基于ＯＬＳ码的检错纠错抗辐射加固设计木

董亮
（齐齐哈尔大学通信与电子工程学院，黑龙江齐齐哈尔１６１００６）

摘要：由辐射粒子引起的多单元翻转（ＭＣＵｓ）已经成为了影响存储器可靠性的一个主要问题。而存储器抗ＭＣＵｓ
的加固方法一般是使用可以纠正多个错误的错误纠正码（ＥＣＣｓ）。使用了正交拉丁方（ＯＬＳ）码的故障容错系统被构
造用以纠正存储器中的多个错误。ＯＬＳ码是一类一步大数逻辑可译（ＯＳ—ＭＬＤ）码，可以使用非常简单的大数逻辑电
路来进行译码。由Ｖｅｒｉｌｏｇ硬件描述语言实现设计，并且使用ＭｏｄｅｌＳｉｍ进行了功能验证。
关键词：多单元翻转；错误纠正码；０ＩＳ码；ＯＳ—ＭＬＤ码
中图分类号：ＴＮ４３１．２ 文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．１６１５７／ｊ．ｉｓｓｎ．０２５８—７９９８．２０１６．１０．０１０

中文引用格式：董亮．基于ＯＬＳ码的检错纠错抗辐射加固设计［Ｊ】．电子技术应用，２０１６，４２（１０）：４４—４６．
英文引用格式：Ｄｏｎｇ Ｌｉａｎｇ．Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｈａｒｄｅｎｅｄ ｅｌｒｏｒ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂａｓｅｄ ｏｎ ＯＬＳ ｃｏｄｅ［Ｊ］．Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ
ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ，２０１６，４２（１０）：４４—４６．

Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｈａｒｄｅｎｅｄ ｅｒｒｏｒ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂａｓｅｄ ｏｎ ＯＬＳ ｃｏｄｅ

Ｄｏｎｇ Ｌｉａｎｇ
（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｕｎｉｖｅｍｉｔｙ ｏｆ Ｑｉｑｉｈａｒ，Ｑｉｑｉｈａｅｒ １６１００６，Ｃｈｉｎａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｃｅｌｌ Ｕｐｓｅｔｓ（ＭＣＵｓ）ｃａｕｓｅｄ ｂｙ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｉｓ ａ ｍａｊｏｒ ｉｓｓｕｅ ｆｏｒ ｍｅｍｏｒｙ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ．Ａｎ ｏｐｔｉｏｎ ｔｏ ｐｒｏｔｅｃｔ ｍｅｍｏｒｉｅｓ

ａｇａｉｎｓｔ ＭＣＵｓ ｉｓ ｕｓｉｎｇ ａｄｖａｎｃｅｄ ｅｒｒｏｒ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ ｃｏｄｅｓ（ＥＣＣｓ）ｔｈａｔ ｃａｎ ｃｏｒｒｅｃｔ ｍｏｒｅ ｔｈａｎ ｏｎｅ ｅｒｒｏｒ．Ａ ｆａｕｌｔ－ｔｏｌｅｒａｎｔ ｓｃｈｅｍｅ ｉｓ ｐｒｅ－

ｓｅｎｔｅｄ ｔｏ ｐｒｏｔｅｃｔ ａ ｍｅｍｏｒｙ ｆｒｏｍ ＭＣＵｓ ｕｓｉｎｇ ｏｎｈｏｇｏｎａｌ ｌａｔｉｎ ｓｑｕａｒｅ（ＯＬＳ）ｃｏｄｅ．Ｔｈｅ ａｄｖａｎｔａｇｅ ｏｆ ＯＬＳ ｃｏｄｅ ｉｓ ｔｈａｔ ｉｔ ｉｓ ａ ｔｙｐｅ ｏｆ

ｏｎｅ－ｓｔｅｐ ｍａｊｏｒｉｔｙ ｌｏｇｉｃ ｄｅｅｏｄａｂｌｅ（ＯＳ－ＭＬＤ）ｃｏｄｅｓ，ｗｈｉｃｈ ｃａｎ ｂｅ ｄｅｃｏｄｅｄ ｕｓｉｎｇ ｖｅｒｙ ｓｉｍｐｌｅ ｍａｊｏｒｉｔｙ ｃｉｒｃｕｉｔ．Ｔｈｅ ｓｃｈｅｍｅ ｈａｓ ｂｅｅｎ

ｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄ ｉｎ Ｖｅｒｉｌｏｇ ＨＤＬ，ａｎｄ ｉｔ ｈａｓ ａｌｓｏ ｂｅｅｎ ｖａｌｉｄａｔｅｄ ｂｙ ＭｏｄｅｌＳｉｍ ｓｉｍｕｌａｔｏｒ．

Ｋｅｙ ＷＯｒｄｓ：ＭＣＵｓ；ＥＣＣｓ；ＯＬＳ ｃｏｄｅ；ＯＳ—ＭＬＤ ｃｏｄｅ

０引言 越来越高。因此，Ｈａｍｍｉｎｇ码已经不适合用来对存储器
随着集成电路的进步，存储器越来越容易受到由来 进行抗辐射加固保护，而需要寻找使用纠正能力较高且
自地面和太空环境中辐射粒子影响引起多单元翻转 额外电路对存储器性能影响较少的其他ＥＣＣ码来对存

（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｃｅｌｌ Ｕｐｓｅｔｓ，ＭＣＵｓ）。ＭＣＵｓ可以导致存储器存 储器进行抗辐射保护【７】。

储数据的错误而引起系统失效。因此，需要对存储器进 在本设计中，使用了基于正交拉丁方的正交拉丁方

行抗辐射加固设计【１－３１。 （ＯＩＳ）码来对存储器进行抗辐射的加护设计。使用ＯＬＳ
目前，（／／，，ｋ）错误纠错码（Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅｓ，ＥＣＣｓ） 码的原因是它属于一步大数逻辑可译（ＯＳ—ＭＬＤ）码，可

是存储器中常用的容错技术，其中ｒｔ是码长，ｋ是信息 以使用简单的大数逻辑译码电路来进行多位ＭＣＵｓ的

位的个数。ＥＣＣ加固技术是在存储字的基础上增加了冗 纠正。

余位用以检测和纠正存储器中发生的错误翻转。因此， １正交拉丁方（ＯＬＳ）码
ＥＣＣ故障容错系统需要额外的编码和译码电路；而其编 正交拉丁方是指两个拉丁方在同一位置上的数依

码和译码电路的复杂度又决定了自身的纠正能力和硬 次配置成对时，如果这两个有序数对恰好各不相同，则
件的复杂度【４－６．１２】。 称这两个拉丁方互为正交拉丁方。ＯＬＳ码正是在此基础

汉明（Ｈａｍｍｉｎｇ）码是最常用的ＥＣＣ码，它可以用非 上来构成的１８－９１：对于纠正能力为ｔ的ＯＬＳ码，其奇偶校
常少的硬件开销来纠正存储器中的错误。但是，它只能 验矩阵日如下式所示：
对单个错误进行纠正，对两个错误进行探测。随着器件 ＭＩ
工艺尺寸的不断减小，存储器中发生多个错误的概率也
Ｈ＝ 警ｋ：
｝基金项目：国家自然科学基金（６１５０１２７５）；黑龙江省青年科学基金
（ＱＣ２０１５０７３）；齐齐哈尔市工业攻关项目（ＧＹＧＧ一２０１５１１） 耽
４４ 欢迎网上投稿ｗｗｗ．ＣｈｉｎａＡＥＴ．ｃｏｍ 《电子技术应用》２０１６年第４２卷第１０期

万方数据
。；童璺童簟鸶ｉｌｉｉｉＩ簟隧塑堕竺皇！！垡竺！堕！皇！垒！！！皇型
式（１）中，ｋ是一个２ｔｍｘ２ｔｍ的单位矩阵，Ｍ。，／１＇／２，…，％
是一系列的ｍ×ｍ２矩阵。Ｍ，，尬，…，帆的矩阵形式如下：
Ｍｌ＝
接着，按照式（１）－５戈（７），即可设计出（７７，４９）０ＬＳ码
的奇偶校验矩阵日，如图１所示。
１ｌ（肼ｍ０００ｆｘｘＭｘＨＪ（ＪｆＭＪ（１【，（１（ＮＸ舢Ｊ（１（ＫＭｘＨＪ（Ｊ（Ｍｘｘ×Ｘ麒Ｈ１１０‘州ＫＪ【ｌ【ＨＨＸＮ肌肌ｌ（Ｊ（ＸＪ（Ｊ（Ｍ肼ＸＸ×ｍ
１ ＩＩ ｌｌ
ｌｌｏｏ伽０００００伽００００００ｃ００００００ｃ０００００伽１００００１０００（１０Ｉ）０００伽０００００伽００００００００
０００００００ｌ ｌｌ ｌ ｌ
００００００００００００００ｌｌｌｌｌｌｌ００伽ＯＤ００００ｃ００００００（１０１）００００００００００１０００ｃ００（１０ｌ∞１）０佣Ｏ呻（１０００（＿∞０
０００（ＲｌＯＯｆｇＸ舢ＸＫＫＸ）（Ｊ（Ｘｍｌｌ １ｆ １１ ｌ伽ＸＸＪ（ＪｆＭｘ）【ｌｆＮＮＸＨＸ删Ｘｌ‘Ｊ（ｘｘ川ＮＸＸＸ删ＨＸ）ｔＩＩ】ｌ】Ｉ删ＨＪＩ】ｆ×ＸＸｍ
０００∞００００（Ｉ。０００００伽００００００００００１ ｌｌ ｌｌ １ ｌｏ。ｏｃ０００００伽０００（１０１００１０００ｃ００００００（ｎ）０伽０００ｆ）０００
０００。００Ｄ口Ｏ∞ＯＤ００００日ＯＤ０００伽ＯＤ００００００００１ｌ ｌｌ ｌｌ １０００００００００（）００１００００００（１０Ｉ）０（１０伽“Ｉｏ｜）０（ＩＩ）ｏ

０ ０ １０ ０ ０ １０ ０ Ｄ０ｌ０ ０ ０ １０ ０ ０ １０ ０ （１０１０ ０ ０ １０ ０ ０ ０ ０ ０ ０１㈩

０００∞Ｏ。００００００ｃ００００００（１０Ｉ）ｏ∞ｏ。Ｏ。００００００∞ｔ啪Ｏｌｌ ｌｌ ｌｌ １００００００１０（Ｊ０００伽巩１０１）０∞优１０（Ｈ）００

０１００００００１００００００ｌＯＯ００００１００Ｄ０００１００００００１００００００ｌ伽０ｃ吣００００００００１０００００优０００００删０
１００００００１００００００ｌ００００００１００００００１００００００１００００００Ｉ０００００００００００００１００００００００００００００００００００

０１０ ０ ０１０ 伽１０ ０ ０ ０ ｌｏ０ ０ ｌｏ０ ０ １０ ０ ０１０ ０ ０１㈣１０删０ ０

００１００００００１００００００１００００００１００００００１００００００１００００００１０００００００６１）００００ｌ伽伽００【１０ｌＤ００ｃ００００００
尬＝［厶厶…／－１。肼 （３） ０００１００００００１００００００１００００００１００００００１００００００１００００００１０００ｃ０００００００００ｌ伽０ｃ帕００００００００（Ｋ１００

０００００１００００００ｌ００００００１００００００ｌｏｏＯｏｏＯｌＯＯｏ０００１（１０００００１０００ｃ０００００００００Ｉ咖０ｃ０００咖００００００
为了满足日矩阵的正交化，在构造日矩阵过程中
采用了ｈ个正交拉丁方。因此，坞，…，Ｍ２，可通过ｈ个正
ｏｏｌ０００００１０００００１００００００００００００１０００００１０００００１０００００１０００００００００００００００００００１０００００００００００
交拉丁方Ｊ。，Ｊ２，…，厶一：变换得到［１０ｌ。正交拉丁方，。，Ｊ２， ０００１０００００ｌ０００００１０００００ｌｏ。０ｃ００００００００１０００００ｌ０００００ｌ伽０ｃ时００伽００００００００００１００００００００００
００００１０００００１０００００１０００００ｌ０００００１００们００００００００ｌ０００００１０ｃ０００００便１０Ｉ）００００００００１０００００００００
０００００１０００００１０００００１００００Ｄ１０００００１０００００１０００。００００００００１０００ｃ００００００ｃｌｏＩ）００００００ｌ伽００００００
…，厶－２，岛Ｅ １，２，…，ｍ，如式（４）所示： ００００００１０００００１０００００ｌＯＯ０００ｌ０００００１０００００Ｉ伽００们０００ｃ００００００００００００伽帅００００００１０００Ｄ０００
， １００００∞０００００１００００ｌ００００１０００００００００００ｌＯｏＤＯｌ００００１００伽Ｏ∞００伽Ｏ∞０００００。０００００１００００００

００１００（３０１０００００００００００１００００１００００１０００００００００００１００００１００伽０００咖０（１０Ｉ）０００㈣０００１００００
丑一２

（４）
１１＝［１９】。。。，厶＝［ｆＦ】。。。，…，厶一ｚ＝％】。。。
根据变量／ｚ（１≤ｐ≤ｍ）定义矩阵线，缘＝【ｇ：】，￡＝【岛】。。。
ＯｏｏｌＯｏｏＯｌ０００ｃ０００００００１００００１００００Ｉ００００１００删００１００（｝ｃ００００００ｃ００００（１０｜）０００００００１０００
０１０００００００００００ｌ００００ｌ００００１００００１０００００００００００１００００１０００。００∞０００伽０ｃＯＤ００００００００１伽０００
００００１００００１００００１０００㈣００１０００们００００１０１３０００００００００１００００００∞０００００００００００００００００１００
（３００００１００００１００００１伽Ｏ∞００００００ｌ００００１００００１００００１０００ｃ００００００ｃ０００伽０ｃ００００【１０ｌＤ００（帕０Ｄ０１０
００００００１００ＤＯｌ００００ｌ００００１０００ｃ０００００００ｌ００００ｌｏ０００ｌ伽０ｃ００００００ｃ唧）０伽ｏｃ０Ｄ００００ｃＯ∞００００ｌ

为ｍ阶正交拉丁方，ｇ：如式（５）所示： 图１（７７。４９）０Ｌｓ码的奇偶校验矩阵日

ｇ“
ｌｇ－＝／ｚ
使用（７７，４９）ＯＬＳ码构造的故障容错系统如图２所
ｌＦ≠肛
示。将信息位通过ＯＬＳ码的编码器进行编码后存储在存
对于每一个ｍ阶正交拉丁方，都存在ｍ个生成矩
储器中；在读出的时候，如果保存的码字有错误，通过
阵Ｑｔ，Ｑｚ，…，Ｑｍ，则向量Ｋ是关于矩阵ｇ的一维向量：
ＯＬｓ码的译码器后，可以纠正这些错误，从而保证了存
Ｖ…，Ｉｔｌｌ．一Ｉｔ。。ｇ＃ｑ：。…ｇ：…ｑ：。…ｇ：】
，…１…ｌ。ｇ ２１…ｇ抽…。ｌ…ｇ。ｊ （６）
【Ｏ） 储器中数据的正确性。
所以，奇偶校验日矩阵中的子矩阵Ｍ可以写成关
于向量Ｋ的一维列向量形式，如式（７）所示，其中ｙ。，Ｋ， 刊茄Ｈ…Ｈ蒜产
…，Ｋ由正交拉丁方Ｌ得到： 图２构造的ＯＬＳ码故障容错系统
Ｋ
设计的（７７，４９）０Ｌｓ码编码器可以由输入向量与生
Ｋ
胍＝ 成矩阵执行向量乘法来得到，如图３所示，因此只需要
：
进行简单的异或运算即可。ＯＬＳ码由于其在纠正任意错
形
误时都满足一步大数逻辑译码的条件，因此，其译码方
根据上述这些式子可以得到具有ｍ２个信息位、２ｔｍ
式将采用一步大数逻辑译码的方式。（７７，４９）０１．５码译码
个奇偶校验位和纠正能力为ｔ的ＯＬＳ码奇偶校验矩阵
器如图４所示，主要有异或门和大数逻辑门来构成进行
日的具体结构。本设计中构造的ＯＬＳ的参数有：信息位
并行译码。大数逻辑门通过对五个正交校验和Ａ；进行
ｋ＝７２＝４９、阶数ｍ＝４、纠正能力ｔ＝２以及冗余位２ｔｍ＝２８。
大数表决【５１：如果正交校验和Ａｉ中的多数为ｌ则输出ｌ；
因此，构造的ＯＬＳ码是一个（７７，４９）码。构造这样的０１５
反之，则输出０。
码选择了如下两个拉丁方：
１ ２ ３ ４ ５ ６ ７

６ ７ １ ２ ３ ４ ５

４ ５ ６ ７ １ ２ ３

Ｌ产ｌ ２ ３ ４ ５ ６ ７ （８）
７ １ ２ ３ ４ ５ ６

５ ６ ７ ｌ ２ ３ ４

３ ４ ５ ６ ７ １ １
图３（７７，４９）０１＿５码编码器设计
ｌ ２ ３ ４ ５ ６ ７

７ １ ２ ３ ４ ５ ６ ２功能验证及结果分析
６ ７ １ ２ ３ ４ ５ 本设计构造的ＯＬＳ码由Ｖｅｒｉｌｏｇ硬件描述语言来实
厶＝ｌ ５ ６ ７ １ ２ ３ ４ 现，采用的功能验证工具是Ｍｅｎｔｏｒ公司开发的ＭｏｄｅｌＳｉｍ
４ ５ ６ ７ １ ２ ３ 模拟器。首先，假设要将两个４９位的数据０６３ｂ７６９７ｆＳｆ８２
３ ４ ５ ６ ７ １ ｌ 和１ｌｅｅｆＯｔ３８７ｆＴｄ存储在存储器中；当完成编码操作后，
２ ３ ４ ５ ６ ７ １ 分别获得了０６３ｂ７６９７ｆＳｆ８２６６ｃ２４２ １和１ １ ｅｅｆＯｆ３８７ｆ＇／ｄ７９ｅ５２６ｃ

《电子技术应用》２０１６年第４２卷第１０期 ４５

万方数据
 微电子技术 Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ

图４（７７，４９）ＯＬＳ码译码器设计

这样的两个码字，如图５（ａ）所示，并将其分别存在存 ＳＲＡＭ ｄｅｖｉｃｅ．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．，Ｄｅｃ．２００５，５２（６）：

２４３３—２４３７．
储器的两个字中；然后，进行故障注入，先假设存储
的这两个字分别发生了一个错误，即分别变成了 【２］易伟，徐欣，聂洪山．一种ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ存储器抗辐射加

０６３ｂ３６９７ｆ８ｆ８２６６ｃ２４２１和１ ｌｅｅ舳０７ｆ７ｄ７９ｅ５２６ｅ这两个码 固方法［Ｊ】．微处理机，２０１１，３２（６）：８－１１．

字，经过ＯＬｓ译码器后，能够获得正确的输出值 ［３】董文杰，孟景，林金永，等．控制系统抗辐射加固设计知
识管理系统的构建【Ｊ】．航天工业管理，２０１５（５）：４２－４３．
０６３ｂ７６９７ｔｇｆ８２和１１ｅｅｌｏｆ３８７ｆＴｄ，如图５（ｂ）所示；最后，假
【４】黄繁荣，贺显红．星载测控应答机抗辐射加固与可靠性
设存储的这两个字分别发生了两个错误，即分别变为
平台研究【Ｊ］．遥测遥控，２０１５，３６（５）：６８—７４．
ｌｅ３ｂ７６９７ｆ８ｆ８２６６ｅ２４２１和１３ｅｅｄＯｆ３８７ｆ＇／ｄ７９ｅ５２６ｃ这两个码
【５】徐鑫龙．抗辐射ＳＲＡＭ测试系统的设计与实现［Ｊ】．中国集
字，在经过编码器译码后，也可以获得正确的码字，如
成电路，２０１６，２５（３）：５２—５５．
图５（Ｃ）所示。模拟验证结果证明了构造的（７７，４９）ＯＬｓ
【６】袁雅婧，赖晓玲，朱启，等．星载数字ＡＳＩＣ抗辐射加固设
的错误纠正功能是正确的，且可以应用于对存储器的抗
计与实现方法［Ｊ】．空间电子技术，２０１５（６）：４１—４４．
辐射加固保护。
［７】Ｐｅｄｒｏ Ｒｅｖｉｒｉｅｇｏ，Ｍａｒｋ Ｆｌａｎａｇａｎ，Ｊｕａｎ Ａｎｔｏｎｉｏ Ｍａｅｓｔｒｏ．

Ａ（６４，４５）ｔｒｉｐｌｅ ｅｌｌ＇ｏｒ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ ｃｏｄｅ ｆｏｒ ｍｅｍｏｒｙ ａｐｐｌｉ—

ｃａｔｉｏｎｓ．ＩＥＥＥ Ｔｒａｍ．Ｄｅｖｉｃｅ Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｌ．，Ｍａｒ．２０１２，１２（１）：

（ａ）编码仿真
１０１一１０６．

［８】ＨＳＩＡＯ Ｍ Ｙ，ＢＯＳＳＥＮ Ｄ Ｃ，ＣＨＩＥＮ Ｒ Ｔ．Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ ｌａｔｉｎ

（ｂ）译码仿真一纠正一个错误 ｓｑｕａｒｅ ｃｏｄｅｓ，ＩＢＭ Ｊ．Ｒｅｓ．Ｄｅｖｅｌｏｐ．，１９７０，１４（４）：３９０－３９４．

【９】杨刘洋，吕翔．一种基于正交拉丁方序列和光正交码的
二维光正交码ＭＯＬＳ／ＯＯＣ［Ｊ］．浙江师范大学学报（自然科
（ｃ）译码仿真一纠正两个错误
学版），２０１４，３７（４）：４３７－４４５．
图５（７７，４９）０ＬＳ码编码和译码操作仿真
【１０】宋丽丽，来逢昌，肖立伊．３２Ｘ３２位三端１３寄存器堆的
３结论 加固设计【Ｊ】．微电子学与计算机，２０１２，２９（１２）：２７－３０，
应用于辐射环境下的存储器需要进行抗辐射加固 ３５．

来提高其可靠性能。本设计使用了正交拉丁方码来对存 【１１】ＬＩＮ Ｓ，ＣＯＳＴＥＬＬＯ Ｄ Ｊ．Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｃｏｄｉｎｇ，２ｎｄ ｅｄ．

储器进行加固，使其能够纠正存储器中多位的ＭＣＵｓ。由 Ｅｎｇｌｅｗｏｏｄ Ｃｌｉｆｆｓ，ＮＪ，ＵＳＡ：Ｐｒｅｎｔｉｃｅ—Ｈａｌｌ，２００４．

【１２】Ｓｈｉｈ－Ｆｕ Ｌｉｕ，Ｐｅｄｒｏ Ｒｅｖｉｒｉｅｇｏ，Ｊｕａｎ Ａｎｔｏｎｉｏ Ｍａｅｓｔｒｏ．

于正交拉丁方码是根据正交拉丁方来构造的，因此它的
Ｅ伍ｅｉｅｎｔ ｍａｊｏｒｉｔｙ ｌｏｇｉｃ ｆａｕｌｔ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ—ｓｅｔ
纠正能力是可调的（在其生成矩阵中加入多个正交拉丁
ｃｏｄｅｓ ｆｏｒ ｍｅｍｏｒｙ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｖｅｒｙ Ｌａｒｇｅ
方即可实现纠正能力的提高），这对于复杂环境下的应
Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒ．（ＶＬＳＩ）Ｓｙｓｔ．，２０１２，２０（１）：１４８—１５６．
用是非常重要的。本设计使用简单的异或电路设计了
（收稿日期：２０１６－０６－０１）
（７７，４９）０ＬＳ码的编码器，而且使用一步大数逻辑纠正译
码来对其进行译码。实验结果表明，对构造的ＯＬＳ码进
行编码和译码的故障注入，发现其可以对存储器中的多
作者简介：
个错误进行纠正，从而验证了该故障容错设计系统的有
董亮（１９７９一），男，硕士研究生，讲师，主要研究方向：
效性。
无线通信、集成电路。
参考文献
［１】Ｄａｎｉｅｌｅ Ｒａｄａｅｌｌｉ，Ｈｅｌｍｕｔ Ｐｕｅｈｎｅｒ，Ｓｋｉｐ Ｗｏｎｇ，ｅｔ ａ１．
ｉｎ １５０ ｎｍ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ ｍｕｌｔｉ－ｂｉｔ ａ
ｕｐｓｅｔｓ

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