ELEKTRISKA STRAVA PUSVADITAJOS

Pusvadītāju uzbūve. Pusvadītāji ir vielas, kuru īpatnējā pretestība ir mazāka nekā

dielektriķiem, bet lielāka nekā vadītājiem. Plaši izmantoti pusvadītāji ir germānijs (Ge) un
silīcijs (Si). Tie ir ceturtās grupas elementi, kuriem elektronu apvalka
ārējā čaulā ir četri valences elektroni. Kristāliskā vielā blakus esošo
atomu valences elektroni kļūst kopēji. Šie kopējie elektroni
savstarpēji saista germānija vai silīcija atomus, veidojot kovalento
saiti. Kovalentās saites dēļ valences elektroni zemā temperatūrā ir
cieši saistīti un ārējais elektriskais
lauks manāmi neietekmē to
kustību, tādēļ pusvadītājs strāvu
nevada. Vēl visiem kristāliem
piemīt defekti - vietā, kur jābūt
elektronam, elektrona nav. Tur
veidojas caurule. Caurums - nav
elementārdaļiņa, caurumus
izmanto, lai paskaidrotu pusvadītāju vadītspēju. Tālāk būs
aplūkots pusvadītāja plakans modelis. Bet augstskolā parasti
izmanto zonu modeli.
Kad pusvadītāju karsē vai apgaismo, tā valences
elektronu enerģija palielinās, atsevišķas saites tiek sarautas
un rodas brīvi elektroni - lādiņnesēji.
Ja sarauj kovalento saiti, kristālā rodas vakanta vieta, kurā trūkst elektrona. Šo tukšo vietu
sauc par caurumu, kuru var uzskatīt par pozitīvu lādiņnesēju. Rodas divu veidu lādiņnesēji -
brīvie elektroni un caurumi. Uz caurumu no blakus esoša kaimiņatoma var pārlēkt elektrons.
Tādā veidā caurums tiek aizpildīts un rodas caurums kaimiņatoma elektrona vietā. Caurums ir
pārvietojies. Šis process var turpināties pa visu kristālu.
Brīvo elektronu koncentrācija pusvadītāja kristālā ir vienāda ar caurumu koncentrāciju, tādēļ
pats pusvadītājs ir elektriski neitrāls.
Pašvadītspēja. Ja nav elektriskā lauka,
brīvo elektronu un caurumu kustība ir
haotiska. Ierosinot ārējo elektrisko lauku,
tiek radītu virzīta elektronu un caurumu
kustība. Turklāt caurumu kustības virziens
ir pretējs elektronu kustības virzienam.
Ideālam pusvadītājam, kas nesatur nekādus
piejaukumus, vienlaikus piemīt
elektronvadspēja un caurumvadītspēja.
Šādu vadītspēju sauc par patstāvību
vadītspēju jeb pašvadītspēju, kas normālos apstākļos ir ļoti mazu
Paaugstinoties temperatūrai, palielinās valences elektronu enerģija un
sarauto kovalento saišu skaits. Tas nozīmē, ka palielinās pusvadītāja
vadītspēja.
Piejaukumvadītspēja. Ja pusvadītājam ir piejaukumi, tad reizē ar
pašvadītspēju rodas vēl piejaukumvadītspēja. Mainot piejaukumu
koncentrāciju, var ievērojami mainīt vienas vai otras zīmes lādiņnsēju
koncentrāciju. Izšķir donorpiejaukumus un akceptorpitjuukumus.
Piejaukumus, kas viegli atdod elektronus, sauc par donorpiejaukumiem.
Ja piejaukumi izraisa elektronu iztrūkumu - caurumu, tad tos sauc par
akceptorpiejaukumiem.
Piemēram, germānija piejaukums arsēns (As) ir donorpiejaukums, jo
rada liekus brīvos elektronus: tā dēļ atomu valences čaulā ir 5 elektroni.

1
Savukārt piejaukums indijs (In) vai gallijs (Ga) ir akceptorpiejaukums; tas
rada caurumus - tam valences čaulā atrodas tikai 3 elektroni.
Pusvadītājos ar donorpiejaukumiem ir liels elektronu skaits, un tos
sauc par n tipa pusvadītājiem. Šiem pusvadītājiem piemīt
elektronvadītspēja, jo lādiņnesēji galvenokārt ir elektroni. Tas nenozīmē,
ka n tipa pusvadītājos neveidojas caurumi. Taču tie veidojas ievērojami
mazāk. Tāpēc n tipa pusvadītājos elektronus sauc par vairākuma
lādiņnesējiem, bet caurumus - par mazākuma lādiņnesējiem.
Pusvadītājos ar akceptorpiejaukumiem ir elektronu iztrūkums -
caurumi, un tos sauc par p tipa pusvadītājiem. Šiem
pusvadītājiem piemīt caurumvadītspēja. Caurumi p tipa
pusvadītājos ir vairākuma lādiņnesēji, bet elektroni -
mazākuma lādiņnesēji.
p-n pāreja. Ja vienā pusvadītāja kristālā blakus izveido p tipa un n tipa
pusvadītāju slāņus (14.9. att.), tad robežslāni (apgabalu ap robežu) sauc par p-
n pāreju (sprostslāni). Ja izveido šādu pāreju, elektroni un caurumi
siltumkustības dēļ šķērso šo robežu abos virzienos un sākas lādiņnesēju
difūzija. Robežslānī pretējas zīmes lādiņnesēji rekombinējas (kompensējas), tomēr daļa
lādiņnesēju to nespēj. Tādēļ pie p tipa apgabala robežām veidojas brīvo elektronu slānis, bet pie
n tipa apgabala robežām - caurumu slānis (14.10. att.). Šis dubultslānis rada iekšējo lauku, kas
traucē difundēt vairākuma lādiņnesējiem. Tādēļ vairākuma lādiņnesēju
kustība izbeidzas un pāreju pārvar tikai visātrākie no tiem. Kā veidojas
dubultslānis, būs paskaidrots materiāla pielikumā!
Tālāk, izlasiet, lūdzu, pielikumu!!

Pusvadītāju diode. Pusvadītāju diode ir pusvadītāju ierīce ar vienu p-n

pāreju un diviem izvadiem. To veido no gerrmānija, silīcija vai selēna monokristāla. Ja,
piemēram, germānijā ievada donorpiejaukuma atomus (arsēnu, antimonu), tam piemīt n lipa
vadītspēja. Uz šāda germānija plāksnes novieto indija ripiņu, kuru karsējot tā izkusušie atomi
difundē germānija kristālā. Izveidojas germānija apgabals, kurā ir daudz akceptorpiejaukuma
indija radīto caurumu, - p tipa apgabals. Ir iegūts p un n tipa pusvadītāju savienojums, kas veido
p-n pāreju.
Pusvadītāja diodē indija kristālam pievienotais elektrods ir anods, bet germānija
kristālam - katods. Pusvadītāja diodes shematiskais apzīmējums parādīts 14.11.
attēlā.
Ja pusvadītāju diodes anodu pieslēdz strāvas avota pozitīvajam polam, bet
katodu - negatīvajam (14.12. att.), tad strāvas avota radītais elektriskais lauks ir
pretējs sprostslāņa iekšējam elektriskajam laukam. Tādēļ samazinās sprostslāņa
lauka traucējošā darbība un caur diodi sāk plūst caurlaides strāva. Strāvu veido
vairākuma lādiņnesēji.
Ja strāvas avota polus diodei pieslēdz pretēji, tā ārējais lauks ir vērsts
sprostslāņa lauka virzienā. Tādēļ sprostslāņa lauks pastiprinās un p-n
pāreja ir slēgta. Tad caur diodi plūst tikai ļoti
vāja strāva, kuru sauc par sproststrāvu. Strāvu
veido mazākuma lādiņnesēji.
Attiecībā pret strāvu p-n pāreja ir nesimetriska
- caurlaides virzienā p-n pārejas pretestība ir
ievērojami mazāka nekā sprostvirzienā. Pilna p-n
pārejas raksturlīkne parādīta 14.13. attēlā.
Grafikā 1) OBA ir p-n pārejas voltampēru
raksturlīkne caurlaides virzienā; tās posms OB ir
līkne - šajā posmā strāva palielinās straujāk, nekā

2
palielinās spriegums (šajā posma sprostslāņa lauks salīdzināms ar strāvas avota laukam); posms
BA ir taisne - šajā posmā strāva palielinās lineāri spriegumam (šajā posma sprostslāņa lauks ir
jau mazāks, nekā strāvas avota lauks); 2) OCD ir p-n pārejas voltampēru raksturlīkne
sprostvirzienā. Posms OC rāda, ka caur diodi plūst ļoti niecīga sproststrāva, kura praktiski nav
atkarīga no pieliktā sprieguma. Punktā D notiek diodes caursišana.
Tranzistors. Tranzistors ir trīs izvadu pusvadītāju ierīce ar
divām virknē slēgtām p-n pārejām (abas p-n pārejas ietekme viena
otrai!!), kuras divējādi kombinējot iegūst p-n-p struktūras (14.14.
att.) vai n-p-n struktūras tranzistoru (14.15. att.). Tranzistors spēj
pastiprināt jaudu (tranzistoram vēl ir citas funkcijas).
Vidējo tranzistora slāni, kurā ir
maza piejaukumu koncentrācija,
sauc par bāzi. Malējos slāņus -
emiteru un kolektoru - veido no
bāzei pretēja tipa pusvadītāja.
Tiem ir liela piemaisījumu
koncentrācija, un tādēļ tajos ir
daudz brīvo lādiņnesēju.
Emitera uzdevums - emitēt un ievadīt bāzē brīvos lādiņnesējus (caurumus vai elektronus), bet
kolektora uzdevums - uztvert cauri bāzei izgājušos brīvos lādiņnesējus. Divas p-n pārejas
tranzistorā attiecīgi sauc par emitera (emiters - bāze) un kolektora (bāze - kolektors) pārejām.
Strāvas avotu pieslēdz tranzistoram tā, lai emitera pāreja darbotos caurlaides virzienā un caur
to plūstu caurlaides strāva, bet kolektora pāreja - sprostvirzienā.
Apskatīsim p-n-p tranzistora darbību (14.16. att.). Tranzistoram
pieslēgtas divas ķēdes, bet emitera izvads ir kopējs, tādēļ šādu slēgumu sauc
par kopemitera slēgumu. Vēl ir slēgumi ar kopējo bāzi un ar kopējo
kolektoru.
Ja starp emiteru un bāzi pieliek spriegumu UBE, tad vairākuma lādiņnesēji
- caurumi no emitera nokļūst bāzē, kur tie ir mazākuma lādiņnesēji, jo bāze
ir n tipa. Bāzē esošiem elektroniem ir iespēja rekombinēties. Taču bāze ir
ļoti plāna, tādēļ tikai nedaudz caurumu paspēj rekombinēties un radīt nelielu
bāzes strāvu IB. Vairums caurumu nokļūst kolektorā, radot lielu kolektora strāvu Ic.
Ja nedaudz palielina bāzei pielikto spriegumu UBE, strauji pieaug to caurumu skaits, kuri no
emitera nokļūst bāzē. Tādēļ nedaudz palielinās bāzes strāva IB, bet ļoti strauji - kolektora strāva
Ic.
Neliela bāzes sprieguma UBE maiņa rada nelielu bāzes strāvas izmaiņu ΔIB, bet lielu kolektora
strāvas izmaiņu ΔIC. Tādēļ nelielām bāzes strāvas izmaiņām atbilst ievērojami lielākas kolektora
strāvas izmaiņas.
∆ IC
Attiecību β= - sauc par strāvas pārvades koeficientu. Šī koeficienta vērtība parasti ir no
∆ IB
20 līdz 100. Tā ka pie nelielām bāzes strāvas
izmaiņām, kas pievadītas tranzistora ieejā, tā
izejā iegūst daudz lielākas kolektora strāvas
izmaiņas, tranzistoru var izmantot par strāvas
pastiprinātāju.
Reāli tranzistors nepalielina strāvas avota
jaudu!! Kolektora ķēdē caurumi no emitera ir
kolektora pārejai mazākuma lādiņnesēji!! Ja
no emitera caur bāzi līdz kolektoram nonāca daudz papildus caurumu, tad mazākuma
lādiņnesēju strāva strauji pieaug!!! Un kolektora ķēdē mēs dabūsim emitera ķēdes strāvas stipri
palielinātu kopiju!!!

3
 Līdzīgi darbojas arī n-p-n tipa tranzistors, kuram caur bāzi plūst brīvie elektroni.

Pusvadītāju rezistori. Pusvadītāju pretestība mainās ārējo faktoru iedarbībā. Ja silda

pusvadītāju, tā pretestība strauji samazinās. Iemesls - jo lielāka temperatūra, jo intensīvāk
svārstās saites elektroni. Un ar lielu varbūtību elektrons var izlidot no savas vietas - kristālā aug
brīvo lādiņnesēju skaits - strāva aug (pretestība samazinās). Šo īpašību izmanto
termorezistoros (termistoros). Termistors ir bezpārejas pusvadītāju ierīce, kuras pretestība strauji
mainās atkarībā no temperatūras. Termistora apzīmējums
parādīts 14.17. attēlā.
Termistoriem ir liels pretestības termiskais koeficients, kurš ir
negatīvs. Tos izmanto temperatūras regulēšanas ierīcēs,
temperatūras mērīšanai no attāluma un signalizācijas ierīcēs.
Pusvadītāju pretestība samazinās, ja tos apgaismo. Iemesls -
starojuma kvanti papildus izsist elektronus "no savām vietām").
Šo īpašību izmanto fotorezistoros (apzīmējums parādīts 14.18. attēlā). Ja elektriskā ķēdē ieslēgtu
fotorezistoru apgaismo, tad ķēdē plūst strāva.
Fotorezistori ir jutīgi arī pret infrasarkanajiem un ultravioletajiem stariem.
Pusvadītāju ierīces, kuru pretestība samazinās, ja palielina tām pielikto spriegumu, sauc par
varistoriem.
Mikroshēmas. Attīstoties zinātnei un tehnikai, radās iespējas pašus elektroniskos elementus
un to slēgumus izveidot kā plānu slānīti uz pusvadītāja kristāla virsmas. Ķīmiski apstrādājot
pusvadītāja virsmas slāni, to var pārvērst rezistorā, kondensatorā, diodē vai tranzistorā.
Kombinējot šos slāņus, kristālā var izveidot dažādi saslēgtas elektroniskas shēmas.

Pielikums. Kā veidojas p-n pārejas dubultslānis (kontaktslānis).

No sākuma n un p tipa pusvadītāji ir elektriski neitrāli. p tipa

pusvadītājā elektroni - vairākuma lādiņnesēji, bet caurumi -
mazākuma lādiņnesēji; n tipa - viss otrādi (1. att.).

Ja "savienot" p un n tipa pusvadītājus, tad caur robežu sāksies

vairākuma brīvo lādiņnesēju difūzija. 2. att. ir parādīts, ka elektrons no n
apgabala pāriet p apgabalā.

Rezultātā - p apgabalā, kur bija caurums, būs elektrons; n - apgabalā, kur bija
elektrons - būs caurums (3. att.). Papildus - p apgabalam tagad būs negatīvs
elektriskais lādiņš (parādās "liekas" elektrons), bet n apgabalam būs
pozitīvs elektriskais lādiņš (parādās "liekas" caurums) - arī (3.att.).

4
 Tālāk brīvo lādiņnesēju difūzija turpinās - (4. att.).
Rezultātā - p un n apgabalam elektriskie lādiņi aug pēc
moduļiem (5. att.)!!! Veidojas kontaktslānis, kur
iekšējais elektriskais lauks vērsts no n uz p (6. att.)!!!!!

Kontaktslāņa elektriskais lauks "bremze" brīvo lādiņnesēju difūziju - galu galam n-p pāreja
būs slēgta vairākuma lādiņnesēju difūzijai!! Lai turpinātu vairākuma lādiņnesēju difūziju,
nepieciešams pavājināt n-p parejas lauku! Kā? Pievienot ārējo elektrisko lauku no strāvas avota!

Tālāk izmantosim citu attēlu (7.att.).

Ja p apgabalu pievienot pie stāvas avota pozitīvo polu (+),

bet n apgabalu - pie stāvas avota negatīvo polu (-), tad ārējas
elektriskais lauks būs vērsts pret iekšējo lauku! Kopējas lauks
būs mazāks, nekā iekšējais lauks un vairākuma lādiņņesēju
orientēta kustība caur n-p pāreju turpināsies ⇒ ierīcē
(pusvadītāju diodē) plūst strāva - diode caurlaides režīmā (8.
att.). Ja pieslēgšana uztaisīta otrādi ⇒ iekšējais lauks būs
pastiprināts ⇒ ierīcē (pusvadītāju diodē) plūst ļoti vājā strāva no
mazākuma lādiņnesējiem - diode sprostrežīmā (9. att.).