SAU CÔNG NGHỆ CMOS -

ĐIỆN TỬ NANO

GS. TS. ĐINH SỸ HIỀN

BM: ĐIỆN TỬ-TRUYỀN THÔNG
KHOA: CƠ-ĐiỆN-ĐiỆN TỬ
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM
2014

1
 OUTLINE
Mở đầu
Giới thiệu về hệ thống vi cơ điện (MEMS)/ video
Phỏng vấn GS Geime về Graphene/ video
1. Công nghệ CMOS
2. Điện tử nano
2.1 Transistor phân tử
2.2 Spin FET
2.3 Transistor đơn điện tử
2.4 CNT FET
2.5 Graphene FET
Kết luận
2
 CÔNG NGHỆ CMOS

• Công nghệ VLSI (very large scale

integration) là trung tâm của công nghiệp
điện tử mà CMOS là công nghệ chính.
• 95% vi mạch (IC) dựa trên CMOS.
• Doanh thu vi mạch: 250 tỷ USD vào năm
2007.
• IC là sản phẩm có ảnh hưởng sâu sắc tới
tiến bộ xã hội và công nghệ.

3
Lịch sử của FET (field effect transistor)

4
 TiẾN TRÌNH THỜI GIAN CỦA ĐỘ DÀI CỔNG

5
ĐỊNH LUẬT MOORE

6
THẾ HỆ CÔNG NGHỆ

7
 SCALING

• Tăng tốc độ
• Tăng mật độ
• Giảm giá thành.

8
 Scaling tốc độ
.

9
 Scaling mật độ
.

10
 Scaling giá thành
.

11
 Scaling gía nhà máy
.

12
Scaling kích thước FET

13
 Định nghĩa về công nghệ nano

14
 VI ĐIỆN TỬ TRỞ THÀNH ĐIỆN TỬ NANO NHƯ THẾ NÀO ?

Hiệp lực giữa giá thành và đặc trưng

15
SỰ TIẾN HÓA CỦA KHẢ NĂNG MÁY TÍNH /GIÁ THÀNH

16
TĂNG MỨC TÍCH HỢP

17
The candidates: nanotransistors

• Molecular FET
• Spin FET
• Single electron transistor
• Carbon nanotube FET
• Graphene FET

18
ĐIỆN TỬ PHÂN TỬ

19
CHUYỂN MẠCH PHÂN TỬ

20
CẤU TRÚC TRANSISTOR ĐƠN PHÂN TỬ

21
TRANSISTOR PHÂN TỬ CỔNG SAU

22
ORGANIC FET CỔNG SAU

23
TOP-GATE FET

24
ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA MFET

-7 Id-Vds ch a ra cte ris tics o f MTs a t 30 0 K

x 10
4

3.5 Vgs = 0.2 V

Vgs = 0.3 V
3 Vgs = 0.4 V
Vgs = 0.5 V
Id Current ( A )

2.5

1.5

0.5

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vds Voltage ( V )

25
SPINTRONICS

26
HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ

27
 ,

HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ

GMR – Tỷ số từ trở khổng lồ

Trở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt
từ đối song
Trở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt
từ song song

28
 Hiệu ứng từ trở khổng lồ

1988 – phát minh ra hiệu ứng từ trở

khổng lồ
2007- Albert Fert & Peter Grunberg đã
nhận giải thưởng Nobel về vật lý

29
VAN SPIN LÀ GÌ ?

30
VAN SPIN

31
TIẾP XÚC ĐƯỜNG HẦM TỪ

32
SPIN FET

33
TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ

34
CẤM COULOMB

35
SET NHIỆT ĐỘ PHÒNG

36
SET FET

37
ỐNG VÀ DÂY NANO

38
ỐNG NANO CARBON ĐƠN TƯỜNG

39
Ống nano đa tường

40
NHỮNG TÍNH CHẤT HẤP DẪN CỦA CNT

41
SỰ HÌNH THÀNH CNT NHỜ CVD XÚC TÁC

42
CNTFET ĐÃ ĐƯỢC CHẾ TẠO

43
CNT FET PHẲNG

44
CNTFET ĐỒNG TRỤC

45
SỰ PHỤ THUỘC DÒNG THẾ VÀO HÀM CÔNG

46
TÓM TẮT VỀ CNT

47
CNT FET phẳng

48
CNT FET ĐỒNG TRỤC

49
TOP-GATE CNT FET

50
Modeling of CNTFET

51
Modeling of CNTFET

52
GRAPHENE

53
Cấu trúc graphene FET

54
CẤU TRÚC GRAPHENE FET CỔNG TRÊN

55
ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA
GRAPHENE NANORIBON FET

56
NHỮNG SỰ KIỆN QUAN TRỌNG CỦA
PHÁT TRIỂN GRAPHENE

57
 THỐNG KÊ CÁC BÀI BÁO ĐÃ CÔNG BỐ VỀ
GRAPHENE (vàng) VÀ GRAPHENE HAI LỚP (xám)

58
KẾT LUẬN

59
 REFERENCES
• [1] Dinh Sy Hien, Huynh Lam Thu Thao, Le Hoang
Minh, Modeling transport in single electron
transistor, Journal of Physics, vol. 187, p.1-10, UK,
2009.
• [2] Dinh Sy Hien, Development of quantum simulator
for emerging nanoelectronics devices, Journal of
ISRN Nanotechnology, vol. 2012, p.(1-10), 2012.
• [3] Dinh Sy Hien, Some new results of quantum
simulator NEMO-VN2, Journal of Progress in
Nanotechnology and Nanomaterials, vol. 2013, p. (1-
7), 2013.

60
61