Hanoi University of science and technology

International training institute for materials science

Thực tập công nghệ vi điện tử

Giảng viên:
PGS. Nguyễn Văn Duy
TS. Nguyễn Văn Toán
Nội dung

Bài 1. Làm sạch bề mặt phiến

Bài 2. Quang khắc
Bài 3. Phún xạ tạo màng

Báo cáo thực tập

Trang bìa:
- Tên bài
- Sinh viên
- Giảng viên
- Ngày tháng

Nội dung báo cáo:

- Giới thiệu về bài thực tập
- Quy trình thực nghiệm
- Kết quả và thảo luận

2
 BÀI 1
XỬ LÝ BỀ MẶT VÀ ĂN MÒN HOÁ HỌC.

I. CƠ SỞ LÝ THUYẾT.
I.1. Mục đích của quá trình xử lý hoá học.

- Làm sạch bề mặt bán dẫn (sau khi gia công cơ học hay sau các công đoạn
công nghệ chế tạo linh kiện)
- Tẩy bỏ các lớp hư hỏng sau gia công cơ học
- Ăn mòn để tạo các cấu trúc mong muốn.

Phiến silic và các định hướng mặt tinh thể thường gặp

I.2. Cơ chế của quá trình xử lý bề mặt.

Xử lý mẫu bằng phương pháp hoá học chủ yếu dựa trên cơ chế của phản ứng
ôxy hoá - khử. Yếu tố quyết định ảnh hưởng đến các giai đoạn của phản ứng là tốc
độ của phản ứng nào xảy ra chậm hơn và nó sẽ xác định tốc độ của quá trình xử lý
mẫu. Có thể mô tả hai giai đoạn chính của quá trình như sau:
- Sự chuyển rời của các chất tham gia phản ứng tới vùng tiếp xúc Si - dung
dịch
- Phản ứng hoá học.

I.3. Xử lý bề mặt phiến Si

Việc xử lý bề mặt phiến Si phải được thực hiện trước các công đoạn công nghệ
như ôxy hoá, khuếch tán hay epitaxy... Bề mặt phiến Si có thể bị bẩn vì hai nguyên
nhân chính sau:
- Bề mặt bị bẩn vật lý: bụi, dầu, mỡ...
- Bề mặt bị bẩn hoá học: do kết quả của các phản ứng hoá học giữa bề mặt
phiến Si với môi trường dẫn tới các oxide, các sulphide, các carbonat, các ion kim
loại nặng... đọng lại trên bề mặt.

3
 Như vậy, trên bề mặt phiến Si tồn tại nhiều loại tạp bẩn. Vì thế việc xử lý bề
mặt sẽ bao gồm các quá trình tẩy sạch lần lượt các chất bẩn trên.

II THỰC NGHIỆM
II.1. Chuẩn bị các hóa chất cho quy trình thực nghiệm
II.2. Qui trình xử lý bề mặt tiêu chuẩn (Standard Cleaning - SC): Phiến đã có
lớp SiO2

- Acetone 5 min
- Ethanol 3 min
- Nước khử ion 2 min
- Quay khô ly tâm 1 min
- Sấy khô 125oC 5 min

III. BÁO CÁO

III.1. Khảo sát lý thuyết

- Tìm hiểu các quy trình tiêu chuẩn xử lý tiêu chuẩn trên thế giới.
- So sánh với phương pháp thực nghiệm tại phòng thí nghiệm.

III.2. Câu hỏi kiểm tra:

Để xử lý bề mặt phiến Si, ngoài qui trình SC ở trên người ta còn sử dụng
những phương pháp nào khác? Hãy so sánh các phương pháp đó.
Làm thế nào để pha 450 ml dung dịch HF 1%, từ dung dịch HF 48%.
Giải thích mục đích của các bước xử lý hóa đã làm.

4
 Bµi 2. quang kh¾c

I. Lý thuyÕt:
Qu¸ tr×nh quang kh¾c lµ tËp hîp c¸c qu¸ tr×nh ho¸ - quang phôc vô cho môc ®Ých tạo ra
c¸c kÝch th−íc vµ h×nh d¹ng cÇn thiÕt cña c¸c phÇn tö trong m¹ch tÝch hîp hay linh kiÖn.

I.1. B¶n chÊt cña qu¸ tr×nh quang kh¾c.

Trªn bÒ mÆt vËt liÖu ®−îc phñ mét líp cã cÊu t¹o nhạy s¸ng ®Æc biÖt gäi lµ chÊt c¶m
quang (photoresist).

Líp c¶m quang

C¶m quang ©m
C¶m quang d−¬ng

C¸c chÊt c¶m quang ph¶i b¶o ®¶m hai tÝnh chÊt:

- Nhạy quang
- BÒn v÷ng trong c¸c dung m«i axÝt hoÆc kiÒm.

ChÊt c¶m quang cã nhiÖm vô lµ líp b¶o vÖ cã h×nh d¹ng cÇn thiÕt cho bÒ mÆt khái bÞ t¸c
dông cña c¸c dung m«i ho¸ häc. Ng−êi ta ph©n lo¹i c¶m quang thµnh c¶m quang d−¬ng
vµ c¶m quang ©m dùa vµo c¬ chÕ ph¶n øng xảy ra trong c¶m quang khi bÞ chiÕu s¸ng vµ
sù thay ®æi tÝnh chÊt trong qu¸ tr×nh chiÕu s¸ng. C¸c c¶m quang ©m khi bÞ chiÕu s¸ng trë
nªn kh«ng bÞ hoµ tan trong c¸c dung m«i t−¬ng øng. Cßn c¸c c¶m quang d−¬ng th× ng−îc
l¹i, khi bÞ chiÕu s¸ng sÏ hoµ tan trong c¸c dung m«i.

5
II.2. Quy tr×nh c«ng nghÖ quang kh¾c:

Mét quy tr×nh quang kh¾c ®iÓn h×nh ®−îc biÓu diÔn trªn s¬ ®å d−íi ®©y:

Xö lý ®Õ
(SC) SiO2
Si
Phñ líp
primer
CQ
Phñ c¶m SiO2
quang Si

SÊy lÇn 1
T=95oC, 90 giây
MASK

So khu«n vµ
chiÕu s¸ng Si

HiÖn h×nh

Si
SÊy lÇn 2
125oC, 5 phút

Lắng đọng màng Tẩy cảm quang

(hoặc ăn mòn)
Si

II.3. Thùc nghiÖm:

PhiÕn SiO2/Si
Quang kh¾c: (MASK1)
.Phñ primer
. quay ly t©m 3000 rpm, 20s
.Phñ c¶m quang (d−¬ng)
quay ly t©m 3000 rpm, 20s
.SÊy lÇn 1 : 95°C, 5 min
.§Æt MASK1
.ChiÕu s¸ng : UV, 40 s
.HiÖn TetraMethyl Ammomium Hydroxide (2%): H2O (1:1) 45-60 s
.H2O siªu tinh khiÕt 3 min

.KiÓm tra trªn kÝnh hiÓn vi

.NÕu tèt, lµm tiÕp
.NÕu háng, tÈy s¹ch Photoresist b»ng acetone, lµm l¹i.

.Sấy lần 2 : 125oC 5 min (cho quy trình lift-off, 15 phút cho quy trình ăn mòn SiO2)
6
 .TÈm thùc : HF/NH4F 1:6
.Quan s¸t ®Õn lóc kh«ng cßn dÝnh −ít trªn mÉu thö
.KiÓm tra trªn kÝnh hiÓn vi.
.NÕu tèt, lµm tiÕp
.NÕu háng, tiÕp tôc ¨n mßn.

C©u hái :
1) Cã nhÊt thiÕt ph¶i sö dông líp primer tr−íc khi phñ líp c¶m quang hay kh«ng ?
2) H· y liÖt kª c¸c nguyªn nh©n cã thÓ lµm cho qu¸ tr×nh quang kh¾c kh«ng thµnh
c«ng

7
 Bµi 3. T¹o mµng máng kim lo¹i b»ng ph−¬ng ph¸p phón x¹

I. Ph−¬ng ph¸p phón x¹ t¹o mµng

I.1. Kh¸i niÖm vµ ph©n lo¹i

a) Kh¸i niÖm
Phún xạ (Sputtering) hay Phún xạ catốt (Cathode Sputtering) là kỹ thuật chế tạo màng
mỏng dựa trên nguyên lý truyền động năng bằng cách dùng các iôn khí hiếm được tăng tốc
dưới điện trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật liệu, truyền động năng cho các nguyên
tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế.

b) Ph©n lo¹i
• Phún xạ phóng điện phát sáng một chiều (DC discharge sputtering)
Là kỹ thuật phún xạ sử dụng hiệu điện thế một chiều để gia tốc cho các ion khí hiếm. Bia
vật liệu được đặt trên điện cực âm (cathode) trong chuông chân không được hút chân
không cao, sau đó nạp đầy bởi khí hiếm (thường là Argon) với áp suất thấp (cỡ 10-2 mbar).
Người ta sử dụng một hiệu điện thế một chiều cao thế đặt giữa bia (điện cực âm) và đế
mẫu (điện cực dương). Quá trình này là quá trình phóng điện có kèm theo phát sáng (sự
phát quang do ion hóa). Vì dòng điện là dòng điện một chiều nên các điện cực phải dẫn
điện để duy trì dòng điện, do đó kỹ thuật này thường chỉ dùng cho các bia dẫn điện (bia
kim loại, hợp kim...).
• Phún xạ phóng điện phát sáng xoay chiều (RF discharge sputtering)
Là kỹ thuật sử dụng hiệu điện thế xoay chiều để gia tốc cho ion khí hiếm. Nó vẫn
có cấu tạo chung của các hệ phún xạ, tuy nhiên máy phát là một máy phát cao tần
sử dụng dòng điện tần số sóng vô tuyến (thường là 13,56 MHz). Vì dòng điện là
xoay chiều, nên nó có thể sử dụng cho các bia vật liệu không dẫn điện. Máy phát
cao tần sẽ tạo ra các hiệu điện thế xoay chiều dạng xung vuông. Vì hệ sử dụng dòng
điện xoay chiều nên phải đi qua một bộ phối hợp trở kháng và hệ tụ điện có tác

8
 dụng tăng công suất phóng điện và bảo vệ máy phát. Quá trình phún xạ có hơi khác
so với phún xạ một chiều ở chỗ bia vừa bị bắn phá bởi các iôn có năng lượng cao ở
nửa chu kỳ âm của hiệu điện thế và bị bắn phá bởi các electron ở nửa chu kỳ
dương.
• Phún xạ magnetron
Là kỹ thuật phún xạ (sử dụng cả với xoay chiều và một chiều) cải tiến từ các hệ phún xạ
thông dụng bằng cách đặt bên dưới bia các nam châm. Từ trường của nam châm có tác
dụng bẫy các điện tử vào trong vùng gần bia nhờ đó làm tăng hiệu ứng iôn hóa do làm tăng
tần số va chạm giữa các điện tử với các nguyên tử khí ở gần bề mặt bia do đó làm tăng tốc
độ lắng đọng đồng thời giảm sự bắn phá của điện tử và iôn trên bề mặt màng, giảm nhiệt
độ đế và có thể tạo ra sự phóng điện ở áp suất thấp hơn. Áp suất phóng điện càng thấp thì
càng giảm được nồng độ các tạp chất trong màng và tăng động năng của các nguyên tử đến
lắng đọng trên màng (do quảng đường tự do trung bình (mean free path) của các nguyên tử
khí càng tăng, và do đó tấn số va chạm với các nguyên tử lắng động càng giảm, khi áp suất
càng thấp).

I.2. Nguyên lý hoạt động

Hình 6 : Nguyên lý hoạt động chung

Dòng khí (thường là argon hoặc argon+O2, argon+N2) được bơm vào buồng chân không
tạo plasma hình thành các ion Ar+. Các ion này hướng về target (kim loại cần tạo mạng
mỏng) đ ược áp thế âm. Các ion này di chuyển với vận tốc cao, bắn phá target v à đánh bật
các nguyên tử của target ra khỏi target. Các nguyên tử này "bốc hơi" và đi đến substrate
(thuỷ tinh hay silicon wafer), tích tụ trên substrate và hình thành màng mỏng khi số lượng
nguyên tử đủ lớn. Trong quá trình bắn phá của ion Ar+ vào target, ngoài quá trình đánh bật
các nguyên tử của target, còn có các quá trình khác xảy ra như hình thành các electron thứ
cấp, hấp phụ, hình thành hợp chất...
Trong quá trình sputtering, ta có thể lợi dụng các ion thứ cấp hình thành để tăng tốc độ tạo
màng hoặc giảm thế áp vào target hoặc giảm áp suất dòng Ar. Kỹ thuật này gọi là
magnetron sputtering. Trong kỹ thuật này ta áp 1 từ trường vào target. Từ trường này sẽ
giữ các electron thứ cấp dao động trên các đường sức từ quanh target. Các electron dao
động gần bề mặt target sẽ góp phần ion hoá nhiều nguyên tử Argon hơn. Chính điều này
làm tăng tốc độ quá trình tạo màng mỏng.

Quá trình hình thành màng mỏng : các nguyên tử tập hợp lại thành từng cụm trên substrate.
khi các cụm đủ lớn sẽ liên kết lại hình thành màng (gồm một số lớp nguyên tử). Từ các lớp
ban đầu này màng sẽ tiếp tục phát triển, nhưng ko phải phát triển đồng đều cho cả bề mặt,

9
mà phát triển theo các hướng có năng lượng tự do thấp nhất. Có thể hình thành các cột hay
các cụm và cứ thế phát triển, hình thái và tính chất của màng sẽ khác nhau.
Hình thái (morphology) của màng mỏng: tuỳ theo nhiệt độ của substrate, năng lượng của
ion Ar (hay áp suất), màng mỏng hình thành có các hình thái khác nhau. Ví dụ: Nếu ta thay
đổi dòng khí Argon bằng hỗn hợp Argon + O2 hoặc Argon + N2 th ì ta thu được màng
oxid hoặc nitrid tương ứng.

a) Hệ số phún xạ:

S = nα/ni , Trong đó :
s : hệ số phún xạ
nα : số nguyên tử bị phún xạ
ni : số ion đập vào bề mặt cathode

Hệ số phún xạ s phụ thuộc vào :

- Bản chất của vật liệu phún xạ
- Loại ion và năng lượng của ion bắn phá lên bia
- Góc đập của ion lên bề mặt cathode
- Phụ thuộc vào áp suất khí làm việc

b) Sự phụ thuộc vào góc tới của sự phún xạ

Hình 8 : Hệ số phún xạ đạt giá trị cao nhất ở vào khoảng góc tới
có giá trị 720

II. Thùc nghiÖm

- Vận hành hệ chân không máy phún xạ: bơm cơ học -> bơm turbo phân tử.
- Tiến hành phún xạ vật liệu khi áp suất buồng đạt 1x10-6 mbar
- Phún xạ tạo màng vật liệu với lưu lượng khí Ar 30 sccm, áp suất 1x10-2 mbar

C©u hái :
1) Nêu các yếu tố ảnh hưởng đến tốc độ phún xạ ?
2) Khi nào sử dụng nguồn DC, khi nào sử dụng nguồn RF trong phún xạ?tại sao?

10