ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA KỸ THUẬT HÓA HỌC

HÓA HỌC BỀ MẶT TIẾP XÚC VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP

PHÂN TÍCH BỀ MẶT (CH5369)

PHƯƠNG PHÁP PHỔ KHUẾCH TÁN

TÁN XẠ TỔ HỢP RAMAN
GVHD: PGS.TS. Trầ n Thụy Tuyế t Mai
SVTH: Nguyễ n Quố c Việt - MSSV: 2115281
Trịnh Gia Minh - MSSV: 2153586
NỘI DUNG

A PHÂN TÍCH LÝ THUYẾ T

B CÁC BÀI BÁO NGHIÊN CỨU KHOA HỌC

 A. PHÂN TÍCH LÝ THUYẾT

I. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

1. HIỆU ỨNG RAMAN

Hiện tượng tán xạ tổ hợp

xuấ t hiện khi một chùm tia
sáng biế n đổi tầ n số sau khi
tán xạ bởi các phân tử của
môi trường vật chấ t.
1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
VỚI 3 LOẠI TẦN SỐ SAU: Tán xạ Rayleigh: E0 => trạng thái ảo
=> Eo + tia tán xạ với cùng 1 tần số và
năng lượng như photon tia tới

Tán xạ Stokes: Eo => trạng thái ảo =>

E1 (cao hơn E0) + tia tán xạ có tần số
nhỏ hơn Vo - V (bước sóng dài hơn)

Tán xạ Anti-Stokes: E1 => trạng thái

không bền cao hơn => Eo + tia tán xạ
sẽ có tần số cao hơn Vo + V (bước
sóng ngắn hơn)
1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

Trong phổ Raman thông thường, vạch Vo

sẽ chọn sao cho năng lượng thấp hơn rất
nhiều so với trạng thái kích thích

Chỉ có khoảng 10(-7 )ánh sáng tới được tán xạ

Stokes hoặc anti-Stokes. => Cường độ rất yếu
và cần sử dụng phương pháp đặc biệt để
tách khỏi tán xạ Rayleigh

Vạch Stokes sẽ có cường độ mạnh hơn vạch

anti-Stokes trong phổ tán xạ dao động
ĐỌC PHỔ RAMAN

Vùng vân tay, 400 – 1800 cm-1, tiết lộ phần lớn liên kết giữa các
nguyên tử.
Bên ngoài vùng vân tay, chuỗi carbon đơn giản và liên kết hydro đóng
góp rất ít vào việc nhận dạng vật liệu
Các ứng dụng như cấu trúc tinh thể trong khoáng chất, đá quý, cơ kim và
chất bán dẫn yêu cầu thông tin dưới 400 cm-1
 2. CẤU TẠO THIẾT BỊ ĐO

BAO GỒM 4 THÀNH PHẦN CHÍNH

1. Nguồn laser phát ra ánh sáng

đơn sắc
 2. CẤU TẠO THIẾT BỊ ĐO

BAO GỒM 4 THÀNH PHẦN CHÍNH

1. Nguồn laser phát ra ánh sáng

đơn sắc
2. Buồng đặt mẫu và kính hiến vi
điện tử quang học thông dụng
3. Bộ lọc bước sóng
4. Hệ thu nhận tín hiệu dạng chuỗi điot quang (PDA), cảm biến điện tích kép
(CCD) hoặc ống nhân quang điện từ (PMT)
3. SO SÁNH GIỮA PHƯƠNG PHÁP RAMAN VÀ IR

NGUYÊN TẮC CHỌN LỌC

PHỔ IR MOMEN LƯỠNG CỰC THAY ĐỔI

PHỔ RAMAN ĐỘ PHÂN CỰC THAY ĐỔI

Ở những phân tử đối xứng, những dao động xảy ra đối xứng
qua trục trung tâm sẽ không cho phổ hồng ngoại, cho phổ
Raman; ngược lại, những dao động không đối xứng qua tâm
sẽ cho phổ hồng ngoại, không cho phổ Raman.
VÍ DỤ: DAO ĐỘNG PHÂN TỬ CS2

Non-IR activity,
Raman activity

IR activity,
Raman inactivity

IR activity,
Raman inactivity
3. SO SÁNH GIỮA PHƯƠNG PHÁP RAMAN VÀ IR
4. ỨNG DỤNG

Nghiên cứu những liên kết không phân cực như C=C, C-C, O-O,
S-S,.. và các hệ vòng

Cho thông tin cấu trúc tinh thể (dạng tinh thể, đối xứng, sai hỏng,
quá trình chuyển pha), thông tin cấu trúc phân tử

Ngoài ra, phổ Raman còn cho phép phân tích ở cấp độ μm bề mặt
mẫu nhờ tính hội tụ cao trên điểm rất nhỏ; có thể ghi phổ trong
nước vì nước là dung môi cho rất ít vạch

Ứng dụng: nghiên cứu các hợp chất hữu cơ, vô cơ, nghiên cứu hóa
sinh, hóa lý, môi trường,..
5. VÍ DỤ TRONG PHÂN TÍCH MÀNG GRAPHEN

Dựa vào tỉ lệ I(2D)/I(G), ta có thể

kết luận về số lớp graphene

i) Nếu I(2D)/I(G) > 2: màng

graphene là đơn lớp

ii) Nếu 2 > I(2D)/I(G) > 1: màng

graphene có 2 hoặc 3 lớp

iii) Nếu I(2D)/I(G) < 1: màng

graphene là đa lớp
5. VÍ DỤ
Ở nhiệt độ 950oC, tỷ lệ I(2D)/I(G) = 0,84
=> màng đa lớp.

Tỉ lệ I(D)/I(G)( tỉ lệ nguyên tử C có lai hóa

sp3 trên số C sp2 => Đánh giá sai hỏng
cấu trúc của màng graphene, tỷ số này
càng lớn thì sai hỏng cấu trúc càng nhiều

Tại 1000oC , chất lượng của lớp màng

tốt hơn đáng kể, tỉ lệ I(D)/I(G) khoảng
0,2; giảm mạnh so với giá trị ở 950oC
B. BÀI BÁO NGHIÊN CỨU KHOA HỌC

I. STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF GRAPHITE

NANOPLATELETS SYNTHESIZED FROM GRAPHITE
FLAKES
1. SYNTHESIS

Ultrasonification
Immersed in 40kHz Filtering
isopropyl r.t. and
alcohol 70% 5hrs drying
Graphite
Graphite
nano-
flake
platelets
 2. RAMAN
SPECTROSCOPY 150µm slit

50× objective

632.817 nm excitation

Peltier-cooled charge-
coupled device detector
at –40 °C
Labram 1B dispersive Raman 60 s collection time and
spectrometer 10 s for silicon
3. RESULTS AND
DISCUSSION

Weak D peak at 1331

cm-1
Strong G peak at 1577
cm-1
Broad 2D peak at 2686
cm-1
3. RESULTS AND
DISCUSSION

Weak D peak indicates small amounts of defects

Strong G peak indicates a lot of sp2 Carbon site
=> high sample quality
Broad multi 2D peak
G peak shifts left
=> multi-layer graphite
 II. LARGE-SCALE SYNTHESIS OF SINGLE-WALL
CARBON NANOTUBES BY CATALYTIC CHEMICAL
VAPOR DEPOSITION (CCVD) METHOD
 1g 2.5%wt Co/MgO
1. SYNTHESIS in a quartz boat

1/ Sonication for
15min in conc HCl
Methane/ Carbolite
Hydrogen horizontal
SWNT
75/300 fixed-bed
ml/min reactor
2/ Filter with HPLC,
porosity 0.2 micrometer
3/ Wash to pH 6-7
4/ Dry at 130oC
 2. RAMAN
SPECTROSCOPY

room temperature

676.4 nm excitation

Ambient pressure

Raman spectrometer Jobin Yvon

T64000
3. RESULTS AND
DISCUSSION

Weak D peak at 1337

cm-1
Strong G peak at 1540
and 1581 cm-1
RBM at 172 and 190
cm-1
3. RESULTS AND
DISCUSSION

Weak D peak at 1337

cm-1
Strong G peak at 1540
and 1581 cm-1
RBM at 172 and 190
cm-1
3. RESULTS AND
DISCUSSION

There are two G peaks: G+ and G-

RBM at 100 - 300 cm-1
=> carbon nanotubes
Weak D peak
Strong G peak, no distinct peak of G-
=> high sample quality, mostly single-walled carbon
nanotubes
 CONCLUSION

Raman spectrometer can be used to preliminarily estimate

the quality of carbon-based materials. Moreover, with the
help of other analytical methods, Raman spectrometer can
help to calculate the diameter of CNT and the
concentration of defect.
 REFERENCE

1/ H. M. Albetran, "Structural characterization of graphite

nanoplatelets synthesized from graphite flakes," 2020.
2/ J. F. Colomer et al., "Large-scale synthesis of single-wall
carbon nanotubes by catalytic chemical vapor deposition
(CCVD) method," Chemical Physics Letters, vol. 317, no. 1,
pp. 83-89, 2000/01/28/ 2000, doi:
https://doi.org/10.1016/S0009-2614(99)01338-X.
Thank
you