Chuong 4 MOSFET Và NG D NG - Nosound

KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ
CHƯƠNG 4
MOSFET VÀ ỨNG DỤNG
Giảng viên: TS. Nguyễn Phương Huy
Bộ môn Kỹ thuật Điện tử
Khoa Điện tử
Trường ĐH Kỹ thuật công nghiệp
3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 1

HƯỚNG DẪN HỌC
▪ Phương pháp học:
 Học đúng lịch trình của môn học theo tuần, làm các bài luyện tập đầy đủ và tham gia thảo
luận trên diễn đàn.
 Đọc các tài liệu học tập
 Sinh viên làm việc theo nhóm và trao đổi với giảng viên trực tiếp tại lớp học hoặc qua email.
 Tham khảo các thông tin từ trang Web môn học

MỤC TIÊU CỦA BÀI HỌC
 Phân biệt được các loại transitor hiệu ứng trường
 Nắm vững cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET
 Nắm vững đặc tuyến A-V của MOSFET
 Phân tích các mạch MOSFET ở chế độ một chiều và các kỹ thuật phân cực cho MOSFET
 Chuyển được mạch khuếch đại sử dụng MOSFET về các mô hình mạch điện tương đương
 Tính toán được các tham số cơ bản của mạch khuếch đại MOSFET từ mô hình mạch điện
tương đương
 Nhận biết các mạch khuếch đại MOS đơn tầng và các tham số cơ bản của các mạch đó

TÌNH HUỐNG DẪN NHẬP
Tình huống 1: MOSFET là một linh kiện bán dẫn phi tuyến (đặc tuyến A-V có nhiều vùng làm
việc khác nhau) được ứng dụng nhiều trong thực tế. Hình 4.1 sau đây mô tả các đặc tuyến AV
của một MOSFET kênh n
Câu hỏi:
1) MOSFET có những chế độ hoạt động nào ?
2) Làm thế nào để MOSFET hoạt động trong các chế độ đó
3) Nêu những ứng dụng của MOSFET trong các chế độ hoạt động trên?
3/9/2022 4
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ
TÌNH HUỐNG DẪN NHẬP
Tình huống 2: MOSFET 2N7000 là linh kiện được sử dụng rất nhiều trong thực tế
Câu hỏi:
Sử dụng MOSFET 2N7000, hãy thiết kế mạch khuếch đại âm tần dùng cấu hình CS
(nguồn chung) thỏa mãn thông số sau:
1) Hệ số khuếch đại điện áp của mạch lớn hơn 50 V/V, khi không tải
2) Trở kháng vào của mạch lớn hơn 2MΩ, trở kháng ra nhỏ hơn 10 kΩ
3) Dải thông của mạch là dải của tín hiệu âm tần từ 20Hz - 20kHz?

NỘI DUNG CHÍNH
4.1. Phân loại Transistor hiệu ứng trường
4.2. Cấu trúc vật lý, nguyên lý hoạt động của MOSFET
4.3. Đặc tuyến dòng điện – điện áp (đặc tuyến V-A)
4.4. Các mạch phân cực một chiều cho mạch khuếch đại dùng MOSFET
4.5. MOSFET hoạt động ở chế độ khuếch đại
4.6. Các mạch khuếch đại MOS đơn tầng
4.7. Tham số của MOSFET trong Data sheet
4.8. Mô phỏng MOSFET với Multisim

4.1. PHÂN LOẠI TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG
 Transistor hiệu ứng trường (FET) là linh kiện bán dẫn có sử dụng điện trường để kiểm soát tác
động đến độ dẫn của kênh dẫn của vật liệu bán dẫn; Là một cấu kiện điện tử gồm 3 cực, trong
đó có một cực điều khiển.
(1) Là thiết bị có một loại hạt dẫn .

(2) Dễ chế tạo và chiếm ít không gian hơn nên mật độ tích hợp lớn
(3) Có trở kháng đầu vào lớn
(4) Có thể sử dụng như một chuyển mạch song phương đối xứng
(5) Thực hiện chức năng như một thiết bị nhớ
(6) Ít bị nhiễu ít hơn transitor BJT
(7) Không có điện áp lệch không.
Nhược điểm chính của FET là có hệ số khuếch đại nhỏ hơn đối với cùng một băng thông so với BJT!


 Phân loại
▪ JFET- Junction Field Effect Transistor) :Transistor trường có điều khiển bằng tiếp xúc P - N (hay còn gọi là
transistor mối nối đơn )
▪ MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor): Transistor trường có cực cửa cách điện
(IGFET- Insulated-Gate FET)
▪ MOSFET kênh có sẵn (còn gọi là DMOSFET - Depleted)
▪ MOSFET kênh cảm ứng (còn gọi là EMOSFET – Enhanced).

 Ký hiệu  Chú ý ký hiệu MOSFET
D D D D D D
S S S
G G
G G G G
G B G B G
S S S S S S
Kênh N Kênh P Kênh P Kênh N Kênh P Kênh N D D D
JFET MOSFET kªnh cãs½n MOSFET kªnh c¶m øng MOSFET Kênh P
S S S
• S: source – cực nguồn là nơi các hạt dẫn đa số xuất phát đi vào kênh và
tạo ra dòng điện trong kênh dẫn ID. G
G B G B
• D: drain – cực máng là cực mà ở đó các hạt dẫn đa số rời khỏi kênh dẫn.
• G: gate – cực cửa là cực điều khiển dòng điện chạy qua kênh dẫn D D D
MOSFET Kênh N

4.2. CẤU TRÚC VẬT LÝ, NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET
4.2.1. Cấu trúc vật lý của MOSFETs kênh n

4.2.2. Nguyên lý hoạt động của MOSFET kênh n
4.2.3. Transistor MOSFET kênh p

4.2.1. CẤU TRÚC VẬT LÝ CỦA MOSFETS KÊNH N
 MOSFET kênh cảm ứng loại N
Mặt cắt ngang

4.2.2. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET KÊNH N
▪ Hoạt động của MOSFET kênh n khi chưa có điện áp cực cổng
 Khi không có điện áp phân cực đưa vào cực cổng, MOSFET như 2 điốt quay lưng vào
nhau mắc nối tiếp giữa cực máng và nguồn, ngăn chặn sự dẫn điện từ miền cực máng
sang miền cực nguồn khi một điện áp vDS được đưa vào.
 Trên thực tế, đường dẫn giữa cực máng và cực nguồn có điện trở khá lớn rDS  10 
12
 MOSFET lúc này gọi là làm việc trong vùng cắt dòng

▪ Tạo kênh cho dòng điện
 Đặt một điện áp dương vào cực G của Transitor NMOS kênh cảm ứng sẽ
tạo nên một kênh dẫn cho dòng điện từ cực máng đến cực nguồn
 Gọi VOV =º
v GS - Vt (Điện áp ảnh hưởng, hay điện áp quá điều khiển)
 Vt: Điện áp ngưỡng, thông thường nằm trong dải 0.3 V đến 1 V (là giá trị của VGS
sao cho các e di động tập trung đủ hình thành một kênh dẫn)

▪ Đặt điện áp vDS nhỏ


Đặc tính iD–vDS của MOSFET khi vDS nhỏ. Linh kiện hoạt động giống như một điện trở tuyến tính
với giá trị điện trở được điểu khiển bởi điện áp vGS.

▪ Hoạt động khi vDS tăng Voltage

vGS
Vt vGD
VOV − ( vDS / 2 )
VOV
vDS
Source 0 L/2 L Drain

Voltage drop along Average = v / 2
DS
the channel
(VOV − vDS )
Channel
VOV
Source Drain
 Khi vDS tăng, kênh dẫn trở nên nhọn hơn và điện trở của nó tăng tương ứng. Ở đây, vGS được
giữ không đổi sao cho vGS > Vt.

▪ Hoạt động khi vDS tăng

Voltage
vGS
Vt vGD
VOV − ( vDS / 2 )
VOV
vDS
Source 0 L/2 L Drain

Voltage drop along Average = v / 2
DS
the channel
(VOV − vDS )
Channel
VOV
Source Drain
 Dòng điện cực máng iD so với điện áp cực máng –nguồn vDS đối với transistor NMOS loại
kênh cảm ứng hoạt động với vGS > Vt
 W  W  2
vDS  ' W 
2
vDS 
iD =  nCox (VOV − vDS / 2 )  vDS = kn'  OV DS
V v −  = k n (
 GSv − Vt ) v DS − 
 L  L  2  L  2 
 MOSFET lúc này gọi là làm việc trong vùng ba cực

Voltage
▪ Hoạt động khi vDS ≥ VOV vGS
Vt vGD = Vt
 W 
iD =  nCox (VOV − VOV / 2 )  VOV
VOV / 2
VOV vDS = VOV
 L 
1 W 2
= kn' VOV Source 0 L/2
Voltage drop along Average = V / 2
L Drain
2 L the channel
OV
vDS ( sat ) = VOV = vGS − Vt

1 'W 2 1 W
iD = kn VOV = kn' ( vGS − Vt )
2 Channel
2 L 2 L Source Drain
 MOSFET lúc này gọi là làm việc trong vùng bão hòa do ID đạt trạng thái lớn nhất cho dù
tăng VDS (không phụ thuộc VDS)

▪ Ví dụ 4.1
Lời giải
 ox 3.45 10−11
(a) Cox =
tox
=
8 10 −9
= 4.32  10 −3
F/m 2
= 4.32 ( fF/μm 2
) ▲
kn' = nCox = 450(cm 2 / V  s)  4.32 ( fF/μm 2 )

= 450 108 (μm 2 / V  s)  4.32 10−15 ( F/μm 2 ) = 194μA/V 2 ▲

▪ Ví dụ 4.1
1 'W 1
(b) iD = kn VOV  100 = 194μA/V 2  10  VOV 2
2
2 L 2
VOV = 0.32V ▲
VGS = Vt + VOV = 0.7V+0.32V = 1.02V ▲
VDS min = VOV = 0.32V ▲
−1
 'W  −1
(c) rDS =  kn VOV   1000 = 194  10  10  VOV 
−6
 L 
VOV = 0.52V ▲
VGS = Vt + VOV = 0.7V+0.52V = 1.22V ▲

4.2.3. TRANSISTOR MOSFET KÊNH P
▪ Cấu tạo thiết bị và hoạt động vật lý của MOSFET kênh cảm ứng loại P
 VG phải nhỏ hơn VS để tạo ra điện cực âm trên cực cửa

 VGS của transistor PMOS phải là âm
 Vì thế VTP của PMOS là âm!
 Nếu VD nhỏ hơn VS, sẽ có dòng chạy từ S sang D!

4.2.3. TRANSISTOR MOSFET KÊNH P
▪ Complementally MOS hay CMOS
VDD
VDD
VDD
S2
G2 PMOS PMOS
PMOS
D2
vi vo vo
D1
vo
G1 NMOS NMOS
S1 NMOS
Vi = VDD (1) : VGS 1 = VDD , Q1  Conduct. VGS 2 = 0, Q 2  Cut-off. Vo = 0.

Vi = Ground(0) : VGS1 = 0, Q1  Cut-off. VGS 2 = −VDD , Q 2  Conduct. Vo = VDD .

4.3. ÐẶC TUYẾN DÒNG ĐIỆN – ĐIỆN ÁP (ĐẶC TUYẾN A-V)
4.3.1. Ký hiệu và quy ước

4.3.2. Họ đặc tuyến iD - vDS
4.3.3. Đặc tuyến iD - vGS
4.3.4. Trở kháng đầu ra hữu hạn trong vùng bão hòa
4.3.5. Các đặc tuyến của MOSFET kênh p

4.3.1. KÝ HIỆU VÀ QUY ƯỚC
 MOSFET kênh n
 MOSFET kênh p

4.3.2. HỌ ĐẶC TUYẾN ID - VDS
1 'W 1 W
kn ( vGS − Vt ) = kn' ( DS )
2 2
iD v
2 L 2 L
Triode Saturation
vDS  VOV vDS  VOV
vGS = Vtn + VOV
1 W
Slop = g DS = = kn' (VOV )
rDS L
0
Cut-off
Chia làm ba miền hoạt động: vGS  Vtn
(1) Miền khóa (cutoff): hoạt động chế độ chuyển mạch
(2) Miền ba cực: hoạt động chế độ chuyển mạch
(3) Miền bão hòa: hoạt động chế độ khuếch đại.
vGS  Vtn : no channel; transistor in cut-off; iD = 0

vGS = Vtn + VOV : a channel is induced; transistor operates in triode region
or saturation region depending on whether the channel is
continuous or pinched-off at drain end;
Triode region Saturation region

Continuous channel, obtained by: Pinched-off channel, obtained by:
vGD  Vtn vGD  Vtn
or equivalently: vDS  VOV or equivalently: vDS  VOV
Then Then
W  1 2  W 
iD = kn'   ( vGS − Vtn ) vDS − vDS iD = kn'   ( vGS − Vtn )
2
 L  2  L
or equivalently: or equivalently:
W  1  1 ' W  2
iD = kn'   VOV − vDS  vDS iD = kn   VOV
 L  2  2 L 
1 ' W  2
iD = kn   VOV 4
2 L  vGS = Vt + VOV 4
1 W  2
1 W  2
iD = kn'   vDS
iD = kn'   VOV 3 2 L 
2 L  VOV = vDS vGS = Vt + VOV 3
vGS − Vt 1 ' W  2
iD = kn   VOV 2
2 L
Các mức quan hệ của điện áp tại các 1 W  2 vGS = Vt + VOV 2
iD = kn'   VOV
đầu của một transistor NMOS hoạt
1
2 L
động cả trong vùng ba cực và trong VOV 1 VOV 2 VOV 3 VOV 4
vùng bão hòa.

4.3.3. HỌ ĐẶC TUYẾN ID - VGS
1 'W
iD = k n (vGS − Vt ) 2
2 L
D
G
1 W
iD = k n' (vGS − Vt ) 2 S
2 L
1 W
iD = k n' (VOV )
2
2 L
Mô hình tương đương tín hiệu lớn của MOSFET

kênh n hoạt động trong chế độ bão hòa
Đặc tuyến iD–vGS của transistor NMOS kênh cảm ứng khi bão hòa

▪ Ví dụ 4.2
kn' = nCox = 450 10−4  8.6 10−15 1012 A/V 2 = 387μA/V 2

Giải
kn = (W / L ) kn' = ( 2 / 0.18 )  387 = 4.3mA/V 2
1 1
(a) I D = knVOV  100μA =  4.3 103 μA/V 2  VOV 2  VOV = 0.22V
2
2 2
VGS = Vtn + VOV = 0.5V+0.22V = 0.72V ▲
VDS = VOV = 0.22V ▲
▪ Ví dụ 4.2
 1   1 
(b) I D = kn VOV VDS − VDS 2   50 = 4.3  103 μA/V 2 0.22VDS − VDS 2 
 2   2 
VDS 2 − 0.44VDS + 0.023 = 0  VDS = 0.39V (Không thỏa mãn)
VDS = 0.06V ▲
1 1
(c) iD = knVOV 2 =  4300  0.04 = 86 μA ▲
2 2
1
KhiVGS = 0.710V,VOV = 0.21V vµ iD = 4300  0.212 = 94.8 μA ▲
2
1
Khi VGS = 0.690V,VOV = 0.19V vµ iD = 4300  0.19 2 = 77.6 μA ▲
2
VËy khi VGS = +0.01V, iD = 8.8 μA ▲
vµ khi VGS = −0.01V, iD = −8.4 μA ▲

4.3.4. TRỞ KHÁNG RA HỮU HẠN TRONG MIỀN BÃO HÒA
 Điều chế chiều dài kênh: Hiệu ứng sớm
( vGS − Vt ) = kn' 
1 W 1 W L 
iD = kn' ( − )
2 2
 GS t
v V
2 L − L 2 L  L − L 
ë ®©y ta gi¶ sö L / L  1
1 W  1  1 'W  1 + ( L / L ) 
iD = kn' ( − ) =   ( − )
2 2
  GS t
v V kn v V
2 L  1 − ( L / L )  2 L  1 − ( L / L )2  GS t
 
= kn' ( vGS − Vt ) (1 + ( L / L ) )
1 W 2
2 L
Khi vDS vượt quá vDSsat sẽ làm cho điểm Ta gi¶ sö ( L / L ) 1, vµ L tû lÖ víi vDS L / L =  vDS
thắt của kênh dịch chuyển dần ra xa  : Tham sè c«ng nghÖ ,  = 1/ VA
1 W
iD = kn' ( vGS − Vt ) (1 +  vDS )
2
cực máng từ đó làm giảm chiều dài
2 L
hoạt động của kênh ( L). Th«ng th-êng  = 0.05  0.03V −1 , VA = 30  200V

 Điều chế chiều dài kênh: Hiệu ứng sớm

1 'W
i D '= k n ( v G S − V t ) 2
2 L
iD
iD '
VA vDS
iD iD '+ iD
=
vDS VA + vDS
iD ' vDS Ảnh hưởng của vDS lên iD trong miền bão hòa.
 iD (VA + vDS ) = ( iD '+ iD ) vDS  iD =
VA
Tham số VA của MOSFET phụ thuộc công
 vDS 
iD = iD + iD ' = iD ' 1 +  nghệ và tỷ lệ với chiều dài kênh L
 V A 
1 W
iD = kn' ( vGS − Vt )2 (1 +  vDS )
2 L
 Điều chế chiều dài kênh: Trở kháng ra
−1
 iD 
ro   

 DS  v
v
GS = const
−1
  1 ' W 
 kn ( vGS − Vtn ) (1 +  vDS )  
2
ro = 
 vDS 2 L 
−1
1 ' W 2 1 VA
=   kn ( vGS − Vtn )  = =
2 L   iD 0 iD0 Mô hình tương đương tín hiệu lớn của
MOSFET kênh n hoạt động trong chế độ
bão hòa với trở kháng ra ro thể hiện sự
phụ thuộc tuyến tính của iD theo vDS

4.3.5. CÁC ĐẶC TUYẾN CỦA MOSFET KÊNH P
 Miền hoạt động của E-PMOSFET
1 ' W 1 W
k P (VOV ) = k P' ( vDS )
2 2
+ iD 2 L 2 L
vSG +
vSD Triode Saturation
− − vDS  VOV vDS  VOV
vDG iD −
+ vSG = Vtp + VOV
1
Slop = g DS = = kn VOV
rDS
VOV
0
Chia làm ba miền hoạt động: Cut-off
vSG  Vtp
(1) Miền khóa (cutoff): hoạt động chế độ chuyển mạch
(2) Miền ba cực: hoạt động chế độ chuyển mạch
(3) Miền bão hòa: hoạt động chế độ khuếch đại.

vSG  Vtp : no channel; transistor in cut-off; iD = 0
vSG = Vtp + VOV : a channel is induced; transistor operates in triode region
or saturation region depending on whether the channel is
continuous or pinched-off at drain end;
Triode region Saturation region

Continuous channel, obtained by: Pinched-off channel, obtained by:
vGD  Vtp vDG  Vtp
or equivalently: vSD  VOV or equivalently: vSD  VOV
Then Then
(
W 
) 1 2 
iD = kn'    vSG − Vtp vSD − vSD
 L  
W 
(
iD = k   vSG − Vtp
'
n )
2
2 L
or equivalently: or equivalently:
W  1  1 ' W  2
iD = kn'    VOV − vSD  vSD iD = kp   VOV
 L  2  2 L 
Các mức quan hệ của điện áp tại các đầu của một transistor PMOS
hoạt động cả trong vùng ba cực và trong vùng bão hòa.

4.4. CÁC MẠCH PHÂN CỰC MC CHO MẠCH KĐ DÙNG MOSFET
4.4.1. Tính toán mạch MOSFET ở chế độ một chiều

4.4.2. Đặc tuyến truyền đạt (The Voltage-Transfer Characteristic - VTC)
4.4.3. Xác định đặc tuyến truyền đạt bằng cách phân tích đồ thị
4.4.4. Phân cực cho MOSFET để đạt được bộ khuếch đại tuyến tính
4.4.5. Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ
4.4.6. Phân cực bằng điện áp VGS cố định
4.4.7. Phân cực bằng cách cố định VG và nối điện trở ở cực nguồn
4.4.8. Phân cực sử dụng điện trở hồi tiếp D-G
4.4.9. Phân cực sử dụng nguồn dòng điện không đổi

4.4.1. TÍNH TOÁN MẠCH MOSFET Ở CHẾ ĐỘ MỘT CHIỀU
we start the analysis by assuming certain • MOSFET DC Analysis

operating region 1. Using GS (SG) Loop to calculate VGS
• Remember that there is NO gate current!
Check VGS 2. Assume in saturation
• Calculate ID using saturation equation
3. Find VDS (for NMOS) or VSD (for PMOS)
• Using DS (SD) loop
VGS< VTN VGS> Vt 4. Calculate VDS sat or VSD sat
5. Confirm that VDS > VDS sat or VSD > VSD sat
• Confirm your assumption!
VDS < VGS –VTN VDS > VGS –VTN

Triode region Sat. region
Cutoff region
1 W 1 W
iD  K n ' ( )[2(VGS − VTN )VDS ] iD = K ' ( )(VGS − VTN ) 2
iD=0 2 L 2 L

VD 4.3: Tính dòng và áp trên các điện cực của NMOS trong mạch dưới đây. Biết các tham số
của transistor là: VTN = 1V và Kn = 1 mA/V2.
+5V
RD = 2 k
RG = 24 k
-1V
RS = 1 k
-5V

+5V
1. Calculate the value of VGS
KVL at GS loop:
ID
0 + VGS+ 1(ID) -5 +1 = 0 RD =2 k
VGS = 4 - ID
RG =24 k
2. Assume the transistor is biased in the saturation
region, the drain current: 1V
1 RS =
K n (VGS − VTN )
2
ID = ID
2 1 k
5V
ID = 0.5(4 − ID − 1)2 = 0.5(3 − ID )2
2ID = 9 – 6 ID + I D 2
ID 2 – 8ID + 9 = 0 ID = 6.646 mA Replace in VGS VGS= -2. 646 V
equation in step 1
ID = 1.354 mA VGS = 4 - ID
VGS = 2.646 V
Why choose VGS = 2.646 V ?

Because it is bigger than VTN

+5V
3. Use KVL at DS loop
IDRD + VDS + IDRS – 5 – 5 = 0 ID

RD =2 k
1.354 (2) + VDS + 1.354 – 10 = 0
RG =24 k
VDS = 10 – 1.354 – 2.708 = 5.938 V
1V
RS = 1 k
ID
5V
4. Calculate VDSsat = VGS – VTN = 2.646 – 1 = 1.646 V
5. Confirm your assumption: VDS > VDS sat , our assumption is correct

VD 4.4: Tính dòng và áp trên các điện cực của NMOS trong mạch dưới đây. Biết các tham số
của transistor là: VTN = 0.8V, Kn = 0.4mA/V2 và  = 0.
Voltage Divider biasing:

Change to Thevenin Equivalent
RTH = 198 k
VTH = 1.905 V

VGS – VTH = 0
VGS = 1.905 V
region, the drain current:
1
K n (VGS − VTN )
2
ID =
2
ID = 0.2(1.905 − 0.8)2 = 0.244mA
IDRD + VDS – VDD = 0
VDS = VDD – IDRD = 2.56 V
4. Calculate VDSsat = VGS – VTN = 1.905 – 0.8 = 1.105 V

5. Confirm your assumption: VDS > VDSsat, our assumption that the transistor is
in saturation region is correct

VD 4.5. Assume that the transistor parameters are VTN = 0.8 V and Kn = 2 mA/V2. Calculate
VGS, and node voltages VD and VS. Confirm any assumptions that you have made.
When biasing using current source, it means that

the drain current has been set.
So, IQ = ID = 0.5 mA

KVL at GS loop:
We don’t know the voltage across the current
source
region, the drain current:
0.5 = 1 (VGS – 0.8)2
0.5 = VGS – 0.8
0.7071 = VGS – 0.8
VGS = 1.5 V
Again, we don’t know the voltage across the current source.

Need to use branch current equation.
5 − 𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝑉𝐷 = 5 − 0.5 7 = 2.5𝑉
𝑅𝐷
VDS = VD – VS → so how can we find VS? Using the VGS value
𝑉𝐺 = 0𝑉(𝑐𝑜𝑛𝑛𝑒𝑐𝑡𝑒𝑑 𝑡𝑜 𝑔𝑟𝑜𝑢𝑛𝑑)
𝑉𝐺𝑆 = 0 − 𝑉𝑆 = 1.5𝑉
𝑉𝑆 = −1.5𝑉
VDS = 2.5 – (-1.5) = 4 V
4. Calculate VDSsat = VGS – VTN = 1.5 – 0.8 = 0.7 V
5. Confirm your assumption: VDS > VDS sat , our assumption is correct
Answers:
VGS = 1.5 V
VD = 2.5 V
VS = -1.5 V

 MOSFET DC Circuit Analysis - PMOS
▪ Different notation:VSG and VSD

▪ Threshold Voltage = VTP
R2
VG = VTH = VDD
R1 + R2
1. Use KVL at GS loop:
VSG + 0 + VTH – VDD = 0
VSG = VDD – VTH =VDD - VG

2. Assume the transistor is biased in the saturation region, the drain current:
ID = 1/2 Kp (VSG + VTP)2
3. Calculate VSD:
Use KVL at DS loop:
VSD + IDRD - VDD = 0
VSD = VDD - IDRD
4+5. If VSD > VSD(sat) = VSG + VTP, then the transistor is biased in the saturation region.
If VSD < VSD(sat), then the transistor is biased in the non-saturation region.

1. Use KVL at SG loop: VD 4.6. Calculate the drain current and source to drain
VSG + 0 +2.5 – 5 = 0 voltage of a common source circuit with an p-channel
VSG = 5 – 2.5 = 2.5 V enhancement mode MOSFET.
VSG > |VTP |
Also find the power dissipation.
Assume that, VTP = -1.1V and Kp = 0.6 mA/V2
2. Assume biased in saturation mode: 5V
ID = 1/2 Kp (VSG + VTP)2
Hence, ID = 0.3 ( 2.5 – 1.1)2 = 0.5888mA
50 k
3. Calculate VSD
Use KVL at SD loop:

VSD + IDRD – 5 = 0 50 k
7.5 k
VSD = 5 - IDRD
VSD = 5 – 0.5888 ( 7.5) = 0.584 V

4. VSD sat = VSG + VTP = 2.5 – 1.1 = 1.4V
Hence, VSD < VSD sat. Therefore assumption is incorrect. The
transistor is in non-saturation mode!
 1 2 
iD = k p ( vSG + Vtp ) vSD − vSD 
 2
ID = 0.3 2 ( 2.5 – 1.1) (5 – IDRD) – (5 – IDRD)2
ID = 0.3 2.8 (5 – 7.5ID) – (5-7.5ID)2
ID = 0.3 14 – 21ID – (25 – 75ID + 56.25ID2)
ID = 0.3 14 – 21ID -25 +75ID – 56.25ID2 ID = 0.536 mA
56.25 ID2 – 50.67 ID + 11 = 0

ID = 0.365 mA
ID = 0.536 mA ID = 0.365 mA
VSD = 5 – IDRD = 0.98 V VSD = 5 – IDRD = 2.26 V
VSD sat = VSG + VTP = 2.5 – 1.1 = 1.4V
0.98V < 1.4V 2.26V > 1.4V

Smaller than VSD sat : OK! Bigger than VSD sat : not OK
Answer: ID = 0.536 mA and VSD = 0.98V
Power dissipation = ID x VSD = 0.525 mW

Ví dụ 4.7
Giải
1 W 
iD = μnCox   ( vGS − vt )
2
2 L
1  32 
0.4 = 100    ( vGS − 0.7 )  vGS =1.2V
2
2  1 
V − VSS −1.2 − (−2.5)
RS = SG = = 3.25k ▲
iD 0.4
VDD − VD 2.5 − 0.5
RD = = = 5k ▲
iD 0.4

Ví dụ 4.9
Giải
VDD = +5V Do vDS (0.1V)  ( vGS − Vt ) (4V),
iD
W  1 2
ID = k   ( vGS − vtn ) vDS − (vDS ) 
'
VD = 0.1V n
L  2 
 1 
= 1 ( 5 − 1) 0.1 − 0.01 = 0.395mA
 2 
VDD − VD ( 5 − 0.1) V
RD = = = 12.4k ▲
ID 0.395mA
Ví dụ 4.10

Giải RG2 10
VG = VDD = 10  = 5V
RG 1 + RG2 10 + 10
VGS = 5 − 6 I D
1 'W
I D = kn (VGS − Vt ) 2
2 L
1
= 1  (5 − 6 I D − 1) 2
2
 I D = 0.89mA(kh«ng tháa)
18 I D − 25 I D + 8 = 0 
2
 I D = 0.5mA ▲
VS = 0.5  6 = 3V ▲
VGS = 5 − 3 = 2V ▲
VD = 10 − 6  0.5 = 7V ▲
Ví dụ 4.11
Giải
1 ' W  1 W 
iD = k P   (VGS − vtp ) 2 =  k P'   (VGS − (−1))
2
2 L 2 L 
1
0.5 = 1  (VGS + 1) 2  VGS = −2V
2
V 3
RD = D = = 6k ▲
iD 0.5

4.4.2. MOSFET Ở CHẾ ĐỘ CHUYỂN MẠCH
 Chế độ chuyển mạch
VDD
iD RD
+ VDD VDD
vgs + +
− v vDS 0 RD
GS
RD
VGS vDS = VDD vDS = VDS C
− − rDS rDS
vGS  Vt vGS = VDD

(a) (b)
4.4.2. MOSFET Ở CHẾ ĐỘ CHUYỂN MẠCH
 Chế độ chuyển mạch
NOR gate NAND gate

The NOR gate response The NAND gate response
𝑉1 (𝑉) 𝑉2 (𝑉) 𝑉𝑂 (𝑉) 𝑉1 (𝑉) 𝑉2 (𝑉) 𝑉𝑂 (𝑉)
0 0 High 0 0 High
5 0 Low 5 0 High
0 5 Low 0 5 High
5 5 Low 5 5 Low

4.4.3. PHÂN CỰC CHO MOSFET ĐỂ ĐẠT ĐƯỢC KĐ TUYẾN TÍNH
VDD vDS
A
VDD
ID RD
vo = vds
+
VDS Q
VGS vo = VDS
B
−
C
0
vGS vi = vgs
Vt VGS VDD
1
= VDD − kn RD (VGS − Vt )
2
vDS
2

4.4.4. ĐẶC TUYẾN TRUYỀN ĐẠT
 Đặc tuyến truyền đạt điện áp
1
vDS = VDD − iD RD = VDD − kn RD (VGS − Vt )
2
vDS 2
VDD Cut-
off Saturation Triode
A
Tại điểm biên giới giữa miền bão hòa và ba cực
iD VDD
RD
vDS = VDS B
= VGS B
− Vt , vGS = VGS B
+
kn RD (VGS − Vt )
1 2
VGS − Vt = VDD −
vo = vDS
B B
vGS + 2
− VDS = VGS B − Vt B
kn RD (VGS − Vt ) + (VGS − Vt ) − VDD

−
B
1 2
C vGS = B B
0 Vt VGS B
VDD 2
−1  1 + 2kn RDVDD
vDS
1
= VDD − iD RD = VDD − kn RD (VGS − Vt )
2 VGS B
− Vt =
2 kn RD
1 + 2kn RDVDD − 1
 VGS B
= + Vt
kn RD

4.4.5. XÁC ĐỊNH ĐTTĐ BẰNG PHÂN TÍCH ĐỒ THỊ

4.4.5. XÁC ĐỊNH ĐTTĐ BẰNG PHÂN TÍCH ĐỒ THỊ
 Xác định điểm phân cực Q theo đồ thị
Hai đường tải và hai điểm phân cực. Q1 không phù hợp với sự thay đổi trên miền dương
(quá gần VDD). Q2 quá gần với miền ba cực và không phù hợp với sự thay đổi trên miền âm

4.4.6. HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
VDD  1 2
d  VDD − kn RD (VGS − Vt ) 
=  
dvDS 2
Av 
ID RD dvGS vGS =VGS
dvGS
+ = − kn RD (VGS − Vt ) = − kn RDVOV
Có thể tính hệ số khuếch đại đơn giản và trực quan hơn như sau
VGS vo = VDS
1 2I
ID = 2
knVOV  kn = 2D
− 2 VOV
1
vDS = VDD − kn RD (VGS − Vt )
2
2 I D RDVOV I D RD
vDS
2  Av = − kn RDVOV = − 2
= −
VOV VOV / 2
A
VDD
Chú ý rằng IDRD có thể tiệm cận nhưng không thể vượt quá VDD
VDS Q
VDD
 Av max =
B
VOV / 2
C vGS
0 Vt VGS VDD

4.4.6. HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
VDD
 Nhận xét
2 I D RDVOV I D RD
ID RD Av = −kn RDVOV = − 2
= −
VOV VOV / 2
+
▪ Hệ số KĐ âm chỉ ra rằng đây là bộ KĐ đảo, đầu ra lệch pha 180 độ
VGS vo = VDS với đầu vào
− ▪ Hệ số KĐ phụ thuộc vào điện trở tải RD, hệ số chế tạo kn của
1
vDS = VDD − kn RD (VGS − Vt )
2
MOSFET và điện áp điều khiển VOV
v
2
DS
A
VDD
VDS Q
C vGS
0 Vt VGS VDD
4.4.7. PHÂN CỰC BẰNG ĐIỆN ÁP VGS CỐ ĐỊNH
Phân cực cố định (VGS bằng hằng số) dẫn đến sự thay đổi lớn của ID.

4.4.8. PHÂN CỰC CỐ ĐỊNH VG VÀ NỐI ĐIỆN TRỞ CỰC NGUỒN
1 W 
iD = μn Cox (v I − Vt ) 2 
2 L  Biasing by Fixed VGS
VG = VGS + I D RS 
Phân cực sử dụng điện áp không đổi, VG, và điện trở tại cực nguồn, RS:
(a) Cách mắc; (b) Giảm sự thay đổi của ID;

(c) Hiện thực bằng một nguồn cấp;

(d) Phối hợp với nguồn tín hiệu bằng tụ ghép CC1;
(e) Hiện thực bằng hai nguồn cấp

▪ Ví dụ 4.12
Lời giải
VDD − VD 15 − 10
(a ) RD = = = 10k ▲
ID 0.5
VS 5
RS = = = 10k ▲
I D 0.5
1 ' 1
I D = kn (W / L)VOV = 1 VOV 2
2
0.5mA
2 2
 VOV = 1V ▲

Do vậy VGS = Vt + VOV = 2V

Chọn VG = VS + VGS = 5V+2V = 7V
RG1 = 8MΩ, RG2 = 7 MΩ ▲
(b) Nếu NMOSFET bị thay thế bằng linh kiện khác với
Vt = 1.5V
1
I D = 1  (VGS − Vt )
2
2
VG = VGS + I D RS  VGS = 7 − 10 I D
2I D = ( 7 − 10 I D − 1.5 )  I D = 0.455mA
2
I D = 0.455 − 0.5 = −0.045mA

−0.045mA
Tương đương 100% = −9% ▲
0.5mA
4.4.9. PHÂN CỰC SỬ DỤNG HỒI TIẾP TỪ CỰC D VỀ CỰC G
 Do giá trị lớn của RG, thông thường trong dải vài MΩ  I G = 0
 Ta có thể viết:
VGS = VDS = VDD − I D RD

or VDD = VGS + I D RD

4.4.10. PHÂN CỰC BẰNG DÒNG KHÔNG ĐỔI
1
I D1 = ( μnCox )(W / L )1 ( vGS − Vt )
2
2
VDD + VSS − VGS
I D1 = I ref =
R
1
I = I D2 = ( μn Cox ) (W / L )2 ( vGS − Vt )
2
2
1
( μnCox ) (W / L )2 (vGS − Vt ) 2
I D2 I 2
= =
I D1 I ref 1
( μn Cox ) (W / L )1 (vGS − Vt ) 2
2
(W / L )2
I = I ref
(W / L )1

4.5. MOSFET HOẠT ĐỘNG Ở CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI
4.5.1. Điểm phân cực một chiều DC

4.5.2. Tín hiệu dòng trong cực máng
4.5.3. Độ hỗ dẫn gm
4.5.4. Hệ số khuếch đại điện áp
4.5.5. Mô hình kết hợp dạng 𝜋
4.5.6. Mô hình dạng T
4.5.7. Tổng kết

4.5.1. ĐIỂM PHÂN CỰC MỘT CHIỀU DC
1 1
I D = kn (VGS − Vt ) = knVOV
2 2
2 2
VDS = VDD − I D RD

4.5.2. TÍN HIỆU DÒNG ĐIỆN CỰC MÁNG
vGS = vgs + VGS
1
 iD = k n (vgs + VGS − Vt ) 2
id + I D
2
1 1
= k n (VGS − Vt ) + k n (VGS − Vt )vgs + k n vgs 2
2
2 2
Dòng phân cực I D

Méo phi tuyến
Thành phần dòng điện tỉ lệ

trực tiếp với tín hiệu vào vgs
 Để giảm méo phi tuyến tín hiệu cần đủ nhỏ sao cho
1 'W 2 ' W
kn vgs << kn (VGS − Vt )vgs  vgs <<2(VGS − Vt )
2 L L
4.5.2. TÍN HIỆU DÒNG ĐIỆN CỰC MÁNG
 VD 4.13: Cho bộ KĐ như hình vẽ. Giả sử Vt = 2V , kn' W / L = 2mA/V 2 , VGS = 5V,  =0, vgs = 0.5sin t (V)
a) Xác định các thành phần xoay chiều
b) Tìm thành phần hài bậc 2 theo phần trăm biên độ của thành phần cơ bản
(a ) iD = 1mA/V 2  (5 - 2) 2 V 2 + 2mA/V 2  0.5sin t  (5 - 2)V 2

+ 0.25sin 2 t 1mA
1 1
= 9 + 3sin t + 0.25( − cos 2t ) ( mA )
2 2
= 9.125 + 3sin t − 0.125 cos 2t ( mA )
(b) Thành phần hài
0.125
D% =  100% = 4.16%
3
4.5.3. ĐỘ HỖ DẪN GM
 Hoạt động của MOSFET cảm ứng kênh n với tín hiệu nhỏ.
id W
gm  = kn' (VGS − Vt )
vgs L
iD
gm 
vGS vgs =VGS

4.5.3. ĐỘ HỖ DẪN GM
 Một số cách tính hệ số hỗ dẫn gm iD
id ' W ' W
gm = = kn ( vGS − Vt ) = kn ( vGS − Vt ) = kn VOV
vgs L L ID Q
1 'W ' W
I D = kn VOV  VOV = 2 I D / kn
2
ID
2 L L Slop  g m = 1
V
VOV = 2 I D / kn' (W / L )
2 OV
1
0 VOV VOV VOV
g m = 2k (W / L )
' 2
n ID
W 2I D 2I D ID
kn' = , gm = =
( vGS − Vt ) vGS − Vt VOV / 2
2
L

4.5.4. HỆ SỐ KĐ ĐIỆN ÁP
vD = vDS = VDD − iD RD = VDD − (id + I D ) RD = VDD − I D RD − id RD
 Thành phần phân cực
VD = VDD − I D RD
Dấu trừ cho thấy vd ngược
 Thành phần tín hiệu
pha 1800 so với vGS
vds = −id RD = − g m vgs RD
vd
 Av  = − g m RD
vgs

4.5.4. HỆ SỐ KĐ ĐIỆN ÁP
 Biến thiên điện áp vGS và vD
vi = vgs
Điều kiện tín hiệu nhỏ

4.5.5. MÔ HÌNH KẾT HỢP DẠNG 𝜋
 Mô hình mạch tương đương tín hiệu nhỏ
(a) Bỏ qua sự phụ thuộc của iD lên vDS

trong chế độ bão hòa (Hiệu ứng điều
chế kênh)
(b) Bao gồm hiệu ứng điều chế kênh,

được mô tả bởi điện trở ra
ro = |VA| /ID.

 Ví dụ 4.14: MOSFET trong hình vẽ có các tham số sau
VTN = 0.8 V, K n = 0.4 mA/V 2,  = 0
Tìm các tham số :

(a) gm và ro
(b) Av
(c) Ri và Ro.
Giải:
a) Mạch điện ở chế độ một chiều:

 R2   320 
VGS = VG = VDD   = 5   = 1.905 V
 R1 + R2   520 + 320 
g m = K n (VGS − VTN ) = 0.4 10−3 (1.905 − 0.8 ) = 0.442 mA / V
1
ro = =
I D
b) Do tụ điện được xem là ngắn mạch ở tần số tín hiệu và các nguồn một chiều
được gán bằng không ở chế độ xoay chiều, mạch tương đương của mạch KĐ
nguồn chung ở chế độ xoay chiều có thể được vẽ lại.
R1 R2
Hai điện trở song song R1 và R2 có thể được thay bằng Ri với: Ri = R1 R2 =
R1 + R2

 Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ như sau:
Với:
1
ro = =
I D
Ri = R1 R2
Vo
Av = = − g m RD = −0.442  10 = −4.42 V / V
c) Trở kháng vào/ra Vi
Ri = R1 R2 = 520 320 = 198 kΩ Ro = RD = 10 kΩ

VD 4.15. MOSFET trong hình vẽ có các tham số sau

VTN = 0.6 V, K n = 1 mA/V 2 ,
and  = 0
(a) Xác định điểm làm việc tĩnh
Q của bộ KĐ
(b) Tìm hệ số KĐ tín hiệu nhỏ

(a) Xác định điểm làm việc tĩnh Q của bộ KĐ
Điện áp cực cổng (so với đất):
 0.25  VS = −5 + I D RS = −5 + 2 10 3 I D
VG = 10  − 5 = −3 V
 1 + 0.25 
VGS = VG − VS = 2 − 2 10 3 I D  I D = (1 − 0.5VGS )10 −3
K n (VGS − VTN ) = ( 0.5VGS2 − 0.6VGS + 0.18 )10−3

1
ID =
2
2
Thay ID và biến đổi ta có: (1 − 0.5VGS )10−3 = ( 0.5VGS2 − 0.6VGS + 0.18 )10−3
0.2  0.22 + 4 1.64
Hay V 2
GS − 0.2VGS − 1.64 = 0 VGS = = 1.385 V
2
K n (VGS − VTN )
1
Thay VGS vào: ID =
2
I D = 0.308 mA
2

VD = 5 − I D RD = 5 − 0.308  10 = 1.92 V
VS = −5 + I D RS = −5 + 0.308  2 = −4.384 V
VDS = VD − VS = 1.92 + 4.384 = 6.304 V
Điểm làm việc Q:
I DQ = 0.308 mA ; VDSQ = 6.304 V

Hệ số hỗ dẫn là:
g m = K n (VGSQ − VTN )
= 1 10 −3 (1.385 − 0.6 )
= 0.785 mA/V

Mạch tương đương ở chế độ xoay chiều như sau:


Vi = Vgs + Vs
= Vgs + g mVgs Rs
Vo = − g mVgs RD
Hệ số KĐ tín hiệu nhỏ
Vo − g mVgs RD g m RD
Av  = =−
Vo Vgs + g mVgs RS 1 + g m RS
0.785  10
Thay số ta có: Av = − = −3.05 V / V
1 + 0.785  2

VD 4.16. Cho các thông số của MOSFET như sau:

VTN = +0.8 V, K n = 2 mA/V 2 ,
và  = 0.015 V -1
a. Thiết kế mạch sao cho:
R1 + R2 = 400 k,
I DQ = 1.5 mA
and VDSQ = 5 V
b. Xác định hệ số KĐ tín hiệu nhỏ

a) Mạch tương đương một chiều:

VS 5
VS = VDD − VDS = 10 − 5 = 5 V RS = = −3
= 3.33 k
I D 1.5 10
 R2  R2
VG = VGS + VS = VGS + 5 VGS + 5 = 10 
 =
 1
R + R2  40  10 3
R2
VGS = −5
40 10 3
2
1  R2  
ID = K n (VGS − VTN )
2
1.5 = 1 − 5  − VTN 
 40 10 
3
2 
2 2
 R2    R2 
=  − 5  − 0.8 = − 5.8
 40 10  40 10 
3

3

R2 R2 = 183 k
− 5.8 =  1.5 = 1.225
40 10 3
R2 = 281 k
a) Mạch tương đương một chiều:
Nếu R2 = 183 k R1 = 400 − 183 = 217 k

Nếu
 183 
VG = 10  = 4.575 V VGS = VG − VS = 4.575 − 5 = −0.425 V
 217 + 183 
Không thực tế do VGS âm
Nếu R2 = 281 k R1 = 400 − 281 = 119 k
 281 
VG = 10  = 7.025 V
 119 + 281 
VGS = VG − VS = 7.025 − 5 = 2.025 V

b) Hệ số hỗ dẫn là:
g m = K n (VGS − VTN ) = 2  10−3 ( 2.025 − 0.8 ) = 2.45 mA/V
Trở kháng ra của MOSFET
1 1
ro = = = 44.44 k
I D 0.015 1.5 10 −3
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ

Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ (vẽ lại):
= g m (RS ro )
Vo
Vo = g mVgs (RS ro )  Ri 
Vgs Vin = Vi  
 RSi + Ri 
Vin = Vgs + Vo = Vgs + g mVgs (RS ro )
Vin
Tại đầu vào: Vgs =
1 + g m (RS ro ) Ri = R1 R2
Ri Vgs Ri
Vgs = =
1 + g m (RS ro )(RSi + Ri ) Vi
Vi 1 + g m (RS ro )(RSi + Ri )
96
= g m (RS ro )
Vo Vgs Ri
=
Vgs Vi 1 + g m (RS ro )(RSi + Ri )
Vậy hệ số KĐ tín hiệu nhỏ là:
Vo Vo Vgs g m ( RS ro )  Ri 
Av = =  =  
Vi Vgs Vi 1 + g m ( RS ro )  RSi + Ri 
Av =
( 3.33 44.44 )  119 281 
 
1/ 2.45  10 + ( 3.33 44.44 )  0.2 + 119 281 
−3
Av = 0.882 V/V

VD 4.17.

1 'W 1
Gi¶i: (a ) I D0 = kn (VGS − Vt ) =  0.25  (VGS − 1.5) 2
2
(b)ii = (Vi − Vo ) / RG
2 L 2 V DS
VDS = 15 − I D0 RD = 15 − 10 I D0
Vi Vo
= (1 − )
RG Vi
 I D 0 = 1.06mA ▲ VD = 4.4V ▲
Vi
gm = k
W '
n(VGS − Vt ) = 0.25  (4.4 − 1.5) = 0.724mA/V ▲ = (1 − Av )
L RG
V 50V
ro = A = = 47kΩ ▲ 4.3
I D 1.06mA = Vi
RG
 vo = − g m vgs ( RD / / RL / / ro )
Vi RG
vo
Av = = − g m ( RD / / RL / / ro ) Do ®ã: Rin = =
vi ii 4.3
= −0.725(10 / /10 / /47) = −3.3V/V ▲ = 10 / 4.3 = 2.33MΩ ▲

4.5.6. MÔ HÌNH DẠNG T
 Mô hình mạch tương đương hình T

 Mô hình mạch tương đương hình T
(a) Mô hình mạch tương đương hình T của MOSFET với trở kháng giữa
cực máng và cực nguồn ro.
(b) Cách biểu diễn khác tương đương

 Ví dụ ứng dụng mô hình mạch tương đương hình T
+ Rin = 1 / g m
vi
RD vo vo = −iRD , i = −
Rsig 1 / gm
+ Ro vo
− Avo  = g m RD
vi + vi
− vi
−
Ro = RD
Rin
Rsig S 1/ g m D
+ i i +
vsig vi G RD vo
− −
Ro = RD
Rin = 1/ g m
4.5.7. TỔNG KẾT
 Các bước tiến hành phân tích mạch khuếch đại MOSFET
1. Loại bỏ nguồn tín hiệu và xác định điểm hoạt động một chiều của transistor.
2. Tính toán các giá trị tham số của mô hình tín hiệu nhỏ.
3. Loại bỏ nguồn một chiều bằng cách ngắn mạch nguồn áp và hở mạch nguồn dòng.
4. Thay thế transistor bằng một trong các mô hình tương đương tín hiệu nhỏ, sao cho thuận tiện
với người dùng và quá trình tính toán.
5. Phân tích kết quả và tính toán các tham số được đòi hỏi (ví dụ: hệ số khuếch đại điện áp, trở
kháng đầu vào, trở kháng đầu ra).

4.5.7. TỔNG KẾT
 Các mô hình mạch tương đương tín hiệu nhỏ của MOSFET
W W 2I
g m =  n Cox VOV = 2 n Cox ID = D ro = VA / I D = 1 / I D
L L VOV

4.6. CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI MOSFET ĐƠN TẦNG
4.6.1. Cấu trúc cơ bản

4.6.2. Đặc trưng cơ bản của các bộ khuếch đại dùng MOS
4.6.3. Mạch khuếch đại nguồn chung (CS)
4.6.4. Mạch khuếch đại nguồn chung (CS) có thêm điện trở nguồn RS
4.6.5. Mạch khuếch đại cổng chung (CG)
4.6.6. Mạch khuếch đại máng chung (CD) hay mạch lặp nguồn
4.6.7. Tổng kết về các bộ khuếch đại đơn tầng dùng MOSFET

4.6.1. CẤU TRÚC CƠ BẢN
(W / L )2
I = I ref
(W / L )1
Dùng gương dòng trong thiết kế IC
Cấu trúc cơ bản của mạch sử dụng để nhận ra cấu hình khuếch đại MOS một tầng

4.6.2. ĐẶC TRƯNG CƠ BẢN CỦA CÁC BỘ KĐ DÙNG MOS
 Nhắc lại các tham số đặc tính hóa bộ KĐ
Rin RL
vi = vsig , vo = Avo vi
Rin + Rsig Ro + RL

 Nhắc lại các tham số đặc tính hóa bộ KĐ
Rin RL
vi = vsig , vo = Avo vi
Rin + Rsig Ro + RL

 Ba cấu hình cơ bản
+
RD vo +
vi + RD
− vo
−
vi + −
(a) Common-Source (CS) −
(b) Common-Gate(CG)
vi −+ +
RD vo (c) Common-Drain(CD)
− or Source Follower
4.6.3. MẠCH KHUẾCH ĐẠI NGUỒN CHUNG (CS)
 Bộ KĐ nguồn chung loại 1- Cực nguồn nối đất

+
Rsig Rin = 
+ RD vo
vsig +
vi vo = −( g mvgs ) ( RD / / ro )
−
Ri − Ro
− Avo = − g m ( RD / / ro )
 − g m RD
Rsig
Ro = RD / / ro
+ +
vsig  RD
vi = vgs ro RD vo
g m vgs
Rin =  − −
Ro = RD // ro
Các tham số đặc tính của bộ KĐ nguồn chung

 Bộ KĐ nguồn chung loại 1- Cực nguồn nối đất
Nhận xét

 Khi có tải

 Khi có tải
ig = 0, Rin = RG
vo = − g m vgs ( ro // RD // RL )
vo
Av  = − g m ( ro // RD // RL )
vi
 Hệ số KĐ tổng cộng từ nguồn đến tải là
Rin RG
Gv = Av = − g m ( ro / / RD / / RL )
Rin + Rsig RG + Rsig
Rout = ro / / RD

4.6.4. MẠCH KĐ NGUỒN CHUNG (CS) CÓ THÊM RS
 KĐ nguồn chung với trở kháng nguồn
+ vgs =
(1/ g m )
vi =
1
vi
Rsig (1/ g m ) + Rs 1 + g m Rs
+ RD
vo vi gm
vsig + i= = vi
− vi Rs Ro (1/ g m ) + Rs 1 + g m Rs
−
Rin − vo = −iRD =
g m RD
vi  Avo =
vo
=
g m RD
1 + g m Rs vi 1 + g m Rs
Rsig G 0 D Ro = RD
++ i 1 +
vgs gm i
vsig RD vo vo RD //RL g m ( RD //RL )
vi − S
Av = = =
Rs − vi 1/ g m + Rs 1 + g m Rs
− Ro = RD
Rin = 

 KĐ nguồn chung mắc thêm tụ Cs
vin?
vo ?
Voltage gain
Av=vo/ vin?
1
Zc =
j 2 fC
 Zc → , f = 0

 Zc → 0, f  0, or C is large

 KĐ nguồn chung mắc thêm tụ Cs ở chế độ một chiều

 KĐ nguồn chung mắc thêm tụ Cs ở chế độ xoay chiều

ro

ro
 Trở kháng tải tương đương  Trở kháng vào/ra

1
RL = vin
1 ro + 1 RD + 1 RL Rin = = RG = R1 R2
iin
 Điện áp vào/ra
vo = − g m vgs RL 1
 Ro =
vin = vgs 1 RD + 1 rd
v
A
 Hệ số KĐ điện áp v = o
= − g m RL
vin
4.6.5. MẠCH KHUẾCH ĐẠI CỔNG CHUNG (CG)
 Bộ KĐ cổng chung - Common-Gate(CG)
+
Rin = 1 / g m
RD vo
vi
vo = −iRD , i = −
Rsig
+ Ro 1 / gm
−
vi + vi
−
−
vo
Avo  = g m RD
Rin vi
Rsig S 1/ g m D
Ro = RD
+ i i +
vsig vi G RD vo
− −
Ro = RD
Rin = 1/ g m

 Bộ KĐ cổng chung - Common-Gate(CG)

 Hệ số KĐ tổng cộng khi có tải
Rin = 1/ g m ; R0 = RD
vi
=
Rin
=
(1/ g m )
vsig Rin + Rsig (1/ g m ) + Rsig
vo
Av = = g m ( RD / / RL )
vi
Gv 
vo
=
vi vo
 =
(1/ g m )
g m ( RD / / RL )
vsig vsig vi (1/ g m ) + Rsig
RD / / RL
=
1/ g m + Rsig

4.6.6. MẠCH KHUẾCH ĐẠI MÁNG CHUNG (CD)
 Bộ KĐ máng chung - Common-Drain (CD)- Lặp nguồn
Nhu cầu của bộ lặp điện áp

Rsig = 1MΩ Rsig = 1 MΩ
+
vsig = 1V RL = 1 kΩ 1V 1 kΩ vo 1mV
−
Ro = 100
Rsig = 1 MΩ
Avo = 1
1V +
vsig = 1 V RL = 1 kΩ vo 0.9V
Rin very large −
 Bộ KĐ máng chung - Common-Drain (CD)- Lặp nguồn

 Bộ KĐ máng chung - Common-Drain (CD)

vo RL / / ro
Av = = ,
vi ( R / / r ) + 1
L o
gm
Avo = Av RL =
ro
=
1
ro +
gm
Ro = (1/ g m ) // ro
RG RL / / ro
Gv = 
RG + Rsig R / / r + 1
( L o)
gm
1
Tiến tới 1 khi RG  Rsig , ro  and ro  RL
gm
4.6.7. TỔNG KẾT
 Các đặc trưng của các bộ khuếch đại MOSFET

4.6.7. TỔNG KẾT
 Đáp ứng tần số của bộ KĐ

4.7. THAM SỐ CỦA MOSFET
IRFP260N datasheet
 Marketing summary
 Absolute maximum ratings
 Specifications
 Characterization graphs
• Điện áp đánh thủng nguồn-máng
• Trở kháng trạng thái-ON Máng-Nguồn
• Hỗ dẫn
• Công suất tiêu tán
• Các đặc tính động
• Điện tích cực cửa
• Khả năng dv/dt
• Hoạt động song song

▪ Specifications

▪ Characterization graphs

4.8. MÔ PHỎNG MOSFET VỚI MULTISIM


The Cascode Amplifier
The cascode connection

is a combination of CS
and CG amplifiers. This
forms a good high-
frequency amplifier. The
input and output signals at
10 MHz are shown for this
circuit on the following
slide…

GIẢI QUYẾT TÌNH HUỐNG DẪN NHẬP
Tình huống 1: MOSFET là một linh kiện bán dẫn phi tuyến (đặc tuyến A-V có nhiều vùng làm
việc khác nhau) được ứng dụng nhiều trong thực tế. Hình 4.1 sau đây mô tả các đặc tuyến
AV của một MOSFET kênh n
Trả lời:
1) Các chế độ hoạt động của MOSFET kênh n và kênh p được mô tả lần lượt trong Hình 4.14
và Hình 4.22 bao gồm chế độ cắt dòng, ba cực và bão hòa
2) Để MOSFET hoạt động trong mỗi chế độ đó cần phải tiến hành phân cực bằng các n guồn
một chiều ngoài để các giá trị điện áp VGS, VDS thỏa mãn các tiêu chí đề ra.
 Ứng dụng của MOSFET trong các chế độ hoạt động trên
Chuyển mạch nguồn cấp

Chuyển mạch bán dẫn Chuyển mạch điều khiển
động cơ
Mạch băm xung áp Mạch ổn áp

Khuếch đại tín hiệu
 Tình huống 2: Cấu trúc mạch khuếch đại nguồn chung như sau:
 Sơ đồ tương đương trong chế độ xoay chiều tín hiệu nhỏ:

G D
Vo
I1 ro RD RL
Vi R1 R2
gmVgs
3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN

KỸ THUẬT TỬ TƯƠNG TỰ TỰ
TỬ TƯƠNG 136
Bước 1: Chọn loại mosfet cần dùng, tra bảng datasheet để có các tham số như IDon,
VGSth, Vgson
Với MOSFET 2N7000 tra bảng datasheet ta thu được các tham số như sau
W
VGSth = 2V ,VGSon = 10V , I Don = 1V k'
n = 31.2mA / V 2
L
Bước 2: Trong chế độ một chiều, chọn VD=0.5VDD để có tín hiệu ra lớn nhất
VD = VDD − I D RD VS = I D RS

Bước 3: Với hệ số khuếch đại và tải cho trước, tìm điểm phân cực của mosfet (ID, VDS)
cũng như giá trị của điện trở RD và VGS
2I D
I D RD = 6, RD = 50 VGS = 2.24V , I D = 0.899mA, RD = 6.67k Chọn: RD = 6.8k
VGS − Vt
Bước 4: Theo kinh nghiệm, chọn VS nên bằng 1/10 – 1/5 VDD, ta được điện trở RS.
VS = 1/10VDD = 1.2V  RS = 1.33k Chọn: RS = 1.5k
Bước 5: Biết VS, suy ra được giá trị VG, ta sẽ chọn được RG1, RG2 thỏa mãn, thường chọn
đơn vị là (MΩ) để trở kháng vào của mạch lớn.
RG 2 RG 2
VG = 3.59 = VDD  = 0.3 Chọn: RG1 = 4.7 M , RG 2 = 2 M
RG1 + RG1 RG1 + RG1

Bước 6: Việc chọn giá trị cho tụ dựa vào các phương trình liên quan đến dải thông của mạch,
chọn sao cho  p 2 =  L  p 3 = 1/ 5L  p1 = 1/10L
 f L = 20 Hz = f p 2  CS = 66  F f p1 = 1/ 5 f L = 4 Hz  C1 = 22.7 nF f p 3 = 1/10 f L = 2 Hz  C2 = 78 F
 Mô phỏng 1 chiều
R3
6.8kΩ
R1
5MΩ VD = 6.12V , I D = 0.865mA, VG = 3.43V , VS = 1.3V
Q1
V1
2N7000
12V
R2 R4
2MΩ 1.5kΩ

V1
12V
XSC1
 Mô phỏng xoay chiều R3

B
Ext Trig
_
+
6.8kΩ C2
A
_ _
XFG1 + +
R1
5MΩ 78µF
COM
C1 Q1
2N7000
23nF
C3
R2 66µF
2MΩ
R4
1.5kΩ
Dải thông của mạch khoảng (30Hz-560kHz)

Av = 3.8 / 0.5 = 76
TÓM LƯỢC CUỐI BÀI
 Transistor trường, sử dụng điện trường để kiểm soát, tác động đến độ dẫn của vật liệu
bán dẫn.
 Nguyên lý hoạt động cơ bản của tranzito trường là dòng điện đi qua một môi trường bán
dẫn có tiết diện dẫn điện thay đổi dưới tác dụng của điện trường vuông góc với lớp bán
dẫn đó. Khi thay đổi cường độ điện trường sẽ làm thay đổi điện trở của lớp bán dẫn và do
đó làm thay đổi dòng điện đi qua nó. Lớp bán dẫn này được gọi là kênh dẫn điện.
 EMOSFET là một trong các loại Transistor trường được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị
bán dẫn, là cơ sở của công nghệ CMOS, mà được sử dụng phổ biến nhất trong chế tạo
IC. CMOS gồm có transistor loại kênh n (NMOS) và kênh p (PMOS) để tăng độ linh hoạt
trong thiết kế. Chiều dài kênh MOSFET tối thiểu đạt được của một quá trình CMOS cho
trước được sử dụng để đặc trưng hóa quá trình. Giá trị này đang tiếp tục được làm giảm
và hiện tại nó chỉ khoảng 0.1 μm.

 Tùy thuộc vào điện áp đặt vào các cực mà MOSFET có nhiều chế độ hoạt động khác
nhau. Mỗi chế độ hoạt động này đều có thể áp dụng trong rất nhiều ứng dụng thực tế. Để
hiểu được hoạt động của MOSFET, chúng ta cần nắm vững các đặc tuyến dòng điện –
điện áp của MOSFET được trình bày ở Phần 4.3 .
 Để chủ động trong việc sử dụng MOSFET, cần xác định rõ phương pháp phân cực một
chiều và cách thức phân tích mạch MOSFET ở chế độ một chiều được minh họa ở Phần
4.4 thông qua một số các ví dụ.

 EMOSFET kênh n, p đều có thể được sử dụng để khuếch đại tín hiệu.
 Để hoạt động như một mạch khuếch đại tuyến tính, MOSFET phải được phân cực để hoạt
giữa miền bão hòa. Tín hiệu xoay chiều được xếp chồng lên điện áp phân cực một chiều
VGS và được giữ ở giá trị nhỏ. Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ bằng với độ dốc của đặc tính
truyền đạt ở điểm phân cực.
 Một thiết kế phân cực tốt đảm bảo rằng các thông số của điểm phân cực, ID, VOV, và VDS,
là có thể dự đoán và ổn định, và không thay đổi với một giá trị lớn khi tranzitor được thay
thế bởi một tranzitor khác cùng loại
 Hoạt động tín hiệu nhỏ của MOSFET cũng như các mô hình mạch điện tương đương
(𝜋, 𝑇) được trình bày ở phần 4.5

 Tổng hợp các mối quan hệ để xác định các giá trị của các tham số mô hình MOSFET
được đưa ra ở Bảng 4.2. Từ các quan hệ này cho phép ta đưa một mạch khuếch đại bất
kỳ sử dụng MOSFET về dạng mô hình mạch điện tương đương và tính toán được các
tham số cơ bản của bộ khuếch đại như: hệ số khuếch đại, trở kháng vào, trở kháng ra
 Có 3 cấu trúc khuếch đại MOSFET cơ bản: Cấu trúc cực nguồn chung (CS) được sử dụng
rộng rãi nhất, cấu trúc cực cổng chung (CG) có các ứng dụng đặc biệt và rất hữu dụng khi
hoạt động ở những tần số cao, cấu trúc cực máng chung (CD) hoặc đệm nguồn hoạt động
như một bộ lặp điện áp hoặc như một tầng đầu ra của một bộ khuếch đại nhiều tầng. Bảng
4.2 cung cấp tóm tắt và so sánh các thuộc tính của các cấu trúc khuếch đại MOSFET đơn
tầng khác nhau.

CÂU HỎI ÔN TẬP
1. Transitor là gì? Phân loại ?
2. Phân tích cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET kênh n?
3. Phân tích cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET kênh p?
4. Trình bày các đặc tuyến A-V của MOSFET kênh n?
5. Trình bày các đặc tuyến A-V của MOSFET kênh p?
6. Tại sao phải phân cực cho MOSFET ?
7. Trình bày phương pháp phân cực cho MOSFET bằng điện áp VGS cố định ?
8. Trình bày phương pháp phân cực cho MOSFET bằng cách cố định VG và nối điện trở ở
cực nguồn ?
9. Trình bày phương pháp phân cực cho MOSFET sử dụng điện trở hồi tiếp D-G ?
10. Trình bày phương pháp phân cực cho MOSFET sử dụng nguồn dòng điện không đổi ?

CÂU HỎI ÔN TẬP
11. Cách thức xây dựng mô hình mạch điện tương đương tín hiệu nhỏ dạng π của MOSFET
ở chế độ khuếch đại?
12. Cách thức xây dựng mô hình mạch điện tương đương tín hiệu nhỏ dạng T của MOSFET
ở chế độ khuếch đại?
13. Đặc trưng cơ bản của các bộ khuếch đại dùng MOSFET?
14. Cách thức phân tích và tính toán các tham số của mạch khuếch đại CS sử dụng
MOSFET?
15. Ưu, nhược điểm, ứng dụng của mạch khuếch đại CS sử dụng MOSFET?
16. Cách thức phân tích và tính toán các tham số của mạch khuếch đại CG sử dụng
MOSFET?
17. Ưu, nhược điểm, ứng dụng của mạch khuếch đại CG sử dụng MOSFET?
18. Cách thức phân tích và tính toán các tham số của mạch khuếch đại CD sử dụng
MOSFET?
19. Ưu, nhược điểm, ứng dụng của mạch khuếch đại CD sử dụng MOSFET?
BÀI TẬP CUỐI BÀI CÓ LỜI GIẢI
Bài tập 4.1
MOSFET trong hình vẽ có các tham số sau:
VTN = 2 V, K n = 1 mA/V 2 ,  = 0
Transistor được phân cực tại IDQ = 0.4 mA
(a) Vẽ mạch tương đương ở chế độ xoay chiều.
(b) Vẽ mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
(c) Xác định hệ số KĐ điện áp tín hiệu nhỏ Av
Bài tập 4.2

K p = 4 mA/V 2 , VTP = −2 V,  = 0.01 V -1

Bài tập 4.3

VTN = 0.6 V, K n = 1 mA/V 2 ,  = 0

VDD = +5V
Bài tập 4.4
Thiết kế mạch như hình vẽ để thiết lập điện áp cực máng là 0.1 V. iD
Tìm giá trị trở kháng hiệu ứng giữa cực máng và cực nguồn tại
VD = 0.1V
điểm hoạt động đó. Cho Vtn = 1V, k (W / L ) = 1mA/V
'
n
2
Bài tập 4.5
Phân tích mạch như hình vẽ

dưới để xác định điện áp tại
các cực và dòng điện tại các
nhánh. Cho:
Vtn = 1V, kn' (W / L ) = 1mA/V 2

Bài tập 4.6
Thiết kế mạch sao cho MOSFET hoạt động ở chế độ bão hòa với I D = 0.5mA
Và VD = 3V . MOSFET có Vtp = −1V, k P (W / L) = 1mA/V

' 2

KẾT THÚC CHƯƠNG 4

Chuong 4 MOSFET Và NG D NG - Nosound

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chuong 4 MOSFET Và NG D NG - Nosound

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 1

▪ Phương pháp học:

 Đọc các tài liệu học tập

 Tham khảo các thông tin từ trang Web môn học

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 2

 Phân biệt được các loại transitor hiệu ứng trường

 Nắm vững cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET

 Nắm vững đặc tuyến A-V của MOSFET

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 3

1) MOSFET có những chế độ hoạt động nào ?

2) Làm thế nào để MOSFET hoạt động trong các chế độ đó

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 5

4.1. Phân loại Transistor hiệu ứng trường

4.3. Đặc tuyến dòng điện – điện áp (đặc tuyến V-A)

4.5. MOSFET hoạt động ở chế độ khuếch đại

4.6. Các mạch khuếch đại MOS đơn tầng

4.7. Tham số của MOSFET trong Data sheet

4.8. Mô phỏng MOSFET với Multisim

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 6

(1) Là thiết bị có một loại hạt dẫn .

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 7

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 8

▪ MOSFET kênh có sẵn (còn gọi là DMOSFET - Depleted)

▪ MOSFET kênh cảm ứng (còn gọi là EMOSFET – Enhanced).

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 9

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 10

4.2.1. Cấu trúc vật lý của MOSFETs kênh n

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 11

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 12

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 13

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 14

▪ Đặt điện áp vDS nhỏ

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 15

▪ Đặt điện áp vDS nhỏ

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 16

▪ Đặt điện áp vDS nhỏ

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 17

▪ Hoạt động khi vDS tăng Voltage

Source 0 L/2 L Drain

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 18

▪ Hoạt động khi vDS tăng

Source 0 L/2 L Drain

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 19

vDS ( sat ) = VOV = vGS − Vt

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 20

kn' = nCox = 450(cm 2 / V  s)  4.32 ( fF/μm 2 )

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 21

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 22

 VG phải nhỏ hơn VS để tạo ra điện cực âm trên cực cửa

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 23

Vi = VDD (1) : VGS 1 = VDD , Q1  Conduct. VGS 2 = 0, Q 2  Cut-off. Vo = 0.

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 24

4.3.1. Ký hiệu và quy ước

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 25

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 26

vGS = Vtn + VOV

vGS  Vtn : no channel; transistor in cut-off; iD = 0

Triode region Saturation region

động cả trong vùng ba cực và trong VOV 1 VOV 2 VOV 3 VOV 4

vùng bão hòa.

3/9/2022 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ 29

Mô hình tương đương tín hiệu lớn của MOSFET