HCMUT

Course: Biomedical Electronics

Instructor: Nguyễn Lý Thiên Trường

Chương 2
Cảm biến
Refs:
1. Slide bài giảng của Thầy Hồ Trung Mỹ
2. Prof. Andrew Mason - Michigan State University, USA
3. J.G. Webster, “Medical Instrumentation Application and Design”,
John Wiley & Sons, 2010

1
 Nội dung
1. Dụng cụ biến năng (Transducer)
2. Các phép đo dịch chuyển (Displacement Measurement)
2.1 Cảm biến điện trở
2.2 Cầu đo Wheatstone
2.3 Cảm biến điện cảm
2.4 Cảm biến điện dung
2.5 Cảm biến áp điện
3. Đo nhiệt độ (Temperature Measurement)
4. Đo quang (Optical Measurements)
5. Cảm biến quang điện bán dẫn (Solid-State Sensors)
6. Cảm biến MEMS (MEMS Sensors)
7. Cân chỉnh cảm biến (Sensor Calibration)

2
 1. Transducers (dụng cụ biến năng)
 Transducer (dụng cụ biến năng) là dụng cụ chuyển đổi
dạng năng lượng cơ bản (hay sơ cấp) như cơ, nhiệt, điện từ,
quang,.. thành tín hiệu tương ứng có dạng năng lượng khác.
 Dụng cụ biến năng có dạng cảm biến hoặc dụng cụ chấp
hành:
– Sensor (cảm biến hay đầu dò) là dụng cụ phát hiện
(hoặc đo) tín hiệu (signal) hoặc kích thích (stimulus), thu
thập thông tin từ "thế giới thực".
– Actuator (dụng cụ chấp hành) là dụng cụ sinh ra tín hiệu
hoặc kích thích (ngược lại với sensor).

3
 Ví dụ các kiểu dụng cụ biến năng
Đại lượng cần đo Cảm biến Dụng cụ chấp hành
Quang trở (LDR), Photodiode, Nguồn sáng đèn, Đèn LED,
Ánh sáng
Phototransistor, Solar Cell Sợi quang
Cặp nhiệt điện (Thermocouple),
Tấm tản nhiệt, Quạt, Sò
Nhiệt độ Thermistor, Thermostat, Resistive
nóng lạnh
temperature detectors (RTD)
Strain Gauge, Pressure Switch, Lifts & Jacks,
Lực/Áp suất
Load Cells Electromagnetic, Vibration
Potentiometer, Encoders,
Motor, Solenoid, Panel
Sự chuyển dời Reflective/Slotted Opto-switch,
Meters
LVDT
Tacho-generator, Reflective/Slotted
Động cơ AC and DC, Động
Tốc độ Opto-coupler, Doppler Effect
cơ bước, Brake
Sensors
Carbon Microphone,
Âm thanh Chuông, Buzzer, Loa
Piezo-electric Crystal

4
Thí dụ cảm biến trong thiết bị đo trong y tế

5
 Các hệ thống cảm biến

 Cảm biến điện tử tổng quát gồm:

• Cảm biến sơ cấp và cảm biến thứ cấp
• Cảm biến tích cực và cảm biến thụ động
• Cảm biến tín hiệu tương tự và cảm biến tín hiệu số

Trong lĩnh vực ĐTYS: quan tâm đến cảm biến điện tử.
 chuyển đổi tham số mong muốn thành tín hiệu điện.

6
 Cảm biến sơ cấp và cảm biến thứ cấp
 Cảm biến sơ cấp (Primary sensor)
• Chuyển từ đại lượng không có tính chất điện (NEQ, Non-Electrical
Quantities) từ dạng này sang dạng khác (cũng không có tính chất điện).
• Đại lượng không có tính chất điện: nhiệt độ, độ ẩm, lực, sự dịch chuyển,
khối lượng, lưu lượng, vận tốc, áp suất, ánh sáng,…
 Cảm biến thứ cấp (Secondary sensor)
• Ngõ ra (không có tính chất điện) của cảm biến sơ cấp được đưa vào
ngõ vào của cảm biến thứ cấp.
• Đại lượng ngõ ra của cảm biến thứ cấp có tính chất điện (EQ, Electrical
Quatities): điện áp, dòng điện, điện tích, điện trở, điện dung, điện cảm,
công suất.

7
Ví dụ cảm biến Loadcell và Strain gauge

Cầu đo Wheatstone

Strain gauge

8
 Cảm biến tích cực và cảm biến thụ động
 Cảm biến tích cực (Active sensor)
• Trực tiếp tạo ra tín hiệu điện áp hoặc dòng điện ở ngõ ra khi có
kích thích hoặc đại lượng đo được áp đặt vào.
• Không cần nguồn điện áp bên ngoài để tạo ra tín hiệu điện ở
ngõ ra.
• Thông thường điện áp ngõ ra trong tầm 𝜇𝑉 đến 𝑚𝑉
• Thí dụ: Pin mặt trời, vật liệu áp điện, cặp nhiệt điện, v.v.

 Cảm biến thụ động (Passive sensor):

• Không tạo tín hiệu điện áp hoặc dòng điện ở ngõ ra, nhưng tạo
ra sự thay đổi trong một số đại lượng điện thụ động chẳng hạn
như điện trở, điện cảm hoặc điện dung khi có kích thích hoặc
đại lượng đo được áp đặt vào.
• Cần nguồn điện áp AC hoặc DC bên ngoài để chuyển đổi đại
lượng điện thụ động (điện trở, điện cảm, điện dung) thành tín
hiệu điện áp hoặc dòng điện ở ngõ ra.
• Thí dụ: Photodiode, Thermistor, cảm biến đo biến dạng, v.v.

9
 Cảm biến analog và cảm biến digital
 Cảm biến ngõ ra analog
• Tín hiệu ngõ ra thay đổi liên tục khi tín hiệu đầu vào
thay đổi.
 Cảm biến ngõ ra digital
• Tín hiệu ngõ ra thay đổi theo các bước hoặc xung rời
rạc hoặc được lấy mẫu, do đó ngõ ra có một số giá trị
hữu hạn.

Cảm biến đo nhịp tim Cảm biến khí CO2

(ngõ ra analog) (ngõ ra analog và digital)
10
 Nội dung
1. Dụng cụ biến năng (Transducer)
2. Các phép đo dịch chuyển (Displacement Measurement)
2.1 Cảm biến điện trở
2.2 Cầu đo Wheatstone
2.3 Cảm biến điện cảm
2.4 Cảm biến điện dung
2.5 Cảm biến áp điện
3. Đo nhiệt độ (Temperature Measurement)
4. Đo quang (Optical Measurements)
5. Cảm biến trạng thái rắn (Solid-State Sensors)
6. Cảm biến MEMS (MEMS Sensors)
7. Cân chỉnh cảm biến (Sensor Calibration)

11
 2. Các phép đo dịch chuyển (hay độ dời)
 Mục đích:
– Đo kích thước, hình dạng và vị trí của các cơ quan và mô của
cơ thể.
– Các thay đổi trong các tham số này rất quan trọng trong việc
phân biệt chức năng bình thường với bất thường.
 Các phép đo dịch chuyển:
─ Cảm biến điện trở (biến trở và đo biến dạng)
─ Cầu đo Wheatstone
─ Cảm biến điện cảm
─ Cảm biến điện dung
─ Cảm biến áp điện

12
 2.1 Cảm biến điện trở (Resistive Sensors)
2.1.1. Biến trở (Potentiometer)
 Biến trở [chiết áp] là dụng cụ biến năng kiểu điện trở, chuyển đổi
dịch chuyển tuyến tính hoặc góc thành điện áp đầu ra bằng cách
di chuyển một tiếp xúc trượt dọc theo bề mặt của một phần tử
điện trở.
 Vật liệu làm phần tử điện trở là màng than hoặc kim loại, dây
quấn, gốm (ceramic), hoặc chất dẻo dẫn điện.

𝑣𝑜 tăng khi 𝑥𝑖 tăng 𝑣𝑜 tăng khi ∅𝑖 tăng

 Loại biến trở tịnh tiến thường được dùng trong ĐTYS vì trong cơ
thể ít có chuyển động quay theo góc mà đa số là co/giãn. 13
 2.1 Cảm biến điện trở (Resistive Sensors)
2.1.2. Cảm biến đo biến dạng (Strain Gauge)
 Strain-gauge (SG) = đo biến dạng
– Strain = biến dạng: kéo căng (dây...), giãn dài, co ngắn, làm cong, làm méo...
– Gauge = Gage = đo
 Nguyên tắc: điện trở bị thay đổi khi có biến dạng cơ học
R = Điện trở ()
ρ = điện trở suất (m)
L = chiều dài (m)
A = diện tích mặt cắt ngang (m2)
𝐷 2
=𝜋 2
𝑳 𝐷
𝑹= 𝝆 ⇒ ln 𝑅 = ln 𝜌 + ln 𝐿 − ln 𝐴 = ln 𝜌 + ln 𝐿 − ln 𝜋 + 2. ln
𝑨 2
∆𝑅 ∆𝜌 ∆𝐿 ∆𝐷 ∆𝐿 ∆𝜌
 Sự thay đổi điện trở: = + −2∙ = 1 + 2𝜇 +
𝑅 𝜌 𝐿 𝐷 𝐿 𝜌
Δ𝐷 𝐷
với  =  : tỉ số Poisson
Δ𝐿 𝐿

 Hệ số biến dạng G:
(hay độ nhạy dùng để so sánh ∆𝑅/𝑅 ∆𝜌/𝜌
𝐺= = 1 + 2𝜇 +
độ biến dạng của vật liệu): ∆𝐿/𝐿 ∆𝐿/𝐿
14
 Vật liệu dùng để chế tạo Strain Gauge
 Các loại vật liệu cơ bản để làm cảm biến đo biến dạng:
kim loại/hợp kim và bán dẫn.
 Thí dụ:

 TCR = hệ số nhiệt của điện trở (10-6/°C)

= (1/R) x (R/T) , R: trị số của điện trở () và T: nhiệt độ (oC)
 Chú ý:
– Hệ số biến dạng G phụ thuộc vào nhiệt độ và loại vật liệu
– Hệ số biến dạng G của vật liệu bán dẫn ~ 50-70 lần của kim loại,
do đó cảm biến đo biến dạng làm từ vật liệu bán dẫn có độ nhạy
cao hơn so với cảm biến đo biến dạng được làm từ kim loại.
15
 2.2 Wheatstone Bridge
 Cầu Wheatstone là một mạch điện được sử dụng để đo một
điện trở chưa biết bằng cách cân bằng hai nhánh của một
mạch cầu, một nhánh trong đó có chứa thành phần chưa biết.

 Ưu điểm chính của mạch này là đơn giản nhưng cung cấp
các phép đo chính xác. Hoạt động của nó tương tự như bộ
chiết áp nguyên thủy.
Sơ đồ mạch cầu Wheatstone.
Điện trở Rx chưa biết được đo;
điện trở R1, R2 và R3 đã biết và
R2 có thể điều chỉnh được.
𝑽𝑺 + - 𝑅2 𝑅𝑥
𝑉𝐺 = − 𝑉𝑆
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 + 𝑅𝑥
VG là hiệu điện thế giữa 2 nút D và B
Nếu điện áp đo VG = 0, thì
R2/R1 = Rx/R3. 16
 2.3 Cảm biến điện cảm
 Điện cảm: L = n2G
• n: số vòng dây của cuộn dây
• G: hệ số dạng hình học của cuộn dây
• 𝜇: hệ số từ thẩm của môi trường

 Thay đổi bất kỳ 1 trong 3 thông số trên có thể đo được

sự dịch chuyển của lõi từ.

 Cảm biến có các dạng: (a) cuộn tự cảm, (b) cuộn dây ghép
Tự cảm
hỗ cảm Hỗvi cảm
và (c) máy biến thế Biến áp vi sai
sai tuyến tính (LVDT)
17
 Biến áp vi sai thay đổi tuyến tính (LVDT)
 LVDT được sử dụng rộng rãi trong nghiên cứu sinh lý và y
học lâm sàng để đo áp lực, dịch chuyển và lực.
– bao gồm một cuộn sơ cấp (các đầu a-b) và hai cuộn thứ
cấp (c-e và d-e) được mắc nối tiếp và mắc ngược nhau.
 Cuộn sơ cấp bị kích thích bằng tín hiệu sin, có tần số trong
khoảng từ 60 Hz đến 20 kHz, biên độ 2-20VRMS.
 Ngõ ra 𝑣𝑐𝑑 là điện áp giữa 2 đầu cuộn thứ cấp phụ thuộc
vào vị trí của lõi sắt từ.

*+ +

* -
-
*+
-
Tự cảm
𝑣𝑐𝑑 = 𝑣𝑐𝑒 − 𝑣𝑑𝑒 Hỗ cảm Biến áp vi sai
18
 Biến áp vi sai thay đổi tuyến tính (LVDT)
 Ngõ ra là điện áp giữa 2 đầu cuộn thứ cấp phụ thuộc vào
vị trí của lõi sắt từ.
 Khi lõi sắt ở giữa 2 cuộn thứ cấp, sẽ sinh ra điện áp bằng
nhau và ngược dấu nhau  điện áp ngõ ra bằng 0.
 Khi vật di chuyển lên hay xuống (hoặc trái sang phải) thì
làm cho điện áp của các cuộn thứ cấp tăng hoặc giảm.
 Đo điện áp ngõ ra để xác định độ dịch chuyển.

Biến áp vi sai
19
 Biến áp vi sai thay đổi tuyến tính (LVDT)
 Ngõ ra là điện áp giữa 2 đầu cuộn thứ cấp phụ thuộc vào
vị trí của lõi sắt từ.
 Khi lõi sắt ở giữa 2 cuộn thứ cấp, sẽ sinh ra điện áp bằng
nhau và ngược dấu nhau  điện áp ngõ ra bằng 0.
 Khi vật di chuyển lên hay xuống (hoặc trái sang phải) thì
làm cho điện áp của các cuộn thứ cấp tăng hoặc giảm.
 Đo điện áp ngõ ra để xác định độ dịch chuyển.

Biến áp vi sai
20
 Biến áp vi sai thay đổi tuyến tính (LVDT)
 Ngõ ra là điện áp giữa 2 đầu cuộn thứ cấp phụ thuộc vào
vị trí của lõi sắt từ.
 Khi lõi sắt ở giữa 2 cuộn thứ cấp, sẽ sinh ra điện áp bằng
nhau và ngược dấu nhau  điện áp ngõ ra bằng 0.
 Khi vật di chuyển lên hay xuống (hoặc trái sang phải) thì
làm cho điện áp của các cuộn thứ cấp tăng hoặc giảm.
 Đo điện áp ngõ ra để xác định độ dịch chuyển.

Biến áp vi sai
21
 2.4 Cảm biến điện dung
 Điện dung của tụ điện phẳng (F, Fara) gồm 2 bản cực song song:
A
C   0 r
x
1
• 0 ≈ 9 ≈ 8,854. 10−12 (F/m)
9.10 .4𝜋
• r: là hằng số điện môi tương đối của lớp cách điện giữa hai bản tụ
• 0.r: là hằng số điện môi của lớp cách điện giữa hai bản tụ (F/m)
• A: là phần diện tích chồng lấp giữa hai bản tụ (m2)
• 𝑥: khoảng cách giữa hai bản tụ (hay bề dày của lớp cách điện) (m)
 Điện dung của tụ là đại lượng đặc trưng cho khả năng tích điện của tụ điện ở
một hiệu điện thế nhất định.
 Hằng số điện môi (hay độ thẩm điện) là một đặc trưng quan trọng cho tính chất
điện của một chất cách điện. Nó cho ta biết rằng khi đặt các điện tích trong chất
đó thì lực tác dụng giữa các điện tích sẽ nhỏ đi bao nhiêu lần so với khi đặt
chúng trong chân không.

22
 2.4 Cảm biến điện dung
 Điện dung của tụ điện phẳng (F, Fara) gồm 2 bản cực
song song:
A
C   0 r
x

 Độ nhạy của cảm biến điện dung:

 Độ nhạy tăng khi khoảng cách giữa 2 bản cực giảm.

23
 2.4 Cảm biến điện dung
 Về nguyên tắc, có thể giám sát sự dịch chuyển thông qua
sự thay đổi điện dung của tụ điện bằng cách thay đổi bất kỳ
ba tham số 𝜀𝑟 , 𝐴 hoặc 𝑥.

(a) Thay đổi khoảng cách giữa 2 bản cực tụ điện

(b) Thay đổi diện tích chồng lấp giữa 2 bản cực tụ điện
(c) Thay đổi chất điện môi giữa 2 bản cực tụ điện

 Trong ĐTYS, phương pháp được dùng phổ biến để quan

sát sự dịch chuyển đó là thay đổi khoảng cách giữa 2 bản
cực tụ điện. 24
 2.5 Cảm biến áp điện (Piezo-electric sensor)
 Nguyên tắc hoạt động của cảm biến áp điện: Vật liệu áp điện
(thạch anh, gốm sứ,..) tạo ra điện thế khi có biến dạng cơ học.
Ngược lại điện thế có thể gây ra biến dạng vật lý của vật liệu.

A piezo-igniter
element from a
typical lighter

 Các ứng dụng của cảm biến áp điện trong ĐTYS: đo tim
mạch, đo âm thanh tim, đo huyết áp,….

25
 2.5 Cảm biến áp điện (Piezo-electric sensor)
 Sơ đồ tương đương của cảm biến áp điện.
Điện trở rò ngõ ra
(có giá trị rất lớn ~GΩ)

Điện tích Vo
𝑄 = 𝑘. 𝐹

 Tổng điện tích 𝑄 được tạo ra tỉ lệ thuận với lực 𝐹 tác dụng
𝑄 = 𝑘. 𝐹
𝑘 (C/N): hằng số điện tích áp điện. Ví dụ: 𝑘 = 370 pC/N cho hợp chất PZT
(Lead zirconate titanate), 𝑘 = 140 pC/N ứng với bari titanat BaTiO3 (barium
titanate)
 Điện áp ngõ ra (bỏ qua ảnh hưởng của điện trở rò Rp)
𝑄 𝑘. 𝐹 𝑘. 𝐹. 𝑥 𝑥 : bề dày của lớp vật liệu áp điện
𝑉𝑜 = = =
𝐶 𝐶𝑝 𝜀𝑜 𝜀𝑟 𝐴 giữa 2 bản điện cực
26
 2.5 Cảm biến áp điện (Piezo-electric sensor)
 Ví dụ: cho cảm biến áp điện có diện tích chồng lấp giữa 2 bản
điện cực A = 1cm2, bề dày của lớp vật liệu áp điện là 𝑥 = 1mm.
Giả sử tác động lực F = 98.10-3N theo phương thẳng từ trên
xuống (theo trục z). Bỏ qua ảnh hưởng của điện trở rò ở ngõ
ra cảm biến, tính điện áp ngõ ra cảm biến ứng với trường hợp
vật liệu làm cảm biến là:
a) BaTiO3 (𝑘 = 140 pC/N, 𝜀𝑟 = 1070)
b) PZT (𝑘 = 370 pC/N, 𝜀𝑟 = 1200)

Điện áp ngõ ra cảm biến

𝑄 𝑘. 𝐹 𝑘. 𝐹. 𝑥
𝑉𝑜 = = =
𝐶 𝐶𝑝 𝜀𝑜 𝜀𝑟 𝐴
a) V0 = 14.5mV
b) V0 = 34.14mV
27
 Nội dung
1. Dụng cụ biến năng (Transducer)
2. Các phép đo dịch chuyển (Displacement Measurement)
2.1 Cảm biến điện trở
2.2 Cầu đo Wheatstone
2.3 Cảm biến điện cảm
2.4 Cảm biến điện dung
2.5 Cảm biến áp điện
3. Đo nhiệt độ (Temperature Measurement)
4. Đo quang (Optical Measurements)
5. Cảm biến quang điện bán dẫn (Solid-State Sensors)
6. Cảm biến MEMS (MEMS Sensors)
7. Cân chỉnh cảm biến (Sensor Calibration)

28
 3. Đo nhiệt độ (Temperature Measurement)
 Nhiệt độ đóng vai trò vô cùng quan trọng đối với
con người
• Ví dụ: nhiệt độ thấp có thể chỉ ra dấu hiệu của chứng
nhiễm lạnh, nhiệt độ cao có thể chỉ ra sự nhiễm trùng.

 Enzym và protein nhạy cảm với nhiệt độ, có thể bị

phá hủy bởi nhiệt độ bất lợi.
• Phần lớn các enzym đều hoạt động tốt dưới 400C. Khi
nhiệt độ tăng sẽ làm phản ứng diễn ra nhanh hơn, tuy
nhiên nhiệt độ quá cao sẽ làm enzym biến tính và hoạt
động không hiệu quả.

 Đo đạc và điều chỉnh nhiệt độ có ý nghĩa rất quan

trọng trong các kế hoạch điều trị trong y khoa.
29
 3. Đo nhiệt độ (Temperature Measurement)
 Các kiểu cảm biến nhiệt:
• Cặp nhiệt điện (Thermocouple)
• Đầu dò nhiệt điện trở (Resistive Temperature Detector)
• Nhiệt điện trở (Thermistor)
• Đo nhiệt độ bức xạ (Radiation Thermometry)
• Cảm biến nhiệt độ dùng IC
• Cảm biến nhiệt dùng sợi quang

Cặp nhiệt điện

Cảm biến nhiệt độ hồng ngoại
không tiếp xúc MLX90614
30
 Hệ số nhiệt (TC) và độ nhạy (S)
 Hệ số nhiệt của đại lượng X (TCX) được định nghĩa như
sau:

• TC = Temperature Coefficient = hệ số nhiệt

• TC có đơn vị là 1/oC hoặc ppm/oC (1 ppm = 10-6)
 Nhận xét:
• TCX < 0  khi T tăng thì X giảm hoặc ngược lại.
• TCX = 0  khi T thay đổi thỉ X không thay đổi!
• TCX > 0  khi T tăng thì X tăng hoặc ngược lại.
 Độ nhạy của Y theo X: (Y = Y1 ứng với X = X1)

31
 3.1 Cặp nhiệt điện (Thermocouple)
 Cặp nhiệt điện là một loại thiết bị đo nhiệt độ được sử dụng rộng rãi trong công
nghiệp, đặc biệt là trong trường hợp cần đo những khu vực có nhiệt độ cao và
nhiệt độ dao động liên tục.
 Cặp nhiệt điện hoạt động dựa trên một nguyên lý được gọi là hiệu ứng Seebeck.
Khi điểm kết nối của 2 dây dẫn (hoặc 2 chất bán dẫn) khác loại được đặt vào nơi
có các nhiệt độ khác nhau sẽ tạo ra sự dịch chuyển của các electron từ nơi có
nhiệt độ cao đến nơi có nhiệt độ thấp, do đó sẽ tạo ra một điện áp nhỏ tại đầu 2
dây hở. Điện áp này phụ thuộc vào nhiệt độ và vật liệu của dây dẫn (hoặc chất
bán dẫn) được sử dụng.
(or reference
temperature)

T2
T1
T2
αAB = αA – αB =
Seebeck Coefficient
V: điện áp Seebeck
for Materials A & B 32
Một số cặp nhiệt điện thông dụng

Cặp nhiệt điện loại K

33
 Mạch đo dùng cặp nhiệt điện

+ +

- -

Mạch tương đương

34
 Thí dụ mắc mạch dùng cặp nhiệt điện
1. Chỉ có 2 vật liệu A và B 3. Thermopile (Pin nhiệt điện)


 
J1 J2 


V = αAB(T1 – T2) 
2. Có 3 vật liệu A, B và C
V = NαAB(T1 – T2)
với N là số lượng
 (T4 = T3)  cặp nhiệt điện
J1   J2 Lưu ý: khi các tiếp xúc
được duy trì ở cùng nhiệt
độ thì các dây dẫn có thể
được gắn vào cặp nhiệt
điện mà không ảnh hưởng
đến độ chính xác của sức
điện động đo được. 35
 Mạch đo dùng cặp nhiệt điện
 Cặp nhiệt điện được sử dụng để dò nhiệt độ chưa biết T1
(tiếp xúc J1) trong khi tiếp xúc J2 được duy trì ở nhiệt độ
tham chiếu đã biết là T2.
 Ta có thể xác định T1 bằng cách đo điện áp V.
 Chuyển đổi chính xác điện áp đầu ra V sang T1 - T2 bằng
cách sử dụng bảng tra cứu, đồ thị, hoặc bằng cách sử dụng
đa thức bậc cao hơn

Trong đó a0, a1 ,. . ., an là các hệ số Seebeck tương ứng cho từng cặp

vật liệu nhiệt điện, V là điện áp đo được và T1 - T2 là nhiệt độ chênh
lệch tính theo °C

36
 Mối quan hệ giữa nhiệt độ và điện áp
Bảng tra cứu cho cặp nhiệt điện loại J

Đồ thị thể hiện mối quan hệ giữa

nhiệt độ điểm nóng ứng với điện áp
đo được của các loại cặp nhiệt điện.
(@ Nhiệt độ điểm lạnh = 0oC)
https://www.instrumentationtoolbox.com/2011/05/conv
erting-thermocouple-milivolts-to.html
37
Mối quan hệ giữa nhiệt độ và điện áp

38
 Mối quan hệ giữa nhiệt độ và điện áp

Lưu ý:
Có thể chọn VH = 14.831mV
và VL = 14.776mV
 TM = 272.8oC

Ví dụ bảng tra cứu cho cặp nhiệt điện loại J Điện áp: 𝝁𝑽

Chú ý: VM = 14.82mV ⇒ TM ∈ [272oC; 273oC] @T = 275oC

39
Mối quan hệ giữa nhiệt độ và điện áp

40
Mối quan hệ giữa nhiệt độ và điện áp
Ví dụ bảng tra cứu cho cặp nhiệt điện loại J Điện áp: 𝝁𝑽

@T = 25oC

@T = 89oC

(Note that: 𝑉𝑀′ = 4.721mV ⇒ TM ∈ [89oC; 90oC])

41
 Ưu và khuyết điểm của cặp nhiệt điện
 Ưu điểm:
• Thời gian đáp ứng nhanh (thời hằng nhỏ đến ~1ms)
• Kích thước nhỏ (Đường kính: ~12m)
• Dễ chế tạo
• Sự ổn định lâu dài

 Khuyết điểm:
• Điện áp ra nhỏ
• Độ nhạy thấp
• Cần nhiệt độ tham chiếu

 Lưu ý: Cặp nhiệt điện có thể được chế tạo với kích thước nhỏ, vì
vậy chúng có thể được đưa vào ống thông và kim tiêm dưới da.

42
 3.2 Đầu dò nhiệt điện trở (Resistive Temperature Detector)
 Đầu dò nhiệt điện trở (RTD): là cảm biến phát hiện sự thay đổi của
nhiệt độ thông qua sự thay đổi điện trở của kim loại.
 Tất cả các kim loại có điện trở tăng khi nhiệt độ tăng. Do đó, RTD còn
còn được gọi là nhiệt điện trở PTC (Positive [Resistance]
Temperature Coefficient = hệ số nhiệt dương).

Hệ số nhiệt của đại lượng X (TCX) được định nghĩa như sau:

43
 3.2 Đầu dò nhiệt điện trở (Resistive Temperature Detector)
 Đầu dò nhiệt điện trở (RTD): là cảm biến phát hiện sự thay đổi của
nhiệt độ thông qua sự thay đổi điện trở của kim loại.
 Tất cả các kim loại có điện trở tăng khi nhiệt độ tăng. Do đó, RTD còn
còn được gọi là nhiệt điện trở PTC (Positive [Resistance]
Temperature Coefficient = hệ số nhiệt dương).

Trong đó R0 là điện trở ở nhiệt độ tham chiếu T0; αn là hệ số nhiệt.

Thí dụ. Đối với dây Pt (Platinum hay bạch kim), α1 ~ 3.92 x 10-3/oC, α2 ~
5.83 x 10-7/oC  Đối với phạm vi nhiệt độ giới hạn, dạng
tuyến tính có thể được sử dụng:

 Trong các bài tập hoặc kiểm tra của môn

Đường cong điện trở-nhiệt độ
cho niken, đồng và bạch kim.
này, ta dùng dạng tuyến tính!!!
 Độ nhạy của điện trở theo nhiệt độ (/oC):
S = 𝚫R/ 𝚫T = R01
 Đối với dây Pt, điều này tương ứng với
thay đổi chỉ ~ 0.4% / oC.
 Dạng tuyến tính: ta thay  cho 1. 44
 Các thí dụ về hệ số nhiệt của RTD
Vật liệu  (1/oC)
Gold 0.0040
Platinum 0.00392
Silver 0.0041
Nickel 0.0067
Nichrome 0.0004
Manganin 0.00001

Độ nhạy của điện trở theo nhiệt độ (/oC):

45
 Ví dụ
Xét cảm biến RTD là R3 trong mạch hình bên dưới, RTD này có RT = R0(1 +
T) với hệ số nhiệt  = 0.005/oC và R0 = 500  ứng với điện trở ở T = 0oC.
Giả sử mạch đo có VS = 5 V và R1 = R2 = R4 = 500.
1. Tìm Vo ở T = 25oC (Sử dụng xấp xỉ tuyến tính) ?
2. Hãy tìm độ nhạy S = Vo/T, từ đó tìm Vo ứng với trường hợp nhiệt độ
tăng 10oC (lúc này T = 35oC)?
 Điện áp ra của cầu đo là:
Vo = (R4/(R1+R4) – R3/(R2+R3))Vs
= (0.5 – R3/(R2+ R3))Vs (R1 = R4 = 500)

 Vo = (0.5 – (1+T) /(2 + T))Vs (R2 = R0)

RTD  T = 25oC thì Vo = –0.14706V

 S=Vo/T = –Vs/(2 + T)2

 Xét S từ T = 25oC thì S  –0.00554 V/oC

′ 𝑎 𝑏
′
𝑎𝑥 + 𝑏 𝑐 𝑑  Khi T = 10oC  Vo = S x T = –0.00554 x 10
𝑦 = = 2 = –0.0554 V
𝑐𝑥 + 𝑑 𝑐𝑥 + 𝑑
𝑎𝑑−𝑏𝑐  Vo (@ 35oC) = Vo (@ 25oC) + Vo
= 𝑐𝑥+𝑑 2 = –0.14706 – 0.05540
= –0.20246 V 46
 3.3 Nhiệt điện trở (Thermistor)
 Nhiệt điện trở (Thermistor): là cảm biến phát hiện sự thay đổi của
nhiệt độ thông qua sự thay đổi điện trở của các vật liệu bán dẫn như
oxit của niken, coban, mangan, đồng, sắt.
 Nguyên tắc hoạt động: Khi nhiệt độ tăng thì độ dẫn điện của chất bán
dẫn tăng hay điện trở giảm  TCR < 0.
 Nhiệt điện trở còn được gọi là nhiệt điện trở NTC (Negative
Temperature Coefficient = hệ số nhiệt âm)
 Quan hệ giữa điện trở và nhiệt độ:

[  (T0 T ) / TT0 ]  = hằng số vật liệu của nhiệt trở (K)

RT  R0e (2500 đến 5000 K)
To = nhiệt độ tham chiếu chuẩn (K)
To = 293.15 K = 20 oC = 68 oF
 Hệ số nhiệt [điện trở] 
1 dRt 
  2 (% / K )
Rt dT T
 là hàm phi tuyến theo nhiệt độ
47
 Ưu điểm và khuyết điểm của nhiệt điện trở
 Ưu điểm
• Kích thước nhỏ (đường kính ~0.5mm)
• Độ nhạy lớn với thay đổi nhiệt độ (-3 đến -5% /°C)
• Đặc tính ổn định lâu dài (R = 0,2% /năm)
• Ứng dụng y sinh: nhiệt kế, cảm biến dòng chảy, hơi thở (nhiệt
điện trở gắn ở mũi)

 Khuyết điểm
• Phi tuyến
• Bị nóng trong quá trình hoạt động. Do đó khi sử dụng cần giữ
dòng điện nhỏ.
• Dải đo hạn chế nhưng phù hợp cho các ứng dụng y sinh.

48
 3.4 Đo nhiệt độ bức xạ (Radiation Thermometry)
 Cơ sở của phép đo nhiệt bức xạ là dựa trên mối quan hệ giữa
nhiệt độ bề mặt của vật thể và năng lượng bức xạ của nó.
 Bức xạ nhiệt là bức xạ điện từ được tạo ra bởi chuyển động nhiệt
của các hạt điện tích trong vật chất. Tất cả các vật chất với nhiệt
độ lớn hơn độ không tuyệt đối đều phát ra bức xạ nhiệt.
 Nguyên tắc này giúp đo nhiệt độ của cơ thể mà không tiếp xúc vật
lý với đối tượng cần đo.
 Nhiệt ký (phép chụp nhiệt bức xạ) y tế (Medical thermography) là
một kỹ thuật trong đó phân bố nhiệt độ của cơ thể được ánh xạ
thành những màu sắc nhiệt độ có độ nhạy vài phần mười của
kelvin.

49
3.4 Đo nhiệt độ bức xạ (Radiation Thermometry)
Table 1. CIE classification of IR radiation.

Table 2. ISO 20473 standard for sub-division of the IR.

50
 3.4 Đo nhiệt độ bức xạ (Radiation Thermometry)
 Mọi cơ thể ở trên độ không tuyệt đối đều tỏa ra năng lượng điện từ,
năng lượng này phụ thuộc vào nhiệt độ và tính chất vật lý của cơ
thể. Nhiệt độ của cơ thể càng cao thì bức xạ điện từ càng cao.
 Đối với các vật thể ở nhiệt độ phòng, phổ chủ yếu ở các vùng hồng
ngoại xa (50-1000𝛍𝐦) và hơn nữa.
 Cường độ bức xạ phát ra từ một cơ thể được xác định bởi định luật
Planck bằng cách nhân với độ phát xạ :

 Định luật dịch chuyển Wien cho bước sóng m mà tại đó 𝑊𝜆 cực đại
là m = 2898/T (m); với cơ thể người ở T = 300K có m = 9.66 m.
51
 Đo thân nhiệt (đo nhiệt độ của con người)
 Đo cường độ bức xạ hồng ngoại từ cơ thể người (ví dụ: màng
nhĩ, xung quanh ống tai, trán,…)  nhiệt độ.
 Ưu điểm hơn phương pháp đo nhiệt độ dùng nhiệt kế, cặp
nhiệt điện hoặc nhiệt điện trở:
• Không cần tiếp xúc.
• Thời gian đáp ứng nhanh: ~ 0.1s
• Độ chính xác ~ 0.1oC
• Độc lập với kỹ thuật người dùng hoặc hoạt động của bệnh nhân.

MLX90614

Cảm biến nhiệt độ hồng ngoại Camera đo nhiệt độ thân nhiệt

không tiếp xúc MLX90614 không tiếp xúc
52
 3.5 Cảm biến nhiệt độ dùng IC
 Nguyên lý: dựa trên mức độ
phân cực của các lớp P-N tuyến
tính với nhiệt độ môi trường.
 Lưu ý: cảm biến bán dẫn mỗi loại
chỉ tuyến tính trong một giới hạn
nào đó  quan tâm đến tầm đo
của loại cảm biến này để đạt
được sự chính xác tốt nhất.
 Ưu điểm: Độ chính xác cao, chống nhiễu tốt, hoạt động ổn định, mạch điện xử lý
đơn giản, rẻ tiền,….
 Khuyết điểm: Không chịu nhiệt độ cao, kém bền (kém chịu đựng trong môi trường
khắc nghiệt: độ ẩm cao, hóa chất có tính ăn mòn, rung sốc va chạm mạnh,…).
 Thường dùng đo nhiệt độ không khí; dùng trong các thiết bị đo, bảo vệ các mạch
điện tử.
 Tầm đo: từ -55oC đến +150oC.
 Các loại IC như: LM35, LM335, LM45, DS18B20. Nguyên lý của chúng là nhiệt độ
thay đổi sẽ cho điện áp ngõ ra thay đổi. Ví dụ: với LM35: điện áp ngõ ra cảm biến
thay đổi 10mV/oC
53
So sánh các loại cảm biến nhiệt độ

54
 3.6 Cảm biến nhiệt dùng sợi quang
 Hoạt động của cảm biến:
• Mẫu GaAs (Gallium Arsenide) đơn tinh thể nhỏ có hình lăng trụ được gắn vào
các đầu của hai sợi quang (truyền và nhận ánh sáng).
• Năng lượng ánh sáng được hấp thụ bởi tinh thể GaAs phụ thuộc vào nhiệt độ
(do khe năng lượng phụ thuộc nhiệt độ)
• Phần trăm năng lượng nhận được so với năng lượng truyền đi là hàm của
nhiệt độ.
 Có thể được làm đủ nhỏ để cấy ghép vào cơ thể.
 Đầu dò phi kim loại này đặc biệt phù hợp để đo nhiệt độ trong các trường nhiệt có
điện từ mạnh (vì có khả năng miễn nhiễm với Nhiễu xạ Điện từ (EMI)).
(chất keo dùng để dán mẫu tinh thể
với sợi quang)

55
 4. Đo quang (Optical Measurement)
 Được sử dụng rộng rãi trong chẩn đoán y tế:
• Phòng thí nghiệm hóa học lâm sàng: phân tích máu và mô
• Đặt ống thông tim: đo độ bão hòa oxy của máu
 Các thành phần của hệ thống quang
• Nguồn sáng (source)
• Bộ lọc (filter)
• Dụng cụ phát hiện bức xạ (detector)
 Hệ thống quang thông thường:

Thấu kính (tế bào quang điện)

 Hệ thống quang bán dẫn:
• Nhỏ gọn và đơn giản.

cuvette = ống nghiệm trong PTN 56

Ví dụ đo quang ứng dụng trong đo SpO2
Phân tử hemoglobin chưa liên kết với phân tử oxy

Phân tử hemoglobin liên kết với phân tử oxy

Lưu ý: Mỗi phân tử hemoglobin liên kết với 4 phân tử oxy,

khi đã gắn đủ 4 phân tử oxy được gọi là bão hòa oxy.

57
Ví dụ đo quang ứng dụng trong đo SpO2

58
Ví dụ đo quang ứng dụng trong đo SpO2
Mô hình Beer-Lambert
(RMS = Trị hiệu dụng)
Định luật Beer-Lambert là một
định luật có nhiều ứng dụng
trong hóa học và vật lý. Định
luật này được dựa trên hiện
tượng hấp thụ bức xạ điện từ
của một dung dịch. Định luật
này được sử dụng nhiều trong
hóa phân tích hữu cơ và vật lý
quang học (wiki).
59
 Cảm biến quang điện (Photoemissive Sensors)
 Tế bào quang điện
• Cathode quang (PC=Photocathode) được phủ kim
loại kiềm
• Các photon tới có đủ năng lượng > 1eV hoặc bước
sóng < 1200nm giải phóng các điện tử từ PC.
• Các điện tử được giải phóng bị hút vào cực dương
(anode) và tạo thành dòng điện tỷ lệ với năng lượng
photon tới.

60
 Cảm biến quang điện (Photoemissive Sensors)
 Đèn nhân quang (PMT = Photomultiplier):
• Tế bào quang điện kết hợp với bộ khuếch đại điện tử qua các dynode
(anode phụ)
• Độ nhạy cao.
• Cần được làm mát để ngăn chặn sự kích thích nhiệt của các điện tử
• Đáp ứng nhanh: ~ 10ns
An incoming photon strikes the
Nếu điện tử đập vào anode phụ sinh ra A photocathode and liberates an
electron thứ cấp khi đó tổng số e- thu được ở electron. This electron is
anode là 𝐺 = 𝐴𝑁 với N là số anode phụ. accelerated toward the first dynode,
which is 100V more positive than
the cathode. The impact liberates
(anode phụ)
(e- sơ cấp) e- thứ cấp several electrons by secondary
emission. They are accelerated
toward the second dynode, which is
photon tới 100V more positive than the first
dynode. This electron multiplication
continues until it reaches the
anode, where currents of about
1mA flow through RL.
61
 5. Cảm biến quang điện bán dẫn Điện trở
(Solid-State Photoelectric Sensors)
 Tế bào quang dẫn (quang trở)
• Sử dụng vật liệu tinh thể nhạy sáng như CdS (Cadimi
Bức xạ
Sunfua (Cadmium sunlfide)) hoặc PbS (Chì Sunfua)
• Hấp thu các photon từ bức xạ, sinh các cặp điện
tử-lỗ  độ dẫn điện cao hơn  điện trở thấp hơn
(Hấp thu càng nhiều photon  điện trở càng giảm) Quang
điện
 Diode thu quang (photodiode)
• Bức xạ tới tạo ra các cặp điện tử-lỗ trong miền
nghèo của chuyển tiếp pn  có dòng điện do
quang.
• Năng lượng tối thiểu có thể phát hiện được dựa
trên khe năng lượng của bán dẫn (e.g. Si)
• Có thể được sử dụng ở chế độ quang điện, dùng
điện áp hở mạch  pin năng lượng mặt trời.
 Bộ ghép quang hay photon (optocoupler)
• Kết hợp LED-photodiode/phototransistor
• Dùng để cách ly mạch điện
• Ngăn dòng điện rò rỉ từ thiết bị
không đi vào tim của bệnh nhân.
62
6. MEMS Transducers

(Hệ thống vi cơ điện)

63
 6. Ví dụ một số MEMS dùng trong y khoa

Máy theo dõi nồng độ natri, glucose Hệ thống phân phối thuốc uống. Hệ thống này bao gồm một viên Cảm biến đo áp suất mắt (IOP). IOP cao
trong máu và thậm chí cả alcohol nang điện tử bao gồm bình chứa thuốc, cảm biến pH và nhiệt có thể là một dấu hiệu của bệnh tăng
trong máu không xâm lấn. độ, bộ vi xử lý và bộ thu phát không dây, động cơ bước và pin. nhãn áp có thể dẫn đến thoái hóa dây
thần kinh thị giác và có thể gây mù.

Cảm biến da dùng để đo lường và Link V0.9. Giám sát các tín hiệu
thu thập thông tin quan trọng qua da Đầu dò nội soi đường tiêu hóa và hình ảnh tiết niệu, thay thế của não. Đã được thử nghiệm trên
(Ví dụ đo ECG, EEG, EMG) cho sinh thiết trong ung thư não lợn (28/08/2020).
Nguồn: https://www.slideshare.net/MikePinelisPhD/140804-25-most-interesting-medical-mems-sensors?from_action=save 64
 7. Cân chỉnh cảm biến (Sensor Calibration)

(Cảm biến có hiệu ứng phi tuyến)

(Nhạy chéo các tham số: trị ra bị ảnh hưởng bởi các tham số thứ cấp, ví dụ: nhiệt độ).
Cân chỉnh: điều chỉnh ngõ ra cho đúng với bộ tham số cho trước.
• Xử lý tín hiệu analog
• Bảng tra cứu
• Cân chỉnh số (tuyến tính hóa, hoặc xấp xỉ hàm bậc 2)

Bổ chính
• Loại bỏ các độ nhạy thứ cấp
• Sử dụng các tham số đặc trưng
• Dùng các định trị đa thức để tìm hàm.

65
 Ví dụ cân chỉnh cảm biến MLX90614
 Sử dụng súng đo thân nhiệt Microlife FR1MF1 để khảo sát lấy số đo thân nhiệt
phục vụ mục đích đối chiếu số liệu, tính toán hệ số phát xạ hồng ngoại.

 Hệ số phát xạ hồng ngoại 𝜺 được

xác định bằng công thức(*)

(*) https://www.melexis.com/en/documents/documentation/application-notes/application-note-mlx90614-
changing-emissivity-setting
66
Bảng khảo sát hiệu chỉnh cảm biến nhiệt MLX90614

67
 Hệ số phát xạ hồng ngoại cần hiệu chỉnh:

68
Đồ thị khảo sát giá trị nhiệt độ

69