ТЕХНИЧЕСКИ УНИВЕРСИТЕТ – СОФИЯ

ФИЛИАЛ ПЛОВДИВ

ПРОТОКОЛ №3
ПО
Физика

Тема: Температурна зависимост на

съпротивлението на полупроводник
на: Георги Събев Иванов
специалност: КСТ
група: 43а
фак. номер: 380100

Проверил ...........................
Дата:
1.Теоретична част
От гледна точка на зонната теория различието между металите и
полупроводниците се обуславя от запълването на валентната зона с електрони и
широчината на забранената зона над нея. За металите е характерно това, че или
валентната зона има свободни енергетични нива (фиг.1а), или зоната на
проводимостта, която се намира над валентната зона, е с такава широчина, че се
застъпва с последната (фиг.1б). Полупроводниците имат широчина на забранената
зона Е, която е от порядъка на 2-3eV и при абсолютна нула валентната зона е
изцяло запълнена (фиг.1в).
Проводима зона Проводима зона Проводима зона
Област на застъпване
Валентна зона Забранена зона Е
Забранена зона
á)
Валентна зона
Валентна зона
â)
à)

фиг.1
Специфичната електрична проводимост  на металите при стайна
температура е от порядъка на 10-6 - 10-8 Sm-1. Температурната зависимост на
специфичната проводимост на полупроводниците, когато е валидно

разпределението на Болцман (неизроден полупроводник) има вида ,

където A е константа, имаща смисъл на  при T, U е активационната енергия,
приемаща стойности E/2, Ed/2 и Ea/2, съответно при n- и p- полупроводник, K е
константа на Болцман, а T - абсолютна температура.
Характерно за проводимостта на полупроводниците при топлинно
възбуждане е това, че свободните носители са в топлинно равновесие с кристалната
решетка. Температурният ход на съпротивлението (или електропроводимостта) и
при металите и при полупроводниците се обяснява от квантовата теория на
твърдото тяло, чрез разсейване на токовите носители и зависимостта на
концентрацията им от температурата. При металите концентрацията на свободните
електрони практически не зависи от температурата, а разсейването им се определя
от топлинните трептения в решетката. Трептенията в решетката се учеличават с
нарастване на температурата, движението на токоносителите се затруднява и
проводимостта намалява (съпротивлението нараства). Зависимостта на
разсейването на токовите носители от температурата при полупроводниците се
отразява на величината А , но толкова слабо, че както по-горе споменатото, тя се
счита за константа в широк температурен интервал.
Термоелектрически полупроводников прибор, при който се използва зависимостта
на съпротивлението на полупроводника от температурата се нарича термистор или
термо резистор. Те се използват като уреди за измерване на температура и мощност
на електромагнитно лъчение, компенсатори на температурни промени на
параметри в електрични вериги и др.
Термо съпротивленията обикновено се изготвят от смеси на окиси на различни
метали: титан, мед, манган, цинк, кобалт, никел и др.

2. Схема на опитна постановка


A
K

T M

3. Задачи

1. Да се изследва температурната зависимост на

съпротивлението на метал и термистор и се представят
графично зависимостите:
а) RМ =f(T),
б) RТ =f(T) .
2.Да се определи R(0) и температурния
коефициент на съпротивлението на метала графично.
3. Да се построй в Арениусови координати
(полулогаритмичен мащаб) зависимостта на
съпротивлението на термистора от температурата
т.е. lnRT = f (T-1 ).
4. Да се определи коефициента на температурна
чувствителност В-графично и активационната енергия U
на изследвания термистор.
 4.Опитни резултати

No t , c0 T,K 1/T , K −1 R,Ω αn , R α =−

B
T2
1 16 289 0,0035 31600 10,36 0,014
2 25 298 0,0034 28100 10,24 0,014
3 32 305 0,0033 24100 10,09 0,013
4 39 312 0,0032 21200 9,96 0,012
5 46 319 0,0031 18600 9,83 0,012
6 52 325 0,0031 16600 9,71 0,011
7 60 333 0,0030 14200 9,56 0,011

x 1=0,0035 x 2=0,0034
y 1=10 , 36 y 2=10 , 24

y 2− y 1 10 , 24−10 ,36 0 , 12
1-) B = x 2−x 1 = 0,0034−0,0035 = 0,0001 = 1200K
B
α = -T 2

1200 1200 1200

1) 83 521 = 0,014; 2) 88 804 =0,014 ;3) 93 025
=0,013 ;
1200 1200 1200
4) 97 344 = 0,012; 5) 101761 =0,012 ; 6 ¿ 105 625 =0 , 11;
1200
7) 110 889 = 0,011;

2-) k= 8,625.10-5 eV/K

1
U=B.k = 1200. 8,65 . 10 = 7800 . −5
100000 = 0,078 eV

3-) E=2U E=2.U=2.0,078=0,156 eV