TRƯỜNG ĐH CÔNG NGHIỆP TP.

HCM ĐÁP ÁN ĐỀ THI GIỬA KỲ

Môn thi: Mạch điện tử
KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ
Lớp/Lớp học phần: DHDTMT16
Ngày thi:..............
ĐỀ 2
Điểm
CÂU Đáp án
chấm
Câu 2 1
a) Xác định tọa độ điểm phân cực tĩnh Q (VCEQ, ICQ)
(5,0 điểm)
𝑅1 𝑅2
𝑅𝐵 = (1)
𝑅1 +𝑅2
𝑅1
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉 (2)
𝑅1 +𝑅2 𝐶𝐶

Giải sử mạch hoạt động ở chế độ khuếch đại,

𝐼𝐸
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝑅 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝛽 𝐵
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
 𝐼𝐸 = 𝑅𝐵 (3) 0.5
+𝑅𝐸
𝛽

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 = 𝑅𝐵 = 2.6 𝑚𝐴
+ 𝑅𝐸
𝛽

Biết Transistor có Ri = 20Ω, R2 = 100KΩ, RE = 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 0.36 𝑉

1KΩ, RC =800Ω, RL = 2KΩ, β = 150, VCC = +5V. > 0.2𝑉
Vậy mạch hoạt dộng ở chế dộ khuếch đại,
với điểm phân cực Q (2.6mA, 0.36V). 0.5

b) Viết phương trình và vẽ đồ thị đường tải một chiều DCLL, đường tải xoay chiều ACLL và xác định 2
biên độ dòng iC Max-swing.
- Phương trình và vẽ đường tải tĩnh (DCLL):
1 𝑉
𝐼𝐶 = − 𝑉𝐶𝐸 + 𝐶𝐶 (4)
𝑅𝐶 +𝑅𝐸 𝑅𝐶 +𝑅𝐸
0,5
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = = 2.8𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 = 5𝑉

- Phương trình và vẽ đường tải ACLL:

1 𝑉𝐶𝐸𝑄 0,5
𝑖𝐶 = − 𝑣𝐶𝐸 + (𝐼𝐶𝑄 + ) (5)
𝑅𝐶 //𝑅𝐿 𝑅𝐶 //𝑅𝐿
𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐶𝑄 + (6)
𝑅𝐶 //𝑅𝐿

𝑖𝐶𝑚𝑎𝑥 = 3.2𝑚𝐴
𝑣𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 1.8𝑉

𝑖𝐶𝑀𝑎𝑥−𝑠𝑤𝑖𝑛𝑔 = min(𝐼𝐶𝑄 , 𝑖𝐶𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐶𝑄 ) = 0.6 𝑚𝐴 1

c) Thiết kế phân cực lại cho mạch điện để mạch hoạt động ở chế độ Max-swing tối ưu (hay biên độ 2
dòng AC qua tải là cực đại, hay hiệu suất của mạch là lớn nhất)
- Ta cần thiết kế lại các giá trị R1 & R2 sao cho thỏa điều kiện Max-swing tối ưu.
- Điều kiện Max-swing tối ưu khi 𝑖𝐶𝑚𝑎𝑥 = 2𝐼𝐶𝑄
 Điều kiện Max-swing tối ưu khi 𝑖𝐶𝑚𝑎𝑥 = 2𝐼𝐶𝑄 ,
thay vào (6) ta có,
𝑉𝐶𝐸𝑄
𝐼𝐶𝑄 = , hay 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶 //𝑅𝐿 (7)
𝑅𝐶 //𝑅𝐿

Thế (7) vào (4) ta có,

1 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑄 = − 𝐼 𝑅 //𝑅𝐿 +
𝑅𝐶 +𝑅𝐸 𝐶𝑄 𝐶 𝑅𝐶 +𝑅𝐸

𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = −𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶 //𝑅𝐿 + 𝑉𝐶𝐶

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑄 = = 2.1 𝑚𝐴 (8) 0.5
𝑅𝐶 +𝑅𝐸 +𝑅𝐶 //𝑅𝐿

Mặt khác ta chọn thiết kế phân cực tối ưu,

𝑅𝐵 1 𝛽
= 𝑅𝐸 => 𝑅𝐵 = 𝑅𝐸 = 15𝐾𝛺
𝛽 10 10 0.5
Thế (8) vào (3) ta có,
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 ≈
1.1𝑅𝐸

➢ 𝑉𝐵𝐵 = 1.1𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 3 𝑉

𝑅1 𝑅2
𝑅𝐵 =
𝑅1 +𝑅2
➢ { 𝑅1 0.5
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉
𝑅1 +𝑅2 𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐵
𝑅2 = = 24.8𝐾𝛺
𝑉𝐵𝐵
{ 𝑉𝐵𝐵 𝑅2 0.5
𝑅1 = = 37.8𝐾𝛺
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐵

Tổng điểm câu 2: 5

Câu 1
(5,0 điểm)
a) Thiết kế phân cực DC
* Xác định các thông số đầu vào/ra: 1
- Thông số đầu vào: sử dụng dữ liệu đề cho
- Thông số đầu ra: tính Rs và Rd để thỏa các điều kiện của đề.
* Tính Rs và Rd 1
Ta có: 𝐼𝐷𝑆 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 = 0.2𝑚(5 − 3)2 = 1.6𝑚𝐴
𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 = 12𝑉
(𝑉𝐺𝐺 −𝑉𝐺𝑆 )
Ta có 𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆 => 𝑅𝑆 = = 4.36𝑘Ω.
𝐼𝐷𝑆

(𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷𝑆 −𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆 )

Mặt khác ta có: 𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷𝑆 (𝑅𝑆 + 𝑅𝑑 ) => 𝑅𝑑 = = 1.57𝑘𝛺
𝐼𝐷𝑆

b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp

1
Trong đó, 𝑔𝑚 = 2𝑘(𝑣𝐺𝑆 − 𝑣𝑇 ) = 2 ∗ 0.4𝑚 ∗ 2 = 1.6𝑚( )
𝛺
Rg = R2 = 10kΩ.

c) Tính độ lợi áp Ai:

𝑣 𝑣 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑔𝑠
Ta có, 𝐴𝑣 = 𝐿 = 𝐿 × × = −𝑔𝑚 𝑅𝑑𝑠 //𝑅𝐷 //𝑅𝐿 ≈ −1.6𝑚 × (1.56𝑘//2.5𝑘) = −1.5 1
𝑣𝑖 𝑔𝑚𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑖
d) Trở kháng Zi, Zo
𝑍𝑖 = 𝑅𝑖 //𝑅𝑔 = 10𝑘𝛺 1
Ta có, 𝑍𝑜 = 𝑟𝑑𝑠 //𝑅𝐷 = 120𝑘//1.57𝑘 ≈ 1.57𝑘𝛺
Tổng điểm câu 1: 5