的電阻係數與相對導磁係數
3.1.1 電阻係數
決定加熱深度的另一個因素是加工物之電阻係數，大部分加工物件的電阻係
數與溫度變化有線性關係，其關係為：
ρ = ρ1[1 + κ (θ − θ1 )] (Ω − m ) （3-1）
其中 ρ ：溫度 θ 下的電阻係數
ρ1 ：溫度 θ1 下的電阻係數
θ − θ1 ：代表不同的溫度（℃）
κ ：電阻溫度係數
而不同材質加工物其 ρ ， κ 與熔點大小可參考表 3.1 之數值，對一個線性的
加工物件，式（3-1）又可寫成：
θ − θ1
ρ = ρ1 + (ρ − ρ1 ) （3-2）
θ 2 −θ 1 2
其中 ρ1 與 ρ 2 分別是起始溫度 θ1 與最終溫度 θ 2 時之電阻係數。
依據表 3.1 提供的數據及式（3.1）及式（3.2）可以獲知不同溫度下的電阻係
數線性曲線如圖 3.1，除了表示加熱溫度與加工物件之電阻係數成線性正比關係
外，其中各曲線中轉折點代表熔點，因此部分加工物之電阻係數在加熱超過熔點
後，有明顯上昇趨勢[8-10]。
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表 3.1 不同加工物件 ρ 、 κ 與熔點大小
加工物件 κ ρ 20°C (Ω − m ) 熔點（℃）
-3 -8
銅 3.93×10 1.72×10 1084
鋁 4.29×10-3 2.65×10-8 660
-3 -8
純鐵 6.5×10 9.71×10 1535
-3 -8
銀 4.1×10 1.59×10 962
圖 3.1 溫度變化下的電阻係數[8]
3.1.2 相對導磁係數
除了工作頻率與加工件電阻係數外，相對導磁係數（ µ r ）亦是決定加工物
件加熱深度的重要因數；根據式（2-3）加熱深度與 µ r 之平方根成反比，即 µ r 越
大，集膚效應更顯著，加熱深度淺，反之則加熱深度較深入加工物件的內部，相
對導磁係數大小除了與加工物件材質及其受磁場強度，磁場飽和及磁化過程影響
外，溫度的大小亦是決定 µ r 大小的關鍵因素，對於一些鐵磁性材料，當其加工
溫度達到居里點（Curie-point）以上時，鐵磁性質消失，變成順磁性材料（ µ r 稍
大於 1）；圖 3.2 所示為參考例[5-8]。
26
圖 3.2 純鐵的 µ r 與溫度之關係[8]
對於一般鐵磁性材料而言，居里點的溫度除了部分合金約為 360℃至 450℃
間外，一般均在 720℃至 830℃間，所謂居里點的溫度，亦稱為居里溫度（ TC ），
其特性如圖 3.3 所示。
圖 3.3 磁化強度與溫度的關係[8]
其中 M S 代表磁性材料的飽和磁化強度，隨著加工物加熱溫度升高而降低，
當溫度增加至某一溫度，而使 M S 降為零，這個溫度稱為居里溫度。但是對於非
磁性材料，如鋁、銅、金、銀之相對導磁係數，幾乎等於 1，也因此這些非磁性
材料在高頻時，有較深電流滲透度，導致加熱深度較深，所以銅繞的加熱線圈，
如屬空心的螺管結構之類，其電流滲透深度位置較深，因此也較不受渦電流所產
生的集膚效應所衍生之焦耳熱影響；這也是銅材料製成感應線圈較受歡迎的另一
個考慮重點。
由於磁性物質磁化度強， µr 大，耦合係數高，鐵損高，除了有較大之渦流
損，且另有磁域摩擦所產生的磁滯損。比非磁性材料僅有渦流損者有較快的感應
27
加熱溫升速度，因此基於效益及成本因素考量下，在改變磁性狀態的居里點前
後，變動加熱線圈的加熱工作頻率，可縮短時間提高效率，減少成本。
3.2 加工物件上的溫度分佈與加熱時間
3.2.1 溫度分佈
當感應加熱圓柱導體時，由於集膚效應的影響，只有表面會快速升溫，而中
心部分則需靠熱傳導作用，由表面高溫區向內部低溫區傳導熱量，因此升溫慢。
而表面與中心的溫度差 ∆t ，可以下式表示[9]：
Pn Dkt
∆t = 25 × （3-3）
kc
其中，D ：導體直徑（㎝）
kc ：導體的導熱率（ W m ⋅ K ）
kt ：與 D 2δ 和 Pn Pa 有關之小於 1 的修正係數。
當 D 2δ 值大於 8 以後， kt 值幾乎與 D 2δ 值無關，只與 Pn Pa 值有關，且
隨著 Pn Pa 值增加而增大。當 D 2δ 值小於 8 時，kt 值隨 D 2δ 著下降而迅速減小。
Pn ：等於 Pa − Pr W cm 2( )
Pa ：功率密度（等於導體吸收功率/導體表面積） W cm2 ( )
Pa ：導體的散熱損失 W cm2 ( )
由式（3-3）可知，為了減少 ∆t 應盡量選小的 D 2δ 和 kt 值。這也說明為了
使被加熱工件溫度均勻分佈對 D 2δ 值的要求，也滿足高的電熱效率對 D 2δ 之
要求是矛盾的。
3.2.2 加熱時間
感應加熱設計中，除了頻率，功率之條件考量外，另一個要考量因素即是加
熱工作時間，其著眼點在於熱的傳導與輻射。當由設定的深度向外傳導或輻射
時，不但降低工作效率而且也對加工件之材質有所傷害，因此盡量提高工作頻率
28
與功率，使加熱時間縮短，可提高工作效率，如圖 3.4 以表面熱處理為例，
Lozinskil 曲線提供了不同加熱時間、頻率及功率關係圖[10]。
圖 3.4 表面硬化感應加熱工作曲線[10]
在決定加熱時間時，除了圖 3.4 可供參考外，另需考量一些外在因素，如工
作環境溫度，耦合程度，耦合距離，加工件材質等。
3.3 散熱與絕緣
理想的感應加熱工作，應該是加工物件被加熱，而感應加熱線圈仍然保持在
低溫狀態，但實際上有幾個因素使的感應加熱線圈受熱，嚴重時感應加熱線圈甚
至燒毀，第一個因素：高頻大電流在感應加熱線圈上流動所產生的電阻熱，第二
個因素：加熱物件在加熱過程中產生的輻射熱，第三個因素：感應加熱線圈內徑
太小，導致磁場以及電流集中在感應加熱線圈內徑處，造成感應加熱線圈溫度上
升。
但在加熱負載結構上，感應加熱線圈與工件要互相隔離，然而為提高耦合程
度，增加工作效率及加快加熱速度，兩者之間要盡量接近。因此一般常見的感應
加熱線圈多用空心銅管製作而成，並在工作間提供冷卻水流過線圈帶走線圈產生
的熱量，如圖 3.5；而一般家庭常用的電磁爐，則是由於功率遠小於工業用感應
加熱裝置，因此使用多芯漆包線絞製而成，冷卻方式則採用風扇製造空氣冷卻效
果，如圖 3.6。
29
圖 3.5 工業用水冷式感應線圈
圖 3.6 多芯漆包線絞製的感應線圈
3.4 電磁效應與焦耳效應
30
3.4.1 電磁效應
與線圈的設計有關的所有分析，有時是相當困難的，若是藉由電磁效應的檢
測或許可以達到良好的趨近[9]。
（1）集膚效應（Skin Effect）
高頻時在加工物中產生的渦電流並非均勻，等量的在加工物各斷面層流動，
產生的焦耳損失亦不同，因此各部位局部加熱程度大小不一，往加工物表面集中
之渦電流，隨著進入加工物之內部，以指數函數性減少，其電流滲透密度為：
J x = J 0 ⋅ e(− x δ ) （3-4）
其中 J x ：由金屬表面往中心 x （ m ）處之電流密度（ A m 2 ）
J 0 ：金屬表面（ x = 0 ）之電流密度（ A m 2 ）
δ ：集膚深度（ m ）
x ：由表面向中央的距離（ m ）
功率分佈可由式（2-2）和式（3-4）得到：
Pv = Pv 0 ⋅ e(−2 x δ ) （3-5）
其中 Pv 0 ：金屬表面（ x = 0 ）之功率密度（ W m3 ）
至於由表面到 x = δ 處之電流與功率佔總電流及總功率的比率：
δ δ
I (δ ) = ∫ J x dx = J 0 ∫ e(− x δ )dx
0 0 （3-6）
(
= J 0δ 1 − e −1
) = 0.632I 0
其中 I 0 ：物體每單位長度的有效渦電流（ A m ）
在由式（3-5）和式（3-6）推導可得知：
δ δ
P(δ ) = ∫ J x2 ⋅ ρ ⋅ dx = J 02 ⋅ ρ ∫ e(− 2 x δ )dx
0 0
（3-7）
J δ
ρ (1 − e − 2 ) = 0.865P0
2
= 0
2
31
由式（3-6）和式（3-7）可知感應加熱的功率損失與渦電流的流動量主要是
集中在加工物件的集膚深度內，分別各佔 87％與 64％；因此調整工作頻率即可
配合加熱型態所需之加熱深度。
大約 64％的感應電流流經深度 δ 的工作表面，而約有消耗 87％的功率，如圖 3.7。
如果我們假定所有的渦電流均勻分佈在工件表面，則正確的功率值可藉由焦耳定
律求出：
P0 = I 02 ⋅ ρ 2δ （3-8）
δ δ
I (δ ) = ∫ J x dx = J 0 ∫ e(− x δ )dx = J 0δ （3-9）
0 0
其中 P0 ：物體表層每單位面積所得的有效功率（ W m 2 ）
圖 3.7 加熱物件受集膚效應而導致感應電流及功率之分佈[9]
對無限長的物體而言，不僅是一種很方便的簡化，而且也給予正確的功率
值。對於其他型態的工件（圓柱體，扁平的物體，不均勻的物體）而言，滲透深
度 δ 是很重要的，因此我們可以透過他與工件的尺寸去預測加熱效果，例如單圓
柱體或薄板的厚度不小於兩倍的滲透深度時，可以有較好的電磁功率吸收，因此
可以得到有效率的加熱。
32
（2）鄰近效應
所謂鄰近效應是指兩相鄰的帶電導體或繞組，因電流方向之不同，產生交變
的磁場相互作用，影響磁通大小變化的結果。這種效應證明感應電流的路徑外形
幾乎類似於電感線圈，如圖 3.8 和 3.9 所示，頻率越高，加工物與加熱線圈之間
的間係越小則鄰近效應就更明顯，同時其所產生之渦電流，使兩者接近面磁通加
強，電流滲透淺，加熱程度也升高，而距離較遠處，磁通減弱，加熱效果較差。
但必須注意的是，集膚效應只會影響渦電流分佈狀況，但鄰近效應卻會改
變渦電流的大小。
圖 3.8 在扁平加熱物上的鄰近效應[9]
33
圖 3.9 兩平行板的鄰近效應[9]
（3）線圈效應
當導體是彎曲時，例如：螺線型的線圈，它的磁場強度在線圈內部會增加，
因此渦電流會集中在內側表面，那就是為什麼加工物被螺線型線圈圍繞的外螺線
型線圈不需要磁通集中器，而放在加工物件內部的內螺線型線圈則需要的原因。
（4）磁場集中效應
磁場集中效應效應說明了磁通集中器對平板形和內螺線圈的影響效果，因為
線圈效應對這類的線圈不起作用，導致在加工物件表面會引起磁場強度的衰退，
使磁體中的磁場會朝向開放的槽面排出，如圖 3.10 所示。當加入磁通集中器，
使的在槽內渦電流分佈會越集中，而導致加工物件會有越強的加熱效果。
34
圖 3.10 磁場集中效應[9]
（5）邊界效應
邊界效應所顯示的是磁場在工件和線圈的末端行為，工件和線圈末端效應的
組合，以一個放置在縱向磁場中的圓柱型導體為例，將會導致功率沿著工件的縱
長做分佈，同時影響的溫度的分佈，以一個放置在縱向磁場中的圓柱型導體為
例，如圖 3.11 所示。
如果工件是非磁性的材料，則末端效應會導致工件末端的功率密度增加，相
反地對磁性工件而言功率密度在末端的增減是根據導體的半徑、材料特性、頻率
和磁場強度而定。磁場強度在靠近線圈末端的減少導致相對的功率減少，這種工
件與線圈末端效應之間的相互作用可以用來去得所需要的功率分佈。
35
圖 3.11 縱向磁場中的圓柱型導體工件和線圈的末端效應的功率分佈[9]
3.4.2 焦耳效應
（1）磁滯損失（Hysteresis Loss）
對於加熱線圈及加工物件之間為非接觸型的電磁感應作用而言，由於加工
物件經由磁化、去磁、再磁化之分子往復運動，所造成磁滯損失(Hysteresis Loss)
使的加工件產生熱而達到溫度上昇現象，如圖 3.12 所示，通常磁滯損主要都是
由鐵磁性材料所產生的[9]。
圖 3.12 磁滯曲線[9]
36
如果 abcdef 所包圍的磁滯環面積越大，表示矯磁力 H C 和剩磁 Br 之值較大，
則磁滯損當然亦提高，對於磁滯損的計算，根據德國物理學家史麥坦提出的經驗
公式為[5]：
Ph = K h ⋅ f ⋅ Bmx ⋅ U （3-10）
其中 Ph ：加工件的磁滯損
f ：頻率（ Hz ）
Bm ：最大磁通密度（ T ）
K h ：磁滯損失
x ：材質係數，其質約 1.5～2.5 間
U ：加工件體積（ m3 ）
（2）渦流損（Eddy Current Loss）
感應加熱電源系統提供不同頻率交流電流通過加熱線圈後，因電磁感應作用
產生感應電動勢，此電動勢將在加工物件上產生渦流 I C ，並在加工物件各斷面
層成非均勻，非等量流動，造成 I C2 ⋅ R 的損失，此項渦流損與上述的磁滯損一樣，
在被加熱物上最終是以熱的型態表現出來，因此渦流損又稱焦耳損（Joule's
Loss），這也是感應加熱的目的與特色，至於磁滯損與渦流損在不同加熱頻率下，
所佔的比重不盡相同，如圖 3.13 所示當加熱工作頻率越高時，整個鐵損中，渦
流損（正比於 f 2 ）所佔比重越大，其工作斜率幾乎和鐵損的斜率一致[9]。
渦流損可以用下列的近似公式表示
Pe = K e (Bmax ⋅ f ⋅ t )
2
(W Kg ) （3-11）
其中 Pe ：單位重量下的渦流損 (W Kg )
Bmax ：最大磁通密度（ T ）
f ：工作頻率（ Hz ）
K e ：渦流損比例常數
37
t ：加熱物件厚度（ m ）
圖 3.13 鐵損與加熱頻率之關係[9]
3.5 加熱負載參數模型
在電氣結構上，加熱負載是一個電感器，對線性介質而言，電感與架構迴路
之導體的幾何形狀及實體排列有關，而與迴路中的電流毫無關係。若以單匝而圓
周半徑為 r ，長度為 l 之加熱線圈為例，設此加熱線圈所通過的電流為 I 且無漏
磁通，則此線圈內之中心磁場強度 H = I 2l ( A m) ，所以其磁通密度
B = µ0 H = µ0 I 2l ，又因加熱線圈之磁通截面積 A 為 πr 2 (m 2 )，所以加熱線圈之電
感值：
BA µ0 I 2πr 2 1
L= = = （3-12）
I Il ℜm
l
其中， ℜm = 是磁阻
µ0 A
但對實際之螺管線圈，因形狀不同，仍會產生少許漏磁通，所以可用一個常
38
數 K ，表示：
1
L=K （H）（3-13）
ℜm
因此由式（3-13）可知，加熱線圈之電感值與線圈長度、線圈材料之導磁係
數、面積有關。
感應加熱系統之負載，包含加熱線圈與加工物件，猶如一耦合變壓器，加熱
線圈視為一次側，而加工物視為二次側，其等效電路如圖 3.14。
圖 3.14 加熱負載參數模型
其中 Rc ：加熱線圈導體物質
Rw ：加工物件等效電阻
Lc ：加熱線圈漏感
Lg ：漏電感
Lw ：加工物件等效電阻
N ：加熱線圈匝數
由等效電路可用下式來表示負載：
Z eq = Req + jω ⋅ Leq （3.14）
其中 Req = Rc + N 2 Rw ，且 Leq ≈ Lc + N 2 Lw + Lg
在事實上，感應加熱系統的等效電路模型中，各參數受很多因素影響，如電磁感
應，集膚效應，介質特性…等，上述之負載模型只能為一個理論架構。
3.6 感應加熱線圈設計與製作
在實際感應加熱系統中，加熱負載包含感應加熱線圈以及加熱工件，加熱工
件包含整體模穴、微結構及模仁，而感應加熱線圈則是另一個關鍵，由於感應加
39
熱過程中，感應頻率會隨著加熱工件的導磁能力而有所不同，但是在設計原則上
仍有一定的標準。
本實驗預期設計是要將感應加熱線圈置入模具內，因此在設計感應線圈外型
及厚度時，需要考慮模穴空間是否足夠置入感應線圈，基於前述設計原則，故將
感應線圈外型設計為平板狀的單層線圈，線圈厚度部分需另外考慮耦合距離的大
小。一般而言，平板線圈又稱為盤狀線圈，在單層多匝架構設計原則下，可以視
為平面電感（Induction）。
在平面電感外型上分成方形及圓形兩種，通常在半導體製程中多用平面方形
電感，優點為設計電感值較高，但缺點為品質因素 Q 值不佳；而平面圓形電感
雖然設計電感值不如方形好，但是品質因素 Q 值卻比較好，因此兩種平面電感
在實際應用上各有優缺點。
3.6.1 設計公式
依據 CD/DVD 光碟片外型大小做為線圈範圍，搭配電路電容大小及 RC 震
盪迴路的震盪頻率，設計所需電感值的大小，設計原則採用式（3-15）及式（3-16）
計算得之[11]：
（1）平面方形電感
L = µ0 n 2 r = 4π × 10−7 n 2 r ≈ 1.2 × 10−6 n 2 r（H）（3-15）
其中 n ：匝數或圈數
r ：半徑（ m ）
（2）平面圓形電感
a 2n2
L = 393 （nH）（3-16）
8a + 11c
d + di
a= o （㎝）（3-17）
4
d o − di
c= （㎝）（3-18）
2
其中 n ：匝數或圈數
40
d o ：感應線圈最大外徑（㎝）
di ：感應線圈最小內徑（㎝）
（3）品質因素 Q
在一般電感 L 及電容 C 元件上，為了說明元件儲存能量的能力，在電容上
是以電場儲能，在電感上則以磁場儲能，但實際的元件上，都會含有一些電阻，
因而使部分能量轉換為耗損的熱能。簡而言之，Q 在元件或是電路上的定義，可
為
電抗功率 ωL
Q= = （3-19）
電阻功率 R
其中 ω = 2πf ， f 為頻率
L ：感應線圈電感值
R ：感應線圈電阻值
利用上述的公式，在線圈製作前可以依據實驗所需電感值及電感內外徑設計
出感應線圈的線徑及間隔（Gap），並且依據線徑耐電流大小決定設計可行性。
以實驗進行用感應線圈為例，內部線圈尺寸，內徑：ψ3.82 ㎝，外徑：ψ12.0
㎝，圈數：29 圈；外部線圈尺寸，內徑：ψ13.66 ㎝，外徑：ψ18.0 ㎝，圈數：15.5
圈；利用式（3-16）、式（3-17）及式（3-18），可以得到理論電感值分別為內
線圈 67.4655nH，外線圈 67.4215nH。利用 LCR 實際量測結果，在頻率 30KHz
電壓 1V 測試結果下，內線圈電感值 69.80 nH，品質因素 Q 值 42.5，外線圈電感
值 70.45nH，品質因素 Q 值 40.7，量測值會比理論計算值略微偏高，因此證明設
計公式適用於論文中感應線圈電感值的計算。
3.6.2 感應線圈製作方式
以式（3-15）來做為設計方形感應線圈基礎及式（3-16）來做為設計圓形
感應線圈基礎，設計線圈大小為 10 ㎝×10 ㎝面積內，設置在陶瓷基材上，以符
合嵌入模具內的原則，因此製程上嘗試採用微機電製程，定義感應線圈的圖形，
接著電鑄脫模後得到感應線圈。
41
使用微機電製程可以輕易製作感應線圈，及較小的間隔，但是一般厚膜光
阻容易掌握塗佈的厚度約 100 µm ～300 µm ，若是要再將厚度製作到約 500 µm ～
1 ㎜困難度將大幅度提昇，而且電鑄出來後的線圈電阻值會比多芯絞線或較粗的
單芯線來的大很多，導致品質因素Q值低落，減低感應線圈儲能的能力，因此不
適合使用微機電製程製作大型平面感應線圈。
圖 3.15 使用微機電製程定義方形感應線圈圖形
圖 3.16 電鑄脫模後得到的圓形感應線圈
42
由於使用微機電製程製作感應線圈，有光阻塗佈厚度不足的缺點，在改進製
程的想法下，嘗試以微銑削的方式來定義感應線圈的圖形，接著再將基板拿去作
電鑄前的種金層，如圖 3.17 所示，接著進行電鑄，製程最後以研磨方式將線圈
電鑄後不要的地方去除。但是，在後製程電鑄時會因為線圈外圍其他平面部分電
流比溝槽內的電流大很多，導致電鑄方向會由表面外圍往中心包覆進去，最後會
導致感應線圈電鑄成品為中間空心的包覆情況，無法得到實心的線圈導線，如圖
3.18 所示，由於上述製程缺陷，因而暫不採用此法做為感應線圈製作方法。
圖 3.17 電鑄前的種金層圖
圖 3.18 電鑄後外圍電鑄層包覆感應線圈情況
43
因為前兩項製程上的缺點，於是使用原始的手繞線圈方式製作感應線圈，製
作出來的線圈如圖 3.19 所示，經由手繞線圈後，將成品使用式（3-16）計算電感
值，比較 LCR 量測電感值、電阻值及品質因素 Q 值，可以得到相同的電感值，
但是利用手繞製感應線圈，在繞製上及封裝感應線圈上並不容易，因此結合微銑
削製程銑削出為溝槽，再將漆包線壓入溝槽內，如圖 3.20 所示，最後進行封裝。
圖 3.19 手繞製感應線圈
圖 3.20 結合微銑削製程製作的感應線圈
44
第四章電源供應器
4.1 感應加熱裝置架構
感應加熱系統基本電路架構如圖 4.1 所示，加熱系統是由整流電路、主迴路
以及控制電路等單元組成。感應加熱裝置工作原理，首先將 110V 交流電源經過
整流電路轉換成直流電壓源，在通過感應線圈加到 IGBT 上，IGBT 受控制電路
中 IGBT 驅動 IC 信號的控制而導通和截止，當 IGBT 導通時受負載本身磁通量
影響，感應線圈上會產生頻率為 20KHz～50KHz 的電流並通過整個線圈，此時
在感應線圈的周圍將產生高頻磁場，而負載感應高頻磁場產生渦電流，此渦電流
克服負載本身電阻流動時，將電能轉換成熱能。其中主迴路消耗電源屬於功率級
電力；而控制電路部分則屬於弱電部份。
圖 4.1 感應加熱系統基本電路
感應加熱各單元功能簡述如下：
（1）交流電源：單相 110V 60Hz 市電電源。
（2）整流電路：將交流電源轉換為直流電源功能，包含橋式整流器及低頻濾波
45
電容及電感。
（3）功率轉換電路：功率轉移用，並將直流電壓轉換成所需的電壓頻率。
（4）控制電路：控制 IGBT 及過壓保護電路。
（5）負載：模穴模仁，依據模仁材料不同及與線圈間的距離，會影響工作電壓
頻率。
4.2 整流電路
感應加熱系統中整流電路主要目的是將 110V 60Hz 交流市電轉換成直流電
壓源，由於在功率轉換電路中 IGBT 所工作的電源為功率級電力，在考量下，決
定採用 SHINDENGEN 公司所生產的 D15XB60H 橋式整流器，來做為整流元件，
搭配環形鐵心電感和高壓電容作低頻濾波做為整流電路。D15XB60H 橋式整流器
主要相關規格如下：
表 4.1 D15XB60H 最大功率表

Item SYMBOL CONDITIONS RATING UNIT
Storage Temperatire Tstg -40~150 ℃

Operating Junction Tj 150 ℃
Temperature
Maximum Reverse Voltage VRM 600 V

Average Rectified Forward IO 50Hz sine wave, R-load With heatsink TC=107℃ 15 A
Current 50Hz sine wave, R-load With heatsink Ta=25℃ 3.5
Peak Surge Forward Current IFSM 50Hz sine wave, Non- repetitive 1cycle peak value, 240 A
TC=25℃
Current Squared Time I2t 1ms≦t＜10ms Tj=25℃ 200 A2s
Dielectric Strength Vdis Terminals to case, AC 1 minute 2.5 kV

Mounting Torque TOR （Recommended torque：0.5 N‧m） 0.8 N‧m
46
表 4.2 D15XB60H 特性表
Item SYMBOL CONDITIONS RATING UNIT
Forward Voltage Vf IF=7.5A, Pulse measurement, Rating of per diode -40~150 ℃
Reverse Current IR VR= VRM, Pulse measurement, Rating of per diode 150 ℃
θjc Junction to case With heatsink 600 V
Thermal Resistance Θjl Junction to lead With heatsink 15 A
θja Junction to ambient With heatsink 3.5
4.3 功率轉換電路
在感應加熱系統電路中，功率轉換電路包含 IGBT 及感應線圈，主要目的為
藉由感應線圈將功率轉移到負載上，使負載產生熱能，快速的昇溫；並藉由 IGBT
驅動 IC（TA8316AS）控制 IGBT 的導通，當驅動 IC 發出方波訊號驅動 IGBT 導
通，當 IGBT 導通時，流過感應線圈的電流迅速增加，當 IGBT 截止時，感應線
圈（L2）、C2 產生 LC 諧振，IGBT 集極（Collector）端會產生脈衝高壓，當此
高壓降到接近 0 時，此時感應線圈中的電流正在反向減少，驅動 IC 再次發出方
波訊號到 IGBT 的閘極（GATE）端，使 IGBT 再次導通。
主迴路中 IGBT 扮演核心的開關元件，在選擇上必須考量切換速度是否適用
於高頻場合，另外還需考慮 IGBT 的額定耐壓、耐流等各項規格；在橋式整流架
構中，理論上 IGBT 的跨壓最大為輸入的直流電壓，而負載的功率則可以決定
IGBT 的耐流。另一方面，IGBT 的導通損失也會造成電路效率的降低，所以必
須考慮 IGBT 的導通電阻，通常 IGBT 的耐流愈大，其導通電阻也愈小，導通損
就會降低。
另外為了防止當 IGBT 電壓下降到 0 以後才重新導通 IGBT，導致感應線圈
在 IGBT 導通時，流通的電流瞬間變化太大，導致 IGBT 燒毀，因此採用零電壓
切換技術（Zero Voltage Switching, ZVS），保護 IGBT。
所謂零電壓開關切換技術（Zero Voltage Switching, ZVS）是利用 LC 諧振電
路，以強迫震盪方式使開關元件上的電壓波形為準正弦波，在開關元件導通前，
47
先使開關元件兩端跨壓為零，這就是所謂的零電壓開關切換技術。另外一種相似
的開關切換技術稱為零電流開關切換技術（Zero Current Switching, ZCS），也是
利用 LC 諧振電路，以強迫震盪方式使開關元件上的電流波形為準正弦波，在開
關元件截止前，先使流經開關元件的電流為零，這就是所謂的零電流開關切換技
術。這兩種開關技術都屬於柔性切換技術，目的在於減少切換過程中能量損失，
使其切換時的電壓與電流變化率較為緩和，也可以減輕電路產生的電磁干擾問題
[11-12]。
主回路 IGBT 開關元件採用日本東芝公司（TOSHIBA）所生產的
GT60M303，來做為開關元件，主要相關規格如下：
表 4.3 GT60M303 最大功率表

CHARACTRTISITC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Emitter Voltage VCES 900 V
Gate-Emitter Voltage VGES ±25 V
Collector Current DC IC 60 A
1ms ICP 120
Emitter-Collector DC IECF 15 A
Forward Current 1ms IECFP 120
Collector Power Dissipation PC 170 W
（TC＝25℃）
Junction Temperature Tj 150 ℃
Storage Temperature Range Tstg -55～150 ℃
Screw Torque － 0.8 N-m
48
表 4.4 GT60M303 特性表
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN TYP. MA UNIT
X
Gate Leakage Current IGES VGE=±25V, VCE=0 －－ ±500 nA
Collector Cut-off Current ICES VCE=900V, VGE=0 －－ 1.0 mA
Gate-Emitter Cut-off Voltage VGE（OFF） IC=600mA, VCE=5V 3.0 － 6.0 V
Collector-Emitter Saturation VCE（SAT）（1） IC=10A, VGE=15V － 1.6 2.2 V
Voltage
Collector-Emitter Saturation VCE（SAT）（2） IC=60A, VGE=15V － 2.1 2.7 V

Voltage
Input capacitance Cies VCE=10V, － 3800 － pF

VGE=0,f=1MHz
Rise time tr － 0.35 0.60
Switching Time Turn-On Time ton － 0.46 0.75
Fall Time tf － 0.25 0.40 µs
Turn-Off Time toff － 0.60 0.70
Emitter-Collector Forward Current VECF IEC=15A, VGE=0 － 1.5 2.0 V
Reverse Recovery Time trr IF=15A, VGE=0, － 0.7 2.5 µs
di/dt=-20A/µs
Thermal Resistance Rth（j-c） IGBT －－ 0.74 ℃/W
Thermal Resistance Rth（j-c） Diode －－ 4.0 ℃/W
4.4 控制電路
感應加熱系統電路中，除了主迴路進行功率轉換加熱外，還需要利用控制電
路對主迴路進行開關控制，而控制電路本身是由許多小型電路組成，包含：同步
電路、振盪電路、電流負反饋電路、過壓保護電路及 IGBT 驅動電路等，這些保
護電路除了可以對 IGBT 進行保護外，還包括操作功能上的控制，以下對各部分
保護電路作說明。
（1）同步電路
同步電路監視主迴路工作情況，當 IGBT 電壓下降接近 0V 時，輸出一個觸
發脈波強行使震盪電路開始下一個週期的震盪，並使 IGBT 導通。
49
（2）震盪電路
震盪電路包含由 LM339 比較器電路所組成的 RC 震盪迴路以及 IGBT 驅動
IC 所構成的迴路，如圖 4.2 所示。電路工作時，由 LM339 比較器電路所組成的
RC 震盪迴路比較 LC 諧振電路頻率與 RC 震盪頻率，控制兩組震盪頻率同步化，
並產生方波訊號頻率提供給 IGBT 驅動 IC-TA8136AS，經由驅動 IC 輸出方波脈
衝給 IGBT 閘極端（Gate）
，使 IGBT 導通。正常工作時，方波訊號受同步電路控
制上升時間，目的在確保與主迴路 LC 諧振電路同步，而方波的寬度又受電流反
饋電路的控制。
圖 4.2 震盪電路
（3）電流負反饋電路
負荷電流的反饋訊號和單晶片 HT46R47（HOLDEK 公司）輸出的 PWM 訊
號相比較，形成電流負反饋的輸出，藉由此保護電路可以限制負荷電流不會超過
IGBT 本身最大耐流。
（4）過壓保護電路
過壓保護電路用來監控交流市電的電壓峰值和 IGBT 集極（Collector）電壓，
一旦兩者其中之一電壓過高，即刻關掉驅動方波訊號的輸出。
50
4.5 IGBT 波形量測
前面提到感應加熱系統工作頻率選擇上不可太高，但是也不可以太低，當工
作頻率太高會降低加熱效率，頻率太低則會發出噪音，因此感應加熱系統選用的
頻率範圍為 20KHz～50KHz 之間，在此區間可以大於人類聽覺的上限，且不會
因為頻率過高導致加熱效率降低。
在系統設計上已經將使用頻率範圍確定，但是在系統空機不接負載時及負載
不同時，系統的震盪頻率及 IGBT 導通時間會因為不同加熱材質而所不同的，如
表 4.5 所示。
表 4.5 波形量測結果
負載功率頻率（KHz） Duty（％） Period（µs）
空機 2.5W 16.89 55.7 59.2
2.5W 16.89 53.7 59.2
2.5W 16.89 53.7 59.2
2.5W 16.89 53.7 59.2
2.5W 16.89 53.7 59.2
鎳基板 230W 33.1 35.1 30.2
260W 32.3 33.5 31.0
450W 30.8 40.3 32.5
650W 26.6 47.3 37.6
850W 24.51 53.9 40.6
銅基板 230W 41.0 30.3 24.4
260W 36.5 33.8 26.0
450W 34.0 43.5 29.4
650W 33.6 44.3 29.6
850W 33.3 51.3 30
51
圖 4.3 空機 IGBT 閘極（Gate）波形
圖 4.4 負載鎳基板輸出 230W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形
52
53
54
圖 4.9 負載銅基板輸出 230W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形
55
56
圖 4.14 微細探針加熱 850W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形
57
圖 4.15 負載 306 不銹鋼輸出 850W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形
58
第五章實驗結果與討論
感應加熱法應用在加熱上是一種高效率的加熱法，尤其應用在表面快速加熱
部分，因此利用感應加熱法對模具進行表面快速升溫及即時動態模溫控制是非常
具有潛力的方式。
實驗使用電源供應器，提供最大輸出功率約 850W，外觀如圖 5.1 所示，搭
配感應線圈如圖 5.2 所示，線圈分內外兩組感應線圈，實驗僅使用內感應線圈進
行加熱，內感應線圈外觀尺寸最小內徑 38.2 ㎜，外徑 120 ㎜，線徑 1.0 ㎜，間隔
0.4 ㎜，匝數 29 圈，理論電感值約 67µH，實際量測電感值為 67.65µH，實際加
熱負載各部配置圖如圖 5.3 所示，配置依序為感應線圈、鐵氟龍 4F 基板、5 ㎜厚
鐵氟龍 4F 加熱負載載板、加熱負載、熱電耦，其中感應線圈距離加熱負載距離
8 ㎜，加熱負載載板放置位置在基板中心，並以基板中心為基準。
圖 5.1 電源供應器外觀
59
圖 5.2 實驗感應加熱線圈外觀
圖 5.3 感應加熱負載配置圖
60
5.1 單種材料感應加熱
實驗加熱負載材料使用中碳鋼板和電鑄鎳板，使用原因為目前射出成型模仁
或模穴，使用材料多是模具鋼或是利用電鑄成型具有微結構的鎳片來當成射出成
型模仁模穴，因此使用上述兩種材料做為實驗加熱負載。
實驗分成兩部分，第一部份為負載加熱溫度分佈實驗；第二部分為連續加熱
升溫實驗。
5.1.1 負載加熱溫度分佈實驗
實驗進行前，先將加熱負載分成 9 個區塊，並黏上 9 組熱電耦作溫度量測用，
接著進行加熱溫度分佈實驗，實驗使用的感應加熱電源供應器最大使用功率約
850W，線圈與負載加熱物間隔 8 ㎜。
（1）中碳鋼板負載
首先使用中碳鋼板做為加熱負載，進行升溫測試，中碳鋼板為直徑 ψ127 ㎜
圓形鋼板外觀如圖 5.4 所示；熱電耦分佈如圖 5.5 所示，其中 TH2、TH8 與 TH5
的距離為 43 ㎜，TH4、TH6 與 TH5 的距離為 35 ㎜，TH1、TH3、TH7、TH9 與
TH5 的距離為 55.4 ㎜，加熱結果如圖 5.6 所示。
圖 5.4 中碳鋼板外觀
61
圖 5.5 中碳鋼板熱電耦分佈圖
0.6mm厚鋼板加熱測試
TEMP(℃)
250.0
200.0
150.0
100.0
50.0
0.0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140
Time(seconds)
TH1 TH2 TH3 TH4 TH5 TH6 TH7 TH8 TH9
熱電耦 TH1 TH2 TH3 TH4 TH5 TH6 TH7 TH8 TH9
最高溫 218.3 238.0 218.2 217.5 107.0 230.9 108.3 188.8 132.9
圖 5.6 中碳鋼板感應加熱上升溫度分佈圖
62
（2）電鑄鎳板負載
使用電鑄鎳板做為加熱負載，進行升溫測試，電鑄鎳板為 100 ㎜×100 ㎜方
形鎳板板外觀如圖 5.7 所示；熱電耦分佈如圖 5.8 所示，其中 TH2、TH4、TH6、
TH8 與 TH5 的距離為 35 ㎜，TH1、TH3、TH7、TH9 與 TH5 的距離為 49.5 ㎜，
加熱結果如圖 5.9 及圖 5.10 所示。
圖 5.7 電鑄鎳板外觀
63
圖 5.8 電鑄鎳板熱電耦分佈圖
0.4mm厚鎳版加熱測試(1)
TEMP(℃)
300.0
250.0
200.0
150.0
100.0
50.0
0.0
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Time(seconds)
最高溫 225.2 280.3 225.8 222.3 109.5 244.8 155.5 234.8 198.5
圖 5.9 電鑄鎳板感應加熱上升溫度分佈圖（1）
64
TEMP(℃)
0.4mm厚鎳板加熱測試（2）
350.0
300.0
250.0
200.0
150.0
100.0
50.0
0.0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
Time(seconds)
最高溫 193.6 292.4 219.2 216.7 104.4 246.6 153.2 232.4 197.8
圖 5.10 電鑄鎳板感應加熱上升溫度分佈圖（2）
（1）在基板中心處並
比較兩種單種材料加熱結果，可以得到以下幾點結論：
無感應線圈的分佈，因此中心 TH5 處加熱溫升效果最差，溫度上升機制多是藉
（2）在線圈分佈區域中以 TH2、TH6 兩區域的升溫效果最為突出，

由材料熱傳；
以 TH7、TH9 兩區域的升溫效果最差，但是仍然位於中心的 TH5 好；

（3）TH1、
TH3、TH4 三個區域的升溫效果都差不多，僅次於 TH2、TH6。
（1）鄰近效應，
推論導致感應加熱升溫不均勻性的原因，有以下幾點因素：
（2）
由於鄰近效應的影響，所以在線圈分佈的區域內，升溫效果會特別突出明顯；
磁場集中效應，由於平面電感進行感應加熱過程中，若缺少磁場集中器產生磁場
集中器效應，感應磁場會朝開放面向外溢散，導致部分區塊溫度上升緩慢，影響
（3）邊界效應，由於方形的加熱物受邊界效應的影響比圓板狀的加
加熱均勻性；
熱物嚴重，且在角隅處磁場及渦電流有集中現象因此圓板狀的加熱物可以減少邊
界效應的影響，使加熱情況較為均勻。
5.1.2 負載連續加熱升溫實驗
實驗進行前在加熱負載上黏上 4 組熱電耦作溫度量測用，接著進行加熱溫度
65
分佈實驗，實驗使用的感應加熱電源供應器最大使用功率約 850W，線圈與負載
加熱物間隔 8 ㎜，加熱過程線圈背面使用風扇對線圈進行氣冷降溫，此方法目的
在於模擬感應線圈在模具內藉由冷卻水路降低感應線圈溫度，具有穩定感應磁場
的效用。設定測試溫度為模具表面溫度從 80℃上升到 200℃，再由 200℃降溫到
80℃之間連續的升降溫測試。
（1）中碳鋼板負載
使用中碳鋼板做為連續加熱負載，進行升溫測試，中碳鋼板為直徑 ψ127 ㎜，
圓形鋼板外觀如圖 5.4 所示；熱電耦分佈如圖 5.11 所示，其中 TH1、TH2、TH3
與 TH4 的距離約為 43 ㎜，加熱結果如圖 5.12 所示。
TH3
TH1
TH2
TH4
圖 5.11 熱電耦分佈情況
66
鋼片感應加熱連續溫升測試
溫度（℃） 350
300
250
200
150
100
50
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250
TH1 TH2 TH3 TH4 時間（Seconds）
熱電耦 TH1 TH2 TH3 TH4
最高溫度 202.6 204.6 206.1 132.2
圖 5.12 鋼片感應加熱連續溫升測試
表 5.1 鋼片連續升降溫測試耗費時間
加熱次數 80℃升溫到 200℃耗時（sec） 200℃降溫到 80℃耗時（sec）
TH1 TH2 TH3 TH4 TH1 TH2 TH3 TH4
第一次 8 8 7 14 34 26 29.5 39.5
第二次 8 8 8 16 34.5 26 20.5 39.5
第三次 8 8 7.5 16 30.5 28.5 28 46.5
由表 5.1 及圖 5.11 及圖 5.12 所示，在熱電耦分佈上，TH1～TH3 分佈位置
在加熱物的外圍，但卻在感應線圈分佈範圍內，TH4 在加感應線圈中心處，由實
驗結果表 5.1 可以發現當溫升從 80℃～200℃時，TH1～TH3 的溫升效果差異不
大，所耗費時間約 8 秒，而處於中心的 TH4 卻需要花費將近 2 倍的時間到達目
標溫度，另外在 TH2 處從 80℃升溫到 200℃溫度提昇 120℃約需 8 秒，相同時間
下 TH1 處能將溫度提昇 125℃，TH3 處也能將溫度提昇 136℃，而 TH4 處卻只
67
能將溫度提昇 78℃，此外在降溫部分，氣冷效果雖然不如水冷，但是花費時間
約需要 25～50 秒，對於射出成品降溫而言，冷卻所需耗費的時間稍嫌過長。
（2）電鑄鎳板負載
使用電鑄鎳板做為加熱負載，進行升溫測試，電鑄鎳板為 100 ㎜×100 ㎜方
形鎳板外觀如圖 5.7 所示；熱電耦分佈如圖 5.13 所示，其中 TH1、TH2、TH3
與 TH4 的距離為 35 ㎜加熱結果如圖 5.14 所示。
TH3
TH1
TH2
TH4
圖 5.13 熱電耦分佈情況
68
溫度（℃） 250
鎳片感應加熱連續溫升測試
200
150
100
50
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
TH1 TH2 TH3 TH4 時間（Seconds）
熱電耦 TH1 TH2 TH3 TH4
最高溫度 156 136.2 230.9 94.3
圖 5.14 鎳片感應加熱連續溫升測試
與中碳鋼板加熱實驗不同的是，實驗用電鑄鎳片與 CD/DVD 射出成型用模
仁實際厚度相同，厚度約為中碳鋼板一半，且外觀為方形如圖 5.13 所示，實驗
結果如圖 5.14 所示，從實驗結果圖上可以發現，在 TH3 處從 80℃升溫到 200℃
溫度提昇 120℃約需 6.5 秒，相同時間下 TH1 處僅能將溫度提昇 76.7℃，TH2 處
也僅能將溫度提昇 73.4℃，而 TH4 處卻只能將溫度提昇 35.1℃，原因在薄鎳片
受外觀及厚度影響，表面均勻升溫效果不如預期，在邊緣處受邊界效應影響特別
容易造成磁力線及渦電流集中，因此溫度上升速度的差異更大。
5.2 雙種材料感應加熱
本實驗加熱負載使用雙種材料分別為銅基板上電鑄鎳鐵結構和電鑄鎳板銲
上銅板結構，實驗目的在於利用材料的導磁特性達到部分區域感應加熱的測試。
實驗分成兩部分，第一部份為銅基板上電鑄鎳鐵結構升溫實驗；第二部分為電鑄
鎳板銲上銅板結構升溫實驗。
69
5.2.1 銅基板上電鑄鎳鐵結構升溫實驗
本實驗使用銅基板上電鑄鎳鐵結構進行加熱測試，考量銅材為非導磁性材料
因此在表面電鍍上一層厚度約 60µm 鎳鐵材料進行感應加熱實驗，並觀察加熱效
果。
實驗線圈如圖 5.2 所示，負載配置一樣如圖 5.3 所示，銅基板外觀如圖 5.15，
第一次實驗熱電耦分佈如圖 5.16 所示，第一次實驗結果如圖 5.17，在加熱過程
中感應線圈會因為線圈溫度上升導致感應加熱效率降低，因此無法順利升溫到
200℃；在第二次實驗，當感應線圈加熱時使用風扇對線圈進行空氣冷卻，第二
次實驗熱電耦分佈如圖 5.18 所示，第二次實驗結果如圖 5.19，第二次實驗進行
中感應線圈雖然有使用風扇對加熱時線圈進行冷卻，但是感應線圈溫度仍然有相
當程度的上升，因此也無法順利將溫度上升到 200℃。
圖 5.15 銅基板外觀
70
圖 5.16 銅基板熱電耦分佈圖
TEMP(℃ )
銅板鍍鎳結構加熱測試
120.0
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0.0
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
210
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
TH1 TH2 TH3 TH4 TH5 TH6 TH7 TH8 TH9 Time(seconds)
圖 5.17 銅基板加熱溫升測試
71
TH1
TH3 TH2
TH4
圖 5.18 負載加熱銅板外觀及熱電耦分佈情況
銅板上鍍鎳鐵感應加熱連續溫升測試
溫度（℃）
120
100
80
60
40
20
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300
時間（Seconds）
TH1 TH2 TH3 TH4
圖 5.19 銅板上鍍鎳鐵感應加熱連續溫升測試
5.2.2 電鑄鎳板銲上銅板結構升溫實驗
本實驗使用在電鑄鎳板銲上銅板結構進行加熱測試，目的在利用銅的高導熱
效果設計為特別突出的熱點，考慮到銅材大小對吸收熱量的效果，因此將銅材分
成許多不同面積進行加熱實驗，並觀察效果。
72
實驗線圈如圖 5.2 所示，負載配置一樣如圖 5.3 所示，鎳板外觀如圖 5.20，
熱電耦分佈如圖 5.8 所示，實驗結果如圖 5.21，在加熱過程中由於銅材位置在鎳
板外圍，因此加熱效果較好，且實驗數據與圖 5.9 及圖 5.10 結果相比較，升溫曲
線有相同的升溫趨勢。
圖 5.20 電鑄鎳板銲上銅板結構外觀
TEMP(℃)
鎳板銲銅微結構加熱測試
300.0
250.0
200.0
150.0
100.0
50.0
0.0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
TH1 TH2 TH3 TH4 TH5 TH6 TH7 TH8 TH9 Time(seconds)
圖 5.21 電鑄鎳板銲上銅板結構加熱溫升測試
73
5.3 不同線圈及加熱方向升溫實驗
5.3.1 銅基板上不同線圈及加熱方向升溫實驗
由於使用第一種線圈對銅基板上電鑄鎳鐵結構加熱效果不佳，因此另外改用
另一種手工繞製線圈進行加熱測試，外觀如圖 5.22 所示，線圈最小內徑 16 ㎜，
最大外徑 100 ㎜，理論電感值 67µH，實際量測電感值為 67.43µH。加熱線圈及
模仁配置方式更改成如圖 5.23 的配置方式，在加熱方法上分別測試正向加熱及
背向加熱兩種情況的差異；正向加熱配置依序分別為：加熱線圈、封裝材料 PDMS
(Polydimethylsiloxane 聚合材料)、玻璃、銅基板、鎳鐵結構；反向加熱配置依序
則為：加熱線圈、封裝材料 PDMS (Polydimethylsiloxane 聚合材料)、玻璃、鎳
微結構、銅基板；在溫度量測取樣上，同時使用九組熱電耦，熱電耦設置位置如
圖 5.24，藉由電腦監控同步進行溫度量測，取樣頻率為每秒二次。
圖 5.22 手工繞製線圈實體外觀圖
74
圖 5.23 加熱器正反向加熱配置圖
圖 5.24 銅基板熱電耦分佈圖
實驗結果由圖 5.25 及圖 5.26 正反向加熱曲線比較圖，可以清楚的知道，起
始量測溫度約為 28℃～30℃間，正向加熱鎳微結構約在 1 秒時開始加熱，在 26
秒時升溫開始超過 100℃，50 秒時溫度逐漸到達 150℃，72 秒時上升溫度達到
75
170℃；反向加熱鎳微結構約在 4.5 秒時開始加熱，在 50 秒時升溫開始超過
100℃，74 秒時溫度逐漸到達 130℃。正向加熱銅基板溫昇情況為 24.5 秒時升溫
開始超過 100℃，52 秒時溫度逐漸到達 150℃，75 秒時上升溫度達到 170℃；反
向加熱銅基板約在 46.5 秒時升溫開始超過 100℃，69.5 秒時溫度逐漸到達 130℃。
由上述結果，可以得到在正向加熱鎳微結構時，將溫度提昇 50℃，需耗時
約 16～17.5 秒；將溫度提昇 100℃，需耗時約 37～40 秒；在反向加熱鎳微結構
時，將溫度提昇 50℃，需耗時約 31～38 秒，將溫度提昇 100℃，需耗時至少約
70 秒；正向加熱銅基板時，將溫度提昇 50℃，需耗時約 16～17 秒；將溫度提昇
100℃，需耗時約 37～41.5 秒；反向加熱銅基板時，將溫度提昇 50℃，需耗時約
28～38 秒，將溫度提昇 100℃，需耗時至少約 64 秒。
綜合上述結果，在表 5.2 可以清楚的觀察到，當以銅為基板時，由於鎳微
結構所佔的面積和體積相較銅基板甚多，因此正向加熱時，雖然鎳微結構能有效
的升溫，也會被銅基板帶走許多的熱量，而帶走的熱量恰使銅基板和鎳微結構達
到相同的升溫速率。而在反向加熱時銅基板帶走的熱量的速度比鎳微結構產生熱
量的速度略快，因此鎳微結構升溫會落後銅基板。
表 5.2 正反向加熱比較表
加熱方向被加熱物提昇 50℃耗提昇 100℃耗
時時
正向加熱銅基板 16～17 秒 37～41.5 秒
鎳微結構 16～17.5 秒 37～40 秒
反向加熱銅基板 28～38 秒至少約 64 秒
鎳微結構 31～38 秒至少約 70 秒
76
圖 5.25 鎳鐵結構正反向升溫差異比較圖
圖 5.26 銅基板正反向升溫差異比較圖
5.3.2 鎳基板上不同線圈升溫實驗
與 5.2 節實驗一樣，也利用手繞製加熱線圈及模仁配置方式進行加熱測試如
圖 5.27 所示，配置依序為：加熱線圈、封裝材料 PDMS (Polydimethylsiloxane 聚
合材料)、玻璃、鎳基板、銅微結構；溫度量測取樣上，同時使用兩組熱電耦利
用電腦監控同步進行溫度量測，取樣頻率為每秒一次。
77
由圖 5.28 所示加熱曲線圖，可以清楚的知道，起始量測溫度約為 36℃～
37℃，約在 24 秒時，銅微結構 37℃，鎳基板 36℃開始加熱，在 30 秒時進入升
溫開始超過 100℃，32 秒時溫度到達 150℃，35 秒時銅微結構上升溫度超過
200℃，36 秒時兩者上升溫度都超過 200℃，39 秒銅微結構上升溫度超過 250℃，
關機，此時溫度仍然繼續上升，43 秒到達最高溫度開始降溫。
由上述結果，可以得到，將溫度提昇 60℃，需耗時約 6 秒；將溫度提昇 100℃，
需耗時約 8 秒；提昇 150℃，需耗時約 10 秒；此外銅結構升溫需超過 220℃以上，
才會可能和鎳基板溫度產生落差。
圖 5.27 鎳基板加熱器配置圖
78
圖 5.28 鎳基板兩點加熱曲線圖
由前次的實驗結果，發現在升溫開始時，微結構和模仁的溫度差異並不明
顯，需要上升溫度超過 220℃才有差異顯現，且溫度取樣的數量不足，因此需使
用更多熱電耦進行實驗。
加熱線圈及模仁配置順序並未改變，如圖 5.27 所示，依序仍為：加熱線圈、
封裝材料 PDMS (Polydimethylsiloxane 聚合材料)、玻璃、鎳基板、銅微結構；
本次溫度量測取樣上，同時使用八組熱電耦利用電腦監控同步進行溫度量測，取
樣頻率為每秒兩次，熱電耦溫度量測點分佈位置如圖 5.29 所示。
79
圖 5.29 鎳基板熱電耦分佈圖
由圖 5.30 加熱曲線，可以發現到起始量測溫度約為 35℃～36℃，約在 1.5
秒時，銅微結構約 37℃，鎳基板約 36℃開始加熱，在 5.5 秒時進入升溫開始超
過 100℃，約 8 秒時溫度到達 150℃，約 10.5 秒時上升溫度超過 200℃。
從上述結果可以得到，將溫度提昇 60℃，最快需耗時約 3.5 秒，最慢需耗時
約 9 秒；將溫度提昇 100℃，最快需耗時約 6.5 秒，最慢需約 13 秒；提昇 150℃，
最快需耗時約 9 秒，最慢需 17 秒。
推論影響升溫速度差異如此大的原因，可以從圖 5.16 上面銅片面積的大小，
發現由於實驗原先希望藉由銅的高熱傳特性，製作出局部加熱的效果，但是由於
面積差異，以及體積質量上的差異，導致出現升溫不均勻的現象。
80
圖 5.30 鎳基板八點加熱曲線圖
5.4 不銹鋼基板上的銅結構表面快速加熱
加熱線圈及模仁配置方式如圖 5.27 所示，僅替換鎳基板為 316L 不銹鋼基
板，依序分別為：加熱線圈、封裝材料 PDMS (Polydimethylsiloxane 聚合材料)、
玻璃、316L 不銹鋼基板、銅微結構；溫度量測取樣上，同時使用五組熱電耦利
用電腦監控同步進行溫度量測，熱電耦設置位置如圖 5.31，取樣頻率為每秒二次。
由圖 5.32 加熱曲線圖上結果，可以清楚的知道，起始量測溫度約為 35℃～
36℃，約在 7 秒時，銅微結構 80℃，316L 不銹鋼基板 100℃，在 9.5 秒時銅微
結構 100℃，316L 不銹鋼基板 140℃，12.5 秒時銅微結構兩點皆超過 100℃，最
高溫到達 121℃，316L 不銹鋼基板最高溫到達 182℃。
由上述結果，可以得到，將銅微結構溫度提昇 50℃，需耗時約 8～11 秒；
將銅微結構溫度提昇 100℃，需耗時約 14.5～16.5 秒。然而預期的局部加熱效果
並不顯著，甚至於成為模仁的快速加熱，這一點成為實驗中最大的挑戰。
81
圖 5.31 316L 不銹鋼基板熱電耦分佈圖
溫度
300.0
250.0
200.0
150.0
100.0
50.0
0.0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200
時間（Seconds)
銅-1 銅-2 316L不銹鋼-1 316L不銹鋼-2 316L不銹鋼-3
圖 5.32 316L 不銹鋼基板加熱曲線圖
5.5 電熱加熱與感應加熱的差異
由於目前模具加熱仍然停留在電熱法或是利用熱油進行加熱，針對此法我們
使用一般實驗室常見的電熱板（Hot Plant）加熱功率約 500W 進行電熱加熱，加
熱結果如圖 5.33 及圖 5.34 所示。
與感應加熱結果進行比較，由圖 5.35 所示可以清楚發現使用電熱加熱法將
銅板由 60℃加熱到 100℃，需要花費 55 秒的時間，加熱到 130℃需要 90 秒左右，
加熱效果與感應加熱法比較，會發現雖然銅板的熱傳導能力很好，但是感應加熱
法加熱到 130℃所耗費的時間去只需要 58 秒，而另一組感應加熱溫升緩慢的原
因則是因為耦合距離太長，導致功率下降造成溫升緩慢。
如圖 5.36 使用電熱法加熱鎳片從 30℃加熱到 200℃，最快需要花費 343 秒
的時間，若是從 60℃加熱到 200℃，則需要 254 秒的時間。但由圖 5.27 比較發
82
現使用感應加熱加熱鎳片從 30℃到 200℃只需花費 20 秒，相比較下確定使用感
應加熱法進行模具表面升溫約只需電熱法十分之一的時間，可以節省相當多的時
間。
溫度（℃）
銅板上鍍鎳鐵Hot Plant溫升測試
250
200
150
100
50
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220
EH1 EH2 EH3 EH4 時間（Seconds）
圖 5.33 銅板上鍍鎳鐵 Hot Plant 溫升測試

溫度（℃）
溫升比較圖
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170
電熱法感應加熱-1 感應加熱-2

時間（Seconds）
圖 5.34 比較電熱法與感應加熱對銅基材加熱的差異
83
溫度（℃）
鎳板銲上銅片Hot Plant溫升測試
250
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 320 340 360
時間（Seconds）
EH-1 EH-2 電熱法 EH-4
圖 5.35 鎳板銲上銅片 Hot Plant 溫升測試

溫度(℃)
溫升差異圖
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360
電熱法感應加熱-2 感應加熱-1 時間（Seconds）
圖 5.36 比較電熱法與感應加熱對鎳基材加熱的差異
84
第六章結論與未來展望
6.1 結論
本論文在第一章中已經提出相關的文獻探討，並說明微射出成型過程中要有
好的複製性，需要額外提供模具熱源，而額外提供模具的熱源，不僅要能有效提
升模穴溫度，更要能夠在射出成行過程中從開模頂出成品後到閉模射出充填前，
這短短的時間內，達到所要求的工作溫度；因此本論文朝著製作一種高效率快速
提升模具表面溫度的方法著手研究，並設計一組可嵌入模具內的加熱線圈，及相
對應的電源供應器，和規劃製程來完成目標。
在經過一連串的實驗後，將依序對本論文整體設計的構想、製作過程及實驗
結果作以下結論：
1. 相對於電熱法或電阻加熱法而言，感應加熱法屬於高效率的加熱方法，尤其
應用在模具表面快速加熱部分。
2. 實驗中使用的感應加熱電源供應器最大輸出功率約 850W，但實際加熱過程
中，並非全功率輸出，由於感應線圈與電源供應器相接的導線太長會產生干
擾，以及感應線圈本身溫度的上升都會影響功率的輸出，因此在實驗中能夠
有效降低感應線圈溫度及減少導線間的電磁干擾及電容效應，將會使加熱效
率更加提昇。
3. 整合目前測試過的加熱模型有：（1）鋼片、（2）鎳片、（3）模仁基材為銅，
結構材料為鎳、（4）模仁基材為鎳，結構材料為銅、（5）模仁基材為 316L
不鏽鋼，結構材料為銅；這些實驗讓我們證明了感應加熱器應用在模具表面
快速加熱的效果，但未來要將感應線圈完全置入模具仍有一定的困難。
4. 使用鐵氟龍 4F（PTFE）做為感應線圈基板材料，材料強度仍然不足而直接
使用銅絞線或銅管作感應線圈基板材料強度雖然比鐵氟龍 4F 好，但是在封裝
85
上有困難，且厚度增加，因此感應線圈基板材料的選用將是未來需要考量的
地方。
5. 感應線圈大小設計及使用功率的大小如同天平的兩端，當感應線圈的設計微
小化時，所能承受的功率也會減少。
6. 另一個感應加熱無法完全有效應用在模具加熱的主因，其中一個就是模具週
邊的導磁性材料，尤其是模具本身，如何有效的將感應加熱範圍確定在模具
表面，是令另許多研究人員卻步的原因；然而在感應加熱過程中功率及電感
值大小，影響到磁場耦合距離的遠近，在本論文所製作的電源供應器的最佳
耦合距離約 8 ㎜～12 ㎜之間，而感應最遠距離約在 30 ㎜左右，相較於一般
大型感應加熱器的耦合距離是小很多。
6.2 未來展望
感應加熱應用在模具表面快速加熱，是近年來的新想法，雖然日本已經有專
利，掌握由外部機構伸入模具內對模具表面快速加熱的方法，然而本論文所提出
的方法卻是直接嵌入模具內，除了可以避免專利侵權問題外，還可以達到動態模
溫的控制，然而面對厚度僅有 400 µm 的模仁在加熱過程中，受熱應力變形的問
題也是一大隱憂。
此外，目前尚未有效解決線圈基板材料的問題，以及未能真正嵌入模具內進
行測試，也是本研究的一大遺憾，因此希望來日的研究人員，能夠克服上述的問
題，真正的將此方法應用在模溫控制上。
86
參考文獻
1. www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-9012.pdf
2. Kitaichi et al., “THIN FLIM ELECTRIC HEATER,AND METHOD AND
APPARATUS FOR INJECTION MOLDING OF PLASTICS USING THE SAME,”
US Patent number 5705793.
3. Wolfgang Schinkoethe and Walther, Mold temperature control, Kunststoffe Plast
Europe 2001.
4. 何侑倫，微機電製作快速加熱模具於晶圓級微射出成型之應用，碩士論文，
國立台北科技大學製造科技研究所，台北，2002。
5. 周坤成，高週波的基礎與應用，台北，文笙書局，1995。
6. 陳熹棣，高週波基礎理論與應用，台北，全華科技圖書股份有限公司，1995。
7. S. Alfonzetti, G. Borzi, “A fast solving strategy for two-dimensional skin effect
problems,” IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 39, NO.3, 2003,pp.1119-1122.
8. 蘇煒城，高頻感應加熱器之控制設計與實際量測，碩士論文，私立中原大學，
1998。
9. 蘇卓盛，應用於感應加熱的負載並連共振電流型反流器設計與研製，碩士論
文，私立中原大學，2003。
10. E. J. Davies, Induction Heating Handbook, Mcgraw-Hill Book Company Ltd,
London, 1979.
11. 袁杰，無線電高頻電路，台北，全華科技圖書股份有限公司，2001。
12. 黃政恭，EMTP 應用－變壓器繞組內突波電壓分佈之解析，電機月刊第五卷
第四期。
87
附錄一
感應加熱電源供應器規格
外部尺寸 330 ㎜×235 ㎜×65 ㎜
電壓 AC110V/60Hz
最大消耗功率 1200W/850W
功率調整範圍 300W～1200W/200W～850W
保險絲 15A
附錄圖 1.1 電源供應器正向外觀
附錄圖 1.2 電源供應器背向外觀
88
附錄二
電磁加熱攪拌器規格
型號 HMS-102
廠牌 FARGO
盤面尺寸 ψ150 ㎜
外部尺寸 180 ㎜×200 ㎜×130 ㎜
最大溫度 350℃±2℃
電壓 AC110V/60Hz
總瓦特數 520W
馬力 20W condenser motor
轉速 90~1500rpm±10
攪拌容量 50~3000ml
攪拌子 2.5cm...1pc 4cm...1pc
附錄圖 2.1 電磁加熱攪拌器外觀
89

內建式感應加熱器於射出模具表面快速加熱之應用

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內建式感應加熱器於射出模具表面快速加熱之應用

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製造科技研究所

Built-in Induction-Heating Module for

Title：Built-in Induction-Heating Module for Rapid Heating of Injection Molding

Keywords：induction heating、Injection Micromolding

表 3.1 不同加工物件 ρ 、 κ 與熔點大小........................................... ...........14

表 4.1 D15XB60H 最大功率表..................................................................34

表 4.2 D15XB60H 特性表........................................... ..............................35

表 4.3 GT60M303 最大功率表..............…..................... ...........................36

表 4.4 GT60M303 特性表............................................... ..........................37

表 4.5 波形量測結果........................................... ......................................39

圖 1.1 感應式模溫控制設備裝置圖................................................ ........... 5

圖 2.1 感應加熱基本原理............................................ .............................. 8

圖 2.2 圓柱內電流分佈......................... ....................... ............................. 9

圖 3.1 溫度變化下的電阻係數......................................... .........................14

圖 3.2 純鐵的 µ r 與溫度之關係......................... ........................................15

圖 3.3 磁化強度與溫度的關係......................................... .........................15

圖 3.4 表面硬化感應加熱工作曲線............................................... ...........17

圖 3.5 工業用水冷式感應線圈................................................ ..................18

圖 3.6 多芯漆包線絞製的感應線圈............................................ ..............18

圖 3.8 在扁平加熱物上的鄰近效應......................................... .................21

圖 3.10 磁場集中效應......................................... ........................................23

圖 3.11 縱向磁場中的圓柱型導體工件和線圈的末端效應的功率分佈 ......24

圖 3.13 鐵損與加熱頻率之關係......................... .........................................26

圖 3.14 加熱負載參數模型......................................... ................................27

圖 3.16 電鑄脫模後得到的圓形感應線圈..................... ..............................30

圖 3.17 電鑄前的種金層圖........................................... ..............................31

圖 3.18 電鑄後外圍電鑄層包覆感應線圈情況 ...........................................31

圖 3.19 手繞製感應線圈......................................... ....................................32

圖 4.1 感應加熱系統基本電路............................ ......................................33

圖 4.3 空機 IGBT 閘極（Gate）波形........................................................40

圖 4.4 負載鎳基板輸出 230W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形.................. 40

圖 4.5 負載鎳基板輸出 260W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................41

圖 4.6 負載鎳基板輸出 450W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形...................41

圖 4.7 負載鎳基板輸出 650W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................42

圖 4.8 負載鎳基板輸出 850W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................42

圖 4.9 負載銅基板輸出 230W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................43

圖 4.10 負載銅基板輸出 260W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................43

圖 4.11 負載銅基板輸出 450W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................44

圖 4.12 負載銅基板輸出 650W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................44

圖 4.13 負載銅基板輸出 850W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形 ..................45

圖 4.14 微細探針加熱 850W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形.................. ....45

圖 4.15 負載 306 不銹鋼輸出 850W 功率 IGBT 閘極（Gate）波形...........46

圖 5.1 電源供應器外觀............................................................... ..............47

圖 5.3 感應加熱負載配置圖 ......................................................................48

圖 5.4 中碳鋼板外觀 .................................................................................49

圖 5.5 中碳鋼板熱電耦分佈圖 ..................................................................50

圖 5.6 中碳鋼板感應加熱上升溫度分佈圖 ...............................................50

圖 5.7 電鑄鎳板外觀 .................................................................................51

圖 5.8 電鑄鎳板熱電耦分佈圖 ..................................................................52

圖 5.13 熱電耦分佈情況 .............................................................................56

圖 5.14 鎳片感應加熱連續溫升測試.................. ........................................57

圖 5.15 銅基板外觀 .....................................................................................58

圖 5.16 銅基板熱電耦分佈圖 ......................................................................59

圖 5.17 銅基板加熱溫升測試 ......................................................................59

圖 5.18 負載加熱銅板外觀及熱電耦分佈情況 ...........................................60

圖 5.19 銅板上鍍鎳鐵感應加熱連續溫升測試 ...........................................60

圖 5.21 電鑄鎳板銲上銅板結構加熱溫升測試 ...........................................61

圖 5.22 手工繞製線圈實體外觀圖 ..............................................................62

圖 5.23 加熱器正反向加熱配置圖 ..............................................................63

圖 5.24 銅基板熱電耦分佈圖 ......................................................................63

圖 5.25 鎳鐵結構正反向升溫差異比較圖 ...................................................65

圖 5.27 鎳基板加熱器配置圖 ......................................................................66

圖 5.28 鎳基板兩點加熱曲線圖 ..................................................................67

圖 5.29 鎳基板熱電耦分佈圖 ......................................................................68

加熱深度頻率選擇加熱時間（分鐘）

（㎜）（20℃～720℃）（720℃～1230℃）圓柱加工件方形加工件

（1）集膚效應（Skin Effect）

（1）磁滯損失（Hysteresis Loss）

（2）渦流損（Eddy Current Loss）

L = µ0 n 2 r = 4π × 10−7 n 2 r ≈ 1.2 × 10−6 n 2 r（H）（3-15）