第 ２５ 卷 　 第 ２ 期 液　晶　与　显　示 Ｖｏ

ｌ．２５，
Ｎｏ．２
２０１０ 年 ４ 月 Ｃｈ
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Ａｐ ２０１０

文章编号：
１００７
２７８０（
２０１０）
０２
０１９６
０４

全丝印后栅 犆犖犜
犉犈犇 仿真及器件研究
杨 　 雄，胡利勤，吴朝兴，陈 　 勇，林志龙，郭太良
（福州大学 物理与信息工程学院，福建 福州 　３５０００２，
Ｅｍａ
ｉｌ：
ｙａｎｇｘ
ｉｏｎｇ９２１＠１６３．
ｃｏｍ）

摘 　 要：模拟并制作了一种 基 于 丝 网 印 刷 技 术 的 后 栅 结 构 碳 纳 米 管 场 发 射 显 示 器。 采 用 有 限 元 分 析 软 件
ＡＮＳＹＳ 对器件进行了电场模拟，优化 了 阴 极 宽 度、阴 极 厚 度、阴 极 间 隙、介 质 层 厚 度 等 结 构 参 数。 取 最 优 参
数制作了像素为 ３０×３０，发光面积为 ５４ｍｍ×５４ｍｍ 的单色显示屏。在阳压为 １５００Ｖ、栅压为 ３００Ｖ 时，器
件发射电流密度达到 ５μＡ／ｃｍ２ 。该器件制作成本低，稳定性和均匀性良好，可矩阵寻址实现字符显示。
关 　 键 　 词：丝网印刷；后栅；
ＡＮＳＹＳ；场发射显示器；仿真
中图分类号：ＴＮ８７３＋ ．
９５　　　 文献标识码：Ａ

犛
犻犿狌
犾犪狋
犻狅狀犪狀犱犛
狋狌犱狔狅
犳犝狀犱
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狋犲犆犖犜
犉犈犇犞犻
犪犛犮
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犻狏犲
狉狊犻
狋狔，
犉狌狕犺狅狌　３５０００２，犆犺
犻狀犪，
犈犿犪
犻犾：
狔犪狀犵狓犻 犮
狅狀犵９２１＠１６３．狅犿）

犃犫
狊狋狉
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三极结构 ＦＥＤ 可 分 为 前 栅 型 和 后 栅 型。 前 栅 结
１　 引 　　 言 构的优势在于栅 极 调 控 作 用 明 显，能 够 制 作 出 高
场发射显示器（
ＦＥＤ）是显示技术与真空 微电 亮度显示器件，但 其 工 艺 制 作 公 差 对 阴 极 发 射 特
子技术相结合的 产 物，被 认 为 是 最 有 可 能 真 正 与 性影响较大，特别是对介质层厚度、栅极开口尺寸
等离子体（
ＰＤＰ）和液晶显示器件（
ＬＣＤ）相竞争 的 和栅极对准精度 等 参 数 非 常 敏 感，在 厚 膜 工 艺 条
［
１］
平板显示器 。场发射显示器按有无栅极可 分为 件下，前栅结 构 很 难 实 现 大 面 积 均 匀 显 示。针 对
二极结构和三极结构。二极结构制作工艺简单但 前栅结构所存 在 的 问 题，
Ｓａｍｓｕｎｇ 公 司 提 出 了 后
需要较高的驱动电压，很难采用现成的集成电路， 栅三极结构。后栅结构中，栅极埋在阴极之下，利
使得驱 动 成 本 很 高。 三 极 结 构 由 于 增 加 了 栅 电 用栅极与阴极边 缘 的 强 电 场，使 阴 极 边 缘 的 场 发
极，可以采用较低驱动电压。按栅极位置的不同， 射源产生场致电子发射。此结构工艺制作公差对

　　 收稿日期：２００９
０９
０８；修订日期：２００９
１０
２７
　　 基金项目：国家“
８６３”计划平板显示重大专项（ ２００８ＡＡ０３Ａ３１３）
Ｎｏ．
作者简介：杨雄（
１９８４－ ），男，湖南岳阳人，硕士研究生，主要研究纳米材料及场发射器件。
第２期 杨 　 雄，等：全丝印后栅 ＣＮＴＦＥＤ 仿真及器件研究 １
　９７

阴极发射特性影 响 较 小，可 全 部 采 用 丝 网 印 刷 工
艺实现，制作成本低，易实现大面积均匀显示［２，３］。 '()&$
$"
截止目前，国内外许多单位对后栅 ＦＥＤ 进行
#
了一些研究，但在 结 构 参 数 优 化 方 面 的 研 究 还 不
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够深入。本文采用有限元分析软件 ＡＮＳＹＳ 对后
栅型场发射显示 器 进 行 了 电 场 模 拟，分 析 了 不 同 !"#$ "&

阴极 宽 度、阴 极 厚 度、阴 极 间 隙、介 质 层 厚 度 等 结 图 ２　 后栅型场发射显示器的静电场模型

构参数对阴极发射特性的影响。根据模拟结果选 Ｆ
ｉｇ．
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取最佳参数，采用 丝 网 印 刷 工 艺 制 作 了 后 栅 型 碳
纳米管场发 射 显 示 器 （
ＣＮＴＦＥＤ）并 测 试 了 该 器 ２　 工作特性仿真
２．
件的场发射性能。 在场发射显示 器 中，阴 极 的 场 发 射 特 性 与 其
结构尺寸和电参 数 密 切 相 关，根 据 实 验 经 验 将 阴
２　 器件仿真及制作 阳极间 距 犎 定 为 １０００ μｍ，阳 极 电 压 犞ａ 定 为
１　 仿真模型
２． １５００Ｖ，栅极电压 犞ｇ 定 为 ３００ Ｖ，设 计 了 Ａ、
Ｂ、
ＡＮＳＹＳ 软 件 是 美 国 ＡＮＳＹＳ 公 司 研 制 的 大 Ｃ、
Ｄ４ 组单项 仿 真 实 验。如 表 １ 所 示，每 组 实 验
型通 用 有 限 元 分 析 软 件，能 够 进 行 包 括 结 构、热、 只改变一个参数，在其他参数不变的情况下，分别
声、流体、电 磁 场 等 学 科 的 研 究。 本 文 利 用 ＡＮ 研究 了 阴 极 宽 度、阴 极 厚 度、阴 极 间 隙、介 质 层 厚
ＳＹＳ 的电磁 场 分 析 功 能 对 后 栅 型 场 发 射 显 示 器 度等结构参数对 阴 极 表 面 电 场 分 布 的 影 响，不 同
的结构进行模拟 仿 真，后 栅 型 场 发 射 显 示 器 的 结 参数下的电场分布图如图 ３ 所示。
构如图 １ 所示。根据实际结构的平面对称性创建 表 １　犃犖犛犢犛 实验模拟参数
了有限元二维模 型，如 图 ２ 所 示，其 中 犎 为 阴 阳 Ｔａｂ
ｌｅ１　ＡＮＳＹＳｓ
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极间距，
犠ｃ 为阴极宽度，
犠 ｄ 为阴极间距，
犜ｄ 为介 犠ｃ（
ｍｍ） 犜ｃ（
ｍｍ） 犠 ｄ（
编号 μｍ） 犜ｄ（
μｍ）
犜ｃ 为阴极厚度。
质层厚度，
Ａ １／１．
５／２ １５ ７５０ ２５
为了使问题简化，做以下假设：
Ｂ １００ １０／１５／２０ ７５０ ２５
１）各电极形状为长方体，电阻率为零；
（
Ｃ １００ １０ ０．
０６～１．
２ ２５
２）忽略空间电荷对电场分布的影响；
（
Ｄ １００ １０ ８００ ２０～７０
（
３）介质层电阻为无穷大，无孔洞；
（
４）阴极表面无 ＣＮＴ 等场发射材料。
由于阴极附 近 电 场 变 化 剧 烈，为 重 点 研 究 区 由仿真实验结果分析可知：
域，所以在有限元网络划分时，阴极附近区域网络 １）后栅型 ＦＥＤ 是 边 缘 型 场 发 射 器 件，阴 极
（
划分较密。远离阴极的区域，电位变化平缓，网格 表面的电场强度 由 电 极 中 间 向 边 缘 方 向 增 加，阴
划分较疏。利用 ＡＮＳＹＳ 软件模拟出 不同 条件下 极边缘电场 最 强。 在 实 际 应 用 中，电 极 最 边 上 的
阴极表面电场的分布情况，得出模拟数据，最后将 点由于电场太强，可能造成瞬间电流过大，发热导
数据导入 Ｏｒ
ｉｇｎ 软件画出电场分布图。
ｉ 致材料脱落或烧毁，器件老炼一段时间后，最边上
的点可能成为无 效 发 射 点，故 在 研 究 各 项 参 数 对
!"#
$#% 阴极表面电场分布的影响时，不考虑最边缘的点，
$%& 这样得到的结果更接近实际情况。

!"#
（
２）由图 ３（
ａ）可知，在 设 定 参 数 范 围 内，随 着
'( 阴 极 宽 度 的 减 小，阴 极 表 面 电 场 整 体 逐 渐 提 高。
)*
结合当前丝印最小线宽为 １００μｍ，故将阴 极宽度
+(
,"# 定为 １００μｍ。
图 １　 后栅型场发射显示器结构图 ３）由图 ３（
（ ｂ）可 知，阴 极 厚 度 对 阴 极 发 射 特
Ｆ
ｉｇ．
１　Ｓｃｈｅｍａ
ｔｉｃ
ｓｏｆｕｎｄｅ
ｒｇａ
ｔｅＦＥＤ 性影响均较小，将阴极厚度定为 １０μｍ，约 一次印
１
　９８ 液 　　 晶 　　 与 　　 显 　　 示 第 ２５ 卷

刷的厚度。 ｍｍ，全屏显示面积为 ５４ｍｍ×５４ｍｍ。

（
４）由图 ３（
ｃ）可知，在设定参数范围内随着阴 （
５）由 图 ３（
ｄ）可 知 ，介 质 层 厚 度 对 阴 极 发 射
极间隙增大，阴极表面电场整体逐渐提高。为研究 特 性 影 响 较 小 ，考 虑 到 介 质 层 的 实 际 耐 压 特 性 ，
方便，将阴极间隙参数定为 ８００μｍ，每根电极引线 将 介 质 层 厚 度 定 为 ２５ μｍ，约 为 印 刷 ３ 层 的
分叉引出两根阴极，每个像素面积为 １．
８ｍｍ×１．
８ 厚度。

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图 ３　 器件参数对阴极表面电场分布的影响。（
ａ）阴极宽度对电场分布的影响；（
ｂ）阴极厚度对电场分布的影响；（
ｃ）阴 极
间隙对电场分布的影响；（
ｄ）介质厚度对电场分布的影响 ．
Ｆ
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３　 器件制作
２． 射性能 ［５］。前后基 板 对 准 封 接 后，对 显 示 屏 抽 真
根据上文 ＡＮＳＹＳ 的 模 拟 结 果，取 阴 极 宽 度 空，在真空度约为 ２×１０－５ Ｐａ 的条 件 下 封 离 排 气
为 １００μｍ，阴 极 厚 度 为 １０ μｍ，阴 极 间 隙 为 ８００ 口，蒸散消气剂 ［６］。

μｍ，介 质 层 厚 度 为 ２５ μｍ，阴 阳 极 间 距 为 １０００

μｍ。根据显示 屏 结 构 参 数，制 作 了 像 素 为 ３０× ($)
３０，发 光 面 积 为 ５４ ｍｍ×５４ ｍｍ 的 单 色 显 示 屏 &' #$%
（图 ４）。器 件 由 前 后 基 板 组 成，前 基 板 包 括 整 面
ＩＴＯ 玻璃和荧光粉，后 基 板 包 括 栅 极、介 质 层、阴
极、
ＣＮＴ 材料等。在器件 制 作 过 程 中，
ＣＮＴ 材 料
的转移及其后处理尤为关键。本文首先采用酸化
及球磨工艺对单 壁 ＣＮＴ 进 行 表 面 改 性 及 分 散 前 *+ !"

处理 ［４］，然 后 将 处 理 过 的 ＣＮＴ 与 一 定 比 例 的 松
油醇和乙 基 纤 维 素 配 成 ＣＮＴ 浆 料，通 过 丝 网 印
图 ４　 印刷型后栅 ＦＥＤ 实物图
刷转移到阴极表面。ＣＮＴ 浆料经高 温烧结 后，采
Ｆ
ｉｇ．
４　Ｐｈｏ
ｔｏｏ
ｆ１０ｃｍ×１０ｃｍｕｎｄｅ
ｒｇａ
ｔｅＣＮＴＦＥＤ
用胶带法 对 其 进 行 后 处 理，使 ＣＮＴ 有 更 好 的 发
第２期 杨 　 雄，等：全丝印后栅 ＣＮＴＦＥＤ 仿真及器件研究 １
　９９

３　 器件性能测试
图５为 制 作 完 后 的 显 示 屏 场 发 射 测 试 曲 线
图，在保持阳极电压 １５００Ｖ 不变的情 况下，随着
栅极电压的 增 加，发 射 电 流 逐 渐 增 加。 栅 压 为 ０
时没有发光亮点，随着栅极电压的升高，发射点密
度逐渐增加，发光亮度也明显提高，说明器件栅极
调控作用明显。当 栅 极 施 加 脉 宽 为 ６２０μｓ、频 率
为 ５０ Ｈｚ、幅度为 ３００Ｖ 的扫描电压时，发射电 流
图 ６　 场发射测试发光图（
犞ａ ＝１５００ Ｖ，
犞ｇ ＝３００ Ｖ，
犜＝
达到 ５μＡ／ｃｍ２ ，能实现整屏均匀显示。图 ６ 为器
１８ｈ）
件在阳压 １５００Ｖ、栅压 ３０ 条 件下 经 １８ｈ 测
０Ｖ 9&)(:*3;
-*8'&+(
</'(/=>'? !")(:*3; Ｆ
ｉｇ．
６　 Ｅｍｉ
ｓｓｉ
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ｒｇａ
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ｖｉｃ
ｅｓ
试对应的发光效果图，说明该器件稳定性良好。
ｗｉ
ｔｈ犞ａ＝１５００Ｖ，
犞ｇ＝３００Ｖ，
犜＝１８ｈ．
120
!"#
./*0(
Anode)*8'&+( ! $##
voltage -
1500V
100
!##
./*0( current/uA
1233(/' , !.

80
5# ４　 结 　　 论
60
6# 采用 ＡＮＳＹＳ 软 件 对 丝 印 制 备 的 后 栅 ＣＮＴ
Anode

40
7# ＦＥＤ 进行了电场模拟，分 析 了 各 结 构 参 数 对 电 场
20
"# 分布的影响，取 最 优 参 数 制 作 了 像 素 为 ３０×３０、
发光面积为 ５４ ｍｍ×５４ ｍｍ 的 单 色 显 示 屏。 阳
0#
!##
100 !$#
150 0#
"##
200 250 $#
"$# 300
4##
50 极施加固定 电 压 １５００ Ｖ，栅 极 施 加 脉 宽 为 ６２０
%&'( )*'&+( , -
Gate votage/V
图 ５　 丝网印刷后栅型 ＣＮＴＦＥＤ 场发射测试曲线 μｓ、频率为 ５０ Ｈｚ、幅 度 为 ３００ Ｖ 的 扫 描 电 压 时，
Ｆ
ｉ ５　犐
ｇ． 犞 ｃｈａ
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ｒｇａ
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ｒｉｏｄｅｄｅ
ｖｉｃ
ｅｓ
器件 有 较 好 的 显 示 效 果，发 射 电 流 达 到 ５ μＡ／
（
Ａｎｏｄｅｖｏ
ｌｔａｇｅｗａ
ｓｆｉ
ｘｅｄａ ５ｋＶ）
ｔ１． ｃｍ２ ，能实现整屏均匀显示，器件稳定性良好。

参 　 考 　 文 　 献：

［１ ］林志贤，徐胜，郭太良 ．大屏幕低逸出功印刷型 ＶＧＡ 级 ＦＥＤ 显示系统的研制 ［

Ｊ］．液晶与显示，２００８，
２３（
１）：
５８
６２．
［２ ］Ｆｅｎｎ
ｉｍｏ
ｒｅＡ Ｍ，
ＣｈｅｎｇＬＴ，
Ｒｏａ
ｃｈＤ Ｈ．
Ａｓｔ
ａｂｌ
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［
Ｊ］．
犇犻犪犿狅狀犱犪狀犱犚犲
犾犪狋
犲犱 犕犪
狋犲狉
犻犪狊，２００８，
犾 １７（
１２）：
２００５
２００９．
［３ ］Ｃｈｏ
ｉａＹＳ，
ＫａｎｇａＪＨ，
ＰａｋｂＹＪ，
ｒ 犲狋犪
犾．Ａｎｕｎｄｅ
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Ｊ］．
犇犻犪犿狅狀犱犪狀犱犚犲
犾犪狋
犲犱 犕犪
狋犲狉
犻犪狊，
犾 ２００１，
１０（
９１０）：
１７０５
１７０８．
［４ ］陈秀云，叶芸，郭太良 ．高 亮 度 碳 纳 米 管 背 光 源 的 制 备 及 特 性 研 究 ［
Ｊ］．福 州 大 学 报 （自 然 科 学 版 ），
２００９，
３７（
３）：
３７２
３７５．
［５ ］Ｖｉ
ｎｋＴＪ，
Ｇｉｌ
ｌｉ
ｅｓＭ，
ＫｒｅｇｅＪＣ，
ｉ 犲狋犪
犾．Ｅｎｈａｎｃ
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ｉｏｎ ［
Ｊ］．
犃狆狆犾．犘犺狔．犔犲
狋狋．，
２００３，
８３（
１７）：
３５５２
３５５４．
［６ ］樊志琴，蔡根旺，王世建 ．碳纳米管膜场发射三极管的制备及特性研究 ［
Ｊ］．液晶与显示，
２００８，
２３（
１）：
３０
３４．