Bài tập nộp

Bảng linh kiện

st Tên linh Kí hiệu Hình ảnh Cấu tạo ,nguyên lí Đặc tính V-A Mở - Ưu Ứng
t kiện linh kiện hoạt động,Thông số Khóa nhược dụng
cơ bản điểm
1 Diode Cấu tạo: Điều +Ưu Diode
+Điôt được cấu tạo kiện điểm: được
bởi một lớp tiếp giáp mở: -là chịu dùng
p-n UAK>0 được để
Khóa : mật độ chỉnh
+Nguyên lí hoạt UAK<0 dòng lưu
động: điện dòng
Để diode làm việc + Phân cực thuận : cao,tổn xoay
chúng ta thực hiện điện áp tăng dần từ hao nhỏ. chiều
phân cực thuận cho 0 đến khi vượt qua +Nhược thành
diode bằng ngưỡng điện áp có điểm : dòng
cách cấp nguồn VAK dòng chạy qua diode một
.>Et,xúc.Khi bị phân diode.+ Phân cực chỉ cho chiều.
cực ngược VAK < ngược : điện áp VAK dòng
0,thì diode sẽ không tăng dần từ 0 đến chạy từ
làm việc. giá trị nhỏ hơn A=>K
+Thông số cơ bản : (điện áp ngược lớn ngược
-Điện áp ngược lớn nhất) thì diode có lại dòng
nhất cho phép dòng rò rất nhỏ. không
[UDngmax], là giá trị Nếu đạt đến giá trị dẫn.
điện áp ngược lớn diode bị đánh -Tốc độ
nhất có thể xuất hiện thủng. chuyển
trên đi ốt mà không mạch
làm hỏng đi ôt, giá chậm
trị này thường cỡ từ ,tần số
40% đến 60% Uct. làm việc
-Dòng điện thuận thấp.
định mức của đi ốt,
là giá trị trung bình
hoặc hiệu dụng lớn
nhất dho phép của
dòng qua điốt mà đi
ốt vẫn đảm bảo hoạt
động bình thường.
Sụt điện áp thuận
trên đi ốt (Ud), là
giá trị điện áp thuậ
trên đi ốt khi đi ốt
làm việc ở trạng thái
mở (dẫn dòng ) với
 dòng điện bằng giá
trị định mức.

2 Thyristor +Cấu tạo: từ bốn lớp - Khi - ưu Sử

bán dẫn p-n-p-n, tạo cực G điểm :C dụng
ra ba tiếp giáp p-n: có tín ó thể xử rộng
J1, J2, J3. Thyristor hiệu lý điện rãi
có nhiều loại khác UAK áp, dòng trong
nhau nhưng về cơ lớn điện và bộ
bản đều có ba điện hơn 0 công biến
cực là A nốt (A), Ka thyriss suất lớn. đổi
tốt (K), cực điều tor Rất dễ xoay
khiển (G - Gate), loại mở bật. chiều
thyristor thông dụng - khóa Mạch thành
nhất (loại điều khiển +Khi dòng điều : giảm kích 1
theo Ka tốt) khiển =0: Khi cho : dòng hoạt cho chiều,
+Nguyên lí hoạt phân cực ngược; làm bộ chỉnh xoay
động: phân cực thuận. việc về lưu được chiều
+Thông số cơ bản: Lúc này chỉ có dòng 0( điều thành
+ Giá trị dòng trung rò. Khi thyristor bị phân khiển xoay
bình cho phép chảy đánh thủng dòng cực bằng chiều..
qua thyristor, (A) điện tăng lên rất ngược) silicon ...-
+ Điện áp ngược cho lớn.+ Khi cho : bằng (SCR) được
phép lớn nhất (V) phân cực thuận; cách rất đơn ứng
+ Thời gian phục hồi phân cực ngược. đạt giản. dụng
tính chất khóa của Lúc đầu chỉ códòng điện áp Rất đơn trong
thyristor rò. Khi thyristor ngược giản để điều
+ Tốc độ tăng dòng dẫn dòng như kiểm chỉnh
cho phép diode. +Khi dòng soát. ánh
+ Tốc độ tăng điện điều khiển > 0: Quá Chi phí sáng,
áp cho phé trình chuyển điểm thấp. điều
làm việc trên đường Nó có khiển
đặc tính thuận sẽ thể điều công
xảy ra sớm hơn khiển suất
nguồn điện
xoay và điề
chiều u
- nhược khiển
điểm :Tr tốc độ
ong của
mạch động
xoay
 chiều, nó cơ
cần phải điện
được bật -
trên mỗi thyrist
chu kỳ. or
Không được s
thể sử ử
dụng ở dụng
tần số làm
cao. công
Dòng tắc
điện ở
cổng
(gate)
không
thể âm.

3 Triac Cấu tạo:Triac gồm +Điều Nhược

có 5 lớp bán dẫn tạo kiện điểm: +Ứng
nên cấu trúc P-N-P- mở: điều dụng
N nhưở thyristor IG>0 chỉnh trong
theo cả 2 chiều giữa +Điều điện áp bboj
các cực T1 và T2. vì kiện xoay biến
thế, nó có thể dẫn đóng : chiều đổi
dòng điện theo cả 2 TRIA hoặc các xoay
chiều giữa T1 và T2. Xung dương (dòng C chỉ công- chiều
Nguyên lý :Để đi vào cực điều bị tắc-tơ thành
mởđược Triac phải khiển) khoá tĩnh ở xoay
có một dòng điều Xung âm (dòng đi khi dải công chiều.
khiển âm lớn hơn ra khỏi cực điều I G= 0 suất vừa Triac
dòng điều khiển khiển). và điện và nhỏ. được
dương. Song nhìn chung áp đặt Ưu sử
Trong thực tế, muốn xung dòng điều nhỏ điểm: dụng
đảm bảo tính đối khiển âm có độ hơn áp có mật nhiều
xứng của dòng điện nhạy kém hơn. ngưỡn độ dòng trong
qua Triac, thì nên sử Điều đó đồng g. điện đèn
dụng dòng điện nghĩa với việc cần cao,tổn bàn
dương sẽ tốt hơn. một dòng điều hao học,
Dễ hiểu hơn là, trĩa khiển âm lớn hơn thấp. dễ
như một công tắc dòng điều khiển dàng
điện chuyên dùng để dương để mở điều
điều khiển thiết bị TRIAC chỉnh
điện xoay chiều. Các Do đó trong thực tế được
chân của nó cũng người ta dòng điện độ
gần tương đương với dương để đảm bảo sáng
thành phần của công tính đối xứng của bóng
tắc điện tử. dòng điện qua đèn.
Thông số cơ bản: TRIAC Sử
dụng
 Giá trị dòng trung trong
bình cho phép chảy các bộ
qua triac, (A) phận
+ Thời gian phục hồi điều
tính chất khóa của khiển
triac quạt
+ Tốc độ tăng dòng trần,
cho phép Điều
+ Tốc độ tăng điện khiển
áp cho phép nhiệt
độ của
lò
nước
công
nghiệ
p, tủ
hấp,
tủ
sấy…

4 GTO +cấu tạo: +Điều Ưu điểm Một

GTO (Gate turn-off kiện :có thể số ứng
thyristor) là một mở:- cho dụng
phần tử bán dẫn có 4 Mở phép cho
lớp bán dẫn PNPN GTO đóng cắt GTO
như SCR. bằng các dòng bao
Thyristor gồm bốn cách điện rất gồm
lớp bán dẫn P-N Đặc tính V-A của đưa lớn,chịu máy
ghép xen kẽ và được GTO tương tự đặc xung được phát
nối ra ba chân: tính của SCR. Ở dương điện áp xung,
A : anode : cực trạng vào cao bộ đa
dương thái đóng GTO cực giống hài,
K : Cathode : cực âm được đặc trưng bởi cổng . như bộ
G : Gate : cực khiển các thông số thyristor điều
(cực cổng) - Điện áp ngưỡng U +Điều Nhược chỉnh
+Nguyên lí hoạt - Điện trở thuận. kiện điểm: điện
động: đóng : được áp và
Khi dẫn đặc tính của - Tắt điều bộ
GTO tương tự GTO khiển đếm.
thyristor, dòng các lỗ bằng bởi các
hổng phân cực thuận cách tín hiệu
từ gate kết nối lớp đưa điện
liên kết p – xung công
cathode, làm phát xạ âm vào suất nhỏ
điện tử từ cathode. cực
Các điện tử này chạy cổng .
đến anode và tạo ra
lỗ hổng bởi phát xạ
anode. Sự
 dịch chuyển của các
lỗ hổng và điện tử
vào vùng base cho
đến khi hiệu ứng
khuếch tán làm cho
GTO dẫn.
+Thông số cơ bản:
GTO có khả năng
điều khiển ngắt bằng
dòng cổng Gate giá
trị âm. Vì vậy, GTO
thích hợp
cho một số ứng dụng
khi yêu cầu điều
khiển cả hai quá
trình đóng và ngắt
khoá bán dẫn.
- Định mức GTO :
dòng vài kA , áp vài
kA :
- Dùng cho mạch
công suất rất lớn.
5 BJT Cấu tạo:transistor +Điều +Ưu +Ứng
được tạo thành từ kiện điểm: dụng
hai chất bán mở: BJT có trong
dẫn điện. Khi ghép VCE>0, hệ số bộ
một bán dẫn điện âm IB > khuếch biến
nằm giữa hai bán IBmin đại dòng đổi
dẫn điện dương ta - điện một
được một PNP +Điều tương chiều
Transistor. Khi ghép kiện đối thấp, thành
một bán dẫn điện đóng : dẫn đến một
dương nằm giữa hai Đặc tính V-A của IB<=0 dòng chiều.
bán dẫn điện âm ta BJT được phân làm điều Bộ
được một NPN 3 vùng khiển biến
Transistor. -Vùng tích cực hay yêu cầu đổi
+Nguyên lí hoạt vùng tuyến tính: là lớn. một
động: vùng mà transistor +Nhược chiều
Khi có điện VCE hoạt động ở chế độ điểm: thành
nhưng các điện tử và khuếch hệ số xoay
lỗ trống không thể đại tín hiệu, tương khuếch chiều
vượt qua mối tiếp ứng với các giá trị đại dòng
giáp P-N để tạo thành làm việc VCE > điện của
dòng điện, khi xuất VCESAT và dòng BJT
hiện dòng IBE do lớp IC>ICO. công
bán dẫn P tại cực rất -Vùng bão hòa: suất
mỏng và nồng độ pha Dòng điện Base IB tương
tạp thấp, vì vậy số khá lớn với điện áp đối thấp
điện tử tự do từ lớp
 bán dẫn nhỏ trong số VCE nhỏ mà BJT
các điện tử đó thế vào hoạt
lỗ trống tạo thành động như một khóa
dòng IB. Còn lại phần đóng. Cả hai lớp
lớn số điện tử bị hút về tiếp xúc đều phân
phía cực C dưới tác cực thuận Collector
dụng của điện áp UCE – Base (C-B) v Base
tạo thành dòng ICE –
chạy qua transistor. Emitter (B-E).
- Vùng nghịch: Đặc
Đối với hoạt động của
tính ra với thông số
PNP:
iB = 0 nằm trong
Transistor PNP có vùng này.
hoạt động tương tự Transistor ở chế độ
transistor NPN nhưng ngắt. Dòng Base
cực tính của các không đủ lớn để
nguồn điện VCE và đóng BJT. Cả hai
VBE ngược lại. Dòng lớp tiếp xúc đều
IC từ E sang C còn phân cực ngược.
dòng IB đi từ E sang B.

+Thông số cơ bản:
-Dòng điện cực đại
-Điện áp cực đại
-Tần số cắt
-Hệ số khuếch đại
-Công suất cực đại
6 MOSFET +Cấu tạo: +Điều +Ưu +Ứng
Gồm có 2 kênh N và kiện điểm: dụng
P trong đó VDS>0, Đóng trong
VGS>0: ngắt với bộ
– G (Gate): cực cổng. - +Điều tần số biến
G chính là cực điều kiện cao đổi
khiển được cách ly đóng : +Nhược một
hoàn toàn với các cấu VGS<0. điểm: chiều
trúc bán dẫn còn lại Đặc tính V-A của
MOSFET được MOSFE thành
bởi do lớp điện môi T có cấu một
cực mỏng tuy nhiên phân làm 3 vùng:
- Cutoff mode - trúc bán chiều.
lại có độ cách điện vô dẫn cho Bộ
cùng lớn dioxit-silic. Vùng nghịch:
VGS<VTh đặc tính ra phép biến
với thông số ID = 0. điều đổi
– S (Source): là cực khiển một
nguồn . Nằm trong vùng
này. bằng chiều
MOSFET ở chế độ điện áp thành
– D (Drain): là cực
ngắt. Trong đó VTh với dòng xoay
máng có nhiệm vụ
là điện áp đóng của điện chiều
đón các hạt mang
điều
điện. MOSFET
 - Triode mode or khiển
+Nguyên lí hoạt Linear Active - cực nhỏ.
động: Vùng tích vực:
N-MOSFET: chỉ VDS<VGS-VTh;
hoạt động khi nguồn VGS>VTh là vùng
điện Input (Gate) là mà MOSFET
zero,các electron bên dẫn, dòng điện chạy
trong vẫn tiến hành từ cổng Drain đến
hoạt động cho đến cổng Source. Dòng
khi bị ảnh hưởng bởi ID tỷ lệ với điện áp
nguồn điện Input. P- VDS. Dòng điện ID
MOSFET: các lớn và điện áp
electron sẽ bị cut-off Drain – Source nhỏ,
cho đến khi gia tăng MOSFET hoạt
nguồn điện thế vào động như khóa
ngỏ Input (Gate) đóng ngắt.
Thông thường chất - Saturation -Vùng
bán dẫn được chọn bão hòa: VDS>VGS-
là silíc VTh; VGS>VTh Dòng
+Thông số cơ bản: điện Drain ID hầu
Tần số đóng cắt của như không đổi
MOSFET lên đến khi điện áp VDS
100 kHz. tăng và MOSFET
- Áp định mức của hoạt động như một
MOSFET đến 1000V khâu khuếch đại.
- Dòng định mức của - MOSFET trong
MOSFET đến 50 A ĐTCS chỉ sử dụng
- Mosfet có cấu trúc hai trạng thái
diode ngược lý sinh Triode mode và
(do cấu trúc bán Cutoff mode
dẫn)
- Độ sụt áp trên
MOSFET cao hơn so
với BJT
- Điện trở khi dẫn
(từ 0,1 Ω đến vài Ω)
- Tổn hao trong
MOSFET cao.

7 JGBT +Cấu tạo : IGBT rất +Điều +Ưu +Sử

giống với Mosfet kiện điểm:củ dụng
điểm khác nhau là có mở: a IGBT rộng
thêm lớp p nối với - là khả rãi
colecto tạo nên cấu VCE>0, năng trong
trúc bán dẫn p-n-p VGE>0: đóng bộ
giữa emito với +Điều ngắt biến
colecto. có thể coi kiện nhanh, đổi
IGBT tương đương đóng : làm nó một
với một transitor p- được sử chiều
n-p với dòng bazo Đặc tính V-IAcủa VGE<= dụng thành
đươc điều khiển bởi IGBT được phân 0: trong một
một Mosfet. làm 3 vùng: các bộ chiề(D
+Nguyên lý hoạt - Cutoff mode - biến đổi C
động:Dưới tác dụng Vùng nghịch: điều chế =>DC
của điện áp điều VGE<VTh đặc tính độ ),
khiển Uge > 0 kênh ra với thông số ID = rộng Một
dẫn với các hạt mang 0. Nằm trong vùng xung tần chiều
điện là các điện tử này. IGBT ở chế số cao. thành
được hình thành độ ngắt. Trong đó +Nhược xoay
giống như ở cấu trúc VTh là điện áp điểm: chiều(
Mosfet các điện tử di đóng của MOSFET Công DC=>
chuyển về phía - Triode mode or nghệ chế AC).
colecto vượt qua lớp Linear Active - tạo
tiếp giáp n-p như ở Vùng tích vực: IGBT
cấu trúc giữa bazo VCE<VGE-VTh; phát
và colecto ở VGE>VTh là vùng triển
transistor thường tạo mà IGBT dẫn, dòng tăng
nên dòng colecto. điện nhanh
+Thông số cơ bản: chạy từ cổng Drain công
-Áp định mức đến đến cổng Source. suất của
6.3 kV Dòng IC tỷ lệ với IGBT đã
-Dòng địng mức đến điện áp VCE. Dòng giúp nó
2,4 kA điện IC lớn và điện thay thế
-Điện trở linh kiện áp C-E nhỏ, dần
khi dẫn đến 50mΩ . IGBT hoạt động GTO
-Ứng dụng cho bộ như khóa đóng trong
biến đổi có công suất ngắt. một số
lớn đến 10MW - Saturation -Vùng ứng
- Có khả năng chịu bão hòa: dụng
áp ngược cao. VCE>VGE-VTh; công
- Sụt áp thấp 2-3V VGE>VTh Dòng suất lớn.
với áp địng mức điện IC hầu như
1000V. không đổi khi điện
áp VCE
tăng và IGBT hoạt
động như một khâu
khuếch đại.