Katedra za nanoelektroniku Formule za kolegij „EES“

i fotonaponsku pretvorbu - (1. kolokvij) -

POLUVODIČI
 E  [cm-3]. Za Si na T=300 K izmjereno je n = 1010 cm-3. Za Si:
ni  N c  N v   exp  G 
12
i
 2 ET 
2
[cm ]; N v  3,5  10 15  T 3 2 [cm ]; EG T   1,17  4,73 10 4  T
-3 -3
N c  6,2 1015  T 3 2 [eV]
T  636
T [eV]
ET  k  T 
11605
Električna provodnost:    n   p  q  n   n  q  p   p  q  n   n  p   p 
Pokretljivost nosilaca
Za Si na T=300 K:
 max   min
   min  
 N 
1  
N 
 ref 
max [cm2V-1s-1] min [cm2V-1s-1]
-3
Nref [cm ] 
17
elektron 1,1210 1430 80 0,72
17
šupljina 2,2310 460 45 0,72

Vrijeme života i poništavanje (rekombinacija) nosilaca;

Za Si na T=300K:
 p0  n0
p  ; p0=3,5210 s, N0D=7,110 cm ; n0=1,710 s, N0A=7,110 cm .
-5 15 -3 -5 15 -3
n 
ND N
1 1 A
N0D N0 A

PN SPOJ
 n0 n  p op   N N ; ND NA
U k  U T ln    U T ln  D 2 A
  n
 xp 
 d B ; xn  d B ; U TOT  U k  U ;
 ni
2
  i  N A  N D N A  N D

2 N A  N D
dB   U TOT
q NA  ND
2 U TOT ; S
E max   CT  
dB dB
Široka n-strana: Uska n-strana:
Q p  q  S   p n 0  p0 n   L p Qp  q  S   pn 0  p0 n  
wn
2
Qp Qp
Ip  Ip 
p t pr

t pr 
wn 2
2D p
 Dn Dp 
I S  q  ni2  S     (dioda sa širokim stranama)
L N 
 n A Lp  N D 

FESB, studeni 2012. 1

 Katedra za nanoelektroniku Formule za kolegij „EES“
i fotonaponsku pretvorbu - (1. kolokvij) -

BIPOLARNI TRANZISTOR
pnp tranzistor npn tranzistor
1 1
 D  N DB  w B   D pE  N AB  w B 
  1  nE    1  
 D pB  N AE  LnE   DnB  N DE  L pE 
2
1 w 
2
1 1 1 w 
*  1  B  *   1    B 
w 2
2  L pB 
 wB2 2  LnB 
1  2B 1 2
2 L pB 2 LnB
Ebbers-Mollove jednadžbe
I EB0 ; I  I CB 0 ;  I  I CS   N  I ES
I ES 
1  N I 1  N I
CS

pnp: npn:
 U    U    U    U  
I E  I ES  exp EB   1   I  I CS  exp  CB   1 I E   I ES  exp BE   1   I  I CS  exp BC   1
  UT     UT     UT     UT  
 U    U    U    U  
I C   N  I ES  exp EB   1  I CS  exp CB   1 I C   N  I ES  exp BE   1  I CS  exp BC   1
  UT     UT     UT     UT  

UNIPOLARNI TRANZISTOR - JFET

n-kanalni
a2  q  ND ,  U k  U GS , 2a  w  q  N D   n , U DS
U GS 0  U k  b  a  1   G0    rd  g m
2  U k  U GS 0  L U GS
 
Triodno područje: Područje zasićenja:
   
2 U k  U GS  U DS  2  U k  U GS  2  2 U k  U GS 0  2  U k  U GS  2
3 3 3 3


I D  G0  U DS   
I Dzas  G0  U GS  U GS 0   
 3 U k  U GS 0   3 U k  U GS 0 
   
2
 U 
I Dzas  I DSS  1  GS 
 U GS 0 
U k  U GS  U DS  U k  U GS  U k  U GS 
g m  G0  g m  G0  1  
U k  U GS 0  U k  U GS 0 
 
 U k  U GS  U DS 
g d  G 0  1   g d    I Dzas
 U k  U GS 0 

MOSFET
n-kanalni
 nk   0   0' x  w
K
t0x  L
Triodno područje: Područje zasićenja:
 1 2 
I Dzas   U GS  U GS 0 
K
I D  K U GS  U GS 0 U DS  U DS
2

 2  2
g m  K U DS g m  K  U GS  U GS 0 
g d  K  U GS  U GS 0  U DS  1
 g d  I Dzas  
rd
  g m  rd   g m  rd

Kod p-kanalnog unipolarnog tranzistora naponi su suprotnog polariteta, a struja odvoda teče u suprotnom smjeru.

FESB, studeni 2012. 2