Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Giải ngân hàng câu hỏi thông tin quang ( phần lý thuyết )
Câu 1 điểm :
Câu hỏi 1.1: Trình bày những ưu điểm cơ bản của sợi quang so với cáp kim loại.
Các ưu điểm của sợ quang so với sợi kim loại :
 Suy hao truyền dẫn rất nhỏ ( khoảng cách trạm lặp lớn).
 Băng tần truyền dẫn rất lớn ( dung lượng lớn)  có khả năng truyền được tín hiệu
băng rộng.
 Không bị ảnh hưởng của nhiễu điện từ ngoài.
 Có kích thước nhỏ và trọng lượng nhẹ, được chế tạo từ vật liệu có sẵn.
 độ tin cậy cao
Câu hỏi 1.2: Trình bày cấu tạo chung và phân loại sợi quang.
 Cấu tạo chung  của sợi quang :

lớp vỏ bọc

Lớp lõi

Lớp vỏ

sợi quang có cấu trúc hình trụ, chế tạo từ vật liệu dẫn quang, gồm 2 lớp vỏ và lõi,
chiết suất lớp lõi lớn hơn chiết suất lớp vỏ.
 Phân loại sợi quang :
 Theo chỉ số chiết suất gồm sợi SI và GI
 Theo mode truyền dẫn gồm sợi SM và MM
 Theo vật liệu chế tạo : sợi thủy tinh, sợi chất dẻo, lõi thủy tinh vỏ chất dẻo.
Câu hỏi 1.3: Nêu khái niệm về khẩu độ số của sợi quang và viết công thức khẩu độ số của
sợi đa mode chiết suất bậc (MM-SI).
 Khái niệm về khẩu độ số :xác định góc tiếp nhận ánh sáng cực đại của sợi quang. đặc
trưng cho khả năng ghép giữa nguồn quang và sợi quang.
 Công thức NA cho sợi MM-SI
1|Page
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

NA= n 2 −n√ 1 22 ( n1: chiết suất lõi, n2: chiết suất vỏ)
NA ko phụ thuộc vào bán kính r.
Câu hỏi 1.4:Nêu khái niệm về khẩu độ số của sợi quang và viết công thức khẩu độ số của sợi
đa mode chiết suất biến đổi (MM-GI).
 Khái niệm về khẩu độ số :xác định góc tiếp nhận ánh sáng cực đại của sợi quang. đặc
trưng cho khả năng ghép giữa nguồn quang và sợi quang.
 Công thức NA cho sợi MM-GI
 Sợi MM-GI có: n1 chiết suất lõi n1 = n(r) , n2 chiết suất vỏ không đổi.
 Công thức
√
NA= n ( r ) 2 −n
22

 NA phụ thuộc vào bán kính r. tại tâm (r=0) NA đạt giá trị lớn nhất
Câu hỏi 1.5:Viết công thức tính số lượng mode lan truyền trong sợi quang đa mode chiết
suất bậc MM-SI. Số lượng mode truyền trong sợi phụ thuộc vào các tham số nào?
Số lượng mode truyền :

( )
2
V2 2 πa n1
N= ( V≫ 2,045¿ ≅(ka n1)2.∆ = .∆
2 λ
2 πa 2 2 πa
V=
λ √ 2
n1 −n2 =
λ 1√
n 2∆

 Số lượng mode truyền phụ thuộc vào bán kính lõi sợi a, bước sóng hoạt động λ và
chiết suất lõi sợi n1, chiết suất vỏ sợi n2

Câu hỏi 1.6: Viết công thức tính số lượng mode lan truyền trong sợi quang đa mode chiết
suất biến đổi MM-GI. Số lượng mode truyền trong sợi phụ thuộc vào các tham số nào?
Số lượng mode truyền :

( )
2 2 2
g 4 a π n1 ∆ g V2
N= =
g +2 λ
2
g +2 2

 Số lượng mode truyền phụ thuộc vào bán kính lõi sợi a, bước sóng hoạt động λ và
chiết suất lõi sợi n1, chiết suất vỏ sợi n2 và hệ số mặt cắt chiết suất g.

Câu hỏi 1.7: Trình bày điều kiện đơn mode. Viết biểu thức tính bước sóng cắt.
 Điều kiện đơn mode :
 Tần số chuẩn hóa V của sợi quang phải nhỏ hơn tần số cắt thứ nhất Vc 1=2,405
2|Page
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

2π
 Tần số chuẩn hóa V= λ a.NA
 Bước sóng cắt : là bước sóng ngắn nhất sợi quang làm việc vùng đơn mode
2π
λcut = V a.NA
cut

Câu hỏi 1.8: Nêu khái niệm về mode ánh sáng, phân loại mode ánh sáng.
 Khái niệm :
 Mode là một họ tia sáng ứng với 1 góc lan truyền cho phép xác định.
 Mode là một nghiệm dương của pt Maxell trong điều kiện xác định
 Biểu diễn dạng phân bố điện từ trường ko đổi lan truyền trong lõi sợi.
 Phân loại :
 Mode truyền dẫn
 Mode phát xạ
 Mode dò
Câu hỏi 1.9: Tính tần số ánh sáng và năng lượng photon tương ứng với bước sóng 1310nm.
Cho biết hằng số Plank h=6,625.10-34 J.s và vận tốc ánh sáng trong chân không c=3.108 m/s.
 Tần số ánh sáng :
3. 108
f = c/λ= =2,29.1014(Hz)
1310.10−9
 Năng lượng photon :
E=h.c/λ=h.f=1,52.10-19(J)
Câu hỏi 1.10: Giải thích hiện tượng đảo mật độ xuất hiện trong quá trình phát xạ của LD.
- Hiện tượng đảo mật độ: là nồng độ hạt tải tại vùng dẫn nhiều hơn nồng độ hạt tải tạ
vùng hóa trị
- Điều kiện xảy ra đảo mật độ trong LD:

+ LD được phân cực thuận

+ Dòng phân cực thuận kích thích các điện tử nhảy mức năng lượng từ vùng
hóa trị lên vùng dẫn
+ Khi dòng phân cực càng tăng, số điện tử được kích thích càng nhiều, đạt trạng thái
đảo mật độ

Câu hỏi 1.11: Nêu khái niệm về suy hao của sợi quang. Viết biểu thức tính hệ số suy hao.
 Khái niệm : suy hao là sự suy giảm công suất ánh sáng khi lan truyền trong sợi
quang.
 Biểu thức : Pin=Pout.e−αL
10 P¿
α (dB /km) = log
L P out
3|Page
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Câu hỏi 1.12: Giải thích hiện tượng suy hao do uốn cong lớn trong sợi quang gây ra.
- Theo lý thuyết tia, suy hao do uốn cong là khi các tia sáng thay đổi góc lan truyền tại
vị trí uốn cong. Một số tia có góc thay đổi lớn hơn góc tới hạn cho phản xạ toàn phần
sẽ bị khúc xạ ra ngoài vỏ.
- Theo quan điểm trường mode : mỗi mode dẫn trong trường quang đều có đuôi trường
quang giảm dần theo hàm mũ trong lớp vỏ chuyển động cùng với trường quang trong
lõi. Khi sợi bị uốn cong, đuôi trường ở phía xa tâm bán kính cũng sẽ phải dịch chuyển
nhanh hơn để theo kịp trường quang trong lõi sợi.Tại một khoảng cách tới hạn xác
định xc từ tâm sợi, đuôi trường sẽ phải dịch chuyển nhanh hơn tốc độ ánh sáng, nhưng
do điều này là vô lý nên phần năng lượng quang trong đuối trường lớn hơn x c sẽ bức
xạ ra ngoài sợi.
Câu hỏi 1.13: Giải thích hiện tượng suy hao do vi uốn cong trong sợi quang gây ra và kỹ
thuật để giảm ảnh hưởng của suy hao này.
Một nguồn suy hao khác sinh ra từ lai ghép cặp mode gây ra bởi các vi uốn cong ngẫu
nhiên trong sợi quang. Các vi uốn cong là những biến đổi cỡ nhỏ về bán kính cong của sợi.
Nguyên nhân sinh ra vi uốn cong :
+ sự ko đồng đều trong quá trình sản xuất sợi
+ Do lực tác động ko đều trong quá trình bện cáp sợi quang.
Để giảm thiểu suy hao do vi uốn cong các sợi quang cần :
+ Bọc đệm cẩn thận một lớp polymer bên ngoài
+ Giám sát chặt chẽ quá trình sản xuất và bện cáp
+ Chọn tham số V sát với giá trị cắt 2,405 để năng lượng bị giam hãm trong lõi sợi
Câu hỏi 1.14: Nêu khái niệm về tán sắc trong sợi quang. Cho biết ý nghĩa của đơn vị hệ số
tán sắc.
- Tán sắc là hiện tượng làm giãn rộng xung ánh sáng khi lan truyền qua sợi quang
- Đơn vị hệ số tán sắc: D(ps/km.nm)
- Ý nghĩa: Cho biết độ giãn rộng xung ánh sáng khi nguồn quang có độ rộng phổ xác
định truyền qua một độ dài sợi xác định.

Câu hỏi 1.15: Trình bày đặc tính tán sắc của sợi quang dịch tán sắc DSF, sợi quang bù tán
sắc DCF và sợi quang tán sắc phẳng.
- Các sợi quang này có phân bố chiết suất khác nhau  đặc điểm tán sắc khác nhau
- Sợi dịch tán sắc: có tán sắc nhỏ nhất tại cửa số bước sóng 1550nm
- Sợi bù tán sắc: có hệ số tán sắc âm

4|Page
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

- Sợi tán sắc phẳng: có hệ số tán sắc xấp xỉ 0 tại một vùng bước sóng
Câu hỏi 1.16: So với sợi đơn mode, hệ số suy hao và hệ số tán sắc của sợi đa mode có khác
biệt gì.
- Về suy hao:
+ Suy hao sợi đa mode lớn hơn suy hao sợi đơn mode
+ Nguyên nhân: do kích thước sợi đa mode lớn hơn kích thước sợi đơn mode
- Về tán sắc:
+ Tán sắc sợi đa mode lớn hơn tán sắc sợi đơn mode
+ Nguyên nhân: do sợi đa mode có thêm thành phần tán sắc mode
Câu hỏi 1.17: Trình bày khái niệm về cấu trúc dị thể, cấu trúc dị thể kép.
 Cấu trúc dị thể :
- hình thành từ 2 loại bán dẫn loại n và loại p. Khi chưa đặt điện áp phân cực 
các hạt tải đa số khuếch tán qua lớp tiếp giáp  hình thành hàng rào thế.
- Khi trạng thái cân bằng thiết lập  vùng nghèo ( ko có hạt tải thiết lập)
- Khi phân cực ngược : Vùng nghèo mở rộng ra, các điện tử và lỗ trống khó gặp
nhau để tái hợp phát ra ánh sáng.
- Khi phân cực thuận : Vùng nghèo hẹp lại hay hằng rào thế thấp xuống các
điện tử và lỗ trống đc bơm vào vùng nghèo để dễ dàng tái hợp phát ra ánh
sáng.
 Cấu trúc dị thể kép : gồm 3 lớp cơ bản :
- Lớp bán dẫn mỏng ở giữa có Eg nhỏ (lớp tích cực)
- Hai lớp bán dẫn p và n hai bên có Eg lớn hơn ( các lớp hạn chế)
- Ưu điểm : giam hãm đc hạt tải và photon
Câu hỏi 1.18: Trình bày quá trình phân cực thuận cho tiếp giáp p-n.

5|Page
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

- Trong trường hợp cực dương của nguồn nối với bán dẫn p và cực âm nối với bán dẫn
n thì tiếp giáp khi đó phân cực thuận.
- Lúc này, điện trường tiếp giáp và điện trường ngoài sẽ ngược chiều nhau, nếu điện
trường ngoài đủ lớn, sẽ phá vỡ liên kết cộng hóa trị tại lớp tiếp giáp và các hạt mang
điện đa số sẽ được khuếch tán ồ ạt qua lớp tiếp giáp.
- Đồng thời, các hạt tải đa số tái hợp với nhau và phát xạ ra ánh sáng.

Câu hỏi 1.19: Trình bày quá trình phân cực ngược cho tiếp giáp p-n.

- Khi một điện thế ngoài được đưa vào tiếp giáp p-n, nếu cực dương của nguồn nối với
bán dẫn n và cực âm nối với bán dẫn p thì tiếp giáp khi đó được phân cực ngược.
- Dưới tác dụng của điện áp phân cực ngược, độ rộng lớp nghèo sẽ mở rộng ra ở cả hai
phía lớp p và lớp n hay điện trường lớp tiếp giáp được tăng cường.
- Điện trường tiếp giáp tiếp tục ngăn cản chuyển động của các hạt tải đa số nhưng lại
trở thành điện trường thuận với các hạt tải thiểu số khi đi qua lơp tiếp giáp. Dòng của
các hạt tải thiểu số tạo ra được gọi là dòng dò.
Câu hỏi 1.20: Giải thích tại sao tán sắc mode trong sợi đa mode chiết suất biến đổi (MM-GI)
lại nhỏ hơn nhiều so với sợi đa mode chiết suất bậc. (MM-SI)
Đối với sợi MM-GI, các tia lan truyền với quãng đường đi khác nhau nhưng ở tốc độ khác
nhau do chiết suất trong lõi biến đổi. Những tia có quãng đường đi ngắn thường sát với trục
nơi có chiết suất cao nên tốc độ lan truyền chậm hơn, và ngược lại các tia có quãng đường đi
dài hơn thường đi sát về phía biên giữa lõi và vỏ nơi có chiết suất nhỏ hơn nên tốc độ lan
truyền nhanh hơn. Như vậy trong sợi MM-GI, có sự bù trừ giũa quãng đường và tốc độ lan
truyền giữa các mode dẫn nên độ trễ thời gian giữa các mode nhỏ hơn nhiều so với sợi MM-
SI tán sắc mode của MM-GI nhơ hơn nhiều MM-SI.
6|Page
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Câu hỏi 1.25: Giải thích hiệu ứng phi tuyến tự điều chế pha xảy ra trong sợi quang và ảnh
hưởng của nó.
• Xảy ra do n phụ thuộc E

n2 : chiết suất phi tuyến (=1,22x10-22 (V/m)2 đối với Si )

 Dịch pha phi tuyến khi AS truyền qua sợi quang

 Khi E thay đổi NL thay đổi theo t dịch tần phi tuyến
 ảnh hưởng: đến hệ thống thông tin quang

Câu hỏi 1.26: Trình bày đặc tính phổ của LED và laser F-P. Giải thích tại sao có sự khác biệt
giữa đặc tính phổ của hai loại nguồn phát này.
 đặc tuyến phát xạ và đặc tuyến phổ của LED

7|Page
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Nhận xét:

 đặc tuyến phát xạ:

o công suất phát tăng khi dòng lích thích tăng
o đoạn đầu đặc tuyến có dạng tuyến tính
o nhiệt độ tăng, côn suất giảm
 đặc tuyến phổ:
o phổ phát xạ có dạng hình chuông, công suất phát lớn nhất tại bước sóng công
tác
o độ rộng phổ tương đối lớn.
 đặc tuyến phát xạ và phổ của Laser F-P

T2
T1
P / P0
P (mW)

T3
T1< T2< T3 1

0,5

(m)

8|Page
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

 nhận xét :
 đặc tuyến phát xạ :
o đặc tuyến có dạng đường gấp khúc, đoạn đầu ( dòng kích thích nhỏ hơn dòng
ngưỡng ) có độ dốc ko lớn, khi dòng kích thích lớn hơn dòng ngưỡng độ dốc
đặc tuyến tăng nhanh.
o Khi dòng kích thích tăng, công suất phát tăng.
o Khi nhiệt độ tăng, công suất phát giảm, dòng ngưỡng tăng.
 đặc tuyến phổ :
o phổ có dạng phổ vạch
o độ rộng phổ ko lớn.
Câu 2 điểm :
Câu hỏi 2.1: Vẽ sơ đồ khối cơ bản của bộ phát quang và cho biết chức năng các khối.

Câu hỏi 2.2: Vẽ sơ đồ khối cơ bản của bộ thu quang và cho biết chức năng các khối.

Câu hỏi 2.3: Trình bày cấu tạo và nguyên lý truyền ánh sáng trong sợi đa mode chiết suất
bậc (MM-SI) theo phương pháp quang hình.
+ hình vẽ mặt chiết suất :

9|Page
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

 Nguyên lí truyền :
 Tia sáng đi từ môi trường ngoài vào trong lõi sợi có chiết suất n 0 tại1 gócθi so với trục
sợi.
 Do chiết suất môi trường ngoaif thường nhỏ hơn chiết suất lõi sợi nên tia sáng bị khúc
xạ về phía trục sợi 1 góc θr .
 Tia sáng sau đó tới bề mặt tiếp giáp giữa lõi và vỏ với 1 góc ∅ . Nếu góc tới nhỏ hơn 1
góc tới hạn ∅ c thì ánh sáng sẽ bị khúc xạ ra ngoài vỏ, còn nếu lớn hơn góc tới hạn thì
tia sáng sẽ bị phản xạ toàn phần trong lõi sợi và lan truyền trong sợi quang.

Câu hỏi 2.4: Trình bày cấu tạo và nguyên lý truyền ánh sáng trong sợi đa mode chiết suất
biến đổi (MM-GI) theo phương pháp quang hình.
 Cấu tạo sợi MM-GI

10 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

 Nguyên lí truyền :

Khi tia sáng truyền vào trong lõi sợi nó có quỹ đạo là các đường cong do sự biến đổi của
chiết suất bên trong lõi sợi. do đó mà tán sắc mode nhỏ hơn sợi SI và nó truyền nhiều mode
hơn SI.

Câu hỏi 2.5:Cho sợi quang đa mode chiết suất bậc (MM-SI) có chiết suất lõi là n 1, chiết suất
vỏ phản xạ là n2, chiều dài sợi là L. Hãy tính tán sắc mode của sợi quang theo nguyên lý
quang hình. Giải thích vì sao sợi đa mode chiết suất biến đổi (MM-GI) lại có tán sắc mode
nhỏ hơn sợi MM-SI.

Quãng đường đi của tia ngắn nhất bằng L khi θ i = 0

Quãng đường đi của tia dài nhất là L/sin∅ c khi θ max
n1
Thời gian đi của tia ngắn nhất : t 1= .L
C
n1 L
Thời gian đi của tia dài nhất : t 2= .
C sin ∅ c

( )
n1 1
Dộ trễ thời gian : ∆ T =t 2−t 1= .L −1
C sin ∅ c

11 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

n2 n n1−n 2
Mà sin ∅ c = ∆ T = 1 . L( ¿
n1 C n2
n1−n 2
Mà ∆=  n2-n1 = n1∆
n1
2
L n1
 ∆T= . .∆  tán sắc mode của sợi.
C n2
 Khi tia sáng truyền vào trong lõi sợi nó có quỹ đạo là các đường cong do sự biến
đổi của chiết suất bên trong lõi sợi. do đó mà tán sắc mode nhỏ hơn sợi MM-SI

Câu hỏi 2.6: Hãy giải thích các quá trình hấp thụ và phát xạ ánh sáng (phát xạ tự phát và
phát xạ kích thích). Cho biết thế nào là ánh sáng kết hợp và ánh sáng không kết hợp.
 Quá trình hấp thụ :

 Quá trình phát xạ tự phát :

 Quá trình phát xạ kích thích :

 ánh sáng kết hợp : trong quá trình phát xạ kích thích photon ánh sáng thứ cấp phát
ra có cùng tần số, phân cực và hướng truyền với photon kích thích.

12 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

 ánh sáng ko kết hợp : trong quá trình phát xạ tự phát ánh sáng phát ra ngẫu nhiên
( ko có quan hệ về pha giữa các photon và hướng phát xạ là ngẫu nhiên)
Câu hỏi 2.7: Trình bày nguyên lý chuyển đổi quang điện của tiếp giáp p-n.

- Nguyên lý chuyển đổi quang điện:

+ Khi chưa có ánh sáng chiếu vào: có dòng tối
+ Khi có ánh sáng chiếu vào: photon bị hấp thụ sinh ra cặp lỗ trống - điện tử, dưới tác
động của điện trường ngoài điện tử chuyển động về phía n và lỗ trống chuyển động
về phía p tạo thành dòng điện trong mạch.
+ Kích thước vùng nghèo nhỏ nên hiệu suất chuyển đổi O/E thấp.
Câu hỏi 2.8: Trình bày nguyên lý phát xạ ánh sáng của tiếp giáp p-n.

 Nguyên lí phát xạ ánh sáng

+ điện trường ngoài kích thích điện tử nhảy từ vung năng lượng E1 lên E2.

13 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

+ điện tử đi từ vùng n vòa vùng tiếp giáp tái kết hợp với lỗ trống ( trở về mức năng
lượng E1) và phát ra photon ánh sáng.
+ Photon ánh sáng có bước sóng: E = E2 – E1 = h.f = h.c/
 Nhận xét:
+ bước sóng phát ra phụ thuộc vật liệu bán dẫn.
+ Vì E1 và E2 là dải năng lượng nên ánh sáng phát ra gồm nhiều bước sóng khác
nhau.
Câu 3 điểm :
Câu hỏi 3.1: Trình bày các đặc tính và tham số cơ bản của LED.
 Cấu tạo của LED
- Cấu trúc dị thể kép
- Dựa trên cơ chế phát
- ánh sáng phát ra là ánh sáng ko kết hợp, có độ rộng phổ lớn
- độ rộng phát xạ chùm sáng phát xạ lớn  hiệu suất ghép nối với sợi quang
nhỏ.
 Nguyên lí hoạt động :
Khi phân cực thuận cho LED sẽ có dòng bơm qua LED làm cho các điện tử đang
tập trung ở vùng hóa trị nhảy lên vùng dẫn. khi ở điều kiện thường, nồng độ điện tử ở
vùng hóa trị sẽ rất lớn so với vùng dẫn nhưng khi có năng lượng kích thích, các điện
tử nhảy mức năng lượng làm cho nồng độ điện tử ở vùng dẫn tăng lên và nồng độ
điện tử tại vùng hóa trị giảm đi. đồng thời dưới tác dụng của điện trường phân cực
thuận, các điện tử lớp n được khuếch tán sang lớp tích cực và các lỗ trống ở lớp p sẽ
chuyển sang lớp tích cực. tại đây các cặp điện tử- lỗ trống sẽ tái hợp với nhau và phát
xạ ánh sáng.
 đặc tuyến phát xạ và đặc tuyến phổ của LED

14 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Nhận xét:

 đặc tuyến phát xạ:

o công suất phát tăng khi dòng lích thích tăng
o đoạn đầu đặc tuyến có dạng tuyến tính
o nhiệt độ tăng, côn suất giảm
 đặc tuyến phổ:
o phổ phát xạ có dạng hình chuông, công suất phát lớn nhất tại bước sóng công
tác
o độ rộng phổ tương đối lớn.
 tham số của LED:
1,24
+ Bước sóng hoạt động: λ= (μm)
E
+ Khả năng ghép: LED có cấu tạo đặc biệt để các ánh sáng phát ra hướng về một phía
tạo điều kiện thuận lợi cho việc ghép với sợi quang.
+ Công suất phát

[ ( )]
2
λ− λ0
P λ=P λ exp − π
0 Δλ

0 : Bước sóng công tác,

Po : Công suất ánh sánh phát xạ của LED tại 0 (gía trị cực đại của công suất ánh sáng
phát xạ),

 : Độ rộng phổ của ánh sáng phát xạ. Độ rộng phổ của ánh sáng phát xạ là
chiều rộng của hình chữ nhật mà tích . Po bằng công suất bức xạ của LED. Giá trị đặc
trưng của đối với LED là 30 ... 40 nm.

Câu hỏi 3.2: Trình bày các đặc tính và tham số cơ bản của Laser.
 Cấu tạo :

15 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

- Cấu trúc cơ bản của LD gồm nhiều lớp bán dẫn không đồng nhất để tạo thành cấu
trúc dị thể kép và được cấu tạo dưới dạng khoang cộng hưởng Fabry – Perot.
- Khoang cộng hưởng là một hình hộp chữ nhật sáu mặt có khả năng giam hãm photon
và các hạt tải điện. Khoang cộng hưởng có kích thước rất nhỏ, dài từ 250 đến 500 µm,
rộng từ 5 đến 15 µm và dày từ 0,1 đến 0,2 µm.
- Hai tiếp giáp dị thể kép nằm phía dưới và phía trên lớp hoạt tính và chiết suất của hai
lớp hạn chế nhỏ hơn chiết suất lớp hoạt tính đã tạo ra khả năng giam hãm photon và
hạt tải điện theo chiều ngang.
- Để bổ sung khả năng giam hãm của hai mặt bên thì cạnh hốc được cắt nhám. Còn tại
hai cạnh theo chiều dọc của khoang sẽ đặt hai gương có mặt phản xạ quay vào nhau
để vây lấy khoang cộng hưởng.
- Hai gương này có độ phản xạ rất cao, lên tới 99% để làm giảm độ rộng phổ.
 Nguyên lí hoạt động
+ LD là một nguồn tự kích, cũng như các máy phát sóng điện từ thông thương LD có:

 Môi trường khuếch đại SĐT: môi trường nghich đảo nồng độ bằng cách bơm dòng
điện(phân cực thuận cho LD)
 Hồi tiếp dương:được tạo ra nhờ gương phản xạ
+ Khoang cộng hưởng:

 Chỉ có sóng thỏa mãn điều kiện cộng hưởng thì mới được khuếch đại.
 Điều kiện cộng hưởng: sóng tới và sóng phản xạ đồng pha.
m = 2.nL/m (m: số nguyên, n chiết suất )
 Khoảng cách giữa hai mode sóng kề nhau:  = m - m+1
+ Photon ánh sáng được tạo ra trong vùng tích cực, trong quá trình chuyển động
nó sẽ kích thích cho các điện tử đang ở trạng thái kích thích nhảy trở về mức năng
lượng thấp và phát xạ ra photon ánh sáng(phát xạ kích thích)…
+ Khi ánh sáng tới hai gương phản xạ một phần năng lượng ánh sáng sẽ đi ra
ngoài, phần còn lại phản xạ trở lại và tiếp tục tạo ra hiện tượng phát xạ kích thích.
16 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

+ ánh sáng LD phát ra là ánh sáng kết hợp.

 đặc tính phát xạ và đặc tính phổ 

+ Nhận xét đặc tuyến phát xạ:

o Đặc tuyến có dạng đường gấp khúc, đoạn đầu (dòng kích thích nhỏ hơn dòng
ngưỡng) có độ dốc không lớn, khi dòng kích thích lơn hơn dòng ngưỡng độ dốc đặc tuyến
tăng nhanh.Đoạn đầu đặc tuyến có dạng truyến tính
o Khi dòng kích thích tăng, công suất phát tăng
o Khi nhiệt độ tăng, công suất phát giảm, dòng ngưỡng tăng
+ Nhận xét đặc tuyến phổ:
o Phổ có dạng phổ vạch
o Độ rộng phổ hẹp

 tham số cơ bản
+ Bước sóng hoạt động:

- + Khả năng ghép: LD được cấu tạo dặc biệt để các ánh sáng phát ra tạo thành
búp ánh sáng để ghép nối được với sợi quang.

+ Công suất phát

17 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Câu hỏi 3.5: Vẽ cấu trúc và cho biết nguyên lý hoạt động của Laser phản xạ Bragg phân tán
(DBR)

Câu hỏi 3.6: Vẽ cấu trúc và cho biết nguyên lý hoạt động của Laser phản hồi phân tán (DFB)

18 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Câu hỏi 3.7: Trình bày các loại tán sắc trong sợi quang đơn mode và nêu ảnh hưởng của tán
sắc.
- Khái niệm tán sắc trong sợi quang:
+ Khi ánh sáng lan truyền trong sợi quang, độ rộng xung ánh sáng thay đổi.

- Các loại tán sắc trong sợi đơn mode:

+ Tán sắc vật liệu: do chiết suất lõi sợi quang phụ thuộc bước sóng n = n(l) mà ánh
sáng nguồn quang phát ra bao gồm nhiều bước sang dẫn đến thời gian lan truyền của
các bước sóng sẽ khác nhauÞ gây ra tán sắc.

+ Tán sắc ống dẫn sóng: do ánh sáng lan truyền trong cả lõi và vỏ sợi quang. Thành
phần lan truyền ngoài vỏ đi nhanh hơn. Ảnh hưởng chủ yếu trong sợi SM.

+ Tán sắc mặt cắt: do Dn(l) = n1 – n2 ảnh hưởng khác nhau tới các l khác nhau

- Ảnh hưởng của tán sắc:

+ Gây ra nhiễu ISI

+ Giới hạn tốc độ bit truyền trên sợi

19 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Câu hỏi 3.8: Vẽ sơ đồ khối mạch phát dùng Laser có ổn định nhiệt độ và ổn định công suất,
trình bày hoạt động của mạch.

Trong đó : PD bộ tách sóng quang, AGC mạch tự động điều chỉnh hệ số khuếch đại
- Nguyên lý chuyển tín hiệu đầu vào thành tín hiệu quang:
+ Tín hiệu được đưa qua mạch khuếch đại AGC rồi cộng với dòng thiên áp để đưa vào
điều chế LD
+ Công suất ánh sáng LD phát ra phần lớn được ghép vào sợi quang, mộtphần nhỏ đưa
tới PD để giám sát công suất phát.
- Nguyên lý ổn định công suất
+ PD chuyển công suất ánh sáng nhận được từ LD thành dòng tách quang.
+ Nếu công suất phát thay đổi (lớn hoặc nhỏ hơn giá trị danh định) thì dòng tách quang
sẽ thay đổi.
+ Sự thay đổi của dòng tách quang sẽ được đưa trở lại để điều chỉnh mạch thiên áp và
mạch AGC để ổn định công suất phát.

- Nguyên lý ổn định nhiệt độ:

+Khi nhiệt độ LD thay đổi sẽ làm điện trở nhiệt gắn trong LD thay đổi, dẫn đến
giá trị dòng điện giám sát nhiệt độ đưa về mạch ổn định nhiệt thay đổi.

20 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

+ LD được gắn trên bộ phận làm mát Peltier, mạch ổn định nhịêt độ sẽ đièu khiển thay
đổi nhiệt độ của bộ phận Peltier dẫn đến ổn định được nhiệt độ cho LD
Câu hỏi 3.11: Trình bày nguyên nhân gây ra nhiễu nổ trong bộ thu quang và xác định tỉ số
SNR tại đầu ra bộ thu trong trường hợp bị giới hạn bởi nhiễu nổ.
- Nguyên nhân: quá trình lượng tử hóa điện tích thành các hạt q hoặc tương đương với
quá trình lượng tử hóa năng lượng ánh sáng thành các hạt photon.
- Tỉ số SNR
R . P¿ η. P¿
SNR= =
2q ∆ f 2hf ∆ f
trong đó: R là đáp ứng của diode thu quang, Pin là công suất vào, q là điện tích của điện tử, η
là hiệu suất lượng tử, ∆ f là băng tần của bộ thu quang.
Câu hỏi 3.12: Trình bày nguyên nhân gây ra nhiễu nhiệt trong bộ thu quang và xác định tỉ số
SNR tại đầu ra bộ thu trong trường hợp bị giới hạn bởi nhiễu nhiệt.
- Trong Photodiode luôn tồn tại: điện trở lớp chắn và điện trở tải. Nhiễu nhiệt của
Photodiode là nhiễu xuất hiện trong điện trở lớp chắn, điện trở tải, do chuyển động
nhiệt của các điện tử trong điện trở tạo ra.
- Tỉ số SNR:
2 2
R L R P¿
SNR=
4 kB T F n ∆ f
trong đó: R là đáp ứng của diode thu quang, Pin là công suất vào, q là điện tích của điện tử, η
là hiệu suất lượng tử, ∆ f là băng tần của bộ thu quang, R L là điện trở tải, T là nhiệt độ tuyệt
đối, Fn hệ số nhiễu.
Phần bài tập :
2.1- Cho sợi quang đơn mode chiết suất bậc có đường kính lõi là 10 μm, chiết suất lõi là
1,475 và độ chênh lệch chiết suất là 0,2%. Xác định vùng hoạt động đơn mode của sợi
quang.
2.2- Hệ thống thông tin quang đơn kênh hoạt động ở tốc độ bit 10Gbps, mã NRZ 50% sử
dụng nguồn phát quang đơn mode ở bước sóng 1550 nm với độ rộng phổ 1nm truyền trên
sợi đơn mode tiêu chuẩn SMF có hệ số tán sắc D=20 ps/nm.km. Hãy tính khoảng cách tối đa
mà tại đó bắt đầu xảy ra hiện tượng xuyên nhiễu giữa các tín hiệu ISI.
2.3- Cho sợi quang đơn mode có độ lệch chiết suất là 0,2% với chiết suất lõi n1 = 1,48. Hãy
xác định đường kính sợi quang khi biết sợi hoạt động đơn mode tại bước sóng lớn hơn 1,2
µm.
2.4- Cho sợi quang có độ lệch chiết suất là 0,2% với chiết suất lõi n1 = 1,48. Hãy xác định
dải bước sóng để sợi hoạt động đơn mode khi biết đường kính lõi sợi là 10 µm.

21 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

2.5- Cho sợi quang đơn mode có đường kính lõi sợi là 10 µm. Hãy xác định độ lệch chiết
suất của sợi khi biết chiết suất lõi n1 = 1,475 và bước sóng cắt của sợi là 950 nm.
2.6- Cho sợi quang đa mode chiết suất bậc (MM-SI) có đường kính lõi 50 µm và hoạt động
tại bước sóng 850 nm. Biết số lượng mode truyền trong sợi là khoảng 900 mode, hãy xác
định khẩu độ số của sợi quang này. Nếu biết độ lệch chiết suất của sợi là 1,6%, hãy xác định
chiết suất của lõi sợi.
2.7- Sợi đa mode chiết suất bậc có đường kính lõi 50 µm được thiết kế để giới hạn tán sắc
mode chỉ 12 ns/km. Biết chiết suất lõi sợi là 1,45.
a/ Hãy xác định khẩu độ số của sợi quang. b/ Xác định giới hạn tốc độ truyền dẫn trên 1 km
tại bước sóng 850 nm khi giả sử độ dãn xung không được vượt quá một chu kì bit.
2.8- Cho sợi quang có đường kính lõi 50 µm và hoạt động tại bước sóng 850 nm. Biết sợi có
độ lệch chiết suất là 2% với chiết suất lớp vỏ n2 = 1,45. Hãy xác định độ dãn xung gây ra
bởi tán sắc mode trong các trường hợp sau:
a/ Sợi có mặt cắt chiết suất bậc.
b/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2.
c/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2,5.
2.9- Cho sợi quang có đường kính lõi 50 µm và hoạt động tại bước sóng 850 nm. Biết sợi có
độ lệch chiết suất là 2% với chiết suất lớp vỏ n2 = 1,45. Hãy xác định số lượng mode khi:
a/ Sợi có mặt cắt chiết suất bậc.
b/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2.
c/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2,5.
Chương 4:
4.1- Một photodiode PIN Si chuyển đổi ánh sáng tại bước sóng 850 nm có công suất đi vào
tại bề mặt thu là 0,125 µW thành dòng quang điện tại đầu ra có cường độ 56 nA. Hãy xác
định đáp ứng và hiệu suất lượng tử của nguồn thu quang này.
4.2- Xét một APD InGaAs có hệ số nhiễu trội x ≈ 0,8 và được phân cực để có hệ số nhân M
= 10. Biết dòng tối khi không được nhân thác Id = 10 nA và độ rộng băng tần hoạt động là
650 MHz. Hãy xác định:
a/ Dòng nhiễu APD khi không có tín hiệu quang.
b/ Mức công suất quang tối thiểu để đạt SNR bằng 9 dB khi biết độ đáp ứng tại M = 1 là 0,8
A/W và giả thiết không xét nhiễu nhiệt.

22 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

4.3- Một APD Si có hiệu suất lượng tử 70% tại bước sóng 850 nm khi không có quá trình
nhân thác (M = 1). Photodiode này được phân cực để hoạt động với hệ số nhân dòng M =
100. Xác định hệ số đáp ứng của photodiode và cường độ dòng quang điện được chuyển đổi
khi tín hiệu quang đi vào có mức công suất là 10 nW.
4.4- Một bộ thu quang số sử dụng APD Si làm việc tại bước sóng 850 nm có các tham số
sau :
- Độ rộng băng tần nhiễu hiệu dụng : 75 MHz
- Hiệu suất lượng tử : 75%
- Hệ số khuếch đại là 100. Hệ số nhiễu trội là Mx (x=0,3)
- Dòng tối 0,2 nA. Điện dụng tiếp giáp 6 pF
Biết công suất quang đi tới bộ thu là 10 nW. Xác định :
a) Hệ số đáp ứng của APD
b) Công suất tín hiệu điện, công suất nhiễu nổ, công suất nhiễu nhiệt
c) Tỷ số SNR của bộ thu trong giới giạn nhiễu nổ và giới hạn nhiễu nhiệt
d) Công suất thu nhỏ nhất mà bộ thu có thể đảm bảo BER = 10-12. (giả thiết P0 = 0 và ID
được chọn tối ưu).
4.5- Bộ thu sử dụng photodiode PIN Si làm việc tại bước sóng 850 nm có các tham số như
sau :
- Hiệu suất lượng tử 80%, dòng tối 3 nA
- Hệ số nhiễu khếch đại là 3 dB và nhiệt độ làm việc của bộ thu là 25 OC .
- Điện dung tiếp giáp là 6 pF
- Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ thu là 45 MHz.
a) Xác định giá trị rms của dòng nhiễu nổ, dòng nhiễu nhiệt
b) Xác định năng lượng dải cấm dải cấm lớn nhất có thể của vật liệu được sử dụng để chế
tạo photodiode
c) Xác định SNR của bộ thu khi công suất quang đến bộ thu tại bước sóng này là 400nW
d) Giả thiết bộ thu hoạt động trong giới hạn nhiễu nhiệt. Xác định công suất thu tối thiểu
yêu cầu để BER = 10-12. (giả thiết P0 = 0 và ID được chọn tối ưu).
4.6- Một bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1300 nm trung bình cứ 3
photon đến tạo ra 2 cặp điện tử - lỗ trống. Bộ thu có băng tần nhiễu hiệu dụng là 50 MHz,
23 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

điện trở tải của bộ thu là 2 kΩ, hệ số nhiễu khuếch đại của bộ thu là 3dB và nhiệt độ làm
việc của bộ thu là 25oC. Công suất quang đến bộ thu là 1μW. Xác định
a) Hiệu suất lượng tử của photodiode
b) Năng lượng vùng cấm cực đại có thể có của photodiode
c) Giá trị SNR của bộ thu. Xác định giá trị SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu nhiệt
và giới hạn nhiễu lượng tử
d) Giả thiết nhiễu nhiệt lớn hơn rất nhiều so với nhiễu nổ. Hãy xác định công suất thu tối
thiểu để đạt BER = 10-12(giả thiết P0 = 0 và ID được chọn tối ưu).
4.7- Một bộ thu APD hoạt động ở bước sóng 850 nm có các tham số sau :
- Có hệ số nhiễu trội là Mx(với x = 0,3)
- Hiệu suất lượng tử của bộ thu là 75%
- Dòng tối 10nA và nhiệt độ làm việc của bộ thu là 25oC
- Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ thu là 65 MHz
- Điện dung tiếp giáp là 6pF
Giả thiết trong thời gian 1 giây, có 1010photon đến bộ thu. Hãy tính :
a) Hệ số đáp ứng của bộ thu
b) Giá trị hệ số nhân để bộ thu đạt giá trị SNR là lớn nhất
c) Dòng photo được tạo ra sau quá trình nhân với hệ số nhân là tối ưu.
d) Xác định giá trị SNR của bộ thu khi hệ số nhân của bộ thu là tối ưu.
4.8- Bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1310 nm có hiệu suất lượng
tử 60%, dòng tối 2 nA. Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ thu là 100 MHz. Điện dung tiếp
giáp của bộ thu là 6pF và hình ảnh nhiễu của bộ khuếch đại là 3 dB. Bộ thu làm việc tại
nhiệt độ 25oC. Giả sử công suất quang đến bộ thu tại bước sóng này là 400 nW. a) Xác định
công suất tín hiệu điện, công suất nhiễu nổ và công suất nhiễu nhiệt.
b) Xác định SNR của bộ thu.
c) Xác định SNR của bộ thu trong giới hạn nhiễu nhiệt và giới hạn nhiễu lượng tử
d) Giả thiết bộ thu làm việc trong giới hạn nhiễu nhiệt. Hãy xác định công suất thu tối thiểu
để đạt BER = 10-9(P0 = 0 và ID được chọn tối ưu).

24 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

25 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Bài 2.1 :
Điều kiện để sợi hoạt động đơn mode là
V < 2,405 hoặc λ > λc
2a 2a
Ta có λ c = π . V .NA = π . .NA
C 2.405

Ta có NA : NA= n1 ¿
Thay vào ta có đường kính sợi quang :
λc = π.2a.n1.(2Δ) 1/2 / 2,405
= 1,22 μm
Vậy dải bước sóng để sợi hoạt động đơn mode là :
λ > λc = 1,22 μm
Bài 2.2
Giới hạn truyền dẫn do tán sắc mã NRZ
B.ΔT < 1
Ta có tán sắc GVD :
∆ T GVD = D GVD.L. λ

Giới hạn truyền dẫn

1 1
L< = 10 −12
BD Δλ 10 .20 . 10 .1
= 5 (km)
Bài 2.3

Điều kiện để sợi hoạt động đơn mode là V < 2,405 hoặc λ > λc Vậy λc = 1 μm
2a 2a
Ta có λ c = π . V .NA = π . .NA
C 2.405

Ta có NA : NA= n1 ¿
Thay vào ta có đường kính sợi quang :
λ c .2.405
2a¿ = 9,81 (μm)
π . n 1(2 Δ)1/ 2
Bài 2.4 :

26 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Điều kiện để sợi hoạt động đơn mode là V < 2,405 hoặc λ > λc
2a 2a
Ta có λ c = π . V .NA = π . .NA
C 2.405
Ta có NA : NA= n1 ¿

Thay vào ta có đường kính sợi quang :

λc = π.2a.n1.(2Δ) 1/2 / 2,405
= 2,94 μm
Vậy dải bước sóng để sợi hoạt động đơn mode là :λ > λc = 2,94 μm

Bài 2.5 :
Ta có λc = 950 nm
2a 2a
λ c = π . .NA = π . .NA
VC 2.405
Ta có NA = λc .2,405 / (π2a) = 0,08
Khẩu độ số NA

1
Với loại sợi MMSI : NA = (n 21−n22) 2
1 n1−n 2
Hay NA ≈ n1 .(2. ∆) 2 với ∆ =
n1
Δ = (NA/n1)2 .1/2 = 0,0015 = 0,15%
Bài 2.6

Tra bảng khẩu độ số

1
Với loại sợi MMSI : NA = (n 21−n22) 2
1 n1−n 2
Hay NA ≈ n1 .(2. ∆) 2 với ∆ =
n1
2
(V )
N≈
2
Số lượng mode lan truyền trong sợi SI
N=900 nên V = 42.42

27 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

2π
V= .a(NA)
λ
Tần số chuẩn hóa V :
Suy ra NA = V.λ /(2.a.π)
42,42.850 .10−9
NA = = 0,230
π .50.10−6
Với Δ= 0.016
Chiết suất lõi sợi n1 = NA / (2Δ)1/2 = 1,29

28 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Bài 2.7:
Hệ số tán sắc mode :
n1 ∆ NA 2
Dmode(SI) ≈ ≈ Khi ∆ ≪ 1
c c 2 n1
Dmode(SI) = n1(n1-n2)/(n1.c) = (n1-n2)/c = 12 (ps/km)
12.10−9 . 3. 108
Suy ra n2 =n1 - = 1,45 + 0,003 = 1,446
103
NA = (Dmode.2c.n1 )1/2 = 0,102
Giới hạn tốc độ truyền dẫn :
B.ΔT mode< 1
BLDmode < 1
B<1/(DmodeL)
B < 1/(12.10-9) = 83,33.106(bps)
Bài 2.8

Mức độ dãn xung Dmode = Δ T /L

Khi g = g (r) = ∞ hệ số mặt cắt chiết suất bậc :
L ( g ( r )−2 )
Δ T =n1 Δ = n1Δ L / c
c ( g ( r ) +2)
n 1−n 2 n2
Δ= suy ra n1= = 1.464
n1 1−∆
(Với L= 1km ( cự ly chuẩn )
a,
Mức độ dãn xung :
Dmode = Δ T /L = n1Δ / c = 4,88 .10-11 (s/km) = 48.8 (ps/km)
b,
Mức độ dãn xung :
Dmode = Δ T /L = n1Δ2/8c =6,1 .10-14(s/km)
=0.061(ps/km)
c,
Mức độ dãn xung :
( g−2)
Dmode = Δ T /L = n1Δ =5,42 .10-12(s/km)=5.42 (ps/km)
( g+ 2 ) c
29 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Bài 4.1 :
Đáp ứng của PIN là :
R=Ip/Pin
R = 0,448
ηq ηλ
R= ≈
hυ 1,24
Hiệu suất lượng tử là :
η = 0,654 = 65,4%

Bài 4.2 :

Dòng nhiễu nổ khi không có tín hiệu quang

σs2= 2qM2Fa(Id)Δf
với Fa = Mx = 100,8 = 6,3
σs=3,61 .10-8 A

SNR của bộ thu APD khi bỏ qua nhiễu nhiệt

2 2
Ip ( MRP¿¿ ¿)
SNR = 2 2 = 2
2q M . F A (RP ¿+ I ) Δ f
¿
σs + σT d

(0,8.Pin)2 = SNR .2.q.FA(0,8.Pin+Id)Δf

Độ nhạy thu của bộ thu quang là :
Pin= 2,08 .10-8 W

Bài 4.3:
Đáp ứng của bộ thu quang APD là
RAPD = R .M
= ηλM / 1,24 = 47,98
Cường độ dòng quang điện là
Ip= Pin.RAPD = 479,8 (nW)

30 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Bài 4.4:
Đáp ứng của bộ thu quang APD là
RAPD = R .M = ηλM / 1,24 = 51,41
Cường độ dòng quang điện là
Ip= Pin.RAPD = 514,1 (nW)
Công suất tín hiệu điện :
1
Pe = Ip2.RL = Ip2. = 9,35 .10-11 W
2 πΔfC

Công suất nhiễu nổ

1
Pσs = σs2RL = 2qM2Fa(Ip+Id)Δf.
2 πΔfC
1
= 2qM2+0,3(Ip+Id)Δf.. = 1,73.10-10 W
2 πΔfC
Công suất nhiễu nhiệt (thiếu dữ kiện nhiệt độ)
PσT = σT2RL= (4kBT / RL)FnΔf .RL
= 4kBT.FnΔf = 4kBT.1.Δf
= T.4,15.10-15 W
SNR của bộ thu APD ở giới hạn nhiễu nổ :
SNR = Ip2 / σs2 = 0,534
SNR của bộ thu APD ở giới hạn nhiễu nhiệt:
SNR = Ip2 / σT2 = 22587,67 / T
Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-12 là (với Q = 7)
Q
Prec = ¿)
R

Prec =4,55 .10-9 W

Bài 4.5
Đáp ứng của bộ thu quang là
R = ηλ / 1,24 = 0,55
Điện trở tải của bộ thu quang :
1
R l= = 589,46 Ω
2 πΔfC
31 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Dòng nhiễu nổ :
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2q(RPin+Id)Δf =
σs = 1,78 .10-9 A
Dòng nhiễu nhiệt :
σT2 = (4kBT / RL)FnΔf=(4kB.298 / RL).100,3.Δf
σT = 5,01.10-9 A
năng lượng dải cấm lớn nhất của thể của vật liệu photo diot là :
Eg = h.c / λ = 2,33.10-19 w
SNR của bộ thu quang là :
SNR =IP2 / σ2 = IP2 / (σT2 + σs2) = 1712,15
Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-12 (với Q = 7) trong giới hạn nhiễu
nhiệt là : σT2 >> σs2,

σT
(Prec)pin ≈ Q .
R

Prec= 6,37.10-8 W
Bài 4.6

Số e được tạo ra I /q hf
Hiệu suất lượng tử η = = p = R (η<1)
Các photon đitới P ¿ /hf q
η = 2 / 3 = 0,67
Điều kiện để PIN hoạt động là :
λ = 1,3 .10-6 < λth = hc/Eg
Vây dải cấm lớn nhất có thể của vật liệu tạo pin là khi λ = λth : Eg max = 1,52 .10-19 w
Đáp ứng của PIN là : R = ηλ / 1,24 = 0,70
SNR của bộ thu ở giới hạn nhiễu nổ :
SNR = Ip2 / σs2 = (RPin)2/2q(RPin+Id)Δf = 43750
SNR của bộ thu ở giới hạn nhiễu nhiệt:
SNR = Ip2 / σT2 = (RPin)2/(4kBT / RL)FnΔf =597,1

32 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-12 (với Q = 7) trong giới hạn nhiễu
nhiệt là : σT2 >> σs2,
σT
(Prec)pin ≈ Q .
R

Prec= 2,87.10-7 W

Bài 4.7:
Hệ số Đáp ứng của bộ thu quang APD là
R = R = ηλ / 1,24 = 0,514
1
Điện trở tải: Rl= = 408,1 Ω
2 πΔfC
Dòng quang điện :
Ip = 1010.1,6.10-19.0,514.Mopt = 8,224.10-10 .Mopt
Giá trị hệ số nhân để bộ thu đạt SNR giá trị cực đại
4.1,38 . 10−23 .298.1
Mopt 2,3
= ;Mopt= 66,22
0,3.1,6 .10−19 .408,1 .(Ip+ Id )

Ip= 5,45.10-8 A

2+ x
4 k B T Fn
M opt ≈
x . q RL ¿ ¿
2
2 ( MRP¿¿ ¿)
Ip ¿
SNR = = 2
2q M . F A ( RP ¿+ I
kB T
2
σs + σT
2
d
) Δ f +4 ( R ) F n Δ f
L

SNR max= 1
Bài 4.8 :
Đáp ứng của PIN là : R = ηλ / 1,24 = 0,63
Điện trở tải của bộ thu quang :
1
R l= = 265,26 Ω
2 πΔfC

Fn= 100,3= 2
Công suất tín hiệu điện :
Pe = Ip2.RL = (R.Pin)2.RL = 1,68 .10-11 W
33 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)
Photo MẠNH HÙNG Số 21 ngõ 1 AO SEN

Công suất nhiễu nổ

Pσs = σs2RL = 2q (Ip+Id)Δf.RL= 2,16.10-15 W
Công suất nhiễu nhiệt
PσT = σT2RL= (4kBT / RL)FnΔf .RL
= 4kBT.FnΔf = 4kBT.100,3.Δf =3,29.10-12 W
SNR của bộ thu:
SNR = Ip2 / σ2 = 5,1
SNR của bộ thu ở giới hạn lượng tử :
SNR = Ip2 / σs2 = (RPin)2/2q(RPin)Δf = 7777,8
SNR của bộ thu ở giới hạn nhiễu nhiệt:
SNR = Ip2 / σT2 = (RPin)2/(4kBT / RL)FnΔf =5,1
Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-9 (với Q = 6) trong giới hạn nhiễu
nhiệt là : σT2 >> σs2,
σT
(Prec)pin ≈ Q .
R

Prec= 1,06.10-6 W

34 | P a g e
Mọi thắc mắc về đáp án xin liên hệ facebook: Nguyễn Mạnh Hùng(Tào Mỗ Minh Chủ)