MODUŁ 4

OSPT PWSZ
Kat.
w Chełmie BAZA PYTAŃ EGZAMINACYJNYCH B3
WIADOMOŚCI
PODSTAWOWE
PL147.0008 Z ZAKRESU
ELEKTRONIKI

ILOŚĆ
MODUŁ WYBRANYCH Treść pytań A B C
PYTAŃ

4.1 Półprzewodniki
4.1.1 Diody
4.1.1.1 Symbole diod
4.1.1.1.1 Symbol diody na rysunku oznacza: 1 0 0
A. warikap
B. diodę tunelową
C. diodę stabilizacyjną
4.1.1.1.2 Symbol graficzny diody przedstawiony na rysunku dotyczy:
A. diody waraktorowej 0 1 0
B. fotodiody
C. diody elektroluminescencyjnej
4.1.1.1.3 Symbol graficzny przedstawiony na rysunku dotyczy: 1 0 0
A. warystora
B. diody elektroluminescencyjną
C. fotodiody

1
4.1.1.1.4 Schemat jak na rysunku przedstawia: 0 1 0
A. prostownik jednopołówkowy niesterowany
B. prostownik jednopołówkowy sterowany
C. prostownik dwupołówkowy

4.1.1.2 Właściwości diod

4.1.1.2.1 Charakterystyka diody przedstawiona na rys. dotyczy: 0 1 0
A. diody krzemowej
B. diody tunelowej
C. diody germanowej ID=ID(UAK)

4.1.1.2.2 Do charakterystycznych wartości diody Zenera BZP620-C6V8 należy: 0 1 0

A. napięcie maksymalne 6,8 V
B. napięcie minimalne 6,4V
C. prąd wsteczny powyżej zakresu Zenera 1µA
4.1.1.2.3 Wykres na rysunku przedstawia przebieg prostowania napięcia diody: 0 0 1
A. jednopołówkowo, sinusoidalnie
B. ćwiartkowo
C. dwupołówkowo
4.1.1.2.4 Wykres na rysunku przedstawia:
A. charakterystykę prądowo – napięciowa diody
prostowniczej
B. charakterystykę prądowo-napięciową diody tunelowej 1 0 0
C. charakterystykę stabilizatora z zastosowaniem diody
Zenera

2
4.1.1.2.5 Charakterystyka diody przedstawiona na rys. dotyczy:
A. diody tunelowej
B. diody LED
C. diody Zenera 0 0 1

4.1.1.3 Diody połączone szeregowo i równolegle

4.1.1.3.1 Próg przewodzenia diody LED wynosi: 0 1 0
A. od 2,5V - 3,5V
B. od 1,5V do 2,5V
C. od 0,2 - 0,5 V
4.1.1.3.2 Każda z diod ma swój rezystor, dopasowany jej prądu pracy, może to być jeden rezystor dla
wszystkich, pod warunkiem, że mają one te same parametry. Taki układ stosujemy przy
A. połączeniu równoległym 1 0 0
B. połączeniu szeregowym
C. połączeniu mieszanym
4.1.1.3.3 Efektem pracy mostka Graetza zbudowanego z 4 diod prostowniczych jest:
A. Uwe – stałe, Uwy – zmienne
B. Uwe – zmienne, Uwy – zmienne
C. Uwe – zmienne, Uwy – stałe

0 0 1

UWY
UWE

4.1.1.4 Główne właściwości i zastosowanie prostowników sterowanych silikonem (tyrystorów), diod świecących, diod
fotoprzewodzących, warystora, diod prostowniczych

3
4.1.1.4.1 Sprawność energetyczna diod luminescencyjnych wynosi: 0 1 0
A. 3%
B. 1%
C. 20%
4.1.1.4.2 Które diody są stosowane w układach wysokiej częstotliwości:
A. diody Schottky'ego
1 0 0
B. fotodiody
C. diody Zenera
4.1.1.4.3 Połączenie diod D1 oraz D2 jest połączeniem:
A. równoległym
B. szeregowym
C. mieszanym
D1
R1 1 0 0

R2
D2

4.1.1.5 Testowanie czynnościowe diod

4.1.1.5.1 Wartość pojemności diody waraktorowej zależy od: 1 0 0
A. wartości przyłożonego w kierunku zaporowym napięcia
B. źródła napięcia referencyjnego.
C. momentu, w którym krzywa charakterystyki ulega przegięciu
4.1.1.5.2 Spadek napięcia w kierunku przewodzenia w diodach krzemowych wynosi: 0 0 1
A. w przedziale 0,2 - 0,5 V
B. 1V lub więcej
C. ok. 0,7 V
4.1.1.5.3 Rezystancja złącza diody na wskaźniku omomierza jest:
A. mała
B. duża 0 1 0
C. brak wychylenia wskazówki omomierza

4
4.1.1.5.4 Rezystancja złącza diody na wskaźniku omomierza jest:
A. mała
B. duża 1 0 0
C. brak wychylenia wskazówki omomierza

4.1.1.5.5 Schemat przedstawia układ badania:

A. prostownika jednopołówkowego
B. powielacza napięcia
C. tranzystora bipolarnego
C1 10uF D2 0 1 0
9V A
D1
Uwe C2 RL
V1 10uF 100 kΩ
Robc V2 O
oscyloskop

0V

4.1.2 Materiały, konfiguracja elektronów, właściwości elektryczne

4.1.2.1 Materiały typu P i N: skutki nieczystości dla przewodzenia
4.1.2.1.1 Straty przemiany diody to: 1 0 0
A. stosunek całkowitej mocy w. cz. do całkowitej mocy wejściowej pośredniej częstotliwości
B. stosunek mocy dysponowanej do mocy dysponowanej równoważnego rezystora
C. stosunek prądu wyprostowanego do całkowitej mocy w. cz. doprowadzonej do diody
4.1.2.2 Złącze PN w półprzewodniku, rozwój potencjału w złączu PN w warunkach niespolaryzowania, spolaryzowania dodatniego i
polaryzowania zaporowego
4.1.2.2.1 Które dane decydują o właściwości diody jako tunelowej: 0 1 0
A. należą do grupy półprzewodnikowych diod warstwowych o grubym złączu
B. nośniki prądu tworzą prąd tunelowy i przechodzą przez barierę potencjału bez strat
energii
C. tunelowe przejście nośników prądu możliwe jest tylko wówczas gdy istnieje po
przeciwnej stronie inny stan energetyczny

5
4.1.2.2.2 W czasie pracy tranzystora napięcie na bazie można wyrazić wzorem:
A. UB=UE·UBE
B. UB=UE+UBE 0 1 0
C. UB=UE-UBE

4.1.2.3 Parametry diod: szczytowe napięcie wsteczne, maksymalny prąd przewodzenia, temperatura, częstotliwość, prąd upływowy,
rozpraszanie mocy
4.1.2.3.1 Współczynnik szumów własnych diody jest to: 0 0 1
A. stosunek szumów w.cz. do całkowitych szumów pośredniej częstotliwości
B. strata przemiany diody
C. stosunek mocy dysponowanej szumów diody do mocy dysponowanej szumów cieplnych
równoważnego rezystora w temp. 290K
4.1.2.3.2 Układ w tranzystorze unipolarnym o wspólnej bramce oznaczamy:
A. OG
1 0 0
B. OD
C. OS
4.1.2.3.3 Aby tranzystor znajdował się w stanie normalnej pracy musi być spełniony następujące warunek:
A. potencjał kolektora musi być niższy od potencjału emitera
0 1 0
B. złącze baza-emiter musi być spolaryzowane w kierunku przewodzenia
C. złącze kolektor-baza musi być spolaryzowane kierunku przewodzenia
4.1.2.4 Działanie i funkcje diod w następujących obwodach: układy obcinające, układy poziomujące, prostownik pełnookresowy i
półokresowy, mostek prostownikowy, podwajacz i potrajacz napięcia
4.1.2.4.1 Czułość prądowa diody jest to: 0 1 0
A. stosunek prądu szumów diody do mocy dysponowanej szumów cieplnych
równoważnego rezystora w temp. 290K
B. stosunek prądu wyprostowanego pomierzonego w warunkach zwarciowych do całkowitej
mocy w. cz. doprowadzonej do diody
C. stosunek prądu w. cz. do całkowitej mocy wejściowej pośredniej częstotliwości

6
4.1.2.4.2 Parametry statyczne diody określają zależność między prądami i napięciami stałymi 0 0 1
doprowadzonymi do elementu półprzewodnikowego. Umożliwiają one:
A. charakterystykę elementu półprzewodnikowego w strefie aktywnej
B. opisanie elementu przy pracy dwustanowej
C. ustalenie punktu pracy danego elementu
4.1.2.5 Szczegółowe działanie i właściwości następujących urządzeń: prostowniki sterowane silikonem (tyrystory), dioda świecąca,
dioda Shottky’ego, dioda fotoprzewodząca, dioda pojemnościowa, warystor, dioda prostownicza, dioda Zenera
4.1.2.5.1 Jakie parametry powinny być podane w katalogu odnośnie do półprzewodnikowych diod 1 0 0
ostrzowych stosowanych w układach detekcji i mieszania sygnałów elektrycznych w. cz.:
A. dynamiczne parametry w określonych warunkach pracy
B. dynamiczne parametry przy temp. (25oC)
C. niedopuszczalne wartości napięć i prądów
4.1.2.5.2 Warystor jest to:
A. rezystor o linowej charakterystyce I=f(U)
0 1 0
B. rezystor o nieliniowej charakterystyce I=f(U)
C. obydwie odpowiedzi są prawidłowe
4.1.2.5.3 Warystor to element zabezpieczający obwody elektroniczne przed:
A. zmianą temperatury
0 1 0
B. zbyt dużym napięciem na wejściu
C. zbyt dużym ciśnieniem
4.1.2 Tranzystory
4.1.2.1 Symbole tranzystora
4.1.2.1.1 W tranzystorze MOSFET rezystancja wejściowa może mieć wartość: 0 0 1
A. mniej niż 100 MΩ
B. w granicach od 40do 50 MΩ
C. co najmniej 100 MΩ
4.1.2.1.2 Wyróżniamy następujące typy tranzystorów bipolarnych:
A. p-n-p
0 0 1
B. n-p-n
C. obie odpowiedzi są prawidłowe

7
4.1.2.1.3 W tranzystorze NPN:
A. kolektor jest typu N
1 0 0
B. emiter jest typu p
C. baza jest typu N
4.1.2.2 Opis części składowych i ich kierunkowość
4.1.2.2.1 Tranzystor impulsowy powinien mieć: 1 0 0
A. mały spadek napięcia w stanie załączenia
B. duży prąd i wysokie napięcia przebicia złącz
C. duży spadek napięcia w stanie załączenia
4.1.2.2.2 Dla tranzystora PNP potencjał kolektora musi być: 1 0 0
A. niższy od potencjału emitera
B. wyższy od potencjału emitera
C. równy potencjałowi emitera
4.1.2.3 Właściwości tranzystora
4.1.2.3.1 Różnica między tranzystorem bipolarnym i unipolarnym polega na: 0 1 0
A. zastosowaniu w tranzystorze unipolarnym dwu rodzajów nośników mniejszościowych i
większościowych
B. zastosowaniu w tranzystorze bipolarnym złącza N-P-N
C. wykorzystaniu w tranzystorze bipolarnym nośnika jednego typu
4.1.2.3.2 Od wzmacniaczy pomiarowych wymaga się:
A. słabej dynamiki w odtwarzaniu wartości wielkości mierzonej
0 1 0
B. dużej impedancji wejściowej małej wyjściowej
C. dużego wpływu na źródła wielkości mierzonej
4.1.2.4 Budowa i działanie tranzystorów PNP i NPN
4.1.2.4.1 Tranzystory unipolarne z izolowaną bramką mają strukturę: 1 0 0
A. MOS
B. JFET z kanałem typu P
C. bipolarnego tranzystora jednozłączowego
4.1.2.4.2 Złączowe tranzystory unipolarne mają strukturę :
A. JFET z kanałem typu N lub P
1 0 0
B. MOS z kanałem typu P
C. MOSFET z kanałem typu P i N

8
 4.1.2.5 Konfiguracje podstawy, kolektora i emitera
4.1.2.5.1 Tranzystory JFET (junction-FET), czyli takie, w których: 1 0 0
A. wykorzystano efekt polowy typu złączowego
B. dwie diody połączone szeregowo
C. zastosowano dużą liczba emiterów, dla uzyskania dużej mocy
4.1.2.5.2 Tranzystory unipolarne z izolowaną bramką mają strukturę :
A. MOS
1 0 0
B. JFET z kanałem typu P
C. bipolarnego tranzystora jednozłączowego
4.1.2.6 Testowanie tranzystorów
4.1.2.6.1 Ujemne sprzężenie zwrotne powoduje: 1 0 0
A. zmniejszenie współczynnika wzmocnienia oraz znaczne zmniejszenie wrażliwości wzmacniacza na
zewnętrzne wpływy zakłócające
B. że wzmocnienie zewnętrzne zależy od parametrów wzmacniacza
C. zwiększenie wzmocnienia napięciowego wzmacniacza
4.1.2.6.2 Wzmocnienie napięciowe układu wynosi:
A.
B. 0 1 0

C.

4.1.2.6.3 Rysunek przedstawia wzmacniacz:

A. logarytmiczny
B. różnicowy 0 1 0
C. tranzystorowy

4.1.2.6.4 Testowanie czynnościowe tranzystorów w celu rozpoznawania elementów uszkodzonych można

wykonać za pomocą:
A. pomiaru przy użyciu omomierza 0 0 1
B. pomiaru multimetrem przy użyciu funkcji testu ciągłości
C. obie odpowiedzi są prawidłowe
4.1.2.7 Podstawowa ocena innych typów tranzystora i ich zastosowań

9
4.1.2.7.1 Złączowe tranzystory unipolarne mają strukturę: 1 0 0
A. JFET z kanałem typu N lub P
B. MOS z kanałem typu P
C. MOSFET z kanałem typu P i N
4.1.2.7.2 Od czego zależy rodzaj kanału w tranzystorze polowym
A. od rodzaju nośników prądu
1 0 0
B. od rozszerzenia lub zwężenia warstwy zaporowej
C. od polaryzacji drenu i bramki
4.1.2.7.3 Napięcie dren-źródło oznaczamy symbolem:
A. Udg
0 0 1
B. Udb
C. Uds
4.1.2.7.4 Obliczyć UWY wzmacniacza odejmującego, jeżeli
Uwe= 1V, R1=10kΩ, R2=100kΩ
100kΩ
A. 5V
10kΩ
B. 10V 0 1 0
C. 15V
1V

4.1.2.8 Zastosowanie tranzystorów: klasy wzmacniaczy (A, B, C)

4.1.2.8.1 Dodatnie spolaryzowanie bramki w tranzystorze typu MOS spowoduje: 1 0 0
A. że w obszarze podłoża pod izolatorem pojawią się elektrony wyciągnięte z obszarów źródła
B. że w obwodzie źródło–dren praktycznie nie płynie prąd
C. że kanał można traktować jako rezystancję liniową
4.1.2.8.2 Które z wymienionych ustawień opisuje tranzystor bipolarny dwuzłączowy w stanie
aktywnym?
A. złącze B-E i B-C spolaryzowane są w kierunku przewodzenia 0 1 0
B. złącze B-E spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia, a B-C zaporowo
C. obydwa złącza spolaryzowane są zaporowo

10
4.1.2.8.3 Bramka typu 7400 w standardzie TTL, ma obciążalność wyjściową, oznacza to że:
A. może być ona obciążona 10 wejściami innych bramek TTL.
B. odpowiada to prądowi wyjściowemu o wartości 20 mA dla stanu "jedynki" lub 0,4 mA dla 1 0 0
stanu "zera" na wyjściu
C. może być ona obciążona wejściami innych bramek MOS
4.1.2.9 Podstawowe obwody obejmujące: polaryzację, odsprzęganie, sprzężenie zwrotne i stabilizację
4.1.2.9.1 Najczęściej spotykanymi charakterystykami tranzystora N-P-N i P-N-P są: 0 0 1
A. charakterystyka drenowa
B. charakterystyka prądowo napięciowa
C. charakterystyka wejściowa i wyjściowa
4.1.2.9.2 Tranzystor impulsowy powinien mieć :
A. mały spadek napięcia w stanie załączenia
1 0 0
B. duży prąd i wysokie napięcia przebicia złącz
C. duży spadek napięcia w stanie załączenia
4.1.2.10 Zasady obwodu wielostopniowego: kaskady, w układzie przeciwsobnym, oscylator, multiwibrator, przerzutnik
4.1.2.10. Charakterystyki drenowe tranzystorów MOS z kanałem typu N pracujących w warunkach zubożenia zależą 0 0 1
1 od:
A. polaryzacji podłoża (elektroda G) i zmiany konduktancji
B. dodatniego napięcia bramki zwiększającego koncentracje ładunków w kanale
C. ujemnego napięcia bramki zmniejszającego koncentracje ładunków w kanale
4.1.2.10. Układ w tranzystorze unipolarnym o wspólnym źródle oznaczamy:
2 A. OG
0 0 1
B. OD
C. OS
4.1.2.10. Bipolarne tranzystory jednozłączowe przeznaczone są do pracy:
3 A. ciągłej
0 1 0
B. impulsowej
C. statycznej
4.1.3 Obwody zintegrowane
4.1.3.1 Opis i działanie obwodów logicznych i liniowych

11
4.1.3.1.1 Szybkość zmian napięcia wyjściowego decyduje o szybkości wzmacniacza operacyjnego i zależy od: 1 0 0
A. maksymalnej pochodnej napięcia wyjściowego
B. oporności wejściowej, dzięki czysto pojemnościowemu charakterowi wejść
C. współczynnika tłumienia sygnału współbieżnego

4.1.3.1.2 Dryft temperaturowy napięcia we wzmacniaczu operacyjny wynosi: 1 0 0

A. 0,05uV / stopni C
B. 1uV/ stopni C
C. 0,75uV / stopni C
4.1.3.2 Wstęp do działania i funkcji wzmacniacza operacyjnego używanego jako: integrator, obwód różniczkujący, wtórnik napięciowy, komparator

4.1.3.2.1 Jakimi parametrami charakteryzuje się wzmacniacze pomiarowe w układach scalonych: 0 1 0

A. wzmacniają wielkie sygnały różnicowe
B. bardzo dużym współczynnikiem tłumienia sygnału
C. posiadają zewnętrzną pętle sprzężenia zwrotnego
4.1.3.2.2 Wejściowe napięcie niezrównoważenia we wzmacniaczu operacyjnym (napięcie offsetu) to takie: 1 0 0
A. jakie trzeba przyłożyć miedzy wejściami, aby zniwelować niesymetrię wejściowego stopnia wzmacniacza
B. które zależy od zastosowanych napięć zasilających
C. które pokazuje ile woltów może wzrosnąć sygnał w czasie 1ms

4.1.3.3 Działanie i metody łączenia stopni wzmacniacza: rezystancyjna pojemnościowa, indukcyjna (transformator), indukcyjna rezystancyjna (IR), bezpośrednia;

4.1.3.3.1 W jakim roztworze wywołuje się warstwę kopiową: 0 1 0

A. wodnym roztworze nadsiarczanu sodu
B. wodnym roztworze wodorotlenku sodu o stężeniu 1,5%.
C. wodnym roztworze chlorku żelaza
4.1.3.3.2 W jakim celu po procesie miedziowania chemicznego i elektrochemicznego stosuje się osadzanie powłok Sn 1 0 0
– Pb:
A. w celu selektywnego zabezpieczenia ścieżek drukowanych, pól lutowniczych i otworów przed trawieniem
B. w celu uzyskania lepszej lutowności
C. w celu uzyskania szybkiego nagrzewania radiacyjnego
4.1.3.4 Zalety i wady dodatniego i ujemnego sprzężenia zwrotnego.

12
4.1.3.4.1 Które z poniższych to zalety montażu powierzchniowego względem przewlekanego: 1 0 0
A. zmniejszenie szerokości ścieżek i pól lutowniczych, a tym samym zmniejszenie ilości lutowania obniżenie
kosztów produkcji
B. zmniejszenie gęstości upakowania elementów dzięki mniejszym wymiarom elementów i węższym
ścieżkom
C. wyroby finalne mają większą masę przy mniejszej objętości
4.1.3.4.2 Jedną z operacji procesu technologicznego płytek jednowarstwowych i dwuwarstwowych jest nakładanie 0 0 1
maski przeciwlutowej. W jakim celu przeprowadza się te operacje:
A. ponieważ rolę rezystru zabezpieczającego przed trawieniem spełnia pokrywająca ją warstwa Sn – Pb
B. obecność zanieczyszczeń może doprowadzić do powstania defektów w mozaice przewodzącej
C. dla zabezpieczenia ścieżek przed utlenianiem, uszkodzeniami mechanicznymi i korozją elektrochemiczną

4.2 Płytki drukowane

4.2.1 Opis i zastosowanie płytek drukowanych
4.2.1.1 Najmniejsza szerokość ścieżek, które można wykonywać metodami fotograficznymi (w warunkach- 0 0 1
amatorskich) wynosi:
A. 1,5 mm
B. 1,2 mm
C. 0,3 mm

4.2.1.2 Maska lutownicza obwodu drukowanego to: 0 1 0

A. rodzaj ścieżek lutu miękkiego
B. powłoka ochronna zabezpieczająca miedziane ścieżki poza punktami połączeń na elementach
C. rodzaj kleju do połączenia elementów z płytką
4.2.1.3 Idealny wzmacniacz operacyjny powinien charakteryzować się:
A. małą rezystancją wejściową, minimum rzędu (1,2 – 1,5) MΩ
0 1 0
B. prawie zerową rezystancją wyjściową , a praktycznie rzędu 200 Ω do 20 Ω
C. minimalnym napięciem sumacyjnym (wyjściowym) od 4 V do 200 V
4.2.1.4 Sitodruk w obwodzie drukowanym to:
A. białe przepusty w płytach wielowarstwowych
0 0 1
B. otwory na elementy elektroniczny
C. nadruki na płytce do oznaczania miejsc montażu elementów.

13
4.2.1.5 SMT obwodów drukowanych to:
A. montaż powierzchniowy
1 0 0
B. technika sitodruku wykonania płytki
C. montaż przewlekany
4.2.1.6 Jaką funkcje pełni korektor w układzie serwomechanizmu?
A. regulatora proporcjonalno-różniczkującego
1 0 0
B. regulatora napięcia przed wzmacniaczem
C. wzmacnia sygnał docierający do siłownika
4.3 Serwomechanizmy
4.3.1 Rozumienie następujących terminów: obwód zamknięty, obwód otwarty, dalsza obróbka, serwomechanizm, analogowy
przetwornik, zero, tłumienie, sprzężenie zwrotne, strefa nieczułości
4.3.1.1 Pozycjonowanie PTP (point-to-point) w serwomechanizmie polega na: 0 1 0
A. dochodzenie do pozycji wyznaczonej przez zderzaki z dużym wpływem na trajektorie
B. dowolnym sposobie dojścia do położenia punktu początkowego i końcowego
C. kształtowaniu trajektorii ruchem z interpolacją

4.3.1.2 Pozycjonowanie ciągłe CP (continous path) w serwomechanizmie pozwala na: 0 1 0

A. dochodzenie do pozycji wyznaczonej przez zderzaki
B. kształtowanie trajektorii z zadawaniem punktów skrajnych i rodzajem trajektorii z interpolacją
C. brak wpływu na kształt trajektorii dochodzenia do pozycji wyznaczonej
4.3.1.3 Regulacja wzmocnienia serwomechanizmu wymaga zastosowania sprzężenia zwrotnego.
Można je zrealizować za pomocą :
A. woltomierza z posobnikiem 0 0 1
B. cewki indukcyjnej
C. położenia suwaka potencjometru
4.3.1.4 Całkujący charakter siłownika serwomechanizmu zapewnia?
A. sprzężenie tachometryczne
0 1 0
B. zerowy błąd ustalony z punktu widzenia zmian położenia
C. zerowy błąd zakłóceniowy
4.3.1.5 Pojęcie serwomechanizmu odnosi się do układów sterowania, w których ostatni stopień to:
A. regulator napięcia
0 1 0
B. mechaniczny element regulujący
C. regulator temperatury

14
4.3.1.6 Serwomechanizm służy do :
A. napędzania urządzeń mechanicznych
0 0 1
B. odzyskiwania energii z ruchu obrotowego
C. Sterowania przepieszczeniem
4.3.1.7 Rysunek przedstawia:
A. zamknięty układ sterowania
B. otwarty układ sterowania
C. schemat maszyny do lodów
1 0 0

4.3.2 Budowa, działanie i zastosowanie następujących części składowych łączy synchronicznych: przeliczniki, dyferencjały,
sterowanie i moment obrotowy, transformatory E i I, nadajnik indukcyjny, nadajnik kapacytacyjny, nadajnik synchroniczny
4.3.2.1 W serwomechanizmie wzmacniaczem jest: 0 0 1
A. sprzężenie zwrotne
B. człon korekcyjny
C. serwomotor
4.3.2.2 Ciągłym sygnałem wejściowym układu nazywamy sygnał: 0 0 1
A. wielkości regulowanych termicznie
B. wielkości regulowanych mechanicznie
C. funkcji linowej lub parabolicznej
4.3.2.3 W jakim celu wprowadza się w serwomechanizmie dodatkowe sprzężenie od prędkości
tzw.” tachometrycznej:”
A. w celu eliminacji błędu zakłóceń 0 1 0
B. dla poprawy własności dynamicznych
C. w celu eliminacji błędu ustalonego serwomechanizmu
4.3.2.4 Pozycjonowanie zderzakowe w serwomechanizmie polega na
A. dochodzeniu do pozycji wyznaczonej przez zderzaki bez wpływu na kształt trajektorii 1 0 0
B. maksymalnej prędkości roboczej każdego ogniwa po kolei lub wszystkich na raz
C. zadawaniu położenia punktu początkowego i końcowego z wpływem na trajektorie

15
 4.3.3 Usterki serwomechanizmu, odwrócenie obciążników synchronicznych, kołysanie maszyny synchronicznej
4.3.3.1 Który z przykładów mówi, że układ jest w stanie ustalonym lub wymuszonym: 1 0 0
A. samolot wznoszący się pod stałym katem
B. silnik o zmiennej prędkości
C. błyskawica w czasie burzy
4.3.3.2 Jaka czynność jest wykonywana przez człon korekcyjny serwomechanizmu: 1 0 0
A. dodawanie do prądu i prądów proporcjonalnych jego pochodnych i całek
B. wzmocnieniu sygnałów regulacji we wzmacniaczu elektronicznym
C. kąta pochylenia czujnika uchybu
4.3.3.3 Czy filtrowanie za pomocą serwomechanizmu stosuje się w celu:
A. odfiltrowania szumu towarzyszącego sygnałowi użytecznemu
1 0 0
B. stabilizacji sygnału wyjściowego przed filtrem
C. ustaleniu jego amplitudy na wyjściu za filtrem
4.3.3.4 Serwomechanizmy są to układy sterowania :
A .ze sprzężeniem zwrotnym
1 0 0
B. bez możliwości sterowania mocy
C. bez możliwości wyrównywania dwu wielkości

16