VIETNAM NATIONAL UNIVERSITY – HCM CITY

UNIVERSITY OF SCIENCE

ĐIỆN TỬ CƠ BẢN

CHƯƠNG V:
KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

Presenter: Nguyen Thi Thien Trang

1
CHƯƠNG V: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

Khái niệm – Các đại lượng đặc trưng

Mô hình tín hiệu nhỏ của FET – Thông số mô hình

Mô hình tín hiệu nhỏ của BJT – Thông số mô hình

2
 TỔNG QUAN
Trong chương 4, ta đã xét mạch khuếch đại tín hiệu lớn, vO, vI tuân theo qui
tắc bảo hoà, MOSFET chỉ ở trong vùng bảo hoà.
Hệ thức giữa tín hiệu ra – tín hiệu vào cho:
( vI − VTH )
2

vO = VS − K RL
2
là hệ thức không tuyến tính giữa vI và vO (H.6.1)
vO
VS 5V

vO = vI – VTH

vO 1V vI

VTH 1V 2V vI
3
 TỔNG QUAN
K (VI − VTH )
2
• Dưới dạng:
iD = I D + id = + K (VI − VTH ) vi
2
K
• Với thành phần DC và thành phần gia tăng: I D = (VI − VTH )2 ,
2
id = K (VI − VTH ) vi
• Đồ thị biểu diễn: iDS
( vGS − VTH )
K 2
Nhận xét: iD Ids 2
K
ID = ( I TH ) = h.s., DCbias
−
2
V V Điểm phân cực
2
id = K (VI −VTH ) vi = gmvi ID Vgs

hệ số hỗ dẫn gm = K(VGS – VTH)

Vá: VGS = VI
0 vTH VI vi vGS
 KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
• Hệ thức không tuyến tính gây khó khăn cho việc phân tích và
thiết lập mạch khuếch đại.
• Để có mạch khuếch đại tuyến tính:

Phân cực DC được chọn tốt
điểm hoạt động ở trung điểm vo
dải hoạt động ngõ vào VS Điểm hoạt động

Đặt chồng tín hiệu nhỏ lên ( VI, VO)
phía trên của VI. ∆vO

Đáp ứng của tín hiệu nhỏ được
xem là gần như tuyến tính.
• Ta có thể xét chi tiết hơn bằng:
- 1). Đồ thị
VTH vI
- 2). Toán học
∆vI
- 3). Nhìn từ mạch
5
 KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
1). Phương pháp đồ thị
• Chọn điểm hoạt động tốt: trung điểm dải hoạt động ngõ vào
• Cho tín hiệu vào hữu ích (xem lại ở trước).

VS
vO
VS Điểm hoạt động RL
VO VI,VO
vo
Tín hiệu vào hữu ích

+
vI
• vO = vI - VTH -

+
0 VTH vI VI
-
Điện thế phân cực
(Điện thế offset)

VI
v I = V I + v i

v O = V O + v o 6
 KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
K (VI − VTH )
2

• Dưới dạng: iD = I D + id = + K (VI − VTH ) vi

2
• Với thành phần DC và thành phần gia tăng (AC):
K
I D = (VI − VTH ) ,
2

2
id = K (VI − VTH ) vi

• Đồ thị biểu diễn: iDS

( vGS − VTH )
Nhận xét: K 2

K iD
ID = (VI −VTH ) =hs
2 2
. ., DCbias
2
id = K(VI −VTH ) vi = gmvi id Vgs

ID Điểm phân cực

hệ số hỗ dẫn:
gm = K(VGS – VTH)
Và:
VGS = VI
0 vT VI vi vGS 7
 KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
2. Phương pháp toán học
• phương pháp khai triển chuổi Taylor hàm y=f(x) chung quanh x =
Xo cho: 2
df 1 d f
y = f ( x) = f ( X o ) = ( x − Xo ) + ( − ) + ....
2
2
x X o
dx xo 2! d x xo

• Áp dụng vào các phương trình MOSFET SCS chung quanh điện thế
phân cực VI. Với VI tương ứng với XO, x tương ứng với VI + vi,
hoặc x – XO tương ứng với vi và y tương ứng với iD = ID + id , ta
được:
K (VI + vi ) − VTH 
2

iD = f (VI + vi ) =
2
K (VI − VTH )
2
K
= + K (VI − VTH ) vi + vi2
2 2
K (V I − VTH )
2

iD = + K (V I − VTH ) vi
2

• Nếu tín hiệu gia tăng vi đủ nhỏ để bỏ qua số hạng bậc hai,ta còn
lại:
iD = K (V I − VTH ) vi
8
 KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
Với mạch khuếch đại, ta có thể biểu diễn điện thế ra tổng cộng vO
bằng:
vO = VO + vo
vO = VS − iD RL
VO + vo = VS − ( I D + id ) RL
= VS − I D RL − id RL
Do đó:
VO = VS − I D R L
v o = − id R L
= − g m vi R L
• Độ lợi điện thế tín hiệu nhỏ:
vo
Av = = − g m RL =
vi 9
 KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
Cách khác:
• Đạo hàm vO:

dvO d  RL K 2
vo = = V
 S − ( v I − VTH )  v = V .vi
dvI dvI  2  I
Độ dốc tại VI I

v o = − K ( v I − VT H ) R L .v i
vI = VI
= − K (V I − VT H ) R L v i
= − g m R L vi
• Trùng hợp với kết quả ở cách tính trên.
• Lưu ý: Mặc dầu độ lợi thế là hằng số gmRL, nhưng gm và do đó độ
lợi phụ thuộc vào điểm phân cực của mạch khuếch đại. Điều này
chứng tỏ rằng với sự ra ngoài nhỏ từ điểm hoạt động DC, kết quả
có sự khuếch đại tuyến tính. Kết quả này tạo nên căn bản của mô
hình tín hiệu nhỏ. 10
 KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
. Độ lợi thế trong tín hiệu nhỏ:
RL K
vO = V S − ( v I − VT H )
2

(V I − VT H )
RL K 2
2 VO = V S −
2

v I = V I + vi vi VI
RL K
([V I + v i ] − V T H )
2
vO = V S −
2
R K
([V − VTH ] − vi )
2
= VS − L I
2
R K
= VS − L
2
([V I − VTH ]
2
+ 2 [V I − V T H ] v i + v i2 )
VO + vo = V S −
RL K
2
([V I − VT H ]
2
− R L K [V I − V T H ] v i )
v o = − R L K (V I − V T H ) v i

vo
Độ lợi điện thế: AV = = − g m RL
gm

vo = − g m R L vi vi
 KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
Tóm lại

• Mô hình tín hiệu nhỏ là sự phát biểu kiểu đặc biệt của
sự phân giải tuyến tính của các mạch điện, chúng
được áp dụng khi đáp ứng mạch mong muốn của tín
hiệu mà nó có thể biểu diễn như một sự xáo trộn nhỏ
trên trị số hoạt động DC,

• Nói cách khác đó là phát biểu kiểu đặc biệt áp đặt với
sự thông thường của chúng ta về mạch điện được
gọi là qui tắc tín hiệu nhỏ, cho phép đạt được tính
chất tuyến tính từ mạch không tuyến tính trên dải nhỏ
hoạt động.

12
 MÔ HÌNH TÍN HIỆU NHỎ
Đáp ứng của mạch đối với sự thay đổi nhỏ từ điểm
hoạt động DC đã biết được làm tuyến tính bởi sự xấp
xĩ tốt.
Một phương pháp có tính hệ thống để tìm đáp ứng sự
gia tăng nhỏ tín hiệu dựa trên sự thảo luận ở trước
liên quan đén hai bước:
1. Tìm điểm hoạt động DC của mạch điện sử dụng
những trị số DC và hoàn thành đặc tính của linh kiện.
2. Áp dụng phương pháp triển khai Taylor của đáp ứng
tín hiệu lớn để rút ra đáp ứng tín hiệu nhỏ. Lần lượt
thay thế mạch tín hiệu lớn bằng mạch tín hiệu nhỏ với
mô hình tín hiệu nhỏ dựa vào khai triển Taylor để có
đáp ứng tín hiệu nhỏ.
Do mạch tuyến tính, ta áp dụng các định luật, định lý
tuyến tính để phân giải mạch 13
 BIỂU DIỄN MẠCH TÍN HIỆU NHỎ
• Mô hình chỉ liên quan những biến thiên tín hiệu nhỏ của mạch, và
đồng thời được mô tả thuần tuý đặc tính tín hiệu nhỏ của mạch, sẽ
rất dễ dàng phân tích tín hiệu nhỏ. Một cách thuận lợi, mô hình tín
hiệu nhỏ là tương đối giản dị khai triển bằng cách
thực hiện tiến trình sau:
1. Đặt mỗi nguồn vào trị số điểm hoạt động, và xác định điện thế và
dòng điện nhánh điểm hoạt động cho mỗi thành phần trong mạch.
Điều này gần như là bước lâu nhất trong tiến trình.
2. Tuyến tính hoá đặc tính mỗi thành phần mạch chung quanh điểm
hoạt động. Đó là, xác định tính chất tín hiệu nhỏ được làm tuyến
tính của mỗi thành phần, và chọn thành phần tuyến tính để diễn tả
tính chất đó. Các thông số của các thành phần tín hiệu nhỏ sẽ phụ
thuộc vào điện thế hoặc dòng điện điểm hoạt động.
3. Thay thế mỗi thành phần ban đầu trong mạch với thành phần
tuyến tính tương đương và ghi lại nhản trên mạch với biến số
nhánh tín hiệu nhỏ. Mạch cuối cùng là mô hình tín hiệu nhỏ mong
muốn.
14
 BIỂU DIỄN MẠCH TÍN HIỆU NHỎ
• Vì là mạch tuyến tính, và các công cụ phân tích khai triển cho mạch tuyến
tính như là nguyên lý chồng chập, mô hình tương đương Thevenin phải
được áp dụng để phân giải mạch. Cũng thế hai định luật Kirchhoff về thế
và dòng cũng được sử dụng.
• Với những nhìn nhận trên, phân tích tín hiệu nhỏ của mạch cũng phải
được mô tả bằng tiến trình càng trực tiếp toán học sau:
1. Đặt mỗi nguồn vào trị số điểm hoạt động, và kết hợp những phương trình để
xác định điểm hoạt động của mạch. Điều này cũng giống như cùng bước thực
hiện của tiến trình trước.
2. Quay lại nhóm phương trình ban đầu. Với mỗi biến trong các phương trình,
thay thế bởi biến tổng cộng của điểm hoạt động và trị số tín hiệu nhỏ của
chúng.
3. Khử bỏ các sự thay đổi điểm hoạt động từ các phương trình tuyến tính để giải
nhóm phương trình tuyến tính có liên quan những tín hiệu nhỏ đến chính
chúng. Sự loại bỏ này phải luôn xảy ra vì sự tuyến tính hoá được xác định qua
điểm hoạt động. Sử khử bỏ này là giống như để làm tương đương một cách
riêng biệt các thay đổi điểm điều hành và sự thay đổi gia tăng nhỏ như đã nói
trong biểu thức
id = K (V I − VTH ) vi
4. Hoàn thành sự phân tích tín hiệu nhỏ bằng cách kết hợp các phương trình
tuyến tính hoá để xác định sự thay đổi theo ngõ vào tín hiệu nhỏ tại nguồn.
15
Mô hình mạch tín hiệu nhỏ cho các linh
kiện khác nhau được tóm tắt như sau

16
 BIỂU DIỄN MẠCH TÍN HIỆU NHỎ
 Mô hình mạch tương đương tín hiệu nhỏ của nguồn điện thế độc lập DC
là mạch nối tắt vì điện thế ngõ ra không thay đổi với bất kỳ sự nhiễu loạn
của dòng điện đi qua nó. Đặc biệt, nguồn cấp điện Vs trong hầu hết mạch
điện đều nối tắt vào mass (ground) trong mạch gia tăng nhỏ.

• Mô hình tín hiệu nhỏ có nguồn dòng độc lập DC là mạch hở.

• Điện trở có tinh chất đồng nhất cho tín hiệu lớn và tín hiệu nhỏ. Do đó mô
hình tín hiệu lớn và tín hiệu nhỏ của chúng là như nhau.

• Với MOSFET, kết quả dẫn suất từ biểu thức d

i = K (V −V
I TH )v
i chứng tỏ
sự liên hệ dòng thoát gia tăng nhỏ ids với dòng nguồn i để xác định điện
thế cổng gia tăng nhỏ vgsvới điện thế nguồn.

• Theo định nghĩa, tín hiệu vào vI có một thành phần gia tăng nhỏ vi và một
thành phần DC VI.

• Tổng quát, nếu một sự thay đổi linh kiện xB phụ thuộc vào sự thay đổi
khác xA như xB = f(xA), thì sự thay đổi gia tăng nhỏ trong xB cho một sự
thay đổi trong xA được cho bởi:
XA là trị điểm tĩnh của xA
df ( x A )
bx = x a
dx A xA = X A 17
 BIỂU DIỄN MẠCH TÍN HIỆU NHỎ
• Mô hình tín hiệu nhỏ
+ +

va ia df ( iA )
df ( vA ) va = ia
ia = va diA IA
dv A VA
- -

• Nói cách khác, chúng ta đi từ nhóm hệ thức xác định điểm hoạt dộng
dùng các biến điểm hoạt động, thí dụ:
VO = A VI
kế đó ta tuyến tính hoá và có được nhóm hệ thức mới trong biến điểm
hoạt động và biến gia tăng nhỏ, thí dụ
VO + vo = AVI +Avi
Hệ thức xác định điểm hoạt động trong chổ ban đầu (như VO = AVI)
phải được loại bỏ trong hệ thức tuyến tính hoá vì chúng chỉ ghép cộng
thêm vào biến tín hiệu nhỏ. Trong thí dụ, chúng ta có:
vo = Avi 18
 BIỂU DIỄN MẠCH TÍN HIỆU NHỎ
Thí dụ:
• Hãy dẫn suất mô hình gia tăng nhỏ của MOSFET mà cực cổng và cực thoát nối với
nhau như ở h. .
Khi cực G và cực D nối với nhau,
thực tế ta có linh kiện hai cực.
Vì điện thế cổng - nguồn của linh -D
kiện là giống như điện thế
+
thoát - nguồn, dòng iDS qua linh
kiện liên hệ với điện thế vDS
G vDS
qua linh kiện là:

K ( vGS − VTH )
2
-
iDS = iDS
2
K ( vDS − VTH )
2 S
iDS =
2
Ta có thể dẫn suất sự thay đổi trong vDS như sau đây. Cho trị DC của vDS là
VDS và gọi sự thay đổi là vds. Đặt tri DC tương ứng của iDS là VDS và gọi sự
thay đổi là ids. Thì:
19
 BIỂU DIỄN MẠCH TÍN HIỆU NHỎ
diDS
• Ta có: ids = vds
dvDS VDS D

+
= K ( vDS −VTH ) vds = K (VDS −VTH ) vds
VDS
vds r
1
• Trong cách khác: r=
K (VDS − VTH )
ids
vds = -
K (VDS − VTH ) S

• Lưu ý rằng vì 1/K(VDS –VTH) là hằng số, vds tỉ lệ thuận với ids, nó là
hệ thức điện trở . Đáng chú ý là MOSFET với cực cổng và cực
thoát nối vào nhau có tính chất giống như điện trở với trị số điện
trở 1/ K(VDS – VTH) vào tín hiệu nhỏ.
• Mạch tín hiệu nhỏ tương đương cho phần tử nói trên được chỉ rõ
ở H. trên. Vì tính chất điện trở của tín hiệu nhỏ, và vì MOSFET với
điện trở lớn là dễ chế tạo hơn điện trở, MOSFET thường được
dùng như điện trở tải trong mạch khuếch đại. 20
MẠCH TÍN HIỆU NHỎ CỦA MOSFET

21
MẠCH TÍN HIỆU NHỎ CỦA MOSFET
Để triển khai mô hình tín hiệu nhỏ liên quan đến những bước sau:
1. Đặt mỗi nguồn vào trị điểm hoạt động, và xác định điện thế và dòng
điện điểm nhánh hoạt động của mỗi thành phần trong mạch.
2. Xác định tính chất tín hiệu tuyến tính hoá, và chọn thành phần tuyến
tính để biểu diễn tính chất đó.
3. Thay thế mỗi thành phần ban đầu trong mạch với mạch tương đương
tuyến tính hoá và ghi nhản lại mạch với biến nhánh tín hiệu nhỏ. Mạch
kết quả là mô hình tín hiệu nhỏ mong muốn.
- Ở bước thứ nhất, chúng ta xác định điểm hoạt động của mạch khuếch
đại MOSFET với điện thế phân cực sử dụng mô hình mạch tín hiệu lớn
SCS ở hình sau. Giả sử là điện thế phân cực ngõ vào là VI, chúng ta có
thể xác định dòng hoạt đông ngõ ra ID và điện thế hoạt động ngõ ra VO.
Chúng ta chứng tỏ nguồn cấp điện VS để dễ dàng dẫn suất mô hình tín
hiệu nhỏ. 22
MẠCH TÍN HIỆU NHỎ CỦA MOSFET
• Dòng điện hoạt động ngõ ra ID được tinh trực tiếp hệ thức đặc tính
MOSFET như:
K
ID = (VI − VTH )
2

• Điện thế hoạt động cung cấp ngõ ra có được bằng cách áp dụng định
luật Kirchhoff cho vòng bao gồm nguồn, MOSFET, và RL như sau:
vs

RL

vo

iD=K(vi-VTH)2/2
+
vi
-

VO = VS − I D RL
K
= VS − (VI − VTH ) RL
2

2 23
• Ở bước thứ hai, chúng ta xác định mô hình tín hiệu nhỏ tuyến tính
hoá cho mỗi phần tử. Ta nhớ lại rằng mô hình tín hiệu nhỏ nguồn
cung cấp là nối tắt. Mô hình tín hiệu nhỏ của điện trở là giống như
mô hình tín hiệu lớn. Cuối cùng, mô hình tín hiệu nhỏ tuyến tính
hoá cho MOSFET trong vùng bảo hoà là nguồn dòng phụ thuộc
điện thế mà dòng tín hiệu nhỏ là liên hệ tuyến tính với điện thế cổng
- nguồn tín hiệu nhỏ:
id = K (VGS − VTH ) vgs
• Ở bước thứ ba, chúng ta thay mỗi phần tử gốc trong mạch với
tương đương tuyến tính hoá của nó và ghi lại nhản mạch với biến
nhánh tín hiệu nhỏ vi, vo, và id nhu vẽ ở H. sau.
• Mô hình mạch tín hiệu nhỏ có thể được phân tích để xác định đáp
ứng mạch tín hiệu nhỏ. Ví dụ, ta có thể xác định độ lợi tín hiệu nhỏ
của mạch khuếch đại MOSFET. Áp dụng KVL tại ngõ ra, ta đặt:
vo = −id RL
= − K (VI − VTH ) vi RL
2
24
• Do đó, độ lợi tín hiệu nhỏ cho:
vo
= − K (V I − VTH ) R L vo
vi
= − g m RL ids=K(VGS-VTH) vgs

• Với : + ids=gmvgs RL

g m = K (VGS − VTH )
vi
-

là hệ số hỗ dẫn của MOSFET.

K
iDS = ( GS TH ) ⇒
−
2
v V
2
∂ K 2
ids = ( v − V ) .vgs = K (VGS − VTH ) .vgs
∂vGS  2 
GS TH
vGS =VGS

= g m vgs
25
26
 Thí dụ:
• Tính độ lợi tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại có các thông số sau:

VS = 10V , K = 1mA / V 2 , RL = 10k Ω, VT = 1V

• Giả sử điện thế phân cực được chọn để có VI = 2V. Tính được :
K
VO = VS − ( I TH ) RL
−
2
V V
2
1.10−3
= ( 2V − 1V ) 10.103 = 5V
2

• Độ lợi thế: 2
vo
AV = = K (VI − VTH ) RL
vi
= 10−1 ( 2V − 1V )104
= 10
27
 LỰA CHỌN ĐIỂM HOẠT ĐỘNG
1. Khi muốn chọn tín hiệu nhỏ, tiêu chuẩn khác rất quan trọng trong
chọn lựa là chọn điểm hoạt động hơn là dải động cực đại. Một tiêu
chuẩn nữa là độ lợi tín hiệu nhỏ của mạchn khuếch đại.

• Độ lợi tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại là phụ thuộc vào điện thế
điểm hoạt động ngõ vào VI. Độ lớn của độ lợi tín hiệu nhỏ cho bởi:
Av
vo
AV = = K (VI − VTH ) RL
vi
H. 6.3 biểu diễn độ lớn 10
của độ lợi thay đổi
theo trị số VI.

VTH = 1V VI

28
 Thí dụ 2:
• Cho mạch khuếch đại có các thông số:
VS = 10V , K = 1mA / V 2 , RL = 10kΩ, VT = 1V
• Hảy xác định trị số điện thế điểm hoạt động VI sao cho có độ khuếch
đại bằng 12.

• Thay trị số vào biểu thức độ lợi cho:

vo
Av = = K (VI − VTH ) RL
vi
12 = 1.10−3 (VI − 1)10.103 ⇒
12 + 10
VI = = 2, 2V
10
• Điều này có nghĩa rằng với một điện thế DC ngõ vào 2,2 V sẽ cho kết
quả độ lớn của độ lợi bằng 12.
•
29
2. Xác định trị số đỉnh - đỉnh cực đại đu đưa của tín hiệu sinus
• Theo tiêu chuẩn bảo hoà ở chương 5, dải trị số cực đại hợp lý (có
hiệu lực) của điện thế ngõ vào là:

−1 + 1 + 2VS RL K
VTH → + VTH
RL K
• Với các thông số đã cho, dải hiệu lực của điện thế ngõ vào là từ
1V  2,32V. Theo như đã thảo luận ở chương 5, điện thế ngõ vào
dưới 1 V MOSFET sẽ hoạt động ở vùng cutoff, trong khi điện thế
ngõ vào trên 2,32V MOSFET sẽ hoạt động trong vùng triod. Hoạt
động hoặc trong vùng cutoff hoặc trong vùng bảo hoà kết quả dẫn
tới sự biến dạng tín hiệu.
• Vì điện thế offset vào(DC) là 2,2 V và điện thế vào cực đại hợp lý là
2,32 V, trị số dương cực đại đu đưa của MOSFET hoạt động trong
vùng bảo hoà là 2,32 V – 2,2 V = 0,12 V. Do đó, trị số đỉnh-đỉnh cực
đại đu đưa của tín hiệu sinus ngõ vào là 2X0,12V = 0,24V.
30
• Lưu ý là, ta có thể tác động giửa độ lợi và dải động. Để tăng độ lợi,
ta phải phân cực mạch khuếch đại với điện thế vào lớn, điều này
liên quan đầu cuối phía cao của dải tín hiệu vào. Tuy nhiên, điện
thế phân cực cao làm giới hạn sự đu đưa trị số đương của tín hiệu.
2. Tiêu chuẩn quan trọng khác là điện thế điểm hoạt động. Điều này
là quan trọng khi mạch khuếch đại phải thúc ( drive) tầng mạch
khác ghép chuổi và điện thế điểm điều hành ngõ ra của mạch
khuếch đại xác định điện thế điểm điều hành ngõ vào của tầng kế
tiếp.
• Thí dụ: Xét mạch khuếch đại ghép hai tầng ở H. .Trong mạch VIA
tạo điện thế phân cực cho tầng đầu. Ngõ ra của tầng này VOA cung
cấp điện thế chom tầng thứ hai. Do đó VOA = VIB .
Giả sử với các thông số sau:
VS = 10V , K = 1mA / V 2 , RL = 10 k Ω , VT = 1V

Cho biết tầng đầu phân cực tại VIA = 2,2 V để có độ lợi thế bằng 12.
31
• Xác định điện thế
điểm hoạt động ngõ ra
Vs
của tầng đầu cung cấp Vs R
điện thế phân cực ngõ R

vào hợp lý của tầng thứ

hai. +

Điện thế điểm hoạt

động ngõ ra tầng đầu:
+ Vo =VOB
+ VOA = VIB
K
VOA = VS − (VIA − VTH ) R
2 VIA
- -
2 -
1.10−3
= 10 − ( 2, 2 − 1) 10.103
2

2
= 2,8V
Mà theo trên ta có dải và hợp lý 1V  2,32V , nên VOA vượt quá trị số phiá trên
(2,8V > 2,32V) ta phải kết luận là tầng thứ nhứt không thể tạo ra điện thế phân cực
ngõ vào hợp lý cho tầng thứ hai khi điện thế phân cực tầng thừ nhứt tại 2,2 V.
Chúng ta có thể điều chỉnh bằng cách gia tăng VIA, hoặc tăng trị số điện trở R của
tầng thứ nhứt.
32
 Một số mạch phân cực cho mạch khuếch đại MOSFET
Thí dụ 3: Cho mạch khuếch đạii MOSFET ở H. . MOSFET có VTH =
1V, K = 1mA/V2. Xác định đặc tính tín hiệu vào – ra cực đại của
mạch khuếch đại.
• Mạch phân cực bằng cầu
chia thế cho :
16
VOA = VB = 10V = 1, 6V
và: 84 + 16

R3 K
vO = VS − (VOA − VTH ) = 10 − 1.10−3 (1, 6 − 1) 2.104
2 2

2
= 2,8V
ta có trường hợp như ở thí dụ trước.
Để tránh sự biến dạng, ta có thể chọn R = 22k Ohm, và có:

) ( 2, 2.104 )
R3 K
vO = VS − ( OA TH )
− = − −3
( −
2 2
V V 10 1.10 1, 6 1
2
33
= 10V − 7,92V = 2, 08V
Thí dụ 4:
• Xét mạch khuếch đại MOSFET có các trị số sau:
VS = 5V , K = 1mA / V 2 , RL = 10k Ω, VT = 1V

• Vì mạch khuếch đại hoạt động ở điều kiện bảo hoà với điện thế
ngõ vào trong dải 1V  1,9V, ta phải chọn điện thế điểm hoạt
động ngõ vào tại trung điểm của dải là VIN = 1,45V. Sự chọn lức
này được biểu diễn như sau:
vO (x) (1,45V, 4V)
Vs 5V vO > vIN - VTH
VO 4V
0,9V (y) vo = vIN – VTH

1V 1,45V 1,9V vo < vIN – VTH

0 VTH VIN vIN
34
• Đồ thị: iDS
0,5 mA
0,41 mA vGS = 1,9 V
Điểm hoạt động
( 4V, 0,1 mA)
0,1 mA vGS = 1,45 V
0 mA vGS = 1V
• 0,9V 4V 5V vDS

• Như đã thấy, ngõ ra sẽ thay đổi giữa 0,9V và 5V khi điện thế ngõ ra giữa
1V và 1,9 V.
• Theo mô hình MOSFET SCS, cho:
K
(VIN − VTH ) ID = ( − )
• 2 2
V IN V TH
VO = VS − K RL 2
2
10 − 3
−3 (1, 45 − 1)
= (1, 45 − 1 )
2 2

= 5 − 10 2
2
= 0,1m A 35
= 4V
• Do đó, điểm hoạt động của mạch khuếch đại được xác định bởi:
VIN = 1,45 V
VO = 4V
ID = 0,1 mA

• Điểm hoạt động này làm cực đại điện thế vào đỉnh - đỉnh đu đưa
cho mạch khuếch đại hoạt động ở điều kiện bảo hoà.
• Mạch khuếch đại với điểm hoạt động đã chọn cho:
- Điện thế vào cực đại đu đưa trị số dương là 1,45V  1,9 V
- Điện thế va cực đại đu đưa trị số âm là 1,45V  1 V.
- Điện thế ra cực đại đu đưa là 4V  0,9 V và 4V  5V
• Mặc dầu chúng ta đã chọn điểm hoạt động ngõ vào tại trung tâm
của dải điện thế vào, nhưng dải điện thế ra không đối xứng. Sự
không đối xứng là do độ lợi của mạch khuếch đại không tuyến
tính.

36
 Điện trở ngõ vào, ngõ ra – Độ lợi dòng điện
– Độ lợi công suất
• Mạch tương đương (AC)

• Tổng trở (Điện trở) ngỏ vào:

37
 Điện trở ngõ vào, ngõ ra – Độ lợi dòng điện
– Độ lợi công suất
• Điện trở ra

 Độ lợi dòng

 Vì Ri = nên độ lợi dòng cũng bằng vô cực

∞
 Điện trở ngõ vào, ngõ ra – Độ lợi dòng điện
– Độ lợi công suất
• Độ lợi công suất

• Vì Ri = ∞ nên độ lợi công suất cũng vô hạn.

• Tuy nhiên , trong mạch thực tế, điện trở ngõ vào và độ lợi công suất
là hữu hạn ( xác định) .

39
 Điện trở ngõ vào, ngõ ra – Độ lợi dòng điện
– Độ lợi công suất
• Thí dụ: Nguồn dòng thế kiểm
• Xét mạch sau:
• Ta có dòng iO phụ thuộc
• Nguồn thế vI:

Để tìm xấp xỉ từng mảnh ta thực hiện theo ba bước nêu ở trước
như sau:
• Từ hệ thức tín hiệu lớn, ta có

Thay thế vào trị điểm tĩnh cho:

40
 Điện trở ngõ vào, ngõ ra – Độ lợi dòng điện
– Độ lợi công suất
• Kế tiếp, ta tuyến tính hoá, thay vI bằng vi và iO bằng io cho bằng cách đạo
hàm:

• Trong bước thứ ba, ta thay mô hình tín hiệu lớn bằng mô hình tín hiệu nhỏ
tương ứng :
và suy ra sự thay đổi trong điện thế ra từ
mạch tín hiệu nhỏ bằng cách áp dụng KVL
cho vòng ra:

• Ta cũng có thể tính bằng cách lấy đạo hàm từ 8.43 được:
 Điện trở ngõ vào, ngõ ra – Độ lợi dòng điện
– Độ lợi công suất
Thí dụ : Mạch theo nguồn (SF)
• Xét mạch:
• Và mạch điện tương đương (AC):

Tính được:

Trong đó vgs = vi – vo thay vào trên cho:

42
 Điện trở ngõ vào, ngõ ra – Độ lợi dòng điện
– Độ lợi công suất
• Sắp xếp lại cho:

Cho thấy độ lợi thế nhỏ hơn 1.

• Trường hợp đặc biệt quan trọng khi RL rất lớn, khi RL  ∞ :

và khi có thêm gm Rs >>1 , cho:

Ta sẽ thấy vì sao mạch SF hữu dụng khi xét điện trở vào và điện
trở ra (xem ở sau) 43
 Điện trở vào và điện trở ra tín hiệu nhỏ
• Điện trở vào rất bằng vô hạn ( vô cực) vì dòng vào MOSFET bằng 0.
• Điện trở ra được tính theo h. :
• Áp dụng KCL tại nút a:

• Sắp sếp lại và đơn giản cho:

Do đó: gmRL, và RS rất lớn , RL+RS trở nên không đáng kể so với
gmRLRS, nên:
vì gm rất lớn nên ro rất bé, và Ai rất lớn
(đặc điểm của mạch buffer) 44
• Thí dụ khác:
• Lấy lại thí dụ ở chương trước
Mạch hoạt động tốt với trị dương và
âm của vI, và cũng thế nếu chọn điện
thế phân cực ngõ vào VI =0 cho phân
tích tín hiệu nhỏ. Do đó:

Để xác định điện thế phân cực của mạch khuếch đại, cho vi = 0, kết
quả vI = 0 V. Từ thí dụ chương trước có VO = 6,4 V và VGS = 1,6 V.
 Giờ xét theo phân tích mô hình tín hiệu nhỏ (H. )

Có độ lợi tín hiệu nhỏ 12 tại

điện thế phân cực VI = 0V.

45
• Ta cũng có thể tính bằng cách sau:

• Với trị số cho ở thí dụ chương trước :

• Vậy:
dvOUT
vIN=0 = 2(10)(0,6 − vIN )
dvIN
=12

• Có cùng kết quả như cách tính trên.

 Mạch khuếch đại dùng BJT sẽ được khảo sát ở một chương
riêng ở sau.
46
MẠCH TÍN HIỆU NHỎ CỦA BJT

47
 MẠCH TÍN HIỆU NHỎ CỦA BJT
Khi cho tín hiệu AC tác động vào

mạch khuếch đại đã được phân cực

trước (H.1)

• Các dòng điện và điện thế sẽ thay

đổi chung quanh điểm tĩnh điều hành Q (H.2),

• Các dòng iB, iC gồm có thành phần DC

IBQ và cả thành phần AC ib.

• Các điện thế vBE , vCE gồm có cả thành

phần DC VBEQ và cả thành phần AC vbe. H.1

48
• Khuếch đại tín hiệu nhỏ iC ic
iB ICQ
ib
IBQ 0 t
+ Vcc

0 t ICQ
+icb
Rc
R1 Co

Ci IBQ +ib + vo
vBE +
VCEQ
+vce
VBEQ _
vbe +
+vbe
_ vCE vce
R2
VBEQ vi
-
RE IEQ
+ie +
CE

VCEQ

0 t 0 t 49
 MẠCH TÍN HIỆU NHỎ CỦA BJT
Các trị số dòng điện và điện thế đều là tổng cộng thành
phần xoay chiều ( AC) với thành phần 1 chiều ( DC), và
được viết như sau:
i B = I BE + i b (1a)
i C = ICQ + i c (1b)
v CE = VCEQ + v ce (1c )
v BE = VBEQ + v be (1d )
• ib, ic, vbe, vce là trị số tức thời của thành phần xoay chiều (
AC).
• IBQ, ICQ, VBEQ, VCEQ là thành phần DC ( là trị số điểm tĩnh
điều hành Q)
• iB, iC. vBE, vCE là trị số tức thời tổng cộng gồm cả thành phần
AC và thành phần DC . 50
MẠCH TÍN HIỆU NHỎ CỦA BJT

51
 Phân giải bằng đồ thị
iC ( mA) iB (uA)

6 IB= 60uA 60

ic
4 40 40 ib
ICQ3 Q IBQ Q
30
2 20 20
0,68

0 5 6 10 15 20 vCE(V) 0 0,65 V BEQvBE(V)

VCEQ VCC vbe 0,665
vce
52
 I 2mA Vo − 6V
Ai = = =100 A v = = = − 200
c

I b 20µA V i 0, 03V
Phân giải bằng đồ thị
iC ( mA) iB (uA)

6 IB= 60uA 60

ic
4 40 40 ib
ICQ3 Q IBQ Q
30
2 20 20
0,68

0 5 6 10 15 20 vCE(V) 0 0,65 V BEQvBE(V)

VCEQ VCC vbe 0,665
vce
53
• Ta có các trị sau:
Điểm tĩnh điều hành Q (IBQ=30uA; ICQ=3mA;VCEQ= 9V)
Các trị số thay đổi (ac):
vbe = 0,68V – 0,65V= 0,030V = 30mV
ib = 40uA – 20uA= 20uA
ic = 4mA – 2mA = 2mA
vce= 6V – 12V = 6V
• Tính được:
Độ lợi dòng: Ai= ic/ib = β = 2mA/20uA = 100
Độ lợi thế: Av =vce/vbe= - 6V/ 0,03V = - 200
Tổng trở vào Ri = vbe/ib = 60mV/ 20uA=3kΩ
Tổng trở ra : Ro = vce/ic = 6V/2mA = 3kΩ

54
 MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG TRONG CHẾ ĐỘ
ĐỘNG AC
• Theo mạch điện ở h.1, vùngnền-phát cho
VBB+vs = iBRB+vBE (2)
VBB+vs = (IBQ+ib)RB+ (VBEQ+vbe) (3)
sắp xếp lại:
VBB-RBIBQ-VBEQ= ibRB+vbe-vs (4)
khi cho vế trái của (4) bằng zero,
VBB-RBIBQ-VBEQ = 0, còn lại:
vs = ibRB + vbe (5)

là phương trình vòng nền-phát với mọi số hạng DC cho bằng

zero.
• Tương tự với phương trình vòng thu – phát:
55
 MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG TRONG CHẾ ĐỘ
ĐỘNG AC
VCC=iCRC + vCE (6)
VCC = (ICQ+ic)RC+ ( VCEQ+vce) (7)
hay:
VCC – ICQRC- VCEQ = icRC + vce (8)
Cho vế bên trái (8) bằng zero ta có:
icRC+vce = 0 (9) 
vce = - icRC (10)
là phương trình vòng thu-phát với mọi số hạng DC bằng 0.
Phương trình (5) và (10) liên quan đến các thông số ac
trong mạch. Các phương trình này có được trực tiếp bằng
cách cho tất cả các dòng và thế DC bằng zero.(do không
thay đổi, đạo hàm bằng zero)
56
 MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG TRONG CHẾ ĐỘ
ĐỘNG AC
• Áp dụng nguyên lý chồng chất ta có thể phân tích riêng
mạch ở chế độ DC ( phân tích chế độ tĩnh - DC) và chế
độ AC (phân tích chế độ đông - AC), để đở nhầm lẫn
khi phân tích chung cả hai chế độ DC và AC cùng một
lúc.
• Phân tích chế độ tĩnh - DC đã được xét trong chương
trước (transistor lưỡng cực nối).
• Trong chương này, ta sẽ chú trọng xét riêng phân tích
động – AC, bằng cách sử dụng mô hình mạch tương tự
trong chế độ tín hiệu nhỏ, là mô hình dựa trên sự tuyến
tính hóa mạch khuếch đại.
SƠ ĐỒ ĐƠN GIẢN MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN
HIỆU NHỎ

RS
+
+ vS (t ) Gain, A RL v L (t )
_

–
Tải
Nguồn tín hiệu Mạch Khuếch đại

58
SƠ ĐỒ ĐƠN GIẢN MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN
HIỆU NHỎ
Mạch tương đương của mạch khuếch đại điện thế.
Áp dụng các định luất mạch điện cho mạch khuếch đại tuyến tính
(khuếch đại tín hiệu nhỏ)

RS Rout
+ Av in +
vS
+ vin + RL
_ R in _ vL
– –

59
SƠ ĐỒ ĐƠN GIẢN MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN
HIỆU NHỎ
• Mạch nối tắt cho điện thế bằng zero (V= 0)
Mạch hở cho dòng điện bằng không (I = 0).
Những kết quả trên là hệ quả trực tiếp của sự áp
dụng nguyên lý chồng chập vào mạch tuyến tính.
• Kết quả ta có mạch
tương đương ở chế
độ AC, và mọi trị số của
dòng điện và điện thế là
tín hiệu thay đổi theo
thời gian.
• Mạch tương đương DC
như đã xét ở chương phân cực BJT 60
 Mạch điện tương đương ở chế độ động (AC)
• Cho: vo
1. Nối tắt các
tụ điện liên Q
lạc và phân + RC
vi
dòng. RB
2. Nối các nguồn -
điện thế DC
xuống mass.
3. Thay transistor bằng mô hình thông số vật lý
(hoặc toán học), để có thể áp dụng các định luật
Ohm và định luật Kirchhoff trong mạch điện tuyến
tính – khuếch đại tín hiện nhỏ (sẽ xét tiếp ở sau).61
MÔ HÌNH THÔNG SỐ CỦA TRANSISTOR
• Có nhiều loại mô hình thông số như:
Mô hình chữ T ( thông số r ).(Vật lý)
π
Mô hình thông số hỗn tạp .
Mô hình thông số hỗn tạp h. (Thuyết tứ cực)
Mô hình thông số y.
………………………………
• Tất cả các mô hình trên chỉ áp dụng trong trường
hợp khuếch đại tuyến tính với tín hiện nhỏ.

Sau đây ta sẽ xét đến 3 mô hình thường gặp là

thông số chữ T, hỗn tạp π , hỗn tạp h. 62
 MÔ HÌNH THÔNG SỐ r
• Ta triển khai mô hình tín hiệu nhỏ của BJT bằng cách tuyến tính hoá mô
hình tuyến tính từng mảnh ở trên.
• Xét h. .

• (a) Mô hình tuyến tính từng phần (b) Mô hình tín hiệu nhỏ
• Do nối tắt nên bỏ qua 0,6V và cho
diC d ( β iB )
ic = ib = ib
diB iB − IB diB iB − IB
= β ib 63
MÔ HÌNH THÔNG SỐ r (CHỮ T) VÀ CHỮ PI
• Do phân cực thuận,nên nối nền - phát có điện trở động cho bới:
re = VT / ICQ Với VT = kT/q (= 26 mV ở 27oC, = 25 mV ở 25oC )

• Do phân cực nghịch nên nối thu – phát có điện trở nghịch rc rất lớn ,và có
dòng ic chạy qua:

B C +
ic
B rbb  c
+
+ rc + ic
ib vbe ib Bib rc vce
rbe
ie re
vbe vce
- -
- -
e E

Do: vbe = rbbib+reie = reie_=( β +1) reib= rbeib

vce = rcic+ reie = rc ic =β rc ib

ta có mô hình thông số pi-hỗn tạp.

64
 MÔ HÌNH THÔNG SỐ HỖN TẠP π
• Xem transistor có tính tuyến tính ở chế độ tín hiệu nhỏ, theo lý thuyết tứ
cực ta có từ:
diC ic
• Ở mạch nền – phát : g m = = ⇒ ic = g m v gs
dv G S v gs
• Ở mạch thu – phát:
v be VT
   =
r π ber = = β re = β
β = i c =  i c   v be  = g m r π ib I CQ
• ib  v be   i b 
i I CQ
gm = c =
v be V T

• ro = (VA+VCQ)/ICQ rất lớn

VA điện thế Early

gm được gọi là hệ sồ truyền dẫn
65
 MÔ HÌNH THÔNG SỐ HỖN TẠP h

• Xét tứ cực (hai cảng)

h11 h12
i1 i2
v1 v2
[h]

h21 h22

• Các phương trình:

V1 = V1 ( I1 ,V2 ) V 1 = h1 1 I 1 + h1 2 V 2
I 2 = I 2 ( I1 ,V2 )  I 2 = h 2 1 I 1 + h 2 2V 2

66
 MÔ HÌNH THÔNG SỐ HỖN TẠP h
• Mô hình cơ bản V 1 = h1 1 I 1 + h1 2 V 2
I 2 = h 2 1 I 1 + h 2 2V 2

• Tổng quát gọi

h11 = hix i = input ( vào) x chỉ cách ráp của mạch:

h12 = hrx r = reverse (nghịch) e cực phát chung
f = forward ( thuận) b cực nền chung
h21 = h fx 0 = output (ra) c cực thu chung

h22 = hox
67
 MÔ HÌNH THÔNG SỐ HỖN TẠP h
Ta có các định nghĩa sau:

V1 điện trở ngõ vào ( Ω )

h11 =
I1 V2 = 0
tỉ số điện thế ngược
V1
h12 =
V2 I1 = 0
độ lợi dòng nối tắt ngõ ra
I2
h21 =
I1 V2 = 0 điện dẫn ngõ ra (A/V hay S)

I2
hoe =
V2 V1 = 0

68
 MÔ HÌNH THAM SỐ HÔN TẠP h TRONG
MẠCH RÁP CE
• Xét các hàm sau:
VBE = f ( IB , VCE) (1)
IC = f ( IB , VCE) (2)
Đạo hàm riêng phần cho:
∂ V BE ∂V
dV = dIB+ BE
dV
∂I B ∂V
BE CE
V = h .s CE
I = h .s
CE B

∂I C ∂I C
dIC = dIb+ dV
∂I B ∂V C E
CE
V CE
= h .s I B = h .s
trong đó:
dVBE =vbe ; dIB = ib ; dIC = ic; dVCE = vce

69
 MÔ HÌNH THAM SỐ HÔN TẠP h TRONG
MẠCH RÁP CE
Đặt:
∂V BE vbe
• hie = = điện trở vào nối tắt ( Ω )
∂I B
V CE =h.s. ib vce=0
∂ V BE v be
h re = = tỉ số điện thế nghich mạch hở
∂V CE v ce
I B = h.s. ib = 0

∂I C ic
h fe = = độ lợi dòng thuận nối tắt
∂I B V CE
= h .s . ib vce = 0

∂I C ic
h oe = = điện dẫn ra mạch hở (S, A/V)
∂V CE I C = h.s. v ce ic = 0 70
 MÔ HÌNH THAM SỐ HÔN TẠP h TRONG
MẠCH RÁP CE
• Thay vào trên ta có:
v b e = h ie i b + h re v ce (1 )
i c = h fe i b + h o e v ce (2 )
và được biểu diễn bởi mạch sau:

• Thông số hỗn tạp h có thể tính được từ các đặc tuyến

• Thông số hỗn tạp h thay đổi theo nhiệt độ.
• Thông sô hỗn tạp h được cho bởi nhà sản xuất, có trị chính xác
trong phân giải mạch, cho các biễu thức dễ nhớ.
• Có thể suy ra các thông số r, T… từ thông số hỗn tạp h cho 71
sẵn.
 NHẬN XÉT
• Thay mô hình thông số transistor vào mạch tương đương,
áp dụng các định luật mạch điện để phân giải mạch ở chế
độ động (ac).
. Trong trường hợp gần đúng ( cho hre = 0 ) thì các mô hình
thông số giống nhau :



Ta có : rbe = rπ = hie ; β = h fe ; ro = rc =1/ hoe

Nếu có thêm điều kiện hoe rất nhỏ, ta có phép gần đúng thứ
hai. 72
PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
• Xét mạch theo Hình sau, Ngõ vào tổng cộng vIN là tổng
của điện thế DC
offset VIN và điện
thế tín hiệu nhỏ vi.
Và điện thế ngõ ra
vO, VO và vo tương
ứng.
Giả sử mạch hoạt động trong vùng tác động. Mạch có
RI = 100kΩ , RL = 10kΩ , Vs = 10V và VIN = 1V.
Giả sử transistor có β = 100 .
Giải:
Áp dụng hệ thức hàm số truyền cho:
73
PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
(VI − 0,6) 1− 0,6
VO = VS − βR
L = 10V − (100)(10) =
RI 100
= 10V − 4V = 6V
VCE = VO = 6V > VBE − 0,4V
thoả điều kiện BJT trong vùng tác động
• Độ lợi thế mô hình tín hiệu nhỏ
• Tại nút ngõ ra: v O
= − β ib
RL
vi
ib =
RI
vo RL
= −β
vi RI

• Thay trị số vào, được

74
Av = - 10
PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
• Tổng trở mạch khuếch đại

Tổng trở vào:
Tính dễ dàng, khi cho tín hiệu test vi vào ngõ vào B, được:
vi vitest
ri = = = RI

Tổng trở ra ii ib
Nối tắt ngõ vào, cho vtest vào ngõ ra
(H. ) và đo io tương ứng, tổng trở ngõ
ra cho bởi ro = vtest/io
Để tính ro, áp dụng KCL tại nút C:
v te st
io − − β ib = 0
RL
v te s t
ro = vi = 0 , = RL
io ib = 0 75
PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
• Thí dụ 2: Độ khuếch đại tín hiệu nhỏ của BJT
• Cho mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ BJT như ở thí dụ trước
• Ta lần lượt có: Trong mô hình tín hiệu nhỏ
vo
io + ic + =0
RL
R L Rout
io + β ib − β ib =0
RL
io RL R R
Ai = = −β = − β L out
ib R L + Rout Rout
R L Rout
Av = − β
RI
• Độ lợi công suất:

2( L
R Rout )
2
po voio
Ap = = = Av Ai = β
pi vii i RI Rout 76
PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
b.Cách tính gần đúng khi: hre= 0 và hoeZL < 1
(8)  Zi = hie hoặc Zi’ = RB //hie
(10)  Ai = hfe hoặc AiB = hfeRB / (RB + hie)
(14)  Av= - hfeZL / hie hoặc Av= - hfeRc / hie
 Zo  oo ( vô cực)  Zo’ = Rc
(21)
Rs(Zs) C

+ +
+ is ib ic vo
hie Rc
vs vi RB
hfeib (ZL)
- B
- -

Ta có thể tính trực quan từ mạch điện tương đương gần

đúng này. 77
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ BJT
1. Phân tích DC Vcc
+10V
• Theo định lý Thevenin:
Rc
VBB = [R2 / (R1+ R2)] VCC (1) R1
82k 4,7k Co
VBB = 5uF
RB = R1R2 /( R1+R2) (2) Ci
• Theo định lý Kirchhoff:
5uF vo
NPN

VBB = RBIB + VBE + REIE (3) vi

R2
V BB − V BE 18k
IB = (4) RE

+
CE
R B + ( β + 1) R E
1k
50uF

IC = βI B (5)
V CC = R C I C + V CE + R E I E (6)
V CE V CC − ( R C + R E ) I C (8)
78
 PHÂN GIẢI CHẾ ĐỘ ĐỘNG AC
• Ta có mạch tương đương tín hiệu nhỏ
Tính được:
Độ lợi thế: + ib +
v β RC ib vi
Av = o = − =vce RB rbe hfeib ro
Rc vo
v rbe ib = β ib
-
β RC h fe RC R
=− =− =− C
-
rbe hie re
io
Độ lợi dòng: Ai = = β = h fe
ii
vi rbeib β = h
ri = = = rbe = β re = hie
fe
Tổng trở vào:
ii ib rb e = β r e = h i e
vo 1 VT
ro = = rce = re =
Tổng trở ra: io hoe ICQ
RO = rce RC = RC
• Thí dụ 1 Cho mạch khuếch đại theo H.1. Tính:
1. Dòng IB,IC, IE, VC,VE,VCE,VCB.
2. Trị sô Ri, Av, Ai, Ro
Cho biết VBE =0,7V, và
• Giải:
1. Phân giải DC:
V − VBE 15V − 0, 7V
I B = CC = = 71,5µ A
RB 200k Ω
I C = β I B = 100 ( 71,5µ A ) = 7,15mA
I E = I C + I B = 7,15mA + 71,5µ A = 7, 221mA
VC = VCC − RC I C = 15V − 1k Ω ( 5,15mA ) = 15 − 5,15 = 9,85V
VE = 0V
VCE = VC = 9,85V
VBC = VB − VC = 0, 7V − 9,85 = −9,15V 80
• 2. Phân tích AC
VT 26mV
re = = = 3, 64Ω
I CQ 7,15mA

Ri = rbe = β re = 100 ( 3, 64Ω ) = 3, 64k Ω

200 ( 3, 64 )
R = RB Ri =
'
k Ω = 3, 64k Ω
200 + 3, 64
i

R 1000Ω
AV = − C = − = − − 274,5 = −275
re 3, 64Ω
Ai = β = 100
Ro = RC = 1k Ω

81
 I E = ( β + 1 ) I B = 1 5 1 (5 , 8 3 µ A ) = 0 , 8 8 m A
V E = R E I E = 1 k Ω ( 0 , 8 8 m A ) = 0 , 8 8V
V C = V C C − R C I C = 1 0 V − 5 k Ω ( 0 , 8 7 5 m A ) = 1 0 V − 4 , 3 7 5 = 5 , 6 2 5V
V C E = V C − V E = 5 , 6 2 5 − 0 , 8 8 = 4 , 7 4 5V = 4 , 7 5V
V C B = V C − V B = 5 , 6 2 5 − 1, 6 7 = 3, 9 5 6 V = 4 V

2. Tính lần lượt:

β RC 150 ( 5k Ω )
V 26mV AV = − =− = −176,887 = −178,90
re = T = = 28,26Ω = 28,5Ω RI 4, 24k Ω
ICQ 0,92mA
Ai = β = 150
Ri = rbe = β re = 150( 28,26) Ω = 4,24kΩ  RB   8, 4 
AiB = Ai   = 150  8, 4 + 2,83  = 112, 20
Ri' = RB Ri = 8,34 4,2 kΩ = 2,83kΩ  RB + Ri   
Ro = RC = 5k Ω 82
 PHỤ LỤC

• Phân tích mạch khuếch đại theo thông số h.

• Các thông số tương đương
• Chuyển đổi giữa các thông số
PHÂN GIẢI MẠCH KHUẾCH ĐẠI VỚI THÔNG SỐ h

• Xét mạch khuếch đại ráp cực phát chung (CE):

• Vai trò các linh kiện klhác: Vcc
tụ Ci , Co là tụ liên lạc
Rc
( ngăn dòng dc cho Co
R1
dòng ac qua )
Ci Q
vo
Tụ hoá CE có trị số lớn +
là tụ phân dòng (bypass) Rs
vi R2

+
+
nối tắt ở chế độ ac. vs RE CE
- -
Xc = 1/ ( wC ) =
1
= ≈ 0 Ω
2 π fC 84
MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG Ở CHẾ ĐỘ ĐỘNG AC

Rc
R1
Zs
Rs Q +
Rs ic io
NPN
+ ib
is
+ vi vo Rc
+ RB
vs R2 vs = ZL
- - -
-
E

Rs(Zs) hie

+ +
+ is ib + ic vo Rc
vs vi RB hrevo
hfeib 1/hoe (ZL)
- - - -

85
• Giải mạch : = V = h + h (1 )
V i b e ie I b re V o

I o = I C = h fe I b + h o e V o (2 )

• Từ (1): V V be V o
Z i = i
= = h ie + h re (3)
I i Ib Ib
V o = V ce = − Z L I o ⇒ I o = − Y LV o (4)

• Thay(4)vào(2): − V o Y L = h fe I i + h o e V o (5 )
V h
o
= − fe
(6 )
I o h o e + Y L

• Thay(5)vào(3):
h fehre h fehreZ L
Z i = hie − = hie − (7&8)
hoe +Y L 1+ hoeZ L 86
• Độ lợi dòng điện:
Thay (4) vào (2):
I o = h fe I i − h o e ( Z L I o ) ⇒ I o (1 + h oe Z L ) = h fe I i (9) ⇒
Io = h fe h feY L
Ai = = (10 & 11)
I i 1 + h oe Z L h oe + Y L
• Độ lợi đện thế:
Thay (9) vào (1):  1 + h oe Z L 
V i = h ie   I o + h reV o (12)
 h fe 
1 + h Z  V 
Thay (4) vào (12): V i = h ie 
oe L
 −
o
 + h re V o ⇒
 h fe  Z L 

−
h (1 + h Z )
 = V
ie oe L
V o  h re i (1 3 ) ⇒
 h fe Z L  87
Hay: V h fe Z L − h fe Z L
= o
= = ⇒
h ie + ( h ie h o e − h r e h )Z L
AV
V i h r e h fe Z L − ( h ie + h o e Z L ) fe

− h fe Z L
AV = (1 4 )
h ie + ∆ h Z L

V
• Tổng trở ra: Z o = o

I o Vs = 0 ,ZL → ∞
Theo mạch ta có: Vs = 0 

V s = (R s + h i e ) I i + h r eV o = 0 ⇒
− h r eV o
Ii = (1 9 )
( R s + h ie )
Thay (19) vào (2):

−hfehreVo  hfehre 
Io = +hoVo ⇒I o =ho − Vo (20) ⇒
Rs +hie  Rs +hie  88
Hay: 1 RS + hie
Zo = =
h fe h re RS hie + ∆h
h oe −
R s + h ie
Chú ý:
a. Các thông số và các công thức trên đều áp dụng
chung cho các cách ráp với lưu ý về chỉ số sau:

Cách ráp cực phát chung: hie, h re, hfe, hoe

Cách ráp cực nền chung : hib, hrb, hfb, hob.

Cách ráp cực thu chung : hic, hrc, hfc,hoc.
b. Trong Data chỉ cho các thông số hie,hre.hfe,hoe nên ta
phải chuyển đổi sang các thông số của cách ráp
tương ứng ( xem bảng chuyển đổi trong giáo trình) 89
• Tóm lại ta có các công thức:

Z i = hie −
h fehre
= hie −
h fehreZ L
(I)
hoe +Y L 1+ hoeZ L
− h fe Z L
AV = (II )
h ie + ∆ h e Z L
I
Ai = =
o h fe
=
h feY L
( III )
I i 1 + hoe Z L hoe + Y L
1 s + h ie
Zo = = R
( IV )
h fe h re R s h oe + ∆he
h oe −
R s + h ie 90
 Bảng chuyển đổi thông số
Thông số
CE CB CC T
re
h ib hic rb +
hie 1 + h fb 1−α
h ib h o b 1 − hrc re
h re − h rb
1 + h fb (1 − α )
h fe −h fb − (1 + h fc ) β
1+ h fb
1
hoe hob hoc (1 − α ) rc
1 + h fb
91
 Bảng chuyển đổi thông số
Thông số
CB CE CC T

hib
h ie
−
h ic re + (1 − α ) rb
1 + h fe h fc
rb
hic hoc
h rb h ie h o e
− h re hrc − 1 − rc
1 + h fe h fc
h fb −h fe −
(1+ h ) fc
−α
1+ h fe
hic
hoc
hob hob − 1
rc
1 + h fb h fc
92
 Bảng chuyển đổi thông số
Thông số
CC CE CB T

h ib r x + rπ
hic h ie
1 + h fb
hibhob re
1− ≅1
h rc h ib h o b
− h rb 1 − hrb − 1 (1 − α ) rc
1 + h fb 1 + hrb
h fc 1 −1
1− h −
fe
(1 + h fb ) 1− α
hob 1
hoc hoe (1 − α ) rc
1 + h fb
93
• Với transistor 2N929 phân cực tại IC = 4 mA, VCE = 12V,
lần lượt cho:
hie = 2200Ω hib = 7,57Ω hic = 2200Ω
hrc = 0,9999 ≅ 1
hre = 2 x10−4 hre = 0, 268 x10−4
h fe = −291
h fe = 290 h fe = −0,996
−6 hoe = 30 x10−6 A / V
hoe = 30 x10 A / V hoe = 0,103 x10−6 A / V

• Với transistor 2N 2222A tại IC = 1 mA có:

hie = 2500Ω
hre = 1,5 x10−4
h fe = 100
hoe = 8,5 x10−6 A / V
94
• Thí dụ 1. Cho mạch khuếch đại transistor ráp CE có các trị
số : RS = 500Ω, RL = 2000Ω, hie = 1000Ω, hr = 2x10−4 , hfe = 100, hoe = 2x10−5
Áp dụng các công thức trên lần lượt tính được:
h fe h re Z L
= 1000 −
(1 0 0 ) ( 2 x 1 0 −4
) (2 0 0 0 )
Z i = h ie − = 9 6 1, 5 4 Ω
1 + h oe Z L 1 + (2 x 1 0 )(2 0 0 0 )
−5

Vo − h fe Z L − h fe Z L
AV = = =
Vi h ie + ( h ie h o e − h r e h fe )ZL h ie (1 + h o e Z L ) − h re h fe Z L
−100 (2000 )
= = −200
(
1000 1 + 2 x 10 −5
) − ( 2 x1 0 ) (1 0 0 )( 2 0 0 0 )
−4

Io h fe 100
Ai = = = = 9 6 ,1
Ii 1 + h oe Z L (
1 + 2 x 1 0 −5 )(2 0 0 0 )
1 1
= = = 0, 22 M Ω
( )
Z
( )
o −4
h fe h re 1 0 0 2 x 1 0
h oe − 2 x 1 0 −5
−
R s + h ie 500 + 1000 95
• Thí dụ 2 Cho mạch khuếch đại ráp CE ( bài tập 5.4)
. Cho maïch khueách ñaïi raùp cöïc phaùt chung (hình ) . Transistor coù
thoâng soá : h ie = 1, 6 k Ω ; h fe = 80 ; h re = 2.10 −4; h oe = 20 µ S
1. Tính caùc trò IB, IC, IE, VC, VE, VCE, VBC.
2. Veõ maïch ñieän töông ñöông.
3. Tính caùc trò soá Zi , Av, Avs , Ai, Zo, Zo.
=
R2
=
12
20 = 5,34V
Giaûi:
V BB V CC
Ta coù: R1 + R 2 33 + 12
R 33k Ω (12k Ω )
RB = R1 2 = = 8,8k Ω
R1 + R 2 33k Ω + 12k Ω
VBB − VBE 5,34 − 0, 7
IB = =
RB + ( β + 1) RE 8,8k Ω + 81(1k Ω )
4, 64
= = 51µ A
89,9
I C = β I B = 80 ( 51µ A ) = 4,1mA
3. Tính ñöôïc:
h fehreZ L 80( 2.10−4) (1,8kΩ)
Z i = hie − = 1,6kΩ− = 1,6kΩ− 27,8Ω = 1,572kΩ
1+ hoeZ L 1+ 20µs (1,8kΩ)
1,572kΩ( 8,8kΩ)
Z = Z i RB = = 1,3kΩ
'

1,572kΩ+ 8,8kΩ
i

− h feZ L −80(1,8kΩ)
AV = = =
hie + ( hiehoe − h fehre ) Z L 1,6kΩ+ 1,6kΩ( 20µS ) − 80 2.10  (1,8kΩ)
( )−4
 
144,54.103
=− = −88,56
1,6kΩ(1+ 0,036) − 28,8
 Z i'   1,3kΩ 
=
AVS AV  '  = −88,56   = −63,98
 Z i + Rs   1,3kΩ+ 0,5kΩ 
97
 h fe 80 80
Ai = = = = 77,22
1 + hoeZ L 1+ 20µS (1,8kΩ) 1,036
 RB   8,8 
AiB = Ai   = 77,22   = 65,34
 RB + hie   8,8 +1,6 
1 1
Zo = = =

hoe − 
h fehre 
 20µS − 
 ( 80 )
2.10−4


 ( Z s RB ) + hie   (
0,5 8,8) kΩ+1,6kΩ 

1 1
= = = 50kΩ
( 20µS − 7,718µS ) 19,984µS
Z = RC Z o = 2,2kΩ 50kΩ = 2,1kΩ
'
o
98
Các trường hợp khác :
1. Có tải riêng RL:
Vẫn áp dụng các công thức (8), (10),(14).(21)
nhưng thay ZL=Rc bằng trị số ZL = Rc// RL.
2. Khi kể đến điện trở RB thì các công thức tổng trở vào thành:
ZiB= RB// Zi
3.Nếu điện thế nguồn Vs có Rs thì:
Avs = Vo/Vs = (Vo/Vi)(Vi/Vs) =
= ( ZiB / (Zs + ZiB) Av
Và Azis = (Io/IS)=(Io/Ii)(Ii/Is)= Ai .[ Zs/(Zs+Zi)]
4. Khi Zo quá lớn thì tính
Zo= Rc//Zo
99
1. Cách tính gần đúng thứ nhất:
a. Khi hre = 0
(8)  Zi = hie hoặc Zi ’ = RB//Zi
(10)  Ai = hfe/(1+hoeZL)
(14)  Av = -hfeZL/ [ hie( 1+ hoeZL)]
(21)  Zo = 1/ hoe và Zo’ = Rc//Zo= Rc// (1/hoe)

Ta có thể tính trực tiếp các công thức trên từ mạch tương
đương gần đúng trên: 100
Từ mạch điện gần đúng ta tính được:
• Tổng trở vào:
Vi = Zi Ii  Zi = Vi/Ii = hie và Zi’= Z iB =RB//hie
Độ lợi dòng :
Io = hfeIb ( 1/ hoe) / [(1/hoe)+ZL] =
= hfeIb / [1+hoeZL] = hfeIi / [1+hoeZL]
Ai = Io / Ii = hfe / [1+hoeZL]
Độ lợi thế:
Vo = -IoZL = -ZLhfeIi / [1+hoeZL] 
Av = Vo/Vi = - hfeZL / { hie[1+hoeZL ] }
Tổng trở ra :
Vs=0 và ZL oo (vô cực)  Vo = - Io (1/ hoe) 
Zo = 1/ hoe và Zo’ = [ Rc // (1/ hoe) ]
101
 10V
+V
2. Mạch khuếch đại phân cực hồi tiếp RB:
ie
• Tụ CB nối tắt nên ta có mạch tương đương: RC
Co
RB1 RB2
Zi = RB1 // hie

+
CB ic vo
Av = Vo / Vi = Ci ib
Q
= -hfeZL / hie vi

Với:
ZL = (1/hoe)// RB2 // RC B
Ai = Io / Ii = hfe +
ib ic ie+
hfeib
( do 1/hoe ; RB rất lớn) vbe RB1 hie vo
1/hoeRB2 RC
Zo = (1/ hoe) // RC -
-
E
• Cách giải đầy đủ xem ở
giáo trình 102
103