ĐHQG TpHCM–ĐHBK

Khoa Điện-ĐT–Bộ môn Điện Tử

Đề kiểm tra giữa HK – Môn: Vật lý bán dẫn
Ngày kiểm tra: 11/04/2017 – Thời gian làm bài: 40 phút.

Sinh viên không được sử dụng tài liệu và bắt buộc phải nộp lại đề cùng tờ trả lời TN.
Họ và tên SV: MSSV:
Mã số môn học: EE1013 Mã số đề thi: 0002
Các hằng số được sử dụng trong các câu hỏi: Trích bảng phân loại tuần hoàn:
k = hằng số Boltzman=8.62 x 10-5 eV/oK  Nhóm III: B, Al, Ga, In
q = điện tích điện tử = 1.6 x 10-19 C  Nhóm IV: C, Si, Ge, Sn, Pb
S = hằng số điện môi của Si = 11.9 x 8.85 x 10-14 F/cm  Nhóm V: N, P, As, Sb
VT = kT/q = 0.026V ở T=300oK
ni (nđhdnt của bán dẫn Si) = 1010 cm–3 ở T=300oK
Độ linh động (Si): n = 1350 cm2/Vs, p = 450 cm2/Vs
Chú ý:
 Đề bài có 25 câu hỏi trắc nghiệm. (Trả lời 1 câu: đúng được 0.4 đ và sai bị trừ 0.2đ;
không trả lởi: 0 đ)
 Qui ước: ĐS là viết tắt của “đáp số”; không ghi nhiệt độ đang xét thì T = 300 K; và với
bài toán nồng độ, khi X/Y > 100 thì xem như X >>Y
Câu 1: Chuyển tiếp P-N được sử dụng chính trong chế tạo dụng cụ ________.
a) MESFET b) MOSFET c) diode Schottky d) JFET e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.D
Câu 2: MESFET được chế tạo từ
a) chuyển tiếp M-S b) chuyển tiếp P-N c) chuyển tiếp dị thể
d) cấu trúc MOS e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.A
Câu 3: Một trong các xu hướng chính của công nghệ IC bán dẫn là
a) thay Si bằng Ge b) tốc độ xử lý cao c) giảm mật độ tích hợp
d) tăng nguồn cấp điện e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B
Câu 4: Bán dẫn có khe năng lượng Eg
a) Eg < 0 b) Eg = 0 c) Eg > 4eV d) 0 < Eg < 4eV e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.D

Hình 1. Giản đồ năng lượng của một số bán dẫn.

Câu 5: Với hình 1, ta có giản đồ năng lượng (c) là của bán dẫn ________.
a) nội tại b) suy biến c) loại P d) loại N e) cả 4 ĐS trên đều sai
VLBD-162_KTGHK–Đề số 2 – Trang 1 / 3
Ans.D

Hình 2. Một số mặt phẳng và hướng tinh thể trong tinh thể.

Câu 6: Chỉ số Miller của mặt phẳng trong hình 2 (b) là

a) (121) b) (211) c) (211) d) (211) e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.C
Câu 7: Chỉ số Miller của hướng tinh thể trong hình 2 (c) là
a) [201] b) [012] c) [012] d) [210] e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.D
Câu 8: Cách pha tạp chất nào vào bán dẫn nguyên tố sau đây sẽ tạo ra bán dẫn loại N.
a) Boron (B) vào Germanium (Ge) b) Asernic (As) vào Silicon (Si)
c) Alumnium (Al) vào Germanium (Ge) d) Gallium (Ga) vào Silicon (Si)
Ans.B
Câu 9: Khi nhiệt độ giảm thì nồng độ hạt dẫn nội tại của bán dẫn sẽ
a) bằng không b) tăng c) giảm d) không đổi e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.C
Câu 10: Chất bán dẫn có liên kết nào trong các liên kết sau
a) kim loại b) van der Waals c) ion d) đồng hóa trị
Ans.D
Câu 11: Khi pha tạp chất acceptor vào bán dẫn thuần thì nồng độ hạt dẫn mới có
a) n = p b) n > p c) n < p d) n = p/2 e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.C
Câu 12: Với bán dẫn loại P có được bằng cách pha một loại tạp chất vào bán dẫn thuần, nếu
ta tăng nồng độ tạp chất thì Ei – EF sẽ
a) không đổi b) tăng c) giảm d) < 0 e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B
Câu 13: Trong bán dẫn gián tiếp, khi có tái hợp điện tử-lỗ sẽ phát ra
a) phonon b) photon c) điện tử thứ cấp d) ion dương e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.A

Dành cho ba câu hỏi kế: Một mẫu Si được pha tạp chất đều với Boron (B) có nồng độ 1016
cm–3 và Phosphorus (P) có nồng độ 3x1016 cm–3 . (Tất cả các tạp chất đều bị ion hóa).
Câu 14: Mẫu Si này trở thành bán dẫn ________.
a) nội tại b) suy biến c) loại n d) loại p
Ans.C
Câu 15: Mẫu Si này có nồng độ điện tử là ________ cm–3.
a) 2500 b) 5000 c) 3 x 1016 d) 2 x 1016 e) cả 4 ĐS trên đều sai
VLBD-162_KTGHK–Đề số 2 – Trang 2 / 3
Ans.D
Câu 16: Mẫu Si này có nồng độ lỗ là ________ cm–3.
a) 2500 b) 5000 c) 3 x 1016 d) 2 x 1016 e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B

Câu 17: Ở nhiệt độ cao, nếu tăng nhiệt độ thì độ linh động của hạt dẫn sẽ giảm do tán xạ
a) Auger b) mạng tinh thể c) tạp chất d) cả 3 ĐS trên đều sai
Ans.B
Câu 18: Người ta chiếu vào mẫu bán dẫn bằng nguồn sáng có bước sóng mà bán dẫn hấp thu
được photon, khi tăng cường độ sáng thì điện dẫn của mẫu bán dẫn sẽ
a) bằng không b) giảm c) tăng d) không đổi e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.C
Câu 19: Một mẫu bán dẫn Si loại N (được pha tạp chất đều và chỉ có 1 loại tạp chất) có điện
trở suất là 0.04 .cm. Nếu bỏ qua đóng góp của lỗ vào sự dẫn điện, nồng độ tạp chất là:
a) 2.31 x 1016 cm–3 b) 1.16 x 1017 cm–3 c) 2.53 x 1017 cm–3
d) 3.85 x 1017 cm–3 e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B

Dành cho hai câu hỏi kế: Người ta áp đặt điện trường E = 2 x 103V/cm vào mẫu bán dẫn
(không có gradient nồng độ hạt dẫn) thì thấy điện tử có vận tốc trôi là 5 x 106cm/s. Khi đó
trong bán dẫn, điện tử có
Câu 20: độ linh động µn là: (đơn vị là cm2/Vs)
a) 1500 b) 2000 c) 2500 d) 3000 e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.C
Câu 21: hệ số khuếch tán Dn có trị số là: (đơn vị là cm2/s)
a) 71 b) 65 c) 52 d) 47 e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B

Câu 22: Một thanh bán dẫn Si loại N (có tiết diện ngang chữ nhật) có pha tạp chất ND=
2x1016 cm–3 và có chiều dài L = 1 cm, chiều cao H = 0.1 cm và chiều rộng W = 0.2 cm. Khi
đó thanh này có điện trở xấp xỉ là: (giả sử ta cho nồng độ hạt dẫn thiểu số bằng không)
a) 13.25  b) 11.57  c) 9.26  d) 7.12  e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.B
Câu 23: Tái hợp có bức xạ trong bán dẫn có Eg = 1.55 eV, photon phát ra có bước sóng là
a) 650 nm b) 700 nm c) 750 nm d) 800 nm e) cả 4 ĐS trên đều sai
Ans.D
Câu 24: Xét bán dẫn trực tiếp với bơm mức thấp, khi đó tốc độ tái hợp phụ thuộc vào các
tham số của
a) điện tử b) lỗ c) hạt dẫn thiểu số d) hạt dẫn đa số
Ans.C
Câu 25: Phương trình liên tục cho điện tử có dạng sau:
n 1 dJ p n 1 dJ n n 1 dJ n n dJ
a)  G  R b)  GR c)  G  R d)  q n G  R
t q dx t q dx t q dx t dx
Ans.C

GV ra đề: Hồ Trung Mỹ

VLBD-162_KTGHK–Đề số 2 – Trang 3 / 3