FDTD Solutions 教学案例 2

——结构参数的改变产生的物理效应
教学案例
将超表面基本单元 L 形硅上端的长度由 80nm 改为 200nm

图 1. 改变结构参数后的建模

改变仿真配置，仿真精度设为 6，仿真时间设为 7000fs，自动结束时间设为 1e-

06min，观察反射率监视器中的参数 T
 图 2. 反射率与波长关系

在波长为 972nm 和波长为 1055nm 时出现了裂谷，这是由对称性破缺导致的高品

质因子 Fano 共振所引起的。Fano 共振是一种会产生非对称线形的散射共振现
象。在本次仿真中，通过打破结构的对称性，使宽的连续谱和窄的离散谱发生
干涉，从而产生了 Fano 共振。Fano 共振可以减少，甚至完全抑制辐射损失，
因而容易获得更高的场强。

观察在波长为 972nm 和 1055nm 时 L 形硅附近的电场分布

图 3. 波长为 972nm 时 Si 附近的电场分布
 图 4. 波长为 1055nm 时 Si 附近的电场分布

与波长为 920nm 反射率与波长关系曲线不产生裂谷时 Si 附近的电场分布相比较

 图 5. 波长为 920nm 时 Si 附近的电场分布

发现在波长为 972nm 和 1055nm 时电场谱线的最大值分别达到了 18.1 和 31.1，

而在波长为 920nm 时电场谱线的最大值只有 4.37。这说明发生 Fano 共振时局部
的场强要远大于不发生 Fano 共振时的场强。

自主拓展
恢复原来的参数，并将超表面基本单元 L 形硅下端的宽度由 140nm 改为 240nm
 图 6. 改变结构参数后的建模

仿真精度设为 6，仿真时间设为 7000fs，自动结束时间设为 1e-06min，观察反

射率监视器中的参数 T

图 7. 反射率与波长的关系

与原来的配置相比，在反射率极大值附近曲线相似，但当波长小于 1000nm 时反射率衰减更

快。
观察在波长为 972nm 时 Si 附近的电场分布

图 8. 波长为 972nm 时 Si 附近的电场分布

推测当波长较大时反射率主要由 L 形硅的下端贡献，因此与原来相比变化不大。但当波长
变小时，L 形硅的上端发挥作用，由于上端长度增加导致光线反射一个周期的衰减更大，
导致反射率减小。