You are on page 1of 16

Điện tử công suất

Mã số: EE3140
PGS.TS. Trần Trọng Minh
Bộ môn Tự động hóa Công nghiệp,
Viện Điện, ĐHBK Hà nội
Hà nội, 8 - 2018
Chương I
I.2 Điôt
 I.2.1 Điôt: cấu tạo và nguyên lý hoạt động
 I.2.2 Đặc tính Vôn-Ampe của điôt
 I.2.3 Đặc điểm của điôt công suất
 I.2.4 Các dạng đóng vỏ của điôt
 I.2.5 Đặc tính đóng cắt của điôt
 I.2.6 Các thông số cơ bản của điôt
 I.2.7 Các ứng dụng cơ bản của điôt trong sơ đồ các bộ biến đổi

 Trong chương này cần nắm được:


 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của điôt công suất.
 Đặc tính tĩnh và đặc tính động của điôt
 Các thông số cơ bản (Đặc tính kỹ thuật), cần thiết để lựa chọn phần tử cho một ứng dụng
cụ thể.
 Các ứng dụng cơ bản của điôt trong các sơ đồ bộ biến đổi bán dẫn công suất

01/14/2024 2
Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Cấu tạo, ký hiệu
Điôt: phần tử bán dẫn cơ bản  Ký hiệu trên sơ đồ
nhất, có mặt trong hầu hết tất cả
các loại sơ đồ BBĐ.
Cấu trúc bán dẫn: cấu tạo từ
một lớp tiếp giáp p-n  Đặc tính vôn-ampe lý tưởng
Tính chất cơ bản:
 Chỉ dẫn dòng theo một chiều từ anot
đến catot
 uAK >0 iD >0; Phân cực thuận.
 uAK < 0 iD = 0; Phân cực ngược

01/14/2024 3
Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Đặc tính vôn-ămpe
 Đặc tính vôn-ampe của điôt thực tế
 Giúp giải thích chế độ làm việc thực tế của điôt
 Tính toán chế độ phát nhiệt (tổn hao trên điôt) trong quá trình làm việc.

Đặc tính Vôn-ampe thực tế của điôt Đặc tính tuyến tính hóa:
uD = UD,0 + rD*iD; rD = ΔUD/ΔID

01/14/2024 4
Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Đặc điểm của điôt công suất
 Đặc điểm cấu tạo của điôt công
suất (Power diode)
 Phải cho dòng điện lớn chạy
qua (cỡ vài nghìn ampe), phải
chịu được điện áp ngược lớn
(cỡ vài nghìn vôn);
 Vì vậy cấu tạo đặc biệt hơn là
một tiếp giáp bán dẫn p-n
thông thường. Trong lớp bán
dẫn n có thêm lớp nghèo điện
tích n-

Vùng nghèo n-, làm tăng khả năng chịu điện áp


ngược, nhưng cũng làm tăng sụt áp khi dẫn dòng
theo chiều thuận
01/14/2024 5
Điôt: Các dạng đóng vỏ điôt
• Axial leaded through-hole packages
 (low power).

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201

Packages for diodes (I)


01/14/2024 6
Điôt: Các dạng đóng vỏ điôt để gắn lên tản nhiệt
 Packages to be used with heat sinks.

01/14/2024 7
Điôt: Các dạng đóng vỏ để gắn lên tản nhiệt, công suất lớn và rất lớn

• Packages to be used with heat sinks


(higher power levels).

DO 5

B 44
Điôt: 2 điôt trong một vỏ
2 trong 1 vỏ:

Common cathode Doubler


(Dual center tap Diodes) (2 diodes in series)
Điôt: Các 2 điôt trong một vỏ
.
Dạng một vỏ 3 điôt độc lập, vỏ cách ly
Vỏ dạng cách ly
Điôt: Các nhà sản xuất thường đưa ra nhiều loại đóng vỏ cho cùng một
loại điôt.
Cùng cặp điôt STTH2003 trong 4 loại vỏ khác nhau.

Name Package
Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Đặc tính đóng cắt
 Đặc tính đóng cắt của điôt
 Đặc tính động uD(t), iD(t), Điện tích phục
hồi Qrr

Thời gian
phục hồi trr

Khi mở: điện áp uFr lớn lên đến vài V trước Khi khóa: dòng về đến 0, sau đó tiếp tục tăng
khi trở về giá trị điện áp thuận cỡ 1 – 1,5V do theo chiều ngược với tốc độ dir/dt đến giá trị Irr
vùng n- còn thiếu điện tích rồi về bằng 0.

01/14/2024 13
Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Các thông số cơ bản
 Các thông số cơ bản của điôt:  Tại sao lại là dòng trung bình?
 Liên quan đến quá trình phát nhiệt. Phải luôn đảm bảo Tj <Tjmax
 1. Giá trị dòng trung bình cho
trong mọi thời điểm hoạt động.
phép chạy qua điôt theo chiều  Cho ví dụ:
t T
1 0
iD t  dt
thuận: ID (A)
ID 
T 
t0

 2. Giá trị điện áp ngược lớn


 Khả năng chịu điện áp: 3 giá trị,
nhất mà điôt có thể chịu đựng
 Repetitive peak reverse voltages, URRM
được, Ung,max (V)  Non repetitive peak reverse voltages , URSM
 3. Tần số, f (Hz)  Direct reverse voltages, UR

 4. Thời gian phục hồi, trr (μs)  Khi tần số tăng lên tổn thất do quá trình đóng cắt sẽ
đóng vai trò chính chứ không phải là tổn thất khi dẫn.
và điện tích phục hồi, Qrr (C)
 Ba loại điôt công suất chính:
 5. Nhiệt độ cho phép lớn nhất  1. Loại thường, dùng ở tần số 50, 60 Hz. Không cần quan tâm đến

của tiếp giáp bán dẫn, Tjmax trr.


 2. Loại nhanh: fast diode, ultrafast diode.
(C)  3. Schottky Diode: không phải là loại có tiếp giáp p-n. Sụt áp khi
 6. Điện trở nhiệt từ tiếp giáp ra dẫn rất nhỏ, cỡ 0,4 – 0,5 V, có thể đến 0,1 V. Dùng cho các ứng
dụng tần số cao, cần dòng lớn, điện áp nhỏ, tổn thất rất nhỏ. Chỉ
đến vỏ, Rthjc (C/W). chịu được điện áp thấp, dưới 100 V.

01/14/2024 14
Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Những ứng dụng cơ bản
 1. Chỉnh lưu, điôt đóng mở dưới  Ví dụ: P id

tác dụng của điện áp xoay chiều:


1 D1 D3 D5
 Mở thông dẫn dòng nếu VAK>0,
iA a ia
A
 Khóa lại nếu VAK<0. B b ud R
 2. Điôt tự bật mở (Free-Wheeling C c
Diode – FWD),
 Tạo đường dẫn cho dòng điện chạy D4 D6 D2
Q
qua một cuộn cảm. Ứng dụng trong
DC-DC, nghịch lưu, …
 3. Ngoài ra điốt có thể đóng vai trò S1a S1b S1c

là các mạch chốt (Diode Clamp). C1


1/2E
V i S2a a S2b b S2c c
E 0

iV L C2 S3a S3b S3c


1/2E
2 E D0 iD
R S4a S4b S4c

01/14/2024 3 15
Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Kết luận
 Trong phần này đã giới thiệu các  Phần tử tiếp theo sẽ là thyristor,
kiến thức cơ bản về điôt công suất.  Phần tử cấu tạo từ 3 lớp tiếp giáp
 Những đặc tính cơ bản của điôt thể p-n, cấu trúc bán dẫn p-n-p-n, tạo
hiện trong tài liệu kỹ thuật của nhà nên phần tử dẫn dòng theo một
sản xuất. chiều, giống điôt, nhưng điều
 Sử dụng những thông số cơ bản khiển được.
của điôt để lựa chọn điôt trong
thiết kế những ứng dụng cụ thể.

01/14/2024 16

You might also like