Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

CHƯƠNG 3: TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)

BJT = Bipolar Junction Transistor

Transistor = Transfer Resistor
Transistor lưỡng cực gồm có hai tiếp xúc bán dẫn P-N, được hai nhà bác học
W.H. Britian và J. Braden phát minh, được chế tạo trên cùng một mẫu bán dẫn Silic
(Si) hay Germani (Ge).
Transistor có khả năng biến đổi nội trở của nó nhờ điều khiển chính bằng dòng
điện. Nội trở càng giảm thì transistor dẫn càng mạnh, ngược lại thì nó sẽ dẫn yếu đi
hoặc không dẫn.
Họ transistor bao gồm các loại cơ bản: BJT, FET (Field Effect Transistor),
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), UJT (Unijunction Transistor). Trong
chương này chỉ trình bày BJT (các linh kiện còn lại sẽ được trình bày trong các
chương sau).
3.1 CẤU TẠO, KÝ HIỆU CỦA BJT
Transistor có hai loại là transistor NPN và transistor PNP có cấu tạo như hình
3.1. Vùng phát E được pha tạp chất nhiều nhất, kế đến là vùng nền và vùng thu được
pha ít hơn.
Transistor có 3 chân cực :
 E (Emitter): cực phát. Lưu ý, cực phát có ký hiệu mũi tên, mũi tên hướng vào
cực nền là loại PNP. Ngược lại, hướng đi ra cực phát là loại NPN.
 B (Base) : cực nền (cực gốc).
 C (Collector): cực thu (cực góp).
Hai tiếp xúc P-N là tiếp xúc phát-nền ký hiệu là TE (gọi tắt là tiếp xúc phát),
và tiếp xúc thu-nền ký hiệu là TC (gọi tắt là tiếp xúc thu).

Hình 3.1: cấu tạo transistor NPN và PNP

83
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Transistor NPN Transistor PNP

Hình 3.2: ký hiệu transistor NPN và PNP

Hình 3.3: hình dạng thực tế của transistor

Hình 3.4: một số dạng vỏ thực tế của transistor

3.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG

Cả hai loại transistor NPN và PNP đều có nguyên lý làm việc giống nhau, chỉ
có chiều nguồn điện cung cấp vào các cực là ngược cực tính nhau. Do đó, phần này
chủ yếu phân tích loại transistor NPN.
Khi chưa cung cấp điện áp ngoài lên các cực của transistor thì hai tiếp xúc phát

84
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

TE và thu TC đều ở trạng thái cân bằng và dòng điện ở các cực của transistor bằng 0.
Phân tích hình 3.5, các điện tử tự do trong vùng N sẽ khuếch tán sang vùng P và
ngược lại các lỗ trống trong vùng P sẽ khuếch tán sang vùng N. Kết quả là tại hai
bên của tiếp xúc TE và TC, bên vùng N là các ion dương, bên vùng P là các ion âm để
tạo thành hai vùng hiếm (vùng điện tích không gian). Hai vùng hiếm này tạo thành
rào điện thế ngăn cản sự khuếch tán của các điện tử và lỗ trống tự do qua hai tiếp xúc,
nên không có dòng điện ở các cực của transistor.

Hình 3.5: Phân cực transistor (NPN & PNP) ở chế độ tích cực
Để transistor hoạt động ta phải cung cấp cho các cực của nó một điện áp một
chiều thích hợp tuỳ thuộc vào kiểu chế độ hoạt động, được gọi là phân cực tĩnh.
Có ba chế độ làm việc chính của transistor: chế độ tích cực (hay chế độ khuếch
đại), chế độ ngắt và chế độ dẫn bão hòa.
 Chế độ tích cực:
Ở chế độ này, ta phải cung cấp nguồn điện một chiều lên các cực của
transistor sao cho tiếp xúc phát TE phân cực thuận và tiếp xúc thu TC phân cực
ngược.
Chế độ này thường được dùng để khuếch đại tín hiệu dòng điện, điện áp
hay công suất.
 Chế độ ngắt:
Để transistor ngưng dẫn, ta cung cấp điện thế một chiều tại các cực của
transistor sao cho hai tiếp xúc P-N đều phân cực ngược.
Chế độ này thường được dùng để điều khiển ngắt thiết bị, relay…
 Chế độ bão hoà:
Đặt điện thế tại các cực của transistor để hai tiếp xúc P-N đều được phân
cực thuận. Đây là chế độ thường được sử dụng trong mạch xung, điều khiển

85
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

đóng thiết bị.

Ngoài ra, transistor còn có chế độ chuyển mạch. Trong chế độ chuyển mạch,
transistor làm việc như một khóa điện tử, nó hoạt động ở cả chế độ ngắt và chế độ
bão hòa.
3.3 MÔ HÌNH EBERS-MOLL
Transistor PNP có mô hình tương đương như hình 3.6, được gọi là mô
hình Ebers-Moll, mô hình này được sử dụng cho cả bốn kiểu hoạt động của
transistor. Thay thế hai tiếp xúc P-N tương đương hai diode tiếp xúc P-N. Diode
tiếp xúc TE sẽ tạo ra dòng IDE, diode tiếp xúc TC tạo ra dòng IDC.

Hình 3.6: mô hình Ebers-Moll của transistor PNP

Các dòng diode có phương trình:

𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐷𝐸 = 𝐼𝑆𝐸 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) (3.1)
𝑉𝐶𝐵
𝐼𝐷𝐶 = 𝐼𝑆𝐶 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) (3.2)
với ISE và ISC là các dòng bão hoà ngược của hai diode, thường ISC > ISE. Hệ số
𝛼𝐹 là độ lợi dòng thuận, 𝛼𝑅 là độ lợi dòng ngược. Giá trị 𝛼𝐹 thường gần bằng
một, 𝛼𝑅 có giá trị rất nhỏ và thường có giá trị từ 0,02  0,5 đối với cấu trúc
bất đối xứng của transistor.
Từ hình 3.6, các dòng ở các cực transistor:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐷𝐸 −∝𝑅 𝐼𝐷𝐶 (3.3)
𝐼𝐶 =∝𝐹 𝐼𝐷𝐸 − 𝐼𝐷𝐶 (3.4)
𝑉𝐸𝐵 𝑉𝐶𝐵
⟹ 𝐼𝐸 = 𝐼𝑆𝐸 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) −∝𝑅 𝐼𝑆𝐶 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) (3.5)

86
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

𝑉𝐸𝐵 𝑉𝐶𝐵
𝑣à 𝐼𝐶 =∝𝐹 𝐼𝑆𝐸 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) − 𝐼𝑆𝐶 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) (3.6)

Hai phương trình (3.5) và (3.6) được gọi là các phương trình Ebers-Moll
(EM). Bốn tham số của mô hình EM có mối liên hệ:
∝𝐹 𝐼𝑆𝐸 =∝𝑅 𝐼𝑆𝐶 (3.7)
Phương trình (3.7) được gọi là điều kiện đảo lẫn nhau của transistor.
Chuyển đổi giữa hai phương trình (3.6) và (3.5), ta được:
𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐸 =∝𝑅 𝐼𝐶 + (1 −∝𝑅 ∝𝐹 )𝐼𝑆𝐸 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) (3.8)
Đặt 𝐼𝐸0 = (1 −∝𝑅 ∝𝐹 )𝐼𝑆𝐸 , gọi là dòng phát bão hoà ngược.
𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐸 =∝𝑅 𝐼𝐶 + 𝐼𝐸0 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) (3.9)
Tương tự, ta có:
𝑉𝐶𝐵
𝐼𝐶 =∝𝐹 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶0 (𝑒 𝑉𝑇 − 1) (3.10)
trong đó 𝐼𝐶0 = (1 −∝𝑅 ∝𝐹 )𝐼𝑆𝐶 (3.11)

3.4 CÁC CHẾ ĐỘ HOẠT ĐỘNG CỦA BJT

Trong phần này chỉ giải thích hoạt động của transistor NPN, do loại PNP cũng
có nguyên lý hoạt động tương tự (chỉ khác cực tính điện thế phân cực).
3.4.1 Chế độ tích cực (chế độ khuếch đại)
Để transistor NPN hoạt động ở chế độ này, ta cấp điện thế dương phân cực sao
cho VE < VB < VC đối với loại NPN như hình 3.7a (hoặc đặt điện thế âm sao cho VC
< VB < VE đối với loại PNP trong hình 3.7b). Trong thực tế, ta phân cực transistor
như hình 3.8.

Hình 3.7: phân cực transistor (NPN & PNP) ở chế độ tích cực

87
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Hình 3.8: phân cực thực tế transistor NPN ở chế độ tích cực
Khi phân cực cho transistor như hình 3.8, vì TE được phân cực thuận nên vùng
hiếm thu hẹp lại và TC được phân cực ngược nên vùng hiếm được mở rộng ra. Nhiều
điện tử từ cực âm của nguồn VEE đi vào vùng phát và khuếch tán sang vùng gốc. Mặt
khác, vùng gốc được pha tạp chất ít và rất hẹp nên số có số hạt lỗ trống không nhiều,
do đó lượng lỗ trống khuếch tán sang vùng phát không đáng kể. Vì vậy, chỉ có một
lượng nhỏ điện tử khuếch tán từ vùng phát qua tái hợp với lỗ trống của vùng gốc, hầu
hết các điện tử này khuếch tán thẳng qua vùng thu và bị hút về cực dương của nguồn
VCC.
Các điện tử tự do của vùng phát như vậy tạo nên dòng điện cực phát IE chạy từ
cực phát E. Các điện tử từ vùng thu chạy về cực dương của nguồn VCC tạo ra dòng
điện thu IC chạy vào vùng thu.
Mặt khác, một số ít điện tử là hạt điện thiểu số của vùng gốc chạy về cực dương
của nguồn VEE tạo nên dòng điện IB rất nhỏ (so với IC) chạy vào cực B.
Như vậy, dòng điện ở cực phát là tổng của dòng điện ở cực nền và cực thu. Tức
là:
IE = IB + IC. (3.12)
Quan hệ giữa các dòng IB, IC và IE:
IC = .IE. (3.13)
IC = .IB. (3.14)
𝐼𝐶 𝛽
∝= = (3.15)
𝐼𝐸 𝛽+1

88
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

𝐼𝐶 ∝
𝛽= = (3.16)
𝐼𝐵 1− ∝

với  được gọi là hệ số khuếch đại dòng điện cực phát (hay hệ số truyền đạt dòng
điện cực phát). Nó có giá trị :
 = 0,9 ÷ 0,999 (3.17)
và  được gọi là hệ số khuếch đại dòng điện của transistor (hệ số khuếch đại dòng
điện cực nền), nó có giá trị từ vài chục đến vài trăm.
Ngoài ra, qua tiếp xúc TC còn có thành phần dòng điện ngược ICB0 (dòng điện
rỉ) do TC phân cực ngược. Đây là dòng của hạt thiểu số của vùng gốc chuyển động
dưới tác động của điện trường. Dòng ICB0 có giá trị rất nhỏ và phụ thuộc vào nhiệt độ
của tiếp xúc TC. Như vậy, phương trình (3.12) được biểu diễn đầy đủ như sau:
IE = IB + IC + ICB0. (3.18)
Trong tính toán gần đúng, vì dòng IB << IC nên ta có thể chọn:
IC  IE. (3.19)
3.4.2 Chế độ ngắt (chế độ ngưng dẫn)

a) b)

Hình 3.9: phân cực transistor NPN ở chế độ ngắt và mô hình tương đương
Đối với transistor NPN, muốn phân cực ngược TE và TC thì điện áp đặt lên các
cực của nó sao cho VB < VE < VC như hình 3.9a. Hệ quả, điện trở của transistor rất
lớn và qua nó chỉ có dòng điện ngược rất nhỏ của tiếp xúc thu là ICB0. Do dòng điện
ngược của tiếp xúc phát IEB0 nhỏ hơn nhiều so với ICB0 nên mạch cực E coi như hở.
Ở chế độ này, transistor có mô hình tương đương như hình 3.9b.

89
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

3.4.3 Chế độ bão hoà

Để transistor NPN dẫn bão hoà thì phải phân cực thuận hai tiếp xúc TE và TC.
Vì vậy, điều kiện điện áp đặt lên các cực của nó là VE < VC < VB như hình 3.10a.
Trường hợp này, điện trở của hai tiếp xúc 𝑇𝐸 và 𝑇𝐶 rất nhỏ nên có thể coi như hai cực
E và C được nối tắt. Dòng điện qua transistor IC khá lớn và không phụ thuộc vào hoạt
động của transistor. Như vậy, điện áp giữa cực thu và cực phát luôn xấp xĩ bằng 0
(VCE = 0,2 ÷ 0,4V), dòng điện bão hoà ICS chạy qua transistor được tính bằng:
𝑉𝐶𝐶
ICS = ; 𝑁ế𝑢 𝑐ℎọ𝑛 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉
𝑅𝐶
{ 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 (3.20)
ICS = ; 𝑁ế𝑢 𝑐ℎọ𝑛 𝑉𝐶𝐸 = 0,2 ÷ 0,4𝑉
𝑅𝐶

Transistor hoạt động bão hoà có mô hình tương đương như hình 3.9b.

VCC

RC ICS
ICS

B . . C

. E

a) b)

Hình 3.10: phân cực transistor NPN ở chế độ bão hoà và mô hình tương đương
Ngoài 3 chế độ hoạt động độc lập nêu trên, khi transistor hoạt động vừa ở chế
độ ngắt và chế độ bão hoà, được gọi là chế độ chuyển mạch. Lúc này, transistor có
vai trò như một chuyển mạch điện tử, khi đóng chuyển mạch thì transistor dẫn bão
hoà, ngược lại khi ngắt chuyển mạch thì transistor ngưng dẫn. Hình 3.11 mô tả đặc
tuyến truyền đạt của transistor tương ứng với 3 chế độ hoạt động.

90
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Hình 3.11: đặc tuyến truyền đạt của transistor

Bảmg 3.1 biểu diễn các giá trị điện áp tại hai tiếp xúc của transistor NPN hoạt
động ở các chế độ: tích cực, bão hoà và ngắt.
Bảng 3.1: các giá trị điện áp tiếp xúc điển hình của transistor NPN ở 250C

Chế độ tích cực Chế độ bão hoà Chế độ

Loại Điện thế ngắt
BJT ngưỡng V VBE VCE VBE VCE VBE

Si 0,5 V 0,7 V > 0,2 V 0,8 V ≤ 0,2 V 0V

Ge 0,1 V 0,2V > 0,1 V 0,3 V ≤ 0,1 V -0,1 V

3.5 PHÂN CỰC TĨNH CHO BJT

Mục đích phân cực cho transistor là để đặt nó hoạt động một trong ba chế độ
làm việc như tích cực, bão hoà hay ngắt.
Ở chế độ ngắt, ta chỉ cần các điện áp phân cực tại các cực của transistor sao cho
hai tiếp xúc P-N của transistor đều phân cực ngược. Ở chế độ bão hòa, cấp điện sao
cho hai tiếp xúc P-N đều phân cực thuận để điện áp VCE có giá trị trong khoảng từ
0,2V đến 0,4V. Đối với chế độ tích cực, phân cực cho transistor có phức tạp hơn.
Vì vậy, nội dung trong phần này, sẽ chỉ tập trung phân tích phân cực dc cho
transistor hoạt động ở chế độ tích cực, qua đó biết cách xây dựng đường tải tĩnh (còn
gọi là đường tải một chiều; DCLL: DC Load Line) và lựa chọn điểm làm việc tĩnh Q
(Quiescent point) hợp lý.

91
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Đường tải tĩnh là đoạn thẳng chứa các điểm đặc tả quá trình hoạt động của
transistor. Ta sẽ tìm điểm Q trên đường tải tĩnh mà tại đó transistor hoạt động tuyến
tính, tín hiệu xoay chiều được transistor khuếch đại sẽ đạt được biên độ cực đại mà
vẫn đồng dạng so với tín hiệu đưa vào.
Ví dụ có đặc tuyến như trong hình 3.12, có 4 điểm hoạt động A, B, C, D. Ta sẽ
chọn điểm nào để transistor hoạt động khuếch đại tốt nhất. Tại điểm A, do có dòng
IC = 0mA nên transistor ở chế độ ngắt. Tại điểm C, transistor có khuếch đại nhưng
tín hiệu được khuếch đại có biên độ đỉnh-đỉnh bị giới hạn (do ở gần giá trị VCE = 0V
và IC = 0mA) hoặc sẽ bị méo dạng. Tại D, transistor hoạt động gần như có điện áp và
công suất lớn nhất, biên độ áp đỉnh dương của tín hiệu được khuếch đại sẽ bị giới
hạn. Tại B, ta thấy nó nằm ở khoảng giữa vùng tích cực. Vì vậy, tại điểm hoạt động
B, tín hiệu khuếch đại có thể sẽ đạt giá trị đỉnh-đỉnh lớn nhất mà không bị méo dạng.
Như vậy, khi thiết kế phân cực cho transistor, ta sẽ chọn điểm làm việc tĩnh
giống điểm B trong hình 3.12.

Hình 3.12: các điểm hoạt động khác nhau trong đặc tuyến của transistor
3.5.1 Phân cực bằng dòng cố định

92
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Hình 3.13: mạch phân cực bằng dòng cố định

Phân tích mạch vòng B-E hình 3.13, ta tìm được phương trình để tính dòng
điện vào cực nền IB:
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 . 𝐼𝐵 (3.21)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
⟹ 𝐼𝐵 = (3.22)
𝑅𝐵

Thông thường chọn điện áp VBE:

𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉 đố𝑖 𝑣ớ𝑖 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 𝑙𝑜ạ𝑖 𝑆𝑖
{ (3.23)
𝑉𝐵𝐸 = 0,3𝑉 đố𝑖 𝑣ớ𝑖 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 𝑙𝑜ạ𝑖 𝐺𝑒
Nhận xét phương trình (3.22) cho thấy dòng IB không thay đổi, nên được gọi là
phân cực bằng dòng cố định.
Từ mạch C-E, xác định được dòng điện ở cực thu IC:
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶 (3.24)
𝑉𝐶𝐶− 𝑉𝐶𝐸
⟹ 𝐼𝐶 = (3.25)
𝑅𝐶

Tính dòng cực phát :

Tính chính xác : IE = IB + IC.
Tính xấp xỉ : IC  IE.
Phương trình (3.25) được gọi là phương trình đường tải tĩnh của transistor. Từ
(3.25), ta sẽ vẽ được đường tải tĩnh theo các bước sau:
𝑉𝐶𝐶
Chọn VCE = VCEmin = 0V  𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = (3.26)
𝑅𝐶

Chọn VCE = VCEmax = VCC  𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑚𝑖𝑛 = 0 𝑚𝐴 (3.27)

93
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Như vậy, nối toạ độ hai điểm (3.26) với (3.27) chính là đường tải tĩnh và điểm
làm việc tĩnh Q có toạ độ :
IC = ICQ.
VCE = VCEQ = VCC – RC.ICQ. (3.28)
Ví dụ 3.1: mạch hình 4.24 có RB = 240 kΩ, RC = 2,2 kΩ, VCC = 12 V và transistor có
hệ số khuếch đại dòng  = 50.
a) Xác định điểm làm việc tĩnh.
b) Tính dòng cực phát và điện thế ở cực thu và VBC.
c) Tính công suất tiêu tán của transistor.
d) Vẽ đường tải tĩnh.
Giải:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12− 0,7
a) Ta có : 𝐼𝐵 = 𝐼𝐵𝑄 = = = 47,08 𝜇𝐴
𝑅𝐵 240.103
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (50). (47,08𝜇𝐴) = 2,35 𝑚𝐴
VCEQ = VCC – RC.ICQ = 12 – (2,35.10-3).(2,2.103) = 6,83 V
Điểm làm việc tĩnh Q = (6,83V ; 2,35mA)
b) Tính IE và VC :
Dòng cực phát : IE = IC + IB = 2,35 + 0,04708 = 2,39708 mA
Điện thế ở cực thu : VC = VCEQ = 6,83V
VBC = VB – VC = VBE – VCE = 0,7 – 6,83 = -6,13 V
c) PC = VCEQ.ICQ = (6,83).(2,35.10-3) = 16,05 mW
d) Phương trình đường tải tĩnh :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
12
𝐾ℎ𝑖 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉 ⇒ 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = = 5,45 𝑚𝐴
{ 2,2.103
𝐾ℎ𝑖 𝑉𝐶𝐸 = 12𝑉 ⇒ 𝐼𝐶𝑚𝑖𝑛 = 0 𝑚𝐴

94
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

IC (mA)

5,45

2,35
.Q
0
6,83 12 (V)

Hình 3.14: đồ thị đường tải tĩnh của ví dụ 4.1

Ví dụ 3.2: hãy thiết kế mạch theo hình 3.15, xác định VCC, RB và RC.
Giải:
Từ đồ thị đường tãi tĩnh ta thấy VCC = 20V và ICmax = 8mA
𝑉𝐶𝐶 20
 𝑅𝐶 = = = 2,5 𝑘Ω
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 8.10−3
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 20−0,7
và 𝑅𝐵 = = = 482,5 𝑘Ω
𝐼𝐵𝑄 40.10−6

IC (mA)

.Q IBQ = 40µA

VCE IBQ
0
20 (V)

Hình 3.15: đồ thị đường tải tĩnh và sơ đồ mạch của ví dụ 3.2

Độ ổn định của mạch
Khi transistor hoạt động, các thông số của mạch có thể thay đổi do nhiều nguyên
nhân, đặc biệt là do nhiệt độ môi trường thay đổi sẽ làm thay đổi hệ số khuếch đại 
của transistor. Chẳng hạn, dòng bão hoà ngược ICB0 sẽ tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng
mỗi lần 100C, và điện áp VBEQ sẽ giảm với tỉ lệ 7,5mV/10C.

95
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Bảng 3.2 và 3.3 cho thấy sự biến đổi nhiệt độ ảnh hưởng đến các thông số của
transistor Si và Ge điển hình.
Bảng 3.2: sự thay đổi các thông số transistor Si theo nhiệt độ

Nhiệt độ (0C) ICB0 (nA) Hệ số  VBE (V)

-65 0,2x10-3 20 0,85

25 0,1 50 0,65

100 20 80 0,48

175 3,3x103 120 0,3

Bảng 3.3: sự thay đổi các thông số transistor Ge theo nhiệt độ

Nhiệt độ (0C) ICB0 (nA) Hệ số  VBE (V)

-65 1,95x10-3 20 0,38

25 1 55 0,2

175 32 90 0,1

Hệ số ổn định S (Stability factor):

Hệ số ổn định S là tốc độ thay đổi của dòng điện cực thu so với sự thay đổi
của dòng điện ngược bão hòa để giữ cho hệ số khuếch đại β và điện áp VBE không
đổi, ta có:
𝜕𝐼𝐶 ∆𝐼𝐶
𝑆= ≈ (3.29)
𝜕𝐼𝐶𝐵0 ∆𝐼𝐶𝐵0

Trong chế độ tích cực, mối quan hệ cơ bản giữa 𝐼𝐶 và 𝐼𝐵 được cho bởi công
thức:
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵𝑜
Nếu lấy đạo hàm công thức trên theo IC và xem xét β là hằng số theo 𝐼𝐶 , thì
ta có:

96
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

𝛽+1 𝑑𝐼𝐵
1= +𝛽
𝑆 𝑑𝐼𝐶

1+𝛽
𝑆= 𝑑𝐼
1−𝛽( 𝐵 )
𝑑𝐼𝐶

Đối với mạch phân cực bằng dòng cố định, IB không phụ thuộc vào IC, nên
hệ số ổn định được tính:
S = β+1 (3.30)
Giá trị S càng lớn có nghĩa là mạch càng không ổn định về nhiệt. Muốn duy
trì sự ổn định điểm làm việc tĩnh Q ta phải giữ cho dòng điện ICQ và điện áp VCEQ
không đổi. Kỹ thuật thường được sử dụng để ổn định điểm làm việc tĩnh có thể
phân chia thành 2 loại:
+ Kỹ thuật ổn định: Sử dụng các mạch phân cực điện trở mà ở đó cho phép IB thay
đổi sao cho vẫn giữ được IC không đổi một cách tương đối với sự thay đổi của
ICB0, β và VBE.
+ Kỹ thuật bù: Sử dụng các linh kiện nhạy nhiệt như diode, transistor, nhiệt trở,
... Các linh kiện này cung cấp một điện áp bù và dòng điện bù để giữ cho điểm
làm việc ổn định.
Vì vậy, để nâng độ ổn định cho mạch hình 3.13, ta mắc thêm điện trở RE như
hình 3.16.

Hình 3.16: phân cực dòng cố định kết hợp điện trở cực phát

Xét mạch vòng B-E:

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 . 𝐼𝐵 + 𝑅𝐸 . 𝐼𝐸 (3.31)
với IE = ( + 1).IE.

97
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
⟹ 𝐼𝐵 = (3.32)
𝑅𝐵 + (𝛽+1).𝑅𝐸

Xét mạch vòng C-E:

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶 + 𝑅𝐸 . 𝐼𝐸 (3.33)
Thay IE  IC vào (7.), ta được:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 = (3.34)
𝑅𝐶 +𝑅𝐸

(3.34) là phương trình đường tải tĩnh của mạch hình 3.16.

Ví dụ 3.3: mạch hình 4.27 có RB = 430 kΩ, RC = 2 kΩ, RE = 1 kΩ ,VCC = 20 V và

BJT có hệ số khuếch đại dòng  = 50.
a) Tính dòng IBQ, ICQ.
b) Tính điện thế trên các cực của BJT.
c) Tìm điểm làm việc tĩnh.
Giải:
𝑉𝐶𝐶− 𝑉𝐵𝐸 20− 0,7
a) 𝐼𝐵𝑄 = = = 40,1 𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽+1).𝑅𝐸 430+ (50+1).1

⟹ 𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = 50𝑥 (40,1𝐴) = 2,01 𝑚𝐴

b) Tính VB, VC, VE:
VC = VCC – RC.IC = 20 – 2x2,01 = 15,98 V
VE = RE.IE  RE.IC.
 VE = 1x2,01 = 2,01 V
VB = VBE + VE = 0,7 + 2,01 = 2,71 V
c) Tìm Q:
VCEQ = VCC – (RC + RE).IC = 20 – (2 + 1)x2,01 = 13,97V.
Như vậy điểm Q trong mạch này: Q = (13,97 V; 2,01 mA).

3.5.2 Phân cực bằng hồi tiếp điện áp

98
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Hình 3.17: phân cực hồi tiếp điện áp

Xét mạch vòng B-E:

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶′ + 𝑅𝐵 . 𝐼𝐵
= 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐶 . (𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 )+ 𝑅𝐵 . 𝐼𝐵 (3.35)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
⟹ 𝐼𝐵 = (3.36)
𝑅𝐵 + (𝛽+1).𝑅𝐶

Xét mạch vòng C-E:

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 . (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) (3.37)
⇒ 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 . 𝐼𝐸
Hoặc 𝑉𝐶𝐶 ≈ 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶 (3.38)
Độ ổn định S:
𝛽+1
𝑆= 𝑅𝐶 (3.39)
1+ 𝛽.
𝑅𝐶 +𝑅𝐵

Gía trị này nhỏ hơn ở trường hợp phân cực bằng dòng cố định, như vậy sẽ tăng
độ ổn định hơn. Tuy nhiên, điện trở RB trong hình 3.17 là đường dẫn hồi tiếp không
những cho thành phần điện áp một chiều mà cả thành phần tín hiệu xoay chiều được
đưa về lại ngõ vào cực nền (hồi tiếp âm điện áp) nên làm giảm hệ số khuếch đại của
mạch.
Ví dụ 3.4: mạch hình 3.17 có RB = 680 kΩ, RC = 4,7 kΩ, VCC = 20 V và BJT có hệ
số  = 120.
a) Xác định ICQ và VCEQ.
b) Tìm các giá trị VB, VC.

99
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Giải:
a) Dòng tĩnh ở cực nền:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 20𝑉− 0,7𝑉
𝐼𝐵𝑄 = = = 15,51 𝜇𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽+1).𝑅𝐶 680𝑘Ω+ (120).(4,7𝑘Ω)

⟹ 𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (120). (15,51𝜇𝐴) = 1,86 𝑚𝐴

𝐷𝑜 𝐼𝐶𝑄 ≈ 𝐼𝐸𝑄
⟹ 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶𝑄 = 20 − (4,7𝑘Ω). (1,86mA) = 11,26 V
b) Điện thế tại cực nền: 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 = 0,7V
Điện thế tại cực thu: 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 = 11,26 V.
3.5.3 Phân cực bằng cầu phân áp
Sơ đồ nguyên lý hình 3.18a dùng hai điện trở RB1 và RB2 để tạo thành mạch chia
áp tại cực nền nên được gọi là phân cực bằng cầu phân áp. Tụ CE nếu được gắn song
song với RE, được gọi là tụ by-pass, nó có chức năng để nối tắt RE đối với tín hiệu
xoay chiều. Để tính toán phân cực tĩnh (một chiều) ngõ vào, ta sẽ biến đổi tương
đương Thevenin ngõ vào như hình 3.18b.

Hình 3.18: phân cực bằng cầu phân áp

(a) Mạch phân cực bằng cầu phân áp (b) Mạch biến đổi Thevenin

Từ nguồn cung cấp VCC với RB1 và RB2 được biến đổi tương đương Thevenin
thành nguồn VBB và điện trở RB có công thức tính như sau:
𝐵2 𝑅
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 .
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2
{ 𝑅𝐵1 .𝑅𝐵2 (3.40)
𝑅𝐵 = 𝑅𝐵1 //𝑅𝐵2 =
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2

Xét vòng B-E:

100
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 . 𝐼𝐵 + 𝑅𝐸 . 𝐼𝐸 (3.41)

Hay 𝑉𝐵𝐵 ≈ 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 . 𝐼𝐵 + 𝑅𝐸 . 𝐼𝐶 (3.42)
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
⟹ 𝐼𝐵 = (3.43)
𝑅𝐵 +𝛽.𝑅𝐸

với IC = .IB.
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
⟹ 𝐼𝐶 = 𝑅𝐵 (3.44)
+ 𝑅𝐸
𝛽

Xét vòng C-E:

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶 + 𝑅𝐸 . 𝐼𝐸
Do IC  IE, nên:
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 = (3.45)
𝑅𝐶 +𝑅𝐸

(3.45) là phương trình đường tải tĩnh, đường tải này có độ dốc là [-1/(RC+RE)].
Hệ số ổn định của mạch:
1+𝛽
𝑆= 𝑅𝐸 (3.46)
1+𝛽
𝑅𝐸 +𝑅𝐵

Từ công thức (3.46), giá trị RB càng nhỏ thì độ ổn định càng cao.
Các vấn đề cần lưu ý khi thiết kế phân cực bằng cầu phân áp :
- Do dòng IC phụ thuộc vào giá trị , mà  là thông số phụ thuộc vào nhiệt độ.
Nên để mạch hoạt động ổn định, điện trở RE phải thoả điều kiện:
10.𝑅𝐵
𝑅𝐸 ≥ (3.47)
𝛽

- Nếu biết được các giá trị RB, VBB và VCC trong hình 3.18b, ta có thể tìm ngược
lại được RB1 và RB2 trong hình 3.18a như sau:
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐵1 = 𝑅𝐵 .
𝑉𝐵𝐵
{ 𝑅𝐵 (3.48)
𝑅𝐵2 = 𝑉
1− 𝐵𝐵
𝑉𝐶𝐶

Ví dụ 3.5: cho mạch khuếch đại như hình 3.18. Biết RB1 = 39 kΩ, RB2 = 3,9 kΩ, RC
= 10 kΩ, RE = 1,5 kΩ, VCC = 22 V và BJT có  = 140. Xác định dòng ICQ và VCEQ.
Kiểm tra điều kiện trở RE.
Giải:
Điện trở tương đương và nguồn áp tương đương Thevenin:

101
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

𝑅𝐵1 .𝑅𝐵2 (39).(3,9)

𝑅𝐵 = = = 3,55 𝑘Ω
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2 39+3,9

𝑅𝐵2 (22).(3,9)
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 . = =2𝑉
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2 39+3,9

Dòng ICQ và VCEQ:

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 2− 0,7
𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐵 = (3,55.103) = 0,85 𝑚𝐴
𝛽
+ 𝑅𝐸 + (1,5.103 )
140

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ). 𝐼𝐶

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 22 − (10 + 1,5). 0,85 = 12,22 𝑉
Để mạch hoạt động thì RE phải thoả điều kiện:
10.𝑅𝐵 (10).(3,55)
𝑅𝐸 ≥ = = 0,254 𝑘Ω
𝛽 140

Như vậy, giá trị RE đã cho trong mạch thoả điều kiện ổn định.
Ví dụ 3.6: cho mạch khuếch đại như hình 3.18. Biết RB2 = 18 kΩ, RE = 1,2 kΩ, VCC
= 18 V và mạch hoạt động có ICQ = 2 mA, VCEQ = 10 V. Xác định RB1 và RC.
Giải:
Dòng cực thu:
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐵 (1*)
+ 𝑅𝐸
𝛽

Để mạch hoạt động ổn định ta chọn:

𝑅𝐵
= 0,1. 𝑅𝐸 (2*)
𝛽

Thế (2*) vào (1*), ta được:

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 =
1,1.𝑅𝐸

⟹ 𝑉𝐵𝐵 = 1,1. 𝑅𝐸 . 𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐵𝐸 = 1,1. (1,2𝑘Ω). (2𝑚𝐴) + 0,7𝑉 = 3,34 𝑉

𝑅𝐵2
Mà 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 .
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2
𝑉𝐶𝐶 18𝑉
⟹ 𝑅𝐵1 = 𝑅𝐵2 . − 𝑅𝐵2 = (18𝑘Ω). − (18𝑘Ω) = 79 𝑘Ω
𝑉𝐵𝐵 3,34𝑉

Điện thế trên cực phát và cực thu:

𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 . 𝐼𝐸 ≈ 𝑅𝐸 . 𝐼𝐶 = (2𝑚𝐴). (1,2𝑘Ω) = 2,4 V
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 10 + 2,4 = 12,4 V

102
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Giá trị RC cần xác định :

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 18− 12,4
𝑅𝐶 = = = 2,8 𝑘Ω
𝐼𝐶𝑄 2.10−3

3.6 HƯỚNG DẪN MÔ PHỎNG

3.6.1 Mô phỏng đặc tuyến BJT
Thực hiện mô phỏng vẽ đặc tuyến ngõ ra của transistor theo mạch hình 3.19,
chọn transistor có ký hiệu là Q2N2222 (trong thư viện Bipolar/PSpice).

Hình 3.19: mạch nguyên lý mô phỏng

Trình tự thực hiện mô phỏng như sau:
- Chọn DC Sweep từ Analysis type.
- Chọn Primary Sweep (mặc định đã được chọn sẵn) từ nhãn Options.
- Tại Voltage source chọn tên nguồn V1.
- Chọn các thông số trong Sweep type:
Chọn Linear.
Nhập vào thông số của nguồn V1: giá trị nhỏ nhất là 0 V và lớn nhất là 10 V,
độ gia tăng mỗi lần là 0.01 V.
- Kế tiếp, chọn Secondary Sweep (vẫn giữ nguyên DC Sweep) để chọn tuỳ biến
của nguồn V2.
Cách làm tương tự như chọn nguồn V1. Với V2 = 2.7 V  10.7 V và độ gia tăng
là 2 V.
Hướng dẫn: dòng IB sẽ biến đổi giá trị theo bảng sau:
Bảng 3.4: chọn các giá trị cho V2

V2 V2 − VBE
IB =
R1

103
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

2.7 V 20 µA

4.7 V 40 µA

6.7 V 60 µA

8.7 V 80 µA

10.7 V 100 µA

- Nhấn Apply  nhấn OK.

- Gắn Current Marker để hiển thị dòng tại cực thu như hình 3.20.

Hình 3.20: đặt đầu đo dòng ở cực thu

- Nhấn Run và sẽ cho kết quả đặc tuyến ngõ ra như hình 3.21.

104
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

Hình 3.21: các đặc tuyến ngõ ra của mô phỏng

3.6.2 Khảo sát phân cực dc cho BJT
Từ hình 3.22, dùng PSpice để đo các thông số dòng và áp dc trên các phần tử của
mạch và tại các cực của BJT.

Hình 3.22: mạch nguyên lý thực hiện mô phỏng

Chọn kiểu phân tích là Bias Point  nhấn OK. Sau đó, chọn biểu tượng cho
phép hiển thị dòng và áp phân cực và nhấn Run để thực hiện mô phỏng. Kết quả đo
được các thông số như hình 3.23.

Hình 3.23: kết quả mô phỏng các thông số dc

3.7 BÀI TẬP

1) Trong một mạch điện, BJT có hệ số  = 0,98. Tìm:

105
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

a. Hệ số .
b. Dòng IC khi IB = 0,01 mA.
2) Cho mạch hình 3.24.
a. Tính IC khi VCB = 10 V.
b. Tìm VCB khi IC = 2 mA.

Hình 3.25: mạch bài tập 3

Hình 3.24: mạch bài tập 2

3) Cho mạch hình 3.25. Tìm:

a. VCE khi IC = 1,5 mA.
b. IC khi VCE = 5 V.
c. VCB khi IC = 0 mA.
4) Cho mạch hình 3.26. Tìm: Hình 3.26: mạch bài tập 4
a. VEC khi IC = 1,5 mA.
b. IC khi VEC = 2 V.
c. VEC khi IC = 0 mA.
5) Cho mạch điện hình 3.27. Tìm giá trị RB để BJT loại Si có  = 100 dẫn bão
hoà với VCESat = 0,3 V.

Hình 3.27: mạch bài tập 5 Hình 3.28: mạch bài tập 6

106
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

6) Trong mạch hình 3.28, BJT (Si) có  = 80 và hoạt động ở chế độ tích cực. Tìm
các dòng điện tại các cực của BJT.
7) Cho mạch hoạt động ở chế độ tích cực như hình 3.29, hãy xác định:
a. Dòng IBQ.
b. Dòng ICQ.
c. VCEQ.
d. Vẽ đường tải tĩnh.

.
.

Hình 3.29: mạch bài tập 7 Hình 3.30: mạch bài tập 8

8) Từ mạch hình 3.30, hãy xác định:

a. Các điện trở phân cực.
b. VCE.
c. VB.
9) Từ mạch hình 3.31, hãy xác định:
a. .
b. VCC.
c. RB.

+
- .

Hình 3.31: mạch bài tập 9 Hình 3.32: mạch bài tập 10

107
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

10) Cho mạch hình 3.32, tìm:

a. IB.
b. IC.
c. VC.
11) Hãy xác định dải giá trị có thể của VC trong hình 3.33.

Hình 3.33: mạch bài tập 11 Hình 3.34: mạch bài tập 12
12) Cho mạch hình 3.34, xác định:
a. Dòng IB và IC.
b. Công suất tiêu tán của BJT.
c. BJT đang hoạt động ở chế độ nào.
d. Hệ số ổn định S.
13) Trong hình 3.35 cho điện thế VB = 4 V. Hãy tính:
a. VE.
b. VC.
c. IC.

Hình 3.35: mạch bài tập 13 Hình 3.36: mạch bài tập 14

108
Chương 3: transistor lưỡng cực (BJT)

14) Từ mạch hình 3.36, hãy xác định:

a. IB và IC.
b. VCE.
c. Công suất tiêu tán của BJT.

15) Hãy tính các đại lượng sau của mạch phân cực bằng
cầu phân áp hình 3.37:
a. IB và IC.
b. VCE.
c. Công suất tiêu tán của BJT.
d. Vẽ đường tải tĩnh.
e. Kiểm tra điều kiện ổn định của RE.
Hình 3.37: mạch BT 15

16) Hãy tính hệ số ổn định của hình 3.37.

17) Hãy thiết kế mạch khuếch đại BJT kiểu phân cực bằng dòng cố định. Biết: VCC
= 12 V, ICQ = 2,5 mA, VCEQ = 6 V và  = 80.
18) Hãy thiết kế mạch khuếch đại BJT kiểu phân cực bằng cầu phân áp sử dụng
nguồn cung cấp VCC = 24 V. BJT có  = 110, điểm làm việc tĩnh Q = (8 V; 4
mA). Chọn VE = VCC/2. Kiểm tra điều kiện ổn định của mạch.
19) Cho biết BJT trong hình 3.38 hoạt động như thế nào?

Hình 3.38: mạch bài tập 19

109