‫‪VBC > 0 , VBE < 0‬‬ ‫‪ .

‫‪ . 4‬פעיל אחורי‪:‬‬ ‫הגדרת אופני פעולה‬ ‫טרנסיסטור ‪BJT‬‬ ‫מודל בקרת המטען בדיודה‬ ‫מעגלי תמורה‬ ‫דיודות‬
‫מזניחים את ‪VBE‬‬ ‫‪ -‬מבנה תלת שכבתי בעל שתי צמתות‪ :‬צומת‬ ‫‪-‬תופעות המעבר בדיודה נגרמות עקב שינויי‬ ‫עבור הולכה‬ ‫תחומי פעולה‬
‫‪IS‬‬ ‫‪ .1‬קטעון ‪VBC < 0 , VBE < 0 :cutt-off‬‬ ‫הקולט וצומת הפולט‪ .‬זרם צומת אחת תלויה‬ ‫ריכוז מטען המיעוט‪.‬‬ ‫מעגל תמורה )ליניארי( "סוללה והתנגדות"‬ ‫סף ההולכה‪ Vγ =0.5v ,0 <VD < Vγ :‬עבור ‪Si‬‬
‫≈ ‪− IC‬‬ ‫קשרי זרם מתח ‪eVBC / VT 〉 0‬‬ ‫מזניחים את ‪ VBE‬ואת ‪VBC‬‬ ‫בזרם צומת אחרת‪.‬‬ ‫‪ - tfr‬התאוששות קדמית מקטעון להולכה‪.‬‬ ‫בהולכה‪ ,‬כאשר ‪ V>Vγ‬מפל מתח על פני‬ ‫בתחום זה הזרם דרך הדיודה זניח‪.‬‬
‫‪αR‬‬ ‫‪IS‬‬ ‫‪− IS‬‬ ‫מודל אברס מול‬ ‫‪– trr‬התאוששות אחורית מהולכה לקטעון‪.‬‬ ‫הדיודה על פי מודל זהנתון ע"י‪VD=Vγ+Rf ID :‬‬ ‫הולכה‪ ,Vγ < VD :‬כאן הדיודה יכולה לפתח זרם‬
‫‪IS‬‬ ‫= ‪IC‬‬ ‫= ‪IE‬‬ ‫‪-‬מתאר את הטרנזיסטור כזוג דיודות מצומדות‪.‬‬ ‫‪dQ Q‬‬ ‫מודל זה לוקח בחשבון את ‪ Vγ‬ואת מפל מתח‬ ‫משמעותי שערכו תלוי ברכיבי המעגל החיצוני‪.‬‬
‫≈ ‪− IE‬‬ ‫)‪+ I S (eVBC / VT − 1‬‬ ‫‪βR‬‬ ‫‪βF‬‬ ‫‪+‬‬ ‫משוואת בקרת המטען‪= i D (t ) :‬‬
‫‪dt τ D‬‬ ‫על‪-‬פני התנגדות ‪.Rf‬‬ ‫גם בממתח האחורי מבחינים בשני תחומים‪:‬‬
‫‪αF‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪C‬‬
‫בדר"כ מזניחים את הזרמים לגמרי‪.‬‬ ‫‪Ic‬‬
‫‪ - Q‬מטען )המיעוט( האגור בסמוך לצומת‪.‬‬ ‫מעגל תמורה "סוללה בלבד"‬ ‫קטעון‪ ,-VZ <VD < 0 :‬בתחום זה זרם הדיודה‬
‫קשרי זרם זרם ‪− I E = −α R I C + I E 0‬‬ ‫‪ - dQ/dt‬קצב השינוי במטען האגור‪.‬‬ ‫מודל תמורה זה מדויק פחות מאחר ולא לוקח‬ ‫הוא זרם הרוויה האחורי‪.ID=-IS :‬‬
‫‪ .2‬פעיל קידמי ‪VBC < 0 , VBE > 0‬‬ ‫)‪ = iD(t‬זרם הדיודה )כאשר ‪ iD>0‬זה גורם‬ ‫בחשבון את מפל המתח על ההתנגדות ‪Rf‬‬ ‫פריצה אחורית‪ ,VD < -VZ :‬כאן זרם הדיודה‬
‫‪− I E = β R I B + I EC 0‬‬ ‫מזניחים את ‪ VBC‬ואת היחידה‬ ‫‪VBC‬‬ ‫‪IDC‬‬ ‫ובמקום זה נשתמש במפל מתח ממוצע‬ ‫שלילי ובעל גודל משמעותי‪ ,‬ונקבע בעיקר על‪-‬ידי‬
‫להגדלת מטען הצומת‬
‫קשר זרם מתח‬ ‫‪ - τD‬אורך החיים הממוצע של נושאי מטען‬ ‫‪VD≈0.7v‬עבור ‪) .Si‬טוב לשימוש כאשר >> ‪R‬‬ ‫המעגל החיצוני‪.‬‬
‫זרמי זליגה‬ ‫‪IS‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪.(Rf‬‬
‫המיעוט‪.‬‬
‫‪1 − α Fα R‬‬ ‫≈ ‪IE‬‬ ‫‪eVBE / VT ≅ I DE‬‬ ‫‪B‬‬
‫מודל אידיאלי עבור דימוי קצר‬
‫‪I E0 = I S‬‬
‫‪αF‬‬
‫הקולט פתוח‬ ‫‪αF‬‬ ‫‪ Q>0‬הדיודה בהולכה ; ‪ Q=0‬הדיודה בקטעון‪.‬‬
‫המודל מזניח את ‪ - Rf = 0‬התנגדות קדימה‬
‫‪+‬‬ ‫יכולת אגירת המטען היא בעלת אופי קיבולי‪:‬‬
‫‪IS‬‬ ‫במצב הולכה ‪.‬ואת מתח סף ההולכה‪ .‬מוצדק‬
‫‪1 − α Fα R‬‬ ‫‪I C ≈ I S (eVBE / VT − 1) +‬‬
‫קיבול הדיפוזיה – בא לידי ביטוי בעת הולכת‬
‫= ‪IC0‬‬ ‫‪IS‬‬ ‫הפולט פתוח‬
‫‪αR‬‬ ‫‪τ I‬‬ ‫לשימוש כאשר ‪.V>>VD‬מודל זה הכי פחות‬
‫‪αR‬‬ ‫‪VBE‬‬ ‫הדיודה‪C D =≈ D D :‬‬ ‫מדויק אך הקל ביותר לשימוש כיוון שמזניח‬
‫‪IDE‬‬ ‫‪ηVT‬‬
‫‪I‬‬ ‫זרמי זליגה‬ ‫קליל את מפל מתח הדיודה בהולכה‪.‬‬
‫‪I EC 0 = E 0 = ( β R + 1) I E 0‬‬ ‫קיבול שכבת המחסור – בא לידי ביטוי בקטעון‪:‬‬
‫‪1−αR‬‬
‫‪I C ( I E = 0) = I CO‬‬ ‫‪Ie‬‬ ‫‪C j0‬‬
‫עבור קיטעון‬
‫‪-‬‬ ‫‪E‬‬ ‫= ) ‪C j (VD‬‬ ‫מודל ההתנגדות האחורית‬
‫דינמיקה של ‪ BJT‬ומודל בקרת המטען‬ ‫‪IS‬‬ ‫‪ VD‬‬ ‫‪‬‬
‫‪m‬‬
‫על‪-‬פי המשוואה האנליטית דרך הדיודה בקטעון‬
‫‪ -‬מתאר את התנהגות הזרם בעת תופעת‬ ‫= ‪IC0‬‬ ‫) ‪(1 − α F α R ) = I CS (1 − α F α R‬‬ ‫זרם הדיודה ‪ DE‬בתנאי קצר ‪:BC‬‬ ‫‪1 −‬‬
‫‪ V‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪αR‬‬ ‫)‪I E = I DE = I ES (eVBE / VT − 1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪j‬‬ ‫‪‬‬ ‫זורם זרם קבוע ‪ ) ID=-IS‬אולם דרך התקן‬
‫מעבר‬ ‫תגובת מעבר לדופק‬ ‫מעשי קימות התנגדויות של אריזה ‪ -‬אי שלמות‬
‫זרם ‪ DC‬בתנאי קצר ‪: BE‬‬ ‫המבנה המתווספים לזרם הזליגה(‪ .‬עם הגדלת‬
‫‪QF‬‬ ‫‪I C ( I B = 0) = I CEO‬‬ ‫המתח גדל הזרם האחורי‪ ,‬תופעה זו מיוצגת ע"י‬
‫= ‪IC‬‬ ‫זרם הקולט‬ ‫‪− I C = I DC = I CS (e‬‬ ‫‪V BC / VT‬‬
‫)‪− 1‬‬
‫‪IC0‬‬ ‫התנגדות אחורית ‪.Rr‬‬ ‫זרם הדיודה‬
‫‪τ‬‬ ‫‪F‬‬ ‫= ‪I CE 0‬‬ ‫‪= ( β F + 1) I C 0‬‬ ‫‪ IES , ICS‬זרם הרוויה האחורית )בתנאי קצר(‬ ‫מתח וזרם הדיודה נתונים ע"י‪:‬‬ ‫‪VD‬‬
‫‪1−αF‬‬ ‫של הצמתות‪10-15 ≤ IES ≤ 10-14 [ A ] -‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪Rr‬‬ ‫‪I D = I S (e‬‬ ‫‪ηVT‬‬
‫)‪− 1‬‬
‫‪w2‬‬ ‫‪ID = −‬‬ ‫• ‪.....................VD = −V‬‬
‫הזמן הממוצע הנדרש למעבר‬ ‫= ‪τF‬‬ ‫קשרי זרם זרם‬ ‫זרמי ההדקים‪:‬‬ ‫‪R + Rr‬‬ ‫‪R + Rr‬‬
‫‪ - ID , VD‬מתח וזרם הדיודה‬
‫‪2 Dn‬‬ ‫‪I C (I E ) = α F I E + I C 0 ≈ α F I E‬‬ ‫‪IS‬‬ ‫מודל דיודה אידיאלית בקטעון‬
‫= ‪IE‬‬ ‫)‪( eVBE / VT − 1) − I S ( eVBC / VT − 1‬‬ ‫‪ - Is‬זרם הזליגה האחורי‪.Is ~ 10-14÷10-15 -‬‬
‫המטען ‪ QF‬מהפולט לקולט‪.‬‬ ‫‪I C (I B ) = β F I B + I CE 0 ≈ β F I B‬‬ ‫‪αF‬‬ ‫מודל זה נח לשימוש כאשר הדיודה באיכות‬ ‫‪ - η‬מקדם הפליטה )מקדם טכנולוגי(‪. 1<η<2 ,‬‬
‫טובה מאוד ו‪/‬או כאשר הנגד ‪ R<<Rr‬אז ניתן‬ ‫‪ - k‬קבוע בולצמן‪.‬‬
‫‪dQF QF‬‬ ‫‪IS‬‬
‫= ‪iB‬‬ ‫‪+‬‬ ‫זרם הבסיס‬ ‫‪I C = I S ( e VBE / VT − 1) −‬‬ ‫)‪( eVBC / VT − 1‬‬ ‫להזניח את השפעתו‬ ‫‪ - q‬מטען האלקטרון‪.‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪τ BF‬‬ ‫‪ .3‬רוויה ‪VBC > , VBE > 0 :Saturation‬‬ ‫‪αR‬‬ ‫)∞
‪VD=-V : ID=0 : (Rr‬‬ ‫‪ - VT =kT/q=T/11600≈26mv‬מתח טרמי‬
‫‪0‬‬ ‫מודל לתחום פריצה אחורית‬
‫‪ τBF‬הוא משך החיים הממוצע של מטען ‪QF‬‬ ‫מזניחים את שתי היחידות‬ ‫‪IS‬‬ ‫‪IS‬‬ ‫מודל של דיודה‬
‫בבסיס‪) .‬רקומבינציה(‪.‬‬ ‫= ‪IB‬‬ ‫‪( eVBE / VT − 1) −‬‬ ‫)‪( eVBC / VT − 1‬‬ ‫כאשר הממתח ההפוך על פני הדיודה עולה על‬
‫קשרי זרם מתח‬ ‫‪βF‬‬ ‫‪βR‬‬ ‫מתח ‪ Vz‬מתרחשת הפריצה האחורית והזרם‬
‫‪IS‬‬ ‫במעגל גדל בצורה חריפה‪ .‬המודל המתאים‬
‫זרם הפולט‬ ‫≅ ‪IE‬‬ ‫‪eVBE / VT − I S eVBC / VT‬‬ ‫מקדמים‬ ‫קטעון‪ ,‬מצב מתמיד בטרם המיתוג‪ .‬קיבול‬ ‫‪.1‬‬ ‫למקטע של פריצה אחורית )בדיודת זנר(‬
‫‪dQ F‬‬ ‫‪ 1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪αF‬‬ ‫‪αF‬‬ ‫‪αR‬‬ ‫שכבת המחסור טעון למתח ‪.–Vr‬‬
‫= ‪iE‬‬ ‫‪+ QF ‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪‬‬ ‫= ‪βF‬‬ ‫= ‪βR‬‬ ‫דומה לאופין מודל ההולכה כאשר ‪ Vz‬מייצג את‬
‫‪dt‬‬ ‫‪ τ F τ BF‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪IS‬‬ ‫‪1−αF‬‬ ‫‪1−αR‬‬ ‫טעינת קיבול שכבת המחסור ויציאה ממצב‬ ‫‪.2‬‬ ‫מתח הפריצה ו‪ Rz -‬את התנגדות הרכיב‬
‫‪I C ≅ I S eVBE / VT −‬‬ ‫‪eVBC / VT‬‬ ‫הקטעון לקראת סף ההולכה‪.‬‬ ‫באיזור הפריצה האחורית )השיפוע המופיע‬
‫‪αR‬‬ ‫‪βF‬‬ ‫‪βR‬‬ ‫‪ V + VR ‬‬ ‫בגרף הוא ‪.(1/Rz‬כאן זרם ומתח הדיודה‬
‫התלות של ‪ αF ,βF‬בפרמטרים ‪τβF , τF‬‬ ‫= ‪αF‬‬ ‫= ‪αR‬‬ ‫‪t 1 = R L C jo ⋅ ln F‬‬ ‫‪‬‬
‫‪IC‬‬ ‫‪1− βF‬‬ ‫‪1+ βR‬‬ ‫‪ V −V ‬‬ ‫שליליים ביחס לכיוונם המוסכם‪:‬‬
‫‪τ BF‬‬ ‫‪τ BF‬‬ ‫=‪σ‬‬ ‫מקדם דחיפת יתר‬ ‫‪ F‬‬ ‫‪γ ‬‬
‫= ‪αF‬‬ ‫= ‪βF‬‬ ‫‪βF IB‬‬ ‫אופיין‬ ‫העמקת ההולכה‪ ,‬והתיצבות הזרם הקדמי‪.‬‬ ‫‪.3‬‬
‫‪τ BF + τ F‬‬ ‫‪τF‬‬ ‫‪V − VZ‬‬
‫מתחי רוויה‬ ‫בערך ‪. 3τ D‬‬ ‫‪ID = −‬‬ ‫‪........VD = −(VZ ) + I D RZ‬‬
‫‪R + RZ‬‬
‫קיבולי הטרנזיסטור‬ ‫) ‪α F I B − I C (1 − α F‬‬ ‫הולכה‪ ,‬מצב מתמיד‪.‬‬ ‫‪.4‬‬
‫המטען ‪ QF‬המפעפע מפולט לקולט מצטבר‬ ‫(‪VBCSAT = VT ln‬‬ ‫)‬ ‫אחסנה‪ ,‬לאחר הורדת דופק המבוא‪ ,‬מטען‬ ‫‪.5‬‬
‫סיכום שלבים בסיסיים בניתוח מעגלי דיודה‬
‫בנפח שכבת הבסיס‪ .‬תופעה זו ניתן לדמות ע"י‬ ‫‪I C0‬‬ ‫‪ (1‬התמרת כל מעגל ע"י משפטי תבנין ‪/‬נורטון‬ ‫‪- Rf‬התנגדות קידמית קטנה )‪.(10÷100 Ω‬‬
‫המיעוט מפונה מהצומת על ידי הזרם‬ ‫‪- Vγ‬מתח הברך‪/‬מתח סף הולכה )‪ 0.5‬עבור‬
‫קיבול שקול המכונה קיבול הדיפוזיה‪.‬‬ ‫‪ βR +1‬‬ ‫‪β ‬‬ ‫למעגל שקול פשוט‪.‬‬
‫‪+σ F ‬‬ ‫השלילי‪.‬‬ ‫סיליקון‪ 0.1 ,‬עבור גרמניום(‪.‬‬
‫‪‬‬ ‫‪ (2‬בחירת המודל )ניחוש ראשוני(‪.‬‬
‫‪‬‬ ‫‪βR‬‬ ‫‪βR ‬‬ ‫‪ I‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ V‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪- Rr‬התנגדות אחורית גדולה ) ‪.(~100kΩ‬‬
‫‪dQ F‬‬ ‫‪Q‬‬ ‫‪VCE SAT‬‬ ‫‪= VT ln‬‬ ‫‪t S = τ D ⋅ ln1 + F‬‬ ‫‪ ≈ τ D ⋅ ln1 + F‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ (3‬החלפת הדיודה במודל המתאים‪.‬‬
‫= ‪C Dif‬‬ ‫‪= F 0 eVBE / VT‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪1−σ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ (4‬פתרון המעגל בעזרת המודל‪.‬‬ ‫‪-Vz‬מתח הפריצה האחורי )מתוכנן טכנולוגית(‪.‬‬
‫‪dV BE‬‬ ‫‪VT‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ IR‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ VR‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ -Rz‬התנגדות באיזור הפריצה האחורית )‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ .6‬חזרה לקטעון עמוק‪ ,‬תוך כדי טעינת קיבול‬ ‫סתירה בפתרון פירושה כי הניחוש הראשוני‬
‫הקיבול הנוסף הינו קיבול שכבת המחסור וגם‬ ‫אינו נכון ויש לחזור לשלב ‪.2‬‬ ‫‪.(~10Ω‬‬
‫) ‪I + I C (1 − α R‬‬ ‫שכבת המחסור למתח שלילי‪.‬‬ ‫קבלי זירוז‬
‫‪C j0‬‬ ‫‪VBESAT‬‬ ‫‪≈ VT ln( B‬‬ ‫)‬ ‫‪tt ≈Cjo·3RL .7‬‬ ‫מצב ‪ Vd=0, Id>0 :ON‬מצב ‪Id=0, :OFF‬‬
‫= ‪C Dep‬‬ ‫הוא לא לינארי ‪≈ C j 0‬‬ ‫‪I E0‬‬ ‫‪Vd<0‬‬ ‫כדי לקצר את זמן האחסנה במעגל יוצרים מעגל‬
‫‪V‬‬ ‫‪ .8‬קטעון‪ ,‬מצב מתמיד לאחר השלמת כל‬ ‫פריקה חסר התנגדות כך שהמטען האגור‬
‫‪(1 − BE ) m‬‬ ‫כלל ‪ -‬אם היחס קטן מאחד אפשר להניח רוויה‬ ‫תופעות המעבר‪.‬‬
‫‪Vj‬‬ ‫מתפרק מיידית‪ .‬מוסיפים קבל במקביל לנגד‬
‫נקרב אותו להיות לינארי‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪RB VCC‬‬ ‫‪Copt=τD /R‬‬ ‫בערך של‬
‫≈‪σ‬‬ ‫⋅‬ ‫⋅‬
‫‪β F RC‬‬ ‫‪Vi‬‬
 ‫חישוב ‪ - VIL‬שתי אפשרויות נעשה ממוצע‪:‬‬ ‫מבנה השער )‪(OR‬‬ ‫משפחת ‪DTL‬‬ ‫‪.7‬ירידה‪ ,‬הטרנזיסטור חוזר לאופן הפעיל‬ ‫הגדרת זרמים‬ ‫פישוט מודל בקרת מטען‬
‫‪ -‬משפחה לוגית המבוססת על דיודות‬ ‫הקדמי‪ ,‬זרם הקולט יורד במהירות סופית‬ ‫אופן הקטעון‬
‫‪VI 1 = VCE1S + VBEγ 4 = −0.1 + 0.5 = 0.4‬‬ ‫וטרנזיסטורים‪..‬‬ ‫לקראת זרם אפסי‪.‬‬ ‫‪− V2 − VBE − sat‬‬ ‫‪V1 − VBE − sat‬‬ ‫שתי הצמתות בממתח הפוך ‪QF≈QR≈0‬‬
‫‪VI 2 = −VBE 1 + VBC1 + VBE 4 + VBEγ 3 = −0.7 + 0.7 + 0.7 + 0.5 = 1.2V‬‬ ‫מבנה השער )‪(NAND‬‬ ‫= ‪I B2‬‬ ‫= ‪I B1‬‬ ‫ובמשוואת בקרת המטען איברים אלה זניחים‪.‬‬
‫‪ N + 0.9 ‬‬ ‫‪R' B‬‬ ‫‪R' B‬‬
‫‪VIL = (VIL + VI 2 ) / 2 = 0.8V‬‬ ‫‪t f = τ fall ⋅ ln 2‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪dV BC‬‬ ‫‪dV BE‬‬
‫‪ N 2 + 0.1 ‬‬ ‫= ‪I BS 0‬‬
‫‪I C − Sat‬‬ ‫⋅ ‪I C = −C jC‬‬ ‫⋅ ‪I E = C jE‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬
‫חישוב ‪ - VIH‬מסתכלים על השורה השנייה‪.‬‬ ‫‪.8‬טעינת קיבול שכבות המחסור לקראת ערך‬ ‫‪βf‬‬
‫‪VIH = VBE 3S + VBE 4 S + VBC1 − VBEγ 1 = 2.3V − 0.5V = 1.8V‬‬ ‫אפסי‪.‬‬ ‫‪dVBE‬‬ ‫‪dVBC‬‬
‫‪N2=-IB2/IBs‬‬ ‫‪N1=IB1/IBs 0‬‬ ‫⋅ ‪I B = C jE‬‬ ‫⋅ ‪+ C jC‬‬
‫‪.9‬קטעון‪ ,‬מצב יציב עם חלוף כל תופעות‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬
‫המעבר‪.‬‬ ‫פעיל קדמי‬
‫חישוב ‪ - VOL‬רואים כי במוצא הטרנזיסטור‬
‫ניתוח השער‬ ‫זמני מיתוג של טרנזיסטור ‪ BJT‬בדרגת‬ ‫צומת ‪ BE‬נמצאת בממתח קדמי ולכן יש נושאי‬
‫ברוויה ומתח המוצא הוא ‪.Vce-sat = 0.3‬‬ ‫יש להוסיף קבל האצה‬
‫‪AB‬‬ ‫‪D1‬‬ ‫‪D2‬‬ ‫‪Q1‬‬ ‫‪Q2‬‬ ‫‪D3‬‬ ‫‪Q3‬‬ ‫‪Q4 OUT‬‬ ‫מהפך‬ ‫מטען המיעוט ‪. QF‬‬
‫חישוב ‪ Ib2 - VOH‬זניח‪.‬‬ ‫‪00‬‬ ‫‪ON ON OFF OFF OFF‬‬ ‫‪OFF SAT‬‬ ‫‪0‬‬ ‫צומת ‪ BC‬נמצאת בממתח אחורי ולכן נושאי‬
‫צורת האותות‬
‫‪01‬‬ ‫‪ON OFF OFF ON ON‬‬ ‫‪SAT OFF‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ BJT‬טבלת סיכום‬
‫‪VOH = 5 − I B 2 ∗ RC 4 − 0.7 − 0.7 ≈ 3.6V‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪OFF ON ON OFF ON‬‬ ‫‪SAT OFF‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪off‬‬ ‫‪VBC < 0 VBE < 0‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬
‫מטען המיעוט ‪. QR ≈ 0‬‬
‫ניתוח השער‬
‫חישוב חסינות לרעש‬ ‫‪11‬‬ ‫‪OFF OFF ON ON ON‬‬ ‫‪SAT OFF‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪VBC < 0 VBE > 0‬‬ ‫‪= βF IB‬‬ ‫‪I E = (1 + β F ) I B‬‬ ‫‪QF‬‬ ‫‪dVBC QF‬‬
‫‪ -‬הטרנזיסטור במוצא משמש לייצוב הרמה‬ ‫‪on‬‬ ‫‪IC‬‬
‫= ‪iC‬‬ ‫⋅ ‪− C jC‬‬ ‫≈‬
‫‪NM L = ∆ 0 = 0.8 − 0.3 = 0.5V‬‬ ‫חישוב ‪ - VIL‬לפי שורה ראשונה‪.‬‬ ‫הלוגית במוצא‪.‬‬ ‫‪sat VBC > 0 VBE > 0‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬
‫‪τF‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪τF‬‬
‫‪r.act VBC > 0 VBE < 0 I C = −(1 + β R ) I B‬‬ ‫‪IE‬‬ ‫‪= −βF I B‬‬
‫‪NM H = ∆1 = 3.6 − 18‬‬
‫‪. = 18‬‬
‫‪.V‬‬ ‫‪VIL = VBE 3γ + VD 3 + V BE1 − VD1 = 1.2V‬‬ ‫‪ -‬מטרת הממתח השלילי ביחד עם הנגד ‪RB‬‬
‫‪‬‬ ‫‪dVBC ‬‬
‫להקטין זמן אחסנה ובכך לשפר את זמן המעבר‬ ‫‪Q F = τ F iC + C jC‬‬
‫‪NM = 0.5V‬‬ ‫חישוב ‪ - VIH‬שורה שניה )אחת הכניסות ב ‪(1‬‬ ‫מרוויה לקטעון ונקרא ‪.PULL DOWN‬‬ ‫משפחות לוגיות‬
‫‪‬‬ ‫‪dt ‬‬
‫הגדרות‬
‫מניפת מוצא‬ ‫‪VIH = VBE 3 S + VD 3 + VBE1 − VD1C = 1.7V‬‬ ‫‪ -‬נגד ‪ RC‬נקרא ‪ ,PULL UP‬ומאפשר רמת מתח‬
‫‪ic‬‬ ‫‪dic‬‬ ‫‪dV BE‬‬ ‫‪dV BC‬‬
‫‪ FO H = I OH / I IH = I OH / 10 µA‬גדול‬ ‫משפחת ‪TTL‬‬ ‫קבועה במוצא )‪ (Y‬במצב קיטעון של ‪.Q‬‬ ‫‪ – VIH‬מתח המבוא המזערי הנחשב כ'‪ '1‬לוגי‪.‬‬ ‫= ‪iB‬‬ ‫‪+τF‬‬ ‫‪+ C jE‬‬ ‫‪+ C jc‬‬
‫‪ -‬משפחה לוגית המבוססת על טרנזיסטורים‬ ‫‪ABC‬‬ ‫‪D1‬‬ ‫‪D2‬‬ ‫‪Q‬‬ ‫‪Y‬‬ ‫‪ – VOH‬מתח מוצא מזערי הנחשב כ '‪ '1‬לוגי‪.‬‬
‫‪βF‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬
‫מאוד‬
‫ונגדים‪ .‬משפחה מתקדמת מקצרת זמני מעבר‪.‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪OFF OFF OFF‬‬ ‫‪1‬‬ ‫תנאי ההתחלה המתקיים על סף ההולכה הוא‪:‬‬
‫‪I OL = σβ F * I B 3 = 0.8 * 50 * 2.8 *10−3 = 112MA‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ON‬‬ ‫‪ON‬‬ ‫‪SAT‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪ – VIL‬מתח המבוא המירבי הנחשב כ '‪ '0‬לוגי‪.‬‬
‫מבנה השער )‪(NAND‬‬ ‫‪.Ic=0‬‬
‫‪ – VOL‬מתח מוצא מירבי הנחשב כ '‪ '0‬לוגי‪.‬‬
‫= ‪I IL‬‬
‫‪(5 − 0.8 − VOL ) = 0.975mA‬‬ ‫חישוב ‪ - VIL‬מסתכלים על השורה הראשונה כדי‬
‫פעיל אחורי‬
‫מחליפים ‪ R>F , ic>-iE‬רושמים ‪τR‬‬
‫‪4K‬‬ ‫לדעת את מצב הטרנזיסטורים‪ .‬מתחילים‬ ‫חסינות לרעש – עצמת הרעש שאם תתלווה‬
‫מהאדמה ומגיעים עד לכניסה ובדרך רושמים את‬ ‫לאות ספרתי עלולה לשנות את אות המוצא‬ ‫במקום ‪ τBR ,τF‬במקום ‪ τBF‬ומקבלים‪:‬‬
‫‪112‬‬
‫‪FO = FO‬‬ ‫‪L‬‬ ‫=‬ ‫‪= 112‬‬ ‫המתחים שפוגשים‪ .‬נשאף לקבל מתח מקסימלי‪.‬‬ ‫בצורה לא מבוקרת‪.‬‬ ‫‪iB = −‬‬
‫‪iE‬‬ ‫‪di‬‬ ‫‪dV‬‬
‫‪− τ R E + C je BE + C jc BC‬‬
‫‪dV‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪βR‬‬
‫‪VIL = VBEγ + 2VD − VD = 0.5 + 0.7 = 1.2V‬‬ ‫‪NMH = VOH − VIH‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬
‫רוויה‬
‫מבנה השער )‪(NOR‬‬ ‫חישוב ‪- VIH‬כמו מקודם רק על השורה השניה‪.‬‬ ‫‪NML = VIL − VOL‬‬ ‫באופן הרוויה שתי הצמתות בממתח קדמי‬
‫‪VIH = VBES + 2VD − VDγ = 2.2 − 0.5 = 1.7V‬‬
‫}‪NM = MIN {NMH , NML‬‬ ‫‪ VBE>0 , VBC>0‬ולכן ‪ QR>0 , QF>0‬משמעותיים‬
‫ניתוח השער‬ ‫ומצויים יחדיו בחומר הבסיס‪.‬‬
‫חישוב ‪ - VOL‬רואים כי במוצא הטרנזיסטור‬
‫‪ Q1 -‬הוא טרנזיסטור עם שני אמיטרים‪ ,‬ניתן‬ ‫ברוויה ומתח המוצא הוא ‪.Vce-sat = 0.3‬‬ ‫מספר מוצאים‪ (Fan-Out) -‬מגדיר את מספר‬ ‫המטען האגור הוא ‪.Q(t)=Q SO + QS‬‬
‫לראות את זה כמו שני דיודות במקום‬ ‫המוצאים שניתן לחבר לשער מבלי לקבל‬ ‫מטען סף הרוויה בבסיס הוא‪QS0 ≈ τF• ICsat :‬‬
‫חישוב ‪ - VOH‬המוצא בקטעון אין מתח שנופל על‬ ‫שגיאות‪.‬‬
‫האמיטרים‪.‬‬ ‫הזרם העודף ‪ IBS = IB - IBS0 : IBS‬גורם‬
‫‪ Q1 -‬משפר את זמן המיתוג במעבר הקריטי‬ ‫הנגד לכן מתח המוצא הוא ‪.Vcc=5v‬‬ ‫‪IOH‬‬ ‫‪IOL‬‬ ‫להעמקת הרוויה על‪-‬ידי יצירת המטען ‪ QS‬האגור‬
‫מרוויה לקיטעון‪ .‬הוצאת המטענים מ ‪ Q3 -‬ו ‪Q4‬‬ ‫חישוב חסינות לרעש‬ ‫= ‪FOH‬‬ ‫= ‪FOL‬‬ ‫הגדרת זמני המיתוג‬ ‫בבסיס‪.‬‬
‫‪IIH‬‬ ‫‪IIL‬‬
‫טבלת מצבים‬
‫אל ‪ Q1‬נעשית בזמן קצר‪ ,‬משום ש ‪Q1 -‬‬ ‫‪NMH = VOH − VIH = ( 5 − 1.7) = 3.3v‬‬ ‫‪.1‬קטעון‪ ,‬מצב יציב בטרם הגעת דופק במבוא‪.‬‬ ‫‪dQS QS‬‬
‫הנמצא ברוויה סופג את הזרם ופורק את‬ ‫‪.2‬השהייה‪ ,‬הטרנזיסטור מתחיל לצאת מקטעון‬ ‫‪+‬‬ ‫‪= I BS‬‬
‫‪AB‬‬ ‫‪Q1‬‬
‫‪00 SAT‬‬
‫‪Q2‬‬
‫‪SAT‬‬
‫‪Q3‬‬
‫‪OFF‬‬
‫‪Q4‬‬
‫‪OFF‬‬
‫‪Q5‬‬
‫‪OFF‬‬
‫‪Y‬‬
‫‪1‬‬ ‫המטענים מהר יותר‬ ‫‪NML = VIL − VOL(1.2 − 0.3) = 0.9 v‬‬ ‫לוקחים את המינימלי מבניהם‪.‬‬ ‫בעקבות טעינת קיבול שכבת המחסור ומגיע‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪τS‬‬
‫‪NM = MIN { NMH , NML} = 0.9 v‬‬
‫‪01 SAT R.ACT‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪SAT‬‬ ‫‪SAT‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪ Q2 -‬ו – ‪ Q3‬מחוברים בצורה הנקראת‪:‬‬ ‫לסף ההולכה של הצומת ‪.BE‬‬ ‫כאן ‪ - τs‬קבוע הזמן הוא משך החיים הממוצע של‬
‫)‪ ,(TOTEM POLE‬הינה הרצון להקטין את‬ ‫‪ - tpd‬זמן השהייה‪ .‬זמן העובר מרגע השתנות‬
‫‪10 R.ACT SAT‬‬ ‫‪SAT‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪SAT‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪ V + V2‬‬ ‫‪‬‬ ‫המטען האגור ‪ Qs‬והוא פונקציה של פרמטרים‬
‫‪11 R.ACT R.ACT‬‬ ‫‪SAT‬‬ ‫‪SAT‬‬ ‫‪SAT‬‬ ‫‪0‬‬ ‫ההשהיה כאשר ‪ Q3‬עובר מרוויה לקטעון‪ .‬בדרך‬ ‫חישוב מניפת המוצא‬
‫האות במבוא הרכיב עד אשר האות במוצא‬ ‫‪t d = RB '⋅(C je + C jc ) ⋅ ln 1‬‬ ‫‪‬‬ ‫אחרים‪ ,‬הביטוי עבור ‪: τs‬‬
‫חישוב ‪ - VIL‬לפי שורה ראשונה‪.‬‬ ‫כלל‪ ,‬קיים קיבול טפילי בין מוצא השער לשער‬ ‫במצב '‪ '1‬לוגי אין בעיה לחבר אינסוף דרגות‬
‫מגיע ל ‪ 50‬אחוז מערכו ב '‪.'1‬‬ ‫‪ V1 − Vγ‬‬ ‫‪‬‬
‫נוסף המחובר אליו )יש לטעון קיבול זה‬ ‫‪.3‬עליה‪ ,‬באופן הפעיל הקדמי זרם ‪ IC‬מזנק‬
‫חישוב ‪ - VIH‬לפי שורה שלישית‪.‬‬ ‫עומס כי הזרם שיוצא בכניסה הוא אפס בגלל‬ ‫‪τ F + α R • τ R τ BF ( β R + 1) + τ BR • β F‬‬
‫במהירות האפשרית(‪ ,‬נגד קטן היה גורם‬ ‫הדיודה‪.‬‬ ‫‪ F‬במהירות סופית‪ ,‬מאפס לקראת סף רוויה‪.‬‬ ‫=‬
‫ישנם מקרים בהם יש לבצע הנחות כלשהן‬
‫להספק פיזור על השער‪ .‬לכן נגד אקטיבי זה‪,‬‬ ‫במצב '‪ '0‬לוגי נחשב זרמים‪:‬‬ ‫‪τ r ≅ β F [τ F + RC C j ] = τ BF + β F RC C jc‬‬ ‫‪1 −α R •α F‬‬ ‫‪1+ βR + βF‬‬
‫מצד אחד טוען מהר את הקיבול הטפילי‪ ,‬ומצד‬ ‫‪V − V D −On − VOL 5 − 0.7 − 0.3‬‬
‫כאשר לא ניתן לדעת את המתחים באופן ברור‪,‬‬ ‫שני הוא גם מהווה נגד גדול במצב של "‪ "0‬לוגי‬ ‫‪I IL = cc‬‬ ‫=‬ ‫‪= 2mA‬‬ ‫קיימים שני מקרים לתנאי התחלה )‪:Qs(0‬‬
‫ואז להניח את אחד המרווחים וכך לחשב את‬ ‫במוצא‪ .‬במילים אחרות הנגד האקטיבי פותר‬ ‫‪R‬‬ ‫‪2k‬‬
‫‪ 1 − 0.1σ ‬‬
‫רבים‬ ‫במקרים‬ ‫הזרמים‪.‬‬ ‫ואת‬ ‫השני‬ ‫שתי בעיות‬ ‫‪I OL = βσI B −‬‬
‫‪Vcc − VOL‬‬
‫‪= 50 ⋅ 0.8 ⋅1.3 −‬‬
‫‪5 − 0.3‬‬
‫‪= 49.65mA‬‬ ‫‪t r = τ r ⋅ ln‬‬ ‫‪‬‬ ‫בכניסה לרוויה‪ ,‬תנאי ההתחלה הוא ‪Qs(0)=0 :‬‬
‫‪ , FOH >> FOL‬כיוון במוצא '‪ '1‬מדובר‬ ‫א‪ .‬הספק פיזור קטן של השער בזמן ש ‪Q3‬‬
‫‪RC‬‬ ‫‪2k‬‬ ‫‪ 1 − 0.9σ ‬‬ ‫משום שמטען אגור טרם הצטבר‪.‬‬
‫‪IOL 49.65‬‬ ‫‪.4‬כניסה לרוויה והצטברות המטען האגור‪.‬‬ ‫ביציאה מרוויה כאשר ‪ ,‬הטרנזיסטור היה מספיק‬
‫בזרמי זליגה או הולכה אחורית של טרנז או‬ ‫ברוויה ‪ - Q2) .‬בקטעון(‪.‬‬
‫דיודה'‪.‬‬
‫= ‪FOL‬‬ ‫=‬ ‫‪= 24‬‬ ‫‪.5‬רוויה עמוקה‪ ,‬מצב יציב‪.‬‬ ‫זמן ברוויה עם זרם בסיס ‪ IB1‬אשר גרם למטען‬
‫ב‪ .‬הקטנת זמן הטעינה של העומס הקיבולי‪.‬‬ ‫‪IIL‬‬ ‫‪2‬‬
‫כאשר משתמשים בדיודת זנר בד"כ מדובר‬ ‫במעבר מ"‪ "0‬ל"‪ "1‬לוגי במוצא‪.‬‬ ‫‪.6‬אחסנה‪ ,‬פינוי המטען האגור נעשה על ידי זרם‬ ‫) ‪QS (0) = τ S ( I B1 − I B 0‬‬
‫בלוגיקת סף גבוה‪ ,‬כלומר ] ‪. Vcc = 15[V‬‬ ‫טבלת מצבים‬ ‫בסיס שלילי המופיע עם ירידת דופק במבוא‪.‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ − t ‬‬ ‫‪  − t ‬‬
‫‪AB‬‬ ‫‪Q1‬‬ ‫‪Q2‬‬ ‫‪Q4‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪Q3‬‬ ‫‪Y‬‬ ‫אין שינוי בזרם ‪.IC‬‬ ‫‪QS (t ) = QS (∞) ⋅ 1 − exp  + QS (0) ⋅ exp ‬‬
‫‪‬‬ ‫‪ τ S ‬‬ ‫‪  τ S ‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪SAT ON OFF ON OFF‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ I − I B2 ‬‬ ‫‪ N + N2 ‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪R.ACT OFF SAT OFF SAT‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪t S = τ S ⋅ ln B1‬‬ ‫‪ = τ s ⋅ ln  1‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ I BS 0 − I B 2 ‬‬ ‫‪ 1+ N2 ‬‬
 ‫מעבר מהפך ‪ cmos‬ממצב ‪ 0‬במוצא ל ‪.1‬‬ ‫משפחת ‪CMOS‬‬ ‫סוג מחסור‬ ‫טרנזיסטורי ‪FET‬‬
‫שער ‪NOR‬‬ ‫‪ – t1‬זמן בו ‪ Tp‬ברוויה‪ ,‬לכן ישנו זרם קבוע‪:‬‬ ‫יתרונות‬ ‫הרעיון הבסיסי של טרנזיסטור מסוג ‪ FET‬הוא‬
‫‪VT C‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪-‬חסינות לרעש יותר טובה‪ ,‬אין צריכת הספק‬ ‫יצירת תעלה של חצי מוליך מסוג ‪ , n‬כאשר‬
‫= ‪t1‬‬ ‫סטאטי‪ ,‬זמני עלייה וירידה סימטריים‪ ,‬אפשרות‬ ‫השליטה על צפיפות נושאי מטען נעשית בעזרת‬
‫‪K (VDD − VT )2‬‬ ‫זיווד בצפיפות גדולה‪.‬‬ ‫שדה חשמלי‪ .‬בגלל שנוצרת צומת בין החומרים‬
‫‪ – t2‬זמן המעבר בהולכה עד כדי‬ ‫חסרונות‬ ‫מסוג ‪ p‬והחומר מסוג ‪ ,n‬יש שכבת מיחסור‬
‫שטח גדול דרושים ‪ 2N‬טרנזיסטורים במעגל של‬ ‫ביניהם‪ .‬ככל שהממתח ההפוך גדול יותר שיכבת‬
‫‪: D‬‬
‫‪V = 0.9V‬‬
‫‪DD‬‬ ‫‪ N‬משתנים‪.‬‬
‫סימון ‪PMOS‬‬ ‫סימון ‪NMOS‬‬
‫המיחסור גדולה יותר‪ .‬ככל ששכבת המיחסור‬
‫בדר"כ הקו הניצב לשער יותר עבה‪.‬‬
‫‪C‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1 − 9VDD − 2VT ‬‬ ‫מהפך ‪CMOS‬‬ ‫‪ -‬המתח ‪ VGS‬יכול להיות גם חיובי‪.‬‬ ‫קטנה יותר המוליכות גדולה יותר‪ .‬זה נכון עד‬
‫‪t2 = t1 +‬‬ ‫‪ln ‬‬ ‫‪‬‬ ‫עבור ‪ VGS <0‬תווצר שכבת מחסור מתחת‬ ‫לנקודה שבה שתי שכבות המיחסור נוגעות אחת‬
‫‪K 2(VDD − VT ) ‬‬ ‫‪0.1VDD‬‬ ‫‪‬‬ ‫בשנייה‪ .‬נקודה זו מתרחשת בנקודה הנקראת‬
‫לשכבת בתחמוצת וההתנגדות תשתנה )כמו‬
‫‪VO = 0.5VDD‬‬ ‫ב‪(FET‬‬ ‫" ‪.VP= VDG (VP) "pinch of f‬‬
‫ומקבל‪:‬‬ ‫זמן ההשהייה מוגדר עד‬ ‫‪ –VGS‬משפיע על רוחב שכבת המחסור‪ .‬תמיד‬
‫עבור ‪ VGS >0‬מס האלקטרונים בתעלה יעלה‬
‫‪C‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪4V ‬‬ ‫וכך תעלה מוליכות התעלה‪.‬‬ ‫שלילי‪.‬‬
‫‪t pd‬‬ ‫‪= t1 +‬‬ ‫‪ln  3 − T ‬‬ ‫‪ -‬המשוואות המתארות טרנזיסטורים מסוג‬ ‫‪ –VDS‬משפיע על השיפוע של שכבת המחסור‪.‬‬
‫‪K 2(VDD − VT ) ‬‬ ‫‪VDD ‬‬ ‫סימון‬
‫מחסור זהים לאלה של ‪.FET‬‬
‫‪AB‬‬ ‫‪TNB‬‬ ‫‪TNA‬‬ ‫‪TPA‬‬ ‫‪TPB‬‬ ‫‪Z‬‬ ‫‪ -‬ההבדל בין ‪ PMOS‬לבין ‪ NMOS‬הוא בסימני‬
‫‪00‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪1‬‬ ‫המתחים והזרמים )פשוט הופכים את סדר‬
‫שער ‪NAND‬‬ ‫האותיות במתחים ומוסיפים סימן מינוס‬
‫‪01‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪0‬‬ ‫לזרמים(‪.‬‬
‫‪10‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪0‬‬
‫סוג העשרה‬ ‫סימון ‪PMOS‬‬ ‫סימון ‪NMOS‬‬
‫‪11‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪0‬‬
‫אופיין זרם מתח‬
‫טריקים ושיטיקים‬ ‫‪ -‬הטרנזיסטורים במהפך ‪ CMOS‬הינם מטיפוס‬
‫בניתוח ‪ CMOS‬כדי לקבוע את פונקצית השער‬ ‫העשרה‪ .‬הם מתחילים להוליך רק כאשר‬
‫מסתכלים על ‪ .NMOS‬אם הם מחוברים‬ ‫‪ ,VT‬הוא חיובי עבור ‪ NMOS‬ושלילי עבור‬
‫במקביל זה ‪ OR‬אם בטור זה ‪ .AND‬שערי‬ ‫סימון ‪PMOS‬‬ ‫סימון ‪NMOS‬‬
‫‪ .PMOS‬מתפקדים כשני מתגים אשר עובדים‬
‫‪ PMOS‬חייבים להיות משלימים ל‪NMOS‬‬ ‫‪ -‬בניגוד למיחסור כאן אין תעלה‪.‬‬
‫לסירוגין ומצב ששניהם פתוחים או סגורים בו‬
‫כלומר את ‪ NMOS‬מחובר בטור ‪ PMOS‬יהיה‬ ‫‪ -‬כאשר ‪ VGS =0‬המסלול מהשפך למקור כולל‬ ‫עבור ‪ VDS‬קטן ההתקן פועל כנגד לינארי אשר‬
‫זמנית אינו חוקי‪.‬‬
‫מחובר במקביל ולהיפך‪ .‬אם המוצא מחובר‬ ‫שתי דיודות המחוברות גב אל גב‪ .‬זה מונע‬ ‫התנגדותו מבוקרת ע"י המתח ‪.VGS‬‬
‫אופיין סטאטי‬
‫מתחת לשערי ‪ PMOS‬זוהי דרגת מהפך‪.‬‬ ‫זרימת זרם מהמקור לשפך‪.‬‬ ‫תחום הולכה תנאי הוא ‪VDS < VGS -Vp‬‬
‫‪ -‬יצירת תעלה מתאפשרת ע"י מתח ‪VGS > VT‬‬ ‫‪VGS VDS‬‬ ‫‪V‬‬
‫‪AB‬‬ ‫‪TNB‬‬ ‫‪TNA‬‬ ‫‪TPB‬‬ ‫‪TPA‬‬ ‫‪Z‬‬ ‫אחרת לא יזרום זרם משמעותי )קטעון(‪.‬‬ ‫‪I D = I DSS [2(1 −‬‬ ‫⋅)‬ ‫] ‪− ( DS ) 2‬‬
‫תחום הולכה ‪ -‬תנאי ‪VDS < VGS − VT‬‬ ‫‪VP − VP‬‬ ‫‪VP‬‬
‫‪00‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫עבור ‪ VDS‬קטן מאוד ניתן לעשות קירוב‪.‬‬
‫] ‪I D = k [2(VGS − VT ) ⋅ V DS − V DS‬‬
‫‪01‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2 I DSS‬‬ ‫‪V‬‬
‫‪ – K‬מוליכות‬ ‫= ‪ID‬‬ ‫‪(1 − GS ) ⋅ VDS‬‬
‫‪10‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪W‬‬ ‫‪− VP‬‬ ‫‪VP‬‬
‫=‪k‬‬ ‫) ( ‪µ n C ox‬‬ ‫הגדלת ‪ VDS‬גורמת להתעקמות הגרף עד‬
‫‪11‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪LIN‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪OFF‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪L‬‬
‫‪VDS > VGS − VT‬‬ ‫תחום רוייה ‪ -‬תנאי‬ ‫שמגיעים לנקודת הצביטה ומשם נגיע ל‬
‫תחום הרוויה תנאי הוא ‪.VDS > VGS -Vp‬‬
‫‪I D = k (VGS − VT ) 2‬‬ ‫שבו הזרם קבוע לכל ‪.VGS‬‬
‫טבלה מסכמת ל ‪:nmos/pmos‬‬ ‫לטרנזיסטורי ‪ PMOS‬האופיינים דומים מלבד‬ ‫‪VGS 2‬‬ ‫‪V‬‬
‫היפוך בקוטביות הזרמים והמתחים‪ .‬המתח ‪VT‬‬ ‫‪I D = I DSS (1 −‬‬ ‫‪) I D = I DSS ( DS ) 2‬‬
‫הוא שלילי‪.‬‬ ‫‪VP‬‬ ‫‪VP‬‬
‫מהפך ‪ NMOS‬עם עומס ‪ NMOS‬מסוג העשרה‬ ‫טרנזיסטור ‪MOS‬‬
‫‪ -‬טרנזיסטורים דומים ל ‪ .FET‬ישנם שני סוגים‬
‫‪-‬העומס המשמש כנגד‬ ‫‪ NMOS‬ו ‪ PMOS‬כל אחד מהם יכול להיות‬
‫חסינות לרעש‬
‫אקטיבי יהיה תמיד ברוויה‪.‬‬ ‫מסוג מחסור או העשרה‪.‬‬
‫‪ - VIH‬מתח הטרנזיסטור התחתון שבו יתחיל‬ ‫)התנגדות אינסופית(‪.‬‬ ‫מבנה‬
‫להוליך ‪VIL = VT‬‬ ‫)‪Vin<Vt1, T1(off),T2(off‬‬

‫‪ - VIH‬מתח שבו הטרנזיסטור העליון יתחיל‬ ‫)‪Vin>Vt1,T1(sat),T2(sat‬‬

‫הערה‪ :‬יש לשים לב שבטבלה זו במקום ‪ k/2‬צריך להיות ‪.k‬‬ ‫להוליך ‪VIH = VDD − VT‬‬ ‫‪Vo>Vin-Vt1‬‬
‫תאימות בי
‪ TTL‬ל ‪: CMOS‬‬
‫כאשר מחברי ‪ TTL‬ואז ‪ CMOS‬יש להוסי נגד במקביל ]להוסי שרטוט[‪ ,‬בחיבור הפו אי
בעיה‪.‬‬ ‫‪VOL = 0‬‬ ‫‪VOH = V DD‬‬ ‫)‪Vin>Vt1,T1(on),T2(sat‬‬
‫‪Vo<Vin-Vt1‬‬
‫‪NM = VT‬‬