‫הקשר שבין רמת פרמי וריכוז נושאי המטען‪:‬‬

‫נוכחות של מזהם‪:‬‬

‫• בהינתן מזהם שהוא 'תורם' (‪ )Donor‬נקבל צפיפות אלקטרונים הגדולה משמעותית‬

‫מצפיפות החורים‪.‬‬
‫החומר הוא ‪ N-Type‬ונאמר כי האלקטרונים הם נושאי מטען הרוב (‪)Majority carriers‬‬
‫והחורים הם נושאי מטען המיעוט (‪.)Minority carriers‬‬
‫• בהינתן מזהם שהוא 'מקבל' (‪ )Acceptor‬צפיפות החורים הגדולה משמעותית מצפיפות‬
‫האלקטרונים‪.‬‬
‫החומר הוא ‪ P-Type‬ונאמר כי החורים הם נושאי מטען הרוב (‪)Majority carriers‬‬
‫והאלקטרונים הם נושאי מטען המיעוט (‪.)Minority carriers‬‬

‫הגדרות חומרים‪:‬‬

‫• חומר אינטרינסי‪:‬‬
‫חומר שאינו מזוהם (או שמזוהם ומקיים‪ ) Na = Nd :‬ובו תמיד מתקיים‪. n = p = ni :‬‬

‫• חומר מסוג ‪:N-Type‬‬

‫חומר המזוהם בתורמים ) ‪ , ( N d‬או בתורמים ומקבלים כך שמתקיים ‪. Nd  Na‬‬

‫• חומר מסוג ‪:P-Type‬‬

‫חומר המזוהם במקבלים ) ‪ , ( N a‬או בתורמים ומקבלים כך שמתקיים ‪. Na  Nd‬‬

‫‪9‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫משוואות‪:‬‬

‫עבור כל חומר תמיד מתקיים‪. np = ni2 :‬‬

‫בהינתן זיהום של תורמים‪/‬אקספטורים או שניהם‪:‬‬
‫‪ )1‬אם‪( Nd − Na ni :‬חומר מסוג ‪ )N-Type‬אז‪. n = N d − N a ; p = ni2 / n :‬‬
‫יתרה מכך‪ ,‬אם מתקיים‪ Nd Na :‬אז‪. n = N d ; p = ni2 / N d :‬‬
‫‪ )2‬אם‪( Na − Nd ni :‬חומר מסוג ‪ )P-Type‬אז‪. p = N a − N d ; n = ni2 / p :‬‬
‫יתרה מכך‪ ,‬אם מתקיים‪ Na Nd :‬אז‪. p = N a ; n = ni2 / N a :‬‬

‫נאמר כי ריכוז הזיהום ( ‪ N d‬או ‪ ) N a‬גדול משמעותית מהריכוז האינטרינזי ‪ ni‬אם הוא‬
‫גדול ממנו בשני סדרי גודל לפחות‪ .‬במידה וריכוזי הזיהומים אינם גדולים בשני סדרי‬
‫גודל‪ ,‬יש לחשב את ריכוזי נושאי המטען לפי הנוסחאות המלאות (ללא הקירוב)‪:‬‬
‫‪2‬‬
‫‪N − Na‬‬ ‫‪ N − Na ‬‬
‫‪n= d‬‬ ‫‪+  d‬‬ ‫‪ + ni‬‬
‫‪2‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪‬‬

‫‪2‬‬
‫‪Na − Nd‬‬ ‫‪ N − Nd ‬‬
‫=‪p‬‬ ‫‪+  a‬‬ ‫‪ + ni‬‬
‫‪2‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪‬‬

‫נוסחאות של רמות פרמי‪:‬‬

‫נוסחאות עבור נושאי מטען הרוב‪:‬‬
‫‪Type‬‬ ‫‪Relation‬‬ ‫‪Simplification‬‬
‫‪− ( Ec − EF ) / kT‬‬ ‫‪N ‬‬
‫‪N-Type‬‬ ‫‪n = Nce‬‬ ‫‪Ec − EF = kT  ln  c ‬‬
‫‪ n ‬‬
‫‪− ( EF − Ev ) / kT‬‬ ‫‪N ‬‬
‫‪P-Type‬‬ ‫‪p = N ve‬‬ ‫‪EF − Ev = kT  ln  V ‬‬
‫‪ p ‬‬

‫נוסחאות עבור הריכוז האינטרינסי‪:‬‬

‫‪Type‬‬ ‫‪Relation‬‬ ‫‪Simplification‬‬
‫‪− ( EF − Ei ) / kT‬‬ ‫‪n‬‬
‫‪N-Type‬‬ ‫‪ni = n  e‬‬ ‫‪EF − Ei = kT  ln  ‬‬
‫‪ ni ‬‬
‫‪−( Ei − EF ) / kT‬‬ ‫‪ p‬‬
‫‪P-Type‬‬ ‫‪ni = p  e‬‬ ‫‪Ei − EF = kT  ln  ‬‬
‫‪ ni ‬‬

‫תיאור רמות אנרגיה‪:‬‬

‫‪10‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫חומר ‪P-Type‬‬ ‫חומר ‪N-Type‬‬

‫הערות‪:‬‬
‫‪ )1‬הגודל ‪ kT‬בטמפרטורת החדר (כלומר‪ ) T = 300K :‬הוא ‪. 26 meV‬‬
‫‪. k  8.66 10−5 ‬‬
‫‪eV ‬‬
‫‪ )2‬ניתן לבודד את ‪ k‬מהקשר‪ kT T =300 K = 0.026 :‬ולקבל‪:‬‬
‫‪ K ‬‬

‫ריכוזים שונים‪:‬‬
‫‪− E /2 kT‬‬
‫‪. ni = Nc Nv e‬‬ ‫‪g‬‬
‫מגדירים את הריכוז האינטרינסי‪:‬‬
‫‪3/2‬‬
‫‪ 2 m p kT ‬‬
‫‪3/2‬‬
‫‪2 mn kT ‬‬
‫‪. Nv = 2 ‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ Nc = 2 ‬ו‪-‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪‬‬ ‫כאשר‪:‬‬
‫‪ h‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ h‬‬ ‫‪‬‬

‫ריכוזי מצבים אפקטיביים בטמפרטורת החדר ) ‪: (T = 300K‬‬

‫‪Ge‬‬ ‫‪Si‬‬ ‫‪GaAs‬‬

‫‪Nc cm−3 ‬‬ ‫‪1.04 1019‬‬ ‫‪2.8 1019‬‬ ‫‪4.7 1017‬‬
‫‪N v cm−3 ‬‬ ‫‪6 1018‬‬ ‫‪1.04 1019‬‬ ‫‪7 1018‬‬

‫אנרגית ה‪ band-gap-‬והריכוז האינטרינסי בטמפרטורת החדר ) ‪: (T = 300K‬‬

‫‪Ge‬‬ ‫‪Si‬‬ ‫‪GaAs‬‬

‫‪E g  eV ‬‬ ‫‪0.67‬‬ ‫‪1.12‬‬ ‫‪1.42‬‬
‫‪ni cm−3 ‬‬ ‫‪2 1013‬‬ ‫‪1010‬‬ ‫‪2.1106‬‬

‫שאלות‪:‬‬

‫‪11‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫השפעת הטמפרטורה על ריכוז נושאי המטען‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫חזרה כללית על נוסחאות ריכוז נושאי המטען‪:‬‬
‫נוסחה למציאת ריכוז נושאי המטען של חומר אינטרינסי בתלות בטמפרטורה‪:‬‬
‫‪3/2‬‬
‫‪ 2 kT ‬‬ ‫‪ Eg ‬‬
‫‪ni (T ) = 2  2 ‬‬ ‫) ‪ ( m p  mn‬‬
‫‪3/4‬‬
‫‪exp −‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ h ‬‬ ‫‪ 2kT ‬‬
‫כאשר הטמפרטורה ‪ T‬מוגדרת במעלות קלווין ( ‪.) T  = K‬‬

‫במידה ויש להציג את הטמפרטורה במעלות צלזיוס ניעזר בהמרה‪. T ( C ) = T ( K ) − 273.15 :‬‬

‫כדי למצוא ביטוי לריכוז האינטרינסי של חומר בטמפרטורה ‪ T‬השונה מטמפרטורת‬

‫החדר נעזר בנוסחה הבאה‪:‬‬
‫‪3/2‬‬
‫‪ T ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪Eg  300  ‬‬
‫‪ni (T ) = ni ( 300K )  ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ exp −‬‬ ‫‪1 −‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ 300 ‬‬ ‫‪ 2k  300 ‬‬ ‫‪T ‬‬

‫הצגה גרפית של ריכוז נושאי המטען‪:‬‬

‫‪1000‬‬
‫על מנת למצוא מידע הקשור‬ ‫נעזר בתלות הליניארית של גרף ) ‪ ln ( ni‬כתלות ב‪-‬‬
‫‪T‬‬
‫למוליכים למחצה טהורים עם ‪" Eg‬גדול" (כגון סיליקון)‪:‬‬
‫‪Eg‬‬ ‫‪1000 ‬‬ ‫‪E ‬‬
‫‪ln ( ni (T ) ) = −‬‬ ‫‪+  ln ( ni ( 300K ) ) + g ‬‬
‫‪2000k T‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪600k ‬‬

‫‪300‬‬
‫על מנת למצוא מידע הקשור‬ ‫נעזר בתלות הליניארית של גרף ) ‪ ln ( ni‬כתלות ב‪-‬‬
‫‪T‬‬
‫למוליכים למחצה טהורים עם ‪" Eg‬קטן" (כגון גרמניום)‪:‬‬

‫‪3‬‬ ‫‪Eg  300 ‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Eg ‬‬

‫‪ln ( ni (T ) ) = −  +‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪+  ln ( ni ( 300K ) ) + +‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ 2 2k  300  T‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪2 2k  300 ‬‬

‫‪16‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫מסקנות מיידיות‪:‬‬

‫• ככל שהשיפוע קיצוני יותר ‪ Eg‬גדול יותר‪.‬‬

‫• בטמפרטורות נמוכות‪ ,‬חומרים עם ‪ Eg‬גדול יכילו פחות אלקטרונים בשכבת ההולכה‬
‫ולכן הריכוז האינטרינסי יהיה קטן יותר מאשר חומרים שבהם ‪ Eg‬קטן יותר‪.‬‬
‫• בטמפרטורות גבוהות הריכוז גדל כמעט ללא תלות ב‪. Eg -‬‬

‫תלות ריכוז נושאי מטען הרוב והמיעוט במוליך למחצה מזוהם‪:‬‬

‫חומר אינטרינסי הינו מוליך למחצה שאינו כולל זיהום (טהור)‬
‫בעוד שחומר אקסטרינסי הינו מוליך למחצה שעבר זיהום‪.‬‬
‫באפס מוחלט אין אנרגיה תרמית ליינון של האטומים המזהמים‪.‬‬ ‫•‬
‫ככל שעולים עם הטמפרטורה‪ ,‬יותר אטומים מתייננים ולכן ריכוז נושאי המטען גדל‪.‬‬ ‫•‬
‫החל מטמפרטורה מסוימת‪ ,‬כל אטומי המזהם מיוניים ובתחום טמפרטורות זה ריכוז‬ ‫•‬
‫הוא קבוע‪ .‬בהנחה והמזהם גדול בלפחות שני סדרי גודל מהריכוז האינטרינסי‪ ,‬נאמר כי‬
‫ריכוז הפיסה הוא כפי של המזהם‪ .‬אנו נמצאים בתחום טמפרטורות בהן החומר הוא‬
‫אקסטרינסי‪.‬‬
‫בטמפרטורות גבוהות יותר‪ ,‬נושאי מטען המיעוט גדלים‪.‬‬ ‫•‬
‫במקרה זה מתקבל‪ n = p = ni (T ) :‬ולכן נאמר כי החומר מתנהג כחומר אינטרינסי‪.‬‬
‫בשונה מחומר אינטרינסי‪ ,‬המוליכות של הפיסה כעת תהיה גדולה יותר‬
‫(יש יותר מטענים ניידים)‪.‬‬

‫‪17‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫פרק ‪2‬‬
‫תנועה של אלקטרונים וחורים‬
‫כללי‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫תנועה תרמית‪:‬‬
‫‪3‬‬
‫= ‪ETH‬‬ ‫אנרגיה הקינטית הממוצעת של אלקטרון‪kT :‬‬
‫‪2‬‬
‫‪3kT‬‬ ‫‪3kT‬‬
‫= ‪vTH‬‬ ‫= ‪, vTH‬‬ ‫מהירות תרמית (של אלקטרון ושל חור)‪:‬‬
‫‪mn‬‬ ‫‪mp‬‬
‫זמן ממוצע להתנגשות הוא‪.  coll = 10−13 sec :‬‬

‫מהירות סחיפה (‪:)Drift Velocity‬‬

‫תנועת מטענים לאורך מוליך למחצה כתוצאה משדה חשמלי חיצוני ‪. ‬‬

‫‪v p =  p‬‬
‫משוואות הסחיפה‪:‬‬
‫‪vn = −  n‬‬
‫כאשר‪:‬‬
‫‪q  mp‬‬
‫= ‪  p‬נקרא המוביליות של חורים‪.‬‬
‫‪mp‬‬
‫‪q  mn‬‬
‫= ‪ n‬נקרא המוביליות של האלקטרונים‪.‬‬
‫‪mn‬‬

‫מוביליות מתארת עד כמה ניידים המטענים במוליך‪.‬‬

‫‪ q  mp ‬‬ ‫‪cm 2‬‬
‫‪.   p  =  n  = ‬‬ ‫‪‬‬ ‫=‬ ‫יחידות המוביליות הן‪:‬‬
‫‪ m p  V  sec‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫הערות‪:‬‬
‫‪ )1‬מצורף בסוף הפרק גרף המוביליות עבור סיליקון (‪ )Si‬וגליום‪-‬ארסנייד (‪.)GaAs‬‬
‫‪cm‬‬
‫‪ vsat = 107‬עבור סיליקון (‪)Si‬‬ ‫מהירות הסחיפה המרבית היא בקירוב‬ ‫‪)2‬‬
‫‪sec‬‬
‫‪cm‬‬
‫‪ vsat = 1.3 107‬עבור גליום‪-‬ארסנייד (‪.)GaAs‬‬ ‫ו‪-‬‬
‫‪sec‬‬

‫משוואת צפיפות הסחיפה‪:‬‬

‫‪J drift = J p ,drift + J n,drift = qp p + qnn = ‬‬ ‫צפיפות זרם הסחיפה היא‪:‬‬
‫כאשר‪:‬‬
‫• מוליכות חשמלית ליחידת אורך‪(  = qp p + qnn :‬ונמדדת ביחידות של‪) S / m :‬‬
‫‪1‬‬
‫) ‪= ( qp  p + qn n‬‬
‫‪−1‬‬
‫= ‪( ‬ונמדדת ביחידות של‪.)  m :‬‬ ‫• התנגדות חשמלית אורכית‪:‬‬
‫‪‬‬

‫זרם דיפוזיה‪:‬‬
‫זרם של מטענים כתוצאה משינוי בריכוז המזהמים לאורך הגביש‪.‬‬
‫כיווני הזרמי הדיפוזיה והזרם הכלליים‪:‬‬

‫מגדירים את צפיפות הזרם הכללי במוליך למחצה מזוהם באופן הבא‪:‬‬

‫= ) ‪J = J n + J p = ( J n,drift + J n,diff ) + ( J p ,drift + J p ,diff‬‬
‫‪dn‬‬ ‫‪dp‬‬
‫‪= qnn + qDn‬‬ ‫‪+ qp p − qDp‬‬
‫‪dx‬‬ ‫‪dx‬‬
‫‪cm 2‬‬
‫‪.‬‬ ‫כאשר ‪ Dn‬ו‪ D p -‬הם מקדמי הדיפוזיה של אלקטרונים וחורים בהתאמה ב‪-‬‬
‫‪sec‬‬

‫‪3‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫הערות‪:‬‬
‫‪ )1‬קיימים זרמי סחיפה במידה ומופעל שדה חשמלי חיצוני‪.‬‬
‫‪ )2‬קיימים זרמי דיפוזיה במידה ויש גרדיאנט בריכוזי הזיהום‪.‬‬
‫‪ )3‬נושאי מטען הרוב קובעים את צפיפות הזרם וכיוונו‪.‬‬

‫יחסי איינשטיין‪:‬‬
‫‪D‬‬ ‫‪kT‬‬
‫‪.‬‬ ‫=‬ ‫קשר שבין המוביליות ומקדם הדיפוזיה‪:‬‬
‫‪‬‬ ‫‪q‬‬
‫‪Dp‬‬ ‫‪kT‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪kT‬‬
‫‪.‬‬ ‫=‬ ‫= ‪ n‬ועבור חורים נכתוב‪:‬‬ ‫עבור אלקטרונים נכתוב‪:‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪q‬‬

‫הערה‪:‬‬
‫‪D‬‬ ‫‪kT‬‬
‫‪.‬‬ ‫=‬ ‫בטמפ' החדר מקבלים‪= 26mV @ T = 300K :‬‬ ‫‪)1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪q‬‬

‫שאלות‪:‬‬
‫‪ )1‬מטיל סיליקון נמצא בטמפרטורת החדר ומאולח לפי‪:‬‬
‫‪. N a = 1016 cm−3 , N d = 3 1014 cm−3‬‬
‫א‪ .‬איזה סוג חומר הוא?‬
‫‪kV‬‬
‫‪ ,  = 7‬מהי מהירות נושאי המטען?‬ ‫נתון שדה חיצוני של‬ ‫ב‪.‬‬
‫‪cm‬‬
‫מהו הזרם הכללי?‬
‫ג‪ .‬עבור איזה שדה תתקבל מהירות נושאי מטען מקסימלית‬
‫(הרוב והמיעוט)‪.‬‬
‫‪cm‬‬
‫‪. vsat = 107‬‬ ‫זכור כי עבור סיליקון מהירות הרוויה היא‪:‬‬
‫‪sec‬‬

‫‪ )2‬נתון מטיל גליום‪-‬ארסנייד (‪ )GaAs‬שעובר תהליך זיהום לפי‪. N a = 1014 cm−3 , N d = 1017 cm −3 :‬‬
‫חשב עבור איזה שדה תתקבל מהירות נושאי מטען מקסימלית (הרוב והמיעוט)‪.‬‬
‫‪cm‬‬
‫‪. vsat = 1.2 107‬‬ ‫זכור כי עבור ‪ GaAs‬מהירות הרוויה היא‪:‬‬
‫‪sec‬‬

‫‪4‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫גרף מוביליות ודיפיוסיטיביות (בטמפרטורת החדר)‪:‬‬

‫‪9‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫יסודות התקני מוליכים למחצה‬
‫משוואת הרציפות‬
‫כללי‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫גנרציה (‪:)Generation‬‬
‫באפס מוחלט ( ‪ ) T = 0K‬כל האלקטרונים קשורים לאטומי הסיליקון‪.‬‬
‫בטמפרטורות גבוהות יותר‪ ,‬יש לאלקטרון מספיק אנרגיה כדי לעזוב את האטום‬
‫אליו הוא קשור‪ .‬עזיבת האלקטרון משאירה חור בשכבת הערכיות‪.‬‬
‫לתהליך הזה קוראים גנרציה ובו נוצרים זוג אלקטרון‪-‬חור‪.‬‬

‫סוגי גנרציה‪:‬‬

‫• גנרציה תרמית ישירה (‪)Direct Thermal: band-to-band‬‬

‫• גנרציה תרמית לא ישירה (‪)Indirect Thermal: R/G Center‬‬
‫• גנרציה אופטית (‪)Optical Generation‬‬

‫ריקומבינציה (‪:)Recombination‬‬
‫תהליך בו כאשר אלקטרון חופשי וחור חופשי נפגשים הם מבטלים זה את זה‪,‬‬
‫כלומר חודלים מלהתקיים‪ .‬האלקטרון חוזר לרמת האנרגיה שלו בתוך האטום‬
‫והחור נעלם‪.‬‬
‫בדומה לגנרציה‪ ,‬ישנם שני סוגים של תהליכי ריקומבינציה‪:‬‬
‫• ריקומבינציה תרמית ישירה (‪)Direct Thermal: band-to-band‬‬
‫• ריקומבינציה תרמית לא ישירה (‪)Indirect Thermal: R/G Center‬‬

‫כל עוד המל"מ בשיווי משקל תרמי‪ ,‬והתהליכים היחידים שמתרחשים הם תרמיים‪,‬‬
‫תמיד נקבל את הקשר‪. n = p = ni :‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫גנרציה אופטית‪:‬‬
‫גנרציה הנובעת מהארה על פיסת מוליך למחצה‪.‬‬
‫נניח תדר קבוע ואנרגיה ‪ h‬קבועה‪.‬‬
‫‪dI‬‬
‫והיא‪. I ( z ) = I 0 e − z :‬‬ ‫עוצמת האור כשהולכים לעומק המוליך ‪ z‬נתונה ע"י‪= − z :‬‬
‫‪dz‬‬
‫מניחים שמספר זוגות האלקטרון‪-‬חור הנוצרים מההארה הוא פרופורציוני למספר‬
‫הפוטונים וכמובן כי ‪ h  Eg‬על מנת שהגנרציה תתרחש‪.‬‬
‫‪G0‬‬
‫= ‪GL‬‬
‫‪‬‬
‫‪ G‬הוא גודל קבוע‪(1 − e ) :‬‬
‫‪− d‬‬
‫‪L‬‬ ‫לרוב נניח גנרציה קבועה ואז‬
‫אם מתרחשת הארה דרך פאה אחת או חריץ נקבל תלות במיקום‪. GL ( x ) :‬‬

‫תהליכי גנרציה וריקומבינציה תרמיים‪:‬‬

‫נסמן ב‪ p0 -‬את ריכוז החורים במוליך למחצה כתוצאה מזיהום וב‪ p -‬את סך‬
‫הריכוז לאחר גנרציה‪ .‬מתקיים‪ p = p0 + p :‬כאשר ‪ p‬מתאר את היווצרות‬
‫‪p‬‬ ‫‪p‬‬
‫‪=−‬‬ ‫החורים העודפים כתוצאה מגנרציה‪ .‬מתקבלת המשוואה‪:‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪p‬‬
‫כאשר ‪  p‬הוא זמן החיים של החורים (הזמן הממוצע עד שעוברים ריקומבינציה)‪.‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪n‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪=−‬‬ ‫באותו אופן עבור אלקטרונים עודפים נקבל‪:‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪n‬‬
‫עבור פיסה שאינה בשיווי משקל‪ ,‬המשוואה תלויה רק בשינוי של נושאי מטען‬
‫המיעוט העודפים כאשר השינוי הזה יכול לנבוע מעירור הפיסה ע"י הארה‪ ,‬העלאת‬
‫טמפרטורה וכו'‪.‬‬

‫‪3‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫משוואת הרציפות הצורה הכללית‪:‬‬
‫משוואות הרציפות נכתבות עבור נושאי המטען המיעוט העודפים בפיסת מוליך למחצה‪.‬‬
‫• בחומר מסוג ‪ N‬נתעניין במשוואה עבור החורים‪.‬‬
‫• בחומר מסוג ‪ P‬נתעניין במשוואה עבור האלקטרונים‪.‬‬

‫המשוואות מתארות את קצב השינוי בריכוז נושאי מטען המיעוט העודפים כתלות בזמן‬
‫(אגף שמאל) ובמיקום (ביטויים שבאגף ימין)‪:‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪p 1  ‬‬ ‫‪p ‬‬
‫‪N Type:‬‬ ‫‪= GL −‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪ q p p − qD p‬‬ ‫‪‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪ p q x ‬‬ ‫‪x ‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪n 1  ‬‬ ‫‪n ‬‬
‫‪P Type:‬‬ ‫‪= GL −‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪ −qn n + qDn‬‬ ‫‪‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪ n q x ‬‬ ‫‪x ‬‬
‫כאשר‪:‬‬
‫• הגודל ‪ GL‬מתאר את השינוי בריכוז נושאי המטען בתוצאה מעירור כגון הארה‪.‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪n‬‬
‫מתאר את ביטול המטענים כתוצאה מריקומבינציה‪.‬‬ ‫‪/‬‬ ‫• הגודל‬
‫‪p‬‬ ‫‪n‬‬
‫‪p‬‬
‫‪ − qD p‬ו‪ q p p -‬מתארים את צפיפות הזרם כתוצאה מדיפוזיה‬ ‫• המחוברים‬
‫‪x‬‬
‫ומסחיפה בהתאמה‪( .‬ואותו דבר עבור המשוואה השנייה עבור אלקטרונים)‪.‬‬

‫מקרים פרטיים‪:‬‬
‫‪p n‬‬
‫ולכן המשוואות תיכתבנה‪:‬‬ ‫=‬ ‫• במצב שיווי משקל מתקיים‪= 0 :‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪t‬‬
‫‪p 1  ‬‬ ‫‪p ‬‬
‫‪N Type: 0 = GL −‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪ q p p − qDp‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ p q x ‬‬ ‫‪x ‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪1  ‬‬ ‫‪n ‬‬
‫‪P Type:‬‬ ‫‪0 = GL −‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪ −qn n + qDn‬‬ ‫‪‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪q x ‬‬ ‫‪x ‬‬
‫• בנוסף אם אין שדה חשמלי ) ‪ ( = 0‬נכתוב‪:‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪ 2 p‬‬
‫‪N Type:‬‬ ‫‪0 = GL −‬‬ ‫‪+ Dp‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪x 2‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪ 2 n‬‬
‫‪P Type:‬‬ ‫‪0 = GL −‬‬ ‫‪− Dn‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪x 2‬‬

‫‪4‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫• בנוסף אם אין עירור חיצוני ) ‪ ( GL = 0‬נכתוב‪:‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪ 2 p‬‬
‫‪N Type:‬‬ ‫‪0=−‬‬ ‫‪+ Dp‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪x 2‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪ 2 n‬‬
‫‪P Type:‬‬ ‫‪0=−‬‬ ‫‪− Dn‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪x 2‬‬
‫• כאשר הפיסה אינה בשיווי משקל נתייחס למשוואות בצורתן הכללית‪.‬‬
‫• אם אין שדה חשמלי ) ‪ ( = 0‬נכתוב‪:‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪ 2 p‬‬
‫‪N Type:‬‬ ‫‪= GL −‬‬ ‫‪+ Dp‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪x 2‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪ 2 n‬‬
‫‪P Type:‬‬ ‫‪= GL −‬‬ ‫‪− Dn‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪x 2‬‬
‫• אם אין עירור חיצוני ) ‪ ( GL = 0‬נכתוב‪:‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪ 2 p‬‬
‫‪N Type:‬‬ ‫‪=−‬‬ ‫‪+ Dp‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪x 2‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪ 2 n‬‬
‫‪P Type:‬‬ ‫‪=−‬‬ ‫‪− Dn‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪x 2‬‬

‫אורך הדיפוזציה של נושאי מטען המיעוט העודפים‪:‬‬

‫‪ 2 n‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪ 2 n‬‬

‫‪.‬‬ ‫=‬ ‫‪−‬‬ ‫הסידור‪:‬‬ ‫מתקבל‬ ‫‪0‬‬ ‫=‬ ‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪D‬‬ ‫במשוואה המנוונת‬
‫‪x 2‬‬ ‫‪ n Dn‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪n‬‬
‫‪x 2‬‬
‫לגודל ‪ Ln = Dn n‬קוראים אורך הדיפוזיה (‪ )Diffusion Length‬של נושאי מטען המיעוט‪.‬‬
‫באופן דומה‪ Lp = Dp p :‬הוא אורך הדיפוזיה בחומר מסוג ‪.N‬‬

‫הערה כללית‪:‬‬
‫סימונים מקובלים לנושאי מטען המיעוט העודפים בפיסות מוליכים למחצה‪:‬‬
‫• חומר מסוג ‪. pn , p , p ' :N‬‬
‫• חומר מסוג ‪. n p , n , n ' :P‬‬

‫‪5‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫פרק ‪3‬‬
‫צומת ‪PN‬‬
‫מבנה צומת ‪ PN‬וסוגי צמתים‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫צומת ‪ PN‬נוצרת בתהליך קרינה של יוני מקבלים על גבי מצע מסוג ‪( N‬ולהיפך)‪:‬‬
‫צומת ‪ PN‬כהתקן נקראת דיודה‪.‬‬
‫ישנם סוגים שונים של דיודות‪,‬‬
‫הנבדלות זו מזו בתכונותיהן ואופן פעולתן‪.‬‬
‫דוגמאות לדיודות נפוצות‪:‬‬
‫• דיודת פולטת אור (‪.)Light Emitting Diode - LED‬‬
‫• דיודת לייזר (‪.)Laser Diode‬‬

‫סוגי צמתים נפוצים בקירוב המחסור‪:‬‬

‫צומת חד‪-‬צדדי (‪:)One-Sided Junction‬‬ ‫צומת מדרגה (‪:)Step Junction‬‬

‫צומת מאולחת ליניארית‬

‫(‪:)Linearly Graded Junction‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫מודל פסי האנרגיה ופוטנציאל מובנה של צומת ‪:PN‬‬
‫במודל פסי האנרגיה קיימת‬
‫הפרש אנרגיה שמבוטאת‬
‫באמצעות פוטנציאל מובנה‬
‫שנמצא בהתקן‪.‬‬
‫הפוטנציאל המובנה יחושב לפי‪:‬‬
‫‪kT  N a N d ‬‬
‫= ‪. bi‬‬ ‫‪ln ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪q  ni2 ‬‬

‫הערות‪:‬‬
‫‪ )1‬הפוטנציאל המובנה תלוי בריכוזי הזיהומים ולא ברוחב אזור המחסור‪.‬‬
‫‪ )2‬יש המסמנים את הפוטנציאל המובנה ב‪. Vbi -‬‬

‫הקשר שבין צפיפות המטען‪ ,‬השדה החשמלי והפוטנציאל החשמלי‪:‬‬

‫‪d ‬‬
‫‪.‬‬ ‫=‬ ‫משוואת פואסון המקשרת בין שדה חשמלי ‪ ‬וצפיפות מטען ‪: ‬‬
‫‪dx  S‬‬
‫כאשר‪:‬‬
‫‪ -  S‬מקדם הדיאלקטריות של סיליקון שיסומן‪ :‬ל‪.  r 0 = kS  0 -‬‬
‫אצלנו נקפיד על הסימון ‪ k S‬במקום ‪ ,  r‬נתון‪. kS = 12 :‬‬

‫להלן הקשר שבין פוטנציאל חשמלי‪ ,‬שדה חשמלי וצפיפות מטען חשמלי על בסיס משוואת‬
‫‪d 2V‬‬ ‫‪d‬‬ ‫‪‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪=−‬‬ ‫‪=−‬‬ ‫פואסון והקשר שבין פוטנציאל ושדה חשמליים‪:‬‬
‫‪dx‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪dx‬‬ ‫‪kS  0‬‬

‫‪3‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 :‫מודל שכבת המחסור‬
:‫להלן תוצאות פיתוח הנוסחאות עבור צומת מדרגה לפי קירוב המחסור‬

− N a x0
Nd − Na = 
 Nd x0

−qN a − xp  x  0

 ( x ) = qN d 0  x  xn
0 else


 qN a
− k  ( x + x p ) − xp  x  0
 S 0
 qN
 ( x ) =  d ( x − xn ) 0  x  xn
 kS  0
0 else



0 x  −xp

 qN a ( x + x )2 − xp  x  0
 2kS  0 p

V ( x) = 
 − qN d ( x − x )2 0  x  xn
 bi 2kS  0 n

bi x  xn

4 www.gool.co.il
 ‫הכללה של נוסחת הפוטנציאל המובנה‪:‬‬

‫‪kT  n ( xn ) ‬‬
‫= ‪. bi‬‬ ‫‪ln ‬‬ ‫ניתן לחשב את הפוטנציאל המובנה ע"י‪ :‬‬
‫‪q  n ( −xp ) ‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫כאשר‪ n ( xn ) , n ( − x p ) :‬הם ריכוז האלקטרונים בכל צד‪.‬‬

‫משוואות עבור רוחבי אזור המחסור‪:‬‬

‫מדרישות הרציפות מתקבלות המשוואות הבאות‪:‬‬
‫‪1.  x p N a = xn N d‬‬
‫‪‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ qN a x p‬‬ ‫‪qN d xn2‬‬
‫‪= bi −‬‬
‫‪2.  2kS  0‬‬ ‫‪2k S  0‬‬

‫בהנחה כי ‪ bi‬ידוע‪ ,‬נוכל לפתור את מערכת המשוואות ולקבל את הפתרונות הבאים‪:‬‬

‫‪2k S  0‬‬ ‫‪Na‬‬

‫= ‪xn‬‬ ‫‪bi‬‬
‫) ‪q Nd ( Na + Nd‬‬

‫‪2k S  0‬‬ ‫‪Nd‬‬

‫= ‪xp‬‬ ‫‪bi‬‬
‫) ‪q Na ( Na + Nd‬‬

‫והנוסחה עבור אזור המחסור‪:‬‬

‫‪2k S  0 N a + N d‬‬
‫= ‪Wdep = x p + xn‬‬ ‫‪bi‬‬
‫‪q‬‬ ‫‪Na Nd‬‬

‫הערות‪:‬‬
‫‪ )1‬יש הכותבים את ריכוזי הזיהומים באופן הבא‪:‬‬
‫‪2k S  0  N a‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2k S  0  1‬‬ ‫‪1 ‬‬
‫= ‪xn‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪bi‬‬ ‫;‬ ‫= ‪Wdep‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪ bi‬‬
‫‪q  Nd‬‬ ‫‪ Na + Nd‬‬ ‫‪q  Na Nd ‬‬

‫‪2k S  0  N d‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪1‬‬

‫= ‪xp‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪bi‬‬
‫‪q  Na‬‬ ‫‪ Na + Nd‬‬

‫‪ )2‬עבור צומת חד‪-‬צדדי‪ ,‬שבו זיהום אחד גדול משמעותית מהאחר‪ ,‬נקבל קירוב‪:‬‬
‫‪2k S  0‬‬
‫‪ , Wdep ‬וכן‪. xn  0 :‬‬ ‫‪( N d‬צומת ‪ ) N + P‬נקבל‪bi  x p :‬‬ ‫עבור‪N a :‬‬
‫‪qN a‬‬
‫‪2k S  0‬‬
‫‪ , Wdep ‬וכן‪. x p  0 :‬‬ ‫‪( N a‬צומת ‪ ) P + N‬נקבל‪bi  xn :‬‬ ‫עבור‪N d :‬‬
‫‪qN d‬‬

‫‪5‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 :)Linearly Graded Junction( ‫צומת מאולחת לינארית‬

‫ הוא השיפוע‬ ‫ כאשר‬Nd − Na =  x :‫בקירוב מסדר ראשון של ריכוזי הזיהומים נקבל‬

. cm−4  ‫) ויחידותיו‬Grading Constant(
.‫לפי קירוב זה הזיהום רציף ולכן אין צורך לחלק את החישוב לחלקים‬

Nd − Na =  x

q x −W / 2  x  W / 2
 ( x) = 
0 else

 q  2  W  2 
  x −    −W / 2  x  W / 2
 ( x ) =  2kS  0   2 

0 else

0 x  −W / 2

 q   W  
3 2
W 
V ( x) =   2   + 3   x − x 
3
−W / 2  x  W / 2
 6k S  0   2   2 
 x W / 2
 bi

6 www.gool.co.il
 ‫דיודת ‪ PN‬בממתח קדמי ואחורי‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫הפעלת ממתחים שונים על צומת ‪:PN‬‬
‫בהפעלת מתח חיצוני יש לחזור על כל הפיתוחים על מנת למצוא נוסחאות‬
‫המתאימות למפלי מתחים שונים‪.‬‬
‫אולם תחת תנאי זרם וזיהומים סבירים‪ ,‬נוכל לעדכן את הנוסחאות באופן הבא‪:‬‬
‫• מפל המתח מתרכז באזור המחסור‪.‬‬
‫• מתח ‪ VA  0‬מקטין את הפוטנציאל המובנה הכללי‬
‫ולכן אזור המחסור קטן‪.‬‬
‫• מתח ‪ VA  0‬מגדיל את הפוטנציאל המובנה הכללי‬
‫ולכן אזור המחסור גדל‪.‬‬

‫נחליף את‪ bi :‬ב‪ bi − VA -‬ונקבל את הנוסחאות הבאות‪:‬‬

‫‪ qN a‬‬
‫) ‪− k  ( x p + x‬‬ ‫‪− xp  x  0‬‬
‫‪2k S  0‬‬ ‫‪Nd‬‬
‫‪ S 0‬‬ ‫= ‪xp‬‬ ‫‪‬‬ ‫) ‪ (bi − VA‬‬
‫‪ ( x) = ‬‬ ‫‪q‬‬ ‫) ‪Na ( Na + Nd‬‬
‫) ‪ qN d ( x − x‬‬ ‫‪0  x  xn‬‬
‫‪ k S  0‬‬ ‫‪n‬‬
‫‪2k S  0‬‬ ‫‪Na‬‬
‫= ‪xn‬‬ ‫‪‬‬ ‫) ‪ (bi − VA‬‬
‫‪ qN a‬‬ ‫‪q‬‬ ‫) ‪Nd ( Na + Nd‬‬
‫(‬ ‫)‬
‫‪2‬‬
‫‪ 2k ‬‬ ‫‪x‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪x‬‬ ‫‪− xp  x  0‬‬
‫‪ S 0‬‬ ‫‪2k S  0 N a + N d‬‬
‫‪V ( x) = ‬‬ ‫= ‪Wdep‬‬ ‫‪‬‬ ‫) ‪ (bi − VA‬‬
‫‪ − V − qN d ( x − x )2‬‬ ‫‪0  x  xn‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪Na Nd‬‬
‫‪ bi‬‬ ‫‪A‬‬
‫‪kS  0‬‬
‫‪n‬‬

‫הערה‪:‬‬

‫נכונות הנוסחאות תקפה עבור ‪. VA  bi‬‬

‫‪11‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫תיאורים גרפיים של צומת ‪ PN‬בממתחים שונים‪:‬‬
‫להלן תיאור רוחב אזור המחסור של צומת ‪:PN‬‬

‫להלן תיאורים גרפיים של צפיפות המטען‪,‬‬

‫השדה והפוטנציאל החשמלי‪:‬‬

‫להלן תיאורים גרפיים של מודל פסי האנרגיה‪:‬‬

‫‪VA  0‬‬ ‫‪VA  0‬‬

‫שאלות‪:‬‬
‫‪ )1‬נתונה צומת ‪ PN‬מסיליקון השרויה בטמפרטורת החדר‪.‬‬
‫מחברים אותה למקור מתח חיצוני המספק ‪ VA‬לא ידוע כלשהו‪.‬‬
‫מדדו וקיבלו כי מפל המתח הפנימי באזור המחסור הוא ‪. VTotal = 12V‬‬
‫‪kV‬‬
‫‪.  max = 42.17‬‬ ‫ידוע כי‪, N a = 3 1016 cm−3 :‬‬
‫‪cm‬‬
‫א‪ .‬מצא את ‪. N d‬‬
‫ב‪ .‬מצא את ‪( VA‬גודלו וכיוונו)‪.‬‬

‫תשובות סופיות‪:‬‬
‫ב‪( VA = −11.33V .‬ממתח אחורי)‪.‬‬ ‫א‪N d = 5 1014 cm−3 .‬‬ ‫‪)1‬‬

‫‪12‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫קיבול של צומת ‪:PN‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫הגדרה‪:‬‬
‫‪S‬‬
‫‪. Cdep = A‬‬ ‫נתייחס למודל הבא של צומת ‪ PN‬בתור 'קבל' ונקבל‪:‬‬
‫‪Wdep‬‬

‫הקשר שבין הקיבול לממתח האחורי‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Wdep‬‬ ‫) ‪2 (bi + Vr‬‬
‫= ‪= 2 2‬‬
‫‪Cdep A  S‬‬
‫‪2‬‬
‫‪qN  S A2‬‬

‫‪‬‬ ‫‪2 S (bi + Vr ) ‬‬

‫= ‪ Wdep‬‬ ‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫‪qN‬‬ ‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2bi‬‬

‫=‬ ‫‪ Vr +‬‬
‫‪Cdep qN  S A‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪qN  S A2‬‬

‫גדלים טיפוסיים‪ C = 1fF :‬כאשר ‪. Wdep = 0.1μm‬‬

‫‪13‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫יסודות התקני מוליכים למחצה‬
‫הדיודה כהתקן‬
‫משוואת הדיודה האידיאלית‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫משוואות נושאי מטען המיעוט בממתח קדמי – משוואות שוקלי‪:‬‬
‫בהינתן ממתח על פני הדיודה באופן הבא‪,‬‬
‫נוכל לבטא את צפיפות נושאי מטען המיעוט‬
‫‪ni2 qV / kT‬‬
‫= ‪n ( − x p ) = n p 0eqV / kT‬‬ ‫‪e‬‬ ‫באופן הבא‪:‬‬
‫‪Na‬‬

‫כאשר ‪ n p 0‬הוא צפיפות נושאי המטען השליליים בצד ה‪( P-‬נושאי מטען המיעוט) בשיווי‪-‬משקל‪.‬‬
‫‪ni2 qV / kT‬‬
‫= ‪. p ( xn ) = pn 0eqV / kT‬‬ ‫‪e‬‬ ‫באופן דומה נקבל בצד ה‪ N-‬עבור צפיפות נושאי מטען המיעוט‪:‬‬
‫‪Nd‬‬

‫המשוואות הנ"ל נקראות משוואות בתנאי שיווי‪-‬משקל חלקי ( ‪Quasi-Equilibrium‬‬

‫‪ )Boundary Condition‬או משוואות שוקלי (‪.)Shockley Equations‬‬

‫הערות‪:‬‬
‫‪ )1‬כאשר הממתח הוא שלילי‪ ,‬נושאי מטען המיעוט שואפים לאפס‪.‬‬
‫מקובל לקרוא לסיטואציה כזו בתור‪.minority carrier extraction :‬‬

‫‪ )2‬נגדיר את הקשר עבור נושאי המטען העודפים (‪)Excess minority carriers‬‬

‫בקצוות אזור המחסור (משני הצדדים) בצורה הבאה‪:‬‬
‫)‪n ' ( − x p ) = n ( − x p ) − n p 0 = n p 0 ( eqV / kT − 1‬‬
‫)‪p ' ( xn ) = p ( xn ) − pn 0 = pn 0 ( eqV / kT − 1‬‬
‫נעדיף להתמקד בנושאי מטען המיעוט העודפים מכיוון שהם אלו שיזרמו בין‬
‫קצוות הדיודה כולה ולמעשה יגדירו את הזרם החשמלי שעובר בדיודה‪.‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫תהליכי הריבומניציה של אלקטרון‪-‬חור‪:‬‬
‫ניתן להגדיר את נושאי מטען המיעוט העודפים בתור הפרש שבין סך מטען המיעוט‬
‫בכל אזור ומטען המיעוט במצב שיווי משקל באופן הבא‪:‬‬
‫‪n ' = n − np0‬‬
‫‪p ' = p − pn 0‬‬
‫בתנאי שיווי משקל מקבלים מנייטרליות המטען כי‪. n ' = p ' = 0 :‬‬
‫כתוצאה מתהליכים שונים (הארה ‪ /‬ממתח חיצוני וכו') נוצרים מטענים עודפים‪.‬‬
‫במקרה זה ‪. n ' = p '  0‬‬

‫אם נייטרליות המטען לא מושגת בנקודת זמן מסוימת‪ ,‬תתרחש סחיפה של המטען הכולל‬
‫(כלומר נושאי מטען הרוב בכל צד) כך שע"י תהליכי משיכה או דחייה תושג הנייטרליות‪.‬‬
‫כך יתקבל לבסוף‪ n ' = p ' :‬ולכן נניח כי במצב היציב שתי צפיפויות אלו שוות בגודלן‪.‬‬

‫זמני הריקומבינציה של מטעני המיעוט העודפים‪:‬‬

‫נסמן‪  decay :‬את זמן החיים של נושאי המטען או בפשטות‪ :‬קבוע זמן הריקומבינציה‪.‬‬
‫(או באנגלית‪ Recombination Time :‬או‪.)Carrier Lifetime :‬‬
‫תהליך הריקומבינציה הוא הביטוי הטבעי להחזרת שיווי משקל (כלומר‪.) n ' = p ' = 0 :‬‬

‫הערה‪:‬‬

‫‪ )1‬עקב צפיפויות שונות ‪ N d‬ו‪ N a -‬בכל צד‪ ,‬ייתכנו קבועי זמן שונים‪.‬‬
‫לכן נסמן בפועל‪  decay, p =  p :‬ו‪  decay,n =  n -‬בהתאם לקבועי הזמן של כל נושאי‬
‫מטען מיעוט עודפים‪.‬‬

‫משוואות הזמנים‪:‬‬

‫' ‪dn‬‬ ‫'‪n‬‬

‫‪=−‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪‬‬
‫' ‪dp‬‬ ‫'‪p‬‬
‫‪=−‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪‬‬
‫' ‪dn‬‬ ‫'‪n‬‬ ‫' ‪p ' dp‬‬
‫‪for n ' = p ' :‬‬ ‫= ‪=− =−‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪dt‬‬

‫‪3‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫משוואות הרציפות של צפיפות הזרם‪:‬‬
‫עבור הסכמה בצד נקבל‪:‬‬
‫)‪J p ( x‬‬ ‫) ‪J p ( x + x‬‬ ‫'‪p‬‬
‫‪A‬‬ ‫‪= A‬‬ ‫‪+ A  x ‬‬
‫‪q‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪‬‬
‫) ‪J p ( x + x ) − J p ( x‬‬ ‫'‪p‬‬
‫‪−‬‬ ‫‪=q‬‬
‫‪x‬‬ ‫‪‬‬
‫‪dJ p‬‬ ‫'‪p‬‬
‫‪−‬‬ ‫‪=q‬‬
‫‪dx‬‬ ‫‪‬‬

‫אם צפיפות נושאי מטען המיעוט העודפים היא אפס (כלומר‪ ,‬הצומת במצב שיווי משקל)‬
‫אין זרם של מטענים (עודפים או לא עודפים – אין זרם כלל!)‬

‫אורך הדיפוזיה‪:‬‬

‫נגדיר‪ Lp = Dp p :‬בתור אורך הדיפוזיה (‪ )Diffusion Length‬ובאופן דומה נקבל‬

‫עבור נושאי מטען שליליים‪. Ln = Dn n :‬‬

‫הערה‪:‬‬
‫‪ )1‬מדובר בגדלים עם יחידות של אורך (מטרים) והם נעים בתחום שבאזור של ‪. μm‬‬
‫קשרים אלו תקפים רק עבור נושאי מטען המיעוט!‬

‫נוסחאות צפיפות נושאי מטען המיעוט העודפים בממתח קדמי‪:‬‬

‫'‪d2 p' p‬‬

‫עבור המודל המתואר בצד‪ ,‬נפתור את המשוואה‪= 2 :‬‬
‫‪dx 2‬‬ ‫‪Lp‬‬
‫עבור צד ה‪( N-‬כלומר בתחום‪ ) x  xn :‬ונקבל‪:‬‬
‫‪p ' ( x ) = pn 0e‬‬
‫‪xn / L p‬‬
‫‪(e‬‬ ‫‪qV / kT‬‬
‫‪− 1) e‬‬
‫‪− x / Lp‬‬
‫‪= pn 0 ( e qV / kT − 1) e‬‬
‫‪−( x − xn ) / L p‬‬
‫‪, x  xn‬‬

‫באותו האופן‪ ,‬כאשר נחזור על התהליך עבור צפיפות נושאי מטען המיעוט העודפים בצד‬
‫ה‪ P-‬נקבל‪:‬‬
‫‪( x − x p ) / Ln‬‬
‫‪n ' ( x ) = n p 0 ( eqV / kT − 1) e‬‬ ‫‪, x  −xp‬‬

‫‪4‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫התיאור הגרפי של נושאי צפיפויות מטעני המיעוט בכל אזור הינו‪:‬‬

‫אופיין ‪ IV‬של דיודת ‪:PN‬‬

‫נכתוב את צפיפויות נושאי מטען המיעוט העודפים‪:‬‬
‫) ‪dp ' ( x‬‬ ‫‪D‬‬
‫‪= q p pn 0 ( e qV / kT − 1) e‬‬
‫‪−( x − xn ) / L p‬‬
‫‪J p ,n = −qDp‬‬ ‫‪, x  xn‬‬
‫‪dx‬‬ ‫‪Lp‬‬
‫) ‪dn ' ( x‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪( x− x )/ L‬‬
‫‪J n, p = qDn‬‬ ‫‪= q n n p 0 ( eqV / kT − 1) e p n , x  − x p‬‬
‫‪dx‬‬ ‫‪Ln‬‬

‫היות ובאזור ‪ x  0‬אנו יודעים את הערכים של ‪ J p ,n‬ו‪ , J n , p -‬נוכל לכתוב‪:‬‬

‫‪ D‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪Total Current‬‬

‫= )‪Total Current = J n , p ( xn ) + J n , p ( − x p ) =  q n n p 0 + q p pn 0 +  ( e qV / kT − 1‬‬
‫‪ L‬‬ ‫‪Lp‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪for all x‬‬
‫‪‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪‬‬

‫נוכל להשלים את גרף צפיפויות המטען ולכלול את נושאי מטען הרוב בכל צד‪:‬‬

‫‪5‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫משוואת הזרם בדיודה‪:‬‬
‫‪ D‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪‬‬
‫)‪I = J TOTAL  A = A  q n n p 0 + q p pn 0 +  ( e qV / kT − 1) = I 0 ( eqV / kT − 1‬‬
‫‪ L‬‬ ‫‪Lp‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ n‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ D‬‬ ‫‪Dp‬‬ ‫‪‬‬
‫‪I 0 = Aqni2  n +‬‬ ‫‪‬‬ ‫כאשר‪:‬‬
‫‪L N‬‬
‫‪ n a Lp N d‬‬ ‫‪‬‬
‫מוגדר בתור זרם רוויה אחורי (‪.)Reverse saturation current‬‬

‫גרף אופיין הדיודה‪:‬‬

‫אופיין הדיודה מתאר את הקשר שבין הזרם למתח‬
‫על פני הדיודה וניתן לכתיב באופן הבא‪:‬‬

‫)‪I = I 0 ( eqV / kT − 1‬‬

‫כאשר‪ VTH = 0.026V :‬בטמפרטורת החדר‪.‬‬

‫תלות אופיין הדיודה בטמפרטורה‪:‬‬

‫‪6‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫אופיין לוגריתמי של הדיודה‪:‬‬

‫להלן אופיין הדיודה לסקלה חצי לוגריתמית (‪:)Semilog Graph‬‬

‫‪ I = I 0 ( eqV‬ולכן‪. ln I = ln I 0 + q VA :‬‬ ‫‪A / kT‬‬
‫כאשר התייחסות היא למשוואה‪− 1)  I 0eqVA / kT :‬‬
‫‪kT‬‬

‫זרם באזור המחסור‪:‬‬

‫זרם הנוצר כתוצאה מתהליך ריקומבינציה או גנרציה באזור המחסור‪.‬‬
‫הוא נקרא זרם אזור המחסור (‪.)SCR Current – Space Charge Region Current‬‬

‫משוואת הזרם הכללית‪:‬‬

‫‪qnW‬‬
‫‪I = I 0 ( eqV / kT − 1) + A‬‬ ‫‪i dep‬‬
‫‪(e‬‬ ‫‪qV /2 kT‬‬
‫)‪− 1‬‬
‫‪ dep‬‬
‫‪:) V‬‬ ‫כאשר זרם הזליגה (‪ )Leakage Current‬הוא (מתקבל עבור ‪0‬‬
‫‪qnW‬‬
‫‪i dep‬‬
‫‪I leakage = I 0 + A‬‬
‫‪ dep‬‬

‫‪7‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫אחסון מטען בדיודה‪:‬‬
‫מטען ‪ Q‬האגור בצומת הדיודה‪ ,‬פרופורציוני לזרם ‪I‬‬
‫(שהרי גם הרי תלוי במתח לפי ‪. Q  I :) eqV / kT − 1‬‬
‫נגדיר את ‪ -  s‬זמן אגירת המטען (‪ )Charge Storage Time‬ונכתוב את הקשר הבא‪:‬‬
‫‪I = Q /  s → Q = I  s‬‬

‫מודל אות קטן של דיודה‪:‬‬

‫מודל אות קטן של דיודה מורכב מאלמנט התנגדותי במקביל לאלמנט קיבולי כמתואר‪:‬‬

‫‪1 dI‬‬ ‫‪d‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪kT‬‬

‫=‪G‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪ I 0 ( eqV / kT − 1)  ‬‬ ‫‪I‬‬ ‫‪e‬‬ ‫‪qV / kT‬‬
‫=‬ ‫‪I‬‬ ‫‪/‬‬
‫‪R dV dV ‬‬ ‫‪ kT‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪DC‬‬
‫‪q‬‬
‫‪dQ‬‬ ‫‪dI‬‬ ‫‪kT‬‬
‫=‪C‬‬ ‫‪=s ‬‬ ‫‪=  s  G =  s I DC /‬‬
‫‪dV‬‬ ‫‪dV‬‬ ‫‪q‬‬

‫❖ דוגמא מספרית‪:‬‬
‫נניח וזורם זרם של‪ i ( t ) = 2 + 0.05sin ( 50 t )  A  :‬דרך דיודת סיליקון הנמצאת בטמפ' החדר‪.‬‬
‫לאחר מדידת הקיבול של הדיודה התקבל‪.  s = 3nsec :‬‬
‫במקרה זה נוכל למדל את הדיודה בתור התנגדות במקביל לקיבול שערכם הם‪:‬‬
‫‪kT‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪G = I DC /‬‬ ‫=‬ ‫‪= 77S → R = 0.013‬‬
‫‪q 0.026‬‬
‫‪kT‬‬
‫‪C =  s I DC /‬‬ ‫‪= 3 10−9  77 = 231nF‬‬
‫‪q‬‬

‫‪8‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫שאלות‪:‬‬
‫‪ )1‬ענה בתמצות על כל אחת מהשאלות הבאות‪:‬‬
‫א‪ .‬עם איזה סוג של נושאי מטען (רוב או מיעוט) ממתח קדמי משויך?‬
‫ב‪ .‬עם איזה סוג של נושאי מטען (רוב או מיעוט) ממתח אחורי משויך?‬
‫ג‪ .‬מדוע הזרם בדיודה שנמצאת בממתח אחורי קטן בגודל ונמצא ברוויה?‬

‫‪ )2‬נתונה דיודה הנמצאת בממתח אחורי‪ .‬איזה תהליך מתרחש באזורים‬

‫הנייטרלים למחצה הסמוכים לאזור המחסור (‪ ?)Quasi-Neutral Regions‬נמק‪.‬‬
‫א‪ .‬סחיפה ודיפוזיה‪.‬‬
‫ב‪ .‬דיפוזה וריקומבינציה‪.‬‬
‫ג‪ .‬גנרציה ודיפוזיה‪.‬‬
‫ד‪ .‬גנרציה וסחיפה‪.‬‬

‫‪ )3‬ענה על השאלות הבאות‪:‬‬

‫א‪ .‬מדוע לא ניתן להיעזר במשוואות ריכוז נושאי מטען המיעוט העודפים‬
‫כדי לקבוע את ריכוזם והתנהגותם בתוך אזור המחסור?‬
‫ב‪ .‬איזו הצדקה יש לטענה‪" :‬תהליכי הגנרציה‪-‬ריקומבינציה בתוך אזור‬
‫המחסור הם זניחים"?‬

‫‪ )4‬ענה על השאלות הבאות‪:‬‬

‫א‪ .‬מהי דיודה עם בסיס רחב (‪?)Wide-Base Diode‬‬
‫ב‪ .‬מהו חוק הצומת?‬
‫ג‪ .‬איך ניתן למצוא את ‪ I 0‬מאופיין ‪ IV‬של דיודה הנתון בגרף ‪?semilog‬‬

‫‪ )5‬באיור שלפניך מתואר המצב היציב של ממתח כלשהו על פני דיודה‬

‫בטמפרטורת החדר‪.‬‬
‫א‪ .‬האם הדיודה נמצאת בממתח קדמי או אחורי? נמק‪.‬‬
‫ב‪ .‬מהם הריכוזים בצד ‪ p‬ובצד ‪? n‬‬
‫ג‪ .‬מצא את ‪. VA‬‬

‫‪9‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫‪ )6‬בשאלה זו נסכם את הידע שנרכש בצומת ‪ PN‬במצב שיווי משקל‪,‬‬
‫ממתח אחורי וממתח קדמי‪.‬‬
‫נתונה דיודת מדרגה מסיליקון שנמצאת בטמפרטורת החדר‪.‬‬
‫נתון כי‪. Nd = 4000 Na :‬‬
‫עבור מצב שווי משקל צייר סקיצה מקורבת של‪:‬‬ ‫א‪.‬‬
‫‪ -‬צפיפות המטען לאורך הפיסה‪.‬‬
‫‪ -‬השדה החשמלי לאורך הפיסה‪.‬‬
‫‪ -‬הפוטנציאל החשמלי לאורך הפיסה‪.‬‬
‫‪ -‬פסי האנרגיה לאורך הפיסה‪.‬‬
‫חשב את המתח המובנה עבור שינוי הטמפרטורה ב‪ 10K -‬למעלה ולמטה‪.‬‬ ‫ב‪.‬‬
‫מה המסקנה לגבי שינוי המתח המובנה ביחס לטמפרטורה?‬
‫מהו השינוי ברוחב שכבת המחסור בכל מקרה (אין קשר בין המקרים)‪:‬‬ ‫ג‪.‬‬
‫‪ .i‬מגדילים את ריכוז התורמים (בלבד) בצד ‪ N‬פי ‪.25‬‬
‫‪ .ii‬מגדילים את ריכוז המקבלים (בלבד) בצד ‪ P‬פי ‪.25‬‬
‫‪ .iii‬מחברים את הדיודה למתח אחורי הגדול פי ‪ 100‬מהמתח המובנה‬
‫(בשווי משקל)‪.‬‬
‫כיצד ישתנה הזרם של הדיודה בממתח קדמי בכל מקרה (אין קשר בין המקרים)‪:‬‬ ‫ד‪.‬‬
‫‪ .i‬מגדילים את ריכוז התורמים בצד ‪ N‬פי ‪.100‬‬
‫‪ .ii‬מגדילים את ריכוז המקבלים בצד ‪ P‬פי ‪.5‬‬
‫מה יקרה לזרם בממתח אחורי (זרם הרוויה האחורי) בכל מקרה‪:‬‬ ‫ה‪.‬‬
‫‪ .i‬משנים את הטמפרטורה (התייחס להעלאה והורדה וציין כיצד הוא‬
‫משפיע במידה וכן)‪.‬‬
‫‪ .ii‬מגדילים את הממתח האחורי פי ‪.15‬‬

‫‪ )7‬בציור שלפניך מתוארת דיאגרמה איכותית של פסי אנרגיה‬

‫של דיודת מדרגה מסיליקון בטמפרטורת החדר‪.‬‬
‫נתונים‪:‬‬
‫‪cm2‬‬ ‫‪cm2‬‬
‫‪ni = 1010 cm −3 , Dn = 36‬‬ ‫‪, Dp = 14‬‬
‫‪sec‬‬ ‫‪sec‬‬
‫‪ n =  p = 8 10 sec , A = 10 cm‬‬
‫‪−7‬‬ ‫‪−2‬‬ ‫‪2‬‬

‫א‪ .‬מהו המתח המובנה של הדיודה‬

‫(בשווי משקל)?‬
‫ב‪ .‬מצא את זרם הזליגה‪.‬‬
‫ג‪ .‬מהו הזרם עבור מתח של ‪VD = 0.55V‬‬
‫ומהו הזרם עבור מתח של ‪? VD = −12V‬‬

‫‪10‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫תשובות סופיות‪:‬‬
‫א‪ .‬נושאי מטען הרוב אשר עוברים ע"י דיפוזיה לצד השני של הצומת‪.‬‬ ‫‪)1‬‬
‫ב‪ .‬משויך עם נושאי מטען המיעוט שנכנסים לתוך אזור המחסור ונסחפים לצד‬
‫הנגדי של הצומת (אלקטרונים לצד ‪ P‬וחורים לצד ‪.)N‬‬
‫ג‪ .‬הזרם קטן מכיוון שהוא נבנה מנוכחות נושאי מטען המיעוט‪.‬‬
‫תשובה‪ :‬ג'‪( .‬גנרציה ודיפוזיה)‪.‬‬ ‫‪)2‬‬
‫א‪ .‬באזור המחסור קיימת נוכחות של שדה חשמלי‪ ,‬ולכן אנו לא יודעים כיצד‬ ‫‪)3‬‬
‫ריכוזי נושאי מטען המיעוט מתנהגים שם‪ .‬כמו כן מתרחשים תהליכים‬
‫אקראיים של גנרציה וריקומבינציה תרמית‪.‬‬
‫כלומר‪ n p ,‬ו‪ pn -‬בתחום ‪ − x p  x  xn‬לא ידועים ולכן גם לא ) ‪ n ' ( x‬ו‪. p ' ( x ) -‬‬
‫ב‪ .‬אין הצדקה כלל!‬
‫א‪ .‬דיודה שבה המגעים האוהמים מרוחקים לפחות בכמה גדלים של ‪ Ln‬ו‪L p -‬‬ ‫‪)4‬‬
‫מקצות אזור המחסור‪.‬‬
‫ב‪ .‬חוק הצומת מתייחס לקשר שבין ריכוזי נושאי המטען בתוך אזור המחסור‬
‫והוא‪. np = ni2 exp qVA / kT  :‬‬
‫ג‪ .‬יש למשוך קו ישר מאזור הממתח האחורי ולקחת את נקודת החיתוך שלו‬
‫עם ציר ה‪ y -‬שהוא ציר הזרם ‪ I‬בסקלה לוגריתמית‪.‬‬
‫ב‪N a = p p = 1014 cm −3 ; N d = nn = 2 1015 cm −3 .‬‬ ‫א‪ .‬ממתח אחורי‪.‬‬ ‫‪)5‬‬
‫ג‪. VA = −0.419V .‬‬
‫‪ )6‬א‪ .‬ראה סקיצות בסרטון הוידאו‪.‬‬
‫ב‪ .‬השינויים זניחים (ראה סרטון בוידאו) ולכן המתח המובנה קבוע ביחס לשינויים‬
‫בסדרי גודל שכאלה‪.‬‬
‫‪Wdep ,0‬‬
‫ג‪. Wdep,new = 10 Wdep ,0 .iii .‬‬ ‫= ‪Wdep ,new‬‬ ‫ג‪.ii .‬‬ ‫ג‪ .i .‬אין שינוי‪.‬‬
‫‪5‬‬
‫ד‪ .i .‬ההשפעה זניחה‪ .‬ד‪ .ii .‬זרם הרוויה יקטן פי ‪ 5‬ואיתו זרם הדיודה‪.‬‬
‫ה‪ .i .‬הזרם יגדל מעריכית עם שינוי הטמפרטורה‪ .‬ה‪ .ii .‬אין שינוי‪.‬‬
‫ב‪I 0 = 33.54 10−12 A .‬‬ ‫‪ )7‬א‪bi = 0.68V .‬‬
‫ג‪. I D (VD = −12V ) = −33.54 10 −12 A , I D (VD = 0.55V ) = 51.5 mA .‬‬

‫‪11‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫ממתח אחורי ודיודת זנר‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫הגדרה‪:‬‬
‫דיודה הפועלת בתחום הממתח האחורי שלה‬
‫(בנוסף לממתח קדמי) היא דיודת זנר (‪.)Zener Diode‬‬

‫ביטויים מתמטיים‪:‬‬
‫‪qN‬‬
‫‪. ( x) = −‬‬ ‫שדה חשמלי‪( x − xn ) :‬‬
‫‪kS  0‬‬
‫‪qNxn‬‬ ‫‪2qN‬‬
‫= )‪.  ( x = 0‬‬
‫‪kS  0‬‬
‫=‬
‫‪kS  0‬‬
‫‪(bi + Vr‬‬ ‫)‬ ‫שדה חשמלי מירבי‪ peak :‬‬

‫‪kS  0 crit‬‬
‫‪2‬‬
‫= ‪VB‬‬ ‫פוטנציאל חשמלי‪− bi :‬‬
‫‪2qN‬‬
‫כאשר‪. N = avg ( N a , N d ) :‬‬

‫דרכים לשבירת צומת‪:‬‬

‫• שבירת צומת בעקבות מינהור (‪.)Tunneling Breakdown‬‬

‫• שבירת צומת בעקבות מפולת (‪.)Avalanche breakdown‬‬

‫שבירת צומת בעקבות מינהור (‪:)Tunneling Breakdown‬‬

‫תופעה לפיה עקב ריכוזי מזהמים גדולים‬
‫ואורך שכבת מחסור קטן‪ ,‬נוצר מצב בו יש‬
‫ריכוז גדול של אלקטרונים ניידים בשכבת‬
‫הערכיות של צד ‪ P‬ומספר אפסי של‬
‫אלקטרונים ניידים בשכבת ההולכה בצד‬
‫‪ .N‬אפקט המנהור מתייחס ל‪'-‬מעבר' של‬
‫אלקטרונים דרך מחסום אנרגיה גדול גם‬
‫כאשר אין להם אנרגיה לעבור מעליו‪.‬‬

‫‪12‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫האלקטרונים ישאפו לאזן את הצפיפויות שלהם ע"י איכלוס רמות האנרגיה‬
‫הריקות בצד ה‪ N-‬ובכך יעברו את שכבת המחסור‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪. J = G  e− H /‬‬ ‫‪peak‬‬
‫כך‪:‬‬ ‫לאפקט המנהור תלות מעריכית ב‪-‬‬
‫‪‬‬
‫‪V‬‬
‫‪.  crit = 106‬‬ ‫השדה הגדול ביותר (הקריטי) הוא באזור‪:‬‬
‫‪cm‬‬

‫שבירת צומת בעקבות מפולת (‪:)Avalanche breakdown‬‬

‫אלקטרונים שעוברים מצד ה‪ P-‬לציר ה‪ N-‬יוצרים זוג אלקטרון‪-‬חור‬

‫(‪ )electron-hole pair - Generation‬בתופעה הנקראת ‪.Impact ionization‬‬
‫התהליך חוזר ויוצר זרם הגדל מעריכי כמפולת ‪.Avalanche breakdown -‬‬
‫‪kS  0 crit‬‬
‫‪2‬‬
‫= ‪. VB‬‬ ‫הממתח האחורי (בהזנחת הפוטנציאל המובנה) הוא‪:‬‬
‫‪2qN‬‬
‫‪V‬‬
‫‪.  crit‬‬ ‫‪  crit  5 105‬והוא גדל ביחס‪ 5 N :‬‬ ‫עבור ‪ N  1017 cm−3‬נקבל‪:‬‬
‫‪cm‬‬
‫‪0.6‬‬
‫‪ 1017 ‬‬
‫‪. VB  15  ‬‬ ‫‪‬‬ ‫בהתאם לכך מקבלים‪ N −0.6 :‬‬
‫‪ N ‬‬

‫‪13‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫פרק ‪5‬‬
‫דיודת שוטקי (‪)Schottky Diode‬‬
‫כללי‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫מגעים אידיאליים של מוליך למחצה ומתכת (‪:)MS Contacts‬‬
‫הנחת האידיאליות כוללת מספר הנחות‪:‬‬
‫‪ )1‬המתכת והמוליך למחצה מוצמדים זה לזה ברמה האטומית‪,‬‬
‫ללא שכבות של חומר או מטען כלשהו ביניהן‪.‬‬
‫‪ )2‬אין דיפוזיה פנימית (‪ )Interdiffusion‬או שילוב פנימי (‪)Intermixing‬‬
‫של המתכת והמוליך למחצה בשום צורה שהיא‪.‬‬
‫‪ )3‬אין מטענים משטחיים במשטח החיבור של המתכת‬
‫והמוליך למחצה או אילוח שאינו אחיד במשטח החיבור שבין המוליך למחצה‬
‫והמתכת‪.‬‬

‫מודל פסי האנרגיה‪:‬‬

‫תיאור צומת ‪( MS‬עם מל"מ מסוג ‪)N‬‬ ‫תיאור צומת ‪( MS‬עם מל"מ מסוג ‪)N‬‬
‫עבור ‪:  M   S‬‬ ‫עבור ‪:  M   S‬‬

‫האופי החשמלי של צומת ‪ MS‬אידיאלי‪:‬‬

‫‪Work Function relations‬‬ ‫‪n -Type Semiconductor‬‬ ‫‪p -Type Semiconductor‬‬

‫מיישר‬ ‫מגע אוהמי‬
‫‪M  S‬‬
‫(‪)Rectifier‬‬ ‫(‪)Ohmic Contacts‬‬
‫מגע אוהמי‬ ‫מיישר‬
‫‪M  S‬‬
‫(‪)Ohmic Contacts‬‬ ‫(‪)Rectifier‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫משוואות וגרפים של צומת ‪:MS‬‬

‫‪1‬‬
‫קשר בין הפוטנציאל המובנה ומחום שוטקי‪. bi =  B − ( EC − EF )FB  :‬‬
‫‪q‬‬

‫‪qN d‬‬ ‫‪0  x  Wdep‬‬

‫‪.  = ‬‬ ‫צפיפות המטען‪:‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪x  Wdep‬‬

‫‪qN d‬‬
‫‪. ( x) = −‬‬
‫‪kS  0‬‬
‫שדה חשמלי‪(Wdep − x ) , 0  x  Wdep :‬‬

‫‪qN d‬‬
‫‪.V ( x ) = −‬‬ ‫(‬‫פוטנציאל חשמלי‪Wdep − x ) , 0  x  Wdep :‬‬
‫‪2‬‬

‫‪2k S  0‬‬

‫‪2k S  0‬‬
‫= ‪. Wdep‬‬ ‫רוחב אזור המחסור‪(bi − VA ) :‬‬
‫‪qN d‬‬

‫זרם כתוצאה מפליטה תרמיותנית (‪:)Thermionic Emission‬‬

‫תופעה פיזיקלית המתארת את עצם קיום הזרם בצומת ‪.MS‬‬

‫עיקרי התהליך הם כדלהלן‪:‬‬
‫רמת פרמי בסיליקון קבועה על למחסום הפוטנציאל‪.‬‬ ‫‪)1‬‬
‫אלקטרון מסוגל לעבור מחסום אנרגיה אם האנרגיה התרמית שלו לכיוון‬ ‫‪)2‬‬
‫המחסום גדולה מספיק‪.‬‬
‫מניחים כי בממוצע מחצית מהאלקטרונים מסוגלים לעבור את מחסום האנרגיה‪.‬‬ ‫‪)3‬‬
‫מבצעים חישוב למציאת צפיפות זרם האלקטרונים מהמל"מ כלפי המתכת‪.‬‬ ‫‪)4‬‬

‫‪3‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫ניתוח זרם עבור ‪ 3‬מקרים‪:‬‬

‫‪ )1‬צומת ללא ממתח חיצוני ( ‪.) VA = 0‬‬

‫‪ )2‬צומת עם ממתח חיצוני קדמי ( ‪.) VA  0‬‬
‫‪ )3‬צומת עם ממתח חיצוני אחורי ( ‪.) VA  0‬‬

‫בכל מקרה נמצא את הביטוי לזרם האלקטרונים מהמוליך למחצה כלפי המתכת ‪I S → M‬‬
‫ואת הזרם מהמתכת כלפי המוליך למחצה ‪. I M →S‬‬
‫הביטוי לזרם הכולל הוא (תמיד!)‪. I = I S →M + I M →S :‬‬

‫דיאגרמת פסי אנרגיה במצב שיווי משקל‪:‬‬

‫ניתן לראות כי רמת פרמי קבועה לכל אורך הצומת‪.‬‬
‫עקב כך הזרמים שעוברים מהמל"מ למוליך ולהיפך‬
‫שווים בגודלם והפוכים בסימנם‪ .‬לכן הם מבטלים‬
‫זה את זה ומקבלים כי הזרם הכולל מתאפס‪.‬‬

‫דיאגרמת פסי אנרגיה בממתח קדמי‪:‬‬

‫אלקטרונים שבמל"מ חווים מחסום אנרגיה קטן‬
‫משמעותית ולכן יכולים לעבור מצד המל"מ כלפי‬
‫המתכת בקלות ויהוו את הזרם המרכזי‪ .‬זאת בעוד‬
‫שאלקטרונים שנמצאים בצד המתכת חווים את‬
‫אותו מחסום האנרגיה (פוטנציאל שוטקי) ולכן‬
‫יעברו לצד המל"מ בכמות קטנה‪ .‬נקבל זרם כולל של‬
‫אלקטרונים מצד המל"מ כלפי המתכת‪.‬‬

‫דיאגרמת פסי אנרגיה בממתח קדמי‪:‬‬

‫אלקטרונים שבצד המל"מ חווים מחסום אנרגיה‬
‫מוגדל (גדול יותר ממחסום שוטקי הטבעי) ולכן לא‬
‫יעברו כלל לצד המתכת‪ .‬זאת בעוד שהאלקטרונים‬
‫שבמתכת חווים את אותו מחסום האנרגיה ולכן‬
‫יעברו במינון קטן לצד המל"מ והם יגדירו את זרם‬
‫הזליגה (זרם אחורי) מהמתכת כלפי המל"מ‪.‬‬

‫‪4‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫פרק ‪5‬‬
‫קבל ‪MOS‬‬
‫כללי‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫מבנה כללי של קבל ‪ MOS‬והגדרות יסודיות‪:‬‬

‫‪ MOS‬זה קיצור של ‪.Metal Oxide Semiconductor‬‬

‫קבל ‪ MOS‬מורכב מחומר מזוהם מסוג ‪ P‬או ‪N‬‬
‫שנקרא ה‪ Silicon Body-‬של ההתקן (המצע ‪,)Bulk -‬‬
‫משכבה דקה של מבודד הנקרא ‪) SiO2 ( Silicon-Oxide‬‬
‫וחומר מתכתי שנקרא ‪( Gate‬שער)‪.‬‬
‫מקובל לחווט את הקבל ע"י ממתח ‪ VG‬ביחס לאדמה המחוברת לגוף ההתקן‬
‫(כלומר ל‪.)Si Body-‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬
‫המתכת שמתפקדת בתור השער עשויה מסיליקון בעל זיהום כבד ( ‪ P‬או ‪) N‬‬
‫ונקראת ‪ polycrystalline silicon‬או בקיצור ‪.poly-Si‬‬
‫סוג הקבל נקבע עפ"י סוג הזיהום של השער‪.‬‬
‫• קבל מסוג ‪ )N-Type Device( N‬הוא בעל שער מזוהם ‪ N +‬ומצע מסוג ‪.P‬‬
‫• קבל מסוג ‪ )P-Type Device( P‬הוא בעל שער מזוהם ‪ P +‬ומצע מסוג ‪.N‬‬

‫זיקה אלקטרונית (‪:  - )Electron Affinity‬‬

‫זיקה אלקטרונית מתארת "כמה משתלם לאטום מבחינה אנרגטית לקבל אלקטרון"‪.‬‬
‫בפועל יתורגם להפרש ‪  = E0 − Ec‬כאשר מדובר על תכונה של החומר (כגון ‪.) Egap‬‬
‫(ערך גדול משמעו שהאטום יקבל הרבה אנרגיה מקליטת אלקטרון חיצוני בעוד‬
‫שערך נמוך משמעו שהאטום לא מרוויח הרבה אנרגיה מקליטת אלקטרון חיצוני)‪.‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫פונקצית העבודה (‪: - )Work Function‬‬

‫פונקצית העבודה מיוחסת למתח הנדרש על מנת לשחרר אלקטרון מהאטום אליו‬
‫‪E0 − EF‬‬
‫= ‪ ,‬כאשר ‪ E0‬היא האנרגיה בוואקום‪.‬‬ ‫הוא משויך ומחושבת לפי‪:‬‬
‫‪q‬‬
‫נעזר ביחידות ‪ eV‬או פשוט ביחידות ‪( V‬הבחירה תהיה לפי הנתונים והיא טכנית לחלוטין!)‬
‫אנו נתייחס לשני סוגים של פונקצית עבודה‪:‬‬
‫‪ -  S = S‬פונקצית העבודה של המל"מ‪.‬‬
‫‪ -  M/G = M/G‬פונקצית העבודה של המתכת (יש המסמנים עם ‪ M‬ויש עם ‪.)G‬‬

‫תנאי ‪:Flat-Band‬‬

‫תנאי ‪ Flat Band‬הוא‪. VG = VFB =  G − S :‬‬

‫כתיבה באמצעות רמות אנרגיה‬
‫(הפרש רמות פרמי)‪:‬‬
‫‪EF,metal − EF,Semiconductor‬‬
‫= ‪. VG = VFB‬‬
‫‪q‬‬

‫מצבי הפעולה של קבל ‪:MOS‬‬

‫בניתוח שמובע בסרטונים‪ ,‬נתייחס לקבל עם מצע מסוג ‪ P‬לשם הניתוח עצמו‬
‫ולאחר מכן נדבר על ההבדלים והדמיון עבור קבל עם מצע מסוג ‪.N‬‬
‫קבל ‪ MOS‬יכול להימצא בשלושה מצבים פיזיקליים‪:‬‬
‫‪ .1‬מצב צבירה – ‪.Surface Accumulation‬‬
‫‪ .2‬מצב מחסור – ‪.Surface Depletion‬‬
‫‪ .3‬מצב היפוך – ‪.Surface Inversion‬‬

‫‪3‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫מצב צבירה – ‪:Surface Accumulation‬‬

‫בחומר מסוג ‪ P‬ריכוז האקספטורים במצע הוא‪. p0 = Na :‬‬

‫נגדיר‪ -  S :‬פוטנציאל הכיפוף של פסי האנרגיה‪.‬‬
‫‪qS ‬‬
‫‪. pS = N a exp −‬‬ ‫על המשטח שבין המצע לתחמוצת (המבודד) נוצר מטען‪ :‬‬
‫‪ kT ‬‬
‫היות ו‪  S -‬הוא באזור ‪  −100mV : − 200mV ‬הרי ש‪. pS p0 -‬‬
‫לחורים שמצטברים על שכבת המבודד קוראים שכבת חורים מצטברת‬
‫‪. Qacc‬‬ ‫(באנגלית‪ )Accumulation layer Holes :‬והמטען הכולל שלהם ליחידת שטח יסומן‪:‬‬
‫קשרים בין המתחים‪ VG = VFB + S + Vox :‬או בקירוב‪( Vox = VG − VFB :‬מקובל להשמיט את ‪.)  S‬‬
‫‪F‬‬
‫= ‪. Cox ‬‬ ‫קשר בין מתחים המטעם וקיבול הקבל‪ , Qacc = −Cox (VG − VFB ) :‬כאשר‪:‬‬
‫‪cm 2‬‬
‫‪Qsub‬‬
‫‪ Vox = −‬כאשר ‪ Qsub‬הוא סך המטען (כולל ‪.) Qacc‬‬ ‫ניתן להכליל‪:‬‬
‫‪Cox‬‬

‫גרף צפיפות המטען‪:‬‬

‫‪4‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 :Surface Depletion – ‫מצב מחסור‬

Qsub Q qN a  2 SS
. Vox = − = − dep = :‫המתח על פני שכבת המבודד הוא‬
Cox Cox Cox

. VG = VFB + S + Vox :‫מתח השער הוא‬

2
qN aWdep qN aWdep
. VG = VFB + + : Wdep -‫מתח השער כתלות ב‬
2 S Cox

qN a  2 SS
. VG = VFB + S + Vox = VFB + S + :  S -‫מתח השער כתלות ב‬
Cox

:‫גרף צפיפות המטען‬

5 www.gool.co.il
 :Surface Inversion – ‫מצב היפוך‬
:‫מתח הסף מקיים‬
kT N a qN a  2 S 2B
VT = VFB + 2B + Vox = VFB + 2 ln +
q ni Cox

kT N a
. ST = 2B = 2 ln :‫כאשר‬
q ni

:‫הערה‬

.‫ הפוטנציאל בעומק המל"מ‬- F -‫ כ‬B ‫יש מקומות שבהם מסמנים את‬

kT N a
.)P ‫ (עבור מל"מ מסוג‬F = ln :‫נקבל את הנוסחה‬
q ni

. VG  VT :‫ בו מתקיים‬,)Strong Inversion( ‫מצב היפוך‬

:‫כעת מתקיים‬
Qdep Qinv
VG = VFB + 2B − − =
Cox Cox
qN a  2 SS Qinv Q
= VFB + 2B + − = VT − inv
Cox Cox Cox

. Qinv = −Cox (VG − VT ) :‫כלומר‬

2 S  2B
Wd max = WT = :‫ רוחב אזור המחסור לא גדל עוד ולכן‬,‫במצב היפוך‬
qN a

:‫גרף צפיפות המטען‬

6 www.gool.co.il
 ‫סיכום מצבי הפעולה של קבל ‪ MOS‬עם מצע ‪:P‬‬

‫‪7‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫אופיין ‪ C-V‬של קבל ‪:MOS‬‬

‫כאשר נדבר על קיבול של קבל ‪ MOS‬נתייחס לאות מתח קבוע (‪ )DC‬שעליו רוכב אות‬
‫סינוסי (‪ )AC‬קטן בתחום של ‪. 1kHz :100MHz‬‬
‫ע"י מדידת ערך ה‪ RMS-‬של זרם החילופין ניתן למשוך את ערך הקיבול לפי‪:‬‬
‫‪. icap / vac = C‬‬
‫כל תיאורית הקיבול של קבל ‪ MOS‬מתייחסת למודל אות קטן!‬
‫‪dQG‬‬ ‫‪dQ‬‬
‫=‪C‬‬ ‫‪= − sub‬‬
‫‪dVG‬‬ ‫‪dVG‬‬

‫מודלים של קיבול לפי מצבי הפעולה‪:‬‬

‫‪kox 0  F ‬‬ ‫‪kox 0‬‬

‫= ‪.) Cox = C0 = Cmax‬‬ ‫שטח‪:‬‬ ‫(וליח'‬ ‫‪C‬‬ ‫=‬ ‫‪C‬‬ ‫=‬ ‫‪C‬‬ ‫=‬ ‫‪A‬‬ ‫חישוב קיבול ‪ F : Cox‬‬
‫‪dox  cm ‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪ox‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪max‬‬
‫‪d ox‬‬

‫‪S‬‬
‫= ‪Cdep‬‬
‫‪Wdep‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫במקרה של מחסור נקבל‪:‬‬
‫‪C Cox Cdep‬‬

‫‪1‬‬ ‫) ‪1 2 (VG − VFB‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬
‫‪C‬‬ ‫‪Cox2‬‬ ‫‪qN a S‬‬

‫‪8‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫אופיין עבור תדרים גבוהים ונמוכים‪:‬‬
‫‪ )1‬בתדרים נמוכים ( ‪ )  → 0‬מטעני המיעוט מצליחים להיווצר באמצעות‬
‫תהליכים גנרציה וריקומבינציה‪.‬‬
‫‪kox 0  F ‬‬
‫= ‪. Cmax‬‬ ‫עקב כך יש יותר מטען והקיבול גדול יותר‪:‬‬
‫‪dox  cm2 ‬‬
‫בתדרים גבוהים ( ‪ )  → ‬מטעני המיעוט לא מצליחים להיווצר‪.‬‬ ‫‪)2‬‬
‫‪C0‬‬ ‫‪ F ‬‬
‫= ‪. Cmin‬‬ ‫עקב כך המטען קטן יותר ולכן נשתמש‪:‬‬
‫‪koxWT  cm 2 ‬‬
‫‪1+‬‬
‫‪kS dox‬‬

‫נקבל את החישוב הבא עבור הקיבולים‪:‬‬

‫‪kox 0‬‬
‫= ‪Cmax = Cox = C0‬‬
‫‪d ox‬‬
‫‪−1‬‬
‫‪ 1‬‬ ‫‪1 ‬‬ ‫‪C0‬‬
‫‪Cmin‬‬ ‫‪=‬‬ ‫‪+‬‬ ‫= ‪‬‬
‫‪ Cox CS ‬‬ ‫‪k W‬‬
‫‪1 + ox T‬‬
‫‪kS d ox‬‬

‫מטענים בשכבת התחמוצת‪:‬‬

‫בנוכחות צפיפות מטען משטחית ‪ Qox‬על שכבת המבודד נקבל הטיה של פסי האנרגיה‪.‬‬
‫‪Qox‬‬ ‫‪Q‬‬
‫‪ VFB =  G − S −‬כאשר ‪VFB0 =  G − S‬‬ ‫עקב נוכחות מטענים נקבל‪= VFB0 − ox :‬‬
‫‪Cox‬‬ ‫‪Cox‬‬
‫הוא מתח יישור פסי האנרגיה ללא נוכחות של מטענים‪.‬‬

‫‪9‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫סוגי מטעני תחמוצת‪:‬‬
‫מטענים חיוביים קבועים (‪ – )Fixed Oxide Charge‬מיוחסים ליוני הסיליקון‬ ‫‪)1‬‬
‫שנמצאים בין המצע לשכבת המבודד‪.‬‬
‫מטענים ניידים כתוצאה מזיהום (‪ – )Mobile Oxide Charge‬בעיקר יוני סודיום‬ ‫‪)2‬‬
‫שנשארים כתוצאה מניקיון לא מספיק במפעל (באמצעות מים או כימיקלים אחרים)‪.‬‬
‫מלכודות מטענים (‪ – )Interface traps‬מצבי אנרגיה שמסוגלים לתפוס ולשחרר‬ ‫‪)3‬‬
‫אלקטרונים ובכך ליצור רעש לא רצוי ולעוות את הערכים של ‪ VFB‬ו‪. VT -‬‬
‫מתחים מושרים כתוצאה משדות חזקים וטמפרטורות תפעול גבוהות‬ ‫‪)4‬‬
‫שמופעלים על הקבל במשך זמן ומעוותים את המבנה הכימי של ההתקן‪.‬‬

‫קבל ‪ MOS‬עם מצע מסוג ‪:N‬‬

‫תנאי ‪:Flat-Band‬‬

‫כעת ‪. VFB  0‬‬

‫מצב אקומולציה‪:‬‬

‫מתקיים עבור‪VG  VFB :‬‬

‫‪10‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫מצב מחסור‪:‬‬

‫מתח השער נמצא בתחום‪. VT  VG  VFB :‬‬

‫תנאי סף‪:‬‬

‫כאן מתקיים‪. VG = VT :‬‬

‫מצב היפוך‪:‬‬

‫מתח השער נמצא בתחום‪. VG  VT :‬‬

‫‪kT N d‬‬
‫‪( F = −‬עבור מל"מ מסוג ‪.)N‬‬ ‫‪ln‬‬ ‫כאן יש לקחת סימן שלילי‪:‬‬
‫‪q‬‬ ‫‪ni‬‬

‫אופיין ‪ C-V‬של קבל ‪ MOS‬עם מצע מסוג ‪:N‬‬

‫‪11‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫קבל ‪ MOS‬אידיאלי‪:‬‬

‫בקבל אידיאלי אנו נתעלם ממתח יישור פסי האנרגיה‪. VFB = 0 :‬‬
‫במקרה זה נקודות המעבר בין מצבי הקבל הן‪:‬‬
‫מצע סוג ‪N‬‬ ‫מצע סוג ‪P‬‬
‫‪VG  0‬‬ ‫‪VG  0‬‬ ‫אקומולציה‬
‫‪VT  VG  0‬‬ ‫‪0  VG  VT‬‬ ‫מחסור‬
‫‪VG  VT‬‬ ‫‪VG  VT‬‬ ‫היפוך‬

‫כל הנוסחאות נשארות זהות רק שיש להציב‪. VFB = 0 :‬‬

‫שאלות‪:‬‬
‫‪ )1‬נתון קבל ‪ MOS‬על מצע סיליקון מסוג ‪ P‬בטמפרטורת החדר‪.‬‬
‫ידוע כי ‪ N a = 1017 cm −3‬וכי מתח היישור הוא ‪. −0.4V‬‬
‫עובי שכבת התחמוצת הוא ‪ , 250 A‬שטח הקבל הוא ‪ 8 10−4 cm2‬ו‪. kS = 12 , kox = 3.9 -‬‬
‫א‪ .‬מהי צפיפות המטענים המשטחית במתכת השער עבור מתח ‪? VG = −1V‬‬
‫ב‪ .‬הדיאגרמה הבאה מתארת את פסי האנרגיה עבור ‪ VG‬מסוים‪.‬‬
‫הנח כי במצב הנ"ל מתקיים על פני המשטח ‪. EF − Ei = 0.4eV : Si − SiO2‬‬
‫מצא את צפיפות המטענים המשטחית על מתכת השער במצב זה‪.‬‬

‫ג‪ .‬מהו הקיבול לאות קטן הנמדד בתדר נמוך באות מתח השער‪.‬‬
‫ד‪ .‬מהו מתח השער בו תתקבל דיאגרמת הפסים המופיעה באיור ב?‬
‫ה‪ .‬מהו מתח הסף של הקבל?‬

‫‪12‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬