BÀI THÍ NGHIỆM 4

KHẢO SÁT BJT

MỤC TIÊU:
⮚ Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.
⮚ Nắm được đặc tính các linh kiện BJT loại npn, pnp
⮚ Khảo sát mạch khuếch đại, mạch đóng/ngắt dùng BJT

CHUẨN BỊ:
⮚ Chuẩn bị bài prelab
⮚ Xem lại cách sử dụng các công cụ đo VOM, DVM và Oscilloscope (dao động ký - dđk)

Department of Electronics Page | 1

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Department of Electronics Page | 2

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 1

Mục tiêu

 Đo và kiểm tra BJT.

Yêu cầu

 Dùng VOM đo và kiểm tra BJT ở module 1 và 2, phần BJT

Kiểm tra

 Đưa VOM về chế độ đo diode. Đo điện áp giữa các chân của BJT trong khối I và II và ghi
nhận vào bảng sau

Transistor Q1

Điểm đo P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P2

Giá trị 0,652 0 0,653 0 0 0

Transistor Q2:
Department of Electronics Page | 3
Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
Điểm đo P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P2

Giá trị 0,651 0 0 0 0 0,705

Xác định loại transistor và các chân P1-P2-P3. BJT còn tốt hay không?

P1 P2 P3 Loại BJT Chất lượng

Q1 Base collector Emitter N-P-N Tốt

Q2 collector Base Emitter P-N-P Tốt

Giải thích.

+ Với Q1:

V12 = 0,652V  P1-P2 : p-n

V13 = 0,653V  P1-P2 : p-n

Q1 là loại N-P-N với P1 là cực Base

+ Với Q2:

V12 = 0,651V  P1-P2 : p-n

V32 = 0,705V  P1-P2 : p-n

 Q2 là loại P-N-P với P2 là cực Base

Department of Electronics Page | 4

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Department of Electronics Page | 5

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

 Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT npn

Chuẩn bị

 Đọc xem điện trở R1 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM.

R1=1000Ω (giá trị đọc)

R1=977Ω (giá trị đo)

 Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 2. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm uA,
một VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce.

 Vặn biến trở VR3 về mức nhỏ nhất.

Hình 1: Sơ đồ phần III

Department of Electronics Page | 6

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Hình 2: Layout thực tế trên module thí nghiệm

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic và Vce và điền vào
bảng:

Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

Ic 3,3 4,75 5,8 5,84 5,86 5,86 5,87 5,88 5,89

(mA)

Vce 3,16 1,35 0,2 0,15 0,14 0,13 0,12 0,11 0,11

Department of Electronics Page | 7

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
(V)

 Với Ib trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại? Khi đó hfe là bao nhiêu?

Với Ib trong khoảng 10÷30 thì transistor dẫn khuếch đại. Khi đó, hfe khoảng 302

 Khi dùng transistor làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ nào? Vì sao?

– Khi dùng transistor làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ bão hòa/tắt. – Vì:

+ Khi ở chế độ bão hòa, transistor cho dòng điện đi qua và có Vce rất nhỏ, mạch như ngắn
mạch, thực hiện chức hiện đóng.

+ Khi ở chế độ tắt, transistor không cho dòng điện đi qua, hoạt động như mạch hở, thực hiện
chức năng ngắt.

Department of Electronics Page | 8

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

 Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT pnp

Chuẩn bị

 Đọc xem điện trở R6 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM..

 Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 4. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm uA,
một VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce.

Hình 3: Sơ đồ khối BJT pnp

Department of Electronics Page | 9

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Hình 4: Sơ đồ kết nối trên module thí nghiệm phần BJT pnp

 Vặn biến trở VR3 về mức lớn nhất.

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic và Vce và điền vào
bảng:

Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

Ic 3,1 4,59 5,79 7,04 7,96 8,71 9,23 9,3 9,32

Department of Electronics Page | 10

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
(mA)

Vce 6,42 4,9 3,7 2,43 1,54 0,82 0,28 0,22 0,19

( V)

 Với Ib trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại? Khi đó hfe là bao nhiêu?

Với Ib nằm trong khoảng 10÷30 thì transistor dẫn khuếch đại.

Khi đó, hfe khoảng 222

 Nếu thay vì đặt tải (điện trở+led) ở cực C, ta đặt ờ cực E như hình sau. Khi đó BJT có bão
hòa được không? Vì sao? (Câu hỏi này trả lời khi nộp báo cáo, không cần trả lời lúc tiến
hành thí nghiệm.

Phần trả lời:

BJT không thể bão hòa được.

Department of Electronics Page | 11

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
Vì khi transistor P-N-P hoạt động ở vùng bão hòa thì hai thành phần E-B và C-B đều hoạt động ở
miền phân cực thuận, nghĩa là VE > VB và VC > VB, từ đó suy ra VEC < VEB.

Mà ta lại có VEC – VEB = VE - 0 - ( VE - VB)= VB ≥ 0

Department of Electronics Page | 12

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

 Khảo sát đặc tuyến vào của BJT npn.

Chuẩn bị

 Chỉnh nguồn biến đổi 0-5V về nhỏ nhất (0V).

 Chuyển board BJT part 2

 Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.

 Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-5V vào hai cực C-E
của Q2. Các VOM kết nối như hình vẽ.

Hình 5: Kết nối mạch đo đặc tuyến vào của BJT

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh điện áp VCE cố định là 2V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B và ghi vào
bảng sau. Trong quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định là 2V.

Department of Electronics Page | 13

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

IB 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

VBE 0,15 0,27 0,33 0,4 0,466 0,512 0,538 0,58 0,643

 Chỉnh điện áp VCE cố định là 4V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B và ghi vào bảng sau.
Trong quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định là 4V.

IB 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

VBE 0,17 0,33 0,44 0,48 0,52 0,55 0,57 0,6 0,65

 Vẽ đặc tuyến vào IB-VBE ứng với hai trường hợp VCE=2V và VCE=4V.

Department of Electronics Page | 14

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Màu đỏ Vce = 2V

Màu xanh Vce= 4V

 Nhận xét đặc tuyến đã vẽ.

Department of Electronics Page | 15
Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
Đặc tuyến giống với dạng của Diode. Đặc tuyến ứng với V CE = 2V dịch về bên trái hơn đặc
tuyến ứng với VCE = 4V

chứng tỏ khi ở cùng VBE thì mức VCE = 2V cho giá trị IB cao hơn VCE = 4V

Department of Electronics Page | 16

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 5

Mục tiêu

 Khảo sát đặc tuyến ngõ ra của BJT npn.

Chuẩn bị

 Chỉnh nguồn biến đổi 0-20V về nhỏ nhất (0V).

 Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.

 Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-20V vào mạch. Các
VOM kết nối như hình vẽ.

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh dòng điện IB cố định là 20uA, thay đổi Vin để có được các giá trị VCE theo
bảng sau. Điền các giá trị tương ứng của dòng IC.

Department of Electronics Page | 17

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

Ic 2,33 5,82 6,25 6,41 6,44 6,47 6,51 6,54 6,57

 Lặp lại thí nghiệm với IB= 25uA.

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

Ic 2,64 7,14 7,67 7,88 7,93 7,97 8,02 8,07 8,11

 Lặp lại thí nghiệm với IB=30uA

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

Ic 3,57 8,28 9,09 9,35 9,47 9,53 9,59 9,65 9,7

 Vẽ đặc tuyến ngõ ra IC-VCE ứng với 3 trường hợp trên.

Department of Electronics Page | 18

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Màu đỏ: Ib = 20uA

Màu xanh dương Ib = 25uA

Màu xanh lục Ib = 30uA

 Nhận xét tương quan giữa 3 đặc tuyến. Ước tính điện áp Early.

Department of Electronics Page | 19

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
Nhận xét:

+ Khi VCE thấp (Khoảng < 0,2V) thì đặc tuyến gần như nằm ngang (Ic tăng rất nhanh). + Khi
VCE cao (Khoảng > 0,2V) thì đặc tuyến rất dốc, IC tăng chậm dần và bão hòa.

Lấy số liệu từ bảng IB = 20μA, lấy 2 điểm (VCE; IC) lần lượt là (0,7; 6,44) và (1; 6,47)

Ta có: độ dốc của đặc tuyến và từ đó tìm ra điện áp Early (VA):

dIC 6,47−6,44 6,47

= = => VA = 63,7 (V)
dVce 1−0,7 VA +1

Department of Electronics Page | 20

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 6
Mục tiêu

 Khảo sát mạch khuếch đại ghép E chung.

Chuẩn bị

 Đọc và dùng VOM xác định lại giá trị các điện trở

Điện trở R9 R10 R11 R12 R13

Giá trị

 Kết nối mạch như Hình 7. Nguồn cấp Vin là 12V

 Chỉnh nguồn tín hiệu Vs có biên độ 1V, tần số 1Khz. Sau đó giảm biên độ Vs về 0V.

 Dùng 1 VOM đo điện áp giữa cực C và E của Q3.

 Dùng kênh 1 dao động ký đo dạng sóng Vs, kênh 2 đo dạng sóng tại cực C của Q3.

Hình 6: Sơ đồ mạch khuếch đại E chung

Department of Electronics Page | 21

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Hình 7: Sơ đồ kết nối mạch khuếch đại E chung

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh biến trở VR8 để VCE = 6V.

 Tăng dần biên độ Vs. Xác định biên độ tối đa của Vs để ngõ ra không bị méo dạng (max
swing). Nếu dạng sóng ngõ ra bị méo dạng ở 1 đầu hình sine, chỉnh biến trở R8 để thay đổi
phân cực sao cho đạt max swing. Vẽ dạng sóng vs và vce trên cùng hệ tọa độ.

Department of Electronics Page | 22

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
Xác định độ lợi của mạch khuếch đại ở max-swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết.

 Tắt nguồn, đo giá trị VR8 tại max swing và kiểm chứng lại so với lý thuyết

 Kết nối tải R13 vào mạch. Chuyển kênh 2 của dao động ký sang đo dạng sóng ngõ ra trên
R3. Nhận xét.

 Chỉnh lại Vs sao cho đạt max swing trong trường hợp có tải R13. Xác định độ lợi và Vs tại
Max Swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết

Department of Electronics Page | 23

Semiconductor Physic Laboratory