‫התקנים של מוליכים למחצה – דפי נוסחאות‬

‫קבועים פיסיקליים‬
‫סימון פונטי‬ ‫ערך הקבוע‬ ‫יחידות‬ ‫שם הקבוע‬
‫‪m0‬‬ ‫‪9.1110‬‬ ‫‪-31‬‬ ‫‪Kg‬‬ ‫מסת האלקטרון‬
‫‪q‬‬ ‫‪1.610-19‬‬ ‫‪C‬‬ ‫מטען האלקטרון‬
‫‪0‬‬ ‫‪8.8510-14‬‬ ‫‪F/cm‬‬ ‫מקדם דיאלקטרי בריק‬
‫‪NA‬‬ ‫‪6.021023‬‬ ‫מספר אבוגדרו‬
‫‪k‬‬ ‫‪1.3810-23‬‬ ‫‪J/K‬‬ ‫קבוע בולצמן‬
‫‪8.6210-5‬‬ ‫‪eV/K‬‬
‫‪h‬‬ ‫‪6.6310-34‬‬ ‫‪Jsec‬‬ ‫קבוע פלנק‬
‫‪c‬‬ ‫‪3108‬‬ ‫‪m/sec‬‬ ‫מהירות האור‬

‫בטבלה הבאה הגדלים הפיסיקליים שתלויים בטמפרטורה נתונים עבור טמפרטורת החדר ‪T=300K‬‬
‫‪GaAs‬‬ ‫‪Ge‬‬ ‫‪Si‬‬ ‫יחידה‬ ‫‪Property‬‬ ‫תכונה‬
‫‪144.6‬‬ ‫‪72.60‬‬ ‫‪28.09‬‬ ‫‪Atomic weight‬‬ ‫משקל אטומי‬
‫‪4.431022‬‬ ‫‪4.41022‬‬ ‫‪51022‬‬ ‫‪cm‬‬ ‫‪-3‬‬
‫‪Atomic‬‬ ‫צפיפות אטומית‬
‫‪density‬‬
‫‪5.32‬‬ ‫‪5.32‬‬ ‫‪2.33‬‬ ‫‪g/cm3‬‬ ‫‪Density‬‬ ‫צפיפות‬
‫‪1.42‬‬ ‫‪0.67‬‬ ‫‪1.12‬‬ ‫‪eV‬‬ ‫‪Energy gap‬‬ ‫פער אנרגיה‬
‫‪Effective‬‬ ‫צפיפות מצבים‬
‫‪density of‬‬ ‫אפקטיבית‬
‫‪states‬‬
‫‪4.71017‬‬ ‫‪1.041019‬‬ ‫‪2.81019‬‬ ‫‪cm-3‬‬ ‫‪NC‬‬ ‫בפס ההולכה‬
‫‪71018‬‬ ‫‪61018‬‬ ‫‪1.041019‬‬ ‫‪cm-3‬‬ ‫‪NV‬‬ ‫בפס הערכיות‬
‫‪2106‬‬ ‫‪2.41013‬‬ ‫‪1.41010‬‬ ‫‪cm-3‬‬ ‫‪ni‬‬ ‫צפיפות‬
‫אלקטרונים‬
‫במל"מ אינטרינסי‬
‫‪13.1‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪11.8‬‬ ‫‪‬‬ ‫קבוע דיאלקטרי‬
‫‪0.07‬‬ ‫‪0.12‬‬ ‫‪0.26‬‬ ‫‪me/m0‬‬ ‫מסת אלקטרון‬
‫אפקטיבית‬
‫(לחישוב ניידות)‬
‫‪0.5‬‬ ‫‪0.28‬‬ ‫‪0.49‬‬ ‫‪mh/m0‬‬ ‫מסת חור‬
‫אפקטיבית‬
‫(לחישוב ניידות)‬
‫‪4105‬‬ ‫‪105‬‬ ‫‪3105‬‬ ‫‪V/cm‬‬ ‫‪Breakdown‬‬ ‫שדה פריצה‬
‫‪field‬‬

‫‪1‬‬
‫‪n  N A  p  N D‬‬
‫משואת הניטרליות‬

‫‪n0 p0  ni2‬‬
‫ריכוז נושאי מטען בשו"מ‬

‫‪k T‬‬ ‫‪0.026 eV‬‬ ‫אנרגיה תרמית ממוצעת לדרגת חופש‬

‫‪300 K‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪3‬‬
‫‪E th ‬‬ ‫‪ k T‬‬ ‫אנרגיה תרמית‬
‫‪2‬‬

‫‪kT‬‬
‫‪Vth ‬‬ ‫] ‪ 300 K 0.026[V‬‬ ‫פוטנציאל תרמי‬
‫‪q‬‬

‫‪q r‬‬
‫‪‬‬ ‫ניידות (‪ = r‬זמן ממוצע בין התנגשויות)‬
‫‪m‬‬
‫‪Vdrift    E‬‬
‫מהירות סחיפה‬

‫‪L‬‬
‫‪R‬‬ ‫התנגדות‬
‫‪A‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪V‬‬
‫‪J  E‬‬ ‫‪E‬‬ ‫חוק אוהם (דיפרנציאלי)‬
‫‪l‬‬
‫)𝑥(𝑑𝑁𝑑 ‪𝑘𝑇 1‬‬
‫‪𝐸𝑥 = −‬‬ ‫שדה מושרה כתוצאה מזיהום לא הומוגני‬
‫𝑥𝑑 )𝑥(𝑑𝑁 𝑞‬

‫‪  1/   qn n   p p ‬‬

‫מוליכות סגולית‬

‫‪J n  q n nE  qDn‬‬ ‫‪dn‬‬

‫‪dx‬‬ ‫צפיפות זרם אלקטרונים‬

‫‪J p  q p pE  qD p‬‬ ‫‪dp‬‬

‫‪dx‬‬ ‫צפיפות זרם חורים‬

‫‪J drift  J n,drift  J p ,drift  q n n  q p p E‬‬

‫צפיפות זרם סחיפה‬

‫‪p‬‬ ‫‪1 J h‬‬ ‫‪n 1 J e‬‬

‫‪‬‬ ‫‪G R‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪G R‬‬ ‫משוואת הרציפות‬
‫‪t‬‬ ‫‪q x‬‬ ‫‪t q x‬‬

‫‪n‬‬ ‫‪p‬‬ ‫קצב התאחדות בהזרקה חלשה‬

‫‪R‬‬ ‫)‪(p-type‬‬ ‫‪R‬‬ ‫)‪(n-type‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪p‬‬

‫‪d 2p p‬‬

‫‪ 2 0‬‬ ‫‪L p  D p p‬‬ ‫משוואת הדיפוזיה‬
‫‪dx 2‬‬ ‫‪Lp‬‬

‫‪D   KT / q ‬‬ ‫יחס איינשטין‬

‫‪2‬‬
 ‫𝑡‬ ‫𝑡‬
‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬
‫𝑒 )‪𝛿𝑛(𝑡) = 𝑛(0‬‬ ‫𝑛𝑇‬ ‫𝑒 )‪𝛿𝑝(𝑡) = 𝑝(0‬‬ ‫𝑝𝑇‬
‫שינוי בריכוז נ"מ כתוצאה מרקומבינציה‬
‫𝒕𝒑𝒐𝑷‬
‫= 𝒉𝒑𝑵‬ ‫מספר‬
‫𝒒 𝒉𝒑𝑬‬
‫𝒕𝒑𝒐𝑷‬
‫מספר ‪ /‬שטף פוטונים‬
‫= 𝒉𝒑∅‬
‫𝒉𝒑𝑬‬
‫שטף‬

‫‪ photon m ‬‬

‫‪1.24‬‬ ‫אורך גל של פוטון‬
‫‪E photon eV ‬‬

‫‪1‬‬
‫‪f (E) ‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫הסתברות איכלוס מצבים (פרמי דיראק)‬
‫‪exp E  E f‬‬ ‫‪KT  1‬‬

‫‪‬‬
‫‪f ( E )  exp  E  E f‬‬ ‫‪ KT ‬‬
‫הסתברות איכלוס מצבים (מקסוול בולצמן)‬
‫‪‬‬
‫‪N c   G( E ) exp E  Ec  KT dE‬‬
‫‪Ec‬‬ ‫צפיפות מצבים אפקטיבית בפס‬
‫ההולכה‬
‫‪3/ 2‬‬ ‫צפיפות מצבים אפקטיבית בפס‬
‫‪ 2mn*, p KT‬‬ ‫‪‬‬
‫‪3/ 2‬‬
‫‪T ‬‬
‫‪N c ,v‬‬ ‫‪ 2‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪N c ,v (T2 )  N c ,v  2 ‬‬ ‫ההולכה (או הערכיות) בקרוב‬
‫‪‬‬ ‫‪h2‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ T1 ‬‬ ‫האלקטרון (או החור) החופשי‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬

‫‪‬‬
‫‪n0  N c exp  E c  E f KT ‬‬ ‫‪‬‬ ‫ריכוז אלקטרונים וחורים במוליך‬
‫למחצה בלתי מנוון‬

‫‪‬‬
‫‪p0  N v exp  E f  E v KT ‬‬ ‫‪‬‬
‫) ‪n0 p0  ni2  N c N v exp( E g / KT‬‬
‫ריכוז אינטרינסי‬

‫𝒂𝑵 ‪𝑵𝒅 −‬‬ ‫𝟐 𝒂𝑵 ‪𝑵𝒅 −‬‬ ‫ריכוז אלקטרונים וחורים‪ -‬משוואה‬

‫= 𝒐𝒏‬ ‫(√ ‪+‬‬ ‫𝟐 𝒊𝒏 ‪) +‬‬
‫𝟐‬ ‫𝟐‬
‫ריבועית‬

‫𝒅𝑵 ‪𝑵𝒂 −‬‬ ‫𝟐 𝒅𝑵 ‪𝑵𝒂 −‬‬

‫= 𝒐𝒑‬ ‫(√ ‪+‬‬ ‫𝟐 𝒊𝒏 ‪) +‬‬
‫𝟐‬ ‫𝟐‬

‫‪ m *p‬‬ ‫‪‬‬ ‫מיקום רמת פרמי ביחס למרכז הפער‬

‫‪Eg 3‬‬
‫‪E fi ‬‬ ‫* ‪ kT ln ‬‬ ‫‪‬‬ ‫האסור‬
‫‪2 4‬‬ ‫‪m‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ n‬‬ ‫‪‬‬

‫‪kT  n ‬‬ ‫מיקום רמת פרמי ביחס לרמת פרמי‬

‫‪E f  E fi ‬‬ ‫‪ln  ‬‬ ‫האינטרינזית‬
‫‪2  p ‬‬

‫‪E f EFi  kT‬‬ ‫‪EFi E f  kT‬‬ ‫מיקום רמת פרמי ביחס לרמת פרמי‬
‫‪n0  ni e‬‬ ‫‪p0  ni e‬‬ ‫האינטרינזית‬

‫‪‬‬ ‫‪  N‬‬

‫‪  q p  n  ND‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪‬‬ ‫מטען מרחבי‬
‫‪3‬‬
 ‫‪1‬‬
‫∙ 𝑎𝑁 = )𝐸(𝑓 ∙ 𝑎𝑁 = ‪𝑁𝑎−‬‬ ‫ריכוז אקספטורים מיוננים‬
‫𝑓𝐸 ‪𝐸𝑎 −‬‬
‫) 𝑇𝐾 ( 𝑝𝑥𝑒 ‪1 +‬‬

‫‪1‬‬
‫∙ 𝑑𝑁 = ))𝐸(𝑓 ‪𝑁𝑑+ = 𝑁𝑑 ∙ (1 −‬‬ ‫ריכוז דונורים מיוננים‬
‫) 𝑓𝐸 ‪−(𝐸𝑑 −‬‬
‫( 𝑝𝑥𝑒 ‪1 +‬‬ ‫𝑇𝐾‬ ‫)‬

‫צומת ‪PN‬‬

‫‪‬‬ ‫משוואת פואסון‬

‫‪   0 E    dx‬‬ ‫‪dE‬‬
‫‪dx‬‬
‫‪‬‬
‫‪  0‬‬
‫‪E  -‬‬
‫‪dV‬‬
‫‪dx‬‬

‫‪qN D‬‬ ‫שדה ופוטנציאל חשמלי‬

‫‪E ( x) ‬‬ ‫) ‪( x  dn‬‬ ‫‪0  x  dn‬‬
‫‪ 0‬‬ ‫באזור המיחסור‬

‫‪V ( x)  ‬‬
‫‪qN D 2‬‬
‫‪2 0‬‬
‫‪ x  2d n x ‬‬

‫‪qN A‬‬
‫‪E ( x)  ‬‬ ‫) ‪(x  d p‬‬ ‫‪ dp  x  0‬‬
‫‪ 0‬‬

‫‪V ( x) ‬‬
‫‪qN A 2‬‬
‫‪2 0‬‬
‫‪ x  2d p x ‬‬

‫‪N N ‬‬
‫‪qVbi  KT ln D 2 A ‬‬
‫‪ ni ‬‬ ‫מתח בנוי‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫𝑎𝑁) 𝐴𝑉 ‪2𝜀𝜀0 (𝑉𝑏𝑖 −‬‬ ‫‪2‬‬ ‫𝑑𝑁) 𝐴𝑉 ‪2𝜀𝜀0 (𝑉𝑏𝑖 −‬‬ ‫‪2‬‬
‫רוחב אזור המיחסור‬
‫[ = 𝑛𝑑‬ ‫]‬ ‫[ = 𝑝𝑑‬ ‫]‬
‫) 𝑑𝑁‪𝑞𝑁𝑑 (𝑁𝑎 +‬‬ ‫) 𝑑𝑁‪𝑞𝑁𝑎 (𝑁𝑎 +‬‬

‫‪1‬‬
‫‪2𝜀𝜀0 (𝑉𝑏𝑖 − 𝑉𝐴 ) 𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 2‬‬
‫{ = 𝑝𝑑 ‪𝑑 = 𝑑𝑛 +‬‬ ‫[‬ ‫}]‬
‫𝑞‬ ‫𝑑𝑁 𝑎𝑁‬

‫מטען אזור המחסור‬

‫‪Q  qA  d n N D  qA  d p N A‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪ -C‬קיבול ‪,‬‬
‫‪dQ‬‬ ‫‪′‬‬ ‫‪𝜀𝑟 𝜀0‬‬ ‫𝑑𝑁 𝑎𝑁 ‪𝑞𝜀𝑟 𝜀0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫'‪ -C‬קיבול ליח' שטח‬
‫‪C‬‬ ‫= 𝐶‬ ‫=‬ ‫{‬ ‫}‬
‫‪dV‬‬ ‫𝑑‬ ‫) 𝑑𝑁‪2(𝑉𝑏𝑖 −𝑉𝐴 )(𝑁𝑎 +‬‬

‫𝑞‬ ‫𝜏‬ ‫קיבול דיפוזיה‬

‫𝜏𝐼 = 𝐷𝐶‬ ‫𝑝𝜏 = 𝑛𝜏 = 𝜏 ‪= ,‬‬
‫𝑑𝑟 𝑇𝑘‬

‫‪4‬‬
 ‫‪𝑛𝑖2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫‪𝑛𝑖2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫חוק הצומת‬
‫= ) 𝑝𝑥‪𝛿𝑛(−‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫]‪) − 1‬‬ ‫= ) 𝑛𝑥(𝑝𝛿‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫]‪) − 1‬‬
‫𝑎𝑁‬ ‫𝑇𝐾‬ ‫𝑑𝑁‬ ‫𝑇𝐾‬

‫‪𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫𝑥 ‪𝑥𝑝 +‬‬

‫= )𝑥(𝑛𝛿‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒 ]‪) − 1‬‬ ‫)‬
‫𝐴𝑁‬ ‫𝑇𝑘‬ ‫𝑛𝐿‬

‫‪𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫𝑥 ‪𝑥𝑛 −‬‬

‫= )𝑥(𝑝𝛿‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒 ]‪) − 1‬‬ ‫)‬
‫𝐷𝑁‬ ‫𝑇𝑘‬ ‫𝑝𝐿‬

‫𝑜𝑛𝑝 𝑝𝐷𝑞‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬

‫= ) 𝑛𝑥( 𝑝𝐽‬ ‫( ‪[exp‬‬ ‫]‪) − 1‬‬ ‫צפיפות זרם החורים‬
‫𝑝𝐿‬ ‫𝑇𝑘‬
‫𝑜𝑝𝑛 𝑛𝐷𝑞‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫צפיפות זרם האלקטרונים‬
‫= ) 𝑝𝑥‪𝐽𝑛 (−‬‬ ‫( ‪[exp‬‬ ‫]‪) − 1‬‬
‫𝑛𝐿‬ ‫𝑇𝑘‬
‫𝑉𝑞‬ ‫𝑉𝑞‬
‫]‪𝐽 = 𝐽𝑠 [exp ( 𝑘𝑇𝐴 ) − 1‬‬ ‫]‪𝐼 = 𝐼𝑠 [exp ( 𝑘𝑇𝐴 ) − 1‬‬ ‫משוואת הדיודה האידאלית‬

‫𝑜𝑛𝑝 𝑝𝐷‬ ‫𝑜𝑝𝑛 𝑛𝐷‬ ‫𝑜𝑛𝑝 𝑝𝐷‬ ‫𝑜𝑝𝑛 𝑛𝐷‬ ‫זרם זליגה ‪ -‬דיודה ארוכה‬
‫( 𝑞 = 𝑠𝐽‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬ ‫( 𝐴𝑞 = 𝑠𝐼‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬
‫𝑝𝐿‬ ‫𝑛𝐿‬ ‫𝑝𝐿‬ ‫𝑛𝐿‬

‫𝑜𝑛𝑝 𝑝𝐷‬ ‫𝑜𝑝𝑛 𝑛𝐷‬ ‫𝑜𝑛𝑝 𝑝𝐷‬ ‫𝑜𝑝𝑛 𝑛𝐷‬ ‫זרם זליגה – דיודה קצרה‬
‫( 𝑞 = 𝑠𝐽‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬ ‫( 𝐴𝑞 = 𝑠𝐼‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬
‫𝑛𝑊‬ ‫𝑝𝑊‬ ‫𝑛𝑊‬ ‫𝑝𝑊‬

‫‪I  I o exp(qVA / KT )  1  I L‬‬ ‫‪I L  qGL ALn  L p  d ‬‬

‫פוטודיודה‬

‫‪ s  0 ECR‬‬
‫‪2‬‬
‫‪NA  ND‬‬ ‫פריצת מפולת‬
‫‪VBR ‬‬ ‫*‬
‫‪2q‬‬ ‫‪NAND‬‬

‫‪2qN AV‬‬ ‫‪ s 0 ECR‬‬

‫‪2‬‬ ‫פריצת מפולת צומת‬
‫( ‪ECR ‬‬ ‫‪)1 / 2 VBR ‬‬
‫‪s 0‬‬ ‫‪2qN A‬‬ ‫‪n+p‬‬ ‫חד צדדי‬

‫התקנים אופטיים‬
‫תא סולארי‬
‫𝑻𝑲‬ ‫𝑳𝑰‬ ‫𝑻𝑲‬ ‫𝑳𝑱‬
‫= 𝑪𝑶𝑽‬ ‫= ) ‪𝐥𝐧 (𝟏 +‬‬ ‫) ‪𝐥𝐧 (𝟏 +‬‬ ‫מתח הדקים פתוחים‬
‫𝒒‬ ‫𝑺𝑰‬ ‫𝒒‬ ‫𝑺𝑱‬

‫‪ :IS‬זרם זליגה בדיודת ‪pn‬‬

‫)𝑑 ‪𝐼𝐿 = 𝐼𝑆𝐶 = 𝑞𝐴𝐺𝐿 (𝐿𝑃 + 𝐿𝑛 +‬‬ ‫זרם כתוצאה מהארה‬

‫‪ :ISC‬זרם קצר‬
‫𝐴𝑉𝑞‬
‫( ‪𝐼 = 𝐼𝐿 − 𝐼𝐹 = 𝐼𝐿 − 𝐼𝑠 ∙ [exp‬‬ ‫]‪) − 1‬‬ ‫זרם כולל‬
‫𝑇𝐾‬

‫‪5‬‬
 ‫צומת מתכת – מל"מ‬
‫‪𝑞2‬‬
‫𝜀𝜀𝜋‪𝑃𝑠 = 16‬‬ ‫פוטנציאל מטען מדומה‬
‫𝑥‪0‬‬

‫𝑚𝜙 פונקציית עבודה מתכת‬

‫𝑠𝜙 ‪𝑉𝑏𝑖 = 𝜙𝑚 −‬‬ ‫מתח מובנה (הגדרה)‬
‫𝑠𝜙 פונקציית עבודה מל"מ‬
‫𝒆𝒑𝒚𝒕 𝒏 𝜒 ‪𝜙𝐵 = 𝜙𝑚 −‬‬
‫𝑔𝐸‬ ‫𝜒 אפיניות מל"מ‬ ‫מתח מחסום אידאלי‬
‫‪𝜙𝐵 = 𝑞 + 𝜒−𝜙𝑚 p type‬‬
‫𝜙‪𝜙𝐵𝑛 = 𝜙𝐵 − Δ‬‬
‫מתח מחסום מופחת‬
‫𝐸𝑞‬ ‫הפחתת המחסום‬
‫√ = 𝜙‪Δ‬‬
‫‪4𝜋𝜀𝜀0‬‬
‫𝑓𝐸 ‪𝑞𝜙𝑛 ≡ 𝐸𝑐 −‬‬ ‫‪n- type‬‬ ‫מל"מ מסוג ‪n-yp‬‬
‫‪p-type‬‬ ‫דיודת מחסום שוטקי‪ :‬הגדרה‬
‫𝑣𝐸 ‪𝑞𝜙𝑝 ≡ 𝐸𝑓 −‬‬
‫𝑐𝑁‬ ‫𝑣𝑁‬
‫𝑛𝑙𝑇𝑘 ≡ 𝑛𝜙𝑞‬ ‫𝑛𝑙𝑇𝑘 ≡ 𝑝𝜙𝑞‬ ‫חישוב‪:‬‬
‫‪𝑛0‬‬ ‫‪𝑝0‬‬
‫) 𝑝𝜙 ‪𝑉𝑏𝑖 = 𝜙𝐵 − 𝜙𝑛/𝑝 = −(𝜙𝐵 −‬‬
‫חישוב מתח מובנה‪:‬‬
‫‪1/ 2‬‬
‫‪ 2 0‬‬ ‫‪‬‬
‫‪dn  ‬‬ ‫‪Vbi  V A ‬‬ ‫רוחב אזור המיחסור‪:‬‬
‫‪ qN D‬‬ ‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫‪qN‬‬
‫‪E x    D d n  x ‬‬ ‫שדה חשמלי‪:‬‬
‫‪ 0 s‬‬
‫‪  qV  ‬‬
‫‪J  J S exp A   1‬‬ ‫אופיין (צפיפות הזרם)‪:‬‬
‫‪  kT  ‬‬
‫‪ q B ‬‬
‫‪J s  A*T 2 exp ‬‬ ‫‪‬‬ ‫צפיפות זרם רויה אחורי‪:‬‬
‫‪ kT ‬‬
‫‪𝑘𝑇 𝐴∗ 𝑇 2‬‬
‫= 𝐵𝜙‬ ‫(‪ln‬‬ ‫)‬
‫𝑞‬ ‫𝑠𝐽‬

‫* ‪4qk 2‬‬
‫‪A* ‬‬ ‫‪mn‬‬ ‫קבוע ריצ'רדסון‬
‫‪h3‬‬
‫זרם מנהור‪:‬‬
‫𝜖 ∗𝑒𝑚√‪4‬‬
‫‪𝐼 = 𝐼0 ∙ exp [−‬‬ ‫]) 𝑎𝑉 ‪(∅𝐵𝑛 −‬‬
‫𝑑𝑁√‪ℏ‬‬

‫‪6‬‬
 ‫קבל ‪MOS‬‬

‫𝐶‪𝑉𝐺 = 𝑉𝐹𝐵 + 𝑉𝑂𝑋 + 𝑉𝑆.‬‬

‫‪1‬‬
‫) )𝑒𝑐𝑎𝑓𝑟𝑒𝑡𝑛𝑖(𝑖𝑓𝐸 ‪∅𝑠 = 𝑞 (𝐸𝑓𝑖(𝑏𝑢𝑙𝑘) −‬‬ ‫כיפוף פסי האנרגיה באינטרפייס‬

‫על מצע סוג ‪-P‬‬

‫𝑛𝑄 ‪-‬מטען שכבת‬
‫𝑛𝑄 ‪𝑄𝑆 = 𝑄𝐵 +‬‬ ‫האינברסיה‬ ‫𝑑𝑋 𝐴𝑁𝑞‪𝑄𝐵 = −‬‬
‫𝑠𝑄 ‪-‬מטען המל"מ כולו‬ ‫𝐵𝑄 ‪-‬מטען המצע (שכבת המחסור)‬

‫𝑇𝑘‬ ‫𝐴𝑁‬
‫= 𝐹𝜑‬ ‫) ( 𝑛𝑙 ∙‬ ‫𝐹𝜑‪𝜑𝑆 (𝑚𝑎𝑥) = 2‬‬ ‫כיפוף פסי האנרגיה באינטרפייס‬
‫𝑞‬ ‫𝑖𝑛‬
‫𝑔𝐸‬
‫𝑓∅𝑞 ‪𝑞∅𝑠 = 𝑞𝜒 + +‬‬
‫‪2‬‬

‫𝑆𝜖 ‪2𝜖0‬‬ ‫רוחב שכבת המחסור‬

‫√ = 𝑑𝑋‬ ‫𝜑‬
‫𝑆 𝐴𝑁𝑞‬

‫𝐵𝑄‬
‫‪𝑉𝐺 − 𝑉𝐹𝐵 = ∅𝑆 −‬‬
‫𝑥𝑜𝐶‬
‫𝑥𝑜𝑄‬ ‫𝑜𝜀 𝑥𝑜𝜀‬
‫‪𝑉𝐹𝐵 = ∅𝑚𝑠 −‬‬ ‫= 𝑥𝑜𝐶‬
‫𝑥𝑜𝐶‬ ‫𝑥𝑜𝑑‬
‫𝑥𝑎𝑚 𝐵𝑄‬
‫‪𝑉𝑇 = 𝑉𝐹𝐵 −‬‬ ‫𝐹∅‪+ 2‬‬
‫𝑥𝑜𝐶‬
‫) 𝐹∅‪√2𝜀0 𝜀𝑆𝑖 𝑞𝑁𝑎 (2‬‬
‫‪= 𝑉𝐹𝐵 + 2∅𝐹 +‬‬
‫𝑥𝑜𝐶‬
‫𝑥𝑎𝑚 𝐵𝑄 𝑥𝑜𝑄‬
‫‪𝑉𝑇 = ∅𝑚𝑠 −‬‬ ‫‪−‬‬ ‫𝐹∅‪+ 2‬‬
‫𝑥𝑜𝐶‬ ‫𝑥𝑜𝐶‬
‫קבל ‪- MOS‬על מצע סוג ‪N‬‬

‫) 𝐹∅‪√2𝜀0 𝜀𝑆𝑖 𝑞𝑁𝑎 (2‬‬

‫‪𝑉𝑇 = 𝑉𝐹𝐵 + 2∅𝐹 −‬‬
‫𝑥𝑜𝐶‬

‫‪7‬‬
 ‫טרנזיסטור ‪MOSFET‬‬

‫𝐿𝑊 𝑥𝑜𝜀 ‪(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )𝜀0‬‬

‫= )𝑒𝑐𝑟𝑢𝑜𝑆( 𝑛𝑄‬
‫𝑥𝑜𝑑‬
‫‪Qn ( y)  Cox VGS  VT  V ( y)‬‬
‫‪1‬‬ ‫𝑥𝑜𝐶 𝑛𝜇 𝑤‬
‫= ] ‪𝐼𝐷𝑆 = 𝑘 [(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )𝑉𝐷𝑆 − 2 𝑉𝐷𝑆 2‬‬ ‫] ‪2‬‬
‫𝑆𝐷𝑉 ‪[2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )𝑉𝐷𝑆 −‬‬ ‫לינארי‬
‫𝐿‪2‬‬

‫𝐷𝐼 𝑑‬
‫= ‪gm‬‬
‫𝑆𝐺𝑉 𝑑‬
‫𝑥𝑜𝐶 𝑛𝜇 𝑤‬
‫= 𝑚𝑔‬ ‫𝑆𝐷𝑉‬
‫𝐿‬
‫𝑘‬ ‫𝑥𝑜𝐶 𝑛𝜇 𝑤‬
‫= )𝑡𝑎𝑠( 𝑆𝐷𝐼‬ ‫= ‪(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2‬‬ ‫רוויה ‪(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2‬‬
‫‪2‬‬ ‫𝐿‪2‬‬
‫𝑥𝑜𝐶 𝑛𝜇 𝑤‬
‫= )‪𝑔𝑚 (sat‬‬ ‫) 𝑇𝑉 ‪(𝑉𝐺𝑆 −‬‬ ‫רוויה‬
‫𝐿‬

‫‪( PMOS‬על מצע סוג ‪)N‬‬

‫𝑇𝑉 > 𝑆𝐺𝑉 ‪0 ≤ 𝑉𝐷𝑆 ≤ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ,‬‬ ‫לינארי‬
‫‪𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ,‬‬ ‫𝑇𝑉 > 𝑆𝐺𝑉‬ ‫רוויה‬

‫𝑇𝑉 < 𝑆𝐺𝑉 ‪𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ,‬‬ ‫לינארי‬ ‫‪( NMOS‬על מצע סוג ‪)P‬‬
‫𝑇𝑉 < 𝑆𝐺𝑉 ‪𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ,‬‬ ‫רוויה‬

‫הולכת תעלה‪:‬‬
‫𝑥𝑜𝐶 𝑛𝜇𝑤‬
‫= 𝐷𝑔‬ ‫) 𝑆𝐷𝑉 ‪(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 −‬‬
‫𝐿‬
‫𝑥𝑜𝐶 𝑛𝜇𝑤‬
‫= )𝑟𝑎𝑒𝑛𝑖𝑙( 𝐷𝑔‬ ‫) 𝑇𝑉 ‪(𝑉𝐺𝑆 −‬‬
‫𝐿‬

‫‪IDs(sat)=(WCox)(VGS–VT)vSat‬‬ ‫‪v‬‬
‫מהירות רוויה ‪ Sat‬רוייה‬

‫‪8‬‬
 ‫טבלאות יחידות‬

The SI System
Physical Quantity Unit Symbol Definition of
Units
Length ‫אורך‬ Meter m
Mass ‫מסה‬ Kilogram kg
Time ‫זמן‬ Second s The basic units
Electric current ‫זרם חשמלי‬ Ampere A of the SI system
Temperature ‫טמפרטורה‬ Kelvin K
Amoubt of substance ‫כמות חומר‬ Mole mol
Energy ‫אנרגיה‬ Joule J kg m2 s-2
Force ‫כוח‬ Newton N J m-1
Electric Charge ‫מטען חשמלי‬ Coulomb C As
Electric potential ‫ מתח‬Volt V J A-1 s-1
difference
Electrical resistance ‫ התנגדות‬Ohm  V A-1
Power ‫ הספק‬Watt W J s-1
Capacitance ‫ קיבול‬Farad F A s V-1

Prefixes for Fractions and Multiples

Fraction Prefix Symbol Multiple Prefix Symbol
-1
10 deci d 10 deka da
10-2 centi c 102 hector h
10-3 milli m 103 kilo k
10-6 micro  106 mega M
10-9 nano n 109 giga G
10-12 pico p 1012 tera T
10-15 femto f
10-18 atto a

Some Widely Used Non-SI Units

Physical Quantity Unit Symbol Definition of Units
Length ‫אורך‬ Angstrom Å 10-10 m
Micron  10-6 m
Volume ‫נפח‬ Liter l 10-3 m3
Energy ‫אנרגיה‬ Calorie cal 4.184 J
Erg erg 10-7 J
Electronvolt eV 1.6021 x 10-19 J
Pressure ‫לחץ‬ Atmosphere Atm 1.01325 x 105 N m-2
Millimeter of
mmHg 133.322 N m-2
mercury

9
Energy Conversion Factors

Fundamental Constants
Constant Symbol Value SI Units Cgs Units
8 -1
Speed of light in vacuum c 2.99792 10 m s 1010 cm s-1
Avogadro's number NA 6.022 1023 mol-1 1023 mol-1
Planck's constant h 6.6262 10-34 J s 10-27 erg s
Boltzmann's constant kB 1.38066 10-23 J K-1 10-16 erg K-1
Gas constant R 8.3144 J K-1 mol-1 107 erg K-1 mol-1
Faraday's constant F 9.6487 104 C mol-1
Bohr radius a0 5.29177 10-11 m 10-9 cm
Elementary charge e 1.60219 10-19 C
4.80298 10-10 cm3/2 g1/2 s-1
mol-1
Electron rest mass me 9.1095 10-31 kg 10-28 g
Proton rest mass Mp 1.67265 10-27 kg 10-24 g
Gravitational constant G 6.6720 10-11 N m2 kg-2 10-8 dyn cm2 g-2

10