Chương 2 Sợi quang

Sợi quang là thành phần chính của hệ th ng thông tin quang sợi, chịu trách
nhiệm dẫn ánh sáng mang thông tin dựa trên hiện tượng ph n x nội toàn phần. Mặc
dù hiện tượng ph n x toàn phần đã được biết từ 1854, các sợi quang chỉ được chú
ý đến từ những năm 1950 và có suy hao lớn (~ 1000 dB/km). Từ 1970 khi có những
đột phá về kỹ thuật chế t o sợi quang suy hao thấp (< 20 dB/km), sợi quang bắt đầu
được quan tâm sử dụng cho mục đích thông tin và m ra kỷ nguyên thông tin quang
sợi. Chương này sẽ tập trung vào những khái niệm và những đặc điểm cơ b n của
sợi quang sử dụng trong hệ th ng thông tin. Các đặc tính truyền dẫn quan trọng
trong sợi quang cũng sẽ được mô t và phân tích trong chương này.

2.1 Cấu t o và phân lo i sợi quang

2.1.1 Cấu t o sợi quang

Sợi quang là một ng dẫn sóng điện môi ho t động t i tần s quang. Cấu t o
cơ b n của một sợi quang có d ng hình trụ tròn bao gồm hai lớp chính là lớp lõi sợi
có chiết suất n1 và lớp v sợi bao bọc quanh lõi có chiết suất n2 như mô t trong
hình 2-1. Do ánh sáng truyền trong sợi quang dựa trên nguyên lý ph n x toàn phần
nên chiết suất lớp v ph i nh hơn chiết suất lớp lõi (n2 < n1). Mặc dù về mặt
nguyên lý, một lớp v là không cần thiết cho việc truyền ánh sáng trong sợi nhưng
nó được sử dụng cho một s mục đích như gi m suy hao tán x cũng như c hấp thụ
t i bề mặt lõi, c i thiện đặc tính dẫn sóng của sợi quang.

Lõi Lớp v Lớp bọc đệm

Hình 2-1 Cấu trúc cơ b n của sợi quang

Bên c nh hai lớp cơ b n lõi và v sợi, sợi quang sử dụng trong thực tế còn
được bọc thêm một hoặc một vài lớp bọc đệm bằng vật liệu polyme có tính đàn hồi
cao. Việc bọc thêm lớp bọc đệm này cũng nhằm mục đích gia cư ng thêm cho sợi
18
quang và gi m các khuyết tật trên bề mặt sợi quang, đ m b o kh năng sử dụng
trong môi trư ng thực tế.

2.1.2 Phân lo i sợi quang

Có nhiều kiểu sợi quang khác nhau và cũng có nhiều cách phân lo i sợi
quang. Nhìn chung các sợi quang có thể được phân lo i dựa trên các yếu t cơ b n
sau:
- Dựa vào vật liệu chế t o
- Dựa vào s lượng mode truyền dẫn
- Dựa vào mặt cắt chiết suất
Dựa vào vật liệu chế t o,các lo i sợi quang thư ng được chế t o từ hai lo i
vật liệu trong su t là thủy tinh và nhựa. Các sợi quang sử dụng trong viễn thông đều
được chế t o từ thủy tinh cho c phần lõi và v . Các sợi quang nhựa thư ng có kích
thước lớn và suy hao cao hơn nhiều so với sợi thủy tinh, nhưng có độ bền cơ học t t
hơn. Một s lo i sợi cũng có thể được chế t o có lõi làm bằng thủy tinh, còn lớp v
làm bằng nhựa. Do dựa trên hai lo i vật liệu khác nhau nên cửa sổ truyền dẫn có
suy hao thấp của mỗi lo i không gi ng nhau.
Sợi chiết suất bậc Sợi chiết suất biến đổi

Lớp đệm
Lớp v

Lõi

Kho ng cách chiếu tâm Kho ng cách chiếu tâm

Hình 2-2 Mặt cắt ngang và mặt cắt chiết suất của sợi chiết suất bậc và sợi chiết suất biến
đổi

19
 Dựa vào sự biến đổi chiết suất trong lõi hay d ng mặt cắt chiết suất, sợi
quang có thể được phân thành hai lo i chính: sợi chiết suất bậc (SI – step index) và
sợi chiết suất biến đổi (GI – graded index) như mô t trong hình 2-2. Trong sợi chiết
suất bậc, chiết suất trong lõi sợi là một hằng s hay không thay đổi trên toàn bộ mặt
cắt lõi sợi. Như vậy chiết suất chỉ thay đổi t i tiếp giáp giữa lõi và v t o ra sự thay
đổi d ng bậc. Còn đ i với sợi chiết suất biến đổi, chiết suất trong lõi biến đổi theo
kho ng cách từ tâm sợi ra ngoài biên tiếp giáp với xu hướng chiết suất t i tâm lõi là
lớn nhất và gi m dần về phía biên giữa lõi và v .
Dựa theo s lượng mode truyền, các sợi quang có hai lo i cơ b n đó là: sợi
đa mode hỗ trợ nhiều mode truyền trong sợi và sợi đơn mode chỉ hỗ trợ duy nhất
một mode truyền cơ b n. Khái niệm mode truyền sẽ được đề cập đến trong phần
sau.
Do sợi quang sử dụng trong viễn thông đều là các sợi thủy tinh nên dựa trên
hai yếu t mặt cắt chiết suất và s lượng mode, các sợi quang được phân thành ba
lo i sợi chính: sợi đa mode chiết suất bậc, sợi đa mode chiết suất biến đổi và sợi
đơn mode. Hình 2-3 cho thấy đặc điểm cấu trúc của ba lo i sợi quang này. Các đặc
tính truyền dẫn của ba lo i sợi sẽ được đề cập chi tiết trong những phần sau.
Mặt cắt chiết suất Mặt cắt sợi quang và quỹ đ o các tia Kích thước điển hình

Sợi đơn mode

Sợi đa mode chiết suất bậc

Sợi đa mode chiết suất biến đổi

Hình 2-3 So sánh cấu trúc các lo i sợi quang cơ b n sử dụng trong viễn thông

Ngoài các cách phân lo i cơ b n sợi quang trên, sợi quang cũng có thể
được phân lo i theo nhiều cách khác tùy theo mục đích sử dụng hay tính năng của
sợi. Nếu dựa vào đặc tính truyền dẫn các sợi quang có thể có thêm các lo i sợi dịch
tán sắc (DSF) có đặc tính tán sắc thay đổi so với sợi chuẩn, sợi bù tán sắc (DCF) sử
dụng để bù nh hư ng của tán sắc, sợi duy trì phân cực cho phép duy trì tr ng thái

20
phân cực của tín hiệu khi lan truyền, sợi phi tuyến (HNLF) có hệ s phi tuyến cao
dùng trong các ứng dụng xử lý tín hiệu quang. Dựa vào cấu trúc đặc biệt hiện nay
có các lo i sợi tinh thể photonic (PCF) hay còn gọi là sợi vi cấu trúc có lớp v và c
vùng lõi trong vài trư ng hợp chứa các lỗ không khí ch y dọc theo sợi. Sự sắp xếp
cấu trúc trong một PCF sẽ xác định đặc tính dẫn ánh sáng của sợi.

2.2 Truyền sóng ánh sáng trong sợi quang

2.2.1 Mô t theo quang hình học

Quá trình dẫn ánh sáng trong sợi quang có thể được hiểu một cách đơn gi n
qua lý thuyết quang hình. Mặc dù lý thuyết này chỉ là một sự mô t gần đúng cho
quá trình dẫn sóng ánh sáng nhưng có thể sử dụng đ i với sợi có bán kính lõi a lớn
hơn nhiều so với bước sóng ánh sáng . Do vậy lý thuyết này thư ng chỉ đúng đ i
với sợi quang đa mode.
a. Sợi chiết suất bậc (SI)
Trong sợi chiết suất bậc, cơ chế truyền dẫn ánh sáng có thể được mô t cơ
b n b i b i lý thuyết tia như trong hình 2-4. Tia sáng đi vào trong lõi sợi từ môi
trư ng ngoài có chiết suất n0 t i một góc i so với trục sợi. Do chiết suất môi trư ng
ngoài thư ng nh hơn chiết suất lõi sợi nên tia sáng bị khúc x về phía trục sợi với
góc khúc x r được xác định qua định luật Snell:

n0 sin  i  n1 sin  r (2.1)

Tia sáng sau đó tới bề mặt tiếp giáp giữa lõi và v với một góc tới . Nếu góc tới
nh hơn một góc tới h n c thì tia sáng sẽ bị khúc x ra ngoài v , còn nếu lớn hơn
góc tới h n thì tia sáng sẽ ph n x toàn phần trong lõi sợi và lan truyền trong sợi
quang. Góc tới h n cũng được xác định qua định luật Snell:
sin c  n2 n1 (2.2)

Như vậy chỉ có những tia sáng đi vào sợi có góc >c mới bị giam hãm trong sợi
thông qua ph n x toàn phần. Từ hai phương trình (2.1) và (2.2), góc lớn nhất của
tia sáng đi vào và bị giam hãm trong sợi được xác định b i:

n0 sin  i  n1 cos c  n12  n22 

12
(2.3)

đây  =  2 −  được sử dụng. Phương trình (2.3) cũng định nghĩa khẩu độ s
(Numerical apature - NA) của sợi chiết suất bậc:

21
 NA  n1 2  ,
12
  n1  n2  n1 (2.4)

đây  là độ lệch chiết suất tương đ i giữa lõi và v . Vì khẩu độ s liên quan đến
góc vào sợi quang lớn nhất của tia sáng nên nó đặc trưng cho kh năng tiếp nhận
ánh sáng của sợi quang và nh hư ng đến hiệu suất ghép cặp công suất quang của
sợi.

Tia không dẫn

Chiết suất lõi n1 Tia dẫn

Chiết suất v n2

Hình 2-4 Mô t quang hình cơ chế lan truyền ánh sáng trong sợi SI

Đứng trên quan điểm lý thuyết tia, mode sợi quang có thể xem như là một
lo i tia sáng lan truyền trong sợi t i một góc xác định. Như vậy ánh sáng đi vào sợi
đa mode chiết suất bậc sẽ lan truyền trên nhiều mode hay nói cách khác nó sẽ lan
truyền trên nhiều tia sáng với các góc lan truyền khác nhau. Do chiết suất lõi trong
sợi chiết suất bậc là không thay đổi nên các tia sáng đi thẳng trong lõi và chỉ ph n
x toàn phần t i bề mặt giữa lõi và v t o ra quỹ đ o của các tia sáng có d ng đư ng
zig-zac. Các tia lan truyền t i các góc khác nhau sẽ có quãng đư ng đi khác nhau
gây ra tán sắc mode làm méo d ng xung quang khi lan truyền.
Có 2 lo i tia sáng lan truyền trong sợi quang: tia kinh tuyến (tia thẳng) và tia
xiên. Các tia kinh tuyến là các tia bị giam hãm trong mặt phẳng đi qua trục tâm sợi.
Một tia kinh tuyến xác định chỉ ph n x toàn phần dọc theo sợi quang trong một
mặt phẳng đơn.
Các tia xiên không bị giam hãm trong một mặt phẳng đơn đi qua tâm mà có
đư ng đi d ng xoáy c dọc theo sợi quang như mô t trong hình 2-5. Mặc dù sợi hỗ
trợ c tia xiên, nhưng các tia này thư ng dễ bị tán x kh i sợi những chỗ bị u n
cong hay khuyết tật và chúng cũng tr i qua sự suy hao lớn hơn so với các tia kinh
tuyến.

22
 Quỹ đ o tia được chiếu
trên bề mặt đầu sợi

Quỹ đ o tia

Hình 2-5 Mô t hình học sự lan truyền của tia xiên trong sợi quang SI

b. Sợi chiết suất biến đổi

Sợi chiết suất biến đổi có chiết suất lõi gi m dần theo kho ng cách từ tâm

 
sợi. Một cách tổng quát, mặt cắt chiết suất của sợi được mô t b i:

n1 1  (r / a) ; ra

n( r )  
 n1 (1  )  n2 ra
(2.5)

trong đó  là hệ s mặt cắt chiết suất xác định d ng biến đổi của mặt cắt chiết suất
trong lõi sợi, a là bán kính lõi sợi, r là kho ng cách xuyên tâm. Hầu hết các sợi chiết
suất biến đổi có d ng mặt cắt parabol hay  = 2.
Do chiết suất biến đổi bên trong lõi nên khẩu độ s của sợi chiết suất biến
đổi cũng là một hàm của vị trí trên mặt cắt lõi sợi. Khẩu độ s t i vị trí r xác định

 
b i:


 n 2 (r )  n22  NA(0) 1  (r / a) ; ra
NA(r )  
12


0 ra
(2.6)

trong đó NA(0) là khẩu độ s t i tâm sợi


NA(0)  n 2 (0)  n22 
12

 n12  n22 
12
 n1 2 (2.7)

Như vậy khẩu độ s của sợi GI gi m dần từ NA(0) xu ng đến 0 khi r dịch từ trục
sợi tới biên giữa lõi và v .
Sự biến đổi chiết suất của lõi cũng làm cho tia sáng trong lõi sợi không
truyền thẳng mà bị u n cong đi. Quỹ đ o của tia có thể được mô t gần đúng b i
phương trình:


d 2 r 1 dn
(2.8)
dz 2 n dr

23
trong đó r là kho ng cách của tia so với trục. Đ i với trư ng hợp  = 2, nghiệm của
phương trình (2.8) có d ng:

= 0 cos +( 0 )sin⁡
( ) (2.9)

trong đó p = (2/a2)1/2 và r0 và r0’ là vị trí và hướng của tia đi vào sợi tương ứng.
Như vậy trong sợi GI quỹ đ o các tia sáng có d ng đư ng cong hình sin như mô t
hình 2-6. Phương trình (2.9) cũng cho thấy các tia sẽ phục hồi vị trí và hướng ban
đầu của chúng t i kho ng cách z = 2m/p, trong đó m la một s nguyên. Do vậy về
mặt nguyên tắc, sợi mặt cắt parabol sẽ không biểu thị tán sắc mode. Trong thực tế,
sợi chiết suất biến đổi vẫn có tán sắc mode nhưng nh hơn nhiều so với sợi chiết
suất bậc.
Cũng như sợi SI, có hai lo i tia gồm tia kinh tuyến và tia xoắn được hỗ trợ
lan truyền trong sợi. Các tia xoắn sẽ không đi qua trục sợi và cũng bị u n cong khi
lan truyền t o thành các vòng xoắn chiếu trên mặt cắt lõi sợi.

Hình 2-6 Quỹ đ o của tia sáng trong sợi GI

2.2.2 Lý thuyết truyền sóng

Để hiểu được b n chất mode truyền ánh sáng và các đặc tính truyền dẫn
kháctrong sợi quang, đặc biệt trong sợi đơn mode, lý thuyết truyền sóng sử dụng hệ
phương trình Maxwell cần được sử dụng.
a. Hệ phương trình Maxwell
Cũng như tất c các hiện tượng sóng điện từ, quá trình lan truyền của trư ng
quang trong sợi được mô t b i hệ phương trình Maxwell. Trong một môi trư ng
điện môi không có điện tích tự do, hệ phương trình này có d ng:

(2.10)

(2.11)

(2.12)
24
 (2.13)
trong đó E và H là các vec tơ cư ng độ điện trư ng và từ trư ng tương ứng, D và B
là các vec tơ c m ứng điện và từ tương ứng. Các vec tơ c m ứng liên hệ với các vec
tơ cư ng độ trư ng qua các hệ thức sau:

(2.14)

(2.15)

đây 0 là hằng s điện môi chân không, µ0 là hằng s từ môi hay độ từ thẩm chân
không, P và M là các vec tơ phân cực điện và từ tương ứng. Đ i với sợi quang M =
0 còn vec tơ phân cực điện P trong điều kiện tuyến tính liên hệ với E qua:

(2.16)

Hệ s c m ứng điện  nhìn chung là một tensor h ng hai, nhưng trong môi trư ng
đẳng hướng như thủy tinh chế t o sợi nó rút gọn thành đ i lượng vô hướng.
Các phương trình (2.1)-(2.7) cung cấp một hệ thức tổng quát cho việc nghiên
cứu quá trình truyền sóng trong sợi quang. Để thuận tiện các biến đổi chỉ sử dụng
đ i lượng điện trư ng E vì đ i lượng H cũng có các biến đổi tương tự. Bằng việc
lấy curl ptr. (2.10) và sử dụng các ptr. (2.11), (2.14) và (2.15), phương trình sóng
tiêu chuẩn thu được:

(2.17)

trong đó t c độ ánh sáng trong chân không được định nghĩa b i c = (µ00)-1/2. Lấy
khai triển Fourier E(r,t) qua hệ thức:

(2.18)
cũng như tương tự đ i với P(r,t) và sử dụng ptr. (2.16), ptr. (2.17) có thể được viết
trong miền tần s như sau:

(2.19)
trong đó hằng s điện môi phụ thuộc tần s được định nghĩa như sau:

(2.20)

25
(�, ) là khai triển Fourier của (r,t). Một cách tổng quát, (r,) là phức. Các
thành phần thực và o của nó liên hệ với chiết suất n và hệ s hấp thụ  qua biểu
thức:

  n  ic 2 2 (2.21)

Sử dụng các ptr. (2.20) và (2.21), n và  liên hệ với  như sau:

n  1  Re ~ 
1/ 2
(2.22)

   nc Im ~ (2.23)

trong đó Re và Im ký hiệu cho phần thực và o tương ứng. C hai đ i lượng n và 

đều phụ thuộc tần s . Sự phụ thuộc tần s của n liên quan đến hiệu ứng tán sắc vật
liệu trong sợi quang.
Trước khi gi i phương trình (2.19), một s gần đúng được thực hiện để đơn
gi n hóa phương trình. Trước hết,  có thể được lấy phần thực và thay thế bằng n2
vì suy hao nh trong sợi quang thủy tinh. Thứ hai, vì n(r,) độc lập với tọa độ
không gian r c lõi và v trong sợi SI, ta có thể sử dụng đẳng thức:

(2.24)

đây ptr. (2.12) và hệ thức =  được sử dụng để đặt . = 0. Ptr. (2.24) có thể
vẫn đúng cho các sợi GI khi sự biến đổi chiết suất x y ra cỡ độ dài dài hơn bước
sóng. Bằng cách sử dụng (2.24) vào (2.19), ta thu được:

(2.25)
trong đó hệ s sóng không gian tự do k0 được định nghĩa như sau:

k0   c  2  (2.26)

và  là bước sóng của trư ng quang trong chân không dao động t i tần s . Một
phương trình sóng cho đ i lượng vec tơ cư ng độ từ trư ng H cũng thu được theo
cách tương tự. Các phương trình sóng này cần được gi i để thu được các mode
trong sợi quang.
b. Các mode sợi quang
Một mode quang được xem là một nghiệm của phương trình sóng th a mãn
các điều kiện biên phù hợp và có thuộc tính d ng phân b năng lượng trong không
gian không thay đổi khi lan truyền. Các mode sợi quang có thể được phân lo i thành
các mode dẫn, các mode dò và các mode bức x . Các mode dò chỉ bị giam hãm một
26
phần trong lõi và dễ bị suy hao do bức x công suất kh i lõi khi lan truyền, còn các
mode bức x không bị giam hãm trong lõi mà bị bức x ra ngoài v . Do vậy các
mode dẫn là các mode được mong đợi để truyền dẫn ánh sáng trong sợi quang.
Để xác định các mode trong sợi quang, xét trư ng hợp sợi SI trong hệ tọa độ
trụ như cho trong hình 2-7. Vec tơ cư ng độ điện trư ng và từ trư ng trong hệ tọa
độ trụ là:

(2.27)

Lõi
sợi

Trục
sợi
Chiều sóng lan truyền

Hình 2-7Hệ tọa độ trụ trong phân tích lý thuyết truyền sóng trong sợi SI

Phương trình sóng (2.25) trong hệ tọa độ trụ tr thành:

(2.28)
trong đó toán tử Laplace có d ng:

1     1 2 2
2  r   2 
r r  r  r  2 z 2
(2.29)

Phương trình tương tự cũng thu được đ i với H. Vì chỉ có hai thành Ez và Hz là độc
lập, các thành phần khác Er, E, Hr và H có thể thu được từ các thành phần này. Do
vậy, phương trình sóng cho thành phần z thu được từ (2.28):

 2 E z 1 E z 1  2 E z  2 E z
  2   n 2 k 02 E z  0
r r r r  z
2 2 2
(2.30)

với chiết suất có d ng:

n ; ra
n( r )   1
 n2 ; ra
(2.31)

27
Phương trình (2.30) dễ dàng gi i được bằng cách sử dụng phương pháp tách biến và
viết Ez thành:

Ez  F (r )( )Z ( z) (2.32)

Thay (2.32) vào (2.30) ta sẽ thu được ba phương trình vi phân thư ng:

d 2 Z dz 2   2 Z  0 (2.33)

d 2  d 2  m2   0 (2.34)

d 2 F 1 dF  2 2 m2 
      F  0
dr 2 r dr  r 2 
2
n k 0 (2.35)

Phương trình (2.33) có nghiệm = (  ), trong đó  gọi là hằng s lan

truyền. Tương tự, ptr. (2.34) có nghiệm  = ( ) với m là các s nguyên vì
trư ng biến đổi tuần hoàn theo  với chu kỳ 2.
Phương trình (2.35) là phương trình vi phân th a mãn b i các hàm Bessel.
Nghiệm tổng quát trong các vùng lõi và v sợi có thể được viết thành:

 AJ (pr)  AYm (pr) ; ra

F (r )   m
CK m(pr)  C I m (pr) ; ra
(2.36)

trong đó A, A’, C và C’ là các hằng s và Jm, Ym, Km và Im là các lo i hàm Bessel

khác nhau. Các tham s p và q được định nghĩa như sau:

p 2  n12 k02   2 (2.37)

q 2   2  n22 k02 (2.38)

Áp dụng điều kiện biên đ i với trư ng quang của một mode dẫn trong đó trư ng sẽ
hữu h n t i r = 0 và suy gi m về không t i r = . Vì Ym(pr) có điểm kì dị t i r = 0,
nên F(0) có thể duy trì hữu h n chỉ nếu A’ = 0. Tương tự, F(r) triệt tiêu t i vô cùng
chỉ nếu C’ = 0. Do vậy, nghiệm tổng quát của ptr. (2.30) có d ng:

 AJ (pr)exp(im )exp(iβz) ra

Ez   m
CK m (qr)exp(im )exp(iβz) ra
(2.39)

Tương tự, thành phần Hz có thể thu được với các hằng s B và D có d ng:

 BJ (pr)exp(im )exp(iβz) ra

Hz   m
DKm (qr)exp(im )exp(iβz) ra
(2.40)

28
B n thành phần khác Er, E, Hr và H có thể thu được từ Ez và Hz bằng cách sử dụng
các phương trình Maxwell. Đ i với vùng lõi sợi ta có:

 E z  H z 
Er     0 
r 
1
 r 
(2.41)
p2

1   E z H z 
E  
2 
  0 
p  r  r 
(2.42)

1  H z  E z 
Hr  
2 
  0n2 
p  r r  
(2.43)

  H z E 
H     0 n 2 z 
 r 
1
r 
(2.44)
p2

Các phương trình này có thể được sử dụng trong lớp v sợi sau khi thay p2 bằng –
q2 .
Các phương trình (2.39)-(2.44) biểu thị trư ng điện từ trong vùng lõi và v
sợi quang theo b n hằng s A, B, C và D. Các hằng s này được xác định bằng cách
áp dụng điều kiện biên mà các thành phần trư ng ph i liên tục qua tiếp giáp giữa lõi
và v . Từ điều kiện liên tục của Ez, Hz, E và H t i r = a ta thu được b n phương
trình đồng nhất th a mãn b i A, B, C,và D. Một nghiệm của các phương trình này
chỉ tồn t i chỉ khi định thức của ma trận hệ s bằng 0. Sau một s bước biến đổi đ i
s ta thu được phương trình trị riêng:

 J m  pa  K m qa    J m  pa  n22 K m qa   m 2  1 1  1 n22 1 

        (2.45)
 pJ m  pa  qK m qa    pJ m  pa  n1 qK m qa   a  p
   2 
2 2
q 2  p 2 n12 q 2 

Đ i với một tập tham s k0, a, n1 và n2 xác định, ptr. (2.45) có thể được gi i để xác
định hằng s lan truyền . Do đặc tính biến đổi tuần hoàn của hàm Bessel lo i J nên
nó có thể có n nghiệm đ i với mỗi giá trị m. Các nghiệm này được ký hiệu mn cho
một giá trị m xác định (n = 1, 2, …). Mỗi giá trị mn tương ứng với một mode lan
truyền có thể của trư ng quang mà d ng phân b không gian thu được từ các ptr.
(2.39)-(2.44). Vì phân b trư ng không thay đổi khi lan truyền ngo i trừ một hệ s
pha và th a mãn tất c các điều kiện biên nên đó chính là một mode của sợi quang.
Nhìn chung c hai Ez và Hz đều khác không (ngo i trừ m = 0), khác với các ng dẫn
sóng phẳng. Do đó các mode sợi quang thư ng là các mode lai ghép và ký hiệu
HEmn hoặc EHmn phụ thuộc vào Hz hay Ez chiếm ưu thế. Trong trư ng hợp đặc biệt
m = 0, các mode thư ng được ký hiệu TE0n và TM0n vì tương ứng với các mode

29
truyền điện ngang (Ez = 0) và từ ngang (Hz = 0) tương ứng. Khi m  0 phương trình
(2.45) cần sử dụng phương pháp s hoặc gần đúng dẫn sóng yếu (n1 – n2<< 1) để
tìm nghiệm.
Một mode được xác định b i một hằng s lan truyền duy nhất của nó, do vậy
sẽ tiện dụng khi đưa ra một đ i lượng =  0 gọi là chỉ s mode hoặc chiết suất
hiệu dụng đặc trưng cho sự lan truyền của mỗi mode và có giá trị trong d i 1 >
> 2. Một mode dừng được dẫn hay không còn liên kết với lõi sợi khi
 2.Điều này dễ hiểu khi lưu ý trư ng quang của các mode dẫn suy gi m hàm mũ
trong lớp v vì:

K m (qr )  ( 2qr )1 2 exp( qr ) cho qr  1 (2.46)

Khi  từ (2.38) ta có 2
 0 và suy gi m hàm mũ không x y ra. Mode đ t đến
tr ng thái cắt khi q  0 hoặc khi = 2 . Một tham s quan trọng liên quan đến
2

điều kiện cắt là tần s chuẩn hóa hay cũng gọi là tham s V:

 2a  2  2a 
V 2  ( p 2  q 2 )a 2    (n1  n2 )    NA
2 2

     
2 2
(2.47)

đây là một s đặc trưng cho sợi quang, không đơn vị và xác định s lượng mode mà
một sợi có thể hỗ trợ. S lượng mode có thể tồn t i trong sợi quang như là một hàm
của V có thể được biểu diễn thuận tiện theo hằng s lan truyền chuẩn hóa b như sau:
 k 0  n2 n  n2
b 
n1  n2 n1  n2
(2.48)
Hằng s chuẩn hóa b

Tần s chuẩn hóa V

Hình 2-8 Đồ thị hằng s lan truyền chuẩn hóa b phụ thuộc vào tham s V của một s mode
sợi quang bậc thấp.

30
Hình 2-8 cho thấy đồ thị của b như một hàm của V đ i với một s mode bậc thấp.
Mỗi mode dẫn chỉ có thể tồn t i khi V lớn hơn một giá trị xác định được gọi là V
cắt (Vc) của mode. Vì giá trị V là hàm của bước sóng  nên tương ứng với Vc sẽ có
bước sóng cắt (c) tương ứng trong một sợi quang xác định.
Một sợi có giá trị V lớn sẽ hỗ trợ nhiều mode như trong sợi đa mode. Đ i với
sợi MM-SI, s lượng mode truyền được xác định:

2 2 a 2
M (n  n ) 
V2
2
2 2
1 2 (2.49)
2

Còn đ i với sợi MM-GI với hệ s mặt cắt chiết suất , s lượng mode truyền được
tính gần đúng:

  V2
M a 2 k 02 n12  
 2  2 2
(2.50)

Sợi MM-GI thư ng sử dụng mặt cắt chiết suất parabol ( = 2), trong trư ng hợp
này s lượng mode M = V2/4 hay bằng một nửa so với sợi MM-SI có cùng V.
c. Mode phân cực tuyến tính
Trong trư ng hợp gần đúng sợi quang dẫn sóng yếu tức là khi độ lệch chiết
suất giữa lõi và v là rất nh (<< 1), các mẫu phân b trư ng và hằng s lan truyền
của các cặp mode HEm+1n và EHm-1n là tương tự nhau. Đặc điểm này cũng đúng cho
ba lo i mode TE0n, TM0n và HE2n. Khi << 1 ta có k12 k222 và ptr. (2.45) được
viết l i thành

 0
pJ j 1 ( pa) qK j 1 (qa)
(2.51)
J j ( pa) K j (qa)

trong đó

1

cho các mode TE và TM
j  m 1
 m 1
cho các mode EH (2.52)
 cho các mode HE

Các ptr. (2.51) và (2.52) cho thấy rằng trong gần đúng dẫn sóng yếu tất c các mode
được đặc trưng b i một tập j và n chung, th a mãn cùng phương trình đặc trưng.
Điều này mu n nói rằng các mode bị suy biến. Như vậy một mode HEm+1n suy biến
với một mode EHm-1n và bất kỳ tổ hợp nào giữa mode HEm+1n với mode EHm-1n sẽ
t o thành một mode dẫn trong sợi quang.

31
 Các mode suy biến như vậy được gọi là các mode phân cực tuyến tính (LP)
và ký hiệu là LPjn. Hằng s lan truyền chuẩn hóa b là hàm của V đ i với một s
mode LPjn cho trong hình 2-9 và có d ng như sau:
- Mỗi mode LP0n thu được từ một mode HE1n
- Mỗi mode LP1n thu được từ các mode TE0n, TM0n và HE2n

- Mỗi mode LPmn (m  2) thu được từ một mode HEm+1n và một mode
EHm-1n
B ng 2-1cho thấy mư i mode LP bậc thấp nhất và các mode suy biến tương ứng.

Hình 2-9 Đồ thị b là hàm của tham s V của một s mode phân cực tuyến tính LP bậc thấp
B ng 2-1 B ng thành phần của các mode phân cực tuyến tính bậc thấp nhất

Ký hiệu mode truyền th ng

Ký hiệu mode LP S lượng mode suy biến
và s lượng mode
LP01 HE11x2 2
LP11 TE01, TM01, HE21x2 4
LP21 EH11x2, HE31x2 4
LP02 HE12x2 2
LP31 EH21x2, HE41x2 4
LP12 TE02, TM02, HE22x2 4
LP41 EH31x2, HE51x2 4
LP22 EH12x2, HE32x2 4
LP03 HE13x2 2
LP51 EH41x2, HE61x2 4

32
 Một điểm nổi bật của ký hiệu mode LP là kh năng hiển thị mode dễ dàng.
Vec tơ cư ng độ điện trư ng E có thể được chọn nằm dọc theo một trục bất kì, với
vec tơ từ trư ng H vuông góc với nó. Từ một kí hiệu mode LPjn thì b n mẫu phân
b mode r i r c có thể thu được. Hình 2-10cho thấy một ví dụ về b n chiều điện và
từ trư ng có thể và phân b cư ng độ trư ng tương ứng đ i với mode LP11. Một s
d ng mặt cắt phân b cư ng độ của một s mode LP bậc thấp được cho trong hình
2-11 và hình 2-12 cho thấy d ng phân b cư ng độ trư ng 3D của hai mode LP bậc
thấp nhất.

Phân b cư ng độ

Lõi sợi

Hình 2-10 B n kh năng định hướng điện trư ng và từ trư ng ngang và các phân b cư ng
độ trư ng tương ứng đ i với mode LP11.

Đ i với một mode xác định, trư ng điện từ không suy gi m về không t i tiếp
giáp lõi và v sợi mà thay đổi từ d ng dao động trong lõi sợi sang d ng suy gi m
hàm mũ trong v sợi. Như vậy, năng lượng điện từ của một mode dẫn được mang
một phần trong lõi và một phần ngoài v sợi. Một mode càng cách xa kh i tr ng
thái cắt của nó thì năng lượng của mode đó càng tập trung nhiều trong lõi. Khi tiến
đến gần tr ng thái cắt, năng lượng trư ng mode càng đi nhiều sang lớp v . Dựa vào
gần đúng mode dẫn sóng yếu, tỉ lệ tương đ i công suất lõi và công suất v sợi đ i
với một mode j cụ thể được xác định b i:

Pcore  p 2  
 1    
J 2j ( pa)
 V 2  J j 1 ( pa) J j 1 ( pa) 
1 (2.53)
P

 1  core
Pclad P
và (2.54)
P P

33
 đây P là công suất tổng của mode j. Quan hệ giữa tỉ phần công suất Pcore/P và
Pclad/P đ i với các mode LPjn khác nhau được cho trong hình 2-13. Nếu gi sử mỗi
mode được kích thích một lượng công suất như nhau, thì tổng công suất lớp v
trung bình gần đúng b i:

 Pclad 
   M
4 1/ 2
 P total 3
(2.55)

trong đó M là tổng s mode vào trong sợi. Từ hình 2-13 và ptr. (2.55) có thể thấy
rằng, vì M tỉ lệ với V2 nên tỉ phần công suất trong v gi m dần khi V tăng.

Hình 2-11 D ng mặt cắt phân b cư ng độ trư ng của một s mode LPlm trong sợi quang
SI

Hình 2-12 Hình nh 3 chiều phân b cư ng độ trư ng của 2 mode bậc thấp nhất LP01 và
LP11

34
 Hình 2-13 Tỉ phần công suất trong lớp v của sợi quang SI như là một hàm của V.

d. Sợi đơn mode

Các sợi đơn mode chỉ hỗ trợ mode HE11 hay còn gọi là mode cơ b n của sợi
quang. Sợi quang đơn mode được thiết kế để tất c các mode bậc cao hơn khác đều
bị cắt t i bước sóng ho t động. Tham s V xác định s lượng mode được hỗ trợ
trong một sợi quang. Mode cơ b n không bị cắt và luôn được hỗ trợ b i sợi quang.
Điều kiện đơn mode được xác định b i giá trị V t i đó các mode TE01 và TM01 đ t
đến tr ng thái cắt (xem hình 2-8). Điều kiện cắt của hai mode này được xác định
đơn gi n b i J0(V) = 0. Giá trị nh nhất của Vc để J0(Vc) = 0 là 2,405. Do vậy điều
kiện đơn mode của sợi quang sẽ là:
2a
V (n12  n22 )1 2  2,405

(2.56)

Chỉ s mode t i bước sóng ho t động có thể thu được từ ptr. (2.48) theo đó
ta có:
n  n2  bn1  n2   n2 1  b (2.57)

và bằng sử dụng hình 2-8 để xác định b như là hàm của V đ i với mode HE11. Một
biểu thức gi i tích gần đúng của b cho mode cơ b n có được:

bV   1,1428  0,9960 V 

2
(2.58)

có độ chính xác trong kho ng 0,2% đ i với V trong d i 1,5 – 2,5.

Phân b trư ng của mode cơ b n thu được bằng việc sử dụng các ptr. (2.39)-
(2.44). Các thành phần trục Ez và Hz là rất nh khi <<1, do vậy mode HE11 gần
đúng bị phân cực tuyến tính đ i với các sợi quang dẫn yếu và kí hiệu là LP01. Đ i
với một mode phân cực tuyến tính, một trong các thành phần ngang có thể lấy bằng

35
không. Nếu ta đặt Ey = 0, thì thành phần điện trư ng Ex đ i với mode HE11 được xác
định b i:

 J (pr) J 0 (pa)exp(iβz) ra

K 0 (qr) K 0 (qa)exp(iβz)
E x  E0  0
ra
(2.59)

trong đó E0 là một hằng s liên hệ với công suất được mang b i mode. Thành phần
trội hơn của từ trư ng tương ứng được xác định b i � = 2 ( 0 0 )1 2
. Mode
này bị phân cực tuyến tính dọc theo trục x. Sợi cũng hỗ trợ một mode khác phân
cực tuyến tính dọc theo trục y. Như vậy một sợi đơn mode thực sự hỗ trợ hai mode
phân cực trực giao nhau, chúng bị suy biến và có cùng chỉ s mode.

Đư ng kính
trư ng
mode 2w

Hình 2-14 Phân b trư ng quang của mode cơ b n trong sợi đơn mode

Phân b trư ng trong (2.59) thư ng được tính gần đúng theo phân b Gauss:

E x  A exp( r 2 / w2 ) exp(iz ) (2.60)

trong đó w là bán kính trư ng mode được xác định bằng cách fit phân b chính xác
theo hàm Gauss. Hình 2-14 mô t sự phân b trư ng và khái niệm đư ng kính
trư ng mode (2w). Sự phụ thuộc w/a vào tham s V được cho thấy trong hình 2-15.
Bán kính trư ng mode cũng có thể được xác định từ gần đúng gi i tích có độ chính
xác kho ng 1% đ i với 1,2 < V < 2,4 như sau:

w a  0,65  1,619V 3 / 2  2,879V 6 (2.61)

Diện tích hiệu dụng được định nghĩa như = 2

là một tham s quan trọng
của sợi quang ví nó xác định ánh sáng bị giam hãm trong lõi chặt mức độ nào và
liên quan đến hiệu ứng phi tuyến trong sợi.
Tỉ phần công suất chứa trong lõi sợi có thể được xác định b i hệ s giam
hãm:

36
 E
a

 2a 2 
2
rdr
  core   1  exp   2 
x
P


 w 

0
(2.62)
Ptotal 2
E x rdr
0

Các phương trình (2.61) và (2.62) có thể xác định tỉ phần công suất của mode bên
trong lõi cho một giá trị V xác định. Mặc dù gần 75% công suất bên trong lõi đ i
với V = 2, nó sẽ gi m chỉ còn 20% đ i với V = 1. Do vậy các sợi quang đơn mode
trong viễn thông thư ng được thiết kế để ho t động trong ph m vi 2 < V < 2,4.

r/a

Hình 2-15 Bán kính trư ng mode chuẩn hóa w/a như là một hàm của tham s V thu được
bằng fit mode cơ b n với hàm phân b Gauss.

2.3 Suy hao trong sợi quang

Suy hao là một trong những đặc tính quan trọng của sợi quang nh hư ng
đến thiết kế hệ th ng thông tin quang vì nó xác định kho ng cách truyền dẫn t i đa
giữa bộ phát quang và bộ thu quang hoặc bộ khuyếch đ i quang trên đư ng truyền.

2.3.1 Hệ số suy hao sợi quang

Khi ánh sáng lan truyền trong sợi quang, công suất sẽ gi m dần d ng hàm
mũ theo kho ng cách. Nếu P(0) là công suất quang đi vào trong sợi (t i z = 0) thì
công suất P(z) t i kho ng cách z sẽ gi m xu ng b i:
P( z )  P(0) exp( p z ) (2.63)

trong đó:

 P(0) 
 p  ln 
z  P( z ) 
1
(2.64)

37
là hệ s suy hao của sợi quang có đơn vị là m-1 hoặc km-1. (Chú ý đơn vị cho 2zp
cũng có thể được gọi là neper).
Để đơn gi n trong tính toán suy hao tín hiệu trong sợi quang, hệ s suy hao
thư ng sử dụng đơn vị dB/km và được xác định b i:

 P(0) 
 (dB / km)  log10    4,343 p (km1 )
10
 P( z ) 
(2.65)
z

Tham s này được xem như là tham s đặc trưng cho suy hao sợi quang và phụ
thuộc vào bước sóng. Khi công suất quang sử dụng đơn vị dBm thì hệ s suy hao có
thể được xác định b i:

PdBm (0)  PdBm ( z )

 (dB / km) (2.66)
z (km)

2.3.2 Nguyên nhân gây suy hao

Có nhiều nguyên nhân gây suy hao tín hiệu trong sợi quang, trong đó bao
gồm các nguyên nhân chính như suy hao do hấp thụ, suy hao do tán x và suy hao
do u n cong.
a. Quá trình hấp thụ
Quá trình hấp thụ trong sợi quang được phân thành hai lo i chính. Suy hao
do hấp thụ thuần tương ứng với sự hấp thụ của thủy tinh tinh khiết (vật liệu chế t o
sợi), còn suy hao do hấp thụ ngoài gây ra do các t p chất bên trong thủy tinh.
Bất kỳ vật liệu nào đều hấp thụ t i các bước sóng xác định tương ứng với các
tần s cộng hư ng điện tử và dao động liên quan đến các phân tử xác định. Đ i với
các phân tử thủy tinh SiO2, các tần s cộng hư ng điện tử x y ra vùng cực tím
(< 0,4 µm), trong khi các tần s cộng hư ng dao động x y ra vùng hồng ngo i
(> 7 µm). Vì b n chất vô định hình của thủy tinh, các tần s cộng hư ng này
d ng các d i hấp thụ có các đuôi m rộng vào c vùng nhìn thấy. Hình 2-16 cho
thấy hấp thụ vật liệu thuần đ i với thủy tinh trong ph m vi bước sóng 0,8 – 1,6 µm
là nh hơn 0,1 dB/km. Thực tế nó nh hơn 0,03 dB/km trong cửa sổ 1,3 – 1,6 µm
mà hay sử dụng trong các hệ th ng thông tin quang sợi.

38
 Hệ s suy hao (dB/km)

Đo thực nghiệm Hấp thụ

hồng ngo i

Tán x
Rayleigh
Hấp thụ
cực tím
Các khuyết tật
ng dẫn sóng

Bước sóng (m)

Hình 2-16 Phổ suy hao của sợi quang và sự phụ thuộc bước sóng của một s cơ chế suy
hao cơ b n.

Hấp thụ ngoài sinh ra do sự có mặt các t p chất trong nền thủy tinh. Các t p
kim lo i chuyển tiếp như Fe, Cu, Co, Ni, Mn và Cr hấp thụ m nh trong d i bước
sóng 0,6 – 1,6 µm. Lượng t p chất cần được gi m tới mức nh hơn 1 phần tỉ (ppb)
để có được mức suy hao nh hơn 1 dB/km. Thủy tinh có độ tinh khiết cao như vậy
có thể thực hiện được b i các kỹ thuật chế t o hiện đ i. Nguồn hấp thụ ngoài chính
trong các sợi thủy tinh hiện nay là sự có mặt của hơi nước. Một tần s cộng hư ng
của ion OH x y ra gần 2,73 µm, nhưng các tần s hài và các tổ hợp của nó với thủy
tinh t o ra sự hấp thụ t i các bước sóng 1,39-, 1,24- và 0,95-µm. Ba đỉnh phổ được
thấy trong hình 2-16 x y ra gần các bước sóng này và là vì sự có mặt của hơi
nước dư trong thủy tinh. Thậm chí một nồng độ cỡ 1 phần triệu (ppm) có thể gây ra
một suy hao kho ng 50 dB/km t i 1,39 µm. Các sợi quang hiện đ i đều gi m nồng
độ OH dư xu ng dưới 1 ppb để h thấp đỉnh 1,39 µm xu ng dưới 1 dB. Trong một
lo i sợi quang mới được gọi là sợi khô, nồng độ OH được gi m xu ng tới mức rất
thấp đến mức đỉnh 1,39 µm gần như triệt tiêu như cho thấy trong hình 2-17.

39
 Sợi thông thư ng

Hệ s tán sắc (ps/nm-km)

Hệ s suy hao (dB/km)

Tán sắc

Sợi khô

Bước sóng (nm)

Hình 2-17 Phổ suy hao và đặc tính tán sắc của sợi khô.

b. Quá trình tán x

Tán x Rayleigh là một cơ chế suy hao cơ b n sinh ra từ sự thăng giáng về
mật độ mức vi mô. Do thủy tinh chế t o sợi d ng vô định hình nên các phân tử
SiO2 kết n i với nhau theo d ng ngẫu nhiên, kết qu dẫn đến có sự thăng giáng về
mật độ. Thêm nữa còn có sự thăng giáng về thành phần trong thủy tinh do có sự pha
t p để thay đổi chiết suất thủy tinh. Những thăng giáng này đều dẫn đến sự biến đổi
ngẫu nhiên về chiết suất cỡ nh hơn bước sóng và tr thành các tâm tán x . Các
biến đổi chiết suất này gây ra tán x ánh sáng gọi là tán x Rayleigh. Như mô t
trong hình 2-18 khi bị tán x một phần năng lượng ánh sáng bị thay đổi hướng lan
truyền thậm chí là ngược với hướng truyền ban đầu nên gây suy hao. Mức suy hao
do tán x Rayleigh của các sợi thủy tinh phụ thuộc vào bước sóng có thể mô t như
sau

 R  C 4 (2.67)

trong đó hằng s C nằm trong d i 0,7 – 0,9 (dB/km)-µm4 phụ thuộc vào thành phần
của lõi sợi. Các giá trị C này tương ứng với  = 0,12 − 0,16 dB/km t i  = 1,55
µm chỉ ra rằng suy hao sợi quang trong hình 2-16 chiếm chủ yếu b i tán x
Rayleigh gần bước sóng này.

Do phụ thuộc vào −4 nên đóng góp tán x Rayleigh có thể gi m xu ng thấp
hơn 0,01 dB/km cho các bước sóng dài hơn 3 µm. Tuy nhiên các sợi thủy tinh
không thể sử dụng trong vùng bước sóng này vì hấp thụ hồng ngo i bắt đầu chiếm
ưu thế trong suy hao sợi sau 1,6 µm. Có những nỗ lực đáng kể trong việc tìm kiếm
40
các vật liệu phù hợp khác có mức hấp thụ nh sau 2 µm. Các sợi fluorozirconate
(ZrF4) có hấp thụ vật liệu thuần cỡ kho ng 0,01 dB/km gần 2,55 µm nhưng vẫn có
mức suy hao thực tế kho ng 1 dB/km do hấp thụ ngoài.
Tán x ánh sáng

Các tâm tán x

Hình 2-18Mô t quá trình tán x Rayleigh trong sợi quang

Ngoài tán x Rayleigh, trong sợi quang còn có thể có tán x Mie do những
khuyết tật về cấu trúc dẫn đến sự không đồng đều về chiết suất cỡ dài hơn bước
sóng. Tuy nhiên mức đóng góp do tán x Mie nh không đáng kể khi quá trình chế
t o sợi được giám sát và điều khiển chặt chẽ. Các biến đổi có thể giữ mức nh
hơn 1% và suy hao do tán x chỉ mức nh hơn 0,03 dB/km.
c. Do uốn cong
Suy hao bức x x y ra khi sợi quang bị u n cong. Có hai kiểu suy hao do u n
cong trong sợi quang: (a) Do u n cong vĩ mô hay u n cong lớn có bán kính u n
cong lớn so với đư ng kính sợi, và (b) do các u n cong vi mô hay vi u n cong
thư ng liên quan đến quá trình chế t o cáp.

Hình 2-19 Mô t suy hao u n cong theo lý thuyết tia. T i chỗ u n cong các tia thay đổi góc
lan truyền lớn hơn góc tới h n sẽ khúc x ra ngoài v .
41
 Suy hao do u n cong lớn x y ra trong quá trình sử dụng cáp sợi quang. Theo
quan điểm lý thuyết tia, suy hao u n cong có thể dễ hiểu khi các tia sáng thay đổi
góc lan truyền t i vị trí u n cong như mô t trong hình 2-19. Một s tia có góc thay
đổi lớn hơn góc tới h n cho ph n x toàn phần sẽ bị khúc x ra ngoài v . Theo quan
điểm trư ng mode, suy hao u n cong có thể được gi i thích như mô t trong hình 2-
20. Mỗi mode dẫn trong sợi đều có đuôi trư ng quang gi m dần theo hàm mũ trong
lớp v chuyển động cùng với trư ng quang trong lõi. Khi sợi bị u n cong, đuôi
trư ng phía xa tâm bán kính cong sẽ ph i dịch chuyển nhanh hơn để theo kịp
trư ng quang trong lõi sợi. T i một kho ng cách tới h n xác định xc từ tâm sợi, đuôi
trư ng sẽ ph i dịch chuyển nhanh hơn t c độ ánh sáng để theo kịp phần trong lõi
sợi. Do điều này là không thể nên phần năng lượng quang trong đuôi trư ng lớn
hơn xc sẽ bức x ra ngoài sợi.

Phần công
suất bị mất
do bức x Phân b trư ng

Sợi bị u n cong

Hình 2-20 Mô t trư ng mode cơ b n t i chỗ sợi quang bị u n cong.

Lượng công suất bức x kh i sợi bị u n cong phụ thuộc vào cư ng độ trư ng
t i xc và vào bán kính u n cong R. Vì các mode bậc cao liên kết với lõi kém hơn so
với các mode bậc thấp nên các mode bậc cao sẽ bức x kh i sợi u n cong trước.
Như vậy tổng s mode có thể được hỗ trợ b i sợi u n cong sẽ nh hơn trong sợi
thẳng và được xác định qua s lượng mode hiệu dụng Neff sau

   2  2a  3   
 
 N  1       
2/3

 2  R  2n2 kR   
 
N eff (2.68)


42
 đây = 2  và N là tổng s mode của sợi thẳng được xác định b i ptr. (2.50).
Mức suy hao u n cong sẽ tỉ lệ theo hàm mũ exp(-R/Rc), trong đó Rc gọi là bán kính
cong tới h n. Đ i với sợi đa mode, bán kính cong tới h n được xác định:
3n2 
Rc 
4 NA
3
(2.69)

Đ i với sợi đơn mode, bán kính cong tới h n phụ thuộc m nh vào bước sóng và
được xác định

20  
3

Rc   2,748  0,996 
NA3  c 
(2.70)

đây c là bước sóng cắt của sợi đơn mode.Đ i với các sợi đơn mode, giá trị điển
hình Rc = 0,2 – 0,4 µm và suy hao u n cong có thể b qua (< 0,01 dB/km) khi bán
kính cong R> 5 mm.

Mất mát công suất từ các mode bậc cao

Ghép cặp công suất thành các mode bậc cao

Hình 2-21 Mô t suy hao do vi u n cong. Các vi u n cong có thể làm bức x các mode bậc
cao và gây ra các mode bậc thấp ghép cặp với mode bậc cao hơn.

Một nguồn suy hao khác sinh ra từ sự ghép cặp mode gây ra b i các vi u n
cong ngẫu nhiên trong sợi quang. Các vi u n cong là những biến đổi cỡ nh về bán
kính cong của trục sợi như mô t trong hình 2-21. Những vi u n cong này sinh ra do
sự không đồng đều trong quá trình s n xuất sợi hoặc do lực tác động không đều
trong quá trình bện cáp sợi quang. Sự tăng m nh hệ s suy hao sợi quang từ vi u n
cong vi chỗ u n cong gây ra sự ghép cặp năng lượng giữa các mode dẫn và các
mode dò hay không dẫn trong sợi. Do vậy để gi m thiểu suy hao do vi u n cong các
sợi quang được bọc đệm cẩn thận một lớp polymer bên ngoài. Thêm nữa quá trình

43
s n xuất sợi và bện cáp cũng được giám sát chặt chẽ để gi m suy hao này. Đ i với
sợi đơn mode suy hao vi u n cong cũng được gi m thiểu bằng cách chọn tham s V
sát với giá trị cắt 2,405 để năng lượng mode bị giam hãm chủ yếu trong lõi sợi.
Trong thực tế sợi quang đơn mode được thiết kế để có V trong d i 2,0 – 2,4 t i bước
sóng ho t động.
d. Phổ suy hao sợi quang
Phổ suy hao sợi quang cho biết sự phụ thuộc hệ s suy hao sợi quang vào
bước sóng và là sự tổ hợp của các yếu t suy hao do hấp thụ và suy hao do tán x
như cho thấy trong hình 2-16. Hình 2-22 cho thấy phổ suy hao điển hình của sợi
quang thủy tinh và các cửa sổ truyền dẫn trong thông tin sợi quang. Cửa sổ đầu tiên
vùng 850 nm được sử dụng cho các sợi đa mode có mức suy hao trung bình kho ng
2 – 3 dB/km. Cửa sổ thứ hai nằm vùng 1300 nm sử dụng cho các sợi đơn mode có
mức suy hao trung bình kho ng 0,5 dB/km. Cửa sổ thứ 3 vùng 1550 nm cũng
được sử dụng cho sợi đơn mode là vùng có mức suy hao thấp nhất chỉ kho ng 0,2
dB/km. Đ i với các sợi quang mới gọi là sợi khô có sự triệt tiêu đỉnh hấp thụ OH
kho ng 1400 nm thì cửa sổ truyền dẫn sẽ được m rộng từ cửa sổ thứ hai sang cửa
sổ thứ 3 và được phân chia thành các băng tần như cho trong hình 1-6.

Cửa sổ
thứ nhất
Hệ s suy hao (dB/km)

Sợi tiêu chuẩn

Cửa sổ
thứ hai Cửa sổ
thứ ba

Bước sóng (nm)

Hình 2-22 Phổ suy hao điển hình và các cửa sổ truyền dẫn của một sợi quang thủy tinh.
Đư ng đứt nét là phổ suy hao của sợi khô có tên thương m i là AllWave.

44
2.4 Tán sắc trong sợi quang

2.4.1 Khái niệm và phân lo i tán sắc

Tán sắc là hiện tượng méo d ng tín hiệu quang khi lan truyền trong sợi
quang. Khi một xung quang lan truyền trong sợi, xung quang sẽ bị dãn rộng trong
quá trình lan truyền. Sự m rộngxung gây ra b i tán sắc do sự khác nhau về vận t c
lan truyền của các thành phần trong xung quang. Sự khác biệt về vận t c lan truyền
làm cho các thành phần trong xung quang có độ trễ khác nhau t i đầu cu i sợi
quang nên xung quang đầu ra tổ hợp từ các thành phần này sẽ bị dãn rộng ra.

Các xung đầu vào

Các xung cách nhau t i th i điểm t1
Biên độ và d ng xung

Các xung có thể phân biệt t i th i điểm t2 > t1

(c) Các xung khó phân biệt

t i th i điểm t3 > t2

Giao thoa giữa các ký hiệu

Mẫu tín hiệu
(d) Các xung không thể phân biệt
đầu ra
t i th i điểm t4 > t3

Kho ng cách truyền dọc sợi quang

Hình 2-23 Sự nh hư ng của dãn rộng xung quang do tán sắc gây ra.

Trong hệ th ng truyền dẫn tín hiệu tương tự, tán sắc làm cho tín hiệu quang
t i đầu thu bị méo d ng so với tín hiệu ban đầu. Còn đ i với truyền dẫn s , tín hiệu
quang được điều biến dưới d ng xung quang thì sự dãn rộng xung do tán sắc gây ra
sự giao thoa giữa các ký hiệu (ISI) như mô t trong hình 2-23, điều này có thể dẫn
đến lỗi t i bộ thu. T i hệ th ng ho t động t c độ càng cao thì sự nh hư ng của
tán sắc càng nghiêm trọng.
Tùy thuộc vào lo i thành phần của xung quang mà có thể phân thành các lo i
tán sắc khác nhau x y ra trong sợi quang như cho trong hình 2-24. Nếu thành phần
là mode truyền dẫn ta có tán sắc mode, còn khi thành phần của xung là các thành
phần tần s hay bước sóng quang trong phổ xung quang ta có tán sắc sắc thể hay tán
sắc mầu. Đ i với lo i tán sắc này có hai thành phần đóng góp là tán sắc vật liệu và
45
tán sắc ng dẫn sóng. Còn nếu thành phần là các thành phần mode phân cực thì ta
có tán sắc mode phân cực.

Tán sắc mode (Sợi đa mode)

Tán sắc sắc thể

Tán sắc mode phân cực

Hình 2-24 Các lo i tán sắc cơ b n x y ra trong sợi quang.

Đ i với sợi đa mode có thể có đầy đủ tất c các lo i tán sắc cơ b n đề cập
trên. Một tín hiệu quang điều biến sẽ kích thích tất c các mode truyền dẫn t i đầu
vào sợi quang. Mỗi mode sẽ mang một phần năng lượng của tín hiệu truyền qua sợi.
Thêm nữa, mỗi mode chứa tất c các thành phần phổ trong băng tần phát x của
nguồn quang.

2.4.2 Tán sắc mode

Trong sợi đa mode, tín hiệu quang lan truyền trong sợi dưới các mode khác
nhau. Theo quan điểm của lý thuyết quang hình, quãng đư ng đi của các mode hay
các tia sáng là khác nhau nên các mode tới đầu cu i sợi quang t i các th i điểm
khác nhau gây ra tán sắc mode.
Đ i với sợi MM-SI, tán sắc mode có thể được mô t như trong hình 2-25. Do
các tia có quãng đư ng đi khác nhau nhưng lan truyền cùng t c độ vì chiết suất lõi
trong sợi SI không đổi nên các tia bị phân tán về th i gian t i đầu ra sợi quang gây
ra dãn xung. Mức độ dãn xung có thể được ước tính qua độ trễ th i gian giữa tia đi
nhanh nhất và tia đi chậm nhất tương ứng với tia có quãng đư ng đi ngắn nhất
(mode bậc thấp nhất) và tia có quãng đư ng đi dài nhất (mode bậc cao nhất). Tia
ngắn nhất là tia đi vào sợi t i i = 0 và có quãng đư ng đi bằng với chiều dài sợi L,
còn tia dài nhất là tia đi vào sợi t i góc tiếp nhận cực đ i max và có quãng đư ng

46
L/sinc. Sử dụng vận t c lan truyền của các tia v = c/n1, độ trễ th i gian được xác
định:

n1  L  L n12
T     L   
c  sin c  c n2
(2.71)

Tán sắc mode

Sợi chiết suất bậc

Sợi chiết suất biến đổi

Hình 2-25 Mô t tán sắc mode trong sợi MM-SI và MM-GI.

Hệ s tán sắc mode của sợi có thể được xác định b i độ trễ th i gian hay mức độ
dãn xung trên một đơn vị chiều dài sợi có đơn vị là ns/km hoặc ps/km:

= (2.72)
�

Tham s này sẽ nh hư ng đến dung lượng truyền dẫn của sợi thể hiện qua t c độ
truyền dẫn. Về mặt nguyên tắc đơn gi n, độ dãn xung T do tán sắc mode gây ra
nên nh hơn khe th i gian của một bit hay ký hiệu hay BT<1. Bằng việc sử dụng
(2.71) ta có:

BL 
n2 c
n12 
(2.73)

Điều kiện này cho thấy một ước tính đơn gi n về một giới h n cơ b n của sợi MM-
SI.
Đ i với sợi MM-GI, các tia lan truyền với quãng đư ng đi khác nhau nhưng
t c độ khác nhau do chiết suất trong lõi biến đổi. Những tia có quãng đư ng đi
ngắn thư ng sát với trục sợi nơi có chiết suất cao nên t c độ lan truyền chậm hơn,và
ngược l i các tia có quãng đư ng đi dài hơn thư ng đi sát về phía biên giữa lõi và
v nơi có chiết suất nh hơn nên có t c độ lan truyền nhanh hơn. Như vậy trong sợi

47
MM-GI, có sự bù trừ giữa quãng đư ng và t c độ lan truyền giữa các mode dẫn nên
độ trễ th i gian giữa các mode nh hơn nhiều so với sợi MM-SI.Tuy nhiên mức độ
dãn xung hay tán sắc mode của sợi MM-GI trong thực tế sẽ phụ thuộc vào d ng mặt
cắt chiết suất và biến đổi đáng kể theo . Dựa vàophương phápgần đúng quang
hình, độ trễ tán sắc mode có thể được ước tính như sau:

    opt L
n1  khi    opt


T     2c
 n1  L
(2.74)
khi    opt

2

 8c

đây opt = 2(1 - ) là hệ s mặt cắt t i ưu t i đó tán sắc là nh nhất, vì  nh nên

opt 2 hay sợi có mặt cắt chiết suất d ng parabol được lựa chọn để t i ưu tán sắc
mode trong sợi GI. Hình 2-26 cho thấy sự phụ thuộc hệ s tán sắc mode vào hệ s
mặt cắt  trong trư ng hợp n1 = 1,5 và  = 0,01. Trong trư ng hợp mặt cắt t i ưu,
một giới h n đơn gi n về tích t c độ - kho ng cách có thể thu được:

BL  8c n12 (2.75)
Hệ s tán sắc (ns/km)

Hệ s mặt cắt chiết suất, 

Hình 2-26 Sự thay đổi hệ s tán sắc mode theo tham s mặt cắt chiết suất  của sợi chiết
suất biến đổi.

2.4.3 Tán sắc vận tốc nhóm

Trong sợi quang đơn mode không có tán sắc mode nhưng sự dãn xung vẫn
x y ra do vận t c nhóm của mode cơ b n phụ thuộc vào tần s hay bước sóng. Nói
cách khác các thành phần phổ khác nhau của xung quang lan truyền vận t c nhóm

48
khác nhau gây ra tán sắc vận t c nhóm (GVD) hay còn gọi là tán sắc sắc thể (tán sắc
mầu).
Vận t c nhóm là vận t c t i đó năng lượng trong một xung quang lan truyền
dọc sợi. Khái niệm vận t c nhóm sẽ khác với vận t c pha là vận t c t i đó pha của
sóng quang lan truyền qua môi trư ng sợi quang và được xác định b i:
dz 
vp   (2.76)
dt k0

đây dz, dt là sự thay đổi về kho ng cách và th i gian lan truyền tương ứng,  là
tần s góc của sóng quang với hệ s sóng k0 = /c = 2/. Do xung quang gồm
nhiều thành phần phổ nên một thành phần phổ xác định t i tần s  sẽ lan truyền t i
vận t c nhóm vg như sau:
d
vg 
d
(2.77)

trong đó  là hằng s lan truyền dọc trục sợi. Như vậy thành phần phổ đó tới đầu
cu i sợi quang sau một th i gian trễ tính trên một đơn vị chiều dài là:
1 d
 
vg d
(2.78)

Bằng việc sử dụng  = 0 = / vào ptr. (2.77), ta có thể chứng minh rằng
= / trong đó gọi là chiết suất nhóm được xác định b i:

ng  n   dn d  (2.79)

Sự phụ thuộc của vận t c nhóm vào tần s sẽ dẫn đến sự dãn xung trong quá
trình lan truyền. Nếu  là độ rộng phổ của xung quang thì độ dãn xung trên một
đơn vị chiều dài được xác định:

T d d  1 
  d     2 
  
d  v g 
2

d  d 2
(2.80)
L

Tham s 2 = 2
/ 2 được gọi là hệ s tán sắc vận t c nhóm GVD xác định mức
độ dãn xung khi lan truyền trong sợi.
Trong hệ th ng thông tin quang, độ rộng phổ tần thư ng được xác định b i
d i bước sóng  phát x từ nguồn quang được điều biến. Bằng cách sử dụng
 = 2 / và  = −2 /2 , thay  bằng  trong (2.80) ta có được:

49
 T d  1 
  D

d  v g 

(2.81)
L

trong đó

d  1 
   2c  2
D
d  v g 
 2
(2.82)

D được gọi là hệ s tán sắc và có đơn vị là ps/(nm.km), nó cho biết mức độ dãn
xung ánh sáng khi lan truyền tính trên một đơn vị độ rộng phổ và trên một đơn vị
chiều dài sợi. Một cách tương tự, giới h n đơn gi n về băng tần hay t c độ truyền
dẫn có thể xác định:

BL D   1 (2.83)

Tán sắc GVD trong sợi quang có hai thành phần đóng góp là tán sắc vật liệu và tán
sắc ng dẫn sóng.
a. Tán sắc vật liệu
Nguyên nhân gây ra tán sắc vật liệu là do chiết suất của thủy tinh, vật liệu sử
dụng để chế t o sợi quang, thay đổi theo tần s quang . Về cơ b n, nguồn g c tán
sắc vật liệu liên quan đến các tần s cộng hư ng đặc trưng mà t i đó vật liệu hấp thu
bức x điện từ. Xa các tần s cộng hư ng của môi trư ng, chiết suất n() được xác
định gần đúng b i phương trình Sellmeier:

B j  2j
n ( )  1  
M

 2j   2
2
(2.84)
j 1

trong đó j là tần s cộng hư ng và Bj là cư ng độ dao động. Ptr. (2.84) có thể biểu

diễn theo bước sóng nếu sử dụng quan hệ  = 2 / . Đ i với sợi thủy tinh tinh
khiết M = 3 với các hệ s B1 = 0,6961663, B2 = 0,4079426, B3 = 0,8974794 và 1 =
0,0684043 µm, 2 = 0,1162414 µm,3 = 9,896161 µm. Hình 2-27 cho thấy sự phụ
thuộc của n và ng vào bước sóng của sợi thủy tinh tinh khiết.
Để tính tán sắc vật liệu, ta sử dụng ptr. (2.78) tính độ trễ nhóm phụ thuộc vào
bước sóng

d d d
 
d d d
(2.85)

Sử dụng quan hệ   = −   ta có:

50
 d     d 2 d
     
d     d 2c d
(2.86)

Độ trễ của mỗi thành phần bước sóng trong tán sắc vật liệu liên quan đến chiết suất
vật liệu phụ thuộc vào bước sóng có thể thấy được khi sử dụng  = 2 ()/ vào
ptr. (2.86):

2 d 2  2n 2n'  dn( )  ng

    n  n'   n( )  
1
    2  
2c d 2c     d  c
1
c
(2.87)
c

Từ ptr. (2.87), mức độ dãn xung do tán sắc vật liệu gây ra hay hệ s tán sắc vật liệu
có thể được xác định:

d 1  dn d 2 n dn   d 2n
DM     2    
d c  d d d  c d2
(2.88)

Hình 2-27 Đồ thị chiết suất, chiết suất nhóm và tán sắc vật liệu của một sợi thủy tinh

Hình 2-27 cũng cho thấy đư ng cong hệ s tán sắc vật liệu DM theo bước sóng. Một
biểu thức thực nghiệm xác định gần đúng hệ s tán sắc vật liệu trong d i bước sóng
1,25-1,66 µm có thể sử dụng:
DM  1221  ZD   (2.89)

51
trong đó ZD là bước sóng t i đó DM = 0 và phụ thuộc vào lo i vật liệu cụ thể, có thể
biến đổi trong d i 1,27-1,29 µm. Đ i với sợi thủy tinh tinh khiết ZD = 1,276 µm.

b. Tán sắc ống dẫn sóng

Tán sắc ng dẫn sóng sinh ra do sự phụ thuộc của hằng s lan truyền vào cấu
trúc sợi quang được đặc trưng qua tham s V. Sự dãn rộng xung sinh ra do tán sắc
ng dẫn sóng có thể được hiểu do mỗi mode lan truyền trong sợi có một phần công
suất trong lõi chiết suất cao hơn và một phần ngoài v chiết suất thấp hơn, mà tỉ
phần công suất giữa lõi và v cũng phụ thuộc vào bước sóng. Do vậy mỗi thành

Hệ s tán sắc
phần bước sóng cũng sẽ lan truyền t i vận t c nhóm khác nhau gây ra tán sắc ng
dẫn sóng. Đ i với sợi đơn mode,tỉ phần công suất giữa lõi và v được thể hiện qua
đư ng kính trư ng mode. T i các thành phần bước sóng dài hơn phần công suất
Tán sắc vật liệu
ngoài v nhiều hơn hay có đư ng kính trư ng mode lớn hơn nên lan truyền t i vận
t c nhóm nhanh hơn so với các thành phần bước sóng ngắn hơn như mô t trong
hình 2-28. Bước sóng (m)

Ngắn hơn Dài hơn Mặt cắt

Bước sóng chiết suất
Hình 2-28 Mô t sự phụ thuộc vận t c nhóm vào bước sóng trong tán sắc ng dẫn sóng.

Để xác định tán sắc ng dẫn sóng ta biểu thị độ trễ nhóm theo hằng s lan
truyền chuẩn hóa b bằng việc sử dụng  và ptr. (2.57). Từ (2.78) ta có:

1 d kb 
   n2  n 2  
c dk 
(2.90)

đây gi sử không xét tán sắc vật liệu hay n2 không phụ thuộc vào bước sóng. Do
tán sắc ng dẫn sóng phụ thuộc vào cấu trúc sợi quang nên một cách thuận tiện ta
biểu diễn độ trễ theo tham s V thay cho k bằng sử dụng gần đúng � ≈ 1 2
để có được

1 d Vb  
   n2  n2  
c dV 
(2.91)

Trong (2.91) chỉ có s h ng thứ hai là phụ thuộc vào tham s V, như vậy độ trễ phụ
thuộc vào bước sóng qua tham s V gần đúng là:

52
 n2  d (Vb )
 ( )  (2.92)
c dV
Từ (2.92) hệ s tán sắc ng dẫn sóng được xác định:

d V d n   d 2 (Vb) 
Dw     2 V 
d  dV c  dV 2 
(2.93)

Tán sắc ng dẫn sóng phụ thuộc vào tham s � 2

(� ) � 2 . Hình 2-29 cho thấy sự
phụ thuộc b, các tham s đ o hàm (� ) � và � 2
(� ) � 2 vào tham s V của
mode cơ b n. Hàm gần đúng của b phụ thuộc vào V có thể sử dụng ptr. (2.58) cho
mode cơ b n trong sợi đơn mode. Từ hình 2-29 ta có thể thấy các đ o hàm đều
dương trong d i bước sóng từ 0 – 1,6 µm, nên hệ s Dw có giá trị âm.
Độ lớn

Tần s chuẩn hóa V

Hình 2-29 Sự biến đổi của b và các đ o hàm (� ) � và � 2

(� ) � 2 vào tham s V.

c. Tán sắc tổng trong sợi đơn mode

Trong sợi đơn mode không có tán sắc mode nên tán sắc nh hư ng chính là
tán sắc GVD bao gồm 2 thành phần tán sắc vật liệu và tán sắc ng dẫn sóng. Do vậy
tán sắc tổng của sợi đơn mode được xác định:
D  DM  DW (2.94)

Hình 2-30 cho thấy các đư ng đặc tính tán sắc vật liệu và tán sắc ng dẫn sóng của
một s lo i sợi quang.
53
 Tán sắc vật liệu

Hệ s tán sắc [ps/(nm.km)]

Sợi SM tiêu chuẩn (t i ưu t i 1300nm)

Sợi tán sắc phẳng Tán sắc ng

dẫn sóng
Sợi dịch tán sắc

Bước sóng (nm)

Hình 2-30 Đư ng cong tán sắc vật liệu và các đư ng cong tán sắc ng dẫn sóng của một s
sợi quang: sợi đơn mode chuẩn, sợi dịch tán sắc và sợi tán sắc phẳng.

Sợi SM tiêu chuẩn

Hệ s tán sắc [ps/(nm.km)]

Sợi tán sắc phẳng

Sợi dịch tán sắc

Bước sóng (nm)

Hình 2-31 Đư ng cong tán sắc tổng D = DM + DW của một s sợi quang.

Do tán sắc ng dẫn sóng phụ thuộc vào cấu trúc sợi quang nên bằng cách
biến đổi cấu trúc sợi như kích thước lõi hay mặt cắt chiết suất (nhiều lớp lõi có chiết
suất khác nhau) tán sắc ng dẫn sóng sẽ biến đổi rất lớn, kết qu là đư ng cong đặc
tính tán sắc tổng sẽ dịch chuyển theo mong mu n. Đây cũng là nguyên tắc cơ b n

54
được sử dụng để thiết kế các sợi quang đơn mode có đặc tính tán sắc mong mu n
như sợi dịch tán sắc (DSF), sợi dịch tán sắc khác không (NZ-DSF) hay sợi tán sắc
phẳng và sợi bù tán sắc (DCF) có tán sắc âm lớn. Đư ng đặc tính tán sắc tổng của
một s sợi quang được cho trong hình 2-31. Đ i với sợi đơn mode chuẩn, hệ s tán
sắc tổng bằng không gần 1,31 µm, còn t i vùng 1,55 µm nơi có suy hao thấp nhất
thì hệ s tán sắc trong kho ng 15 – 18 ps/(nm.km). Đ i với các sợi DSF, sợi được
thiết kế để dịch bước sóng tán sắc không về lân cận 1,55 µm. Còn sợi NZ-DSF, giá
trị D thư ng nh trong d i rộng bước sóng từ 1,3 – 1,6 µm. B ng 2-2 liệt kê đặc
tính tán sắc của một s sợi quang thương m i.
B ng 2-2 Đặc tính tán sắc của một s sợi quang thương m i.

2.4.4 Tán sắc bậc cao

Trong thực tế khi sử dụng sợi đơn mode t i bước sóng ZD có D = 0, xung
quang vẫn tr i qua sự dãn xung khi lan truyền do tán sắc bậc cao. Đặc điểm này có
thể được hiểu khi chú ý rằng D không thể bằng không tất c các thành phần bước
sóng nằm trong phổ xung quang có trung tâm t i ZD. Như vậy sự phụ thuộc của D
vào bước sóng đóng vai trò quan trọng trong sự dãn xung trong trư ng hợp này. Các
hiệu ứng tán sắc bậc cao được đặc trưng qua tham s độ d c tán sắc =  có
đơn vị ps/(nm .km). Sử dụng ptr. (2.82) ta thu được:
2

  
S  2c 2  3  4c 3  2
2
 (2.95)

trong đó 3 = 2 ≡ 3
 3 là tham s tán sắc bậc ba.

Khi hệ th ng thông tin quang sợi ho t động t i  = ZD, t c độ truyền dẫn

xung sẽ bị giới h n b i tham s S hoặc 3. Điều kiện giới h n t c độ cũng có thể
được ước tính đơn gi n b i

55
 BL S ( ) 2  1 (2.96)

Thêm nữa, tham s S cũng nh hư ng đến thiết kế các hệ th ng ghép kênh theo
bước sóng khi tính toán bù tán sắc đồng th i cho các kênh mà mỗi kênh tr i qua
lượng tán sắc GVD khác nhau.

2.4.5 Tán sắc mode phân cực

Tán sắc mode phân cực có nguồn g c sinh ra từ tính lưỡng chiết của sợi
quang. Như đã đề cập trong phần 2.2.2 b n chất suy biến của các mode phân cực
trực giao chỉ duy trì được trong một sợi quang đơn mode lý tư ng có lõi trụ tròn đều
hoàn h o. Các sợi quang thực tế có sự biến đổi về d ng lõi dọc theo chiều dài sợi và
cũng có thể tr i qua những ứng suất không đều làm cho tính đ i xứng trụ của sợi bị
phá vỡ. Do vậy sự suy biến giữa các mode phân cực trực giao bị mất đi và sợi
quang biểu thị tính lưỡng chiết. Mức độ lưỡng chiết mode được xác định b i:

Bm  n x  n y (2.97)

trong đó và là các chỉ s mode cho các mode phân cực trực giao.Tính lưỡng
chiết dẫn tới một sự trao đổi công suất tuần hoàn giữa hai thành phần phân cực. Chu
kỳ hay còn gọi là độ dài nhịp được xác định b i:
LB   Bm (2.98)

Mode
chậm

Mode
nhanh

Hình 2-32 Tr ng thái phân cực trong một sợi lưỡng chiết trên một độ dài phách. Chùm
quang đầu vào được phân cực tuyến tính 45o so với các trục nhanh và chậm.

56
 Từ quan điểm vật lý, ánh sáng phân cực tuyến tính chỉ duy trì phân cực tuyến
tính khi nó bị phân cực dọc theo một trục cơ b n. Nói cách khác, tr ng thái phân
cực sẽ thay đổi dọc theo chiều dài sợi quang từ tuyến tính sang êlip, và sau đó l i
chuyển đổi tr l i tuyến tính theo một kiểu tuần hoàn trên độ dài LB. Hình 2-32mô
t một sự thay đổi tuần hoàn về tr ng thái phân cực đ i với một sợi quang có độ
lưỡng chiết B không đổi. Trong hình trục nhanh tương ứng với trục có chỉ s mode
nh hơn, còn trục khác gọi là trục chậm.
Như vậy trong các sợi quang thực tế, năng lượng tín hiệu t i một bước sóng
xác định có thể được mang trên hai mode phân cực trực giao lan truyền t i vận t c
khác nhau do khác nhau về chỉ s mode truyền gây ra sự dãn xung gọi là tán sắc
mode phân cực (PMD).

Tr ng thái phân
cực ban đầu

Độ lưỡng chiết biến đổi

dọc theo sợi quang

Hình 2-33 Mô t tán sắc mode phân cực PMD.

Trong các sợi có độ lưỡng chiết không đổi (ví dụ: các sợi duy trì phân cực),
độ dãn xung có thể được ước tính từ độ trễ th i gian T giữa hai thành phần phân
cực trong quá trình lan truyền. Đ i với sợi có độ dài L, T được xác định b i:

T    L 1x  1 y  L1 
L L
(2.99)
v gx v gy

trong đó x và y là các chỉ s của hai mode phân cực trực giao và 1 là độ lệch vận
t c nhóm dọc theo hai tr ng thái phân cực cơ b n. Tương tự trư ng hợp tán sắc
mode, đ i lượng T/L là phép đo của PMD. Đ i với các sợi duy trì phân cực, T/L
là rất lớn (~ 1 ns/km) khi hai thành phần được kích ho t như nhau t i đầu vào sợi

57
quang, nhưng có thể gi m xu ng không khi ánh sáng chỉ được phát dọc theo một
trong các trục cơ b n.
Các sợi quang thông thư ng trong thực tế hoàn toàn khác khi mà tính lưỡng
chiết biến đổi dọc theo sợi theo d ng ngẫu nhiên. Do vậy mà PMD của sợi cũng sẽ
biến đ i theo kiểu ngẫu nhiên từ sự biến đổi ngẫu nhiên của tr ng thái phân cực dọc
theo sợi khi lan truyền. Vì b n chất th ng kê của PMD mà việc phân tích nó sẽ phức
t p. Một mô hình đơn gi n phân chia sợi thành một s các đo n sợi mà mỗi đo n có
độ lưỡng chiết và định hướng của các trục cơ b n là không đổi nhưng thay đổi từ
đo n này sang đo n khác một cách ngẫu nhiên. Như vậy độ trễ T biến đổi ngẫu
nhiên dọc theo chiều dài sợi và độ dãn xung do PMD được đặc trưng b i giá trị T
hiệu dụng (rms)  =  2 . Khi chiều dài sợi quang > 1 km, độ dãn xung có
thể tính gần đúng:

 T  1  2lc L  D p L (2.100)

trong đó lc là độ dài tương quan được định nghĩa như là độ dài mà hai thành phần
phân cực duy trì tính tương quan với nhau, giá trị lc có thể biến đổi từ 1 m đến 1 km
tùy lo i sợi, điển hình thư ng ~ 10 m; Dp gọi là hệ s PMD và có giá trị trong
kho ng 0,01 – 10 / . Đ i với các sợi quang cũ có PMD lớn >
0,1 / , còn các sợi quang mới hiện nay được thiết kế để có PMD nh
< 0,1 / . Vì phụ thuộc vào �, độ dãn xung do PMD tương đ i nh so
với nh hư ng của GVD, nên PMD chỉ được quan tâm trong các hệ th ng quang sợi
kho ng cách lớn t c độ cao.

2.5 Các giới h n truyền dẫn gây ra bởi tán sắc

Các hệ th ng thông tin quang sợi hiện nay hầu hết sử dụng sợi đơn mode, do
vậy tán sắc GVD là yếu t nh hư ng chính gây méo d ng tín hiệu và giới h n ho t
động của hệ th ng. Trong phần này nh hư ng của tán sắc GVD đến giới h n truyền
dẫn sẽ được xem xét và phân tích.

2.5.1 Phương trình truyền dẫn cơ b n

Sự dãn xung sinh ra do sự phụ thuộc của  vào tần s hay các thành phần
phổ của tín hiệu quang bị điều biến pha do hằng s lan truyền  qua hệ thức đơn
gi n sau:

58
 B ( z,  )  B (0,  ) exp(iz )
~ ~
(2.101)

Biên độ tín hiệu Btrong miền th i gian thu được bằng cách lấy khai triển Fourier
ngược:

B( z , t )   B ( z,  ) exp( it )d



2
1 ~
(2.102)


đây 0,  chỉ là khai triển Fourier của biên độ tín hiệu đầu vào (0, ).

Đ i với xung tín hiệu có độ rộng phổ  0 , ta khai triển () thành
chuỗi Taylor quanh tần s sóng mang 0 và xét các s h ng lên tới bậc ba
 2 3
 ( )  n ( )   0  1 ( )  ( ) 2  ( ) 3 (2.103)
c 2 6

trong đó ∆ =  − 0 và  =   =0 , 1 = 1 . Hệ s GVD 2 liên

hệ với hệ s tán sắc D qua ptr. (2.82), còn 3 liên hệ với độ d c tán sắc S qua ptr.
(2.95).Để đơn gi n ta chỉ xem xét thành phần biên độ biến đổi chậm A(z,t) của lớp
v xung
B( z, t )  A( z, t ) exp i( 0 z  0t ) (2.104)

và sử dụng (2.101) và (2.103) vào (2.102) ta thu được

A z , t    d  A0,  


2
1 ~


 exp i1 z   2 z     3 z    i t 

 
(2.105)
i i
 
2 3

2 6

trong đó (0, ∆) ≡ (0, ) là khai triển Fourier của (0, ).

Bằng việc tính � � và chú ý  thay thế bằng � � trong miền th i

gian, ptr. (2.105) có thể viết thành

A A i 2  2 A  3  3 A
 1   0
z t 2 t 2 6 t 3
(2.106)

Đây chính là phương trình truyền dẫn cơ b n xác định sự tiến triển của xung quang
lan truyền trong sợi đơn mode. Khai triển thành một khung th i gian tham chiếu
dịch chuyển theo xung và đưa vào các tọa độ mới

′ = − 1 và z = z (2.107)

s h ng 1 được lo i trừ kh i (2.106) để thu được

59
 A i 2  2 A  3  3 A
  0
z ' 2 t ' 2 6 t '3
(2.108)

Phương trình (2.108) được sử dụng để mô t quá trình truyền xung quang và dấu 
 và t có thể b đi cho đơn gi n.

2.5.2 Truyền xung Gauss có chirp

Để thấy nh hư ng của tán sắc ta xét quá trình lan truyền của xung Gauss có
chirp (biến tần) trong sợi quang bằng việc sử dụng trư ng xung ban đầu như sau:

 1  iC  t  2 
A0, t   A0 exp    
 2  T0  
(2.109)


trong đó A0 là biên độ đỉnh của xung. Tham s T0 đặc trưng cho nửa độ rộng t i
điểm cư ng độ 1/e và liên hệ với độ rộng xung t i điểm nửa cực đ i (FWHM) qua
hệ thức:

TFWHM  2ln 2 T0  1,665T0

1/ 2
(2.110)

Tham s C xác định độ chirp gây ra cho xung. Một xung được gọi là bị chirp khi tần
s sóng mang của nó biến đổi theo th i gian. Sự thay đổi tần s liên hệ với đ o hàm
pha và được xác định:
 C
 (t )   
t T02
t (2.111)

đây  là pha của A(0,t). Độ dịch tần phụ thuộc th i gian  được gọi là độ chirp.
Phổ của xung bị chirp rộng hơn so với xung không chirp và có thể được thấy bằng
việc lấy khai triển Fourier (2.109). Do vậy ta có:

 2T02    2T02 
A0, t   A0   exp  
1/ 2
~
 1  iC   2(1  iC ) 
(2.112)

Nửa độ rộng phổ (t i điểm cư ng độ 1/e) được xác định b i


0  1  C 2 
1/ 2
T01 (2.113)

Trong trư ng hợp không có chirp tần (C = 0), độ rộng phổ th a mãn hệ thức
∆0 0 = 1. Một xung như vậy có độ rộng phổ nh nhất và được gọi là bị giới h n
khai triển. Độ rộng phổ sẽ được tăng cư ng b i một hệ s (1 + 2 1 2
) khi có mặt
chirp tuyến tính như được thấy trong ptr. (2.113)

60
 Phương trình truyền xung (2.108) có thể được gi i dễ dàng trong miền
Fourier và nghiệm của nó là:


i 
A( z, t )  A(0,  ) exp   2 z 2   3 z 3  it d


2
1 ~ i
2 
(2.114)
 6

trong đó (0, ) được xác định b i (2.112) đ i với xung đầu vào d ng Gauss.
Trước hết xét trư ng hợp bước sóng quang cách xa bước sóng tán sắc không, do đó
sự đóng góp của s h ng 3 có thể b qua. Lấy tích phân (2.114) ta được kết qu

 1  iC t 2 
A( z, t )  exp  
A0
 2T0 Q( z ) 
2
(2.115)
Q( z )

trong đó = 1 + ( − )2 0.
2
Phương trình này cho thấy rằng một xung
Gauss duy trì d ng Gauss trong su t quá trình lan truyền nhưng độ rộng xung, mức
độ chirp và biên độ thay đổi như được chỉ ra b i hệ s ( ). Mức độ chirp tần t i
kho ng cách z thay đổi từ giá trị C ban đầu tới 1 = + (1 + 2
)2 2
0.
Hệ s dãn xung, T1/T0

Kho ng cách, z/LD

Hình 2-34 Sự biến đổi hệ s dãn rộng xung theo kho ng cách lan truyền đ i với một xung
Gauss có chirp đầu vào.

Sự thay đổi độ rộng xung theo z được định lượng qua hệ s m rộng xác định
b i

61
 T1  C 2 z    2 z  
 1  2    2  
2 2 1/ 2

T0  T0   T0  
(2.116)
 

trong đó 1 là nửa độ rộng được định nghĩa tương tự 0. Hình 2-34 cho thấy hệ s
m rộng xung như một hàm kho ng cách lan truyền � , trong đó � =
2 được gọi là kho ng cách tán sắc. Một xung không chirp ( = 0 ) dãn rộng
1 0
2
0

theo 1 + ( � )2 1 2
và độ rộng tăng thêm một lượng cỡ 2 t i = � . Nói cách
khác xung bị chirp có thể m rộng hoặc bị nén l i phụ thuộc vào liệu 2 và C có
cùng hay ngược dấu nhau. Nếu 2 > 0 thì xung Gauss bị chirp dãn rộng một cách
đơn điệu t c độ nhanh hơn so với xung không chirp. Nếu 2 < 0 thì độ rộng

  
xung ban đầu gi m dần và nh nhất kho ng cách

zmin  C 1  C 2 LD (2.117)

Giá trị độ rộng xung nh nhất phụ thuộc vào tham s chirp theo

T1min  T0 1  C 2  
1/ 2
(2.118)

Về mặt vật lý khi 2 < 0, chirp tần gây ra b i GVD ngược với chirp ban đầu và
chirp tần hiệu dụng gi m dần cho đến khi triệt tiêu = .
Phương trình (2.116) có thể được tổng quát hóa để xét c tán sắc bậc cao đặc
trưng b i 3 trong (2.114). Tuy nhiên xung quang không duy trì d ng Gauss khi lan
truyền nữa mà có d ng bất đ i xứng với một đuôi dao động. Các xung như vậy
không thể đặc trưng thích hợp b i FWHM của chúng. Một phép đo phù hợp độ rộng

 
xung là độ rộng hiệu dụng (rms) định nghĩa như sau

  t2  t
2 1/ 2
(2.119)

trong đó là lấy trung bình theo mặt cắt cư ng độ, hay

t

m 2
A( z, t ) dt
tm  

 A( z, t )

(2.120)
2
dt


Hệ s dãn rộng xung được định nghĩa như  0 , trong đó 0 là độ rộng rms của
xung Gauss đầu vào (0 = 0 2), có thể được tính và xác định b i

62
  2  C 2 L    2 L 
           
2 2  3 L 

2 2 2

 02  2 02   2 02   4 2 3 
 0 
1 1 C (2.121)

đây L là độ dài sợi quang.

Những phân tích trước đều gi sử nguồn quang sử dụng để t o ra xung quang
đầu vào là gần đơn sắc hay độ rộng phổ của nó th a mãn ∆� ∆0 (dưới điều
kiện ho t động sóng liên tục - CW), trong đó ∆0 được xác định b i (2.113). Điều
kiện này không ph i lúc nào cũng th a mãn trong thực tế. Để xem xét độ rộng phổ
nguồn, ta ph i xét trư ng quang như một quá trình ngẫu nhiên và xét các tính chất
kết hợp của nguồn thông qua hàm kết hợp tương hỗ. Khi phổ nguồn là d ng Gauss
cơ độ rộng phổ rms  , hệ s dãn rộng thu được:

  1  V2  2 2   1  C 2  V2   3 3 

 2  C 2 L    L 2  L 
 1 
2 2 2

2   4 2 
0  2 0   2 0   0 
2
(2.122)

trong đó � được định nghĩa là � = 2 0 . Ptr. (2.122) cung cấp biểu thức về mức
độ dãn xung gây ra do tán sắc của các xung Gauss đầu vào trong điều kiện tổng
quát.

2.5.3 Giới h n về tốc độ bit

Giới h n về t c độ bít gây ra b i tán sắc sợi quang có thể khác nhau phụ
thuộc vào độ rộng phổ nguồn.
a. Các nguồn quang có độ rộng phổ lớn
Trư ng hợp này tương ứng với � 1 trong (2.122). Xét trư ng hợp đầu
tiên hệ th ng quang sợi ho t động cách xa bước sóng tán sắc không do đó s h ng
3 có thể được b qua. Các nh hư ng của chirp tần có thể b qua đ i với nguồn có
độ rộng phổ lớn. Đặt C = 0 trong (2.122) ta thu được

 2   02   2 L  2   02  DL  2 (2.123)

trong đó  là độ rộng phổ rms theo đơn vị bước sóng. Độ rộng xung đầu ra được
xác định

   02   D2 
1/ 2
(2.124)

với  ≡ � là phép đo độ dãn xung gây ra do tán sắc.

63
 Ta có thể liên hệ  với t c độ bit bằng việc sử dụng điều kiện xung dãn rộng
cần được giữ trong khe th i gian bit được cấp phát =1 , trong đó B là t c độ
bit. Một điều kiện thư ng được sử dụng là  ≤ 4; đ i với các xung Gauss ít
nhất 95% năng lượng xung duy trì trong khe bit. T c độ giới h n được xác định b i
4  ≤ 1. Trong giới h n  0 ,  ≈  = � và điều kiện tr thành

BL D   
1
(2.125)
4

Đ i với hệ th ng quang sợi ho t động t i bước sóng tán sắc không, 2 = 0

trong (2.122). Đặt C = 0 và gi sử � 1, ptr. (2.122) có thể gần đúng b i

 2   02  1
2  L 
3
2 2
   02  1
2 SL 
2 2
 (2.126)

trong đó (2.95) được sử dụng để liên hệ 3 với độ d c tán sắc S. Độ rộng xung đầu
ra được xác định b i ptr. (2.124) nhưng với  ≡ �2 2. Khi  0 , giới
h n về t c độ bít sẽ xác định b i

BL S  2  1 8 (2.127)
T c độ bit (Gb/s)

Chiều dài sợi (km)

Hình 2-35 Giới h n t c độ của sợi đơn mode như là hàm của chiều dài sợi cho  = 0, 1 và
5 nm. Trư ng hợp  = 0 tương ứng với trư ng hợp nguồn quang có độ rộng phổ nh hơn
nhiều t c độ bit.

64
Ví dụ: xét trư ng hợp của một diode phát quang có  ≈ 15 nm, sử dụng D = 17
ps/(km-nm) t i 1,55 µm từ (2.125) ta thu được � < 1 (Gb/s)-km. Tuy nhiên nếu hệ
th ng được thiết kế để ho t động t i bước sóng tán sắc không, BL có thể tăng tới 20
(Gb/s)-km đ i với một giá trị S = 0,08 ps/(km-nm2).
b. Các nguồn quang có độ rộng phổ nhỏ
Trư ng hợp này tương ứng với � 1 trong (2.122). Tương tự như những
phân tích trước, nếu 3 = 0 và C = 0, ptr. (2.122) có thể gần đúng bằng

 2   02   2 L 2 0 2   02   D2 (2.128)

So sánh với (2.124) sẽ cho thấy sự khác biệt chính giữa hai trư ng hợp. Trong
trư ng hợp phổ nguồn hẹp, độ dãn xung gây ra do tán sắc phụ thuộc vào độ rộng
ban đầu 0 , trái l i nó sẽ độc lập với 0 khi độ rộng phổ của nguồn chiếm ưu thế.
Thực tế  có thể nh nhất bằng việc chọn giá trị 0 t i ưu. Giá trị nh nhất của 
x y ra khi 0 =  = ( 2 � 2)1 2
và xác định b i  = ( 2 �)1 2 . Như vậy điều
kiện giới h n thu được

B 2 L 
1
(2.129)
4

Sự khác biệt chính so với (2.125) đó là B tỉ lệ với �−1 2

thay cho �−1 . Hình 2-35 so
sánh sự gi m về t c độ bit theo sự tăng  = 0, 1 và 5 nm khi sử dụng D = 16
ps/(km-nm).
Đ i với hệ th ng ho t động sát bước sóng tán sắc không, 2 ≈ 0, sử dụng
� 1 và C = 0, độ rộng xung sau đó được xác định b i

 2   02  3 L 4 02  2   02   D2
2
(2.130)

Tương tự với trư ng hợp của ptr. (2.128),  có thể nh nhất bằng t i ưu 0 . Giá trị
nh nhất của  có được khi 0 = ( 3 � 4)1 3
và xác định b i

   32 
1/ 2
 3 L 4
1/ 3
(2.131)

Điều kiện giới h n t c độ sẽ là

B  3 L   0,324
1/ 3
(2.132)

Trong trư ng hợp này các nh hư ng tán sắc rất nh . Khi 3 = 0,1 ps3/km, t c độ
bít có thể lớn cỡ 150 Gb/s cho L = 100 km. Nó chỉ gi m xu ng kho ng 70 Gb/s

65
thậm chí khi L tăng lên b i một hệ s 10 vì sự phụ thuộc �−1 3 của t c độ bit. Rõ
ràng hiệu năng hệ th ng thông tin quang có thể được c i thiện đáng kể bằng việc
ho t động gần bước sóng tán sắc không và sử dụng nguồn quang có phổ hẹp.
c. nh hưởng của chirp tần
Trong tất c các trư ng hợp phân tích trên đều gi sử xung đầu vào d ng
Gauss không chirp. Trong thực tế các xung quang có thể không ph i d ng Gauss và
bị chirp. Một mô hình gần đúng d ng xung thực tế có thể được sử dụng là mô hình
siêu Gauss có d ng

 1  iC  t  2 m 
A(0, T )  A0 exp     
 2  T0  

(2.133)

trong đó hệ s m xác định d ng xung. D ng xung đầu ra trong trư ng hợp này thu
được bằng việc gi i ptr. (2.108) bằng phương pháp s để xác định giới h n. Hình 2-
36 cho thấy tích BL như là hàm của hệ s chirp C đ i với xung đầu vào d ng Gauss
(m = 1) và siêu Gauss (m = 3). Trong c hai trư ng hợp độ dài sợi quang L t i đó
xung dãn rộng 20% thu được cho T0 = 125 ps và 2 = −20 ps2/km. Do các xung
siêu Gauss bị dãn rộng nhanh hơn các xung Gauss nên có tích BL nh hơn.

Hệ s chirp, C
Hình 2-36 Tích BL giới h n b i tán sắc như là hàm của hệ s chirp đ i với các xung đầu
vào d ng Gauss (đư ng liền) và siêu Gauss (nét đứt).

66
2.5.4 Độ rộng băng tần sợi quang
Khái niệm độ rộng băng tần xuất phát từ lý thuyết về hệ th ng tuyến tính bất
biến theo th i gian (LTI). Nếu sợi quang có thể được xem như một hệ th ng tuyến
tính, các công suất đầu vào và đầu ra sợi quang liên hệ qua hệ thức

 ht  t P t dt 


Pout (t )  in (2.134)


Đ i với một xung kim ( ) = ( ), trong đó ( ) là hàm delta và ( ) = ( ).

Do vậy h(t) được gọi là đáp ứng xung của hệ th ng tuyến tính. Khai triển Fourier
của h:

H f   ht exp 2ift dt


(2.135)


cho biết đáp ứng tần và được gọi là hàm truyền đ t. Nhìn chung �( ) gi m theo
sự tăng f chỉ ra rằng các thành phần tần s cao của tín hiệu đầu vào bị suy hao b i
sợi quang. Hay sợi quang ho t động như một bộ lọc băng thông. Độ rộng băng tần
sợi quang f3dB tương ứng với tần s f = f3dB t i đó �( ) bị gi m một nửa hoặc 3 dB

H  f 3dB  1

H 0
(2.136)
2

Lưu ý rằng f3dB là độ rộng băng tần quang của sợi khi công suất quang gi m 3 dB t i
tần s này so với đáp ứng tần s không. Trong lĩnh vực thông tin điện, độ rộng băng
tần của một hệ th ng tuyến tính được định nghĩa như tần s t i đó công suất điện
gi m 3 dB.
Phương trình (2.134) chỉ đúng khi các sợi quang được xem là tuyến tính theo
công suất. Khi độ rộng phổ nguồn lớn hơn nhiều độ rộng phổ tín hiệu (� 1) ta có
thể xét quá trình lan truyền các thành phần phổ khác nhau một cách độc lập và cộng
tuyến tính công suất được mang b i chúng. Đ i với phổ d ng Gauss, hàm truyền
H(f) có thể được xác định:

 if    f f1 2 
H  f    1  
1 / 2

exp  
 21  if f 2  

 f2 
(2.137)

với các tham s f1 và f2 xác định b i

f1  2 2 L    2 D L  
1 1
(2.138)

67
 1

f 2  2 3 L 2   2 S  2 D  L 2 
1
(2.139)

Khi hệ th ng ho t động cách xa bước sóng tán sắc không ( 1 2 ), hàm

truyền gần đúng d ng Gauss và độ rộng băng tần được xác định

f 3dB  2 ln 2 f1  0,188 D L  
1/ 2 1
(2.140)

Nếu sử dụng  = � ta thu được hệ thức 3  ≈ 0,188 giữa độ rộng băng
tần và độ dãn xung do tán sắc. Ta cũng có thể có được hệ thức giữa độ rộng băng
tần và t c độ bit B bằng việc sử dụng các ptr. (2.125) và (2.140) hay ≤ 1,33 3
và cho thấy độ rộng băng tần sợi quang là một phép đo gần đúng về t c độ bít lớn
nhất có thể của hệ th ng thông tin quang sợi bị giới h n b i tán sắc.
Đ i với hệ th ng ho t động t i bước sóng tán sắc không, hàm truyền thu
được từ ptr. (2.137) bằng cách đặt D = 0. Sử dụng (2.136) sẽ cho biểu thức sau về
độ rộng băng tần sợi quang

f 3dB  15 f 2  0,616SL 2 
1
(2.141)

T c độ giới h n có thể được liên hệ với f3dB bằng việc sử dụng (2.127) và xác định
b i ≤ 0,574 3 .

2.6 Các hiệu ứng quang phi tuyến

2.6.1 Nguồn gốc hiệu ứng quang phi tuyến

Đáp ứng của bất kỳ môi trư ng điện môi như sợi quang tr nên phi tuyến
trong điều kiện cư ng độ trư ng điện từ m nh. Khi đó vectơ phân cực điện của vật
liệu không còn quan hệ tuyến tính như ptr. (2.16) mà được khai triển như sau

P   (1) E   ( 2) EE   (3) EEE (2.142)

trong đó ( ) là độ c m ứng điện bậc n t i tần s quang. Trong các sợi thủy tinh, độ
c m ứng bậc hai bằng 0 vì tính đẳng hướng quang. Do đó độ c m ứng bậc ba
(3) chịu trách nhiệm cho các hiệu ứng phi tuyến x y ra trong sợi quang.
Có hai lo i hiệu ứng phi tuyến chính có thể x y ra trong sợi quang:
- Tán x kích thích bao gồm tán x Brillouin kích thích và tán x Raman
kích thích liên quan đến phần o của độ c m bậc ba (3) .

68
 - Các hiệu ứng phi tuyến liên quan đến chiết suất phi tuyến bao gồm hiệu
ứng tự điều chế pha, điều chế pha chéo và trộn b n sóng. Chiết suất phi
tuyến có thể được biệu thị theo phần thực của độ c m bậc ba (3) .

Cư ng độ Cư ng độ

Bán kính Bán kính

Hình 2-37 Mô t khái niệm diện tích hiệu dụng. (a) D ng phân b cư ng độ tín hiệu điển
hình trong sợi quang. (b) D ng phân b cư ng độ gi định.

Trong các điều kiện ho t động thông thư ng các hiệu ứng phi tuyến là rất
nh có thể b qua. Tuy nhiên các tham s sợi quang quan trọng có thể tăng cư ng
các hiệu ứng phi tuyến đó là diện tích lõi hiệu dụng Aeff và chiều dài hiệu dụng Leff.
Diện tích hiệu dụng được định nghĩa như là diện tích của lõi nếu cư ng độ quang
được phân b đều trên đó và bằng không ngoài diện tích đó như mô t trong hình 2-
37. Diện tích Aeff quan hệ với cư ng độ trư ng tín hiệu quang như sau:

  
  A( x, y ) dxdy 
2
2

Aeff   

 A( x, y) dxdy
(2.143)
4



Nếu trư ng quang có d ng phân b Gauss thì diện tích hiệu dụng được xác định b i
công thức = 2
, trong đó w là bán kính trư ng mode.Độ dài hiệu dụng Leff
được định nghĩa là độ dài mà tín hiệu lan truyền với biên độ không đổi và bằng
không sau đó như mô t trong hình 2-38. Độ dài Leff được xác định b i

Leff   e l dl  1  e 
L
L


1
(2.144)
0

Do hệ s suy hao của sợi quang nh nên trong các hệ th ng thông tin quang sợi thực
tế � ≈ 1 .

69
 Công suất Công suất

Chiều dài tuyến Chiều dài tuyến

Hình 2-38 Mô t khái niệm chiều dài hiệu dụng. (a) D ng phân b công suất điển hình dọc
theo chiều dài tuyến quang sợi. (b) D ng phân b công suất gi định dọc tuyến trên chiều
dài hiệu dụng Leff. Độ dài Leff được chọn để diện tích dưới đư ng cong trong (a) bằng với
diện tích hình chữ nhật trong (b).

2.6.2 Hiệu ứng tán x kích thích

Tán x Rayleigh đề cập trong phần 2.3.2 là tán x đàn hồi khi tần s quang
không thay đổi sau tán x . Trong khi các hiệu ứng tán x kích thích trong sợi quang
là các hiệu ứng tán x không đàn hồi gồm có hai lo i chính: tán x Raman kích
thích (SRS) và tán x Brilloiun kích thích (SBS). C hai lo i tán x đều tán x một
photon thành một photon năng lượng thấp hơn (bước sóng dài hơn) mà độ lệch năng
lượng của quá trình xuất hiện dưới d ng một phonon (phonon được xem là một gi
h t đặc trưng cho một tr ng thái lượng tử hóa các mode dao động của môi trư ng).
Sự khác biệt chính giữa hai lo i đó là các phonon quang tham gia tán x Raman,
còn các phonon âm tham gia tán x Brillouin. C hai quá trình tán x gây ra tổn hao
công suất t i tần s tới. Tuy nhiên do mặt cắt tán x nh t i mức công suất thấp nên
mức tổn hao có thể b qua.
mức công suất cao c hai SBS và SRS tr nên quan trọng. Cư ng độ ánh
sáng tán x c hai trư ng hợp đều tăng theo hàm mũ khi công suất tới lớn hơn một
giá trị ngưỡng. C hai đều gi ng nhau về nguồn g c nhưng có các hệ thức tán sắc
khác nhau cho các phonon âm và phonon quang dẫn đến sự khác biệt hai quá trình
trong sợi quang: (i) SBS chỉ x y ra theo chiều ngược, còn SRS có thể x y ra c
hai chiều; (ii) Ánh sáng tán x bị dịch tần kho ng 10 GHz SBS nhưng tới 13 THz
SRS; và (iii) Phổ khuyếch đ i Brillouin rất hẹp (băng tần < 100 MHz) so với phổ
khuyếch đ i Raman có thể m rộng trên 20 – 30 THz.
a. Tán x Brillouin kích thích

70
 Quá trình vật lý của tán x Brillouin là xu hướng của vật liệu tr nên bị nén
khi có mặt của điện trư ng, một hiện tượng gọi là điện gi o. Đ i với một điện
trư ng dao động t i tần s bơm p, quá trình này sinh ra một sóng âm t i tần s .
Tán x Brillouin tự phát có thể được xem như là sự tán x của sóng bơm từ sóng âm
này t o ra một sóng mới t i tần s s. Quá trình tán x ph i b o toàn c về năng
lượng và xung lượng. Sự b o toàn năng lượng đòi h i sự dịch Stokes  bằng
 −  . Sự b o toàn xung lượng đòi h i rằng các vectơ sóng th a mãn � = � −
� . Sử dụng hệ thức tán sắc = trong đó là vận t c âm, điều kiện này
xác định tần s âm như sau

  k A v A  2v A k p sin 2 (2.144)

trong đó = đã được sử dụng và  đặc trưng cho góc giữa sóng bơm và
sóng tán x . Lưu ý rằng  triệt tiêu theo chiều thuận ( = 0) và lớn nhất chiều
ngược ( = ). Trong các sợi đơn mode, ánh sáng có thể chỉ truyền theo chiều thuận
và chiều ngược. Do vậy SBS chủ yếu x y ra theo chiều ngược với sự dịch tần
 =2 . Sử dụng = 2  với p là bước sóng bơm, độ dịch tần
Brillouin được xác định b i

f B  B 2  2n v A  p (2.145)

đây là chiết suất mode. Sử dụng = 5,96 km/s và = 1,45 cho sợi thủy tinh,
= 11,1 GHz t i  = 1,55µm.
Tín hiệu

Tần s (GHz)

Hình 2-39 Phổ khuyếch đ i Brillouin được đo khi sử dụng nguồn bơm 1,525-µm cho ba
lo i sợi quang khác nhau: (a) sợi lõi thủy tinh, (b) sợi v bị ép, (c) sợi dịch tán sắc.

Khi sóng tán x được sinh ra tự phát, nó sẽ có thể tăng cư ng biên độ sóng
âm và lần lượt đến sóng tán x theo d ng vòng lặp hồi tiếp dương khi công suất

71
quang bơm lớn hơn một ngưỡng xác định. SBS có nguồn g c từ quá trình hồi tiếp
dương này và có thể truyền tất c công suất từ nguồn bơm cho sóng tán x . Hệ s
khuyếch đ i SBS gB phụ thuộc vào tần s vì th i gian tắt dần hữu h n của sóng âm
TB (th i gian s ng của các phonon âm). Nếu các sóng âm suy gi m theo
(− ), hệ s khuyếch đ i Brillouin có mặt cắt phổ d ng Lorentz xác định b i
g B  B 
g B   
1     B  TB2
2
(2.147)

Hình 2-39 cho thấy phổ khuyếch đ i Brillouin t i  = 1,525µm cho ba lo i sợi
quang thủy tinh đơn mode khác nhau. C hai sự dịch tần Brillouin và độ rộng
băng tần khuyếch đ i ∆ có thể biến đổi từ sợi này sang sợi khác vì b n chất dẫn
sóng của ánh sáng và sự có mặt của các chất pha t p trong lõi sợi. Giá trị hệ s
khuyếch đ i Brillouin đỉnh trong (2.147) x y ra khi  = B và phụ thuộc vào các
tham s vật liệu khác như mật độ h t và hệ s quang đàn hồi. Mức ngưỡng công
suất của SBS được xác định th a mãn điều kiện
g B Pth Leff Aeff  21 (2.148)

Đ i với sợi quang thủy tinh ≈ 5x10−11 m/W, thì mức công suất ngưỡng có thể
cỡ vài mW.
b. Tán x Raman kích thích
Tán x Raman tự phát x y ra trong sợi quang khi sóng bơm bị tán x b i các
phân tử SiO2. Nó dễ d ng được hiểu qua gi n đồ mức năng lượng cho trong hình 2-
40. Một s các photon bơm gi i phóng năng lượng để t o ra các photon khác có
năng lượng nh hơn t i tần s thấp hơn, phần năng lượng còn l i bị hấp thụ b i các
phân tử thủy tinh t o ra tr ng thái dao động kích thích. Sự khác biệt quan trọng với
tán x Brillouin là các mức năng lượng dao động của thủy tinh chỉ ra giá trị dịch tần
Raman  =  −  . Vì không liên quan đến sóng âm nên tán x Raman tự phát
là một quá trình đẳng hướng hay x y ra mọi hướng.
Tương tự với SBS, quá trình tán x Raman bị kích thích khi công suất bơm
vượt quá một giá trị ngưỡng. SRS có thể x y ra c chiều thuận và chiều ngược
trong sợi quang. Về mặt vật lý, sự phách giữa nguồn bơm và ánh sáng tán x theo
c hai chiều t o ra một thành phần tần s t i tần s phách  −  , cái ho t động
như một nguồn kích thích các dao động phân tử sinh ra sự hồi tiếp dương. Phổ
khuyếch đ i Raman phụ thuộc vào th i gian tắt dần cùng với tr ng thái dao động
kích thích. Đ i với sợi quang thủy tinh, độ rộng băng tần khuyếch đ i có thể lớn

72
 hơn 10 THz như cho thấy trong hình 2-40. B n chất băng rộng và nhiều đỉnh của
phổ là do b n chất vô định hình của thủy tinh. Cụ thể hơn, các mức năng lượng dao
động của các phân tử thủy tinh gộp l i với nhau hình thành một d i băng. Kết qu là
tần s Stokes s có thể khác với tần s bơm p trên một d i rộng. Hệ s khuyếch
đ i lớn nhất x y ra khi sự dịch Raman  =  −  kho ng 13 THz. Giá trị đỉnh
gR là kho ng 1x10-13 m/W t i bước sóng 1 µm. Giá trị này định cỡ tuyến tính theo
p sinh ra ≈ 6 10−13 m/W t i 1,55 µm. Mức ngưỡng công suất Pth được xác
định như là công suất tới t i đó một nửa công suất bơm được truyền cho trư ng
Stokes t i đầu ra sợi quang có độ dài L như sau

g R Pth Leff Aeff  16 (2.149)

Nếu Aeff = 50 µm2 và  = 0,2 dB/km, Pth sẽ kho ng 570 mW gần 1,55 µm.
Hệ s khuyếch đ i Raman (x10-13 m/W)

Các tr ng thái
dao động

Tr ng thái nền

Độ dịch tần s (THz)

Hình 2-40 (a) Phổ khuyếch đ i Raman của thủy tinh nóng ch y t i  = 1µm và (b) Gi n
đồ mức năng lượng trong quá trình SRS.

C hai hiệu ứng SBS và SRS đều có thể nh hư ng đến hệ th ng thông tin
quang, đặc biệt trong hệ th ng đa kênh gây ra xuyên nhiễu, nhưng cũng có thể được
sử dụng để thiết kế các bộ khuyếch đ i quang sợi trong hệ th ng.

2.6.3Hiệu ứng điều chế pha phi tuyến

Các hiệu ứng điều chế pha phi tuyến sinh ra do sự phụ thuộc của chiết suất
vào cư ng độ tín hiệu quang. Nguồn g c vật lý của hiệu ứng này nằm đáp ứng phi
điều hòa của các điển tử đ i với trư ng quang sinh ra c m ứng điện phi tuyến. Chiết

 
xuất của sợi thủy tinh bao gồm c thành phần phi tuyến được xác định như sau
nj  n j  n2 P Aeff , j = 1, 2. (2.150)

73
trong đó 2 là hệ s chiết suất phi tuyến, P là công suất quang và Aeff là diện tích
hiệu dụng. Giá trị của 2 kho ng 2,6x10-20 m2/W đ i với sợi thủy tinh và có thể biến
đổi theo các t p chất được sử dụng trong lõi sợi. Vì giá trị khá nh của 2 nên phần
chiết suất phi tuyến rất bé (< 10-12 mức công suất 1 mW). Tuy vậy nó vẫn tác
động lên hệ th ng thông tin quang sợi các tuyến kho ng cách lớn. Cụ thể nó dẫn
tới các hiệu ứng tự điều chế pha và điều chế pha chéo.

Hình 2-41 Sự biến đổi theo th i gian gây ra b i SPM: (a) độ dịch pha NL và (b) độ chirp
tần cho các xung Gauss (đư ng đứt nét) và siêu Gauss (đư ng liền).

a. Quá trình tự điều chế pha

nh hư ng của chiết suất phi tuyến có thể được xem xét qua sự phụ thuộc
của hằng s lan truyền vào công suất có thể được viết như sau:

     k0 n2 P Aeff    P (2.151)

trong đó  = 2 2 ( ) là hệ s phi tuyến có giá trị thư ng trong d i từ 1 đến 5

W /km phụ thuộc vào giá trị Aeff và bước sóng. Pha của tín hiệu quang tăng tuyến
-1

tính theo z, nhưng s h ng  sẽ t o ra sự dịch pha phi tuyến xác định b i

 NL       dz   P z dz  Pin Leff

L L
(2.152)
0 0

đây = exp(− ) gi i thích cho suy hao sợi quang. Trong hệ th ng thực
tế, Pin thay đổi theo th i gian làm cho NL cũng biến đổi theo th i gian theo cùng
d ng tín hiệu quang. Vì điều chế pha phi tuyến này do chính b n thân tín hiệu gây ra
nên được gọi là tự điều chế pha (SPM). Rõ ràng rằng SPM gây ra sự chirp tần tỉ lệ
với đ o hàm và phụ thuộc vào d ng xung. Hình 2-41 cho thấy sự biến đổi

74
sự dịch pha phi tuyến và chirp tần của xung khi  � = 1 trong các trư ng hợp
xung Gauss (m = 1) và xung siêu Gauss (m = 3). Chirp tần gây ra b i SPM sẽ m
rộng phổ và tác động đến d ng xung thông qua GVD. Để SPM không nh hư ng
đến hệ th ng thông tin quang, cần thiết giữ �� 1 (mức cho phép lớn nhất có thể
bằng 0,1).
b. Quá trình điều chế pha chéo
Sự phụ thuộc chiết suất vào cư ng độ cũng có thể dẫn tới một hiện tượng phi
tuyến khác gọi là điều chế pha chéo (XPM). Quá trình x y ra khi hai hoặc nhiều hơn
một kênh bước sóng được phát đồng th i trong sợi quang. Trong các hệ th ng như
vậy, sự dịch pha phi tuyến của một kênh xác định không chỉ phụ thuộc vào công
suất của kênh đó mà còn vào công suất của các kênh khác. Độ dịch pha của kênh
thứ j sẽ là

 jNL  Leff  Pj  2 Pm 
 
 
(2.153)
m j

Hệ s 2 trong (2.153) có nguồn g c theo d ng độ c m ứng điện phi tuyến và chỉ ra

rằng XPM hiệu suất gấp hai lần SPM cùng mức công suất. Sự dịch pha tổng cộng
phụ thuộc vào công suất tất c các kênh và biến đổi từ bit này sang bit khác phụ
thuộc vào mẫu bít của các kênh lân cận. Nếu gi sử các kênh có công suất bằng
nhau thì độ dịch pha trong trư ng hợp tệ nhất mà đó tất c các kênh mang bit 1
đồng th i và tất c các xung xếp chồng lên nhau sẽ được xác định b i

 jNL   2M  1Pj (2.154)

Nó rất khó để ước tính tác động của XPM lên hệ th ng thông tin quang sợi vì sự có
mặt của GVD. Thực tế các xung các kênh bước sóng khác nhau lan truyền t c
độ khác nhau do tán sắc. Sự dịch pha do XPM chỉ x y ra khi hai xung xếp chồng
nhau về mặt th i gian. Nếu các kênh cách xa nhau thì chúng xếp chồng trong th i
gian rất ngắn nên XPM có thể b qua. Còn nếu không các xung các kênh lân cận
sẽ có thể xếp chồng nhau đủ dài để hiệu ứng XPM tích lũy nh hư ng đến hệ th ng.

2.6.4 Trộn bốn sóng

Hiện tượng phi tuyến gọi là trộn b n sóng (FWM) cũng có nguồn g c từ (3).
Nếu ba trư ng quang có các tần s sóng mang 1, 2 và 3 kết hợp đồng th i trong
sợi quang, (3) sẽ sinh ra trư ng thứ tư có tần s 4 liên hệ với các tần s khác qua
hệ thức 4 = 1 ± 2 ± 3 . Trong thực tế các tổ hợp này còn đòi h i sự ph i hợp
75
pha. Thư ng tổ hợp 4 = 1 + 2 − 3 được quan tâm vì nh hư ng đến hệ th ng
đa kênh và dễ ph i hợp pha khi các kênh ho t động sát bước sóng tán sắc không.
Khi 1 = 2 ta có quá trình FWM suy biến như mô t trong hình 2-42.

Hình 2-42 Quá trình trộn b n sóng (a) trư ng hợp suy biến và (b) trư ng hợp không suy
biến

Điều kiện ph i hợp pha bắt nguồn từ yêu cầu b o toàn xung lượng của quá
trình. Vì tất c b n sóng lan truyền cùng chiều nên độ sai lệch pha có thể được viết

   3    4    1    2 

thành

(2.155)

trong đó () là các hằng s lan truyền của trư ng quang t i tần s . Trong trư ng
hợp suy biến 1 = 2 , 3 = 1 +  và 3 = 1 −  , trong đó  là kho ng cách
kênh. Sử dụng khai triển Taylor trong ptr.(2.103), độ lệch pha có thể xác định đơn
gi n là ∆= 2 2 . Quá trình FWM được ph i hợp pha hoàn toàn khi 2 = 0. Khi 2
nh quá trình vẫn có thể x y ra và truyền công suất từ kênh này sang các kênh lân
cận gần nhất. Quá trình truyền công suất như vậy không chỉ gây ra suy hao công
suất của kênh mà còn gây xuyên âm làm suy gi m nghiêm trọng hiệu năng hệ
th ng. Tuy nhiên FWM cũng được sử dụng trong các ứng dụng xử lý tín hiệu quang
như tách kênh quang, chuyển đổi bước sóng hay làm bộ liên hợp pha quang.

2.7 Cáp sợi quang

2.7.1 Chế t o sợi quang

Như đã đề cập trong phần 2.1.2 hầu hết các sợi quang sử dụng trong viễn
thông là sợi thủy tinh. Lo i thủy tinh trong su t sử dụng chủ yếu trong chế t o sợi
quang là thủy tinh ôxit silic (SiO2) có chiết suất 1,458 t i 850 nm. Để t o ra hai lo i
vật liệu khác nhau một chút về chiết suất cho phần lõi và v sợi quang thì một s

76
t p chất như B2O3, GeO2 hay P2O5 được thêm vào nền thủy tinh SiO2. Phụ thuộc
vào các lo i t p chất được thêm vào mà chiết suất của thủy tinh có thể tăng thêm
hay gi m đi so với vật liệu tinh khiết ban đầu như thấy hình 2-43. Một s ví dụ về
các thành phần sợi quang như:
- Lõi GeO2-SiO2; v SiO2
- Lõi P2O5-SiO2; v SiO2
- Lõ SiO2; V B2O3-SiO2
- Lõi GeO2-B2O3-SiO2; v B2O3-SiO2
Chiết suất

Nồng độ pha t p (% mol)

Hình 2-43 Sự biến đổi chiết suất theo nồng độ pha t p trong thủy tinh SiO2.

Có hai kiểu kỹ thuật cơ b n chế t o sợi quang: Kỹ thuật chế t o bằng nóng
ch y trực tiếp (1 giai đo n) và kỹ thuật chế t o sợi từ phôi (2 giai đo n). Kỹ thuật
chế t o nóng ch y trực tiếp là kỹ thuật truyền th ng ban đầu được sử dụng để s n
xuất sợi quang bằng cách làm nóng ch y các thành phần thủy tinh đã được tinh chế
để kéo trực tiếp thành sợi quang. Mặc dù kỹ thuật này cho phép kéo sợi liên tục
bằng việc n p các nguyên liệu thành phần đầu vào nồi nung ch y, nhưng nó thư ng
chỉ sử dụng cho thủy tinh có điểm nóng ch y thấp và khó điều khiển để đ m b o sợi
quang được kéo ra đồng đều gây nh hư ng đến tính năng sử dụng của sợi. Do vậy
hiện nay phương pháp hai giai đo n được sử dụng bao gồm giai đo n đầu chế t o ra
phôi sợi và giai đo n hai thực hiện kéo sợi quang từ phôi được s n xuất.
Quá trình chế t o phôi sợi quang được thực hiện qua quá trình ôxy hóa pha
hơi hay phương pháp lắng đọng pha hơi hóa chất. Trong quá trình này, các hóa chất
clorua kim lo i (VD: SiCl4 và GeCl4) có độ tinh khiết cao sẽ ph n ứng hóa học với
ôxy để hình thành các h t muội SiO2. Các h t muội này sẽ tập hợp bám trên bề mặt
của một thủy tinh d ng kh i bằng một trong 4 kỹ thuật thông thư ng được sử dụng
khác nhau và sau đó được thiêu kết (chuyển thành d ng nền thủy tinh đồng nhất

77
bằng nhiệt nung) để hình thành một thanh hoặc ng thủy tinh. Thanh hoặc ng thủy
tinh này được gọi là phôi có kích thước điển hình kho ng 10 – 25 mm đư ng kính
và dài kho ng 60-120 cm. Cấu trúc của phôi cũng tương tự như cấu trúc của sợi
quang được kéo ra sau này nhưng khác nhau về kích thước. B n kỹ thuật thông
thư ng được sử dụng để chế t o phôi đó là:
- Phương pháp lắng đọng pha hơi bên ngoài (OVD)
- Phương pháp lắng đọng pha hơi theo trục (AVD)
- Phương pháp lắng đọng pha hơi bên trong (MCVD)
- Phương pháp lắng đọng pha hơi ho t tính bằng plasma (PCVD)

Thanh phôi sợi

cn p
phôi Buồng khí trơ b o vệ
kh i khí ôxy tránh sự
ôxy hóa carbon
Lò nung carbon

Điều khiển t c
độ kéo sợi

Hộp cộng
hư ng có bộ
ph n x đồng
tiêu cự

Lò xo điều
chỉnh

Hình 2-44 Hệ th ng kéo sợi quang từ phôi.

Giai đo n tiếp theo, sợi quang được kéo từ phôi bằng việc sử dụng hệ th ng
thiết bị kéo sợi như trong hình 2-44.Phôi sẽ được n p chính xác vào lò nung gọi là

78
lò kéo. T i đây đầu phôi sẽ mềm ra tới điểm để có thể được kéo thành sợi m ng tức
sợi quang. T c độ quay của tr ng sợi t i đáy của tháp lò kéo sẽ xác định t c độ kéo
sợi. Vì vậy nó sẽ quyết định độ dày hay kích thước của sợi quang, do đó t c độ
quay chính xác cần ph i được đ m b o. Một bộ giám sát kích thước sợi quang được
sử dụng trong một m ch vòng hồi tiếp để điều chỉnh t c độ này. Để b o vệ sợi
quang thủy tinh kh i sự nhiễm bẩn như hơi nước và bụi thì một lớp bọc đàn hồi từ
vật liệu polymer được thực hiện cho sợi ngay khi nó được kéo ra. Độ dày của lớp
bọc b o vệ này thư ng kho ng 250 µm.

2.7.2 Cáp sợi quang

Để sử dụng được trong thực tế, sợi quang trần sau khi được s n xuất sẽ được
tiếp tục bện thành cáp sợi quang để đ m b o độ bền cơ học khi sử dụng.Một đặc
tính cơ học quan trọng của cáp sợi quang là t i trục cho phép lớn nhất lên cáp vì yếu
t này xác định độ dài cáp có thể được lắp đặt một cách đ m b o. Trong các cáp
đồng b n than dây dẫn đồng nói chung là các thành phần mang t i chính của cáp và
độ dãn dài có thể lớn hơn 20% mà không bị gãy. Nói cách khác, các sợi quang kh e
nhất cũng có thể bị gãy mức kéo dãn 4%, còn các sợi quang điển hình có độ kéo
dãn gãy sợi chỉ kho ng 0,5 – 1%. Vì độ m i tĩnh x y ra rất nhanh mức ứng suất
trên 40% độ dãn cho phép và rất chậm mức dưới 20%, nên độ dãn của sợi trong
quá trình s n xuất và lắp đặt cáp cần được giới h n mức 0,1 – 0,2%.

V cáp
Thành phần gia cư ng d ng sợi
Thành phần gia cư ng được bọc đệm
Băng quấn bằng giấy/nhựa
Kh i chứa sợi quang cơ b n
Dây dẫn đồng được cách điện
Lớp v PVC/Polyurethane

Hình 2-45 Một ví dụ một cấu trúc cáp sợi quang điển hình.

Cấu trúc cáp phụ thuộc vào lo i ứng dụng mà cáp được sử dụng, nhưng vẫn
có các nguyên tắc cơ b n chung cho thiết kế cáp sợi quang. Một cấu trúc cáp sợi
quang cơ b n bao gồm các thành phần chính sau: lõi cáp, thành phần gia cư ng,
chất độn và v cáp.
Thành phần gia cư ng giúp b o vệ sợi quang kh i các tác động cơ học và giữ
ổn định cho cáp khi lắp đặt và sử dụng. Có hai lo i thành phần gia cư ng tùy thuộc

79
vào vị trí của chúng trong cáp đó là thành phần gia cư ng trung tâm và thành phần
gia cư ng bao xung quang. Thư ng các dây thép được sử dụng làm thành phần gia
cư ng chính cho cáp. Nhưng trong một s ứng dụng đòi h i một cấu trúc không kim
lo i hoặc để tránh các hiệu ứng c m ứng điện từ hoặc để gi m trọng lượng của cáp,
các thành phần gia cư ng phi kim lo i và các sợi tổng hợp có độ bền kéo căng cao
sẽ được sử dụng. Một lo i sợi quen thuộc là Kevlar, một vật liệu nylon tổng hợp
mầu vàng mềm nhưng dai thuộc về một họ sợi chung gọi là aramit. Quá trình chế
t o cáp t t sẽ cách ly các sợi quang kh i các thành cáp khác như thành phần gia
cư ng, giữ cho chúng sát với trục trung tâm của cáp và cho phép các sợi dịch
chuyển tự do khi cáp bị gập hoặc kéo căng.
Phần lõi cáp bao gồm các sợi quang đã được bọc đệm được bện xoắn quanh
thành phần gia cư ng trung tâm hoặc được đặt vào một lõi có rãnh xoắn sẵn có
được làm từ vật liệu nhựa. Có một s kiểu xoắn sợi quang trong lõi cáp như: kiểu S
(xoắn thuận), kiểu Z (xoắn nghịch) và kiểu hỗn hợp SZ. Việc xoắn sợi cũng giúp
đ m b o gi m tác động bên ngoài lên sợi và làm cho chiều dài thực tế của sợi quang
dài hơn so với chiều dài cáp. Tùy thuộc vào s lượng sợi mà phần lõi có thể được
sắp xếp theo d ng lớp hay theo d ng đơn vị. Các d i băng nhựa hoặc giấy được sử
dụng để quấn bao bọc phần lõi để giữ ổn định cấu trúc lõi và gắn kết các nhóm sợi
quang với nhau.
ng nhựa nhiệt dẻo

Sợi quang thủy tinh

Lớp bọc đệm (250 m) Sợi quang

(b)
Lớp đệm (900 m) Mặt trước Mặt bên

Sợi tơ gia cư ng

V cáp ngoài (đư ng Các sợi được bọc đệm (c)

(đư ng kính ngoài 250 m) Lớp bọc nhựa
(a) kính ~ 2,4 mm)

Hình 2-46 Các kiểu bọc đệm sợi quang (a) Bọc đệm chặt, (b) bọc đệm l ng, (c) bọc đệm
d ng băng dẹt.

Trước khi được bện xoắn, các sợi quang cần được bọc đệm thêm cho sợi
quang trần. Có hai kiểu bọc đệm sợi quang: bọc đệm chặt và bọc đệm l ng. Các cáp
với các sợi được bọc đệm chặt thư ng được sử dụng trong nhà, trong khi cácsợi
được bọc đệm l ng được sử dụng trong cấu trúc cáp ngoài tr i. Một kiểu cấu trúc
bọc đệm nữa là d ng băng dẹt, một d ng m rộng của bọc đệm chặt. Trong cấu trúc
đệm chặt như ví dụ trong hình 2-46(a), sợi quang trần có lớp bọc đệm 250 µm sẽ
được tiếp tục bọc thêm lớp đệm nhựa ôm sát sợi với độ dày cỡ 900 µm. Trong cấu

80
trúc đệm l ng, các sợi quang trần được bọc trong một ng nhựa dẻo có đư ng kính
trong lớn hơn nhiều đư ng kính sợi trần như ví dụ trong hình 2-46(b). Trong cấu
trúc này, sợi quang dịch chuyển được tự do trong ng đệm b o vệ sợi kh i sự kéo
căng cấu trúc cáp gây ra b i một s yếu t như thay đổi nhiệt độ, lực t i tác động.
Trong trư ng hợp cáp nhiều sợi, để đơn gi n việc hàn n i cáp, các nhà thiết kế hay
lựa chọn cấu trúc d i băng dẹt. Trong kiểu cấu trúc này, nhiều sợi quang được đồng
chỉnh chính xác với nhau và được bọc b i một lớp đệm nhựa để hình thành một d i
băng dài liên tục. S lượng sợi trong mỗi d i băng thư ng trong d i từ 4 đến 12 sợi.
Các d i băng này có thể được sắp xếp chồng lên nhau để hình thành các kh i hay bó
sợi với s lượng lớn (VD: 144 sợi). Các lớp bọc đệm hoặc ng đệm sợi quang
thư ng được đánh các mầu khác nhau trong cấu trúc cáp nhiều sợi để giúp dễ dàng
nhận biết chính xác sợi quang trong quá trình lắp đặt và hàn n i.
Chất độn là d ng chất gel hay mỡ được sử dụng để điền đầy trong các ng
đệm l ng hay các kho ng tr ng trong cáp có kh năng ch ng ẩm, ch ng thấm nước
và không ph n ứng hóa học với các thành phần khác và khó cháy.
V cáp bao bọc toàn bộ cấu trúc cáp cần có đặc tính cơ lý hóa học t t đ m
b o độ bền ép và các ứng suất kéo căng tác động lên cáp để các sợi bên trong lõi
không bị h ng. Lớp v cũng b o vệ cáp kh i sự cọ sát mài mòn, độ ẩm, các dung
môi hóa chất, dầu và các chất nhiễm bẩn khác. Tuy thuộc vào lo i cáp ứng dụng mà
có các kiểu v cáp khác nhau trong cấu trúc. Vật liệu sử dụng để làm v cáp thư ng
sử dụng các lo i nhựa polymer như PVC (Polyvinylclorua), PU (Polyurethan) hay
PE (Polyethylene). Vật liệu PE thư ng hay sử dụng cho v cáp ngoài tr i.
Phụ thuộc vào các ứng dụng cụ thể của cáp quang mà cấu trúc cáp có các đặc
điểm riêng. Các cáp sợi quang có thể được phân lo i theo nhiều cách khác nhau
theo mục đích sử dụng hoặc theo điều kiện lắp đặt.
Chất độn điền
Cấu trúc đệm l ng đầy chặn nước Thành phần gia cư ng
(các dây thép)
Các băng quấn bọc
Thành phần gia cư ng và chất ch ng ẩm
trung tâm Lớp v trong PE
Cấu trúc đệm l ng
Băng quấn bọc
Các băng quấn bọc và v chì
Lớp v giữa PE
Băng thép cuộn sóng
Lớp đệm (sợi tơ
Chất độn chặn nước
+ nhựa đư ng)
Lớp v trong PE Bọc dây thép
được m điện
Lớp v ngoài PE Lớp v b o vệ ngoài
cùng
Hình 2-47 Ví dụ về cấu trúc cáp sợi quang (a) Cáp ngoài tr i, (b) Cáp quang biển.

81
2.7.3 Hàn và kết nối sợi quang
a. Các yếu tố nh hưởng đến suy hao mối nối sợi quang
Có một s yếu t nh hư ng đến suy hao m i n i hai đầu sợi quang bao gồm
chất lượng mặt cắt đầu sợi, vị trí tương đ i giữa hai đầu sợi và độ lệch các tham s
của hai sợi quang.
Đầu sợi Bề mặt
phẳng nhẵn phẳng nhẵn

Đầu lồi Bề mặt bị

sứt mẻ

Hình 2-48 Ví dụ về đầu sợi quang được cắt không đ m b o.

Các đầu sợi quang trước khi kết n i được chuẩn bị đ m b o chất lượng t t
nhất để gi m thiểu suy hao khi kết n i. Một đầu sợi quang t t cần đ m b o s ch với
bề mặt phẳng nhẵn và vuông góc với trục sợi. Chất lượng đầu sợi này được xác định
chủ yếu qua bước cắt đầu sợi, việc cắt đầu sợi không t t sẽ làm cho đầu sợi bị sứt
mẻ hoặc ghồ ghề như ví dụ trong hình 2-48 gây ra suy hao lớn khi kết n i.

Hình 2-49 Các lỗi đồng chỉnh cơ b n có thể x y ra khi kết n i. (a) Lệch tâm, (b) Khe h ,
(c) Lệch trục.
Diện tích lõi
xếp chồng

Lõi sợi phát Lõi sợi thu

Công suất Công suất

ghép bị mất

Hình 2-50 Sự lệch tâm và khe h giữa hai đầu sợi quang.

Trong quá trình kết n i hai đầu sợi quang, vị trí tương đ i giữa hai đầu sợi
liên quan đến quá trình đồng chỉnh nh hư ng có nghĩa đến chất lượng hàn n i. Có
ba kiểu lỗi đồng chỉnh cơ b n giữa hai đầu sợi như cho thấy trong hình 2-49 bao
gồm lệch tâm, khe h và lệch trục. Sự lệch tâm x y ra khi các trục của hai sợi bị
lệch nhau một kho ng d và là yếu t thư ng gặp trong thực tế. Sự lệch tâm sẽ làm
gi m diện tích xếp chồng của hai bề mặt đầu sợi như cho thấy trong hình 2-50(a) và

82
dẫn tới sự gi m lượng công suất quang được ghép cặp từ sợi này sang sợi kia. Khe
h x y ra khi các sợi được đồng chỉnh thẳng hàng về trục nhưng có một khe h s
giữa hai đầu sợi làm cho phần công suất quang của một s mode bậc cao sẽ bị chặn
b i sợi thu gây ra suy hao như cho thấy trong hình 2-50(b). Khi các trục hai sợi bị
lệch nhau một góc t i m i n i thì phần công suất quang đi ra kh i sợi đầu sẽ nằm
ngoài góc tiếp nhận của sợi thu sẽ bị mất mát. Mức tổn hao được so sánh qua thực
nghiệm gây ra b i các lỗi đồng chỉnh được thể hiện qua hình 2-51 đ i với sợi đa
mode GI t i hai đư ng kính lõi 50 và 55 µm. đây độ lệch tâm và kho ng khe h
được chuẩn hóa theo bán kính của sợi a, còn độ lệch trục được chuẩn hóa theo khẩu
độ s cực đ i của sợi. Hình 2-51 cho thấy rằng trong ba lỗi đồng chỉnh thì suy hao
chiếm nhiều nhất gây ra do sự lệch tâm. Trong thực tế độ lệch trục chuẩn hóa trong
hàn n i có thể đ t được nh hơn 1% (tương đương 1o) và mức suy hao của tất c các
lỗi nên nh hơn 0,5 dB. Trong trư ng hợp hàn nóng ch y, suy hao do khe h có thể
b qua, nhưng đ i với connector hai đầu sợi sẽ cách nhau một khe h nh để tránh
sự cọ sát vào nhau gây h ng trong khi kết n i. Kho ng cách khe h thư ng trong
ph m vi từ 0,025 đến 0,1 mm.
Độ lệch trục (góc) chuẩn hóa, /arcsin NA(0)

Chỉ do lệch

Do lệch góc t i s/a = 1

Chỉ do khe
h

Độ lệch tâm chuẩn hóa d/a hoặc kho ng cách s/a

Hình 2-51 So sánh thực nghiệm suy hao (theo dB) do các lỗi đồng chỉnh.

Một yếu t nữa nh hư ng đến suy hao hàn n i đó là sự khác biệt về các
thông s hai sợi kết n i như khác nhau về đư ng kính lõi, khác về đư ng kính v ,
khác về khẩu độ s hay có độ méo khác nhau như mô t trong hình 2-52. Đây có thể

83
được coi là yếu t khách quan do chính sợi quang gây ra. Sự khác biệt về các tham
s này là không tránh kh i khi kết n i sợi quang từ các nhà s n xuất khác nhau.

Sai khác NA Sai khác đư ng kính lõi

Không đồng tâm Méo elip Sai khác đư ng kính v

Hình 2-52 Mô t sự khác biệt các thông s sợi quang nh hư ng đến suy hao hàn n i.

b. Hàn nóng ch y
Kỹ thuật hàn nóng ch y được sử dụng để n i vĩnh viễn hai sợi quang với
nhau dọc trên tuyến truyền dẫn. Hai đầu sợi quang sau khi được làm s ch và cắt
đ m b o yêu cầu sẽ được đặt vào bộ giữ sợi rãnh chữ V trong máy hàn nóng ch y
như hình 2-53. Các đầu sợi sẽ được đưa vào gần nhau và được đồng chỉnh bằng thủ
công hoặc tự động. Hiện nay hầu hết các máy hàn nóng ch y đều có kh năng tự
động đồng chỉnh đầu sợi nh hệ th ng camera giám sát và đo kiểm tự động trong
máy hàn.
Đầu hàn nóng ch y laser
hoặc hồ quang điện

Đầu sợi
quang để hàn

Khay giữ sợi được vi chỉnh

Hình 2-53 Kỹ thuật hàn nóng ch y sợi quang

Sau khi đã đồng chỉnh t t, hai đầu sợi được đ t nóng bằng tia hồ quang điện
hoặc bằng xung laser đến mức các đầu sợi bị nóng ch y tức thì và gắn kết với nhau.
Quá trình đ t nóng có thể thực hiện qua hai giai đo n: giai đo n đầu các đầu sợi
được đ t nóng mức công suất thấp để làm s ch các đầu sợi trước khi được đ t
nóng giai đo n sau với mức công suất lớn hơn để làm nóng ch y đầu sợi. Kỹ thuật
này có thể t o ra m i hàn có suy hao thấp (có giá trị trung bình điển hình nh hơn
0,06 dB).
c. Connector quang

84
 Sử dụng connector quang để kết n i mặc dù có suy hao lớn hơn so với m i
hàn nóng ch y nhưng l i cho phép kh năng tháo lắp một cách linh ho t trên hệ
th ng. Có nhiều lo i connector quang khác nhau được sử dụng trong các ứng dụng
khác nhau và cũng tiến triển theo sự phát triển của hệ th ng. Một lo i connector
quang t t sẽ có suy hao ghép n i thấp, ổn định khi sử dụng, độ tin cậy cao và dễ
dàng tháo lắp. Hình 2-54 cho thấy một s lo i connector quang điển hình sử dụng
trong hệ th ng thông tin quang. Các đầu connector quang được kết n i với nhau qua
adapter quang tương ứng như trong hình 2-55. Hiện nay suy hao trung bình của một
kết n i connector quang cỡ 0,3 dB. Thông thư ng kết n i connector quang được
thực hiện qua tiếp xúc vật lý (PC), do vậy có thể có một phần nh ánh sáng bị ph n
x t i đầu sợi kết n i gây nh hư ng đến hệ th ng. Trong một s hệ th ng yêu cầu
phần ánh sáng ph n x t i điểm kết n i ph i rất nh , các connector quang có đầu vát
nghiêng (APC) sẽ được sử dụng.

Hình 2-54 Một s lo i connector quang điển hình

Hình 2-55 Một s lo i adapter tương ứng để kết n i các connector quang
85
 Câu hỏi/bài tập chương 2
1/ Cấu t o chung sợi quang và cách phân lo i các sợi quang sử dụng trong viễn
thông ?
2/ Khẩu độ s của sợi quang là gì ? Giữa khẩu độ s của sợi SI và sợi GI có gì khác
biệt ?
3/ Thế nào là mode ánh sáng ? S lượng mode truyền dẫn trong sợi quang phụ thuộc
vào những yếu t nào? Khi nào sợi quang chỉ truyền một mode duy nhất ?
4/ Quá trình truyền ánh sáng trong sợi đa mode chiết suất bậc có gì khác biệt với
quá trình truyền ánh sáng trong sợi đa mode chiết suất biến đổi?
5/ T i sao trong chế t o sợi quang đơn mode, giá trị V của sợi thư ng được lựa chọn
trong kho ng 2 – 2,4?
6/ Trong sợi quang có những nguyên nhân nào gây ra suy hao? Phổ suy hao sợi
quang thủy tinh có đặc điểm gì?
7/ Suy hao do u n cong sợi quang được h n chế bằng cách gì?
8/ Tán sắc nh hư ng như thế nào lên tín hiệu lan truền trong sợi quang ?
9/ T i sao sợi MM-GI có tán sắc mode nh hơn so với sợi MM-SI? Sợi MM-GI
thư ng có mặt cắt chiết suất nào để tán sắc mode nh nhất?
10/ Trong sợi quang đơn mode có những lo i tán sắc nào? Để gi m nh hư ng của
những lo i tán sắc này có thể có những biện pháp gì?
11/ Đặc tính tán sắc của các sợi quang dịch tán sắc DSF, sợi quang bù tán sắc DCF
và sợi quang tán sắc phẳng có gì khác đặc tính tán sắc của sợi đơn mode chuẩn ?
12/ Chứng minh một xung Gauss chirp tần bị nén xung ban đầu trong sợi đơn mode
khi 2C < 0. Hãy xác định biểu thức của độ rộng xung nh nhất và chiều dài sợi
tương ứng.
13/Hiệu ứng phi tuyến SPM trong sợi quang có nh hư ng xấu hay t t lên tín hiệu
lan truyền ?
14/ Cho sợi quang có đư ng kính lõi 50 µm và ho t động t i bước sóng 850 nm.
Biết sợi có độ lệch chiết suất là 2% với chiết suất lớp v n2 = 1,45.
a/ Hãy tính s lượng mode trong sợi khi gi sử sợi có mặt cắt chiết suất bậc.
b/ Hãy tính s lượng mode trong sợi khi gi sử sợi có mặt cắt chiết suất biến
đổi với hệ s mặt cắt chiết suất  = 2.
86
 c/ Hãy tính s lượng mode trong sợi khi gi sử sợi có mặt cắt chiết suất biến
đổi với hệ s mặt cắt chiết suất  = 2,5.
15/ Hãy xác định mức độ dãn xung gây ra b i tán sắc mode của các sợi cho trong
bài tập 13.
16/ Cho sợi quang đơn mode có độ lệch chiết suất là 0,2% với chiết suất lõi n1 =
1,474. Hãy xác định đư ng kính sợi quang khi biết sợi ho t động đơn mode t i bước
sóng lớn hơn 1 µm.
17/ Hãy tính t c độ bít giới h n cho tuyến sợi quang đơn mode 50 km t i các bước
sóng 1,3 và 1,55 m có các xung đầu vào bị giới h n khai triển với độ rộng FWHM
là 100 ps. Gi sử 2 = 0 và -20 ps2/km và 3 = 0,1 ps3/km và 0 t i các bước sóng 1,3
và 1,55 m tương ứng. (Cũng gi sử V << 1).
18/ Tính công suất đưa vào sợi đơn mode dài 50 km để độ dịch pha gây ra b i SPM
là 180o. Gi sử  = 1,55 m, Aeff = 60 m2,  = 0,2 dB/km và n2 = 2,6x10-20 m2/W.
19/ Tìm độ dịch tần cực đ i x y ra do SPM gây ra lên một xung Gauss có độ rộng
FWHM 20 ps và công suất đỉnh 5 mW sau khi truyền qua 100 km sợi quang. Các
tham s của sợi tương tự bài tập trên ngo i trừ  = 0.
20/ Tính công suất ngưỡng cho tán x Brillouin kích thích cho 50 km tuyến sợi
quang ho t động t i 1,3 m và có hệ s suy hao 0,5 dB/km. Công suất ngưỡng thay
đổi như thế nào khi thay đổi bước sóng ho t động t i 1,55 m nơi có hệ s suy hao
chỉ 0,2 dB/km? Gi sử biết Aeff = 50 m2 và gB = 5x10-11 m/W c hai bước sóng.

87