Quang 

khắc
 Kỹ thuật quang khắc (photolithography )
• Ứng dụng:
– Chế tạo vật liệu
– Linh kiện (MEMS) kích thước nhỏ (micrô)
– Vi mạch điện tử với hình dạng xác định
•  Nguyên lý hoạt động:
– Sử dụng bức xạ ánh sáng làm biến đổi các chất cảm 
quang phủ trên bề mặt để tạo ra hình ảnh cần tạo 
 Photolithography
PR: photoresist Thuốc hiện: Developer Nước khử Ion: DI Water
Các hóa chất ăn mòn: NaOH; KOH: HNO3; HF…

Phòng sạch: Cleaning Room - What????????

Quang khắc âm và dương
Thiết bị quang khắc
Kỹ Thuật So Mask
(Mask Alignment)
 Cấu tạo hệ quang khắc
1. Nguồn phát tia tử ngoại
2. Bộ khuyếch đại chùm tia 
tử ngoại 
3. Mặt nạ (photomask). 
Mặt nạ là một tấm chắn 
sáng được in trên đó các 
chi tiết cần tạo 
4. Thấu kính hội tụ để hội 
tụ chùm ánh sáng đi ra 
từ mặt nạ chiếu vào bề 
mặt phiến cần tạo
5. Đế là phiến Si đã phủ các 
lớp vật liệu và một lớp 
cảm quang. 
 Một số thuật ngữ
• Mặt nạ: là một tấm thủy tinh có hình ảnh. 
Hình ảnh được tạo bằng cách ăn mòn có 
chọn lọc lớp crom mỏng (khoảng 70 nm) 
phủ trên tấm thủy tinh tạo vùng tối và 
vùng sáng. Khi chiếu ánh sáng qua chỗ nào 
không có crom thì cho ánh sáng đi qua, 
chỗ nào có crom sẽ cản ánh sáng. 
• Lớp cảm quang: là các chất hữu cơ bị rửa 
trôi hoặc ăn mòn dưới các dung dịch tráng 
rửa
– Cản quang dương: Là cản quang có tính 
chất biến đổi sau khi ánh sáng chiếu vào sẽ 
bị hòa tan trong các dung dịch tráng rửa. 
– Cản quang âm: Là cản quang có tính chất 
biến đổi sau khi ánh sáng chiếu vào thì  Cr
không bị hòa tan trong các dung dịch tráng 
rửa. 
• Dung dịch tráng rửa: Dung môi hữu cơ có 
khả năng hòa tan vật liệu cảm quang
 Qui trình Quang khắc 
1. Xử lý bề mặt của đế 
1. Phủ chất cản quang (photoresist) 
bằng kỹ thuật quay phủ (spin­
coating). 
2. Chiếu chùm AS qua mặt nạ chắn 
sáng, chùm tia sẽ hội tụ in trên đế 
đã phủ cản quang tạo ra hình ảnh 
của chi tiết cần tạo. 
1. Chỉ có vùng cảm quang dương 
được chiếu sáng sẽ bị thay đổi 
tính chất =>  bị hòa tan trong 
dung dịch tráng rửa. Tráng rửa 
loại bỏ vùng cản quang đã bị 
chiếu sáng tạo ra hình dáng theo 
mặt nạ chắn sáng
1. Phủ các lớp vật liệu cần tạo lên 
trên 
2. Loại bỏ lớp cản quang dư bằng 
cách hòa tan trong dung môi hữu 
cơ => chỉ còn phần vật liệu có 
hình dạng như đã tạo 
 Qui trình kỹ thuật “lift­off”
1. Xử lý bề mặt của đế 
1. Phủ chất cản quang dương lên đế
2. Chiếu chùm điện tử hội tụ trên đế để 
làm thay đổi tính chất lớp cản quang 
theo hình của chi tiết cần tạo. 

1. Phần bị chiếu chùm điện tử sẽ bị thay 
đổi tính chất =>  bị hòa tan trong dung 
dịch tráng rửa. Tráng rửa loại bỏ vùng 
cản quang đã bị chiếu
1. Phủ các lớp vật liệu cần tạo lên trên 
2. Loại bỏ lớp cản quang dư bằng cách 
hòa tan trong dung môi hữu cơ => chỉ 
còn phần vật liệu có hình dạng như đã 
tạo 
 Qui trình kỹ thuật ăn mòn
1. Xử lý bề mặt của đế 
2. Phủ vật liệu cần tạo lên đế
1. Phủ tiếp lớp cản quang âm lên đế
2. Chiếu chùm điện tử hội tụ trên đế để làm 
thay đổi tính chất lớp cản quang theo hình 
của chi tiết cần tạo. 

1. Phần bị chiếu chùm điện tử sẽ bị thay đổi 
tính chất =>  không bị hòa tan trong dung 
dịch tráng rửa => bảo vệ phần vật liệu bên 
dưới. 

2. Tráng rửa loại bỏ vùng cản quang không đã 
bị chiếu

3. Đưa vào buồng ăn mòn, phần vật liệu không 
có cản quang sẽ bị ăn mòn. Phần được bảo 
vệ được giữ lại có hình dạng của cản quang. 
1. Loại bỏ lớp cản quang dư bằng cách hòa tan 
trong dung môi hữu cơ => chỉ còn phần vật 
liệu có hình dạng như đã tạo 
 Qui trình ăn mòn
• Ăn mòn khô (dry etching):  • Ăn mòn ướt (wet etching): 
– Sử dụng các plasma hoặc hỗn  – dùng các dung dịch hóa chất 
hợp khí có tính phá hủy mạnh  để hòa tan vật liệu...
(CH4/O2/H2, F2...) – Ăn mòn theo tất cả các  hướng
– Ưu điểm: Ăn mòn có định 
hướng
 Kỹ thuật quang khắc (photolithography )
• Ưu điểm:
– Chế tạo kích thước micro
– Rẻ tiền, nhanh
– Sử dụng phổ biến trong công nghiệp
– Kích thước nhỏ nhất là 50 nm
• Hạn chế:
– Ánh sáng bị nhiễu xạ nên không thể hội tụ chùm sáng 
xuống kích cỡ quá nhỏ
– Không thể chế tạo các chi tiết có kích thước nano
– Để chế tạo các chi tiết nhỏ < 50 nm sử dụng kỹ thuật quang 
khắc chùm điện tử (electron beam lithography). 
khắc chùm điện tử
 Kỹ thuật khắc hình bằng chùm điện tử (EBeam)
• Ứng dụng:
– Chế tạo vật liệu
– Linh kiện (NEMS) kích thước nhỏ (nanô)
– Vi mạch điện tử với hình dạng xác định
•  Nguyên lý hoạt động:
– Sử dụng chùm điện tử năng lượng cao hội tụ làm 
biến đổi các chất cảm quang phủ trên bề mặt để tạo 
ra hình ảnh cần tạo 
Thiết bị quang khắc chùm điện tử
 Cấu tạo hệ quang khắc chùm điện tử
1. Nguồn phát chùm điện tử có 
năng lượng cao 
2. Thấu kính từ để khuyếch 
đại khuếch đại và thu hẹp 
chùm điện tử 
3. Cuộn dây điều khiển để 
quét điện tử chính xác theo 
chi tiết cần tạo 
4. Sau khi được điều khiển, 
chùm điện tử được chiếu 
trực tiếp lên bề mặt mẫu cần 
tạo mà không cần mặt nạ 
tạo hình 
5. Hai phương pháp:
• Kỹ thuật "loại bỏ“
(lift­off)
• Kỹ thuật ăn mòn (etching) 
 Kỹ thuật quang khắc chùm điện tử 
• Ưu điểm:
– Chế tạo kích thước nanô
– Chậm, đắt tiền
– Có thể tạo các chi tiết có độ phân giải cao và kích thước 
nhỏ hơn rất nhiều so với quang khắc (vài nanô)
– Dễ dàng tạo các chi tiết phức tạp. 
– Không cần mặt nạ 
• Hạn chế:
– Phương pháp EBL chậm hơn nhiều so với quang khắc
– Đắt tiền